TW200410367A - Phase change memory and method therefor - Google Patents

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200410367 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種相位改變記憶體及其製造方法。 【先前技術】 相位改變記憶體裝置使用相位改變材料（即可在大體# 結晶狀態與大體結晶狀態之間電切換的材料），以供電子記 憶體方面的應用。一種類型的記憶體元件使用一相位改變 材料，在一應用中，此相位改變材料可以在大體非結晶之 一結構狀態與大體結晶局部狀態之間電切換，或在橫跨位 毛疋全非結晶狀態與完全結晶狀態之間之完整光譜的局部 狀態之不同可偵測狀態之間電切換。 適合此種應用的典型材料，包括採用各種硫族化合物 (chalC0genide)成分的材料。該等相位改變材料之狀態亦為 、半結晶、非結晶 由於該值代表該材 晶），故該值會一直 非揮發性，其係因為，當其設定於結晶、 或半非結晶狀態，以代表一電阻值時，由 料的一相位士實體狀態（例如結晶或非結晶 維持到重新設定為止。

一介電材料上的一 因此，繼續需要有替代方法，用於製 某些介電材料與相位改變材料之間 固黏合在一起。因此，該相位改變 位改變裝置的製造過程中剝落， 裝置。 用於製造相位改變記憶體 85910 200410367 【發明内容】 本無明係揭示一種相位改變記憶體及一種製造相位改變 1己憶體的方法，其係依據一項具體實施例來簡要說明。該 相位改變記憶體可包括一電極、一黏合材料、位於該電極 與遠黏合材料之間的一絕緣材料，其中，該黏合材料之一 部分、孩絕緣材料之一部分以及該電極之一部分形成一實 貝平坦之表面。該相位改變記憶體可進一步包括位於該實 貝平坦表面之上的一相位改變材料，且該相位改變材料與 邊電極、孩黏合材料以及該絕緣材料接觸。 【實施方式】 在以下的祥細說明中，所提出的許多特定細節係為了提 供本發明之完整的瞭解。但是，本技術專業人士將可瞭解 到’本發明可不使用這些特定細節來實施。在其他情況下 為了避免混淆本發明，不會詳細說明已熟知的方法、程 序、組件及電路。 f 了又的苎明書及申請專利範圍中，可使用術語「耦合 Λ 、妾」以及其衍生術語。應知道，這些術語不預計 當作彼此::同，。而{，在特定具體實施例中，可使用 、一」「來扣不以直接貫體或電互相接觸的兩個或兩個以 上兀件㉟合」可表示以直接實體或電接觸的兩個或兩個 以上元件。但是，「#人 Γ φ 一 一 、口」也可表不非以直接互相接觸的兩 3 ”固以上元件，但仍然互相協作或互動。 可用於說明一記憶體元件⑽之製造的4 貫施例，且圖1 〇血彳， /、/、月旦

與11可用於說明用來製造記憶體元件100的 85910 200410367 另項具體實施例。圖1所顯示為一基板丨10，如一半導體 基板（例如一矽基板），不過本發明之範圍於此方面未作限2 。其它合適基板可為（但不限於）包括陶资材料、有機材料或 一破璃材料的基板。 在一項具體實施例中，可在基板11〇之一部分上形成如二 碎化姑（CoSl2)等的-财火金屬硬化物的—還原材料工2〇。還 '、才料120可在一p+*N+摻雜接合處的頂部形成，該接合 處或為一二極體之部分，或為一 M〇s電晶體之一源極/沒2 區域之部分。 、，在圖1中說明的該項具體實施例中，還原材料l2G可形成 ) 區域101之上，而泫P+區域1 〇 1可形成於一 N區域102 芡上。區域101與102可形成一 PN二極體。 令p+區域101可藉由在基板中引入如硼等的一P型摻雜 ’|J而开y成。