TW201230410A - Light emitting device and method for manufacturing same - Google Patents

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201230410 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光裝置及其製造方法。 【先前技術】 自先前，作為將發光元件搭載於金屬構件、並將發光元 件與金屬構件之一部分嵌入至密封構件之發光裝置的— 例’例如提出有圖u所示之發光元件（例如，日本專利特 開平11-346008號公報）。 該發光裝置40中’藉由載置有發光元件41之金屬構件 42、及與其成對之金屬構件43構成一對導線端子。該等發 光元件41與金屬構件42、43係嵌入至透光性構件料中於 發光元件4i之上方，密封構件44呈透鏡狀構成凸部44&。' 又’導線端子於密封構件之外側彎曲。 此種發光裝置中，若考慮到發光裝置之使用環境中之過 於苛刻之溫度變化，則對金屬構件與密封構件之密接性存 在擔憂。又，為了確保密封構件之強度，係藉由相對厚膜 之密封構件包圍金屬構件周圍，但會有自發光裝置之側面 或底面洩漏不需要之光，而降低對發光裝置之上表面側之 出光效率之傾向。 另一方面，為了實現均勻之發光圖案，如圖12所示提出 有如下發光裝置，即，由透光性樹脂53被覆金屬構件5〇之 發光7L件5 1之搭載面側，由黑色樹脂52被覆金屬構件5〇之 除發光元件5 1周邊以外之部分，從而防止發光元件5丨周邊 以外之金屬構件50中之反射，且防止散射光（例如，曰本 159836.doc 201230410 專利實開平5-50754號公報）。 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’近年來之發光裝置中，要求提高出光效率、並進 一步小型化、薄型化，需要一面實現對金屬構件與密封構 件之密接性及密封構件之強度確保、以及小型化及薄型化 等的取捨之關係的平衡，一面亦進一步提高出光效率等各 種性能。 本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種 可確保出光效率提高、進而確保性能提高之發光裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人，對確保較高之出光效率、並且伴隨發光 裝置之小型化及薄型化之金屬構件與密封構件之包含形狀 及配置等之發光裝置之設計以及實現其之製造㈣進行了 銳意研九。其結果為，發現了如下發光裝置之構成直至完 成本心月，n玄發光裝置之構成中，即便由於發光裝置之小 型化等而使金屬構件與密封構件之接觸面積減少，亦可由 抢封構件恰當地密封金屬構件而實現製造之效率化，並且 亦提高各種特性、例如散熱性、發光裝置之強度、4命 等。 即’本發明包含以下發明。 [1]一種發光裝置，其特徵在於包括： 發光元件； 金屬構件，其包含載置有該發光元件之一面、及與該一 159836.doc 201230410 面為相反面之另一面；及 透光性構件，其將上述發光元件與金屬構件之一部分密 封；且 上述金屬構件包含載置有上述發光元件之元件載置部、 與配置於該元件載置部周圍之平坦部， 於上述平坦部之另一面側配置有被覆構件， 該被覆構件之上表面及側面係由上述透光性構件被覆。 [2] 如Π]之發光裝置，其中上述透光性構件較上述被覆 構件柔軟。 [3] 如[1]或[2]之發光裝置，其中上述被覆構件露出上述 平坦部之上述一面。 [4] 如[1]至[3]中任一項之發光裝置，其中上述被覆構件 被覆上述平坦部之另一面與平坦部之外周，上述被覆構件 之上表面與上述平坦部之一面大體一致，且上述被覆構件 之上表面及上述平坦部之上表面由上述透光性構件被覆。 [5] 如[1]至[4]中任一項之發光裝置，其中上述透光性構 件包含凸部、及配置於上述凸部周圍之凸緣部，該凸緣部 係配置於自上述發光元件出射之光之照射範圍外。 [6] 如[5]之發光裝置，其中上述金屬構件之平坦部中之 一部分係配置於上述凸緣部内。 [7] 如[1]至[6]中任一項之發光裝置，其中上述金屬構件 包含自上述平坦部連續而於發光裝置之底面側彎曲之第工 彎曲部、及進而於上述發光裝置之侧面側彎曲的第2彎曲 部，自上述第1彎曲部起至上述第2彎曲部係由上述被覆構 159836.doc • 6 - 201230410 件被覆。 [8] 如[5]至[7]中任一項之發光裝置，其中上述平坦部及 上述被覆構件之上表面中之上述凸緣部之厚度小於上述被 覆構件之側面中之上述透光性構件之厚度。 [9] 如[1]至[8]中任一項之發光裝置，其中上述平坦部及 上述被覆構件之上表面中之上述透光性構件之厚度為 50〜100 μιη ° [10] 如[1]至[3]、[5]至[9]中任一項之發光裝置，其中上 述被覆構件進而被覆上述平坦部之外周。 [11] 如[1]至[10]中任一項之發光裝置，其中上述被覆構 件係露出上述金屬構件之元件載置部之底面而配置於該元 件載置部之外周。 [12] 如[1]至[11]中任一項之發光裝置，其中上述金屬構 件之元件載置部係相對於平坦部於發光裝置之底面側彎曲 而成形為凹形部。 [13] 如[12]之發光裝置，其中以包圍上述凹形部之方式 填充上述被覆構件，該被覆構件之下表面之高度與上述凹 形部之下表面之高度大體一致。 Π4]本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於包 步驟： 構件成形； ⑷將包含於一面載置有發光元件之元件載置部與配置於 “件载置部周圍之平坦部的金屬構件配置於模具内，使 破覆上述金屬構件之至少上述平坦部中之另—面側的被覆 159836.doc 201230410 (b) 於上述金屬構件之元件載置部搭载發光元件，· (c) 將由上述被覆構件被覆之金屬構件配置於第2模具 内藉由上述第2模具夹持上述被覆構件之上表面及下表 面，從而使被覆上述金屬構件之一部分與上述被覆構件之 上表面及側面之透光性構件成形。 [15]如[14]之發光裝置之製造方法，其中於上述步驟（a) 中，露出上述平坦部之一面而形成上述被覆構件； 於上述步驟（c)中，藉由上述第2模具夾持上述平坦部之 一面及上述被覆構件之上表面與上述被覆構件之下表面。 Π6]如[14]或[15]之發光裝置之製造方法，其中於上述步 驟（a)中，露出上述元件載置部之底面而形成上述被覆構 件； 於上述步驟（c)中，使露出上述元件載置部之底面之上述 透光性構件成形β [17]如[14]至[16]中任一項之發光裝置之製造方法，其中 形成上述被覆構件時之被覆構件材料之黏度大於形成上述 透光性構件時之透光性構件材料之黏度。 [發明之效果] 根據本發明之發光裝置，能夠獲得一種可確保出光效率 提高、進而確保性能提高之發光裝置。 又’根據本發明之發光裝置之製造方法，可有效地製造 各特性得以提高之發光效率良好之發光裝置。 【實施方式】 本發明之發光裝置主要包含發光元件、金屬構件、透光 159836.doc

201230410 ^構件及破覆構件。透光性構件與被覆構件係構成所 裝之構件，有時會將兩者合併僅記作「密封構件」。 「密封」，係指藉由直接接觸或非接觸之密封。 謂封 所謂 本申請案中，所謂「上表面」及「 發光裝置之出光面側之面，尤其「一 一面（第1面）」，係指 面」係指金屬構件之 面，所謂 底面」及「另一 ®(第2面）」’係指與上表面及 一面（第1面）相反側之面’尤其「另—面」係指金屬構件之 面所明「發光裝置之底面」，係指構成發光裝置之密封 構件之底面。 所謂透光性’係指使自發光元件出射之光透射观左右 以上、較佳為80¾左右以上、9〇%左右以上、95%左右以 上的性質》 (發光元件） 發光元件為半導體發光元件，只要為稱作所謂發光二極 體之元件即可《例如，可列舉於基板上藉由InN、AlN、 GaN、InGaN、AlGaN、InGaAIN等氮化物半導體、m_v# 化合物半導體、II-VI族化合物半導體等各種半導體而形成 包含發光層之積層構造而成者。 作為基板’以C面、A面、R面之任一者為主面之藍寶石 或尖晶石（MgAhO4)般之絕緣性基板、或碳化矽（6ii、4H、 3C)、石夕、ZnS、ZnO、GaAs、鑽石’銳酸經、鎵酸鉉等氧 化物基板、氮化物半導體基板（GaN、A1N等）等。 作為半導體之構造’可列舉MIS(metal insulator-semiconductor ’ 金絕半 導體）接合、 piN(P_intrinsic_N)接 159836.doc 201230410 合、PN接合等同質構造、異質結合或雙異質結合者β 亦可於構成發光元件之各半導體層中摻雜Si、Ge等施體 雜質及/或Zn、Mg等受體雜質。 發光層亦可設為於量子效應所產生之薄膜之單一量子井 構造、多重量子井構造》 發光元件之發光波長可藉由改變半導體之材料、混晶 比、發光層之InGaN之In含量、發光層中所摻雜之雜質之 種類而自紫外區域變為紅色。 (金屬構件） 鱼屬構件通常與發光元件及任意保護元件等（以下有日; B己作「發光兀件等」）電性連接，一般發揮作為導線電名 之功能與載置發光元件等之功能。金屬構件與發光元件, -併將其-部分埋設於下述密封構件内。因此，金屬則 包含：於密封構件内作為發光元件等之載置台及/或作肩 導線電極而發揮功能之部位（例如内部端子）；及延伸設置 至在封構件外為止、具有成為與外部之電性之連接之功能 的部位（例如外部端子）。 無二限：要！T發揮該等功能者，則金屬構件之材料並 '(疋-奴佳為以熱導率相對較大之 由以此種鉍赳Ν Π· 风錯 種材：形成’可有效地散逸發光元件中所產生之 J如，較佳為具有2〇〇 w/(m · 尤 者，具有相對較大之機械… 以上之熱導率 季“易之材料。例如可列舉鋼、 等 等金屬或鐵-鋅人金#主& 、銀、鎢、鐵、鎳 金碟青鋼、含鐵銅等或者於該等表面 I59836.doc 201230410 實施銀、鋁、銅、金等之金屬電鍍膜而成者。尤佳為金屬 構件藉由電性連接良好之導電性材料（例如Au或鍍Au)而形 成。又，金屬構件之表面為了提高反射率，較佳為較為平 滑。尤佳為元件載置部或元件載置部及其外周部藉由反射 率較尚之材料（例如Ag或鍍Ag)而形成。金屬構件通常以均 勻之膜厚形成，但膜亦可局部地較厚或較薄。 由此，更佳為以Au或其表面鍍Au之材料形成金屬構件 之整體，於元件載置部以Ag或其表面鍍Ag之材料形成。 於形成凹形部作為元件載置部之情形時，亦可為八§或鍍

