TWI511459B - 可防止漏電之閘極驅動電路 - Google Patents

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Description

可防止漏電之閘極驅動電路
本發明係相關於一種閘極驅動電路，尤指一種可減少漏電流之閘極驅動電路。
一般而言，液晶顯示裝置包含有複數個畫素單元、閘極驅動電路以及源極驅動電路。源極驅動電路係用以提供複數個資料訊號。閘極驅動電路包含複數級移位暫存器，用來提供複數個閘極驅動訊號以控制複數個資料訊號寫入至複數個畫素單元。
請同時參考第1圖及第2圖，第1圖為習知閘極驅動電路100的示意圖，第2圖為第1圖閘極驅動電路100之第N級移位暫存器120的示意圖。如圖所示，閘極驅動電路100包含複數級移位暫存器，為方便說明，閘極驅動電路只顯示第(N-1)級移位暫存器110、第N級移位暫存器120及第(N+1)級移位暫存器130。第N級移位暫存器120係用以於輸出線OL(n)產生輸出訊號ST(n)，及於閘極線SL(n)產生閘極訊號G(n)。閘極訊號G(n)經由閘極線SL(n)傳送至畫素陣列以開啟對應之畫素單元。另外，輸出訊號ST(n)及閘極訊號G(n)會傳送至第(N+1)級移位暫存器130，以致能第(N+1)級移位暫存器130。
第N級移位暫存器120包含上拉單元121、儲能單元122、啟動單元123、第一下拉單元124A、第二下拉單元124B、第一放電單元125A、第二放電單元125B、第一控制單元126A，以及第二控制單元126B。儲能單元122係用來根據啟動單元123所接收之閘極訊號G(n-1)執行充電程序，進而產生驅動電壓Q(n)。上拉單元121即根據驅動電壓Q(n)及高頻時脈訊號HCK以上拉閘極線SL(n)之閘極訊號G(n)。第一控制單元126A用以根據驅動電壓Q(n)及第一低頻時脈訊號LCK1產生第一控制訊號P(n)。第一放電單元125A即用來根據第一控制訊號P(n)，對儲能單元122執行放電程序以下拉驅動電壓Q(n)至第一低準位電壓VSS1。第一下拉單元124A則根據第一控制訊號P(n)以下拉輸出訊號ST(n)至第二低準位電壓VSS1，及下拉閘極訊號G(n)至第一低準位電壓VSS1。第二控制單元126B用以根據驅動電壓Q(n)及反相於第一低頻時脈訊號LCK1之第二低頻時脈訊號LCK2產生第二控制訊號K(n)。第二放電單元125B即用來根據第二控制訊號K(n)，對儲能單元122執行放電程序以下拉驅動電壓Q(n)至第一低準位電壓VSS1。第二下拉單元124B則根據第二控制訊號K(n)以下拉輸出訊號ST(n)至第二低準位電壓VSS1，及下拉閘極訊號G(n)至第一低準位電壓VSS1。其中第一低準位電壓VSS1(例如-13V)係較第二低準位電壓VSS2(例如-10V)低，如此可避免上拉單元121漏電。
然而，在第N級移位暫存器120的運作中，當閘極線SL(n)之閘極訊號G(n)根據驅動電壓Q(n)及高頻時脈訊號HCK被上拉時， 第一控制訊號P(n)及第二控制訊號K(n)皆被下拉至第一低準位電壓VSS1，亦即第一放電單元125A及第二放電單元125B包含之電晶體T42、T43之閘極端準位係等於第二低準位電壓VSS2，但第一放電單元125A及第二放電單元125B包含之電晶體T42、T43之源極端係電連接於第一低準位電壓VSS1，亦即第一放電單元125A及第二放電單元125B包含之電晶體T42、T43之閘極端準位高於第一放電單元125A及第二放電單元125B包含之電晶體T42,T43之源極端準位，進而使得第一放電單元125A及第二放電單元125B對儲能單元122執行放電程序，造成儲能單元122之漏電。儲能單元122漏電會造成驅動電壓Q(n)下降，進而使得閘極訊號G(n)無法順利提昇至目標電壓，導致閘極驅動電路100無法正常運作。
