TW200536636A - Highly crystalline silver powder and method for production thereof - Google Patents

Description

200536636 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 =明係有關於一種高結晶性銀粉及其製造方 :兄明之，係有關於一種高結晶性銀 中將例如晶片元件、電 ：：方法其 精、、、田化而旎夠形成具有高密度及言 ^ 電性膏劑、特別是對微細的線:可#性者之導 夠开彡点且古^ 、'路或，寻層而平滑的塗膜等能 多勺幵^成具有鬲密度及高 古止 製造，姑t^ 又且呵可罪性者之導電性膏劑的 ::故較佳；由於係微粒、分散性良好、粒度分布不致 太乍峭而比較寬緩、微晶較大 , ^ fxm ^ ，用作導電性膏劑的原料 #銀私對貧劑的分散性以及銀粉 性為相當優異，而能夠使 胃Μ中的填充 更加精細化，可將由導雷 和或電路# 收縮性相當優異、同彳:得到的银厚膜製成耐熱 【先前技術】^比電阻（電阻率）較低者。 以往作為形成電子元件等的電極或 一種導電性好粗ώΑ你丨\ ^ 路之方法’將係 枓的銀粕分散於膏劑中而形 將此導電性膏劑印刷於基板後，藉由對導電性愚劑， 固化使其硬化而形成銀厚膜以製成電路的倍燒或 然而近年來，基於電子儀器的高機能化而要求且 小型高密度化，因此，即伯β 、 晋衣電子裝置具 粉，在製成導電性膏劑時，：:::二膏劍的材料之銀 在填充性或分散性方面為相當二方=微教4 所謂分散性係，只要是未事先 ’於本發明中 °兄明’則係指銀粉

2213-6834-PF 5 '200536636 度。例刀放性’意指銀粉的原始粒子之間凝聚的難易 :比率二所謂分散性良好的狀態係指原始粒子之間凝聚 係指肩或元全不凝聚的狀態；所謂分散性很差的狀態 ' :°子之間凝聚的比率較多或完全凝聚的狀態。 基板上tr印刷者上述導電性膏劑的基板，通常使用於陶瓷 二 I組件等放熱較大的部分等。然而，在此陶瓷基 :刷導電性膏劑時，由於m板的熱收縮率與由印

1者電性㈣所生成的銀厚膜之熱收縮率—般而言並不 目=故在梧燒時陶竟基板和銀厚膜之間會有或剝離或基 反…發生變形之虞。目此m板的熱收縮率與由印 刷者導電性膏劑所形成的銀厚膜之熱收縮率儘量採取接近 的值為較佳。 作為在這樣焙燒時的上述銀厚膜的熱收縮之一項原 因，-般認為係導電性膏劑中的銀粉在培燒時會引起燒結 :故…p，-般認為銀粉係由微小的微晶所構成的多結 晶體’為了形成銀厚膜而在對包含㈣的導電性膏劑進行 焙燒時銀粉中的微小的微晶被燒結，於銀厚膜生成的前後 發生尺寸改變而引起熱收縮。因對於得到含有熱收縮 較小的銀粉之導電性膏劑，銀粉中的微晶儘可能大些，儘 量不使微晶產生燒結較佳。 並且，近年來電路#高頻特性之改善或使培燒前後的 基板之尺寸精度更加提昇等都受到要求，因此，作為形成 銀厚膜的基板，取代如上述—般的陶瓷基板而使用ltcc (Low Temperature C〇-fireci Ceramic:低溫共焙燒陶瓷） 2213-6834-PF 6 200536636 基板。甚且，該LTCC基板由於係對LTCC基板的生薄板與 包含銀粉等的低電阻導體之導電性膏劑同時進行燒結而得 到者，故相較於使用上述一般的陶瓷基板並將導電性膏劑 印刷於其上而形成銀厚膜的電路之技術，則以較少的焙燒 次數即能完成、容易控制陶究介電質膜厚、由導電性^ 所形成的電路之導體電阻較低、纟易改善基板的表面平； 1*生，由沒些觀點看來為較佳。然而，由於的尺寸穩定 性非常優異，即使係使用於此LTCC的導電性膏劑的材料之 銀粉亦強烈要求具更小的熱收縮，因#，銀粉中具較大的 微晶更受到高度的期待。 而且，如此銀粉中的微晶若較大，則一般而言銀粉的 不純物含量會降低，基於此，由於銀厚膜所形成的電路之 比電阻容易降低’故不僅是進行如上述的培燒所形成的電 路、、而且即使是以非焙燒所形成的電路也可使用含有銀粉 的導電性膏劑’由此觀點看來亦較佳。 如上述，使用於導電性膏劑的銀粉期望其為微粒、分 散性良好、粒度分布不致太窄峭而比較寬緩、微晶較大者。 對此，日本國專利申請案（特開2000〜17〇6號公報） 揭露，使硝酸銀水溶液與將丙烯酸單體溶解於卜抗壞血酸 水溶液中的溶液進行混合並同時產生反應之高結晶體銀粒 子的製造方法。若依據該方法，則可得到微晶尺寸為權 Α以上、粒徑的範圍在2〜4//m的狹窄範圍之高結晶性銀 粉。 然而，日本國專利申請案（特開2〇〇〇〜17〇6號公報）

