TW201217478A - Pressure-sensitive adhesive compound, pressure-sensitive adhesive tape, and wafer treatment method - Google Patents

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Shigeru Nomura
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201217478 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於_絲日+ 、種具有較高之初始黏著力且可牢固地 固疋被黏附體,並且g .且即使經過2〇〇°C以上之高溫加工製程 後’藉由照射光亦可六p ^ ^ ^ ^ έ 谷易也進行剝離之黏著劑組成物、及 圓之處理枝。 “帶、使㈣㈣劑组成物之晶 【先前技術】 於半導體之製造中,Α 為了使加工時半導體之操作容 _貝’目前採用貼附半導體加工用膠帶之方法。 ❹於將自高純度之石夕單晶等切出之厚膜晶圓研磨至特定 厚度以製成薄膜晶圓時,於 衧疋 — 、將厚膜日日圓接者於支撐板上進 订加強時使用雙面勒荽缌 膜曰 , 又,於將研磨至特定厚度之薄 取谷個1C曰曰片時,亦使用稱為切割膠帶(d tape)之黏著帶。 6 對於半導體加工用朦帶, 要求於加工步驟中能盡可能 牛固地固定半導體之古愈| ϋ车2 並且於步驟結束後可於不 知傷+導體之下進行剝離。針 „ 士 Τ此脣况,專利文獻1中揭 不有一種使用藉由照射紫外線等 寻元進仃硬化因而黏著力降 低之光硬化型黏著劑的黏著帶。 ,.^ 匕種點者帶可於加工步驟 中確貫地固定半導體,並且可Μ 剝離。 了藉由照射紫外線等而容易地 即使為此種使用光硬化型黏著 香刻之黏者帶,在用於具 有加熱步驟之半導體加工時之情 月Α時’存在如下問題:即 201217478 使照射紫外線等,黏著力亦不會充分地降低,而無法剝離。 認為其原因在於因加熱而導敦黏著劑之接著力劇增。 針對此情況,專利文獻2中揭示有一種使用含有丙烯 酸系聚合物作為主劑且含有具有自由基聚合性不飽和鍵之 (曱基)丙烯酸系寡聚物作為滲出劑的光硬化型黏著劑之膠 帶。並且記載有如下主旨:藉由含有此種滲出劑,由於在 室溫下與上述光硬化型黏著劑之相溶性高且不妨礙黏著 性,另一方面於加熱條件下與上述光硬化型黏著劑之相溶 性降低而發生滲出,故而可容易地剝離。 然而,近年來,於半導體加工中,必須有cVD( Chemical P ep〇Siti〇n,化學氣相沈積)製程或回焊製程等200 =以上之高溫加工製程者開始增加。於經過此種程度之高 —纟程後’即使為專利文獻2中所記載之光硬化型黏 著劑亦存在如下問題:黏著劑烤焦而黏附在被黏附體上, 或即使未焦結剝離亦變得極為困難。 專利文獻1 :日本特開平5-32946號公報 專利文獻2 :曰本特開2008-280505號公報 【發明内容】 本發月提供-種具有.較高之初始黏 定被黏附體,並且肋姑, P使°星過200。〇以上之高溫加工製程後 藉由照射光亦可玄_ I丨丄、“ 外 ^ 谷易地進行剝離之黏著劑組成物、及使 δ亥黏著劑組成物之逢 1者帶、使用該黏著劑組成物之晶圓. 處理方法。 本發明係關於— 種黏著劑組成物,其含有黏著劑成 4 201217478 分、光聚合起始劑、 能基之聚矽氧化合物 及具有可與上述黏著劑成分交聯之官 以下,詳細說明本發明 本發明人對將作A,.奋山μ ^ 乍為,參出劑之聚矽氧化合物添加至黏著 对丨j中之情形進行了研穿。 九在滲出劑中’聚矽氧化合物尤其 於物:方面優異,因而可期待即使經過職以上之高溫 加工裝&亦可防止黏著劑之焦結,於剝離時滲出至被黏附 :面而合易地進行剝離。然而’於調配聚石夕氧化合物之 凊恪f #在滲出之聚矽氧化合物污染半導體晶圓,而需 要另外設置清洗步驟之問題。 