Ag不僅於其凹形部内且遍及至平坦部，較佳為遍及至位 凹形部之外周之平坦部。於以鍍Ag#料形成凹形部之外周 之清形時，若其寬度過小，則於產生鍍Ag之焊點中之對準 偏移=情形時，有時凹形部内之—部分未由錢Ag材料被 覆’若其寬度過大’則至打線接合之區域為止之距離變 長，由此引起線疲勞、斷線、發光裝置之放大化等。因 此例如外周之寬度適合為0.3 mm左右以下，適合為〇 2 mm左右以下。藉此，由密封構件被覆金屬構件之—面 時，可藉由Ag提高兩者之密接性，從而可提高長期之可靠 性。 金屬構件包含載置有發光元件之—面、及與該—面為相 另面又，包含載置有發光元件之元件载置部、 及配置於該元件載置部周圍之平坦部。 金屬構件之形狀並無特別限定’可考慮發光裝置之形 狀、發光兀件之個數、排列、可配置之空間等而適當決 I59836.doc •11 · 201230410 定0 元件載置部係發揮載置發光元件之功能之部位，為了使 發光7C件之光向其上表面有效地出射，較佳為平坦。又， 亦可如圖3所示，金屬構件12之平坦部具有於發光裝置之 底面侧彎曲而成形為凹形狀之凹形部，將該凹形部之底部 面（上表面）作為元件載置部。藉由形成有凹形部， 可確保發光7C件之合適位置之配置，並且可確保密封構件 之密封之穩定性。χ，藉由凹形部之側面之光之反射，使 自發光7L件橫向出射之光朝向發光裝置之上表面側，可實 現對發光裝置之上表面之出光效率之提高。 元件載置部及凹形部只要至少具有可載置發光元件之底 面積即可：例如’可設為_、橢圓形、使多邊形形狀之 ’“也殳圓而成之形狀或根據該等形狀而變形的形狀。 凹之大小及凹形部深度於將所搭載之發光元件配置於 凹形部内之合適位晉夕，降JJ, 置之It形時’宜為不阻擋自發光元件出 射之光及其反射光箄 之光之出射的程度。尤佳為不會由凹 形部之側面或上緣部等 ^ 拉自發先疋件出射之光及反射光 的程度。例如，凹形邱夕念工 β + 卩之底面之大小適合為大於發光元件 之佔有面積，進而盔Κ‘ σ ，·，、有面積之1.2倍左右以上。其深度 /、要為發光元件之其择^ 。又上即可’較佳為0.1 mm左右以 上，較佳為0.5 mm左右以下。 凹形部之側面亦可击 直，但較佳為以朝向底變窄之方式 傾斜。例如，適合為 士 相對於底面之法線方向以0~45〇左 右、20〜40。左右傾斜。 糟此’可有效地將來自發光元件之 159836.doc