2213-6834-PF 7 200536636 所述㈣粉，雖為微粒且微晶亦較大，但在㈣左 右的南溫之熱收縮率難以戀媒彡p 1 文侍彳艮小。此種銀粉雖然微晶非 常大，但在高溫的熱收縮率仍相當大，此理由推測係起因 於該銀粉的粒徑之範圍為2〜4//m，粒度分布太窄_，基於 在銀粉之間形成m ’致銀粉的填充性減低之故。因此， 若使用於製成導電性膏劑以形成銀厚膜或利用LTCC基板 以形成電路，則在電路的形成前後之尺寸變化增大，而有

-般陶竟基板或LTCC基板、特別是LTCC&板很容易發生 麵曲的問題。 因而，本發明的目的在於提供一種高結晶性銀粉及盆 製造方法，其中係微粒、分散性良好、粒度分布不致太窄 峭而比較寬缓、微晶較大者。 【發明内容】 對於這種實情’本發明者經專心致志研究的結果發 現，若藉由將含有餐銀、分散劑以及㈣酸之第溶液、 與含有抗壞血酸之第2水溶液加以混合的方法來製造銀 粉，則能夠得到係微粒、粒度分布不致太窄^比較寬緩、 且微晶較大、並可將由導電性膏劑所得到的銀厚膜製成耐 熱收縮性相當優異者之高結晶性銀粉，以至完成本㈣。 亦即’係-種高結晶性銀粉之製造方法，其特徵在於， 對於含有韻銀、分散劑以及石肖酸之第〗水溶液、與含有 抗壞血酸之第2水溶液加以混合。 結晶 並且，提供一種高結晶性銀粉之製造方 性銀粉之製造方法中，其特徵在於：前 法，於上述高 述分散劑係聚

2213-6834-PF 8 200536636 乙烯吡咯烷酮。 又提供一種高結晶性銀粉之製造方法，於上述高結 性銀粉之製造方法中’其特徵在於〔前述分散劑係明膠 而且，提供一種高結晶性銀粉之製造方法，於上述高 結晶性銀粉之製造方法中，其特徵在於：前述第丨水溶液 係，相對於梢酸銀100重量份，則調配聚乙烯吡咯烷酮5 重量份〜60重量份、硝酸35重量份〜7〇重量份。 並且，提供一種高結 結晶性銀粉之製造方法中

於上述高 1水溶液 晶性銀粉之製造方法， ’其特徵在於：前述第 係，相對於硝酸銀100重量份，則調配明膠重量份 重量份、硝酸35重量份〜70重量份。 又提供一種高結晶性銀粉之製造方法，於上述高結晶 性銀粉之製造方法中，其特徵在於：料前㈣ι水溶液 與前述第2水溶液係由相對於前述第！水溶液中所調配的

重量份’則以第2水溶液中所調配的抗壞血酸 3〇重1份〜90重量份所形成的比率加以混合。 而且，提供一種高結晶性銀粉之製造方法 結晶性銀粉之製造方法中，其特徵在於：對於前述第^ 溶液與前述第2水溶液係由相對於前述第2水溶液中所調 配的抗壤—血酸_重量份，則以第」水溶液中所調配的確 酸40、重量份〜15〇重量份所形成的比率加以混合。 並且，提供一種高結晶性銀粉，其、 高結晶性銀粉之製造方法加以製造。… 、·以上述 又為-種高結晶性銀粉，係於上述高結晶性銀粉之製

2213-6834-PF '200536636 造方法所製造者，其特徵在於：微晶徑係3〇〇 A以上。 而且，係一種高結晶性銀粉，其特徵在於：平均粒徑 D 5 〇 為 0 · 5 /z m 〜10 /z m 〇 並且，係一種咼結晶性銀粉，其特徵在於：於了⑽。C 的熱收縮率為± 3%以内。 又為一種高結晶性銀粉，其特徵在於：“/Di。為 2· 1 〜5_ 0。 •微晶徑為 7〇〇°C的長 而且，係一種高結晶性銀粉，其特徵在於 300 A以上、平均粒徑D5。為〇 5/zm〜1〇#m、於 度方向的熱收縮率為土 3%以内。 並且’係-種高結晶性銀粉，其特徵在於：Dg"D 2. 1 〜5. 0。 發明效果： 有關本發明的高結晶性銀粉由於係微粒、分散 =、粒度分布不致太窄嗜而比較寬緩、微晶較大，故用： =性㈣的原料時，銀㈣㈣的分散性以及銀 電性貧劑中的填充性為火 ’ Λ Α 為相备叙異，而能夠使由銀厚膜所形 成的電極或電路等更為 f文馮精細化，可將由導電性膏 的銀厚膜製成耐熱收縮性 ^ , ^ Be ,, 序田杬異、同時比電阻較低者。 並且，有關本發明的高处曰 、、口日日陡銀秦之製造方法能夠有效地 k上述有關本發明的高結晶性銀粉。 【實施方式】 (有關本發明的高結晶性銀粉) 有關本發明的高結 銀粉實質上係-種粒狀的粉

