WO1981003068A1 - Procede et dispositif de mesure d'un rayon laser - Google Patents

Procede et dispositif de mesure d'un rayon laser Download PDF

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thin
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laser
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T Shirakura
K Sasaki
H Sugawara
S Takemori
K Kuwabara
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Hitachi Ltd
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    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam

Definitions

  • the present invention relates to a method and an apparatus for measuring laser light
  • the present invention relates to a measuring method and an apparatus.
  • the change in the power of the emitted laser light depends on the sword characteristics of the workpiece.
  • the optical path is interrupted when measuring power.
  • the transflector Since the transflector is located in the laser beam path, it causes a power loss.
  • various mirrors used in the optical system are changed by the temperature, and are directed toward the workpiece.
  • the optical path of the laser beam is shifted.
  • the laser is often located sufficiently far away from the workpiece. Therefore, when the optical system at the laser position is just around the corner, it becomes large at the position of the workpiece. Of this light path
  • One object of the present invention is to provide a laser beam measuring method and apparatus capable of intermittently measuring or detecting the power or position of a laser beam without interrupting the laser beam. is there.
  • Another object of the present invention is to provide a laser beam measuring method and apparatus capable of measuring or detecting a laser beam pulse or 20 positions with a very small laser beam pulse. Ruru.
  • a thin member is measured in a laser beam, It is to measure or detect the resistance change of the laser beam and find out the power of the laser beam or the position of the laser beam path.
  • the position of the laser beam can be detected by, for example, performing relative motion between the laser beam and a member placed in the laser beam. By this relative change, the distribution of the resistance change corresponding to the distribution of the intensity of the laser beam is determined.] From this distribution, the position of the laser beam can be known.
  • the laser beam power can be known from its distribution, for example, by integrating it.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a laser processing apparatus employing one embodiment of a laser beam measuring apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the laser light measuring device shown in FIG.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a thin line used in the apparatus shown in FIG. 2 and laser light.
  • FIG. 4 is a graph showing the distribution of resistance change corresponding to laser light.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a relationship between a thin line and a laser beam.
  • 6 and 7 are distribution diagrams of the resistance change, respectively.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of another embodiment of the laser beam measurement device of the present invention.
  • FIG. 9 shows the relationship between the resistance change and the center position of the laser beam.
  • FIGS. 1 to 7 one embodiment of the laser light measuring device according to the present invention will be described in detail below.
  • FIG. 1 shows a laser device for processing such as welding, cutting, and surface treatment.
  • a laser 1 composed of an excitation area, a concave mirror, and an output mirror is directed to reflector devices 5 and 7 sequentially. Emits 2.
  • the reflecting mirror devices 5 and 7 are total reflecting mirrors 501 and 701, respectively, which are obliquely inclined at an angle of 45 ° with respect to the laser beam 2, and these are parallel to these planes. Equipped with a rotating device for rotating * 502 and 702. Total reflection mirror
  • the emitted laser beam 2 is directed to the lens 9 and
  • the laser beam measuring device 11 is placed in the laser beam path between the total reflection device 7 and the lens 9 and is configured as shown in FIG. In FIG. 2, the device is a cell 13 arranged to cross the laser beam 2 and a frame supporting the cell.
  • the fine wire 13 is made of a material whose electric resistance changes according to the temperature increased by the laser beam applied to the fine wire 13, such as gold, white gold, gold, or copper plated with platinum. I have.
  • the shape of the thin line 13 is such that the amount of laser light cut off by the thin line is minimized, that is, the cross section is a circle,
  • OMPI ⁇ IPO A rectangle is preferred. However, it can be used in any form.
  • the cross section of the thin wire 13 is rectangular, the thin wire 13 is placed so that its thickness direction is directed to the running direction of the laser beam 2 (the frame 15 is formed by a pair of holding members 17 and 3 ⁇ 4 ⁇ which are separated from each other). body
  • the pair of holders 17 are mutually electrically insulated by insulators 19), and both ends of the fine wire are fixed thereto by welding or brazing.
  • the holder 17 is made of a material having good heat conductivity, and has a water passage 18 formed therein.
