WO2002056338A3 - Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate - Google Patents

Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate Download PDF

Info

Publication number
WO2002056338A3
WO2002056338A3 PCT/DE2002/000170 DE0200170W WO02056338A3 WO 2002056338 A3 WO2002056338 A3 WO 2002056338A3 DE 0200170 W DE0200170 W DE 0200170W WO 02056338 A3 WO02056338 A3 WO 02056338A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
chamber
working
plasma
slots
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/DE2002/000170
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2002056338A2 (de
Inventor
Juergen Kuske
Ulf Stephan
Alfred Kottwitz
Klaus Schade
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik Dresden GmbH
FORSCH APPLIKATIONSLABOR PLASM
Original Assignee
Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik Dresden GmbH
FORSCH APPLIKATIONSLABOR PLASM
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik Dresden GmbH, FORSCH APPLIKATIONSLABOR PLASM filed Critical Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik Dresden GmbH
Priority to DE50209826T priority Critical patent/DE50209826D1/de
Priority to JP2002556910A priority patent/JP2004524678A/ja
Priority to EP02708154A priority patent/EP1352417B1/de
Publication of WO2002056338A2 publication Critical patent/WO2002056338A2/de
Publication of WO2002056338A3 publication Critical patent/WO2002056338A3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur plasmagestützten Bearbeitung von Oberlfächen planarer Sustrate, bei der das Plasma durch Niederdruckgasentladungen im HF/VHF-Bereich erhalten werden kann. Bei einer solchen Bearbeitung kann eine Modifizierung der Oberlächen, beispielsweise beim sogenannten Trockenätzen, aber auch die Ausbildung dünner Schichten auf den Substratoberflächen erfolgen. Aufgebengemäß soll eine kostengünstige Vorrichtung mit der relativ großformatige Substratoberflächen bei erhöhter Frequenz, bevorzugt im Frequenzbereich oberhalb 30 MHz bearbeitet werden können, zur Verfügung gestellt werden. Hierzu wird eine in einer Kammer angeordnete flächige Elektrode, die mit einem Hochfrequenzgenerator elektrisch leitend verbunden ist, verwendet, wobei innerhalb der Kammer mindestens ein Massetunnel aus elektrisch leitendem Material angeordnet ist. In diesem Massetunnel ist ein bis auf zwei sich gegenüberliegend angeordnete Schlitze abgeschlossener Entladungsraum ausgebildet. Durch die Schlitze können ein Substrat allein oder ein Substrat gemeinsam mit einem Substratträger translatorisch hinein- und herausbewegt werden. An den Entladungsraum ist außerdem eine Prozeßgaszu- und eine Prozeßgasabführung angeschlossen, so das in Verbindung mit den bei der Bearbeitung teilweise durch Substrat oder Substratträger vorshclossenen Schlitzen eine gegenüber dem Kammervolumen der Vakuumkammer prozeßspezifische Druckdifferenz eingestellt werden kann.
PCT/DE2002/000170 2001-01-16 2002-01-16 Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate Ceased WO2002056338A2 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE50209826T DE50209826D1 (de) 2001-01-16 2002-01-16 Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate
JP2002556910A JP2004524678A (ja) 2001-01-16 2002-01-16 平面状基板の表面のプラズマ励起処理装置
EP02708154A EP1352417B1 (de) 2001-01-16 2002-01-16 Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10102677.3 2001-01-16
DE10102677 2001-01-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2002056338A2 WO2002056338A2 (de) 2002-07-18
WO2002056338A3 true WO2002056338A3 (de) 2003-04-17

Family

ID=7671311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2002/000170 Ceased WO2002056338A2 (de) 2001-01-16 2002-01-16 Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1352417B1 (de)
JP (1) JP2004524678A (de)
AT (1) ATE358329T1 (de)
DE (2) DE10201992B4 (de)
ES (1) ES2284825T3 (de)
WO (1) WO2002056338A2 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006022799A1 (de) * 2006-05-10 2007-11-15 Forschungs- Und Applikationslabor Plasmatechnik Gmbh Dresden Vorrichtung zur plasmagestützten chemischen Oberflächenbehandlung von Substraten im Vakuum
DE202008006477U1 (de) 2008-05-06 2008-07-24 Forschungs- Und Applikationslabor Plasmatechnik Gmbh Dresden Vorrichtung zur Modifizierung von Substratoberflächen
CN102686768B (zh) 2009-12-11 2016-02-03 Kgt石墨科技有限公司 衬底支承体
DE102010030608B4 (de) * 2010-06-28 2012-04-05 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vorrichtung zur plasmagestützten Bearbeitung von Substraten
DE102010060762B4 (de) 2010-11-24 2019-05-23 Meyer Burger (Germany) Gmbh Plasmabearbeitungsvorrichtung
DE102013111360B3 (de) 2013-10-15 2015-03-12 Von Ardenne Gmbh Hohlkathodensystem, Vorrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Behandlung von Substraten

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4109619C1 (de) * 1991-03-23 1992-08-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
DE4301189A1 (de) * 1993-01-19 1994-07-21 Leybold Ag Elektrodenanordnung für eine Einrichtung zum Erzeugen von Plasma
WO1999039385A1 (en) * 1998-01-30 1999-08-05 Pacific Solar Pty. Limited Method for hydrogen passivation and multichamber hollow cathode apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5180434A (en) * 1991-03-11 1993-01-19 United Solar Systems Corporation Interfacial plasma bars for photovoltaic deposition apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4109619C1 (de) * 1991-03-23 1992-08-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
DE4301189A1 (de) * 1993-01-19 1994-07-21 Leybold Ag Elektrodenanordnung für eine Einrichtung zum Erzeugen von Plasma
WO1999039385A1 (en) * 1998-01-30 1999-08-05 Pacific Solar Pty. Limited Method for hydrogen passivation and multichamber hollow cathode apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP1352417A2 (de) 2003-10-15
ATE358329T1 (de) 2007-04-15
WO2002056338A2 (de) 2002-07-18
DE10201992A1 (de) 2002-10-02
JP2004524678A (ja) 2004-08-12
DE10201992B4 (de) 2006-03-16
DE50209826D1 (de) 2007-05-10
ES2284825T3 (es) 2007-11-16
EP1352417B1 (de) 2007-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE50015635D1 (en) Bstraten
EP1316626A3 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten leitfähigen Schicht, eine durch dieses Verfahren hergestellte transparente und leitfähige Schicht und Material, das diese Schicht enthält
US6949204B1 (en) Deformation reduction at the main chamber
TW200802596A (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
EP1686611B1 (de) Anlage und Verfahren zur Plasmabehandlung mit verbessertem Plasmaeinschluss und hohem Gasfluss
WO2004102638A3 (en) Rf pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor
WO2002099840A3 (en) Inductively-coupled plasma processing system
WO2001082355A3 (en) Method and apparatus for plasma cleaning of workpieces
EP0180020A3 (de) Plasmaätzvorrichtung
WO2002014810A3 (en) Method and apparatus for tuning a plasma reactor chamber
TW469534B (en) Plasma processing method and apparatus
WO2003032356A1 (en) Gas discharge display device and its manufacturing method
KR102258752B1 (ko) 이산화규소의 증착
IL170926A0 (en) Antenna for producing uniform process rates
WO2003049169A1 (fr) Procede de gravure au plasma et dispositif de gravure au plasma
EP0327406A3 (de) Plasmabearbeitungsmethode und Vorrichtung zum Aufbringen von Dünnschichten
WO2002056338A3 (de) Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate
EP1134774A3 (de) Plasmabehandlungsgerät
TW430899B (en) Method of manufacturing cathode of plasma etching apparatus, and cathode manufactured thereby
WO2003037386A3 (en) Sterilization of articles using capillary discharge plasma
TW200644047A (en) Plasma processing apparatus
WO2003043037A3 (en) A micro-gap gas filled dielectric capacitor
JPH1131685A5 (de)
EP0887836A3 (de) Gerät zur Herstellung elektronischer Vorrichtungen
EP0848434A3 (de) Herstellungsverfahren für Halbleiter-Dünnschichten

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002556910

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002708154

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2002708154

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2002708154

Country of ref document: EP