在一例丨中，p型才參雜劑的-合適濃度為每立方 釐米（at〇msW)大約含5xl〇18至約1χΐ〇2〇個以上原子的等 ^，其可典型表現為P+°N區域⑽可為一 p基板晶圓上的 互補至屬氧化物半導體（c〇mple動加肛乂 metal —〇xide ⑽⑽nduetQr ; CM〇s)_、— 板晶圓上的一 n井或一 埋藏的N井/字元線（例如一二極體矩料列巾的b叫。 一万面，還原材料120在製造周邊電路（例如定址電路） (圖1中未頭不）時可作為一相對較低電阻材料來使用。就形 成所况明的一 I己憶體元件而言，可不需要還原材料⑶，然 還原材料120可以包括在記憶體元件丨〇〇之中，位於一 相位改變㈣（圖纟顯示）與一隔離裝置或如一二極體或 S7 85910 200410367 私日日體等的切換裝置（圖1中未顯示）之間。還原材料120 可藉由向基板11〇之一部分内引入一耐火金屬（例如鈷）而形 成。 元fe體元件100也可包括淺溝渠隔離（shall〇w trench isolation ’ STI)結構125。STI結構125可用於使單獨的記憶 體7L件互相隔開，並將其與形成於該基板之中及之上的關 驷私路元件（如電晶體裝置）隔開。在一項具體實施例中， STI結構125可為氧化物或二氧化矽，不過並未於此方面限 制本發明的範圍。 鲁 -導電插頭130可於還原材料12〇上形成。導電插頭13〇 可作為一相對較低電阻路徑來使用，以便為一可程式化材 料（如一相位改變材料）提供電流（圖（中未顯示）。導電插頭 130可包括-外部u形阻障材料135與一内部導電材料136。 雖然本發明之範圍於此方面未作限制，但阻障材料⑴可以

為一導電材料。阻障材料135可以為氮化歛（ΤιΝ)或氮化麵 (TaN)。導電材料136可以為鎢（w)或銅（a)。 一1巴緣材料層129可在基板⑽之上形成。-開口（圖: 未顯不)可在絕緣材料129中形&，且導電插頭130可在此 口《中形成’其中’絕緣材料129環繞導電插頭13〇。絕 材料129的例子可包括—氧化物、氮化物或-紅介電材 ’不過本發明之範園於此方面未作限制。 一、'、巴、、彖材料層140可於举缝好姓 、γ 万、、、、巴緣材科129及導電插頭130之 部为义上形成。絕緣材料14〇 不 為一電絶緣材料。絕_ 料140也可以為一隔哉 豕何村、.巴 …柯科絶緣材料14〇的例子可包括 85910 -9- 200410367 乳化物、氮化物或-低K介電材料，Η本發明之範圍於此 ==未作限制。絕緣材料140可具有從約500埃（Α)至約3,⑽0 埃範圍内的-厚度，不過本發明之範圍於此方面未作限制。 /見在參考圖2,具有側壁155的一孔或開口 15〇可藉由姓刻 絕緣材料140而形成。開口 150可以為一通道或一溝渠，不 過本發明之範圍於此方面未作限制。 在一項具體實施例中，開口 15〇可採用微影蝕刻及蝕刻技 術形成。例如，開口 150可藉由在絕緣材料14〇上施加一光 阻材料層（未顯示）並將其曝光而形成。一遮罩（未顯示）可用 於曝露該光阻材料之選擇區域，該選擇區域定義欲移除（即 蝕刻）之區域。該蝕刻可為一化學蝕刻，其可稱為一濕式蝕 刻。或者，該蝕刻可以為一電解蝕刻或電漿（離子轟擊）蝕刻 ，其可稱為乾式蝕刻。在一項具體實施例中，該蝕刻可以 係採用一乾式電漿蝕刻的一各向異性蝕刻，不過本發明之 範圍於此方面未作限制。若開口 i 50係採用微影蝕刻技術形 成’則其直徑或寬度可至少為一特徵尺寸。 一結構之特徵尺寸可以指採用微影蚀刻技術可獲得的最 小尺寸。例如，該特徵尺寸可以指一結構中一材料之一寬 度或各材料的間距。已知道，微影蝕刻係指從一媒體向另 一媒體轉移一圖案或影像的程序，例如採用紫外 (ultra-violet ; UV)光從一遮罩向一晶圓轉移圖案或影像。 該轉移圖案的最小特徵尺寸可能會受到UV光的限制。小於 該特徵尺寸的距離、尺寸或尺度可稱為次微影距離、尺寸 或尺度。例如，某些結構可以具有約2500埃的特徵尺寸。 -10- 85910 200410367 在此例子中，一次微影距離可指具有不到約2500埃之一寬 度的一特徵。 、可採用數種技術來獲得次微影尺度。