TW201219601A - Composition for etching metal layer - Google Patents

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Description

201219601 * 六、發明說明： 【考务明戶斤屬椅々貝j 相關申請案之相互參照 本申請案在35 U.S.C. §119下，對2010年11月12日於韓 國智慧財產權部中所提出之韓國專利申請案案號 10-2010-0112948主張優先權，此揭示其全文以參考之方式 併入本文。 發明領域 本發明係關於一種用以蝕刻金屬膜之組成物，其中該 金屬膜使用作為用於平板顯示器的薄膜電晶體之開極電極 及資料電極，特別是，藉由以批次方式溼式蝕刻一包含一 或多種選自於銅、鉬、鈦及鉬-鈦合金的單層或多層膜。 ^tr ]| 發明背景 薄膜電晶體係藉由在基材上形成金屬線獲得。典型來 說，透過物理吸附形成金屬膜，接著使用光阻經由曝光及 蝕刻圖形化來製備一圖形化的薄膜。在此當中，該蝕刻製 程係-根齡曝光製辛呈中所形成的圖案來選擇性钱刻該金 屬膜之製程。 當需要具有較好的性能之薄膜電晶體液晶顯示器時， 對快速驅動來說，有需要具有低電阻的金屬膜。為了滿足 此需求，對該薄膜電晶體之金屬配線使用諸如銅及銀的金 屬材料。目前，工業應用上廣泛使用鋼。因為純銅難以被 沉積在基材上，通常首先沉積鉬、鈦或鉬_鈦合金，然後沉 201219601 =銅’ u形成—多層膜°當使用包含過氧化氫作為主要M 分的鋼_ 総式侧此多層膜時，時常由於在銅、翻 太臈中的不同蝕刻速率而獲得差的蝕刻曲線圖。例如， 在銅層下的鉬或鈦滯留會發生諸如在接下來的模組加工中 紐路之問題’從而降低生產力。 1 士 在尊丰國專利公告案號1〇-2006-0134380及韓國專 案號10-0839428中，將氫氟酸加入至钱刻劑以移除 歹堯冷曰 。但是，因為氫敗酸會姓刻玻璃基材，薄膜電晶 體的厚度均勻性會大大地受損。為了解決此問題，韓國專 案號10-2007-0097922以較不會触刻玻璃基材的氟化 物鹽置換氫氟酸。 田’堅式姓刻包含一或多種選自於銅、鉬、鈦及鉬_鈦合 金的單層或多層膜時，在㈣劑中製備多種添加劑以克服 下歹丨問題.在不同金屬層間之蝕刻速率降低、對整體基材 及圖案的钱刻均勻性、及在銅離子與過氧化氫間過度反應 性問題等等。 韓國專利公告案號10-2004-0051502使用有機酸（諸如 I乙酸)作為餘刻控制劑。但是，被蝕刻的薄膜顯示出陡峭 的錐角’且無法有效地降低在銅離子與過氧化氫間之反應 陡。韓國專利公告案號10-2006-0099089揭示出一種蝕刻 ^其包含硫酸鹽作為蝕刻控制劑、磷酸鹽作為凹蝕抑制 齊J及以ga酸為基底的螯合劑作為螯合劑 。雖然其在銅離子 與過氧化氫間提供優良的抑制反應效應 ，但其趨向於在排 出口及蝕刻設備的沖洗單位處發生沉積，因此降低生產力。 201219601 大部分用於銅、鉬、鈦或鉬-鈦合金膜的蝕刻劑已經發 展，用以改善鉬、鈦或鉬-鈦合金臈殘餘的問題、藉由控制 銅的钮刻速顿得好的綱曲線圖、料低在鋼離子與過 氧化氫間之反應。雖關於殘餘物㈣纽_已經達成 許多改良，但在蝕刻設備中沉積仍是問題。再者，需要保 證較好的穩定性以改善生產力。 ” 【韻'明内容_】 發明概要 本發明的發明家已經努力發展出用以姓刻金屬膜（其 使用作為用於平板顯示器的薄膜電⑽之金屬㈣ 刻劑組成物’特別是，包含-或多種選自於銅、銷、= ㈣太合金的單層或多層膜，其具有優異的㈣曲線圖 徵、保證均勻性 '降低在_子過氧化氫狀反應性 少鉬、鈦及鉬-鈦合金殘餘物、及減 / 穑m⑽γ ^在蝕刻攻備中形成沉 積及台。他們已經發展出-種包含氧化劑、钮刻控制 劑、螯合劑、凹㈣制劑、触刻抑制劑、殘餘物移㈣ ，水的組成物’且已證實該组成物可使用絲刻包含—或 夕種選自於H鈦及銷_鈦合金的單層或多層膜而沒有 特別處理。 