本發明提供一種可防止漏電之閘極驅動電路，其包含複數級移位暫存器，該些級移位暫存器之第N級移位暫存器包含一上拉單元，電連接於一輸出線及一閘極線，用以根據一驅動電壓及一高頻時脈訊號將該輸出線之一第一輸出訊號及該閘極線之一閘極訊號上拉至一高準位電壓；一啟動單元，用以根據一第二輸出訊號傳送一第二閘極訊號；一儲能單元，電連接於該上拉單元及該啟動單元，用來根據該第二閘極訊號執行一充電程序以提供該驅動電壓至該上拉單元；一第一放電單元，電連接於該儲能單元，用以根據一第一控制訊號將該驅動電壓下拉至一第一準位電壓；一第一漏電防止單元，電連接於該第一放電單元，用以根據該第一控制訊號、該驅動電壓 及該第一輸出訊號，於該第一閘極訊號上拉至該高準位電壓時關閉該第一放電單元；一第一下拉單元，電連接於該輸出線及該閘極線，用以根據該第一控制訊號將該第一輸出訊號下拉至該第一準位電壓及將該第一閘極訊號下拉至一第二準位電壓；及一第一控制單元，電連接於該第一放電單元與該第一下拉單元，用以根據該驅動電壓、一第一低頻時脈訊號及一第三準位電壓產生該第一控制訊號。其中該第一準位電壓、該第二準位電壓及該第三準位電壓係相異之準位電壓。
本發明另提供一種可防止移位暫存器漏電之方法，該方法包含提供一移位暫存器，該移位暫存器包含一儲能單元用來根據一前一級閘極訊號執行一充電程序以提供一驅動電壓，及一電晶體，其第一端電連接於該儲能單元，用來於開啟時將該儲能單元之驅動電壓下拉至一低準位電壓；及於該移位暫存器輸出之一閘極訊號根據該驅動電壓被上拉至一高準位電壓時，控制該電晶體之第二端之準位，以使該電晶體之第二端之準位高於該電晶體之控制端之準位。
請同時參考第3圖至第6圖，第3圖為本發明閘極驅動電路200的示意圖，第4圖為第3圖閘極驅動電路200之第N級移位暫存器220的示意圖，第5圖為第4圖第N級移位暫存器220之第一漏電防止單元227A的示意圖，第6圖為第4圖第N級移位暫存器220之第二漏電防止單元227B的示意圖。如圖所示，閘極驅動電路200 包含複數級移位暫存器，為方便說明，閘極驅動電路只顯示第(N-1)級移位暫存器210、第N級移位暫存器220及第(N+1)級移位暫存器230，其中只有第N級移位暫存器220於第4圖中顯示內部架構，其餘級移位暫存器係類同於第N級移位暫存器220，所以不另贅述。第(N-1)級移位暫存器210用以提供輸出訊號ST(n-1)及閘極訊號G(n-1)，第N級移位暫存器220用以提供輸出訊號ST(n)及閘極訊號G(n)，第(N+1)級移位暫存器230用以提供輸出訊號ST(n+1)及閘極訊號G(n+1)。閘極訊號G(n-1)、G(n)、G(n+1)係依序經由閘極線SL(n-1)、SL(n)、SL(N+1)傳送至畫素陣列以開啟對應之畫素單元。另外，輸出訊號ST(n-1)及閘極訊號G(n-1)會傳送至第N級移位暫存器220，以致能第N級移位暫存器220；而輸出訊號ST(n)及閘極訊號G(n)會傳送至第(N+1)級移位暫存器230，以致能第(N+1)級移位暫存器230。
第N級移位暫存器220包含上拉單元221、儲能單元222、啟動單元223、第一下拉單元224A、第二下拉單元224B、第一放電單元225A、第二放電單元225B、第一控制單元226A、第二控制單元226B、第一漏電防止單元227A及第二漏電防止單元227B。上拉單元221係電連接於輸出線OL(n)及閘極線SL(n)，用以根據儲能單元222儲存之驅動電壓Q(n)及高頻時脈訊號HCK將輸出線OL(n)之輸出訊號ST(n)及閘極線SL(n)之閘極訊號G(n)上拉至高準位電壓。啟動單元223係用以根據第(N-1)級移位暫存器210之輸出訊號ST(n-1)傳送第(N-1)級移位暫存器210之閘極訊號G(n-1)至儲能單元 222。儲能單元222係電連接於上拉單元221及啟動單元223，用來根據啟動單元223傳來之閘極訊號G(n-1)執行充電程序以提供高準位之驅動電壓Q(n)至上拉單元221。
