WO2002103663A1 - Dispositif d'affichage de type mosaique, et procede de fabrication de ce dispositif d'affichage - Google Patents

Dispositif d'affichage de type mosaique, et procede de fabrication de ce dispositif d'affichage Download PDF

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WO2002103663A1
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display panel
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Tetsuo Urabe
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Definitions

  • the present invention relates to a tiling type display device in which a plurality of display panels or display units are arranged, and a method of manufacturing the same.
  • the present invention relates to a tiling type display device using a top emission type organic EL (elect-opening luminescent) display panel, and The present invention relates to the manufacturing method.
  • Display devices using organic EL elements are expected to be put to practical use as next-generation flat panel displays.
  • this organic EL display device since the response speed of the organic EL element is 1 im / sec or less, duty driving by the simple matrix method is possible, but the ON / OFF has a high duty ratio. In such a case, it is necessary to instantaneously apply a large current to the organic EL element in order to secure a sufficient luminance, and the element is greatly damaged.
  • a TFT (thin film transistor) circuit is usually connected to a capacitor, and the voltage applied to the element is maintained by the capacitor. For this reason, the same voltage can always be applied to the organic EL element during one frame of the screen, and there is no need for a large current to flow instantaneously, resulting in less damage to the element.
  • the TFT occupies a certain area, so that the effective pixel area becomes small and the aperture ratio decreases. I will. In order to avoid such inconvenience, a top emission type element structure is effective.
  • FIGS. 10A to 10D show conventional and top emission type organic EL display panel structures.
  • FIG. 10A is a conventional type and FIG. 10B is a top emission type. It is.
  • a TFT 900 is arranged on a substrate (hereinafter simply referred to as a “TFT substrate”) 902 in which a matrix of TFTs 900 is arranged.
  • An electrode wiring 904 is formed via an interlayer insulating film 906, and an anode electrode 910 is formed of a transparent conductive material via a flattening insulating film 908.
  • the anode electrode 910 is connected to a corresponding one of the electrode wires 904.
  • An organic EL layer 914 is formed on the anode electrode 910 and in a region surrounded by the ribs 912. For example, R (red), G (green), and B (blue) light emitting materials are provided in this order.
  • the organic EL layer 914 has a structure in which, for example, an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer are stacked (not shown). Then, a force sword electrode 916 made of metal is formed on the entire main surface on which the rib 912 and the organic EL layer 914 are formed.
  • the light output from the organic EL layer 914 is output in the direction of arrow Fb because the anode electrode 910 is transparent and the force electrode 916 reflects light with metal.
  • the anode electrode 920 is formed of metal, and the force source electrode 926 of transparent conductive material is formed on the organic EL layer 914. ing.
  • a protective layer 930 and a transparent seal 932 are sequentially laminated on the entire main surface on which the rib 912 and the cathode electrode 926 are formed.
  • the light output from the organic EL layer 914 is output in the direction of the upper surface indicated by the arrow F f because the anode electrode 920 reflects light from the metal and the power source electrode 926 is transparent.
  • the pattern of the TFT 900 exists on the light output side, but in the case of the top emission type shown in FIG.
  • the power source electrode 926 is a so-called transparent electrode (light-transmitting conductive film). It has become.
  • a transparent electrode generally has a high sheet resistance, and if this is formed over the entire main surface of the display panel, a voltage gradient is generated in the display surface, and the voltage at the center of the screen decreases to reduce the luminance. Will also decrease. This tendency becomes more pronounced as the screen size increases, and the display quality is significantly reduced.
  • an auxiliary wiring 950 made of metal is formed on the rib 912, and this is combined with a cathode electrode 926. A method for avoiding display unevenness due to a voltage gradient has been proposed.
  • FIG. 10D there has been proposed a method of preventing a decrease in contrast by superimposing a black matrix 960 on the auxiliary wiring 950.
  • the black matrix 960 is formed in advance on the sealing substrate 962, and is bonded to the upper surface of the substrate in FIG. 10C with the UV cured resin 964 interposed therebetween. Since the auxiliary wiring 950 is covered by the black matrix 960, reflection of external light is reduced, and contrast is improved.
  • tiling technology is known as one method for increasing the size of a display. This is a method of increasing the size of the display as a whole by preparing a plurality of unitized flat display panels and arranging a plurality of these in a tile shape. Large due to such tiling In screen displays, it is important that the boundaries between adjacent display panel units be kept inconspicuous.
  • the present invention which focuses on the above points, provides a high-quality, inconspicuous evening-illuminated display device using an organic EL display panel in which contrast is improved by a black matrix, and a method of manufacturing the same. Its purpose is to provide. Disclosure of the invention
  • the present invention relates to a tiling type display device which obtains a large-screen display by joining a plurality of display panels, and a sealing substrate provided commonly to the plurality of display panels; And a black matrix for improving contrast formed on the sealing substrate, wherein the black matrix is located on a boundary between the plurality of display panels.
  • the display panel has a structure in which a lower electrode, an organic EL layer, and an upper semi-transmissive electrode are sequentially laminated on a substrate, and light output from the organic EL layer is transmitted through the upper semi-transparent layer.
  • Another mode is characterized in that the sealing layer for preventing the electrode and the organic EL layer from deteriorating is further laminated.
  • a rib is arranged so as to surround the organic EL layer, and an auxiliary wiring is provided on the rib to electrically connect to the upper semi-transmissive electrode.
  • the black matrix is located on the auxiliary wiring. It is characterized by the following.
  • Still another mode is characterized in that the width of the auxiliary wiring at the boundary between the display panels is set to approximately 12 which is the width of the other auxiliary wiring.
  • Another invention is the method of manufacturing the tiling type display device, wherein, among the end faces of the display panel, an end face side to be joined to another display panel is a rib outside. It is characterized by cutting along. One of the main modes is characterized in that the outside of the rib is cut using a laser. Another embodiment is characterized in that the display panel includes an organic EL layer, and the laser is used for cleaving before forming the organic EL layer.
  • 1A to 1C are main end views showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A to 2C are main end views showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view showing an enlarged part of FIGS. 2A to 2C.
  • 4A to 4C are main end views showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
  • 5A to 5B are main end views showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
  • 6A to 6C are main end views showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic perspective view showing the state of the display panel after tiling and the state of overlap with the black matrix.
  • 8A to 8B are main end views showing the manufacturing process of Embodiment 2 of the present invention.
  • FIGS. 9A to 9D are main end views showing the manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 1OA to 10D are main end views showing a display panel according to the background art of the present invention.
  • Embodiment 1 Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described in detail.
  • This example is an example of an active matrix drive type.
  • a TFT substrate 10 as shown in FIG. 1A is prepared.
  • the TFT substrate 10 is a substrate in which TFT 12 is arranged in a matrix for each pixel, and various substrates are known. Various manufacturing methods are also known, and any of them may be applied.
  • the gate electrode of each TFT 12 is connected to a scanning circuit (not shown).
  • a first interlayer insulating film 14 is formed on the upper surface of the TFT substrate 10 so as to cover the TFT 12.
  • the first interlayer insulating film 14 is made of, for example, silicon oxide or a silicon oxide-based material such as PSG (Phospho-Si 1 icate Glass) containing silicon oxide containing phosphorus.
  • PSG Phospho-Si 1 icate Glass
  • wirings 16A and 16B are formed by patterning using aluminum, an aluminum-copper alloy, or the like. These wirings 16 A and 16 B are used as driving signal lines, and are connected to the TFT 12 through connection holes (not shown) formed in the first interlayer insulating film 14. Connect to source or drain.
  • a second interlayer insulating film 18 for covering the wirings 16A and 16B is formed.
  • the second interlayer insulating film 18 it is desirable to use a material having high flatness because it is necessary to cover the patterned wirings 16 A and 6 B. Further, it is preferable to use a material having a low water absorption because the organic material to be deposited and formed in a later step may be deteriorated by moisture and may not have sufficient luminance.
  • the second interlayer insulating film 18 is formed on the entire main surface of the substrate by the imidation, and then a connection hole 18A for connecting to the wiring 16A is formed.
  • an anode electrode (lower electrode) 20 of an organic EL layer is formed on the second interlayer insulating film 18.
  • a conductive material such as chromium, iron, cobalt, nickel, copper, tantalum, tungsten, platinum, and gold has a large work function and high light reflectance. Use materials. In this example, it is formed of chromium.
  • the anode electrode 20 is patterned for each pixel, and is connected to a wiring 16A via a connection hole 18A formed in the second interlayer insulating film 18.
  • a rib 22 is formed so as to surround each pixel (organic EL layer).
  • the rib 22 is formed so that its surface height is sufficiently higher than the surface height of the organic EL layer to be deposited and formed in the subsequent steps.
  • the ribs 22 can be used as spacers of a mask used when patterning the organic EL layer on the anode electrode 20.
  • the ribs 22 are formed by the silicon oxide films 22 A and 22 B, and an aluminum layer serving as the auxiliary wiring 23 is laminated thereon. That is, first, a silicon oxide film 22A is formed so as to fill the vicinity of the connection hole 18A, and then a silicon oxide film 22B is formed by lamination. With such a laminated structure, the rib 22 having a sufficient height can be formed.
  • the silicon oxide film 22A is an interlayer insulating film
  • the silicon oxide film 22B can be considered as a rib.
  • the rib 22 has a side wall formed in a forward tapered shape as shown in the figure, so that the coverage of the upper common electrode (force source electrode) covering the rib 22 having a considerable height is increased. Secured.
  • the appearance of the display panel 50 after the formation of the ribs 22 as described above is schematically shown in FIG. 2B.
  • FIG. 2C when the display panels 50 to 56 are joined to obtain a tiling-type display device, an end face around the display panel 50 that is joined to another display panel. It is necessary to cut the TFT substrate 10 at 50 A and 50 B. Therefore, in the present embodiment, the outside of the rib 22 (or the outside of the auxiliary wiring 23) is cut using a laser cutter as shown by an arrow in FIG. 2B.
  • the use of a laser cutter enables high-precision cutting, and does not use a liquid such as water for cooling. Therefore, it is convenient for an organic EL device that dislikes moisture.
  • a high-output infrared laser such as a carbon dioxide laser is suitable.
  • the temperature is rapidly increased locally, and immediately thereafter, compressed air is blown to rapidly cool down.
  • the substrate is cleaved by the stress.
  • FIG. 3 shows the intersection of the end faces 5OA and 50B in an enlarged manner.
  • an electrode layer or an organic EL layer is formed in advance so that the end face 50 A> 50 B of the display panel 50 matches the end face of the TFT substrate 10, it is necessary to perform laser cutting of the TFT substrate 10. There is no.
  • a tiling substrate may be separately prepared, and the display panels 50 to 56 may be joined and arranged thereon.
  • an organic EL layer emitting light for R (red), G (green), and B (blue) is formed by vapor deposition.
  • vapor deposition is performed in the order of G ⁇ B ⁇ R.
  • one of the colors R, G, and B A metal mask 24 having a corresponding opening is prepared. First, the opening 24 A is aligned so that the opening 24 A is located on the anode electrode of the G pixel. Then, a G organic EL layer 26 G is vapor-deposited on the G anode electrode 20 by resistance heating.
  • N-phenylamino] biphenyl (-NPD) is evaporated at 3 O nm.
  • the opening 24A of the metal mask 24 is aligned on the anode electrode of the B pixel.
  • a B organic EL layer 26 B is formed on the B anode electrode 20 by vapor deposition by resistance heating.
  • a hole transport layer 26Bb a 4,4'-bis [N-naphthy-N-phenylamino] biphenyl (-NPD)) 3 O nm is deposited.
  • the opening 24A of the metal mask 24 is aligned on the anode electrode of the R pixel.
  • an R organic EL layer 26 R is formed on the R anode electrode 20 by vapor deposition by resistance heating.
  • a cathode electrode (upper electrode) 28 is formed as a common electrode of each pixel as shown in FIG. 5A.
  • the force source electrode 28 is formed by exchanging a mask in the same apparatus in order to prevent the organic EL layer 26 from deteriorating.
  • a material of the force source electrode 28 a material having a small work function, such as magnesium and silver, is used so that electrons can be efficiently injected into the organic EL layer 26. Then, it is formed to a thickness of, for example, 14 nm by co-evaporation.