因此本&明人進行努力研究,結果發現:於選擇使 用具有可與黏著劑成分交聯之官能基之聚矽氧化合物作為 渗出劑之情料,即使經過⑽U上之高溫加卫製程後, 亦可容易地進行剝离隹’並且可防止半導體晶圓之污染,從 而完成本發明。 本發明之黏著劑組成物含有黏著劑成分。 上述黏著劑成分並無特別限定,亦可為含有非硬化型 黏著劑成分、硬化型黏著劑成分中之任一種者。 上述非硬化型黏著劑成分只要為具有經照射光而可與 上述聚石夕氧化合物反應之官能基者,則無特別限定,可使 用先前公知者。具體而言’例如可列I :橡膠系黏著劑、 丙烯酸系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚石夕氧系點著 劑、聚醋系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺醋(urethane)系= 著劑、本乙稀-二烯肷段共聚物系黏著劑等。其中適宜為具 201217478 有(甲基)丙稀醯基之黏著劑。 上述硬化型黏著劑成分並無特別限定,可使用先前公 知之光硬化型黏著劑成分或熱硬化型黏著劑成分。其中較 佳為使用光硬化型黏著劑成分。 上述光硬化型黏著劑成分並無特別限定,可使用 月1】 么知者。具體而言’例如可列舉含有分子内具有自由基取 合性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸炫基酿系之聚合性聚合心 光硬化型黏著劑等。 此種光硬化型毒占著劑由於藉由光照射而使整體均勾且 迅速聚合交聯為-冑,故而由聚合硬化引起之彈性模數上 升變得顯著’黏著力大幅度降低。 上述聚合性聚合物例如可藉由如下方式獲得:預先合 成分子内具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物(以下稱為^ 官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物)’使之與分子内具有會與 上述官能&反應之官能基及自由I聚合性不飽和鍵之化合 物(以下稱為含官能基之不飽和化合物)反應。 作為於常溫下具有黏著性之聚合物,上述含官能基之 (甲基)丙烯酸系聚合物係與通常之(甲基)丙料系聚合物之 情形同樣地,藉由將烷基之碳數通常為2〜18之範圍之丙 烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯作為主要單體,藉由常 法使其與含g忐基之單體與進而視需要之可與該等共聚合 之其他改質用單體進行共聚合而獲得者。上述含官能基之 (甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量通常為2〇萬〜 200萬左右。 6 201217478 上述含官能基之單體例如可列舉:丙烯酸、曱基丙烯 酸等含羧基之單體,丙烯酸羥乙酯、曱基丙烯酸羥乙酯等 含羥基之單體,丙烯酸縮水甘油酯、曱基丙烯酸縮水甘油 酉曰等合%氧基之單體,丙烯酸異氰酸酯基乙酯、甲基丙烯 酸異氰酸酯基乙酯等含異氰酸酯基之單體,丙烯酸胺基乙 酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等含胺基之單體等。 上述可共聚合之其他改質用單體例如可列舉:乙酸乙 烯知、丙烯腈、苯乙烯等通常用於(甲基)丙烯酸系聚合物之 各種單體。 作為與上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物反應之 含官能基之不飽和化含物,可根據上述含官能基之(甲基) 丙烯馱系聚合物之官能基而使用與上述含官能基之單體相 同者。例如於上述含官能基之(曱基)丙烯酸系聚合物之官能 基為羧基之情形時,係使用含環氧基之單體或含異氰酸酿 ^之單體;於該官能基為經基之情形時,係使用含異氰酸 -曰基之單體,於該官能基為環氧基之情形時,係使用含羧 基之早體或丙烯醯胺等含胺基之單體;於該官能基為胺基 之情形時,係使用含環氧基之單體。 过·刀子内具有自由基聚合性不飽和鍵之(甲基)丙稀 s “元基酯系之聚合性聚合物亦可併用多官能寡聚物 體。 