TW201225729A - Dispaly device and method for making the same - Google Patents

Dispaly device and method for making the same Download PDF

Info

Publication number
TW201225729A
TW201225729A TW100140842A TW100140842A TW201225729A TW 201225729 A TW201225729 A TW 201225729A TW 100140842 A TW100140842 A TW 100140842A TW 100140842 A TW100140842 A TW 100140842A TW 201225729 A TW201225729 A TW 201225729A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
partition wall
electrode
layer
organic
base
Prior art date
Application number
TW100140842A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI544836B (zh
Inventor
Masaru Kajitani
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW201225729A publication Critical patent/TW201225729A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI544836B publication Critical patent/TWI544836B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80515Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

201225729 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 顯示裝置依其構造及原理不同有各種裝置。其中一種 目前正實用化於像素之光源利用有機電致發光元件(以下 稱為「有機EL元件」。)之顯示裝置。 前述顯示裝置中’對應像素之大量有機EL元件係排 列於規定之基台上而進行配置。此外,在基台上設置有用 以劃为規定之分區的分隔壁,大量有機EL元件係分別排列 於藉由分隔壁而劃分之區域而進行配置。 各有機EL元件係由基台侧開始以第1電極、有機層 和第2電極之順序積層而形成。 前述有機層例如可藉由塗佈法而形成。參考第8圖並 說明有機層之形成方法。正如第8A圖所示,首先準備預先 形成第1電極16和分隔壁13之基台12。接著在該基台12 中被分隔壁13包圍之區域15供給包含形成有機層18之材 料之油墨17。供給之油墨π係收納在分隔壁13所包圍之 區域(凹部)15(參考第8B圖)。接著藉由氣化油墨17之溶 媒而形成有機層18(參考第8C圖)。 此外,在分隔壁13對於油墨π顯示親液性時,供仏 之油墨17係沿著分隔壁13之表面而流出至相鄰凹部: 止。為了防止此等油墨之流出,通常在基台12之上設置對 於油墨顯示一定程度疏液性之分隔壁13。 323651 4 201225729 但是,分隔壁13顯示疏液性時,供給至凹部15之油 墨係彈開於分隔壁13而氣化並且薄膜化,因此形成膜厚不 均勻之發光層。 例如有機層18接於分隔壁13之部位(也就是有機層 18之周邊部)係比中央部膜厚薄。此時,有機層周邊部之 電阻比中央部低。結果在驅動有機EL元件時,在周邊部電 流集中而流動,與周邊部相比中央部較暗。此外,相反地, 發光層18之周邊部比起要求之膜厚還薄,因此發光層18 之周邊部也如所預期不會發光。 為了解決前述問題,先前技術中,在分隔壁13和第1 電極16之間設置間隔部19,並在分隔壁端部和第1電極 之間設置微細之間隙(參考第9圖)。在設置間隙之基台上 供給油墨時,藉由毛細管現象使油墨吸入間隙並且薄膜 化。如此,油墨不會因分隔壁端部彈開並且薄膜化,因此 可形成預期膜厚之有機層。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1 :日本特開2009 — 506490號公報 【發明内容】 [發明之概要] [發明所欲解決之課題] 但是,在前述先前技術中,為了形成間隙而需要間隔 部,故有顯示裝置構造複雜化之問題。 因此,本發明之目的係提供一種可在分隔壁所包圍之 323651 罾 罾201225729 區域形成均勻膜厚之有機層,且具有簡易構造之顯示裝置。 [用以解決課題之手段] 本發明係提供以下之顯示裝置及其製造方法。 [1 ]: 一種顯示裝置,其係包含基台、在該基台上劃 分預先設定之分區之的分隔壁、以及分別設置於藉由該分 隔壁而劃分之分區的複數之有機電致發光元件的顯示裝 置,其中,各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電 極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極,並由前述 之基台侧起以該順序層積;前述分隔壁其端部接合在前述 之第1電極上;前述第1電極係前述分隔壁之端部所覆蓋 之部位以外之殘餘部位及該殘餘部位之周邊部具有凹陷, 由前述基台厚度方向之一邊來看,此凹陷係於較前述分隔 壁端部與前述第1電極之界面更接近於基台側。。 [2] :如[1]所述之顯示裝置,其中,前述凹陷深度係 20nm 至 300nm。 [3] : —種顯示裝置之製造方法,該顯示裝置係包含 基台、在該基台上劃分預先設定之分區的分隔壁、以及分 別設置於藉由該分隔壁而劃分之分區的複數之有機電致發 光元件;各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電 極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極;並由前述 之基台側起以該順序層積而成;該製造方法包含: 準備具有至少一層之第1電極設在上面之基台之步 驟; 將分隔壁形成圖案(pattern)並使該分隔壁之端部接 6 323651 201225729 合在前述第1電極上之步驟; 在前述第1電極中,於前述分隔壁之端部所覆蓋之部 位以外之殘餘部位及該殘餘部位之周邊部之表面形成凹陷 之步驟; 在前述第1電極上形成至少一層之有機層之步驟;以 及, 在前述有機層上,形成至少一層之第2電極之步驟。 [4]:如[3]所述之顯示裝置,在形成前述凹陷之步驟 中,藉由濕式姓刻(wet etching)而形成前述之凹陷。 [發明之效果] 根據本發明可提供一種可在分隔壁包圍之區域形成 均勻膜厚之有機層,且具有簡易構造之顯示裝置。 【實施方式】 [發明之實施形態] 以下參考圖式並更詳細地說明本發明之實施形態。此 外,為了容易理解,故有圖式各構件之比例不同於實際之 情形。在顯示裝置中也存在電極之導線等之構件,但在本 發明說明中並不直接地需要故省略記載。為易於說明層構 造等,以下所示例中係以基台配置於下面之圖而一同說 明,但本發明之顯示裝置係不一定配置於該上下左右之方 向,且不限定於製造或使用等所成之形態,而可適宜地調 整。 