WO1994018350A1

WO1994018350A1 - Alliage a plaquer, son procede de placage et solution de placage

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Publication number: WO1994018350A1
Application number: PCT/JP1993/000129
Authority: WO
Inventors: Shigeaki Ueda; Hidenori Hayashida
Original assignee: WORLD METAL CO Ltd
Current assignee: WORLD METAL CO Ltd
Priority date: 1993-02-03
Filing date: 1993-02-03
Publication date: 1994-08-18
Anticipated expiration: 1995-08-03
Also published as: EP0638656A4; EP0638656A1

Description

明細書

被ハングづけ用合金及びそのメツキ方法とメツキ液

技術分野

この発明は、鉛もしくは錫又はそれら双方を主体としてなる被ハンダづけ用合金に関する。より詳しくは、ハンダづけ性に優れ、また、そのハンダづけ性が熱や湿気などにより劣化しにくく、しかもハンダづけ時にフラックス処理が不要であり、従ってハンダづけ終了後にフラックスを洗浄除去するために一般的に使用されているようなフロンなどのフッ素系溶剤やトリクレンなどの塩素系溶剤の使用が不要となる被ハンダづけ用合金に関する。背景技術

電子部品と配線との接続に際して、従来からハンダづけが広く行われている。例えば、プリント配線基板においては、その基板上の被ハンダ部、例えば銅のスルーホールランドあるいはスルーホール内部表面上に、ハンダレべラー法あるいはディップソルダリング法により直接的にハンダ層を形成した後、抵抗素子などの電子部品のリードをスルーホールに挿入し、ハンダ浴に浸潰してハンダづけすること力行われている。

ところで、近年、プリント配線基板の配線密度力《向上し、また、基板そのものが多層化する傾向にあり、そのため、スルーホール径が小さくなり、そのアスペクト比も高くなつている。このような高密度配線のプリント基板の場台、従来のハンダレベラ一法やディップソルダリング法によりスルーホール内部面にハング層を形成しょうとすると、スルーホール内にハングが詰まり、電子部品のリ一ドをその中へ挿入できなくなつたり、また、スルーホールのランド間でハンダブリッジが形成されて短絡してしまうという問題があった。

また、従来のハンダレベラ一法などにより形成されたハンダの表面は平滑ではなく凸状になっているために、プリント基板に電子部品をいわゆる面実装する塲台には、電子部品が位置ずれしやすく、部品実装の自動化が困難であるという問題があつた。

このため、高密度配線のプリント配線基板では、予めスルーホール内部表面などの被ハングづけ部に電解メツキ法あるいは無電解メツキ法によりハンダ、錫、ニッケルあるいは金などの被ハンダづけ用金属の薄膜を形成するようになっている。そして、この後は従来と同様に電子部 ππ のリードをスルーホールに挿入し、ディップソルダリング法などによりスルーホール内部にハンダを充填して電子部品と配線とを接続したり、あるいはまた、ハンダメツキされたリードを有する電子部品を被ハンダづけ用金属薄膜上に載せ、それをハンダリフロー炉内で加熱することにより電子部品と配線とを接続したりしている。

しかしながら、従来の被ハンダづけ用金属の中で、金は優れたハンダづけ性を有し、また、そのハングづけ性が熱や湿気なその影響により劣化しにくいという長所を有する力、製造コストが高いという問題があつた。

金以外の被ハングづけ用金属は、ハンダづけ性力十分とはいえず、また、熱や湿気の影響でハンダづけ性が劣化しやすいという問題があつた _c このハングづけ性が熱や湿気の影響で劣化するという問題は、一般にハングづけが被ハングづけ用台金の薄膜形成直後に行われず、形成してから数か月後に行われる場台が多いという現状においては、非常に大きな問題となっている。

更に、無電解メツキ法により被ハングづけ用金属薄膜を形成する場合、ハンダメツキ液ゃ錫メツキ液などの液安定性が低いという問題や、還元剤として塩化チタンゃチォ尿素等を使用せざるを得ず、そのため被ハンダ付け用金属薄膜中にハンダづけ性に悪影響を与えるチタンやィォゥが混入してしまうという問題があり、また、被ハンダづけ用金属薄膜の厚さをコントロールすること力《難しく、特に厚づけすること力極めて困難であるという問題もあった。

