2004232 94 五、發明說明（丨 【發明所屬之技術領域】 光與係關於—種在基板之製造期間，特別供電子、 ==用之增加有效轉移至支撐上之半導體材料之有 用層之面積之方法。 5【先前技術】 目前，結合使用藉分子接合之接合（已知為”晶圓接合 )以及將有用層轉移至支撐上之技術所製造的所有基板， 具有已知為’’周邊環部”之地帶。 該環部係為位於支撐之周邊且是有用層之轉移未發生 川之地帶，或者當轉移已發生時，該環部係為有用層已部分 轉移，或在後來的處理期間，由於其至該支撐較差的接人 而已消失之地帶。 口 附圖1與2分別為熟習本項技藝者所熟知之基板之橫 剖面圖與平面圖，該基板係為意指"絕緣層上有矽，，之 15 語” SOI’、 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1顯示矽之支撐1，而複合層2已藉由分子接合而 轉移至其上，此複合層2包含氧化石夕層21以及覆蓋在氧 化石夕層21之頂上之石夕層22。 專門用語"環部"3界定出支撐丨之實質上環狀的地 加帶，複合層2不是尚未被轉移至其上’就是在層之轉移期 間較差地被轉移至其上。 更正確地說，在圖2之平面圖中，吾人可看出這個環 邛3係具有變動的寬度及/或形狀，亦即，複合層2之垂 直側200可以是不規則（鋸齒狀）及/或複合層之核島2，可 ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x 297公爱） 2004232 94 A7 _— —__B7 五、發明說 " "" --—^ 能存在，且已被轉移至支撐j上，但其係與該複合層 其餘中央部分隔開。 吾人應注意到，圖1與2之關於不同層與支撐之厚声 以及關於環部之寬度兩者，係為未按照-定比例縮放綠； 5的圖。 曰表 ★該環部現象與其他基板一起存纟，舉例而t，在那些 熟知之頭字語，’SIC〇I”意指，，絕緣層上有碳化矽，，，或頭字 扣SOQ意指”石英上有矽”之情況下。其他例如那些包含 矽上之砷化蘇（AsGa/Sl)之多層基板亦顯現出該環部: 10 獨立於可變化之支撐1之直徑（舉例而言，可從碳化 矽之2吋（50公厘（mm))改變至某個矽基板之12吋（3〇〇❿叫) 以外，该ί哀部3之寬度一般可從} mm變化至4瓜瓜，正 負誤差為0.5 mm。又，該寬度係可變動，亦即，其在基 板之一側上的寬度可以比另一側來得小。 • 層私期間出現该環部具有各種根源，如以下所探討 的。特定陳述可以由所使用基板上的倒角之存在，鍵能之 變化，最後基板製造方法中之某些腐蝕性步驟所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了說明該環部之出現，請配合參見附圖3，圖3係 為藉由分子接合而接合在一起之兩個基板之側面之一部份 2〇之概略橫剖面，亦即，所欲切割出將來的有用層之來源基 板4，以及打算容納該有用層之支撐基板5。此圖說明習 知技術。 在其餘說明與附圖中，基板之形狀係被認為是圓形 的其乃因為這是最經常碰見的形狀。然而，它們可具有 4 2004232 94 五、發明說明（3) 其他形狀。 來源基板4具有兩個平行之相對表面；在圖3中，參 考數字400標不該等表面之一個，，前，，面。該前面4⑻係意 欲接合至該支撐5上。來源基板4具有一側面41。 5 又，基板4已經接受形成界定兩個部分之弱地帶42 之處理，此兩個部分為後部分以及意欲隨後轉移至支撐5 之有用層43。 整個之其餘說明書與申請專利範圍，專門用語，，有用 層’’指定其厚度取決於其是否譬如藉由植入原子物質之方 1〇法或藉由研磨劑拋光及/或化學蝕刻而獲得，如以下所說 明之轉移層。 目前，使用作為來源基板與支撐基板兩者之基板係為 商業上可取得之滿足標準化需求（譬如矽基板之semi 0302標準）之基板。那些標準主要是關於確保該等基板可 15儘量被廣大範圍之使用者所利用之設備所接受。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據那些標準，於側面41與前面400間的交點，基 板4具有與該前面4〇〇之平面（更精確地說是與真正平坦 中央地帶40)構成大角度α(接近45度）之環狀主倒角44 或主洛差，如以下所將說明的。