在一個共通的觀點中，本發明提供一種用來蚀刻金屬 膜的組成物，其包含：7_30重量％的氧化劑；〇 ι 5食量％的 餘刻控制劑；（U.5重量％的螯合劑；MU重量⑽凹餘抑 制劑；0.G1-5重量％的鋼钱刻抑制劑；⑽15重^的殘餘 物移除劑；及適當的水量，至總重量⑽重量％。 201219601 以下將描述本發明之域及其它觀點及特徵。 圖式簡單說明 現在，將詳細描述本發明的上述及其它目標、特徵及 優點，伴隨著參照在伴隨的圖形中所_之其某些典型的 具體實例’其在下文中僅提供_用，因此非為本揭示之 限制，及其中： 第1圖顯示出當使用具有現存的組成物之_劑時，在 蝕刻設備的排出口處形成之沉積物； 第2圖顯示出當使用包含根據本發明的蒸發抑制劑之 ㈣劑時’該沉積問題明顯改善’如與當使用現存用於姓 刻之組成物時比較；及 第3圖係一電子顯微圖，其顯示出使用稂據本發明之蝕 刻劑組成物（實施例12)蝕刻的銅/鉬-鈦合金多層膜（銅層： 2000埃’合金層：3〇〇埃）之蝕刻曲線圖。 應瞭解所附加的圖形不需成比例，其呈現出闡明本揭 示的基本原理之多種較佳特徵的稍微簡化表示。本揭示如 於本文中所揭示的特定設計特徵（包括例如特定尺寸、定 向、位置及形狀）將部分由特別想要的應用及使用環境決 定。
【實施方式;J 較佳實施例之詳細說明 現在，將於此之後詳細地參照本發明的多個具體實 例，此等實施例在伴隨的圖形中闡明且描述在下列。雖然 本揭示將以相關的典型具體實例描述，將要了解本描述不 201219601 相==限於那些典型具體實例。相反 二ΓΓΓ型的具體實例，而且亦涵蓋多種代用品、 =由相4物及其它具體實例，其可包括在本揭示如由 的申請專· _定義之精神及範圍内。 本發歧供-種以_金屬膜的㈣物，其包含 =:刻控制劑、f合劑、凹_卜 殘餘物移除劑及水。 h X氧化Μ氧化-鋼薄膜表面。特別是，可使用過氧化 氧其^亥組成物中可包含的量係7-30重量％。當該含量低 於7重里％時’製程效率會降低，因為銅㈣速率降低。及 當其超過30重量％日年，Α f因為與銅離子差的穩定性，所加工 的破璃數會受限制。 »亥姓刻控制劑會離子化銅膜之經氧化的表面，以便將 鋼離子從薄膜表面分離出。特別是，可使用有機酸。該有 機酸的特定實施例可包括一或多種具有一或多_基的 酸，諸如醋酸、檸檬酸、草酸、馬來酸、紅酸、破賴、 酒石g文、反丁烯二酸、水揚酸、蘋果酸、三甲基乙酸等等。 特別是，該蝕刻控制劑在該組成物中可包含的量係〇15重 量％。當該蝕刻控制劑之含量低於〇1重量％時，蝕刻速率 可減低。及當其超過5重量％時，蝕刻曲線圖_臨界尺寸(CD) 損失及錐角可令人不滿意。 該螯合劑會螯合已溶解在蝕刻劑中的銅離子，因此防 止鋼離子與氧化劑反應及改善氧化劑與钮刻劑之穩定性。 其增加由蝕刻劑加工的玻璃數及藉由防止過氧化氫快速分 201219601 解而改善安全性。典型來說，可使用以醋酸為基底的螯合 劑、以膦酸為基底的螯合劑、胺基酸或其混合物。更特別 的是，該以醋酸為基底的螯合劑之實施例可包括氮基三醋 酸(NTA)、亞胺二醋酸(IDA)、曱基亞胺二醋酸(MIDA)、羥 乙基亞胺二醋酸(HIDA)、二伸乙基三胺五醋酸(DPTA)、乙 二胺四醋酸(EDTA)、N-羥乙基乙二胺四醋酸(HEDTA)、甲 基乙二胺四醋酸(MEDTA)、三伸乙基四胺六醋酸(TTHA)等 等；該以膦酸為基底的螯合劑之實施例可包括乙二胺四亞 曱基膦酸（EDTPA)、二伸乙基三胺五亞曱基膦酸 (DTPMPA)、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)、胺基三亞甲基膦 酸(ATMP)等等；及該胺基酸的實施例可包括甘胺酸、精胺 酸、麵胺酸、丙胺酸、半胱胺酸、麵醯胺酸、草甘膦、甘 胺醯酸(glycylic acid)等等。