WO1998044498A1 - Composant electrique ou electronique et application comme memoire non volatile et dispositif a ondes acoustiques de surface. - Google Patents

Composant electrique ou electronique et application comme memoire non volatile et dispositif a ondes acoustiques de surface. Download PDF

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Øystein FISCHER
Jean-Marc Triscone
Charles H. Ahn
Malcolm R. Beasley
Christophe Renner
Thomas Tybell
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Universite de Geneve
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    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene

Definitions

  • the present invention relates to an electrical or electronic component, in particular an electrical or electronic circuit or a non-volatile memory.
  • this component also relates to the application of this component as a non-volatile memory and as a surface acoustic wave device.
  • US Patent 5,206,525 describes a device which is substantially equivalent to a field effect transistor, the dielectric of which is replaced by a pi-conjugated macromolecular material mixed with a material. ferroelectric. The goal is to change the conductivity by the electric field. This device does not allow local modification of electronic properties.
  • US Patent 5,371,729 describes a data storage device based on local switching of the polarization of a ferroelectric film deposited on a semiconductor.
  • the object of the invention is to increase the working speed by using high voltages which generate an avalanche phenomenon.
  • EP-0 275 881 describes a device which uses a tunneling microscope to write and read information on an electrically polarized film, mainly made of polymer. This device is not intended to record information by means of current pulses and to read this information by detecting local changes in electronic density.
  • the object of the present invention is to propose a new electrical or electronic component making the electrodes permanent, as well as the lithographic procedures which are usually necessary for their realization, simpler or completely superfluous.
  • the manufacture of this component is non-invasive.
  • the component according to the invention comprises a composite structure comprising at least one layer of a ferroelectric material and at least one semiconductor or a thin film of a metal or a superconductor, in intimate contact with at least one of the faces of said layer of ferroelectric material, as well as means for generating local modifications of the polarization of said layer of ferroelectric material either to modify locally, on the scale going from the nanometer to the micrometer, the electronic density of an area of said semiconductor or of the thin film of metal or of superconductor, this area being close to said face of said layer of ferroelectric material, either to create, by a piezoelectric effect, a local deformation, which depends on the sign of the polarization, of said layer of ferroelectric material in order to generate a surface acoustic wave.
  • said means for generating local modifications of the polarization of said layer of ferroelectric material may comprise a device for applying a voltage between at least one point electrode, arranged to selectively scan the face of said composite structure opposite to that constituted by the semiconductor or thin film of metal or superconductor, and said semiconductor or thin film of metal or superconductor.
  • said composite structure can consist of a semiconductor or of a thin film of metal or of superconductor in intimate contact with a first face of said layer of ferroelectric material and of a very thin film semiconductor, metallic or superconductive in intimate contact with a second face of the layer of ferroelectric material, opposite to said first face of the layer of ferroelectric material.
  • the face of the composite structure which is scanned by a point electrode is that of the very thin semiconductor, metallic or superconductive film in intimate contact with the second face of the layer of ferroelectric material, a voltage being applied between said point electrode and said very thin film.
  • Voltage can also be applied between the electrode and the semiconductor or the thin film of metal or superconductor in intimate contact with the first face of said layer of ferroelectric material.
  • a voltage can also be applied simultaneously between said very thin semiconductor, metallic or superconductive film and the semiconductor or the thin metal or superconductive film.
  • said point electrode can be formed by the tip of a local probe microscope. It can also be constituted by a source of particles.
  • said source of particles is arranged to generate an electron beam.
  • said source of particles is arranged to generate an ion beam.
  • said point electrode can be constituted by a radiation source.
  • the state of polarization of the layer of said ferroelectric material is represented by a characteristic sensitive to local modifications of the electronic density of said semiconductor or of the thin film of a metal or of a superconductor.
  • said characteristic is the tunnel conductance between a local probe scanning the face of the composite structure opposite to that constituted by the semiconductor or thin film of metal or superconductor, and said semiconductor or thin film of metal or superconductor.
  • One of the particularly advantageous applications of the component is the production of a surface acoustic wave device and in particular of a filter of frequencies typically going up to 20 GHz and more.
  • Another application of the component consists in using it as an electronic circuit and in particular as a non-volatile memory.
  • FIGS. 1 and 2 represent schematic perspective views illustrating two embodiments of the electrical or electronic component according to the invention.
  • FIG. 3 represents the application of the component as a surface acoustic wave device.