2213-6834-PF 10 '200536636 肢。有關本發明的高結晶性銀粉係，平均粒徑h。為〇 ::―、而1/z 較佳。平均粒徑L若在該範， 則使用於導電性膏劑時，由㈣粉在導電性膏劑内 性相當優異’同時能夠使由銀厚膜所形成的電路等^ 另方面，平均粒徑d5„若小於0.5“， 則由於銀粉的回收固難，故不佳；若超過iq “， 銀粉之間凝聚情形相當多，故不佳。此處所謂平均粒^

係心以激光繞射散射法所求得的體積平均粒徑 分布50%的粒徑。 丨系積 有關本發明的高結晶性銀粉係微晶徑為3〇〇 a以上、 較佳。微晶徑若在該範圍内’則將含有該 性貧劑塗布電基板’力…咅燒而形成了由 率:：=電路等之時，培燒前後的銀厚膜之熱收縮 :、Μ基板的熱收縮率相接近，對於或是銀厚膜由陶究 土反剝離或是H基板隨著銀厚膜尺寸的改變而變形的情 形加以抑制的效果相當大，故較佳。 道士另Γ方面，微晶徑若小於300 Α，則將含有該銀粉的 性貧劑塗布於陶竟基板’加以焙燒而形成了由銀厚膜 =成的電路等之時，由於培燒前後的銀厚膜之收縮比陶 武：板的收縮還要大’則或是銀厚膜容易由陶瓷基板剝離 '疋陶瓷基板容易隨著銀厚膜尺寸的改變而變形，故不 ^此處所謂微晶徑係指對銀粉試才策料χ㈣繞射所得 到的、由各晶面的繞射角之尖峰的半值寬度所求得 徑之平均值。

2213-6834-PF 11 200536636 有關本發明的高結晶性銀粉係，Ds()/D“通常為 2.1~5.0、而2.5~4.7較佳。再者，於本發明中，κ。與“ 係各別表示基於激光繞射散射式粒度分布測定法之累積分 布10容量％及90容量％的中值粒徑（_。^/Di。係表二 蒼差不齊的指標，D9〇/D1d若較大，則表示粒度分布的參差 不齊程度較大。DWD4在上述範圍内，則銀粉的粒度分 布不致太窄峭而比較寬緩， 又刀 若以使用該銀粉的導電性膏劑來形成電路，則由於銀 粉的填充性相當優異，因此電路的耐熱收縮性易成為相二 優異者、亦即在烙燒前後的電路之尺寸改變易成為較： 者，故較佳。 ,另一方面’WDh若小於2.卜則銀粉的粒度分布太 峭，以使用該銀粉的導電性膏劑來形成電路的話，由於 粉的填充性很差，故電路的耐熱收縮性易成為不良者、、: 即在培燒前後的電路之尺寸改變易成為較大者，故不户 並且，WD】。若超過5.〇，則銀粉的粒度分布太過寬緩^ :=粉=電性膏劑來形成電路的話，由於銀粉的填 充!·生很差，故電路的耐熱收 燒前後的電路之尺寸改變易成為較大者j不佳亦即在培 的熱高Γ性銀粉係’％ 7°°°c的長度方向 為以以内、而土 2%以内較佳。再者，於 本^明中，所謂± x%以内 ; 所謂於mv的抑方/ x%。於本發明中， 丸粒的試樣，熱機械分析⑽)所測定的

2213-6834-PF 12 200536636 方向的熱收縮率。 有關本發明的高結晶性銀粉 °C焙燒的銀塗膜之電 較低溫、例如300 晶性銀粉燒結，燒結：二’即使在低溫使高結 如此於，梧燒的: = 為較低者。再者， 於微晶徑較大以致銀粉 藏乂低的理由推測係基 有關本發明的，=1的移動較為順暢之故。 O.lOmVg〜1.0 ffi2/g、@ n 9n 2/糸比表面積通常為

而 〇· 20m /g〜〇· 9〇mV 面積若小於0. l〇m2/ 仏該比表 g則因基於銀厚膜的電極或電路之井 細化易發生困難，故 电㈣電路之精 2/ ^ 侄。並且，該比表面積若超過10

m /g，則由於銀粉的膏 U 明φρ田^主 用^化易產生困難，故不佳。於本發 中斤°月比表面積係指bet比表面積。 有關本發明的宾曰 ·、 间、，、口日日性銀粉係，輕敲密度（tap density)通常為 3. 8/3 p 私 Φ- 1 —命/ 上、而 4· Og/cm3〜6· 0g/cm3 較 度（tapdensity)若在該範圍内’則在製作導電 性貧劑時高結晶性銀粉巾# # ^ & % 容易製得導電性膏劑劑之填充性良好，而 ^ 並且於形成導電性貧劑的塗膜時， 藉由在高結晶性銀粉之間形成適度的空隙而在焙燒塗膜 時’由塗膜脫灰易於進行，培燒膜密度有所改善，此結果 由於容易降低銀厚膜的電阻故較佳。有關本發明的高結晶 性銀粉可藉由例如下述的方法來加以製造。 (有關本發明的高結晶性銀粉之製造方法） 有關本發明的高結晶性銀粉之製造方法係’對於含有 石肖酸銀、分散劑以及硝酸之第i水溶液、與含有抗壞血酸

