TW200423255A - Cleaning solution and method for selectively removing layers in a silicidation process - Google Patents

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玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 除不良層的方法， 的不良層之溶液及 本發明大致有關於在半導體裝置中移 且尤其有關於一種移除矽化製程中形成 方法。 L无丽技術】 :的半導體製程包括在基板，微影製程等中形成一絕 2及—導電|’微影製程包括：在待定圖案的底層上形 成-光阻圖案，將光阻圖案曝露的層_，及接著移除光 2圖案，此外，可以從待钱刻的底層與姓刻氣體之間的反 :而產生有機物或聚合物，$常可用氧電漿灰化及硫帶製 私而移除有機物或聚合物。 ^置的^作速度與源極/汲極區域的電阻有密切關係，因 獅Z日加名置的細作速度而使用金屬石夕化製程以形成半 導肢裝置，，石夕化制 衣辁包括形成矽化鈷層，其具有的電阻小 於石夕的電阻，兮 3 士 μ疋在預設溫度下由鈷與矽之間的反應而 羞生’在；J匕制去σ ，在不移除矽化鈷層之下應該移除未反 應錄。 此外在習知鈷矽化製程中 化製程中料氧化及石夕化層 應該移除氮化鈦層。 若未移除該等層，該等層 形成一氮化鈦層，以防止在石夕 的堆積，因此形成矽化層之後 會成為污染源而導致相鄰導體 通常在矽化製程中藉 由混合溶液包括雙氡水（H2〇2) 即

OA89\89760.DOC 200423255 強氧化劑而移除未反應金屬層及氮化鈦層。 同時由於以經濟的觀點來看，半導體裝置是高度積體化 勺所以白知多晶矽閘極不能滿足正常操作速度及閘極板 狀私阻特徵的需求。因此一金屬層如鎢層（其具有比多晶矽 層低的電阻係數）堆積在多晶矽閘極上以形成金屬閘極。因 此不能蝕刻（或移除）低電阻的鎢閘，此外清洗溶液也不該蝕 刻含鐵的金屬線（如字線或位元線）。 相反的，矽化製程中常用的雙氧水可蝕刻鎢，因此使用 習知雙氧水不能製造出高速裝置。 因此由於高度裝置的需求增加，所以極需要一種新清洗 溶液，其能在不移除金屬層（如矽化鈷層或鎢層）之下，選擇 性移除金屬層如氮化鈦層及鈷層。 【發明内容】 本發明的一特點是提供一種清洗溶液可以在矽化製程中 選擇性移·除一氮化鈦層及一未反應金屬層，及一種使用相 同清洗溶液而移除氮化鈦層及未反應金屬層的方法。 本發明的另一特點是提供一種清洗溶液，藉由在一矽化 製程施以鎢閘製程，於不移除鎢及矽化層之下，選擇性移 除氮化鈦及未反應金屬層，及一種使用相同清洗溶液而移 除該等層的方法。 本發明的又一特點是提供一種清洗溶液，在矽化製程中 選擇性移除金屬層及也移除一光阻層及有機物，及一種使 用相同清洗溶液的移除層的方法。 根據本發明的至少—實例，清洗溶液包括_酸性溶液及

O:\89\89760.DOC 200423255 I含峨氧化劑，清洗溶液又包括水，這可增加酸性溶液及 3碘虱化劑之溶解度’因而提高氧化劑及酸性溶液的清洗 力’在一典型實例中，清洗溶液約含有至多％重量％的量 ’而含硬氧化劑含有㈣量是〇糊至1Q重量％，酸性溶液 包括硫酸’碟酸及其混合物，含碟氧化劑包括至少一誠酸 鹽如叫，簡4l〇3，LlI〇3，CaI〇3，議3。若清洗溶液包 括水，則含峨氧化劑除了峨酸鹽之外可更包括ki，nh4i及其 混合物，亦即，含碘氧化劑包括從Kl〇3，顧41〇3 ’ L⑽3 ，CaI〇3 ’ BaI〇3 ’ KI，NH4l組成之群中選出至少一者若 用硫酸作為酸性溶液，則硫酸濃度約為至少嫩。 