-12· 201230410 光引導至上表面。進而，凹形部中，較佳為自其側面起至 該凹形部之外周之平+日邱（搞 一㈣後闡述）’使其表面帶有圓 弧。糟由如此帶有圓狐，於凹形部之開口部緣上，下述密 封構件難以產生裂痕，從而可防止密封構件之剝落。 如圖3所示’平坦部12d以包圍元件載置部（例如凹形 部)…周圍之方式配置，通常係指由密封構件被覆之部 位。又，於平坦部之另一面側配置有被覆構件。 平坦部中，亦可與元件载置部存在於同-平面，但如上 所述，於元件載置部成為凹形狀之情形時，配置於與凹形 部之底面不同之高度。 包圍凹形部周圍之平 十坦α卩之平面形狀並無特別限定，例 如如上所述’較佳為以自㈣部起連續之其—部分大致卜 著鄰接之凹形部之形狀之方式(即以與凹形部相同或大： 相同之形狀’或對應之形狀）來形成（參照圖3中之a)。例 如’可設編、橢圓形、使多邊形之角任意變圓之形狀 或該等之變形形狀。藉此，可將密封發光元件之密封構件 穩定形成為沿著⑽部之外周之形狀。再者，以大致沿著 。亥鄰接之凹形部之形狀之方式形成之平坦部較佳為如圖3 所示，與下述第2金屬構件丨3對向。 除了上述之-部分料之其他—部分之平坦部之外側之 輪廓(例如參照圖3中之b)與密封構件之平面形狀類似(即， 相同或大致相同之形狀，或對應之形狀），通常可設為使 多邊形之角變圓之形狀或將基於該等形狀而變形之形狀。 藉此，可提高密封構件、尤其下述凸緣部之強度。 159836.doc •13- 201230410 平坦部之進而其他一部分（例如參照圖3中之c)成為作為 所明内部&子及/或外部端子而發揮功能之區域。因此， 適合設為於與上述凹形部相反側延長之形狀。延長之作為 端子而發揮功能之區域之寬度（圖3中之寬心）可根據欲獲 得之發光裝置之性能等而適當設定。例如，較佳為與凹形 部之直控同等或較其略大之程度。 平坦部進而可設為載置上述保護元件等之區域。又，以 Γ述透光賴件及/或被«件㈣金屬構料，可藉由 早純之形狀之上下模具容易地夾持(保持、夾 平拍 。 於具有元件载置部之金屬構件，通常使成為正負 極之第2金屬構件相對於該元件載置部對向。 =2金屬構件包含平坦部，較佳為該平坦部與上述金屬 由線^坦^對應。第2金屬構件之平坦部與發光元件藉 由線連接。#此，於在元件載置部搭載發光 ::光元件與第2金屬構件之導線之距離，從而可防止: 構==較佳為，作為内部端子時，與上述金屬 延長=载置部對向’作為外部端子時，為於特定方向 :门方向)向外部突出，可自不同之複數個面( 突出。例如，即可使金屬構件及第2金屬構件之前 (即外部端子）於發光裝置之底面方向彎曲，亦可於對向 159836.doc 14 201230410 之側面方向分別彎曲》金屬構件及第2金屬構件較佳為包 含於密封構件内朝向發光裝置之底面方向而彎曲之彎曲部 (參照圖3中之12e)。金屬構件中，較佳為於密封構件内（例 如下述透光性構件之主體部内等）、尤其根據其寬度，於 下述主體部内或凸緣部内，配置向底面方向彎曲之彎曲部 (例如第巧曲部^藉由金屬構件之彎曲，可使存在於密封 構件内之金屬構件與密封構件之接觸面積增大，其結果 為，可防止密封構件之剝落。又，金屬構件之彎曲部發揮 卡子之作用，可有效地防止密封構件與金屬構件之分離。 進而’金屬構件中’較佳為包含於密封構件内、在朝向 發光裝置之底面方向弯曲（較佳為於下述巴緣部内）（第^彎 曲部）之後、進而向發光裝置之側面方向#|曲的彎曲部（參 圖3中之12f)(第2彎曲部），並向密封構件之外側突出。 ^ 可進步確保上述剝落及分離效果。再者，第i彎 件i及第2 f ^部較佳為由密封構件、尤其由下述被覆構 件被覆。 丹 金屬構件於自密封構件之側面突出m彡時 =部位之金屬構件(即平坦部之一部分)之另—面 裝置之^封Γ件之底面（配置於最底下之面）一致’即與發光 構件起至=致。換言之，較佳為發光裝置之底面自金屬 強密封構:、構件成為同一面。藉此，可藉由金屬構件加 在封構件，從而可提高發光裝置本身之強度。 可元件載置部之凹形部之情形時，亦 吏金屬構件之平坦部比凹形部之深度更大之高低差 159836.doc 15 201230410 而彎曲 ’但較佳為具有凹形部 之深度一致之高低差而 曲。即，較佳為金屬構件之平坦部之一部分之另一面與 形部之底面大體一致（大致為同一面）。 、 金屬構件例如如圖9所示，鲂杜*从τ α不車乂佳為於平坦部及/或彎曲 彎 之附近之表面形成決定或固著密封構件 部 之形成之凹處、貫 通孔12b或槽口 12C(以下有時記作 要為可使密封構件配置於内部而使 凹處等」）。凹處等只 兩者之接觸面積增大、 或可固定密封構件之一部分去g 丨刀考即可。藉此，可進一步提高 金屬構件與密封構件之密接性。 定 凹處等之平面形狀及配置 ，可根據發光裝置之尺寸、 進行適當調整。 •大小、深度等並無特別限 所使用之密封構件之材料等 凹處等較佳為配置於來自發光元件之光之 照射範圍外’藉此可防止光之茂漏 金屬構件通常包含藉由使用導線之打線接合而與發光元 件、任意保護元件電性連接4為導線，較佳為與發光元 件之電極之歐姆性良好、或機械連接性良好、或導電及導 熱性良好者。作為熱導率，較佳為〇〇1 cal/s . ⑽ 左右以上’進而更佳為0.5 cal/s. cm2· t/cm左右以上。 若考慮到作業性等，則導線之直徑較佳為10 μιη〜45 右。作為此種導線，例如可列舉金、銅、白金、鋁等金屬 及該等之合金。I線可ϋ由打線接錢器容易地連接發光 元件與打線接合用之金屬構件。 金屬構件於1個發光裝置令，至少包含上述第丨及第2兩 個即可。於使金屬構件之另一面與密封構件之底面為大致 159836.doc -16- 201230410 ，而可降低將 可提高製造效 同一面之情形時，由於金屬構件之個數較少 各構件配置成大致同一面時之偏移。因此， 率 〇 金屬構件亦可包含搭載於金屬構件之發光元件之個數 以上、或者搭載於金屬構件之發光元件之個數之2倍本以 上。例如，與僅搭載1個發光元件之情形時，亦可為於金 屬構件之一方載置發光元件，並且與發光元件之一方之電 極取得電性連接，其他金屬構件與發光元件之另外之電極 取得電性連接。 於搭載2個以上發光元件之情形時’亦可為將所有或數 個發光元件載置於〗個金屬構件，並取得電性連接，進而 另外之金制件與各發光元件而分別取得另外之 接。 又、，亦可構成為將發光元件各者載置於另外之金屬構 件’並且取付電性連接，進而另外之金屬構件與各發光元 件對應分別取得另外之電性連接。 如此’搭載複數個發光元件，對於各者，設為獨立與金 屬構件電性連接般之獨立配線，藉此於發光裝置之安裝面 中’可選擇Φ聯或並聯等各種配線圖#，從而可自由地設 計電路H獨立配線之情形時，調整所載置之發光元 件之發光強度變得容易，因此尤其於使用全彩LED(Hght_ emitting diode，發光二極體)等具有不同發光色之複數個 發光元件時有利。此外，可不重複各發光元件之散熱路徑 而形成。由此，可均等地將由各發光元件產生之熱散熱， 159836.doc -17- 201230410 散熱性更加良好。 (被覆構件） 被覆構件係與下述透光性之透光性構件一併作為發光裝 置之封裝而發揮功能之構件。 被覆構件藉由較透光性構件更硬之材料形成。所謂較被 覆構件更硬，一般係指硬度較大。此情形之硬度係指於下 述將透光性構件及被覆構件一併藉由相同之硬度試驗法進 行S式驗之情形時其硬度值大於透光性構件。以下，任一之 試驗法中均以25°c進行。 被覆構件之硬度值根據試驗法而不同，但適合為藉由任 一者之試驗法均較透光性構件之硬度值大（硬）5%左右以 上、10%左右以上、15%左右以上。 被覆構件較佳為，被覆構件之試驗法與其硬度對應，且 與適合用於透光性構件之試驗法不同，與透光性構件相比 硬度更大（硬）。 又，被覆構件亦可藉由不具備橡膠狀之彈性之材料形 成。或者，亦可藉由具有以壓痕硬度表示之硬度之材料形 成。壓痕硬度一般由藉由洛式硬度試驗及/或維式硬度試 驗而獲得之硬度表示。 此處，洛式/維式硬度試驗均為周知之試驗方法。 例如，洛式硬度試驗係於使用壓頭首先施加初試驗力， 其次施加試驗力，再次回到初試驗力時，測定前後2次初 s式驗力中之壓頭之侵入深度之方法。該硬度可由侵入深度 之差算出。 159836.doc -18- 201230410 維式硬度試驗係對壓頭施加試驗力、將壓頭壓入至試料 中來測定壓頭與試料之接觸面積的方法。該硬度可作為用 施加於壓頭之試驗力除以接觸面積之值而算出。 又，破覆構件亦能以藉由蕭氏A硬度或 Industrial Standards，日本工業標準）_ a硬度試驗之硬度表 示0 若藉由蕭氏A硬度試驗而測定硬度’則例如適合為7〇左 右以上，較佳為90左右以上。 蕭氏A硬度或JIS_A硬度試驗係周知之試驗方法。例如， 係對被測定物之表面壓入壓頭而使其變形，測定其變形量 (壓入深度）並數值化的方法。 里 通常使用蕭 於蕭氏A硬度或JIS-Α硬度超過90之情形時 氏D硬度。 因此，被 料 覆構件較佳為藉由蕭氏D硬度而表示硬度之材 蕭氏〇硬度試驗係周知之試驗方法。該方法與jis_A硬度 試驗壓頭之形狀及尺寸、壓人負重不同。蕭❿硬度試驗 適合於與JIS-Α硬試驗相比彈性較小之試料之測定。 進而，被覆構件較硬，例如亦可指成形時⑽融時）之黏 度較透光性構件之黏度大。作為此處之成形時之黏产，把 據材料而不同’但通常之半導體製程中，構成被覆：件： 材料奋藉由使適合該材料之恰當之溫度而熔融之情形時， 適合具有10 Pa .S左右以上之黏度。 右考慮到貫際之製 ^則較佳為1〇0 左右以下。成形時之溫度例如可列 159836.doc •19- 201230410 舉 150〜180°C。 又、較佳為被覆構件與金屬構件之線熱膨脹係數之差小 於透光性構件與金屬構件之線熱膨脹係數之差。藉此可抑 制溫度變化時之剝離及裂痕之產生。被覆構件之線熱膨脹 係數適合為100 ppm/K左右以下，較佳為50 ppm/K左右以 下。進而適合為20 ppm/K左右以上。 金屬構件之線熱膨脹係數小於通常用作密封構件之材 料’例如為5〜20 ppm/K左右。被覆構件與金屬構件之線熱 膨脹係數之差較佳為1 0~ 1 00 ppm/K左右。 藉由使被覆構件直接接觸於金屬構件，可緩和由直接透 光性構件被覆金屬構件之情形之線熱膨脹係數之差，從而 可降低後封構件與金屬構件之熱所致之密接性降低。 被覆構件中’例如可藉由聚鄰苯二甲醯胺（ppA， polyphthalamide)、環氧樹脂等而形成。 被覆構件亦可對上述之材料局部地混合使用各種染料或 顏料等作為如上所述之著色劑或擴散劑。被覆構件較佳為 配置於自發光元件出射之光之照射範圍外。藉此，即便使 用如混合有碳黑等之光之吸收較大者作為著色劑之材料般 光反射性較低之材料發光裝置之光輸出亦不會降低，因 此，可選擇光反射性之降低之廉價之材料作為被覆構件。 此種被覆構件配置於金屬構件之至少另一面側(例如參 照圖1D中之15)。，適合為被覆金屬構件之平坦部之另 一面側之至少一部分。進而’較佳為被覆平坦部之外周之 一部分’更佳為被覆外周之全部（例如參照圖1B及圖⑴中 159836.doc -20- 201230410 之15)。再者，被覆構件露出平垣部之一面。 被覆構件被覆平坦部之外周夕降 卜周之情形，相當於被覆平坦部 之端面。與被覆平扭部之她而 面之情形時，被覆構件涉及至 金屬構件之一面側為止，作鲂4χ -季乂佳為配置於此種平坦部之外 周之被覆構件中，其上表面之一八 、 部刀與金屬構件之平坦部 之一面成為大體一致，較佳在π 侄為成為同一面（參照圖1Β及圖 1D)。尤其於平坦部之角部中， 更佳為與平坦部之一面大 體一致’較佳為遍及平坦部 全外周與平坦部之一面成為 同一面 〇 藉此’藉由上下模具成形下述透紐構件時，可於上下 模具之間穩定夾持成為同— 之部位(尤其角部’參照圖 5B中、M)’從而可防止密封構件之材料漏出等。進而， 盆22下模具之間穩定夹持’故而被覆構件較佳為以 力U下模具相接之方式配置。較佳 為以如下方式進行配置，即被覆 攸復構件之上表面之一部分盥 述凸緣部大體一致，被覆構件之7表s M & /、 丁主二/ 母丨丁心卜表面構成發光裝置之 下表面（底面）（參照圖1C及圖1D)。 被覆構件令，較佳為露出金屬禮# + z 出金屬構件之至少元件載置部之 底面，且配置於元件載置 _ 部而开…达 戟直P之外周1件載置部藉由凹形 4之情形時，更佳為露出凹形部之底面，且配置於 凹形部之外用姑-叫且配置於 之，較佳/ 確保發光元件之散熱路徑。換言 件為以包圍金屬構件之凹形部之方式填充有被覆構 :覆構件之下表面(底面)之高度與凹形部之下表面之 问度大體一致（即，被覆 佴仟之下表面與凹形部之下表面 I59836.doc •21- 201230410 為大致同一面）。 (透光性構件） 透光性之透光性構件係將發光元件、任意保護元件及金 屬構件之一部分密封之構件，例如如圖2所示，至少包含 主體部14c與凸部14a。透光性構件至少被覆被覆構件之上 表面及金屬構件之平坦部之上表面之一部分，較佳為進而 被覆被覆構件之側面。因此，金屬構件之平坦部較佳為其 一部分配置於透光性構件内、尤其於下述凸緣部内。、 發光裝置通常可成形為圓柱、橢圓柱、球、蛋形、三角 柱、四角纟、多角柱或與該等近似之形狀等作為基本形狀 (密封構件之形狀）’ 一般而言，成形為四角柱。因此，本 發明中之透光性構件係將構成基本形狀之主體部、與於主 體部之-面例如用以作為聚光之透鏡而發揮功能的凸部一 體地配置。 凸部之形狀可藉由發光裝置之配光之形態適當調整，例 如可列舉球或蛋形之_部分、底面為四邊形等多邊形之碗 狀或半球狀等各種形狀。其中，以球或蛋形之一部分、尤 :、半求形狀為且’進而較佳為其中心位於發光元件或發光 元件載置部之中心附近之形狀…藉由使凸部之大小變 大而可提兩出光效率，較佳為至少設為較發光元件載置部 大進而，較佳為設置凹形部，且較該凹形部更大（參 照圖1C)。 j如如圖2(相當於圖1C之F-F，線剖面圖）所示，透光性 構件14主$包含將發光元件（未圖示）等及金屬構件（未圖 159836.doc -22· 201230410 示）之一部分一體地密封之方塊狀之主體部丨4c。進而較佳 為’在主體部14c上’於發光元件（及其周邊部分）之上方包 含以自主體部14c突出之形狀配置之稱作凸部1扣之部位。 又’較佳為主體部及凸部一併於主體部之外周一體地配 置凸緣部14b而構成。即，如圖2所示，較佳為包含凸緣部 14b ’其表面自凸部14a連續，配置於主體部14〇之外周。 凸緣部係如下述般，亦可不配置於凸部之整個周圍。較佳 為於凸緣部僅配置於一部分之情形時，將大致同一形狀之 凸緣部於凸部周圍以等間隔配置。 透光性構件例如如圖2所示，主體部14(；具有寬度w、深 度及高度H，凸部i4a具有成為最大值之部位處之直徑〇及 尚度T。凸緣部14b適合為與主體具有同等之高度。此處， 寬度W、深度、直徑D、高度τ均無特別限定，例如凸 部之直徑D較佳為與主體之寬度冒及/或深度大致同等❶凸 之间度T較佳為主體之高度Hi卜1〇倍左右，更佳為 5〜1〇倍左右。具體而言，可列舉寬度W為1〜10 mm左右， 未度為1 10 mm左右，高度Η為0.05〜5 mm左右，直徑D為 mm左右’向度T為0.5〜6 mm左右。又，較佳為寬度 為7 mm左右，深度為2〜7 mm左右，高度Η為0.1〜1 mm 左右’直徑D為2〜7 mm左右，高度τ為1〜3 mm左右。尤其 更佳為主體之寬度~及深度大致同等（例如在±5%之長度之 I巳圍内）。藉此’可使寬度方向上之配光與深度方向上之 光大致相等。此時，較佳為凸部之寬度與深度亦大致同 等。 159836.doc •23- 201230410 透光ι·生構件不論金屬構件是否包含凹形狀之元件載置 部’於包含凸緣部之情形時，&緣部適合以配i於自發光 元件出射之光之照射範圍外之方式成形。較佳為配置於較 來自發s元件之光之照射範圍更發光裝置之底自方向（下 方）。來自發光元件之光之照射範圍係指自發光元件出射 之光直接到達之範圍。具體而言’可由將發光元件之發光 層與其周圍之遮光構件（例如金屬構件）連結之直線規定。 亦能以發光元件之上表面作為基準。 尤其於將發光元件載置於凹形狀之元件載置部之情形 時，光之照射範圍根據金屬構件之凹形部之形狀及大小等 而規定，適合為凸緣部以不配置於自發光元件出射之光所 通過的位置，而配置於光所到達之區域之外側之方式，凸 緣部之表面無限地接近於金屬構件之平坦部而配置。即， 較佳為透光性構件之凸緣部上表面之高度（位置）為與金屬 構件之平坦部之上表面大致同等之高度（位置）。換言之， 透光性構件較佳為以透光性構件之凸緣部上表面與金屬構 件之平坦部之上表面成為大眾同一面之方式來被覆發光元 件等及金屬構件。 此處之大致同等之高度係指係指俯視時存在於透光性構 件之内側之金屬構件（及被覆構件）之上表面不會自透光性 構件露出’以最小限度之被覆厚度來被覆，自側面觀察時 只產生該最小限度之厚度之高低差之程度。同樣地大致 同一面係指僅最小限度被覆厚度之高低差，實質上成為同 一面或構成同一平面。最小限度之被覆厚度例如係指製造 159836.doc -24 - 201230410 =可實現之程度’具體而言，金屬構件之平坦部及被 覆構件之上表面中之透光性構件之厚度可列舉w㈣ j右’較佳為70〜80㈣左右。又’根據其他觀點，較佳為 透先性構件之凸緣部之高度之ι/5〜⑽左右更佳為 左右之厚度。如此’金屬構件之平坦部及被覆構件 之上表面中之透光性構件(例如凸緣部)之厚度成為最小限 度之厚度之情形時，該厚隸佳為較被覆被覆構件之側面 之透光性構件之厚度更小。 *金屬構件與透光性構件間之間隙成為水分或離子性雜質 等之進入路徑。因此’藉由如此利用透光性構件被覆金屬 構件之上表面，可防止發光裝置之上表面令之水分會離子 性雜質等之進人，從而可提高發光裝置之可靠性。 藉由如此配置/成形凸緣部，確保透光性構件與金屬構 件之接觸面積’防止兩者之剝落，並且配置好屬構件上 表面之透光性構件不阻擋來自發光元件之光，從而可使出 光效率為最大限度。又，藉由配置/成形此種凸緣部，可 抑制其表面中之光之全反射，因此可防止被覆構件中之光 之吸收。進而，藉由金屬構件及被覆構件而可提高凸緣部 中之透光性構件之強纟，因在匕彳以邊維持強度以邊形成相 對較薄之凸緣部，從而可使發光裝置整體之厚度變小。藉 由如此將凸緣部配置於自發光元件出射之光之照射範^ 外，可將凸部表面設為主要之出光面，因此於操作發光裝 置時，可使鑷子等機器接觸於並非主要之出光面之凸緣 邛。藉此，可防止發光裝置之主要之出光面之變形及損 159836.doc •25· 201230410 傷’從而可防止配光特性之變化及光輸出之降低。 金屬構件之元件载置部不論是否具有凹形狀，其底面適 合以自透光性構件之主體部之底面露出之方式來配置。於 配置有凹形部之情形時，適合為以凹形部之底面自主體部 之底面露出之方式配置。與後者之情形時，較佳為以與凹 形部之底面成為大眾同一面之方式配置。藉由如此使元件 載置部露出可有效地釋放來自發光元件之埶。其 可防止發光元件及透光性構件之熱所致之劣化等：從而可 提高發光裝置之可靠性。又，藉由使透光性構件之底面與 凹形部之底面為大致同—面而可於金屬構件加強發光元件 之底面。 因此主體部及凸緣部之高度Η較佳為較凹形部之深度 與金屬構件之厚度之合計稍厚（例如+100 μηι)之程度。 再者，上述被覆構件露出金屬構件之元件載置部，被覆 位於其外周之平坦部之另―面側、進而元件載置部之外周 部之情料’透光性構件較佳為被覆至少被覆構件之上表 面及側面之-部分’更佳為被覆被覆構件之上表面及側面 ^全部。進而’透光性構件亦可被覆被覆構件之底面之一 部分或全部。如此’利用透光性構件被覆被覆構件、即對 較硬之被覆構件以如下述般較其更柔軟之透光性構件進行 被覆，藉此可吸收對被覆構件之來自外部之應力。其結果 為防止外的應力所引起之裂痕、缺口等，從而可提高發 光裝置之強度。又，藉由將凸緣部及凸部設為上述形狀及 -置雖存在4光性構件與被覆構件之密接十生降低之傾 159836.doc