儘管本發明之範圍 於此方面未作限制，但可以使用相移遮罩、電子束微影或X 光微影來獲得次微影尺度。電子束微影可指採用一電子束 使抗触劑在-晶圓上曝露的—直接寫人微影技術。X光微影 可指用於向-$晶圓轉移圖案的—微影方法，纟中使用的 電磁輻射為X光，而非可見光。用於\光的較短波長（例如， 約10至50埃’與用於紫外光的約2_至3_埃波長相比）可 減少衍射，並可用於獲得約1〇〇〇埃的特徵尺寸。而且，側 壁間物可用於獲得次微影尺度。圖2可用於說明側壁間隔 物160的使用，以獲得次微影尺度。 圖2以相同的斷面圖描述可選擇側壁間隔物16〇形成後的 圖1之〜構。在一項具體實施例中，侧壁間隔物丄6〇可沿一 硬質遮罩材料17〇的側壁175形成。該等側壁175之間的距離 可為一特徵^寸，並可採用微影蝕刻及蝕刻技術形成。側 壁間隔物160可藉由在側壁175之間的間隔中沈積一層材料 ，並採用一如一各向異性蝕刻等的乾式蝕刻法使此材料圖 案化而形成。 涊等侧壁間隔物丨6〇之間的距離可為一次微影距離。在一 項具體實施例中，在侧壁間隔物16〇形成後，可採用另一各 向異性姓刻㈣成具有—次微影直徑的—開nl5〇。例如， 在一項具體實施例中，可採用一蝕刻劑將絕緣材料14〇各向 /、f生蝕刻掉，該蝕刻劑係可選擇，以便該蝕刻劑可在導電 85910 -11 - 200410367 插頭130處停止或保護導電插頭13〇。如圖 _ 2所不，蔹蝕刻操 作使導電插頭130之一部分透過開口 15〇曝露出來。一方 ，侧壁間隔物160可用於減少在開口 15〇中形成的電極材料( 圖3中顯示的180)的數量。在一項具體實施例中，開口 I% 的直徑可以小於約1,000埃，不過本發明之範圍於此方面未 作限制。 雖然，本發明之範圍於此方面未作限制，但硬質遮罩材 料170可以為多晶矽、非結晶矽或氮化矽。硬質遮罩材料π。 可具有從約1，000埃至約3,000埃範圍内的一厚度，不過本發 明之範圍於此方面未作限制。側壁間隔物16〇可由如多晶矽 、非結晶珍、氮氧化石夕或氮氧化物等多種材料形成。 應該指出，使用側壁間隔物160來形成開口 15〇並不構成 對本發明的限制。其它次微影方法（如上所述）也可用於形成 開口 150,其中，開口 150可具有一次微影直徑。或者，在 替代具體實施例中，開口 150可採用微影蝕刻技術形成，且 因此可具有大於或等於約一特徵尺寸的一直徑。 圖3說明在絕緣材料140之上及開口 15〇(圖2)之中保角沈 積一電極材料180後的記憶體元件1〇〇。圖3係藉由在缺少或 侧壁間隔物160或硬質遮罩材料170或材料160與170移除後 之後續材料的情況下說明記憶體元件1〇〇而得到簡化。間隔 物160或硬質遮罩材料170可採用（例如）一蝕刻或一化學機 械研磨（chemical-mechanical polish ; CMP)方法選擇性移除 。如上所述，某些具體實施例可使用側壁間隔物16〇來形成 開口 150(圖2)，而其它具體實施例可以不用侧壁間隔物來形 -12- 85910 200410367 成開口 150。 在一項具體實施例中 μ .....〜局一層碳或半金 一過渡金屬），其包括但不限於鈦1、氮化鈦㈣ 2化㈣（τιΑ戦氮化^(TlSlN)。例如，電極㈣⑽ 、木用-化學汽相沈積（ehemieai vapGr ―仙⑽·⑽） 万法形成，然而，用於形成電極材料18G的特殊方法不會對 本發明<範園構成限制。還應該理解，可採用替代方法來 形成電極材料1 § 〇。 引入電極材料180後，圖3中顯示的結構可實施平面化， :=除電極材料18〇之—部分，m移除絕緣層⑽之一 部分。合適的平面化技術可包括化學或化學機械研磨 (chemical-mechanical polish ; CMP)技術。 圖4說明移除部分電極材料18〇後的圖3的結構。電極材料 〇之D卩分可藉由圖案化或分割材料180來移除。在一項 ，體實施例中，材料180之-部分可採用(例如)一 CMP方法 移除。