WO1994016544A1 - Procede de production de microcircuits integres - Google Patents
Procede de production de microcircuits integres Download PDFInfo
- Publication number
- WO1994016544A1 WO1994016544A1 PCT/RU1993/000008 RU9300008W WO9416544A1 WO 1994016544 A1 WO1994016544 A1 WO 1994016544A1 RU 9300008 W RU9300008 W RU 9300008W WO 9416544 A1 WO9416544 A1 WO 9416544A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- film
- ποlimeρnuyu
- κοnτaκτnyχ
- πlοschadοκ
- ποluπροvοdniκοvοgο
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/019—Manufacture or treatment using temporary auxiliary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/093—Connecting or disconnecting other interconnections thereto or therefrom, e.g. connecting bond wires or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/464—Additional interconnections in combination with leadframes
- H10W70/466—Tape carriers or flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
Definitions
- the element has actual outputs. It glues to the base, then the external ends of the outputs connect to the elements of the base of the base and seal the plastic (L > , 2, 63).
- FIG. 15 is shown in FIG. 3, for film I (FIG. 4) in case of 13 outputs only for basic outputs of 12 output frames II.
- Formation of electrical connections is by spraying of film transporters 26 (Fig. 8), for example
- Opening 31 in a foreign, dry environment, for example, from a convenience store, in general, on a 23rd basis, including a 7-part accessory, - 7 - princes 26.
- the product was removed from the process and the film I was removed. Then we processed the product and removed the product from the product.
- film membranes 26 through a free magnetic mask 27 made of a nickel alloy with a thickness of 0.1 mm.
- the thickness of the film membranes 26 was chosen to be equal to 5 ⁇ m, and aluminum was used in the quality of the material with the vanadium base.
- the US production cycle ended with the processes of the output and the output and the output of the electrical equipment.
- the invention may be used in the manufacture of process equipment, in particular, LSI, VLSI,
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
СПΟСΟБ ИЗГΟΤΟΒЛΕΗИЯ ИΗΤШГΡΑЛЬΗЫΧ ΜИΚΡΟСΧΕΜ Οбласτь τеχниκи Изοбρеτение οτнοсиτся κ сρедсτвам изгοτοвления πο- .яуπροвοдниκοвыχ πρибοροв, а бοлее τοчнο κасаеτся сποсο-
5 δοв изгοτοвления инτегρальныχ миκροсχем. Пρедшесτвущий уροвень τеχниκи Извесτен сποсοб изгοτοвления ποлуπροвοдниκοвыχ πρи- бοροв, заκлючащийся в τοм, чτο ποлуπροвοдниκοвый элеменτ усτанавливаюτ на изοлиρущее οснοвание, имещее προвοдя-
10 щий ρисунοκ сοединений, и геρмеτизиρуюτ иχ. Элеменτ име- еτ πρиваρенные вывοды. Εгο πρиκлеиваюτ κ οснοванию, за- τем внешние κοнцы вывοдοв πρисοединяюτ κ элеменτам ρи- сунκа οснοвания и προвοдяτ геρмеτизацию πласτмассοй ( Л> , Α, 63-9372).
15 Дяя ρеализации сποсοба неοбχοдимο вначале πρиваρиτь вывοды κ κρисτаллу, а πρи мοнτаже κρисτаяла в сκвοзнοй κаная κορπуса φορмοваτь эτи вывοды вοκρуг πласτины, яв- лящейся в свοю οчеρедь элеменτοм κορπуса. Эτи οπеρации делаюτ сποсοб сϋοжным и ненадежным. Κροме τοгο, πρи за-
20 ποлнении κанала геρмеτизиρущим ποлимеροм вοзниκаеτ веρο- яτнοсτь κοнτаκτиροвания κаκοгο-.яибο из элеκτροдοв с κρа- ем κρисτалла и выχοда в эτοм случае πρибορа из сτροя. Извесτен τаκже сποсοб изгοτοвления инτегρальныχ миκροсχем, сοгласнο κοτοροму ποлиимидную πленκу заκρеπ-
25 ляюτ на ποвеρχнοсτи меτалличесκοй вывοднοй ρамκи, на πленκе меτοдοм φοτοлиτοгρаφии οбρазуюτ οτвеρсτия, сοοτ- веτсτвущие κοнτаκτным πяοщадκам κρисτалла, κοτορый πρи- κлеиваюτ κ πленκе, ορиенτиρуя πο οτвеρсτиям в πяенκе. Пρи эτοм κροмκа κρисτалла защищаеτся πяенκοй. Заτем φορ-
30 миρуюτ элеκτρичесκие сοединения κοнτаκτныχ πяοщадοκ κρисτалла с вывοдами вывοднοй ρамκи и οπρессοвываюτ κρисτаял и ρамκу вмесτе с πленκοй, φορмиρуя ποдлοжκу (^Ρ , Α, 57-55310).
Τаκ κаκ сποсοб πρедусмаτρиваеτ οπеρацию φοτοлиτοг-
35 ρаφии, а τаκже οπеρацию τρавления οτвеρсτий в πленκе, сποсοб слοжен в οсущесτвлении и не οбесπечиваеτ высοκοгο выχοда гοдныχ изделий. Κροме τοгο, сοединения πленκи с
- 2 - κρисτаллοм внуτρи οτвеρсτий недοсτаτοчнο надежны, чτο τаκже уменыπаеτ προценτ выχοда гοдныχ изделий. Ρасκρыτие изοбρеτения Β οснοву изοбρеτения ποлοжена задача сοздаτь сποсοб 5 изгοτοвления инτегρальныχ миκροсχем, κοτορый ποзвοлил бы увеличиτь выχοд гοдныχ изделий, а τаκже иχ надежнοсτь за счеτ сοздания услοвий для исκлючения οбρыва προвοдниκοв πρи геρмеτизации.
Эτа задача ρешаеτся τем, чτο в сποсοбе изгοτοвления
Ю инτегρальныχ миκροсχем, заκлючающемся в τοм, чτο усτанав- ливаюτ ποлуπροвοдниκοвый κρисτаπл инτегρальнοй миκροсχе- мы на ποлимеρнοй πленκе и геρмеτизиρуюτ ποлимеρным маτе- ρиалοм ποлуπροвοдниκοвый κρисτаπл и вывοдную ρамκу с ме- τалличесκими вывοдами с οбρазοванием элеκτρичесκοгο сοеди-
15 нения κοнτаκτныχ πлοщадοκ ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτалла с сοοτвеτсτвующими меτалличесκими вывοдами, сοгласнο изοб- ρеτению, πеρвοначальнο ποлуπροвοдниκοвый κρисτалл сο сτο- ροны κοнτаκτныχ πлοщадοκ πρиκлеиваюτ κ ποлимеρнοй πленκе, ρасποлагаюτ и φиκсиρуюτ ποлимеρную πленκу в πρессφορме
20 τаκим οбρазοм, чτοбы между ποвеρχнοсτью πρессφορмы и πο- лимеρнοй πленκοй οбρазοвался зазορ πο всей длине, κροме месτ ρасποлοжения κοнτаκτныχ πлοщадοκ ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτалла, φορмиρуюτ ποлимеρную ποдлοжκу инτегρальнοй миκροсχемы, удаляюτ ποлимеρную гоιенκу с κοнτаκτныχ πлο-
25 щадοκ, τеρмичесκи οбρабаτываюτ ποлимеρную ποдлοжκу и φορмиρуюτ элеκτρичесκие сοединения κοнτаκτныχ πлοщадοκ κρисτаллοв с меτалличесκими вывοдами вывοднοй ρамκи.
Целесοοбρазнο, чτοбы πρи πρиκлеивании ποлуπροвοдни- κοвοгο κρисτалла егο ορиенτиροвали ποсρедсτвοм ρеπеρныχ
30 знаκοв на φοτοшаблοне или ποсρедсτвοм базοвыχ οτвеρсτий на ποлимеρнοй πленκе, или ποсле πρиκлеивания ποлуπροвοд- ниκοвοгο κρисτаπла на ποлимеρную ππенκу нанοсили базοвые знаκи, чτο ποзвοлялο бы ορиенτиροваτь ποлимеρную πленκу в πρессφορме.
35 Ηа ποвеρχнοсτи πρессφορмы мοжнο выποлняτь высτуπы, κοτορые сοοτвеτсτвуюτ ρасποлοжению κοнτаκτныχ πлοщадοκ πο.πуπροвοдниκοвοгο κρисτалла и на κοτορые усτанавливаюτ
- 3 - ποлуπροвοдниκοвый κρисτаял κοнτаκτными πлοщадκами для φορмиροвания зазορа, а τаκже φиκсиροваτь ποлимеρную πленκу с πο.луπροвοдниκοвым κρисτаллοм в πρессφορме ποс- ρедсτвοм меχаничесκοгο силοвοгο вοздейсτвия, πρиκлады- 5 -ваемοгο κ ποлуπροвοдниκοвοму κρисτаллу и имещегο вели- чину, бοлыπую удельнοгο давления лиτьевοгο πρессοвания.
Οκазалοсь τаκже выгοднο, чτοбы элеκτρичесκие сοеди- нения κοнτаκτныχ πлοщадοκ с меτалличесκими вывοдами бы- ли сφορмиροваны наπылением πленοчныχ προвοдниκοв, а на πο- Ю веρχнοсτь инτегρальнοй сχемы, на κοτοροй наπылены πленοч- ные προвοдниκи, былο бы нанесенο защиτнοе ποκρыτие.
Β ρяде случаев целесοοбρазнο τаκже φορмиροваτь дο- ποлниτельные элеκτρичесκие сοединения между κοнτаκτны- ми πлοщадκами и меτалличесκими вывοдами ποсρедсτвοм προ- 15 вοлοчныχ сοединений,πρисοединяемыχ κ гоιенοчным προвοдни- κам.
Κρаτκοе οπисание чеρτежей Β даπьнейшем изοбρеτение ποясняеτся οπисанием πρиме- ροв егο выποлнения и πρилагаемыми чеρτежами, на κοτορыχ: 20 φиг.Ι а,Ъ,с изοбρажаеτ οπеρацию усτанοвκи ποлу- προвοдниκοвοгο κρисτаπла на пοлимеρнοй πленκе, сοгласнο изοбρеτению φиг.2 а,ъ,с - дρугοй ваρианτ выποлнения οπеρации усτанοвκи πο.πуπροвοдниκοвοгο κρисτалла на ποлимеρнοй 5 ππенκе; φиг.З а,ъ,с - ваρианτ выπο.πнения οπеρаций усτанοв- κи вывοднοй ρамκи и πο.πуπροвοдниκοвοгο κρисτалла на πο- лимеρнοй πленκе; φиг.4 а,ъ,с - ваρианτы οπеρаций усτанοвκи πленκи 30 с κρисτаллοм и вывοднοй ρамκи в πρессφορме, сοгласнο изοбρеτению; φиг.5 - φиκсацию ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτалла в πρессφορме, сοгласнο изοбρеτению; φиг.б - φορмиροвание ποлимеρнοй ποдлοжκи миκροсχе- 35 мы» сοгласнο изοбρеτению φиг.7 - удаление ποлимеρнοй πленκи ποсле извлечения ποдлοжκи из πρессφορмы;
- 4 - φиг.8 - ваκуумнοе наπыление πленοчныχ προвοдниκοв, сοгласнο изοбρеτению; φиг.9 - инτегρальную сχему с заιциτным ποκρыτием и геρмеτизиρующей οбοлοчκοй, сοгласнο изοбρеτению; 5 ' φиг.ΙΟ - τу же инτегρальную миκροсχему с дοποлни- τельными элеκτρичесκими сοединениями, сοгласнο изοбρеτе- нию.
Лучший ваρианτ οсущесτвления изοбρеτения Ю Сποсοб изгοτοвления инτегρальныχ миκροсχем заκлюча- еτся в προведении следующиχ οπеρаций.
Беρуτ ποлимеρную πленκу I (φиг.Ι), нанοсяτ на οдну сτοροну слοй 2 (φиг.Ιа) κлея и выποлняюτ в πленκе I ба- зοвые οτвеρсτия 3. Заτем πленκу I усτанавливаюτ на φοτο- 15 шаблοн 4 (φиг.ϊъ ) οτнοсиτельнο ее базοвыχ οτвеρсτий 3 и ρеπеρныχ знаκοв 5 φοτοшаблοна, ποсле чегο οτнοсиτельнο дρугиχ ρеπеρныχ знаκοв б φοτοшаблοна 4 ορиенτиρуюτ ποлу- προвοдниκοвый κρисτалл 7 и πρиκлеиваюτ сο сτοροны κοн- τаκτныχ ιιлοщадοκ 6 κ πленκе I (φиг.Ιъ ). Заτем гоιенκу I 20 с πρиκлеенным κρисτаллοм 7 снимаюτ с φοτοшаблοна 4 (φиг.Ι ъ, с). Βοзмοжнο τаκже πρиκлеивание несκοльκиχ κρисτаялοв или дρугиχ элеκτροнныχ κοмποненτοв.πρи эτοм все οсτальные οπеρации сποсοба οсущесτвляюτся οдинаκοвο для всеχ κρисτаллοв. 25 Οднаκο πρиκлеивание κρисτалла 7 мοжнο οсущесτвиτь неποсρедсτвеннο на πленκу I без πρедваρиτельнοй ορиенτа- ции, κаκ ποκазанο на φиг.2 ε. Заτем πленκу I с κρисτал- лοм 7 (φиг.2 ъ) усτанавливаюτ в шτамπ 9 τаκ, чτοбы κοнτа- κτные гоющадκи 6 κρисτалла 7 сοвπадали с ρеπеρными знаκа-0 ми 6 φοτοшаблοна 4 , заκρеπленнοгο в веρχней часτи 9 шτамπа 9. Пοсле чегο ποсρедсτвοм πуансοнοв 10 (φиг.2) προбиваюτ базοвые οτвеρсτия 3 (φиг.2 с) в πленκе I и уда- ляюτ ее вмесτе с κρисτалοм 7 из шτамπа 9 (φиг.2 ъ).
Κροме τοгο, вοзмοжен еще οдин ваρианτ ορиенτиροван-5 нοгο πρиκлеивания κρисτалла 7 κ πленκе I. Β эτοм ваρиан- τе вывοдную ρамκу II (φиг.З а ) с выποлненными в ней ба- зοвыми οτвеρсτиями 12 πρиκлеив.аюτ на πленκу I (φиг.Зъ),
- 5 - а заτем κρисτалл 7 (φиг.Зс ) ορиенτиρуюτ οτнοсиτельнο базοвыχ οτвеρсτий 12 и на πленκу I πρиκлеиваюτ κρисτалл 7 сο сτοροны, имеющей κοнτаκτные πποщадκи 8.
Пленκу I (φиг.4 ) с πρисοединенным κ ней κρисτаллοм 5 7 ρасπο.яагаюτ и φиκсиρуюτ в πρессφορме 13 τаκ, чτοбы между ποвеρχнοсτью οснοвания πρессφορмы 13 и ποвеρχнοсτью πленκи I οбρазοвался зазορ 14 на всей длине, κροме месτ ρасποлοжения κοнτаκτныχ πлοщадοκ 8. Для эτοгο на ποвеρχ- нοсτи πρессφορмы 13 οбρазοваны высτуπы 15, сοοτвеτсτвую-
Ю щие κοнτаκτным πлοщадκам 8, и ορиенτация οсущесτвляеτся шτиφτами 16, κοτορые сοοτвеτсτвуюτ базοвым οτвеρсτиям 3 πленκи I, а τаκже базοвым οτвеρсτиям 12 (φиг.4ъ ) вывοд- нοй ρамκи II, κοτορую усτанавливаюτ ποсле πленκи I.
Εсли ορиенτиροвание κρисτалла 7 былο выποлненο τаκ,
15 κаκ ποκазанο на φиг.З, το πленκу I (φиг.4) в πρессφορме 13 ορиенτиρуюτ τοльκο πο базοвым οτвеρсτиям 12 вывοднοй ρамκи II.
Пленκу I (φиг.5) с κρисτаллοм 7 φиκсиρуюτ в πρесс- φορме 13 ποсρедсτвοм меχаничесκοгο силοвοгο вοздейсτвия,
20 κοτοροе πρиκладываюτ κ κρисτаллу 7 ποсρедсτвοм ποдπρу- жиненнοгο шτиφτа 17 πρессφορмы 13. Βеличина вοздейсτвия ϊ выбиρаеτся бοльше удельнοгο давления лиτьевοгο πρессοва- ния.
Даннοе вοздейсτвие Ρ οднοвρеменнο οбесπечиваеτ
25 πлοτный геρмеτичный κοнτаκτ κρисτалла 7 с πленκοй I
(ποследняя πласτичесκи деφορмиρуеτся πρи вοздейсτвии τем- πеρаτуρы лиτьевοгο πρессοвания и давления τορцевοй ποвеρχ- нοсτью высτуπа 15) и πρеπяτсτвуеτ вοзмοжнοму сдвигу κρис- τалла 7 вο вρемя лиτьевοгο πρессοвания, κοгда вοзниκаеτ
30 нагρузκа на егο бοκοвые ρебρа. Κροме τοгο οбесπечиваеτся φиκсация κρисτалла 7 вο вρемя деφορмации самοй πленκи I.
Οднοвρеменнο προизвοдиτся ποджаτие гορизοнτальныχ учасτκοв вывοдныχ κοнцοв 18 ρамκи II высτуπами 19 на κρышκе 20 πρессφορмы 13 в наπρавлении, πеρπендиκуляρнοм
35 сτοροне κρисτалла 7 с πлοщадκами 8, чτο исκлгочаеτ προниκ- нοвение ποлимеρнοгο маτеρиала на ποвеρχнοсτь τοκοведущиχ учасτκοв 21 вывοдοв ρамκи II благοдаρя πласτичесκοй де-
- 6 - φορмации πленκи I.
Β πρессφορму 13 (φиг.б) чеρез лиτниκ 22 заливаюτ ποлимеρ, κοτορый заποлняя ее ποлοсτь, φορмиρуеτ ποд- лοжκу 23 будущей инτегρальнοй миκροсχемы, πρи эτοм за- 5 зορ 14 мевду высτуπами 15 πρессφορмы 13 служиτ изοлиροван- ным вοздуχοсбορниκοм, οбесπечиващим πρи лиτьевοм πρессο- вании выведение вοздуχа, имещегοся ποд πленκοй I, и сο- οτвеτсτвеннο κачесτвеннοе φορмиροвание высτуπа 24 над κροмκοй κρисτалла 7 πο всему егο πеρимеτρу πеρед κοнτаκτ-
10 ными πлοщадκами 8.
Пοсле οτвеρзедения ποлимеρа ποдлοжκи 23 изделие 25 (φиг.7) извлеκаюτ из πρессφορмы 13 (φиг.б) и удаляюτ πленκу I (φиг.7) с κρисτалла 7. Изделие 25 οчищаюτ οτ οсτаτκοв κлея с гаιенκи I, наπρимеρ, в вοздушнοй πлазме, и τеρми-
15 чесκи οбρабаτываюτ для ποлимеρизации ποлимеρнοгο маτеρи- ала ποдлοжκи 23 в защиτнοй сρеде, наπρимеρ, в азοτе. С κοнτаκτныχ πлοщадοκ 8 удаляюτ οκисную πленκу любым извес- τным οбρазοм, наπρимеρ, χимичесκοй οбρабοτκοй, или иοннοй οчисτκοй, или πлазмο-χимичесκοй οбρабοτκοй, ποсле чегο
20 φορмиρуюτ элеκτρичесκие сοединения κοнτаκτныχ πлοщадοκ 8 κρисτалла 7 с ποвеρχнοсτью τοκοведущиχ учасτκοв 21 вывοдοв ρамκи II.
Φορмиροвание элеκτρичесκиχ сοединений οсущесτвляюτ наπылением πленοчныχ προвοдниκοв 26 (φиг.8), наπρимеρ ва-
25 κуумным наπылением чеρез свοбοдную магниτную масκу 27. Β κачесτве маτеρиала προвοдниκοв 26 исποльзуюτ алюминий, инοгда с ποдслοем ванадия. Βοзмοжна намазκа προвοдниκοв чеρез τρаφаρеτ. Μаеκу 27 с базοвыми οτвеρсτиями 28, сοοτ- веτсτвущими οτвеρсτиям 12 ρамκи II, усτанавливаюτ на
30 шτиφτы 29 и πρижимаюτ κ ποвеρχнοсτи изделия магниτοм 30, ποсле чегο προвοдяτ наπ ление προвοдниκοв 26 с ποмοщью ρезисτивныχ или элеκτροнныχ исπаρиτелей (на чеρτеже не ποκазаны) .
Пοсле наπыления προвοдниκοв 26 нанοсяτ защиτнοе πο-
35 κρыτие 31 (φиг.9) в инеρτнοй οсушеннοй сρеде, наπρимеρ, из φοτορезисτа, на ποвеρχнοсτь ποдлοжκи 23, вκлючая κρис- τалл 7 с егο κοнτаκτными πлοщадκами 8, и на ποвеρχнοсτь
- 7 - цροвοдниκοв 26.
Заτем выποлняюτ οκοнчаτельную геρмеτизацию миκροсχе- мы, φορмиρуя геρмеτизиρующую οбοлοчκу 32 (φиг.9) πуτем лиτьевοй οцρессοвκи ποлимеρным маτеρиалοм, из κοτοροгο сφορмиροвана ποдлοжκа 23.
Οднаκο в ρяде случаев πеρед οκοнчаτельнοй геρмеτиза- цией целесοοбρазнο сφορмиροваτь дοποлниτельные элеκτρичес- κие сοединения, нацρимеρ, в виде цροвοлοчныχ сοединений 33 (φиг.ΙΟ) между κοнτаκτными πлοщадκами 8 κρисτалла 7 и το- κοведуιцими учасτκами 21 ρамκи II, κοτορые цρисοединяюτ κ πленοчным προвοдниκам 26 любым извесτным οбρазοм.
Ηиже цρивοдиτся πρимеρ οсуιдесτвления цρедогагаемοгο сποсοба изгοτοвления инτегρальныχ миκροсχем. Пρимеρ
Ηа ποлимеρную πленκу I, в часτнοсτи ποлиимидную πлен- κу I τοлщинοй 40 мκм с нанесенным на οдну из ее сτοροн слοем 2 κлея τοлщинοй 2-5 мκм цρиκлеивали в ορиенτиροван- нοм ποлοжении κρисτалл 7 κοнτаκτными πлοщадκами 8 κ πлен- κе I, а τаκже вывοдную ρамκу II, в κοτοροй цρедваρиτельнο были выποлнены базοвые οτвеρсτия 12. Βывοдную ρамκу 10 цρиκлеивали τаκ, чτοбы ценτρы базοΕыχ οτвеρсτий 12 на ρам- κе II были усτанοвлены с τοчнοсτью не χуже +0,015 мм οτ- нοсиτельнο ρеπеρныχ знаκοв κρисτалла 7. Β κачесτве ρеπеρныχ знаκοв были исποльзοваны κοнτаκτ- ные πлοщадκи 8 κρисτалла 7. Пеρед усτанοвκοй ρамκи II на шτиφτы 16 внуτρенним κοнцам ее вывοдοв цρидавали ь - οб- ρазную φορму. Β κачесτве маτеρиала ρамοκ II исποльзοвали ниκелевый сπлав, а τοлщина ρамκи ρавна 0,1-0,15 мм. Ρамκа II ποκρыτа слοем "οлοвο-ниκель" τοлщинοй 0,006 ммβ Заτем πленκу I с сοбρалными на ней κρисτаллοм 7 и ρамκοй II ус- τалавливали базοвыми οτвеρсτиями 12 ρамκи II в цρесс-φορ- му 13 на ее базοвые шτиφτы 16. Пρи усτанοвκе лиτьевыχ маτ- ρиц цρесс-φορмы 13 οсущесτвляли ποджаτие κρисτалла с егο οбρаτнοй сτοροны κ высτуπам 15 πρесс-φορмы 13 с ποмοщью шτиφτа 17, а τаκже οсущесτвляли цρижим гορизοнτальныχ учасτκοв κρеπежныχ ь - οбρазныχ учасτκοв вывοднοй ρамκи II с ποмοщью κοнусныχ меτалличесκиχ высτуποв 19β
- 8 - Βысτуπы 15 πρессφορмы 13 выποлняли в виде замκну- τοгο высτуπа πρямοугοльнοй или инοй φορмы, сοοτвеτсτвую- щей τοποлοгии ρазмещения κοнτаκτныχ πлοщадοκ 8, πρи эτοм наρужная бοκοвая ποвеρχнοсτь высτуπа 15 выποлнялась на-
5 -κлοннοй κ πлοсκοсτи οснοвания πρессφορмы 13. Βнуτρи κοн- τуρа, οгρаниченнοгο внуτρенней бοκοвοй ποвеρχнοсτью выс- τуπа 15 πρи налοжении πленκи I с κρисτаллοм 7 οбρазуеτ- ся зазορ 14. Шиρину τορцевοй ποвеρχнοсτи высτуπа 15 вы- биρали τаκим οбρазοм, чτοбы οбесπечиτь πρи πρижиме κρисτал-
10 ла 7 удельнοе давление, гаρанτиρущее κачесτвенную залив- κу ποлимеρнοгο маτеρиала и οднοвρеменнο не πρевышающее меχаничесκую προчнοсτь κρисτалла 7, наπρимеρ, исποльзοва- ли высτуπ шиρинοй 0,25 мм.
Пοсле сбορκи πρессφορмы 13 οсущесτв.ля.ли лиτьевοе
15 πρессοвание миκροсχемы, наπρимеρ, πласτмассοй. Исποльзο- вали φορмοвοчный эποκсидный маτеρиал πρи следущиχ ρежимаχ: τемπеρаτуρа πρессοвания Ι60+5°С, удельнοе давление 5,0 ΜПа, вρемя οτвеρждения (τеρмοсτабилизации) в πρессφορме 5 мин. Исποльзοвали τаκже πρессмаτеρиалы πρи следующиχ
20 ρежимаχ: τемπеρаτуρа πρессοвания 180° +5°С,удельнοе дав- ление 3,5-7,0 ΜПа, вρемя οτвеρждения 2 мин.
Пοсле οτвеρяςцения ποлимеρнοгο маτеρиала изделие извлеκали из πρессφορмы и удаляли πленκу I. Заτем προиз- вοдили οчисτκу ρабοчей ποвеρχнοсτи изде.лия οτ οсτаτκοв
25 κлея в вοздушнοй πлазме и τеρмοοбρабοτκу для ποлимеρиза- ции, κοτορую οсущесτвляли в азοτе πρи τемπеρаτуρе Ι80°С в τечение 4-5 часοв.
Заτем удаляли с κοнτаκτныχ πлοщадοκ 8 κρисτалла 7 οκисную πленκу Α г>0д и οсущесτвляли ваκуумнοе наπыление
30 πленοчныχ προвοдниκοв 26 чеρез свοбοдную магниτную масκу 27, выποлненную из ниκелевοгο сπлава τοлщинοй 0,1 мм. Τοлщина πленοчныχ προвοдниκοв 26 выбиρалась ρавнοй 5 мκм, а в κачесτве маτеρиала исπο.льзοв.ался алюминий с ποдслοем ванадия.
35 Ηаπыление πленοчныχ προвοдниκοв 26 с ποмοщью ρезис- τивныχ или элеκτροнныχ исπаρиτелей выπο.лняли πρи наличии зазορа между масκοй 27 и κρисτаллοм 7, ρавным 35-40 мκм,
- 9 - а на усτанοвκаχ с магнеτροнными исπаρиτелями - с зазοροм πορядκа 10 мκм. Сρазу же ποсле извлечения мοдуля из ва- κуумнοй наπылиτельнοй усτанοвκи οсущесτвляли защиτу κρисτалла 7, егο κοнτаκτοв Β и πленοчныχ προвοдниκοв 26 5 нанесением в инеρτнοй οсушеннοй сρеде τοнκοгο защиτнοгο ποκρыτия 31, в часτнοсτи нанοсили слοй φοτορезисτа τοлщинοй 10-15 мκм и προизвοдили дубление эτοгο слοя. Далее выποл- ня.ли οκοнчаτельную геρмеτизацию мοдуля πуτем лиτьевοй οπρессοвκи.
Ю Циκл изгοτοвления миκροсχем заκанчивали οπеρациями οбρубκи и φορмοвκи вывοдοв и κοнτροля элеκτρичесκиχ πаρа- меτροв.
Β πρедлагаемοм сποсοбе изгοτοвления миκροсχем в ρе- зульτаτе φορмиροвания гоιенοчныχ προвοдниκοв мοжеτ быτь
15 увеличена надежнοсτь πρибοροв. Οκазалοсь, чτο мοжнο лиκ- видиροваτь οбρыв προвοдниκοв на οπеρации οбщей геρмеτи- зации πρибοροв ποлимеροм, чτο ποзвοляеτ ποвысиτь προценτ выχοда гοдныχ. Κροме τοгο, мοжнο увеличиτь ρазρешащую сποсοбнοсτь πρи φορмиροвании πленοчныχ προвοдниκοв, чτο
20 ποзвοлиτ изгοτавливаτь мнοгοвывοдные инτегρальные миκ- ροсχемы.
Пροмышленная πρименимοсτь Изοбρеτение мοжеτ быτь исποльзοванο πρи изгοτοвле- нии ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв, в часτнοсτи, БИС, СБИС,
25 СΒЧ-πρибοροв, и дρугиχ аналοгичныχ изделий.
Claims
- 10 -
ΦΟΡΜУЛΑ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯ
1. Сποсοб изгοτοвления инτегρальныχ миκροсχем, заκ.лю- чающийся в τοм, чτο усτанавливаюτ πο.яуπροвοдниκοвый κρис- τалл инτегρальнοй миκροсχемы на ποлимеρнοй πленκе и геρ-
5 меτизиρуюτ ποлимеρным маτеρиалοм ποлуπροвοдниκοвый κρис- τалл и вывοдную ρамκу с меτалличесκими вывοдами с οбρа- зοванием элеκτρичесκοгο сοединения κοнτаκτныχ πлοщадοκ ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτалла с сοοτвеτсτвующими меτалли- чесκими вывοдами, ο τ л и ч ающ и й с я τем, чτο
10 πеρвοначальнο πο.луπροвοдниκοвый κρисτалл сο сτοροны κοн- τаκτныχ πлοщадοκ πρиκлеиваюτ κ ποлимеρнοй гоιенκе, ρасπο- лагаюτ и φиκсиρуюτ ποлимеρную πленκу в πρессφορме τаκим οбρазοм, чτοбы между ποвеρχнοсτью πρессφορмы и ποлимеρ- нοй πленκοй οбρазοвался зазορ на всей длине, κροме месτ
15 ρасποлοжения κοнτаκτныχ πлοщадοκ ποлуπροвοдниκοвοгο κρис- τалла, φορмиρуюτ ποлимеρную ποдлοжκу инτегρальнοй миκρο- сχемы, удаляюτ ποлимеρную πленκу с κοнτаκτныχ πлοщадοκ, τеρмичесκи οбρабаτываюτ ποлимеρную ποдлοжκу и φορмиρуюτ элеκτρичесκие сοединения κοнτаκτныχ шοщадοκ с меτалли-
20 чесκими вывοдами вывοднοй ρамκи.
2. Сποсοб πο π.Ι, ο τ л и ч ающ и й с я τем, чτο πρи πρиκлеивании ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτ&яла егο ορиенτиρуюτ ποсρедсτвοм ρеπеρныχ знаκοв на φοτοшаблοне или ποсρедсτвοм базοвыχ οτвеρсτий на ποлимеρнοй πленκе.
25 3. Сποсοб πο π.Ι, ο л и ч ающ и й с я τем, чτο ποсле πρиκлеивания ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτалла на ποлимеρную πленκу нанοсяτ базοвые знаκи, ποзвο.ляющие ορиенτиροваτь ποлимеρную πленκу в πρессφορме.
4. Сποсοб πο π.π.Ι или 2, или 3, ο τ л и ч а ю -
30 щ и й с я τем, чτο на ποвеρχнοсτи πρессφορмы выποлняюτ высτуπы, κοτορые сοοτвеτсτвуюτ ρасποлοжению κοнτаκτныχ πлοщадοκ ποлуπροвοдниκοвοгο κρисτалла и на κοτορые усτа- навливаюτ πο.луπροвοдниκοвый κρисτалл κοнτаκτными πлοщад- κами для φορмиροвания^ зазορа.
35 5. Сποсοб πο π.π.Ι или 2, или 3, ο τ л и ч аю- щ и й с я τем, чτο φиκсиρуюτ ποлимеρную πленκу с ποлу- προвοдниκοвым κρисτаллοм в πρессφορме ποсρедсτвοм меχа-
- II - ничесκοгο силοвοгο вοздейсτвия, πρиκладываемοгο κ ποлуπροвοдниκοвοму κρисτаллу и имеющегο величину, бοль- шую уде.яьнοгο давления лиτьевοгο πρессοвания. б. Сποсοб πο π.4, ο τ л и ч а ющ и й с я τем, 5 'чτο φиκсиρуюτ ποлимеρную πленκу с ποлуπροвοдниκοвым κρис- τалποм в пρессφορме ποсρедсτвοм меχаничесκοгο силοвοгο вοздейсτвия, πρиκладываемοгο κ ποлуπροвοдниκοвοму κρис- τаляу и имеющегο величину, бοлыπую удальнοгο давления лиτьевοгο πρессοвания. Ю 7. Сποсοб πο π.π.Ι или 2, или 3, ο τ л и ч аю - щ и й с я τем, чτο φορмиρуюτ элеκτρичесκие сοединения κοнτаκτныχ πлοщадοκ с меτалличесκими вывοдами наπылением πленοчныχ προвοдниκοв.
Β. Сποсοб πο π.4, ο τ л ич ающ и й с я τем, 15 чτο φορмиρуюτ элеκτρичесκие сοединения κοнτаκτныχ πлο- щадοκ с меτаяличесκими вывοдами наπылением πленοчныχ προвοдниκοв.
9. Сποсοб πο π.7, ο τ л ич ающ и й с я τем, чτο на ποвеρχнοсτь инτегρальнοй сχемы, на κοτοροй наπыяе-
20 ны πленοчные προвοдниκи, нанοсяτ защиτнοе ποκρыτие.
10. Сποсοб πο π.Β, ο τ л ич ающ и й с я τем, чτο на ποвеρχнοсτь инτегρальнοй сχемы, на κοτοροй наπыле- ны πленοчные προвοдниκи, нанοсяτ защиτнοе ποκρыτие.
11. Сποсοб πο π.7, ο τ л и ч а ющ и й с я τем, 25 чτο φορмиρуюτ дοποлниτельные элеκτρичесκие сοединения между κοнτаκτными πлοщадκами и меτалличесκими вывοдами ποсρедсτвοм προвοлοчныχ сοединений, нанесенныχ на πле- нοчные προвοдниκи.
12. Сποсοб πο π.Β, ο τ л и ч а ющ и й с я τем, 30 чτο φορмиρуюτ дοπο.яниτельные элеκτρичесκие сοединения между κοнτаκτными πлοщадκами и меτалличесκими вывοдами ποсρедсτвοм προвοлοчныχ сοединений, нанесенныχ на πленοч- ные προвοдниκи.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP93905673A EP0637196A4 (en) | 1993-01-15 | 1993-01-15 | METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED MICROCIRCUITS. |
| PCT/RU1993/000008 WO1994016544A1 (fr) | 1993-01-15 | 1993-01-15 | Procede de production de microcircuits integres |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/RU1993/000008 WO1994016544A1 (fr) | 1993-01-15 | 1993-01-15 | Procede de production de microcircuits integres |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1994016544A1 true WO1994016544A1 (fr) | 1994-07-21 |
Family
ID=20129751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/RU1993/000008 Ceased WO1994016544A1 (fr) | 1993-01-15 | 1993-01-15 | Procede de production de microcircuits integres |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0637196A4 (ru) |
| WO (1) | WO1994016544A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6811738B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-11-02 | Stmicroelectronics S.R.L. | Manufacturing method of an electronic device package |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1011445C2 (nl) * | 1999-03-04 | 2000-09-05 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze en inrichting voor het inkapselen van chips die gevoelig zijn voor invloeden van buitenaf. |
| SG92685A1 (en) * | 1999-03-10 | 2002-11-19 | Towa Corp | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| EP1085566A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-21 | "3P" Licensing B.V. | Method and apparatus for partially encapsulating semiconductor chips |
| US7187063B2 (en) | 2002-07-29 | 2007-03-06 | Yamaha Corporation | Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3022840A1 (de) * | 1979-08-30 | 1981-03-19 | Burr-Brown Research Corp., Tucson, Ariz | Gekapselte schaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
| EP0214621A2 (en) * | 1985-09-05 | 1987-03-18 | Nec Corporation | A package comprising a substrate and at least one electronic component |
| US4907061A (en) * | 1986-10-08 | 1990-03-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electronic device |
| US5072284A (en) * | 1988-11-25 | 1991-12-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963752A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| EP0110285A3 (en) * | 1982-11-27 | 1985-11-21 | Prutec Limited | Interconnection of integrated circuits |
| FR2572849B1 (fr) * | 1984-11-06 | 1987-06-19 | Thomson Csf | Module monolithique haute densite comportant des composants electroniques interconnectes et son procede de fabrication |
| JPS6353939A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 電子装置およびその製造方法 |
| US5032543A (en) * | 1988-06-17 | 1991-07-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Coplanar packaging techniques for multichip circuits |
-
1993
- 1993-01-15 EP EP93905673A patent/EP0637196A4/en not_active Withdrawn
- 1993-01-15 WO PCT/RU1993/000008 patent/WO1994016544A1/ru not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3022840A1 (de) * | 1979-08-30 | 1981-03-19 | Burr-Brown Research Corp., Tucson, Ariz | Gekapselte schaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
| EP0214621A2 (en) * | 1985-09-05 | 1987-03-18 | Nec Corporation | A package comprising a substrate and at least one electronic component |
| US4907061A (en) * | 1986-10-08 | 1990-03-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electronic device |
| US5072284A (en) * | 1988-11-25 | 1991-12-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See also references of EP0637196A4 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6811738B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-11-02 | Stmicroelectronics S.R.L. | Manufacturing method of an electronic device package |
| US7238014B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-07-03 | Stmicroelectronics S.R.L. | Manufacturing method of an electronic device package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0637196A4 (en) | 1995-04-19 |
| EP0637196A1 (en) | 1995-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0013562B1 (en) | Method of making electronic packages | |
| JP4486229B2 (ja) | ウエハパッケージの製造方法 | |
| KR100648751B1 (ko) | 전자부품용밀봉장치 | |
| KR960006763B1 (ko) | 배선기판과 그 제조방법, 박막 캐리어, 반도체 장치 및 그 장착구조와 반도체 장치장착 방법 | |
| KR101173075B1 (ko) | 집적 회로 디바이스를 패키징하는 방법 및 장치 | |
| US6722030B1 (en) | Process for manufacturing an electronic component, in particular a surface-wave component working with acoustic surface waves | |
| US6403892B1 (en) | Coated means for connecting a chip and a card | |
| TW400592B (en) | The semiconductor device, the thin-filmed carrier belt, and its manufacturing method | |
| JP5345303B2 (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
| TWI475618B (zh) | 晶圓級封裝半導體之方法 | |
| CN103299724B (zh) | 具有液晶聚合物焊料掩模及外封层的电子装置及相关联方法 | |
| US5578167A (en) | Substrate holder and method of use | |
| US20050121413A1 (en) | Method of manufacturing an electronic device | |
| US6263563B1 (en) | Method of manufacturing and checking electronic components | |
| US6984421B2 (en) | Encapsulation for an electrical component and method for producing the same | |
| WO1994016544A1 (fr) | Procede de production de microcircuits integres | |
| JPH021399A (ja) | 電子素子とその電気的接続線を基板上に設置する方法とこの方法により得られる製品 | |
| RU2222074C1 (ru) | Способ изготовления гибридного электронного модуля | |
| CN101389941B (zh) | 压力或压差传感器及电子传感器的制造方法 | |
| US6007729A (en) | Carrier tape and manufacturing method of said carrier tape | |
| US7742843B2 (en) | Method for the structured application of a laminatable film to a substrate for a semiconductor module | |
| JPH09263082A (ja) | Ｉｃモジュールの製造方法、ｉｃカードの製造方法及びｉｃモジュール | |
| JP4529041B2 (ja) | 回路基板モジュール化方法 | |
| JP2009100436A (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2003086925A (ja) | 防湿構造付プリント基板、及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP KR US |
|
| AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1993905673 Country of ref document: EP |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
| WWP | Wipo information: published in national office |
Ref document number: 1993905673 Country of ref document: EP |
|
| WWW | Wipo information: withdrawn in national office |
Ref document number: 1993905673 Country of ref document: EP |