S -26 - 201230410 二但如此藉由透光性構件不僅被覆被覆構件之上表面而 ?至側面為止，藉此可增大透光性構件與被覆構件之接 .面積，從而可提高密接性。因此，可實現包含上述之構 &且可靠性得以提高之發光裝置。 規疋發光裝置之底面之透光性構件及/或被覆構件較佳 為以成為同—面之方式形成。藉此可提高發光裝置之底面 之，度’❹可提高可靠性。又，於在金構件形成有凹 ^ 凊形時，較佳為固定底面之透光性構件及/或被覆 構件與凹形部底面一致、即成為同一面。藉此，可使凹形 部之底面切實地自密封構件露出，從而可提高散熱性。進 而’可使凹形部之底面捿觸於安裝基板，可甚至利用安裝 基板作為政熱路;^，從而可進_步提高散熱。 透光性構件藉由較上述之被覆構件柔軟之材料形成。所 謂較被覆構件柔軟，_般係指硬度較小。 又，透光性構件亦可說係藉由具備橡膠狀之彈性之材料 形成。或者，亦可說藉由具有由動態硬度（排斥硬度）表示 之硬度之材料形成。 動態硬度一般以藉由蕭氏A硬度或JIS-Α硬度試驗之硬度 而表示。 透光性構件之藉由JIS_A硬度試驗之硬度例如可列舉Μ 左右以下，較佳為6〇左右以下。藉由使用此種柔軟之材 料，可減小熱衝擊試驗中之導線之疲勞。χ，考慮到防止 操作發光裝置時之導線之彎曲及發光裝置彼此之附著等， 藉由JIS-Α硬度試驗之硬度可列舉2〇左右以上，較佳為刊 159836.doc •27· 201230410 左右以上。此種彈性較高之透光性構件之線熱膨脹係數例 如可列舉200〜300 pprn/κ左右。 進而，所謂透光性構件柔軟，亦可指例如成形時（熔融 時）之黏度較被覆構件之黏度小，此處之成形時之黏度根 據材料而不同，使通常之半導體製程中構成透光性構件之 材料根據適合於該材料之恰當之溫度而熔融之情形時，適 合具有9 Pa · s左右以下之黏度，較佳為5 ρ& · s左右以 下。藉由使用此種材料可防止成形不良。若考慮到實際之 製造’則較佳為2·5 pa · s左右以上。例如可使用坑時之 黏度為約3 Pa · s之氧化矽樹脂。 又’透光性構件係自可確保發光元件及金屬構件之絕緣 性之材料中選擇。 因此’作為具備上述硬度及特性者，例如較佳為透光性 之氧化石夕樹脂。其原因在於：由於具有橡膠狀之彈性’發 揮耐熱性，_受超過細。c之高溫，進而於高溫下變形、 刀解之速度緩慢、即溫度依存性較小，對其他構件之影继 較小，故而可期待長期之可靠性。 曰 透光ί生構件亦可局部地於上述材料混合使用各種染料或 ^料等作為著色劑或擴散劑。例如，作為著色劑可列舉 — 2 _ Fe2〇3、碳黑等，作為擴散劑可列舉碳酸 氧化鋁氧化鈦等。較佳為使用著色劑及擴散劑未混 合之材料。驻 9 可防止著色劑或擴散劑所致之光散， 可抑制透光性構件之矣而由+人G & 七· 千之表面中之全反射，因此可提高出光效 〇 159836.doc

