VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR PUSMABEHANDLUNG VON GEGENSTÄNDEN IM VAKUUM
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Ver- fahren zur Beschichtung und/oder Oberflächenmodifizierung von Gegenständen im Vakuum unter Verwendung eines Plasmas, wobei die Möglichkeit besteht, vielgestaltige Gegenstände allseitig zu beschichten bzw. zu modifizieren, ohne daß ein großer anlagentechnischer- bzw. verfahrenstechnischer Aufwand erforderlich sind. Neben der Beschichtung bzw. Modifizierung zur Verbesserung, z.B. der Haftfestigkeit von gegebenenfalls nachträglich aufzubringenden Beschichtungen kann auch ein Reinigen, Ätzen und/oder Aktivieren ohne weiteres durchgeführt werden.
Neben der Modifizierung von oberflächennahen Bereichen von Gegenständen können mit der Erfindung insbesondere mikroskopisch dichte Metallschichten oder Verbindungsschichten, die eine kleine Rauhigkeit aufweisen, aufgebracht werden.
Das Auftragen von Beschichtungen auf Gegenständen ist von G.Kienel; Vakuu beschichtung, Band 2; VDI-Verlag GmbH Düsseldorf 1993; Seiten 160 - 161; unter Verwen- düng eines planaren Gleichspannungs-Magnetrons bekannt.
Eine solche Lösung, ermöglicht aber nur bedingt eine
räumliche in 3 Dimensionen vorzunehmende Beschichtung von Gegenständen, wenn diese gleichzeitig bewegt werden, was insbesondere in hierfür erforderlichen Vakuumkammern, wenn überhaupt, nur schwer und sehr aufwendig realisierbar ist. Weisen solche Gegenstände Hinterschneidungen auf, können diese normalerweise nicht beschichtet werden.
Außerdem müssen schädliche Restgaseinflüsse durch Erzeugung eines Hochvakuums vermieden werden, was entweder die Zeit für die Erzeugung des Vakuums stark erhöht, teure Vakuumschleusen oder teure Hochvakuumpumpen erfordert.
Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß größere Flä- chen parasitär beschichtet werden, was zu hohen Be- schichtungsmaterialverlusten führt, die sich insbesondere bei kostenintensiven Beschichtungsmateria- lien, wie z.B. Edelmetallen negativ auswirken. Zusätzlich entsteht ein erhöhter Reinigungsaufwand durch die parasitären Beschichtungen in der Kammer und dort befindlichen Elemente.
Die Menge an Beschichtungsmaterial, das auf die entsprechenden Gegenstände aufgebracht werden kann, ist entsprechend begrenzt, so daß für erforderliche Targetwechsel eine relativ häufige Unterbrechung des
Beschichtungsprozesses nötig ist.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung und ein entsprechendes Verfahren vorzuschlagen, mit dem eine Oberflächenmodifizierung und/oder Beschich- tung verschiedenst gestalteter Gegenstände an allen Seiten und gegebenenfalls auch auf hinterschnittenen Flächenbereichen mit geringem anlagentechnischem, verfahrenstechnischem und Kostenaufwand erreichbar ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit den Merkmalen des Anspruchs 1 für die Vorrichtung und den Merkmalen des Anspruchs 11 für das Verfahren gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich durch die Anwendung, der in den untergeordneten Ansprüchen genannten Merkmale.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann für die bereits eingangs in der Beschreibung genannte Beschichtung von Gegenständen mit Metallen, Metall-Legierungen oder verschiedenen Metallverbindungen, wie Metallnitride bzw. Metalloxide bzw. alternativ und kommulativ hierzu an den Oberflächen entsprechend modifiziert werden, so daß beispielsweise die Haftungseigenschaf- ten für nachfolgend aufzubringende Beschichtungen verbessert werden können. Dabei wird ein kastenförmiges Gebilde, das beispielsweise die Form eines Recht- eckes, Kubuses oder eines Zylinders aus einem elektrisch leitenden Material aufweist, verwendet. Das kastenförmige Gebilde kann für sich gesehen eine Vakuumkammer darstellen, die durch Anschluß entsprechender Pumpen und Ventile in Verbindung, mit noch nachfolgend zu nennenden technischen Elementen verwendet wird. Es besteht aber auch die Möglichkeit,
ein solches kastenförmiges Gebilde in eine herkömmliche Vakuumkammer einzusetzen und dort erfindungsgemäß zu arbeiten.
Die zu beschichtenden bzw. modifizierenden Gegenstände werden in das Innere des kastenförmigen Gebildes eingesetzt und zwar so, daß ein direkter Kontakt zwischen den Gegenständen und der Innenwandung vermieden und ansonsten eine elektrische Isolierung als Träger für die Gegenstände verwendet wird. Die Gegenstände
können bevorzugt über verschließbare Öffnungen in das kastenförmige Gebilde eingesetzt werden, so daß die Gegenstände allseitig umschlossen sind. Das kastenförmige Gebilde kann aber auch aus zwei Teilen bestehen, wobei ein Teil einen Deckel bildet, der auf das Unterteil aufsetzbar ist.
Zumindest die Innenwandung sollte aus einem für die
Beschichtung geeigneten Material bestehen. Selbstverständlich kann aber auch das gesamte kastenförmige Gebilde aus einem für die Beschichtung geeigneten Material gebildet sein oder an den Innenwandungen des kastenförmingen Gebildes können flächige Targets aus einem Beschichtungsmaterial angeordnet werden.
Außerdem sind Öffnungen für die Zu- und Abführung von Arbeitsgas sowie mindestens eine Öffnung, durch die Energie zur Erzeugung einer Glimmentladung, in das das kastenförmige Gebilde eingeführt werden kann, erforderlich .
Für die Modifizierung bzw. Beschichtung wird das ka- stenförmige Gebilde gegenüber dem mit der Glimmentladung erzeugten Plasma auf ein elektrisch negatives
Potential gelegt.
Die durch eine Glimmentladung hervorgerufene Plasma- erzeugung kann auf verschiedene Art und Weise erfolgen. Hierfür besteht einmal die Möglichkeit, durch eine Öffnung eine Elektrode in das Innere des kastenförmigen Gebildes einzuführen, an die eine Gleichoder Wechselspannung angelegt wird. Bei Anlegung ei- ner Gleichspannung ist die Elektrode als Anode geschaltet. Die entsprechend angelegte Wechselspannung kann nieder-, mittel- bzw. hochfrequent sein.
Eine alternative Möglichkeit zur Erzeugung des Plas- mas besteht darin, durch eine Öffnung Mikrowellen in das Innere des kastenförmigen Gebildes zu richten und damit das Plasma zu erzeugen.
Da das kastenförmige Gebilde gegenüber dem Plasma ein negatives elektrisches Potential aufweist, kann an der inneren Oberfläche durch Auftreffen energiereicher, positiver Ionen aus dem Plasma Material abgetragen werden (Kathodenzerstäubung) , das sich dann auf den Gegenständen niederschlägt. Hierfür muß je- doch eine ausreichende Potentialdifferenz eingestellt werden. Für den Fall, daß eine entsprechende Potentialdifferenz nicht erreicht worden ist, wird kein bzw. nahezu kein Material abgetragen und es erfolgt lediglich eine Modifizierung im oberlfächennahen Bereich der im kastenförmigen Gebilde aufgenommenen Gegenstände. Die Gegenstände können aus den verschiedensten Materialien, wie z.B. Metall, Kunststoff oder Keramik bestehen.
Durch einfache Erhöhung der Potentialdifferenz zwischen kastenförmigem Gebilde und Plasma kann im Nach
gang zur Modifizierung die Beschichtung der Gegenstände eingeleitet werden. Durch den entsprechenden Materialabtrag an allen Innenwänden des kastenförmi- gen Gebildes ist eine allseitige Beschichtung von beliebig dreidimensional geformten Gegenständen, ohne zusätzliche Manipulation der Gegenstände möglich und es können auch Hinterschneidungen beschichtet werden, wobei sich hier ein erhöhter Arbeitsdruck, der zur gestreuten Verteilung der abgetragenen Materialbe- standteile führt, positiv auswirkt. Es kann also eine gleichförmige und nahezu gleichzeitige Modifizierung und/oder Beschichtung von Gegenständen erreicht werden.
Das Beschichtungsmaterial , das nicht direkt auf der Oberfläche der Gegenstände abgeschieden wird, schlägt sich im wesentlichen wieder an der inneren Oberfläche des kastenförmigen Gebildes nieder und geht so dem Beschichtungsprozeß nicht verloren. Da Streubeschich- tungen nur auf relativ kleinformatige Einbauten im kastenförmigen Gebilde, wie beispielsweise einem Träger, auf dem die Gegenstände gehalten sind, sich absetzen, verringert sich der Reinigungsaufwand gegen- über herkömmlichen Lösungen beträchtlich.
Den sich bekanntermaßen in solchen Prozessen bildende Adsorbatschichten, die durch Desorption bei Vakuumbeschichtungsprozessen durch ihre Desorption während der Beschichtung, die Schichtqualität und die Schichthaftung nachteilig beeinflussen, kann sehr effektiv durch Ionenbeschußentfernung entgegengewirkt werden. Hierfür kann das Innere des kastenförmigen Gebildes vor der eigentlichen Beschichtung relativ kurzzeitig mit geringer Plasmaleistung, geringerem negativen Potential am kastenförmigen Gebilde und/
oder durch Beaufschlagung mit einem erhöhten Arbeitsdruck gereinigt werden, so daß für die Entfernung der Adsorbatschichten keine zusätzlichen technischen Er- fordernisse getroffen werden müssen und das Adsorbat nach dem Ablösen ohne weiteres mit dem Arbeitsgas abgesaugt werden kann.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht auch die Möglichkeit, einen großen Teil der Adsorbatschichten bereits vor dem Auslösen der Glimmentladung und Plasmaerzeugung mit dem Einleiten und Absaugen von sauberem, trockenen Arbeitsgas bereits während der Evakuierungsphase zu entfernen. Hierzu wird rela- tiv wenig Arbeitsgas benötigt, da das kastenförmige Gebilde und dessen innere Oberfläche, im Vergleich zur inneren Oberfläche herkömmlicher Vakuumbeschich- tungska mern , bei gleichem Volumen der zu beschichtenden Gegenstände, relativ klein sein kann.
Durch den Ionenbeschuß kann die innere Oberfläche des kastenförmigen Gebildes auf einfache Art und Weise und ohne zusätzlichen technischen Aufwand erwärmt werden, so daß die Desorption der Adsorbatschichten erheblich beschleunigt werden kann.
Für den Fall, daß das kastenförmige Gebilde in eine größer formatige Vakuumkammer eingesetzt worden ist und demzufolge nicht selbst als Vakuumkammer wirkt, bleibt der Effekt erhalten, da die Gasströmung im kastenförmigen Gebilde durch den relativ kleinen freien Querschnitt seiner Öffnungen keine desorbier- ten Gase von der Wandung der größeren Vakuumkammer in das kastenförmige Gebilde eindringen läßt.
Da die Reinigung des Innenraumes des kastenförmigen Gebildes von Adsorbatschichten durch Ionenbeschuß und Gasströmung sehr wirksam ist, und der erforderliche Arbeitsdruck während der eigentlichen Beschichtung im Bereich des Grob-/Feinvakuums liegt, ist keine Hochvakuumpumpe mit entsprechend hohem Kostenaufwand erforderlich.
Gegenüber der bekannten Lösung der Beschichtung mit Magnetronquellen bietet die erfindungsgemäße Lösung einen weiteren Vorteil, der darin besteht, daß wesentlich mehr Beschichtungsmaterial zur Verfügung steht, als dies bei den dort zu verwendenden Targets der Fall ist. Da die gesamte innere Oberfläche des kastenförmigen Materials aus Beschichtungsmaterial besteht oder dort entsprechend dimensionierte flächige Targets aus einem solchen Beschichtungsmaterial angeordnet sind, ist der Beschichtungsmaterialvorrat wesentlich größer und der Prozeß muß entsprechend seltener für eine Nachbeschickung mit Beschichtungsmaterial unterbrochen werden. Außerdem verändern sich dadurch auch bei starkem Abtrag von Beschichtungsmaterial die Plasmaparameter nicht unzulässig. Außerdem kommt es nicht zu einer Begrenzung durch den von einer großen Dicke der Targets hervorgerufenen Wärmewiderstand.
Das kastenförmige Gebilde kann in Verbindung mit dem Druck des Arbeitsgases so dimensioniert werden, daß die infolge der eingebrachten Energie hervorgerufene Entladung den Charakter einer Hohlkathoden-Glimmentladung trägt, so daß eine besonders hohe Plasmadichte und demzufolge eine große Beschichtungsrate erreicht werden kann, ohne daß teure Permanentmagneten, wie bei der Verwendung von Magnetronen, erforderlich
sind. Dabei kann die von M. v. Ardenne in "Effekte der Physik"; Verlag Harry Deutsch; Thun, Frankfurt/- Main; 1990 genannte Bedingung Druck Rohr-Innen- durchmesser = 133,3 Pa cm mit einem Toleranzbereich maximal 13,33-133,3 Pa cm für die Entstehung einer Hohlkathodenentladung entsprechend berücksichtigt werden, wenn für den Rohr-Innendurchmesser die jeweilige lichte Weite des kastenförmigen Gebildes ge- setzt wird.
Da erfindungsgemäß die Modifizierung und Beschichtung bei relativ niedrigen Temperaturen durchgeführt werden kann, besteht außerdem die Möglichkeit und es wirkt sich günstig aus, das kastenförmige Gebilde mit einer Kühlung, bevorzugt Wasserkühlung auszustatten.
Wie bereits erwähnt, kann die Potentialdifferenz zwischen dem erzeugten Plasma und dem kastenförmigen Gebilde definiert beeinflußt werden und im Bereich zwischen 100 bis 1000 V eingestellt werden. Dabei genügen die kleineren Spannungswerte für die Modifizierung und die höheren Spannungswerte sind für das Aufbringen einer Beschichtung erforderlich.
Der Druck im kastenförmigen Gebilde kann im Bereich zwischen 10 bis 10 mbar definiert eingestellt werden.
Die Absaugöffnung für das Arbeitsgas hat eine Größe zwischen einigen cm bis ca. 100 cm2 und es ist günstig, die anderen Öffnungen im kastenförmigen Gebilde so zu dimensionieren, daß deren Summe kleiner als die Größe der Absaugöffnung ist.
Das kastenförmige Gebilde kann eine lichte Weite im Bereich zwischen 1 cm und 1 m aufweisen und sollte mindestens die 1,2-fache Größe der Gegenstände auf- weisen und maximal 10-fach so groß sein. Die Gegenstände, die modifiziert bzw. beschichtet werden sollen, sollten im Inneren des kastenförmigen Gebildes ein Volumen von etwa 0,1 % bis 30 % ausfüllen. Die Gegenstände im kastenförmigen Gebilde sollten von diesem elektrisch isoliert auf z.B. einem oder mehreren Trägern gehalten sein und zur Innenwandung des kastenförmigen Gebildes einen Abstand von mindestens 0,1 bis maximal 10 cm aufweisen.
Als Beschichtungsmaterial kommen verschiedene Metalle, wie z.B. Kupfer, Aluminium, Titan oder Legierungen davon zum Einsatz. Es können aber auch Metallverbindungen, wie z.B. Titannitrid oder Indium-Zinn-Oxid verwendet werden.
Das Arbeitsgas kann insbesondere für die Spülung und Reinigung ein sauberes, trockenes Inertgas, z.B. Argon sein. Für die Beschichtung kann jedoch ein Ar- beitsgasgemisch, aus einem Inertgas und einem Reak- tivgas verwendet werden. Ein solches Arbeitsgasge- isch ist z.B. Argon und Stickstoff, so daß Nitrid- schichten auf den Gegenständen abgeschieden werden können.
Der Gasfluß kann mit mindestens 10 Norm cm3/min (Norm Kubikzentimeter pro Minute) und maximal 1000 Norm cm3/min eingestellt werden.
Für den Fall, daß nur eine sehr geringe Beschichtung oder keine Beschichtung aufgebracht werden soll, sollte die Potentialdifferenz zwischen dem Plasma und
dem kastenförmigen Gebilde unterhalb 200 V eingestellt und/oder der Druck um mindestens den Faktor drei erhöht werden. Bei einer solchen Einstellung kann eine Oberflächenmodifizierung, wie bereits allgemein erwähnt, durchgeführt werden.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann auch zur Erzeugung von Ko positStruktur verwendet werden. Dazu ist vorgesehen, daß durch eine der vorhandenen Öffnungen oder durch ein eigens dafür eingebrachte Öffnung Feststoffpulver zugeführt wird. Es ist auch möglich, das Feststoffpulver in einem Behältnis in der Vorrichtung unterzubringen. Die Partikel des Feststoff- pulvers weisen bevorzugt eine Größe von 10-4 bis
10 m auf. Als Feststoffpartikel kommen grundsätzlich alle bekannten Hartstoffe in Frage. Beispiele sind hochschmelzende Metalloxide wie Korund oder Titanoxid. Auch Diamantgraphit oder Nitride können eingesetzt werden. Verfahrensgemaß wird bei Einbringung des Pulvers über eine Öffnung das Pulver dem Inertgasstrom zugemischt. Sofern das Pulver in einem Behältnis untergebracht ist, erfolgt eine automatische Verwirbelung durch das angelegte Vakuum. Die Partikel lagern sich dann auf der zu beschichtenden Oberfläche ab.
Nachfolgend soll die Arbeitsweise gemäß der Erfindung erst in allgemeiner Form und anschließend an zwei konkreten Beispielen näher beschrieben werden.
Nach dem Einbringen der Gegenstände in das kastenförmige Gebilde, wird mittels einer Vakuumpumpe die Evakuierung des kastenförmigen Gebildes bzw. der diese umschließenden Vakuumkammer durchgeführt und gleichzeitig bzw. kurz danach folgend ein Spülen mit Ar
beitsgas durchgeführt.
Ist ein ausreichend kleiner Druck (1 bis 10 mbar) er- reicht, wird das kastenförmige Gebilde auf ein gegenüber dem Plasma negatives Potential gelegt und die Glimmentladung durch Energiezufuhr gezündet. Dadurch erfolgt die ionenunterstützte Desorption der Adsorbatschichten.
Nach ausreichender Reinigung wird der Druck durch Reduzierung der Arbeitsgaszufuhr auf einen Druck im Bereich zwischen 0,001 bis 1 mbar abgesenkt und die Potentialdifferenz zwischen kastenförmigem Gebilde und Plasma erhöht. Dies kann z.B. durch Erhöhung des negativen Potentials, also einer höheren negativen Spannung, die am kastenförmigen Gebilde anliegt, erfolgen. Dadurch erfolgt ein Materialabtrag des Be- schichtungs aterials von der Innenwandung des flächi- gen Gebildes und die in diesem befindlichen Gegenstände werden entsprechend beschichtet. Je nach aufzubringender Beschichtung kann hier reines Inertgas oder ein Inertgas-Reaktivgasgemiεch als Arbeitsgas verwendet werden. Der Anteil an Reaktivgas muß jedoch entsprechend des gewünschten Schichtaufbaus eingestellt werden.
Nachfolgend kann die Glimmentladung gelöscht, die Arbeitsgaszufuhr und die Pumpe abgeschaltet und die Vakuumkammer bzw. das kastenförmige Gebilde geflutet werden und nach Öffnung die modifizierten bzw. beschichteten Gegenstände entnommen werden.
Mit den nachfolgenden Beispielen 1 und 2 soll einmal die Beschichtung von Gegenständen mit Kupfer und zum anderen mit Titannitrid konkreter beschrieben werden.
Beispiel 1
Die Gegenstände werden in das kastenförmigen Gebilde eingebracht, das eine Rohrform hat, sich in einem
Vakuumgefäß befindet und aus massivem Kupfer besteht. Zur Evakuierung des Vakuumgefäßes wird die Vakuumpumpe eingeschaltet. Gleichzeitig wird Argon mit ca. 100 Norm cm3/min (Norm Kubikzentimeter pro Minute) zum Spülen eingelassen.
Bei Erreichen eines Druckes von 5 mbar wird das kastenförmige Gebilde auf ein negatives Potential von 300 V gegenüber einer in das kastenförmige Gebilde eingetauchten stabformigen Anode gelegt und die Glimmentladung gezündet. Das bewirkt die ionenunterstütz- te Desorption der Adsorbatschichten von der Innenwand des kastenförmigen Gebildes.
Nach ausreichender Reinigung wird der Druck durch
Reduzierung der Gaszufuhr auf den Arbeitsdruck von 0,5 mbar abgesenkt und das Potential des kastenförmigen Gebildes auf -500 V eingestellt, wodurch eine Beschichtung der Gegenstände mit Kupfer stattfindet.
Nach 10 min Beschichtungsdauer wird die Glimmentladung durch Abschalten der Stromzufuhr gelöscht und die Argonzufuhr abgestellt. Die Pumpe wird ausgeschaltet und das kastenförmigen Gebilde wird belüf- tet. Vakuumgefäß und kastenförmiges gebilde werden geöffnet und die beschichteten Gegenstände werden entnommen.
Beispiel 2
Die Gegenstände werden in das kastenförmige Gebilde eingebracht. Der Kasten hat eine Quaderform, besteht aus Aluminium und stellt selbst das Vakuumgefäß dar, das auf seiner Innenseite nahezu vollständig mit Titanblechen ("Targets") bedeckt ist. Das kastenförmige Gebilde weist in seiner Wand einen kurzen Rohrstutzen auf, an dem eine Mikrowellenquelle angeschlossen ist.
Zur Evakuierung des Kastens wird die Vakuumpumpe eingeschaltet. Kurz danach wird Argon mit ca. 300 Norm cm3/min zum Spülen eingelassen. Bei Erreichen eines Druckes von 10 mbar wird das kastenförmige Gebilde auf ein negatives Potential von 250 V gelegt und die Glimmentladung durch Einschalten der Mikrowellenquelle gezündet.
Nach 3 min Reinigung wird der Druck durch Reduzierung der Gaszufuhr auf 0,3 mbar abgesenkt, und die Gegenstände werden mit einem Potential von -500 V beaufschlagt, wodurch eine Oberflächenreinigung erfolgt. Anschließend wird dem Argon 10 % Stickstoff beigefügt und das Potential des kastenförmigen Gebildes auf -600 V eingestellt, wodurch eine Beschichtung der Gegenstände mit Titannitrid stattfindet.
Nach 15 min Beschichtung wird die Glimmentladung ge- löscht und die Arbeitsgaszufuhr abgestellt. Die Pumpe wird durch ein Ventil abgesperrt und der Kasten wird belüftet. Der Kasten wird geöffnet und die Gegenstände werden entnommen.
Nachfolgend soll der Aufbau von möglichen Beispielen für eine erfindungsgemäße Vorrichtung näher beschrie
ben werden.
Dabei zeigen:
Figur 1 ein Beispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer eingeführten Elektrode zur Plasmaerzeugung und
Figur 2 ein zweites Beispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Öffnung, durch die Mikrowellen zur Plasmaerzeugung gerichtet werden können.
In der Figur 1 ist ein kastenförmiges Gebilde 1 mit rechteckigem Querschnitt dargestellt. Eine Stirnfläche 8 ist dabei als Öffnung ausgebildet, durch die die Gegenstände 2 eingeführt und wieder entnommen werden können. Die Öffnung 8 kann, wie dargestellt, wieder verschlossen werden. Durch die Öffnung 3 kann Arbeitsgas in das flächige Gebilde 1 eingeführt und durch die größer ausgeführte und diametral angeordnete Öffnung 4 wieder abgeführt werden.
Die in diesem Fall als Anode geschaltete Elektrode 5 wird über eine weitere Öffnung 61 eingeführt. Zwischen Anode 5 und kastenförmigem Gebilde 1 ist eine nicht dargestellte Isolierung vorhanden, so daß die Potentiale voneinander getrennt sind.
In der Figur 2 ist ein zylinderförmiges kastenförmiges Gebilde 1 dargestellt, in dem wieder mehrere Gegenstände 2 auf einem gegenüber dem kastenförmigen Gebilde 1 isolierten Träger 7 angeordnet sind. Die obere Stirnfläche ist wiederum als Deckel 8, der entfernt und wieder aufgesetzt werden kann, ausgebildet.
Im Deckel 8 ist eine Öffnung 6 vorhanden, durch die Mikrowellen in das Innere des kastenförmigen Gebildes 1 gerichtet werden können und ein Plasma erzeugt wer- den kann.
Bei diesem Beispiel sind in der äußeren Mantelfläche zwei Öffnungen 3 vorhanden, durch die Arbeitsgas in das Innere des kastenförmigen Gebildes 1 geführt wer- den kann. Das Gas kann durch die Öffnung 4, das bei diesem Beispiel mit einem Stutzen verbunden ist, aus dem kastenförmigen Gebilde 1 abgezogen werden.