本發明之顯示裝置係包含基台、在該基台上劃分預先 設定之分區的分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃 7 323651 201225729 分之分區的複數個有機電致發光元件的顯示裝置,其特徵 為各有機EL元件係包含至少一層之第1電極、至少一層 之有機層和至少一層之第2電極,並由前述基台側起以該 順序層積’前述分隔壁其端部接合在前述之第1電極上; 月’J述之第1電極係前述分隔壁端部所覆蓋之部位以外之殘 餘部位及該殘餘部位之周邊部具有凹陷,由前述基台厚度 方向之一邊來看此凹陷係於較前述分隔壁端部與前述第1 電極之界面更接近於基台側。 顯示裝置主要有主動矩陣(active matrix)驅動型裝 置和被動矩陣(passive matrix)驅動型之裝置。本發明係 可適用於兩種型式之顯示裝置,但在本實施形態說明其一 例之適用於主動矩陣驅動型顯示裝置之顯示裝置。 <顯示裝置之構造> 首先說明顯示裝置之構造。第1圖係擴大而示意地表 示本實施形態之顯示裝置1之一部份的剖面圖。第2圖係 擴大而示意地表示本實施形態之顯示裝置1之一部份的俯 視圖。顯示裝置1係主要包含基台2、在該基台2上劃分 預先設定之分區之分隔壁3、以及於藉由分隔壁3而劃分 之分區所分別設置之複數有機EL元件4而構成。 分隔壁3係在基台2上形成為例如格子狀或條紋狀。 此外,在第2圖中’表示一實施形態之設置格子狀之分隔 壁3的顯示裝置1。在同圖中’影線(hatching)區域係相 當於分隔壁3。 在基台2上設定藉由分隔壁3和基台2所規定之複數 8 323651
S 201225729 之凹部5。該凹部5係相當於藉由分隔壁3而劃分之分區。 本實施形態之分隔壁3係設為格子狀。因此由基台2 之厚度方向Z之一邊(以下稱為「平面俯視」。)來看,複數 之凹部5係配置為矩陣狀。也就是說凹部5係在行方向X 空出預定間隔,同時也在列方向Y空出預定間隔並排列及 設置。各凹部5之平面俯視之形狀並無特別限定。例如凹 部5以平面俯視可形成為略矩形狀、略橢圓狀或橢圓形狀 等之形狀。本實施形態中以平面俯視而設置略矩形狀之凹 部5。此外,本說明書中,前述之行方向X及列方向Y係 表示分別垂直於基台厚度方向Z、並且相互地垂直之方向。 本實施形態之分隔壁3係所謂順錐形狀。也就是說本 實施形態之分隔壁3係隨著離開於基台2而形成為尖細 狀。例如將延在於列方向Y之分隔壁以垂直於其延在方向 (列方向Y)之平面切斷時之剖面形狀,係除了分隔壁3之 基台附近之一部份區域(由基台之表面起該區域之高度係 相當於第1電極6之周邊部之厚度。)以外,隨著離開於基 台而形成為尖細狀。第1圖中,表示有略等邊梯形形狀(也 就是除了前述基台附近之一部份區域以外之等邊梯形形狀) 之分隔壁,若比較上底和梯形底侧下底之,則下底係比起 上底更寬。此外,實際形成之分隔壁剖面不一定為梯形狀, 梯形狀之直線部份及角可帶有圓形,並形成為所謂魚板狀 (圓頂(dome)狀)。 分隔壁3在本實施形態中主要設置在設置有機EL元 件之區域以外之區域。此外,分隔壁3係主要設置在後述 9 323651 201225729 第t極6之區域以外之區域,但其端部%也形成在 3電極6之周邊部上而重疊於第1電極6。此外,在分 隔2 3之端部3a和第i電極6之間形成預定之間隙別。 此,,分隔壁3之端部如係不需要覆蓋第1電極6之全周 邊-P而形成。例如在形成後述條紋狀之分隔壁3時,可形 成分隔壁而使分隔壁端部覆蓋第1電極6的4邊中相對向 之2邊。本實施形態中,形成分隔壁3之端部3a而覆蓋第 I*電極6之全周邊部。此外,#由分隔壁3之端部%而覆 蓋之第1電極6之周邊部的寬通常為2〇nm以上,較佳為 2〇nm至Ι/zm(在此,所謂藉由分隔壁端部而覆蓋之第卫電 極之周邊。ρ的寬,係指由基台厚度方向之一邊來看時周邊 部的寬。例如在藉由分隔壁端部而覆蓋第1電極之全周邊 部之第2圖之形態中,係指稱沿著行方向χ之寬及沿著列 方向Υ之寬,在藉由分隔壁端部而覆蓋第丨電極之4邊中 相對向之2邊之第6圖之形態中,係指稱沿著行方向χ之 幅寬。)。 有機EL元件4係設置在藉由分隔壁3而劃分之分區 (也就是凹部5)。如本實施形態般設置格子狀之分隔壁3 時,各有機EL元件4係分別設置在各凹部5。因此有機el 兀件4係相同於各凹部5而呈矩陣狀地配置,在基台2上, 在行方向X空出預定之間隔’同時也在列方向γ空出預定 之間隔而排列並設置。 在本實施形態設置有3種類之有機EL元件4。即設置 (1)射出紅色光之紅色有機EL元件4R、(2)射出綠色光之 10 323651 201225729 綠色有機EL元件4G、以及(3)射出藍色光之藍色有機EL 元件4B。這些3種類之有機EL元件4R、4G、4B係例如在 列方向Y以(I)、(II)、(III)之行之順序重複地配置,藉 此分別排列並配置(參考第2圖)。 (I) 在行方向X分別空出預定之間隔而配置紅色有機 EL元件4R之行。 (II) 在行方向X分別空出預定之間隔而配置綠色有機 EL元件4G之行。 (III) 在行方向X分別空出預定之間隔而配置藍色有 機EL元件4B之行。 此外’作為其他之實施形態,除了前述3種類之有機 EL元件以外例如也可設置射出白色光之有機el元件。此 外’可藉由設置僅1種類之有機EL元件而實現單色顯示裝 置。 有機EL元件4係包含至少一層之第1電極、至少一 層之有機層、至少一層之第2電極,而由基台2侧起以該 順序進行層積。在本說明書中,將設置於第丨電極6和第 2電極1〇之間之層中,包含有機物之層稱為有機層。有機 EL兀件4具備至少一層之發光層作為有機層。此外,有機 EL元件除了 1層之發光層以外,亦可視其必要復具備不同 於發光層之有機層或無機層。例如可在第1電極6和第2 電極1G之間設置電職人層、電洞輸送層、電子阻擋層、 電子輸送層和電子注人層等。此外,可在第1電極6和第 2電極10之間設置2層以上之發光層。 323651 11 201225729 有機EL元件4係具備第1電極6和第2電極〗〇作為 由陽極和陰極組成之一對的電極。第丨電極6和第2電極 10中邊之電極设置作為陽極,另一邊之電極設置作為陰 極。 作為本實施形態之一例而說明作為陽極機能之第^電 極6、作為電洞注入層機能之第丨有機層7、作為發光層機 能之第2有機層9、以及作為陰極機能之第2電極1〇,以 該順序而層積於基台2上之構造之有機EL元件4。 本實施形態中設置3種類之有機El元件,但該等之 第2有機層(在本實施形態之發光層)9之構造係分別不同。 紅色有機EL元件4R具備放射紅色光之紅色發光層9。綠 色有機EL元件4G具備放射綠色光之綠色發光層9。藍色 有機EL元件4B具備放射藍色光之藍色發光層9。 本實轭形態中第1電極6係設置在每一個有機元 件4。也就是說,有機EL元件4和相同數目之第丨電極6 係。又置在基台2上。第1電極6係對應於有機元件4 之配置而進行設置,且有機EL元件4相同地配置為矩陣 狀。此外,本實施形態之分隔壁3係主要呈格子狀地形成 在第1電極6以外之區域,此外形成其端部3aj^覆蓋第i 電極6之周邊部(參考第丨圖)。 一由基台2厚度方向之一邊來看,第丨電極6在前述分 隔壁之端部3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位、以及該 戔餘卩位之周邊部(也就是殘餘部位附近之外侧區域)6b 八有凹陷,此凹陷係於較前述分隔壁端部與前述第1電極 323651 12 201225729 之界面更接近於基台2側。藉由形成如此凹陷,而在分隔 壁3之端部3a和第i電㈣之間形成預定之間隙31。此 f ’此種凹陷在第1電極6 +,可涵蓋前述分隔壁之端部 3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位“與該殘餘部位之周邊 部6b而設置,並在每—個第1電極6分別設置一個。 