還應j亥理解，可採用替代方法來移除部分電極材料 180例如，可採用一覆蓋蝕刻（bianket etch)來移除部分電 極材料1 8 0。 圖5就明移除邵分絕緣材料14〇後的記憶體元件1⑻。在一 項具體實施例中，可將絕緣層14〇内凹或回蝕，以曝露電極 材料180的側壁之一部分。在一項具體實施例中，採用一濕 式口姓或擇性回触（例如’以氮氟酸（hydr〇fiu〇ric acid ; HF)稀釋的一選擇性氧化物蝕刻）可移除大約ι〇⑻至約川⑽ 埃的絕緣層140。或者，也可採用一乾式蝕刻法。在此處理 85910 -13- 200410367 H的:極材料刚可稱為—矛狀結構或—柱狀結構，並可 '、、记fe體元件1 〇〇的一較低電極來使用。 —圖6為在-後來製造階段的圖5的結構。圖6說明保角形成 2緣材料2職的記憶體元件_，絕緣材料糊沿電柄 m側壁形成於絕緣材料14()之—頂面上，並形成於 電極材料18〇之-頂面上。換言之，絕緣材料21〇可環繞電 極材料180之上部形成，並與其接觸。 絕緣材料210可為—電絕緣及/或熱絕緣材料，如一氧化 氮化物、-低K介電材料、任何其它相對較低熱傳導 性材料或任何其它相對較低導電性材料。絕緣材料21〇可用 於料憶fi元件_提供電及/或錢離。使用―絕、緣材料 來衣、疋电極1 80可在程式化期間增加記憶體元件1⑼的效率 °而且’使用具有相對較高隔熱性能的-絕緣材料可增加 熱效率（例如減少熱損失），並可減少記憶體元件1〇〇程式化 期間使用的電流總量。 用於已形—成絕緣材料21〇的材料厚度與技術可依據記憶 體元件100的所需特徵來選擇。在一項具體實施例中，絕緣 材料210可具有從約500埃至約2,5〇〇埃範圍内的一厚度，不 過並未於此方面限制本發明之範圍。在一項具體實施例中 ，絕緣材料210可採用一低壓化學汽相沈積（1〇w pressure chemical vapor deposltl〇n ; lPCVD)或電漿增強化學汽相沈 知（plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD)法 形成。 材料層220可形成於絕緣層2i〇之上。材料220可以為一 85910 -14- 200410367 導電或一熱傳導材料。材料220可用做適合與一相位改變材 料（例如圖9之相位改變材料300)黏合的黏合材料，並在此類 應用中可稱為黏合材料、黏合層或膠合層。在材料22〇作為 一黏合層使用的此例子中，所用的材料類型可依據記憶體 元件100中所用的相位改變材料來選擇。使用合適的黏合材 料與咸相位改變材料黏合可減少任何與剝落有關的問題。 若無材料220，則該相位改變材料可直接接觸絕緣材料21〇 ，且可能難以與絕緣材料21〇充分黏合。 材料220也可用做一熱基礎平面，以減少鄰近記憶體元件 <間的熱干擾問題。在設計使該記憶體元件的該相位改變 材料處於（例如）一非結晶狀態的過程中，當反覆加熱一目標 記憶體或選擇記憶體元件時，熱干擾問題就可能出現。由 於圮憶體裝置比例縮小，使記憶體元件間的距離減小，所 以在忒目標圮憶體元件加熱過程中，鄰近該目標記憶體元 件的未選擇圮憶體元件也會受熱。對鄰近未選擇記憶體元 件的此不注意之加熱常常會造成該等未選擇的記憶體元件 ^决地改變A態。如上所述，熱干擾問題可藉由提供適當 厚度的材料220，用做一熱基礎平面而減少。增加材料 的厚度可改吾熱散失，從而改善鄰近記憶體元件間的熱絕 緣。 材料220之例子可包括含多晶矽或鈦的材料，不過未就此 万面對該申請主題的範圍作出限制。用於已形成的材料220 的材料厚度與技術可依據記憶體元件1 〇〇的所需特徵來選 擇。在一項具體實施例中，材料22〇可具有從約2〇〇埃至約 85910 -15 - 200410367 2,500埃範圍内的一厚度，不過並未於此方面限制本發明之 範圍。在一項具體實施例中，材料22〇可採用一物理汽相沈