特別是，該螯合劑在該用以触 刻金屬膜之組成物中可包含的量係0.1-5重量％。當該整合 劑之含量低於〇·1重量％時，穩定性可減低，因為在氧化劑 與銅離子間過度反應。及當其超過5重量％，蝕刻曲線圖_CD 損失及錐角可令人不滿意。 該凹触抑制劑調整金屬的氧化還原位能，因此防止局 部電池反應及保證在包含銅、銦、鈦等等的多層膜之金屬 層中一致的触刻速率。在本發明中’可使用無機磷酸鹽及 有機酸的銨鹽作為該凹蝕抑制劑。在現存的蝕刻劑中，普 遍地使用無機磷酸鹽，但是它們藉由與其它以有機為基礎 的添加劑結合趨向於在蝕刻設備中造成苔蘚物形成。在本 發明中，可藉由一起使用有機酸的銨鹽與無機磷酸鹽明顯 201219601 減少苔蘚物形成。該無機磷酸鹽可為一或多種選自於磷酸 錢、碟酸氫銨、伽二氫銨、_納、雜氫鈉及磷酸二 風鈉者；及該有機酸的錢鹽可為—或多種選自於醋酸銨、 、呈齒化的醋酸及檸檬酸録者。特別是，無機填酸鹽對有 機k的叙鹽之重1㈣可為t : Q 25々。若該有機酸的敍鹽 =重里比例太小時’會在_設備中形成苔蘚物^比較上， 太大時’钱刻曲線圖可由於❿損失減少而不令人滿 。4凹财卩制劑在該組成物中的含量可為⑽卜3重量％。 若該凹触抑制劑的含量太少時，會在！目、鈦或減層中發 凹姓比較上’若其超過3重量％時，難以獲得想要的姓 刻曲線圖。 °划抑制劑來控制銅的蝕刻速率（其比鉬及鈦 、、便獲％•優異的似彳曲線圖。典型來說，可使用雜環 胺特別疋’可使用胺基四唾、畔唑、。引哚、。票呤、吼嗤、 p H叫、料咬、鱗。定、笨并三嗤或其混合 %。。該銅ϋ抑制劑在該組成物中可包含的量係讀-5重量 备3里太夕時，該在多層膜中的勉刻曲線圖可令人 時，U因為銅_速率增加4較上，若其超過5重量％ 力會因為ϋ刻速率降低而降低。 用無物移除劑移_、鈦及__鈦合金殘餘物。可使 多種選= 物餘物移除劑。特別是，可使用-或 銨、二氟化鈉Τ氟::r氟化〜^ 刻金屬膜之組成物Φ者、亥殘餘物移除劑在該用以蝕 、之、，且成物中可包含的量係__5重量％。若其含量 201219601 低於〇·〇!重量%時 超過5重量％時，舍—’殘餘物可餘留。比較上，若其 若需要的話，根方的層及玻璃基材。 可進-步包含—笑 明之用以蝕刻金屬Μ的組物 瘵發抑制劑。β外， 發，因此维持居4 5亥凑發抑制劑抑制蝕刻劑蒸 積。藉由加入蒸的沉積物之溶解度，因此減少沉 可明顯減少。”：:劑，接近蝕刻設備的排出口之沉積 元醇。例如；制劑可為具有二或更多個經基的多 物。該蒸發抑制劑可加入的量係重^二料其混合 於0.1重量％時，I 重里％。右加入量低 “入旦 …、法足夠地抑制蝕刻劑蒸發 17里超過7重量％，其效應 範圍最好。 員因此，維持上述 旦刚除重了^前描述的構成物外，可加人適當量的水(至她重 里100重里％)以獲得用以儀刻本發明之金屬膜的U物 當使用來_包含-或多種選自 ，，成物。 入令的m 7多種選自於銅、鉬、欽及翻-欽 &金的早層或多層時，本發明之触刻劑組成物可提供優異 的蝕刻曲線圖及藉由減少苔蘚物形成及沉積來改善生產 力。再者，其可保證較低的錐角，如與習知的_ 實施例 現在將描述實施例及實驗。下列實施例及實驗係僅用 於闡明的目的且不想要限制本揭示之範圍。 實施例1-18及比較例1-2
製備一用於I虫刻的組成物，其包含氧化劑、_控制 劑、螯合劑、凹#抑制劑、銅钮刻抑制劑、殘餘物移心齊I 201219601 及水。關於構成物及組成物的細節提供在表1中。 表1 構成物 組成物 ~~~ I 實施例1 過氧化氫/IDA/馬來酸/ 磷酸銨及檸檬酸銨/胺 基四唑/二氟化銨/水 15.0/1.6/1.5/1.0/0,40/0.05/剩 〜 實施例2 19.0/2.0/1.0/1.0/0.70/0.05/剩^^^ 實施例3 23 ·0/1.6/1.5/1.0/0.40/0.05/剩^^^' 實施例4 23.0/1.6/0.5/1.0/0.40/0.05/剩 ^' 實施例5 Π .5/2.0/2.0/1 ·0/0· 15/0.05/剩 ^ 實施例6 17.0/2.0/0.8/0.1/0.35/0.05/剩^5' 比較例1 — 過氧化氫/IDA/硫酸鉀/ 磷酸銨/胺基四唑/二氟 化鉀/水 · 21.5/3.0/1 _0/1·0/0_80/0·05/剩餘者 比較例2 過氧化氫/IDA/羥乙酸/ 碟酸納/胺基四《坐/二氟 化銨/水 23.0/1.3/1.0/1.0/0.80/0.05/剩餘者 _^施例7 過氧化氫/IDA/馬來酸/ 磷酸銨及檸檬酸銨/胺 基四唑/二氟化銨/乙二 醇/水 19.0/2.1/2.8/0.23/0.3/0.05/5.0/^^- 實施例8 11.5/2.0/2.0/0.23/0.3/0.05/5.0/¾¾^ 例 9 14.5/2.0/2.1/0.23/0.3/0.05/5.0¾^^ 實施例10 17.5/2.1/2.0/0.23/0.3/0.05/5.0/¾¾^ 例 11 ^例 12 實施例13 實施例14 "" — 實施例15 19.0/2.9/1.5/0.23/0.3/0.05/5.0/¾¾^ 19.0/1.5/2.9/0.23/0.3/0.05/5. 19.0/2.3/1.9/0.23/0.3/0.05/5. 19.0/2.3/2.1/0.23/0.3/0.05/5. 19.0/2.0/2.5/0.23/0.3/0.05/5. 實施例16 例 17 19.0/2.0/2.3/0.23/0.3/0.05/5. 19.0/2.1/2.4/0.23/0.3/0.05/5.0/¾^^- 實施例18 19_0/2_1/2_8/0.23/0_3/0_〇5/5.〇/ϋ^^~ 例7-18 :進一步加入蒸發抑制劑。 (檸以重量比率丨：丨.3混合無機鱗酸鹽（鱗酸敍）與有機酸的銨鹽 链刻性能的評估 為了測試根據本發明之蝕刻劑組成物的性能，製備— 鋼/銷-鈦合金雙層基材。該鉬-鈦合金具有1 : 1重量比率。 鋼及銷-鈦合金係藉由濺鍍沉積在基材上，如在LCI)破璃基 材製造方法中般。以二種不同厚度來沉積銅層及鉬-鈦合金 11 201219601 層。該厚度各別為銅2000埃/鉬-鈦300埃，及銅2500埃/鉬_ 鈦100埃。 在喷灑型溼式蝕刻設備(蝕刻器（Etcher)(TFT)，KC科技 (KC Tech))中加熱實施例1-18及比較例1-2的每種蝕刻劑， 及蚀刻該雙層基材伴隨著將溫度維持在33±〇5»c。過度蝕 刻（Ο/E)該基材，每層皆超過終點偵測(EpD)6〇%。在蝕刻完 成後’以超純水沖洗基材及使用乾燥器乾燥。在使用光阻 剝除劑移除光阻後，使用掃描式電子顯微鏡（SEM ; NOVA-200,飛利浦（Phimps))評估錐角、臨界尺寸（CD)損 失、触刻殘餘物等等。再者，為了研究蝕刻劑的穩定性， 當銅離子濃度增加時，測量蝕刻劑仍然穩定的最大銅離子 濃度。 表2 錐角 (。） CD損失 (微米） MoTi 突 出（微米） Ο/E比 率(％) 殘 沉積 敢大鋼 離子濃 度(ppm) 評估 實施例1 65.7 1.1 0.14 60 無 發生 11,980 好 實施例2 64.5 1.0 0.13 60 無 發生 11,500 好 實施例3 66.7 1.7 0.11 60 無 發生 10,600 好 實施例4 69.2 1.5 0.13 60 無 發生 9,825 好 實施例5 60.2 1.4 0.13 60 無 發生 15,360 好 實施例6 62.3 1.4 0.13 60 無 發生 11,950 好 比較例1 65.2 1.4 0.15 60 無 發生 4,000^1 尚可 比較例2 64.0 1.4 0.11 60 無 發生 4,0〇〇 尚可 表2比較根據本發明之用以蝕刻的組成物（其包含氧化 劑、蝕刻控制劑、螯合劑、凹蝕抑制劑、銅蝕刻抑制劑、
S 12 201219601 殘餘物移除劑及水)與現存用於⑽之組㈣其對銅，翻_ 、太。金(厚度2000埃/300埃）雙層基材之蝕刻性能。鑑於現存 用以飯刻的組成物具有最大銅離子濃度約4，_卯爪，本發 明之組成物具有最大銅離子濃度超過6,000 ppm且在蝕刻 °又備中無觀察到苔蘚物或沉積。也就是說，本發明之組成 物顯不出改善的穩定性，如與現存的餘刻劑比較。及當與 現存的钮刻雜較時，其顯示出可比較的cd損失、雜角及 殘餘物。 表3 錐角 (。） CD損失 (微米） MoTi 突 出（微米） Ο/E比 率(％) 殘 餘 物 沉 積 最大銅 離子濃 (ppm) 評估 實施例7 實施例8 實施例9 50.6 1.59 0.09 60 無 無 8,530 優異 52.0 ^5.0 1.06 0.06 60 無 無 9,890 優異 1.24 0.07 60 無 無 10,260 優異 實施例10 57.2 1.20 — 0.07 60 無 無 9,240 優異 實施例11 52.9 1.15 0.23 60 無 無 13,000 優異 實施例12 47.6 1.40 0.15 60 無 無 9,825 優異 表3顯示出根據本發明之蚀刻劑組成物的姓刻性能，其 ' ' 用於鋼/銷-鈦合金(2000埃/300埃在厚度)雙層 基材之蒸發抑_。其具有最大銅離子濃度超過6，_ ppm 且在似j叹備中無觀察到苔蘚物或沉積。當與顯示在表2中 的比較例1-2之結果比較時，因為錐角低至少5。，可更容易 地進行接下來的薄膜沉積及圖形化方法。 13 201219601 表4
Cu/MoTi 層 厚度（埃） 錐角 η CD損失 (微米） MoTi 突 出（微米） 蝕刻時 間（秒） 殘 餘 評估 實施例13 2000/300 46.2 1.45 0.22 75 無 尚可 實施例14 48.2 1.40 0.30 75 無 尚可 實施例15 51.6 1.61 0.18 75 無 優良 實施例16 50.3 1.72 0.20 75 無 優良 實施例17 51.7 1.44 0.25 75 無 尚可 實施例18 54.1 1.60 0.16 75 無 優良 實施例13 2500/100 51.1 1.32 0.08 60 無 優良 實施例14 48.2 1.41 0.08 60 無 優良 實施例15 47.5 1.27 0.08 60 無 優良 實施例16 51.2 1.36 0.08 60 無 優良 實施例17 48.4 1.35 0.08 60 無 優良 實施例18 50.6 1.59 0.09 60 無 優良 表4顯示出蝕刻性能與銅/鉬-鈦合金雙層膜的合金層厚 度相依。通常來說，銅層及於此之下的合金層之厚度變化 造成蝕刻控制劑的性能降低，由於在多層膜中的不同電子 傳遞速率，因此在合金層中發生殘餘物問題。但是，根據 本發明用於蝕刻的組成物具有好的蝕刻曲線圖且在合金層 中無殘餘物或突出。此外，其對製程堅固性將為大的優點， 因為其具有好的蝕刻曲線圖，甚至當層厚度改變時。 當使用來触刻包含一或多種選自於銅、銦、欽及錮-欽 合金的不同單層或多層膜基材（其使用作為用於平板顯示 器的薄膜電晶體之閘極及資料電極）時，用以蝕刻本發明之 金屬膜的組成物可提供優異的蝕刻曲線圖及特徵，及保證 均勻性。再者，若進一步包含蒸發抑制劑時，可改善生產 力，因為在蝕刻設備中的苔蘚物及沉積形成減少。隨著比
