TW201110366A - Semitransparent photovoltaic film - Google Patents

Description

201110366 P51980029TW 31472twf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種半透明太陽光電膜，且特別是 關於一種輕、薄且可撓的半透明太陽光電膜。 …疋 【先前技術】

太陽能是一種無污染且取之不盡的能源，因此在遭馬 1化能源所面臨的污染與短缺之問題時，如何有效利用^ 陽能源已經成為最受矚目的焦點。其中，因太陽能電、、也 == 直舌接細能轉換為電能’而成為目前‘用太 陽月b源之發展重點。 ^太k至今不能普遍的最大时，在於發電成本 極南於其他發電方法，因此大多數研究者仍傾向於開發新 的材，以及製程技術’以求降低成本。在眾多研究中，軟 ，太陽成餘由於具備可撓曲性，有方便收触及卷對卷 (mil =11)⑼速製造的潛力’加上高能量對重量比的特 ，，非常適合運財攜帶式能源；如果轉換效率以及產品 胥命夠好，也非常適用在建築物上。 如2從市場的角度思考，特殊應用的產品多半具有比 =冋的價格’例如軟性太電池具備質輕可撓的特性， 7用在可攜式電子產品上，利潤便可提高。如果能研發出 3半透明」的軟性太陽能模組，而開發出新的應用例如可 可發電的薄膜’可預綱這樣特殊的產品特性將很 谷易區隔出特定用途的市場（例如太陽能隔熱紙），利潤極 201110366 P51980U29TW 31472twf.doc/n 可旎優於一般模組，並且，，半透明+可塑型或可撓，，這個新 模組特性可望帶來新的應用。 近來有研究是在玻璃上製作多晶矽薄膜，並且正負電 極都使用透明電極，以藉.由多晶料吸收係數較低、容易 透光的特性’製作出半透明狀態的模組，如美國專利 618087；!、US 6320117 與 US 6509204。然而，這樣的構想 的缺點是多晶矽薄膜的製造成本不但較高，且因為其吸收 光譜特性使其光穿透效果在視覺上呈現藍色。另外了元件 效率的損失不只是光吸收變少，還包括元件本身因為少了 光多重反射表面構造以及吸收層厚度變薄，使得元件品質 下降同時帶來更多的損耗。 ' 因此，又有研究提出使用高能隙（不吸收可見光）的 半導體材料（多半為金屬的氧化物）來製作透明的太陽能 電池，以得到透明不色偏的太陽能電池，如美國專利公^ 號US 20080053518。但是，因為太陽光譜中大部分是可見 光，而這種構想所欲吸收的紫外線在陽光穿透地球的大氣 層之後僅佔極小的部分，所以可預期這樣的太陽能電池效 率會非常低。 另外’還有研究是提出太陽能窗的構想，基本原理為 將太陽光電元件組裝成模組時，與垂直面形成一角度，可 遮陽可發電’其透視的效果就像百葉窗一般，如美國專利 US 4137098、US 5221363 和 US 5258076 以及美國專利公 開號US 20080257403。然而，太陽能窗的體積魔大、外型 不佳，所以在應用面上無法普及。 201110366 P51980029TW 31472twf.doc/n 【發明内容】 本發明提供一種半透明太陽光電膜，具有輕、薄和可 撓的特性，能夠設計成可發電可遮陽的軟性光電膜，適於 貼附在建築物。·..... 、 ' 本發明提出一種半透明太陽光電膜，包括軟性基板以 及太陽光電元件。所述軟性基板包括一體成型的多數個第 一平面部分與一第二平面部分，且第二平面部分與第一平 面部分相連接並形成一角度。而太陽光電元件則是形成於 軟性基板之第一平面部分的表面上。 本發明另提出一種半透明太陽光電膜，包括第一支撐 基板、軟性基板以及太陽光電元件。所述第一支撐基板 (support substrate)具有一第一鋸齒狀表面(zigzag surface)。所述軟性基板包括一體成型的數個第—平面部分 與數個第二平面部分，_g_第二平面部分與第—平面部分相 連接並形成一角度。其中軟性基板則壓合於第一支撐基板 上，而第一平面部分係壓合於第一鋸齒狀表面上。而太陽 光電7件則是形成於軟性基板之第一平面部分的表面上。 若壓合完成後第一支撐基板位於所製作之半透明太陽 ，電，的受光面時，則第一支撐基板必須為透光基板。值 Ϊ注意Ϊ是’透明在此定義為可見光的光穿透，而透光則 定義為符合太陽光電元件吸收光譜的光穿透。 日基於上述，本發明之半透明太陽光電膜是利用直射的 太陽光多半來自於上方，而人的視覺方向多朝向水平方向 的特點，且水平方向和下方的光線多為朗的反射或散射 31472twf.doc/n 201110366

Γ J 1 ^〇uu29TW 光，所以提出由一體成型軟性基板所形成的半透明太陽光 電膜’以充分吸收運用直射太陽光將之轉化為電子，同時 盡量讓水平和下方的光線穿透，造成視覺上透明的效果。 •為讓本發·呀之土述·特徵和優點能更明顯易懂，下文特. 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 圖1是依照本發明之第一實施例之一種半透明太陽光 電膜的立體示意圖。 請參照圖1，本實施例之半透明太陽光電膜1〇()包括 軟性基板102以及太陽光電元件104。所述軟性基板1〇2 包括一體成型的多數個第一平面部分106與一第二平面部 分108，且第二平面部分1〇8與第一平面部分1〇6相連接 並形成一角度α。亦即，於所述軟性基板1〇2上形成第一 平面部分106與第二平面部分108，使得第一平面部分1〇6 之一侧端形成一連接端連接第二平面部分1〇8，而第一平 面部分之其它侧端則與第二平面部分108分離，接著將第 一平面部分106與第二平面部分⑽錢接端為轴而分 離，，第一平面部分106與第二平面部分1〇8形成上述角 ，。第二平面部分108可為一矩形框架結構，其内設置有 多數第—平面部分⑽。以下各實施例之第：平面ς分類 似。第一平面部份106可為一矩形。以圖ι為例，每一個 太陽光電元件104都呈現橫向葉片狀地形成於第—平面部 分106，並組合在第二平面部分1〇8。 。 201110366 niy_29TW 31472twf.d〇C/n 请再次參照圖1，軟性基板102可以是透光基板或不 透光基板’其中所述透光基板例如塑膠或玻璃…等等；所 述不透光基板例如金屬基板(如鋁基板、不鏽鋼基板、鉬基 板…等等）或不透明塑膠基似如PI基板…等尊）。而太陽光 電元件104則是形成於軟性基板102之第一平面構造1〇6 的表面106a上。太陽光電膜一般可依光射入方向的不同， 將其結構分為覆板(SuPerstrate)以及基板(Substrate)兩種結 構。所明的覆板結構是先從基板下方鑛上透明電極(如Tc〇) _ 卩，再依序社光電轉化元件，最後再鍍上不透光電極 (如金屬導電層）；反之，基板結構則是先從基板上方鍍上 不透光電極，再依序鍍上光電轉化元件，最後才鍍上透明 ，極。因此，上述太陽光電元件1〇4為一種基板結構之太 陽光電兀件，因為光是從太陽光電元件1〇4端射入，所以 無淪軟性基板102是透光基板或者不透光基板都可行。至 於太陽光電元件104 -般包括一不透光電極11〇、位於不 透光電極110上的-透光電極112卩及位於不透光電極 # 110與透光電極112之間的一光電轉化元件114。 請繼續參照圖1，上述不透光電極no之材料例如金 屬（如鋁、銀…等）或合金(如銀鋁合金…等）。而光電轉化元 件1M諸如非晶；ε夕薄膜太陽能元件、CIGS薄膜太陽能元 件、有機太陽能元件、CdTe薄膜太陽能元件·.等。舉例來 說’光電轉化元件m可以是由緩衝層(buffer layer)(如 ZnO)、n-i-p非晶矽層與透明導電氧化物(TC〇)(如〖〇、τ〇、 Ζ〇、ΙΊΌ或ΐζ晴構紅非㈣薄膜太陽能树；光電轉 31472twf.doc/n 201110366 化元件114也可以是由鉬金屬電極、CIGS、Cds(或其它適 當材料)以及ZnO所構成之CIGS薄膜太陽能元件；光電轉 化元件114退可以疋由缓衝層、聚合物共混物 blend)或p/η雙層緩衝層與透明導電氧化物(如I〇、.T〇.v。 ZO、ITO或IZO)所構成之有機太陽能元件；光電轉化元件 114更可以是由CdTe'CdS與透明導電氧化物(如IO、TO、 ZO、ITO或IZO)所構成之CdTe薄膜太陽能元件。 請再次參照圖1，每一第二平面部分還可具有至 少一透光開口 120’以利光線穿透’特別是當軟性基板1〇2 是不透光基板的時候。此外，第二平面構造還可具有 一黏性表面l〇8a’有助於擴展半透明太陽光電膜1〇〇之應 用面，譬如可將半透明太陽光電膜1〇〇貼附於建築物外窗 之類的設施，外窗可為一玻璃帷幕(牆），以吸收太陽光且 不影響建築物的外觀。由於第一實施例之半透明太陽光電 膜1〇〇可吸收來自於上方的太陽光，且水平的光線122和 下方的光線124不會被遮蔽，而同時達到充分吸收太陽光 與盡量讓水平和下方的光線穿选，造成視覺上透明的效果。 請繼續參照圖1，上述半透明太陽光電膜1〇〇還具有 形成於軟性基板102上的多數條導線116和118，其中的 導線116與每一太陽光電元件104之透光電極112連接， 以增進導電率。由於上下相鄰的兩個第一平面構造106上 的透光電極112都經由導線116互相連結，而不透光電極 1 〇都經由導線118互相連結’故可形成相同極性電極互 相連結的並聯構造。 201110366 P5198UU29TW 31472twf.doc/n 此外，圖2顯示第一實施例之另一種變形例。在圖2 之半透明太陽光電膜200中，除了導線202的位置之外， 其餘構造均與圖1相同。圖2之導線202連結上一太陽光 電元件_104 .的透光電極...142.、以_及不太陽光電元件.1.04·=的，·..， 不透光電極110使其導通，故可形成相反極性電極互相連 結的串聯構造。

圖3是依照本發明之第二實施例之一種半透明太陽光 電膜的立體示意圖’其中使用與第一實施例相同的元件符 號來代表相同的元件。 請參照圖3 ’本實施例之半透明太陽光電膜3〇〇中的 太1¼光電元件302為一種覆板(SUperstrate)結構之太陽光電 元件，由於覆板結構是指光從基板端射入，所以軟性基板 102必須是透光基板。若採用這個設計，則軟性基板1〇2(透 光基板)之第一平面部份106的表面1〇6b上依序為透光電 極in、光電轉化元件114以及不透光電極11〇。而第二平 面部分108與第-平面部分1〇6才目連接並形成一角度α， ^水平的光線122和下方的光線124不會被，而同時 ，到充分吸收太陽光與盡量讓水平和下方的光線穿透，造 =覺上透明的效果。料，圖3的太陽光電元件皿是 如圖2之導線202連接所形成的串聯構造，當然本發 明並不侷限於此。 恭膜^ 4疋依照本發明之第三實施例之—種半透明太陽光 件其中使用與第-實施例相同的元件符 201110366 f^i^suv29TW 31472twf.doc/n 請參照圖4，本實施例之半透明太陽光電膜4〇〇與第. 一實施例之最大差異在於不需要額外的導線(如圖丨之116 和118以及圖2之202)，而是在第一平面部分1〇6的表面 106a上與常二平面部令108的表面腦卜土全面性地依序 形成不透光電極110、光電轉化元件114和透光電極112， 並直接以第二平面部分108的表面1〇81)上的不透光電極 11〇與透光電極112作為導線連接在不同第一平面部份1〇6 上之太陽光電元件104。此外，上述太陽光電元件1〇4為 底板結構之太陽光電元件，所以無論軟性基板1〇2是透光 基板或者不透光基板都可行。 圖5是依照本發明之第四實施例之一種半透明太陽光 電膜的立體示意®，其中使用與第二實_相同的元件符 號來代表相同的元件。 5月參照圖5，本實施例之半透明太陽光電膜500與第 二實施例之最大差異在於不需要額外的導線（如圖3之 202)’而是在第—平面部分1〇6的表面1〇邠上與第二平面 部份108的表面108b上全面性地依序形成透光電極ιΐ2、 光電轉化元件114和不透光電極u〇，並直接以第二平面 部份108的表面108b上的不透光電極110與透光電極m 作為導線連接在不同第一平面部份上之太陽光電元件 302 〇 至=上述圖1〜圖5之半透明太陽光電膜的製作，可以 應用目1T已經發展成熟的技術來進行。例如可以先在軟性 基板刪上形成所需的太陽光電元件(未输示），然後利用 201110366 P51980029TW 31472twf.doc/n 雷射切割或者機械式切割(inechanicail cutting)出第一平面 部份602 ’而第一平面部份602以外的就是第二平面部份 604，如圖6A所示。至於軟性基板600的塑型則可藉由加 '熱或加壓而得到圖,‘圖.5是夺透明太暢光電膜。或者，利一 用UV造模(molding)技術製作一個支撐基板6〇8，其具有 一鋸齒狀表面(zigzag surface) 608a，如圖6B所示。接著， 可藉由卷對卷(roll to roll)快速結合軟性基板60〇和支禮基 板608，如圖6C所示。 # 以上製程只是可採行的其中一種技術，本發明並不侷 限於此。如圖7A〜圖7B則顳示另一種製作本發明之半透 明太IW光電膜的技術，圖7A是在切割軟性基板6〇〇之後 和已經塑型的支撐基板700、702進行結合。結合後形成嚴 岔封裝的半透明太陽光電膜，如圖7B。完成的半透明太陽 光電膜之總厚度T在1 mm〜15mm之間。 圖8疋依照本發明之第五實施例之一種半透明太陽光 電膜的分解立體圖。 • 請參照圖8，本實施例之半透明太陽光電膜8〇〇包括 第一支撐基板(support substrate)802、軟性基板804以及太 陽光電元件806。所述第一支撐基板8〇2具有一第一鋸齒 狀表面(zigzag surface)802a。至於軟性基板804則壓合於第 一支撐基板802的鋸齒狀表面802a上。第五實施例之軟性 基板804被壓合後可為一鋸齒狀，係使其能配置於第一支 撐基板802的鋸齒狀表面802a上。所述軟性基板8〇4包括 一體成型的多數個第一平面部分808與多數第二平面部分 11 201110366 rjiyeuu29TW 31472twf.doc/n 一 810’且第二平面部分81Ό與第一平面部分808彼此相鄰且 連接形成一角度ot。亦即第二平面部分81〇與第一平面部 分808是間接性的設置連接在一起而形成鋸齒狀結構。而 •…太陽光電元件:·80&則是形·成於軟性基板804之第一.平面部… 分808的表面808a上。本實施例之軟性基板8〇4與太陽光 電元件806都可參照上述各實施例來選擇適當的材料與配 置，因此不再贅述。至於本實施例之第一支撐基板8〇2還 具有相對第一雜齒狀表面802a的一第一平面802b，且所 述第一平面802b如為一黏性表面，則有助於擴展半透明太 暑 陽光電膜800之應用面，譬如可將其貼附於建築物外窗之 類的設施，以吸收太陽光且不影響建築物的外觀。而且， 每一第二平面部分810還具有至少一透光開口 812，以利 光線穿透，特別是當軟性基板8〇4是不透光基板的時候。 此外，於第五實施例中，上述半透明太陽光電膜8〇〇 還可包括一第一支稽基板814,其具有與第一支撐基板802 之弟一銀齒狀表面802a互補的一第二鋸齒狀表面814a。 而且，軟性基板804是被壓合於第一支撐基板8〇2的第一 鋸齒狀表面802a與第二支撐基板814的第二鋸齒狀表面 着 814a之間。而第二支撐基板814也可具有相對第二鋸齒狀 表面814a的一第二平面814b，且所述第二平面81仆如為 一黏性表面’同樣益於擴展半透明太陽光電膜800之應用 面。在本實施例中，上述第一與第二支撐基板8〇2與814 可以是軟性材料，如塑膠或玻璃之類的材料。而且，位於 半透明太陽光電膜800的受光面之第一與第二支撐基板 12 201110366 F5iysuu29TW 31472twf.doc/n 802與814其中之一必需是透-光的。 一. 本發明之半透明太陽光電膜的設計原則必須考慮光收 集效率以及光穿透率。圖9為本發明之半透明太陽光電膜 …之.钟面與陽光曝射的册係爾其中L為第平面部分的長 度、Η為第一平面部分到第一平面部分之間的垂直距離、 Ha為受到陽光曝曬時第一平面部分在第二平面部分(垂直 面)所造成的陰影長度、α為第一平面部分與第二平面部分 所形成的角度、Θ為入射光與第二平面部分的角度。圖1〇 瞻 則為光能收集效率（實線）和水平方向光穿透率（虛線） 對《角度的關係圖。從圖9可知中，太陽光強度^(以吡“ irradiance)與第二平面部分的角度θ的關係是可用下列經 驗式來表示是運用經驗公式（出處：MeinelA. B.，and Meinel Μ. Ρ., Applied Solar Energy, Addison Wesley Publishing Co” 1976.): /G =1.1.1.353.0.7肩0678 在上式中，定義為1/Cos0，為光通過大氣層的距離 籲和光從天頂入射時通過大氣層距離的比值。在這個計算裡 面’ Θ改變的範圍從0°到90°，光能收集效率是以一個完 全沒有空隙的第二平面部分在太陽從〇。到90。移動時所收 集到的總能量為100%來計算。值得注意的是，第一平面 部分可以是平面’也可以是曲面，當為曲面時其計算的結 果和上述結果相同’而L值的計算則從第一平面部分青曲 的起點到葉片末端的距離為準。 當第一平面部分與第二平面部分所夾的角度α為〇。 13 201110366 F5iy8UU29TW 31472twf.d〇c/n 日π，第一平面部分之長度L對第一平面部分之間的間距H 比(L/H)相當於透光開口（請見圖丨之12〇)面積佔軟性基板 總面積的比例。隨著角度α增加，水平方向的光穿透率呈 現單調遞增的趨勢，'而光能收.集效率則存在一個極大值， 這個極大值的位置隨著L/H值的增加，而向α=〇。的方向移 動’當L/H=l時極大值來到α=〇。的點。故每個L/H的設 計值，都對應到兩個待殊點，一個是光能收集效率的極大 值（此设計著重於能量收集的效率，光穿透率的增加有 限），以及光能收集效率等於α=〇。時的效率值（此設計是 在不降低光能收集效率的前提之下，把光穿透率最大化）。 因此，本發明之半透明太陽光電膜的設計較佳是在包括這 兩個點以及其間的範圍之内，除非另有考量。 ^請參考圖10，以L/HN0.7為例，當cc = 〇。時光能收集 效率為70%、光穿透率為30%，·當《=28.8。時為光能收集 政率之極大點，此時光能收集效率為87.1%、光穿透率為 3&7%〔光能收集效率比原來增加了 171%的效率；當 75。.6°時為光穿透率之極大點，此時光能收集效率為 70.7%、光穿透率為82 6%，在光能收集效率不變的前提 =’光穿透率大幅度增加了 52.6%。換言之，當L/H=0.7 日^ ’角度oc較佳的範圍約在28 8。〜75 6〇。 表丁、上所述，本發明藉由太陽光多半來自於上方而人 的視覺方向多朝向水平方向的特點，使用由一體成型軟性 基板所形成的半透明太陽光電膜，以充分吸收運用太陽光 將之轉化為電子’同時盡量讓水平和下方的光線穿透。因 201110366 Γ^ι«υ〇29ΤΨ 31472twf.doc/n 為本發明之半透明太縣電膜脉輕、薄和可撓的特性， 所以能夠設計成可發電可遮陽的軟性光電膜，適於大旦 產並可應用於建築物上。 里 …雖然本树明也以實施，例揭·露如上.，然其並非用以限處 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内’當可作些許之更動無飾，故本 發明之保賴圍當視後附之ΐ請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1疋依照本發明之第一實施例之—種半透明太陽光 電膜的立體示意圖。 圖2疋第一實施例之另一種變形例。 圖3疋依^本發明之第二實施例之一種半透明太陽光 電膜的立體示意圖。 圖4是依照本發明之第三實施例之一種半透明太陽光 電膜的立體示意圖。 圖5是依照本發明之第四實施例之一種半透明太陽光 電膜的立體示意圖。 . 圖6Α是本發明之半透明太陽光電膜的軟性基板。 圖6Β是本發明之支撐基板。 圖6C是圖6Α的軟性基板與圖6Β之支撐基板快速結 合的示意圖。 圖7Α至圖7Β顯示本發明之半透明太陽光電膜的另一 種製作示意圖。 15 201110366 FMy»uu29TW 31472twf.doc/n 圖8是依照本發明之第五實施例之一種半透明太陽光 電膜的分解立體圖。 圖9為本發明之半透明太陽光電膜之剖面與陽光曝射 的调係圖 -.....-- • * f . .·* 圖10則為光能收集效率和水平方向光穿透率對α角 度的關係圖。 【主要元件符號說明】 100、200、300、400、500、800 :半透明太陽光電膜 102、600、804 :軟性基板 104、302、806 :太陽光電元件 106、602、808 :第一平面部分 106a、108b、808a :表面 108、604、810 :第二平面部分 108a :黏性表面 110 :不透光電極 112 :透光電極 114 :光電轉化元件 116、118、202 :導線 120、812 :透光開口 122 :水平的光線 124 :下方的光線 608、700、702、802、814 :支撐基板 608a、802a、814a .鑛齒狀表面 201110366 P51980029TW 31472twf.doc/n 802b、814b:平面 L :第一平面部分的長度 H:第一平面部分到第一平面部分之間的垂直距離 :· ·, ； . ---一：--------： Λ - .· JS 1- - - — --. . ...:- --..:1 -t* ； α :角度 θ:入射光與第二平面部分的角度

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Claims (1)

1. 201110366 ^iy6vv29m 31472twf.doc/n 七、申請專利旄圍： 1. —種半透明太陽光電膜，包括： 一軟性基板，包括一體成型的多數個第一平面部分與 多數個第二半茴部分，該些第二平面部分與該些第一平面. 部分相連接並形成一角度；以及 多數個太陽光電元件，形成於該軟性基板之該些第一 平面部分的表面上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜， 其中該軟性基板包括一透光基板或一不透光基板。 φ 3. 如申請專利範圍第2項所述之半透明太陽光電膜， 其中該透光基板包括塑膠或玻璃。 4·如申請專利範圍第2項所述之半透明太陽光電膜， 其中該不透光基板包括一金屬基板或—不透光塑膠基板。 5. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜， 其中每一該些第二平面部分更包括至少一透光開口。 6. 如申请專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜， 其中該些太陽光電元件包括覆板(SUperstrate)結構或基板 (substrate)結構之太陽光電元件。 7. 如申请專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜， 其中每一該些太陽光電元件包括： 一不透光電極； 一透光電極，位於該不透光電極上；以及 一光電轉化元件，位於該不透光電極與該透光電極之 間。 18 201110366 ^iy»u029TW 31472twf.doc/n 8.如申請專利範圍第7項所述之半透明太陽光電犋， 更包括多數條導線，形成於該軟性基板上並與每一讀些太 陽光電元件之該不透光電極以及/或是該透光電極相連 一一 .9‘如申請專利範圍·第8項所述之半透明太暢光電膜， 其中部份該些導線與每一該些太陽光電元件之該透光電極 連接，另一部份該些導線與每一該些太陽光電元件之該不 透光電極’以形成相同極性電極互相連結的並聯構造。 10. 如申請專利範圍第8項所述之半透明太陽光電 春膜，其中該些導線分別連結上一太陽光電元件的該透光電 極以及下一太陽光電元件的該不透光電極，以形成相反極 性電極互相連結的串聯構造。 11. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電 膜，其中該軟性基板的該些第二平面部份具有一黏性表面。 12. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電 膜，其中該半透明太陽光電膜之總庳度在1mm 〜15mm之 間。 • 13·如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電 膜，其中5亥軟性基板之該第一平面部分之一侧端形成一連 接如連接弟—平面部分，而該第一不面部分之其它側端則 與該第二平面部分分離，讓該第一肀面部分與該第二平面 部分以該連接端為軸而分離，使該第一平面部分與該第二 平面部分形成該角度。 14’如申印專利範圍第Η項所述之半透明太陽光電 膜，其中該第二平面部分可為一矩形框架結構，其内設置 201110366 X 1. ^ %J \/ \J 29TW 31472twf.doc/n 有該些第一平面部分。 15.如申请專利|&圍第14項所述之半透明太陽光電 膜，其中該第一平面部份可為一矩形。 16· —種半透明太陽光電膜，包括： -第-支撐基板，具有ϋ齒狀表面㈤興 surface)； 一軟性基板，壓合於該第一支撐基板上，其甲該軟性 基板包括-禮成型的多數個第一平面部分與多數個第二平 面部分，該些第二平面部分與該㈣—平面部分相連触 鲁 形成-角度’而該第-平面部分係壓合於該第一鑛齒狀表 面上；以及 多數個太陽光電元件，形成於該軟性基板之該些第一 平面部分的表面上。 17. 如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜，其中該第一支撐基板為透光基板。 18. 如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜’其中該[支禮基板具有相對該第__齡狀表面的— 第一平面。 鲁 19. 如申請專利範圍第18項所述之半透明太陽光電 膜，其中該第一支撐基板的該第一平面為一黏性表面。 2〇·如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜，其中該第一支稽基板為軟性材料。 21.如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜，更包括一第二支撐基板，其中 20 201110366 roiysuu29TW 31472twf.doc/n 該第二支撐基板具有與該第一支撐基板之該第一鋸齒 狀表面互補的一第二鋸齒狀表面；以及 該軟性基板壓合於該第一支撐基板的該第一鋸齒狀表 ，一面與該第二支撐基板的.該第二鋸齒狀表面之間。… 22. 如申請專利範圍第21項所述之半透明太陽光電 膜，其中該弟一支撐基板為軟性材料。 23. 如申請專利範圍第21項所述之半透明太陽光電 膜’其中位在該半透明太陽光電膜的受光面之該第一支撐 基板與該苐二支撐基板其中之一是透光的。 24. 如申請專利範圍第21項所述之半透明太陽光電 膜’其中該弟一支樓基板具有相對該第二鑛齒狀表面的一 苐二平面。 25. 如申請專利範圍第24項所述之半透明太陽光電 膜，其中該弟一支撐基板的該第二平面為一黏性表面。 26·如申請專利範圍第丨6項所述之半透明太陽光電 膜’其中該半透明太陽光電膜之厚度在lmm〜15mm之間。 • 27.如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜’其中該軟性基板包括一透光基板或一不透光基板。 28. 如申請專利範圍第27項所述之半透明太陽光電 膜’其中該透光基板包括塑膠或玻璃。 29. 如申請專利範圍第27項所述之半透明太陽光電 膜，其中該不透光基板包括一金屬基板或一不透明塑膠基 板。 30. 如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 21 201110366 29TW 31472twf.doc/n 膜，其中每一該些第二平面部分更包括至少一透光開口。 31_如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜’其中該些太陽光電元件包括覆板(superstrate)結構或基 板(substrate)結構之太陽光電元件。 32. 如申請專利範圍第16項所述之半透明太陽光電 膜，其中每一該些太陽光電元件包括： 一不透光電極； 一透光電極’位於該不透光電極上；以及 一光電轉化元件，位於該不透光電極與該透光電極之 間。 33. 如申請專利範圍第32項所述之半透明太陽光電 膜，更包括多數條導線，形成於該軟性基板上並與每一該 些太陽光電元件之該透光電極相連。 34. 如申請專利範圍第π項所述之半透明太陽光電 膜，其中該軟性基板之該第一平面部分之一側端形成一連 接端連接該第二平面部分，而該第一平面部分之其它侧端 則與该第二平面部分分離，讓該第一平面部分與該第二平. 面部分以該連接端為軸而分離，使該第一平面部分與該第 二平面部分形成該角度。 “ 35.如申請專利範圍第料項所述之半透明太陽光電 膜’其中該第二平面部分可為—矩形框架結構，其内設置 有該些第一平面部分。 36.如申請專利範圍f %賴述之半透明太陽光電 膜，其中該第—平面部份可為一矩形。 22