酸性溶液及含蛾氧化劑可有效移除氮化鈦及钻，及也移 除一光阻層及有機物。相反的，酸性溶液及含峨氧化劑不 蝕刻石夕化録層及轉，含蛾氧化劑與金屬石夕化物層之石夕起反 應以在其上形成氧化石夕（Sl〇x)作為一鈍化層，氧化石夕層對 於硫酸有.極強的抗酸性，因此可保護金屬石夕化物層，此外 ，含峨氧化劑與鶴反應而在其上形成—純化層如三氧化鶴 (W03)’三氧域鈍化層在酸性溶液中是極穩定層，因此可 防止鎢受到腐I虫。 清洗溶液的清洗力與溫度成正比，如可以在約12(rc室1 的溫度範圍t作清洗’清洗溶液的清洗力也與加入的水= 成正比，加入清洗溶液的水量約為至多3〇重量〇/〇。 -種根據本發明實例的選擇性移除—金屬層的方法包括 以下步驟：在-石夕基板上形成一電晶體，電晶體包括源極/ 沒極區及-閑極，形成石夕化層之金屬層形成在曝露基板上

O:\89\89760.DOC 200423255 ’―氮化鈦層形成在金屬層i ’執行―石夕化熱製程俾將石夕 與金屬層起反應’亦即，曝露源極/沒極區之々及與其直接 接觸之金屬層互相反應以形成一金屬矽化物層，使用一清 洗溶液可移除不參與石夕化反應之未反應金屬層及氮化鈦層 ’在此例，清洗溶液包括一酸性溶液及一含碘氧化劑，較 :的，清洗溶液更包括水，清洗溶液包括約至多30重量％ !的水，而含填氧化劑含有的填量是㈣3至1〇重量％。 形成電晶體之方法的典型實例包括以下步驟。 /閘絕緣層’ 一多晶矽層，一鎢層，及一罩蓋氮化層循 序形成在矽基板上，一光阻圖案形成在罩蓋氮化層上，及 使用光阻圖案作為—_光罩，將在其下形成之層連續鞋 1下形成閘極’接著移除光阻圖#，藉由執行—離子植入 製程而在閘極二側之矽基板中形成源極/汲極區，及在閘極 之側壁上形成氮化間隔層。在此例’使用清洗溶液可移除 光阻圖案：，金屬層包括鈷，鈦及鎳其中至少一者。 根據上述方法，清洗溶液不蝕刻一金屬矽化物層及鎢， 其組成一低電阻閘極，但選擇性蝕刻一氮化鈦層及一未反 應金屬層，因此可以將—石夕化製程及一鹤金屬閘製程一起 :一閘絕緣層及一 ’一光阻圖案形成 餘刻光罩，將在其 ’接著移除光阻圖 二側之矽基板中形 1成％晶體的方法實例包括以下步驟 多晶石夕層’ 一鎢層循序形成在矽基板上 在多晶矽層上，及使用光阻圖案作為一 下形成之層藉由一連續蝕刻而形成閘極 案藉由執行一離子植入製程而在閘極

O:\89\89760 DOC 200423255 成源極/汲極區，在閘極之側壁上形成氮化間隔層。藉由一 矽化熱處理而在源極/汲極區中形成金屬矽化物層時，也在 閘極之上方部分之多晶矽上形成一金屬矽化物層，因此本 發明適用於CMOS電晶體，其使用雙多晶矽閘，雙多晶矽閘 疋精由將p型雜質植入PM〇s及將n型雜質植入nm〇s而形 成，在此例，使用清洗溶液可移除光阻圖案。 【實施方式】 以下將參考附圖以更詳細說明本發明，其中顯示本發明 的較佳實例’惟本發明可以在許多不同形式中實作，所以 不該解釋為本發明僅限於這些實例，相反的，提供這些實 例以使本發明更透徹及完整，且將本發明的範圍完全表達 給-般熟於此技術者’在圖中，$ 了明晰已將層及區域的 厚度加大，也3亥了解當提及一層在另一層或基板上時，它 可直接在其他層或基板上，或是也可出現中間層。 圖1示噫的說明一基板u ,其含有：層13其不該被蝕刻（ 或移除），及層1 5其形成在上面且應該被選擇性蝕刻（或移除 )。不該蝕刻的層13是未被本發明清洗溶液蝕刻的任一層。 例如層13包括鎢或金屬矽化物。然而層15包括例如氮化鈦 ’録，有機物或光阻層材料。 中間層可插入基板11與未蝕刻層丨3之間，及在未蝕刻層 1 3與飯刻層1 5之間。 參考圖2 ,根據本發明的實例而使用清洗溶液，只有應該 被钱刻的層15在適當溫度下被選擇性蝕刻。