S 14 201219601 銅離子濃度，本發明之組成㈣ 多金屬膜糾錢成本，因為可與之處理更 計缺陷比率在接下來的==的：低之錐角’預 銅Hu 少。此外，因為在包含 ,A 鉬'鈦合金的多層膜中之較低層的突出受控 積方好的飾刻曲線圖。除此之外，甚至當在薄膜沉 /的層厚度改變時，亦可獲得好義刻曲線圖。 β本發明已經伴隨著參《特定具體鈔m細地描述。 仁疋將由热f該項技術者察知可在這些具體實例t製;p 多種改變及改質而沒有離開本揭示的原理及精神，其範= 在所附加的申請專利範圍及其相等物中定義。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示出當使用具有現存的組成物之關劑時，在 蝕刻設備的排出口處形成之沉積物； 第2圖顯示出當使用包含根據本發明的蒸發抑制劑之 蝕刻劑時’該沉積問題明顯改善，如與當使用現存用於蝕 刻之組成物時比較；及 第3圖係-電子顯微圖，其顯示出使用根據本發明之蚀 刻劑組成物（實施例12)蝕刻的銅/鉬-鈦合金多層膜(銅層： 2000埃，合金層.300埃)之钮刻曲線圖。 【主要凡件符號說明】 (無） 15

Claims (1)

  1. 201219601 七、申請專利範圍： · 1. 一種用以蝕刻金屬膜的組成物，其包含： 7-30重量％的氧化劑； 0.1-5重量％的蝕刻控制劑； 0.1-5重量％的螯合劑； 0.01 -3重量％的凹蝕抑制劑； 0.01-5重量％的銅蝕刻抑制劑； 0.01-5重量％的殘餘物移除劑；及 適當的水量，至總重量100重量％。 2. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該氧化劑係過氧化氫。 3. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該蝕刻控制劑係一或多種選自於醋酸、檸檬酸、草 酸、馬來酸、經乙酸、琥ίή酸、酒石酸、反丁浠二酸、 水楊酸、蘋果酸及三甲基乙酸者。 4. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該螯合劑係一或多種選自於氮基三醋酸、亞胺二醋 酸、曱基亞胺二醋酸、羥乙基亞胺二醋酸、二伸乙基三 胺五醋酸、乙二胺四醋酸、Ν-羥乙基乙二胺四醋酸、曱 基乙二胺四醋酸、三伸乙基四胺六醋酸、乙二胺四亞甲 基膦酸、二伸乙基三胺五亞曱基膦酸、羥基亞乙基二膦 酸、胺基三亞曱基膦酸、甘胺酸、精胺酸、麩胺酸、丙 胺酸、半胱胺酸、麩醯胺酸、草甘膦及甘胺醯酸者。 5. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 S 16 201219601 中該凹I虫抑制劑係一或多種選自於礙酸鍵、填酸氫銨、 磷酸二氫銨、磷酸鈉、磷酸氫鈉及磷酸二氫鈉的無機磷 酸鹽；及一或多種選自於醋酸銨、經函化的醋酸銨及檸 檬酸敍之有機酸的敍鹽。 6. 如申請專利範圍第5項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該無機構酸鹽對有機酸的銨鹽之重量比率係1 : 0.25-2 。 7. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該銅#刻抑制劑係胺基四。坐、味。坐、吲°朵、嘌吟、0比 吐、α比咬、°定、。比D各、°比D各。定、°比α各。定、苯并三。坐或 其混合物。 8. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該殘餘物移除劑係一或多種選自於氟化銨、It化氫 敍、氟化鈉、氟化鉀、二II化銨、二氟化納及二氟化鉀 者。 9. 如申請專利範圍第1項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 更包含0.1-7重量％的蒸發抑制劑。 10. 如申請專利範圍第9項之用以蝕刻金屬膜的組成物，其 中該蒸發抑制劑係乙二醇、丙二醇、聚乙二醇或其混合 物。 11. 如申請專利範圍第1至10項的任何一項之用以蝕刻金屬 膜之組成物，其中該金屬膜係包含一或多種選自於銅、 銦、鈦及鉬-鈦合金的單層或多層。 17
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