作為電洞注入層機能之第i有機層7係設置於凹部5 中的第1電極6上。該第!有機層7視其必要而在每種類 之有機EL it件設置不同材料或膜厚。此外由帛】有機層7 之形成步驟之簡易度的觀點來看,則可以相同之材料、^目 同之膜厚形成全部之第丨有機層7。該第丨有機層7係以 其端部填充於分隔壁3和第丨電極6之間的間隙3丨之方式 而形成。 作為發光層機能之第2有機層9係設置於凹部5中的 第1有機層7上。如前述發光層係配合有機EL元件之種類 而設置。也就是說,紅色發光層9係設置在設置紅色有機 ELtg件4R之凹部5。綠色發光層9係設置在設置綠色有機 EL tl件4G之凹部5。藍色發光層9係設置在設置藍色有機 EL元件4B之凹部5。 此外’第2有機層9以其端部填充於分隔壁3和第i 電極6之間的間隙31之方式而形成。 第2電極10係形成於設置有機EL元件4之顯示區域 整面。也就是說第2電極10係不僅形成在第2有機層9 上,也形成在分隔壁3上,並涵蓋複數有機EL元件而連續 地形成’而設置作為全部有機EL元件4共通之電極。 13 323651 201225729 本發明之顯示褒置之製造方法其特徵為包含: 置至少一層之第1電極於其上之基台之步驟;將分隔壁形 成圖案並使該分隔壁之端部接合在前述第i電極 驟;在^之第丨電極中,於前述分隔”部覆蓋之部^ 以外之殘餘部位及該殘餘敎之周邊部之表面形成 步驟、;在前述^ 1電極上,形成至少1之有機層之步 驟,以及,在前述之有機層上, 之步驟。 %成至'一層之第2電極 以下參考第3圖至第5圖並說明顯示裝置之製造方 法0 (準備基台之步驟) 在本步驟中準備設置至少一層之第1電極於其上之基 台。以下說明準備設置-層之第i電極於其上之基台 施形態。本步驟中在基台2上形f
化成第1電極6(參考第3A 圖)。此外,在本步驟中,第1電極6預先形成於其上之基 台可由市職得,而可藉此準備㈣形成第丨電極6 仝? 〇 主動矩陣型之齡裝置之料,可將㈣職㈣個 別地驅動複數财機EL元件之迴路之基板作為基台2使 用。可使用例如預先形成TFT(Thin Film MW)及 電容器等之基板而作為基台。 首先在基台2上呈矩陣狀地形成複數個第丨電極6。 第1電極6係例如在基台2上之一面形成導電性薄膜,並 以光刻(photol i thography )法圖案化該矩陣狀地而形成圖 323651 14 201225729 案。此外例如可將在預定之部位形成開口之遮罩配置於基 台2上,並透過該遮罩而在基台2上預定部位選擇性地堆 積導電性材料,藉此對第1電極6形成圖案。第1電極6 之材料係於後述。 (形成分隔壁之步驟) 在本步驟中,對於前述之分隔壁形成圖案而使其端部 接合於前述之第1電極上。本實施形態中首先將包含感光 性樹脂之油墨塗佈於前述基台上而形成分隔壁形成用膜 8。油墨之塗佈方法可列舉例如旋轉塗佈法或縫隙塗佈法 等。 將包含感光性樹脂之油墨塗佈成膜於前述基台上之 後通常係進行預烘烤。藉由例如80至110°C之溫度、60 秒至180秒加熱基台2而進行預烘烤,並除去溶媒(參考第 3B 圖)。 接著將遮住預定圖案之光之光罩21配置於基台2上, 並透過該光罩21而曝光分隔壁形成用膜8。感光性樹脂有 正型和負型之樹脂,但在本步驟可使用任何一種樹脂。使 用正型之感光性樹脂時,在分隔壁形成用膜8中主要照射 光於應該形成分隔壁3之部位以外之殘餘部位。此外,使 用負型之感光性樹脂時,在分隔壁形成用膜8中,主要照 射光於應該形成分隔壁3之部位。在本步驟中就使用負型 之感光性樹脂之情形,參考第3C圖而說明。正如第3C圖 所示,在形成分隔壁形成用膜8之基板上配置光罩21,並 透過該光罩21而照射光,藉此在分隔壁形成用膜8中之主 15 323651 201225729 要應β亥形成分隔壁3之部位昭^ ^ 位照射光。此外,在第3C圖中, 藉由箭號s己喊而示音妯矣; r 光。 ^表不照射於分隔壁形成用臈8之 接著顯影曝光之分隔壁形成用膜8 形成圖案(參考第4Α固、。μ 使刀隔壁3 八η 2 G C至23代之溫度、15分妒 二里口:,、基台而進行後供烤並硬化分 隔壁3。 形成为隔壁所制之感紐樹脂有負型和正型。 負型之感光性樹脂係照 溶化而殘留b 料之雜對於顯影液呈不 劑、=:=:=:^ 黏合劑樹脂係預先聚合者。其例子可列舉 聚合性之非聚合性黏合劑樹脂、導入具有聚合性之 之聚合性黏合賴脂。㈣苯乙料 色譜法(GPC)所求出黏合劑樹脂之重量平均分凝膠透 至400,000之範圍。 里為5, 000 黏合劑秘脂可列舉例如紛樹脂、紛酸清漆樹ρ (η 1 resin)、二 t 氰胺樹脂(meiamine resin)、内缔萨 i t 環氧樹脂、聚酯樹脂等。黏合劑樹脂可使用均I物、 (homopolymer)與組合2種以上單體之共聚物住何一種。相 對於包含,,性樹脂之油墨之總固形份,觀二樹脂目 以質量分率通常為5%至90%。 交聯劑係可藉由光照射而以光聚合起始劑產生之活 323651 16 201225729 性自由基、酸等而進行聚合之化合物,可列舉例如具有聚 合性碳一碳不飽和鍵之化合物。交聯劑係可為在分子内具 有1個聚合性碳一碳不飽和鍵之單官能化合物,也可為具 有2個以上聚合性碳一碳不飽和鍵之2官能或3官能以上 之多官能化合物。在包含前述感光性樹脂之油墨中,在黏 合劑樹脂和交聯劑之合計量為10 0質量份時,交聯劑通常 為0. 1質量份以上、70質量份以下。此外,在包含前述感 光性樹脂之油墨中,在黏合劑樹脂和交聯劑之合計量為 100質量份時,光聚合起始劑通常為1質量份以上、30質 量份以下。 另一方面,正型感光性樹脂係光之照射部份相對於顯 影液呈可溶化者。正型感光性樹脂係一般藉由將樹脂與以 光反應進行親水化之化合物複合化而構成。 正型感光性樹脂係可使用將酚醛清漆樹脂、聚羥基苯 乙烯、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺 (polyimide)等具有耐藥品性和密著性之樹脂與光分解性 化合物組合者。 可調配於包含感光性樹脂之油墨之添加劑係列舉例 如在分隔壁賦予疏液性之材料。可在本步驟使用之賦予疏 液性之材料(疏液劑)可列舉例如含氟化合物、含聚石夕氧 (silicone)化合物等。較佳為對於有機溶劑也顯示良好疏 液性之含氟化合物。 含氟化合物可列舉例如具有碳原子數1至8之直鏈狀 或分支狀氟烧基及/或氣化聚醚基之化合物。含I化合物較 17 323651 201225729 更佳為具有碳原子數4至 佳為具有交聯性基之聚合物 此 ^烧基及/或敗化聚喊基、且具有交聯性基之聚合物 外,含氟化合物較佳為對於δ 化人物仫口 fen— 、頌衫液具有可溶性機能。含氟 性成分_後於分隔壁表面賦予疏液 吐者即可,並不限定於聚合物,可為低分子化合物。 ”性基係在錢化合物賦予㈣性機能者,可例舉 用^不紗鍵絲轉氧基、氫氧鱗。如果具有與使 刀隔壁形成之感光性樹脂交聯之機能,則交聯性基之 種類係並非限定於前述者。 疏液劑可列舉例如Megaface RS—1〇1、rs_i〇2、防 〜105、RS—4(H、RS —402、RS-5(H、RS— 502、RS—718(以 上為DIC公司製)、〇PTO〇l DAC、0PT0ACE Hp系列(以上為 Daikin工業公司製)、全氟(甲基)丙烯酸酯、全氟二(… 内烯酸酯等。 土 前述疏液劑可單獨使用1種,也可組合2種以上使 用。相對於包含前述感光性樹脂之油墨之總固形份,疏液 劑以質量分率通常為0· 1質量份以上、3質量份以下。 使用於顯影之顯影液可列舉例如氯化鉀水溶液、_ 化四甲基銨(TMAH)水溶液等。 _ 分隔壁3之形狀及其配置係配合像素數及解析户等 不裝置之規格或製造之容易度等而適宜地設定。