上述多官能寡聚物或單體較佳為分子量為丨萬以下 者’更佳為效率良好地進行由加熱或光照射形成之黏著劑 層之立體網狀化的分子量為5000以下且分子内之自由基聚 201217478 合性不飽和鍵之數量為2〜2 0 聚物或單體例如可列舉:三經 曱基甲烧四丙稀酸S旨、新戊四 丙烯酸酯、二新戊四醇單經基 丙烯酸醋或上述相同之曱基丙 個者。此種更佳之多官能寡 曱基丙烧三丙烯酸酯、四羥 醇三丙烯酸酯、新戊四醇四 五丙烯酸酯、二新戊四醇六 稀酸酯類等。此外可列舉: L4-丁二醇二丙稀酸自旨、π己二醇二丙稀㈣、聚乙二醇 二丙烯酸醋,之寡s旨丙烯酸略、上述相同之甲基丙烯 酸酯類等。該等多官能寡聚物或單體可單獨使用,亦可併 用2種以上。 本發明之黏著劑組成物含有光聚合起始劑。 上述光聚合起始劑例如可列舉藉由照射25〇〜8〇〇 nm 之波長之光而活化者’此種光聚合起始劑例如可列舉:甲 氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物,丨息香丙醚、安息香 異丁輕等安息香驗系化合物’苯偶醯二甲基縮酮、苯乙酮 二乙基縮酮等縮酮衍生物化合物,氧化膦衍生物化合物, 雙(W 5-%戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物 '二苯甲酮、米其 勒酮(1^(^1以81^111〇1^)、氣噻噸酮((^丨〇11〇111丨〇以11化〇1^)、十 二烷基硫雜蒽酮(dodecyl thi〇Xanth〇ne)、二曱基硫雜蒽酮、 二乙基硫雜蒽酮、羥基環己基苯基酮、2_羥基曱基苯基 丙烷等光自由基聚合起始劑。該等光聚合起始劑可單獨使 用’亦可併用2種以上。 本發明之黏著劑組成物含有具有可與上述黏著劑成分 交聯之官能基的聚矽氧化合物(以下,簡稱為「聚矽氧化 合物A」)。 8 201217478 聚石夕氧化合物由㈣熱性優異,故而即使經過_ 上之而溫加工製程,亦防止 者劑之…、、、Ό,於剝離時漆出 至被黏附體界面1易於剥離。由於聚石夕氧化合物且有可 與上述黏著劑成分交聯之官能基,故而於剝離時藉由進行 光照射而與上述黏著劑成分進行化學反應並進入上述黏著 劑成分中’因而聚矽氧化合物不會附著於被黏附體上而產 生污染。X ’於被黏附體之_面為由玻璃板所構成之支樓 板之情形時,#由調配具有可與上述黏著劑成分交聯之官 能基之聚♦氧化合物’可提高對支樓板之親和性,亦發揮 防止晶圓上之糊劑殘餘之效果。 上述聚石夕氧化合物Α之聚石夕氧骨架並無特別限定,可 為D體、DT體中之任一種。 上述聚矽氧化合物A較佳為於聚矽氧骨架之側鏈或末 步而具有該官能基。 其中,若使用具有D體之聚矽氧骨架且末端具有可與 上述黏著劑成分交聯之官能基的聚矽氧化合物,則易同時 實現較高之初始黏著力與高溫加卫製程後之剝離力,故而 較佳。 上述聚矽氧化合物A之官能基係根據上述黏著劑成分 而璉擇使用適當之官能基。例如於黏著劑成分為將上述分 子内具有自由基聚合性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系 聚合性聚合物作為主成分之光硬化型黏著劑之情形時,係 選擇可與(甲基)丙烯醯基交聯之官能基。 上述可與(甲基)丙烯醯基交聯之官能基為具有不飽和 201217478 雙鍵之官能基,具體而言’例如可列舉:乙烯基、(甲基) 丙烯醯基((metha)acryl)、烯丙基、馬來醯亞胺基等。 上述聚矽氧化合物A之官能基當量並無特別限定,較 佳下限為卜較佳上限為20。若上述官能基當量未達丨,則 於所得之黏著劑組成物之硬化時,有時聚矽氧化合物A未 充分地進入至黏著劑成分中而污染被黏附體,或無法充分 地發揮剝離性;若超過20,則有時無法獲得充分之黏著力。 上述官能基當量之更佳上限& 1〇,更佳下限為2,更佳上 限為6。 上述聚矽氧化合物A之分子量並無特別限定,較佳下 限為300,較佳上限為5〇〇〇〇。若上述分子量未達,則 有時所得之黏著劑組成物之耐熱性變得不充分;若超過 50000,則有時難以與上述黏著劑成分混合。