2213-6834-PF 13 200536636 之第2水溶液加以混合者。 、於本發明中所謂第！水溶液係指含有硝酸銀、分散劑 以及石肖酸的水溶液。Y令& -φ) ^ I t 料，周〗水溶液所使用的水係純 水、離子交換水、超純水等，由於防止不純物混入銀粉中， 故較佳。作為本發明所使用的硝酸銀並未特別加以限定， 固態者以及調製成水溶液者之任一種皆可使用。

作為本發明所使用的分散劑，可舉出例如：聚乙烯吼 嘻㈣mp)、明膠、聚乙二醇、聚乙稀醇等。再者，於 本發明中所謂明膠係以包含骨㈣μ來加以使用。於本 發明所使料分散劑之中，$乙賴錢酮、明膠由於特 別能夠提昇銀粉的耐熱收縮性，故較佳。於本發明中，藉 由將分散劑調配於第i水溶液’可改善銀粉的分散性，同 時銀粉係微粒並有使其粒度分布不致太窄峭而比較寬緩的 作用。 作為本發明所使用的硝酸並未特別加以限定，可使用 濃硝酸、稀硝酸的任一種。於本發明巾，藉由將硝酸調配 於第1水溶液，由於可加以控制使得從銀離子生成銀的反 應速度變得比較慢，故有使銀粉的粒度分布不致太窄崎而 比車乂覓緩且增大微晶的作用。再者，若未調配硝酸而製 造銀粉，則由於從銀離子生成銀的反應速度太快，反應立 即發生，故相較於如本發明調配硝酸來製造的情形，則所 得到的銀粉容易成為粒徑較小、且微晶徑較小者。 第1水溶液係，分散劑為聚乙烯吡咯烷酮時，相對於 硝酸銀100重量份，則通常含有聚乙烯吡咯烷酮5重量份

2213-6834-PF 14 •200536636 〜60重量份、而15重量份〜5〇重量 重量份更佳。聚乙稀吼爾 在二重量份’ 由於銀粉的分散性有所改善 ：：在该爾’則 為不致太窄崎而比較寬缓，故較粒度分布容易成 咯院酮的調配量若小於5重 彳面’聚乙稀吼 易凝聚’故不佳;若超過60重量份=所得到的銀粉容 中的不純物濃度容易偏高、容丄：；於:得到的銀粉 偏高，故不佳。 易5木兄、生產成本容易 "二Γ:=分散劑為明膠時，相物^ ?二番 膠°.5重量份，重量份、而1重 罝伤〜8重Ϊ份較佳、2重量旦 1重 量若在竽笳π 里份更佳。明膠的調配 摩巳圍内，則由於银粉的分散性有所改善，同日士衡 :的=分布容易成為不致太窄崎而比較寬緩：： 另一方面，明膠的調配量若小 到的銀粉容易凝聚，故不佳，·若超過 不純物濃度容易偏高、容二== 產成本谷易偏高，故不佳。 兄生 一尺/合液係刀放劑為聚乙烯咄咯烷g同時，相 水⑽重量份，則通常含有明踢】重量份〜ι〇重量份、而^ 重量份〜4重量份較佳。聚乙婦吼_的調配 2 圍内，則由於銀粉的分散性有所改善，同時銀 ：耗 布容易成為不致太窄嘴而比較寬缓，故較佳。另^二又分 聚乙烯咄咯烷酮的調配量若小於1重量份，則由於所：， 的銀粉容易凝聚，故不佳；若超過10重量份，則由於:：

2213-6834-PF 15 .200536636 到的銀粉中的不純物濃度容易 ,〇 成本容易偏高，故不佳。 =^ h ^竟、生產 第1水溶液係，分散劑為明 份，則通常含有明膠〇」重 二"於7"°〇重量 ~2 R ^ 知〜5重量份、而〇·4重量份 2重里知較佳。明膠的調配 的分散性有所改善，同時銀於圍内’則由於銀粉 -,,^的粒度分布容易成為不致太 ^ η 1 . 0 v 另—方面，明膠的調配量若小 若赶=則由於所得到的銀粉容易凝聚，故不佳； =4量份’則由㈣得到的銀粉中的不純物濃度容 易偏…易污染環境、生產成本容易偏高，故不佳。 弟i水溶液係’相對於確酸銀ι〇〇重量份，則通常含 有硝酸3 5重量份〜7 〇會旦乂八 ^ 伤70重里份、而40重量份〜60重量份較 佳、48重量份〜54會景/八话，土 ， 里切孕乂 77更^ 。硝酸的調配量若在該範圍 ’則由於銀粉的粒度分布成為不致太窄崎而比較寬緩、 且❹晶增大的效果較大’故較佳。另一方面，石肖酸的調 配量若小於35重量份，則由於銀粉的結晶性容易偏低，故 不佳，若超過70重量份，則由於所得到的銀粉容易凝聚， 故:佳。再者’於本發明中，所謂硝酸的調配量係指換算 為；辰度61 %的濃硝’酸之調配量。 、於本發明中所謂第2水溶液係指含有抗壞血酸的水溶 液。作為調製第2水溶液所使用的水係純水、離子交換水、 超純水等，由於防止不純物混入銀粉中，故較佳。作為本 發明所使用的抗壞血酸可使用左旋體、右旋體的任一種。 有關本發明的製造方法，混合上述第丨水溶液與第2

2213-6834-PF 16 •200536636 b液在混合液中使高結晶性銀粉析 可舉出例如：攪拌妥第丨水溶液再將乍:二：-’ 第1水溶液的方法。在這種情況下作為第2=Γ 方法，可將全部的帛2水 力、、 /合液的添加 1开添加於第1 士、、六、六 可將第2水溶液每次以少量緩緩添加於第i水容、二，亦 第1水溶液中的分散劑為聚 〜之再者 部的篦？ f、六 坪各说綱時，若採用將全 #二 一併添加於第1水溶液的方法，則由於容 故較佳·當"⑼不致太乍Λ“比較寬緩的銀粉， 水=二:中的分散劑為明膠時，若採用將第2 容易_制:^里緩緩添加於第1水溶液的方法，則由於 合易控制銀粉的粒徑，故較佳。 於混合第1水溶液與第2水溶 1 κ ^ ^ 4又你相對於調配於第 1水洛液的硝酸銀100重量份， 浐揀A _、s A j捫配於弟2水溶液中的 抗壞血fcc通常以30重量份〜9〇 詈^八击工社cn 里如而40重量份〜8〇重 “ 重量份〜75重量份為更佳的比率加以混合。 相對於硝酸銀之抗壞血酸的調配 銀粉的收率容易增多，故較佳。另=:，則由於 1 nn舌旦八 方面’相對於硝酸銀 還原不里Λ 血酸的調配量若小於3G重量份，則由於 100、重-二粉的收率容易偏低，故不佳；相對於石肖酸銀 —里刀之抗壤血酸的調配量若超過90重量份，則由於 容易污染環境、生產成本容易偏高，故不佳。 '曰人於混合第1水溶液與第2水溶液係，所得到的 “液中的銀離子濃度通常、而3〇g/1〜65 W車父佳的比率加以混合。混合液中的銀離子滚度若在該

2213-6834-PF 17 200536636 範圍内，則由於銀粉的收率較高 聚，故較佳。另-方面，銀離子濃到的*粉難以凝 /辰度右小於1() 於銀粉的生產性容易變差，故不佳；銀 、 g/卜則由於所得到的銀粉容易凝聚 *又右超過80 κ 敌不佳。 第2 χ、心:弟1水*液與弟2水溶液係，相對於調配於 弟2水洛液的抗壞血酸1 〇 〇重量 丨刀貝“周配於第1火、玄、、态 中的石肖酸通常以40重量份~150重量份 重量份較佳、65重量份〜1〇〇重量份 里伤 合。相對於抗壞血酸之核的調配量比率加以混 於銀粉的收率容易增多，故較佳。另~耗圍内’則由 血酸100重量份之石肖酸的調配量若小:4〇面旦相對於抗壞 難以使所得到的銀粉之微晶徑變里知’則由於 一。。重量份之侧調配量:超=重T 則由於所得到的銀粉容易凝聚，故不佳。 里知， 基於混合第1水溶液與第2 的銀粉係在第1水溶液與第2水溶：:：=合液中析出 由對混合液繼續混合通常是3分鐘以：:最:二，若再藉 分鐘使混合液中的鈀扒士、反 取好疋5分鐘〜10 分散性由於容易成二…則銀粉的粒徑及粒度分布與 故較佳。在混= 的銀粉的特定範圍内者’ 义τ所传到的銀粉係 等的過濾裝置來加以過據之純：努採漏斗 燥，則可得到有關本發明的高結晶性屯=洗心’施予乾 上述有關本發明的高結晶性銀粉可 晶片元件、電漿顯示板用作可形成例如 玻离陶竟紅件、陶莞遽波器等的