積（physical vapor deposition ; PVD)、LPCVD、或一 PECVD 方法來形成。 圖7說明移除部分材料180、210及22〇之後的圖6的結構。 材料220之一部分、絕緣材料21〇之一部分以及電極材料18〇 之 #为可形成一實質平坦表面25〇。在一項具體實施例中 ，可對圖6中顯示的該結構實施如一 cMp方法等的一平面化 方去’其可移除邵分電極材料丨8〇、部分絕緣材料2丨〇、部 分材料2 2 0。 從圖7中看到，可移除部分材料180、2 10及220，以曝露 一邯分電極材料丨8〇。再暫時轉至圖8，其係顯示記憶體元 件100在圖7中說明的製造階段的俯視圖。在圖7與8中說明 的具體實施例中，材料22〇可環繞電極材料18〇之一上部， 並可藉由絕緣材料21〇與電極材料180分開。此外，絕緣材 料210可環繞並接觸電極材料1 8〇之側壁的上部。 圖9說明在平坦表面25〇上形成如一相位改變材料3〇〇等 的一可私式化材料後的圖7中顯示的該結構。如圖9所述， 相位改變材料3〇〇可位於材料220之一部分、絕緣材料210之 一邵分以及電極材料18〇之一部分之上並與其接觸。 相位改變材料300的例子可包括（但不限於）碲-鍺-銻 (tellurium-germaniixm-antimony ; TexGeySbz)材料的硫族化 合物元素化合物或GeSbTe合金，不過未將本發明之範圍僅 限於此等材料。或者，可使用另外的相位改變材料，其電 85910 -16- 200410367 性能（例如電阻）可藉由施加如光、熱或電流等能量來改變。 在一項具體實施例中，相位改變材料3〇〇可具有從約15〇埃 至約1，500埃範圍内的一厚度，不過並未於此方面限制本發 明之範圍。在一項具體實施例中，相位改變材料3〇〇可採用 一 PVD方法形成。 在相位改變材料300形成後，—阻障材料31〇可在相位改 變材料300上形成，且一導電材料32〇可在阻障材料HQ上形 成。一方面，阻障材料310可用於防止相位改變材料3〇〇與 導電材料32G之間產生任何化學反應。雖然本發明之範圍於 此方面未作限制，但阻障材料31G可以為欽、氮化欽或碳、， 且導電材料320可包括（例如）鋁。阻障材料31〇為一可選擇層 。在替代具ff實施射，導電材料32G可於相位改變材料^ 上形成。 導電材料320可用做一定址線，以定址並設計記憶體元件 ⑽的相位改變材料·。導電材料32()可稱為—位元線 線。還原㈣m也可錢—定址線，以設計相位改變材料 300 ’並可稱為—字元線或列線。雖然並 料·可藉由還原材W -極材 /、1 一極體或電晶體等的一 取裝置轉合。該存取裝置也可稱為隔離裝 切換裝置。 k焊灰置或 對相位改變材料300進行設計，以改變該材料的狀能或相 ::=乍可藉由向：電材料320與還原材料120施加電壓電 二“儿、⑽加至返原材料12()的—電壓電位可 二 頭130轉移至電杯材料 積田寸电插 材科180。例如，一大約5伏特的電壓電位 85910 -17- 200410367 差可以橫跨相位改變材料300及電極1 80之一底部部分施加 其係藉由向導電材料32〇施加約5伏特及向電極材料18〇之 該底部部分施加約〇伏特的電壓電位而實現。回應所施加的 電壓電位，一電流可流過該相位改變材料3〇〇及電極i8Q， 並可導致相位改變材料3〇〇受熱。此受熱及隨後的冷卻可改 變相位改變材料300的記憶體狀態或相位。 在設計期間，絕緣材料140與21〇可提供電隔離及熱隔離 ’且材料220可作為上述一熱基礎平面使用。 由於電流可垂直流過位於上部及下部電極之間的相位改 ’又材料300 ’故圖9中顯示的記憶體元件1 〇〇可稱為一垂直相 位改變記憶體結構。應該注意，記憶體元件1〇〇也可稱為一 記憶體單元，並可在具有複數個用於儲存訊息的記憶體元 件100之一相位改變記憶體陣列中使用。 在其它具體實施例中，可對記憶體元件1 〇〇做不同排列， 並包括額外層與結構。