また、従来の電解メツキ法又は無電解メツキ法で形成した被ハンダづけ用金属薄膜上にハンダづけを行う場合、被ハンダづけ用金属薄膜の酸化被膜などの汚れを除去するために、フラックス処理をしてからハンダづけを行い、その後で残存するフラックスを洗浄除去するという繁雑な操作力必要となるという問題があった。更に、フラックスを洗浄除去する際には、人体や地球環境に悪影響を与えるフ口ンなどのフッ素系溶剤やトリクレンなどの塩素系溶剤を使用しなければならないという問題がめつた。

この発明は、以上のような従来技術の問題点を解決しょうとするものであり、ハンダづけ性に優れ、また、そのハンダづけ性が熱や湿気などにより劣化しにくく、しかもハンダづけ時にフラックス処理が不要であり、従ってハンダづけ終了後に残存するフラックスを洗浄除去するためのフッ素系溶剤や塩素系溶剤の使用が不要となる被ハングづけ用合金を低コス卜で提供できるようにすることを目的とする。発明の開示

この発明者らは、鉛あるいは錫を主体とする被ハンダづけ用台金に、パラジゥムを含有させることにより上述の目的が達成できることを見出し、この発明を完成させるに至った。

即ち、この発明は、鉛及び Z又は錫を含有する被ハングづけ用合金において、パラジウムを 0. 0 1〜9 0重量％含有することを特徴とする被ノヽンダづけ用合金を提供する。発明を実施するための最良の態様

以下、この発明を詳細に説明する。

この発明の被ハンダづけ用合金は、ハンダづけ性に優れた鉛もしくは錫、又はそれらの合金を主体として構成され、更にパラジウムを含有することを特徴としている。パラジウムを含有することにより、熱や湿気などによりハンダづけ性が実質的に劣化しない。しかもハンダづけ時にフラックス処理も不要となる。従って、ハングづけ終了後に、フッ素系溶剤や塩素系溶剤によりフラックスを洗浄除去する必要がなくなる。この発明の被ハンダづけ用合金におけるパラジゥムの含有率は、 0. 0 1〜9 0重量％、好ましくは 0. 1〜5 0重量％、より好ましくは 1 ~ 3 0重量％とする。パラジウムの含有率が 0. 0 1重量％未満であると、熱や湿気の影響によりハングづけ性が劣化し易くなり、 9 0重量％を超えると形成コストが上がり過ぎる等の欠点がある。

なお、この発明の被ノヽンダづけ用台金における鉛と錫との含有率は適宜設定することができる。従って、鉛と錫とのいずれか一方を含まなくてもよいが、ハンダとの密着性の点から、鉛を 0. 1〜7 0重量％、好ましくは 1〜6 0重量％、錫を 0. 1〜9 0重量％、好ましくは 1〜 7 0重量％で含有すること力好ましい。

この発明の被ハンダづけ用合金においては、上述した成分に加えて、必要に応じて他の元素を含有してもよい。そのような元素としては、ィンジゥム、銀、銅、ニッケル、亜鉛、コバルト、鉄、マンガン、モリブデン、タングステン、金、カドミウム、アンチモン、ヒ素、ビスマス、チタン、タリウム、プラチナ、リン、ボロン、テルル、ィォゥ、イリジゥム、ガリウム、ゲルマニウム、クロム、ストロンチウム、タンタル、ニオブ、バナジウム、パ'リウム、リチウム、ルテニウム、ルビジウムなどを例示することができ、これらの二種以上を同時に含有してもよい。中でも、リンを 0. 1〜2 0重量％、好ましくは 1〜1 0重量、あるいはホウ素を 0. 0 1〜1 0重量％、好ましくは0. 1〜5重量％含有させると、ハンダづけ性が熱により劣化しにくくなる。また、インジウムを 0. 1〜2 0重量％、好ましくは 1〜1 0重量％含有させると合金の融点を低下させることができる。また、銀を 0. 1〜2 0重量％、好ましくは 1〜1 0重量％含有させると被ハングづけ用合金をハング浴に浸漬した際に、台金がハンダ浴に溶出してしまういわゆるハンダ食われの量が小さくなる。