2213-6834-PF 18 200536636 笔極或電路之導電性膏劑 ^的原科’特別是利用銀粉的熱收 縮率非常小，不僅是能豹、s 、 夠適用作一般的陶瓷基板以作為形 成電路的基板、而且是能韵接 b约適用作LTCC基板用的導電性膏 劑的原料。並且，有關太# 一 啕關本表明的南結晶性銀粉之製造方法 能夠使用於有關本發明的古处 w十知β的同結晶性銀粉之製造。 以下雖係以實施例爽矣 ,,^ ' 例木表不，但本發明並不限於這些實 施例所作的解釋。 一、 【實施例1】 於常温的純水5〇〇g中置入PVP(K值：30) 10g、硝酸 銀50g及辰墙酉夂（濃度61%) % 6忌，加以擾掉使溶解以 調製第！水溶液（第！水溶液A)。另一方面，於常溫的純 水_g中置人抗壞血酸35 8g’加以攪拌使溶解以調製第 2水洛液（第2水溶液A)。帛丨水溶液與第2水溶液的組 成如第1表及第2表所示。 /、人在攪拌第1水溶液A的狀態下，將第2水溶液 A -併添加至該第}水溶液A中’自添加完成後再攪拌5 分鐘使混合液中的粒子成長。其後停止攪拌，使混合液中 的粒子沈降後去棄混合液的上層澄清液，利用努採漏斗來 過濾混合液，以純水清洗濾渣，施予乾燥，而得到高結晶 性銀粉。 對於所得到的銀粉利用下述方法來測定Diq、Ip D”、 Dm、SD、微晶徑、比表面積、輕敲密度、熱收縮率以及電 阻率，算出L^/Dh。結果如第3表〜第6表所示。 (D!〇、D5。、D9〇、Dioo、SD ) ··使用日機裝股份公司製

2213-6834-PF 19 .200536636 MICROTRAC-HRA以激光繞射散射法所求得的累積分布在 10%、50%、90%及1()0%的時點之粒徑，將這些粒徑各別設 為 D!。（ # m ) D5() ( # m )、j)9。（ # m D⑴（# 爪），將所得 到的粒度分布的標準偏差設為SD。 (微晶徑）：利用Rigaku股份公司製χ射線繞射裝置 RINT2 0 0 0PC來進行粉末χ射線繞射的分析，由所得到的各 晶面之繞射角的尖峰之半值寬度以求得微晶徑。 (比表面積）··利用YUASA I〇nics股份公司製Μ⑽◦如汁 _來測定BET比表面積，而使用& βΕΤ比表面積。 (fe敲密度）··利用藏持科學機械製造廠製輕敲機藉由 對試樣輕敲來測定輕敲密度。 (熱收縮率）：壓固銀粉以製作圓柱形的丸粒，利用

Seiko Instruments Inc.股份公司製 TMA/SS6300，對於該 丸粒’在空氣中，以昇溫速度1(rc /dn由常溫至85(rc為 止的範圍來進行TMA分析，測定丸粒的長度方向的熱收縮 _率°測定溫度設為3〇(rc、50(rc及7〇(rc。 (電阻率）：將蔥品醇95重量份與乙基纖維素5重量 、此曰以5周製混合溶劑’將該混合溶劑1 5重量份與粉 體忒樣8 5重量份加以混合來製作膏劑，將該膏劑在3 〇 〇。匸 少口燒以製作具有數# m左右厚度的銀塗膜。並且，除了取 代300 C的培燒溫度而設為400T：及500T：之外，與上述同 樣地施行以製作銀塗膜。 其次’利用（Hewlett — Packard股份公司製MILL10ΗΜ METER ) ’以四端網絡法來測定上述銀塗膜的電阻（Ω )之

2213-6834-PF 20 200536636 後，(Ω 由銀塗膜的截面積與端子之間 的長度以求得電阻率 Ρ L貫抛例2 j 於常溫的純水5〇〇g中詈人pvp r g Y置入PVP (K值：30 ) 20g、硝酸 銀5 0g及濃硝酸（濃度％) 度bU) 24.6 §，加以攪拌使溶解以 调製第1水溶液（第1水溶） 從β )另一方面，於常溫的純 水500g中置入抗壞血酸, 、 · · 8g，加以攪拌使溶解以調製第 2水溶液（第2水溶液a )。第1皮、、办、六

；弟1水洛液與第2水溶液的組 成如第1表及第2表所示。 其次，在攪拌第1水溶液B的肋於 、，、 布&今履β的狀恕下，將第2水溶液 Α 併添加至該第1 、、交、、右p 、 尺/合液B中，自添加完成後再攪拌5 、’使匕口液中的粒子成長。其後停止授掉，使混合液中 的津子沈降後丢棄混合液的上層澄清液，#用努採漏斗來 過遽混合液，以純水清洗濾渣，施予乾燥，而得到高結晶 性銀粉。 對於所得到的銀粉與實施例1同樣地實施，利用上述 方法來測t Dh、d5〇、D9。、D〗。。、SD、微晶徑、比表面積、 輕敲密度、熱收縮率以及電阻率，算A D9〇/D〗◦。結果如第 3表〜第6表所示。 【比較例1】 於常溫的純水50 0g中置入PVP (K值：30) 10g及硝 酸銀5〇g ’加以攪拌使溶解以調製第1水溶液（第1水溶 液C)。另一方面，於常溫的純水5〇〇g中置入抗壞血酸26g， 加以搜掉使溶解以調製第2水溶液（第2水溶液B)。第1