清洗溶液包括 一醆性溶液及一含碘⑴氧化劑。硫酸，磷酸，其混合物等 〇^89\89760 D〇c -10- 200423255 可作為酸性溶液使用。含碘氧化劑包括從KI〇3，， UIO3 ’ CaI〇3 ’ Bal〇3，ΚΙ，NHJ等組成之群中選出至少一 者。 清洗溶液更包括水以提高酸性溶液及含碘氧化劑的清洗 力。水可增加酸性溶液及含碘氧化劑的溶解度。因此加入 的水與清洗溶液的清洗力成正比。清洗溶液可包括約至多 30重量％的水。清洗溶液包括約含〇〇〇3至1〇重量％的含碘 氧化劑。 清洗時間與溫度成反比，亦即清洗力與溫度成正比。可 以在約120 C室溫下作清洗。惟依處理，可改變處理條件， 而這是熟於該技藝者可了解的。 圖3至6的剖面圖顯示在半導體製程的矽化製程中選擇性 移除不良層的步驟。 在圖3，設置一基板31其包括含矽的傳導圖案35。不含石夕 的層33又.插入矽圖案35與基板31之間。形成含矽的傳導圖 案35其在未含矽的層33表面上具有任一形狀。傳導圖案％ 可形成在層33中。在傳導圖案35形成在層33的例子中，石夕 傳‘圖案3 5僅在其上表面曝露。此外，另一層如絕緣層更 可形成在矽傳導圖案35的二側壁上。在此例，矽傳導圖案 35僅在其上表面曝露。在上述任一例，曝露的石夕傳導圖案 3 5及直接在上面接觸的金屬層，互相反應以形成矽化層。 接著在後續製程中藉由連線而電氣連接該形成的矽化層。 參考圖4，金屬層37及氮化鈦層39循序形成在未含矽的層 33上，以覆蓋矽傳導圖案35,金屬層37可由鈷，鈦，鎳等

O:\89\89760.DOC -11 - 200423255 形成。 參考圖5，執行矽化熱處理以便在曝露的矽傳導圖案35 上形成金屬矽化物層41，在此例，金屬層37a(其形成在不 含矽的層33上）未回應矽化反應。 清洗溶液可移除氮化鈦39及未反應金屬層37a，因此如圖 6所示’可完整的形成含金屬石夕化物層4丨的傳導圖案％。 清洗溶液是混合溶液其包括酸性溶液及含碘氧化劑，在 此典型實例中，清洗溶液更包括水，清洗溶液約含有至多 30重量％的量，此外清洗溶液包括約〇〇〇3至1〇重量％的含 碟氧化劑’清洗時間與溫度成反比，亦即，清洗力與溫产 成正比，可以在約120°C的室溫執行清洗製程。 不έ石夕的層3 3更包括一鐫圖案’清洗溶液與嫣圖案反應 以便在其表面上形成薄的三氧化鎢（WO3)層，此外，清洗溶 液與金屬矽化物層41反應以便在其表面上形成薄的氧化石夕 層（SiOxJ作為一鈍化層，藉由保護金屬矽化物層。 移除氮化鈦層39及未反應金屬層37a之後，堆疊一絕緣層 (未示）且接著定圖案以形成一開孔以曝露金屬矽化物層41 的預設部分，接著用傳導材料如金屬填充該開孔以形成金 屬傳導圖案（或傳導栓），其與石夕傳導圖案35電連接。 矽化層插入矽傳導圖案35與金屬傳導圖案（或傳導栓）之 間，以改良矽傳導圖案3 5的接觸電阻特徵或電阻特徵。 參考圖7至12,將說明根據典型實例以移除不良層的方法。 圖7至12的剖面圖顯示在根據一典型實例的矽化製程中 藉由本發明的清洗溶液，而移除不良層的步驟。為了明晰 O:\89\89760 D0C -12- ZUU42J255 及簡化，圖中僅顯示一電晶體。 考圖7 ’藉由摻雜雜質而在矽基板1⑻中形成一井，執 J衣且隔離製程以形成裝置隔離層120及接著植入通道 離子因為裝置隔離製程是習知所以將省去裝置隔離製程 的羊、、田。兒明’連績地’循序形成-閘絕緣層140，一多晶矽 ^ 6〇，一鎢層180，及一罩蓋氮化層200，更可在鎢層180 ”夕日日矽層160之間形成一傳導障壁層，鎢層18〇可加速裝 置的紅作’傳導障壁層可防止鎢層與多晶矽層之間的反應。 