この発明の被ノヽンダづけ用合金は常法により形成することができる。例えば、電解メツキ法や無電解メツキ法などの湿式メツキプロセスや、真空蒸着法やスパッ夕リング法やイオンプレーティング法等の乾式メッキプロセスにより薄膜状に形成することができる。なお、形成コストなどを考慮するとスパッタリング法などの乾式メツキプロセスよりも湿式メツキプロセスがより好ましい。

乾式メツキプロセスの場合には、パラジウムと鉛及び Z又は錫からなる台金薄膜を直接形成してもよいが、パラジウム、鉛及び Z又は錫の薄層を任意の順序で積層し、その後にァニール処理して各元素を互いに拡散させることにより形成することができる。中でも、パラジウム、鉛及び Z又は錫の薄層を順次積層し、その後にァニール処理して各元素を互いに拡散させることにより形成すること好ましい。

湿式メツキプロセスのうち電解メツキ法によりこの発明の被ハンダづけ用合金を形成する場台、一般に、 0. 0 0 1〜2モル Z 1、好ましくは 0. 0 1〜0. 5モル Z 1のパラジウム化合物と、 0. 0 0 1〜2 モル Zl、好ましくは 0. 01〜0. 5モル Z1の鉛化合物及び /又は 0. 001~3モル /1、好ましくは 0. 01〜1モル Z1の錫化合物とを含有する被ハングづけ用台金メッキ液を使用し、 0. 1〜10 A/dm².好ましくは l〜5A/dm²の電流密度で、 ρΗ1〜13、好ましくは 2〜9、温度 10〜90°C、好ましくは 15〜50°Cという条件で行うことができる。また、このような電解メツキ液には、通常の錯化剤や P H調整剤などを必要に応じて添加することができる。

プリント基板中に存在する通電の取れない独立回路に対してこの発明の被ハングづけ用合金からなる薄膜を形成する場台、あるいは電解メッキ法ではスルーホール内部表面にメツキできない部分力生じたり、回路間にプリッジが形成されてしまうような小さい径のスルーホールや狭い回路パターン幅のプリント配線基板などに対してこの発明の被ハンダづけ用合金からなる薄膜を形成する場合には、湿式メツキプロセスのうちの無電解メツキ法により形成すること力好ましい。この場合には、一般に、 0. 001〜2モル 1、好ましくは 0. 01~0. 5モル /1のパラジウム化合物と、 0, 001〜2モル Z1、好ましくは 0. 01~ 0. 5モル Z1の鉛化合物及び Z又は 0. 001〜3モル Z1、好ましくは 0. 01〜1モル Z1の錫化合物と、 0. 01〜1モル /1、好ましくは 0. 1〜0. 5モル Z〖の還元剤とを含有する被ハンダづけ用合金無電解メツキ液を使用し、 ρΗ1~13、好ましくは 3〜10、温度 30〜95°C、好ましくは 40〜93°Cという条件で行うことができる。また、このような無電解メツキ液には、必要に応じて種々の添加剤、例えば、クェン酸、リンゴ酸、それらのアルカリ金属塩などの錯化剤や、アンモニゥム、塩化アンモニゥムなどの pH調整剤を添加することがでさる o

このような被ハンダづけ用台金を形成するための無電解メッキ液の場合、その液に含まれているパラジウム化合物力電離して生成したパラジゥムイオン力還元反応を加速して被ハングづけ用台金のメツキ速度を格段と向上させることができる。従って、温度や金属塩濃度等を調整することにより 1〜2 0 β τη/ rという広い範囲でメツキ速度をコントロールすることができるようになる。

上述した湿式プロセスにおいて使用できるパラジウム化合物としては、従来から湿式プロセスにおいて使用されているような化台物を使用することができ、例えば塩化パラジウム、スルファミン酸パラジウム、メ夕ンスルホン酸パラジゥム等を使用することができる。

また、鉛化合物及び鍚化合物としても、従来から湿式メツキプロセスにおいて使用されているような化合物を使用することができ、例えば鉛化合物としては、塩化鉛、スルファミン酸鉛、ホウフッ化鉛などを例示することができ、また、錫化合物としては、塩化第一錫、スルファミン酸錫、ホウフッ化錫などを使用することができる。