2213-6834-PF 21 200536636

水溶液與第2水溶液的組成如第j表及第2表所示Q 其-人，在授拌第1水溶液c的狀態下，將第2水溶液 β—併添加至該第1水溶液C中，自添加完成後再攪拌5 分鐘使混合液中的粒子成長。其後停止授拌，使混合液令 的粒子沈降後丢棄混合液的上層澄清液，利用努採漏斗來 過濾混合液，以純水清洗遽逢，施予乾燥，而得到銀粉。 對於所得到的銀粉與實施例i同樣地實施，利用 方法來測定^、^、‘。、^、微晶徑〜比表面積、 輕敲密度、熱收縮率以及電阻率，算出w“。結果如第 3表〜第6表所示。 【實施例3】 於常溫的純水250g中置入明膠（新田gelatin股份公 司製）i.〇g、硝酸銀50§及濃頌酸（濃度6i%) 26 4g，藉 由加熱至5G°C並加以攪拌使溶解以調製第1水溶液（第曰j ^令液D)另-方面，於常溫的純水25〇g中置入抗壞血 酸26. 4=，加以授拌使溶解以調製第2水溶液（第2水溶 液Ο第1水溶液與第2水溶液的組成如第工表及第2表 所示。 —其次、’在5〇°C授掉第1水溶液D的狀態下，將常溫的 弟2水’合液c經30分鐘緩緩添加至該第】水溶液d中，自 添加完成後再授拌5分鐘使混合液中的粒子成長。其後停 止授拌’使混合液中的粒子沈降後丢棄混合液的上層澄清 ^利用努採漏斗來過遽混合液，以純水清洗滤潰，施予

乾燥，而得到高結晶性銀粉。 2213-6834-PF 22 200536636 對於所得到的銀粉與實施例1同樣地實施，利用上述 方去來測t Di〇、D5d、d9。、Di。。、SD、微晶徑、比表面積、 輕敲密度、熱收縮率以及電阻率，算出D9〇/D1G。結果如第 3表〜第6表所示。 【實施例4】 於常溫的純水50〇g中置入明膠（新田GELATIN股份公 司製）3· 〇g、硝酸銀5〇g及濃硝酸（濃度61%) 24_ 6g，藉 由加熱至5G°C並加以擾拌使溶解以調製第i水溶液（第】 水’合液E)。另一方面，於常溫的純水500g中置入抗壞血 酉文25· 9g，加以攪拌使溶解以調製第2水溶液（第2水溶 、）第1水，谷液與第2水溶液的組成如第1表及第2表 所示。 ^ /、人’在50 C攪拌第1水溶液E的狀態下，將常溫的

=2水溶液D經30分鐘緩緩添加至該第1水溶液E中，自 ^凡成後再攪拌5分鐘使混合液中的粒子成長。其後停 止攪拌，使混合液中的粒子沈降後丟棄混合液的上層澄清 ，夜利用努採漏斗來過濾混合液，以純水清洗濾渣，施予 乾燥，而得到高結晶性銀粉。 、；所得到的銀粉與實施例1同樣地實施，利用上述 一來阅定Dl°、D5G、D9i)、Dl°°、SD、微晶徑、比表面積、 輕敲畨度、熱收縮率以及電阻率，算$ D9"Di。。結果如第 3表〜第6表所示。

2213-6834-PF 23 200536636

【第1表】 水 (g) 分散劑 的種類 分散劑 (g) 硝酸銀 (g) 濃硝酸 (g) 第1水溶 液的種類 實施例1 500 PVP 10 50 24.6 A 實施例2 500 PVP 20 50 24.6 B 比較例1 500 PVP 10 50 0 C 實施例3 250 明膠 1.0 50 26.4 D 實施例4 500 明膠 3.0 50 24.6 E

【第2表】 水 (g) 抗壞血酸 (g) 第2水溶液的種類 實施例1 500 35.8 A 實施例2 500 35.8 A 比較例1 500 26.0 B 實施例3 250 26.4 C 實施例4 500 25.9 D 【第3表】 Dio (um) D50 (#m) D90 (Um) D100 (//m) D90/D10 SD 實施例1 2.97 6.35 10.75 22.0 3.6 3.01 實施例2 1.30 3.03 5.67 15.6 4.4 1.59 比較例1 2.14 2.83 4.08 9.3 1.9 0.71 實施例3 2.72 4.36 7.33 18.5 2.7 1.71 實施例4 0.76 1.27 2.28 4.6 3.0 0.57 【第4表】 微晶徑（A) 比表面積（m2/g) 輕敲密度（g/cm3) 實施例1 441 0.30 4.1 實施例2 377 0.62 4.0 比較例1 258 0.62 3.8 實施例3 545 0.20 4.4 實施例4 441 0.72 4.8 2213-6834- PF 24 200536636 【第5表】 於300°C的熱收縮率 (%) 於500°C的熱收縮率 (%) 於700°C的熱收縮率 (%) 實施例1 0.13 一 2,13 一 2.2 實施例2 0.09 一 2.68 一 2.9 比較例1 0.84 -4.02 -7.82 實施例3 0.27 1.08 1.13 實施例4 -0.58 ~~ 1.51 ~ 1.35 【第6表】 於300°C焙燒的銀塗膜 的電阻率ρ (Ω · m) 於400°C焙燒的銀塗膜 的電阻率ρ (Ω · m) 於500°C焙燒的銀塗膜 的電阻率ρ (Ω · m) 實施例1 4.1 ΧΙΟ'5 2.0 xlO·5 9.9 xlO·6 實施例2 5.2x10'5 1.5 χ ΙΟ'5 1.2 xlO'5 比較例1 7.2 xlO*4 8.9 χ1(Τ6 4.8 χΐσ5 實施例3 9.4 ΧΙΟ'6 8.3 xlO'6 9.9 xlO*6 貫施例4 1.0 xlO·5 8.8x10'6 4.8 xlO'5 由第1表〜第5表可判斷，使用分散劑及硝酸所製作的 銀粉係’微晶徑較大而具高結晶性，在7 〇 〇。〇的熱收縮率 較小。並且可判斷，使用明膠作為分散劑者，特別是在？〇〇 C的熱收縮率較小。又由第6表可判斷，使用分散劑及硝 酸所製作的銀粉比起不使用硝酸所製作的銀粉，在3〇〇t： 釔k的銀塗膜的電阻率p較低。此理由推測係基於微晶徑 車乂大致銀粉内的電子的移動變得較為順暢之故。 產業上可利用性： 有關本發明的高結晶性銀粉及高結晶性銀粉之製造方 =此夠用作可形成例如晶片元件、電漿顯示板、玻璃陶瓷 、、、件陶瓷濾波裔等的電極或電路之導電性膏劑的原料， 特別是能夠適用作LTCC基板用的導電性膏劑的原料。 2213-6^34-Pp 25 200536636 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無

