WO1992004737A1 - Detecteur infrarouge a substrat aminci et procede de fabrication - Google Patents

Detecteur infrarouge a substrat aminci et procede de fabrication Download PDF

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    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/147—Shapes of bodies

Definitions

  • the invention relates to infrared detectors, in particular matrix detectors making it possible to provide an image of an object emitting thermal radiation in the infrared.
  • arrays of schottky diodes with platinum silicide deposited on silicon are used. These diodes can absorb infrared rays of wavelength located in the band from 3 to 5 micrometers and provide an electrical signal depending on the intensity of the radiation received.
  • These matrices have the advantage of being able to be produced by technologies similar to those of silicon integrated circuits and therefore they allow a very high image resolution with a high density of integration.
  • the low quantum yield (number of electrons generated per photon passing through the diode) of these diodes is low and requires implementation precautions if we want to obtain sufficient detection sensitivity.
  • each diode being connected directly to a multiplexer element placed exactly opposite the diode; bonding is difficult for arrays with a large number of points but the sensitivity is better since the useful surface of each detection diode can be larger.
  • the detector is illuminated by the rear face of the substrate, that is to say the one which does not carry the detection diodes.
  • the front face is masked by the substrate carrying the multiplexer.
  • the high refractive index of platinum silicide (index n close to 5 around a wavelength of 4 micrometers) makes direct lighting undesirable without adaptation of index ; 50% of the incident radiation would be lost by simple reflection on the platinum silicide; by illuminating from the rear face, it is easier to introduce infrared radiation without losses: on the one hand the silicon substrate has an index of about 3, and on the other hand one can cover the rear face with a layer of 'silicon oxide (index 1, 5) to further facilitate the introduction of radiation.
  • an infrared detector is proposed, the photosensitive detection elements of which, consisting of Schottky diodes, are integrated in a semiconductor substrate whose rear face is very greatly thinned, to a thickness which is at most a few tens of micrometers.
  • the rugged relief of the front surface of the substrate causes reflections of radiation in directions not normal to the fine substrate plane, and that the radiation reflected several times can strike diodes distant from those on which the radiation should produce an image. And it is believed according to the invention that this thinning makes it possible at least to bring the spurious images closer to the main image, so that a highly luminous point may produce a light spot on the screen around the main lighting point but not several tasks distant from each other.
  • FIG. 1 shows schematically a - matrix infrared detector illuminated by its rear face
  • FIG. 3 to 5 show different stages of embodiment of the invention for a monolithic detector mounted on ceramic.
  • FIG. 1 which very schematically represents a conventional infrared detector (either monolithic or hybrid)
  • a silicon substrate has been designated by 10, on the front face of which are integrated silicon detection ion diodes 12 platinum.
  • silicon oxide 14 covers the rear face of the substrate to facilitate the introduction without reflection of the infrared radiation arriving from the rear face.
  • the platinum silicide diodes 12 are themselves covered by a sort of optical cavity constituted by a layer of silicon oxide 16 then a layer of aluminum 18 forming a mirror to reflect the radiation towards the rear. bright after it has passed through the diode; since the absorption in the diode is hardly more than 0.5%, it is in fact advantageous to pass the radiation twice through the diode by means of this mirror.
  • the thickness of the layer 14 is preferably chosen so that the light radiation reflected by the mirror is approximately in phase with the incident radiation, around the center of the band of wavelengths to be detected.
  • the radiation is reflected perpendicularly towards the rear and emerges from the substrate.
  • the substrate has for example a thickness of 500 micrometers and if a significant fraction of radiation is reflected for example with an incidence of approximately 30 ° compared to normal, a spurious image will be produced at approximately 500 micrometers away from the main image, that is to say about twenty pixels apart for pixel dimensions of the order of 25 micrometers.
  • the thickness of the substrate is reduced to dimensions of a few tens of micrometers, and preferably even up to only ten micrometers, so that the same beams reflected obliquely will create a spurious image. very close to the main image (that is to say that in fact they will slightly attenuate the contrast without really creating a stray image).
  • FIG. 2 schematically represents the invention. As in FIG. 1, the dimensional scales are not respected so that the general structure remains intelligible.
  • the silicon substrate 10 is very greatly thinned from the rear, at least opposite the detection diodes (that is to say not necessarily at the periphery of the substrate).
  • the final thickness is less than about 50 micrometers; it is in principle between about 50 micrometers and about 10 micrometers.