  • the holder 17 is cooled so that the temperature of the holder 17 becomes substantially constant by passing water through the water channel 18. This is because when the thin wire 13 is exposed to the laser beam 2, the temperature of the holder 17 increases due to heat conduction from the thin wire 13 and, as a result, the thin wire also heats up, and the electrical resistance gradually increases. This is because it becomes impossible to accurately measure the change in electrical resistance due to the incident laser light.
  • Rattle body 23 has a base 24, a movable table 25 slidably mounted thereon, a screw rod 27 engaging with a screw formed in the movable table, and a screw.
  • the motor 27 is connected to the rod 27 and rotates the screw rod 27.
  • the movable table 25 is moved in the X direction by rotation of the motor 29, that is, in the rising direction of the screw rod in FIG.
  • the frame 15 is fixed to the movable table. I) The frame 15 is moved together with the movable table. Next, the operation of the laser light measuring device 11 will be described below.
  • a laser beam 2 is emitted from a laser 1, and the laser beam 2 is applied to a workpiece 10 through an optical system such as reflecting mirrors 501 and 701 and a condenser lens 9.
  • the movable table 25 is moved in the X direction by the rotation of the motor 29, and the thin line 13 crosses the laser beam 2 at a right angle as shown in FIGS.
  • the thin wire 13 receives the laser beam in an amount corresponding to the cross-sectional area occupied by the thin wire therein, and is heated and heated.
  • the resistance of the thin line 13 changes according to the temperature]), and the value is measured by the resistance measuring device 21. As shown in Fig.
  • the force to move the thin wire 13 placed in the laser beam 2 in the X direction The thin wire 13 is fixed, and the laser beam 2 is operated by rotating the laser device 502.
  • the laser beam is moved in the X direction, the amount of laser light received by the fine line 13 varies depending on the position of the fine line 13].
  • the laser power measurement was performed using a fully-wired copper wire as the fine wire 2 in 5.5 baskets with a wire diameter and length of 0, 12, respectively.
  • the laser 1, C 0 2 laser was used.
  • the resistance value of the thin wire is 75 mJ2 at the end of the laser beam, that is, at a distance of r from the center 0, and 90 mJ2 at the center (0). Met.
  • the resistance value and position at this time were input as electrical signals to an XY recorder, and the resistance distribution was obtained. As a result, the distribution shown in Fig. 4a was obtained.
  • the scanning speed of the thin line 13 is set to 3 ord Z seconds, but the time constant for temperature is about 10 msec, so the scanning speed can be set to about 10 0 per second. Noh.
  • the reduction in power due to the insertion of the thin wire 13 into the laser beam 2 is 1% or less]), and the effect of the insertion of the thin wire 13 was not recognized even after the lens 9 was squeezed. Further, it was confirmed that the value obtained by integrating this distribution was proportional to the laser power.
  • the measurement or detection of the laser beam center position is performed by the resistance measuring device 21 and the position detector 31.
  • the position detector is It is fixed to the movable table 24 and the movable table 25, and measures the movement of the movable table 25.
  • the resistance measuring device 21 detects the maximum resistance change value in the case of the Gaussian distribution a, and detects the deepest concave portion in the case of the annular distribution.
  • the position in Table 25 showing these resistance values is the center ( ⁇ ) of the laser beam. As a result, the center of the laser beam is detected or measured.
  • the correction can be performed by operating the rotating device 502 of the reflecting mirror device 5 and rotating the reflecting mirror 5.01. This position is detected by the laser light measuring device 11.
  • a laser beam measuring device 11a is further provided.
  • the device 11a has almost the same structure as the device ii described above, but the thin wire 13a of the device 11a is metered so that it is perpendicular to that of the device 11 Then, as shown in Fig. 5, it is moved in the Y direction by the drive mechanism.
  • the resistance change I of the thin lines 13 and 13a is shown in FIGS. 6 and 7. As shown, the position shown by the solid line shifts to the position shown by the broken line.
  • the shifted position 0 ' is caused by shifting the thin lines 13 and 13a by the distance OOx and the distance OOY, respectively. Is done.
  • the resistance change ⁇ ⁇ i integrated in the Y direction is also proportional to the laser light power.