2213-6834-PF

Claims (1)

1. * 200536636 十、申請專利範圍： 1 · 一種高結晶性銀粉之製 含有硝酸銀、分散劑以及硝酸 血酸之第2水溶液加以混合。 造方法，其特徵在於：對於 之第1水溶液、與含有抗壞 2.如申請專利範圍第1頊 負所返的高結晶性銀粉之製造 方法’其中前述分散劑係聚乙烯吡咯烷酮。 、3·如1專利範圍第1項所述的高結晶性銀粉之製造 方法’其中前述分散劑係明膠。

   4·如申睛專利範圍第2項新、+ 固乐z項所述的高結晶性銀粉之製造 方法’其中如述第1水、、交、、在也 , 液係’相對於硝酸銀1 0 0重量份， 則調配聚乙烯吡咯烷酮5重景 j ϋ室里份〜60重量份、硝酸35重晋 份〜70重量份。 里 /•如中請專利範圍第3項所述的高結晶性銀粉之製造 方法/、中剛述第1水溶液係，相對於確酸銀刚重量份， 則调配明膝0 · 5重量份〜1 n f β八 旦 里切10重ϊ份、硝酸35重量份〜70重 量份。 6.如申請專利範圍第1項所述的高結晶性銀粉之製造 方法丄其中對於前述第1水溶液與前述第2水溶液係由相 :於引述帛1水溶液中所調配的硝酸銀^ 〇。重量份，則以 第2尺/合液中所調配的抗壞血酸30重量份〜90重量份所艰 成的比率加以混合。 所形 、、7·如申請專利範圍帛i項所述的高結晶性銀粉之製造 方法其中對於前述第1水溶液與前述第2水溶液係 對於前述第2太、、六、六士 Φ相 水/合液中所調配的抗壞血酸1 0 0重量份，則 2213-6834-PF 27 •200536636 1 5 0重量份所形 利用如申請專利 以第1水溶液中所調配的硝酸40重量份 成的比率加以混合。 8 · —種咼結晶性銀粉，其特徵在於： I巳圍第1項所述的方法加以製造。 9·如申請專利範圍第8項 微晶徑係3 0 0 A以上。 所述的高結晶性銀粉 其中

   、10.如中請專利範圍f 8項所述的高結晶性銀粉，其中 平均粒徑心為。（而^係表示基於激光繞 射散射式粒度分布敎法的累積分布50容量％之中值粒徑 (# m)) η·如申請專利範圍第8項所述的高結晶性銀粉，其中 於7〇〇°C的熱收縮率為± 3%以内。 12. 如巾請專利範圍f 8項所述的高結晶性銀粉，其中 IWD,。為2.卜5. 〇。（而於前式中，Di。及&。係各別表示基 於激光繞射散射式粒度分布測定法的累積分布ig容量％及 90容量％之中值粒徑（#以） 13. 一種高結晶性銀粉，其特徵在於：微晶徑為3〇〇 a 以上、平均粒徑Ds。為〇· 5 // m~l〇 # m、於7〇〇〇c的長度方向 的熱收縮率為± 3%以内。 14·如申請專利範圍第13項所述的高結晶性銀粉，其 中D9〇/D1d為2· ；1〜5· 0。（而於前式中，])1()及D9。係各別表示 基於激光繞射散射式粒度分布測定法的累積分布1〇容量％ 及90容量％之中值粒徑（#πι)) 2213-6834-PF 28 200536636 七、指定代表圖·· (一） 本案指定代表圖為：無 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明：無

   八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 益

   2213-6834-PF 4