TW201216534A

TW201216534A - Light emitting device

Info

Publication number: TW201216534A
Application number: TW100128371A
Authority: TW
Inventors: Gun-Kyo Lee
Original assignee: Lg Innotek Co Ltd
Priority date: 2010-08-09
Filing date: 2011-08-09
Publication date: 2012-04-16
Also published as: US20110309404A1; JP2012039121A; JP5676395B2; US8519426B2; EP2418700B1; JP5869080B2; CN102376855B; TWI533483B; EP2418700A3; EP2418700A2; JP2014241444A; US20130328094A1; CN102376855A; US9041013B2

Description

201216534 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係主張關於2010年04月〇9曰申請之韓國專利案號 10-2010-0Q76422、2010年04月09日申請之韓國專利案號iq— 2010-0076423、2010年04月09日申請之韓國專利案號一 2010-0076425以及2010年04月09日申請之韓國專利案號 2010-0076462之優先權，藉以引用的方式併入本文用作參考。本發明係關於一種發光裝置和一種具有該發光裝置之發光系統。【先前技術】發光二極體光(LEDs)為一種半導體裝置，用於轉換電能成為光。此種LED相較於習知的光源，例如日光燈和白熾燈，具有例如低功率消耗、半永久使用壽命、快速反應時間、安全、以及環保的優點。許多以LED取代現有的光源的研究正積極的進行中。同時，根據使用在室内和戶外的各種燈泡和發光裝置例如液晶顯示裝置、計分板、以及街燈之光源的趨勢，LED被大幅地使用。【發明内容】實施例提供一種發光裝置具有一新穎結構、以及一種具有該發光裝置的發光系統。實施例提供一種發光裝置包括一絕緣膜用以支撐複數個金屬層和一發光晶片電性連接至該些複數個金屬層、以及一種具有該發光裝置的發光系統。 201216534 實施例提供一種發光裝置，在該發光裝置中，一樹脂層係圍繞著一發光晶片設置和一導件(gUide member)係圍繞著該樹脂層設置、以及一種具有該發光裝置的發光系統。在一實施例中，一發光裝置包括：彼此間隔開的複數個金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該複數個金屬層部份的上表面係為開放’該第一絕緣膜係圍繞著該複數個金屬層的上表面設置；一發光晶片設置在該複數個金屬層的至少一層上，該發光晶片係電性連接至另一金屬層；一樹脂層設置在該複數個金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件設置在該第一絕緣膜上。在另一實施例中，一發光裝置包括：彼此間隔開的複數個金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該複數個金屬層部份的上表面係為開放，該第一絕緣膜係附著至該複數個金屬層的上表面上’ 一發光晶片設置在該複數個金屬層的至少一層上，該發光晶片係電性連接至另一金屬層；一樹脂層設置在該複數個金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件由一金屬材料所形成，該第一導件係設置在該第一絕緣膜和該複數個金屬層的至少一者上。在再一實施例中’ 一發光裝置包括：彼此間隔開的複數個金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該複數個金屬層部份的上表面係為開放’該第一絕緣膜係設置在該複數個金屬層上表面上；一黏著層在該複數個金屬層和該第一絕緣膜之間；一第二絕緣膜對應於該複數個金屬層之間且具有一寬度寬於該複數個金屬層之間的間距’於該複數個金屬層的上表面上；一發光晶片設置在該複數個金屬層的至少一層上；一樹脂層設置在該複數個金 5 201216534 屬層和該發光晶m及―第—導件設置在該第一絕緣膜的上表面上。或更多實施觸細節將於下轉咖示進行說明。其它特徵將從說明和圖示、以及權利宣告中變得更為顯而易知。【實施方式】 - 、在實施例的描述中，應予理解，當提及-層（或膜）、-區域「圖案或結構疋在另一層（或膜）、區域、電極塾或圖案，，上方/下方」’該術語「上方/下方」包括，，直接，，與，，間接的意〜再者，「上方/下方」的參照將以附圖為基礎。 -在圖示中’每—層的厚度或尺寸係被誇大、省略、或示意地繪示以方便描述和說明。在後文中’實施娜參照伴隨_示來說明。、圖1為根據第—實_之發光裝置_意圖。目2為圖1 中沿著線A-A的側剖視圖。參’’、、圖1和圖2 ’ 一發光裝置100包括複數個金屬層1卜 13、多個絕緣臈20⑵和23)在金屬層n、13上、一發光晶片 41在複數個金屬層1卜13的第-金屬層n上、—導件31在該絕緣膜2G上、以及—樹脂層61覆蓋著發光晶片4卜在該些金屬層11、13上。。該一金屬層1卜13可包括至少兩層。該至少兩金屬層1卜 β，]隔開，因此兩金屬層11、13為電性開路或實際地彼此間隔開。金屬層η、13可使用-金屬板來實現，例如一引線架。 201216534 該複數個金屬層11、13的下表面S3可彼此齊平且側表面 S1可暴露至外部。熱效率可經由金屬層n、13暴露出的下表面 S3和側表面S1而改善。至少兩金屬層η、13可分別地作為電極0 該複數個金屬層11、13可由鐵(Fe)、銅(Cu)、一合金包含鐵(Fe)例如鐵(Fe)-錄（Ni)、紹（A1)、一合金包含銘（A1)、或一合金包含銅(Cu)例如銅(Cu)-錄（M)和銅(Cu)-鎮（Mg)-錫(Sn)所形成。同時，每一金屬層11、13可以單層或多層方式提供。金屬層11、13係所由一材料例如鐵(Fe)或銅(cu)所形成^同時，一反射層由鋁(A1)、銀(Ag)、或金(Au)所形成或一接合層可設置在金屬層11、13的上表面及/或下表面上。當金屬層11、13形成有引線架時，機械強度和熱傳導可較為優越。此外，熱脹係數可較大、加工性可被改善，只有當重覆執行彎折作業時會有一點損失，且可容易執行電鍍或銲接程序。每一金屬層11、13可具有約15 μιη至約300卿的厚度，且最好是約15 i/m至約50 μιη。同時，金屬層11、13可作為一支樓框架用以支撐全部的發光裝置和一散熱件用以傳導從發光晶片41 產生的熱。在金屬層11、13的外區域，一第一方向γ的長度γι 和垂直於該第一方向Y的一第二方向X的長度X1可根據發光裝置100的尺寸而改變。發光裝置100可不包括一獨立體(separate body)，例如：由聚鄰苯二甲醯胺（polyphthalamide，PPA)所形成的樹脂類體 (resin-based body)。因此，注入和成型程序用以接合金屬 201216534 層11、13至該獨立體則可被省略。每一金屬層u、13的部份可具有可彎曲形（flexibly curved shape)或以一預定角度彎曲，但並不限定於此。在後文中，為了第一實施例的描述，包括一第一金屬層η 和-第二金屬層13的金屬層1卜13將作為範例來描述。第一金屬層11和第二金屬層13的下表面S3可可彼此齊平。同時，第-和第二金屬層η、13可使祕接而接合至—印刷電路板 (PCB)或一散熱板。 -分離部Π可設置在第-金屬層u和第二金騎18之間。分離部17可實際地從第二金屬層13間隔開第一金屬層 η。分離部17可具有一直線形、一曲線形、以及一彎線形 (curve lnie shape)中的之-者。魏形可具有根據第—和第二金屬層1卜13的形狀或尺相改變的寬度麵狀。分離割一金屬架成為第一金屬層和第二金屬層丨1 U曰第一和第二金屬層1丨、13可彼此 η。m… 攸間隔開-約10卿的間距 G卜間距G1可為分離部17的寬度。兩么屬恳11 1〇 77離部17可防止該 2屬層π、13發生電性短路。分離部17 μ 填充一材料’但並不限定於此。 p y〆第一或第二金屬層11、13可經由狀，例如_、多邊形、以及半球形。以程序而具有各種形 8 201216534 係由止層可設置在第-和第二金屬層1卜13表面上且係金⑽層所形成。該氧化防止層可防止第-和第二金屬層 1卜13的表面變形。 *一金屬層絕緣膜2卜23可分別地設置在第—和第二金屬層n、13 上。絕緣膜2卜23可圍繞著第—金屬層η或/及第二金屬層13 設置。絕緣膜2卜23可附著至第-和第二金屬層η、13的上表面以分別地支和第二金屬層u、13。絕緣膜2卜23可附著至該複數個金屬層1卜13的上表面以支撐該些金屬層。大致上，絕緣膜21、23可執行一相似於該獨立體的功能。每一絕緣膜21、23可包括一透光膜(light_transmitting film)或非透光膜(non-iight-transmitting film)。舉例而言，每一絕緣膜21、23可包括一聚亞醢胺（p〇iyimide，PI)膜、一聚亞醯胺(polyethylene terephthalate，PET)膜、一乙烯醋酸乙烯 (ethylene vinyl acetate,EVA)膜、一聚萘二甲酸乙二醇酯 (polyethylene naphthalate，PEN)膜、一聚醋酸乙烯酯 (triacetyl cellulose，TAC)膜、一聚醯胺醯亞胺（polyamide imide，PAI)膜、一聚二醚酮樹脂（polyether ether ketone, PEEK) 膜、一侧鏈型聚四氟乙稀(perfluoroalkoxy，PFA)膜、一聚苯硫醚（polyphenylene sulfide,PPS)膜、以及樹脂膜（PE、PP、和 PET) ° 黏著層可分別地設置在絕緣膜21、23和金屬層11、13之間。黏著層可分別地貼附(attach)絕緣膜21、23至金屬層11、 9 201216534 13。或者’絕緣膜2卜23可為一雙面膠帶（d〇bule_sided adhesive tape)或-單面膠帶（single adhesive tape)。每-絕緣膜2卜23可由具有—預定反射率的材料所形成，例如：約3G%或更多的反射率。絕緣膜2卜23的反射特徵可改善在發光裝置100内的表面反射效率。同時’每-絕緣膜2卜23可具有-光學功能。此處，光學功能可為-透細具有約5⑽或更多反射率的魏，且最好是， -透光膜具有約70%的反射率。每—絕緣膜2]1、23可包括一榮光體。該螢光體可塗佈在每一絕緣膜2卜23的上表面或下表面，或者增加至絕緣膜2卜23内。該螢光體可包括至少類螢光體矽酉夂鹽類（SH icate_based)螢光體、和一氮化類 (,.tride based)螢光體中的至少一者。該螢光體可具有一可見光類波長’例如·紅色、黃色、或綠色的波長。同時，每一絕緣膜21 23可以-螢光體膜來實現。該螢光體膜可吸收從發光晶片41發射出的光以射出具有—不同波長的光。 .㈣’每-絕緣膜21、23可包括-抗水氣（水氣 stance)膜。該抗水氣膜可防止水氣渗透以防止第一和第二金屬層11、13被氧化和短路造成。每、絕緣膜2卜23部份的上、下、或侧面可具有一粗縫結構’但並不限定於此。每絕緣臈2卜22可具有一厚度厚於每—金屬層π、13的 =牛例而日’每一絕緣膜2卜22可具有約30 n/m至約500 μπι 、旱度’且最好是’約4〇以m至約6〇卿的厚度。 201216534 猶膜21、23可分割成-第-絕軸21 ^置在兩金屬層、13上表_周_份上以及_第二絕軸23設置在第一和 ^二金屬層U、13邊界區域的上表面上。第二絕緣膜23可為第絕緣膜21的部份。同時，第二絕緣膜23可整合連接至第一絕 Ϊ:1 膜狀第—和第二絕緣膜21、23可由相同的材料所形成和形第一絕緣膜2!可具有蚊寬度W1。或者，第—絕緣膜21 =有彼此不_寬度。第一絕緣膜21可具有—至少數切或夕之寬度W1。第二絕緣膜23可具有—岐寬度呢。或者，第可具有彼此不同的寬度。第二絕緣膜23可具有一寬二W2寬於介於金屬層n、13之間的間距g卜舉例而言，第二 =3可具有一約2〇娜或更多之寬度。第一絕細的寬二1可相或不同於從第二絕緣膜23的寬度W2。第二絕緣族楚、有-至少2Gm或更多之寬度以支樓該兩金屬層u、13。門^絕緣膜23可對應於第—金屬層11和第二金屬層13之 ::時’第二絕緣膜23可設置在第一和第二金屬層n、13上 ’並具有—寬度寬於介於金屬層u、13之間的間距。表：膜=的外表面可與第-和第二金屬層11、13的侧膜可具有概__構如料連賴^心麵） 201216534 絕緣膜21、23可具有開放區域A1、A2。開放區域A1、A2 可為孔洞（ho 1 es)或開放區域(0pened areas)。同時，開放區域 Al、A2可為第-金屬層u或/及第二金屬層13的上表面係經由每一絕緣膜21、23的内部而暴露出的區域。開放區域Al、A2可包括一第一開放區域A1，經由該區域 A1，部份的第一金屬層u上表面係暴露出、以及一第二開放區域A2，經由該區域A2，部份的第二金屬層13上表面係暴露出。第一開放區域A1可具有一尺寸和形狀等同或不同於第二開放區域A2的尺寸和形狀。在本實施例中，雖然當提供兩金屬層 11、13時提供了兩開放區域Al、A2，如果提供了三或更多的金屬層11、13時，開放區域的數量隨之增加。每一開放區域μ、 A2可具有一尺寸和形狀根據每一絕緣膜21、23的寬度和形狀而改變。該複數個開放區域Al、Α2中的一個區域，例如：第二開放區域S2可具有-約60卿的最小寬度。當第二開放區域Α2具有一窄的寬度時，第二導線52的接合可能被妨礙。因此，第二開放區域Α2可具有一至少60卿的寬度。第一開放區域Α1可具有一足夠來安裝發光晶片41的寬度。同時，第一開放區域M可具有一寬度寬於第二開放區域A2的寬度。此處，雖然第一開放區域A1被描述成一安裝有發光晶片41的區域和第二開放區域A2 被描述成一第二導線52接合至的區域，本發明並不限定與此。舉例而言，第一開放區域A1可為一第二導線52接合至的區域而第二開放區域A2可為一安裝有發光晶片41的區域。 12 201216534 導件31可設置在第一絕緣膜21上。導件31可由一樹脂材料、一非金屬材料、或一金屬材料所形成。導件31可定義為一反射件或/及一阻塞件(dam member)用於防止樹脂材料溢流。導件31可由一樹脂材料，例如：抗焊劑（s〇ider resist)或一導電材料，例如：焊錫膏(s〇ldeir paste)所形成。抗焊劑可為一白色。因此，入射光可藉由該白色而有效地被反射。同時，導件31可由一金屬材料，例如：銀(Ag)、鋁（Αι)、銅（Cu)、金 (Au)、銀合金、鋁合金、銅合金、或金合金所形成。該金屬可以單層或夕層方式提供。同時，導件31可包括經由一電鍵程序得到的一反射層在一金屬種子層上，例如：銀(Ag)、鋁(μ)、和鎳 (Ni)層中的至少一者。 Π時，導件31可由非金屬材料所形成。該非金屬材料可包括一樹脂具有-白顏色，例如：具有抗焊劑（s〇lder resist)、二氧化鈦(Ti02)、以及玻璃織維中至少一者的一樹脂材料（例如· PPA)或一尚分子材料(例如：矽基或環氧化合物基材料）。或者，該非金屬材料可包括與該絕緣膜等同的材料。導件31可由具有約50%或更多的反射特性之金屬或非金屬材料所形成，且最好是，具有約或更多的反射特性。導件31可具有約15卿至約500卿的厚度T2。同時，導件 31可具有等同或不同於每一絕緣膜21、23的厚度。導件31可具有厚於每一絕緣膜21、23的厚度。由於光的定位 (orientation)角分佈，導件31可具有一較厚的厚度。同時，導件31的上表面可南於發光晶片&的上表面以反射光。 13 201216534 導件可設置在第一絕緣膜21上以對應至發光晶片i4的周圍。當俯視時，導件31可為一框架（frame)形、環w呢)形、或圈（1_形。當俯視時，導件31可具有一圓形或多邊形。同時，導件31可防止樹脂層61溢流。導件31可具有等同或不同於第一絕緣膜21的寬度。.當導件 31具有等同於第一絕緣膜21的寬度時，表面反射效率可被改善。當導件31具有小於第-絕緣膜21的寬度時，導件31可穩固地設置在第-絕緣膜21上。由於導件31沿著第一絕緣膜21 設置，導件31可具有開放的區域。當導件31具有導電性時，導件31可設置在第一絕緣膜21 的上表面上。同時，部份的導件31可接觸該複數個金屬層u、 13中的一層。同時，當導件31自-絕緣材料所形成時’導件31 可接觸金屬層11、13的上表面。發光晶片41可設置在第一金屬層u上且電性連接至第一和第二金屬層11、13。發光晶片41可為-發光二極體具有可見光的波長帶且發射出紅、綠、藍、或白光或一發光二極體具有紫外光的波長帶，但並不限定於此。發光晶片41可以一側邊型晶片來實現，其中兩電極相互平行設置或一垂直型晶片其中兩電極彼此相反設置。該側邊型晶片可連接至至少兩導線51、52，而該垂直型晶片可連接至至少一導線(例如：元件符號52)。 201216534 發光晶片41可制-導電或絕緣軸著至第—金屬層【卜此處，當-賴設置在發光晶片41的下部（丨㈣⑽出⑻上時’可使㈣電膠。同時’當—絕緣基板設置在下部上時，可使用導電膠或絕緣膠。發光晶>} 41可使用-第-導線51連接至第一金屬層“和使用-第二導線52連接至第二金屬層13。同時，發光晶片41 在一覆晶型式下可電性連接至第一和第二金屬層11、13。雖然發光晶片41設置在第一金屬層η上，發光晶片41可設置在第一金屬層11及/或第二金屬層13上，但並不限定於此。發光晶片41可使用第一導線51連接至第一金屬層u和使用第一導線52連接至第二金屬層13。此處，發光晶片&可具有一約80輝或更多的厚度。導線51、52中之一者的最高點可設置在一高於發光晶片41上表面約40/μ或更多的位置上。一螢光層（phosphorlayer)可塗佈在發光晶片41的表面上，該螢光層可設置在發光晶片41的上表面上。同時’一保護裝置例如齊納二極體或暫態電壓抑制器 (transient voltage suppressor, TVS)二極體用以保護發光晶片41可設置在第一和第二金屬層11、13中至少一者上或下方。保護裝置可電性連接至發光裝置41。保護裝置可連接至第一和第二金屬層11、13且平行連接發光晶片41。因此，保護裝置可保護發光晶片41對抗施加至發光晶片41内的異常電壓。保護裝置可因此而省略。 15 201216534 樹脂層61可設置在第一和第二金屬層U、13上。部份的樹脂層61可設置在第-絕緣膜21的上表面上。樹脂層61設置在導件内的-開放區域上。導件31的開放區域可大於第一和第二開放區域A卜A2。樹脂層61可覆蓋導件&的内部區域，例如·第-開放區域A1和第二開放區域A2。樹脂層Μ可實際地與第-P姐區域A1和第二開放區域A2分離。触層61可由_透爾脂類材料，例如：料環氧樹脂所形成。樹月g層61可具有-約80 _至約500卿的厚度T3。樹脂層 61可以單層或多層的形式來提供^當雛層61具有多層結構時，最低層可具有一小於約8〇卿的厚度。當樹脂層61.具有多層結構時，樹脂層61可堆疊有相同或不同的材料。或者，該多層可堆疊從具有低硬度的層至具有高硬度的層’或從具有高反射率的層至具有低反射率的層之順序。翻旨層61上表面的部份可低於導件31的上表面或高於每一絕緣膜21、23的上表面。同時，樹脂層61可設置在一高度足以覆蓋導線5卜52，但並不限定於此。樹脂層61可包括一螢光體。該螢光體可包括具有可見光例如百、綠、或紅光波長帶中的至少一螢光體。樹脂層61可分類成一透明樹脂層和一螢光層。該透明樹脂層和該螢光層可相互堆且以形成树脂層61。一螢光膜(ph〇Sph〇r film)，例如：一光致發光膜(photo luminescent film, PLF)可設置在樹脂層61上方 /下方，但並不限定於此。 201216534 上。該透鏡可具有一凸透鏡形

1發光叢置的製造程序的視圖。一透鏡可設置在樹脂層61 狀' —ηπ、去从一丨，.、層6 一金屬層1G可具有-尺寸足以製造如圖1 金屬層具有一條(bar)狀的尺寸且足參照圖3和圖4，一金屬層所示的發光裝置。或者，金屬居以1造出排列在-第-方向（水平或垂直方向）上的複數個發光裝置或具有-矩_的尺寸且足以製造在水平和垂直方向上的複數個發錄置。製造_發光裝置的金麟可切成一獨立發光裝置或兩滅更多發光裝㈣單元。錢文巾，為實施例的描述’胳製造-發光裝置的金麟將被作為範例。舉例而言’金屬層10可以—金屬板，例如引線架來實現。金屬層10可由鐵(Fe)、銅(Cu)、-合金包含鐵㈣例如鐵㈣_ 錄(Ni)紹(A1)、一合金包含銘(Ai)、或一合金包含銅(cu)例如銅(Cu)-錄(Ni)和銅(Cu)_鎮(Mg)_錫(Sn)所形成。金屬層1〇可形成為單層或多層。同時，由!S(A1)、銀(Ag)、金(Au)、或抗谭劑 (solder resist)所形成的一反射層或一撵合層可形成在金屬層 10的上表上及/或下表面上。該金屬層的電錢程序或塗佈程序可在形成絕緣膜21、23的前或後執行。金屬層10可具有約15 )um至約300 μιη的厚度。因此，金屬層 10可作為一支撐框架用以支撐發光裝置。由於金屬層10並非以一獨立體來提供，例如：並不是由聚鄰本二甲醯胺(polyphthalamide, ΡΡΑ)所形成的樹脂類體（resin_ 17 201216534 based body)射出成形的，部份的金屬層ι〇可具有一彎曲形 (flexibly curved shape)或以一預定角度彎曲。圖4為一絕緣膜在金屬層上的剖視圖，而圖5為圖4的平面圖。參照圖4和圖5，絕緣膜20(21、23)形成在金屬層10上。每一絕緣膜20(21、23)可具有一約30 μπι至約500 μπι的厚度T1 於金屬層10的厚度方向。同時’每一絕緣膜20(21、23)可有一厚於金屬層10的厚度。此處，雖然絕緣膜20(21、23)附著至金屬層的上表面，但金屬層10亦可附著至絕緣膜20(21、23)的上表面。這些程序的順序可以有所改變。絕緣膜20(21、23)可在一黏著層塗佈在金屬層1〇之後附著至金屬層10。在膠合程序(adhesive process)中，絕緣膜21和 23、絕緣膜20(21、23)附著至金屬層10，然後，以一預定溫度執行一壓合程序以貼附絕緣膜21'和23至金屬層1〇。每一絕緣膜21、23可為具有一絕緣特性的膜。同時，絕緣膜21、23可選擇性地包括具有光學功能、熱傳導功能、以及防水功能的膜。每一絕緣膜21、23可包括一聚亞醯胺 (polyimide，PI)膜、一聚亞醯胺（polyethylene ter 印 hthalate, PET)膜、一乙豨醋酸乙烯（ethylene vinyl acetate, EVA)膜、一聚萘二甲酸乙二醇酉旨（polyethylene naphthalate, PEN)膜、一聚醋酸乙烯酯（triacetyl cellulose，TAC)膜、一聚醯胺酿亞胺（polyamide imide，PAI) 膜、一聚二醚酮樹脂（polyether ether ketone，PEEK)膜、一侧 201216534 鏈型聚四氟乙稀（perf luoroalkoxy，PFA)膜、一肀世來本硫鱗 (polyphenylene sulfide，PPS)膜、和樹脂膜（pe、Pp 、和 PET) ° 每一絕緣膜21、23可形成具有一黏著層的膜，例如：一 • 一雙面膠帶或一單面膠帶。當每一絕緣膜21、23由一透光材料所形成時，絕緣骐21、 23可包括一螢光體或/及一散射劑（scattering agent)。該榮光體或分散劑(dispersion agent)可塗佈在絕緣膜21、23的表面上或加入至絕緣膜21、23中。每一絕緣膜21、23可為具有一預定反射率的膜，例如：約 30%或更多的反射特性的膜。絕緣膜21、23可在複數個開放區域Ai、A2形成之後附著至金屬層10。開放區域A1、A2可為孔洞（holes)或開放區域形成在單一膜中。同時，開放區域A1、A2可為金屬層1〇上表面經由每一絕緣膜21、23的内侧而暴露出的區域。絕緣膜21、23可分割成圍繞著第-開放區域A1或金屬I 1〇形成的一第一絕緣膜21以及圍繞著第二開放區域A2形成的一第二絕緣膜23。第 -絕緣膜23可為第-絕緣膜21的—部份。同時，第二絕賴 23可與第-絕緣膜21整合成形。第—和第二絕緣膜21、23可以單一膜(single fiie)來實現。第一絕緣膜21可具有一固定(constant)寬度W卜或者，第 -絕緣膜21可具有彼此不同的寬n絕緣膜21可具有一數十m或更多的寬度W1。第二絕緣膜23可具有一固定寬度W2。或 201216534 者，第-絕緣膜23可具有彼此不同的寬度。第二絕緣膜23可具有-寬度W2大於金屬層1卜13之間關距G卜舉例*言，第二絕緣膜23可具有-約20卿或更多的寬度。第—絕緣膜21的寬度W1可等同或不同於第二絕緣膜23的寬度W2。、該複數侧放區域A卜A2中之-者，例如：第二開放區域 A2可具有一約6〇卿的最小寬度。第二開放區域A2可具有不會妨礙導線之接合程序的寬度。第一開放區域A1可具有足以安裝一發光晶片的寬度。同時，第一開放區域A1可具有一寬度寬於第二開放區域A2的寬度。此處，雖然第一開放區域A1被描述為一安裝發光晶片的區域而第二開放區域A2被描述為一導線接合的區域，本發明並非限定於此。舉例而言，第一開放區域Μ 可為一導線接合的區域而第二開放區域A2可為一安裝發光晶片的區域。可在一單一絕緣膜上執行一沖壓程序、一切割程序、或一蝕刻程序以形成第一開放區域A1和第二開放區域A2。第一和第二開放區域A1和A2可改變寬度或形狀。開放區域A1、A2可形成絕緣膜20(21、23)附著至金屬層10之前或之後。金屬層10上表面可經由絕緣膜21、23的第一和第二開放區域Al、A2而暴露出。舉例而言’每一絕緣膜21、23可印刷或塗佈一絕緣材料，例如氧化物如藍寶石（A1203)、Si02、SiOx、或SiOxNy或是氣化物。在此情況下，固化的絕緣膜21、23可由可撓曲或具有一預定黏度的材料所形成》 20 201216534 每-絕緣膜2卜23可具有網(mesh)狀或一粗糙形狀的一内表面或-預定内部區域。或者，複數個細微孔（fine h〇㈣可形成在絕緣膜21、23中，但並不限定於此。參照圖6和圖7，圖4的金屬層1〇可分割成複數個金屬層 11、13。該複數個金屬们H3可包括至少兩金麟。該至少兩金屬層1卜13可作為電極用以提供一電力。此處，在形成金屬層的電路之程种，舉例而言，在引線架的表面活化(activate之後，可塗佈光阻、可執行曝光料，、 :可執行顯影程序。當顯影程序完成時，可執行—爛程序以 =-所需的電路和剝落該光阻。之後，可於該金屬層的一表面仃一銀(Ag)電難序以處理金屬層的表面至—可接合的 (bondable surface)。寬度第舉=:U二具有一寬度等同或不同於第二金屬層13的金° —金屬層U可具有—尺寸大於或小於第一金屬層13的尺寸。或者，第—和第二 j於第- 相同的區域或彼此對稱的形狀。 1、13可具有彼此 :定分離部17可設置在第一和第二間隔開第一金和第二金屬層13。第 13之間以可彼此間隔開一的1Λ 和第一金屬層11、13 ^開一約10迎1或更多的間距G1。絕緣膜23的寬度们。 3距G1可小於第二第二絕緣膜23可維持第一和第二金屬層u、，而第一絕緣膜21可支撐金屬層u、13。 a的間距 21 201216534 此處’第二金屬層13可經由第一金屬層n的一側面向内延伸。第一金屬層13可具有左長度di和右長度D2其根據第二開放區域A2和絕緣膜21、23而改變。參照圖6和圖8，一導件31形成在絕緣膜2卜23的上表面上。可執行-印刷程序、-塗佈程序、或一薄膜黏著程序中之一者以形成導件3卜在印顧序巾，可執行—鮮程序於除了將被印刷的區域外之區域和可執行一網版印刷程序以形成導件 31。在塗佈程序中，可塗佈一反射材料以形成導件31。在薄膜黏著程序中，一膜例如可附著一反射片以形成導件31。此處，導件31和絕緣膜21、23的材料可因導線接合或迴焊(refl〇w)程序之熱特性來選擇。導件31可以使用抗焊劑或焊錫膏之印刷方式形成。抗焊劑可為白色以有效地反射入射光。同時，導件31可由一高反射材料所形成，例如：銀(Ag)、鋁（A1)、銅(Cu)、金(Au)、銀合金、鋁合金、銅合金、或金合金。反射材料可以單層或多層方式提供。同時，可於一金屬種子層執行一電鍍程序，例如：在一材料例如銀(Ag)、鋁(A1)、或鎳(Ni)以形成導件31。同時，導件31可由一非金屬材料所形成。非金屬材料可包括一白色樹脂，舉例而言，一樹脂（例如：PPA)其中混合有Ti〇2 和玻璃織維。當導件31具有絕緣和反射特性時，可不需要一單獨的絕緣膜，但並不限定於此。導件31可由具有一約50%或更多的反射特性的一金屬或非金屬材料所形成，且最好是，一約90%或更多反射特性的材料。 22 201216534 件31 件31 變〇厂=約15，至約5°° -厚度τ2。同時，導了具有—厚度物或刊於每—絕賴2 : 可具有-她和一排列結構其因光的定位二圍。導糊21上以瓣如⑷的周 tr^ai, ^(ring)"' ^1(1〇〇p)^ ° 表面上中31可連續或不連續地形成在第-絕緣膜21的上導件31可具有一寬度W3等同或不同於第-絕緣膜21的寬度。當導件31具有一寬度等同於第一絕緣膜21的寬度時’則可改善表面反射效率。料件31具有-寬度不同於第—絕緣膜21 的寬度時，則導件31可穩固地設置在第一絕緣膜21上。當導件31具有導雜時，導件31可設置在第—絕緣膜21 的上表面上。同時，部份的導件31可接觸兩引線架u、13中之者Π時^導件31由一絕緣材料所形成時，導件31可從第一絕緣膜21的上表面延伸至金屬層丨丨、a的上表面。參照圖8和圖9，發光晶片41可設置在第一金屬層u上且電性連接至第一和第二金屬層11、13。發光晶片41可為一發光二極體具有可見光的波長帶且發射出紅、綠、藍、或白光或為一發光二極體具有紫外光的波長帶，但並不限定於此。發光晶片41可以一侧邊型晶片來實現，其中兩電極相互平行設置或一垂直型晶片其中兩電極彼此相反設置。該侧邊型晶片 23 201216534 可連接至至少兩導線51、52，而該垂直型晶片可連接至至少一導線(例如：元件符號52)。發光晶片41可使用一導電或絕緣膠附著至第一金屬層11。此處’當一電極設置在發光晶片41的下部（lower portion)上時，可使用導電膠。同時，當一絕緣基板設置在下部上時，可使用導電膠或絕緣膠。發光晶片41可使用一第一導線51連接至第一金屬層u和使用-第二導線52連接至第二金屬層13。同時，發光晶片& 在一覆晶型式下可電性連接至第—和第二金屬層u、13。 *雖然發光晶片41設置在第一金屬層η上，發光晶片可 «•又置在第-金屬層u及/或第二金屬層η上，但並不限定於此。發光曰曰片41可使用第一導線51連接至第一金屬層u和使古一的導線52連接至第二金屬層13。此處，發光晶片41可具喊更多的厚度。導線51、52中之—者的最高點可設置在^於發光晶片41上表面約或更多的位置上。如^^和圖1G，樹脂層61可由—透鴨脂類材料，例如發或環氧 61可^161可具有一約8G娜至約漏_厚度T3。樹脂層最低層可的方式提供。當翻旨層61具有錢結構時，具有一厚度小於約8G _厚度。 24 201216534 _當樹脂層61具有多層結構時，樹脂層61可堆疊有相同或不同的材料。或者’該多層可堆疊從具有低硬度的層至具有高硬度的層’或從具有高反射率的層至具有低反射率的層之順序。樹脂層61上表面的部份可低於導件31的上表面或高於每絕緣膜2卜23的上表面。同時，樹脂層61可設置在一高度足以覆蓋導線51、52，但並不限定於此。樹脂層61可包括一螢光體。該螢光體可包括具有可見光例如黃、綠、或紅光波長帶中的至少—螢光體。樹脂層61可分類成-透明翻旨層和-¾光層。該咖樹脂層和該螢光層可相互堆疊以形成樹脂層6卜-螢光膜(phosph〇r film)，例如··一光致發光膜(photo luminescent film，plf)可設置在樹脂層61上方 /下方’但並不限定於此。樹脂層61可覆蓋在導件31的内部區域，例如：第一開放區域A1和第二開放區域A2。樹脂層61可實際地從第—開放區域 A1和第二開放區域A2分離。 -透鏡可設置在樹脂層61上。該透鏡可具有—凸透鏡形狀、-凹透鏡形狀、或-凸凹透鏡形狀，但並不限定於此。同時’該透鏡可與細旨層61的上表面_或間隔開，但並不限定於此。圖11為根據第二實施例發光裝置的侧剖視圖。參照圖U，-發光晶片41可接合在一第一金屬層n上。同時，發光晶片41可電性連接至第-金屬層U和經由一導線 52而連接至一第二金屬層13。 25 201216534 一絕緣膜24可附著至介於第一金屬層η和第二金屬層13 之間的一下侧。絕緣膜24可維持介於第一金屬層η和第二金屬層之間的一預定間距且支撐介於第一金屬層U和第二金屬層13 之間的一部份。一樹脂層61設置在第一金屬層11和第二金屬層13上。樹月曰層61可經由一轉移成形法（transfer m〇iding method)以一預定形狀射出成形。根據該轉移成形法，一液態樹脂填充至具有一預定形狀的框架，然後被固化。因此可形成一樹脂層61具有所欲的形狀。樹脂層61可具有一圓柱形（cylindrical shape)、一多角柱升>(polygonal c〇lumn shape)、或粗縫面形狀（uneven surface shape) ’但並不限定於此。部份61A的樹脂層61可設置在第一金屬層11和第二金屬層 13之間且可接觸絕緣膜24的上表面。樹脂層61的外表面可從第一金屬層n或第二金屬層13的外部以一預定距離T3向内間隔開。因此，可暴露出第一金屬層 11和第一金屬層13的外上表面。該距離T3可為約1卿或更多。同時，一反射層可進一步地設置在部份的上表面上或樹脂層 61的侧表面上，但並不限定於此。圖12為根據第三實施例包括複數個發光晶片之發光裝置的侧剖視圖。參照圖12, 一發光裝置包括三層或更多的金屬層lu、 11B、11C和兩個或更多的發光晶片41A、41B。發光晶片4ia、 26 201216534 可射出具有相同峰值波長(peak wavelength)或不同峰值波長的光。金屬層11A、11B、11C排列在相同平面上。一第一絕緣膜 21圍繞著金屬層ha、ΠΒ、lie設置。第二絕緣膜23A、23B分別地設置在彼此相鄰的金屬層iiA、之間以支撐和固定彼此相鄰的金屬層11人、113、1巧、11(>第三絕緣層22 可設置在第二金屬層ΠΒ的一中央侧且將第二金屬層11B分割成兩區域。第一至第三絕緣膜21、23A、23B、22可以單一膜或彼此分離的膜之方式來提供，但不限定於此。一第一發光晶片41A和一第二發光晶片41B設置在第二金屬層11B上並間隔開。一第三絕緣膜22設置在第一發光晶片4ia 和第二發光晶片41B之間。 -導件31 ^置在第-絕緣膜21和第三絕賴22上。導件 31設置在-位置高於發光晶片41的—上表面以反射從發光晶片41A、41B發射出的光。樹脂層62、63分別地設置在第一和第二發光晶片4U、仙 j。每-樹脂層62、63的部份可設置在與導件31上表面相同的南度或-高度小於導件31的上表面，但不限定於此。第二金屬層11B可作為第一發光晶片41A和第二發光晶片 41B的共同電極。第-金屬層UA可作為一電極用來控制第一發光晶片41A，而第三金屬層uc可作為一電極用來控制第二發光晶片41B。 201216534 根據本實施例，雖然其描述有兩發光晶片41A、41B設置在左侧和右侧’但也可有三個或更多的發光晶片可設置成一矩陣型或一線狀橫跨(crossing)相同的中心。該些發光晶片可彼此串聯或並聯連接，但並不限定於此。同時，當第三絕緣膜22的一中心部份被切除時，發光裝置可被製成兩個發光裝置。圖13和圖14為根據第四實施例發光裝置之示意圖和側剖視圖。參照圖13和圖14，一絕緣膜25附著至一第二金屬層13上表面的周圍以支撐一第一金屬層丨丨和一第二金屬層13。絕緣膜 25覆蓋第一金屬層u和第二金屬層13之間的分離部17以支撐第一金屬層11和第二金屬層13之間的部份。一導件32圍繞著第一金屬層η的上表面設置。部份的導件 32可β又置在絕緣膜25的外部上表面上。導件π可圍繞著第一金屬層11的上表面和絕緣膜25的外部上表面設置。導件32可電性連接在第-金屬層11的上表邮藉由絕緣膜25與第二金屬層13的上表面電性分離。導件32可圍繞著第一金屬層η和絕緣膜25設置成-環形（loop麵e)、一框架形（【繼此㈣、或一環形(ring shape)。絕緣膜25可圍繞著第二金屬層13的上表面設置成一圈（loop)形、一框架形、或一環形。絕緣膜25可防止導件32與第二金屬層13實際地或電性接觸且防止第-和第二金屬層u、13發生短路。絕賴25和導件 32 "J支撐和固疋彼此相鄰的兩金屬層Μ、η。導件&可具有一厚度等同於樹脂層61的厚度。 28 201216534 根據本實施例，絕緣膜25可在區域中減少而導件犯可在區域中增加以改善光學反射效率。品圖15和圖16為根據第五實施例發光裝置之平面圖和侧剖視圖。參照圖15和圖16，絕緣膜21、23設置在第一和第二金屬層11、13的全部上表面上且包括複數個開放區域μ、μ、μ。該複數個開放區域Α卜Α2、A3包括-第-開放區域Μ、一第二開放區域Α2、以及-第三開放輯Α3。其中在第—開放區: Α1有-發光晶片41安裝在—第—金屬層u上、在域A2 -第二導線52接合至一第二金屬層12、在第三開放區域 A3 -第-導線51接合至第-金屬層u。如同另一範例，當發光晶片41具有-垂直型電極結構時，可以不界定㈣三接合區域 A3 ° 第-至第三開放區域m、A2、A3的每一者可具有圓形或多邊形。此處’第二開放區域A2可形成有一尺寸小於發光晶片41 下區域至少4倍或小於發光晶片下區域。每放區域Μ、A3可具有大於導線直徑(例如··約2〇卿至約5〇卿）的寬度或直徑，舉例而言，約6Gwn至約12〇卿。由於每-絕緣膜2卜23的黏著區較寬於在圖i結構中的黏著區’第一金屬層11和第二金屬層13可更被堅固地支樓。一導件31可醜著每-絕緣膜21、23a的上表面設置…樹脂層61 可被塑模在導件31内。圖17繪示圖15發光裝置的另一範例平面圖。 29 201216534 參照圖17 ’ 一發光裝置包括三金屬層u、13、15和一絕緣膜21貼附在金屬層11、13、15上。複數個開放區域Ai、A2、 A3被界定在一絕緣膜21上。該複數個開放區域A1、A2、A3可分別地為金屬層11、13、15上表面的開放部份。第二金屬層15設置在第一金屬層η和第二金屬層13之間。一發光晶片41安裝在第三金屬層15上。發光晶片41設置在絕緣膜21的一第一開放區域μ上。同時，一第二開放區域 Α2和一第三開放區域Α3可為導線接合區域。發光晶片41經由一第一導線51連接至在第三開放區域Α3 上的第一金屬層11且經由一第二導線52連接至在第二開放區域 Α2上的第二金屬層13。絕緣膜21的開放區域Al、Α2、A3為金屬層11、13、15上表面上設置有發光晶片41和導線5卜52的區域。同時，絕緣膜 21可堅SI地支擇金屬層u、13、15之間的部份且防止金屬層 11、13、15之間產生一梯狀部（stepped p〇rti〇n)以改善因焊接接合(solder bonding)的電性可靠度並同時改善熱傳效率。實施例之金屬層和絕緣臈修改後範圖18至圖27繪示根據一例的視圖。參照圖18，-第二金屬層13可設置在至少部份的一第一金屬層11上且於第-金屬層u的—侧可具有—圓形、—多邊形、或-隨機形狀。介於第-金屬層n和第二金屬層13之間的一分離部17可具有一致的或不規則的寬度。 201216534 第一金屬層11和第二金屬層13可具有彼此相互對應的表面且具有粗链結構11D、13D。粗繞結構iid、13D可改善第二絕緣膜23的黏著效率。如圖19所示，第二金屬層13可設置成一預定形狀，例如：圓形或多邊形，於第一金屬層11的至少一邊緣上。如圖20和圖21所示，第二金屬層13可具有一半球形在至少部份的第-金屬層11上或可具有一多邊形在第—金屬層u的一邊緣上。如圖22所示，第二和第三金屬層13A、13B具有一電路或多邊形在第-金屬層11的至少兩邊緣上。第二和第三金屬層 13A、13B可設置在第-金屬層1丨上彼此面對的邊緣上。第二和，第二金屬層13A、13B可分別地作為電極。第和第二金中的-者可作為-虚置圖案臈21、23可圍繞著該三金屬層u、13A、⑽設置。同時，絕緣膜2卜23可經由開放區域Μ、A2暴露該三金屬層u、13八、 13B的上表面。如圖23所示，第一金屬層11和第二金屬層13藉由在其一中央側的分離部17而被分割。同時，第—和第二金屬層u、13 可具有彼此的相同區域或彼此對稱。第二金屬層m —第一側的長度L1可小於減於第__第二侧之長度L2，但並不限定於此。、參照圖24,第二金屬層13可設置在部份的第一金屬層^ 上。第二金屬層13可具有H向的歧χ3，該第一方向寬 31 201216534 ^具有—尺寸’該尺寸約為第二金屬層U第二方向寬度χ2 的 1/2 〇寬層13可具有—第一方向的寬度該第-方向的寸，該尺寸約為第-金屬層丨1第二方向寬度上21設置在第一和第二金屬層11、13之間的邊界緣膜21覆蓋除了第二開放區域Α2之外的區域。第二金属的-外概_爾_無嶋絕緣膜21。二安装在第二金屬層13的開放區…。發先Β曰片可電性連接至該兩金屬層u。參照圖25，第二金屬芦n :上。第二金屬層13的-第-方第1:ί y =為第-金屬層u邮—方向寬度χι 寬度 XI、Y1的1/2或更多。外I件而無需提供—絕緣膜於第二金屬層13的-夕Μ上表面上，藉由導件覆蓋的區域可因此被改善。面延=L26一，第二金屬層13可經由第一金屬層η的一侧表部。金屬層11的⑽或可設置在第-金屬層11的内 =金屬層13Α -外部13〈的寬度W5可窄於一内部13_2 :寬度：。發光晶片可設置在第二金屬㈣的第一開放區_ 上，但並不限定於此。 32 201216534 參照圖27,第二金屬層13可具有一直徑和第一金層層u 的寬度一樣長且具有一半球形。一展η μ ^ 絕緣膜21可設置在第-金屬層11和第二金屬層13之間的邊界上。道㈣界上。—導件可圍繞著金肩層〈第六實施例〉參照圖28 第二金衫η 21 _著—第—金屬層11和^ 第:二設置。同時，設置覆蓋第-金屬層11和部份的—第二絕緣膜23。第—絕緣膜以和 23可彼此連接。—_域可設置在第—絕緣膜Μ 和第一絕緣膜23之間。、，曰一樹脂層63設置在第-絕緣膜21的開放區域上以覆蓋一發光:片41。可施加一液態樹脂類絕緣材料然後固化的以形成該樹月曰層63。此處，第一絕緣膜21可作為圍繞樹脂層⑸的一屏

障物(㈣°樹脂層63可具有—凸透鏡形狀的表面。樹脂層63A 中、阿具有-厚度大於第一絕緣膜21和第二絕緣膜Μ的厚度。導件31或一反射材料可進一步地圍繞著樹脂層63設置，但並不限定於。〈第七實施例〉參照圖29，一發光晶片45係晶粒結合(die_b〇nded)至一第一金J8層11且經由一導線連接至一第二金屬層13。一樹脂層 63 °又置在第一金屬層11和第二金屬層13上。 33 201216534 樹脂層63設置在金屬層1卜13的上表面上。-絕緣膜21 圍繞著樹脂層63設置。樹脂層63可具有一凸透鏡形狀。一導件 31或-反射材料可進-步地圍繞著樹脂層⑽設置，但並不限定於。 -間隔物18設置在第-金屬層u和第二金屬層13之間的 -分離部17上。該間隔物18係設置在第—金屬層u和第二金 .屬層13之間且由-絕緣材料所形成。間隔物18黏著於第一金屬層11和第二金屬層13之間。間隔物18可間隔開第一金屬層^ 與第二金屬層13以防止第-和第二金屬層u、13發生電性短路。間隔物 18 可由 Si02、SiOx、SiOxNy、Si3N4、A1203、和

Ti02中的至少一者所形成。樹脂層63可具有-下表面細第—金屬層u和第二金屬層 13的上側和間隔物18的上表面。〈第八實施例〉參照圖30 ’ 一表面粗糖(roughness)63A設置在一樹脂層63 的一表面上。表面粗糙63A可藉由於樹脂層61的表面上執行# 刻或射出程序（injecting process)而具有一粗糙表面。表面粗糙63A可改變光傳播至樹脂層63外部的臨界角以改善取光率。〈第九實施例〉參照圖31，一發光晶片41可以一覆晶方式安裝在一第一金屬層11和一第二金屬層13上。發光晶片41安裝在第一金屬芦 11和第二金屬層13上。第一金屬層11和第二金屬層ι3可具有相同的寬度。 34 201216534 一第一絕緣膜24係附著至第一金屬層11和第二金屬層a 的下表面以絕緣該兩金屬層11、13且支撐該兩金屬層u、13。一第一絕緣臈21可圍繞著第一金屬層I〗和第二金屬層a 的上表面貼附以固定該兩金屬層11、13。第二絕緣膜21可作為一屏障物以防止樹脂層63溢流。部份的樹脂層63可被充填於第一和第二金屬層u、13之間以維持介於第二絕緣膜21和金屬層11、13之間的間距。樹脂層63可具有一凸半球形狀。同時，具有一預定深度的一凹部63B係被界定在樹脂層63的中央。該凹部63β可具有角 (horn)狀或半球形狀。一反射材料72可設置在凹部6犯内。該反射材料72可包括一金屬氧化物。舉例而言，反射材料乃可形成至少一層由例如Ti02、或/及Si02的材料所形成以反射入射光至一側方向^樹脂層63和反射材料72可具有不同的折射係數。舉例而言，反射材料72可具有一折射係數大於樹脂層肋的折射舰。樹脂層⑽可反射-巾央方向朝向細方向的光以均勻地提供該光的定位角分佈。同時，一散射劑（scattering agent) ’除反射材料外可設置在凹部63B中，但並不限定於此。〈第十實施例〉參照圖32，一導件33形成在樹脂層61的一侧表面。在樹脂層61形成之後’導件33可藉由執行一舰或沉積法而沉積在樹脂層61的至少兩侧表面上。因此，由於導件撕而可改變製迻程序。導件33A的寬度和厚度可根據一沉積時間而調整。導件 35 201216534 33可由一反射材料，例如鋁(A1)或銀(Ag)或具有高折射係數的一光傳送材料，所形成。〈第十一實施例〉參照圖33 ’ 一發光裝置具有透鏡71設置在一樹脂層61上的結構。在樹脂層61上的一透鏡71可具有一凸半球形且可附著至樹脂層61和一導件31的上表面。導件31和透鏡71可分別地具有不平坦的表面，但不限定於此。〈第十二實施例〉參照圖34 ’ 一發光裝置包括相互排列的三金屬層u、13、 15。三金屬層Η、13、15的第一和第二金屬層U、13可作為電極。第三金屬層15可設置在第一和第二金屬層u、13之間且作為一散熱板。第一絕緣膜21圍繞著第一至第三金屬層I〗、a、a的上表面》又置以作為樹脂層61的一阻隔層（barrier)並支撐金屬層 11 13、15。第二和第三絕緣膜24A、24B可附著至介於第一和第，金屬層11、15之間和介於第二和第三金屬層13、15之間的 :部以支撐介於第-和第三金屬層1卜15之間和介於第二和第三金屬層13、15之間的部份。第二和第三絕緣膜施、24β可防止=些相鄰的金屬層發生短路。第二和第三絕緣膜24A、24B可 U為-單—膜或—分離膜於不同的區域上。同時’部份61A的樹脂層61充填於第一和第三金屬層u、層㉞1和第—和第二金屬層13、15之間㈣著至難相鄰金屬、則表面。此處’第二和第三絕緣膜24Α、24β可在樹脂層6ι 36 201216534 固化後被移除。金屬層1卜13、15可藉由樹脂層61和第一絕緣膜21而被支撐且具有一平坦下表面。一螢光層73設置在樹脂層61之上。螢光層73可為包括螢光體的一膜或添加螢光體的一樹脂層。螢光層73可從樹脂層μ 的上表面延伸直至導件31的上侧。螢光層73可吸收部份從發光晶片41發射出的光以射出一波長的光，該波長較被吸收之光的波長長’藉以在一顏色座標分佈（c〇l〇r c〇〇rdinate distribution)中移至一所欲之顏色座標（col〇r c〇〇rdinates)。〈第十三實施例〉參照圖35，一發光裝置具有第二導件34進一步地設置在第二和第三絕緣膜23A、23B上之結構。第二和第三絕緣膜23A、23B可覆蓋介於相鄰的金屬層11、 13、15之間的分離部17A、17B以附著至金屬層11、13、15的邊界的上表面。然後，一第二導件34設置在第二絕緣膜23A、 23B上。一第一導件31設置在第一絕緣膜21上。發光晶片41、 42、43設置在第一導件31和第二導件34的開放區域上。第一導件31和第二導件34可圍繞著發光晶片41、42、43設置以有效地反射入射光。第一發光晶片41設置在第一金屬層11上、第二發光晶片 42設置在第三金屬層15上、以及第三發光晶片43設置在第二金屬層13上。經由導線51、53，第一發光晶片41連接至第一金屬層11和第二發光晶片42的一第一電極。經由一導線54，第二發光晶片42的一第二電極連接至第三發光晶片43的一第一 37 201216534 電極。經由一導線52，第三發光晶片43的一第二電極連接至第二金屬層13。第二發光晶片42係直接地連接至其他發光晶片，但並不限定於此。經由導線51、52，第一發光晶片41可連接至第一金屬層 11。經由導線51、52 ’第一發光晶片41和第二發光晶片42可在高速傳輸晶片（Chip-to-Chip)中對應地連接。經由導線51、 52，第二發光晶片42可連接至第三金屬層。〈第十四實施例〉參照圖36，一發光裝置包括具有凹面S5的一樹脂層61。舉例而言，樹脂層61可具有高的侧邊部和低的中央部的一透鏡形狀。樹脂層61侧邊部和中央部之間的一間隙T6可為約〇〇〇llM 至約1麵。此間隙T6可防止與一導光板的接觸。因此，可防止由於導光板的接觸所造成的異常色彩分佈，例如色偏光模糊現象 (chromatic blur phenomenon) ° 〈第十五實施例〉參照圖37，一第一導件31可設置在一第一絕緣膜21上而一第二導件36可圍繞著一發光晶片41設置。第二導件36可具有一厚度較厚於或較薄於發光晶片41的厚度。部份的第二導件 36設置在發光晶片41和第二絕緣膜23之間。第二導件36的其它部份可設置發光晶片41和一第一導線51之間。第二導件36可具有一框架形、一圈形、或一環形。第二導件36可設置在第一金屬層u的一第一開放區域M内以有效地反射從發光晶片41發射出的光。 38 201216534 第-導件31可具有與第一絕緣膜21相同的寬第一導件31附著至第一絕 υ此在 —序。缘膜21之後’可執行例如沖壓根據本實施例，導件31、36可雙重地圍繞著發光晶片❸史置以改善光的反射效率和定位角分佈。〈第十六實施例〉參…圖38 ’ 一發光裂置包括第-和第二導件37Α、37Β於-第-絕緣膜21上。第一導件37Α可設置在第一絕緣獏21的上表面和内表面上。部份的第—導件37Α比第-絕緣膜21更靠近發光晶片45。第-導件37Α的下部可接觸第一金屬層u的上表面。第二導件37B可設置在第一絕緣膜21的上表面和内表面上。部份的第二導件37B比第一絕緣膜21更靠近發光晶片 45。第二導件37B的下部可接觸第二金屬層13的上表面。第一導件37A 了藉由-預定距離⑽延伸直至金屬層I〗、υ的上表面。距離D3可為約〇.lram或更多。 ^母第和第二導件37A、37B由-非金屬材料或一絕緣樹脂材料所形成時，第-和第二導件37A、37B可彼此連接。當每-第一和第二導件37A、37B由一導電材料所形成時，第一和第二導件37A、37B可實際地彼此分離。因此，第一和第一導件37A、37B可在第一金屬層11和第二金屬層13之間的邊界彼此間隔開。所以’接觸第—金屬層u的上表面的導件37A 和接觸第二金屬層13的上表面的第二導件37B可彼此分離以防止第和第一導件37A、37B發生電性短路。 39 201216534 同時’第三導件37C可設置在第二絕緣膜23的上表面和内表面以接觸第一金屬層11的上表面。第三導件37C可連接至第一導件37A且可與第二導件37B分離。第三導件37C可實際地與第二金屬層13間隔開。第一導件37A和第二導件37B可對應發光晶片45的周圍設置以有效地反射從發光晶片34發射出的光。第一導件37A、第二導件37B和第三導件37C的每一者可由一樹脂材料、一非金屬材料、或一反射金屬所形成。同時，對應至發光晶片45的第一導件37A和第二導件37B 内表面，相對於第一金屬層11的上侧，可具有一曲線形(curved shaPe)或傾斜形（inclined shape)。第-至第三導件37A、37B、37C可由相同材料或彼此不同的材料所形成，但並不限定於此。第一至第三導件、gw、可由一金屬材料或一絕緣材料所形成如同另一範例。〈第十七實施例〉參照圖39 ’ 一發光裝置更包括反射層81A、81B於一導件31 上。反射層81A、81B可由具有約7Q%或更高反射率的高反射金屬例如.銀(Ag)和紹(Ai)所形成。高反射金屬可經由電鐘或塗佈(coating)程序所形成。反射層81Α、81β可形成在導件31和第絕緣膜21的上表面和侧表面上。反射層可不連續地設置且彼此間隔開’以防止第—和第二金屬層發生電性短路。 201216534 根據上述實施例，由於絕緣膜21、23A、23B附著至金屬層 11、13的上表面周圍，金屬層的側表面可與絕緣膜Μ間隔開約 1 μπι或更多，但並不限定於此。〈第十八實施例〉參照圖40，在一發光裝置中，一發光晶片45接合至一第— 金屬層11而一第二金屬層13經由一導線53而連接至發光晶片 45。一第二絕緣膜23可貼附至第一金屬層11和第二金屬層13 之間的上表面上。一導件31設置在第一金屬層11上且第一絕緣膜21為一連續（continuous)或中斷(discontinuous)的形狀。舉例而言，導件31可具有框架形（frame shape)、圈形（l〇〇p shape)、和環形 (ring shape)。一樹脂層63可設置在導件31内且一螢光層73可設置在樹脂層63上。螢光層73的一螢光體可散布在整個區域中。同時，由於螢光體與發光晶片45間隔開，因此可防止褪色 (discoloration) 〇〈第十九實施例〉參照圖41，在一發光裝置中，一樹脂層係被移除且一光致發光膜（photo luminescent film) 74設置在一發光晶片41 上。光致發光膜（photo luminescent film) 74與金屬層11、 13、15間隔設置且藉由導件31來支撐。第二絕緣膜24A、24B可設置在金屬層11、13、15之間的上表面或下表面上，但並不限定於此。 201216534 〈第二十實施例〉圖42為-發光裝置的側剖視圖，而圖43為圖42的平面圖。參照圖42和圖43，-發光晶片41以一覆晶方式安裝在一第-金屬層11和-第二金屬層13上。—絕緣膜21圍繞著第__ 金屬層11和第二金屬層13設置。由一絕緣材料所形成的一間隔物18可設置在第一金屬層U和第二金屬層13之間。間隔物18防止一樹脂層之滲漏（leaking)。樹脂層66可圍繞著發光晶片41設置。部份的樹脂層防可延伸直至絕緣膜21的一上表面。〈第二Η•—實施例〉參照圖44，在-發光裝置中，絕緣膜23、24貼附在一第一金屬層11和-第二金屬層13之間的上表面和下表面上。一發光晶片45設置在第-金屬層u上而—樹脂層67麵㈤〇光晶片45。樹脂層67可具有與第—金屬層n和第二金屬層13相同的側表面。樹脂層67可具有一宽度對應至第一和第二金屬層 11、13兩侧表面之間的間距。此處’樹脂層67可在中央部67A具有最厚的厚度。同時，樹脂層67的厚度T4可從中央部⑽朝外側逐漸降低。中央部 67A具有-凸透鏡形狀。該厚度T4可大於或小於發光晶片奶的高度。此樹脂層67可使用—注人成型結構（injection moldmg frame)來製造。同時，由於發光裝置在樹脂層π固化 42 201216534 之後藉由每-發光裝置的尺寸單元而被切割和分離。因此，於製造程序時’發光晶片45可安裝在金屬層u、13上或樹脂層 67可设置在金屬層n、13上^介於金屬層丨卜13之間的一分離部17可在最後的樹脂層形成後經由一雷射或切割程序而形成’但並不限定於此。〈第二十二實施例〉參』、圖45 ’在-發光裝置中，一黏著層29設置在絕緣膜 2卜23和金屬層1卜13之間。黏著層29可使用例如梦或環氧樹脂的絕緣膠。黏㈣29可具有約12卿蚊大的厚度。同時’樹脂層61的上表面可高於一第一導件&或一第二導件31C的上表面。第二導件31C可設置在絕緣膜21上以有效地反射從發光晶片41發射出的光。〈第二十三實施例〉參照圖46，金屬層1卜13的上表面具有粗糖結構11E、 13E。粗糖結構HE、13E可設置在一第一絕賴21之下方並可延伸直至每-金屬層11、13的開放區域A1、A2。粗輪結構11E、13E可改善在金屬層n、13上的絕緣膜 21、23之間之一接觸區域或散熱效率。〈第二十四實施例〉參照圖47，-絕緣膜和一導件31的至少一内部表面可且傾斜平面别、·傾斜平面加、3M可從第-絕緣膜心 43 201216534 内部表面設置至導件31的内部表面。傾斜平面21d、31d可設置在第-絕緣膜21和導件31的一者或兩者的側表面上。每，斜平面21d、3ld相對於金屬層n、13的上表面可具有約15至約89。的-傾斜角。這些傾斜平面21d、3M於一發光方向可有效地反射光。同時，一反射材料可塗佈在傾斜平面 21d、31d上。該反射材料可為一非導電材料。或者，該反射材料可设置在-絕緣材料上’例如：黏著層，以防止該些金屬層發生電性短路。档ί月曰層61可具有-平坦上表面。由於傾斜側平面灿、 31d ’樹脂層61可具有一上部寬度寬於其之下部寬度。同時，第二絕緣膜23的内表面，例如對應至發光晶片45的表面，可為傾斜，但並不限定於此。同時，—第二導件可設置在第二絕緣膜23上4二導件可具有—傾斜内表面。〈第二十五實施例〉圖48A為-發光裝置的侧剖視圖。圖娜為當一絕緣膜設置在圖48A的一金屬層上的平面圖。參照圖48，-孔洞21E界定在一第一金屬層u上的一第一絕緣膜中。孔洞21E暴露第—金屬層u的上表面。一導件 31可形成在第-和第二絕緣膜21、23上。導件3ι的部份灿可經由該孔洞21E而接觸第-金屬層n。部份的導件3i且有一突起形狀(⑽rusion shape)。導件31具有小於第一絕緣膜21 201216534 導件31的部份31E可反射入射光當第一絕緣膜21由一光傳送材料所形成時。啊’當導件31和第-金屬層由-金屬所形成時，導件31和第一金屬層11可彼此附著以固定第一絕緣膜 2卜 ' 此處，當導件31由一非金屬材料或具非導電性的一樹脂系列所形成時，第一絕緣膜21的-貫孔(through hole)21E可界疋在每第一金屬層11和第二金屬層a中，除了兩金屬層 11、13間之邊界的上表面外。貫孔21E可以複數個的形式提供在第一絕緣臈21中。〈第二十六實施例〉圖49為根據一實施例的平面圖。圖5〇為沿著圖49線的剖視圖。圖阳為沿著圖51線C-C的剖視圖。參照圖49至圖51，-樹脂層68設置在第一和第二金屬層 11 13的整個上表面上以塑模(m〇ld)一發光晶片45。一溝槽 (gr嶋)19圍繞著樹脂層68設置。賴19可具有一環形、: 忙架开y或一多邊形。第一金屬層11的上表面可經由溝槽19而暴露出且可從第二金屬層13間隔開。韻刻程序可包括满餘刻程序或乾餘刻程序，但並不限定於此。 ^ 一導件38可設置在溝槽19 +且可由一反射材料所形成。導，38可圍繞著發光晶片45為一圓形或多邊環形設置。導件38 可接觸第一金屬層11且與第二金屬層以-預定間距T5間隔開。因此，導件38可不接觸樹脂層，68的下部。此處，該 68A可為一樹脂層或一絕緣黏著層。 45 201216534 田導件38歲入在樹脂層68巾時，導件38可接觸第一金屬層11的上表面且與第二金屬層13間隔開。同時，導件38在第金屬層11和第二金屬層13可具有彼此不同的高度。導件38 可反射從發光晶片45發射出的光。由於此種結構具有絕賴不疋分開貼附的結構，製造程序可因此簡化。樹脂層68的部份68C可充填於第一金屬層η和第二金屬層 13之間的-分離部17或_絕賴可附著至該些金屬層的上或/ 及下表面。導件38的上寬度可寬於下寬度。同時，導件38可具有一内表面，相對於金屬層1卜13的上表面，傾斜於一預定角度。每一實施_特徵可麵性地編至其它實施例，且並不限制每一實施例。此處，虽導件38由一非金屬材料或絕緣樹脂系列所形成時’樹脂層68的溝槽19可延伸至第一和第二金屬層u、13的上表面，除了兩金屬層11、12間之邊界的上表面。導件38係設置在溝槽19中。圖52和圖53為根據一實施例發光裝置之侧剖視圖和電路圖。參照圖52, 一發光裝置包括三層或更多的金屬層12a、 12B、12C和兩個或更多的發光晶片41A、41B。發光晶片41A、 41B可發射出具有相同峰值波長或彼此不同峰值波長的光。金屬層12A、12B、12C係排列在相同平面上。一第一絕緣膜 21圍繞著金屬層12A、12B、12C設置。第二絕緣膜23A、23B分 46 201216534 別地設置在彼此相鄰的金屬層12A、12b、12B、12C之間以支撐和固定彼此相鄰的金屬層12A、12B和12B、12C。第一發光晶片41A設置在第一金屬層ua上。第二發光晶片41B與第二金屬層12B間隔開。第二金屬層12B可作為第一發光晶片4U和第二發光晶片 41B的共同電極。第一金屬層12A可作為一電極用來控制第一發光晶片41A，而第三金屬層12c可作為一電極用來控制第二發光晶片41B。當第一和第二發光晶片41A、41B為側邊型晶片時，第一發光晶片41A可經由一第一導線51A和一第二導線5ιΒ而分別地電性連接至第一金屬層12A和第二金屬層12B。同時，第二發光晶片41B可經由一第三導線51c和一第四導線51D而分別地電性連接至第二金屬層12B和第三金屬層12〇。當第一和第二發光晶片41A、41B為垂直型晶片時，則可省略第一和第三導線51Α、51C。一導件31設置在第一絕緣膜21上。導件31設置在一位置高於發光晶片41Α、41Β的位置以反射從發光晶片41Α、41Β發射出的光。一樹脂層61設置在第一和第二發光晶片41Α、41β上。部份的樹脂層61可設置在與導件31相同的高度或小於導件31上表面的高度’但不限定於此。參照圖53，發光晶片41Α、41Β可具有一側電極結構以實現第-金屬層12Α作為陽極而第三金屬層12Β作為陰極的電路。參 201216534 照圖14，不像圖14所繪示之電路，第一金屬層可作為陰極，而第二金屬層12B可作為陽極。圖％和圖55為根據一實施例之發光裝置侧的剖視圖和電路圖。 >”、、圖54，一發光裝置包括三層或更多的金屬層〖Μ、 12B、12C和兩個或更多的發光晶片41A、41B。發光晶片4ia、 41B可發射出具有相同峰值波長或彼此不同峰值波長的光。金屬層12A、12B、12C係排列在相同平面上…第一絕緣膜 21圍繞著金屬層i2A、12B、12C設置…第二絕緣膜23設置在彼此相鄰的金屬層12A和12B、12A和12C、以及12B和12C之間以支樓和固定金屬層12A和12B、m和政、以及12 12C。彼此間隔開的第一發光晶片41A和第二發光晶片41B設置在第一金屬層12A上。第金屬们2A可作為第一發光晶片41A和第二發光晶片仙的共同電極。第二金屬層⑽可作為用來控制第一發光晶片 41A的電極’而第三金屬層12(：可作為用來控制第二發光晶片 41B的電極。、，當第一和第二發光晶片41A、41B為側邊型晶片時，第一發光b曰片41A可、.以第一導線51A和一第三導線沉巾分別地電性連接至第-峨12A㈣：金如2b。啊，第二發光晶片41B可經由-第一導線51β和一第四導線分別地電性連接至第-金屬層12A和第三金屬層12c。 48 201216534 當第一和第二發光晶片41A、.41B為垂直型晶片時，則可省略第一和第二導線51A、51B。一導件31設置在第一絕緣膜21上。導件31設置在一位置尚於發光晶片41A、41B的位置以反射從發光晶片41A、41B.發射出的光。 ‘ 一樹脂層61設置在第一和第二發光晶片41A、41B上。部份的樹脂層61可設置在與導件31相同的高度或小於導件31上表面的高度，但不限定於此。參照圖55A，發光晶片41A、41B可具有一侧電極結構以實現第一金屬層12A作為一正極共同電極而第二和第三金屬層 12B、12C作為陰極的電路。在另一方面，參照圖55B，第一金屬層12A可作為負極共同電極，而第二和第三金屬層12B、12(：可作為陽極。圖56緣示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的側剖視圖。參照圖56，一發光裝置1〇〇包括複數個金屬層n、13、絕緣膜21、23在金屬層η、13上、一發光晶片41至少在該複數個金屬層η、13的金屬層11上、一導件31在絕緣膜21上、以及覆蓋發光晶片41的一樹脂層61在金屬層η、13上。由於金屬層11、13不是以分離的個體(separafe b〇dies)* 式提供，例如：並未有金屬層11、13使用由聚鄰苯二曱醯胺 (polyphthalamide，PPA)所形成的一樹脂類體（resin_based body)所固定的結構’部份的金屬層丨丨、13可具有一撓曲形 49 201216534 (flexibly curved shape)、可以—預定角度料、或可被部份地钱刻。亦即，每一金屬層11、13包括一外部B卜一内部B2、以及一傾斜部B3。每-金屬層H、13的外部B1上表面的高度取可大於每-金屬層η、13的内部B2上表面的高度沿。此處，金屬層11或13的外部B1可具有一厚度T5等同於金屬層11或13的内部Β2之厚度Τ4。金屬層η、13包括内部Β2和外部B1。外部B1可設置在一位置高於内部B2上表面的位置。每—金屬層i卜13可彎曲以形成每-金屬層η、13的該外部。料_ending)程序中，傾斜部B3具有一傾斜平面可設置在金屬層11、13的内部B2和外部 B1之間。該複數個金屬層1卜13的傾斜部B3可具有互相面對的表面。此處，在其為傾斜的狀態下，該相面對的表面可彼此面對。傾斜部B3可有相對於金屬層11、13的内部B2上表面之約15。至約89。的一傾斜角。傾斜部B3的傾斜平面可於一發光方向有效地反射光。同時’發光晶片41和第二絕緣膜23可設置在金屬層11、 13的内部B2上。同時’第一絕緣膜21可設置在金屬層11、13的外部m 上。導件31可設置在第一絕緣膜21上。 50 201216534 雖然未綠示，設置在外部B1和導件31上的第一絕緣膜2i 的至少-内部表面可以金屬層n、13的傾斜部B3之傾斜角來傾斜。圖57至圖59緣示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的視圖。參照圖57，金屬層U、13的上、τ、和侧表面中的一表面可具有-或更多包括凸部和凹部的粗縫結構11Ε、^ 構HE、13Ε可設置在一第一絕緣膜21之下且可延伸直至每= 屬層11、13的開放區域Ai、Α2。同時，粗縫結構11Ε、13Ε可設置在金屬層u、13的表面上’除了設置有發光晶片41 _域外或導線5卜沿接合至的區域。藉以改善金屬層U、13、發光晶片4卜以及導線5°卜52 的接觸特徵。每-粗經結構HE、13E可具有三角形、方形、梯形、以及正弦曲線料sin-eu]rve shape)巾料巾—種，但並不限定於此。粗链結構11E、13E可改善在金朗u、13上絕緣膜2卜 23之間的接觸區域或散熱效率。參照圖58，複數個金屬層n、13的下表面可具有粗糖結構 11E、13E。該姆結構11E、13E的突起部可具有條形(伽诉 shape)或矩陣形(matrix shape) ’但並不限定於此。參照圖59，一散熱框(heatsink㈣伽個金屬層的-金屬層η側表面上。散熱框12可由=== 51 201216534

Η的相同材料或導電性超越金屬層n的材料所形成。散熱框U 可具有-表面具有包括凹部和凸部的一或更多的粗輪結構每一粗_構11E、13E可具有三角形、方形、梯形、以及正弦曲線形（Sin-curve shape)中的其中一種，但並不限定於此。、的粗糙結構12E而金屬層11、13的熱效率可經由散熱框12 改善。如另一範例，該粗糙結構可提供在該複數個金屬層n、13 的側表面上以增加表面區域，藉以改善熱效率。〈發光晶片〉根據一實施例的發光晶片將參照圖60和圖61進行詳細說明。、。參照圖60 ’ 一發光晶片41可包括一基板111、一緩衝層 112、一第一導電型半導體層113、一主動層114、一第二導電型半導體層115、一第一電極lie、以及一第二電極117。第一導電型半導體層113、主動層114、以及第二導電型半導體層ία 可定義為一發光結構。基板 111 可由 A1203、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、 Ga203、一導電基板、以及GaAs所形成。基板111可為一成長基板。具有 InxAlyGal-x-yN (0公61，0 分£1，O^x+d)化學式的一半導體可成長在成長基板上。緩衝層112可用來降低基板ill和半導體之間晶格常數差異的層且可由所Π至VI族化合物半導體所形成。一未摻雜πι-ν 52 201216534 族化合物半導體層可更設置在緩衝層112上，但並不限定於此。第一導電型半導體層113設置在緩衝層112上、主動層124 设置在第-導電型半導體層113上、以及第二導電層115設置在主動層124上。第-導電型半導體層113可由一 ΙΠ_ν族化合物半導體所形成，其中摻雜有一第一導電型摻雜物，例如：GaN、Α1Ν、

AlGaN、InGaN、InN、InA·、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、

GaAsP、以及AlGalnP中的一者。當第一導電型半導體層為一 N 型半導體層時，第一導電型摻雜物可包括一 N型摻雜物，例如： Si、Ge、Sn、Se和Te。第二導電型半導體層114可形成單層或多層的形式，但並不限定於此。主動層114可具有單量子井結構、多重量子井〇jqW)結構、量子線結構、以及量子點結構的其中一結構。主動層114可具有一井層和一阻隔層的循環(cycle),例如：使用ΙΠ_ν族化合物半導體材料的一 InGaN井層/GaN阻隔層或inGaN井層/AlGaN阻隔層的循環。一導電型包覆層可設置在主動層之上或/及下方。導電型包覆層可由一 AlGaN類半導體所形成。一第二導電型半導體層形成在主動層114上。第二導電半導體層115可由一 ιπ_ν族化合物半導體所形成，其中摻雜有一第二導電型摻雜物，例如：GaN、A1N、A1GaN、InGaN、InN、

InAlGaN、A1 InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGalnP 中的一 53 201216534 者。當第二導電型半導體層為一 P型半導體層時，第二導電型摻雜物可包括一 P型摻雜物，例如：Mg和Ze。第二導電型半導體層115可為單層或多層結構，但並不限定於此。一第三導電型半導體層，例如：一 N型半導體層可設置在第二導電型半導體層115上。因此，發光結構135可具有N-P接合結構、P-N接合結構、N-P-N接合結構、以及P-N-P接合結構中的至少一者。一電流散佈層可設置在第二導電型半導體層115上。該電流散佈層可由氧化銦錫（indium tin oxide, ΙΤ0)、氧化銦鋅 (indium zinc oxide, ΙΖ0)、氧化銦鋅錫（indium zinc tin oxide, IZTO)、氧化銦銘鋅（indium aluminum zinc oxide, ΙΑΖ0)、氧化銦鎵鋅（indiurii gallium zinc oxide, IGZO)、氧化銦鎵錫（indium gallium tin oxide, IGTO)、氧化銘鋅 (aluminum zinc oxide, AZO)、氧化銻錫（antimony tin oxide， ATO)、以及氧化鋅鎵（gallium ?inc oxide, GZO)中之一者所形成。一第一電極116可設置在第一導電型半導體層113上而一第二電極117可設置在第二導電型半導體層115上。第一電極116和第二電極117可經由一導線而連接至圖1或圖5的金屬層。圖61為一垂直型晶片結構的視圖。參照圖61，在一發光晶片45中，一歐姆層121設置在上一發光結構110之下方、一反射層124設置在歐姆層121之下方、 54 201216534 導電支樓件125设置在反射層124之下方、以及一保護層123 圍繞著反射層124和發光結構11〇設置。發光裝置45的形成可藉由在第二導電型半導體層115上形成一歐姆層121、一通道層123、一反射層124、以及一導電支撐件125，然後在不執行一蝕刻程序下移除基板hi和緩衝層 112以暴露出第一導電型半導體層113在圖52的結構。歐姆層121可歐姆接觸發光結構11〇的一下層，舉例而言，第二導電型半導體層。歐姆層可由ΙΤ0、ΙΖ0、ΙΖΤ0、 ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0、ΑΖ0、ΑΤ0、GZ0、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、

Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其組合中之一者所形成。同時，歐姆層121可使用金屬材料和一光傳送導電材料例如IZ〇、 ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0、ΑΖ0、以及ΑΤΟ而形成多層結構。舉例而言，該多層結構可包括iZ0/Ni、AZ〇/Ag、IZ〇/Ag/Ni、以及 AZO/Ag/Ni °在歐姆層121内可進一步設置對應電極16用以阻隔電流的阻隔層。保遵層 123 可由 ΙΤ0、ΙΖ0、ιζτο、ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0、 ΑΖ0、ΑΤΟ、GZ0、Si02,、Si〇x、Si0xNy、Si綱、A12〇3、以及 Ti02中之-者所形成。保護層123可經由一濺鏡方法或一沉積方法所形成。保護層123可防止發光結構11〇中的各層彼此發生電性短路。反射層 124 可由 Ag、Ni、A1、Rh、pd、Ir、Ru、Mg、Zn、

Pt、Au、Hf、及其組合中之-者所形成。反射層124可具有一寬度寬於發光結構110的寬度以改善光反射效率。 55 201216534 舉例而言，導電支撐件125可作一底基板。導電支撐件125 可由Cu、Au、Ni、鉬（Mo)、銅-鎢（Cu-W)、以及承載晶圓 (carrier wafers)(例如：Si、Ge、GaAs、ZnO、Sic、等等）中的至少一者。一黏著層可更設置在導電支撐件125和反射層124之間。因此’該兩層可藉由該黏著層而彼此附著。上述所揭露的發光晶片僅為範例且並不限定於上述特徵。發光晶片可選擇性地應用至發光裝置的實施例，但並不限定於此。〈發光系統〉上述所揭露實施例的發光裝置具有一結構，其中具有封裝的發光晶片。同時，複數個發光裝置可設置在一板上，因此可提供一發光系統，例如：一發光模組或一發光單元。根據上述實施例’該些發光裝置中的一者可應用至發光系統。根據實施例的發光裝置可應用至發光單元。該發光單元可具有排列有數個發光裝置的結構。該發光單元可包括如圖62和63 所繪示的顯示裝置和如圖64所繪示的發光裝置。再者，發光單元可包括照明燈、交通號誌燈、車輛頭光、和指示燈。圖62繪示根據一實施例顯示裝置範例的示意圖。參照圖62，一顯示單元1〇〇〇可包括一導光板1〇41、=發光模組1031提供光至導光板1〇41、一反射件1〇22於導光板1〇41 之下方、一光學片1051在導光板1〇4ι之上方、一顯示面板 1061在光學片1〇51之上方、以及一底蓋1〇11容置導光板 1031、發光模組1〇31、以及反射件1〇22，但並不限定於此。 56 201216534 底蓋1011、反射件1022、導光板1041、以及光學片1051 可定義為發光單元1050。導光板1041擴散光以產生平面光。舉例而言，導光板1〇41 可由一透明材料所形成，例如：丙烯酸酯基樹脂材料，如聚甲基丙烯酸酯（polymethylmethacrylate, PMMA)、一聚亞醢胺 (polyethylene terephthalate, PET)樹脂、一聚碳酸醋（p〇ly carbonate，PC)樹脂、一環烯烴共聚物（cycHc 〇lefin copolymer, C0C)樹脂、以及一聚蔡二曱酸乙二醇酉旨 (polyethylene naphthalate，PEN)樹脂。所設置的發光模組1031用來提供光至導光板1041的至少一侧表面。因此，發光模組1031可作為一顯示裝置的光源。至少一發光模組1031可設置在導光板1041的一側表面上以直接或間接提供光。發光模組1〇31可包括一基板1〇33和根據實施例的發光裝置100。同時’該些發光裝置1〇〇可以一預定間距排列在基板1033上。基板1033可為包括電路圖案的一印刷電路板(pa)。基板 1033可包括一金屬核心、PCB(MCPCB)或一軟性pcB(FpcB)與一般的PCB ’但並不限定於此。當發光裝置1〇〇安裝在絲ι〇ιι的 -側表面上或-散熱板上時，則基板·可移除。此處，部份的散熱板可接觸底蓋1011的上表面。該複數個發光裝置100可安裝在基板1〇33上以允許透過其而可使光發射出的-發光面（light emission ⑻與導光板 1041以-預定間距間隔開，但並不限定於此。發光裝置⑽可 57 201216534 直接或間接地提供光至-光入射光面，亦即導光板腕的一側表面’但並不限定於此。反射件1022可設置在導光板1041之下方。由於反射件 1022反射人射至導光板1〇41下表面的光以提供向上的光，發光單元1050的亮度可獲改善。舉例而言，反射件1〇22可由ρΕτ、 PC、以及PVC中的一者所形成，但並不限定於此。反射件職可為底蓋1011的上表面，但並不限定於此。底蓋1011可谷置導光板1〇41、發光模組1〇31、以及反射件 1022。為此，底蓋ι〇π可包括一接收部1〇12其具有一開放上側的箱（box)开>，但並不限定於此。底蓋ίο。可連接至一上蓋（未繪示）’但並不限定於此。底蓋1011可由一金屬材料或一樹脂材料所形成。同時，底蓋loii可使用一壓製成形程序(press m〇lding pr〇cess)或一押出成形程序（extrusion molding process)而形成。底蓋1011可由一金屬或具有優越熱傳導性的非金屬材料所形成，但並不限定於此。舉例而言，顯示面板1061可為一液晶顯示(LCD)面板，且包括由一透明材料所形成的第一和第二基板和介於第一和第二基板之間的一液晶層。一偏光板可附著至顯示面板1061的至少一表面。本發明並不限制定於該偏光板的貼附結構。顯示面板1〇61 可使用從發光模組1051發射出的光來顯示資訊。顯示單元1〇〇〇可應用至各種可攜式終端、一筆記型電腦的監視器、一膝上型電腦的監視器、電視等等。 58 201216534 光學片1051設置在顯示面板1061和導光板i〇41之間且包括至少一透射片（transmission sheet)。舉例而言，光學片 1051可包括至少一擴散片、一水平或垂直稜鏡片、一增光片 (brightness enhanced sheet)等。該擴散片擴散入射光，而該水平或/及垂直稜鏡片收集該入射光至一顯示區域。此外，該增光片再使用失逸的光以改善亮度。同時，一保護片可設置在顯示面板1061上，但並不限定於此。此處’該些光學元件例如導光板1041和光學片1〇51可設置在發光模組1031的一光學路徑上，但並不限定於此。圖63繪示根據一實施例之顯示裝置的示意圖。參照圖63，一顯示裝置1100包括一底蓋1152、一基板 1120其中該些發光裝置1〇〇排列在該基板上112〇、一光學元件 1154、以及一顯示面板1155。基板1120和發光裝置1〇〇可定義為一發光模組1〇6〇。底蓋 1152、至少一發光模組1〇6〇、以及光學元件1154可定義為發光單元。，底蓋1152可包括一容置部1153，但並不限定於此。此處’光學元件1154可包括一透鏡、一導光板、一擴散片、水平和垂直稜鏡片、和一增光片的至少一者。該導光板可由一 PC材料或PMMA材料所形成。耷此情況下，可移除該導光板。擴散片擴散入射光，而水平和垂直稜鏡片收集該入射光至顯示面板1155。該增光片再使用失逸的光以改善亮度。 59 201216534 光學7G件1154設置在發光模组麵上以產生使用從發光模組1060發射出的光或擴散和錢從發光模組1060發射出的光之平面光。圖64係根據一實施例發光單元的示意圖。參照圖64，發光單元1500可包括-殼體151〇、一發光模組 1530設置在殼體151〇中、以及一連接終端簡設置在殼體 1510以接收來自一外部電源的電力。殼體1510可由具有良好散熱特性的材料，例如··一金屬材料或一樹脂材料所形成。發光模組1530可包括一基板1532和一發光裝置1〇〇安裝在基板1532上。發光裝置1〇〇以複數個的方式提供，且該些發光裝置20G可排列成-矩陣形狀或彼此間隔—預定間距。 -電路圖案可印刷在一介電層以製造該基板1532。舉例而言，該基板1532可包括一印刷電路板⑽）、-金屬核心pcB、一軟性 PCB、一陶瓷 pcb、或一 fr-4。、同時’該基板1532可由可有效地反射光的材料所形成或可塗佈光可有效被反射的一顏色，例如：白色或銀色。至少一發光裝置1〇〇可設置在該基板1532上。發光裝置 100可包括至少一發光二極體(勵)晶片。該⑽可包括彩色的 LED分別可射m綠色、藍色、錢自色的光以及一紫外 (UV)LED發射出UV光。發光模組1530可具有數個發光裝置100的組合已獲得所欲之顏色和亮度。舉例而言，白色LED、紅色⑽、和綠色⑽可 201216534 彼此結合以確保一高顯色性指數（color rendering index CRI) 〇連接終端1520可電性連接至發光模組i53Q以提供電力。連接終端1520在一牙槽(socket)型時可被螺接和連接至一外部電源，但並不限定於此。舉例而言，連接終端152〇可具有插針形狀(pin shape)，且因此，可被插入至該外部電源。或者，連接終端1520可藉由一導線連接至該外部電源。根據實施例可提供帶狀型（tape-type)型或膜型加e) 發光裝置經由絕緣膜來支揮金屬層而不使用封裝體。根據實施例可改善發光裝置的製造程心再者，發光裝置可降低厚度。根據實施例可改善發光裝置的取光率。根據實施例可改善發錄置的可靠度。同時，可改善發光裝置的微型化和整合性。根據實施例可改善發光裝置及具有其之發光系統的熱效率。在上述實施綱域之特徵、賴和效應係可被加入至本屬明的至少-實施例，但不岭於僅—實施例。此外，熟知此技基者在一實補所舉例㈣特徵、結構、和效應可编地與其他漬 =1=和錢。批，結合轉改翩_本發_ 域範圍中。雖然參考實施例之許多說明性實施例來描例 :眾=:藝者可想出將落入本發明之原理— ===施例。更特定言之，在本發明'圖式及所附甲明导利範園之範缚内，戶斤主厅主張組合配置之零部件及/或配置的 201216534 各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。【圖式簡單說明】圖1為根據第一實施例之發光裝置的示意圖。圖2為圖1中沿著線A_A的側剖視圖。圖3至圖10繪示圖1發光裝置的製造程序。圖11和圖12為根據第二和第三實施例發光裝置的側剖視圖。圖13和圖14為根據第四實施例發光裝置之示意圖和側剖視圖。圖和圖16為根據第五實施例發光裝置之平面圖和侧剖視圖。圖W繪示圖15發光裝置修改後範例的視圖。圖18至圖27繪示根據一實施例之金屬層和絕緣膜修改後範例的視圖。圖28至圖51繪示根據另一實施例發光裝置修改後範例的視圖。圖52和圖53繪示根據一實施例發光裝置的另一範例之侧剖視圖和電路圖。圖54和圖55緣示根據一實施例發光裝置的另一範例之側剖視圖和電路圖。圖56續'示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的侧剖視圖。圖57至圖59繪示根據一實施例發光裝置之金屬層修改後範例的視圖。圖和圖61繪示根據一實施例之發光晶片範例的視圖。 62 201216534 圖62繪示根據一實施例顯示裝置範例的示意圖。圖63繪示根據一實施例之確顯示裝置的另一範例示意圖。圖64係根據一實施例發光單元的視圖。【主要元件符號說明】 10、1卜13、15 金屬層 11A、11B、11C 金屬層 11D> 13D 粗糖結構 11E、13E 粗奇造結構 12 第二金屬層 12A、12B、12C 金屬層 12E 粗糙結構 13A、13B 金屬層 13-1 外部 13-2 内部 17、17A、17B 分離部 18 第二金屬層 19 溝槽 20、21、22 絕緣膜 23、24、25 絕緣膜 21d、31d 傾斜平面 21E 孔洞 23A、23B 第二絕緣膜 24 絕緣膜 24A 第二絕緣膜 24B 第三絕緣膜 29 黏著層 3卜 32、33、導件 33A、38 導件 31E 部份 31C、34、第二導件 36、37B 第二導件 37A 第一導件 4卜 42、43、45 發光晶片 41A、41B 發光晶片 5卜 52、53、54 導線 51A 第一導線 51B 第二導線 51C 第三導線 51D 第四導線 61 樹脂層 63 201216534

61A

63B

67A

68C 72 81A、81B 110 112 114 116 121 124 1000 1012 1031 1041 1051 1061 1152 1154 1500 1520 A卜 A2、A3 部份 62、63、63A 樹脂層凹部 66、67、68 樹脂層中央部 68A 下部部份 71 透鏡反射材料 73 螢光層反射層 100 發光裝置發光結構 111 基板缓衝層 113 第一導電型半導體層主動層 115 第二導電型半導體層第一電極 117 第二電極歐姆層 123 保護層反射層 125 導電支撐件顯示單元 1011 底蓋接收部 1022 反射件發光模組 1033 基板導光板 1050 發光單元光學片 1060 發光模組顯示面板 1100 顯示裝置底蓋 1153 容置部光學元件 1155 顯示面板發光單元 1510 殼體連接終端 1530 發光模組開放區域 B1 外部 64 201216534 B2 内部 B3 傾斜部 D1 左長度 D2 右長度 D3 預定距離 G1 間距 HI、H2 高度 LI ' L2 長度 SI 側表面 S3 下表面 S5 凹面 Ή、T2、T3 厚度 T4、T5 厚度 Τ6 間隙 X卜Y1 長度 Χ3>Υ3 寬度 X4、Y4 寬度 W1、W2 固定寬度 W5、W6 寬度 65

Claims

201216534 七、申請寻利範圍： 1· 一種發光裝置，包括：複數個彼此間隔開的金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該些金屬層的部份上表面區域係呈開放狀，該第一絕緣膜設置在該些金屬層上表面的周邊部份上；一發光晶片設置在該些金屬層的至少一層上，該發光晶片電性連接至另一金屬層；一樹脂層設置在該些金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件設置在該第一絕緣膜上。 2·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一第二絕緣膜對應至該些金屬層之間且具有一寬度寬於該些金屬層之間的間距，該第二絕緣膜設置在該些金屬層的一上表面和一下表面中的至少一者。 3.如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，更包括一黏著層介於該些金屬層和該第一絕緣膜或該第二絕緣膜之間。 4· 一種發光裝置，包括：複數個彼此間隔開的金屬層；一第一絕緣膜具有一開放區域，其中該些金屬層的部份呈開放狀，該第一絕緣膜設置在該些金屬層的上表面上；一黏著層介於該些金屬層和該第一絕緣膜之間； 66 201216534 一第二絕緣膜介於該些金屬層之間且具有一寬度寬於該些金屬層之間的間距，該第二絕緣膜設於該些金屬層的上表面一發光晶片設置在該些金屬層的至少一層上；一樹脂層設置在該些金屬層和該發光晶片上；以及一第一導件設置在該第一絕緣膜上的上表面上。 5. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，更包括一第二導件於該第二絕緣膜上。 6. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，其中該第二絕緣膜藉由該第二絕緣膜包括複數個開放區域。 7. 如申請專利範圍第1項或第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜包括選自由圈狀（loop shape)、環狀(ring shape)、和框架狀(frame shape)所組成之群組中的至少一者。 8. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置’其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜彼此連接。 9. 如申請專利範圍第2項或第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜包括一透光膜或一螢光膜。 10·如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該第一絕緣膜和該第二絕緣膜包括選自由一聚亞醯胺(polyimide，PI)膜、一聚亞醯胺（polyethylene terephthalate，PET)膜、一乙烯醋酸乙烯（ethylene vinyl acetate,EVA)膜、一聚萘二曱酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate，PEN)膜、一聚醋酸乙烯酯（triacetyl cellulose，TAC)膜、一聚醯胺醯亞胺 67 201216534 (polyamide imide，PAI)膜、一聚二醚鲖樹脂（polyether ether ketone, PEEK)膜、一側鏈型聚四氟乙婦 (perfluoroalkoxy，PFA)膜、一聚苯硫轉（polyphenylene sulfide, PPS)膜、以及一樹脂膜所組成之群組中的至少一者。 11.如申請專利範圍第1項或第4項所述之發光裝置，其中該第一導件圍繞著該樹脂層設置。 12·如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該第一導件和該第二導件彼此連接。 13.如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該第一導件和該第二導件的寬度窄於該第一絕緣膜和該第二絕緣膜的寬度。 14·如申請專利範圍第12項至第13項中任一項之發光裝置，其中該第一導件和該第二導件包括選自由一樹脂材料、一非金屬材料、以及一反射金屬所組成之群組中的至少一者。 15. 如申請專利範圍第12項至第13項中任一項之發光裝置，其中該第一導件和該第二導件包括選自由抗焊劑（s〇lder resist)、焊錫膏（s〇ider paste)、銀（Ag)、在呂⑷）、銅 (Cu)、金(Au)、銀合金、鋁合金、銅合金、以及金合金所組成之群組中的至少一者。 16. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該些金屬層的下表面設置在相同平面上。 68 201216534 17.如㈣專利職第1項至第4項中任-項之發光裝置，其中 •:她11第1項至第4項中任-項之發光裝置，其中一 ΐ 一絕緣膜和該第—導件的至少-内表面為傾斜的平面、。 19·如申请專利範圍第！項至第4項中任一項之發光裝置，其中該些金屬層包括-第—金屬層和—第二金顧，且該發光晶片设置在該第一金屬層上。 2〇.如申請專利範圍第1項至第4項中任-項之發光裝置，其中該些金屬層包括—第—金屬層一第二金屬層、以及-第三金屬&層介於該第-金屬層和該第二金制之間；而該發光晶料置在該第三金屬層上且輕至該第—金騎和該第二金屬層。 21·如中μ專利範圍第i項至第4項中任—項之發光裝置，更包括一絶緣膠材料介於該些金屬層之間。 22·如申請專利範圍第丨項至第4項中任_項之發絲置，其中該些金屬層的側表面、下表面、以及上表面中的至少一者具有一粗糙結構。 23. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置’更包括一第三絕緣膜介於該發光晶片和該第一絕緣膜之間。 24. 如申請專利範圍第2項至第4項中任一項之發光裝置，更包括一第三導件介於該發光晶片和該第一及第二絕緣膜之間。 25. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之發光裝置，其中該導件係選自由抗焊劑（solder resist)、一樹脂材料具有二 69 201216534 氧化鈦(Ti02)、一樹脂材料具有玻璃織維、以及一高分子所組成之群組的材料所形成。