S -28- 201230410 (透光性被覆構件） 本發明之發光裝置t，亦可於將發光元件搭載於金 件之後，以被覆發光元件之方式配置透光性被覆構件。透 光性被覆構件通常與發光元件接觸而配置。例如，於金屬 構件包含凹形狀之元件載置部之情形時，亦可於凹形部之 -部分或全部，以進而自凹形部隆起之方式配置透光性被 覆構件。 透光性被覆構件較佳為藉由保護發光元件免受外力、水 分等影響、可保護確保發光元件與金屬構件之連接之導線 的材料而形成。 作為透光性被覆構件，可列舉環氧樹脂、氧化 丙烯酸系樹脂、尿素樹脂或該等之組合等耐候性優異之透 明樹脂或玻璃等。再者’透光性被覆構件為哪種硬度均 可。透光性被覆構件較佳為與密封構件同一材料、同一組 成等，亦可使其含有擴散劑《螢光體物質。#由與密封構 件使用同-構件，可使密封構件與透光性被覆構件之熱膨 脹係數大致同等1此，可提高對遍及密封構件與透光性 被覆構件之雙方而配置之導線等的耐衝擊性。進而，折射 率亦可大致同等’因此可抑制自透光性被覆構件向密封構 件通過之光之損失，從而可提高出光效率。 透光性被覆構件亦可使用不同之材料、不同之組成等。 尤其透明樹脂即便於步驟中或保管中在透光性被覆構件内 含有水分之情形時，亦可藉由以100t左右進行14小時左 右以上之烘烤，而可使樹脂内所含有之水分向外部大氣散 159836.doc •29· 201230410 逸°因此’可防止水蒸氣爆發、發光元件與上述透光性構 件之剝落《又，透光性被覆構件考慮到受到由發光元件等 產生之熱之影響之情形之透光性構件與透光性被覆構件之 密接性等’較佳為選擇該等之熱膨脹係數之差較小者。 亦可使透光性被覆構件含有擴散劑或螢光物質。擴散劑 係使光擴散者，緩和來自發光元件之指向性，可增大視 角。螢光物質係使來自發光元件之光轉換者，可轉換自發 光元件向密封構件之外部出射之光之波長。來自發光元件 之光為能量較高之短波長之可見光之情形時，適合使用作 為有機螢光物質之茈系介電質、由ZnCds:Cu、YAG:Ce、

Eu及/或Cr活化之含氮Ca〇_A12〇3_Si〇2等無機螢光物質等各 種螢光物質。本發明中，獲得白色光之情形時，尤其若利 用YAG.Ce螢光物質，則根據其含量可發出自藍色發光元 件之光與吸收一部分該光而成為補色之黃色系之光，而可 相對簡單且可靠性較佳地形成白色系。進而，於併用由別 及/或Cr活化之含氮Ca〇_A12〇3_Si〇2螢光物質之情形時，根 據其含量除可自M色發光元件之光與吸收一部分該 光而成為補色之黃色系以外，進而可發出紅色系之光，從 而可相對簡單地可靠性較佳地形成顯色性得以提高之白色 系。 擴散劑及螢光物質較佳為僅含有於透光性被覆構件中， 而不含有於透光性構件中。藉此，可防止由於擴散劑及勞 光物質所致之光散亂而光向發光裝置之側面及底面㈣ 漏。透光性被覆構件可如上所述填充於凹部内而形成，亦 159836.doc .30- 201230410 2由網版印刷或電泳沈積等而僅於發光元件周圍形成。 政時，透先性被覆構件亦可勤螢光物質構成。 (保護元件） 保護元件並無特別限定，搭载於發光裳置之周知者之任 一者均可。例如可列舉可使施加於發光元件之逆方向之電 壓短路、或使較發光元件之動作電壓高之特定之電壓以上 之順時針方向㈣短路之元件、即、過熱、過電壓、過 流、保護電路、靜電保護元件等。具體而言，可利用曾納 一極體、電晶體之二極體等。 本發明之發光裝置中’保護元件較佳為載置於自發光元 件出射之光之照射範圍外。藉此，可抑制保護元件中之光 吸收。又’保護元件較佳為載置於與設置有發光元件載置 β之金屬構件及連接有發光元件之導線之金屬構件相隔的 金屬構件。進而，較佳為載置於較設置有發光元件載置部 之金屬構件之最上表面低之位置處所配置之金屬構件（參 照圖1B)。藉此’可防止保護元件之接合構件向發光元件 或其導線之連接部分流出。 保護元件亦可載置於第丨金屬構件（載置有發光元件之金 屬構件）。於此情形時，保護元件於^金屬構件上，藉由 載置於夾持凹處而與發光元件對向之位置，可防止保護元 件之接合構件向凹部方向流出。保護元件通常僅搭載丄 個，但亦可搭載2個以上。 (其他零件） 本發明之發光裝置中，為了有效地進行來自發光元件之 J59836.doc 201230410 光之提取，亦可包含反射構件、反射防止構件、光擴散構 件等各種零件。 (發光裝置之製造方法） 本發明之發光裝置中’伴隨近年來之發光裝置之小型化 及薄型化，在製造其時，例如藉由由構成膜腔之上下模具 (die)夾持金屬構件、向該膜腔内注人密封構件之模具成形 進行製造時’由上下模具夾持之金屬構件之面積急遽地縮 小。因此，容易產生金屬構件之上下模具内之浮動（間 隙、偏移等），&而難以切實地以上下模具固定金屬構 件。尤其為了提高金屬構件與密封構件之密接性，於金屬 構件形成凹形部及彎曲部，藉由密封構件而使該等埋設之 情形時，一般更難以切實地以上下模具固定金屬構 又，上述透光性構件中，其性質方面在成形時黏度非常 小，因此亦侵入至模具與由其夾持之金屬構件之間之一點 點之間隙卜因此’直至作為金屬構件之外部端子而發揮 功能之部位為止，有時藉由透光性構件形成有薄膜。進 而’透光性構件在其性質方面’於不需要之部位作為薄膜 而形成之後，藉由喷射處理等簡便之蝕刻等處理亦無法切 實地去除。 因此，本發明t，尤其於使用上述相對柔軟或成形時之 黏度較小之透光性構件之情形時，預先於金屬構件之平坦 部之另一面侧，較佳為進而於平坦部之外周，配置相對較 硬或成形時之黏度較大之被覆構件。接下來，藉由—體化 之金屬構件與被覆構件其後使透光性構件之成形時之上下 •32· I59836.doc