  • the force source electrode 28 is electrically connected to the auxiliary wiring 23 made of aluminum formed on the rib 22.
  • a passivation film (protective film) 30 is formed on the entire main surface.
  • the passivation film 30 is formed in the same apparatus without exposing to the atmosphere after forming the force source electrode 28.
  • a silicon nitride film is formed at a room temperature by a CVD method. This is. This is because the organic EL layer 26 rapidly deteriorates at a temperature of 100 or more, and the light emission luminance decreases.In order to prevent the film from peeling, it is necessary to form the film under conditions that minimize the film stress. Is desirable.
  • a plurality of display panels obtained as described above are prepared, arranged in a tile shape, and joined at an adhesive.
  • four display panels 50 to 56 are joined to obtain a tiling type display panel 60.
  • the display panels 50 to 56 are joined at the surface where the laser cutting has been performed.
  • the R, G, and B pixel arrays in each of the display panels 50 to 56 are considered so that the two-dimensional array of R, G, and B pixels is continuous between the display panels.
  • a UV cured resin 62 is applied on the main surface of the tiling type display panel 60 as shown in FIG. 6A.
  • This resin application may be performed by discharging the resin from a syringe type or slit nozzle type dispenser, or by using various known methods such as a roll coating method and a screen printing method.
  • a sealing substrate 66 on which a black matrix 64 is formed is prepared.
  • the sealing substrate 66 is not prepared separately for the display panels 50 to 56, but is provided for the entire tiling display panel 60. Laminate on the 60 resin coated surface. At this time, care should be taken so that air bubbles and the like do not enter between the UV cured resin 62 and the sealing substrate 66.
  • FIG. 7 shows how the tiling type display panel 60 and the sealing substrate 66 are bonded together (the UV cured resin 62 is not shown).
  • the UV curable resin 62 is cured by irradiating UV light to fix the relative positions of the tiling type display panel 60 and the sealing substrate 66,
  • the tiling type display device 70 is obtained.
  • reflection of external light by the auxiliary wiring 23 is favorably prevented by the black matrix 64.
  • the boundary 68 between the display panels 50 to 56 is well hidden by the black matrix 64. For this reason, it is possible to obtain a high-contrast, high-definition large-screen display in which the boundaries are inconspicuous.
  • FIGS. 6A to 6C two ribs 22 are arranged at the boundary 68 between the display panels 50 to 56.
  • the black matrix 64 is formed so as to completely cover the auxiliary wiring 23 of these ribs 22, the organic EL layer 26 is required for the black matrix 64 as shown in FIGS. 6A to 6C.
  • the auxiliary wiring 23 is exposed from the black matrix 64 at the boundary 68, and the boundary appears on the display screen.
  • a method of cutting the rib 22 at the boundary 68 can be considered, and a metal auxiliary wiring 23 is provided on the surface of the rib 22.
  • Cleavage requires a sharp rise in temperature due to the absorption of laser light, but the light reflectance of metals in the infrared region is high. Therefore, the temperature of the rib 22 cannot be increased by laser irradiation. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 8A, the width WA of the auxiliary wiring 1 23 at the end faces 50 A and 50 B which are joined to other display panels around the display panel 50. Is formed narrower than the width WB of the auxiliary wiring 23 on the ribs 22 regularly formed at another predetermined pitch. For example, WA ⁇ (WB / 2).
  • FIG. 8B corresponds to FIG. 3 described above.
  • FIG. 8B shows a state of the end portion of the display panel in the present embodiment, and the laser is cut along the auxiliary wiring edge shown by a dotted line.
  • an organic E layer 26, a force electrode 28, and a passivation film 30 are sequentially formed on the main surface in the same manner as in the above embodiment.
  • the four display panels 50 to 56 are joined to obtain a tiling type display panel 60.
  • a rib 122 having a width of approximately WB / 2 is joined at a boundary 68.
  • the ribs as a whole are WB ribs, and have a width substantially equal to that of the other ribs 22.
  • a UV curable resin 62 is applied on the main surface of the tiling type display panel 60.
  • a sealing substrate 66 on which a black matrix 164 is formed is prepared and bonded to the resin applied surface of the tiling type display panel 60.
  • FIG. 9D alignment is performed so that the relative positional relationship between the pixels of the tiling type display panel 60 and the black matrix 164 of the bonded sealing substrate 66 is matched.
  • the UV curable resin 62 is cured by irradiating UV light, and the relative positions of the evening display panel 60 and the sealing substrate 66 are fixed.
  • the tiling type display device 170 is obtained.
  • the operations in FIGS. 9B to 9D described above are basically the same as those in the first embodiment.
  • the ribs 122 come into contact with the center at the panel joining portion, and the auxiliary wiring at the boundary portion is substantially equal to the auxiliary wiring at other portions. Of width. For this reason, the boundary can be completely hidden, and good luminance can be obtained. In actual laser processing, it is preferable to provide a cutting margin in consideration of a material to be used and a laser.
  • the relationship between the force sword and the anode may be reversed from the above description.
  • a metal or alloy having a low work function or a metal compound is used so that electrons can be efficiently injected into the electron transport layer.
  • a metal or alloy having a large work function or a metal compound is used so that holes can be efficiently injected into the hole transport layer.
  • the layered structure of the display panel 50 may be any structure other than that shown in the above embodiment as long as it is a top emission type.
  • the present invention can be applied to the structure shown in FIG. 10C or FIG. 10D.
  • it is generally known that the organic material used in an organic EL device rapidly deteriorates in light emission characteristics when exposed to moisture or oxygen.
  • the power source electrode and anode electrode also rapidly deteriorate their electron-hole injection capability due to oxidation in air. For this reason, it is more convenient to have an organic EL layer or a sealing layer that blocks contact of the electrode with the outside air.
  • an organic resin layer is formed as a sealing layer between the protective layer 930 and the transparent seal 932 in FIG. 10C.
  • the present invention is equally applicable to such a case.
  • the present invention is applied to an organic EL display panel, but this does not prevent application to general tiling type display devices such as a plasma type display panel.
  • various known driving methods may be used.
  • the present invention has the following effects.

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Description

明細: 夕イリング型表示装置及びその製造方法 技術分野
本発明は、 複数の表示パネルないし表示ュニットを配列したタイリン グ型の表示装置及びその製造方法に関し、 特に、 上面発光型の有機 E L (エレクト口ルミネッセント） 表示パネルを利用したタイリング型表示 装置及びその製造方法に関するものである。 背景技術
有機 E L素子を利用した表示装置は、 次世代のフラッ トパネルデイス プレイとして実用化が期待されている。 この有機 E L表示装置の駆動は， 有機 E L素子の応答速度が 1 i m/s e c以下であるため、 単純マトリッ クス方式によるデューティ駆動も可能であるが、 O N · O F Fが高デュ 一ティ比となった場合には、 十分な輝度を確保するために有機 E L素子 に対して瞬間的に大電流を流す必要があり、 素子に対するダメージが大 きい。 一方、 アクティブマトリックス駆動方式では、 通常 T F T (薄膜 トランジスタ） 回路とコンデンサを接続し、 該コンデンサによって素子 に対する印加電圧を維持される。 このため、 画面の 1フレームの間、 常 に同じ電圧を有機 E L素子に印加することができ、 瞬間的に大電流を流 す必要がなく、 素子に対するダメージが少ない。
しかしながら、 以上のような T F Tによるァクティブマトリックス駆 動方式でディスプレイパネルを設計する場合、 T F Tが一定の面積を占 有するため、 実効的な画素部分の面積が小さくなり、 開口率が低下して しまう。 このような不都合を回避するには、 上面発光型の素子構造が有 効である。
第 1 O A図乃至第 1 0 D図には、 従来型と上面発光型の有機 E L表示 パネル構造が示されており、 第 1 0 A図は従来型， 第 1 0 B図は上面発 光型である。 まず、 第 1 0 A図の従来型から説明すると、 TF T 9 0 0 がマトリックス状に配列された基板 （以下単に 「T F T基板」 という） 9 0 2上には、 TFT 9 0 0に接続するための電極配線 9 04が層間絶 縁膜 9 0 6を介して形成されており、 更に平坦化絶縁膜 9 0 8を介して. 透明導電材料によりアノード電極 9 1 0が形成されている。 アノード電 極 9 1 0は、 電極配線 9 0 4のうちの該当するものに接続されている。 アノード電極 9 1 0上であってリブ 9 1 2に囲まれた領域には有機 E L層 9 1 4が形成されている。 例えば、 R (赤） ， G (緑） ， B (青） の発光材料が順に設けられている。 なお、 有機 E L層 9 1 4は、 例えば 電子輸送層， 発光層， 正孔輸送層が積層された構造となっている （図示 せず） 。 そして、 リブ 9 1 2及び有機 E L層 9 1 4が形成された主面全 体に金属による力ソード電極 9 1 6が形成されている。 有機 E L層 9 1 4から出力された光は、 アノード電極 9 1 0が透明であり、 力ソード電 極 9 1 6が金属で光を反射するため、 矢印 F b方向に出力される。
一方、 第 1 0 B図の上面発光型は、 アノード電極 9 2 0が金属によつ て形成されており、 有機 E L層 9 1 4上に透明導電材料による力ソード 電極 9 2 6が形成されている。 これは、 第 1 O A図の従来型とちょうど 逆の関係となっている。 そして、 リブ 9 1 2及びカソ一ド電極 9 2 6が 形成された主面全体に保護層 9 3 0及び透明シール 9 3 2が順に積層形 成されている。 有機 E L層 9 1 4から出力された光は、 アノード電極 9 2 0が金属で光を反射し、 力ソード電極 9 2 6が透明であるため、 矢印 F f で示す上面方向に出力される。 両者を比較すると、 第 1 O A図の従 来型の場合は T F T 9 0 0のパターンが光出力側に存在するが、 第 1 0 B図の上面発光型の場合はそれがなく、 開口率が増大する。
ところで、 開口率の点で優れている上面発光型の有機 E L表示パネル の場合、 上部電極側から光が取り出されるため、 力ソード電極 9 2 6は いわゆる透明電極 （光透過性の導電性膜） となっている。 しかしながら 透明電極は一般的にシ一ト抵抗の値が高く、 これを表示パネルの主面全 体に形成すると、 表示面内で電圧勾配が発生し、 画面中央部の電圧が低 下して輝度も低下するようになる。 この傾向は、 大画面化する程顕著に なり、 表示品位が著しく低下することとなる。 これを回避する方法とし て、 第 1 0 C図に示すように、 前記リブ 9 1 2上に金属による補助配線 9 5 0を形成し、 これとカソ一ド電極 9 2 6とを組み合わせることで、 電圧勾配による表示ムラを回避する方法が提案されている。
しかし、 このような補助配線を形成した構造では、 矢印 F rで示すよ うに、 補助配線 9 5 0による外光の反射が大きくなり、 表示画像のコン トラストが著しく低下してしまう。 そこで、 第 1 0 D図に示すように、 補助配線 9 5 0上にブラックマトリックス 9 6 0を重ねることで、 コン トラストの低下を防止する方法が提案されている。 ブラックマトリック ス 9 6 0は封止基板 9 6 2に予め形成されており、 これを U V硬化樹脂 9 6 4を挟んで第 1 0 C図の基板上面側に張り合わせる。 補助配線 9 5 0をブラックマトリックス 9 6 0が覆うようになるため、 外光の反射が 低減され、 コントラストが向上する。
ところで、 ディスプレイを大型化する一つの手法として、 タイリング 技術が知られている。 これは、 ユニッ ト化した平面表示パネルを複数用 意し、 これらをタイル状に複数枚配列することによって、 全体としてデ イスプレイの大型化を図る方法である。 このようなタイリングによる大 画面ディスプレイでは、 隣合う表示パネルュニッ 卜の境目が目立たない ようにすることが重要である。
本発明は、 以上の点に着目したもので、 ブラックマトリックスによつ てコントラス卜が向上した有機 E L表示パネルを利用した、 高品位で境 目の目立たない夕イリング型表示装置及びその製造方法を提供すること を、 その目的とする。 発明の開示
前記目的を達成するため、 本発明は、 複数の表示パネルを接合して大 画面のディスプレイを得るタイリング型表示装置であって、 前記複数の 表示パネルに共通に設けた封止用基板と、 該封止用基板上に形成したコ ントラスト向上のためのブラックマトリックスとをそれぞれ備えており 前記複数の表示パネルの境目上に前記ブラックマトリックスが位置する ことを特徴とする。
主要な形態の一つは、 前記表示パネルは、 基板上に下部電極， 有機 E L層， 上部半透過性電極が順次積層されており、 前記有機 E L層から出 力された光が前記上部半透過性電極から取り出されることを特徴とする, 他の形態は、 前記電極及び有機 E L層の劣化を防止するための封止層を 更に積層形成したことを特徴とする。 更に他の形態は、 前記有機 E L層 を囲むようにリブを配置し、 このリブに前記上部半透過性電極に電気的 に接続する補助配線を設け、 該補助配線上に前記ブラックマトリックス が位置することを特徴とする。 更に他の形態は、 前記表示パネル間の境 目における前記補助配線の幅を、 他の補助配線の幅の略 1 2としたこ とを特徴とする。
他の発明は、 前記タイリング型表示装置の製造方法であって、 前記表 示パネルの端面のうち、 他の表示パネルと接合する端面側を、 リブ外側 に沿って割断することを特徴とする。 主要な形態の一つは、 レーザを使 用して前記リブ外側'を割断することを特徴とする。 他の形態は、 前記表 示パネルが有機 E L層を含んでおり、 該有機 E L層の形成前に、 前記レ 一ザによる割断を行うことを特徴とする。 本発明の前記及び他の目的， 特徴， 利点は、 以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。 図面の簡単な説明
第 1 A図乃至第 1 C図は、 本発明の実施形態 1の製造プロセスを示す 主要端面図である。
第 2 A図乃至第 2 C図は、 本発明の実施形態 1の製造プロセスを示す 主要端面図である。
第 3図は、 第 2 A図乃至第 2 C図の一部を拡大して示す概略の斜視図 である。
第 4 A図乃至第 4 C図は、 本発明の実施形態 1の製造プロセスを示す 主要端面図である。
第 5 A図乃至第 5 B図は、 本発明の実施形態 1の製造プロセスを示す 主要端面図である。
第 6 A図乃至第 6 C図は、 本発明の実施形態 1の製造プロセスを示す 主要端面図である。
第 7図は、 タイリング後の表示パネルの様子とブラックマトリックス との重なりの様子を示す概略の斜視図である。
第 8 A図乃至第 8 B図は、 本発明の実施形態 2の製造プロセスを示す 主要端面図である。
第 9 A図乃至第 9 D図は、 本発明の実施形態 2の製造プロセスを示す 主要端面図である。 第 1 O A図乃至第 1 0 D図は、 本発明の背景技術における表示パネル を示す主要端面図である。 発明を実施するための最良の形態
<実施形態 1〉……以下、 本発明の実施形態 1について詳細に説明す る。 最初に、 主要な製造工程を順に説明する。 本例はアクティブマトリ ックス駆動型の例であり、 まず第 1 A図に示すような T F T基板 1 0を 用意する。 なお、 T F T基板 1 0は、 T F T 1 2が各画素毎にマトリツ クス配列された基板であり、 各種のものが公知である。 その製造方法も 各種知られており、 いずれを適用してもよい。 各 T F T 1 2のゲート電 極は、 走査回路に接続されている （図示せず） 。
T F T基板 1 0の上面には、 T F T 1 2を覆うように、 第 1層間絶縁 膜 1 4を形成する。 第 1層間絶縁膜 1 4は、 例えば、 酸化シリコンある いは酸化シリコンにリンを含有させてなる P S G (Phospho-Si 1 icate Glass) などの酸化シリコン系の材料が使用される。 該第 1層間絶緣膜 1 4上には、 アルミニウムやアルミニウム一銅合金などによって配線 1 6 A, 1 6 Bをそれぞれパターン形成する。 これらの配線 1 6 A， 1 6 Bは、 駆動用の信号線として用いられるもので、 前記第 1層間絶縁膜 1 4に形成された接続穴 （図示せず） を介して前記 T F T 1 2のソース又 はドレインに接続される。
次に、 第 1 B図に示すように、 配線 1 6 A, 1 6 Bを覆うための第 2 層間絶縁膜 1 8を形成する。 この第 2層間絶縁膜 1 8としては、 パター ン加工された配線 1 6 A, ュ 6 Bを覆う必要性から、 平坦性の高い材料 を使用するのが望ましい。 また、 後の工程で蒸着成膜される有機材料は. 水分により劣化して十分な輝度が得られなくなる恐れがあることから、 吸水率の低い材料を使用するのが望ましい。 本実施形態では、 例えばポ リイミ ドによって第 2層間絶縁膜 1 8が基板主面全体に形成され、 その 後配線 1 6 Aに接続するための接続穴 1 8 Aが形成される。
次に、 第 1 C図に示すように、 前記第 2層間絶縁膜 1 8上に有機 E L 層のアノード電極 （下部電極） 2 0を形成する。 本例のような上面発光 型の表示パネルの場合は、 クロム， 鉄， コバルト， ニッケル， 銅， タン タル， タングステン， プラチナ， 金などのような仕事関数が大きくかつ 光の反射率も高い導電性材料を用いる。 本例では、 クロムによって形成 されている。 このアノード電極 2 0は、 各画素毎にパターニングされる とともに、 前記第 2層間絶縁膜 1 8に形成された接続穴 1 8 Aを介して 配線 1 6 Aに接続される。
次に、 第 2 A図に示すように、 リブ 2 2を各画素 （有機 E L層） を囲 むように形成する。 リブ 2 2は、 その表面高さが以後の工程で蒸着成膜 される有機 E L層の表面高さよりも十分高く形成する。 このようにする ことで、 アノード電極 2 0上に有機 E L層をパターン形成する際に用い るマスクのスぺーサとして、 リブ 2 2を利用することができる。 本実施 形態では、 酸化シリコン膜 2 2 A , 2 2 Bによってリブ 2 2を形成し、 その上に補助配線 2 3となるアルミニウム層を積層している。 すなわち 最初に前記接続穴 1 8 A付近を埋めるように酸化シリコン膜 2 2 Aを形 成し、 次に酸化シリコン膜 2 2 Bを積層形成する。 このような積層構造 とすることで、 十分な高さを有するリブ 2 2を形成することができる。 なお、 酸化シリコン膜 2 2 Aは層間絶縁膜であり、 酸化シリコン膜 2 2 Bがリブであると考えることもできる。
更に、 リブ 2 2は、 図示のように側壁が順テーパ形状に形成されてお り、 これによつて相当程度の高さを有するリブ 2 2を覆う上部共通電極 (力ソード電極） のカバレッジが確保される。 以上のようなリブ 2 2形成後の表示パネル 5 0の外観を概略示すと、 第 2 B図のようになる。 ここで、 第 2 C図に示すように、 表示パネル 5 0〜 5 6を接合してタイリング型の表示装置を得る場合、 表示パネル 5 0の周囲のうち、 他の表示パネルと接合する端面 5 0 A, 5 0 Bの部分 の TFT基板 1 0を割断する必要がある。 そこで、 本実施形態では、 レ —ザカツタを使用して第 2 B図に矢印で示すようにリブ 2 2の外側 （あ るいは補助配線 2 3の外側） を切断する。 レーザカツ夕を使用すること で、 高精度の割断が可能であり、 かつ、 冷却に水などの液体を使用しな レ 従って、 水分を嫌う有機 ELデバイスには好都合である。
レーザカツ夕としては、 例えば二酸化炭素レーザなどのような高出力 の赤外線レーザが好適である。 レーザ発信装置から出力されたレーザ光 を表示パネル端部の所定部位に照射することで、 局部的に急激に温度を 上昇させるとともに、 その直後に圧縮エアを吹き付けることで急冷する このときに発生する応力で基板の割断が進行する。 第 3図には、 端面 5 O A, 5 0 Bの交差部分が拡大して示されている。 このレーザによる切 断を行うと、 一時的に表示パネル 5 0の温度が上昇する。 後述する有機 E L層は熱に弱く、 特性が劣化してしまう。 従って、 有機 EL層を形成 する前に、 レーザ切断の作業を行うようにする。
なお、 表示パネル 5 0の端面 5 0 A> 5 0 Bが T F T基板 1 0の端面 と一致するように予め電極層や有機 EL層を形成すれば、 TF T基板 1 0のレーザ割断を行う必要はない。 また、 タイリング用の基板を別途用 意し、 これの上に表示パネル 5 0〜 5 6を接合配置するようにしてもよ い。
次に、 第 4 A図乃至第 4 C図に示すように、 R (赤） ， G (緑） ， B (青） に発光する有機 E L層を蒸着形成する。 本例では、 G→B→Rの 順で蒸着を行う。 第 4 A図に示すように、 R, G, Bのいずれか一色に 相当する開口部を有するメタルマスク 2 4を用意し、 最初に開口部 2 4 Aが Gの画素のアノード電極上に位置するようにァライメント （位置合 わせ） する。 そして、 抵抗過熱によって Gのアノード電極 2 0上に Gの 有機 E L層 2 6 Gを蒸着形成する。
①まず、 ホール （正孔） 注入層 2 6 G aとして、 4， 4' , 4' ' - iris (3 - methylphenylphenyl mino) triphenyl mine (m-MTDATA)を 2 5 nm ¾ 着する。
②次に、 ホール輸送層 2 6 G bととして、 4, 4' - bis [N- 1- naphthy卜
N-phenylamino]biphenyl ( -NPD)を 3 O nm蒸着 "^る。
③次に、 発光層 2 6 G cとして、 tris (8- quinol inol t o) aluminium (111) (Alq3)を 5 0 nm蒸着する。 以上の各 層の蒸着は、 同一装置内で連続的に行う。
次に、 第 4 B図に示すように、 メタルマスク 2 4の開口部 2 4 Aを B の画素のァソード電極上にァライメントする。 そして、 抵抗過熱によつ て Bのアノード電極 2 0上に Bの有機 E L層 2 6 Bを蒸着形成する。
①まず、 ホール注入層 2 6 B aとして、 4， 4' , 4' ' - is (3- methylphenyl henylamino) triphenylamine (m-MTDATA)を 1 8 nm蒸 着する。
②次に、 ホール輸送層 2 6 B bとして、 4, 4' -bis [N-卜 naphthy卜 N- phenylamino]biphenyl ( -NPD) ¾ 3 O nm 着する。
③次に、 ホールブロック層としての機能を有する発光層 2 6 B cとして. 2, 9-dimethyl-4, 7-diphenyl-l, 10- phenanthrol ine (bathocuproine) ¾: 1 4nm成膜する。
④更に、 発光層 2 6 B dとして、 tris (8- quinol inol ato) aluminium(I Π) (Alq3)を 3 0 nm蒸着する。 以上の各 層の蒸着は、 同一装置内で連続的に行う。 8
10 次に、 第 4 C図に示すように、 メタルマスク 2 4の開口部 24 Aを R の画素のアノード電極上にァライメントする。 そして、 抵抗過熱によつ て Rのアノード電極 2 0上に Rの有機 E L層 2 6 Rを蒸着形成する。
①まず、 ホール注入層 2 6 R aとして、 4,4'， 4'-^is(3- methylphenylphenyl amino) t r i eny 1 ami ne (m-MTDATA)を 5 5 nm 着する。
②次に、 ホール輸送層 2 6 R bとして、 4， 4' -bis [N-卜 naphthy卜 N- phenylamino] biphenyl ( - PD)を 3 0 nm蒸着する。
③次に、 発光層 2 6 R cとして、 2, 5- bis [4- (N- methoxypheny卜 N- phenylamino)styryl]benzene-l, 4-dicarbonitrile(BSB-BCN)¾: 1
4nm蒸着する。
④次に、 電子輸送層 2 6 R dとして、 tris(8-
QUinolinolato)aluminium(III) (Alq3)を 3 Onm蒸着する。 以上の各 層の蒸着は、 同一装置内で連続的に行う。
次に、 以上の有機 EL層 2 6の蒸着後、 第 5 A図に示すようにカソー ド電極 （上部電極） 2 8を各画素の共通電極として形成する。 力ソード 電極 2 8は、 前記有機 E L層 2 6の劣化を防止するため、 同一の装置内 でマスク交換を行って形成する。 力ソード電極 2 8の材料としては、 電 子を効率的に有機 E L層 2 6に注入できるように、 仕事関数の小さい材 料， 例えばマグネシウムと銀を用いる。 そして、 共蒸着により例えば 1 4 nmの厚さに形成する。 この力ソード電極 2 8は、 リブ 2 2上に形成 されたアルミニウムによる補助配線 2 3と電気的に接続する。
次に、 第 5 B図に示すようにパッシベ一シヨン膜 （保護膜） 3 0を主 面全体に形成する。 パッシベ一シヨン膜 3 0は、 力ソード電極 2 8の形 成後、 大気暴露することなく、 同一装置内で成膜する。 例えば、 CVD 法によりチッ化シリコン膜を、 成膜温度を室温として形成する。 これは. 有機 E L層 2 6が 1 0 0で以上で急激に劣化し、 発光輝度が低下するた めであり、 更に膜はがれの発生を防止をするため、 膜のストレスが最小 になる条件で成膜するのが望ましいためである。
以上のようにして得た表示パネルを複数枚用意し、 タイル状に並べて 接合部分を接着剤で接合する。 例えば、 第 2 C図に示すように 4枚の表 示パネル 5 0〜 5 6を接合し、 タイリング型表示パネル 6 0を得る。 も ちろん、 上述したように、 表示パネル 5 0〜 5 6は、 レーザ切断を行つ た面で接合する。 なお、 R， G , Bの画素の 2次元配列が各表示パネル 間で連続するように、 各表示パネル 5 0〜 5 6における R , G , Bの画 素配列を考慮する。
次に、 以上のようなタイリング型表示パネル 6 0の主面上に、 第 6 A 図に示すように U V硬化樹脂 6 2を塗布する。 この樹脂塗布は、 注射機 型もしくはスリットノズル型のディスペンザから樹脂を吐き出して行う 他に、 ロールコート法， スクリーン印刷法など各種の公知の方法を用い てよい。 次に、 第 6 B図に示すように、 ブラックマトリックス 6 4が形 成された封止用基板 6 6を用意する。 封止用基板 6 6は、 表示パネル 5 0 ~ 5 6に対して個別に用意されるのではなく、 タイリング型表示パネ ル 6 0の全体に対して 1つ用意され、 タイリング型表示パネル 6 0の樹 脂塗布面に貼り合せる。 この際、 U V硬化樹脂 6 2と封止用基板 6 6と の間に気泡などが混入しないように注意する。 第 7図には、 タイリング 型表示パネル 6 0と封止用基板 6 6との貼り合わせの様子が示されてい る （U V硬化樹脂 6 2は図示せず） 。
次に、 第 6 C図に示すように、 タイリング型表示パネル 6 0の画素と 貼り合せた封止用基板 6 6のブラックマトリックス 6 4との相対位置関 係が合致するように整合する。 U V硬化樹脂 6 2が未硬化の状態であれ ば、 タイリング型表示パネル 6 0と封止用基板 6 6との相対位置を数 1 0 0 m程度位置調整することは十分可能である。 この位置調整は、 第 6 C図に示すように、 ブラックマトリックス 6 4がリブ 2 2の補助配線 2 3の直上であって、 かつ、 表示パネル 5 0〜 5 6間の境目 6 8の直上 となるように行う。 最後に、 第 6 C図に矢印で示すように U V光を照射 して U V硬化樹脂 6 2を硬化させ、 タイリング型表示パネル 6 0と封止 用基板 6 6との相対位置を固定し、 タイリング型表示装置 7 0を得る。 以上のようにして得たタイリング型表示装置 7 0では、 補助配線 2 3 による外光の反射がブラックマトリックス 6 4によって良好に防止され る。 また、 表示パネル 5 0〜 5 6の境目 6 8が、 ブラックマトリックス 6 4によって良好に隠されている。 このため、 境目が目だたない良好な コントラス卜の高品位大画面ディスプレイを得ることができる。
<実施形態 2 >……次に、 本発明の実施形態 2について説明する。 上 述した実施形態では、 第 6 A図乃至第 6 C図に示すように、 表示パネル 5 0〜 5 6間の境目 6 8でリブ 2 2が 2つ並ぶようになる。 これらのリ ブ 2 2の補助配線 2 3を完全に覆うようにブラックマトリックス 6 4を 形成すると、 第 6 A図乃至第 6 C図のように有機 E L層 2 6がブラック マトリ ックス 6 4で必要以上に覆われるようになり、 輝度が低下してし まう。 逆に、 良好な輝度を得ようとすると、 境目 6 8で補助配線 2 3が ブラックマトリックス 6 4から露出するようになり、 境目が表示画面上 に現れるようになる。
そこで、 一つの方法として、 境目 6 8でリブ 2 2を切断する方法が考 えられるが、 リブ 2 2の表面には金属による補助配線 2 3が設けられて いる。 割断を行うにはレーザ光の吸収による急激な温度上昇が必要であ るが、 赤外領域における金属の光反射率は高い。 このため、 リブ 2 2の 部分ではレーザ照射によって温度を上昇させることができない。 そこで、 本実施形態では、 第 8 A図に示すように、 表示パネル 5 0の 周囲のうち、 他の表示パネルと接合する端面 5 0 A, 5 0 Bにおける補 助配線 1 2 3の幅 WAを、 他の所定ピッチで規則的に形成されたリブ 2 2上の補助配線 2 3の幅 WBと比較して狭く形成する。 例えば、 WA< (WB/2 ) とする。 このように、 補助配線 1 2 3の幅を狭くすること で、 該部位におけるレーザ光の反射が低減され、 リブ 1 2 2の幅を狭く した割断が可能となる。 第 8 B図は、 上述した第 3図に相当するもので. 本実施形態における表示パネル端部の様子が示されており、 点線で示す 補助配線エッジに沿ってレーザによる割断が行われる。 割断後、 有機 E し層 2 6 , 力ソード電極 2 8， パッシベーシヨン膜 3 0を、 前記実施形 態と同様に順次主面上に形成する。
次に、 第 2 C図に示したように 4枚の表示パネル 5 0 ~ 5 6を接合し. タイリング型表示パネル 6 0を得る。 第 9 A図に示すように、 本実施形 態では、 境目 6 8において略 WB/ 2の幅のリブ 1 2 2が接合する。 こ のため、 全体として WBのリブとなり、 他のリブ 2 2と略同等の幅とな る。 次に、 タイリング型表示パネル 6 0の主面上に、 第 9 B図に示すよ うに UV硬化榭脂 6 2を塗布する。 そして、 第 9 C図に示すように、 ブ ラックマトリックス 1 64が形成された封止用基板 6 6を用意し、 タイ リング型表示パネル 6 0の樹脂塗布面に貼り合せる。 次に、 第 9 D図に 示すように、 タイリング型表示パネル 6 0の画素と、 貼り合せた封止用 基板 6 6のブラックマトリックス 1 64との相対位置関係が合致するよ うに整合する。 最後に、 第 9 D図に矢印で示すように UV光を照射して UV硬化樹脂 6 2を硬化させ、 夕イリング型表示パネル 6 0と封止用基 板 6 6との相対位置を固定し、 タイリング型表示装置 1 7 0を得る。 以 上の第 9 B図〜第 9 D図の作業は、 前記実施形態 1 と基本的に同様であ る。 以上のようにして得たタイリング型表示装置 1 7 0では、 パネル接合 部においてリブ 1 2 2が中央で接するようになり、 境目部分における補 助配線が他の部分におる補助配線と略同等の幅となる。 このため、 境目 を完全に隠すことができるとともに、 良好な輝度も得ることができるよ うになる。 なお、 実際のレーザ加工においては、 使用する材料やレーザ などを考慮した切りしろを設けるようにするとよい。
ぐ他の実施形態〉……本発明には数多くの実施形態があり、 以上の開 示に基づいて多様に改変することが可能である。 例えば、 次のようなも のも含まれる。
( 1 ) 力ソードとアノードの関係は、 前記説明と逆でもよい。 力ソード 電極としては、 電子輸送層に対して電子を効率的に注入できるように、 仕事関数の低い金属， 又は合金， 更には金属化合物を用いる。 アノード 電極としては、 ホール輸送層に対してホールの注入が効率的にできるよ うに、 仕事関数の大きい金属， 又は合金， 更には金属化合物を用いる。 ( 2 ) 表示パネル 5 0の積層構造としては、 前記実施形態に示したもの の他、 上面発光型であればどのような構造としてもよい。 例えば、 第 1 0 C図もしくは第 1 0 D図に示した構造のものにも適用可能である。 ま た、 有機 E Lデバイスに用いられている有機材料は、 一般的に、 水分や 酸素に触れるとその発光特性が急激に劣化することが知られている。 更 に、 力ソード電極やアノード電極も、 空気中では酸化によって電子ゃホ ールの注入能力が急激に劣化する。 このため、 有機 E L層や電極の外気 との接触を遮断する封止層があるとより好都合である。 そこで、 第 1 0 C図の保護層 9 3 0と透明シール 9 3 2との間に有機樹脂層を封止層と して形成したものが提案されている。 このようなものにも、 同様に本発 明は適用可能である。 ( 3 ) 更に、 前記実施形態は、 いずれも有機 E L表示パネルに本発明を 適用したものであるが、 プラズマ型ディスプレイパネルなど、 タイリン グ型の表示装置全般に適用することを妨げるものではない。 また、 駆動 方法も公知の各種の方法を用いてよい。
以上説明したように、 本発明によれば、 次のような効果がある。
( 1 ) 複数の表示パネルの境目上にブラックマトリックスが位置するよ うにしたので、 境目が目立たない大型ディスプレイを得ることができる
( 2 ) 表示パネル間の境目において、 リブ中央で接合するようにしたの で、 ブラックマトリックスで完全に境目が覆われるようになり、 境目の ない高品位の大型ディスプレイを得ることができる。
( 3 ) パネル接合面の割断を、 レーザを用いて有機 E L層の形成前に行 うこととしたので、 加工精度が高く、 かつ、 有機 E L層の劣化も生じな い。

Claims

請求の範囲
1 . 複数の表示パネルを接合して大画面のディスプレイを得るタイリ ング型表示装置であって、
前記複数の表示パネルに共通に設けた封止用基板と、
該封止用基板上に形成したコントラスト向上のためのブラックマトリ ックスと、
をそれぞれ備えており、
前記複数の表示パネルの境目上に前記ブラックマトリックスが位置す ることを
特徴とするタイリング型表示装置。
2 . 前記表示パネルは、 基板上に下部電極， 有機 E L層， 上部半透過 性電極が順次積層されており、 前記有機 E L層から出力された光が前記 上部半透過性電極から取り出されることを特徴とする請求の範囲第 1項 記載のタイリング型表示装置。
3 . 前記電極及び有機 E L層の劣化を防止するための封止層を更に積 層形成したことを特徴とする請求の範囲第 2項記載のタイリング型表示 装置。
4 . 前記有機 E L層を囲むようにリブを配置し、 このリブに前記上部 半透過性電極に電気的に接続する補助配線を設け、 該補助配線上に前記 ブラックマトリックスが位置することを特徴とする請求の範囲第 2項記 載のタイリング型表示装置。
5 . 前記表示パネル間の境目における前記補助配線の幅を、 他の補助 配線の幅の略 1 / 2としたことを特徴とする請求の範囲第 4項記載の夕 ィリング型表示装置。
6 . 複数の表示パネルを接合して大画面のディスプレイを得るタイリ ング型表示装置の製造方法であって、 前記表示パネルの端面のうち、 他 の表示パネルと接合する端面側を、 リブ外側に沿って割断することを特 徵とするタイリング型表示装置の製造方法。
7 . レーザを使用して前記リブ外側を割断することを特徴とする請求 の範囲第 6項記載のタイリング型表示装置の製造方法。
8 . 前記表示パネルが有機 E L層を含んでおり、 該有機 E L層の形成 前に、 前記レーザによる割断を行うことを特徴とする請求の範囲第 7項 記載の夕イリング型表示装置の製造方法。
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