  • the thinning is carried out after integration of the photosensitive elements (diodes with platinum silicide in particular) in a semiconductor substrate whose thickness is initially for example from 250 to 500 micrometers.
  • the integration of photosensitive elements can be carried out as in the prior art (techniques of monolithic integration on silicon).
  • Thinning can only be mechanical. by running-in. In that case. the entire rear face is obviously thinned. We can thus reach a thickness which is for example around 50 micrometers.
  • This mechanical thinning can be supplemented by a chemical attack in an etching bath attacking the silicon, on condition of course of protecting the front face of the substrate. We can then thin the substrate until it reaches a thickness of ten micrometers. The improvement in resolution is then still better but of course the manufacturing involves one more step, this step being quite delicate.
  • the chemical thinning is done mainly opposite the diodes and preferably not at the periphery of the substrate.
  • the assembly will be made on the other substrate before thinning, so that there is no problem of behavior mechanics of the thinned substrate.
  • the technology is generally as follows: the substrate carrying the detection diodes is welded to a subst rat carrying the multiplexer, by means of indium balls which correspond to each diode an element of the multiplexer placed opposite this diode. We therefore proceed with the thinning of the substrate after assembly of the two substrates; if there is chemical attack, it is necessary to protect in particular the connections by indium balls and the second substrate.
  • the detectors are mounted on a ceramic substrate and electrically connected to conductive pads of this substrate.
  • the substrate is then bonded by its front face (carrying the detection diodes) to the ceramic since the rear face must remain free for illumination from the rear.
  • the thinning both mechanical and chemical, is carried out after the detector has been mounted on this ceramic.
  • an anti-reflection adaptation layer 14 on the thinned rear face, to facilitate the penetration of infrared radiation under normal incidence.
  • a layer of silicon oxide with a thickness of approximately 700 nanometers; silicon oxide is chosen for the reason that it has an intermediate index between that of air and that of silicon.
  • FIGS. 3 to 5 show by way of example the production steps in the case of a monolithic matrix detector (that is to say carrying not only the photosensitive elements but also a multiplexing circuitry for collecting and processing the electric charges generated in each photosensitive element).
  • the silicon substrate 10 carrying the diodes and the rest of the circuitry is soldered face against face against a ceramic substrate ("flip chip” mounting), connection pads 20 on the front face of the substrate 10 being bonded with a conductive adhesive on conductive pads 22 (screen-printed or photo-etched) of a ceramic substrate 30.
  • This substrate is mainly intended for cooling the detector but it will also serve to ensure the rigidity of the detector after thinning.
  • Bonding of the chip with inversion can also be carried out by a hybridization technique in which microbeads (of indium) formed on the silicon substrate are welded on metal areas formed on the ceramic substrate. It is moreover this latter technique that will be used if the second substrate is not a ceramic substrate and is rather a silicon-based substrate carrying the multiplexing circuitry associated with the detector.
  • the initial thickness el is for example 250 or 500 micrometers: the final thickness e2 is a few tens of micrometers, preferably about 50 micrometers.
  • a chemical thinning can then complete the running-in to descend to a thickness e3 of the order of ten micrometers (FIG. 5). For this, we start by protecting the edges of the substrate with a layer of resin 26 resistant to the chemical attack agents of silicon, so that the connections between the chip 10 and the ceramic substrate are not damaged.
  • the attack solution is composed of acetic acid, hydrofluoric acid and nitric acid. Nitric acid oxidizes silicon, dissolved hydrofluoric acid, and the concentration of acetic acid allows you to choose the attack speed.
  • the attack will be all the more rapid as the doping of the substrate will be higher. If the solution is richer in nitric acid, the surface condition after attack is more homogeneous. It is therefore advantageous to proceed in several stages, first with a solution rich in fluororyric acid and then a solution rich in nitric acid.
  • the detector is produced on an epitaxial substrate P / P +, that is to say a substrate mainly tdet ype P + carrying a lightly doped epitaxial layer of type P of ten micrometers thick for example, it will be easy to eliminate the entire P + region and to keep only the epitaxial part, taking advantage of the selectivity of etching of hydrofluoric acid as a function of doping.
  • the anti-reflective layer 14 can then be deposited.
  • infrared detectors the photosensitive elements of which are schottky diodes with platinum silicide on silicon. It will however be understood that it would be transposable to infrared detectors whose photosensitive elements are different, given that the problem does not come specially from these diodes but rather from parasitic reflections under non-normal incidence.