201230410 模具與該等金屬構件等的抵接面積增加，以上下模具切實 地固定。藉此，於成形時，避免對不需要之部位之透光性 構件之進入，防止向金屬構件之外部端子之薄膜之非所需 之形成等，實現良率之進一步增加，從而可提高製造效 率。 由此，本發明之發光裝置之製造方法中包含如下步驟： (a) 將包含於一面載置有發光元件之元件載置部與配置於 該元件載置部周圍之平坦部的金屬構件配置於模具内，使 被覆上述金屬構件之至少上述平坦部中之另一面側之被覆 構件成形； & (b) 於上述金屬構件之元件載置部搭載發光元件； (c) 將由上述被覆構件被覆之金屬構件配置於第2模具 内’藉由上述第2模具夾持上述被覆構件之上表面及下表 面，從而使被覆上述金屬構件之—部分與上述被覆構件之 上表面及側面的透光性構件成形。 (步驟（a)) 將金屬構件配置於模具内而使被覆構件成形。 如上所述，金屬構件句冬 _ ^ 再仟包3於一面載置有發光元件之元件 載置部、與配置於元件載 杜”八““ 冑置。P周圍之平坦部。又，被覆構 件破覆金屬構件之至少平坦部中之另―面側。 +上所* Jt處所使用之被覆構件適合使用相對較硬之 樹脂，該樹脂於由上-p | 上F模具爽持金屬構件之情形時，即便 該等之抵接面積較小，金属 、’屬構件之固定不充分，於上下模 具與金屬構件之夾持部物六+ P位存在稍許之間隙，亦不會進入至 159836.doc * 33 - 201230410 該間隙。g卩’適合使用形成被覆構件時之被覆構件材料之 黏度大於成形透光性構件時之透光性構件材料之黏度者。 藉此，如上所述，被覆構件不會侵入至模具與由其夾持 之金屬構件間之間㉟，如下述般，於由第2模具炎持金屬 f件之情形時，可使至少一方之模具與金屬構件（嚴格而 巨為金屬構件及被覆構件）之抵接面積增大。其結果為， 可更穩定地進行固定/夾持，藉由使用相對而言黏度較小 或柔軟之樹脂之成形，可切實地防止向金屬構件之不需要 之部位之密封構件之薄膜形成。 (步驟（b)) 發光元件對金屬構件之搭載時，通常使用接合構件。例 如，於為具有藍及綠發光、在藍寶石基板上使氮化物半導 體成長之發光元件之情形時，可使用環氧樹脂、氧化矽 等。又，考慮到來自發光元件之光或熱所致之劣化，亦可 於發光元件背面預先設置A1等金屬層，亦可不使用樹脂而 使用Au-Sn共晶等之焊錫、低炼點金屬等焊料。進而，於 為如包含GaAs等、具有紅色發光之發光元件般於兩面形成 有電極之發光元件之情形時，亦可藉由銀、金、鈀等導電 性膏專而晶粒結著。 於1個金屬構件亦可僅搭載1個發光元件，但亦可搭載2 個以上。 又，發光元件亦可經由支持體（子基板）而載置於金屬構 件。例如，使用陶瓷之支持體形成特定之形狀之後，進行 燒成而形成。於支持體之上表面側設置有與發光元件連接 159836.doc -34- 201230410 之導體配線。導體配線通常藉由例如蒸錢或激鍵法與光微 影步驟，或藉由印刷法等，或藉由電解電鑛等而形成。導 體配線亦可設置於支持體内。導體配線例如由使鎢或翻等 面熔點金屬包含於樹脂點合劑之膏狀之材料形成。藉由網 版印刷等方法’經由將膏狀之材料設置於生胚膜之通孔而 -又為所期望值之形狀，#由燒成而形成陶瓷之支持體及配 置於其表面或内部之導體配線。X，支持體中，亦可將正 負一對導線電極作為導電構件，利用樹脂嵌人成形。亦可 於此種支持體之上表面载置發光元件，與支持體之導體配 線電性連接。於㈣此種支持體之情料，支持體之導體 配線與下述金屬構件電性連接。 發光元件亦可面朝下安裝’於此情形時，較佳為使用上 述支持體即’較佳為將發光元件面朝下安裝於支持體， 以導線將支持體之導體配線與金屬構件連接。 步驟⑻只要於步驟⑷之前進行即可，亦可於步驟⑷之 前進行。 再者’較佳為於步驟（b)之後、步驟⑷之前，任意地藉 由透光性被覆構件被覆發光元件之整個面。 此種透光性被覆構件例如較佳為藉由灌注（p〇uing)等簡 易之方法形成。根據此種方法，如模具成形般，不會對發 光元件負荷透光性被覆構件所引起之非所需之壓力，可切 實地防止導線等之斷線等。x ’藉由適當調整灌注時之樹 脂量可簡便地被覆‘發光元件、其周邊或凹形部内之一部分 或全部。 159836.doc 35· 201230410 (步驟（c)) 將由被覆構件被覆之金屬構件配置於第2模具内，是被 覆金屬構件之-部分與被覆構件之上表面及側面的透=性 構件成形。第2模具中，夾持被覆構件之上表面及下表 面。 再者，於在上述步驟（a)中，露出平坦部之一面而形成被 覆構件之情形時，較佳為在步驟（〇中，藉由第2模具夾持 平坦部之一面及被覆構件之上表面、與被覆構件2下表 面。 、又，於在步驟（a)中，露出元件載置部之底面而形成上述 被覆構件之情形時，較佳為在步驟（c)中，藉由第2模具中 之恰當之夾持而使露出元件載置部之底面之透光性構件成 形。 此處所使用之透光性構件可使用如上所述之相對柔軟之 樹脂、即較被覆構件更柔軟之材料。使冑光性構件成形時 之透光性構件之黏度較佳為小於使被覆構件成形時之被覆 構件之黏度。 藉此，可使被覆發光元件及金屬構件之一部分、與上述 被覆構件之至少一部分的至少包含主體部及凸部之透光性 構件成形。 此種配置於恰當之部位之透光性構件中，避免對不需要 之。卩位之薄膜形成，藉由被覆被覆構件而可防止產生被覆 構件之硬度所引起之裂痕及缺口等。 以下，基於圖式對本發明之發光裝置及其製造方法之實 159836.doc

S •36· 201230410 施例進行詳細說明。 實施形態1 (發光裝置） 該實施形態之發光裝置10如圖1A〜圖10所示為表面安裝 型之發光裝置，主要包含發光元件u、金屬構件12及第2 金屬構件13、覆蓋該等金屬構件12及第2金屬構件13之一 口P刀之包含聚鄰苯一曱酿胺（PPA，p〇iyphthalamide)之被 覆構件15、包含氧化矽樹脂之透光性之透光性構件丨4而形 成。 發光元件11、金屬構件12、第2金屬構件13以被覆構件 15及透光性構件14 一體地密封。 發光元件11中’於藍寶石基板上一次積層包含η型GaN 之 η 型接觸層、包含 InN、AIN、GaN、InGaN、AlGaN、 InGaAIN等氮化物半導體之發光層、包含p型AiGaN或 InGaN之p型包覆層、包含p型GaN之p型接觸層，形成具有 主波長為約470 nm之藍色發光之GaN系半導體》 發光元件11之晶粒結著例如使用銀膏或環氧樹脂來進 行。又’藉由包含直徑30 μηι之金線之導線而將形成於發 光元件11之電極（參照圖1C)與金屬構件12之平坦部連接。 如圖3所示’金屬構件12包含用以搭載發光元件丨丨之凹 形狀之元件載置部12a，於其周邊配置有平坦部12d。凹形 狀之元件載置部12a中，例如其直徑為2.4 mm左右。 以與金屬構件12之元件載置部12a對向之方式配置第2金 屬構件13。 159836.doc •37· 201230410 金屬構件12及第2金屬構件13具有於被覆構件15及/或透 光丨生構件14内或下述凸緣部14b内朝向其底面彎曲6〇。左右 而成之彎曲部12e，進而，包含以丨2〇。左右朝向侧面彎曲 之彎曲部12f。因此，其端部於透光性構件14及被覆構件 15之側面以與發光裝置1〇之底面成為大致同一面之方式突 出’構成為作為外部端子而發揮功能。 該等金屬構件12及第2金屬構件13例如藉由利用按壓之 衝壓加工而形成0.25 mm厚之鍍銀銅板。此處之金屬構件 12之2段彎曲所造成之低差大致為〇 35爪瓜左右。 如圖1D(省略發光元件11)所示，金屬構件丨2之凹形狀之 元件載置部12a内之發光元件11藉由含有螢光物質（例如 YAG:Ce)及擴散劑（例如氧化鈦）之包含氧化矽樹脂之透光 性被覆構件17而嵌入。透光性被覆構件丨7藉由灌注而形 成。 被覆構件15係例如如圖1B、圖1C及圖1D所示，露出金 屬構件12之凹形部12a之底面，被覆凹形部12a之外周（金 屬構件12之平坦部12d之另一面），進而被覆金屬構件12之 平坦部之外周，並且其一部分遍及至金屬構件12之一面側 而形成。又，被覆第2金屬構件13之另一面之一部分，亦 配置於第1金屬構件12與第2金屬構件13之間。再者，於此 情形之被覆構件15之上表面係與第1金屬構件12之平坦部 12d之一面及第2金屬構件13之一部分之一面一致而成為同 一面。 用作被覆構件15之PPA較透光性構件更硬。又，其線熱 -38 - 159836.doc

201230410 膨脹係數例如為數十ρρπ1/Κ左右。 透光性構件14尤其如圖1A及圖2所示，主要包含將該等 一體地嵌入、大致長方體形狀之主體部14c，於該主體部 14c上、配置於發光元件〖丨之上方之透鏡狀之凸部14a、配 置於主體部14b之外周之凸緣部14b。尤其被覆構件15之側 面與上表面係其全部藉由透光性構件14而被覆（參照圖5)。 又’如圖2所示，密封構件14之主體部14c中，寬度W為 5 mm左右，深度為5 mm左右，高度Η為0.6 mm左右。凸部 14a之直徑D為4.7 mm左右，高度T為2.15 mm左右。 發光裝置10之一邊之長度、即密封構件14之主體部i4c 之一邊之長度（寬度W=深度）與凸部之直徑d大致相同。因 此’俯視時，凸緣部14b僅配置於幾乎以主體部14c之外周 之對角線狀對向之4個部位。 用作透光性構件14之氧化矽樹脂較被覆構件15柔軟，其 硬度例如為JIS-A硬度50〜60左右。又，其線熱膨脹係數例 如為200〜300 ppm/K左右。 於凸部14a以外之部位、即凸緣部14b内，金屬構件12之 平坦部12d及第2金屬構件13之一面由透光性構件14被覆， 但此處之被覆調整為最小限度之厚1。例#其膜厚為75 μπι左右。藉由設為此種膜厚，即藉由使凸緣部14之上表 面與金屬構件12之平坦部成為大致同—面而配置或自發光 裝置之底面起之凸緣部14之上表面之高度與金屬構件口之 平坦部12d之上表面之高度大體一致，配置於光之出射範 圍，不會阻擂來自發光元件之光。 159836.doc •39· 201230410 又，因透光性構件14大致被覆被覆構件15之側面及上表 面’故而可有效防止產生被覆構件15之硬度所引起之裂痕 及缺口等。被覆構件15藉由使用線熱膨脹係數較透光性構 件14小之材料而可接近於金屬構件丨2、13之線熱膨脹係 數。因此’可抑制溫度變化時之剝離或裂痕之產生，從而 可為可靠性得以提高之發光裝置。 (發光裝置之製造方法） 首先，藉由周知之方法對金屬板進行衝壓及彎曲加工， 準備包含凹形部12a與平坦部12d之金屬構件12及成為第2 金屬構件13之金屬構件（參照圖4B)。 如圖4A及4B所示，將金屬構件12及成為第2金屬構件13 之金屬構件配置於上下模具26、27内》下模具27與凹形部 (元件載置部12a)之底面抵接，同時與於成為外部端子之側 方向延長之金屬構件之底面抵接。又，上模具26與金屬構 件12及成為第2金屬構件13之金屬構件中之平坦部i2d及凹 形部之上表面抵接。凹形部内成為未注入有下述被覆構件 之膜腔。上模具26於未形成有被覆構件Η之部分與下模具 27抵接。 於固定金屬構件12、13之狀態下，向模具26、27内注入 構成被覆構件1 5之樹脂。此情形之樹脂通常為作為用於半 導體裝置之密封構件而眾所周知相對較硬之ppA樹脂。 其後’使樹脂硬化，自模具中取出。 藉由該被覆構件之密封，可於金屬構件之另一面側使被 覆平坦部與其外周之被覆構件成形。再者，該被覆構件係 •40- 159836.doc