還元剤としては従来から無電解メツキ法において使用されている公知のものを使用することができ、例えば、ヒドラジン、ホルマリン、次亜リン酸ナトリゥム、ジメチルアミンボラン [ (C H ₃ ) ₉ N H B H g ] 、水素化ホウ素ナトリウムなどを使用することができる。

なお、還元剤として次亜リン酸ナトリゥムを使用した場合には合金中にリン元素が共析し、水素ィ匕ホウ素ナトリウムゃジメチルアミンボラン

[ (C H ₃ ) o N H B H g] などのホウ素系還元剤を使用した場合にはホウ素元素が共析する。この場合には、前述したように被ハングづけ用合金のハンダづけ性の熱に対する耐性を向上させることができる。

なお、電解又は無電解メツキ法によりこの発明の被ハンダづけ用台金を、銅スルーホールなどの被ノヽンダづけ部表面上に形成する場合には、一般的な下地処理を被ハンダづけ部表面に予め施しておくことが好ましい。

以上説明したように、この発明の被ハンダづけ用合金はパラジウムを

0. 01〜90重量％で含有するので、ハンダづけ性に優れ、そのハンダづけ性が熱や湿気などに対して劣化しにくくなり、しかもハンダづけ時にフラックス処理が不要となる。従って、フラックスを洗浄除去するためのフッ素系溶剤や塩素系溶剤の使用が不要となる。

また、被ハングづけ用台金を無電解メツキ法により製造する場合には、メツキ液中に存在するパラジウムイオン力還元反応を促進し、広い範囲でメツキ速度をコントロールすること力可能となる。実施例

以下、この発明を実施例により具体的に説明する。

実施例 1

塩化パラジウム（0. 1 gZl)、塩化第一錫（50 gZl)、スルファミン酸鉛（10g/l)、クェン酸ナトリウム（50gZl)及び次亜リン酸ナトリウム（50g/l)を含有する水溶液に、スルフアミン酸を添加してその pH値を 4. 5とすることにより無電解メツキ液を調製した。

得られた無電解メツキ液の温度を 70°Cとし、撹拌しながらその液中に、常法により表面を清浄化した鉄板（長さ 100mm、幅 50mm. 厚さ lmm) を浸漬して、その表面に 10 mの厚みの被ハンダづけ用合金を形成した。得られた被ハングづけ用合金の組成は、パラジウム 8重量％、鉛 20重量％、錫 63重量％及びリン 3重量％であった。この被ハンダづけ用合金のハンダづけ性を、以下に説明するように、形成直後（大気中に 2日暴露後）と劣化加速試験後 [加熱試験後（大気中、 100°Cで 16時間加熱後）、湿潤試験後（40°C、 90〜95% RH条件下に 2週間放置後）、大気暴露試験後（大気中に 1か月放置後） ] に、それぞれ以下のようにハンダ広がり試験を行うことにより評価した。

ハング広がり試験

鉄板上に形成された被ハンダづけ用合金上に、ハンダペレツト（面積 10mm²、厚さ 1mm) 10個を互いに離して載置し、全体を 250 °Cに設定した恒温槽中で 5分間加熱してハンダぺレットを溶融させた。そして、被ハンダづけ用合金上に広がったハングの面積をブラニメ一ターでそれぞれ測定し、それらの平均値をハンダ広がり面積とした。この場合、ノ、ンダ広がり面積が広 ^、ほどノ、ンダづけ性力く良好なことを示している。なお、この試験においてはフラックスは使用していない。得られた結果を表 1に示す。表 1

ハンダ広がり面積 [mm²] 形成直後劣化加速試験後

耐熱試験後湿潤試験後大気暴露試験後実施例 1 13. 6 13. 1 12. 8 13. 0 比較例 1 14. 7 9. 2 9. 1 8. 9

比較例 2 8. 2 7. 0 7. 0 7. 0

表 1から明らかなように、実施例の被ハングづけ用台金は形成直後に良好なハンダづけ性を示し、更に劣化加速試験後においてもハングづけ性がほとんど変化しなかった。

比較例 1

従釆から被ハンダづけ用台金を製造するために広く用いられているスロットレット浴（20°C、 pH2. 0、レイホルド社製）を使用して、実施例 1と同様の鉄板に 10 μπι厚の被ハングづけ用合金を電解メツキ法（1. 5AZdm²) により形成した。得られた合金の組成は、鉛 39重量％及び錫 61重量％であった。