形成一光阻層圖案22〇以便在罩蓋氮化層2〇〇上界定一閘 和光阻圖案220曝露的底層再蝕刻以形成閘極240，其對 應光阻圖案220(圖8)，移除光阻圖案22〇後，植入離子以便 在閘極240一側的基板1〇〇中形成雜質擴散層26〇，植入的離 子/、有舁矽基板1〇〇相反的傳導型，如若矽基板丨〇〇是p型， 則植入的離子是11型，雜質擴散層26〇對應源極/汲極區，可 以用習知·方式移除光阻圖案22〇，如用氧電漿灰化及硫酸帶 衣辁此外使用本發明的清洗溶液可移除光阻圖案220，以 下將說明清洗溶液。 虱化間隔層280形成在閘極24〇的二側壁上，亦即，形成 一虱化矽層且接著蝕刻回以形成氮化間隔層28〇。 二考圖9執行預清洗後，形成一钻層3 0 0以形成一石夕化 層，執行預清洗以移除矽基板1〇〇的本質氧化層及矽基板 100的破壞層，如在雙步驟處理中執行預清洗製程。 亦即，使用NH4〇H及H2〇2的混合物而作第一次處理，及 使用硫酸（HF)而持續執行第二次處理，如固化本質氧化層

O:\89\89760 DOC -13- 200423255 及基板，同時清洗製程包括使用CF4及〇2混合氣體的第一次 處理及使用HF的第二次處理。 鈦層或鎳層可取代鈷層300，可由任何習知方法如濺擊法 而形成鈷層300。 參考圖10，氮化鈦320形成在鈷層3〇〇上，可由任何習知 方法如錢擊法而形成氮化鈦320，形成氮化鈦層32〇以防止 始層300的氧化及防止碎化層的堆積。 參考圖11，執行矽化熱製程以使鈷層300與鈷層3〇〇正下 面的矽基板的矽（即源極/汲極區260)反應，因而形成一石夕化 鈷層（CoSi2)，結果，因為未直接接觸矽所以源極/汲極區26〇 以外區域的結層3 0 0 a未反應。 參考圖12,藉由清洗製程而移除氮化鈦層32〇及未反應鈷 層300a，該清洗製程利用含酸性溶液及含碘氧化劑的清洗 溶液，如上所述可利用清洗溶液以移除光阻圖案22〇。 酸性溶·液包括硫酸，鱗酸或其混合物，含蛾氧化劑包括 以下其中至少之一 KI〇3，NH4I〇3，LiI〇3，CaI〇3 , BaI〇3 ，KI ’ NHJ等，這只是例子，可使用任何其他含碘氧化劑 ’含峨氧化劑移除氮化鈦層320及未反應鈷層34〇a，但未移 除（或姓刻）矽化鈷層340及鎢層180a其包括閘極24〇 ,亦即， 含蛾氧化劑與矽化始層的矽反應以形成薄的氧化層（si〇x) 如二氧化碎層在矽化钻層表面上作為一鈍化層，此外，含 峨氧化劑與鎢反應以形成薄的三氧北鎢（w〇3)，其在其表面 上對於酸是穩定的，如同一鈍化層。 清洗溶液包括水，若水加入清洗溶液，則參與移除反應 O:\89\89760.DOC -14- 200423255 的離子會增加，在典型實例， 旦 3冼，合液的含水置約至多3 〇 而含埃氧化劑的量約為—3至約1()重量％。 清洗溶液時間與溫度成及卜 成反比’亦即清洗力與溫度成正比 ，如可以在約⑽室溫的溫度範圍中作清洗。 確地，以下將說”化熱處理，首先於適當溫度執 :弟一熱處理，第一熱處理形成-中間狀態石夕化層其化學 計量地包括幾乎都是單石夕化録（c〇Si)及一些二石夕化銘 (c〇sl2)’第—熱處理後，使用清洗溶液以執行第—清洗製 程以移除未反應钻層及氮化鈦層，又形成氮化鈦層及接著 在一適當溫度下執行第二熱處理，第二熱處理形成一低電 阻石夕化姑層340其化學計量地包括幾乎都是二石夕化始 (c〇Sl2)，最後，用清洗溶液執行第二清洗製程以移除氣化 鈦層及未反應鈷層。 圖13, 14的剖面圖顯示在根據另-典型實例的石夕化製程 中使用本.發明的清洗溶液，而移除不良層的步驟。與上述 方法成對比，含有問極的傳導材料僅包括多晶石夕，問極使 用在雙閘技術，其摻雜雜質的傳導類型與一通道的傳導類 型相同，該通道在含問極的多晶石夕中，雙問的優點是可增 強通道的表面功能及產生對稱的低功率操作。 爹考圖13，簡&之’藉由雜質摻雜而在石夕基板⑽中形成 -井’接著藉由裝置隔離製程而形成裝置隔離層12〇,且植 入通道離子’形成多以閘極i 6 Q a其藉由I絕緣層i 4 〇 a而 與石夕基板⑽電絕緣，接著植人離子以形成雜質擴散層26〇 ，形成多晶石夕閘極i 6 〇 a的側壁上形成側壁間隔層2 8 〇。 O:\89\89760.DOC -15- 200423255 接著執行矽化製程，形成金屬層及氮化鈦層以形成矽化 物，金屬.層不僅與雜質擴散層26〇直接接觸而且與多晶矽閘 極160a的上面部分的矽直接接觸，執行矽化物熱處理以分 別在*隹貝擴政區260及閘極1 60a分別形成金屬石夕化物層340 及 360 〇 芩考圖14，以相同於上述方法相同的方式用包括酸性溶 液及含碘氧化劑的清洗溶液移除未反應金屬層300a及氮化 鈦層320。 根據本發明，使用清洗溶液可以在矽化製程中有效的移 除未反應金屬如鈷及鈦及氮化鈦層。 此外清洗溶液不蝕刻鎢層，以便能使用鎢閘製程，因此 可改良裝置操作特徵，而且可有效移除光阻層及有機物。 隹。已用特疋及典型貫例來說明本發明，但是可以在不 達反本發明的精神及範圍下作各種變化及改良，該了解的 是本發㈣範圍不限於上述本發明的詳細說明，它只是說 明性，唯有以下中請專利範圍才能定義本發明，此外，該 將它解釋為包括符合巾請專利範圍的所有方法及裝置。 【圖式簡單說明】 以上藉由詳細說明且配合附圖 _ 丨π園以揭不本發明的實例，即 可更明瞭本發明的其他特點及牲 行及特徵，惟該了解附圖只是說 明目的，並不是要作為本發明定義的限制。 圖1是基板的示意剖面圖，其呈 、 、/、有鎢層及氮化鈦層，鈷層 ，或光阻層，其根據本發明的眚 们貫例可選擇性移除。 圖2是無氮化鈦層，鈷層，或 飞先阻層（其已從圖2的基板選

O:\89\89760 DOC -16- 200423255 擇性移除)的基板的最後結構的剖面圖。 圖3至6的剖面圖顯示使用本發明的清洗溶液實例 性移除金屬層的步驟。 ^擇 圖7至12的剖面圖顯示在根一 典型貫例的矽化製裎中 使用本舍明的清洗溶液，而選擇性移除金屬層的步驟。 圖U 14的剖面圖顯示在根據另一典型實例的石夕化製程 中使用本發明的清洗溶液，而選擇性移除金屬層的步驟广 【圖式代表符號說明】 11，31，33 基板 13, 15 層 35 傳導圖案 37, 37a 金屬層 39 氮化鈦層 41，340, 360 金屬矽化物層 100 - 矽基板 120 裝置隔離層 140, 140a 閘絕緣層 160 多晶秒層 160a 多晶石夕閘極 180, 180a 鹤層 200 罩蓋氮化層 220 光阻層圖案 240 閘極 260 雜質擴散層 O:\89\89760 DOC -17- 280 200423255 300, 320 侧壁間隔層 300a 鈷層 氮化鈦層 O:\89\89760.DOC -18 -

Claims (1)

1. 200423255 拾、申請專利範圍： 中選擇性移除多個金屬層之 1 · 一種在.製造半導體裝置製程 方法，包括： 用一清洗溶液移除該笨八 酸性 发寺金屬層，清洗溶液包括 溶液及一含峨氧化劑。 2·如申請專利範圍第1項 之方法，其中該等金屬層包括一鈦 層及一話層之中至少之—。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該清洗溶液更包括水。 4. 如申請專利範圍第㈣之方法，其中該酸性溶液包括硫酸 及一 I之中至/之- ’而含峨氧化劑包括從〖叫，贿41〇3 ，LiI03，CaICK，BaTO , 3 I，及nhj組成之群中選出之 至少之一。 5. 