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Impression-Transfer Materials And Handling Thereof (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

L'invention concerne les détecteurs infrarouge et notamment les détecteurs matriciels comportant des diodes au siliciure de platine comme éléments photosensibles. Pour éviter des images parasites en cas d'éclairement intense d'un point, ces images apparaissant comme des taches éloignées de ce point, on propose selon l'invention d'amincir le substrat semiconducteur (10) portant les éléments photosensibles (12), jusqu'à une épaisseur de l'ordre de 10 à 50 micromètres environ. L'amincissement est effectué par rodage mécanique suivi éventuellement d'une attaque chimique.

Description

DETECTEUR INFRAROUGE A SUBSTRAT AMINCI ET PROCEDE DE FABRICATION
L'invention concerne les détecteurs infrarouge , notamment les détecteurs matriciels permettant de fournir une image d'un obiet émettant un rayonnement thermique dans l'infrarouge .
Pour réaliser de tels détecteurs infrarouge , on utilise notamment des matrices de diodes schottky au siliciure de platine déposé sur silicium . Ces diodes peuvent absorber les rayons infrarouge de longueur d'onde située dans la bande de 3 à 5 micromètres et fournir un signal électrique fonction de l'intensité du rayonnement reçu .
Ces matrices ont l'intérêt de pouvoir être réalisées par des technologies similaires à celles des circuits intégrés silicium et par conséquent elles permettent une très haute résolution d'image avec une grande densité d'intégration .
Mais le faible rendement quantique (nombre d'électrons engendrés par photon traversant la diode) de ces diodes est faible et nécessite des précautions de réalisation si on veut obtenir une sensibilité de détection suffisante .
Les détecteurs matriciels peuvent êt re réalisés
soit en technologie puremen t monolithique , dans laquelle on intègre sur un même substrat d e silicium à la fois une matrice de diodes de détection et un mult iplexeur permettant de transmettre les charges engendrées par l 'illumination de chaque diode ; la fabrication est alors particulièrement avantageuse pour des matrices à grand nombre fie points d'image , mais la sensibilité est plus faible puisque la surface des pixels est limitée par la nécessité de réserver une place pour un élément, du multiplexeur à chaque point d'image ;
soit en technologie hybride flans laquelle un premier substrat , portant, une matrice de diodes , est collé sur un deuxième substrat portant un multiplexeur , chaque diode étant connectée directement à un élément d e multiplexeur placé exactement en regard de la diode ; le collage est difficile pour des matrices à grand nombre de points mais la sensibilité est meilleure puisque la surface utile de chaque diode de détection peut être plus grande .
En principe le détecteur est illuminé par la face arrière du substrat, c'est-à-dire celle qui ne porte pas les diodes de détection . Dans le cas de la technologie hybride , la raison en est évidente :la face avant est masquée par le substrat portant le multiplexeur. Dans le cas de la technologie monolithique c'est parce que l'indice de réfraction élevé d u siliciure de platine (indice n voisin de 5 autour d'une longueur d'onde de 4 micromètres) rend peu souhaitable un éclairage direct sans adaptation d'indice ; on perdrait 50% du rayonnement incident , par simple réflexion sur le siliciure de platine ; en éclairant par la face arrière, on peut plus facilement introduire le rayonnement infrarouge sans pertes : d'une part le substrat de silicium a un indice d'environ 3, et d'autre part on peut recouvrir la face arrière d'une couche d'oxyde de silicium (indice 1 , 5) pour faciliter encore l'introduction du rayonnement .
Dans les matrices réalisées jusqu'à présent , on a remarqué que des images parasites se formaient parfois sur la matrice . Cela a été constaté en particulier lorsque l'image observée comporte des points fortement éclairés II apparaît alors des taches claires parasites autour de l'imago du point fortement éclairé et à une certaine distance de celu i-ci , à des endroits où l'image devrait normalement être sombre . Ces taches sont gênantes puisqu'elles font croire à la présence d'objets émettant fortement un rayonnement infrarouge à des endroits où il n'y a en fait pas de tels objets .
On a pensé d'abord que ce phénomène était dû à des diffractions de rayonnement : il ne faut pas oublier qu'on travaille à des longueurs d'onde qui sont de l'ordre de grandeur des dimensions des motifs intégrés dans la surface du substrat portant les diodes de détection . L'invention part de la remarque que ces images parasites seraient plutôt dues en fait à des réflexions parasites des rayonnements infrarouge .
Selon l'invention , on propose un détecteur infrarouge dont les éléments photosensibles de détect ion , constitués par des diodes Schottky, sont intégrés dans un substrat semiconducteur dont la face arrière est très fortement amincie, jusqu'à une épaisseur qui est au maximum de quelques dizaines de micromètres .