得られた合金について実施例 1と同様にハンダづけ性を評価した。その結果を表 1に示す。表 1から明らかなように、形成直後は良好なハンダづけ性を示している力劣化加速試験後にはハンダづけ性が大きく低下した。

比較例 2

硫酸ニッケル（10 gZl)、クェン酸ナトリウム（30 gZl)及び次亜リン酸ナトリウム（10 gZ 1 ) を含有する水溶液に硫酸を添加して、その pHを 4. 6とし、無電解メツキ液を調製した。このメツキ液を撹拌しながら、このメツキ液中に実施例 1と同様の鉄板を浸潰して、鉄板上に 10 /zm厚のリン含有ニッケル（ニッケル 91重量％、リン 9重量％) を形成した。

得られたリン含有ニッケルについて実施例 1と同様にハンダづけ性を評価した。その結果を表 1に示す。表 1から明らかなように、形成直後からハングづけ性が十分でなく、劣化加速試験後には更にハングづけ性が低下した。

実施例 2

塩化パラジウム（0. 5 gZl)、塩化鉛（40 gZl)、塩化第一錫（20gZl)、クェン酸ナトリウム（30g/l)及び次亜リン酸ナトリウム（60gZl) を含有する水溶液にクェン酸を添加して、その p Hを 4. 5とすることにより無電解メツキ液を調製した。

これとは別に、ハンダレベラ一法によりハンダメツキを施すと目詰まりしてしまう銅スルーホール（0. 3 mm径）と銅スルーホールランドとを有する厚さ 5 mmのプリント基板を用意し、これに対して常法により下地処理を施した後、全体を先に調製した無電解メツキ液に 2 0〜 3 0分間、浸漬してスルーホール内部及びスルーホールランドの表面に均一な厚さ（約 3 ^ m) の被ハンダづけ用合金を形成した。得られた合金の組成は、パラジウム 2重量％、鉛 3 3重量％、錫 6 2重量％及びリン 3重量％であった。得られた台金は実施例 1と同様に優れたハンダづけ性を示した。

被ハングづけ用合金がスルーホール内部表面に形成されたプリント基板のスルーホールに、 0. 1 3 mm径のワイヤーリードを有する電子部品の当該リードを基板の表側から挿入した。この基板を 2 6 0 °Cのハンダ浴に、その裏面がハンダ浴に接するように 5秒間浮かべた。その結果、スルーホール内部にハングが隙間無くきっちりと充填され、高い接合強度で電子部品を電気的にプリント基板に接続できた。

また、リードにハンダメツキ力施された別の電子部品を、スルーホールランド上に載置し、全体をハンダリフロー炉内で加熱したところ、位置ずれもなく、電子部品をスルーホールランドに高い接台強度で電気的に表面実装することができた。

実施例 3

塩化パラジウム（0. 5 gZ l ) 、メタンスルホン酸鉛 ( 3 0 g/ l ) 、メタンスルホン酸錫（3 0 g Z 1 ) 、リンゴ酸ナトリウム（3 0 g/ 1 ) 、及び次亜リン酸ナトリウム（5 0 g/ 1 ) を含有する水溶液に、メタンスルホン酸を添加して、その p Hを 4. 0とすることにより無電解メツキ液を調製した。このメツキ液に、 80°Cで実施例 2と同様のプリント基板を 30分間浸漬することにより、そのスルーホール内部表面などに約 3 m厚の被ハングづけ用台金を形成した。得られた合金の組成は、パラジウム 2重量％、鉛 36重量％、錫 59重量％及びリン 3重量％であった。得られた合金は実施例 1と同様に優れたハングづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 4

塩化パラジウム（0. 1 g/1)、スルフアミン酸鉛 (20 g/1)、メ夕ンスルホン酸錫（3 0 gZ 1 ) 、クェン酸ナトリウム（30 g/i)、及び次亜リン酸ナトリウム（30 g/1) を含有する水溶液にスルフアミン酸を添加して、その pHを 3. 0とすることにより無電解メツキ液を調製した。