  • the component according to the invention as shown in FIG. 1 mainly comprises a composite structure 10 comprising a layer of ferroelectric material 11, in the form of a film, and a semiconductor or a film of metal or of superconductor 12, which is in intimate contact with one of the faces of the layer of ferroelectric material 11. Furthermore, the component comprises means for generating local modifications of the polarization of said layer of ferroelectric material 11. The objective sought is to modify locally the electronic density of an area of said semiconductor or of said thin film of metal or of superconductor 12 close to the face of the layer of ferroelectric material 11, or of creating a local deformation of the layer of ferroelectric material in order to generate a surface acoustic wave.
  • These means include a device for applying a voltage between said semiconductor or thin film of metal or superconductor 12 and at least one point electrode 13 arranged to selectively scan the face of said layer of ferroelectric material 11, opposite to the face. carrying the thin film 12.
  • This point electrode is constituted for example by a tip of a microscope with local probe. It can also be constituted by a source of particles. This source of particles can be arranged to generate an electron beam or an ion beam. It can also be a source of radiation.
  • the component is used to write an electrical circuit.
  • the component is used to make memories.
  • the writing is carried out at the nanometer scale with the tip of a local probe microscope serving as a point electrode or a source of particles making it possible to effect a local modification of the polarization of the ferroelectric material.
  • the polarization ( ⁇ ) of the material of the ferroelectric layer modifies the electronic density of the metal or the semiconductor close to the surface and this modification defines the electronic circuit or a memory unit.
  • an atomic force microscope comprising a conductive tip scans the surface of the composite structure, called ferroelectric epitaxial heterostructure, in this case composed of the following materials: Pb (Zr0.52 Ti0. 48) O3 (PZT) / SrRu03 while a voltage is applied between the tip and the semiconductor or the metal or superconductor film.
  • Pb Zr0.52 Ti0. 48
  • O3 PZT
  • SrRu03 atomic force microscope
  • the structure 10 is completed by a semiconductor, metallic or superconductive material 14 deposited on the second face of the layer of ferroelectric material 11 opposite to the thin film 12.
  • This material get advantageously has the form of a very thin film which is in intimate contact with the ferroelectric material 11. It may have the form of a continuous film or that of islands.
  • This film constitutes both a means for applying a voltage to the layer of ferroelectric material 11 in combination with the thin film 12 and a means for passivation of the surface of the polarized ferroelectric material.
  • the means for generating local polarization modifications comprise a device for applying a voltage between at least one point electrode 13, arranged to selectively scan the layer of ferroelectric material 11 or the film 14, and said very thin film 14 or said thin film 12. It is also possible to simultaneously apply a voltage between said very thin film 14 and said thin film 12.
  • the polarization of the ferroelectric material can be obtained by applying voltage pulses to the point electrode and possibly in the presence of a voltage. through the layer of ferroelectric material of a value lower than its coercive tension.
  • This component makes it possible to establish a local field effect in a non-invasive manner, thus making it possible to create electronic nanostructures without electrical contacts produced by the usual lithographic processes.
  • the advantage of the invention is that it offers a completely new approach and perspectives for the manufacture of field effect devices and small electronic structures.
  • the tilting of domains with a proximity microscope in the vertical direction producing an electronic contrast not susceptible to passivation is particularly advantageous.
  • the main advantage of this approach is that it allows direct writing of submicron electronic structures without chemical substitution and without lithographic process and / or permanent electrodes.
  • the field effect is local, reversible, non-volatile, and non-invasive.
  • This technique has another advantage, it allows to have a detection mechanism for the read / write of ferroelectric domains which is not sensitive to a deterioration of the contrast due to an electrostatic passivation.
  • any local probe which makes it possible to switch the polarization of a ferroelectric material can be used.
  • a tunnel effect microscope can be used to polarize this ferroelectric material, if the latter is covered with a sufficiently thin conductive layer.
  • This tunneling microscope can also be used to measure and read the changes in the density of carriers produced by the electric field, for example by measuring the changes in the tunnel conductance (densities of states).
  • FIG. 3 schematically illustrates an application of the component defined above as a surface acoustic wave device.
  • the composite structure 10 comprises in this case, for example a layer of a ferroelectric material 11 having been locally polarized, for example periodically, and a semiconductor or a thin film of a metal or a superconductor 12.
  • a signal AC causes, by piezoelectric effect, a deformation whose sign depends on the polarization and excites a surface acoustic wave if the frequency of this signal is equal to the speed of the surface wave divided by the wavelength.
