WO2000033385A1 - Mos-feldeffekttransistor mit hilfselektrode - Google Patents

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    • H10D64/111—Field plates
    • H10D64/117—Recessed field plates, e.g. trench field plates or buried field plates

Definitions

  • a semiconductor body of one conduction type having a first and a second main surface, at least one first semiconductor zone of the other conduction type of opposite conduction type is embedded,
  • a gate electrode at least in the area above the first semiconductor zone between the second semiconductor zone and the semiconductor body
  • first electrode contacting the semiconductor body on the second main surface and a second electrode contacting at least the second semiconductor zone.
  • This known MOSFET consists of a semiconductor body 1 with an n + -lecting dram contact zone 2, alternating n-conducting and p-conducting semiconductor zones 3 and 4, which are separated from one another by an insulating layer 5 made of, for example, silicon dioxide, p- conductive semiconductor zones ("body" zones) 6 and n-type semiconductor zones 7, which m zones 6 are embedded.
  • Silicon is conventionally used for the semiconductor body 1, although other materials can also be used if necessary.
  • the specified line types can also be reversed if necessary.
  • Gate electrodes 9 made of doped polycrystalline silicon are embedded in an insulating layer 8 made of, for example, silicon dioxide or silicon nitride and provided with a connection G.
  • n + -le ⁇ ten- semiconductor layer 2 which is provided with a drain terminal D, there is a drain voltage + U D.
  • zones 3 and 4 are mutually cleared out of charge carriers. If these zones 3, 4, which are columnar between the two main surfaces of the semiconductor body 1, the total amount of the n-doping and the p-doping is approximately the same or so small that these zones 3, 4 are completely depleted of charge carriers, Before a breakdown occurs, such a MOSFET can block high voltages and still a low one
  • auxiliary electrode provided with an insulating layer, which extends in the direction between the first and the second main surface of the semiconductor body and electrically with the first semiconductor zone connected is.
  • the auxiliary electrode is preferably located directly below the first semiconductor zone.
  • auxiliary electrodes of this type can be provided below each first semiconductor zone. These auxiliary electrodes can optionally be designed in a "pencil-like" manner.
  • the auxiliary electrodes can extend up to a highly doped layer of one conductivity type in the region of the second main surface, that is to say up to the proximity of a dram contact zone.
  • the auxiliary electrodes can only extend as far as a weakly doped layer of one conductivity type, which is provided between the semiconductor body and a heavily doped semiconductor layer of one conductivity type contacted with the first electrode.
  • the auxiliary electrode itself preferably consists of highly doped polycrystalline silicon, while silicon dioxide is not preferably used for the insulating material.
  • the depth of the auxiliary electrodes can be, for example, between 5 and 40 ⁇ m, while their width can be on the order of 1 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the insulating layer on the polycrystalline silicon of the auxiliary electrode can be between 0.1 and 1 ⁇ m, this thickness increasing in the direction of the second main surface or towards the center of the auxiliary electrodes between the two main surfaces.
  • the MOSFET according to the invention can be produced in a particularly simple manner: trenches are formed in the n-type semiconductor body, for example, by etching. The walls and floors of these trenches are provided with an insulating layer, which can be done by oxidation, so that a silicon dioxide layer is formed as an insulating layer in the semiconductor body consisting of silicon. The trenches are then filled with n + or p " -conducting polycrystalline silicon, which poses no problems.
  • a p + doping is preferred for the polycrystalline silicon of the auxiliary electrode: if there is a hole in the insulating layer, a pn junction is created after p-diffusion through the hole in the n-type semiconductor body. In the case of n "doping for the polycrystalline silicon of the auxiliary electrode, on the other hand, such a hole would cause a short circuit to the n-type semiconductor body.
  • auxiliary electrodes themselves can be columnar, lattice or strip-shaped or have other designs.
  • the n-type semiconductor zones can also be doped the higher the closer the auxiliary electrodes are to one another. However, it must be taken into account here that, in the case of auxiliary electrodes running parallel to one another, the lateral surface charge of the n-conducting semiconductor zones is twice the throughput. fractional dopant quantity must not exceed ⁇ th.
  • n + or p + doping in the polycrystalline silicon of the auxiliary electrodes need not be homogeneous. Rather, fluctuations in the doping concentration are permissible without further notice.
  • the depth of the auxiliary electrodes or the trench is also not critical: they can reach up to a heavily doped dram contact zone, but do not need to do this.
  • n-type semiconductor body instead of an n-type semiconductor body, for example, layers with different doping can also be provided for it.
  • FIG. 1 shows a section through a MOSFET according to a first exemplary embodiment of the invention
  • FIG. 2 shows a section through a MOSFET according to a second exemplary embodiment of the invention
  • FIG. 3 shows a section through a MOSFET according to a third exemplary embodiment of the invention.
  • FIG. 4 shows an exemplary embodiment of the MOSFET according to the invention.
  • no p-type zones 4 which are surrounded by an insulating layer 5, are provided here.
  • auxiliary electrodes 11 are provided in the MOSFET of the exemplary embodiment of FIG. 1, each of which consists of n + or p + -doped polycrystalline silicon 12 and are surrounded by the insulating layer 5.
  • the polycrystalline silicon another correspondingly conductive material can optionally be used.
  • the insulating layer 5 can also consist of materials other than silicon dioxide, for example silicon nitride, or else of different insulating materials, such as silicon dioxide or silicon nitride.
  • auxiliary electrodes have a similar effect to the p-type zones 4 in the conventional MOSFET of FIG. 4: when the drain voltage + U D is applied to the drain terminal D, the n-type zones 3 are cleared of charge carriers. A greater field strength of the electric field occurs on the insulating layer 5 than in the MOSFET with the conventional structure of FIG. 4. However, this has no effect on the intended removal of load carriers.
  • trenches 13 m need the semiconductor body 1 approximately up to the layer 2 with a width of approximately 1 to 5 ⁇ m and a depth of approximately 5 to 40 ⁇ m to be etched, the walls of which are then covered by oxidation with the insulating layer 5 made of silicon dioxide and a layer thickness of 0.1 to 1 ⁇ m.
  • the thickness of the insulating layer 5 does not play a special role here: it can rather rise in the trench 13 from top to bottom or to the center hm.
  • the trenches are then filled with the polycrystalline silicon 12, which can be p + or n + doped. Ap + doping for the auxiliary electrodes 11 is preferred, however, since it gives a greater yield with regard to holes which may be present in the insulating layer 5, as has already been explained above.
  • auxiliary electrodes 11 need not correspond to the arrangement of the individual semiconductor cells. Rather, the auxiliary electrodes 11 can be provided in the form of columns, grids or strips or of any other design.
  • the n-type zones 3 are preferably doped the higher the closer the auxiliary electrodes 11 are to each other. It is only essential that, in the case of auxiliary electrodes 11 running parallel to one another, the lateral flat charge of the n-conducting zones 3 does not exceed twice the amount of dopant corresponding to the breakdown charge.
  • n-type zones 3 or the semiconductor body 1
  • several layers with different doping can also be provided.
  • the n * -lecting zone 2 can also be replaced by an np + bad sequence or an n ⁇ -p + bad sequence, as is indicated in FIG. 1 by a stitch line 15.
  • the doping of the polycrystalline silicon 12 in the auxiliary electrodes 11 need not be homogeneous.
  • FIG. 2 shows a further exemplary embodiment of the invention, in which, in contrast to the exemplary embodiment of FIG. 1, two auxiliary electrodes 11 are assigned to each cell.
  • two auxiliary electrodes 11 are assigned to each cell.
  • the auxiliary electrodes 11 it is also not necessary for the auxiliary electrodes 11 to reach the highly doped n + -type layer 2 on the side of the drain connection D.
  • these auxiliary electrodes 11 already end at an n " -type layer 14, which is provided between the ⁇ -type layer 2 and the n-type zones 3.
  • the invention thus enables a MOSFET which can be produced in a simple manner and which only requires the usual steps in semiconductor technology when introducing trenches and nevertheless ensures a low on-resistance R on .
  • a vertical structure of the MOS field-effect transistor according to the invention is described.
  • the invention can, however, also be applied to a lateral structure in which the auxiliary electrodes 11 in the semiconductor body extend in the lateral direction.

Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen MOS-Feldeffekttransistor mit niedrigem Einschaltwiderstand Ron, bei dem in der Driftstrecke zwischen Halbleitergebieten (3) des einen Leitungstyps Hilfselektroden (11) vorgesehen sind, die aus polykristallinem Silizium (12) bestehen, das von einer Isolierschicht (5) umgeben ist.

Description

Beschreibung
MOS-Feldeffekttransistor mit Hilfselektrode
Die vorliegende Erfindung betrifft einen MOS-Feldeffekttransistor mit
- einem eine erste und eine zweite Hauptoberflache aufweisenden Halbleiterkorper des einen Leitungstyps, m den wenig- stens eine erste Halbleiterzone des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps eingebettet ist,
- mindestens einer zweiten Halbleiterzone des einen Leitungstyps, die m der ersten Halbleiterzone vorgesehen ist,
- einer Gateelektrode wenigstens im Bereich oberhalb der ersten Halbleiterzone zwischen der zweiten Halbleiterzone und dem Halbleiterkorper und
- einer den Halbleiterkorper auf der zweiten Hauptoberflache kontaktierenden ersten Elektrode und einer mindestens die zweite Halbleiterzone kontaktierenden zweiten Elektrode.
Bekanntlich wird schon seit langem nach Möglichkeiten ge- sucht, den Einschaltwiderstand Ron speziell von Leistungs-
MOS-Feldeffekttransistoren (FET's) zu reduzieren. So ist beispielsweise m der US 5 216 275 eine Leistungs-Halbleiter- vorrichtung beschrieben, die grundsätzlich m der eingangs beschriebenen Art aufgebaut ist: die Driftstrecke dieser Halbleitervorrichtung ist mit einer sogenannten "Spannungs- halteschicht" ("voltage sustainmg layer") versehen, die aus vertikalen, nebenemanderliegenden p- und n-leitenden Gebieten besteht, welche einander abwechseln und zwischen denen eine Isolierschicht aus Siliziumdioxid vorgesehen ist. Als Beispiel einer derartigen üblichen Halbleitervorrichtung ist m Fig. 4 ein MOSFET gezeigt. Dieser bekannte MOSFET besteht aus einem Halbleiterkorper 1 mit einer n+-leιtenden Dram-Kontaktzone 2, einander abwechselnden n-leitenden und p-leitenden Halbleiterzonen 3 bzw. 4, die voneinander durch eine Isolierschicht 5 aus beispielswei- se Siliziumdioxid getrennt sind, p-leitenden Halbleiterzonen ( "Body"-Zonen) 6 und n-leitenden Halbleiterzonen 7, die m die Zonen 6 eingebettet sind.
Für den Halbleiterkorper 1 wird m üblicher Weise Silizium verwendet, obwohl gegebenenfalls auch andere Materialien eingesetzt werden können. Auch können gegebenenfalls die angegebenen Leitungstypen umgekehrt sein.
Gateelektroden 9 aus dotiertem polykristallinem Silizium sind m eine Isolierschicht 8 aus beispielsweise Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid eingebettet und mit einem Anschluß G versehen. Eine Metallschicht 10 aus beispielsweise Aluminium kontaktiert die n-leitenden Zonen 7 und ist mit einem Source- anschluß S versehen, der geerdet sein kann. An der n+-leιten- den Halbleiterschicht 2, die mit einem Drainanschluß D versehen ist, liegt eine Drainspannung +UD.
Bei angelegter Spannung +UD werden die Zonen 3 und 4 gegenseitig an Ladungsträgern ausgeräumt. Ist m diesen Zonen 3, 4, die zwischen den beiden Hauptoberflachen des Halbleiter- korpers 1 säulenförmig verlaufen, die Gesamtmenge der n- Dotierung und der p-Dotierung etwa gleich oder so gering, daß diese Zonen 3, 4 vollständig an Ladungsträgern ausgeräumt sind, bevor ein Durchbruch eintritt, so kann ein solcher MOSFET hohe Spannungen sperren und dennoch einen niedrigen
Einschaltwiderstand Ron aufweisen. Infolge der Isolierschicht 5 zwischen den n-leitenden Zonen 3 und den p-leitenden Zonen 4 dienen hier die p-leitenden Zonen 4, die unterhalb der Zonen 6 angeordnet sind, als geerdete Feldplatten für die n-leitenden Zonen 3, solange diese nicht vollständig an Ladungsträgern ausgeräumt sind. Ein MOSFET mit der m Fig. 4 gezeigten Struktur ist m seiner Herstellung relativ aufwendig, was insbesondere auf die Bildung der Isolierschichten 5 und der von diesen umgebenen p- leitenden Zonen 4 m einem n-leitenden Halbleiterkorper 1 zu- ruckzufuhren ist.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen MOSFET zu schaffen, der einen ähnlich niedrigen Einschaltwiderstand wie der bestehende MOSFET hat, jedoch wesentlich einfacher herzustellen ist.
Diese Aufgabe wird bei einem MOSFET der eingangs genannten Art erfmdungsgemäß dadurch gelost, daß im Halbleiterkorper wenigstens eine mit einer Isolierschicht versehene Hilfselek- trode vorgesehen ist, die sich m der Richtung zwischen der ersten und der zweiten Hauptoberflache des Halbleiterkorpers erstreckt und mit der ersten Halbleiterzone elektrisch verbunden ist. Vorzugsweise liegt die Hilfselektrode direkt unterhalb der ersten Halbleiterzone.
Dabei ist es auch möglich, daß mehrere derartige Hilfselektroden unterhalb jeder ersten Halbleiterzone vorgesehen sind. Diese Hilfselektroden können gegebenenfalls "bleistiftartig" gestaltet sein. Die Hilfselektroden können sich bis zu einer hochdotierten Schicht des einen Leitungstyps im Bereich der zweiten Hauptoberflache, also bis m die Nahe zu einer Dram- Kontaktzone erstrecken. Es ist aber auch möglich, daß die Hilfselektroden lediglich bis zu einer schwach dotierten Schicht des einen Leitungstyps reichen, die zwischen dem Halbleiterkorper und einer mit der ersten Elektrode kontaktierten stark dotierten Halbleiterschicht des einen Leitungstyps vorgesehen ist.
Die Hilfselektrode selbst besteht m bevorzugter Weise aus hochdotiertem polykristallmem Silizium, wahrend f r die Iso- lierscnicht m bevorzugter Weise Siliziumdioxid verwendet wird. Die Tiefe der Hilfselektroden kann beispielsweise zwischen 5 und 40 μm liegen, während ihre Breite in der Größenordnung von 1 bis 5 μm sein kann. Die Dicke der Isolierschicht auf dem polykristallinen Silizium der Hilfselektrode kann zwischen 0,1 und 1 μm liegen, wobei diese Dicke in Richtung auf die zweite Hauptoberfläche oder zur Mitte der Hilfselektroden zwischen den beiden Hauptoberflächen hin ansteigen kann.
Der erfindungsgemäße MOSFET ist in besonders einfacher Weise herstellbar: in den beispielsweise n-leitenden Halbleiterkorper werden Gräben (Trenche) beispielsweise durch Ätzen eingebracht. Die Wände und Böden dieser Trenche werden mit einer Isolierschicht versehen, was durch Oxidation geschehen kann, so daß bei dem aus Silizium bestehenden Halbleiterkorper als Isolierschicht eine Siliziumdioxidschicht gebildet wird. Sodann werden die Trenche mit n+- oder p"-leitendem polykristallinem Silizium gefüllt, was keine Probleme aufwirft.
Dabei wird eine p+-Dotierung für das polykristalline Silizium der Hilfselektrode bevorzugt: sollte nämlich in der Isolierschicht ein Loch vorhanden sein, so entsteht nach einer p- Diffusion durch das Loch in dem n-leitenden Halbleiterkorper ein sperrender pn-Übergang. Im Falle einer n"-Dotierung für das polykristalline Silizium der Hilfselektrode würde dagegen durch ein solches Loch ein Kurzschluß zum n-leitenden Halbleiterkorper hervorgerufen werden.
Die Hilfselektroden selbst können säulen-, gitter- oder streifenförmig sein oder sonstige Gestaltungen besitzen.
Auch können die n-leitenden Halbleiterzonen um so höher dotiert werden, je näher die Hilfselektroden zueinander stehen. Dabei ist aber zu berücksichtigen, daß bei parallel zueinan- der verlaufenden Hilfselektroden die seitliche Flächenladung der n-leitenden Halbleiterzonen die dem Doppelten der Durch- bruchsladung entsprechende Dotierstoffmenge nicht überschrei¬ ten darf.
Die n+- oder p+-Dotιerung im polykristallinen Silizium der Hilfselektroden braucht nicht homogen zu sein. Vielmehr sind hier ohne weiteres Schwankungen m der Dotierungskonzentration zulassig. Auch ist die Tiefe der Hilfselektroden bzw. der Trenche nicht kritisch: diese können bis zu einer hochdotierten Dram-Kontaktzone reichen, brauchen dies aber nicht zu tun.
Anstelle eines beispielsweise n-leitenden Halbleiterkorpers können für diesen auch Schichten mit unterschiedlicher Dotierung vorgesehen werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen naher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch einen MOSFET nach einem ersten Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 2 einen Schnitt durch einen MOSFET nach einem zweiten Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 3 einen Schnitt durch einen MOSFET nach einem dritten Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung, und
Fig. 4 einen Schnitt durch einen bestehenden MOSFET,
Die Fig. 4 ist bereits eingangs erläutert worden. In den Fig. 1 bis 3 werden für einander entsprechende Teile die gleichen Bezugszeichen wie m Fig. 4 verwendet. Auch können, wie in Fig. 4, die jeweils angegebenen Leitungstypen umgekehrt werden. Fig. 1 zeigt ein Ausfuhrungsbeispiel des erfmdungsgemaßen MOSFETs. Im Unterschied zu dem herkömmlichen MOSFET nach Fig. 4 sind hier keine p-leitende Zonen 4, die von einer Isolierschicht 5 umgeben sind, vorgesehen. Vielmehr sind bei dem MOSFET des Ausfuhrungsbeispiels von Fig. 1 Hilfselektroden 11 vorgesehen, die jeweils aus n+- oder p+-dotιertem polykristallmem Silizium 12 bestehen und mit der Isolierschicht 5 umgeben sind. Anstelle des polykristallmen Siliziums kann gegebenenfalls auch ein anderes entsprechend leitendes Mate- πal verwendet werden. Auch kann die Isolierschicht 5 aus anderen Materialien als Siliziumdioxid, beispielsweise aus Si- liziumnitπd oder aber auch aus verschiedenen Isoliertllmen, wie beispielsweise Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid, bestehen.
Diese Hilfselektroden haben einen ahnlichen Effekt wie die p- leitenden Zonen 4 bei dem herkömmlichen MOSFET von Fig. 4: bei angelegter Drainspannung +UD an den Drainanschluß D werden die n-leitenden Zonen 3 von Ladungsträgern ausgeräumt. Auf der Isolierschicht 5 tritt dabei eine größere Feldstarke des elektrischen Feldes als bei dem MOSFET mit der herkömmlichen Struktur von Fig. 4 auf. Dies hat aber keine Auswirkung auf die angestrebte Ausräumung an Ladungsträgern.
Der wesentliche Vorteil der Erfindung liegt darin, daß der
MOSFET nach Fig. 1 wesentlich einfacher herzustellen ist als der MOSFET nach Fig. 4: es brauchen lediglich Trenche 13 m den Halbleiterkorper 1 etwa bis zu der Schicht 2 mit einer Breite von etwa 1 bis 5 μm und einer Tiefe von etwa 5 bis 40 μm geatzt zu werden, deren Wände sodann durch Oxidation mit der Isolierschicht 5 aus Siliziumdioxid und einer Schichtdicke von 0,1 bis 1 μm belegt werden. Die Dicke der Isolierschicht 5 spielt dabei keine besondere Rolle: diese kann vielmehr m den Trenchen 13 von oben nach unten oder auch zur Mitte hm ansteigen. Anschließend werden die Trenche mit dem polykristallmen Silizium 12 gefüllt das p+- oder n+-dotιert sein kann. Eine p+- Dotierung für die Hilfselektroden 11 ist aber vorzuziehen, da sie im Hinblick auf möglicherweise m der Isolierschicht 5 vorhandene Locher eine größere Ausbeute ergibt, wie dies bereits oben erläutert wurde.
Die Anordnung der Hilfselektroden 11 braucht nicht mit der Anordnung der einzelnen Halbleiterzellen übereinzustimmen. Vielmehr können die Hilfselektroden 11 saulen-, gitter- oder streifenformig oder sonstiger Gestaltung vorgesehen werden.
Die n-leitenden Zonen 3 werden m bevorzugter Weise um so ho- her dotiert, je enger die Hilfselektroden 11 zueinander sind. Wesentlich ist lediglich, daß bei parallel zueinander verlaufenden Hilfselektroden 11 die seitliche Flachenladung der n- leitenden Zonen 3 das Doppelte der der Durchbruchsladung entsprechenden Dotierstoffmenge nicht überschreitet.
Anstelle der n-leitenden Zonen 3 (bzw. des Halbleiterkorpers 1) können auch mehrere Schichten mit unterschiedlicher Dotierung vorgesehen werden. Weiterhin kann die n*-leιtende Zone 2 auch durch eine n-p+-Schιchtfolge oder eine nτ-p+-Schιchten- folge ersetzt werden, wie dies m Fig. 1 durch eine Stπchli- nie 15 angedeutet ist. In diesem Fall liegt dann ein IGBT vor (IGBT = Bipolartransistor mit isoliertem Gate) .
Schließlich braucht die Dotierung des polykristallmen Sili- ziums 12 der Hilfselektroden 11 nicht homogen zu sein.
Fig. 2 zeigt e n weiteres Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung, bei dem im Unterschied zum Ausfuhrungsbeispiel von Fig. 1 zwei Hilfselektroden 11 jeder Zelle zugeordnet sind. Selbst- verständlich ist es auch möglich, gegebenenfalls drei oder mehr Hilfselektroden 11 für jede Zelle vorzusehen. Schließlich ist es auch nicht erforderlich, daß die Hilfselektroden 11 bis zu der hochdotierten n+-leitenden Schicht 2 auf der Seite des Drainanschlusses D reicht. In gleicher Weise ist es möglich, daß diese Hilfselektroden 11 bereits an einer n"-leitenden Schicht 14 enden, die zwischen der ^-leitenden Schicht 2 und den n-leitenden Zonen 3 vorgesehen ist.
Die Erfindung ermöglicht so einen in einfacher Weise herstellbaren MOSFET, der lediglich in der Halbleitertechnologie bei der Einbringung von Trenches übliche Schritte erfordert und dennoch einen niedrigen Einschaltwiderstand Ron gewährleistet.
Bei den obigen Ausführungsbeispielen ist eine vertikale Struktur des erfindungsgemäßen MOS-Feldeffekttransistors beschrieben. Selbstverständlich ist die Erfindung aber auch auf eine laterale Struktur anwendbar, bei der sich die Hilfselektroden 11 im Halbleiterkorper in seitlicher Richtung erstrek- ken.

Claims

Patentansprüche
1. MOS-Feldeffekttransistor mit
- einem eine erste und eine zweite Hauptoberflache aufweisen- den Halbleiterkorper (1) des einen Leitungstyps, in den auf der Seite der ersten Hauptoberfläche wenigstens eine erste Halbleiterzone (6) des anderen, zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps eingebettet ist,
- mindestens einer zweiten Halbleiterzone (7) des einen Lei- tungstyps, die m der ersten Halbleiterzone (6) vorgesehen
- einer Gateelektrode (9) wenigstens im Bereich oberhalb der ersten Halbleiterzone (6) zwischen der zweiten Halbleiterzone (7) und dem Halbleiterkorper (1) und - einer den Halbleiterkorper (1) auf der zweiten Hauptoberflache kontaktierenden ersten Elektrode (D) und einer mindestens die zweite Halbleiterzone (7) kontaktierenden zweiten Elektrode (10; S), d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - im Halbleiterkorper (1) wenigstens eine mit einer Isolierschicht (5) versehene Hilfselektrode (11) vorgesehen ist, die sich in der Richtung zwischen der ersten und der zweiten Hauptoberflache des Halbleiterkorpers (1) erstreckt und mit der ersten Halbleiterzone (6) elektrisch verbunden ist.
2. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß direkt unterhalb jeder ersten Halbleiterzone (6) eine oder mehrere Hilfselektroden (11) vorgesehen sind.
3. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Hilfselektroden bleistiftartig gestaltet sind.
4. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Hilfselektroden (11) bis zu einer stark dotierten Schicht (2) des einen Leitungstyps im Bereich der zweiten Hauptoberflache reichen.
5. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Hilfselektroden (11) bis zu einer schwach dotierten Schicht (14) des einen Leitungstyps reichen, die zwischen dem Halbleiterkorper (1) und einer mit der ersten Elektrode (D) kontaktierten stark dotierten Halbleiterschicht (2) des einen Leitungstyps vorgesehen ist.
6. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Hilfselektrode aus hochdotiertem polykristallmem Silizium (12) besteht, das mit einer Isolierschicht (5) aus Siliziumdioxid umgeben ist.
7. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Tiefe der Hilfselektroden (11) 5 bis 40 μm betragt.
8. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Breite der Hilfselektroden (11) etwa 1 bis 5 μm betragt.
9. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Dicke der Isolierschicht zwischen 0,1 μm und 1 μm liegt.
10. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Dicke der Isolierschicht (5) m Richtung auf die zweite Hauptoberflache zu ansteigt.
11. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Dicke der Isolierschicht (5) zur Mitte der Hilfselektroden (11) hin ansteigt.
12. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Hilfselektroden (11) durch Ätzen von Gräben (13) und deren Auffüllen mit der Isolierschicht (5) und polykristalli- ne Silizium (12) hergestellt sind.
13. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das polykristalline Silizium (12) nicht homogen dotiert ist.
14. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf dem Halbleiterkorper (1) im Bereich der zweiten Hauptoberfläche eine hochdotierte Schicht (2) des einen Leitungstyps oder eine Schichtenfolge aus einer Schicht des einen Leitungstyps und einer hochdotierten Schicht des anderen Leitungstyps oder eine Schichtenfolge aus einer hochdotierten Schicht des einen Leitungstyps und einer hochdotierten Schicht des anderen Leitungstyps vorgesehen ist.
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