TW201218430A - Multichip package structure using constant-voltage power supply - Google Patents

Description

201218430 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ^明係有關於4多晶轉結構，尤指一種 電壓電源供應器之多晶封骏結構。 疋 【先前技術】 按，電燈的發明可以說是徼底地改變了全人類的生、、舌 =式’倘若我們的生活沒有電燈，錢或天氣狀況不佳的 時候1一切的工作都將要停擺；倘若受限於照明，極有可 能使房屋建築方式或人類生活方式都徹底改變，全人^ 將因此而無法進步，繼續停留在較落後的年代。是以，八 日市面上所使用的_設備，例如：日歧、鎢絲燈、; 至！!現在較廣為大眾所接受之省電燈泡，皆已普遍應用方t 中。_，此類電燈大多具有光衰減快、高耗 =、谷易產生高熱、壽命短、糾或不細收等缺點。 因此’使用發光二極體的封裝結顧應而生。 【發明内容】 ，發闕在於提供―種多晶縣結構，其可使用 疋電壓電源供應器作為供電的源頭。 ，發明實施例提供—種使狀電壓電源供應器之多 r f，其包括：-基板單元、一發光單元、-限流 二二-邊框單元及—封裝單元。基板單元具有一基板本 Γ太神立於基板本體上表面之第—置晶區域、及—位於基 要上表面之第一置晶區域。發光單元具有多個電性設 置曰曰區域上之發光二極體晶片。限流單元具有至 二雷松=置於第t置晶區域上之限流晶片，其中限流晶 、接於發光單％ «^邊框單元具有—環繞地成形於基 4/29 201218430 其;^雕表面之第—&繞式邊彳轉體及—環繞地成形於 二扳本肢上表面之第二環繞式邊框膠體，其中第一