On pense en effet que le relief accidenté de la surface avant du substrat provoque des réflexions de rayonnement dans des directions non normales au plan fin substrat , et que le rayonnement réfléchi plusieurs fois peut venir frapper des diodes éloignées de celles sur laquelle le rayonnemen t devrait produire une image . Et on pense selon l'invention que cet amincissement permet au moins de rapprocher les images parasites de l'image principale, de sorte qu'un point fortement lumineux produira peut être une tache lumineuse sur l'écran autour du point d'éclairement principal mais pas plusieurs tâches éloignées les unes des autres .
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels :
- la figure 1 représente schémat iquement un - détecteur infrarouge matriciel éclairé par sa face arrière ;
- la figure 2 représente le détecteur modifié selon l'invention ;
- les figures 3 à 5 représentent différentes étapes de réalisation de l'invention pour un détecteur monolithique monté sur céramique .
Sur la figure 1, qui représente t rès schématiquement un détecteur infrarouge (soit monolithique soit hybride) classique , on a désigné par 10 un substrat, de silicium , sur la face avant duquel sont intégrées des diodes de détect ion 12 en siliciure de platine . Le plus souvent une couche d 'oxyde de silicium 14 recouvre la face arrière du substrat pour faciliter l'introduction sans réflexion du rayonnement infrarouge arrivant par la face arrière .
Le plus souvent aussi, les diodes d e siliciure de platine 12 sont elles-mêmes recouvertes par une sorte de cavité optique constituée par une couche d'oxyde de silicium 16 puis une couche d'aluminium 18 formant miroir pour renvoyer vers l'arrière le rayonnement lumineux après qu'il a traversé la diode ; étant donné que l'absorption dans la diode n'est guère que de 0 , 5%, on a en effet intérêt à faire passer le rayonnement deux fois à travers la diode grâce à ce miroir. L'épaisseur d e la couche 14 est de préférence choisie pour que le rayonnement lumineux réfléchi par le miroir soit approximativement en phase avec le rayonnement incident, aux environs du centre de la bande d e longueurs d'onde à détecter.
Là où le miroir est bien perpendiculaire au plan du substrat, le rayonnement est réfléchi perpendiculairement vers l'arrière et ressort du substrat.
Mais là où des surfaces réfléchissantes obliques sont présentes , que ce soit des portions obliques du miroir ou d'autres surfaces inclinées ou toute aut re cause de réflexion oblique , une fraction importante de rayonnement peut être réémise vers l'arrière avec une incidence telle qu'elle ne puisse pas ressortir du substrat ; cette fraction est renvoyée à nouveau vers les diodes de siliciure de platine , ma is loin de l'endroit d'incidence initiale .
Il faut comprendre que ce phénomène est d'autant plus important que le rayonnement réfléchi est peu atténué puisque l'atténuation dans les diodes de siliciure de platine n'est guère que de 1% après passage dans les deux sens .
Si le substrat a par exemple une épaisseur de 500 micromètres et si une fraction importante de rayonnement est réfléchie par exemple avec une incidence d'environ 30° par rapport à la normale , il se produira une image parasite à environ 500 micromètres de distance de l'image principale, c'est-à-dire à une vingtaine de pixels de distance pour des dimensions de pixels de l'ordre de 25 micromètres.
Selon l'invention, on propose de réduire l'épaisseur du substrat jusqu'à des dimensions de quelques dizaines de micromètres, et de préférence même jusqu'à une dizaine de micromètres seulement, de sorte que les mêmes faisceaux réfléchis obliquement créeront une image parasite tres près de l'image principale (c'est-à-dire qu'en fait elles atténueront légèrement le contraste sans créer vraiment d'image parasite).
La figure 2 représente schématiquement l'invention. De même qu'à la figure 1, les échelles fie dimensions ne sont pas respectées pour que la structure générale reste intelligible.
Le substrat de silicium 10 est très fortement aminci par l'arrière, au moins en regard des diodes de détection (c'est-à-dire pas forcément à la périphérie du substrat). L'épaisseur finale est inférieure à environ 50 micromètres; elle est en principe comprise entre environ 50 micromètres et environ 10 micromètres.
L'amincissement est effectué après intégration des éléments photosensibles (diodes au siliciure de platine notamment) dans un substrat semiconducteurs dont l'épaisseur est au départ par exemple de 250 à 500 micromètres. L'intégration des éléments photosensibles peut être effectuée comme dans la technique antérieure (techniques d'intégration monolithique sur silicium).
L'amincissement peut être uniquement mécanique. par rodage. Dans ce cas. la totalité de la face arrière est évidemment amincie. On peut atteindre ainsi une épaisseur qui est par exemple d'environ 50 micromètres Cet amincissement mécanique peut être complété par une attaque chimique dans un bain de gravure attaquant le silicium, à condition bien entendu de protéger la face avant du substrat. On peut alors amincir le substrat jusqu'à atteindre une épaisseur d'une dizaine de micromètres. L'amélioration de la résolution est alors encore meilleure mais bien sûr la fabrication implique une étape de plus , cette étape étant assez délicate . L'amincissement chimique est fait principalement en regard des diodes et de préférence pas à la périphérie du substrat.
Etant donné que le substrat portant les diodes est en général destiné à être monté sur un autre substrat , on fera le montage sur l'autre substrat avant de procéder à l'amincissement , afin qu'il n'y ait pas de problème de tenue mécanique du substrat aminci.
Dans le cas d'un détecteur infrarouge hybride , la technologie est en général la suivante : le substrat portant les diodes de détection est soudé sur un subst rat portant le multiplexeur , par l'intermédiaire de billes d'indium qui font correspondre à chaque diode un élément du multiplexeur placé en vis-à-vis de cette diode . On procède donc à l'amincissement du substrat après assemblage des deux substrats ; s'il y a attaque chimique, il faut protéger notamment les connexions par billes d'indium et le deuxième substrat .
Dans le cas d'un détecteur infrarouge monolithique , on prévoit en général (pour des raisons de refroidissement et de tenue à l'environnement) que les détecteurs sont montés sur un substrat de céramique et connectés élect riquement à des plages conductrices de ce substrat . Le substrat est alors collé par sa face avant (portant les diodes de détection ) sur la céramique puisque la face arrière doit rester libre pour une illumination par l'arrière . Dans ce cas encore , on proecde à l'amincissement , aussi bien mécanique que chimique , après le montage du détecteur sur cette céramique .
Dans les deux cas , il est souhaitable de déposer une couche d'adaptation antireflet 14 sur la face arrière amincie , pour faciliter la pénétration du rayonnement infrarouge sous incidence normale . Pour une longueur d'onde d'environ 4 micromètres , on prendra de préférence une couche d'oxyde de silicium d'épaisseur 700 nanomètres environ ; l'oxyde de silicium est choisi pour la raison qu'il a un indice intermédiaire entre celui de l'air et celui du silicium.
Les figures 3 à 5 représentent à t itre d'exemple les étapes de réalisation dans le cas d 'un détecteur matriciel monolithique (c'est-à-dire portant non seulement les éléments photosensibles mais aussi une circuiterie d e multiplexage pour recueillir et traiter les charges élect riques engendrées dans chaque élément photosensible) .
Le substrat de silicium 10 portant les diodes et le reste de la circuiterie est soudé face contre face contre un substrat céramique (montage "flip chip") , des plots de connexion 20 sur la face avant du substrat 10 étant collés par une colle conductrice sur des plages conductrices 22 (sérigraphiées ou photogravées) d'un substrat de céramique 30. Ce substrat est destiné principalement au refroidissement du détecteur mais il servira aussi à assurer la rigidité du détecteur- après amincissement . Figure 3.
Le collage de la puce avec retournement peut aussi être effectué par une technique d'hybridation dans laquelle des microbilles (d'indium) formées sur le substrat de silicium sont soudées sur des plages métalliques formées sur le substrat de céramique . C'est d'ailleurs cette dernière technique que l'on utilisera si le deuxième substrat n'est pas un substrat de céramique et est plutôt un substrat fie silicium portant la circuiterie de multiplexage associée au détecteur .
Un rodage mécanique de la face arrière du substrat de siliicum 10 est alors effectué (figure 1 ) ; l'épaisseur initiale el est par exemple de 250 ou 500 micromètres : l'épaisseur finale e2 est de quelques dizaines de micromèt res , de préférence environ 50 micromètres .
Un amincissement chimique peut alors compléter le rodage pour descendre à une épaisseur e3 de l 'ordre de la dizaine de micromètres (figure 5) . Pour cela on commence par protéger les bords du substrat par une couche de résine 26 résistant aux agents d'attaque chimique du silicium , de manière que les connexions entre la puce 10 et le substrat de céramique ne soient pas endommagées .
La solution d'attaque est composée d 'acide acétique , acide fluorhydrique et acide nitrique . L'acide nitrique oxyde le silicium , l'acide flourhydrique dissous l'oxyde , et la concentration en acide acétique permet fie choisir la vitesse d'attaque .
Si la solution est plus riche en acide fluorhydrique , l'attaque sera d'autant plus rapide que le dopage du substrat sera plus élevé . Si la solution est plus riche en acide nitrique l'état de surface après attaque est plus homogène . On a donc avantage à procéder en plusieurs étapes , avec d'abord une solution riche en acide fluorydrique puis u ne solut ion riche en acide nitrique .
Si le détecteur est réalisé sur un substrat épitaxié P/P+ , c'est-à-dire un substrat principalemen t d e t ype P+ portant une couche épitaxiée peu dopée de type P d'une dizaine de micromètres d'épaisseur par exemple , il sera facile d'éliminer toute la région P+ et de ne garder que la part ie épitaxiée , en profitant de la sélectivité de gravure de l 'acide fluorhydrique en fonction du dopage .
La couche antireflet 14 peut être déposée ensuite .
L'invention a été décrite en détail â propos d e détecteurs infrarouges dont les éléments photosensibles sont des diodes schottky au siliciure de platine sur silicium . On comprendra cependant qu'elle serait transposable a d es détecteurs infrarouges dont les éléments photosensibles sont différents , étant donné que le problème ne vient pas spécialement du fait de ces diodes mais bien plutôt de réflexions parasites sous incidence non normale .

Claims

REVENDICATIONS
1. Détecteur infrarouge comportant un ensemble d'éléments photosensibles en infrarouge (12) constitués par des diodes Schottky et intégrés sur la face avant d'un substrat semiconducteur (10), caractérisé en ce que le substrat semiconducteur a une épaisseur inférieure à environ 50 micromètres, au moins en regard d'une région comprenant les éléments photosensibles.
2. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est aminci sur toute sa face arrière.
3. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est plus mince au centre qu'à sa périphérie.
4. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les éléments photosensibles sont des diodes schottky au siliciure de platine sur silicium.
5. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que substrat semiconducteur est recouvert sur sa face arrière d'une couche d'adaptation antireflet (14).
6. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les éléments photosensibles (12) sont recouverts d'une couche formant miroir (18) permettant à un rayonnement issu de la face arrière de passer deux fois dans les éléments photosensibles.
7. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 6. caractérisé en ce que le substrat (10) est fixé par sa face avant sur un autre substrat (30).
8. Procédé de réalisation d'un détecteur infrarouge , caractérisé en ce qu'on réalise selon une t echnique d'intégration monolithique un ensemble d'éléments photosensibles ( 12) sur la face avant d'un substrat semiconducteur ( 10) et en ce qu'on amincit ensuite le substrat par sa face arrière jusqu'à une épaisseur inférieure à environ 50 micromètres .
9. Procédé selon la revendication 8 , caractérisé en ce que l'amincissement est effectué par rodage mécanique .
10. Procédé selon la revendication 9 , caractérisé en ce que l'amincissement est complété , après rodage mécanique , par une attaque chimique , jusqu 'à une épaisseur d o substrat comprise entre 50 et 10 micromètres environ .
11. Procédé selon la revendication 10. caractérisé en ce que l'attaque chimique est effectuée au centre mais pas à la périphérie du substrat.
12. Procédé selon l'une des revendications 8 à 11 , caractérisé en ce que l'amincissement du substrat est effectué après montage du substrat par sa face avant sur un autre substrat (30) .
PCT/FR1991/000713 1990-09-07 1991-09-06 Detecteur infrarouge a substrat aminci et procede de fabrication Ceased WO1992004737A1 (fr)

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