  • the laser beam measuring device 11b is mounted on a frame 15 so that two parallel fine wires 13b, L3c are located in the laser beam 2 at a distance from each other. It has the same structure as the device 11 described above, except that it is connected. One end of the two thin wires is electrically connected via a support, and the other end is isolated by an insulator 35. These thin wires 13 and 13c are connected to a resistance measuring device 21a that can measure the difference between the resistance change of the thin wire 13b and the resistance change of the thin wire 13c.
  • the thin wires 13b and i3c shift so that the difference in resistance between them becomes large as shown in FIG.
  • the position where the resistance difference reaches zero indicates the center of the laser beam.
  • This device 11b can easily and accurately detect the center position as compared with the other devices 11 and 11a.
  • the power and center position of the laser beam are not cut off by the laser beam directed to a workpiece or the like, and the power is largely lost. It can always be measured or detected during processing.

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Description

明 細 書
レーザ光測定方法及び装置
技-術分野
本発明は、 レーザ光測定方法 よび装置に関し、 特に、
加工 どに利用される高出力のレーザ光の中に温度変化
に応じて抵抗が変る物体を置き 、 この抵抗を測定する こ
とによ ]? レーザ光のパワー、 位置を測定し得る レーザ光
測定方法および装置に関する。
冃示 術
溶接、 切断、 表面処理るどの加工をレーザ装置で行う
場.合はレーザ光を レーザ発振器から放射させ、 反射鏡で
その光路を変え、 レ ン ズで被加工物に焦点を当てる。 放
射されたレ一ザ光のパワーの変化は、 被加工物の刀 Πェ性
能に影響する。 そのために、 パワーを測定する必要があ
る。 その方法の 1つは、 シャ ッ ターと呼ばれる取 外し
ができる全反射鏡を レーザ光路に置き、 そこで反射した
レーザ光をパヮーメータで受けて測定する方法でるる。
この方法では、 パワー測定時には光路がしゃ断されるの
で、 加工中常にパワーを監視することはでき ない。
パワーを常時モニタする方法も提案されている。 これ
は、 特開昭 5 3 — 9 9 7 9 2 ( 1 9 7 8 )の第 1 図に示されて
いるよ うに、 半透過鐃を用いてレーザ光の一部を反射さ
せ、 その反射光をモニタするものである。 この方法では、
OMPI
、 ¾ ^ 半透過鏡がレーザ光路に置かれているので、 それによる パワーの損失が生ずる。
この種のレーザ装置に於ては、 更に、 光学系に使用さ れている種々の鏡が温度の変化で頃き、 被加工物に向け
5 られる レーザ光の光路がずれる という.問題がある。 特に、 生産設備と して使用されるレーザ装置に於ては、 多く の 合、 レーザは被加工物から充分離れたと ころにおかれ ている。 そのため、 レーザ位置に於ける光学系のわずか ¾ ί頃きは、 被加工物の位置では大き く ¾る。 この光路の
10 ずれによって被加工^への照射位 *がずれるだけで く、 レーザ光の一部が光学系の有効面からずれる。 このため レーザ光が散乱し、 有効に利用 し得るレーザパヮ一が減 小して加工性能の低下を招いている。
発明の開示
15 本発明の目的の 1つは、 レーザ光のパワーまたは 置 ― - をその レーザ光を しゃ断することな ぐ違続的に測定又は 検出することができる レーザ光測定方法および装置を提 供することにある。
本発明の目的の他の 1つは、 レーザ光のパヮ一または 20 位置を違読的に極めて小さ レーザ光パヮ 一 口 ス で測定 又は検岀し得る レーザ光測定方法および装置を提供する ことにるる。
本発 ¾は、 細い部材をレーザ光の中に量き、 この部材 の抵抗変化を測定あるいは検出 して、 レーザ光のパワー あるいは、 レーザ光路の位置を見つけだすことにある。 レーザ光の位置は、 例えば、 レーザ光と レーザ光の中に 置かれた部材の相対運動を行わせることによ ]?検出する ことが出来る。 この相対違動によってレーザ光の強度の 分布に対応する抵抗変化の分布が判 ]? 、 この分布からレ 一ザ光の位置が知れる。 又レーザ光パワーは、 その分布 から、 例えば、 それを積分することによ ]?知ることがで きる。
図面の簡単 説明
第 1 図は、 本発明のレーザ光測定装置の一実施例を採 用したレ一ザ加工装置の概念図である。
第 2図は、 第 1 図に示されたレーザ光測定装置の断面 図である。
第 3 図は、 第 2図の装置に使用されている細線と レー ザ光の関係を示す説明図である。
第 4図は、 レーザ光に対応する抵抗変化の分布を示す グラ フである。
第 5図は、 細線と レーザ光の関係を示す説明図である。 第 6 図及び第 7図は、 夫々抵抗変化の分布図でるる。 第 8図は、 本発明の レーザ光測定装置の他の実旆例の 断面図である。
第 9図は、 抵抗変化と レーザ光の中心位置の関係を示 す説明図である。
発明を実施するための最良の形態
第 1 図から第 7図を参照して、 本発明に従ったレーザ 光測 '定装置の 1実施例を以下に詳細に説明する。
溶接、 切断、 表面処理るどの加工用レーザ装置を示す 第 1図に於て、 励起域、 凹面鏡および出力鏡で構成され ている レーザ 1は、 反射鏡装置 5及び 7に順次向 う レー ザ光 2を放射する。 反射鏡装置 5及び 7は、 夫々 レーザ 光 2に関して 4 5 ° の角度で煩斜している全反射鏡 5 0 1， 7 0 1 と、 これらをこれらの面と平行 ¾軸の回 ]) に回転 させる回転装 * 5 0 2 , 7 0 2を備えている。 全反射鏡
7 ¾出たレーザ光 2は、 レ ンズ 9 に向けられ、 被加工物
1 0に焦点が当てられる。
レーザ光測定装置 1 1は、 全反射装置 7 とレン ズ 9 と の間のレーザ光路に置かれ、 第 2図に示すよ うに構成さ れている。 第 2図に於て、 その装置は、 レーザ光 2を横 切る よ うに配置された細籙 1 3 と これを支转する枠体
1 5 と駆動機構 2 3 とからなっている。 その細線 1 3は、 その電気抵抗が細線 1 3 に照射されたレーザ光によって 高められた温度に従って変る性質の物質、 例えば金、 白 金、 金又は、 白金でめっきされた銅 どで作られている。
この細線 1 3 にとつて、 細線によってしや断されたレー ザ光の量が最小にるるよ うる形、 すなわち、 断面が円、
OMPI Ί IPO 矩形であることが好ま しい。 しかし、 どん 形でも利用 はできる。 細線 1 3の断面が矩形である場合には、 その 厚さ方向がレーザ光 2の走行方向に向 う よ うに置かれる ( 枠体 1 5は、 互いに離れた一対の保持体 1 7 と ¾緣体
1 9で U字状に構成されている。 一対の保持体 1 7は、 互いに絶籙体 1 9によ ]?電気的に絶縁されてお])、 それ に細線の両端が溶接、 ろ う付などで固定されている。 こ の保持体 1 7は熱伝導性の良い材料ででき てぉ 、 且つ 内部に水路 1 8が形成されている。 この水路 1 8 に水を 通して保持体 1 7の温度がほぼ一定になる よ うに冷却さ れている。 これは、 細線 1 3を レーザ光 2 にさ ら してお く と細線 1 3からの熱伝導によ 保持体 1 7が昇温し、 その結果細隸も昇温 し、 電気抵抗が漸増し、 入射する レ —ザ光による電気抵抗の変化を正確に測定できな くなる からである。
羅動体 2 3は台 2 4、 その上に摺動でき る よ'うに置か れた可動テ一ブル 2 5 、 可動テーブルに形成されたねじ を通してそれと係合しているねじ棒 2 7 、 よびねじ棒 2 7に連結され、 ねじ棒 2 7を回転するモータ 2 9 とで 構成されている。 可動テーブル 2 5は、 モータ 2 9の回 転によって X方向、 すなわち第 2図のねじ棒の輊方向に 勣かされる。 枠体 1 5は、 可動テーブルに固定されてお Ϊ) 可動テーブルと共に動かされる。 次に、 レーザ光測定装置 1 1 の作用について以下に説 明 しょ う。
先ず、 レーザ 1からレーザ光 2が放射され、 そのレー ザ光 2は反射鏡 5 0 1 ， 7 0 1、 集光レンズ 9 ¾どの光 学系を通して被加工物 1 0 に当てられる。 この状態で、 可動テーブル 2 5は、 モ一タ 2 9の回転によって X方向 に動かされ、 細線 1 3はレーザ光 2を第 2 ， 3図に示す よ うに直角に横切る。 細線 1 3は、 レーザ光をその中の 細線によって占められた断面積に対応する量だけ受け、 加熱されて昇温する。 細線 1 3の抵抗は、 温度に応じて 変わ ])、 その値は、 抵抗測定器 2 1 によって測定される。 第 3 図に示すよ うに、 レーザ光 2の中に置いた細線 1 3 を X方向に移動する力 細線 1 3 を固定しておいて、 レ 一ザ光 2を回転装 ¾ 5 0 2を操作して X方向に移動させ た場合、 細線 1 3が受ける レーザ光の量は細線 1 3の位 置によって変 ]?、 各位置における温度上昇の程度が異
る。 従って各位置における抵抗値が異るる。
この よ うな場合において、 抵抗変化の計算値 4 Rと X 方向に於ける細線の位置との関係は、 第 4図に示されて いる。 ここに於て aは、 レーザ光がガ ウ ス分布の場合で、 bは、 環吠分布の場合である。 抵抗変化 Rは、 細線
1 3のに入射する レーザ光のパヮ一にほぼ比例するから、 第 4図の抵抗変化 ^ J Rの分布は、 レーザ光の強度分布に
CMPI o 対応する。 レーザ光の中心◦は、 aの場合は抵抗変化
Δ I が最も大きい所で、 b の場合は最も凹んだ所でる 、 容易に見出すことができ る。 更にこれらの分布を積分し 1度較正しておけば、 レーザ光全体のパワーの絶対値が 測定できる。
レーザ光パワー測定は、 線径と長さが夫々 0, 1 2 観、 5. 5籠で、 全めつきされた銅線を細線 2 と して使って行 われた。 レーザ 1 には、 C 0 2 レーザが使用された。 レ 一ザ光パワーが 2 k Wであるとき細線の抵抗値は、 細線 がレーザ光の端部即ち中心 0から rだけ距つた所では 7 5 m J2で、 中心 （ 0 ) では 9 0 m J2であった。 この時 の抵抗値と位置を電気信号と して X— Y レ コーダに入れ、 抵抗分布を求めたら第 4図の aに示されたよ う 分布が 得られた。 この場合には、 細線 1 3 の走査速度は 3 蘭 Z 秒に設定されているが、 温度に対する時定数が約 1 0 m secであるので走査速度を毎秒 1 0 丽程度にするこ とが可 能である。 細線 1 3のレーザ光 2への挿入によるパワー 減小は 1 %以下であ ])、 レ ンズ 9で絞った後でも細線 1 3の揷入による影響は認められ かった。 更に、 この 分布を積分した値はレーザパヮ一と比例することが確認 された。
レーザ光中心位置の測定又は検出は抵抗測定器 2 1 と 位置検出器 3 1 によって行われる。 位置検出器は、 台 2 4 と可動テーブル 2 5 に固定されていて、 可動テープ ル 2 5の動きを測定する ものである。 テーブル 2 5が X 方向に動く と細線 1 3 もその方向に動かされる。 そして、 抵抗測定器 2 1はガウス分布 aの場合は最大の抵抗変化 値を又環状分布の場合は、 最も深凹部のそれを検出する。 それらの抵抗値を示すテーブル 2 5 の位置がレーザ光の 中心 （ ◦ ) である。 力 く して、 レーザ光の中心が検出あ るいは測定される。
も し、 レーザ光 2のパスまたは中心の修正が要求され た場合は、 例えば、 反射鏡装置 5 の回転装置 5 0 2を操 作し反射鏡 5 .0 1 を回転させて行う ことができる。 この 位置は、 レーザ光測定装置 1 1 によって検出される。
第 1 図には、 更にレーザ光測定装置 1 1 aが設けられ ている。 この裘置 1 1 aは前に述べた装置 i i とほぼ同 じ構造を しているが、 この装 Λ 1 1 aの細線 1 3 aは装 置 1 1 のそれとは直角になる よ うに配量されてお j?、 第 5図に示すよ うに駆動機構によ Y方向に動かされる。 レーザ光 2が正常 位置にあるときの中心位置 0カ 中 心位置 0 ' にずれたとき、 細線 1 3 , 1 3 aの抵抗変化 I は、 第 6図及び第 7図に示されているよ うに実線で 示された位置から破線で示された位置に移行する。 した がって、 ずれた位置 0 ' は、 細線 1 3 と 1 3 aを夫々距 離 O O x 及び距離 O O Y だけ移行させることによ ]?見出 される。 Y方向に関して積分した抵抗変化 ^ ί i も又レ一 ザ光のパヮ一に比例する。
第 8 ， 9図を参照して、 本発明の他の実施例を説明す
0 ο
第 8図に於て、 レーザ光測定装置 1 1 bは、 2本の平 行 ¾細線 1 3 b , ;L 3 cが互いに距つてレーザ光 2の中 におかれる よ うに枠体 1 5 に違結されていることを除け ば、 前に述べた装置 1 1 と同じ構造を している。 この 2 本の細線は一端が電気的に支持体を介 して連結され、 他 端は絶縁体 3 5 によって絶籙されている。 これらの細線 1 3 , 1 3 cは細線 1 3 bの抵抗変化と細籙 1 3 c の 抵抗変化との差が測定でき る抵抗剡定器 2 1 aに袭続さ れている。
この装置 1 1 bでレーザ光の中心を見出すために、 細 線 1 3 b , i 3 cは、 第 9図に示すよ うにその抵抗の差 が ¾ く ¾る よ うに移行する。 そして抵抗差が零に ¾つた 位置がレーザ光の中心を示す。 この装置 1 1 bは他の装 置 1 1 , 1 1 a に比べて容易に且つ正確に中心位置を検 出する ことができ る。
以上のよ うに、 本発明.によれば、 レ一ザ光のパワー、 中心位置を、 加工物な どに向けられたレーザ光を しや断 すること ¾ く、 そしてほどんとパワーを失 う こと く加 ェ中に常に測定又は検出できる。

Claims

請求の範囲
1 . レーザ光を受けて抵抗変化をする細い部材を レーザ 光を横切る よ うに配置し、 前記細い部材の抵抗変化を測 定し、 それによ レーザ光のパワーと中心位置の少¾ く 共一方を見出すことを特徵とするレーザ光測定方法。
2 . 前記細い部材と レーザ光との間の相対違動をさせて
レーザ光の—位置を検出することを特徵とする第 1項記載 のレーザ光測定方法。
3 . 前記相対違動によ 抵抗変化の分布に対応する レー
ザ光の強度分布を見出 し、 それを積分してレーザ光のパ ヮ一を測定することを特徴とする第 2項記載のレーザ光 測定方法。
4 . 2つの細い部材が互いに直角方向に動く よ うにレ一
ザ光中に配置されていることを特徵とする第 2項記載の
レーザ光測定方法。
5 . 2つの細い部材を平行にレーザ光を横切る方向に互 いに隔つて、 そして同時にレーザ光を受ける よ うに配置 し、 前記 2つの細 部材の抵抗の変化の差が 0 にるる よ うに前記細い部材を勣かしてレーザ光の位置を検出する ことを特徵とするレーザ光測定方法。
6 . レーザ光を受けて抵抗変化する細い部材と、 前記部 材をレーザ光を横切る よ うに移 ftさせるための驟動手段 と、 抵抗変化を読みとる抵抗 定器とを備えている こと
V - を特徵とするレーザ光測定装置。
7 . 前記細い部材は両端部が冷却されていることを特徵 とする第 6項記載のレーザ光測定装置。
8 . 前記細い部材は絶籙材で互いに電気的に絶緣された 一対の保持部材で構成された枠体に支持され、 前記保持 部材は夫々熱伝導性の材料で作られ、 水冷されて るこ とを特徵とする第 7項記載のレーザ光測定装置。
9 . 2つの細い部材が互いに平行にレーザ光を横切る よ うに配置され、 前記 2つの細い部材の一端は電気的に互 いに絶縁され、 他端は電気的に連結され、 そして前記抵 抗測定器は 2つの細い部材の抵抗の差を測定する ことを 脊徵とする第 7項記載のレーザ光測定装置。
10. 互いに横切る よ うに配置された 2つの独立の細線と その細線を独立に支持する 2つの支持手段と、 2つの方 向に独立に支持部材を駆動する手段と 2つの細線の抵抗 変化を独立に測定する抵抗測定器とからなる ことを特徵 とするレーザ光測定装置。
R
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3211136C2 (de) * 1982-03-26 1984-01-12 Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen Walzenstirnfräser
JPH07111370B2 (ja) * 1984-10-09 1995-11-29 明星電気株式会社 信号の送・受信特性パターン計測装置
US4871250A (en) * 1985-12-19 1989-10-03 Amada Engineering Service Co., Inc. Beam monitor for a high-output laser
JP2545710B2 (ja) * 1987-06-25 1996-10-23 工業技術院長 レ−ザ出力計
DE3812091C1 (ja) * 1988-04-12 1989-06-01 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
JPH03148022A (ja) * 1989-11-02 1991-06-24 Natl Aerospace Lab レーザビーム特性の測定方法
US5048969A (en) * 1989-11-20 1991-09-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Piezoelectric measurement of laser power
DE3942293A1 (de) * 1989-12-21 1991-07-04 Thyssen Stahl Ag Verfahren und vorrichtung zum messen von laserleistung
GB9110376D0 (en) * 1991-05-14 1991-07-03 British Nuclear Fuels Plc Method of sampling
WO1994025836A1 (en) * 1993-05-03 1994-11-10 Summit Technology, Inc. Calibration apparatus for laser ablative systems
US5772656A (en) * 1993-06-04 1998-06-30 Summit Technology, Inc. Calibration apparatus for laser ablative systems
RU2144924C1 (ru) * 1996-06-21 2000-01-27 Зинченко Евгений Яковлевич Способ получения азитромицина и способы получения промежуточных соединений
US6191848B1 (en) * 1999-04-15 2001-02-20 Kodak Polychrome Graphics Llc Laser sensor holder
US6927359B2 (en) * 2001-06-14 2005-08-09 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Pulsed fiber laser cutting system for medical implants
US6794424B2 (en) 2001-12-04 2004-09-21 Agilent Technologies, Inc. Devices for calibrating optical scanners and methods of using the same
US7534561B2 (en) 2003-04-02 2009-05-19 Agilent Technologies, Inc. Nucleic acid array in situ fabrication methods and arrays produced using the same
US8374818B2 (en) 2008-12-19 2013-02-12 Affymetrix, Inc. System, method and apparatus for calibrating inspection tools
US8556511B2 (en) 2010-09-08 2013-10-15 Abbott Cardiovascular Systems, Inc. Fluid bearing to support stent tubing during laser cutting

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731099A (en) * 1970-09-30 1973-05-01 N Greene Black body thermoelectric radiometer

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1084263A (ja) * 1900-01-01
US1229740A (en) * 1914-01-28 1917-06-12 Robert Fuerstenau Measuring instrument for röntgen rays.
US2427094A (en) * 1943-08-31 1947-09-09 Rca Corp Super-high-frequency wattmeter
US3118062A (en) * 1948-08-12 1964-01-14 Bell Telephone Labor Inc Infra-red detection and indicator units for remote control
US2633525A (en) * 1949-07-12 1953-03-31 Canadian Radium & Uranium Corp Apparatus and method for probing a radiated wave field
US3182262A (en) * 1962-09-07 1965-05-04 Ramcor Inc Densiometer radiation monitoring device
NL6706006A (ja) * 1967-04-28 1968-10-29
DE1913399C3 (de) * 1969-03-17 1974-08-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Anordnung zur kontinuierlichen Messung von Verschiebungen oder Verformungen mit Hilfe von Laserstrahlen
US3694746A (en) * 1970-02-09 1972-09-26 Gen Microwave Corp Thin-film thermoelectric calorimeter for measuring large values of microwave power
JPS54763B2 (ja) * 1972-09-12 1979-01-16
US3878500A (en) * 1973-01-22 1975-04-15 Svechnikov Sergei V Photoresistive-position-sensitive instrument
US3939706A (en) * 1974-04-10 1976-02-24 The Boeing Company High energy sensor
CA1128334A (en) * 1977-12-26 1982-07-27 Evgeny I. Lunev Apparatus and system for measuring power of heat radiation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731099A (en) * 1970-09-30 1973-05-01 N Greene Black body thermoelectric radiometer

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EP0050159A1 (en) 1982-04-28

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