圍繞上述多個發光二極體晶片，以形成一對應於 之第一膠體限位空間，且第二環繞式邊框膠 月旦’、凡'日日片，以形成一對應於第二置晶區域之第二膠 體H空間。封料元具有—填級第—膠體限位空間内 以覆蓋上述多個發光二極體晶片之第一封裝膠體及一填 充於第二膠體限位空間内以覆蓋限流晶片之第二封裝膠 曰本發明實施例提供一種使用定電壓電源供應器之多 f封裝結構’其包括：—基板單元、-發光單元、一限流 單疋 邊框單元及—縣單元。基板單元具有—基板本 體、兩個位於基板本體上表面之第—置晶區域、及一位於 基板本體上表面之第二置晶區域。發光單元具有至少一用 於產生第一種色溫之第一發光模組及至少一用於產生第 一種色溫之第二發光模組，其中第一發光模組具有多個電 I"生《又置於其中一第一置晶區域上之第一發光二極體晶片 ，且第二發光模組具有多個電性設置於另外一第一置晶區 域上之第二發光二極體晶片。限流單元具有至少一電性設 置於第一置曰a &域上之限流晶片，且限流晶片電性連接於 發光單元。邊框單元具有兩個環繞地成形於基板本體上表 面之第一環繞式邊框膠體及一環繞地成形於基板本體上 表面之第二環繞式邊框膠體，其中上述兩個第一環繞式邊 框膠體分別圍繞第一發光模組及第二發光模組，以分別形 成兩個相對應上述兩個第一置晶區域之第一膠體限位空 間，且第二環繞式邊框膠體圍繞限流晶片，以形成一對應 5/29 201218430 T第二置晶區域之第二膠體限位郎。封裝單元且有兩個 力別填充於上述兩個第一膠體限位空間内 i光模組及第H模組之第—難膠體及—填充於 第二膠體限位空間内以覆蓋限流晶片之第二封裝膠體。 曰封ί=實Π共—種使用定電麗電職應器之多 ::封裝結構，其包括一基板單元、—發光單元、一限流 ^邊框單元及—縣單元。基板單元具有-基板本 ，、兩個位於基板本體上表面之第一置晶區域、及一位於 土板本體上表面之第二置晶區域。發光單元具有至少一用 於產生第-種色溫之苐-發光模組及至少—用於產生第 2色溫之第二發光模組，其中第一發光模組具有多個電 。又置於其中-第-置晶區域上之第—發光二極體晶片 且第二發光模組具有多個電性設置於另外-第-置晶區 罢上之第二發光二極體晶片。限流單元具有至少一電性設 方晶區域上之限流晶片’其中限流晶片電性連接 主發光早凡。邊框單元具有兩個環繞地成形於基板本體上 ^面之第-環繞式邊框膠體及—環繞地成形於基板本體 表面之第二環繞式邊框膠體，且其中一個第一環 圍繞另外-個第一環繞式邊框膠體，其中上述兩個 第繞式邊框賴分關繞第_發紐組及第二發光 模、、且，以分別形成兩個相對應上述兩個第一置晶區域第 膠體限位空間，第二發光模組位於上述兩個第—環 邊框膠體之間’且第二環繞式邊樞膠體圍繞限流晶片，:乂 形成對應於第二置晶區域之第二膠體限位空間。封裂單 兀具有兩個分別填充於上述兩個第一膠體限位空^ 分別覆蓋第-發光模組及第二發光模組之第—封裝膠触 6/29 201218430 * ·. 及填充於第二膠體限位空間内以覆蓋限流晶片之莖_ 封裝膠體。 乐— 练上所述，本發明實施例所提供的多晶封裝結構，其 σ曰透過“將上述多個發光二極體晶片與上述至少一限流 性連接於同—基板單元上”的設計，以使得本發明 、夕晶封裝結構可使用定電壓電源供應器作為供電的源 頭0 、為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術内容，請參 ♦ 目γτ有關本發明之詳細制無圖，㈣所_式僅提 供翏考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。 【實施方式】 〔第一實施例〕 m請參閱圖1Α至圖1D所示，圖1Α為立體示意圖，圖 〜為側視剖面示意圖，圖]c為上視示意圖，圖〗D為功 能方塊圖。由上述圖中可知，本發明第一實施例提供一種 使用定電壓電源供應器s之多晶封裝結構2，其包括：一 • 基板單元1、一發光單元2、一限流單元C、-邊框單元3 及一封裝單元4。 其中，基板單元1具有-基板本體1〇、一位於基板本 肢10上表面之第-置晶區域U、及一位於基板本體1〇上 表面之第二置晶區域12。舉例來說，基板本體ι〇可具有 一電路基板、-設置於電路基板⑽底部之散熱層】〇1 夕個5又置於電路基板100上表面之導電焊墊102、及一 設置於電路基板100上表面並用於露出上述多個導電焊塾 102之絕緣層1〇3。因此，散熱層10】可用於增加電路基 板1〇〇的散熱效能’並且上述多個絕緣層1〇3可為一種可 7/29 201218430 用於只讓上述多個導電焊塾1()2裸露出來並且達到局限焊 接區域之防焊層。然而，上述對於基板本體1〇的界定並 非用以限定本發明，舉凡任何型式的基板皆為本發明可應 用的範鳴。例如：基板本體1G可為—印刷電路板、一^ 基板、一鋁基板、一陶瓷基板或一銅基板...等。 再者’發光單元2具有多個電性設置於第一置晶區域 11上之發光二極體晶片2〇。舉例來說，每—個發光二極體 晶片20可為一藍色發光二極體晶片，且每一個發光二極 體晶片20可透過打線（wire_b〇nding)的方式，以電性地 設置於基板單元1的第一置晶區域11上。換言之，設計者 · 可預先在基板單元1上規劃出一預定的第—置晶區域η， 二使得上述多個發光二極體晶片20可電性地放置在基板 單元1的第一置晶區域11所界定的範圍内。 此外’限流單元C具有至少-電性設置於第二置晶區 域12上之限流晶片C1，當然本發明也可以因應不同的電 流需求，而使用多個電性設置於第二置晶區域12上之限 流晶片ci，其中限流晶片C1電性連接於發光單元2，以 提供-特定的電流給發光單元2使用。舉例來說，限流晶· 片C1可透過打線（wire_b〇nding)的方式，以電性設置於 基板單元1的第二置晶區域12上且電性連接於定電壓源 供應器S與發光單元2之間（如圖1D所示）。換言之，設 計者可預先在基板單元1上規劃出一預定的第二置晶區域 12，以使得限流晶片C1可電性地放置在基板單元1的第 二置晶區域12所界定的範圍内。另外，因為限流晶片α 可作為定電壓源供應器S與發光單元2之間的橋樑，以使 得發光單元2能夠從定電壓源供應器s得到穩定的電流供 8/29 201218430 ;