201230410 如圖4B等所示，於遍及至金屬構件之平坦部之外周之區

域，與金屬構件之一面成為大致同一面（參照圖1β及圖4B 之15句，但進而於其外周，亦可形成有階差。被覆構件 中，其底面與凹形部及端子部之另一面（下表面）成為大致 同一。 ’·谨而’於形成於成為金屬構件12之部位之凹形部内藉由 周知之方法搭載發光元件11，進行打線接合，從而進行電 性連接。又，於搭載有保護元件之情形時，與發光元件之 搭載同時或在其前後搭載保護元件，進行打線接合。 進而’將含有螢光物質之透光性被覆構件丨7灌注於凹形 部内，從而被覆發光元件11。 其次’如圖5A及5B所示，將所獲得之金屬構件配置於 第2上下模具36、37内。於膜腔内填充有透光性被覆構件 17。再者’於圖5 A中雖未圖示，但於填充有透光性被覆構 件17之膜腔内搭載有發光元件u。 下模具37與凹形部12d之底面抵接，同時成為外部端 子’與於側方向延長之金屬構件之底面抵接，進而與被覆 構件之底面抵接。又，上模具36與金屬構件12及成為第2 金屬構件13之金屬構件争之平坦部I2d抵接，同時抵接於 之前所密封之被覆構件15之側面及上表面之一部分（參照 圖5B中之M)。在將金屬構件固定之狀態下，向模具内主 入構成透光性構件之樹脂。此情形之樹脂例如為相對較柔 軟之氣化石夕樹脂。 再者’圖5A中於被覆構件15之上表面與上模具％之間設 159836.doc • 41 - 201230410 置一點點之間隙’但較佳為如圖6所示，使被覆構件1 5之 上表面與上模具39完全抵接。於此情形時，藉由將黏度較 低之材料用作透光性構件14之材料，透光性構件14之材料 浸入至上模具39與被覆構件15之間，可形成將被覆構件i 5 之上表面與側面連續而被覆之透光性構件14。進而，較佳 為於下模具與金屬構件12、13及被覆構件15之底面之間， 插入離形膜（脫模膜）38。藉此，可容易地設為於上模具39 與被覆構件15之間形成有透光性構件丨4、於下模具3 7與金 屬構件12、13及被覆構件15之間未形成有透光性構件14之 構造。 離形膜（release film)38係為了容易將模具與樹脂剝離而 使用。作為其材料，使用具有特定之耐熱性、模具與樹脂 之剝離性良好之素材，例如可使用FEp(flu〇rinated ethylene propylene，氟化乙烯丙烯）片膜、ρΕτ (Polyethylene terephthalate，聚對苯二曱酸伸乙酯）片膜 等。 其後，使樹脂硬化，自模具中取出。 藉由該透光性構件之密封，從而可使包含將發光元件 (未圖示）及金屬構件之一部分與被覆構件15之至少一部分 被覆之主體部14C、凸部14a及凸緣部⑽的透光性構件Μ 成形。 最後，切斷金屬構件，辑指_ ‘図，Α π ^ r彳又传如圖ΙΑ〜圖ID所示之發光裝 置10。 如此，藉由由具有彈性之垔畆 坪之柔車人之密封構件被覆較硬之密 -42- 159836.doc

201230410 封構件之外側，例如於發光裝置之搬送時，即便於在袋或 相内發光裝置彼此碰撞之情形及將發光裝置落下之情形 時，柔軟之密封構件吸收衝擊力，而可有效地防止被覆構 件之裂痕及缺口等。 又’可提咼出光效率。 即’為使用it光性構件之發光裝置之情形時，被覆金屬 構件之透光性構件透射來自發光元件之光，因此有時自除 了作為發光裝置之出光面之正面方向以外之方向提取。然 而，即便透光性構件藉由透光性材料而形成，亦藉由透光 性構件之材料、進而形狀等而吸收一些光。 對此，本發明之發光裝置中，密封構件之凸緣部中，將 金屬構件上之透光性構件設為最小限度之膜厚，即使凸緣 部之上表面接近於金屬構件之平坦部及被覆構件而設置， 藉此將凸緣部配置於來自發光元件之光之照射範圍外。因 此’該光不會透射凸緣部而提取。其結果為，可將來自發 光元件之光之提取於凸部聚光，從而可大幅提高發光裝置 之出光效率。 又’凸部之大小及凸緣部中之金屬構件之平坦部之被覆 膜厚不同之2種發光裝置中’模擬出光效率。其結果為可 確認：使凸部之直徑變大，凸緣部中之平坦部之被覆膜厚 變小，藉此提高出光效率。 具體而言，將發光裝置之一邊之長度（密封構件之主體 部之一邊之長度）設為5 mm左右、將透鏡狀之凸部之直徑 設為5 mm左右、將凸緣部之高度設為〇.5 mm左右、將凸 159836.doc •43- 201230410 緣部中之平坦部之被覆膜厚設為75 μιη左右之第1發光裝置 之出光效率為95.2%。 將發光裝置之一邊之長度同樣地設為5 mm左右、將透 鏡狀之凸部之直徑設為3.5 mm左右、將凸緣部之高度設為 0.85 mm左右、將凸緣部中之平坦部之被覆膜厚設為〇35 mm左右之第2發光裝置之出光效率為881%。 如此，可確認出光效率係第丨發光裝置相對於第2發光裝 置提高約8%。 進而，可提高透光性構件與金屬構件之密接性。即，如 上所述，若使凸緣部接近於平坦部及被覆構件而設置，凸 緣部之厚度變薄，因此有時會導致透光性構件與金屬構件 及被覆構件之密接性、凸緣部之強度之降低。尤其透光性 構件之材料與被覆構件之材料相比彈性較大，存在藉由溫 度上升、外力等而容易變形之傾’因此難以獲得充分之密 接性及強度。若金屬構件與透光性構件之密接性不充分， 則金屬構件與透光性構件間之間隙成為水分或離子性雜質 等之進入路徑，有時會損壞發光裝置之可靠性。 對此’本發明之發光裝置中，在被覆構件内或透光性構 件内（尤其於凸緣部附近），藉由使金屬構件彎曲而可使該 等密封構件與金屬構件之接著面積增大。X，可強化金屬 構件之管曲所致之固定化，從而可提高金屬構件與密封構 件之密接性。進而，亦可提高凸緣部之強度，從而可提高 f光裝置之可靠性。此外，维持凸緣部之強度之狀態下可 目對較薄地形成，因此可縮小發光裝置之高度。 159836.doc 201230410 先刖，伴隨發光裝置之小型化及薄型化，於其製造方法 中’由上下模具夾持金屬構件，進行向其膜腔内注入密封 構件之模具成形時，由上下模具央持之金屬構件之面積急 遽地縮小，因此容易產生金屬構件之上下模具内之浮動。 因此’難以切實地以上下模具固定金屬構件。&，上述透 2性構件由於在其性質方㈣成形時黏度非常小，故而亦 钕入至模具與由其夾持之金屬構件間之一點點之間隙。因 此，直至作為金屬構件之外部端子而發揮功能之部位為 止有時會形成透光性構件所致之非所期望之薄膜。進 而’透光性構件在其性質方面，於不需要之部位作為薄膜 而形成之後，即便藉由喷射處理等簡便之敍刻等處理亦無 法切實地去除。 另外之方面，上述本實施形態中，由相對而言硬度較低 (成形時黏度相對較低）之透光性構件成形之前，以相對而 3硬度較局（成形時黏度相對較高）之被覆構件被覆完全不 影響光之提取之金屬構件之另一面側之特定部位。其後， 即便為了由透光性構件成形而由上下模具夹持金屬構件， 可與所成形之被覆構件之一部分一併由上下模具爽持，因 此能夠以充分之力利用上下模具央持金屬構件（及被覆構 件）。因此，即便使用黏度較低、相對而言硬度較低、柔 軟之樹脂來使透光性構件成形，亦可防止 部位之進入，從而可防止對不需要之金屬構件之部 膜形成。藉此，可防止良率下降，從而可提高製造效率。 實施形態2 159836.doc -45- 201230410 如圖7所示，於包含銅板之金屬構件12及第2金屬構件13 之整個面以厚度0.005 μιη實施鍍金，其後，於凹形部 12a(直徑3.0 mm左右）之内面整個面及遍及平坦部之凹形部 12a之外周（寬度〇·2 mm左右）以厚度3 μιη施加鍍銀膜28。 凹形部12a内之鍍銀膜28藉由透光性被覆構件17而被覆， 形成於其外周之鍵銀膜28自透光性被覆構件17露出，並與 透光性構件14接觸。 藉此，由於打線接合部分為與銀相比與導線之密接性更 良好之鍍金’故而可提高導線與金屬構件之密接性。進 而，由於與金相比之銀之對樹脂之良好的密接性，可進一 步提高透光性構件1 4與金屬構件之密接性。 於該實施形態中亦具有與實施形態1相同之效果。 實施形態3 如圖8A及圖8B所示，除了透光性構件24與被覆構件25 之形狀不同以外，係與實施形態2大致相同之構成的發光 裝置，可藉由相同之製造方法來製造。 透光性構件24以沿著被覆構件25之外周中之階差之形狀 成形’並且於被覆構件25之側面形成有突出部25b(參照圖 8C)。 藉由設置該突出部25b，可藉由金屬構件12、13固定突 出部25b ’使透光性構件24成形時，可更穩定地固定金屬 構件12、1 3及被覆構件2 5。藉此，可進一步抑制透光性構 件24向金屬構件12、13背面繞進去。 該實施形態中，具有與實施形態1及2相同之效果。 -46 - 159836.doc