如申請專利範圍第3項之方、本，甘^ ^ ^ 貝之万去，其中該清洗溶液包括至多 30重里/〇之水里，而该含碘氧化劑包含〇·⑻3至重量％ 之峨t.。 其中鈦層包括氮化鈦及鈦 6·如申請專利範圍第5項之方法 之中至少之一。 7. 種在半導體裝置製程中選擇性移除光阻層及多個有機 物之方法，包括·· 用一清洗溶液選擇性移除該光阻層及該等有機物，該 清洗溶液包括一酸性溶液及_含碘氧化劑。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該清洗溶液更包括水。 9. 如申凊專利範圍第7項之方法，其中該酸性溶液包括硫醆 及磷酸之中至少之一，而該含碘氧化劑包括從κί〇3， O:\89\89760.DOC 200423255 NHJ〇3 ’ UI〇3 ’ CaI〇3，叫〇3，〇，及nhj組成之群中 選出之至少之一。 ίο.如申請專利範圍第8項之方法，其中該清洗溶液包括至多 3 0重量％之水量’而含峨氧化劑包含〇 · 〇 〇 3至i 〇重量％之碘 量 ° 11. 一種在形成一矽化層之製程中選擇性移除一金屬層之方 法，包括： 在一基板上形成一石夕圖案； 在該基板上形成一金屬層； 從該矽與該金屬層間之矽化反應而執行一矽化物熱處 理以形成一金屬矽化物層； 使用一清洗溶液以移除未參與該矽化反應之未反應金 屬層， 其中該清洗溶液包括一酸性溶液及一含碘氧化劑。 12·如申諝·專利範圍第11項之方法，其中該金屬層包括鈷， 鈦，及鎳之中至少之一。 13.如申請專利範圍第丨丨項之方法，其中該清洗溶液更包括 水。 14·如申請專利範圍第11項之方法，其中該酸性溶液包括硫 酸及磷酸，而含碘氧化劑包括從κι〇3，nh4I〇3，UI〇3， CaI〇3，BaI〇3，ΚΙ，及NHJ组成之群中選出之至少之一。 15·如申請專利範圍第14項之方法，其中該清洗溶液包括至 多30重量％之水量，而含碘氧化劑包含〇〇〇3至1〇重量％ 之蛾量。 O\89\89760.DOC -2- 200423255 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 如申請專利範圍第U項之方法，其中在約室溫至之 溫度範圍中執行清洗。 如申請專利範圍第11項之方法，t包括以下步驟·· 在形成金屬層之前，循序地使用之混合 物執行第一次處理及使用HF執行第二次處理，或循序地 使用队及02混合氣體執行第一次處理及使用HF執行第 二次處理，以移除一天然氧化層及固化對基板之破壞。 女申明專利乾圍第11項之方法，其中該矽化物熱處理包 括： 執行一第一次熱處理； 使用σ亥凊洗溶液以執行一第一次清洗以移除一未反應 金屬層；及 “ 執行一第二次熱處理。 如申請專利範圍第18項之方法，其中該清洗溶液包括至 多30重，量％之水量，而含碘氧化劑包含〇〇〇3至1〇重量％ 之峨量。 申明專利Id圍第19項之方法，其中該酸性溶液包括疏 酸及石粦酸之中至少夕— 夕之一，而含碘氧化劑包括從KI〇3， HJ〇3 ’ LlIC>3 ’ CaI〇3，BalCh，ΚΙ，及 NHJ 組成之群中 遠出之至少之一。 如申5月專利範圍第19項之方法’纟中在約室溫至i2〇r之 溫度範圍中執行第一次清洗。 如申請專利範圍第U項之方法，其巾該基板更包括一鹤 層’及言亥清洗溶液其不移除該鶴層。 O:\89\89760.DOC 200423255 氮化鈦層於該金屬層上 之方法，更包括： 如申請專利範圍第丨丨項之方 在形成金屬層之後及執行 該矽化物熱處理之前，形成 氮化敛層。 其中該清洗溶液移除該 如申請專利範圍第23項之方 艮之方法， 其中該矽化物熱處理包 執行一第一次熱處理；