邊框單元3具有一町透過堡怖的方式而環繞地 成形於基板本體10上表面之第一環繞式邊框膠體30及一 可透過塗佈的方式而環繞地成形於基板本體10上表面之 第二環繞式邊框膠體31，其中第一環繞式邊框膠體圍 繞些發光二極體晶片20，以形成一對應於第一置晶區域11 之第一膠體限位空間300,且第二環繞式邊框膠體31圍繞 限流晶片ci，以形成一對應於第二置晶區域12之第二膠 體限位空間310。此外，第一環繞式邊框膠體3〇與第二環 繞式邊框膠體31彼此分離一特定距離。 舉例來說，第一環繞式邊框膠體30 (或第二環繞式邊 框f體31)的製作方法，至少包括下列幾個步驟：⑴首先 I%地i佈液悲躍材（圖未示）於基板本體上表面 ，其中液_材可被隨意地圍繞成—職的形狀（例如圓 形、挪、長方形等等），液_材的觸變指數（thk。卿^ :二^^ 4至6之間，塗佈液態膠材於基板本體10 於至450 kpa之間，塗佈液態勝材 ' :板本脰10上表面的速度可介於5幻5酿 且壤繞地塗mi轉於基 s、’ 終止點為大約相同的位置，因此起2面的起始點與 體些許凸出的外觀嚷後 環繞式邊_體30，其t _ ^祕材以形成第一 ，供烤的溫度可介於12=:=過洪烤的方式硬化 介於20至40分鐘之間。因此，=間’且供烤的時間可 的上表面可呈現一圓孤形 繞式邊框谬體如 9/29 201218430 50度之間’第—環繞式邊框膠體3 體H)上表面的高度H可介於〇的頂面相對於基板本 繞式邊框膠體30底部的寬度介於;7之間’第一環 30 ^ 熱硬化邊框膠體’體3〇可為一混有無機添加物之白色 内以H_L凡4具有—填充於第—膠體限位空間300 及-填充;^夕體^ 2G之第—封裝膠體40 之第位空間310内以覆蓋限流晶片ci 粗41，其中第一封裝膠體40與第二封裝膠 ^ 41彼此分離-特定距離，且第—環繞式邊框膠體㈣ 封裝龍41彼此分離—特定距離。_來說，由於 第-封裝膠體40.可為一透光膠體（例如螢光膠體或透明 膠體），因此上述多個發光二極體晶片2〇(例如多個藍色 發光二極體晶片）所投射出來的藍色光束L1可穿過第一 封裝膠體40 (例如螢光勝體），以產生類似日光燈源之白 色光束L2。另外，第二封裝膠體41可為一不透光膠體， 其用於覆蓋限流晶片C卜以避免限流晶片C1受到上述白 色光束L2的照射而產生損壞的情況。 另外，第一實施例的基板單元〗更進一步包括有：至 少一貫穿基板本體10之隔熱狹縫13，且隔熱狹縫13可位 於發光單元2與限流單元C之間或位於第一環繞式邊框膠 體30與第二環繞式邊框膠體31之間。因此，透過隔熱狹 縫13的使用，可大大減少限流單元c與發光單元2之間 的熱傳路徑’進而使得本發明可有效減緩由限流單元C的 一或多個限流晶片C1所產生的熱量傳導至發光單元2的 10/29 201218430 速度。 〔第二貫施例〕 請參閱圖2A與圖2B所示，圖^或乂 2B為側視剖面干音巴 I為立體示意圖，圖 例提供-種使述财可知，本刺第二實施 構2，其包供應器（圖未示)之多晶封裝結 • 暴扳單疋1、一發朵星畀。 C、一邊框單元3乃 、一限流單元 千兀3及一封裝早元4。由圖 圖2_ιβ)的比較可知，本發明第二=圖)（或 施例最大的差別在於：第二實施例的基實 的製作。舉例來說，當限流單元。不會產2 夕…罝寺’則可考慮使用本發明第二實施例的方案。、 〔第三實施例〕 請參閱圖3所示，1為 ，本發明第三實 、為視不思圖。由上述圖中可知 示)之多晶封^Γζ it吏用定電壓電源供應器（圖未 元2、- Jt r乃 基板單元1、一發光單 早7、一邊框單元3及一封穿單亓4 士回 3與圖1C的比較可知，本發 ^早70 4由圖 ,,,.,^ x a弟一，、轭例與第一實施例最 大的差別在於··限流單元C位於第— 取 與第二環繞式邊框膠體31之間，第二環繞 t 圍繞第-環繞式邊框膠體3G，第二轉膠體41圍繞肢第= 封裝雜40，且第-環繞式邊框膠體3〇與第二封褒勝體 41 f此相連。換言之，第一環繞式邊框膠體30只圍繞上 t多：發先H曰曰片20 ’而第二環繞式邊框膠㈣同 時圍繞上述多個發光二極體晶片2〇、第—環繞式邊框膠體 11/29 201218430 .· ,' 30及限/瓜日日片ci，因此第一環繞式邊框膠體3〇與第二 繞式邊框膠體31排列成一類似同心圓的圖案。 再者，與第-實施例相同的S，基板單元1可更進一 步包括有.至少一貫穿基板本體1〇之隔熱狹縫13，且隔 熱，縫13可位於發光單^ 2與限流單元c之間或位於第 -環繞式邊框膠體3〇與第二環繞式邊框膠體31之間。因 此1過隔熱狹縫13的使用，可大大減少限流單元C與 發光单f之間的熱傳路徑，進而使得本發明可有效減緩 由限流f元C的-或多個限流晶片C1所產生的熱量傳導 至發光單凡2的速度。當然，第二實施例亦可依據不同的 設計需求而省略隔熱狹縫13的製作。 〔第四實施例〕 請參閱圖4A與圖4B所示，圖4A為上視示意圖，圖 4B為側視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發明第四實施 例提供-贼蚊電壓電賴應|| (圖未示)之彡晶封裝結 構Z，其包括：-基板單元丨、—發光單元2、—限流單元 C、一邊框單元3及一封裝單元4。 其中，基板單元1具有一基板本體1〇、兩個位於基板 本體10上表面之第-置晶區域n、及一位於基板本體忉 上表面之第二置晶區域12。舉例來言兒，基板本體1〇可具 有-電路基板1〇〇、-設置於電路基板1〇〇底部之散熱層 1〇1、多個設置於電路基板1〇〇上表面之導電焊塾1〇2、及 /設置於電路基板UK)上表面並用於露出上述多個焊 勢102之絕緣層103。 再者’發光單元2具有至少—用於產生第—種色温之 12/29 201218430