例如，可能需要形成隔離結構、周 邊電路（例如定址電路）等。應理解，缺少此等元件並未對本 發明之範圍構成限制。 圖9中說明的記憶體元件1 〇〇的該具體實施例提供一自我 對齊的黏合層，其係藉由一絕緣間隔物從一提升之底部電 極處偏移。 圖10為依據用於製造記憶體元件100的另一積具體眚施 例在—後來製造階段的圖5之結構。在此項具體實施例中 ’可採用（例如）蝕刻技術使絕緣材料21 〇圖案化，以形成卜 私極材料1 80的該等侧壁佈置的間隔物210A。在形成間隔物 85910 -18- 200410367 210A之後，材料22〇可於絕緣材料140、間隔物2l〇A及電極 材料180之頂面之上形成。 圖11 4明移除邵分材料1 8 〇、210 A及2 2 0之後的圖1 〇之兮 結構。材料220之一部分、間隔物2l〇A之一部分以及電極材 料180之一部分可形成一平坦表面25〇。在一項具體實施例 中，可對圖10中顯示的結構實施諸如（例如）一 CMp方法等的 一平面化方法，其可移除部分電極材料1 80、部分間隔物 210A以及材料220。在另一項具體實施例中，可採用一蝕刻 方法形成平坦表面250。在形成平坦表面25〇後，可在其上 置放一相位改變材料。 θ 12說明在平坦表面2 5 〇上形成如一相位改變材料3 〇 〇等 的一可程式化材料後的圖u中顯示的結構。如圖12所述， 相位改變材料300可位於材料22〇之一部分、間隔物21〇八之 一部分以及電極材料18〇之一部分之上並與其接觸。在相位 改變材料300形成後，一阻障材料3 1〇可在相位改變材料3〇〇 上形成，且二導電材料320可在阻障材料31〇上形成。 見在彡考圖1 3，其係說明依據本發明之一項具體實施例 的系統500又一部分。系統5〇〇可在如一個人數位助理 P al digital assistant ; PDA)、一具無線能力的膝上型 或可攜式電腦、-網路輸人板、—無線電話、—呼叫器、 :即時訊息裝置、-數位音樂播放器、-數位相機或其它 通口於播線發射及/或接收資訊的裝置中使Jil。系統500可 、下任系、、充中使用：無線局部區域網路（wireiess i〇cal a network ’ WLAN)系統、無線個人區域網路（wireless 85910 • 19 - 200410367 P⑽onal area network ; WPAN)系統或蜂巢式網路，不過未 就此方面對本發明的範圍做出限制。 系統500可包括一控制器510、一輸入/輸出（1/〇)裝置 52〇(例如，一小鍵盤、顯示器）、一記憶體530以及一無線介 面540，均藉由一匯流排55〇互相耦合。應該注意，並未將 本發明之範圍限定於具有任一或全部此等組件的具體實施 例。 控制姦5 1 〇可包括（例如）一或多個微處理器、數位信號處 理器 '微控制器或類似組件。記憶體53〇可用於儲存發射至 系統500或藉由系統5〇〇發射的訊息。記憶體53〇也可選擇用 於在系統500操作過程中，儲存藉由控制器5丨〇執行的指令 ，並可用於儲存使用者資料。記憶體5 3 〇可藉由一或多個不 同類型記憶體提供。例如，記憶體530可包括一揮發性記情 體（任何類型的隨機存取記憶體）、一非揮發性記憶體（如一 快閃記憶體）及/或包括如圖9或12中說明的記憶體元件1〇〇 的一相位改變記憶體。 使用者可Ϊ吏用I/O裝置520產生一訊息。系統5〇〇可以一射 頻（radio frequency ; RF)信號利用無線介面540向一無線通 訊網路發射訊息，並接收來自該網路的訊息。無線介面54〇 之例子可包括一天線或一無線收發器，不過未就此方面對 本發明的範圍做出限制。 