  • a single contact 22 on the surface of the composite structure 10 makes it possible to generate and detect respectively by means of an excitation device 20 and a detector 21 of frequencies up to 20 GHz and more.
  • the device has a very high spatial resolution, which makes it possible to reach these high frequencies which cannot be reached with conventional devices with contacts deposited by lithographic processes.
  • One of the direct uses is that of high frequency filters.

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Abstract

Le composant est constitué d'une structure composite (10) qui se compose d'une couche d'un matériau ferroélectrique (11) et d'au moins un film mince d'un matériau semi-conducteur ou d'un film mince métallique ou supraconducteur (12) en contact intime avec la couche de matériau ferroélectrique (11). Il comporte par ailleurs des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation dudit matériau ferroélectrique. Ces moyens comprennent un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle (13), agencée pour balayer de manière sélective la face de ladite structure composite (10) opposée à celle constituée par le semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur (12), et ledit semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur.

Description

COMPOSANT ELECTRIQUE OU ELECTRONIQUE ET APPLICATION COMME MEMOIRE NON VOLATILE ET DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
La présente invention concerne un composant électrique ou électronique, notamment un circuit électrique ou électronique ou une mémoire non volatile.
Elle concerne également l'appiication de ce composant comme mémoire non volatile et comme dispositif à ondes acoustiques de surface.
Au cours de la dernière décennie, de rapides progrès ont été faits dans le domaine du dépôt de films de structures composites épitaxiales à base d'oxydes, qui sont par exemple à l'origine de progrès conséquents dans le domaine des supraconducteurs en oxyde de cuivre et qui ont permis de préparer des films épitaxiaux de matériaux tels que les oxydes de manganèse magnétorésistifs. L'une des nombreuses autres familles de matériaux qui ont été réalisés récemment par cette approche épitaxiale sont les oxydes ferroélectriques. L'une des caractéristiques attractives de ces matériaux est leur champ de polarisation réversible non volatiie. D'autre part on a développé de nombreux dispositifs à effet de champ électrique qui vont des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAMs) à des nanosystèmes modèles tels que les gaz électroniques à deux dimensions.
Tous ces dispositifs nécessitent l'utilisation d'électrodes métalliques permanentes pour produire et maintenir le champ électrique, ce qui constitue un inconvénient majeur parce que leur fabrication implique un travail de lithographie important et délicat pour la réalisation des électrodes métalliques.
Le brevet US-5 206 525 décrit un dispositif qui est sensiblement équivalent à un transistor à effet de champ dont le diélectrique est remplacé par un matériau macromoléculaire pi-conjugué mélangé à un matériau ferroélectrique. Le but consiste à modifier la conductivité par le champ électrique. Ce dispositif ne permet pas de modifier localement les propriétés électroniques.
Le brevet US 5 371 729 décrit un dispositif de stockage de données basé sur une commutation locale de la polarisation d'un film ferroélectrique déposé sur un semi-conducteur. Le but de l'invention est d'augmenter la vitesse de travail par utilisation de tensions élevées qui génèrent un phénomène d'avalanche.
La demande de brevet européen publiée sous le N° EP-0 275 881 décrit un dispositif qui utilise un microscope à effet tunnel pour écrire et lire des informations sur un film électriquement polarisé, principalement en polymère. Ce dispositif n'est pas prévu pour inscrire des informations au moyen d'impulsions de courant et pour lire ces informations par la détection de modifications locales de la densité électronique.
Le but de la présente invention est de proposer un nouveau composant électrique ou électronique rendant les électrodes permanentes, ainsi que les procédures lithographiques qui sont habituellement nécessaires pour leur réalisation, plus simples ou totalement superflues. En outre la fabrication de ce composant est non invasive.
Ce but est atteint par le composant selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte une structure composite comprenant au moins une couche d'un matériau ferroélectrique et au moins un semi-conducteur ou un film mince d'un métal ou d'un supraconducteur, en contact intime avec au moins une des faces de ladite couche de matériau ferroélectrique, ainsi que des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique soit pour modifier localement, à l'échelle allant du nanomètre au micromètre, la densité électronique d'une zone dudit semiconducteur ou du film mince de métal ou de supraconducteur, cette zone étant proche de ladite face de ladite couche de matériau ferroélectrique, soit pour créer, par un effet piézo-électrique, une déformation locale, qui dépend du signe de la polarisation, de ladite couche de matériau ferroélectrique en vue de générer une onde acoustique de surface.
