TW201340405A - 發光二極體 - Google Patents

發光二極體 Download PDF

Info

Publication number
TW201340405A
TW201340405A TW101111425A TW101111425A TW201340405A TW 201340405 A TW201340405 A TW 201340405A TW 101111425 A TW101111425 A TW 101111425A TW 101111425 A TW101111425 A TW 101111425A TW 201340405 A TW201340405 A TW 201340405A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
emitting diode
type semiconductor
light
semiconductor layer
Prior art date
Application number
TW101111425A
Other languages
English (en)
Inventor
Shih-Pu Yang
Jui-Yi Chu
Original Assignee
Lextar Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lextar Electronics Corp filed Critical Lextar Electronics Corp
Priority to TW101111425A priority Critical patent/TW201340405A/zh
Priority to CN2012102804450A priority patent/CN103367578A/zh
Priority to US13/572,209 priority patent/US8710530B2/en
Publication of TW201340405A publication Critical patent/TW201340405A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

本發明提出一種發光二極體，此發光二極體包括：一金屬反射層、一載板、一分散布拉格反射層、一緩衝層以及一發光二極體磊晶結構。上述載板位於金屬反射層之下。上述分散布拉格反射層位在該金屬反射層上。上述緩衝層位於分散布拉格反射層之上。上述發光二極體磊晶結構位於緩衝層之上。