雖然本發明之範圍於此方面未作限制，但系統5〇〇可使用 以下通訊空中介面協定之一來發射並接收訊息：分碼多向 近接（Code Division Multiple Access ; CDMA)蜂巢式無、線兩 85910 -20- 200410367 話通訊系統、行動通訊全球系統（G1〇bal System f〇r Mobile Commumcations ; GSM)蜂巢式無線電話系統、北美數位蜂 巢（North American Digital Cellular ; NADC)蜂巢式無線電 活系統、分時多向近接（Time Division Multiple Access ; TDMA)系統、擴展TDMA(Extended_TDMA ; E-TDMA)蜂巢 式無線電話系統、如寬頻CDMA(Wide_band CDMA ; WCDMA)、CDMA-2000等的帛三代（third generation ; 3G) 系統或類似系統。 當本發明的某些特徵已在此處說明及描述時，本技術專 業人士現在將可瞭解到許多修正、取代、改變或同等者。 因此，應瞭解到所附申請專利範圍係要涵蓋所有此類修正 及改變來包含在本發明的真正精神之内。 【圖式簡單說明】 關糸本么明的主旨係在本說明書的結論部份特別指出及 區力〗丨生地主張。但是，本發明中，對於組織及操作方法， 以及其目的」特徵及好處，最佳地是參考以上的詳細說明 並配合附圖來加以瞭解，其中·· 圖1為依據本發明之一項具體實施例，在製造過程中的一 记te體元件之一部分的斷面圖； 圖2為依據本發明之一項具體實施例，在一後來製造過程 中的圖1之結構的斷面圖； 圖3為圖2之結構在一後來的製造階段的斷面圖； 圖4為圖3足結構在一後來的製造階段的斷面圖·， 圖5為圖4又結構在一後來的製造階段的斷面圖； 85910 -21 - 200410367 圖6為圖5之結構在一後來的製造階段的斷面圖； 圖7為圖6之結構在一後來的製造階段的斷面圖； 圖8為圖孩結構在圖7中說明的製造階段的俯視圖，· 圖9為圖7足結構在一後來的製造階段的斷面圖； 圖1〇為依據本發明之另一項具體實施例，在一後來製造 過程中的圖5之結構的斷面圖； 圖U為圖1〇之該結構在-後來的製造階段的斷面圖； 圖12為依據本發明之另-項具體實施例，在一後來製迭 過程中的圖u之結構的斷面圖；並且 木k 圖13為依據本發明之1具體實施例的-系統之-部分 的方塊圖。 的元 件並無 必 要依比例繪製。 可為 了清楚 的 緣故而相對於其 的適當參考 編 號，其在圖式中 的元 件。 【圖 式代表 ArAr 付 號說明】 100 記憶體元件 101 P +區域 102 N區域 110 基板 120 還原材料 125 淺溝渠隔離結構 129 絕緣材料 85910 些元件的尺寸 -22. 200410367 130 導電插頭 135 阻障材料 136 内部導電材料 140 絕緣材料 150 開口 155 侧壁 160 侧壁間隔物 170 硬質遮罩材料 175 侧壁 180 電極材料 210 絕緣材料 210A 間隔物 220 材料 250 平坦表面 300 相位改變材料 310 阻障材料 320 一導電材料 500 系統 510 控制器 520 輸入/輸出裝置 530 記憶體 540 無線介面 550 匯流排 -23 - 85910

Claims (1)

1. W0410367 牧、申請專利範圍： h —種裝置，其包括： ，丨 /^TVX Ϊ u— 黏合材料； _，兴”万…極與該黏合材料之間，其 w ^合材料之一部分、該介電 二 访、 柯科足—邵分以及該電 2又—邵分形成一實質平坦之表面；及

