TW201112866A - Organic light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents
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201112866 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發一明涉及有機發光裝置⑽朗及其製造方法，尤其涉及延長壽 命並具有尚穩定性的OLED及其製造方法。 【先前技術】 隨著多媒體的發展，平板顯示器（FPD)日趨重要。伴隨這種趨勢， 幾種平面型顯示器’如液晶顯示器（LCD)、魏顯示面板（pDp)、場發射 顯M (FED)、和錢發光裝置⑴LED)，正在付諸實際應用。 • ^ ^其’ 〇咖為具有高速回應速度（即，1阳或小於lms的回應速度） °〇LED的優勢還在於料慮裝置尺寸的條件下的動 ’這是由於0LED視角問題引起的。進而，應用OLED的 ==光二極體顯示裝置_下—代卿的關鍵，因為〇led可以低溫製 仏並基於現有的半導體處理技術具有簡單的製造過程。 ㈣包含第—電極’第二電極和設置在第—電極和第二電極之間的 發，層^-電極供應的電洞和第二電極供應設置的電子在發光層結合在 -起以械激發，織當激發返回至底树產生能量導致〇led發光。 报大的GLED的㈣，__L料雜齡和綠性具有 鲁t長二_ #二’基於。LED的研究正在積極地進行，以便開發出具有 零 更長哥命和更佳有效性的OLED » 【發明内容】 性，财雜找置，提高了壽命並具有高穩定 ::rT:Fr" ,；(0LED) 電極，形成在第一電極上的電洞傳輸層；形 201112866 成在電洞傳輸層上的發光層；形成在發光層上的第二電極；以及形成在 專輸層和發光層之間的混合層’其中混合層包括電洞傳輸功能材料和發 光功能材料’其巾電洞傳輸功能材料和發光功賭料分職有濃度梯度。 又，根據本發明的實施例’提供一種有機發光裝置的製造方法，包含. 在第-基板上形成第-電極；在面向第—基板的第二基板上形成生熱3元 件；在設置有生熱元件的第二基板上方依序形成發光功能材料圖案和電 傳輸功能材料圖案；對準並合併第一基板和第二基板；以及通過在第二基 板上的生熱元件巾施加電壓而轉移電洞傳輸功能材料圖案和發光功能材二 圖案’藉以同時形成電洞傳輸層'混合層，其中該混合層包括電洞傳輸功 能㈣和發光功能材料，其中電洞傳輸德材料和發光功能㈣分別具 • 濃度梯度並在第一基板上方形成第二電極。 可以理解的是，上文的概括說明和下文的詳細說明都具有事例性和解 釋性，並意圖在於為本發明所提出的權利要求作進一步的解釋說明。 【實施方式】 於此之後將參考實例詳細說明本發明的具體實施例。現在將參照本發 明詳細實施例，其以所附之圖示說明。 根據本發明實施例的有機發光裝置（0LED)，包含第一基板、形成在 第-基板上的第-電極、形成在第-電極上的電洞傳輸層、形成在電洞傳 # 輸層上的發光層、形成在發光層上的第二電極、以及形成在電洞傳輸層和 發光層之間的混合層，其中混合層包括電洞傳輸功能材料和發光功能材 料，其中電洞傳輸功能材料和發光功能材料分別具有濃度梯度。 在混合層f贿輸層可具有濃度梯度’其巾制傳輸功能材料的 遭度朝向發光層降低。 在混合層巾，發光層可具有濃度梯度，其中發光功能材料的浪度朝向 發光層增加。 在成合層中，電洞傳輸功能材料和發光功能材料可以具有彼此成反比 的濃度梯度。 發光層可以具有大約5至150mn的厚度。 混合層的厚度相對發光層的厚度大約可以為1至3〇〇/〇。 201112866 OLED可以進一步包括在第一電極和電洞傳輸層之間的電洞注入層。 0LED可以進一步包括在發光層和第二電極之間的一個或多個電子 輸層和電子注入層。 