このメツキ液に、 90°Cで実施例 2と同様のプリント基板を 30分間浸漬することにより、そのスルーホール内部表面などに約 3 ^ m厚の被ハンダづけ用合金を形成した。得られた合金の組成は、パラジウム 1重量％、鉛 29重量％、鍚 67重量％及びリン 3重量％であった。得られた台金は実施例 1と同様に優れたハングづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 5

塩化パラジウム（0. 1 /1) . 塩化鉛（20 gZl)、塩化第一錫（10 gZl)、塩化アンモニゥム（20 gZl)、クェン酸（30 g/1) . 及びジメチルァミンボラン（3gZl) を含有する水溶液にアンモニア水を添加して、その pHを 9. 0とすることにより無電解メツキ液を調製した。

このメツキ液に、 60。Cで実施例 2と同様のプリント基板を 30分間浸漬することにより、そのスルーホール内部表面などに約 3 / m厚の被ハンダづけ用合金を形成した。得られた合金の組成はパラジウム 0. 3 重量％、鉛 32重量％、錫 67. 5重量％及びホウ素 0. 2重量％であつた。得られた合金は実施例 1と同様に優れたハングづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 6

塩化パラジウム（0. 1 gZl)、ホウフッ化鉛（20 gZl)、ホゥフッ酸（50 g/1)、クェン酸（20 gZl)、及びジメチルアミンボラン（3 g/1) を含有する水溶液にアンモニア水を添加して、その pHを 4. 2とすることにより無電解メツキ液を調製した。

このメツキ液に、 60°Cで実施例 2と同様のプリント基板を 30分間浸漬することにより、そのスルーホール内部表面などに約 3；/m厚の被ノヽンダづけ用合金を形成した。得られた合金の組成はパラジウム 1. 2 重量％、鉛 87重量％、及びホウ素 0. 3重量％であった。得られた合金は実施例 1と同様に優れたハンダづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 7

塩化パラジゥム（0. 5 gZl) 、メタンスルホン酸錫（30 g/1) . メタンスルホン酸（50 gZO、及びジメチルアミンボラン（5gZl) を含有する水溶液にアンモニア水を添加して、その pH を 4. 5とすることにより無電解メツキ液を調製した。

このメツキ液に、 60。Cで実施例 2と同様のプリント基板を 30分間浸漬することにより、そのスルーホール内表面などに約 3〃m厚の被ハンダづけ用合金を形成した。得られた合金の組成は、パラジウム 1. 0 重量％、錫 98. 5重量％及びホウ素 0. 5重量％であった。得られた合金は実施例 1と同様に優れたハンダづけ性を示した。また、実施例 2 と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続すること力できた。実施例 8

塩化パラジウム（0. 1 g/1)、ホウフツイ匕鉛（10 g/i)、ホゥフッ化錫 (10 g/1)、ホウフッ化銀（3 gZl)、ホウフッ酸 (l OOgZl)、及び次亜リン酸ナトリウム（l OgZl) を含有する水溶液に水酸化ナトリウムを添加して、その pHを 4. 0とすることにより無電解メツキ液を調製した。

このメツキ液に、 90°Cで実施例 2と同様のプリント基板を 30分間浸漬することにより、そのスルーホ一ル内表面などに約 3 m厚の被ハンダづけ用台金を形成した。得られた合金の組成は、パラジウム 4重量 %、鉛 38重量％、錫 48重量％、銀 7重量％及びリン 3重量％であつた。得られた合金は実施例 1と同様に優れたハンダづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 9

塩化パラジウム（1 g/1)、ホウフッ化鉛 (5 g/1)、ホウフッ化錫（10 gZl)、及びホウフッ酸（100 gZl) を含有する水溶液に、水酸化ナトリウムを添加して pHを 4. 5として電解メツキ液を調製した。このメツキ液を用いて、実施例 2と同様のプリント基板に、約 3 μπι厚の被ハングづけ用台金を電解メツキ法（20°C、 10分、 1 A/dm²) により形成した。得られた合金の組成は、パラジウム 3重量％、鉛 32重量％及び錫 65重量％であった。得られた合金は実施例 1と同様に優れたハンダづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接台強度で電子部品と電気的に接続することができた。また、被ハンダづけ用合金の薄膜が形成された同様のプリント基板を、大気中、 150 °Cで 20時間加熱した後でも実施例 2と同様に高い接台強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 10

塩化パラジウム（1 gZl)、スルファミン酸鉛（10 gZl)、塩化第一錫（10 gZl)、スルファミン酸インジウム（10 g/1)、及びスルフアミン酸（50 gZ 1 ) を含有する水溶液に、水酸化ナトリゥムを添加して pHを 4. 0として電解メツキ液を調製した。このメッキ液を用いて、実施例 2と同様のプリント基板に、約 3 /zm厚の被ハンダづけ用合金を電解メツキ法（40°C、 10分、 lAZdm²) により形成した。得られた台金の組成は、パラジウム 2重量％、鉛 32重量％、錫 29重量％及びィンジゥム 37重量％であつた。得られた台金は実施例 1と同様に優れたハンダづけ性を示した。また、実施例 2と同様に高い接合強度で電子部品と電気的に接続することができた。

実施例 11

ガラス基板に、スパッタリング法により 1 /zm厚のパラジウム、 1 / m厚の鉛及び 1 m厚の錫を順次積層し、これを窒素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下、 200°Cで 30分間、ァニール処理をすることにより各元素を互いに拡散させて約 3 m厚の被ノ、ンダづけ用合金を形成した。その後、この合金をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、残存する合金の上に、実施例 2と同様に電子部品を表面実装したところ、高い接合強度で電気的に表面実装することができた。産業上の利用性

この発明の被ハンダづけ用台金は、ハンダづけ性に優れ、また、そのノ、ンダづけ性が熱や湿気などにより劣化しにくく、しかもハンダづけ時にフラックス処理が不要であり、従ってフラックスを洗浄除去するためのフッ素系溶剤や塩素系溶剤の使用が不要となる。従って、ハンダづけにより種々の電子部品と配線基板とを接合強度高く接続する際に、電子部品や配,線基板の被ハングづけ部に予め薄膜状に形成しておく合金として特に有用である。

Claims

請求の範囲

1. 鉛及び Z又は錫を含有する被ハンダづけ用台金において、パラジウムを 0. 0 1〜9 0重量％含有することを特徴とする被ハンダづけ用合金。

2. 0. 1〜7 0重量％の鉛及び 0. 1〜9 0重量％の錫を含有する請求の範囲第 1項に記載の被ハンダづけ用合金。

3. 更に、 0. 1〜2 0重量％のリンを含有する請求の範囲第 1又は 2項に記載の被ハンダづけ用合金。

4. 更に、 0. 0 1〜1 0重量％のホウ素を含有する請求の範囲第 1又は 2項に記載の被ハンダづけ用合金。

5. 更に、 0. 1〜2 0重量％のインジウムを含有する請求の範囲第 1〜 4項の L、ずれに記載の被ノヽンダづけ用合金。

6. 更に、 0. 1〜2 0重量％の銀を含有する請求の範囲第 1〜 5項の、ずれかに記載の被ノヽンダづけ用台金。

7. 0 . 0 0 1〜 2 モル Z 1 のパラジウム化合物、 0. 0 0 1〜3モル Z 1の錫化合物及び又は 0. 0 0 1〜2モル 1 の鉛化合物を含んでなることを特徴とする被ハンダづけ用合金メツキ液

8. 更に、 0. 0 1〜1モル / 1の還元剤を含有する請求の範囲第 7項記載の被ハングづけ用台金メツキ液。

9. 請求の範囲第 7項に記載の被ハングづけ用合金メツキ液を用い、 0. 1〜10 AZdm²、 ρΗ1〜13、温度 10~90。Cとヽう条件で電解メツキすることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の被ハングづけ用合金の製造方法。

10. 請求の範囲第 8項に記載の被ハンダづけ用合金メツキ液を用い、 ρΗ1〜13、温度 30〜95°Cという条件で無電解メツキすることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の被ハンダづけ用台金の製造方法。

11. 乾式メツキプロセスにより、パラジウム、鉛及び Z又は錫を任意の順序で積層し、その後にァニールすることにより各元素を互、に拡散させることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の被ノヽンダづけ用合金の製造方法。