   3. 4. 二、二相位改變材料，其位於該實質平坦表面之上，並與 孩電極、該黏合材料及該介電材料接觸。 如申請專利範圍第η之裝置，*中該介電材料與該電極 又一側壁之一部分接觸。 如申請專利範圍第2項之裝置’纟中該黏合材料環繞該電 極之一部分’且藉由該介電材料與該電極分開。 如申請專利範圍第1項之裝置， 其中該黏合材料包栝多晶矽或鈦； 其中孩^極包括鈦、鎢、氮化鈦（TiN)、氮化鋁鈦（Ti Α1Ν) 或氮化矽i(TiSiN);及 其中該介電材料包栝一氧化物、一氮化物或一低K介雷 材料。 5·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該相位改變材料包括 一硫族化合物材料。 6. 如申請專利範圍第丨項之裝置，其中該電極係與一定址線 耦合。 7. 如申請專利範圍第丨項之裝置，其進一步包栝位於該相位 85910 , 200410367 8. 9· 改變材料之上的一 如申請專利範園第 一種裝置，其包括 導電材料。 7項之裝置 其中該導電材料包括鋁^ 一電極材料； 一導電材料； :、、、材枓，其係位於該電極材料與該導電材料 ，其中該導電材料之—部分、該絕緣材料之―:《間 該„料之-部分形成-實質平坦表面；及刀以及 可程式化材料，其係位於該實質平坦表 與該電極材扭、、七 上’並 、I材科、孩導電材料及該絕緣材料接觸。 專利範圍第9項之裝置’其中該導電材料包括多晶 9’之裝置，其中該可程式化材料為一 其中該導電材料係作為熱 其中該絕緣材料環繞並接 其中該絕緣材料接觸該電 15·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該導電材料環繞該電 極材料之一上部，並藉由該絕緣材料與該電極材料分開。 16·—種方法，其包括··

   11.如申請專利範圍第 相位改變材料。 ，明予刊範圍第9項之肩 基礎平面使用。 3 ·如申凊專利範圍第9項之身 觸Μ電極材科之一上部。 .如申凊專利範圍第9項之穿 極材料之一側壁之一部分 環繞一電極之一部分形成一黏合材料； δ59ΐ〇 200410367 、移除該黏合材料之一部分及該電極之一部分，以曝露 該電極之一部分；及 口 於該黏合材料及該電極之上形成—相位改變材料。 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其進—步包括在該黏合 材料與該電極之間形成—絕緣材料，並且其中形成—相 位改變材料包括在該絕緣材料之上形成該相位改變材料。 18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中移除進一步包括移 除该絕緣材料之一部分。 如申叫專利範圍第1 8項之方法，其中移除包括採用化學 機械研磨（CMP)法來移除部分該黏合材料、該絕緣材料以 及該電極。 2〇.如申請專利範圍第18項之方法，其進一步包括独刻該絕 彖材料以在移除該絕緣材料之一部分之前形成一間隔 物0 、申叫專利範圍第17項之方法，其中移除包括移除部分 該黏合材該電極以及該絕緣材料，以形成一實質平 坦表面，並且其中形成一相位改變材料包括在該實質平 坦表面之上形成該相位改變材料。 22·如申請專利範圍第17項之方法，其進一步包括： 在一介電材料中形成一開口； 在该開口中形成該電極；及 移除孩介電材料之一部分，以使該電極之一上部表面 位於孩介電材料之一上部表面之上。 23.如申請專利範圍第17項之方法，其中形成該絕緣材料進 85910 200410367 一步包括在該電極之一上部表面之上以及該電極之一側 壁之一部分上形成該絕緣材料，並且其中形成一黏合材 料包括在該絕緣材料之上形成該黏合材料，其中該黏合 材料係藉由該絕緣材料與該電極分開。 24. —種系統，其包括： 一處理器； 一無線介面，其係與該處理器耦合；及 一記憶體，其係與該處理器耦合，該記憶體包括： 一電極； 一黏合材料； 一介電材料，其係位於該電極與該黏合材料之間， 其中該黏合材料之一部分、該介電材料之一部分以及 該電極之一邵分形成一實質平坦之表面；及 一相位改變材料，其係位於該實質平坦表面之上， 並與該電極、該黏合材料及該介電材料接觸。 25. 如申請專利範圍第24項之系統，其中該介電材料接觸該 電極之一側壁之一部分。 26. 如申請專利範圍第25項之系統，其中該黏合材料環繞該 電極之一上部，並藉由該介電材料與該電極分開。 85910 4-