   層及該未反應金屬層； 形成一第二氮化鈦層；及 執行一第二次熱處理， 其中該清洗溶液移除該形成之氮化鈦層及該未反應矽。 25· —種在形成矽化層之製程中選擇性移除金屬層之方法， 包括： 在一梦基板上形成一電晶體，其包括複數個源極/汲極 區及一閘極； 在遠基板上形成一金屬層； 在該金屬層上形成一氮化鈦層； 從源極/汲極區之矽及與矽直接接觸之金屬層間之反應 而執行一熱處理以形成一金屬層；及 使用一清洗溶液以執行一清洗，以移除該氮化鈦層及 不直接接觸源極/汲極區之矽之未反應金屬層， 其中該清洗溶液包括一酸性溶液，一含碘氧化劑及水。 26·如申請專利範圍第25項之方法，其中形成電晶體之步驟 O:\89\89760.DOC -4- 包括 在a亥石夕基板上形成一閑 ’及一罩蓋絕緣層； 絕緣層，一多 曰a 石夕層 鎢層 在该罩盍氮化層上形成一 ^风先阻圖案； 使用該光阻圖案作為_ 麻I I错由連續蝕刻JL下形成之 層而形成該閘極； /、「 移除該光阻圖案； 執行一離子植入製程 #、 在閘極側壁之該矽基板中形成 该源極/沒極區；及 在该問極之側劈卜# + 0 27. 28. 29. 30. 31. 1貝J 土上形成多個氮化間隔層。 如申請專利範圍第26項 、之方法，其中使用該清洗溶液以 移除光阻圖案。 如申請專利範圍第25項之方、土甘士 ^ # 貝之方法，其中該酸性溶液包括硫 酸及碟酸之中至少夕_ 一’而含碘氧化劑包括從κιο3， =HJ〇3 Lil〇3 ’ CaI〇3 ’ BaI〇3，κι，及腿j組成之群中 選出之至少之一，而該清洗溶液包括至多30重量％之水量 ，及含碘氧化劑包含0.003至10重量％之碘量。 士申明專範圍第28項之方法，纟中在約室溫至12代之 溫度範圍中執行清洗。 如申請專利範圍第29項之方法，其中該金屬層包括銘， 鈦，及鎳之中至少之一。 如申明專利範圍第25項之方法，其中形成電晶體之步驟 包括： 在忒矽基板上循序形成一閘絕緣層及一多晶矽層； O:\89\89760.DOC 200423255 在該多晶矽層上形成一光阻圖案； 使用δ亥光阻圖案作為一蝕刻光罩藉由連續蝕刻其下形 成之層而形成該閘極； 移除該光阻圖案； 執行一離子植入製程而在該閘極之二側之該矽基板中 形成该源極/沒極區；及 在該問極之側壁上形成多個氮化物間隔層，其中藉由 執行矽化物熱處理而在該源極/汲極區中形成金屬矽化物 層，在閘極上方部分之多晶矽上形成一金屬矽化物層。 32·如申請專利範圍第3丨項之方法，其中使用該清洗溶液以 移除該光阻圖案。 33·如申請專利範圍第31項之方法，其中該酸性溶液包括硫 酉文及磷酸之中至少之一，而含碘氧化劑包括從ΚΙ〇3， NHJO3 ’ L1IO3，CaI〇3，BaI〇3，ΚΙ，及 NHJ組成之群中 遥出之至少之一，而該清洗溶液包括至多3〇重量％之水量 ’及含碘氧化劑包含0.003至1〇重量％之峨量。 3 4 ·如申凊專利範圍第3 3項之方法，其中在約室溫至12 〇。〇之 溫度範圍中執行清洗。 35· —種清洗溶液，在一矽化製程中選擇性移除一氮化鈦層 及一未反應金屬層，其中該清洗溶液包括一酸性溶液， 一含峨氧化劑，及水。 3 6.如申請專利範圍第35項之清洗溶液，其中該酸性溶液包 括硫酸及磷酸之中至少之一，而含碘氧化劑包括從ΚΙ〇3 ’ ΝΗ4Ι〇3 ’ LiI03 ’ CaI03，BaI03 ’ ΚΙ，及 NHJ組成之群 O:\89\89760.DOC 200423255 中選出之至少之一。 37.如申請專利範圍第35項之清洗溶液，其中該清洗溶液包 括至多30重量％之水量，及該含碘氧化劑包含0.003至10 重量％之蛾量。 3 8.如申請專利範圍第35項之清洗溶液，其中該未反應金屬 層包括鈷，鈦，及錄之中至少之一。 O:\89\89760.DOC