201230410 實施形態4 如圖9所示’除了於金屬構件12之平坦部12d形成有用以 實現與被覆構件15之密接性之孔12b及槽口 12c以外，係與 實施形態1大致相同之構成之發光裝置，可藉由相同之製 造方法進行製造。 該實施形態中’亦具有與實施形態1相同之效果。 實施形態5 如圖10所示’除了不將元件載置部22a設為凹形狀而於 與平坦部22d連續之平坦部載置發光元件、經由與包含陶 瓷之支持體29而在之發光元件η、及在除了相當於搭載有 支持體29之區域（元件載置部22a)之區域以外之區域（相當 於平坦部22d之區域）之金屬構件22之另一面側配置有被覆 構件35以外’實質上為與實施形態1相同之構成。透光性 構件14之凸緣部14b之上表面配置於較支持體29之上表面 更低之位置。 藉由如此設置支持體29 ’將凸緣部14b配置於自發光元 件出射之光之照射範圍外。 該構成之發光裝置中，半值角稍微增大，但可獲得良好 之發光效率。 又，亦可使平坦部之一部分向凸部内突出，將元件載置 邓配置於較凸緣部更咼之位置。於此情形時，可省略支持 體。 该實施形態之發光裝置實質上亦可與實施形態丨同樣地 進行製造。 159836.doc -47- 201230410 該實施形態中，亦具有與實施形態1相同之效果。 [產業上之可利用性] 本發明可用於照明用光源、各種指示用光源、車載用光 源、顯示器用光源、液晶之背光用光源、信號機、車載零 件、招牌用發光字等各種光源》 【圖式簡單說明】 圖1A係表示本發明之發光裝置之一實施形態尤其透光性 構件14之外形之立體圖。 圖1B係表示圖1A之發光裝置中去除透光性構件之形態 之立體圖。 圖1C係圖1B之發光裝置（包含透光性構件14)之俯視圖。 圖1D係圖1C之發光裝置之E-E'線剖面圖。 圖2係用以對圖ic之發光裝置之透光性構件之形狀進行 說明之F-F'線剖面圖。 圖3係表示圖ία之發光裝置中之金屬構件12之俯視圖。 圖4A係用以對本發明之發光裝置之被覆構件丨5之成形進 行說明之一製造步驟概略剖面圖（相當於圖4B之Α_Αι線剖 面）。 圖4B係用以對本發明之發光裝置之被覆構件15之成形進 行說明之一製造步驟概略俯視圖。 圖5 A係用以對本發明之發光裝置之透光性構件丨4之成形 進行說明之一製造步驟概略剖面圖（相當於圖58之八_八，線 剖面）。 圖5B係用以對本發明之發光裝置之透光性構件丨4之成形 159836.doc •48· 201230410 進行說明之一製造步驟概略俯視圖。 圖6係用以對本發明之發光裝置之透光性構件14之成形 進行說明之另外之一製造步驟概略剖面圖（相當於圖化之 A-A’線剖面）。 圖7係表示本發明之發光裝置之另外之實施形態之要部 之概略剖面圖（相當於圖1C之E-E·線剖面）。 圖8 A係表示本發明之發光裝置之進而另外之透光性構件 24之外形之立體圖。 圖8B係表示圖8A之發光裝置中去除透光性構件之形態 之立體圖。 圖8C係用以對本發明之發光裝置之進而另外之被覆構件 25之成形.進行說明之一製造步驟概略俯視圖。 圖9係表示發光裝置中之另外之金屬構件12及13之俯視 圖。 圖10係表示本發明之發光裝置進而另外之實施形態之要 部之概略剖面圖（相當於圖1C之E-E，線剖面）。 圖11係表示先前之發光裝置之概略剖面圖。 圖12係表示先前之另外之發光裝置之概略剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 發光裝置 11 發光元件 12 金屬構件 12a 元件載置部 12b 貫通孔 159836.doc 201230410 12c 槽口部 12d 平坦部 12e 彎曲部 12f 彎曲部 13 第2金屬構件 14 透光性構件 14a 凸部 14b 凸緣咅P 14c 主體部 15 被覆構件 16 保護元件 17 透光性被覆構件 22 金屬構件 22a 元件載置部 22d 平坦部 24 透光性構件 25 被覆構件 25b 突出部 26 上下模具 27 上下模具 28 鍍銀膜 29 支持體 35 被覆構件 36 第2上下模具 -50- 159836.doc s 201230410 37 38 第2上下模具 離形膜 159836.doc 51-

Claims (1)

1. 201230410 七、申請專利範圍·· l 一種發光裝置，其特徵在於包括： 發光元件； 金屬構件’其包含載置有該發光元件之—面、及與該 一面為相反面之另一面；及 透光丨生構件’其將上述發光元件與金屬構件之一部分 密封；且 上述金屬構件包含載置有上述發光元件之元件載置 部、與配置於該元件載置部周圍之平坦部， 於上述平坦部之另一面側配置有被覆構件， 該被覆構件之上表面及側面係由上述透光性構件被 覆。 2.如請求項im置，其中上述透光性構件較上述被 覆構件柔軟。 3·如請求項1之發光裝置，其中上述被覆構件使上述平坦 部之上述一面露出。 4. 如請求項1之發光裝置，其中上述被覆構件被覆上述平 坦部之另一面與平坦部之外周，上述被覆構件之上表面 與上述平坦部之一面大體一致，且上述被覆構件之上表 面及上述平坦部之上表面係由上述透光性構件被覆。 5. 如請求項丨之發光裝置，其中上述透光性構件包含凸 部、與配置於上述凸部周圍之凸緣部，該凸緣部係配置 於自上述發光元件出射之光之照射範圍外。 6. 如請求項1之發光裝置，其中上述金屬構件之平坦部之 159836.doc 201230410 一部分係配置於上述凸緣部内。 7. 如請求項1之發光裝置，其中上述金屬構件包含自上述 平坦。卩連續而於發光裝置之底面側彎曲之第1彎曲部、 與進而於上述發光裝置之側面側彎曲的第2彎曲部，自 上述金屬構件之上述第丨彎曲部起至上述第2彎曲部係由 上述被覆構件被覆。 8. 如請求項5之發光裝置，其中上述平坦部及上述被覆構 件之上表面中之上述凸緣部之厚度小於上述被覆構件之 側面中之上述透光性構件的厚度。 9. 如請求項丨之發光裝置，其中上述平坦部及上述被覆構 件之上表面中之上述透光性構件之厚度為5〇〜ι〇〇 1〇_如請求項丨之發光裝置，其中上述被覆構件進而被覆上 述平坦部之外周。 Π·如請求項1之發光裝置，其中上述被覆構件係露出上述 金屬構件之元件載置部之底面而配置於該元件載置部之 外周》 口 12. 如請求項丨之發光裝置，其中上述金屬構件之元件載置 部係相對於平坦部於發光裝置之底面側彎曲而成形為凹 形部。 13. 如請求項12之發光裝置，其中以包圍上述凹形部之方式 填充上述被覆構件，該被覆構件之下表 " 〈円度與上述 凹形部之下表面之高度大體一致。 14. 一種發光裝置之製造方法，其特徵在於包含如下步驟· ⑷將包含於一面載置有發光元件之元件载置部^配置 159836.doc

   201230410 於該元件載置部周®之平坦部的金屬構件配置於模具 内，使被覆上述金屬構件之至少上述平坦部中之另一面 側的被覆構件成形； (b)於上述金屬構件之元件載置部搭載發光元件； (C)將由上述被覆構件被覆之金屬構件配置於第2模具 内，藉由上述第2模具夾持上述被覆構件之上表面及下 表面，從而使被覆上述金屬構件之一部分與上述被覆構 件之上表面及側面之透光性構件成形。 15. 如請求項14之發光裝置之製造方法，其中於上述步驟（幻 中，露出上述平坦部之一面而形成上述被覆構件； 於上述步驟（c)中，藉由上述第2模具夾持上述平坦部 之一面及上述被覆構件之上表面與上述被覆構件之下表 面。 16. 如靖求項Μ之發光裝置之製造方法，其中於上述步驟（a) 中，露出上述元件載置部之底面而形成上述被覆構件； 於上述步驟（c)中，使露出上述元件载置部之底面之上 述透光性構件成形。 17. 如請求項15之發光裝置之製造方法，其中形成上述被覆 構件時之被覆構件材料之黏度大於形成上述透光性構件 時之透光性構件材料的黏度。 159836.doc