上述分子量之 更佳下限為400,更佳上限為100〇〇,更佳下限為5〇〇,更 佳上限為5000。 合成上述聚矽氧化合物A之方法並無特別限定,例如 可列舉藉由利用矽氫化反應使具有SiH基之聚矽氧樹脂與 具有可與上述黏著劑成分交聯之官能基的乙烯基化合物進 灯反應,而於聚矽氧樹脂中導入可與上述黏著劑成分交聯 之官能基之方法;或使矽氧烷化合物與具有可與上述黏著 劑成分交聯之官能基之矽氧烷化合物進行縮合反庳之方法 等。 上述聚矽氧化合物A中,市售者例如可列舉:信越化 學工業公司製造之 X-22-164、X-22-164AS、χ_22_164Α、 10 201217478 X-22-164B、X-22-164C、X-22-164E等兩末端具有甲基丙烯 醯基之聚石夕氧化合物,或信越化學工業公司製造之 X-22-174DX、X-22-2426、X-22-24 75 等一末端具有曱基丙 稀酿基之聚石夕氧化合物’或Daicel-Cytec公司製造之 EBECRYL 350、EBECRYL 1360等具有丙烯醯基之聚矽氧化 合物’或東亞合成公司製造之AC-SQ TA-100、AC-SQ SI-20 等具有丙烯醯基之聚石夕氧化合物,或東亞合成公司製造之 MAC-SQ TM-100、MAC-SQ SI-20、MAC_SQ HDM 等具有曱 基丙烯醯基之聚矽氧化合物等。 其中,上述聚矽氧化合物A由於耐熱性尤其高且極性 高,故而容易自黏著劑組成物中渗出,因此較佳為下述通 式(Ο、通式(π)、通式(1„)所示之石夕氧燒骨架上具有(甲 基)丙烯醯基之聚矽氧化合物。 [化1] ?H3 CH3- Si~〇~ ^Η3
?h3 -Si-R (I I) X (5Η3 ⑴ R- ?H3 ?h3 si~〇~ si~〇 [Ϊη3 . R ~ Si—〇-Ah3 *9Η3ί SI — o 如3. ·?η3·| ?h3 —Si—〇 ~$i — R .R JY Ϊη3 (III)
X 式中,X、Y表示0〜1200之整數 雙鍵之官能基。 R表示具有不飽和 201217478
上述通式(I)、通式(II)、通式(Ι1Ι)所示之矽氧烷 骨架上具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物中,市售之聚矽 氧化合物例如可列舉:Daicel-Cytec么、司製造之EBECRYL 350、EBECRYL 1360 (任一者之R均為丙烯基)等。 上述聚矽氧化合物A之含量並無特別限定,較佳下限 為〇.1重量。較佳上限為30重量%β若聚矽氧化合物A 之含量未達0.1重量% ’則有時無法自被黏附體剝離;若超 過30重量% ’則有時無法獲得初始接著力。μ氧化合物 Α之含量之更佳下限為0.2重量%,更佳上限為2〇重量%。 上述聚矽氧化合物A之含量相對於上述黏著劑成分 1〇〇重量份之較佳下限為0.5重量份,較佳上限為4〇重量 份。若聚矽氧化合物A之含量未彡〇 5重量份,則有時即 使照射光,黏著力亦不會充分下而無法自被黏附體剝 離;若超過40重量份,則有時導致被黏附體之污染。聚矽 氧化合物A之含量之更佳下限為i重量份,更佳上限為 重量份。 本發明之黏著劑組成物亦可含有無機填充劑。 、上述無機填充劑較佳為由選自切、鈦m、 鎂及氧化錯之氧化物、及該等之複合物所組成之群中之至 少1種所構成之無機填充劑。其中,石夕春石朋複合氧化物、 石夕-欽複合氧化物、二氧化矽·二氧化 ^ /巩化鈦钹合氧化物由於具有 與通常用作無機填充劑之二氧化 y頬似的物性,故而更為 過宜。 別限定,較佳下限 上述無機填充劑之平均粒徑並無特 12 201217478 為0.1 μ m,較佳上限為3 0 # m。 上述無機填充劑之調配量並無特別限定,相對於上述 黏著劑成分100重量份之較佳下限為30重量份,較佳上限 為1 50重量份。上述無機填充劑之調配量之更佳下限為6〇 重量份,更佳上限為120重量份。 為了謀求凝聚力之調節,本發明之黏著劑組成物亦可 適當地調配異氰酸S旨化合物、三聚氰胺化合物、環氧化人 物等通常調配至黏著劑之各種多官能性化合物。又,亦^ 添加抗靜電劑、塑化劑、樹脂、#面活性劑、蠟等公知之 添加劑,’為了提高黏著劑之穩定性,亦可調配熱穩 定劑、抗氧化劑。 本發明之黏著劑組成物進而亦可含有藉由照射光而產 生氣體之氣體產生劑。若對此種含有氣體產生劑之黏著劑 組成物照射光,則上述光硬化型黏著劑成分發生交聯硬 化,黏著劑整體之彈性模數上升,此種較硬之黏著劑中產 生之氣體自黏著劑釋放至接著界面而將接著面之至少一部 分剝離,因此可更容易地剝離。 上述氣體產生劑並無特別限定,例如可列舉:疊氮化 口物偶氮化合物、綱洛芬(ket〇pr〇fen)、四唾化合物等。 其中’適宜為耐熱性優異之嗣洛芬、四唑化合物。 明之黏著劑組成物具有較高之初始黏著力,另一 方面’藉由照射紫外線等光可容易地剝離。又,由於耐熱 性亦:異’故而亦可用於在聊之製造步驟令將晶圓固定 於支牙板上、於將晶圓或晶片通過回焊爐時暫時固定於支 13 201217478 樓板等上等進行扇。c以上之高溫處理的用途 明之黏著劑組成物可用於各種接著性製。。 上述接者性製品例如可列舉··使用 ασ 成物作為黏合樹脂之接著u之黏著劑組 封劑等,或使用本發明之黏荖制& 塗佈劑、密 黏著帶、雙面黏著帶、i古#却,且、为作為黏著劑之單面 黏者帶無支持膠帶(自立膠帶)等勒㈣ 等。尤其適於高溫處理時之支俨柘㈤〜妒)4黏者帶 了疋叉揮板固疋用膠帶、丄 溫處理及背面研磨之固定用膠帶兼用於南 :固疋用膠帶、對經單片化之半導體晶片 i 處理時所使用之半導體晶片暫時固U膠帶等。 所媒I力基材之至少—面具有由本發明之黏著劑組成物 所構成之黏者劑層的黏著帶亦為本發明之一。 上述基材例如可列舉:由丙稀酸、烯烴、聚碳酸酿、 氣乙烯、娜、聚對苯二甲酸乙二酿、聚萘二甲酸乙二醋、 尼龍、胺醋、聚酿亞胺等之透明樹脂所構成之片材、具有 網狀結構之片材、開有孔之片材等。 製造本發明之黏著帶之方法並無特別限定,例如可採 用利用到刀或旋轉塗佈機等’將上述黏著劑等塗敷於基材 上等先前公知之方法。 本發明之黏著劑組成物由於在含有2〇〇。〇以上之高溫 加工製程之晶圓之加工時使晶圓之使用變得容易,或不發 生破損,故而適宜用作用以將晶圓固定於支撐板上之接著 劑。 如下之晶圓之處理方法亦為本發明之一,具有如下步 14 201217478 驟:透過本發明之㈣聽成物㈣晶圓 之支樓板固定步驟、對固定於上述支揮板上之丄= 實施伴隨有2_以上之加熱之處理的晶圓處理步驟、及對 上述處理後之晶圓進行朵昭私抽 _ 仃先照射使上述黏著劑組成物硬化並 將支撐板自晶圓上剝離之支撐板剝離步驟。 上述支樓板並無特別限定,例如可列舉:玻璃板、石 英玻璃板、不鏽鋼板等。 對固疋於上述支指·姑卜夕± 牙扳上之日日圓之表面進行的伴隨有 20CTC以上之加熱之處理並無特別限定,例如可列舉:化學 氣相沈積法(CVD)、回焊、反應性離子㈣(rie)等。 —根據本發明,可提供一種具有較高之初始黏著力且可 牢固地固定被黏附體,並且即使經過2〇〇t以上之高溫加工 製程後,藉由照射光亦可容易地進行剝離之黏著劑組成 物、及使用該黏著劑組成物之黏著帶、使用該黏著劑組成 物之晶圓之處理方法。 【實施方式】 以下,列舉實施例更詳細說明本發明之態樣,但本發 明並不僅限定於該等實施例。 (實施例1 ) 準備具備溫度計、攪拌機、冷卻管之反應器,向該反 應器内添加丙烯酸_2_乙基己酯94重量份、丙烯酸i重量 份、丙烯酸2-羥基乙酷5重量份、月桂硫醇〇 〇1重量份、 及乙酸乙酿80重量份後,對反應器進行加熱而開始回流。 繼而,向上述反應器内添加M-雙(第三己基過氧化)_3,3,5_ 15 201217478 三乙基環己烷0.0 1重量份作為聚合起始劑,於回流下開始 聚合。其次’自聚合開始起1小時後及2小時後各添加1,1 -雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三乙基環己烷〇.〇1重量份,進而 自聚合開始起4小時後添加過氧化特戊酸第三己醋(t_hexyl peroxypivalate)0_05重量份並繼續聚合反應。