TW200423794A - Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200423794 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電場發光元件及其製造方法。 【先前技術】 有機電場發光元件（以下稱為有機EL元件）係期 作為新穎自發光型元件。這樣的有機el元件，係 電洞庄入電極和電子注入電極之間形成載子(咖丨 層（電子輸送層或電洞輸送層）及發光層的疊層結構。 作為電洞注入電極係採用如金或ιτ〇(銦_錫氧蝴之 功函數為大的電極材料，而作& 而作為電子注入電極則採用如 (鎮）或U(經）之功函數為小的電極材料。 异 此外，在電洞輸送層、發光層及電子輸送層中 有機材料。在電洞輸送層中换 用 料，在電子輸送層中二2m型半導^生質的材 發光声也由且有士 Φ ^ n i導體性貝的材料。 =二具有如電子輸送性或電洞輸送性之載子輸送性 、’务出螢光或磷光的有機材料所構成。 另外，經由採用的有機材 層、電子於请展芬於丄狂 了 ^層構成電洞輪送 A層及电光層的各功能層，或省略這些功能層。 :了提高如此之有機EL元件的工作穩定性， 了在電洞注入電極和電洞輪误 ^ 如在電洞注人電極和電洞輸送層之間插入 =層時’便會產生初期驅動電壓上升的問題(例如，： A曰本專利文獻1)。 少 專利文獻1 :日本專利特開2_·15()171號公報。 315647 5 200423794 此外，在有機EL元件中，也依賴於材料，但如果從 外部照射紫外線時，便產生有機EL元件劣化的現象。以 下’將此現象稱為光劣化。由該光劣化，便產生有機EL 凡件的發光亮度的降低。因此，為了使有機EL元件的亮 度維持恆定，需要隨時間提高驅動電壓。 【發明内容】 本發明的目的是，提供一種能夠防止光劣化，同時降 低初期驅動電壓之有機電場發光元件及其製造方法。 第1發明之有機電場發光元件係依次具有電洞注入電 極、電洞注入層、發光層及電子注入電極，電洞注入層係 包括第1電洞注入廣及第2電洞注入層，第i電洞注入層 係具有吸收紫外線的物性，帛2電洞注人層係具有促進; 洞注入的物性。

-仕冬發明之有機電場發光元件中，除了利用第ι電洞 …及收紫外線，同時利用第2電洞注入層促進電洞注 斤X i夠防止因紫外線所造成的有機電場發光元件 、錢，同時也能夠降低初期驅動電壓。此外，不需要 為維2亮度而隨時間變化升高驅動電壓。 第1電洞注入層传以明你、士 p & 10%以上者為佳。此日±' 於380_的紫外線 上#為佳此時，能夠利用第〗雪、na 地吸收势外嬙盆4 弟1電洞注入層而確實 化。 …果’能夠防止有機電場發光元件的劣 物 胺么#八w , Η _月示化合物、口卜啉化 …物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及 315647 6 200423794 吼嘻系化合物中選擇的至少一種化合物所形成。由此，能 夠吸收紫外線。 第2電洞注入層，也可以由結晶性或非結晶性的無機 材料、敝青系化合物、卩卜啉化合物、胺系化合物、聚苯胺 系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合物中選擇的至 少一種化合物所形成。此外，第2電洞注入層，也可以由 厌系材料、石夕系材料、碳化石夕系材料及硫化編系材料中選 擇的材料所形成。此外，第2電洞注入層也可以由南化物 形成。另外，第2電洞注入層也可以由碳系鹵化物形成。 特別是’第2電洞注入層也可以由氟化碳形成。由此，能 夠充分降低初期驅動電壓。 第1電洞注入層也可以由酞菁銅形成。此時，能夠利 用第1電洞注入層有效率地吸收紫外線。 第1電洞注入層的膜厚度係以在5nm以上者為佳。第 1電洞注入層的膜厚度以在15nm以下者為佳。由此，能夠 防止因紫外線所造成的有機電場發光元件的劣化。 第電/同’主入層的膜厚度係以在〇 · 5nm以上者為佳。 第2電洞注入層的膜厚度係以在3謂以下者為佳。由此， 也能夠充分降低初期驅動電壓。 第2毛明之有機電場發光元件的製造方法，係具有在 電洞注人電極上形成電洞注人層的㈣和在域電洞注入 層上依次形成發光屏3 φ 曰及電子注入電極的步驟；形成電洞注 入層的步驟係包括开彡士、 、 少成具有吸收紫外線的物性的第1電洞 注入層之步驟、和形忐 少成具有促進電洞注入的物性的第2電 315647 7 200423794 洞〉主入層之步驟。 2發明之有機電場發光元件的製造方法中，在電洞 光=上形成電洞注入層，在電洞注入層上依次形成發 的物卜… ^门庄入層係包括具有吸收紫外線 ?性之弟！電洞注入層及具有促進電洞注入的物性之第 電収人層。所以1 了能夠防止由紫外線所造成的有 電场發光元件的光劣化，同時也能夠降低初期驅動電 二二此外’不需要為維持亮度而隨時間變化升高驅動電壓。 【貫施方式】 第！圖是表示本發明的一實施方式中4層結構的有機 電場發光元件(以下稱為有機EL元件)的結構模式圖。 如第i圖所示，在有機EL元件1〇〇中，在玻璃基板！ 上形成由透明電極薄膜所構成的電洞注入電極（陽極）2。在 電洞庄入電極（陽極）2上’依次形成由有機材料構成的電洞 注入層（以下，稱為第1電洞注入層。）3a、由電漿（等離子） CVD法（電漿化學氣相生長法）形成的電洞注入層（以下，稱 為第2電洞’主入層。)3b、由有機材料構成的電洞輸送層4 及發光層5。此外，在發光層5上形成電子注入電極（陰極） 也洞庄入电極（陽極）2係例如由銦錫氧化物（IT〇)所構 成。第1電洞注入層3a則由CuPc(駄菁銅）所構成。該由

CuPc構成的第1電洞注入層3a係具有吸收紫外線的功 能。 第2圖是表示由CuPc構成的第1電洞注入層3a的紫 315647 8 200423794 外線吸光度之圖。第2圖的縱軸表示吸光度（％)，橫軸表示 波長（nm)。在第2圖中，CuPc的膜厚度為1 〇麵。 如第2圖的虛線所示，由Cupc構成的第！電洞注入 層3 a係具有吸收波長短於3 8〇nm的紫外線約丨〇%以上的 性質。其結果，能夠經由CuPc的作用，阻止造成有機队 元件光劣化的糸外線射向第2電洞注入層3 b、電洞輸送声 4及發光層5者。 ' 第2電洞注入層3b係由CFx(氟化碳）所構成。電洞輸 送層4係由例如具有下式（1)表示的分子結構的N，N、二 -1-基）-N，N’-二苯基-聯苯胺（N，N、Di(naphthal ene-1 -y 1). N，N’-diphenyl-benzidine:以下，稱為 NPB)構成。 [化1]

…⑴ 發光層5係含有例如作為主（h〇st)材料之具有下式（？) 表示的分子結構的三（8-羥基喹啉）鋁（Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum :以下，稱為 Alq)，作為摻 雜劑含有具有下式（3)表示的分子結構的第三丁基取代二 萘蒽（以下’稱為化合物A)及以下式（4)表示的3，4 -二氟^ N，N’-二甲基-喹吖啶酮（3,4-Difluoi*o-N，N、Dimethyl· quinacridone :以下，稱為化合物B)。 [化2] 9 315647 200423794

[化3] [化4]

迅丁 /上八電極（陰極）6係

…⑷ F 金，比例1G: 1)的疊層結構。°具有MgIn合金（鎂銦合 在上述有機EL元件100中 極和電子、、t λ α 經由在電洞注入電極 發出绛辛弁如 間外加電壓，使發光層5 ^出4:色先。在發光層5 鳥m的大部分可Μ，、t 2的綠色先中，波長大於 入声3a，從㈣構成的第1電洞注 曰 仗破螭基板I的背面射出。另外， 的士卹八胗μ 1 /反長紐於3 8 Orm 口刀不卜線係由CuPc構成的第玉電 电利/主入層3 a所吸 3】5647 200423794 收0 此外，由CFx構成的第2電洞注入層3b係具有促進 向甩洞注入層4及發光層5注入電洞的作用，具有降低初 期驅動電壓的功能。 在本實施方式之有機EL元件丨00中，經由在電洞注 2電極（陽極）2和電洞輸送層4之間，形成由Cupc構成的 :1電洞注入層3a及由CFx構成的第2電洞注入層扑， 月匕夠防止光劣化，同時能夠降低初期驅動電壓。此外，也 不需要隨時間變化提高驅動電壓來彌補光劣化所造 的降低。 儿 另外，本發明的有機EL元件的結構，不限定於上述 結構，能夠採用多種結構。例如，在發光層5和電子注入 電極（陰極）6之間，也可以再設置電子注入層或電 層。 作馮發光層5的材料，可 料。在此種情況下，也可以不設置電洞輸送層4。 此外，在上述的實施方式中，作為第】電洞注入層 的材料採用了 CuPc，但也不侷限於此，只要是在膜厚产 1 〇nm時具有吸收波長短於3 8〇nm的光丨〇%以上的功子^ 便可以採用酞青系化合物、口卜啉化合物、胺系化八物、 苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及聚吡咯系化合 的材料。 ^ k 此外作為第2電洞注入層3 b的材料雖採用πχ， 並不侷P W此’卩要是能彳 x ’ 丨牛低仞期驅動 315647 1】

壓的材料者，除了如CF 系、。卜啉化合物、胺糸介人幾缚膜以外，亦可採用酞菁 系化合物及聚口比洛系化合苯胺系化合物、聚噻吩 此外，作為第2電= 材料。 並不询限於此，亦可採用Γ入層3b的材料雖採用CFX，但 非結晶性或結晶性:::：：，，系、州 層3b的材料，，、材科。此外，作為第2電洞注入 外，作為第 T以知用C系南化物或Si系-化物。此 作為弟2電洞注入層 。、—、.—、二材料’也可以採用含有由 之群中選擇的稀土類元素 °"、:°、Er、TmA Yb ¥、。，〜、一及广化物’及含有由丁卜 過渡金屬氣化物等。 u之群中選擇的過渡金屬的 2、第丨—同在上述’把方式中’雖以電洞注入電極(陽極） 4的 〜、第2電洞注入層讣及電洞輸逆声 4的順序形成，但也可以以雷、、…〜 W輸运層 洞注入層3b、签]tH主入電極（陽極）2、第2電 形成。曰 洞注入層3a及電洞輸送層4的順序 卜&可以將上述發出綠色光的有機EL元件^ £和發出撥色或紅色光的有機EL元件及發出藍色光的有機 几件組合使用。此時’經由將發出撥色或紅色光 =件用作為發出紅色光的像素㈣素），將發出綠色先 ，有機EL元件料為發线色光的像_像素），將發出 i色先的有機E L元件用作為發出藍色光的像素(B ， 便可顯示光的3基色（顯示RGB)，而實現全色顯示。、 3Ϊ5647 12 200423794 此外，發光層5，也可以具有產生不同發光色的2個 务光層的疊層結構。例如，經由在2個發光層中的一方添 加可得到撥色或紅色光的發光摻雜劑，在另一方添加能得 到藍色發光的發光摻雜劑，便能夠得到發出白色光的白色 發光元件。此時，經由在白色發光元件上組合紅色、綠色 及现色的；慮光片’可顯示光的3基色（顯示rgb)，而實現 全色顯示。 此時’紫外線具有特地通過藍色的濾光片，照射有機 EL元件的可能性。但是，由於能夠利用上述的有機元 件100的作用，防止由紫外線所造成的光劣化，所以，能 夠抑制有機EL元件亮度的降低。其結果，能夠維持紅色、 綠色及藍色的白色平衡。 另外，在上述的實施方式中，對通過玻璃基板丨向外 部取出發光層5所產生的光的反射結構的有機EL元件1〇〇 雖進行了說明，但也不侷限於此，也可以是，經由將電子 /主入電極（陰極）6設定為透明電極或半透明電極，通過電子 /主入電極（陰極）6，從上部取出在發光層5所產生的光的頂 部發射結構。 實施例 以下，製作實施例1及比較例1、2的有機EL元件， 測定這些元件的初期驅動電壓及光照後的電壓升高。 實施例1 在實施例1中，按以下方法製作有機EL元件。在玻 璃基板1上形成由銦-錫氧化物（ΙΊΓ0)構成的電洞注入電極 315647 13 200423794 (%極）2 ’用中性清洗劑將形 .^ ^^ , 成忒電洞注入電極（陽極）2的 玻璃基板1清洗，浸潰在丙酮中， ^ ^ ^ ^ 進仃10刀釦超聲波清洗， 二後’_在乙醇中進行1G分鐘超聲波清洗後用臭氧清 春劑對玻璃基板1的表面進行 極（陽極）2上，利用直空基 之後在^同注入電 、+ ,, 一工瘵鍍法形成由CuPc構成的第丨電 _ jh。該由㈣構成的^電洞注人層&如上： 边，/、有吸收波長短於38Gnm的紫外線的性質。 然後’在第1電洞輸送層3…以利用CHF3氣體之 等離子⑽法形成由CFx構成的第2電洞 二 由CF=的第2電洞注…具有促進電洞注入的作 用，並具有降低初期驅動電壓的功能。 此時，實施们的第丄電洞注入層h的膜厚 1〇nm，第2電洞注入層扑的膜厚度為〇.5nm。一、 此外，在第2電洞輸送層3b上，經由真空基鍍法妒成 由膜厚度5〇nm的NPB構成的電洞輸送層4。另外，在 洞輸送層4上，經由真空蒸鍍法形成膜厚度 層5。發光層5含有Alq作為主材料，並含有⑼重量％的 上速化合物A及0.7重量％的上述化合物b作為摻雜劑。 另外’在發光層5上，經由真空蒸鍍法形成由膜厚 2〇〇n—MgIn合金構成的電子注入電極（陰極％。 些真空蒸鍍，均在真空度1χ 1〇-6T〇rr的環境下進行，不進 行基板溫度控制。由此，製作了實施例丨的有機_ 比較例1 ^ 在比較例1中，除不形成由CFx構成的第2電洞注入 315647 14 200423794 層3 b外，以與實施例1相同的古 也 的方法製作有機：EL元件。此 時，比較例1的第1電洞注入层 入層3a的膜厚度為l〇nm。 比較例2 比較例2中，除不形成由

Pc構成的第1電洞注入 層3 a外，以與貫施例1相同的方 J曰〕方法製作有機EI^元件。此 時，比較例2的第2電洞注入岸 八臂3b的膜厚度為〇 5nm。 (評價1) 實施例1及比較例1、2的有 有機EL tl件的初期驅動電

壓及光照射後的電壓升高的測定处I 又、、、口果如表丨所示。另外， 調節驅動電壓，使電流密度達到2〇 2 j 2〇mA/cm，測定初期驅動 電壓及光照射後的驅動電壓。作么止职 作為先一射條件係在氣厚比 (AirMass :以下稱為 AM)1.5 中以 ^ ηΛ , Τ以100mW/Cm2的光照射3〇 小時。 表1 第1電洞注 入層的材質 第2電洞注 入層的材質 p---— 初期驅動 電壓（V) 光照射後的 上升電壓（V) 比較例1 CuPc ~~- 9.0 - / 1 u V τ / 0 3 比較例2 — CFx —-~~~~-- 6.0 2.0 實施例1 CuPc CFx --~~-~_ 6.1 —------- 0.5 在表1中，與比較例1的有機EL元件的初期驅動電 壓相比，實施彳列U比較例2的有機EL以牛的初期驅動 電壓降低。此外，與比較例2的有機EL元件的光照射後 的上升電壓相比’實施例丨及比較例1的有機El元件的 光照射後的上升電壓則降低。 3】5647 15 因此’在只具有由Cupc構成的第！電洞 比較例1的有機EL元件中 s的 低，在只具有φ CFx構成… 初期驅動電屡的降 的有機E L元件中，便難人層3 b的比較例2 相反地，在具有第m Y上m οι ^ Ja及第2電洞注入厗 3b的貫施，"的有機EL元件中，能夠實 ：

:降低及光照射後的上升電壓的降低。…動㈣ 貫施例2至8 以下’在貫施例2至8 φ 腺山 m “ 至8中將自Cupc構成的第1電 ;/ …的膜厚度按0nm、3nm、5議、1〇_、15_、 \nm及20nmD個厚度之變化，製作有機EL元件。另 外，實施例2至8的古拖κτ -从„ 的有機EL兀件係除第1電洞注入層3a 1方採用與實施例1的有機虹元件相同的條件 貫施例2至8的有機EL元件的初期驅動電壓及光日” 射=上升電壓的測定結果示於表2。另外，帛3圖是表 不貝軛例2至8的有機EL元件之由CuPc構成的第！電洞 注^層3"的膜厚度與初期驅動電壓的關係圖，第4圖是表 不貝Μ例2至8的有機EL元件之由Cupc構成的第工電洞 庄入層3 a的膜厚度與光照射後的電壓上升的關係圖。 /另外，初期駆動電壓及光照射後的上升電壓的測定條 件係與實施例及比較例1、2相同。 第3圖的縱軸表示初期驅動電壓，橫軸表示第1電洞 注入層3a白勺膜厚度。f 4圖的縱車由表示光照射*的上升電 315647 16 200423794

橫軸表示第 包洞注入層3 a的膜厚度

少此外’當由CUPC構成的帛1電洞注入層3a的膜厚度 外2〇麵以下時’能降低初期驅動電壓；當由CuPc構成的

弟1電洞注入層3a的膜戶存A H 、 的膜异度在1 7nm以下時，能進一步降 低：期驅動電壓；當由CuPc構成的第1電洞注入層3a的 膜厚度在15職以下時，更能降低初期驅動電壓。 …另外如表2及第4圖所示，當由CuPc構成的第j 。同’主入層3a的膜厚度在3nm以上時，能降低光照射後 的上升電壓；當由CuPe構成的第丨電洞注人層h的膜厚 又在5nm以上時’能進一步降低光照射後的上升電壓。 k以上看出’要實現初期驅動電壓及光照射後的上升 17 315647 200423794 電壓的降低，φ CuPc構成的帛i電洞注入層3“勺膜厚度 係以在3nm以上20nm以下的範圍為佳，由Cupc構成的 第1電洞注入層3&的膜厚度係以在5nm以上i7nm以下的 範圍更佳’由CuPc構成的第1電洞注入層3a的膜厚又以 在5nm以上15nm以下的範圍為最佳。 實施例9至16

、、 ' …印 λ僻/¾ W罘；Z電 洞注入層3b的膜厚度按〇請、〇 5賊、2賺、3細、 5麵、8:及1〇請等8個厚度之變化，製作有機EL元件。 另外’貫施例9至16的有機EL元件係除了第2電洞注入 層3 b的膜厚度外，椟 — 條件及方法製作。m⑽1的有機EL元件相同的 射义二Η Γ 9至16的有機EL元件的初期驅動電壓及光照 射後的上升電壓的測 、、 示實施例9至16的二果不於表3。另外，第5圖是表 主16的有WL元件之由CFx構成 注入層3b的膜厘疮也、 傅风日7弟2笔洞 、初期驅動電壓的關係圖，第ό圖是表 不貫施例9至16的有 口疋衣 、、主入屏π认4 钱 凡件之由CFx構成的第2電洞

庄入層3b的膜厚度鱼 ^电/U η λΚ, 一先a射後的上升電壓的關係圖。 ’ m區動電壓及光照射後的上 件係與實施例及比較例i、2相同。的測疋條 第5圖的縱輛表示初期駆動 注入層儿的膜厚度。 ^祸軸表不苐2電洞 壓，橫軸表示第2 ♦、、n、+ 矛丁先a射後的上升電 电洞注入層3b的膜厚度。 315647 18 200423794

如表3及第5圖所示，當由CFx構成的第2電洞注入 曰3b的膜厚度在〇 5nm以上時，能降低初期驅動電壓。 此外，當纟⑽構成的第2電洞注入層3b的膜厚度在8麵 以下時’能降低初期驅動電壓；當由CFx構成的第2電洞 動二3 厚度在5請以下時’㉟進-步降低初期驅 動電壓’·當由CFx構成的第2電洞注入層外的膜厚度在 nm以下時，更能降低初期驅動電壓。 畲由CFx構成的第2電 iOnni以下的範圍時，能 另外，如表3及第6圖所示， 洞注入層3b的膜厚度在〇nm以上 夠充分降低光照射後的上升電麼。 期驅動電壓及光照射 洞注入層3 b的臈厚 ，由CFx構成的第2 以上5nm以下者為 從以上看出，要同時實現降低初 後的上升電壓，由CFx構成的第2電 度係以在0.5nm以上8nm以下者為卢 電洞注入層3b的膜厚度係以在〇 315647 19 200423794 更佳，由CFx構成的第2電洞注入層3b的膜厚度更以在 0.5nm以上3nm以下者為最佳。 如此，經由有效地降低初期驅動電壓及光照射後的上 升電壓，能夠综合降低有機EL元件的驅動電壓。亦即， 在降低初期驅動電壓的同時，不需要增加驅動電壓來彌補 由光劣化所造成的亮度降低。 【圖式簡單說明】 •冑1圖是表示本發明的一實施方式中4層結構的有機 電場發光元件的結構模式圖。 第2圖是表示由CuPc構成的第i電洞注入層的紫外 線吸光度之圖。 第3圖是表不由實施例2至8有機EL元件之CuPc構 成的第1電洞注入層的膜厚度與初期驅動電壓的關係圖。 第4圖是表示由實施例2至8有機EL元件之。心構 成的第1電洞注入層的膜厚度與光照射後的電壓升高的關 響係圖。 第5圖是表示由實施例9至丨6有機EL元件之CFx構 成的第2電洞注入層的膜厚度與初期驅動電壓的關係圖。 第6圖是表示由實施例9至16有機EL元件之cFx構 成的第2電洞注入層的膜厚度與光照射後的電壓升高的關 係圖。 [元件符號說明] 2 電洞注入電極（陽極） 3 b 第2電洞注入層 1 玻璃基板 3a 第1電洞注入層 315647 20 200423794 4 電洞輸送層 5 發光層 6 電子注入電極（陰極）100 有機EL元件 21 315647

Claims (1)

1. 申請專利範圍： 種有機電場發光元件，其特徵係：依次具有電洞注入 ° 電洞注入層、發光層及電子注入電極， 上述電洞注入層係包括第1電洞注入層及第2電洞 注入層； 上述第1電洞注入層係具有吸收紫外線的物性，上 ^ z電洞注入層係具有促進電洞注入的物性者。 •如申請專利範圍第1項之有機電場發光元件，其中，上 述第1發' ' 寬洞注入層係吸收波長短於38Onm的紫外線1 〇% 以上者。 3 .如申凊專利範圍第1項或第2項之有機電場發光元件， 中’上述第1電洞注入層係由酞菁系化合物、卩卜啉化 σ物胺系化合物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物 及聚吡咯系化合物中選擇的至少一種化合物所形成 專：Γ第1項至第3項中任一項之有機電場發 牛、、中，上述第2電洞注入層係由結晶性 士 晶性的無機材料、酿菁系化合物、。卜啉化合物 ： :物、聚苯胺系化合物、聚噻吩系化合物及 合物中選擇的至少一種化合物所形成者。 系化 5.:申請專利範圍第丨項至第4項中任一項 光元件，置中，卜；十[笙〇 + 成電％發 述弟2琶洞注入層係由碳系材料 刪、碳切系材料及硫化録系材料中選擇的：：石夕 形成者。 心伴的材料所 J^5647 22 200423794 至第5項中任一項之有機電場發 2電/同 >主入層係由鹵化物所形成 6·如申請專利範圍第1項 光元件，其中，上述第 者0 7. 如甲凊專利範圍第丨項至第6 光元件，1中，上、…φ中任項之有機電場每 形成者/、 述弟2電洞注入層係由碳系齒化物冷 8. 如申請專利範圍第i項 光元件，其中，上述第 者0 至第7項中任一項之有機電場發 2電洞注入層係由氟化碳所形成 9. 如申請專利範圍第1項 光元件，其中，上述第 者。 弟項中任一項之有機電場發 1電洞注入層係由酞菁銅所形成 至第9項中任一項之有機電場發 1電洞注入層的膜厚度在5nm 1 0 ·如申請專利範圍第1項 光元件，其中，上述第 以上者。 11 ·如申請專利範圍第i項至 發光元件，其中，上述第0員中任一項之有機電場 以下者。 幻電洞注人層的膜厚度在15n, 12.如申請專利範圍第！項至 發光元件，JL由L 項之有機電場 ^ ，上述第2電洞注入層的膜厚声,λ ς 以上者。 θ w胰与度在0.5nm 1 3 ·如申清專利範圍第 發光元件，其中， 以下者。 第12項中任-項之有機電 上述第2電洞注入層的臈厚度在3 315647 23 1794 14. —種有機電場發光元件的製造方法，且 電洞注入電極上形成電洞注入層之步賢寺：係：具有在 主入層上依次形成發光層及電子注入電極之步驟， 形成上述電洞注入層之步驟係包括： 形成具有吸收紫外線的物性的第1電洞、、主 4 層之 步驟；以及

   形成具有促進電洞注入的物性的第2電洞注入| 之步驟者。

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