Selon des modes de réalisation préférés, lesdits moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique peuvent comporter un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle, agencée pour balayer de manière sélective la face de ladite structure composite opposée à celle constituée par le semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur, et ledit semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur.
Selon un mode de réalisation avantageux, ladite structure composite peut être constituée d'un semi-conducteur ou d'un film mince de métal ou de supraconducteur en contact intime avec une première face de ladite couche de matériau ferroélectrique et d'un film très mince semi-conducteur, métallique ou supraconducteur en contact intime avec une deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique, opposée à ladite première face de la couche de matériau ferroélectrique.
Selon ce mode de réalisation, la face de la structure composite qui est balayée par une électrode ponctuelle est celle du film très mince semiconducteur, métallique ou supraconducteur en contact intime avec la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique, une tension étant appliquée entre ladite électrode ponctuelle et ledit film très mince. La tension peut également être appliquée entre l'électrode et le semi-conducteur ou le film mince de métal ou de supraconducteur en contact intime avec la première face de ladite couche de matériau ferroélectrique. Dans ces deux cas, on peut également appliquer une tension simultanément entre ledit film très mince semi-conducteur, métallique ou supraconducteur et le semiconducteur ou le film mince de métal ou de supraconducteur. De façon avantageuse, ladite électrode ponctuelle peut être constituée par la pointe d'un microscope à sonde locale. Elle peut également être constituée par une source de particules.
Selon un premier mode de réalisation ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau électronique.
Selon un deuxième mode de réalisation ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau ionique.
Dans une variante de réalisation, ladite électrode ponctuelle peut être constituée par une source de rayonnement.
D'une manière particulièrement avantageuse, l'état de polarisation de la couche dudit matériau ferroélectrique est représenté par une caractéristique sensible à des modifications locales de la densité électronique dudit semiconducteur ou du film mince d'un métal ou d'un supraconducteur.
D'une manière préférentielle, ladite caractéristique est la conductance tunnel entre une sonde locale balayant la face de la structure composite opposée à celle constituée par le semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur, et ledit semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur.
Une des applications particulièrement avantageuses eu composant est la réalisation d'un dispositif à ondes acoustiques de surface et notamment d'un filtre des fréquences allant typiquement jusqu'à 20 GHz et plus.
Une autre application du composant consiste à l'utiliser comme circuit électronique et en particulier comme mémoire non volatile.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture ce la description d'une forme de réalisation préférée du composant selon l'invention et de ses variantes et en référence aux dessins dans lesquels :
les figures 1 et 2 représentent des vues schématiques en perspective illustrant deux modes de réalisation du composant électrique ou électronique selon l'invention, et
la figure 3 représente l'application du composant comme dispositif à ondes acoustiques de surface.
Le composant selon l'invention tel que représenté par la figure 1 comporte principalement une structure composite 10 comprenant une couche d'un matériau ferroélectrique 11 , sous la forme d'un film, et un semi-conducteur ou un film en métal ou en supraconducteur 12, qui est en contact intime avec une des faces de la couche de matériau ferroélectrique 11. Par ailleurs, le composant comporte des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique 11. L'objectif recherché est de modifier localement la densité électronique d'une zone dudit semi-conducteur ou dudit film mince de métal ou de supraconducteur 12 proche de la face de la couche de matériau ferroélectrique 11 , ou de créer une déformation locale de la couche de matériau ferroélectrique en vue de générer une onde acoustique de surface.
Ces moyens comportent un dispositif pour appliquer une tension entre ledit semi-conducteur ou film mince en métal ou en supraconducteur 12 et au moins une électrode ponctuelle 13 agencée pour balayer de manière sélective la face de ladite couche de matériau ferroélectrique 11 , opposée à la face portant le film mince 12. Cette électrode ponctuelle est constituée par exemple par une pointe d'un microscope à sonde locale. Elle peut également être constituée par une source de particules. Cette source de particules peut être agencée pour générer un faisceau électronique ou un faisceau ionique. Elle peut également être une source de rayonnement. Pour une première application particulièrement avantageuse de l'invention, le composant sert à écrire un circuit électrique. Selon une seconde application le composant est utilisé pour réaliser des mémoires. L'écriture s'effectue à l'échelle du nanometre avec la pointe d'un microscope à sonde locale servant d'électrode ponctuelle ou une source de particules permettant de réaliser une modification locale de la polarisation du matériau ferroélectrique. La polarisation (±) du matériau de la couche ferroélectrique modifie la densité électronique du métal ou du semi-conducteur proche de la surface et cette modification définit le circuit électronique ou une unité de mémoire.
Dans ce but, dans un premier contexte idéal, un microscope à force atomique (AFM) comportant une pointe conductrice balaie la surface de la structure composite, dite hétérostructure épitaxiale ferroélectrique, composée dans ce cas des matériaux suivants : Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3 (PZT)/SrRu03 pendant qu'une tension est appliquée entre la pointe et le semi-conducteur ou le film de métal ou de supraconducteur. Lorsque le champ électrique entre la pointe et le film conducteur est plus grande que le champ coercitif de la couche de matériau ferroélectrique 11 , la polarisation de cette couche bascule localement sous la pointe et induit un fiux de charges d'écran dans la couche de métal ou de semi-conducteur modifiant ainsi la densité totale de porteurs et donc la résistivité du conducteur, qui peut être mesurée avec les techniques standards de mesures de transports électroniques. Dans le contexte idéal, le semi-conducteur ou le film mince métallique ou supraconducteur a une faible densité de porteurs et une caractéristique électrique ou électronique qui est sensible à des changements de densité d'état électronique.
Selon une deuxième forme de réalisation avantageuse, représentée par la figure 2, la structure 10 est complétée par un matériau semi-conducteur, métallique ou supraconducteur 14 déposé sur la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique 11 opposée au film mince 12. Ce matériau se présente avantageusement sous la forme d'un film très mince qui est en contact intime avec le matériau ferroélectrique 11. Il peut avoir la forme d'un film continu ou celle d'îlots. Ce film constitue à la fois un moyen pour appliquer une tension sur la couche de matériau ferroélectrique 11 en combinaison avec le film mince 12 et un moyen de passivation de la surface du matériau ferroélectrique polarisé.
Les moyens pour générer des modifications locales de la polarisation comportent un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle 13, agencée pour balayer de manière sélective la couche de matériau ferroélectrique 11 ou le film 14, et ledit film très mince 14 ou ledit film mince 12. On peut également appliquer simultanément une tension entre ledit film très mince 14 et ledit film mince 12. La polarisation du matériau ferroélectrique peut être obtenue en appliquant des impulsions de tension sur l'électrode ponctuelle et éventuellement en présence d'une tension à travers la couche de matériau ferroélectrique d'une valeur inférieure à sa tension coercitive.
Ce composant permet d'établir un effet de champ local d'une manière non invasive, permettant ainsi de créer des nanostructures électroniques sans contacts électriques réalisés par les procédés lithographiques habituels. L'intérêt de l'invention est qu'elle offre une approche et des perspectives complètement nouvelles pour la fabrication de dispositifs à effet de champ et de petites structures électroniques. Le basculement de domaines avec un microscope de proximité dans la direction verticale produisant un contraste électronique non susceptible de passivation est particulièrement avantageux.
L'avantage principal de cette approche est qu'elle permet d'écrire directement des structures électroniques submicroniques sans substitution chimique et sans procédé lithographique et/ou électrodes permanentes. L'effet de champ est local, réversible, non volatil, et non invasif. Cette technique présente un autre avantage, elle permet d'avoir un mécanisme de détection pour la lecture/écriture de domaines ferroélectriques qui n'est pas sensible à une détérioration du contraste due à une passivation électrostatique.
Dans la pratique, toute sonde locale qui permet de basculer la polarisation d'un matériau ferroélectrique peut être utilisée. Par exemple un microscope à effet tunnel peut être utilisé pour polariser ce matériau ferroélectrique, si ce dernier est recouvert d'une couche conductrice suffisamment mince. Ce microscope à effet tunnel peut également être utilisé pour mesurer et lire les changements dans la densité de porteurs produits par le champ électrique, par exemple en mesurant les modifications dans la conductance tunnel (densités d'états).
Pour la lecture de petits domaines ferroélectriques, d'autres mécanismes de contraste peuvent être envisagés qui se basent sur les propriétés piézo- électriques et pyroélectriques des ferroélectriques. De manière similaire à ce qui a été décrit plus haut, ces approches ne seraient également pas susceptibles à une passivation.
La figure 3 illustre schématiquement une application du composant défini ci- dessus comme dispositif à ondes acoustique de surface. La structure composite 10 comporte dans ce cas, par exemple une couche d'un matériau ferroélectrique 11 ayant été polarisé localement, par exemple périodiquement, et un semi-conducteur ou un film mince d'un métal ou d'un supraconducteur 12. Un signal alternatif provoque, par effet piézo-électrique, une déformation dont le signe dépend de la polarisation et excite une onde acoustique de surface si la fréquence de ce signal est égale à la vitesse de l'onde de surface divisée par la longueur d'onde.
Dans les dispositifs connus, les limitations induites par les techniques lithographiques engendrent des limitations de fréquence au voisinage de 1 GHz. Un seul contact 22 à la surface de la structure composite 10 permet de générer et de détecter respectivement au moyen d'un dispositif d'excitation 20 et d'un détecteur 21 de fréquences allant jusqu'à 20 GHz et plus.
Le dispositif a une résolution spatiale très élevée, ce qui permet d'atteindre ces fréquences élevées qui ne peuvent pas être atteintes avec des dispositifs classiques à contacts déposés par des procédés lithographiques.
L'une des utilisations directes est celle de filtres de fréquences élevées.

Claims

REVENDICATIONS
1. Composant électrique ou électronique, notamment circuit électrique ou électronique ou mémoire non volatile, caractérisé en ce qu'il comporte une structure composite (10) comprenant au moins une couche d'un matériau ferroélectrique (11) et au moins un semi-conducteur ou un film mince d'un métal ou d'un supraconducteur (12), en contact intime avec au moins une des faces de ladite couche de matériau ferroélectrique (11), ainsi que des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique (11) soit pour modifier localement, à l'échelle allant du nanometre au micromètre, la densité électronique d'une zone dudit semiconducteur ou du film mince de métal ou de supraconducteur (12), cette zone étant proche de ladite face de ladite couche de matériau ferroélectrique (11), soit pour créer une déformation locale de ladite couche de matériau ferroélectrique (11) en vue de générer une onde acoustique de surface.
2. Composant selon la revendication 1 , caractérisé en ce que lesdits moyens pour générer des modifications locales de polarisation de la couche de matériau ferroélectrique (11) comportent un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle (13), agencée pour balayer de manière sélective la face de ladite structure composite (10) opposée à celle constituée par le semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur (12), et ledit semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur (12).
3. Composant selon la revendication 1 , caractérisé en ce que ladite structure composite (10) est constituée d'un semi-conducteur ou d'un film mince de métal ou de supraconducteur (12) en contact intime avec une première face de ladite couche de matériau ferroélectrique (11) et d'un film très mince semi-conducteur ou métallique ou supraconducteur (14), ce dernier étant en contact intime avec une deuxième face de la couche (11) de matériau ferroélectrique, opposée à la première face.
4. Composant selon les revendications 2 et 3, caractérisé en ce que la face de la structure composite (10) qui est balayée est celle du film très mince semi-conducteur, métallique ou supraconducteur (14) en contact intime avec la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique (11), et en ce qu'une tension est appliquée entre l'électrode ponctuelle (13) et ledit film très mince (14).
5. Composant selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'une tension est appliquée entre l'électrode ponctuelle (13) et le semi-conducteur ou le film mince de métal ou de supraconducteur (12) en contact intime avec la première face de ladite couche de matériau ferroélectrique (11).
6. Composant selon les revendications 4 et 5, caractérisé en ce qu'une tension est appliquée entre le semi-conducteur ou le film mince de métal ou de supraconducteur (12) et le film très mince semi-conducteur, métallique ou supraconducteur (14).
7. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode ponctuelle (13) est constituée par une pointe d'un microscope à sonde locale.
8. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode ponctuelle (13) est constituée par une source de particules.
9. Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau électronique.
10. Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau ionique.
11. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode ponctuelle (13) est constituée par une source de rayonnement.
12. Composant selon la revendication 1 , caractérisé en ce que l'état de polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique (11) est représenté par une caractéristique sensible à des modifications locales de la densité électronique dudit semi-conducteur, ou du film mince d'un métal ou d'un supraconducteur (12).
13. Composant selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite caractéristique est la conductance tunnel entre ladite électrode ponctuelle
(13) balayant la face de ladite structure composite (10) opposée à celle constituée par le semi-conducteur ou film mince de métal ou de supraconducteur (12), et ledit semi-conducteur ou film très mince de métal ou de supraconducteur (14).
14. Application du composant selon l'une quelconque des revendications précédentes comme dispositif à ondes acoustiques de surface.
14. Application selon la revendication 13, dans laquelle le dispositif à onde acoustique de surface est un filtre de fréquences pour des fréquences allant jusqu'à 20 GHz et plus.
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