根據本發明實施例中的一種有機發光裝置的製造方法，包括：在第一 基板上形成第一電極：在面向第一基板的第二基板上形成生熱元件；在設 置有生熱元件的第二基板上方依序形成發光功能材料圖案和電洞傳輸功能 材料圖案，對準並合併第一基板和第二基板；以及通過在第二基板上的生 熱元件施加電壓而轉移電洞傳輸功能材料圖案和發光功能材料圖案，藉以 同時形成電洞傳輸層、包括電洞傳輸功能材料和發光功能材料的混合層， 其中電洞傳輸功能材料和發光功能材料分別具有濃度梯度並在第一基板上 •方形成第二電極。 在混合層中，電洞傳輸層可具有濃度梯度’其中電洞傳輸功能材料的 濃度朝向發光層降低。 在混合層中’發光層可具有濃度梯度’其中發光功能材料的濃度朝向 發光層增加。 在混合層中，電洞傳輸功能材料和發光功能材料可以具有彼此成反比 的濃度梯度。 發光層可以具有大約5至150nm的厚度。 混合層的厚度相對發光層的厚度大約可以為〗至3〇%。 Φ 製造方法可以進一步包括在形成電洞傳輸層、混合層、和發光層之 前，在第一電極上形成電洞注入層。 製造方法可以進一步包括在形成電洞傳輸、混合層、和發光層之後， 在發光層上依序形成電子傳輸層和電子注入層。 製造方法可以進一步包括在第二基板上方形成電洞傳輸功能材料圖 形和發光功能材料圖形之前，在第二基板上形成絕緣層。 生熱元件可以由從銀(Ag)、金(Au) '鋁(A1)、鋼(Cu)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、 欽(Ti)、鎮(W)、和短(Ta)構成的群組中至少擇其一製成。 本發明的一個或多個實施例現在參照所附圖式詳述。 第1圖為本發明第一實施例中OLED的圖式。 參考第1圖，本發明第一實施例中的〇LED 1〇〇包含基板n〇、形成 201112866 在基板110上的第一電極120、形成在第一電極丨2〇上的電洞傳輸層131、 形成在電洞傳輸層131上的發光層133、形成在發光層133上的第二電極 140、以及進一步包括插入在電洞傳輸層131和發光層133之間的混合層 132，該混合層包括電洞傳輸功能材料和發光功能材料，其中該電洞傳輸功 能材料和該發光功能材料分別具有濃度梯度。 基板110可以由玻璃、塑膠、或金屬製成，並可以進一步設置有由半 導體層、閘電極'源電極和汲電極形成的薄膜電晶體。 第一電極120可以為透明的或反射的。如果第一電極12〇為透明的， 可以由氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZ〇)、和氧化鋅（Zn0)中任意一種 製成。 如果第一電極120為反射的，其可以進一步包含反射層，由銘（A!)、 銀（Ag)、和鎳（Ni)任意一種製成，置於ώΙΤ〇、ΙΖ〇、和Zn〇任意一種 製成的層下面，或進一步可以包含反射層，插入在由IT〇、IZ〇、和Zn〇 任何一種製成的兩個層之間。 第一電極120可以使用減射、蒸發、蒸汽態沉積，或電子束沉積形成。 電洞傳輸層131用於使電洞傳輸變得流暢。電洞傳輸層131可以由 NPD (Ν,Ν-工萘基-Ν,Ν'-工笨基聯苯胺）、TpD (N，N，·〉（3_甲苯基） -N，Ν’ -雙（苯基）-聯苯胺）、S_TAD 和 MTDATA ( 4, 4,，4” 三（N _ 3 甲苯 基-N-笨基氣基）·二苯胺）構成的群組中至少擇其一製成，當不偈限於此。 電洞傳輸層131可以使用蒸發或旋轉塗覆形成，以及電洞傳輸層 可以具有大於5至150nm的厚度。 發光層133可以由發射紅色、綠色 '和藍色光的材料，或者碟光材料 或螢光材料製成。 如果發光層133為紅發光層，其由填光材料製成，該鱗光材料包括含 有CBP (吟唑聯苯）或mCP (丨，3 _二（十坐· 9 _基）的主材料和包含從piQ[r (乙酿丙酮基）（二（1-苯基異喹琳）乙醯丙嗣銥）、pQIr (乙醯丙綱基） (二（1 -苯基喹啉）乙醯丙酮銥ypQjj·(三（丨_苯基喹啉）銥），以及 (八乙基卟啉鉑）構成的群組中選擇任何一個或多個的摻雜。或者，其可 以由螢光材料製成，該螢光材料包含聚丁二烯(PBD):銪（DBM) 3 (phen) 或茈，但不侷限於此。 201112866 如果發光層133為綠發光層，其可由磷光材料製成，該磷光材料包括 含有CBP或mCP主材料以及包含銥（聚吡咯）3 (fac出5(2 ·苯基吡啶）銥） 的摻雜材料。或者，可以由螢光材料製成，其包含Aj# (三（8_羥喹啉） I呂，但不侷限於此。 如果發光層133為藍發光層，其可以由磷光材料製成，該磷光材料包 括3有CBP或mCP的主材料以及包含(4,6-F2ppy)2Irpic的摻雜材料。或者， 可以由螢光材料製成，其包含由螺DPVBi、螺6P、二苯乙烯苯（DSB)， 二苯乙烯基亞芳基（DSA)、PF〇系列聚合物、和ppv系列聚合物構成的 群組中至少擇其一，但不侷限於此。
發光層133可以使用蒸發或熱傳導方法形成，並可以具有大約5至 150nm的厚度。 第二電極140可以由具有低功函數的金屬製成，如鎂（Mg)、鈣（Ca)、 銘U1)、銀（Ag)、或社的合金n # 〇LED具有頂部發射結構或 =部與底部發射結構賴況下，第二f極⑽可以為足_轉輸光，並 當OLED為底部發射結構的情況下，可以為足夠厚以反射光。 在本發明的第一實施例中，混合層132設置在發光層133和電洞傳輸 層131之間。 ,混合層132可以置於發光層133和電洞傳輸層131之間，用於使電洞 從第一電極120完成順暢的注入。 對於電洞傳輸層131的介面特性’混合層132可以具有電洞傳輸功能 材料的/農度其從靠近電洞傳輸層131的區域向靠近發Μ 漸降低。 此外對於發光層133的介面特性，混合層】32可以具有發光功能材 料^農度，其從靠近電洞傳輸層131齡或向靠近發光層133 _域逐漸 _/度2^。日林㈣實酬巾龄射€轉輸魏㈣和發光功能材 遍^考^2圖，在混合層132中’電洞傳輸功能材料的百分比從靠近電 mi的區域向靠近發光層的區域逐漸降低。相反地’發光功能材 科的百刀比與電洞傳輸功能材料呈反比逐漸增加。 201112866 混合層I32可以具有相對發光層133厚度1至30%的厚度。這裡，如 果展合層132的厚度相對發光層133的厚度為1%或以上，則可以提高裝置 的效=和壽命，藉由降低電洞層131和發光層133之間的能障而使電洞注 入變付順暢，並且如果混合層132厚度相對發光層133的厚度為3〇%或以 下，可以防止由於厚度大而導致的驅動電壓的增加和低效能。 混合層132可以使用蒸發或熱傳導方法形成。如果說明書以蒸發作為 實例描述，電洞傳輸功能材料和發光功能材料在相同的室内作為目標物來 準備’然後電洞傳輸層藉由在第一電極上僅沉積電洞傳輸功能材料而形 成。當形成電洞傳輸層之後，電洞傳輸功能材料的沉積比逐漸降低，並且， 在此情況中，發光功能材料開始沉積並且其沉積比逐漸增加從而形成混合 攀層。電洞傳輸魏材料的沉積比縣G%，發光功能㈣的沉積比變為 100% ’從而形成混合層132。 第3圖為本發明實施例中OLED的能帶圖。 第3圖為依序堆疊電洞傳輸層131、混合層132和發光層133的能帶 圖。 來自第一電極的電洞h經由電洞傳輸層131注入混合層132，然後接 著注入混合層132的電洞注入發光層133。來自第二電極140的電子e注入 發光層133，其中電洞h和電子e形成激發以發光。 這裡，電洞傳輸層131和發光層133之間形成的混合層132使得電洞 φ 11的注入至發光層133順暢，藉由減少電洞傳輸層131和發光層133之間的 能障’並且導致發光層133中的發光區域形成在發光層丨33的中心位置。 因此，優點在於可以藉由在發光層133的中心位置内形成發光區域來 提面OLED的有效性和壽命 第4圖說明根據本發明第二實施例中的〇LED。與第一實施例相同的 結構概述。 參考第4圖’本發明第二實施例中的0LED 20〇包括基板21〇、形成 在基板210上的第一電極220、形成在第一電極220上的電洞注入層231、 形成在電洞注入層231上的電洞傳輸層232、形成在電洞傳輸層232上方的 發光層234、形成在發光層234上的電子傳輸層235、形成在電子傳輸層235 上的電子注入層236、以及形成在電子注入層236上的第二電極240，並進 201112866 一步包含混合層233，插入於電洞傳輸層232與發光層234之間，該混合層 233分別具有濃度梯度之電洞傳輸功能材料與發光功能材料。 