Description

發光二極體
本發明是有關於一種發光二極體的技術，且特別是有關於一種用以改善發光二極體製造的良率的製造程序以及用此製造程序所產生不同結構的發光二極體。
由於人類生活文明的進步，照明裝置已成為日常生活中不可或缺的用品。在早先，照明裝置一般是白熾燈泡(鎢絲燈泡)，因此，以往若要對照明裝置進行調光，只需要額外在插頭與燈具之間設置一可變電阻旋扭，藉由調整可變電阻即可進行調光。然而，白熾燈泡具有發熱、壽命短、發光效率低、以及功率消耗大的缺點，目前幾乎已經全然淘汰。
發光二極體(Light Emitting Diode,簡稱LED)主要由P型與N型的半導體材料組成，它能產生在紫外線、可見光以及紅外線區域內的自幅射光。一般可見光的發光二極體大部份應用在電子儀器設備的指示器或是照明，而紅外線的發光二極體則應用於光纖通訊方面。
由於LED(發光二極體)具有發光效率高、使用壽命長、不易損壞、耗電量少、環保及體積小等優點，近來在環保與節能省碳的趨勢下，LED的應用愈來愈廣泛，例如交通號誌、路燈、手電筒、液晶顯示的背光模組或是譬如LED燈泡之各式照明裝置等。發光二極體(Light Emitting Diode)是一種固態發光元件(solid state luminous element)，由P型與N型的半導體材料組成，它能產生在紫外線、可見光以及紅外線區域內的自輻射光。
分散式布拉格層(Distributed Bragg Reflector；DBR)常用於Nitride base LED的結構中，用來提高發光二極體的出光效率。氮化鎵(GaN)與氮化鎵鋁(AlGaN)因為具有很大的折射率差異，因此很常見用於製作氮化鎵元件的分散式布拉格反射層。不過，這兩種材料的結合也會帶來很大的晶格不匹配與熱膨脹係數等差異，如此一來很容易會導致磊晶層產生裂痕或缺陷。
利用磊晶製作DBR所產生的應力問題會影響整體LED的晶格品質，造成結構缺陷。特別的是，成長DBR結構會伴隨較大的拉伸應力(tensile strain)，因此常會使後續的磊晶層無法有效釋放應力，而形成裂痕。另外，在矽基板成長LED結構一直有晶圓應力(wafer strain)的問題存在，使得裂痕產生，因此要利用磊晶的方式來成長DBR結構，晶圓勢必要承受更大的拉伸應變，容易形成裂痕。
本發明的目的是提供一種發光二極體的結構，在製作DBR之前加入氮化鎵銦鋁(AlInGaN)作為應力釋放層，以避免製作DBR時產生薄膜裂痕(film crack)。另外，本發明調整磊晶製程的順序，最後才成長DBR，可以在不影響其他磊晶層的情況下，調變DBR的成長條件以提升DBR的磊晶品質。
為了達成本發明的上述目的及其他目的，本發明提出一種發光二極體。此發光二極體包括：一金屬反射層、一載板、一分散布拉格反射層、一緩衝層以及一發光二極體磊晶結構。上述載板位於金屬反射層之下。上述分散布拉格反射層位在該金屬反射層上。上述緩衝層位於分散布拉格反射層之上。上述發光二極體磊晶結構位於緩衝層之上。
依照本發明較佳實施例所述之發光二極體，此發光二極體更包括一接合層，位在載板與金屬反射層之間。又，進一步的實施例中，此接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質所形成之黏合材料。另外，此分散布拉格反射層係直接形成在金屬反射層與緩衝層之間。進一步的實施例中，分散布拉格反射層係由氮化鋁與氮化鎵以堆疊方式形成。另外，上述發光二極體磊晶結構包括一第一型半導體層、一主動層、一第二型半導體層、一第一電極以及、一第二電極。第一型半導體層位於緩衝層之上。主動層位於第一型半導體層之上。第二型半導體層位於主動層之上。第一電極位於第一型半導體層之上。第二電極位於第二型半導體層之上。
依照本發明較佳實施例所述之發光二極體，上述第一型半導體層為N型半導體層而第二型半導體層為P型半導體層。另一實施例中，第一型半導體層為P型半導體層而第二型半導體層為N型半導體層。又，進一步實施例中，上述緩衝層的晶格常數介於氮化鎵(GaN)的晶格常數與氮化鋁(AlN)的晶格常數之間。在更進一步實施例中，上述緩衝層的材質包括氮化鎵銦鋁(AlInGaN)。
依照本發明較佳實施例所述之發光二極體，上述金屬反射層的材料係選自由In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成之一族群。
本發明的發光二極體係以使用載板承載，其磊晶結構的底層具有分散布拉格反射層與金屬反射層，可以增加發光二極體的出光效率。分散布拉格反射層係形成在發光二極體磊晶結構的頂部，所以沒有應力堆疊與累積的問題，可以降低薄膜裂痕的問題。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
在下文中，將藉由圖式說明本發明之實施例來詳細描述本發明，而圖式中的相同參考數字可用以表示類似的元件。
圖1繪示為本發明實施例所述之發光二極體的結構示意圖。請參考圖1，發光二極體的結構包括載板(bonding substrate)101、金屬反射層(metal mirror)102、分散式布拉格反射層(Distributed Bragg Reflector；DBR)103、緩衝層104以及發光二極體磊晶結構110。上述載板101位於金屬反射層102之下。上述分散布拉格反射層103位在金屬反射層102上。上述緩衝層104位於分散式布拉格反射層103之上。上述發光二極體磊晶結構110位於緩衝層104之上。
特別的是，此實施例中，用來磊晶成長發光二極體磊晶結構110的基板可以被去除，上述基板例如是矽基板(Si substrate)、藍寶石基板(Sapphire Substrate)或碳化矽基板(SiC substrate))。發光二極體磊晶結構110會被倒置並且直接黏貼在載板(bounding substrate)101上。換言之，最終成品的發光二極體元件主要是由發光二極體磊晶結構110與載板101構成，而不具有原先用來成長發光二極體磊晶結構110的基板。這是因為倒置後的發光二極體磊晶結構110，其發光面是原先基板的底面，所以底部基板需要經由研磨或蝕刻去除大部份的厚度，以增加發光效率。
分散式布拉格反射層103是形成在緩衝層104與金屬反射層102之間，而非直接形成於藍寶石基板或矽基板上。值得住意的是，上述緩衝層104是位於發光二極體磊晶結構110與分散式布拉格反射層103之間，而非如傳統技術中直接形成在藍寶石基板與矽基板上。也就是說，本實施例中的分散式布拉格反射層103的製程是在形成發光二極體磊晶結構110後進行，所以分散式布拉格反射層103係位於發光二極體磊晶結構110與金屬反射層102之間。
值得注意的是，上述載板101例如是IC載板，其材質例如是印刷電路板(printed circuit board,簡稱PCB)或陶瓷或塑料或玻璃纖維，本實施例不受限制。上述金屬反射層102的材料可以由In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成。載板101與金屬反射層102之間具有一結合層(未繪示)以粘合載板101與金屬反射層102。上述接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質所形成之黏合材料，但本實施例不限制於此。
上述分散式布拉格反射層103係由氮化鋁(AlN)與氮化鎵(GaN)以交互堆疊結構形成，例如一層氮化鋁，一層氮化鎵依序形成DBR磊晶結構。氮化鋁與氮化鎵形成的方式可利用金屬有機化學氣相沉積系統(MOCVD)。特別說明的是，本實施例不限制分散式布拉格反射層103的磊晶結構、氮化鋁與氮化鎵的堆疊層數、各層厚度以及其形成方式。
上述緩衝層104的晶格常數介於氮化鎵(GaN)的晶格常數與氮化鋁(AlN)的晶格常數之間，例如是氮化鎵銦鋁(AlInGaN)，但本實施例不受限制。緩衝層104係作為應力釋放層，可以降低在發光二極體磊晶結構110上成長分散式布拉格反射層103所造成的應力問題，藉此降低發生裂痕的機會。
上述發光二極體磊晶結構110包括第一型半導體層105、主動層106與第二型半導體層107。在本實施例中，第一型半導體層105為P型半導體層，例如為鎂摻雜之磷化鋁鎵銦材料或鎂摻雜之氮化鎵材料(pGaN)；第二型半導體層107為N型半導體層，例如為矽摻雜之磷化鋁鎵銦材料或矽摻雜之氮化鎵材料(nGaN)；主動層106可為多重量子井(Multiquantum Well,MQW)結構，例如為氮化銦鎵/氮化鎵(In0.3Ga0.7N/GaN)量子井結構。值得注意的是，在本發明另一實施例中，第一型半導體層105可以是N型半導體層，第二型半導體層107可以是P型半導體層。
發光二極體磊晶結構110可以利用有機金屬化學氣相沉積法(metal organic chemical-vapor deposition,MOCVD)、液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy,LPE)或分子束磊晶法(Molecular Beam epitaxy,MBE)來形成，本實施例不受限制。
另外，值得一提的是，第一型半導體層105與第二型半導體層107上可以形成導電電極(conductive electrode)(未繪示)，其材質例如為Ni/Au(鈦/金)或Ti/Al/Pt/Au(鈦/鉑/金)，但本實施例不限制於此。導電電極可利用蒸鍍方式形成的低電阻介面，可做為金屬與半導體之間的雙向溝通，形成歐姆接觸(ohmic contact)。
接下來，以製程方式說明上述發光二極體的結構形成方式，請參照圖2A~2H，圖2A~2H為根據本發明實施例的發光二極體的製程示意圖。本實施例的發光二極體的製程至少包括下列步驟：
步驟一：請參照圖2A，在基板(例如藍寶石基板、矽基板或是碳化矽基板)201上形成發光二極體磊晶結構110(至少包括第一型半導體層105、主動層106與第二型半導體層107)。值得注意的是，磊晶的較佳順序是nGaN→MQW→pGaN，但本實施例不受限制。
步驟二：請參照圖2B，在發光二極體磊晶結構110上形成緩衝層104，其材質例如為氮化鎵銦鋁(AlInGaN)，緩衝層104可以釋放因成長DBR結構所造成的應力，避免產生薄膜裂痕(film crack)。
步驟三：請參照圖2C，在形成緩衝層104後，以磊晶方式製作分散式布拉格反射層103於緩衝層104上，並且藉由緩衝層104，降低成長分散式布拉格反射層103所產生的應力。由於分散式布拉格反射層103是形成在發光二極體磊晶結構110的頂部，因此沒有應力堆疊與累積的問題，可以降低成長分散式布拉格反射層103的難度與產生薄膜裂痕的問題。
步驟四：請參照圖2D，在分散式布拉格反射層103上形成金屬反射層102，其金屬反射層102可以利用濺鍍方式(sputter)製作。
步驟五：請參照圖2E，倒置已形成的發光二極體結構(晶片)，並且利用結合材料將金屬反射層102粘貼於載板202上，其接合材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質所形成之黏合材料。換言之，金屬反射層102與載板202之間會形成一層接合層。
步驟五：請參照圖2F，以雷射剝離技術(Laser lift off，LLO)或研磨方式移除基板201。
步驟六：請參照圖2G，以乾蝕刻(dry etching)的方式在磊晶表面上蝕刻出粗糙表面(rough surface)。
步驟七：請參照圖2H，在發光二極體磊晶結構110形成後，可以經由微影、蝕刻等製程定義發光二極體磊晶結構110的結構，以形成發光二極體結構平台(Mesa)，並且在第一半導體層105與第二半導體層107上分別形成導電電極203、204以作為發光二極體的正、負電極使用。
值得注意的是，發光二極體的製程尚包括微影、蝕刻、清洗、切割等細部製程，本技術領域具有通常知識者經由本實施例的揭露應可輕易推知，在此不加贅述。
較為特別的是，由於本實施例的製程會將晶片『倒置』，所以發光二極體磊晶結構110由靠近分散式布拉格反射層103的一側至出光面的排列順序(nGaN→MQW→pGaN)與其磊晶成長順序(pGaN→MQW→nGaN)是相反的。分散式布拉格反射層103的製程位於發光二極體磊晶結構110之後，且在形成分散式布拉格反射層103之前，會在發光二極體磊晶結構110之上形成緩衝層104，因此可以降低裂痕的產生。另外，由於分散式布拉格反射層103是最後一層磊晶結構，所以可以在不影響其他磊晶層的情況下，調變分散式布拉格反射層103的成長條件，來提升分散式布拉格反射層103的磊晶品質。
另外，相較於以濺鍍(Sputter)製作分散布拉格反射層(DBR)(例如SiO2/TiO2)結構，利用磊晶成長分散布拉格反射層(DBR)(例如AlN/GaN)，其材料的串聯阻值遠小於介電材料，所以有助於垂直式元件上的應用
綜上所述，本發明的發光二極體具有分散布拉格反射層與金屬反射層，可以有效增加發光二極體的出光效率，且在發光二極體磊晶結構頂部形成緩衝層與分散式布拉格反射層的製程方式可以有效降低分散式布拉格反射層所產生的應力問題，避免產生薄膜裂痕。
雖然本發明之較佳實施例已揭露如上，然本發明並不受限於上述實施例，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明所揭露之範圍內，當可作些許之更動與調整，因此本發明之保護範圍應當以後附之申請專利範圍所界定者為準。
101．．．載板
102．．．金屬反射層
103．．．分散布拉格反射層
104．．．緩衝層
105．．．第一半導體層
106．．．主動層
107．．．第二半導體層
110．．．發光二極體磊晶結構
201．．．基板
202．．．載板
203、204．．．導電電極
圖1繪示為本發明實施例所述之發光二極體的結構示意圖。
圖2A~2H為根據本發明實施例的發光二極體的製程示意圖。
102．．．金屬反射層
103．．．分散布拉格反射層
104．．．緩衝層
105．．．第一半導體層
106．．．主動層
107．．．第二半導體層
110．．．發光二極體磊晶結構
202．．．載板
203、204．．．導電電極

Claims (10)

  1. 一種發光二極體，包括：一金屬反射層；一載板，位於該金屬反射層之下；一分散式布拉格反射層，位在該金屬反射層上；一緩衝層，位於該分散式布拉格反射層之上；以及一發光二極體磊晶結構，位於該緩衝層之上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，更包括：一接合層，位在該載板與該金屬反射層之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中該接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質所形成之黏合材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中該分散式布拉格反射層係直接形成在該金屬反射層與該緩衝層之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中該分散式布拉格反射層係由氮化鋁與氮化鎵以堆疊方式形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中該發光二極體磊晶結構包括：一第一型半導體層，位於該緩衝層之上；一主動層，位於該第一型半導體層之上；一第二型半導體層，位於該主動層之上；一第一電極，位於該第一型半導體層之上；以及一第二電極，位於該第二型半導體層之上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體，其中該第一型半導體層為N型半導體層而該第二型半導體層為P型半導體層，或該第一型半導體層為P型半導體層而該第二型半導體層為N型半導體層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中該緩衝層的晶格常數介於氮化鎵(GaN)的晶格常數與氮化鋁(AlN)的晶格常數之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中該緩衝層的材質包括氮化鎵銦鋁(AlInGaN)。
  10. 如申請專利範圍第1~9項其中任一項所述的發光二極體，其中該金屬反射層的材料係選自由In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成之一族群。
TW101111425A 2012-03-30 2012-03-30 發光二極體 TW201340405A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101111425A TW201340405A (zh) 2012-03-30 2012-03-30 發光二極體
CN2012102804450A CN103367578A (zh) 2012-03-30 2012-08-08 发光二极管
US13/572,209 US8710530B2 (en) 2012-03-30 2012-08-10 Light emitted diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101111425A TW201340405A (zh) 2012-03-30 2012-03-30 發光二極體

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201340405A true TW201340405A (zh) 2013-10-01

Family

ID=49233707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101111425A TW201340405A (zh) 2012-03-30 2012-03-30 發光二極體

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8710530B2 (zh)
CN (1) CN103367578A (zh)
TW (1) TW201340405A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666409A (zh) * 2018-05-10 2018-10-16 东南大学 一种提高超导纳米线吸收效率的结构
TWI685162B (zh) * 2019-05-30 2020-02-11 宏捷科技股份有限公司 面射型雷射的製造方法
TWI790928B (zh) * 2019-05-24 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9224911B2 (en) * 2012-09-12 2015-12-29 High Power Opto. Inc. Method for separating light-emitting diode from a substrate
TWI610416B (zh) * 2013-02-15 2018-01-01 首爾偉傲世有限公司 抗靜電放電的ｌｅｄ晶片以及包含該ｌｅｄ晶片的ｌｅｄ封裝
CN103633212A (zh) * 2013-10-30 2014-03-12 南京大学 一种硅基金属微腔电致发光器件及制备方法
CN103682006A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 杭州士兰明芯科技有限公司 Led结构及其制造方法
TWI533467B (zh) * 2014-05-13 2016-05-11 國立中山大學 發光元件之磊晶結構
CN105336830A (zh) * 2015-11-30 2016-02-17 武汉优炜星科技有限公司 一种双面发光深紫外二极管外延片、芯片的制备方法
KR20170108321A (ko) * 2016-03-17 2017-09-27 주식회사 루멘스 발광 다이오드
US10818807B2 (en) * 2019-01-21 2020-10-27 Globalfoundries Inc. Semiconductor detectors integrated with Bragg reflectors
TWI829922B (zh) * 2019-05-16 2024-01-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件
US11374146B2 (en) 2019-05-16 2022-06-28 Epistar Corporation Semiconductor device
CN114709310B (zh) * 2022-03-21 2026-03-20 江西兆驰半导体有限公司 一种银反射镜、银反射镜制备方法及led芯片

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7286584B2 (en) * 2004-04-30 2007-10-23 Finisar Corporation Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
US7825006B2 (en) * 2004-05-06 2010-11-02 Cree, Inc. Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates and devices fabricated using the method
US7332365B2 (en) * 2004-05-18 2008-02-19 Cree, Inc. Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method
US7244630B2 (en) * 2005-04-05 2007-07-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc A1InGaP LED having reduced temperature dependence
US8017963B2 (en) * 2008-12-08 2011-09-13 Cree, Inc. Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration
KR101028314B1 (ko) * 2010-01-29 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666409A (zh) * 2018-05-10 2018-10-16 东南大学 一种提高超导纳米线吸收效率的结构
TWI790928B (zh) * 2019-05-24 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件
TWI685162B (zh) * 2019-05-30 2020-02-11 宏捷科技股份有限公司 面射型雷射的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8710530B2 (en) 2014-04-29
CN103367578A (zh) 2013-10-23
US20130256722A1 (en) 2013-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201340405A (zh) 發光二極體
CN107112394B (zh) 发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列
CN105280761B (zh) 半导体发光器件及其制造方法
JP5415756B2 (ja) 開いたピット中に延びる能動層を有する発光デバイス及びその製造方法
KR101125025B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US20130112944A1 (en) Nanorod light emitting device and method of manufacturing the same
KR20050038581A (ko) 수직 구조를 갖는 다이오드 및 이의 제조방법
WO2007105882A1 (en) Light emitting diode having algan buffer layer and method of fabricating the same
US20150311400A1 (en) Light-emitting device
JP2010219310A (ja) 光デバイスおよび光デバイス構造
KR20160053329A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR101123010B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN114975722A (zh) 发光元件、包含其的发光组件、显示装置及其制造方法
US20070269913A1 (en) Method of fabricating light emitting diode
KR102070092B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101832314B1 (ko) 발광소자
WO2026067855A1 (zh) 发光二极管和发光装置
CN113659052B (zh) 一种发光二极管、发光模块及显示装置
US8852974B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
CN107026222B (zh) 发光元件及其制造方法
KR102715924B1 (ko) 반도체 소자
KR20210023423A (ko) 발광소자 및 이의 제조방법
TWI642204B (zh) 發光二極體元件
KR102050053B1 (ko) 발광소자
KR102053415B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지