第一發光模組2a及至少一用於產生第二種色溫之第二發 光模組2b，其中第一發光模組2a具有多個電性設置於其 中一第一置晶區域11上之第一發光二極體晶片2〇a，且第 二發光模組2b具有多個電性設置於另外一第一置晶區域 11上之第二發光二極體晶片20b。舉例來說，每一個第一 發光二極體晶片20a與每一個第二發光二極體晶片2〇b皆 為藍色發光一極體晶片，且每一個第一發光二極體晶片 20a與每一個第二發光二極體晶片2〇b皆可透過打線（ wire-bonding )的方式，以分別電性設置於上述兩個第一置 晶區域11上。 此外，限流單元C具有至少一電性設置於第二置晶區 域12上之限流晶片C1，其中限流晶片C1電性連接於發 光單7L 2，以提供一特定的電流給發光單元2使用。當然 本發明也可以因應不同的電流需求，而使用多個電性=置 於第一置曰曰區域12上之限流晶片ci (例如使用兩個限流 晶片C1 ’其分別應用於第一發光模組仏與第二發光模組 2b)。舉例來說，限流晶片C1可透過打線（wire_b_吨 )的方^以電性設置於基板單元^第二置晶區域^ 上且電性連接於定電壓源供應器（圖未示)與發光單元2之 間。因，，限流晶片C1可作為定電壓源供應器(圖未示) 發光單it 2之間的橋樑，以使得發光單元2能夠從定電 壓源供應器（圖未示)得到穩定的電流供應。 s早〜—力丨^(徊環繞地成形於基板本體^ 2之第-環繞式邊_體3Q及—環繞地 ^上表面之第二環繞式邊框膠體31，其中 第一％繞式邊框膠體3〇分別圍繞第一發光模 13/29 201218430 發光模組2b，以分別形成兩個相對應上述兩個第一置晶區 域11之第-膠體限位空間300,且第二環繞式邊框膠體31 圍繞限流晶片C1，以形成一對應於第二置晶區域 二膠體限位空間310。此外，上述兩個第—環繞式邊框勝 ，30彼此分離—預定距離’且上述兩個第—環繞式邊框 膠體30彼此並聯地排列在基板本體1〇上，另外每一個第 一環繞式邊框膠體30與第二魏式邊_體31彼此分離 一特定距離。 再者，封裝單元4具有兩個分別填充於上述兩個第一 膠體限位空間3GG内以分職蓋第—發光模組&及第二發 光模組2b之第-封裝賴(4Qa、)及—填充於第二膠體 =空間則内以覆蓋限流晶片^之第二封裝谬體4卜 中、每-個第-封裝膠體(伽、)與第二封鱗體“彼 =離-特定距離，且每-個第1繞式邊框膠體3〇與 ^封裝膠體41彼此分離—特定轉。舉例來說，其中 :夕卜=裝穋體^可為—具有—第—顏色之營光膠體， =卜^-封鄉體杨可為-具有—第二顏色之營光膠 且第二封裝雜41可為-具麵歧果料透光膠 另外，第四實施例的基板單元1更進一步包括有：： 少一貫穿基板本體10之隔熱狹縫13， =:::。2與限流單元C之間或位於其 邊框膠體30與第二環繞式邊框膠體31之 3狹縫13的使用’可大大減少限流單元c斑發光單元 傳路徑，進而使得本發明可有效減緩由限流單; c的-或多個限流晶片α所產生的熱量傳導 14/29 201218430 的速度。 再者’第-組發光結構Νι可包括： 個第-發光二極體晶片；=夕 3。及其中♦物體4。：;二㈡ !: 1〇' ' I! 第一環繞式邊框膠H g #皆 卜— 祖刈及另外一苐一封裝膠體40b。 〔第五實施例〕

5R 丨'閱^ M與圖5B所示，圖5八為上視示意圖，圖 為側視剖面示意圖。由上述圖中可知，本 使収電壓電源供應·未示)之多晶封裝Ϊ 包括：一基板單元i、一發光單元2、一限流‘ ，框早凡3及-封裝單元4。由圖5a與圖4A (或 圖=朗4B) _較可知，本發明第五實施例與第四^ 把二取大的差別在於：邊框單元3的兩個第—環繞式邊框 膠體30可彼此並聯排列且連接在一起。 〔第六實施例〕 請參閱圖6A與圖6B所示，圖6A為上視示意圖，圖 6B為側視剖面示意圖。由±述圖中可知，本發明第六實施 例提供一種使用定電壓電源供應器（圖未示)之多晶封裝結 構Z，其包括：一基板單元丨、一發光單元2、一限流單元 C 邊框單元3及一封裝單元4。由圖6A與圖5A (或 圖6B與圖5B)的比較可知，本發明第五實施例與第四實 加例最大的差別在於.在第五實施例中，依據不同的設計 需求，每一個第一環繞式邊框膠體30可為螢光膠體。換 15/29 201218430 =况，本發明可隨著不同的需求而選擇性地添加榮光粉 第-環繞式邊框膠體3G内，進而有效降低發生 =裝早疋4的兩個第-封裝膠體(術、概)之間的暗帶 〔第七實施例〕 ^參閱@7A與圖7B所示，圖7A為上視示意圖，圖 為側視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發明第施 =供:種使収電壓電源供應器（圖未示)之多晶封裝結 ?巧包括:一基板單元1、一發光單元2、一限流單元 C、一邊框單元3及一封裝單元 其中’基板單ϋ 1具有—基板本體1G、兩個位於基板 本體10上表面之第一晉S p0_pj ·Μ 弟置日日11、及一位於基板本體10 衣面之第二置晶區域12。發光單元2具有至少一用於產 生第-種色溫之第-發光模組2a及至少一用於產生第二 種色溫之第二發光模組2b，其中第—發光模組2a具有多 個電性設置於其中一第一置晶區域11上之第-發光二極 體晶片20a ’且第二發光模組2b具有多個電性設置於另外 -第-置晶區域11上之第二發光二極體晶片勘。限流單 元c具有至少-電性設置於第二置晶區域12上之限流晶 片其纽流晶片α電性連接於發光單元2。 再者，邊框w單元3具有兩個環繞地成形於基板本體1〇 上表面之第-環繞式邊轉體(地、)及—環繞地成形 於基板本體ίο上表面之第二環繞式邊框膠體31，且並中 -個第-環繞式邊框膠體3%圍繞另外一個第一環繞式邊 框膠體3Ga，因此上述兩個第—環繞式邊框膠體(施、地) 16/29 201218430 *, ·. 排列成-類似同心圓的圖案。上述兩個第一環繞式邊框膠 體(3〇a、通)分別圍繞第一發光模組％及第二發光模組孔 ，以分別形成兩個相對應上述兩個第一置晶區域n之第一 膠體限位空間3GG，第二發光模組2b位於上述兩個第—環 繞式邊框膠體(30a、30b)之間，且第二環繞式邊框膠體31 圍繞限流晶片α，以形成—對應於第二置晶區域12之第 二膠體限位空間則。封料元4具有兩個分別填充於上 述兩個第一膠體限位空間3 00内以分別覆蓋第-發光模組 • 2a及第二發光模組2b之第一封裝膠體(40a、40b)及一填充 於第二膝體限位空間31〇内以覆蓋限流晶片C1之第二封 裝膠體41。 再者，與第一實施例相同的是，基板單元1可更進一 步包括有：至少一貫穿基板本體10之隔熱狹縫13，且隔 熱狹縫13可位於發光單元2與限流單元c之間或位於其 中一第一環繞式邊框膠體30b與第二環繞式邊框膠體31 之間。因此，透過隔熱狹縫13的使用，可大大減少限流 # 單元C與發光單元2之間的熱傳路徑，進而使得本發明可 有效減緩由限流單元c的一或多個限流晶片C1所產生的 熱星傳導至發光單元2的速度。當然，第七實施例亦可依 據不同的設計需求而省略隔熱狹縫13的製作。 另外，第一組發光結構N1可包括：基板本體1〇、多 個第一發光二極體晶片2〇a、其中一第一環繞式邊框膠體 30a及其中一第一封裝膠體4〇a。第二組發光結構N2可包 括.基板本體10、多個第二發光二極體晶片2〇b、另外一 第一環繞式邊框膠體30b及另外一第一封裝膠體40b。其 中，具有較低色溫的第一組發光結構N1被設置於内圈， 17/29 201218430 而具有較高色溫的第二組發光結構N2則設置於外圈。 〔第八貫施例〕 請參閱圖8所示，其為上視示意圖。由上述圖中可知 ，本發明第八實施例提供一種使用定電壓電源供應器（圖未 示)之多晶封裝結構Z，其包括：一基板單元〗、一發光單 元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖 8與圖7A的比較可知’本發明第八實施例與第七實施例最 大的差別在於：在第八實施例中，第一組發光結構N1與 第二組發光結構N2的位置相互顛倒，因此具有較低色溫 的第一組發光結構Ml被設置於外圈，而具有較高色溫的 第一組發光結構N2則設置於内圈。 〔第九實施例〕 请參閱圖9A與圖9B所示，圖9A為上視示意圖，圖 9B為側視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發明第九實施 例提供一種使用定電壓電源供應器（圖未示)之多晶封裝結 構Z，其包括.一基板單元1、一發光單元2、一限流單元 C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖9A與圖7A (或 圖9B與圖7B)的比較可知，本發明第九實施例與第七實 施例最大的差別在於：在第九實施例中，依據不同的設計 需求，上述兩個第一環繞式邊框膠體(30a、30b)皆可為螢 光膠體。換句話說，本發明可隨著不同的需求而選擇性地 添加螢光粉於上述兩個第一環繞式邊框膠體(3〇a、3〇b)内 ，以使得光源（如圖9B中向上的箭頭所示）能夠被導引 至上述兩個第一封裝膠體(4〇a、4〇b)之間，進而降低發生 18/29 201218430 於上述兩個第一封裝膠體(40a、40b)之間的暗帶情況。 〔弟十貫施例〕 請參閱圖10所示，其為側視剖面示意圖。由上述圖 中可知’本發明第十實施例提供一種使用定電壓電源供應 器（圖未示)之多晶封装結構Z，其包括：一基板單元i、一 發光卓元2、一限流單元c、一邊框單元3及一封裝單元4 。由圖10與圖7B的比較可知，本發明第十實施例與第七 • 實施例最大的差別在於：在第十實施例中，依據不同的設 計需求’内圈的第一環繞式邊框膠體30a可為螢光膠體， 而外圈的第一環繞式邊框膠體3〇b可為反光膠體。換句話 說，本發明可隨著不同的需求而選擇性地添加螢光粉於内 圈的第一環繞式邊框膠體30a内，以使得光源（如圖】〇 中向上的箭頭所示）能夠被導引至上述兩個第一封裝膠體 (40a、40b)之間，進而降低發生於上述兩個第一封裴膠體 (40a、40b)之間的暗帶情況。此外，透過「外圈的第一環 • 繞式邊框膠體30b為反光膠體」的設計，以使得本發明二 投出的光源能得到較佳的聚光效果。 〔第一實施例至第十實施例〕 再者’請參閱圖11所示，上述第一實施例至第十實施 例中’基板單元1具衫做置於基板本體1Q上表= 正極焊塾P及多鑛置於基板本㈣±表面4 ’每一個發光二極體晶片20具有一正極2〇1及 ’每一個發光二極體晶Μ 20的正極2〇1相對、 正極焊墊Ρ中的至少兩個，且每—個 ^^述夕個 赞尤一極體晶片20 19/29 201218430 :負=02相對應上述多個負極焊墊n中的至少兩個。另 線W! :—導線單元W ’其具有多條導 二極π 2ΓΓ条導線w】分別電性連接於每一個發光 的01與上述至少兩個正極焊墊p中 ，备、中-個之間及電性連接於每一個發光二極體晶片20 。、圣202與上述至少兩個負極焊塾N中的其中一個之間 別具^母:個發光二極體晶片之正極2〇1與負極202分 …所以d固傷用正極特P及至少一個備用負極焊塾 極焊塾Λ負端打在(焊接在)其中， W1蛊“正極焊執而失敗時（造成浮焊，亦即導線 /、 極烊墊P或負極焊墊N”之問、力古客4 k . =造/不需清除因為打線失敗而形成又於正極二連P =:=(或負極焊塾N表面上的焊潰)，轉： 焊塾N)而上3二外:個正極焊塾P (或另外一個負極 加打線的良率打線的時間（提升打線的效率）並增 〔實施例的可能功效〕 形狀Ξΐ” 1本發明透過塗佈的方式以成形一可為任专 且透框膠體（例如環繞式白色膠體），i ㈣第-％繞式邊框膠體以局限—第— 工 膠體 1:第及二 光二極體晶片的出光角度」::2 由第一％繞式邊框膠體的使用，以使得第一封裳 20/29 201218430

明的發光效率。 被限位在第一膠體限位空間内 體的使用量及位置」；再者藉 再者，本發明每一個發光二極體晶片的正極與負極分 別相對應至少兩個正極焊墊及至少兩㈣極焊塾，因此每 -個發光二極體晶片的正極與負極分別具有至少一個備 用正極焊纽至少—個制貞簡塾，以使得本發明可有 效節省打_時間（提升打線的效率）並增加打線的良率 、另外，本發明可透過“將上述多個發光二極體晶片與 上述至少一限流晶片電性連接於同—基板單元上”的設 。十，以使得本發明的多晶封裝結構可使用定電壓電源供應 益作為供電的源頭。 以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因此彳局限 本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式内容 所為之等效技術變化’均包含於本發明之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1A為本發明第一實施例的之立體示意圖； 圖1B為本發明第一實施例的之側視剖面示意圖； 圖1C為本發明第一實施例的之上視示意圖； 圖1D為本發明第一實施例的功能方塊圖； 21/29 201218430 圖2A為本發明第二實施例的之上視示意圖； 圖2B為本發明第二實施例的之側視剖面示意圖； 圖3為本發明第三實施例的之上視示意圖； 圖4A為本發明第四實施例的之上視示意圖； 圖4B為本發明第四實施例的之側視剖面示意圖； 圖5A為本發明第五實施例的之上視示意圖； 圖5B為本發明第五實施例的之側視剖面示意圖； 圖6A為本發明第六實施例的之上視示意圖；

圖6B為本發明第六實施例的之側視剖面示意圖； 圖7A為本發明第七實施例的之上視示意圖； 圖7B為本發明第七實施例的之側視剖面示意圖； 圖8為本發明第八實施例的之上視示意圖； 圖9A為本發明第九實施例的之上視示意圖； 圖9B為本發明第九實施例的之侧視剖面示意圖； 圖10為本發明第十實施例的之側視剖面示意圖；以及 圖11為本發明使用多個備用焊墊的局部上視示意圖。 【主要元件符號說明】

定電壓電源供應器S 多晶封裝結構 Z 基板本體 10 電路基板 100 散熱層 101 導電焊墊 102 正極焊塾 P 負極焊塾 N 絕緣層 103 基板單元 22/29 11201218430 發光單元

第一發光模组 2a 第二發光模組 2b 限流單元 C 邊框單元 3 第一置晶區域 第二置晶區域 12 隔熱狹缝 13 發光二極體晶片 20 正極 201 負極 202 第一發光二極體晶片20a 第一發光二極體晶片20b 限流晶片 C1 第一環繞式邊框膠體 30 第一環繞式邊框膠體 30a 第一環繞式邊框膠體 30b

封裝單元 4 導線單元 W 第一組發光結構N1 第二組發光結構N2 圓弧切線 T 角度 Θ 高度 Η 寬度 D 第一膠體限位空間 300 第二環繞式邊框膠體 31 第二膠體限位空間 310 第一封裝膠體 40 第一封裝膠體 40a 第一封裝膠體 40b 第二封裝膠體 41 導線 W1 23/29 201218430

Ll 藍色光束 白色光束 L2

24/29

Claims (1)

1. 201218430 七、申請專利範圍： 1· -種使用定電壓電源供應器之多晶封裝結構，其包括： 基板單元，其具有一基板本體、一位於該基板本體上 表面之第—置晶區域、及一位於該基板本體上表面之 第一置晶區域； 一發光單元，其具有多個電性設置於該第一置晶區域上 之發光二極體晶片； 限流單元，其具有至少一電性設置於該第二置晶區域

   上之限流晶片，其中上述至少一限流晶片電性連接於 該發光單元； ' 邊框單元，其具有一環繞地成形於該基板本體上表面 之第一環繞式邊框膠體及一環繞地成形於該基板本體 上表面之第二環繞式邊框膠體，其中該第一環繞式邊 框膠體圍繞上述多個發光二極體晶片，以形成一對應 於該第一置晶區域之第一膠體限位空間，且該第二^ 繞式邊框膠體圍繞上述至少一限流晶片，以形成一二 應於該第二置晶區域之第二膠體限位空間；以及 一單元’其具有一填充於該第—膠體限位空間内以 覆蓋上述多個發光二極體晶片之第一封裝膠體及一 充於該第二膠體限位空間内以覆蓋上述至、 片之第二封裝膠體。 ^從日曰 2.專利範圍第丨項所述之使^電壓電源供 夕晶封裝結構，其中該基板本體具有一電其〜° 置於該電路基板底部之散熱m “二二設 上表面之導電焊塾、及一設置於該路基板 於露出上述多個導電焊墊之絕緣層；每—個發 25/29 201218430 晶片為一藍色發光二極體晶片，該第一封裝膠體為一螢 光膠體或一透明膠體，且該第二封裝膠體為一不透光膠 體。 3. 如申請專利範圍第1項所述之使用定電壓電源供應器之 多晶封裝結構，其中該第一環繞式邊框膠體的上表面為 一圓弧形，該第一環繞式邊框膠體相對於該基板本體上 表面之圓弧切線的角度介於40至50度之間，該第一環 繞式邊框膠體的頂面相對於該基板本體上表面的高度介 於0.3至0.7 mm之間，該第一環繞式邊框膠體底部的寬 度介於1.5至3 mm之間，該第一環繞式邊框膠體的觸變 _ 指數（thixotropic index)介於4至6之間，且該第一環 繞式邊框膠體為一混有無機添加物之白色熱硬化邊桓膠 體。 > 4. 如申請專利範圍第丨項所述之使用定電壓電源供應器之 夕曰曰封裝結構，其中該基板單元具有多個設置於該基板 本體上表面的正極焊墊及多個設置於該基板本體上表面 之負極焊墊，每一個發光二極體晶片具有一正極及一負 極，每一個發光二極體晶片的正極相對應上述多個正極 φ 丈干墊中的至少兩個，且每一個發光二極體晶片的負極相 對應上述多個負極焊墊中的至少兩個。 5. 如申請專利範圍第4項所述之使用定電壓電源供應器之 夕a日封裝結構，更進一步包括：一導線單元，其具有多 條導線，其中每兩條導線分別電性連接於每一個發光2 極體晶片的正極與上述至少兩個正極焊墊中的其中一個 之間及電性連接於每一個發光二極體晶片之負極與上述 至少兩個負極焊塾中的其中一個之間。 26/29 201218430 多晶封ί =圍::項所叙使用定電壓電源供應器之 繞式邊框膠⑴纽八環繞式邊轉體與該第二環 /奴彼此分離一特定距齄，兮楚 該第二封穿狀雕咕LL、 δ亥第一封裝膠體與 邊框膠體一特定距 7.如申請專利此分離—特定距離。 多晶封震4 斤述之使用定電麼電源供應器之 環繞式其;"該第二環繞式邊框勝體圍繞該第- ，且該第第-封裝膠體圍繞該第-封裝膠體 。 錢式邊框膠體與該第二封裳膠體彼此相連 8. 範圍第1項所述之使用定電壓電源供庫哭之 其中該基板單元具有至少-貫穿‘ 4脰熱狹縫，且上述至 土饥 9. 元與該限流單元之間或位於環光單 第二環繞式邊框膠體之間。兀式邊框膠體與該 定電壓電源供應器之多晶封裝結構，並包括. :表=第Ϊ = = =體、兩個位於該基板本體 之第二置晶區^ 位於該基板本體上表面 一發光單元，其具有至少—祕產生第— „至少一用於產生第二 :： ^晶區域上之第二發光二極體晶片， 限流單元’其具有至少一電性設置於該第二置晶區$ =中-第:置晶區域上之第一發光二二= 第二有!個電性設置於另外- 27/29 201218430 上之限流晶片，其中上述至少一限流晶片電性連接於 該發光單元； 一邊框單元，其具有兩個環繞地成形於該基板本體上表 面之第一環繞式邊框膠體及一環繞地成形於該基板本 體上表面之第二環繞式邊框膠體，其中上述兩個第一 環繞式邊框膠體分別圍繞上述至少一第一發光模組及 上述至少一第二發光模組，以分別形成兩個相對應上 述兩個第一置晶區域之第一膠體限位空間，且該第二 環繞式邊框膠體圍繞上述至少一限流晶片，以形成一 對應於該第二置晶區域之第二膠體限位空間；以及 一封裝單元，其具有兩個分別填充於上述兩個第一膠體 限位空間内以分別覆蓋上述至少一第一發光模組及上 述至少一第二發光模組之第一封裝膠體及一填充於該 第二膠體限位空間内以覆蓋上述至少一限流晶片之第 二封裝膠體。 ίο. —種使用定電壓電源供應器之多晶封裝結構，其包括： 一基板單元，其具有一基板本體、兩個位於該基板本體 上表面之第一置晶區域、及一位於該基板本體上表面 之第二置晶區域； 一發光單元，其具有至少一用於產生第一種色溫之第一 發光模組及至少一用於產生第二種色溫之第二發光 模組，其中上述至少一第一發光模組具有多個電性設 置於其中一第一置晶區域上之第一發光二極體晶片 ，且上述至少一第二發光模組具有多個電性設置於另 外一第一置晶區域上之第二發光二極體晶片； 一限流單元，其具有至少一電性設置於該第二置晶區域 28/29 201218430 上之限流晶片，其中上述至少一限流晶片電性連接於 該發光單元； 一邊框單元，其具有兩個環繞地成形於該基板本體上表 面之第一環繞式邊框膠體及一環繞地成形於該基板 本體上表面之第二環繞式邊框膠體，且其中一個第一 環繞式邊框膠體圍繞另外一個第一環繞式邊框膠體 ，其中上述兩個第一環繞式邊框膠體分別圍繞上述至 少一第一發光模組及上述至少一第二發光模組，以分 Φ 別形成兩個相對應上述兩個第一置晶區域之第一膠 體限位空間，上述至少一第二發光模組位於上述兩個 第一環繞式邊框膠體之間，且該第二環繞式邊框膠體 圍繞上述至少一限流晶片，以形成一對應於該第二置 晶區域之第二膠體限位空間；以及 一封裝單元，其具有兩個分別填充於上述兩個第一膠體 限位空間内以分別覆蓋上述至少一第一發光模組及 上述至少一第二發光模組之第一封裝膠體及一填充 I 於該第二膠體限位空間内以覆蓋上述至少一限流晶 片之第二封裝膠體。 29/29