OLED 200進一步包含形成在第一電極220和電洞傳輸層232之間的 電洞注入層231，並且另外進一步包含形成在發光層234和第二電極240之 間的電子傳輸層235和電子注入層236。 電洞注入層231用於使電洞動順暢地從第一電極22〇注入發光層 234。電洞注入層231可以從由CuPc (銅酞青）、PEDOT (聚（3,4)-伸乙 二氧基噻吩）、PANI (聚苯胺）、和NPD (N，N -二萘基-N，N，-二苯基聯笨 胺）構成的群組中至少擇其一製成，但不侷限於此。 電洞注入層231可以使用蒸發或旋轉塗覆形成，並且電洞注入層231 的厚度大約為1至150nm。 電子傳輸層235用於使電子的傳輸順暢，其可以從由Aiq3 (三（心 經喹啭）鋁）、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、和SAlq構成的群組至少擇其 一製成，但不侷限於此。 電子傳輸層235可以使用蒸發或旋轉塗覆形成，並且電子傳輸層235 可以具有大約1至50nm的厚度。 電子傳輸層235可以用於防止電洞從第一電極220經由發光層234移 動至第二電極240。換句話說，電子傳輸層235用作電洞屏障層，使得電洞 和電子在發光層234有效率地結合。 電子注入層236用於使電子注入順暢，其可以從由α]# (三（8•羥喹 琳）铭）、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、和SAlq構成的群組至少擇其一製 成，但不侷限於此。 電子輸入層236可以進一步由無機物質製成，該無機物質可以包含金 屬化合物。金屬化合物可以包含鹼金屬或鹼土金屬。包含鹼金屬或鹼土金 屬的金屬化合物可以至少從由LiQ、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、BeF2、 、Cah、Srh、BaF2和RaF2構成的群組中擇其一，但不侷限於此e 電子注入層236可以使用蒸發或旋轉塗覆形成，並且電子注入層236 可以具有大約1至50nm的厚度。 如上所述，根據本發明第一實施例和第二實施例的OLED具有OLED 使用壽命提高的優勢，藉由在電洞傳輸層和發光層之間形成分別具有濃度 201112866 梯度的電洞傳輸魏材料和發光魏材料的混合層。 第5圖為說明本發明第三實施例中〇LED的圖式，第6八圖至第 圖為說明根據本發明第三實施例中製造⑽D方法的各個步驟圖式。 參考第5圖’根據本發明第三實施例中的〇LED 3⑽包含第一基板 3jl、形成在第一基板310上的第一電極320、覆蓋第一電極320邊緣^ 露第-電極320的岸層325、形成在第一電極32〇上的電洞傳輸層33卜形 成在電洞傳輸層331上的發光層333、形成在發光層333上的第二電極34〇, 以及進一步包含插入在電洞傳輸層331和發光層333之間的混合層332,該 混合層包括分別具有濃度梯度的電洞傳輸魏材料和發光功能材料。 將搖述具有上述結構的〇Led 300的製造方法。省略掉與第一和第_ 實施例相同組成元件的描述。 、第ί第一 參考第6Α ® ’第—電極320开)成在第一基板31〇上。第一基板31〇 由玻璃、塑膠、或金屬製成，並可以進__步設置有由半導體層、間電極、 源電極和沒電極形成的薄膜電晶體。 岸層325形成在第一電極32〇上。岸層325覆蓋第一電極32〇的邊緣 並曝露第-電極320。岸層325 ^義在設置有第一電極32〇的第—基板31〇 上的每個像素區域。 在第6Β圖中’生熱元件33s形成在由透玻璃或塑膠製成的第二基板 330上。第二基板330的尺寸可以等於或大於第一基板31〇。 生熱元件 335 可以由從 Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W、和 Ta 構成的群組中至少擇其-製成，其可以藉由施加電壓而產生熱量，並不偈 限於此。 生熱元件可使贿何如CTO (化學航沉積）、麟、E束、電解/化 學鍵等方法形成。生熱元件235藉由在整個表面沉積金屬或其合金並且藉 由光刻製程和濕侧或乾侧圖案化整個表面上沉積的金顧其合金而形 成。 生熱7L件335根據第一基板31〇上像素位置形成，在該位置中轉移有 機發光功能材料。形成在第二基板330上的生熱元件335的寬度可以等於 或小於在第-基板310上每個像素寬度和劃分相鄰像素的岸層325的寬度 的總和所獲得的值。考慮產生焦耳熱的電阻域生熱元件335的厚度最大 201112866 可以為1 // m。 生焦耳熱的生熱元件335氧化或擴散至發光功能材料，絕 ,338可以進-步形成在生熱元件335上。絕緣層338可以由氧化石夕層、 氮化石夕層、或氮氧化梦層形成’並沉積在生熱树335的整個表面上。下 面描述以第二基板33G為示例，其沒有形成絕緣層338。 參考第6C圖’通過熱蒸發等方法，在形成有生熱元件335的第二基 板的整個表面上沉積制簡舰材料和錢發光功能㈣，之後發光功 能材料圖案341和電洞傳輸功能材料圖案3犯依序形成在生熱元件335上， 對應將在第-基板310上形成的每個像素的位置。
此時，電洞傳輸功能材料圖案342可以由與上述電洞傳輸層製成材料 相同的材料製成，並且發光功能材料圖案341可以由紅色、綠色、和藍色 的發光功能材料，或麟光材料或螢光材料製成。 參考第6D目’對準和合併具有第一電極32〇的第一基板31〇和具有 發光功能材料圖案341和電洞傳輸功能材料圖案342的第二基板33〇。這些 對準和合併在真空或岐人惰性氣體（Ar、&等）環境中進行，從而保& 材料圖案受潮/氧化。合併可以通過機械擠壓進行。 其次，參考第6E圖，外部電壓（v)施加於完成對準和合併的第二基 板330上的生熱元件335 〇藉由施加電壓v，生熱元件335產生焦耳熱並接 著在覆蓋發光功能材料圖案341和電洞傳輸功能材料圖案342中的材料昇 華。結果，發光功能材料圖案341和電洞功能材料圖案342轉移至第一基 板310的像素區域上，從而形成電洞傳輸層351、混合層352、和發光層353。 更真體地，電洞傳輸功能材料圖案342首先靠近第一基板310的順序 昇華，從而轉移至第一基板310上。電洞傳輸功能材料和發光功能材料， 位於彼此相鄰的電洞傳輸功能材料圖案342和發光功能材料圖案341的區 域内，同時昇華。此時’電洞傳輸功能材料圖案342較鄰近第一基板，從 而電洞傳輸功能材料轉移較多而發光功能材料逐漸轉移。當大多數電洞傳 輸功能材料圖案342轉移的時候，發光功能材料圖案341主動地昇華從而 增加有機發光功能材料的轉移。因此，終於，電洞傳輸功能材料轉移至第 一基板310上，以形成電洞傳輸層351，而混合層352形成在電洞傳輸層 351上’其中混合層352的電洞傳輸功能材料和發光功能材料具有濃度梯 201112866 度’並最後發光功能材料被轉移以形成發光層353。 此時，由於第一基板310和第二基板330利用第一基板31〇和第二基 板330之間的岸層325彼此緊密接觸，不僅僅可以防止由於轉移偏離至其 他像素區域或擴散產生的混色現象，而且可以精球地控制形成材料的位 置。又，由於施加電壓使得電洞傳輸層351和發光層353同時形成的一個 製程，其優點在於可以節省類似雷射熱轉移方法的連續掃描所浪費的時 間’藉以簡化製程並且顯著縮短製造時間。 田這些有機材料長時間曝露於南溫的時候，材料典型地毀壞或其化學 鏈結被摧毀。因此，為了防止有機材料的熱量損壞，電壓施加於生熱元件 3%的時間可以在大約〇.1 至is的範圍内，並且施加於生熱元件幻5上 • 電壓的功率密度可以在大約〇_lW/cm2至l〇〇〇〇W/cm2的範圍内。施加於生 熱元件335的電壓可以為直流型或交流型，並且間斷地施加若干次。 隨後，參考第6F圖，第二電極360形成在第一基板310上方，該第 一基板310還設置有發光層3幻，以製造OLED300。 第7圖為說明本發明第四實施例中OLED的圖式，而圖8A至8C為 說明根據本說明書第四實施例之OLED生產的方法之各自步驟之圖示。 在此之後，將描述根據本說明書第四實施例之0LED之生產方法。與 上述第三實施例相同的步驟將簡略描述。 參考第7圖’本發明第四實施例中的0LED 4〇〇包含第一基板41〇、 • 形成在第一基板410上的第一電極420、覆蓋第一電極420邊緣並曝露第一 電極420的岸層425、形成在第一電極420上的電洞注入層431、形成在電 洞注入層431上的電洞傳輸層432、形成在電洞傳輸層432上的發光層434、 形成在發光層434上的電子傳輸層435、以及形成在電子注入層436上的第 —電極440,並進一步包括混合層434,插入在電洞傳輸層432和發光層434 之間，該混合層434包括電洞傳輸功能材料和發光功能材料，其中電洞傳 輸功能材料和發光功能材料分別具有濃度梯度。 OLED 400進一步包含置於第一電極420和電洞傳輸層432之間的電 洞>主入層431，並另外進一步包含置於發光層434和第二電極440之間的電 子傳輸層435和電子注入層436 » 將描述具有上述結構的OLED400的製造方法。 12 201112866 參考第8A圖，第一電極420形成在第一基板410上。第一電極420 可以為陽極電極。岸層425形成在第一電極420上。岸層425覆蓋第一電 極420的邊緣並曝露第一電極420。 其次，電洞注入層431形成在設置有第一電極420的第一基板41〇上。 電洞注入層431用於使電洞從第一電極420順暢地注入發光層。電洞注入 層431可以使用蒸發或旋轉塗覆形成，並可以具有大約丨至15〇nm的厚度。 參考第8B圖，電洞傳輸層432、混合層433、和發光層434形成在第 一基板410上。第四實施例通過與上述第三實施例相同的轉移步驟形成電 洞傳輸層432、混合層433、和發光層434，在此將省略描述。 參考第8C圖，電子傳輸層435形成在設置有發光層434的第一基板 410上。電子傳輸層435用於使電子傳輸順暢，並使用蒸發或旋轉塗覆形成。 電子傳輸層435可以具有大約1至5〇nm的厚度。 電子傳輸層435可以用於防止電洞從第一電極經由發光層移動至第二 電極。換句話說，電子傳輸層435用作電洞屏障層，使得電洞和電子在發 光層中有效結合。 電子庄入層436开>成在設置有電子傳輸層435的第一基板41〇上。電 子注入層436用於使電子注入順暢’並使用蒸發或旋轉塗覆形成。電子注 入層436可以具有大約1至5〇ηιη的厚度。 如上所述，根據本發明第三和第四實施例中的〇LED，優點在於不僅 ❿僅可以防止製造過程中的混色現象，而且可以精確控制形成材料的位置， 通過使用轉移過程形成電洞傳輸層、混合層、和發光層。 又，由於施加電壓使得電洞傳輸層351和發光層353同時形成的一個 過程’其優點在於可以節省類似雷射熱轉移方法的連續掃描㈣的時間， 藉以簡化製造過程並且顯著縮短製造時間。 進而，優點在於通過在電洞傳輸層和發光層之間形成混合層，其中混 合層的電洞傳輸功歸料和發光魏材料分別具有濃度梯度，提高了 的使用壽命。 下文中’包含本發明實施例中的混合層的〇LED將詳細描述。意識到 地是本發明實闕健祕轉，_書不局祕下面的實。 實施例 13 201112866 依照下面製造。在玻璃基板上圖案化並清潔尺寸為3職<3咖 的發先面積。陽極使用ΙΤ0形成厚度5㈣，並且使用Cu A的電洞注人層。使用CBP (即，主材料）和Ir (ρργ) 3 (即成^)的 混合物在施體基板上堆疊厚度為綱Α之綠光發㈣騎料，並且該電洞 f專輸功能㈣使NPD堆疊圆Α的厚度。玻雜板和蝴基板賴， 這裡進行轉移過程形成電洞傳輸層、具有濃度梯度的混合層、和發光層。 之後:使用_-觸形成厚度200 Α的電子傳輸層，該電子注入層使用 LiF形成10 Α厚度，並且第二電極使用闳形成1〇〇〇Α厚度。 比較實例 +OLED在與上述實關相同的條件下製造，除了電洞傳輸層和發光層 使用蒸發分別沉積，並且沒有形成混合層之外。 曰 根據每-個實施例和比較實例，製造出的〇LED的驅動電壓，發光效 率、電源效率、量子效率和亮度列表在τ面表i中，並且第9騎示 命特性。 表1 驅動電壓 (V) 發光效率 (Cd/A) 比較實例 3.25 26.56 實施例 3.27 25.99 25.67 24.95 電源效率(lm/W) 量子效率(%) 8.32 8.16 亮度 (Cd/m2) 2656 2598 衣這的顯不出在驅動電壓 和效率上具有與比較實例相同的程度。 突出的使用壽命特性 然而’參考第9圖’可以看出本實施中的〇LED與比較實例相比 A/古田查各4主从》 % 如上所述本發明實施例中的〇Led具有混合層，位於電洞傳輸層和 發光層之間，其中電洞傳輸功能材料和發光功能材料分別具有濃度梯度， 並因此電洞傳輸層和發光層之間的能障降低，從而延長〇LED的^命广 因此’優點在於可以提高0LED的壽命，並反過來設置高穩定 OLED 〇 前述實施例和優點僅僅用作示例說明並不用作限制本發明。本發明教 授的内容可以應麟各種裝置。可親解地是凡有在姻之發鴨神下所 201112866 作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範嘴。 在申請專郷圍巾，裝置加雜的權項意在覆錄行所列功能的結構，不 僅，為結構的等效㈣且還是等效結構4外除非術語“裝置’，在申請專 利範圍中嚴格地說明，這種限制並不基於35usc 112 (6)解釋。 【圖式簡單說明】 所附圖式其中設置關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成 本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且描述一同設置對於本發明 施例之原則的解釋。 圖式中： • 第1圖為說明本發明第一實施例中OLED的圖式； 第2圖為說明第一實施例中混合層中電洞功能材料和發光功能材料的 濃度梯度的圖式； 第3圖為本發明實施例中OLED的能帶圖； 第4圖為說明本發明第二實施例中〇LED的圖式； 第5圖為說明本發明第三實施例中〇LED的圖式； 第6A圖至第6F圖為說明本發明第三實施例中製造〇LED方法的各 個步驟圖式； 第7圖為說明本發明第四實施例中〇leD的圖式； φ 第8A圖至第8C圖為說明本發明第四實施例中製造OLED方法的各 個步驟圖式；以及 第9圖為說明根據每一個實施例和對比實例製造的〇LED的壽命的圖 式。 【主要元件符號說明】 100 有機發光裝置(OLED) 110 基板 120 第一電極 131 電洞傳輸層 132 混合層 15 201112866
133 140 200 210 220 231 232 233 234 235 236 240 300 310 320 325 330 331 332 333 335 338 340 341 342 351 352 353 360 400 發光層 第二電極 有機發光裝置(OLED) 基板 第一電極 電洞注入層 電洞傳輸層 混合層 發光層 電子傳輸層 電子注入層 第二電極 有機發光裝置(OLED) 第一基板 第一電極 岸層 第二基板 電洞傳輸層 混合層 發光層 生熱元件 絕緣層 第二電極 發光功能材料圖案 電洞傳輸功能材料圖案 電洞傳輸層 混合層 發光層 第二電極 有機發光裝置(OLED) 16 201112866 410 第一基板 420 第一電極 425 岸層 431 電洞注入層 432 電洞傳輸層 433 混合層 434 發光層 435 電子傳輸層 436 電子注入層 440 第二電極
Claims (1)
- 201112866 七、申請專利範圍： 1.一種有機發光裝置（OLED)，包括： 一第一基板； 一第一電極，形成在該第一基板上； 一電洞傳輸層，形成在該第一電極上； 一發光層，形成在該電洞傳輸層上； 一第二電極，形成在該發光層上；以及 一混合層，形成在該電洞傳輸層和該發光層之間，其中該混合層包括 一電洞傳輸功能材料以及一發光功能材料， 其中該電洞傳輸功能材料和該發光功能材料分別具有一濃度梯度。 _ 2.如申請專利範圍第1項所述的有機發光裝置，其中，在該混合層中，該 電洞傳輸層具有一濃度梯度，其中該電洞傳輸功能材料的一濃度朝向該發 光層減少。 3. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光裝置，其中，在該混合層中，該 發光層具有一濃度梯度，其中該發光功能材料的一濃度朝向該發光層增加。 4. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光裝置，其中，在該混合層中，該 電洞傳輸功能材料和該發光功能材料具有彼此成反比的濃度梯度。 5. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光裝置，其中，該發光層具有大約 5nm至150nm的厚度。 • 6.如申請專利範圍第5項所述的有機發光裝置，其中，該混合層的厚度相 對該發光層的厚度大約為1%至30%。 7. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光裝置，進一步包括在該第一電極 和該電洞傳輸層之間的一電洞注入層。 8. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光裝置，進一步包括在該發光層和 該第二電極之間的任何一個或多個電子傳輸層和電子注入層。 〇 9. 一種有機發光裝置的製造方法，包括： 在一第一基板上形成一第一電極； 在面向該第一基板的一第二基板上形成一生熱元件； 在设置有社熱&件的該第二基板上方依序形成_發光功能材 和一電洞傳輸功能材料圖案； 、 18 201112866 對準並合併該第一基板和該第二基板，以及通過在該第二基板上的該 生熱元件施加電壓而轉移該電洞傳輸功能材料圖案和該發光功能材料圖 案，藉以同時形成一電洞傳輸層、一混合層，其中該混合層包括電洞傳輸 功能材料和發光功能材料，其中該電洞傳輸功能材料和該發光功能材料分 別具有一濃度梯度；以及 在該第一基板上方形成一第二電極。 10. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光裝置的製造方法，其中，在該混 合層中，該電洞傳輸層具有一濃度梯度，其中該電洞傳輸功能材料的一濃 度朝向該發光層減少。 11. 如申請專利範圍第ίο項所述的有機發光裝置的製造方法，其中，在該 混合層中，該發光層具有一濃度梯度，其中該發光功能材料的一濃度朝向 該發光層增加。 12. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光裝置的製造方法，其中，在該混 合層中，該電洞傳輸功能材料和該發光功能材料具有彼此成反比的濃度梯 度。 13. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光裝置的製造方法，其中，該發光 層具有大約5nm至150nm的厚度。 14. 如申請專利範圍第13項所述的有機發光裝置的製造方法，其中，該混 合層的厚度相對該發光層的厚度大約為1%至30%。 15. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光裝置的製造方法，進一步包括： 在形成該電洞傳輸層、該混合層、和該發光層之前，在該第一電極上形成 一電洞注入層。 16. 如申請專利範圍第15項所述的有機發光裝置的製造方法，進一步包 括：在形成該電洞傳輸層、該混合層、和該發光層之後，依序在該發光層 上形成一電子傳輸層和一電子注入層。 17·如申請專利範圍第9項所述的有機發光裝置的製造方法，進一步包括： 在該第二基板上形成該電洞傳輸功能材料圖案和該發光功能材料圖案之 前，在3亥第一基板上形成一絕緣層。 18·如申請專利範圍第9項所述的有機發光裝置的製造方法’其中，該生熱 元件由從銀(Ag)、金(Au)、銘(A1)、鋼(Cu)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、欽(Ti)、M(W)、 201112866 和鈕(Ta)構成的群組中至少擇其一製成。
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