例如八_ 壁3之行方向X或列方向γ之寬係5/ζιη至50;um : m Μΐα程度,分 词壁3之高度係〇.5em至5/zm程度,相鄰接於 十 、灯方向) 或列方向Y之分隔壁3間之間隔,即凹部5之行方 问X或 323651 18 201225729 此外,第1電極6 m至200 // m程度。 列方向γ之寬係10//m至2〇〇“m程度。 之打方向X或列方向Y之寬分別為10" (在第1電極形成凹陷之步驟) 在前述第1電極6中’於前述分隔壁 =3a所覆蓋之部位以外之殘餘部位與該殘餘 邊部之表面形成凹陷(參考第4B圖)。也就是說,在本步之驟周 =二之厚度方向之一邊來看,在前述分隔壁3之 W 3a缝μ部位以狀殘餘部位m ⑽Mb形成凹陷,此凹陷係於較前述分隔壁二 =前述第1電極6之界面η更接近於基台侧。(參^ 具體來說可利用第i電極6上 在第1電極6施行等方性㈣,藉此在第1電極 形成凹陷’ R時可對於利用作為遮罩之分隔壁3之正下方 進行底切(undercut)底切。 蝕刻有濕式餘刻法及乾式钱刻法,但較佳為濕式餘刻 法。乾式則法中也關分隔壁3,或是也在表面堆積反 應生成物。另一方面,在濕式钮刻法中,容易由分隔壁3 開始選擇性地_第丨電極6,且不肖彳切前述殘餘部位之 周邊部上之分隔壁3,可在前述殘餘部位之周邊部形成凹 陷,故為較佳。藉由進行如此之蝕刻,而可對於分隔壁3 之端部3a之下面進行所謂底切。 在藉由濕式蝕刻法而蝕刻例如IT〇(IndiumTin〇xide : 銦錫氧化物)薄料,可制鹽酸和氯化鐵雜之混合溶 323651 19 201225729 液、及鹽酸和械之混合溶液進行㈣。此外,例 刻IZOdndiumZincOxide:銦辞氧化物)時,可使用磷酽、 硝酸和乙酸之混合溶液而進行餘刻。 久、 乾式钮刻法係列舉例如在反應氣體中曝露材料 法(反應性氣體触刻)、及藉由電激而離子化•自由> 體並進行㈣之反應性離子_^❹於乾式^ ^ «氣體可列舉例如CF4、⑽3、CH2F2、W、C4Fe、Lb等, 可藉由像這樣施行ϋ刻’而可在第丨電極6中 卞 述分隔壁之端部所覆蓋<部位以外之殘餘部位和該^ 位之周邊部(也就是殘餘部位附近之外側區域)之表面形: 凹陷。此外,此凹陷係可在第i電極中,涵蓋前述分隔 之端部所S蓋之雜财卜之殘餘部位和㈣料位之 部之表面而設置,並在每一個第丨電極6分別設置—個。 此外,可分2次進行分隔壁形成用膜8之後烘烤,在 第1次後烘烤和第2次後烘烤之間進行前述蝕刻。 此時,較佳為使第1次後烘烤之第丨溫度和第2次 烘烤之第2溫度不同。具體地說,較佳為第丨溫度低於第 2溫度。此外,第2溫度係可確實地硬化分隔壁3之溫度, 第1溫度係低於可確實地硬化分隔壁3溫度之溫度。彳=如 藉由在110°C加熱3分鐘而進行第1後烘烤。若以此條件 進行第1次後烘烤,則形成和第1電極6之密著性弱^八 隔壁3。若在第1電極6和分隔壁3之密著性弱之狀截刀 施行前述蝕刻,則在第1電極6和分隔壁3之界面容易# 透蝕刻液’即使是等方性蝕刻,在分隔壁3的下面,聲 323651 20 201225729 向钱刻也變得容易進行,可形成更寬之底切β 之後=Γ1溫度進行後供烤時,可在崎以通常 就是在第2溫度進行後烘烤,藉此而確 =魏分隔壁3。可藉此而形成基台和η電極之密著 性強之分隔壁3。 第1次後料條件較料帛丨s 加熱時間為2分鐘至10分鐘,第? ^ I主 9、w “ iU刀鐘_ 2次後烘烤條件較佳為第 L度為靴至23(rc、加熱時間為15分鐘至6。分鐘。 凹陷之深度LD(參考第4B圖)較佳為2g⑽至獅⑽。 卜笛在平面俯視之第!電極6之凹陷之前述周邊部(也就 ^ 中’ A隔壁之端部所|蓋之部位以外之殘餘 2之周邊部6b;參考第1圖。)的寬通常為2〇nm至 =為20nm至lem(在此’該周邊部的寬係指由基台之厚 二方向之:邊來看時之周邊部的寬。例如在藉由分隔壁之 而覆蓋第1電極之全周邊部之第2圖之形態中,係指 订方向X之寬及沿著列方向Y之寬,在藉由分隔壁之 ^部而覆蓋第i電極之4邊中相對向之2邊之第6圖之形 匕、’係指沿著行方向X之寬。)。 (形成有機層之步驟) 機在本步驟中,在前述之第1電極上形成至少一層之有 來層—以下就在第1電極上形成二層之有機層之實施形態 A進行說明。在本步驟中藉由塗佈法而形成至少一層之有 幾層在本實施形態中,藉由塗佈法而形成第1有機層7 及第2有機層9。 21 323651 201225729 首先將包含成為第1有機層7之材料之油墨22供給 至分隔壁3所包圍之區域(凹部5)(參考第4C圖)。油墨係 考量分隔壁3之形狀、成膜步驟之簡易度、以及成膜性等 之條件,而藉由最適當方法而適度地供給。油墨係例如可 藉由喷墨印刷法、喷嘴塗佈法、凸版印刷法及凹版印刷法 等而供給。 接著,藉由固化所供給之油墨22而形成第1有機層 K參考第5A圖)。油墨之固化係可藉由例如自然乾燥、加 熱乾燥、真空乾燥而進行。此外,油墨含有藉由加以能量 而聚合之材料時,可在供給油墨後,藉由加熱薄膜或是在 薄膜照射光而聚合構成有機層之材料。藉由像這樣聚合構 成有機層之材料,可使第1有機層難溶化於在該有機層(以 下稱為「第1有機層」。)上形成其他之有機層(以下稱為「第 2有機層」。)時所使用之油墨。 供給至分隔壁3所包圍之區域(凹部5)之油墨22係藉 由毛細管現象而吸入至分隔壁3之端部3a和第1電極6 之間之間隙31,並且氣化溶媒而薄膜化。如此藉由毛細管 現象而可防止油墨彈開至分隔壁3,因此即使是分隔壁3 具有疏液性,也可防止分隔壁3附近之第1有機層7比起 中央部還更為薄膜化。藉此而可形成平坦之第1有機層7。 接著,形成發揮作為發光層機能之第2有機層9。第 2有機層9係可以與第1有機層7相同方式而形成。也就 是說,可藉由將包含成為紅色發光層9之材料之油墨、包 含成為綠色發光層9之材料之油墨、和包含成為藍色發光
22 323651 S 201225729 材料之油墨之3種類之油墨,分別供給至分隔壁3 所包圍之區域並固化該等,藉此而形成各發光層9。 相同於㈣之第1有機層7,可以藉由來自於分隔壁 之端部3a和第1電極6之間之間隙31之毛細管現象, 而即使是分隔壁3具有疏液性,也可以形成平坦之第2有 機層9。 (形成第2電極之步驟) 、本步驟中’在前述有機層上形成至少一層之第2電極。 、下就在有機層上形成__層之第2電極之實施形態來說 明。在本實施形態中,第2電極1〇係形成在設置有機队 兀件4之顯示區域整面。也就是說,第2電極_不僅形 成於第2有機層9上,並且也形成於分隔壁3上,涵蓋複 數有機EL元件而連續地形成。藉由像這樣形成第2電極, 而設置機能為在全部有機EL元件4共通之電極 10。 正如以上之說明,可藉由在第!電極6形成凹陷,並 在分隔壁3之端部3和第!電極6之間設置間隙3卜而形 成平坦之有機層。在先前技術中,藉由設置間隔部而在分 隔壁3之端部3和第i電極6之間設置間隙31,但在本實 施形態中’可僅藉由在第i電極6形成凹陷,而在分隔壁 3之端部3和第1電極6之間形成間隙3卜可不追加裝置 之構,並可藉由簡易之裝置構造而形成平坦之有機層。 以上就設置格子狀之分隔壁之形態之顯示裝置而說 明’但正如前述,也可在基台上設置條紋狀之分隔壁。第 323651 23 201225729 6圖係擴大而示意地表示設置條紋狀之分隔壁之本實施形 態之顯示裝置之一部份的俯視圖。在同圖中,影線區域係 相冨於为隔壁3。第7.圖係顯不以.垂直於行方向X之平面 切斷顯示裝置之顯示裝置的剖面形狀。此外以垂直於列方 向Y之平面切斷顯示裝置之顯示裝置的剖面形狀係相同於 第1圖。此外,本實施形態之顯示裝置其構造幾乎共通於 前述實施形態之顯示裝置,因此以下僅就不同之部份進行 說明,相對應之部份則附加相同之參考符號,並省略重複 之說明。 在設置條紋狀之分隔壁時,分隔壁係例如由延在於列 方向Y之複數條分隔壁構件而構成。該分隔壁構件係在行 方向X空出預定之間隔而進行配置。在設置條紋狀之分隔 壁之形態中,藉由條紋狀之分隔壁和基台而規定條紋狀之 凹部。 在設置條紋狀之分隔壁時,有機EL元件4係在延在 =方向Y之各凹部中’於列方向γ分別空出預定 而進行配置。 第^電極6係相同於前述實施形態而呈矩陣狀地進行 之邊=壁3其端部知以覆蓋第1電極6之行方向X 和其他邊之端部之方式形成(參如圖)。 方向γ之㈠7圖所不’在本實施形態中,帛1電極6之列 ° 端部並無藉由分隔壁而覆蓋。 別延有機層7及第2有機層9齡 於在列方向Υ延在之各凹部而形成,並以涵蓋複數 323651 24 201225729 有機EL元件而連接之方式形成。 ,▲正如第1圖所示,本實施形態中,相同於前述之實施 形態,S 1電極6在除去前述分隔壁之端部所覆蓋之部位 以外之殘餘部位6a以及該殘餘部位之周邊部6b具有凹 陷,由刖述基台厚度方向之一邊來看,此凹陷係於較前述 为隔壁端部3a與前述第1電極6之界面11更接近於基台 側。。藉由形成此種四陷,而在分隔壁3之端部3a和第j 電極6之間形成預定之間隙31。藉此以與前述實施形態同 樣方式而形成平坦之有機層。 〈有機EL元件之構造〉
以下就有機EL元件之構造而更詳細地說明。有機EL 元件具有至少-層之發光層作為有機層。正如前述,有機 EL元件係可在一對之電極間具有例如電洞注入層、電洞輸 送層、電子阻擋層、電洞阻擋層、電子輸送層和電子注入 層等。 以下顯示本實施形態之有機EL元件之可得之層構造 之一例。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 c) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 d) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰 極 e) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 〇陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰 25 323651 201225729 極 g) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電 子注入層/陰極 h) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 i) 陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 (在此,符號「/」係表示夾住符號「/」之各層相鄰接而進 行層積。以下亦相同。) 本實施形態之有機EL元件係可具有2層以上之發光 層。在前述a)至i)之層構造中之任何一種中,若使失佐於 陽極和陰極之層積體為「構造單位A」,則具有2層發光層 之有機EL元件之構造係可列舉例如以下之j)所示之層構 造。此外’ 2個(構造單位A )之層構造係可彼此相同或相異。 j) 陽極/(構造單位A)/電荷產生層/(構造單位A)/陰極 在此,電荷產生層係藉由施加電場而產生電洞和電子 之層。 電荷產生層可列舉例如由氧化釩、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide :簡稱 ΙΤ0)、銦鋅氧化物(Indium Zinc 〇xide : 簡稱IZO)、氧化鉬等而成之薄膜。 此外,若使「(構造單位A)/電荷產生層」為「構造單 位B」’具冑3層以上之發光層之有機EL元件之構造係可 列舉例如以下之k)所示之層構造。 k) 陽極/(構造單位B)x/(構造單位A)/陰極 ^此外符號X」表不2以上之整數,(構造單位Β)χ 係表示層積xlx之構4單位Β之層積體^此外,複數(構造 26 323651 201225729 單位B)之層構造係可相同或相異。 此外,可構成不設置電荷產生層、而直接地層積複數 發光層之有機EL元件。 <基台> 基台適合使用在製造有機EL元件步驟中不會有化學 變化者。基台之材料可列舉例如玻璃、塑膠、高分子薄膜 和矽板、以及該等之層積體等。 <陽極> 由發光層放射之光通過陽極而射出至外界之構造之 有機EL元件之情形,在陽極使用顯示光透過性之電極。顯 不光透過性之電極可使用由金屬氧化物、金屬硫化物和金 屬等之材料所成之薄膜,並適合使用電導率和光透過率高 者。具體來說係使用由氡化銦、氧化鋅、氧化錫、IT〇、鋼 辞氧化物(Indium Zinc 〇χ—:簡稱ΙΖ〇)、金、銘、銀和 銅等所成之薄膜,該等當中適合使用由ITQ、IZQ或氧化锡 戶^成之薄膜。此外’陽極可具有層積2層以上之層積構造。 陽極之製作方法可列舉例如真空蒸艘法 、濺鍍法、離子鍍 去、鐘層法等。此外,該陽極可使用聚苯胺或其衍生物、 聚嗟吩或其何生物等之有機透明導電膜。 <陰極> 丢極之材料係較佳為功函數小、電子 層、且電導率言w 7 ^ Ϊ7Τ - ^ 材料。此外,由陽極側取出光之構造4 陽極為了將由發光層放射之光藉由陰極反射i ,’丢極之材料較佳為對於可見光呈高反射率之和 27 323651 201225729 料°相_極之材料可列舉例如金屬、 層間化合物。前述之金屬可列舉例如驗金屬=和石墨 過渡金屬及週期表金屬驗土類金屬、 舒♦铯I鎮具體 鐵、鎂、鈣、鳃、鋇、鋁、銳江 銦、錦、釤、錄、级、糖莖 辛、紀、 上和由金、銀、麵、銅、錳、鈦、 :1種以 群組選出1種以上金鎳鎢、及锡所成 乂上金屬之合金4’具體 :、鎂-銦合金、鎮,合金、銦—銀合金::二合 ITJL Ϊ列舉例如氧化銦、氧化鋅、氧化錫、 聚二二電性金屬氧化物;聚苯胺或其衍生物、 細生物等之導電財機物。此外陰極可具有層 積=以上之層積構造。此外電子注人層可使用作為陰才/。 陰極之製作方法可列舉例如^蒸麟、離子 4。 〃陽極錢極之膜厚料慮要求之雜及成膜步驟之 簡易度等而適宜地設定,例如為i〇nm至i^『較佳為別⑽ 至1以m ’更佳為50nm至500nm。 〈電洞注入層> 構成電洞注入層之電洞注入材料係可列舉例如氧化 叙、氧化翻、氧化釕和氧化鋁等之氧化物;苯胺系化合物; 星爆型(starburst)胺系化合物;酞菁(phthalocyanine) 系化合物;非晶質碳(amorph〇us carbon);聚苯胺;以及 28 323651
S 201225729 聚嗟吩衍生物等。 電洞注入層之成膜方法可列舉例如由包含電洞注入 材料之溶液而成膜。例如將包含電洞注入材料之溶液以預 定之塗佈法而塗佈成膜,並固化該等藉此而形成電洞注入 層。 電洞注入層之膜厚係考慮要求之特性及步驟之簡易 度等而適宜地設定,例如為lnm至1 // m,較佳為2nm至 500nm,更佳為 5nm 至 200nm。 <電洞輸送層〉 構成電洞輸送層之電洞輸送材料可列舉例如聚乙烯 基咔唾(polyvinylcarbazole)或其衍生物、聚矽燒或其衍 生物、在側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡 唑啉(pyrazoline)衍生物、芳基胺衍生物、芪(stilbene) 何生物、二苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩 或其打生物、聚芳基胺或其衍生物、聚如各或其衍生物、 ^對伸苯騎乙絲)或其射物、或是聚(2,卜伸嗟吩 基伸乙稀基)或其衍生物等。 ”電洞輸層之财料“求之紐 簡易度等而進行設定,例如為lnm至 、々’ 50〇nm,更佳為5簡至2〇〇nm。 m’佳為2ηηι至 <發光層> 發光層通常主要包含發出螢 發光層還可包含輔助該有機物之 ^先之有機物^
了提高發光效钱改變發光波 物。摻雜物係例如J 〇入。此外,構成發夫 323651 29 201225729 f之有機物係可為低分子化合物,也可為高分子化合物, 稭由塗佈法而形成發光層時,較佳為包含高分子化合物。 該尚f子化8合物之聚苯乙烯換算之數目平均分子量係例如 為10至108程度。構成發光層之發光材料係可列舉例如以 下之色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻 (色素系材料) 〜色素系材料係可列舉例如環戊丙曱胺(cy c 1叩咖am i 衍生物、四苯基了二:^衍生物化合物、三苯基胺衍生物、 嗯二嗤(oxadiazoie)衍生物n 料(pyrazQlQquin〇iine) 衍生物、一笨乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基伸芳基 (distyrylarylene)衍生物 '吡咯(Pyrr〇le)衍生物、噻吩 環化合物、吡啶環化合物、紫環酮(perin〇ne)衍生物、茈 (perylene)衍生物、寡噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑 啉二聚物(pyrazoline dimer)、喹吖酮(quinacrid〇ne)衍 生物、香豆素(coumarin)衍生物等。 (金屬錯合物系材料) 金屬錯合物系材料係可列舉例如稀土類金屬(例如Tb、 Eu、Dy)、Al、Zn、Be、Ir、Pt 等之中心金屬(centrai metal) 和嗯二峻、嚷二吐、苯基°比咬、笨基苯并tr米吐 (phenylbenzoimidazole)、喹啉構造等具有配位基之金屬 錯合物。相關金屬錯合物可列舉例如銥錯合物、鉑錯合物 等之昇有來自三重激發態之發光之金屬錯合物、鋁喹啉酚 (alumium-quinolinol)錯合物、苯并喹琳酚皱錯合物、苯 30 323651
S 201225729 并。惡°坐基鋅(benzooxazolyl zinc)錯合物、苯并嗔峻鋅 (benzothiazole zinc)錯合物、偶氮曱基辞(azomethyl zinc)錯合物、卟琳鋅(p〇rphyrin zinc)錯合物、啡淋銪 (phenanthroline europium)錯合物等。 (高分子系材料) 高分子系材料係可列舉例如聚對伸苯基伸乙烯基衍 生物、聚嘆吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生物、 聚乙块衍生物、聚苐(P〇lyflu〇rene)衍生物、聚乙烯基咔 唾衍生物、前述色素系材料及金屬錯合物系發光材料之高 分子化者等。 發光層之厚度通常大約為2nra至200nm。 <電子輸送層> 構成電子輸送層之電子輸送材料可使用公知者,可列 舉例如噁二唑衍生物、蒽醌二曱烷(anthraqu inone dimethane)或其衍生物'苯酿^benzoquinone)或其衍生物、 萘醌(naphthoquinone)或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四 氰基蒽酿i二曱烧或其衍生物、第酮(fluorenone)衍生物、 二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯苯酿>(diphenoquinone) 衍生物、或者是8_羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物、 聚喹淋或其衍生物、聚噎嚼琳(p〇lyqUin〇xaline)或其衍生 物、聚苐或其衍生物等。 電子輸送層之膜厚係考慮要求之特性及成膜步驟之 簡易度等而適宜地設定,例如為lnm至Ι/zm,較佳為2nm 至500nm,更佳為5nm至200nm。 31 323651 201225729 <電子注入層:> 構成電子注入層之電子注入材料係依照發光層之 類而適宜地選擇最適當之材料。電子注入材料可列ς例如 驗金屬;驗土類金屬;包含驗金屬和驗土類金屬中之^種 以上之合金,·驗金屬或驗土類金屬之氧化物、齒化物、石山 酸鹽;以及該等物質之混合物等。前述驗金屬及其氧化物, 南化物和碳酸鹽可列舉例如鋰、鈉、鉀、铷、鉋、、氧化鋰、' 氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧化鉀、氟化鉀、氧化铷、氟 化物、氧化絶、i化鏠、碳酸鐘等。此外,前述驗土類金 屬及其氧化物、鹵化物、碳酸鹽可列舉例如鎂、鈣、鋇、 鋰、氧化鎮、氧化鎮、氧化約'氟化約、氧化鋇、氟化鋇、 氧化錄、氟化錄、碳酸鎮等。電子注入層可具有層積2芦 以上之層積構造’可列舉例如LiF/Ca等。 電子注入層之膜厚較佳為lnm至i程度。 各有機層之形成方法可列舉例如噴嘴印刷法、噴墨印 刷法、凸版印刷法、凹版印刷法等塗佈法或真空蒸錢法等。 此外在塗佈法中,藉由將包含成為各有機層之有機 EL材料之油墨塗佈成膜,並將其固化,而形成有機層。使 用於塗佈法之油墨之溶媒可列舉例如三氯甲院、二氯甲 烧、-氯乙烧等氣系溶媒、四氫七南等醚系溶媒、甲苯、 一甲笨等芳香族烴系溶媒、丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶 媒乙I乙自曰乙酉欠丁酿、乙酸乙赛璐蘇(dhyi ceii〇s〇ive acetate)等酯系溶媒和水等。 (實施例) 32 323651 201225729 首先準備形成由膜厚200nm之ΙΤ0薄膜所成第1電極之 TFT基板(參考第3Α圖)。在該TFT基板表面藉由旋轉塗佈 器而塗佈感光性樹脂溶液(Toray股份公司製、ph〇t〇neece SL— 1904) ’並在加熱板上以ii〇°c加熱120秒鐘,之後進 行預烘烤。藉由該預烘烤而蒸發感光性樹脂溶液之溶媒, 並形成感光性樹脂薄膜(參考第3B圖)。 接著’使用接近式(proximity)曝光機,透過預定之 遮罩而曝光感光性樹脂薄膜(參考第3C圖)。其曝光量係 100mJ/cm2。接著,以顯影液(T0KUYAMA股份公司製、SD — l(TMAH2.38wt%)溶液)而顯影90秒鐘,形成順錐形狀之分 隔壁(參考第4A圖)。在230°C加熱該分隔壁20分鐘並硬 化樹脂《藉由該後烘烤而形成膜厚h 之分隔壁。 將鹽酸和氯化鐵之混合溶液保持在4trc,並在該混合 溶液浸潰形成分隔壁之基板,之後蝕刻膜厚為200nm之第 1電極(IT0)之表面9〇nm,藉此而在位於分隔壁之前端部之 下側之第1電極(IT0)形成底切(參考第4B圖)。 接著,在真空室導入基板,進行電漿表面處理, 在分隔壁之表面賦予疏液性。 接著,使用噴墨裝置(ULVAc公司製、Utrexl42P),在 分隔壁所包圍之像素内塗佈油墨。在油墨使用固形份濃度 1. 5%之聚(伸乙基二氧噻吩)(pED〇T)/聚苯乙烯磺酸(pss) 水分散液(拜耳公司製、AI4〇83)。油墨係彈開於被賦予疏 液性且和該油墨之接觸角大之分隔壁之表面,並填充於分 隔壁所包圍之像素内,同時以吸入至形成分隔壁之端部下 33 323651 201225729 之底切之部位(也就是分隔壁之端部和第1電極之間之間 隙)之方式充填,並均勻地擴散至分隔壁所包圍之像素内之 各角落(參考第4C圖)。在200°C燒成該基板,並形成膜厚 50nm之均勻膜厚之電洞注入層(參考第5A圖)。 接著形成3種類之發光層。首先對於放射紅色光之高 分子發光材料,以使濃度為〇.8wt%之方式混合於有機溶媒 並調裝為、.工油墨。冋铱地,对;^風初·琢巴尤 < 肉/刀-1赞光 材料,以使濃度為0· 8wt%之方式混合於有機溶媒並調製為 綠油墨。此外,對於放射藍色光之高分子發光材料,以使 濃度為0.8wt%之方式混合於有機溶媒並調製為藍油墨。分 別使用喷墨裝置(ULVAC公司製、Utrexl42P)將該等紅、 綠、藍油墨塗佈於預定之像素内(參考第犯圖)。油墨係箱 由和該油墨之接觸角大之分隔壁而彈開,因此防止油墨& 著該頂面而溢流至相鄰區域,並收納於像素内。另一方 收納於像素内之油墨係以吸人至形成分隔壁之端部下 :之部位之方式充填,並均句地擴散至分隔指 素内之各角落。藉由在l3(rr.占兮^ 国之爲 之發光層(參考基板㈣成均句模与 成膜厚20::二發::上:由真空蒸鍍法而依序地形 電極(陰極)。接著將 層並形成第ι 成有機£1元件之基板和密封用以 基板點合並密料製作麵如=封用破璃 凡件係在顯示區域内均 乍之有機肛 地發光。 Μ地發光,_在各像素内也均勾 323651 34 201225729 【圖式簡單說明】 第1圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示 裝置1之一部份的圖。 第2圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示 裝置1之一部份的俯視圖。 第3A圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之 製造方法的圖。 第3B圖係用以說明本發明一實施形態之顯示 製造方法的圖。 第3C圖係用以說明本發明一實施形態之顯 製造方法的圖。 第4A圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之 製造方法的圖。 第4B圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝 製造方法的圖。 第4C圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之 製造方法的圖。 & 第5A ®係用以說明本發明一實施形態之 製造方法的圖。 置之 第5B圖係用以說明本發明一實施形態之顯示裝置之 製造方法的圖。 第5C圖係用以說明本發明一實施形態之顯 製造方法的圖。 " 第6圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示 323651 35 201225729 裝置1之一部份的俯視圖。 第7圖係擴大而示意地表示本發明一實施形態之顯示 裝置1之一部份的圖。 第8A圖係用以說明顯示裝置之製造方法的圖。 第8B圖係用以說明顯示裝置之製造方法的圖。 第8C圖係用以說明顯示裝置之製造方法的圖。 第9圖係用以說明先前技術之顯示裝置之製造方法的 【主要元件符號說明】 顯示裝置 分隔壁 有機EL元件 第1電極 2 基台 3a 分隔壁之端部 5 凹部 a 分隔壁端部所覆蓋部位以外之殘餘部位 bb 殘餘部位之周邊部 7 第1有機層(電洞注入層) 8 分隔壁形成用臈9 ^ 9 10 第2電極 乐z有機層(發光層) 11 12 15 17 19 22 1電極之界面 13 分隔壁 16 第1電極 18 有機層 21 光罩 31 間隙 分隔壁之端部和第 基台 凹部 油墨 間隔部 油墨 323651 36

Claims (1)

  1. 201225729 七、申請專利範圍: 1· 一種顯示裝置,係包含基台、在該基台上而劃分預先設 定之分區之分隔壁、以及分別設置於藉由該分隔壁而劃 分之分區之複數之有機電致發光元件的顯示裝置,其 中’各有機電致發光元件係包含至少一層之第1電極、 至少一層之有機層和至少一層之第2電極,並由前述之 基台侧開始起以該順序層積;前述分隔壁其端部接合在 前述之第1電極上;前述第1電極係於前述分隔壁之端 部所覆蓋之部位以外之殘餘部位以及該殘餘部位之周 邊部具有凹陷’由前述基台厚度方向之一邊來看,此凹 陷係於較前述分隔壁端部與前述第1電極之界面更接 近於基台側。 2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中,前述凹 陷深度係20nra至300nm。 3. —種顯示裝置之製造方法,該顯示裝置係包含基台、在 該基台上而劃分預先設定之分區之分隔壁、以及分別設 置於藉由該分隔壁而劃分之分區之複數之有機電致發 光元件;各有機電致發光元件係包含至少一層之第1 電極、至少一層之有機層和至少一層之第2電極,並由 基台側起以該順序層積而成;該製造方法包含: 準備至少有一層之第1電極設在上面之基台之步 驟; 將分隔壁形成圖案並使該分隔壁之端部接合在前 述第1電極上之步驟; 1 323651 201225729 第i電極尹,於前述分隔壁 之部位以外之之~部所覆蓋 之殘餘。P位和該殘餘部位 形成凹陷之步驟; 艾周邊部之表面 爾’.^述之第1電極上形成至少-層之有機層之步 驟 在前述之有機層上形成至少一層之第2電極之步 如申4專利範圍第3 中,在幵彡#此.+、 員斤述之顯示裝置之製造方法,其 甘心成别述凹陷之步 乃 <宏长 述之凹陷。 "’藉由濕式钱刻而形成前 323651 2
TW100140842A 2010-11-12 2011-11-09 顯示裝置及其製造方法 TWI544836B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010253571A JP5573616B2 (ja) 2010-11-12 2010-11-12 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201225729A true TW201225729A (en) 2012-06-16
TWI544836B TWI544836B (zh) 2016-08-01

Family

ID=46050912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100140842A TWI544836B (zh) 2010-11-12 2011-11-09 顯示裝置及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5573616B2 (zh)
KR (1) KR101867637B1 (zh)
CN (1) CN103210699A (zh)
TW (1) TWI544836B (zh)
WO (1) WO2012063766A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681744A (zh) * 2012-09-21 2014-03-26 三星显示有限公司 有机发光显示面板及其制造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2007372C2 (en) 2011-09-08 2013-03-11 Univ Delft Tech A process for the manufacture of a semiconductor device.
WO2014069396A1 (ja) * 2012-10-30 2014-05-08 昭和電工株式会社 有機発光素子および有機発光素子の製造方法
KR102110418B1 (ko) * 2013-07-12 2020-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101483669B1 (ko) 2013-11-20 2015-01-16 주식회사 사운들리 저전력 음파 수신 방법 및 이를 이용한 모바일 기기
KR102332617B1 (ko) * 2016-06-07 2021-11-30 소니그룹주식회사 발광 소자, 및, 발광 소자를 구비한 표시 장치
KR102829844B1 (ko) * 2016-12-09 2025-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111357392A (zh) * 2017-11-28 2020-06-30 堺显示器制品株式会社 有机el发光元件及其制造方法
US10879327B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing the same, organic EL display device and electronic apparatus
KR102922036B1 (ko) 2019-04-23 2026-02-03 삼성디스플레이 주식회사 컬러제어부재 및 이를 적용한 표시장치
JP7672808B2 (ja) * 2019-11-29 2025-05-08 JDI Design and Development 合同会社 自発光素子、及び自発光表示パネル
CN111370456A (zh) * 2020-03-19 2020-07-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及制程方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017273A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4310984B2 (ja) * 2002-02-06 2009-08-12 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
JP2005322469A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4645064B2 (ja) * 2004-05-19 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
GB0517195D0 (en) 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
JP5055925B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、およびその製造方法
JP4418525B2 (ja) * 2008-02-28 2010-02-17 パナソニック株式会社 有機elディスプレイパネル
JP2010097697A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Seiko Epson Corp 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器
EP2398085B1 (en) * 2009-02-10 2018-06-27 Joled Inc. Light-emitting element, display device, and method for manufacturing light-emitting element

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681744A (zh) * 2012-09-21 2014-03-26 三星显示有限公司 有机发光显示面板及其制造方法
US9716252B2 (en) 2012-09-21 2017-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
TWI603464B (zh) * 2012-09-21 2017-10-21 三星顯示器有限公司 製造一有機發光顯示面板之方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130129934A (ko) 2013-11-29
JP2012104430A (ja) 2012-05-31
KR101867637B1 (ko) 2018-06-15
WO2012063766A1 (ja) 2012-05-18
TWI544836B (zh) 2016-08-01
CN103210699A (zh) 2013-07-17
JP5573616B2 (ja) 2014-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201225729A (en) Dispaly device and method for making the same
US20150102307A1 (en) Electroluminescent element, method for manufacturing electroluminescent element, display device, and illumination device
TW201021264A (en) Ink for making an organic electrolliminescent element, method for making an orgainc electrolliminescent element, and display device
CN103262655B (zh) 显示装置
TW201214821A (en) Luminating device and manufacturing method thereof
TW201214823A (en) Light-emitting device
WO2013168546A1 (ja) 表示装置の製造方法
CN102484209A (zh) 有机场致发光元件
TW201041206A (en) Method for manufacturing organic electroluminescence device
WO2012002268A1 (ja) 表示装置およびその製造方法
WO2011118654A1 (ja) 発光装置の製造方法
JP5155085B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法
JP2010147180A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2010160945A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
TWI603469B (zh) 顯示裝置
JP5314395B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2016042418A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
CN102668705A (zh) 发光装置的制造方法
JP2014192250A (ja) 有機el素子、有機el表示装置及び有機el素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees