WO1994015707A2 - Vorrichtung zum gleichzeitigen einlassen wenigstens eines prozessgases in eine mehrzahl von reaktionskammern - Google Patents

Vorrichtung zum gleichzeitigen einlassen wenigstens eines prozessgases in eine mehrzahl von reaktionskammern Download PDF

Info

Publication number
WO1994015707A2
WO1994015707A2 PCT/DE1994/000032 DE9400032W WO9415707A2 WO 1994015707 A2 WO1994015707 A2 WO 1994015707A2 DE 9400032 W DE9400032 W DE 9400032W WO 9415707 A2 WO9415707 A2 WO 9415707A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
section
process gas
cross
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/DE1994/000032
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO1994015707A3 (de
Inventor
Holger JÜRGENSEN
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Publication of WO1994015707A2 publication Critical patent/WO1994015707A2/de
Publication of WO1994015707A3 publication Critical patent/WO1994015707A3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/008—Feed or outlet control devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Definitions

  • the invention relates to a device for simultaneously admitting at least one process gas into a plurality of reaction chambers.
  • coating objects are coated at the same time, they are either coated in one large coating vessel or a large reaction chamber at the same time in one operation, or several coating vessels or reaction chambers are used, each with only one or a few coating objects operated in parallel.
  • the expenditure on equipment for mixing, regulating and feeding in the various gases or gas mixtures is considerably greater than in the case of simultaneous coating in a vessel.
  • the coating in a vessel encounters technological limits in many processes, so that parallel operation of different vessels is often the only way of more or less economical production.
  • the device according to the invention should allow different gases and / or gas mixtures from only one gas-specific supply device to be fed into a gas distribution system via only one gas quantity regulator per gas such that the gas flows in this gas distributor are constant with respect to pressure and quantity over time, there are no pressure fluctuations when switching between the different gases, and thus gas flow quantities and pressures in the vessels operating in parallel are the same within very narrow tolerances, so that the same coating results are achieved.
  • the device for simultaneously admitting at least one process gas into a plurality of reaction chambers has the following elements: a process gas supply device, which in particular can have at least one process gas storage container, a gas mass flow controller connected downstream of the supply device, at least one Large cross-section manifold, which has an inlet line connected to the output port of the mass flow controller and a plurality of outlet lines, the number of which corresponds to the number of reaction chambers, and the cross section is small compared to the cross section of the distributor pipe, a control valve in each outlet line, the outlet connection of which is connected to the respective process chamber.
  • the individual storage containers are each connected to the (single) distributor pipe via a gas mass flow controller.
  • a particularly preferred embodiment of the invention is specified in claim 3.
  • the use of a ring line connected to the end faces of the distributor pipe, in which a pressure regulator is provided, and which is connected to a gas collecting container, has the consequence that the pressure in the distributor pipe is independent of the feed and removal from the distributor pipe is pressure controlled by the pressure regulator.
  • the pressure fluctuations can be minimized to such an extent that the flow fluctuations are below those for the one to be carried out Process fluctuations are critical.
  • each inlet to the modules is split again into two, four, six, ... 2m (m integer) lines.
  • This happens (for example) through Use of T-pieces, through which one line is divided into two lines.
  • Each line that has already been divided can then be subdivided again.
  • the functionality of this principle assumes that the flow / pressure resistance of each line remains the same.
  • a defined, adjustable tube resistance is used.
  • the various lines or pipes can be heated in order to avoid condensation of the gases supplied at high pressure. It is of particular advantage that, according to the invention, not all gases have to be introduced separately and thus have to be separately tempered. Rather, the distributor pipe with the take-off points can be brought to a uniform temperature, so that any fluctuations which may arise as a result are avoided.
  • the invention is described below with reference to an exemplary embodiment with reference to the single figure of the drawing, which schematically shows a device for simultaneously admitting a process gas into a plurality of reaction chambers.
  • DESCRIPTION OF AN EXEMPLARY EMBODIMENT The device according to the invention has at least one process gas storage container 1, a gas mass flow controller MFC connected downstream of the storage container 1 and a distributor pipe 2 with a large cross section.
  • the distributor pipe 2 is connected to the outlet connection of the mass flow controller MFC via an inlet line.
  • a total of n outlet lines are connected to the distributor pipe 2, which connect the distributor pipe 2 to control n reaction chambers (module 1 ... module n) via control valves 3.
  • the cross section of the n outlet lines is small compared to the cross section of the distributor pipe 2.
  • switch valve units 4 are provided, by the actuation of which the gas flow is switched from the respective process chamber to an exhaust gas reservoir (vent reservoir).
  • the changeover valve units can consist of several valves, but can also consist of one valve each.
  • the distributor pipe (or, if applicable, the distributor pipes) can be regarded as the reservoir volume for the respective process gas.
  • the process gas is fed into the middle of the tube via the mass flow controller MFC.
  • the flow quantities to the individual vessels can be adjusted via the control valves. The flow is determined by the valve position tion, but also due to the pressures both in the distributor pipe and in the coating vessels.
  • the process gases are therefore fed into a distribution pipe with a large diameter from a gas storage container or via another collecting pipe with a large diameter and via a further collecting pipe (pump reservoir). pumped out with a large diameter.
  • the main pumping line is connected here, as in the case of the gas distributor, in the middle of the pipe.
  • the process pressure control can be carried out as standard by means of pressure control valves.
  • the position of the pressure regulating valves is not only limited to that shown in the drawing, they could also be located between the respective modules and the pump reservoir.
  • the distributors and manifolds are equipped with dimensionally equivalent inlets and outlets and are provided with a ring line with a pressure regulator on their ends.
  • the pressure in the pipe is regulated by means of this ring line connected to both end faces with pressure control loops. Due to the negligible pressure drops parallel to the pipe, the same pressure is present at each of the outlets to the coating vessel. Relative pressure drops compared to the individual outlets are negligible.
  • the dimensions of the individual components are to be matched to the particular use.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

Beschrieben wird eine Vorrichtung zum gleichzeitigen Einlassen eines Prozeßgases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern mit einer Prozeßgas-Versorgungseinrichtung, einem dem Vorratsbehälter (1) nachgeschaltetem Gas-Massenflussregler (MFC), wenigstens einem Verteilerrohr (2) mit großem Querschnitt, das eine Einlaßleitung, die mit dem Ausgangsanschluß des Massenflußreglers (MFC) verbunden ist, und eine Mehrzahl von Auslaßleitungen ausweist, deren Zahl der Zahl von Reaktionskammern entspricht, und deren Querschnitt klein verglichen mit dem Querschnitt des Verteilerrohrs ist, jeweils einem Regelventil (3) in jeder Auslaßleitung, dessen Ausgangsanschluß mit der jeweiligen Prozeßkammer verbunden ist.

Description

Vorrichtung zum gleichzeitigen Einlassen wenigstens eines Prozeßgases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern
B e s c h r e i b u n g
Technisches Gebiet
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum gleichzeitigen Einlassen wenigstens eines Prozeßgases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern.
Beispielsweise in CVD-Verfahren oder ähnlichen Be- schichtungsverfahren ist es erforderlich, verschiedene Gase gleichzeitig und/oder in zeitlicher Abfolge in ein Depositionsgefäß einzuleiten, in dem sie zur Abschei¬ dung von Schichtmaterialien oder sonstigen Deponaten dienen.
Stand der Technik
Bei der gleichzeitigen Beschichtung von mehreren Be- schichtungsobjekten werden diese entweder in einem großen Beschichtungsgefäß bzw. einer großen Reaktions¬ kammer gleichzeitig in einem Vorgang beschichtet, oder aber es werden mehrere Beschichtungsgefäße bzw. Reak¬ tionskammern mit jeweils nur einem oder wenigen Be- schichtungsob ekten parallel betrieben. In letzterem Falle ist der apparative Aufwand für die Mischung, Regelung und Einspeisung der verschiedenen Gase oder Gasgemische wesentlich größer als bei der gleichzeiti¬ gen Beschichtung in einem Gefäß. Die Beschichtung in einem Gefäß stößt jedoch in vielen Prozessen auf tech¬ nologische Grenzen, so daß Parallelbetrieb verschiede- ner Gefäße häufig die einzige Möglichkeit einer mehr oder weniger wirtschaftlichen Herstellung ist.
Um nun die Kosten so gering wie möglich zu halten, ist es wünschenswert, den Aufwand für die Einrichtungen zur Gasmischung und -kontrolle, die Einspeisung auf der Eingangsseite des Beschichtungsgefäßes bzw. der Reak- tionskammern sowie gegebenenfalls zur Druckregelung und Filterung auf der Auspuffseite des,Gefäßes so niedrig wie möglich zu halten. Dabei sind jedoch in vielen Fällen als besondere Anforderungen aufgrund der hohen Schichtanforderungen und den gegenüberstehenden Prozeß- Sensibilitäten zu beachten, daß die Gasflüsse in jedes einzelne der Gefäße gleichzeitig, zeitlich konstant mit gleichem Massenfluß und Einzelgasdruck und Totaldruck einzuspeisen sind.
Ein naheliegende, jedoch aus den nachstehend erläuter¬ ten Gründen unpraktikable Lösung dieses Problems wäre es, jedes Gas aus einer Versorgung, beispielsweise einer zentralen Versorgungsleitung oder einem lokalen Gas-Behälter kommend durch einen Massenflußregler zu regeln und in eine zentrale Einspeisungsleitung einzu¬ speisen, aus der dann die jeweiligen Abzweigungen in die einzelnen parallel arbeitenden Gefäße erfolgen. Dies hat jedoch den Nachteil, daß die Gasmengen und die Drücke in den einzelnen Abzweigungsleitungen und nach¬ geschalteten Gefäßen beispielsweise aufgrund von Her¬ stelltoleranzen, die zu unterschiedlichen Strömungswi¬ derständen führen, in einem untragbaren Ausmaß schwan¬ ken können. Darstellung der Erfindung
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zum gleichzeitigen Einlassen eines Prozeßgases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern anzugeben. Insbesondere soll es die erfindungsgemäße Vorrichtung erlauben, verschiedene Gase und/oder Gasgemische aus jeweils nur einer gasspezifischen Versorgungseinrichtung über nur einen Gasmengensteller pro Gas derart in ein Gasver¬ teilersystem einzuspeisen, daß die Gasflüsse in diesem Gasverteiler zeitlich bezüglich Druck und Menge kon¬ stant sind, sich beim Umschalten zwischen den verschie¬ denen Gasen keine Druckschwankungen ergeben und somit Gasflußmengen und -drücke in den parallel arbeitenden Gefäßen in sehr engen Toleranzen gleich sind, so daß gleiche Beschichtungsergebnisse erzielt werden.
Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 angegeben. Weiterbildungen der Erfin¬ dung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Erfindungsgemäß weist die Vorrichtung zum gleichzeiti¬ gen Einlassen wenigstens eines Prozeßgases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern folgende Elemente auf: eine Prozeßgas-Versorungseinrichtung, die insbeson¬ dere wenigstens einen Prozeßgas-Vorratsbehälter aufwei¬ sen kann, einen der Versorgungseinrichtung nachgeschalteten Gas-Massenflussregler, wenigstens ein Verteilerrohr mit großem Querschnitt, das eine Einlaßleitung, die mit dem Ausgangsanschluß des Massenflußreglers verbunden ist, und eine Mehrzahl von Auslaßleitungen aufweist, deren Zahl der Zahl von Reaktionskammern entspricht, und deren Querschnitt klein verglichen mit dem Querschnitt des Verteilerrohrs ist, jeweils ein Regelventil in jeder Auslaßleitung, dessen Ausgangsanschluß mit der jeweiligen Prozeßkammer verbunden ist.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind die einzelnen Vorratsbehälter über jeweils einen Gas- Massenflußregler mit dem (einzigen) Verteilerrohr ver¬ bunden.
Eine besonders bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung ist im Anspruch 3 angegeben. Die Verwendung einer an die Stirnseiten des Verteilerrohrs angeschlossenen Ringleitung, in der ein Druckregler vorgesehen ist, und die mit einem Gas-Auffangbehälter in Verbindung steht, hat zur Folge, daß der Druck im Verteilerrohr unabhän¬ gig von der Einspeisung und Abnahme aus dem Verteiler¬ rohr durch den Druckregler druckgeregelt wird. Dies hat zur besonderen Folge, daß an jedem der n Abnahmepunkte am Verteilerrohr, an die die Auslaßleitungen ange¬ schlossen sind, der gleiche Druck ansteht, der unabhän¬ gig vom Versorgungsdruck ist. Dies bedeutet in Verbin¬ dung mit der überdimensionierten Auslegung des Vertei¬ lerrohrs verglichen mit den Flußmengen, die aus den n Abnahmerohren entnommen werden, daß die Druckschwan¬ kungen soweit minimiert werden können, daß die Fluß- schwankungen unterhalb der für den jeweils auszuführen¬ den Prozeß kritischen Schwankungen liegen.
Eine weitere ausgestaltung ist im Anspruch 7 angegeben, bei der jeder Einlaß zu den Modulen noch einmal in zwei, vier, sechs,...2m (m ganzzahlig) Leitungen aufge¬ spalten wird. Dies geschieht (beispielsweise) durch Verwendung von T-Stücken, durch die jeweils eine Lei¬ tung in zwei Leitungen unterteilt wird. Jede bereits unterteilte Leitung kann dann nochmals unterteilt wer¬ den. Dabei wird für die Funktionalität dieses Prinzips vorausgesetzt, daß der Fluß-/Druckwiderstand jeder Leitung gleichbleibt. Entsprechend wird durch die Ver¬ wendung einer bestimmten Rohrlänge und von bestimmtem Winkelstücken ein definierter, einstellbarer Rohrwider¬ stand eingesetzt.
Die Aufspaltung der Leitungen ist natürlich hinter oder vor den jeweiligen Regel- und/ oder Umschaltventilen möglich.
Bei der im Anspruch 12 gekennzeichneten Weiterbildung ist vorgesehen, daß zur Vermeidung von Kondensation der mit hohem Druck zugeführten Gase die verschiedenen Leitungen bzw. Rohre heizbar sind. Dabei ist von beson¬ derem Vorteil, daß erfindungsgemäß nicht alle Gase separat eingeleitet und damit separat temperiert werden müssen. Vielmehr kann das Verteilerrohr mit den Abnah¬ mestellen auf eine einheitliche Temperatur gebracht werden, so daß alle hierdurch eventuell entstehenden Schwankungen vermieden werden.
Kurze Beschreibung der Zeichnung
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausfüh- rungsbeispiels unter Bezugnahme auf die einzige Figur der Zeichnung näher beschrieben, die schematisch eine Vorrichtung zum gleichzeitigen Einlassen eines Proze߬ gases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern zeigt. Beschreibung eines Ausführungsbeispiels Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist wenigstens einen Prozeßgas-Vorratsbehälter 1, einen dem Vorratsbehälter 1 nachgeschaltetem Gas-Massenflussregler MFC und ein Verteilerrohr 2 mit großem Querschnitt auf. Das Vertei¬ lerrohr 2 ist über eine Einlaßleitung mit dem Ausgangs¬ anschluß des Massenflußreglers MFC verbunden. Ferner sind an das Verteilerrohr 2 insgesamt n Auslaßleitungen angeschlossen, die das Verteilerrohr 2 über Regelventi¬ le 3 mit n Reaktionskammern (Modul 1... odul n) verbin¬ den. Der Querschnitt der n Auslaßleitungen ist klein verglichen mit dem Querschnitt des Verteilerrohrs 2.
Weiterhin sind Umschaltventil-Einheiten 4 vorgesehen, durch deren Betätigung der Gasfluß von der jeweiligen Prozeßkammer zu einem .Abgas-Reservoir (Vent-Reservoir) umgeschaltet wird. Die Umschaltventil-Einheiten können dabei aus jeweils mehreren Ventilen aber auch aus je einem Ventil bestehen.
Für die gleichmäßige Aufteilung der von jeweils nur einem Massenflußregler MFC gelieferten Gasmengen auf mehrere Prozeßkammern (Modul 1 ... Modul n) ist die Verwendung des im Durchmesser dicken Verteilerrohr 2 mit der Anzahl von Reaktionsmodulen entsprechenden, dünneren Auslaßleitungen entscheidend. Aufgrund des großen Durchmessers kann das Verteilerrohr (oder gege¬ benenfalls die Verteilerrohre) als Reservoirvolumen für das jeweilige Prozeßgas betrachtet werden. Das Prozeß- gas wird in der Mitte des Rohres über den Massenflu߬ regler MFC eingespeist. Über die Regelventile können die Flußmengen zu den einzelnen Gefäßen eingestellt werden. Der Fluß wird bestimmt durch die Ventilposi- tion, aber auch durch die Drücke sowohl im Verteiler¬ rohr als auch in den Beschichtungsgefäßen.
Um auch eine gleichmäßige Druckverteilung auf alle Ge¬ fäße zu gewährleisten, werden daher die Prozeßgase in jeweils ein Verteilerrohr mit großen Durchmesser aus einem Gas-Vorratsbehälter oder über ein anderes Sammel¬ rohr mit großem Durchmesser eingespeist und über ein weiteres Sammelrohr (Pump-Reservoir) mit großem Durch¬ messer abgepumpt. Die Hauptabpumpleitung ist hier eben¬ so, wie schon beim Gasverteiler, in der Mitte des Roh¬ res angeschlossen. Die Prozeßdruckregelung kann stan¬ dardmäßig mittels Druckregelventile erfolgen. Die Posi¬ tion der Druckregelventile ist nicht nur auf die in der Zeichnung angegebenen beschränkt, sie könnten vielmehr auch zwischen den jeweiligen Modulen und dem Pump- Reservoir lokalisiert sein. Die Verteiler und Sammel¬ rohre sind mit in der Dimension äquivalenten Ein-/Ab- gängen ausgerüstet und an ihren Stirnseiten mit einer Ringleitung mit Druckregler versehen. Der Druck im Rohr wird über diese an beiden Stirnflächen angeschlossene Ringleitung mit Druckregelkreiε geregelt. Aufgrund der vernachlässigbaren Druckabfälle parallel zum Rohr steht an jedem der Abgänge zum Beschichtungsgefäß der gleiche Druck an. Relative Druckabfälle gegenüber den einzelnen Abgängen sind vernachlässigbar.
Um ein druckstabiles Schalten der Prozeßgase zu gewähr¬ leisten, werden alle Gaszuleitungen mit einer Vent/Run- Umschaltmöglichkeit versehen. Entsprechend wird das Regelventil ständig durchflössen, wobei stromab des Regelventils zwischen "Vent" und "Run" (i.e. Beschich¬ ten) umgeschaltet werden kann. Geringste Druckschwan¬ kungen bei der Umschaltung von Prozeßgasen werden ver- mieden, indem die Vent-Sammelrohre auch in der gleichen Größe wie die Run-Verteilerrohre ausgeführt werden. Sie sind ebenfalls über eine an den Stirnseiten angeschlos¬ sene Ringleitung druckgeregelt. Der Druck in dem Ver¬ teiler-, Sammel-und Vent-Rohr entspricht dem Proze߬ druck unter Berücksichtigung der Druckabfälle über den Leitungen.
Die Dimensionen der einzelnen Komponenten (z.B. Dicke der Leitungen) sind auf die besondere Verwendung abzu¬ stimmen.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e
1. Vorrichtung zum gleichzeitigen Einlassen eines Prozeßgases in eine Mehrzahl von Reaktionskammern mit einer Prozeßgas-Versorgungseinrichtung, einem der Versorgungseinrichtung nachgeschaltetem Gas-Massenflussregler, wenigstens einem Verteilerrohr, mit großem Quer¬ schnitt, das eine .Einlaßleitung, die mit dem Aus¬ gangsanschluß des Massenflußreglers verbunden ist, und eine Mehrzahl (n) von Auslaßleitungen ausweist, deren Zahl der Zahl von Reaktionskammern ent¬ spricht, und deren Querschnitt klein verglichen mit dem Querschnitt des Verteilerrohrs ist, und jeweils einem Regelventil in jeder Auslaßleitung, dessen Ausgangsanschluß mit der jeweiligen Proze߬ kammer verbunden ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einlaßleitung mittig in das Verteilerrohr mündet.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an die Stirnseiten des Verteilerrohrs eine Ringleitung angeschlossen ist, in der ein Druckregler vorgesehen ist, und die mit einem Gas-Auffangbehälter in Verbindung steht.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß stromabwärts von mindestens einem Regelventil mindestens eine weitere Unterteilung mindestens einer Leitung durch jeweils mindestens ein T-Stück erfolgt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum druckstabilen Schalten des Prozeßgases stromabwärts von dem jeweiligen Regel¬ ventil eine Umschaltventil-Einheit vorgesehen ist, die den Prozeßgas-Strom von der jeweiligen Prozeßkammer zu einem Abgas-Reservoir umschaltet.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Abgas-Reservoir eben¬ falls ein Rohr mit großem Querschnitt verglichen mit dem Querschnitt der Auslaßleitungen ist, und daß das Abgas-Reservoir zumindest mit allen Umschaltventilen für das jeweilige Prozeßgas verbunden ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß an die Stirnseiten des Abgas-Reservoirs eine Ringleitung angeschlossen ist, in der ein Druckregler vorgesehen ist, und die mit einem Gas-Auffangbehälter in Verbindung steht.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Prozeßkammern mit einem Pump-Reservoir verbunden sind, an das ein Pump¬ system angeschlossen ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Gas-Versorgungseinrich¬ tung wenigstens einen Vorratsbehälter aufweist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Prozeßgasversorgungs¬ einrichtung für jedes Prozeßgas einen Vorratsbehälter aufweist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Vorratsbehäl¬ ter über jeweils einen Gas-Massenflußregler mit dem Verteilerrohr verbunden sind.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zur Vermeidung von Konden¬ sation der mit hohem Druck zugeführten Gase die ver¬ schiedenen Leitungen bzw. Rohre heizbar sind.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschaltventil-Einhei¬ ten aus jeweils einem Ventil besteht.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß statt einer Verbindung des jeweiligen Regelventils mit der jeweiligen Prozesskam¬ mer über dessen Ausgangsanschluß dessen Eingangsan¬ schluß verwendet wird.
PCT/DE1994/000032 1993-01-15 1994-01-17 Vorrichtung zum gleichzeitigen einlassen wenigstens eines prozessgases in eine mehrzahl von reaktionskammern Ceased WO1994015707A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4300989.1 1993-01-15
DE4300989 1993-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO1994015707A2 true WO1994015707A2 (de) 1994-07-21
WO1994015707A3 WO1994015707A3 (de) 1994-09-01

Family

ID=6478289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1994/000032 Ceased WO1994015707A2 (de) 1993-01-15 1994-01-17 Vorrichtung zum gleichzeitigen einlassen wenigstens eines prozessgases in eine mehrzahl von reaktionskammern

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE4401156A1 (de)
WO (1) WO1994015707A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0722909A1 (de) * 1995-01-20 1996-07-24 Heraeus Quarzglas GmbH Vorrichtung zur Aufteilung eines Gasstromes in mehrere Teilgasströme

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH687258A5 (de) * 1993-04-22 1996-10-31 Balzers Hochvakuum Gaseinlassanordnung.

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5980325A (ja) * 1982-10-29 1984-05-09 Fujitsu Ltd 反応ガス分配方法
JPS6279837A (ja) * 1985-10-04 1987-04-13 Canon Inc ガス混合装置
JPH0698292B2 (ja) * 1986-07-03 1994-12-07 忠弘 大見 超高純度ガスの供給方法及び供給系
JPH0644986B2 (ja) * 1988-05-08 1994-06-15 忠弘 大見 プロセスガス供給配管装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0722909A1 (de) * 1995-01-20 1996-07-24 Heraeus Quarzglas GmbH Vorrichtung zur Aufteilung eines Gasstromes in mehrere Teilgasströme

Also Published As

Publication number Publication date
DE4401156A1 (de) 1994-09-22
WO1994015707A3 (de) 1994-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10300029B4 (de) Massenstrom-Verhältnis-System und -Verfahren
DE10197206B4 (de) System und Verfahren zur Aufteilung einer Strömung
EP2188420B1 (de) Vorrichtung zum dosieren und einspeisen flüssiger stoffe
DE69826804T2 (de) Flüssigkeitsverteilvorrichtung und Verfahren
DE2649602A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum vermischen von mindestens zwei fluiden bestandteilen
WO2008012073A1 (de) Vorrichtung und ein verfahren zur handhabung von multikomponenten-gemischen
DE69003941T2 (de) Verfahren zum Abgeben einer Gasmischung.
WO1994015707A2 (de) Vorrichtung zum gleichzeitigen einlassen wenigstens eines prozessgases in eine mehrzahl von reaktionskammern
DE2704551A1 (de) Temperatursteuersystem
DE69207391T2 (de) Verfahren und vorrichtung für kontinuierliches und statisches mischen dünner schichten
DE10250406B4 (de) Reaktionsvorrichtung und Mischsystem
DE19725345C2 (de) Schmiervorrichtung
DE2151788A1 (de) Stroemungssteuervorrichtung
WO2000024522A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum dosieren und mischen unterschiedlicher komponenten
DE10020162A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Massivstoff oder Schaumstoff bildenden, fließfähigen Reaktionsgemisches
EP0155683B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zubereiten von Flüssigkeiten zum Düngegiessen von Pflanzen für Haushalt oder Hobbygärtner
EP1124641A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum mechanischen trennen eines dispersen systems
DE10020089B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum dosierten Einbringen eines Flüssigkeitsvolumenstroms in ein System
DE3143074A1 (de) Einrichtung zur druck- und stromregelung einer verstellbaren pumpe
EP3752590B1 (de) Verfahren zur begasung von bioreaktoren sowie begasungssystem
DE3220880C2 (de) Verfahren zum Mischen von Beton-Trockengemisch und Wasser beim Beton-Trockenspritzen und Mischrohr zum Beton-Trockenspritzen
DE3137074A1 (de) Anlage zum elektrostatischen beschichten von werkstuecken mit einer fluessigkeit
EP1259332A1 (de) Verfahren und leitungssystem zur beeinflussung des tropfenspektrums von fluiden stoffen bei deren zerstäubung
DE4142916C1 (en) Conveying solid particles over long distance - involves conveying pipe projecting through perforated distribution plate inside distribution container and small conveying pipes in upper part
DE3432440A1 (de) Anordnung zum aufbereiten von mit co(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) und h(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)co(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts) angereichtertem giesswasser

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase