WO2002060054A1 - Method for manufacturing surface acoustic wave device and inspecting instrument - Google Patents

Method for manufacturing surface acoustic wave device and inspecting instrument Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device and an inspection apparatus.
  • the present invention relates to an inspection method in a manufacturing process of a surface acoustic wave device used in the field of mobile communication and the like, and more particularly to a method of measuring a line width of a surface acoustic wave device and an inspection device used for the same.
  • the use of surface acoustic wave devices is expanding, and the use in the high frequency band is increasing, especially in the mobile communication field.
  • the surface acoustic wave element is used as a high-frequency band filter.
  • the center frequency of the pass band of the filter is mainly determined by two physical quantities of the thickness and the line width of the comb-like electrode of the surface acoustic wave device. Therefore, it is important to accurately measure and inspect the line width of the comb-shaped electrode in product management of the surface acoustic wave device.
  • the line width of a comb-shaped electrode is measured by an optical microscope as a line width inspection method.
  • the line width of the comb-shaped electrode is about 600 nm, and the defective product standard is As small as tens of nm. Therefore, the measurement of the line width of such a comb-shaped electrode cannot be performed by an optical line width measuring device.
  • Pyroelectricity is a property in which the magnitude of polarization of a piezoelectric substrate changes due to a thermal change, and polarization charges appear on the substrate surface. Due to the pyroelectricity of the piezoelectric substrate, the piezoelectric substrate that has undergone a manufacturing process involving a thermal change is polarized, and the surface of the piezoelectric substrate on which the electrodes and the like are laminated becomes a positive electrode, so that electrons are attracted and charged negatively. Furthermore, since the piezoelectric substrate has an insulating property, the charged electrons cannot be diffused to the outer peripheral portion of the substrate.
  • the method of irradiating with ion-blown soft X-rays has a problem that it takes time to completely remove charged electrons.
  • the piezoelectric substrate is further polarized due to charge-up due to the irradiated primary electrons and a rise in temperature due to the irradiation of the beam, so that it is not possible to avoid a charge gap caused by more charged electrons. For this reason, if the same location is repeatedly measured, the measured line width may differ.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device capable of performing shape measurement with high measurement accuracy and high reproducibility of measured values. To provide.
  • Another object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device inspection apparatus capable of performing shape measurement with high measurement accuracy and high reproducibility of measured values.
  • the first feature of the present invention for achieving the above object is as follows: (a) a metal substrate on a piezoelectric substrate; Forming a film; (b) applying a photosensitive resin on the metal film; and (c) exposing and developing the photosensitive resin to form a photosensitive resin pattern. Selectively exposing the portion, (d) grounding the metal film on the piezoelectric substrate using the exposed metal film as a grounding window, and (e) grounding the metal film. Irradiating an electron beam on the piezoelectric substrate to measure the shape of the photosensitive resin pattern; (f) etching a metal film using the photosensitive resin as a mask to form a metal pattern; and (g) And a step of removing a photosensitive resin.
  • the shape of the photosensitive resin pattern by measuring the shape of the photosensitive resin pattern by grounding the metal film on the piezoelectric substrate, charging on the piezoelectric substrate can be prevented, and the shape of the photosensitive resin pattern can be prevented. Can be measured with higher accuracy and higher reproducibility.
  • the second feature of the present invention is that (a) forming a metal film on a piezoelectric substrate, (b) applying a photosensitive resin on the metal film, and (c) exposing the photosensitive resin to light. Developing, forming a photosensitive resin pattern; (d) etching a metal film using the photosensitive resin as a mask to form a metal pattern; (e) removing the photosensitive resin; f) a step in which a part of the metal pattern is grounded; and (g) a part in which the piezoelectric substrate is irradiated with an electron beam while the part of the metal pattern is grounded, and the metal electrically connected to the grounded area. And a step of measuring the shape of the pattern.
  • a portion of the metal pattern is grounded, and the shape of the metal pattern electrically connected to the grounded area is measured to prevent charging on the piezoelectric substrate.
  • a third feature of the present invention is that an electron gun that generates and irradiates an electron beam, a condenser lens that converges the electron beam, an electron beam scanning unit that scans the electron beam, and scanning by the electron beam Detector for detecting secondary electrons generated from the non-measurement object, and metal film as the film below the non-measurement object or as the object to be measured
  • the gist of the present invention is to provide a surface acoustic wave device inspection device having a grounding mechanism for connecting the grounding potential to a ground potential.
  • the provision of the grounding mechanism for connecting the metal film to the ground potential makes it possible to irradiate an electron beam without accumulating electrons on the piezoelectric substrate.
  • FIG. 1A is a bird's-eye view for explaining the configuration of a surface acoustic wave device inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a plan view corresponding to FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a plan view for explaining the positional relationship between the grounding mechanism and the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave device inspection apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view for explaining an arrangement position of the surface acoustic wave element on the piezoelectric substrate.
  • 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is a plan view for explaining the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention following FIG. 4C.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view along the VB-VB direction in FIG. 5A.
  • FIG. 6A is a plan view following FIG. 5A and FIG. 5B for explaining the method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view along the VIB-VIB direction in FIG. 6A.
  • FIG. 7A is a plan view for explaining the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention, following FIGS. 6A and 6B.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view along the VIIB-VIB direction of FIG. 7A.
  • FIG. 8A is a plan view following FIG. 7A and FIG. 7B for explaining the method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view along the VIIB-IB direction in FIG. 8A.
  • FIG. 9A is a plan view for explaining the method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention following FIGS. 8A and 8B.
  • FIG. 9B is a plan view for explaining the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention following FIG. 9A.
  • a surface acoustic wave device inspection apparatus generates an electron beam 1 serving as primary electrons and irradiates the electron beam, and converges the electron beam on a substrate 9.
  • a condenser lens 2 an electron beam scanning unit 2 for scanning the substrate 9 with an electron beam, a secondary electron detector 4 for detecting secondary electrons generated from the substrate 9 irradiated with primary electrons, It comprises a substrate holder 15 for holding the substrate 9 and a grounding mechanism 6 which is grounded and can be brought into contact with the metal film 7 and has conductivity.
  • the grounding mechanism 6 includes a contact portion 12 having conductivity and capable of contacting the metal film 7, an arm portion 47 having the contact portion 12 attached to the tip, and a contact portion 12 of the arm portion 47. Consists of a rotating shaft 48 provided on the opposite side.
  • the inspection apparatus further includes a vacuum chamber 50 for accommodating the electron gun 1 and the substrate 9, and an image forming unit 51 for forming an image from the detected amount of secondary electrons at each position on the substrate 9 scanned by the electron beam. It has a length measuring section 52 for detecting the contour of the comb-shaped electrode from the formed image and measuring the line width.
  • the substrate 9 is provided with a circular pressure conductive substrate 8. consisting such as lithium tantalate (L i T A_ ⁇ 3), a metal film 7 composed of deposited aluminum (A 1) or the like on a piezoelectric substrate 8 It has a two-layer structure.
  • a material for the piezoelectric substrate lithium niobate (LiNb ⁇ 3) may be used in addition to LiTa3.
  • the material of the piezoelectric substrate is It does not have to be Li TaO 3 or Li NbO 3.
  • the metal film 7 is provided with a metal pattern 11 constituting a surface acoustic wave element (see FIG. 2 for details of the metal pattern).
  • the metal film 7 is arranged at a position where the metal film 7 can contact the grounding mechanism 6. Further, a contact opening 10 provided in the metal part 7 is also arranged on the periphery of the substrate 9 which can contact the grounding mechanism 6.
  • the grounding mechanism 6 is disposed at a position 13 beside the substrate 9.
  • the grounding mechanism 6 is movable about a rotary shaft 48, and can move to a position 46 where the contact portion 12 can contact the metal film 7 and a position 14 where the contact portion 12 comes above the grounding opening 10. After the measurement, the contact portion 12 can be moved so as not to contact the metal film 7.
  • the surface acoustic wave element 11 is composed of a plurality of metal patterns made of a metal film 7.
  • the metal pattern consists of input comb electrodes 24, 27, output comb electrodes 30, 33, bonding pads 22, 25, 28, 31 and reflectors 21a, 21b and earth line 1. It consists of 5 to 20.
  • the comb-shaped electrodes 24, 27, 30, 33 and the nodes 22, 25, 28, 31 are connected by wires 23, 26, 29, 32, respectively.
  • the nodes 22, 25, 28, 31 and the metal film 7 on the dicing line are connected by ground lines 16, 20, 17, 19, and 19, and the reflectors 21a, 21b
  • the ground lines 15 and 18 are connected to the metal film 7 on the dicing line.
  • the comb-shaped electrodes 24, 27, 30, 33 and the reflectors 21a, 21b are electrically connected to the metal film 7 on the outer peripheral portion of the substrate 9 via an earth line or the like. At the same potential.
  • a piezoelectric substrate 8 is prepared. Then, as shown in FIG. 4B, a metal film 7 is formed on the piezoelectric substrate 8 by a sputtering method. If an aluminum (A 1) alloy or the like is used for the evening get, an A 1 alloy film can be deposited on the piezoelectric substrate 8 as the metal film 7. (b) Next, as shown in FIG. 4C, a photosensitive resin (photoresist) 34 is spin-coated on the metal film 7.
  • the photosensitive resin 34 is selectively exposed using a mask pattern having a shape such as a comb-like electrode or a reflector. After exposure, development and rinsing are performed to selectively remove the exposed portions of the photosensitive resin 34, thereby forming photosensitive resin patterns 35, 36 and the like as shown in FIGS. 5A and 5B.
  • the photosensitive resin pattern 36 is an integrated area connected to the photosensitive resin 34 via the photosensitive resin pattern 35.
  • an opening 10 is formed at the same time. The photosensitive resin 34 at the position of the opening 10 is removed in the developing step (in the opening 10, the contact portion 12 comes into contact with the metal film 7 as shown in FIG. 6B).
  • the shape of the photosensitive resin pattern is measured using the inspection apparatus described with reference to FIG. 1A.
  • the developed piezoelectric substrate 8 is introduced onto the substrate holder 5 in the vacuum chamber 150 of the inspection device.
  • the grounding mechanism 6 is moved to bring the contact portion 12 into contact with the metal film 7 at the bottom of the opening 10.
  • the shape of the photosensitive resin pattern such as the line width of the photosensitive resin pattern 36 of the surface acoustic wave element is measured with the contact portion 12 of the grounding mechanism 6 in contact with the metal film 7.
  • the substrate 9 is irradiated with the electron beam 3 as shown in FIG. 1A.
  • the irradiated electron beam 3 corresponds to the electron beam 37 in FIG. 6B.
  • the metal film 7 is etched using the photosensitive resins 34 to 36 as a mask. If the metal film 7 is, for example, an A1 alloy, anisotropic etching is performed by a reactive ion etching (RIE) method using a chlorine (C12) -based gas.
  • RIE reactive ion etching
  • the photoresist such as the photosensitive resin 34 to 36 is removed by oxygen (02) plasma etching, and a reflector 21 a is placed on the piezoelectric substrate 8 as shown in FIGS. 7A and 7B. And a metal pattern such as an earth line 15.
  • the metal pattern such as the reflector 21 a is an integrated area that is electrically connected to the metal film 7 via the ground line such as the ground line 15.
  • the line width of the reflector 21a and the like formed on the piezoelectric substrate 8 is measured.
  • the measurement is performed in the same manner as the measurement of the shape of the photosensitive resin pattern.
  • the position of the metal pattern 7 where the contact portion 12 contacts differs from the case of measuring the shape of the photosensitive resin pattern. That is, as shown in FIGS. 8A and 8B, the grounding mechanism 6 is moved, and the contact portion 12 is placed at the position of the metal film 7 electrically connected to the metal pattern to be measured such as the reflector 21a. Make contact. This creates an electron flow 39.
  • the piezoelectric substrate 8 is diced and divided into individual surface acoustic wave elements 11. As shown in FIG. 9A, before the division, for example, a metal pattern such as a pad 22, 28 is conducted to the metal film 7 on the dicing line 42 through an earth line such as an earth line 1.6, 17. ing. In dicing, the width of the dicing lines 40 to 43 is set wider than the width of the metal film 7 so as to cut off the conduction. As shown in FIG.
  • the ground lines 15 to 20 extend to the outermost peripheral portions of the comb-shaped electrodes 24, 27, 30, 33 and the reflectors 21a, 2lb. Is made conductive.
  • the line 44 includes a part of the pads 25 and 31 as shown in the scribe line 44 of FIG. 9A, the pads 25 and 31 correspond to the metal film 7 existing at the outermost peripheral portion. .
  • an electron flow 38 is formed.
  • This electron flow 38 is caused by the following: (a) electrons charged on the piezoelectric substrate 8 due to the thermal change of the production:!: (B) beam-irradiated primary electrons; (c) temperature rise due to beam irradiation. It is polarized and therefore consists of electrons further attached on the piezoelectric substrate 8.
  • the electron flow 38 finally flows from the metal film 7 to the grounding mechanism 6 so that the potential gradient disappears.
  • This flow 38 prevents electrons from being accumulated on the resin pattern such as the photosensitive resin pattern 36 to be measured and the piezoelectric substrate 8 in the vicinity of the resin pattern. Accordingly, the path of the electron beam 37 is not distorted, and highly accurate and reproducible measurement of the shape of the photosensitive resin pattern becomes possible.
  • the line widths of the comb-shaped photosensitive resin patterns were measured using an inspection apparatus according to the embodiment of the present invention and a conventional line width measuring machine without the grounding mechanism 6, and compared.
  • the reference deviation value was about 1 nm in the measuring method according to the embodiment of the present invention, and the conventional grounding mechanism 6 was used.
  • the standard deviation was about 5 nm in the measurement method without.
  • the electron flow 39 is polarized by (a) thermal change in the manufacturing process. (B) primary electrons irradiated with the beam; (c) electrons further charged on the piezoelectric substrate due to the temperature rise due to the irradiation. These electron flows 39 flow from the metal film 7 to the grounding mechanism 6 via the ground line 15 and the like so that the potential gradient disappears.
  • the flow 39 prevents electrons from being accumulated in the metal film 7 such as the reflector 21a to be measured and the piezoelectric substrate 8 in the vicinity thereof. Therefore, the path of the electron beam 37 is not distorted, and highly accurate and reproducible measurement of the metal pattern becomes possible.
  • the line width of the comb-shaped electrode which is a metal pattern, was measured with a long machine and compared.
  • the reference deviation was about 1 nm in the measuring method according to the embodiment of the present invention, and the standard deviation was measured in the measuring method without the conventional grounding mechanism 6.
  • the measurement method according to the example of the present invention enables highly accurate and highly reproducible measurement.
  • measurement can be performed even when the line width of the photosensitive resin pattern and the metal pattern is not less than 0.35 m and not more than 2.0 m.
  • the shape of the reflector can be measured more accurately because it is easier to drop to ground than a comb-shaped electrode.
  • the reflector 21a is directly connected to the ground line 15 and is less likely to be charged than the comb-shaped electrode 24, etc., which has a distance to the ground line. .
  • the material of the component is one of the embodiments of the present invention, and it goes without saying that the technical effect does not change even if it is replaced with another one.
  • the piezoelectric substrate material is lithium borate (LiB407) or the like, the technical effect does not change.
  • the grounding mechanism 6 further includes components such as a clamp (spring) portion for pressing the contact portion 12 against the substrate 9 and a driving portion for rotating the rotating shaft 48. Is also good.
  • the installation mechanism 6 may have a configuration in which the arm portion 47 is moved up, down, left, and right.
  • the metal film 7 containing A1 as a main component is formed on the piezoelectric substrate 8, but even when a different metal layer other than A1 is formed on the piezoelectric substrate 8, Even in the case of a multilayer structure in which different materials are stacked, the effect remains unchanged.
  • the type and shape of the photosensitive resin pattern and the metal pattern are not particularly limited, for example, as in a comb-like pattern.
  • the line width of the comb-shaped photosensitive resin pattern and the line width of the comb-shaped electrode of the metal pattern were measured.
  • the line width and shape of a portion required for quality control such as the photosensitive resin pattern 35 and the reflector 21a may be measured and inspected.
  • the number of measurements is not particularly limited.

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Description

弾性表面波素子の製造方法及び検査装置 技術分野
本発明は、 移動体通信分野等に利用される弾性表面波素子の製造過程におけ る検査方法に関し、 特に、 弾性表面波素子の線幅の測定方法及びこれに用いる 検査装置に関する。 技術背景 '
弾性表面波素子の利用分野が広まり、 特に移動体通信分野において、 高周波 帯域での利用が増加している。 弾性表面波素子は、 高周波帯域のフィルタ一と して用いられる。 ここで、 フィル夕一の通過帯域の中心周波数は、 主に弾性表 面波素子の櫛歯状電極の膜厚と線幅の二つの物理量により決定される。従って、 弹性表面波素子の製品管理上、 櫛歯状電極の線幅を正確に測定し、 検査するこ とが重要である。
線幅の検査方法として、 従来は光学顕微鏡により櫛歯状電極の線幅を測定し ている。 しかし、 例えば US— P CS (United States - Personal Communic at ions Services)で使用するような高周波帯域用の弾性表面波素子において、 櫛歯状電極の線幅は 600 nm程度であり、 不良品規格は数十 nmと小さい。 従ってこのような櫛歯状電極の線幅の測定には、 光学式の線幅測定機では対応 できない。
6 0 0 nm程度の線幅が測定可能な装置としては、 半導体装置の製造工程の 検査に使用される、 電子線を用いた線幅測長機が存在する。 そこで、 発明者ら は、 弾性表面波素子の線幅の測定に、 この電子線を用いた線幅測長機を使用し た。 しかし、 この線幅測長機では、 弾性表面波素子の線幅を精度よく測定でき なかった。 発明の開示 発明者らの検討によれば、 電子線を用いた線幅測長機によつて線幅を精度よ く測定できない原因が、 弾性表面波素子の基板材料として使用される圧電基板 の焦電性と絶縁性にあることを明らかになった。 焦電性とは熱変化により圧電 基板の分極の大きさが変わり、基板表面に分極電荷が現れる性質のことである。 圧電基板の焦電性により、 熱変化を伴う製造工程を経た圧電基板は分極し、 電 極部等が積層される圧電基板の表面は正極になるので、 電子が引き付けられ、 マイナスに帯電する。 さらに、 圧電基板は絶縁性を有するため、 帯電した電子 を基板の外周部に拡散させることができない。 従って、 電子線を使用した線幅 測長機で線幅を測定する際、 圧電基板の表面上が帯電し、 いわゆるチヤ一ジァ ップ状態となる。 そのため、 照射される 1次電子は帯電した電子と反発するの で、 櫛歯状電極とその近傍へのビーム照射ができず、 櫛歯状電極の輪郭が曖昧 となる。 従って、 チャージアップ状態のために線幅の高精度な測定が不可能に なっていることがわかった。
そこで、 このチャージアップ状態をなくすために、 線幅測長機にイオンプロ 一装置ゃ軟 X線照射装置を組み込み、 弾性表面波素子を配置した圧電基板に、 逆の極性を帯びた電荷を拭きつけるイオンブローや、 軟 X線を照射した。
しかし、 イオンブローゃ軟 X線を照射する方法は、 帯電した電子を完全に除 去するためには時間がかかるという問題がある。 また、 線幅測定中において、 照射された 1次電子自身によるチャージアップや、 ビーム照射による温度上昇 により圧電基板が更に分極し、 そのために更に帯電した電子によるチヤ一ジァ ップを回避できない。 このため、 同じ場所を繰り返し測定すると線幅の測定値 が異なる場合がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、 その目的とするところは、 測定精度が高く、 また、 測定値の再現性の高い形状測定が可能な弾性表面波素 子の製造方法を提供することにある。
また、 本発明の他の目的は、 測定精度が高く、 また、 測定値の再現性の高い 形状測定が可能な弾性表面波素子の検査装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の第 1の特徴は、 （a ) 圧電基板上に金属 膜を成膜するステップと、 （b ) 金属膜上に感光性樹脂を塗布するステップと、 ， ( c ) この感光性樹脂を露光 ·現像し、 感光性樹脂パターンを形成し、 金属膜 の一部を選択的に露出するステップと、 （d ) 露出した金属膜を接地用の窓と して、 圧電基板上の金属膜を接地するステップと、 （e ) 金属膜を接地した状 態において、 圧電基板上に電子ビームを照射し、 感光性樹脂パターンの形状測 定を行うステップと、 （ f ) 感光性樹脂をマスクに金属膜をエッチングし、 金 属パターンを形成するステップと、 （g ) 感光性樹脂を除去するステップとを 含む弾性表面波素子の製造方法であることを要旨とする。
本発明の第 1の特徴によれば、 圧電基板上の金属膜を接地して感光性樹脂パ ターンの形状測定を行うことにより、 圧電基板上の帯電を防止でき、 感光性榭 脂パターンの形状をより高精度に、 高い再現性で測定できる。
本発明の第 2の特徴は、 （a ) 圧電基板上に金属膜を成膜するステップと、 ( b ) 金属膜上に感光性樹脂を塗布するステップと、 （c ) この感光性樹脂を 露光 ·現像し、 感光性樹脂パターンを形成するステップと、 （d ) 感光性樹脂 をマスクに金属膜をエッチングし、 金属パターンを形成するステップと、 （e ) 感光性樹脂を除去するステップと、 （ f ) 金属パターンの一部を接地するステ ップと、 （g ) 金属パターンの一部を接地した状態において、 圧電基板に電子 ビームを照射し、 接地した領域に電気的に接続されている金属パターンの形状 測定を行うステツプとを含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法であ ることを要旨とする。
本発明の第 2の特徴によれば、 金属パターンの一部を接地して、 接地した領 域と電気的に接続されている金属パターンの形状測定を行うことにより、 圧電 基板上の帯電を防止でき、 金属パターンの形状の高精度で再現性の高い測定が 可能となる。 '
本発明の第 3の特徴は、 電子ビームを発生させ照射する電子銃と、 この電子 ビームを収束するコンデンサ一レンズと、 この電子ビームを走査する電子ビー ム走査部と、 この電子ビームの走査により非測定物から発生する 2次電子を検 '出する検出器と、 非測定物の下部の膜としての、 又は被測定物としての金属膜 を接地電位に接続する接地機構とを有する弾性表面波素子の検査装置であるこ とを要旨とする。
本発明の第 3の特徴によれば、 金属膜を接地電位に接続する接地機構を具備 することにより、 圧電基板上に電子を蓄積させること無く、 電子ビームを照射 する事が可能になる。 図面の簡単な説明
図 1 Aは、 本発明の実施例に係る弾性表面波素子の検査装置の構成を説明す るための鳥瞰図である。
図 1 Bは、 図 1 Aに対応する平面図である。
図 2は、 本発明の実施例に係る弾性表面波素子の検査装置の接地機構と圧電 基板の位置関係を説明するための平面図である。
図 3は、 弾性表面波素子の圧電基板上の配置位置を説明するための平面図で ある。
図 4 A〜4 Cは、 本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製造方法を説明す るための断面図である。
図 5 Aは、 図 4 Cに続く本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製造方法を 説明するための平面図である。
図 5 Bは、 図 5 Aの V B -V B方向に沿った断面図である。
図 6 Aは、 図 5 A及び 5 Bに続く本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製 造方法を説明するための平面図である。
図 6 Bは、 図 6 Aの VIB - VIB方向に沿った断面図である。
図 7 Aは、 図 6 A及び 6 Bに続く本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製 造方法を説明するための平面図である。
図 7 Bは、 図 7 Aの VIIB - VIB方向に沿った断面図である。
図 8 Aは、 図 7 A及び 7 Bに続く本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製 造方法を説明するための平面図である。
図 8 Bは、 図 8 Aの VII B - I B方向に沿った断面図である。 図 9 Aは、 図 8 A及び 8 Bに続く本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製 造方法を説明するための平面図である。
図 9 Bは、 図 9 Aに続く本発明の実施例に係る弾性表面波素子の製造方法を 説明するための平面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下図面を参照して、 本発明の実施例を説明する。 以下の図面の記載におい て、 同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。 但し、 図面は 模式的なものであり、 厚みと平面寸法との関係、 平面寸法の縦横の比率等は現 実のものとは異なることに留意すべきである。 従って、 具体的な厚みや寸法は 以下の説明を参酌して判断すべきものである。 また、 図面相互間においても互 いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
本発明の実施例に係る弾性表面波素子の検査装置は、 図 1 Aに示すように、 1次電子となる電子ビームを発生させ照射する電子銃 1と、 電子ビームを基板 9上で収束するコンデンサ一レンズ 2と、 同じく電子ビームを基板 9上で走査 する電子ビーム走査部 2と、 1次電子を照射された基板 9から発生する 2次電 子を検出する 2次電子検出器 4と、 基板 9を保持する基板ホルダ一 5と、 接地 され、 金属膜 7と接触可能であり、 導電性を有する接地機構 6とを具備する。 接地機構 6は、 導電性を有し金属膜 7と接触可能である接触部 1 2と、 接触部 1 2を先端に取り付けたアーム部 4 7と、 このアーム部 4 7の接触部 1 2とは 反対側に設けられた回転軸 4 8等からなる。 検査装置は更に、 電子銃 1や基板 9等を収容する真空チャンパ一 5 0、 電子ビームの走査された基板 9上の位置 毎の 2次電子の検出量から画像を形成する画像形成部 5 1、 形成された画像か ら櫛歯状電極の輪郭を検出し線幅を測定する測長部 5 2等を有している。
なお、 基板 9は、 タンタル酸リチウム （L i T a〇3 ) 等からなる円形の圧 電基板 8.と、 圧電基板 8上に成膜されたアルミニウム （A 1 ) 等からなる金属 膜 7との 2層構造をしている。 圧電基板の材料として L i T a〇 3の他にニォ プ酸リチウム （L i N b〇 3 ) を用いても良い。 但し、 勿論圧電基板の材料は L i T aO 3又は L i NbO 3でなくても構わない。
図 I Bに示すように、 金属膜 7には、 弾性表面波素子を構成する金属パター ン 1 1が施されている (金属パターンの詳細は図 2参照）。 金属膜 7は接地機 構 6と接触可能な位置に配置される。 また、 金属部 7に設けられた接触用開口 10も接地機構 6と接触可能な基板 9の周辺部に配置される。
図 2に示すように、 接地機構 6は基板 9の横の位置 13に配設される。 接地 機構 6は回転軸 48を中心として可動式であり、 接触部 12が金属膜 7に接触 可能な位置 46や、 接触部 12が接地用開口 10上にくる位置 14に移動でき る。 測定が終わると接触部 12を金属膜 7と接触させないように移動すること が可能である。
図 3に示すように、 弾性表面波素子 1 1は、 金属膜 7からなる複数の金属パ ターンで構成されている。 金属パターンは、 入力用櫛歯状電極 24、 27と、 出力用櫛歯状電極 30、 33と、 ボンディングパッド 22、 25、 28、 3 1 と、 反射器 2 1 a, 21 bとアースライン 1 5乃至 20とからなる。 櫛歯状電 極 24、 27、 30, 33と、 ノ°ッド 22、 25、 28、 3 1とは配線 23、 26、 29、 32でそれぞれ接続されている。 また、 ノ\°ッド22、 25、 28、 3 1とダイシングライン上の金属膜 7とはアースライン 1 6、 20、 1 7、 1 9で接続され、 反射器 2 1 a、 21 bとダイシングライン上の金属膜 7とはァ ースライン 1 5、 1 8で接続されている。
これらのことにより、 櫛歯状電極 24、 27、 30、 33や反射器 2 1 a、 21 bは、 アースライン等を介して基板 9の外周部上の金属膜 7まで電気的に 接続されており、 同電位である。
次に、 本発明の実施例に係る弹性表面波素子の製造方法及び検査方法を説明 する。
(a) まず、 図 4 Aに示すように圧電基板 8を用意する。 そして、 図 4Bに 示すように、 スパッタリング法により圧電基板 8上に金属膜 7を成膜する。 夕 一ゲッ トにはアルミニウム （A 1 ) 合金等を用いれば、 金属膜 7として A 1合 金の膜を圧電基板 8上に堆積できる。 ( b ) 次に、 図 4 Cに示すように、 金属膜 7上に感光性樹脂 （フォトレジス ト） 3 4をスピンコ一ティングする。
( c ) 次に、 フォトリソグラフイエ程を実施する。 櫛歯状電極や反射器等の 形状をしたマスクパターンを用い、 感光性樹脂 3 4を選択的に露光する。 露光 後、 現像及びリンスをして感光性樹脂 3 4の露光部分を選択的に除去し、 図 5 A、 5 Bに示すように、 感光性樹脂パターン 3 5、 3 6等を形成する。 感光性 樹脂パターン 3 6は感光性樹脂パターン 3 5を介して感光性樹脂 3 4に接続さ れる一体の領域である。 また、 このフォトリソグラフイエ程において、 開口 1 0も同時に形成される。 開口 1 0の位置の感光性樹脂 3 4は現像工程において 除去される （この開口 1 0の内部において、 図 6 Bに示すように接触部 1 2が 金属膜 7と接触する。）。
( d ) 次に、 図 1 Aで説明した検査装置を用いて、 感光性樹脂パターンの形 状測定を行う。 まず、 検査装置の真空チャンバ一 5 0内の基板ホルダー 5上に 現像された圧電基板 8を導入する。 次に、 図 6 A、 6 Bに示すように、 接地機 構 6を移動させ、 接触部 1 2を開口 1 0の底部の金属膜 7に接触させる。 接地 機構 6の接触部 1 2を金属膜 7に接触させた状態で、 弾性表面波素子の感光性 樹脂パターン 3 6の線幅等の感光性樹脂パターンの形状を測定する。 まず、 感 光性樹脂パターン 3 6等の画像を得るために、 図 1 Aに示すように、 基板 9に 電子ビーム 3を照射する。 この照射される電子ビーム 3が、 図 6 Bの電子ビー ム 3 7に相当する。
( e ) 次に、 測定値がスペック内か否か判定する。 測定値がスペック内であ れば次の工程に進むことができる。 一方、 測定値がスペック内でない場合は、 感光性樹脂 3 4乃至 3 6等のフォトレジストを除去し、 露光条件を調整しなが ら図 4 Cから図 6 Bまでの各工程を繰り返せばよい。 このように正確な測定が 可能になったことにより、 スペック内でない製品を次の工程に進めることがな くなり、 工程内の損失を減らすことができ、 製品歩留まりを向上させることが できる場合がある。
( f ) 次に、 接地機構 6を金属膜 7から離して、 圧電基板 8を自動的に検査 装置の外に搬出する。
(g)感光性樹脂 34乃至 36等をマスクとして金属膜 7をエッチングする。 金属膜 7が例えば A 1合金であるなら、 塩素 （C 1 2) 系のガスを用いる反応 性イオンエッチング （R I E) 法により異方性エッチングを行う。
(h) 次に、 酸素 （02) 系のプラズマアツシングにより感光性樹脂 34乃 至 36等のフォトレジストを除去し、 図 7A、 7Bに示すように、 圧電基板 8 上に反射器 2 1 aやアースライン 15等の金属パターンを形成する。 反射器 2 1 a等の金属パターンは、 アースライン 1 5等のアースラインを介して金属膜 7に電気的に接続される接続される一体の領域である。
( i ) 圧電基板 8上に形成された反射器 2 1 a等の線幅の測定を行う。 測定 は、 感光性樹脂パターンの形状測定と同様に行う。 今回の測定では、 感光性樹 脂パターンの形状測定の場合とは接触部 12が接触する金属パターン 7の位置 が異なる。 即ち、 図 8A、 8 Bに示すように、 接地機構 6を移動させ、 反射器 21 a等の測定対象である金属パターンと電気的に接続されている金属膜 7の 位置に、 接触部 12を接触させる。 このことにより、 電子の流れ 39が形成さ れる。
( j ) 次に測定値がスペック内か否か判定する。 測定値がスペック内であれ ば次の工程に進むことができる。 （k) 圧電基板 8をダイシングして個々の 弾性表面波素子 1 1に分割する。 図 9 Aに示すように、 分割前は、 例えば、 パ ッド 22、 28等の金厲パターンが、 アースライン 1.6、 17等のアースライ ンを介してダイシングライン 42上の金属膜 7に導通している。ダイシングは、 この導通を切断するように、 ダイシングライン 40乃至 43の幅を金属膜 7の 幅よりも広く設定する。 図 9 Bに示すように、 弾性表面波素子 1 1では、 ァー スライン 1 5乃至 20は最外周部にまで櫛歯状電極 24， 27, 30, 33及 び反射器 2 1 a、 2 l bを導通させる。 なお、 図 9 Aのスクライブライン 44 のように、 ライン 44がパッド 25、 3 1の一部を含んでいる場合は、 最外周 部に存在する金属膜 7にはパッド 25、 3 1が該当する。
( 1 ) 最後に、 弾性表面波素子 1 1についてダイボンディング、 ワイヤボン デイング、 パッケージング等を行い、 弾性表面波素子が完成する。
図 6 A及び 6 Bに示すように、 接地機構 6の接触部 1 2を金属膜 Ίに接触さ せると、 電子の流れ 3 8が形成される。 この電子の流れ 3 8は、 （a ) 製造:!： 程の熱変化により圧電基板 8上に帯電した電子； （b ) ビーム照射された 1次 電子； （c ) ビーム照射による温度上昇により更に分極し、 そのため圧電基板 8上に更に付着した電子からなる。 電子の流れ 3 8は電位の勾配がなくなるよ うに、 金属膜 7から最終的には接地機構 6に流れ込む。 この流れ 3 8により、 測定対象となる感光性樹脂パターン 3 6等の樹脂パターンとこの近傍の圧電基 板 8上に電子が蓄積されることがなくなる。 よって電子ビーム 3 7の進路が歪 められず、 感光性樹脂パターンの形状の高精度で再現性のある測定が可能にな る。
ここで、 本発明の実施例に係る検査装置と従来の接地機構 6の無い線幅測長 機を用いて櫛歯状の感光性樹脂パターンの線幅をそれぞれ測定し、 比較した。 櫛歯状の感光性樹脂パターンの 5 0 O n mの線幅を 3 0回測定したところ、 本 発明の実施例に係る測定方法では基準偏差値は約 1 n mであり、 従来の接地機 構 6の無い測定方法では標準偏差は約 5 n mであった。 これにより本発明の実 施例に係る測定方法によれば、 高精度で再現性の高い測定が可能であることが 実証された。
また、 図 8 A及び図 8 Bに示すように、 接地機構 6の接触部 1 2を金属膜 7 に接触した状態では、 電子の流れ 3 9は、 （a ) 製造工程の熱変化により分極 したことにより圧電基板上に帯電した電子； （b ) ビーム照射された 1次電子 ； ( c ) 照射による温度上昇で圧電基板上に更に帯電した電子からなる。 これ らの電子の流れ 3 9は電位の勾配がなくなるように、 アースライン 1 5等を経 由して、 金属膜 7から接地機構 6に流れ込む。 この流れ 3 9により、 測定対象 となる反射器 2 1 a等の金属膜 7とこの近傍の圧電基板 8に電子が蓄積される ことがなくなる。 よって電子ビーム 3 7の進路が歪められず、 金属パターンの 高精度で再現性のある測定が可能になる。
ここで、 本発明の実施例に係る検査装置と、 従来の接地機構 6の無い線幅測 長機で金属パターンである櫛歯状電極の線幅をそれぞれ測定し、 比較した。 線 幅 5 0 O n mの櫛歯状電極を 3 0回測定したところ、 本発明の実施例に係る測 定方法では基準偏差値は約 1 n m、 従来の接地機構 6のない測定方法では標準 偏差は約 5 n mであった。 これにより本発明の実施例に係る測定方法によれば、 高精度で再現性の高い測定が可能であることが実証された。
なお、 本発明の実施例では、 感光性樹脂パターン及び金属パターンの線幅が 0 . 3 5 m以上 2 . 0 m以下の場合でも測定が可能である。
また、 反射器を測定する場合、 反射器は櫛歯状電極よりもアースに落とし易 いので、 より正確に形状を測定できる。 例えば、 反射器 2 1 aを測定する場合、 反射器 2 1 aはアースライン 1 5に直結していて、 アースラインまで距離があ る櫛歯状電極 2 4等よりも帯電しにくいからである。
ここで、 本発明の実施例に記した開示の一部をなす論述及び図面はこの発明 を限定するものであると理解すべきではない。 この開示から当業者には様々な 大体実施例が明らかとなろう。
例えば、 部品の材料や材質は本発明の実施例の一つであり、 これらが他のも のに置き換わっても、 技術的効果が変わらないのはいうまでもない。 例えば圧 電基板材料がホウ酸リチウム （L i B 4 0 7 ) 等となった場合でも、 技術的効 果は変わらない。
また、 本発明の実施例に係る発明において、 接地機構 6は更に、 接触部 1 2 を基板 9に押さえつけるクランプ （スプリング） 部、 回転軸 4 8を回転させる 駆動部等の構成部を具備しても良い。 更に、 設置機構 6はアーム部 4 7を上下 左右に移動する構成を有していても構わない。
また、 本発明の実施例では、 圧電基板 8上に A 1を主成分とする金属膜 7を 成膜したが、 圧電基板 8上に、 A 1以外の異なる金属詹を形成する場合でも、 また異なる材料が積層された多層構造の場合でも効果は変わらない。 また、 感 光性樹脂パターンや金属パターンの種類や形状は、 例えば櫛歯状のパターン等 のように、 特に限定されるものではない。 更に、 本発明の実施例では、 櫛歯状 の感光性樹脂パターンの線幅と、 金属パターンの櫛歯状電極の線幅を測定した が、 例えば感光性樹脂パターン 3 5や、 反射器 2 1 a等の品質管理上必要な部 分の線幅や形状を測定し検査してもよい。 更に、 測定回数も特に限定されるも のではない。
このように、 本発明はここでは記載していない様々な実施例等を含むことは 勿論である。

Claims

請求の範囲
1 . 圧電基板上に金属膜を成膜するステップと、
前記金属膜上に感光性樹脂を塗布するステップと、
前記樹脂を露光 ·現像し、 感光性樹脂パターンを形成し、 前記金属膜の一部 を選択的に露出するステップと、
露出した前記金属膜を接地用の窓として前記金属膜を接地するステップと、 前記金属膜を接地した状態において、前記圧電基板上に電子ビームを照射し、 前記感光性樹脂パ夕一ンの形状測定を行うステップと、
前記感光性樹脂パターンをマスクに前記金属膜をエッチングし、 金属パター ンを形成するステップと、
前記感光性樹脂パターンを除去するステップ
とを含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
2 . 請求の範囲 1において、 前記感光性樹脂パターンの線幅が 0 . 3 5 /2 m以上 2 . 0 /i m以下であることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
3 . 請求の範囲 1において、 前記圧電基板がタンタル酸リチウム （L i T a 0 3 ) 又はニオブ酸リチウム （L i N b 0 3 ) からなることを特徴とする弹 性表面波素子の製造方法。
4 . 請求の範囲 1において、 前記露出した金属膜に対して、 接地機構の先 端に設けられた接触部を接触することにより前記金属膜を接地することを特徴 とする弾性表面波素子の製造方法。
5 . 請求の範囲 1において、 前記感光性樹脂パターンの形状測定を行うス テツプ後、 測定された該感光性樹脂パターンの形状がスペックの範囲内か否か の判定を行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
6 . 請求の範囲 4において、 前記感光性樹脂を除去するステップ後に、 前 記金属パターンと電気的に接続されている前記金属膜に対して、 接地機構の先 端に設けられた接触部を接触することにより前記金属膜を接地するステップ と、 前記金属膜を接地した状態において、 前記圧電基板に電子ビームを照射し、 前記金属パターンの形状測定を行うステップとを含むことを特徴とする弾性表 面波素子の製造方法。
7. 圧電基板上に金属膜を成膜するステップと、
前記金属膜上に感光性樹脂を塗布するステップと、
前記樹脂を露光 ·現像し、 感光性樹脂パターンを形成するステップと、 前記感光性樹脂パターンをマスクに前記金属膜をエッチングし、 金属パ夕一 ンを形成するステップと、
前記感光性樹脂パターンを除去する .
前記金属パターンの一部を接地する.
前記金属膜パターンの一部を接地した状態において、 前記圧電基板に電子ビ ームを照射し、 前記接地した領域に電気的に接続されている前記金属パターン の形状測定を行うステップ
とを含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
8. 請求の範囲 7において、 前記金属パターンの線幅が 0. 35 zm以上 2. 0； m以下であることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
9. 請求の範囲 7において、 前記圧電基板がタンタル酸リチウム （L i T a 03) 又はニオブ酸リチウム （L i Nb〇3) からなることを特徴とする弾 性表面波素子の製造方法。
10. 請求の範囲 7において、 前記金属パターンの形状測定を行うステツ プ後、 測定された前記金属パターンの形状がスペックの範囲内か否かの判定を 行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 '
1 1. 請求の範囲 7において、 前記形状測定の対象となる金属パターンが 反射器のパターンであることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
12. 電子ビームを発生させる電子銃と、
前記電子ビームを収束するコンデンサーレンズと、
前記電子ビームを走査する電子ビーム走査部と、
前記電子ビームの走査により被測定物から発生する 2次電子を検出する検出 器と、
前記被測定物の下部の膜としての、 又は前記被測定物としての金属膜を接地 電位に接続する接地機構
とを有することを特徴とする検査装置。
1 3 . 請求の範囲 1 2において、 前記接地機構が前記金属膜と接触可能で ある接触部と、 該接触部を一方の端部に取り付けたアーム部と、 該アーム部の 前記接触部とは反対側となる他方の端部に設けられ、 該アーム部を回転可能と する回転軸とを有することを特徴とする検査装置。
1 4 . 請求の範囲 1 3において、 前記検査装置が金属膜を有する試料を保 持するホルダーを有することを特徴とする検査装置。
1 5 . 請求の範囲 1 3において、 前記検査装置が前記電子銃と前記試料を 収容する真空チャンバ一を有することを特徵とする検査装置。
1 6 . 請求の範囲 1 3において、 前記検査装置が前記 2次電子の検出量か ら画像を形成する画像形成部を有することを特徴とする検査装置。
1 7 . 請求の範囲 1 7において、 前記検査装置が前記画像形成部により形 成された画像から非測定対象の形状測定する測定部を有する検査装置。
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