該主倒角44朝徑向延伸 20長達寬度L。依據不同的基板，該寬度L從1〇〇 “瓜改變 至500 //m。該主倒角44係意欲限制來源基板4之機械破 裂之風險與缺口現象。 以類似於剛才對來源基板4所說明的方式，支撑芙板 5具有前面500、側面51以及主倒角54。 5 2004232 94 五、發明說明（4) 當基板4與5彼此接合時，接合因為角α之大小而不 會發生在倒角44與54。因此期望環部之寬度可相當於該 等主倒角44與54之寬度L。然而，在實際上已顯示出^ 寬之環部。 '*吾人已觀察到基板4之前面4⑻實際上具有兩個地 ^ 亦即貝貝上位於该基板4之中心，以下稱為”平扭 中央地帶”之第一平坦地帶4〇，以及圍繞第一地帶之第二 地帶45。 第二地帶45係為二次倒角，其一般為環狀的或與平 川坦中央地帶40之平面形成角点之二次落差。該二次倒角 45延伸在該平坦地帶4〇與主倒角44之間。 整個其餘說明與申請專利範圍，專門用語”平坦，，意指 適合接合之平面度，而專門用語”中央地帶”指定實質上位 於基板前面之中心但是可略偏離位於該表面上之地帶。 13 、吾人應注意到圖3與下述附圖事實上只是概略顯示， 而為了說明目的，圖中已相當誇大角冷之大小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更精確地說，二次倒角45構成比主倒角44較不尖銳、 且在各種不同基板成形步驟（研磨、抛光、化學餘刻）期間 出現之落差，這些步驟產生蝕刻與材料移除效果，而這些 效果在基板側上顯得更大。該二次倒角45並未受制於標 準。依照商業上上市可取得的基板，其在徑向中呈現的寬 度L’從大約500 //m改變至3〇〇〇//m。該二次倒角45係 為未被上述標準所界定之缺乏界定尺寸之地帶。又，角泠 之數值亦會變動，所以二次倒角45並非如圖3所概略 2004232 94 五、發明說明（ε) 不地呈現平坦，彳曰太一 ^ 狀。 -在-疋位置可以是半球形或不規則形 因此一 Μ際上(與附圖之圖式成對比），來源 側面並非藉由複數個# 士 土 4之 歿數個形成斜面的斜坡而形成， 凸的形狀，亦即，力-Α & 疋具有略 在一-人倒角45與主倒角44之 倒角與側面41之間^且女、直从 在主 門不具有邊緣。凸形之目的係為了 基板4之任何刻痕。 避免 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 以類似於剛才對來源基板4所說明的方式，支 5具有平坦中央地帶50與實質上環狀的二次倒角it但 具有與二次倒角45相同的不規則形狀。 一 刀子接5係為無法容許非平面表面之技術，而該等二 =倒角45'55之存在導致較差的接合以及在那個地帶中 較差的層轉移，藉以導致周邊環部之出現。 此外，該環部出現的第二理由係為兩個面對基板表面 之間的鍵能會隨著例如接觸中這些表面之粗链度、平滑度 與化學本質，微粒之存在等之參數的函數而變動。該等參 數於基板之側面亦會以較不受到控制的方式改變，藉以又 說明了環部之形成。 最後，％部形成之另一個可能原因，係為在基板製造 方法期間，使用某些腐蝕性步驟所造成。 已知在頭字語BESOI (接合與回蝕絕緣層上之矽）下 的基板製造方法，係將來源基板接合至支撐基板之上，來 源基板之至少一表面係塗有一層氧化層。接著，來源基板 之露出表面接受研磨劑拋光及/或拋光前的化學侵蝕蝕刻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 2004232 94 A7 五 、發明說明（句 B7 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 處理，直到該來源基板變成有用層為止。 那個(具有接合介面之局部剝離的風險)之 化作用影響來源基板之側面與前面部分之氧 類：：：抱光力量，兩者都易於擴大環部。 法中，吾人已觀::在藉f破裂而沿著弱地帶分離之層的方 之形成。 命致具有大表面積之環部 別情3見，广在弱地帶42係藉由氫植入而形成之特 月 已頌不出在將有用層43與其餘來 後處理期間，氫氣泡之膨脹將實質上 ： 加在二次倒角45之平面上。在那個地帶中， 所補償，因為二次倒角55係心 成於二次倒角45 2二’面接合因此而破裂。因此’氣泡係形 二5之表面，而非將轉移至支撐基板5上之 曰 、a之’接合會產生，但是其品質是不好的。 一些缺點係與該環部之存在相關。 一、’先”属現出不適用的表面，其上面不可能製造電子 一 不幸的是，從經濟觀點來看，每個額外的平方公厘 之面積可使每個基板製造較多數目的元件成為可能。 再者，這個環部如上所述是不規則狀，且其寬度可從 -側改變至另一側，因此，當這樣的基板被使用於 认備時，在工業過程之各種不同步驟中重現性會產生 問題。 197公釐） 2004232 94 A7 B7 五、發明說明（7 ) 1知技術包含拋光基板之側面之方法，俾能使消除該 環部成為可能，譬如參見文獻US 6 221 774。 斗機械拋光側面之方法又以供應商SEZ所使用的方法 著稱。那個方法係在沈積動作之後被使用在固體矽基板 '上，而吾人熟知沈積動作會產生與從側面移離（已知為”剝 離”或”剝落”）之材料之效應相關之風險，亦即，導致高程 度之微粒污染。 然而，那些方法易於在周邊增加不具有轉移層之地帶 的尺寸，因此限制有用面積。此外，環部的細緻加工動作 10會導致轉移層之周邊的缺陷。 文獻ΕΡ·1 G59 663說明-種用以製造半導體薄膜之 過程，其包含以下步驟：在第一基板上形成半導體層與多 孔性層；移除位⑨其周彡區域之該丨導體I;以及藉由使 用接口至半$體層《表面之第二基板，冑半導體層與第一 15 基板分離。 ' 這個製程著眼於解決關於轉移層已外延成長在多孔性 層上之事實之分開問題。 這個文獻並沒有將改善兩個基板間之接合，以便增加 轉私至支撐基板上之有用層之面積當作其目的。 20 相反地，移除半導體層之周邊區域會造成所轉移之有 用層之面積的限制。 【發明内容】 因此，本發明之一個目的係為了改善上述缺點，尤其 是藉由在層轉移過程期間，增加從轉移至支撐上之來源美 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱 2004232 94 五、發明說明) 板而來的材料之數量，來縮小該環部之面積。 為了這個目的，本發明提供—種 或光電之合成基板之製造期間， 至支;子= 材料(尤其是半導體材料)之有用層之面積之== 前，，面之至少一牛驟：接合至面對的支樓基板之1 兮支Mm ^ 將有用層從該來源基板轉移至 忒支撐基板上之步驟，該有 該來源基板内部。 曰攸來源基板之前面延伸在 依據本發明，在該接合 )之其中一個（稱為”第-”則該支撐與來源基板 工山 弟基板）係由一主倒角所包圍，苴前 面出現平坦中央地帶；另—個基板（稱為”第 料 it=uiks相則，其前面出現平坦地帶，其: 产顧^處之周邊側面為邊界；該平坦地帶之外輪 15 接：：第一基板之平坦令央地帶之外輪廓之尺寸； 以及在接合期間，係以第一其 内接在第二基板之平土曰地帶”之輪康被 -個基板黏合至另:基^之輪廊内的這種方式來將其中 利用本發明之這些特徵，有㈣係被轉移在較大的面 積上面。 20 用：依據本發明之其他有利與非限制特徵’單獨或搭配採 •第二基板之平坦地帶之外輪廓之尺寸係大於第一某 板之主倒角之内輪靡之尺寸，且在接合期間，係以第-i 板之主倒角之内輪廓被内接在第二基板之平坦地帶之外輪 1 ___ ίο 國家鮮(CNS)A4 祕 2004232 94 A7 B7
廓内部的這種方式來將其中一個基板黏合至另一笑板· •第一基板之前面包含延伸在平坦中央地帶與主倒角 之間的二次倒角； •第一基板係以將其平坦令央地帶放在相對於該第二 5基板之平坦地帶之中央的這種方式來接合至第二笑板· •弟'—基板係為來源基板； •在將來源基板與支撑基板彼此接合之步驟之前，此 方法在於开> 成该來源基板内部之弱地帶，所欲轉移之該有 用層係延伸在該弱地帶與該基板之前面之間，且在接合步 10驟之後，此方法在於沿著該弱地帶將該有用層與其餘來源 基板予以分離； •該弱地帶係藉由植入原子物質而形成或藉由一多孔 性層而形成； •有用層係藉由單獨或搭配採用至少一下述技術而分 15離：施加機械或電氣根源之應力；提供熱能；以及化學蝕 刻； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •來源基板之前面與支撐基板之前面之至少一表面係 以絕緣材料層塗佈。 本發明之其他特徵與優點，從本發明之數個較佳實施 20例之下述說明更顯清楚。此說明係參考附圖而完成。 【實施方式】 本發明之目的係為了改善上述合成基板之製造方法， 這種方法包含將來源基板之其中一個表面分子接合至支撐 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 x 297公爱） 五、發明說明（/σ) 基板之面對表面之至少一步驟，以及從該來源基板轉移有 用層至該支撐基板上之步驟。 該合成基板從而包含轉移至支撐上之至少一有用層。 現在參考圖4,從那可看出本發明之第一實施例:於 其中來源基板6(隨|有用層63於該處取出）係準備好分 子接合至支撐基板7。 於此實施例中，支撐基板7係與上述圖3之支撐基板 5相同。因此，不再詳細說明。 土 支撐基板7顯現出側面71 '主倒角74、以及用以接 收來源基板6之前面6⑻之前面。這個前面700涵蓋 平坦中央地帶70與二次倒角75兩者。 15 20 ^圖4與後來的圖所示，^通常是這樣的情況，來源 〃支> 土板6與7疋圓开》的。相似地，它們的平坦中央 Τ也疋圓形的’而主要與二次倒角(當它們存在時)被看 成是環狀的。然而，基板6與7及/或它們的各個中央地 帶可以是其他形狀，譬如它們可以是擴圓形、八角形、或 長方形。 如可在圖7中更清楚看到的，二次倒角係由内輪 郭c7料輪㉟c’7所界定。吾人應該觀察得到二次倒角 7一5之内輪廓C7構成平坦中央地帶7〇之外輪廓，相似地， 一-人倒角75之外輪廓c，7構成主倒角μ之内 在圖4與5所示之本發明之第―實施例基板6 係為主體基板，亦即，來源基板6之前面_並未在接合 步驟之前受到機器處理，所以與習知之基 12 2004232 94 A7 B7 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 五、發明說明（丨/ 沒有顯現出主倒角也沒有顯現出二次倒角。心匕，整個前 面600係由參考符號67所提供之平坦地帶所組成，而此 地帶係由側面66所包圍。 換言之，該平坦地帶67之輪廓參考符號C"6構成來 源基板6之外輪康，而肖邊側φ &係垂直或準垂直於該 平坦地帶67。 專門用，語”準垂直”意味著：即使某些後來的拋光處 理有日守可#非常輕微地修改角度，仍然可藉由將此種側面 66構造成垂直於地帶67。 圖5顯示本發明之第一實施例之三個變形例。 在第一變形例（以實線顯示）中，當來源基板6係接合 至支撐7時，來源基板6之側面66.係垂直地位於與支撐 7之側面71對準’且兩個基板6與7具有相同尺寸（或當 基板為圓形時，具有相同直徑）。此種變形例有利之處在 於其可使既存的基板處理設備被使用，其乃因為在包括層 轉移與分子接合之這種型式的方法中，橫越過其側面％ 所測ΐ的來源基板6之直徑相對於目前被使用的基板是不 變的。 在第二變形例（以點劃線顯示）中，來源基板6之側面 66係垂直地位於與二次倒角75對準（在輪廓匕與之 間）。 在第三變形例（圖中未顯示）中，來源基板6之直徑係 大於支撐7之直徑，而平坦地帶67之輪廓π、接著延伸 超過支撐7之外部尺寸。 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297 公釐） 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20
五、發明說明（U 在上述變形例中， 立 6之平ie妯册μ 要/思依據本發明需確保來源基板 中央Λ 廓A之尺寸切支縣板7之平坦 板6係以輪廓心:接在在接合期㈣ 支擇基板7。 ㈣C 6㈣這種方式來黏合至 廊。”=::1兄是，來源基板6之平坦中央地帶67之輪 寸，：在ίΓ 支標7之主倒角74之内輪廓C、之尺 ^ σ期間，來源基板6係以内輪廓c,7被内接在 輪廊C"6㈣的這種方式來黏合至支撐基板7/在 i曰支樓7之二次倒角75總是位於面對基板6之平 接合:受7到ί:對:該處形成小角度万。這兩個表面間的 。，且較大百分率之有用層63係被轉移至倒 75上。因此，實際上被轉移之有用層63之面積會增加， 相反地，環部之面積減少。 曰 最後，最好的情況是，來源基板6係以將支撐7之平 坦中^地帶70放在相對於來源基板6之中央地帶67的中 央的這種方式而接合至支撐基板7。因此，所轉移之有用 層63亦位於實質上位於相對於支撐7之中心。 本發明之第二實施例係參考圖6說明於下。 本實施例係與參考圖5所說明的實施例相反，亦即， 來源基板6具有平坦中央地帶60、主倒角64、以及二次倒 角65’而支撐基板7之前面7〇〇係由平坦地帶77所組成， 此平坦地帶77係由垂直或實質上垂直延伸之周邊侧面76 所包圍。 Η 91· 1. 2,000 -----------Awi—— 1訂--------- S (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2004232 94 A7 B7 五 、發明說明（/3) 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 乂如上所示，支撐7之平坦地帶77之輪廓C”7之尺寸 係大於來源基板6之平坦中央地帶6〇之外輪廓q之尺 寸，且在接合期間，來源基板6係以這個輪廓&被内接 在輪廓C’’7内的這種方式來黏合至支撐基板7。 又較好的情況是，輪廓c，，7之尺寸係大於來源基板6 之主倒角64之内輪廓之尺寸，且在接合期間，來源 基板6係以内輪廓C，0被内接在該輪廓c，,7内部的這種方 式來黏合至支撐基板7。 最好的情況是，基板6與7亦相對於彼此置於中央。 關於上述兩個實施例，圖5之實施例（其中，來源基 板6顯現出垂直於平坦表面67之邊緣66)通常因為與: 業規模之實現方法相關的理由而是較佳的。 無論為基板6與7選擇之實施例為何，可利用現在 所說明的各種方式來將有用層63移離來源基板6。 在第一變化例中，在將基板6與7彼此分子接合之步 驟之前，弱地帶62係形成在來源基板6中，用以界定並 劃定隨後被轉移至支撐7之有用層63的範圍。在接2之 後，該有用層63係沿著這個弱地帶62而與來源基板6盆 餘部分分離。 吾人應該觀察得到圖4至6僅為概略顯示，為了說明 目的，有用層63係顯示於其中，且比其實際上厚得多。 形成該弱地帶62之技術為熟習本項技術者所熟知， 因此並未全部詳細說明。 ' 最好的情況是，此種弱地帶62係藉由從前面6〇〇植
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 2004232 94 A7 B7 五、發明說明（⑷ 入原千物質而形成。 專門用4吾’’植入原子物質”音於 ,, 刃貝思才曰原子、分子或離子物質 之任何轟擊，其可從轟擊表 矛面600將具有該物質之最大濃 度之该物質導入位於預定深产 丁只疋冰度之该種類之材料。分子
5子原子物質係以亦分配為約最大值之能旦H 取八值之此里而被導入至材料 中 。 原子物質可藉由使用譬如離子束植入機或電漿浸泡植 入機而被植入到該來源基板6。 較佳是，植入係藉由離子轟擊而實現。較佳是，植入 10離子物質係為氯。其他離早你/叮·曰/百 八他離子物貝可具優點地被單獨使用或 與氫結合使用，例如稀有氣體（譬如氦氣）。 植入動作會在大部分來源基板6之内以及位於令間的 =子渗透深度建構出弱地帶62，此地帶實質上係平行於 丽面600之平面。有用層63係從前面6〇〇延伸至這個弱 15 地帶62。 口人應參考譬如關於其註冊之商標，，Cut"之熟知 方法之文獻。 弱地帶62亦可由獲得之多孔性層所組成，譬如藉由 使用Canon之註冊商標”ELTRAN，，所熟知之方法，其係說 明在歐洲專利ΕΡ-Α-0 849 788中。 在分子接合表面600與700之步驟之後，有用層63 係與來源基板6其餘部分分離。 有用層63之分離係藉由單獨或搭配至少一下述技術 而Ik後被執行：施加機械根源（將刀片或壓力下之流體的
2004232 94 A7 B7 五、發明說明（/¾ 噴流插入弱地帶62)或電氣根源之限制；提供熱能；以及 化學蝕刻。這些分離技術為熟習本項技術者所熟知，且並 未非常詳細說明於此。這提供具有轉移至支撐7上之有用 層63之合成基板。 5 如上所述，有用層63係沿著弱地帶62，亦利用垂直 地與使至支撐之接合具有足夠之強度之地帶對準之”垂直 自我限制”方法而水平地分離。 最後，在未顯示於圖中之第三變化之實施例中，亦可 能藉由已知為”接合與回蝕，，之技術來產生有用層63，其 1〇中，在將來源基板6之前面600接合至支撐基板7之前面 700上之後，該來源基板6之背面係藉由研磨及/或藉由 化學侵蝕之蝕刻然後拋光而受到處理，直到只有對應於該 有用層63之厚度殘留在支撐7上為止。 在SOI(絕緣層上有矽）基板之特別情況中，可能藉由 u在本發明之引言中所提及之BES〇I*法來獲得有用曰声 63。 曰 最後，提供該方法可應用之材料之例子。 經濟部智慧財產扃員工消費合作社印製 支撐基板7係選擇性地由半導體材料所形成，該半導 體材料譬如是選自於⑦；透明性基板（例如石英或玻璃）； 20碳化矽；砷化鎵；磷化銦；或鎵。 較好的情況是，來源基板6係由譬如選自於下述元素 之半導體材料所形成：石夕；鎵；碳化石夕；石夕與錄合金或” 化合物，，（已知為Si_Ge化合物）；或已知& ιπ/ν 合金或化合物，亦即，其一元素係來自周期表之 17 2004232 94 A7 B7 五 、發明說明（/句 而另一個係來自攔Va之化合物，例如氮化鎵；砷化鎵； 或磷化銦。 最後’吾人應注意到可能以氧化物型式之絕緣層（譬 如Si〇2)或氮化物型式之絕緣層（譬如Si3N4)覆蓋支撐7之 5前面700 ’然後，這個絕緣層係在脫離有用層63之後介 設於有用層63與該支撐7之間。 吾人可能以上述型式之絕緣材料覆蓋來源基板6之前 面600’然後被轉移的有用層63包含雙層。甚至可能使 裴 複數個層沈積至來源基板6上，然後專門用語，，有用層，，指 10 定一層堆疊。 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2004232 94 A7 B7 五、發明說明07) 【圖式簡單說明] 圖1係為顯示通過S0I型基板之垂直直徑截面圖； 圖2係為顯示圖i之基板之平面圖； 圖係為顯示使用習知技術而接合在一起之來源基板 與支撐基板之局部直立剖面圖； 圖4係為顯示在本發明之第一實施例之方法中的來源 基板與支撐基板之局部直立剖面圖，所顯示之該等基板準 備好接合在一起； 圖5與6分別為顯示在圖4之第一實施例鱼第二實 施例中的來源基板與支撐基板之局部直立剖面圖' 之該等基板準備好接合在一起；以及 ’ 方來從本發明之方法所使用之支撐之角形部分上 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
9 1A 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 2004232 94 A7 B7 五、發明說明（β) 10 5 ΊΧ 【圖式之代號說明】 1〜支撐 2’〜核島 4〜來源基板 6〜來源基板 21〜氧化石夕層 40〜平坦中央地帶 42〜弱地帶 4 4〜主倒角 50〜平坦中央地帶 54〜主倒角 60〜平坦中央地帶 63〜有用層 65〜二次倒角 67〜平坦表面/平坦中 70〜平坦中央地帶 71〜側面 7 5〜二次倒角 2〜複合層 3〜環部 5〜支撐基板 7〜支撐基板 2 2 〜 41〜側面 43〜有用層 45〜一次倒角/第二地帶 51〜側面 5 5〜二次倒角 62〜弱地帶 6 4〜主倒角 66〜側面/邊緣 央地帶 7 4〜主倒角 7 6〜側面 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 / /〜干坦地— 60 0〜前面 C6〜輪廓 C"6〜輪廓 C 7〜輪庵 4 0 0〜前面 200〜垂直側 500〜前面 7 00〜前面 C’6〜輪廓 c7〜輪廓 C 7〜輪靡 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）