第一放電單元225A係電連接於儲能單元222，用以根據第一控制訊號P(n)對儲能單元222執行放電程序以將驅動電壓Q(n)下拉至第一準位電壓VSS1。第一漏電防止單元227A係電連接於第一放電單元225A，用以根據第一控制訊號P(n)、驅動電壓Q(n)及輸出訊號ST(n)，於閘極訊號G(n)上拉至高準位電壓時關閉第一放電單元225A。第一下拉單元224A係電連接於輸出線OL(n)及閘極線SL(n)，用以根據第一控制訊號P(n)將輸出訊號ST(n)下拉至第一準位電壓VSS1及將閘極訊號G(n)下拉至第二準位電壓VSS2。第一控制單元226A係電連接於第一放電單元225A與第一下拉單元224A，用以根據驅動電壓Q(n)、第一低頻時脈訊號LCK1及第三準位電壓VSS3產生第一控制訊號P(n)。
相似地，第二放電單元225B係電連接於儲能單元222，用以根據第二控制訊號K(n)對儲能單元222執行放電程序以將驅動電壓Q(n)下拉至第一準位電壓VSS1。第二漏電防止單元227B係電連接於第二放電單元225B，用以根據第二控制訊號K(n)、驅動電壓Q(n)及輸出訊號ST(n)，於閘極訊號G(n)上拉至高準位電壓時關閉第二放電單元225B。第二下拉單元224B係電連接於輸出線OL(n)及閘極線SL(n)，用以根據第二控制訊號K(n)將輸出訊號ST(n)下拉 至第一準位電壓VSS1及將閘極訊號G(n)下拉至第二準位電壓VSS2。第二控制單元226B係電連接於第二放電單元225B與第二下拉單元224B，用以根據驅動電壓Q(n)、第二低頻時脈訊號LCK2及第三準位電壓VSS3產生第二控制訊號K(n)。
其中第二低頻時脈訊號LCK2之相位係相反於第一低頻時脈訊號LCK1之相位，因此第一放電單元225A和第二放電單元225B可交替地對儲能單元222執行放電程序，而第一下拉單元224A及第二下拉單元224B可交替地下拉輸出訊號ST(n)及閘極訊號G(n)。
另外，第一準位電壓VSS1、第二準位電壓VSS2及第三準位電壓VSS3係相異之低準位電壓。在上述實施例中，第一準位電壓VSS1(例如-13V)係低於第三準位電壓VSS3(例如-10V)，而第三準位電壓VSS3係低於第二準位電壓VSS2(例如-7V)。
在本實施例中，上拉單元221包含電晶體T21及電晶體T12。電晶體T21之第一端係用以接收高頻時脈訊號HCK，電晶體T21之控制端係電連接於儲能單元222以接收驅動電壓Q(n)，而電晶體T21之第二端係電連接於閘極線SL(n)。電晶體T12之第一端係用以接收高頻時脈訊號HCK，電晶體T12之控制端係電連接於儲能單元222以接收驅動電壓Q(n)，而電晶體T12之第二端係電連接於輸出線OL(n)。儲能單元222包含電容C。啟動單元223包含電晶體T11。電晶體T11之第一端係用以接收閘極訊號G(n-1)，電晶體T11之控 制端係用以接收輸出訊號ST(n-1)，電晶體T11之第二端係電連接於儲能單元222。
第一放電單元225A包含電晶體T42，電晶體T42之第一端係電連接於儲能單元222，電晶體T42之控制端係電連接於第一控制單元226A以接收第一控制訊號P(n)，電晶體T42之第二端係電連接於第一漏電防止單元227A。
第一漏電防止單元227A包含電晶體T47及電晶體T48。電晶體T47之第一端係電連接於電晶體T42之第二端，電晶體T47之控制端係電連接於第一控制單元226A以接收第一控制訊號P(n)，而電晶體T47之第二端係電連接於第一準位電壓VSS1。電晶體T48之第一端係電連接於電晶體T42之第二端，電晶體T48之控制端係電連接於儲能單元222以接收驅動電壓Q(n)，而電晶體T48之第二端係電連接於輸出線OL(n)以接收輸出訊號ST(n)。
第一下拉單元224A包含電晶體T44及電晶體T32。電晶體T44之第一端係電連接於輸出線OL(n)，電晶體T44之控制端係電連接於第一控制單元226A以接收第一控制訊號P(n)，而電晶體T44之第二端係電連接於第一準位電壓VSS1。電晶體T32之第一端係電連接於閘極線SL(n)，電晶體T32之控制端係電連接於第一控制單元226A以接收第一控制訊號P(n)，而電晶體T32之第二端係電連接於第二準位電壓VSS2。
第一控制單元226A包含電晶體T51，電晶體T52，電晶體T53，及電晶體T54，電晶體T51之第一端係用以接收第一低頻時脈訊號LCK1，電晶體T51之控制端係用以接收第一低頻時脈訊號LCK1。電晶體T52之第一端係電連接於電晶體T51之第二端，電晶體T52之控制端係電連接於儲能單元222以接收驅動電壓Q(n)，而電晶體T52之第二端係電連接於第三準位電壓VSS3。電晶體T53之第一端係用以接收第一低頻時脈訊號LCK1，電晶體T53之控制端係電連接於電晶體T51之第二端，而電晶體T53之第二端係電連接於第一放電單元225A、第一漏電防止單元227A及第一下拉單元224A。電晶體T54之第一端係電連接於電晶體T53之第二端，電晶體T54之控制端係電連接於儲能單元222以接收該驅動電壓Q(n)，而電晶體T54之第二端係電連接於第一準位電壓VSS1。
另一方面，在本實施例中，第二放電單元225B、第二漏電防止單元227B、第二下拉單元224B及第二控制單元226B之配置係分別相似於第一放電單元225A、第一漏電防止單元227A、第一下拉單元224A及第一控制單元226A之配置，因此不再進一步說明。
另外，第N級移位暫存器220另包含第三放電單元224C，及第三下拉單元225C。第三放電單元224C係電連接於儲能單元222，用以根據第(N+1)級移位暫存器230之輸出訊號ST(n+1)下拉驅動電壓Q(n)。第三下拉單元225C係電連接於輸出線OL(n)及閘極線 SL(n)，用以根據輸出訊號ST(n+1)將輸出訊號ST(n)下拉至第一準位電壓VSS1，及將閘極訊號G(n)下拉至第二準位電壓VSS2。
請參考第7圖，並一併參考第3圖至第6圖。第7圖為第3圖之閘極驅動電路的相關訊號波形示意圖。如第7圖所示，於時段t1中，輸出訊號ST(n-1)及閘極訊號G(n-1)皆為低準位，因此啟動單元223之電晶體T11被關閉。第一控制訊號P(n)因第一低頻時脈訊號LCK1為高準位而被提昇至高準位，進而開啟第一放電單元225A之電晶體T42及第一漏電防止單元227A之電晶體T47，驅動電壓Q(n)被下拉至第一準位電壓VSS1。第一控制訊號P(n)亦開啟第一下拉單元224A之電晶體T44及電晶體T32，以將輸出訊號ST(n)下拉至第一準位電壓VSS1及將閘極訊號G(n)下拉至第二準位電壓VSS2。
於時段t2中，輸出訊號ST(n-1)及閘極訊號G(n-1)由低準位上昇至高準位，啟動單元223之電晶體T11因而開啟使儲能單元222之電容C充電，用以提昇驅動電壓Q(n)至高準位，並進而開啟上拉單元221之電晶體T12及電晶體T21。另外，因高頻時脈訊號HCK為低準位，所以輸出訊號ST(n)及閘極訊號G(n)亦為低準位。第一控制訊號P(n)及第二控制訊號K(n)因驅動電壓Q(n)為高準位而被下拉至第三準位電壓VSS3，因此第一放電單元225A、第一下拉單元224A、第二放電單元225B及第二下拉單元224B皆不作動。
於時段t3中，高頻時脈訊號HCK由低準位上昇至高準位(例如 24V)，進而上拉輸出訊號ST(n)及閘極訊號G(n)至高準位電壓，驅動電壓Q(n)也因電容耦合效應再度被提昇。第一控制訊號P(n)及第二控制訊號K(n)因驅動電壓Q(n)仍為高準位而持續維持在第三準位電壓VSS3，因此第一放電單元225A、第一下拉單元224A、第二放電單元225B、第二下拉單元224B仍不作動。值得注意的係，第一漏電防止單元227A之電晶體T48被驅動電壓Q(n)開啟，使得第一放電單元225A之電晶體T42之第二端之電壓等於輸出訊號ST(n)之高準位電壓(24V)，而第一放電單元225A之電晶體T42之控制端之第一控制訊號P(n)係為第三準位電壓VSS3(-10V)，亦即電晶體T42之源極端準位高於閘極端準位，因此，第一放電單元225A之電晶體T42會被關閉，以防止電容C漏電。相似地，第二放電單元225B之電晶體T43之源極端準位亦高於閘極端準位，以防止儲能單元222之電容C漏電。
於時段t4中，第一控制訊號P(n)因第一低頻時脈訊號LCK1為高準位而被提昇至高準位，進而開啟第一放電單元225A之電晶體T42及第一漏電防止單元227A之電晶體T47，驅動電壓Q(n)被下拉至第一準位電壓VSS1。第一控制訊號P(n)亦開啟第一下拉單元224A之電晶體T44及電晶體T32，以將輸出訊號ST(n)下拉至第一準位電壓VSS1及將閘極訊號G(n)下拉至第二準位電壓VSS2。另外，輸出訊號ST(n+1)由低準位上昇至高準位，以開啟第三放電單元225C之電晶體T32，進而下拉驅動電壓Q(n)，而第三下拉單元224C之電晶體T31及電晶體T41亦被開啟，以將輸出訊號ST(n) 下拉至第一準位電壓VSS1及將閘極訊號G(n)下拉至第二準位電壓VSS2。
依據上述配置，當閘極訊號G(n)被上拉至高準位電壓時，第一漏電防止單元227A控制第一放電單元225A之電晶體T42之源極端準位高於閘極端準位，且第二漏電防止單元227B控制第二放電單元225B之電晶體T43之源極端準位高於閘極端準位，如此電晶體T42及電晶體T43可確實被關閉，以防止儲能單元222之電容C漏電。
請參考第8圖，第8圖為本發明防止移位暫存器漏電之方法的流程圖800。本發明防止移位暫存器漏電之方法的流程如下列步驟：步驟810：提供一移位暫存器，該移位暫存器包含一儲能單元用來根據一前一級閘極訊號執行一充電程序以提供一驅動電壓，及一電晶體，其第一端電連接於該儲能單元，用來於開啟時將該儲能單元之驅動電壓下拉至一低準位電壓；及步驟820：於該移位暫存器輸出之一閘極訊號根據該驅動電壓被上拉至一高準位電壓時，控制該電晶體之第二端之準位，以使該電晶體之第二端之準位高於該電晶體之控制端之準位。
相較於先前技術，當閘極訊號被上拉至高準位電壓時，本發明閘 極驅動電路可利用漏電防止單元控制放電單元之電晶體之第二端之準位，以使電晶體之第二端之準位高於電晶體之控制端之準位，進而防止儲能單元漏電。因此，本發明閘極驅動電路可提高閘極訊號之穩定度。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100,200‧‧‧閘極驅動電路
110,120,130,210,220,230‧‧‧移位暫存器
121,221‧‧‧上拉單元
122,222‧‧‧儲能單元
123,223‧‧‧啟動單元
124,224‧‧‧下拉單元
125,225‧‧‧放電單元
126,226‧‧‧控制單元
127,227‧‧‧漏電防止單元
SL(n-1),SL(n),SL(n+1)‧‧‧閘極線
OL(n-1),OL(n),OL(n+1)‧‧‧輸出線
T‧‧‧電晶體
t1,t2,t3,t4‧‧‧時段
C‧‧‧電容
HCK‧‧‧高頻時脈訊號
LCK1,LCK2‧‧‧低頻時脈訊號
Q(n)‧‧‧驅動電壓
P(n)‧‧‧第一控制訊號
K(n)‧‧‧第二控制訊號
ST(n-1),ST(n),ST(n+1)‧‧‧輸出訊號
G(n-1),G(n)‧‧‧閘極訊號
800‧‧‧流程圖
810至820‧‧‧步驟
第1圖為習知閘極驅動電路的示意圖。
第2圖為第1圖閘極驅動電路之第N級移位暫存器的示意圖。
第3圖為本發明閘極驅動電路的示意圖。
第4圖為第3圖閘極驅動電路之第N級移位暫存器的示意圖。
第5圖為第4圖第N級移位暫存器之第一漏電防止單元的示意圖。
第6圖為第4圖第N級移位暫存器之第二漏電防止單元的示意圖。
第7圖為第3圖之閘極驅動電路的相關訊號波形示意圖。
第8圖為本發明防止移位暫存器漏電之方法的流程圖。
220‧‧‧移位暫存器
221‧‧‧上拉單元
222‧‧‧儲能單元
223‧‧‧啟動單元
224‧‧‧下拉單元
225‧‧‧放電單元
226‧‧‧控制單元
227‧‧‧漏電防止單元
SL(n)‧‧‧閘極線
OL(n)‧‧‧輸出線
T‧‧‧電晶體
C‧‧‧電容
HCK‧‧‧高頻時脈訊號
LCK1,LCK2‧‧‧低頻時脈訊號
Q(n)‧‧‧驅動電壓
P(n)‧‧‧第一控制訊號
K(n)‧‧‧第二控制訊號
ST(n-1),ST(n),ST(n+1)‧‧‧輸出訊號
G(n-1),G(n)‧‧‧閘極訊號

Claims (11)

  1. 一種可防止漏電之閘極驅動電路，包含複數級移位暫存器，該些級移位暫存器之一第N級移位暫存器包含：一上拉單元，電連接於一輸出線及一閘極線，用以根據一驅動電壓及一高頻時脈訊號將該輸出線之一第一輸出訊號及該閘極線之一第一閘極訊號上拉至一高準位電壓；一啟動單元，用以根據一第二輸出訊號傳送一第二閘極訊號；一儲能單元，電連接於該上拉單元及該啟動單元，用來根據該第二閘極訊號執行一充電程序以提供該驅動電壓至該上拉單元；一第一放電單元，電連接於該儲能單元，用以根據一第一控制訊號將該驅動電壓下拉至一第一準位電壓；一第一漏電防止單元，電連接於該第一放電單元，用以根據該第一控制訊號、該驅動電壓及該第一輸出訊號，於該第一閘極訊號上拉至該高準位電壓時關閉該第一放電單元；一第一下拉單元，電連接於該輸出線及該閘極線，用以根據該第一控制訊號將該第一輸出訊號下拉至該第一準位電壓及將該第一閘極訊號下拉至一第二準位電壓；及一第一控制單元，電連接於該第一放電單元與該第一下拉單元，用以根據該驅動電壓、一第一低頻時脈訊號及一第三準位電壓產生該第一控制訊號；其中該第一準位電壓、該第二準位電壓及該第三準位電壓係相 異之電壓。
  2. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該第一準位電壓係低於該第二準位電壓。
  3. 如請求項1所述之閘極驅動電路，另包含：一第二放電單元，電連接於該儲能單元，用以根據一第二控制訊號將該驅動電壓下拉至該第一準位電壓；一第二漏電防止單元，電連接於該第二放電單元，用以根據該第二控制訊號及該驅動電壓，於該第一閘極訊號上拉至該高準位電壓時關閉該第二放電單元；一第二下拉單元，電連接於該輸出線及該閘極線，用以根據該第二控制訊號將該第一輸出訊號下拉至該第一準位電壓及將該第一閘極訊號下拉至該第二準位電壓；及一第二控制單元，電連接於該第二放電單元與該第二下拉單元，用以根據該驅動電壓、一第二低頻時脈訊號及該第三準位電壓產生該第二控制訊號；其中該第二低頻時脈訊號之相位係相反於該第一低頻時脈訊號之相位。
  4. 如請求項3所述之閘極驅動電路，另包含：一第三放電單元，電連接於該儲能單元，用以根據一第三輸出訊號下拉該驅動電壓；及 一第三下拉單元，電連接於該輸出線及該閘極線，用以根據該第三輸出訊號將將該第一輸出訊號下拉至該第一準位電壓及將該第一閘極訊號下拉至該第二準位電壓。
  5. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該上拉單元包含：一第一電晶體，包含：一第一端，用以接收該高頻時脈訊號；一控制端，電連接於該儲能單元以接收該驅動電壓；及一第二端，電連接於該閘極線；及一第二電晶體，包含：一第一端，用以接收該高頻時脈訊號；一控制端，電連接於該儲能單元以接收該驅動電壓；及一第二端，電連接於該輸出線。
  6. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該儲能單元包含一電容。
  7. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該啟動單元包含一電晶體，該電晶體包含：一第一端，用以接收該第二閘極訊號；一控制端，用以接收該第二輸出訊號；及一第二端，電連接於該儲能單元。
  8. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該第一放電單元包含一 第一電晶體，該第一電晶體包含：一第一端，電連接於該儲能單元；一控制端，電連接於該第一控制單元以接收該第一控制訊號；及一第二端，電連接於該第一漏電防止單元；其中該第一漏電防止單元係用以控制該第二端之準位，以使該第二端之準位於該第一閘極訊號上拉至該高準位電壓時高於該控制端之準位。
  9. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該第一漏電防止單元包含：一第二電晶體，包含：一第一端，電連接於該第一電晶體之第二端；一控制端，電連接於該第一控制單元以接收該第一控制訊號；及一第二端，電連接於該第一準位電壓；及一第三電晶體，包含：一第一端，電連接於該第一電晶體之第二端；一控制端，電連接於該儲能單元以接收該驅動電壓；及一第二端，電連接於該輸出線以接收該第一輸出訊號。
  10. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該第一下拉單元包含：一第一電晶體，包含： 一第一端，電連接於該輸出線；一控制端，電連接於該第一控制單元以接收該第一控制訊號；及一第二端，電連接於該第一準位電壓；及一第二電晶體，包含：一第一端，電連接於該閘極線；一控制端，電連接於該第一控制單元以接收該第一控制訊號；及一第二端，電連接於該第二準位電壓。
  11. 如請求項1所述之閘極驅動電路，其中該第一控制單元包含：一第一電晶體，包含：一第一端，用以接收該第一低頻時脈訊號；一控制端，用以接收該第一低頻時脈訊號；及一第二端；一第二電晶體，包含：一第一端，電連接於該第一電晶體之第二端；一控制端，電連接於該儲能單元以接收該驅動電壓；及一第二端，電連接於該第三準位電壓；一第三電晶體，包含：一第一端，用以接收該第一低頻時脈訊號；一控制端，電連接於該第一電晶體之第二端；及一第二端，電連接於該第一放電單元及該第一漏電防止單 元；及一第四電晶體，包含：一第一端，電連接於該第三電晶體之第二端；一控制端，電連接於該儲能單元以接收該驅動電壓；及一第二端，電連接於該第一準位電壓。
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