並且,自聚合 開始起8小時後獲得固形物成分為5 5重量%且重量平均分 子量為60萬之丙烯酸系共聚物。 相對於含有所得之丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯溶液之 樹脂固形物成分1 〇〇重量份,添加甲基丙烯酸2_異氰酸酯 基乙醋3.5重量份而進行反應,進而相對於反應後之乙酸乙 酯溶液之樹脂固形物成分丨00重量份,混合光聚合起始劑 (Esacure ONE,日本Siber Hegnej·公司製造)j重量份、 具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物(Daicel_Cytec公司製 造,EBECRYL 350,丙烯酸當量為2) i重量份 '聚異氰酸 酯系交聯劑(Coronate L45,曰本聚氨酯公司製造)ο」重 量份’而製備黏著劑組成物之乙酸乙酯溶液。 於單面實施有電暈處理之厚度為5〇 Mm之透明之聚 奈一甲酸乙二酯膜之電暈處理面上,利用到刀以乾燥皮膜 之厚度成為30 # m之方式塗敷所得之黏著劑組成物之乙 S变乙醋溶液’於! !代下加熱5分鐘使塗敷溶液乾燥。其後 於4 0°C下靜置硬化3天,而獲得黏著帶。 (實施例2) 將具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物之調配量設為 1.5重量❾’除此以外與實施合"同#地獲得黏著劑組成物 16 201217478 及黏著帶。 (實施例3) 將具有(曱基)丙烯醢基之聚矽氧化合物之調配量設為 2重量份,除此以外與實施例丨同樣地獲得黏著劑組成物及 黏著帶。 (實施例4) 將具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物之調配量設為 8重量份,除此以外與實施例丨同樣地獲得黏著劑組成物及 黏著帶。 (實施例5) 將具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物之調配量設為 10重量份,除此以外與實施例1同樣地獲得黏著劑組成物 及黏著帶β (實施例6) 將具有(曱基)丙稀醯基之聚石夕氧化合物之調配量設為 2〇重量份,除此以外與實施例丨同樣地獲得黏著劑組成物 及黏著帶。 (實施例7) 將具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物之調配量設為 3〇重量份,除此以外與實施例i同樣地獲得黏著劑組成物 及黏著帶。 (實施例8) 將具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物(Daicel_Cytec 公司製造’ EBECRYL 350 ’兩烯酸當量為2 )換為 17 201217478
Daicel-Cytec公司製造之EBECRYL 136〇(丙烯酸當量為 6 ),除此以外與實施例3同樣地獲得黏著劑組成物及黏著 帶。 (實施例9) 相對於含有丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯溶液之樹脂固 形物成分100重量份’進而調配酮洛芬20重量份作為氣體 產生劑’除此以外與實施例3同樣地獲得黏著劑組成物及 黏著帶。 (實施例1 0 ) 相對於含有丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯溶液之樹脂固 形物成分100重量份’進而調配5-(間胺基笨基)四唑1〇重 量份作為氣體產生劑,除此以外與實施例5同樣地獲得黏 著劑組成物及黏著帶。 (實施例11 ) 相對於含有丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯溶液之樹脂固 形物成分100重量份,進而調配Reolosil MT-1 0 (二氧化石夕 填充料,Tokuyama公司製造)20重量份作為無機填充劑, 除此以外與實施例3同樣地獲得黏著劑組成物及黏著帶。 (實施例12 ) 相對於含有丙浠酸系共聚物之乙酸乙酯溶液之樹脂固 形物成分1 00重量份,進而調配5-(間胺基苯基)四唾丨〇重 量份作為氣體產生劑,調配Reolosil MT-10 (二氧化石夕填充 料’ Tokuyama公司製造)20重量份作為無機填充劑,除此 以外與實施例3同樣地獲得黏著劑組成物及黏著帶。 201217478 (實施例1 3 ) 相對於含有丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯溶液之樹脂固 形物成分100重量份,進而調配雙四唑鈉鹽丨〇重量份作為 氣體產生劑,調配Reol〇sil MT_1〇 (二氧化矽填充料, Tokuyama公司製造)2〇重量份作為無機填充劑,除此以外 與實施例3同樣地獲得黏著劑組成物及黏著帶。 (實施例14) 相對於非光硬化型黏著劑(具有羥基及羧基之丙烯酸 系樹脂,SKDyne 1495C,綜研化學公司製造)之樹脂固形 物成分100重量份,混合具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合 物(東亞合成公司製造,AC_SQ ,具有羥基及丙烯基)i重 罝伤' 光聚合起始劑(Esacure ONE,日本Siber Hegner公 司製造)1重量份、聚異氰酸酿系交聯劑(c〇r〇nate L45, 日本聚胺酯社製造)0.5重量份’而製備黏著劑組成物之乙 酸乙酿溶液,除此以外與實施例3同樣地獲得黏著劑組成 物及黏著帶。 (實施例1 5 ) 將具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物之調配量設為 0·5重量份,除此以外與實_ 1同樣地獲得黏著劑組成物 及黏者帶。 (比較例1 ) —不調配具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物,除此以外 與實施例1同樣地獲得黏著劑組成物及黏著帶。 (比較例2) 19 201217478 不調配具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物除此以外 與實施例ό同樣地獲得黏著劑組成物及黏著帶。 (比較例3) 調配不具有聚矽氧骨架之丙烯酸系寡聚物(新中村化 學公司製造,NK 〇ligo 1324Α) !重量份代替具有(甲基) 丙烯醯基之聚矽氧化合物,除此以外與實施例i同樣地獲 得黏著劑組成物及黏著帶。 (比較例4) 調配不具有官能基之聚矽氧油(信越化學工業公司製 造,KF-96-lOcs) 1重量份代替具有(曱基)丙烯醯基之聚矽 氧化合物’除此以外與實施们同樣地獲得黏著劑組成物 及黏著帶。 (評價) 藉由以下方法對實施例及比較例中所得之黏 物及黏著帶進行評價。 將結果不於表1。 (1 )剝離性之評價 使用所得之黏著帶作為背面研㈣帶 路之厚度為700以m之矽晶圓「姐θ圓、—而 圓(裸日日圓)之電路面作為勝 帶側,將石夕晶圓薄化研磨至5〇心之厚度。繼而於_ :下對整體加$ 120分鐘。加熱後’將切割膠帶貼附至矽 晶圓之研磨面側,進行级 Α _ 仃及附固疋,利用超高壓水銀燈以2 Π1 AV / C Π1 之強度自背面 TTf PS® -Hit 牙面研磨膠帶側照射150秒後,剝離背面 20 201217478 對1 〇片晶圓實施上述極你 ^ XL細作,觀察是否因剝離背面研磨 膠帶時之應力晶圓而產生裂纟 教紋或電路之破損,黏著劑是否 殘留於電路面。 使用t成有階差約為5 #爪之電路之厚度為700 之石夕BB圓(電路晶圓)進行相同之評價。 (2 ) IC晶片之污染性之評價 針對(1 )中未破損地剝離且成功轉印至切割 電跟 6 I 丄< 曰 日日圓(裸晶圓),切割成5 rnmx5 mm而獲得半導體 晶片。白π e m 目所伸之半導體晶片中隨機選出1 00個,利用顯料 鏡觀寧 B y W傚· '、曰曰片上之凸塊周邊。求出表面上未見樹脂殘渣 面污染笪+ , 4衣 '、專之半導體晶片之數量。 21 201217478 φΙ 蛱碱 98/100 99/100 99/100 96/100 95/100 100/100 98/100 99/100 98/100 100/100 100/100 100/100 100/100 96/100 94/101 0/100 0/100 0/100 1/100 姐 鞭 ¥ 咖C居一 «2® s ^ 踩 难 電路晶圓 10/10 I 10/10 I | lo/io I 10/10 10/10 10/10 10/10 I lo/io I 10/10 10/10 | lo/io 10/10 | 丨〇/1〇 10/10 10/10 〇 〇 〇 δ 〇 δ 〇 裸晶圓 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 〇 〇 〇 δ 〇 CN 10/10 磡钵@ m 賴忘 m 滲出劑 φ| φΐ tO Jjhj /^s v® w 々* ΕΓ w Φ iR IT) (N 00 〇 (N (N 〇 〇 〇 〇 (N 〇 1 1 — 種類 具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 具有(曱基)丙烯醯基之聚矽氧化合物 1 1 丙烯酸系寡聚物 聚矽氧油 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 貪施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 201217478 [產業上之可利用性j 根據本發明,可提供一種具有較高之初始黏著力且可 牛固地固定被黏附體,並且即使經過2〇〇(>c以上之高溫加工 製程後’藉由照射光亦可容易地進行剝離之黏著劑組成 物、及使用該黏著劑組成物之黏著帶、使用該黏著劑組成 物之晶圓之處理方法。 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無0 23

Claims (1)

  1. 201217478 七、申請專利範圍: 1. 一種黏著劑組成物,含有黏著劑成分、光聚合起 始劑、及具有可與該黏著劑成分交聯之官能基之聚矽 氧化合物。 2. 如申請專利範圍第1項之黏著劑組成物,其中, 黏著劑成分為光硬化型之黏著劑成分。 3 .如申請專利範圍第2項之黏著劑組成物,其中, 光硬化型之黏著劑成分含有分子内具有自由基聚合性 不飽和鍵之(曱基)丙稀酸烧基S旨系之聚合性聚合物。 4.如申請專利範圍第1項、第2項或第3項之黏著 劑組成物,其中,具有可與黏著劑成分交聯之官能基 之聚矽氧化合物為下述通式(I)、通式(II)或通式(III)所 示之矽氧烷骨架上具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧化合 物, [化1] (•宁 Η3 1 Si - 0 ·〒%· Si-G ·άπ3_ X .k . ?η3 -si-ch3 ins Υ ?η3· Si-Ο Μ. (II) (I) ?Η3 R-S1-0- 6η3 ?Η3 6η3 ·?η3] S1-0 X ?Η3 Si-ΟΛ ]γ 9Η3 -Si~R6η3 (III) 24 201217478 式中,X、Y表示0〜1200之整數,R表示具有不 飽和雙鍵之官能基。 5 . —種黏著帶,係基材之至少一面具有由申請專利 範圍第1項、第2項、第3項或第4項之黏著劑組成 物構成之黏著劑層。 6 · —種晶圓之處理方法,具有如下步驟: 透過申請專利範圍第1項、第2項、第3項或第4 項之黏者劑組成物*將晶圓固定於支撐板之支撐板固 定步驟;對固定於該支撐板之晶圓之表面實施伴隨有 2 0 0 °C以上加熱之處理的晶圓處理步驟;及 對該處理後之晶圓進行光照射,使該黏著劑組成 物硬化,並將支撐板自晶圓剝離之支撐板剝離步驟。 25
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