WO2003024711A2

WO2003024711A2 - Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats und keramisches substrat

Info

Publication number: WO2003024711A2
Application number: PCT/DE2002/003412
Authority: WO
Inventors: Christian Hoffmann; Klaus-Dieter Aichholzer
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: TDK Electronics AG
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2002-09-13
Publication date: 2003-03-27
Anticipated expiration: 2004-03-14
Also published as: DE50213033D1; US20070151090A1; WO2003024711A3; US7160406B2; US20040206546A1; DE10145363A1; ATE414605T1; EP1425167A2; CN1291834C; JP2005501795A; EP1425167B1; CN1553855A

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats (1) mit folgenden Schritten: Bereistellen eines Grundkörpers (2) mit einem Stapel (2a) von übereinanderliegenden Schichten (3), die ein ungesintertes Keramikmaterial und ein Sniterhilfsmittel enthalten, wobei eine der Schichten (3a) eine gegenüber einer benachbarten Schicht (3) erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel enthält, b) Sintern des Schichstapele (2a). Ferner betrifft die Erfindung ein Keramisches Substrat. Durch den erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel kann die mechanische Anbindung einer Schicht (3a) an die benachbarte Schicht (3) verbessert werden.

Description

Beschreibung

Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats und keramisches Substrat

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats, wobei ein Grundkörper bereitgestellt wird, der einen Stapel von übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die Schichten des Stapels enthalten ein ungesinter- tes Keramikmaterial. In einem darauffolgenden Schritt wird der Stapel gesintert .

Verfahren der eingangs genannten Art werden verwendet zur Herstellung von keramischen Vielschichtsubstraten, in das passive Bauelemente integriert werden können. Auf der Oberfläche des Substrats können mittels Verbindungstechnologien, wie SMD, Wire-Bonding oder auch Flip-Chip-Montage aktive Bauelemente montiert werden. Dadurch entstehen aus den keramischen Substraten multifunktionale Module, die insbesondere geeignet sind, Platz einzusparen.

Aus der Druckschrift US 6,207,905 ist ein Verfahren der eingangs genannten Art bekannt, wobei die übereinanderliegenden Schichten ein Keramikmaterial und Glas enthalten. Dabei be- trägt der Gewichtsanteil von Glas und Keramikmaterial jeweils zirka 50 %. Das Glas dient dabei als Sinterhilfsmittel und ist in dem bekannten Verfahren derart beschaffen, daß es im Verlauf des Sinterprozesses rekristallisiert (Reaktionssintern) . Aufgrund des Glasanteils von zirka 50 Gew.-% resultie- ren bei dem bekannten Verfahren zwischen den einzelnen Lagen des Vielschichtaufbaus Reaktionsschichten, die nur wenige Mikrometer dick sind. Bei der Montage von Bauelementen auf der Oberfläche des gesinterten Schichtstapels kann es bei Scherbeanspruchung zum Bruch in der obersten der Reaktionsschich- ten kommen, was dazu führt, daß Teile der obersten Schicht des Schichtstapels ausgerissen werden. Dieses Problem tritt verstärkt auf, wenn die oberste Schicht des Schichtstapels zum Beispiel mit einem organischen Material ganzflächig abgedeckt wird und auf diese Schicht eine Scherbeanspruchung wirkt .

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats anzugeben, das es erlaubt, die mechanische Anbindung der Schichten des Schichtstapels untereinander zu verbessern.

Dieses Ziel wird durch ein Verfahren nach Patentanspruch 1 erreicht . Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sowie ein keramisches Substrat sind den weiteren Ansprüchen zu entnehmen.

Die Erfindung gibt ein Verfahren zur Herstellung eines Keramiksubstrats an, wobei in einem ersten Schritt ein Grundkörper mit einem Stapel von übereinanderliegenden Schichten bereitgestellt wird. Die übereinanderliegenden Schichten enthalten ein ungesintertes Keramikmaterial und ein Sinterhilfs- mittel.

Eine der Schichten des Schichtstapels weist gegenüber einer ihr benachbarten Schicht einen erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel auf.

In einem darauffolgenden Schritt wird der Schichtstapel gesintert, wodurch ein monolithischer Sinterkörper entsteht, der wenigstens eine wesentliche Komponente des herzustellenden Keramiksubstrats darstellt.

Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß durch den erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel in einer der Schichten der Austausch von Sinterhilfsmittel zwischen den Schichten des Schichtstapeis verstärkt wird. Der Grund dafür ist das Konzentrationsgefalle an Sinterhilfsmittel zwischen den

Schichten. Der Austausch von Sinterhilfsmittel zwischen den Schichten des Schichtstapels kann durch Diffusion geschehen, wobei die Diffusion durch den Konzentrationsunterschied an Sinterhilfsmittel zwischen den Schichten angetrieben wird. Der vermehrte Austausch von Sinterhilfsmittel zwischen den Schichten des Schichtstapels führt zu einer verbesserten An- bindung zwischen der Schicht, die den erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel enthält, und der dieser Schicht benachbarten Schicht .

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird ein Sinterhilfsmittel verwendet, das nach dem Sintern in einer anderen chemischen Zusammensetzung vorliegt als vor dem Sintern. Solche Sinterhilfsmittel sind zum Beispiel Sinterhilfsmittel, die für Reaktionssintern geeignet sind. Ein Beispiel für ein solches Sinterhilfsmittel ist ein Glas, das Siθ2 und Kalzium enthält. Ein solches Glas kann bei einer Temperatur von 900 °C mit dem Keramikmaterial AI2O3 eine chemische Verbindung namens Anorthit (CaAl2Si2θg) bilden. Desweiteren ist es charakteristisch für Reaktionssintern, daß das Sinterhilfsmittel bereits bei Temperaturen, die kleiner sind als die Sintertemperatur, fließfähig wird. Dadurch kann das Sinterhilfsmittel während des Sinterns wandern und sich innerhalb des Grundkörpers verteilen. Insbesondere kann das Sinterhilfsmittel von der Schicht mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel zur benachbarten Schicht mit geringerem Anteil an Sinterhilfsmittel wandern.

Es ist desweiteren vorteilhaft, wenn die Schicht mit dem erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel die oberste Schicht des Schichtstapels ist. In diesem Fall kann nämlich die Anbindung der obersten Schicht des Schichtstapeis an die darunterliegenden Schichten verbessert werden, wodurch die Empfindlichkeit des mit dem Verfahren hergestellten Keramiksubstrates gegenüber einer Scherbeanspruchung der Oberfläche des Keramiksubstrats, wie sie beispielsweise beim Auflöten von Bau- elementen auf der Oberfläche des Substrats entstehen, vermindert wird. Das Sinterhilfsmittel beziehungsweise das Keramikmaterial in den Schichten des Schichtstapels kann so gewählt werden, daß zwischen der Schicht mit dem erhöhten Gewichtsanteil an Sinterhilfsmittel und der benachbarten Schicht mit einem gerin- geren Gewichtsanteil an Sinterhilfsmittel während des Sin- terns eine Reaktionsschicht entsteht. Eine solche Reaktionsschicht enthält das Sinterhilfsmittel aus der Schicht mit dem erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel und das Keramikmaterial aus der zu dieser Schicht benachbarten Schicht. Die Reakti- onsschicht entsteht innerhalb der Schicht mit dem geringeren Anteil an Sinterhilfsmittel

Insbesondere kann das Sinterhilfsmittel beziehungsweise der erhöhte Gewichtsanteil an Sinterhilfsmittel so gewählt wer- den, daß eine Reaktionsschicht entsteht, die eine Dicke zwischen 5 und 100 μm aufweist. Eine solche Reaktionsschicht zwischen zwei Schichten des Schichtstapels ist wesentlich dicker als die Dicke der Reaktionsschichten, wie sie bei den bekannten Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten entstehen. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Reaktionsschichten vermitteln deshalb eine wesentlich stärkere Haftung zwischen zwei Keramikschichten.

Es ist darüber hinaus vorteilhaft, wenn bei dem erfindungsge- mäßen Verfahren zur Aktivierung des erhöhten Glasanteils ein modifiziertes Entbinderungs- und Sinterprofil angewendet wird. Bei einem modifizierten Sinterprofil wird bei einer Temperatur oberhalb der Erweichungstemperatur des Sinterhilfsmittels eine zusätzliche Haltezeit eingefügt, die der erhöhten Menge an Sinterhilfsmittel ausreichend Zeit zum diffundieren läßt .

Die Schicht mit dem erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel kann beispielsweise einen Anteil an Sinterhilfsmittel zwischen 60 und 90 Gew.-% enthalten. In einem weiteren Schritt zur Herstellung des Keramiksubstrats kann im Anschluß an das Sintern eine sinterhilfsmit- telhaltige Metallpaste auf der Oberfläche der obersten Schicht des Schichtstapels aufgetragen und eingebrannt wer- den. Das Einbrennen der Metallpaste kann bei Temperaturen oberhalb von 600°C vorgenommen werden. Durch den erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel an der obersten Keramikschicht bildet sich während des Sinterns eine chemische Verbindung zwischen dem Keramikmaterial und dem Sinterhilfsmittel, die von der chemischen Verbindung abweicht, die entsteht, wenn der Keramikanteil und der Glasanteil gewichtsmäßig etwa gleich sind. Diese davon abweichende Verbindung hat die Eigenschaft, daß sie durch den erhöhten Glasanteil weniger spröde ist. Eine solche Verbindung in der obersten Schicht des Schicht- stapeis wird durch aus der Metallpaste in diese oberste

Schicht eindringendes Glas weit weniger geschädigt, als eine Verbindung aus Sinterhilfsmittel und Keramikmaterial, die bei etwa gleichen Gewichtsverhältnissen der beiden Bestandteile gebildet ist. Demnach hat für den Fall von durch Metallpaste auf der Oberfläche des Keramiksubstrats gebildeten Kontakt- flächen das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil, daß diese Kontaktflächen besser auf der obersten Schicht des Keramiksubstrats haften und nicht so leicht bei der Montage von Bauelementen ausgerissen werden können.

Eine solche Metallpaste kann neben Glas noch 70 - 90 Gew.-% Metall sowie geeignete organische Binde- und Lösungsmittel enthalten.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird vor dem Sintern eine Zwangsschicht auf der obersten Schicht des Schichtstapels angeordnet, welche durch Eindringen des Sinterhilfsmittels der obersten Schicht des Schichtstapels in die Zwangsschicht während des Sinterns auf dem Schichtstapel befestigt wird. Nach dem Sintern wird die Zwangsschicht wieder entfernt. Das Entfernen der Zwangs- schicht kann beispielsweise durch Abkratzen oder auch Absput- tern erfolgen.

Das Vorsehen einer Zwangsschicht während des Sinterns des Schichtstapels hat den Vorteil, daß das Schrumpfen des Schichtstapels in lateraler Richtung zu den Schichten, die den Schichtstapel bilden, reduziert werden kann. Die Zwangsschicht sorgt dafür, daß der Schichtstapel in lateraler Richtung nur sehr wenig schrumpft .

Als Zwangsschicht kommt beispielsweise eine starre Zwangsschicht in Form einer gesinterten AI2O3 -Platte oder auch eine flexible Zwangsschicht in Form einer Grünfolie in Betracht, die selbst kein Sinterhilfsmittel enthält und die folglich auch während des Sinterns des Schichtstapels nicht mitsintert. Eine solche flexible Zwangsschicht ist beispielsweise bekannt aus der Druckschrift DE 691 06 830 T2.

Durch einen erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel in der ober- sten Schicht des Schichtstapels kann erreicht werden, daß das

Sinterhilfsmittel in die Zwangsschicht über eine Tiefe > 50 μm eindringt. Die Eindringtiefe des Sinterhilfsmittels in die Zwangsschicht wäre demnach größer als 50 μm. Der schrump- fungshemmende Effekt im Falle der flexiblen Zwangsschicht rührt im wesentlichen davon her, daß eine ungesinterte, dichte Pulverschüttung auf der Oberseite des Schichtstapels aufliegt. Je nach Eindringtiefe des Sinterhilfsmittels in die Zwangsschicht muß also die Zwangsschicht mindestens so dick gemacht werden, daß wenigstens ein Teil der Zwangsschicht (eine Dicke von zirka 100 μm) nicht mit dem Sinterhilfsmittel in Berührung kommt und demnach auch nicht sintert . Nur durch das Nichtsintern von Teilen der Zwangsschicht kann das Schrumpfen des Schichtstapels während des Sinterns vermindert werden .

Die Zwangsschicht kann im Fall einer flexiblen Zwangsschicht beispielsweise eine Dicke > 150 μm aufweisen. Die oberste Schicht des Schichtstapels kann ein Sinterhilfsmittel enthalten, das während des Sinterns fließfähig wird. Dadurch kann während des Sinterns die Befestigung der Zwangs- schicht auf der obersten Schicht erfolgen.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Zwangsschicht Poren aufweisen, in die das Sinterhilfsmittel während des Sinterns eindringt. Da das Sinterhilfsmittel wäh- rend des Sinterns fließfähig wird, kann es in die Poren der Zwangsschicht eindringen. Geeignete Poren der Zwangsschicht hätten eine Ausdehnung von 5 bis 10 μm, wobei eine geeignete Ausdehnung der Poren auch von der Viskosität des Sinterhilfsmittels während des Sinterns abhängt. In einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann als Sinterhil smittel ein Glas verwendet werden, das Siθ2 und Kalzium enthält.

Die chemische Reaktion zwischen dem Sinterhilfsmittel und der Zwangsschicht kann beispielsweise durch Sintern (Reaktions- sintern) erfolgen. Es kann insbesondere eine flexible Zwangs- schicht verwendet werden, wie sie aus der genannten Entgegenhaltung bekannt ist . Eine solche Zwangsschicht wird in Form einer keramischen Grünfolie auf die Oberseite des Schichtstapels aufgetragen, wobei die Grünfolie jedoch von Sinterhilfs- mittel frei ist. Dadurch wird gewährleistet, daß die Zwangsschicht wenigstens teilweise nicht während Sinterns des Schichtstapels mitgesintert wird.

Eine flexible Zwangsschicht kann beispielsweise eine Grünfo- lie sein, die AI2O3-Körner und ein polymeres Bindemittel enthält.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird die Zwangsschicht und das Sinterhilfsmittel so gewählt, daß das Sinterhilfsmittel während des Sinterns mit Bestandteilen der Zwangsschicht chemisch reagiert . Für eine solche chemische Reaktion kann beispielsweise als starre Zwangsschicht eine keramische Platte verwendet werden, die AI2O3 enthält. Als Sinterhilfsmittel in der obersten Schicht des Schichtstapels kann ein Glas verwendet werden, das Siθ2 und Kalzium enthält. Ein solches Glas kann bei einer Temperatur von 900°C mit dem AI2O3 der Zwangsschicht eine chemische Verbindung namens Anorthit (CaAl2Si2θg) bilden. Dadurch entsteht zwischen der obersten Schicht des Schichtstapels und der Zwangsschicht eine Reaktionsschicht, die eine feste Anbindung der Zwangsschicht an die obersten Schicht des Schichtstapels bewerkstelligt.

Insbesondere kann als starre Zwangsschicht eine keramische Platte verwendet werden, die AI2O3 enthält und die frei von Sinterhilfsmitteln ist. Eine solche keramische Platte kann durch Sintern bei Temperaturen von 1500°C hergestellt werden. Diese hohe Sintertemperatur stellt sicher, daß die Zwangsschicht während des Sinterns des Schichtstapels bei Temperaturen > 1000°C keiner Schrumpfung mehr unterliegt.

Daneben ist es vorteilhaft, wenn das Eindringen des Sinterhilfsmittels in Poren der Zwangsschicht und die chemische Reaktion des Sinterhilfsmittels mit Bestandteilen der Zwangsschicht durch entsprechende Materialauswahl miteinander kom- biniert wird. Dadurch wird eine besonders feste Anbindung der

Zwangsschicht an die oberste Schicht des Schichtstapels bewerkstelligt .

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung kann ei- ne starre Zwangsschicht verwendet werden, die eine Dicke zwischen 0,5 mm und 1,5 mm aufweist. Die Zwangsschicht muß dabei eine gewisse Mindestdicke aufweisen, um insbesondere für großflächige Sinterkörper eine ausreichende mechanische Stabilität aufzuweisen. Darüber hinaus darf die Zwangsschicht aber nicht zu dick sein, da ansonsten das Entfernen der Zwangsschicht zu aufwendig wird. Die Zwangsschicht kann beispielsweise Körner aus AI2O3 enthalten, die miteinander versintert sind.

Die Schichten des Schichtstapeis können als keramische Fest- stoff-Komponente Bariumtitanat, Kalziumtitanat, Strontiumti- tanat, Bleititanat, CaZrθ3 , BaZrθ3 , BaSnθ3 , Metallcarbide wie Siliziumcarbid, Metallnitride wie Aluminiumnitrid, Mineralien wie Molit und Kyanit, Zirkoniumdioxid oder auch verschiedene Arten von Siliziumdioxid enthalten. Selbst Gläser mit hohem Erweichungspunkt können als die keramische Komponente verwendet werden, vorausgesetzt, daß sie ausreichend hohe Erweichungspunkte haben. Weiterhin können Mischungen derartiger Materialien für die keramische Feststoff-Komponente der Schichten des Schichtstapels verwendet werden.

Die Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von keramischen Substraten ermöglicht insbesondere die Verwendung von Schichtstapeln, die die Form einer Platte aufweisen, wobei die Platte eine Grundfläche von wenigstens 18 cm x 18 cm und eine Höhe von 0,5 bis 3 mm aufweist. Mittels einer solchen Platte können in einem einzigen Herstellungs- schritt ein großflächiges, oder durch nachfolgendes Zerteilen des großflächigen Substrates, eine Vielzahl von kleinen Substraten hergestellt werden.

Es ist darüber hinaus besonders vorteilhaft, wenn das Sintern des Schichtstapels bei einer Temperatur von weniger als 1000°C erfolgt, da in diesem Fall ein LTCC-Sinterprozeß vorliegt, der die Verwendung von Silber-Verbindungen für Leiter- Strukturen im Innern des Substrats ermöglicht, was zu niedrigeren Verlusten innerhalb des Bauelements führt. Die Verwendung von Silber hat darüber hinaus den Vorteil, daß es im Gegensatz zu den bei höheren Sintertemperaturen erforderlichen Platin leichter und billiger verfügbar ist.

Es ist desweiteren vorteilhaft, wenn zusätzlich zur Oberseite des Schichtstapels auch auf der Unterseite des Schichtstapels eine Zwangsschicht auf der Oberfläche der untersten Schicht des Schichtstapeis angeordnet wird. Dadurch kann das Schrumpfen der Schichten des Schichtstapels von zwei Seiten her vermindert werden, was insgesamt eine noch geringere Schrumpfung zur Folge hat .

Es kommt insbesondere in Betracht, als Stapel einen Schichtstapel zu verwenden, bei dem zwischen zwei Schichten Leiterbahnen angeordnet sind. Diese Leiterbahnen können verwendet werden zur Herstellung einer Verdrahtung zwischen auf der

Oberfläche des Keramiksubstrats angeordneten aktiven Bauelementen und im Innern des Keramiksubstrats angeordneten passiven Bauelementen. Die Leiterbahnen beziehungsweise elektrisch leitenden Flächen zwischen zwei Schichten des Schicht- stapeis können auch dazu verwendet werden, passive Bauelemente, beispielsweise Kondensatoren oder Spulen zu realisieren.

Um die zwischen den Schichten angeordneten Leiterbahnen miteinander zu kontaktieren, ist es vorteilhaft, wenn eine Schicht im Stapel eine Durchführung enthält, die elektrisch leitfähig ist und die auf zwei verschiedenen Seiten der Schicht angeordnete Leiterbahnen miteinander verbindet .

Desweiteren gibt die Erfindung ein Keramiksubstrat an, das einen Stapel aus übereinanderliegenden Schichten enthält. Die übereinanderliegenden Schichten des Schichtstapels enthalten ein Keramikmaterial und sind miteinander versintert. Sie enthalten ferner Reste eines Sinterhilfsmittels, die nicht durch Reaktionssintern in eine andere Verbindung umgeformt worden sind. Eine der Schichten des Schichtstapels enthält einen höheren Anteil an Resten eines Sinterhilfsmittels als die zu dieser Schicht benachbarte Schicht. Ein solches Keramiksubstrat kann durch erfindungsgemäße Verfahren hergestellt werden. Durch den erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel vor dem Sintern erhält die Schicht auch einen erhöhten Restanteil an Sinterhilfsmittel. Der Anteil an unveränderten Resten von Sinterhilfsmittel kann zwischen 5 und 30 Gew.-% betragen. Zwischen der Schicht mit dem erhöhten Anteil an unveränderten Resten von Sinterhilfsmittel und der benachbarten Schicht kann insbesondere eine Reaktionsschicht angeordnet sein, die Sinterhilfsmittel von der Schicht mit dem hohen Anteil an unveränderten Resten eines Sinterhilfsmittel enthält. Daneben enthält die Reaktionsschicht Keramikmaterial und Sinterhilfsmittel von der benachbarten Schicht. Die Reaktionsschicht kann eine Dicke zwischen 10 und 50 μm aufweisen. Damit ist die Reaktionsschicht wesentlich dicker als die Reaktions- schichten, die nach dem bekannten Verfahren hergestellt werden.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei- spielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .

Figur 1 zeigt beispielhaft ein keramisches Substrat während seiner Herstellung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in einem schematischen Querschnitt .

Figur 2 zeigt beispielhaft ein keramisches Substrat, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden ist mit einer Metallpaste auf der Oberfläche .

Figur 3 zeigt beispielhaft ein keramisches Substrat während seiner Herstellung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in einem schematischen Querschnitt.

Figur 4 zeigt ein beispielhaft ein erfindungsgemäßes LTCC- Substrat in einem schematischen Querschnitt, hergestellt mit dem erfindungsgemäßen Verfahren.

Figur 1 zeigt einen Grundkörper 2 mit einem Stapel 2a von übereinanderliegenden Schichten 3. Die Schichten 3 enthalten ein ungesintertes Keramikmaterial. Im allgemeinen enthalten die Schichten 3 des Schichtstapels 2a neben dem Keramikmate- rial und dem Sinterhilfsmittel noch ein Bindemittel, das den Schichten 3, die üblicherweise als Grünfolien vorliegen, die zur Verarbeitung notwendige Geschmeidigkeit verleiht . Das Bindemittel, das beispielsweise ein polymeres Bindemittel sein kann, wird mittels Binderausbrand noch vor dem Sintern des Schichtstapels aus diesem entfernt. Die oberste Schicht 7 des Schichtstapels 2a ist eine Schicht 3a mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel. Das Sinterhilfsmittel aus der Schicht 3a kann, wie durch die Pfeile angedeutet, in die darunterlie- gende Schicht 3 diffundieren und dort eine Reaktionsschicht 9 bilden. Die Dicke d der Reaktionsschicht 9 kann beispielsweise 10 bis 50 μm betragen. Die Dicke d der Reaktionsschicht 9 kann eingestellt werden durch den Überschuß an Sinterhilfs- mittel in der Schicht 3a. Je dicker die Reaktionsschicht 9 ist, um so besser ist die mechanische Anbindung der obersten Schicht 7 des Schichtstapels 2a an die darunterliegende Schicht 3.

Figur 2 zeigt einen Schichtstapel 2a mit übereinanderliegen- den Schichten 3, wobei die oberste Schicht 7 des Schichtstapeis 2a eine Schicht mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel ist. Für die Figuren 1 und 2 gilt, daß der Gewichtsanteil von Sinterhilfsmittel in der Schicht 3a 70 % beträgt. Darüber hinaus enthält die Schicht 3a noch AI2O3 als Keramikmaterial. Auf der Oberfläche 6 der obersten Schicht 7 ist eine Metall- paste 20 aufgetragen, mit deren Hilfe eine Kontaktfläche auf der Oberseite des Schichtstapels 2a realisiert werden soll. Die Metallpaste 20 enthält ein Metallpulver und einen Glasanteil. Der Glasanteil kann dabei dasselbe Sinterhilfsmittel sein, wie es in den Schichten 3 des Schichtstapels 2a verwendet wird und er kann insbesondere auch dasselbe Sinterhilfs- mittel sein, wie es in der Schicht 3a mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel Verwendung findet. Es können aber auch für die einzelnen Schichten 3 des Schichtstapels 2a oder auch nur für die Schicht 3a mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel jeweils ein unterschiedliches Sinterhilfsmittel, beispiels- weise bei verschiedenen Temperaturen schmelzende Gläser, verwendet werden .

Die Metallpaste 20 wird auf der Oberfläche 6 der obersten Schicht 7 eingebrannt. Während des Einbrennens diffundiert ein Teil des Glasanteils der Metallpaste 20, der etwa 2 Gew.- % beträgt, in die oberste Schicht 7 des Schichtstapels (vgl. die Pfeile) . Als Sinterhilfsmittel wird in den Figuren 1 und 2 jeweils Glas mit einem Anteil an Kalzium verwendet. Auf- grund des erhöhten Glasanteils der Schicht 3a des Schichtstapels 2a hat das aus der Metallpaste 20 in die oberste Schicht 7 eindringende Glas nur noch einen sehr geringen Effekt, wodurch nur eine sehr geringe Veränderung der chemischen Zusammensetzung der gesinterten Schicht 3a erfolgt. Daraus resul- tiert eine erhöhte Festigkeit der Anbindung der Metallpaste 20 an die oberste Schicht 7 des Schichtstapels 2a. Dadurch wird die mechanische Festigkeit erhöht und die Gefahr des Ausreißens von Metallflächen auf der Oberseite des Schicht- stapeis während des Anlötens von Bauelementen wird dadurch reduziert.

Figur 3 zeigt einen Grundkörper 2 mit einem Stapel 2a von übereinanderliegenden Schichten 3. Die Schichten 3 enthalten ein ungesintertes Keramikmaterial. Im allgemeinen enthalten die Schichten 3 des Schichtstapels 2a neben dem Keramikmaterial und dem Sinterhilfsmittel 5 noch ein Bindemittel, das den Schichten 3, die üblicherweise als Grünfolien (englisch: Green Tapes) vorliegen, die zur Verarbeitung notwendige Geschmeidigkeit verleiht . Die Oberfläche 13 der untersten Schicht 14 des Stapels 2a liegt direkt auf der zweiten starren Zwangsschicht 12 auf. Auf der Oberfläche 6 der obersten Schicht 7 des Stapels 2a liegt direkt die Zwangsschicht 4 auf. Die oberste Schicht 7 des Stapels ist eine Schicht 3a mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel. Die Zwangsschichten 4, 12 enthalten Körner 8 aus AI2O3 und weisen Poren 21 auf.

Diese Poren 21 bilden Hohlräume, in die das Sinterhilfsmittel 5, das aus der obersten Schicht 7 beziehungsweise aus der un- tersten Schicht 14 des Schichtstapels 2a stammt, eindringen kann. Durch das in die Poren 21 eindringende Sinterhilfsmittel 5 wird eine Haftung der jeweiligen Zwangsschicht 4, 12 an dem Schichtstapel 2a vermittelt. Das Anbringen der Zwangs- schichten 4, 12 an den Schichtstapel 2a kann vor oder auch nach dem Entbindern des Schichtstapels 2a erfolgen. In Richtung der Ausdehnung der Schichten 3 in lateraler Richtung des Stapels 2a kann somit das Schrumpfen während des Sinterns wirksam vermindert werden. Das Festhalten des Schichtstapeis 2a in lateraler Richtung bewirkt, daß das Schrumpfen fast ausschließlich in vertikaler Richtung, also senkrecht zu den Flachseiten der Schichten 3 stattfindet. Dieser sogenannte "Schrumpf in z-Richtung" ist dabei um so stärker.

Das Sinterhilfsmittel 5 dringt dabei über eine Eindringtiefe e in die Zwangsschicht 4 ein. Es muß darauf geachtet werden, daß das Sinterhilfsmittel 5 nicht über die gesamte Dicke D der Zwangsschicht 4 sondern nur über einen Teil derselben eindringt. Im Falle einer flexiblen Zwangsschicht beispiels- weise ist dies besonders wichtig. Die Eindringtiefe e kann dabei jedoch wesentlich größer als 50 μm sein. Entsprechend muß die Dicke D der Zwangsschicht 4 größer sein als die Eindringtiefe e des Sinterhilfsmittels 5 in die Poren 21 der Zwangsschicht 4.

Entsprechend kann auch auf der unteren Oberfläche 13 der untersten Schicht 4 eine flexible Zwangsschicht 12 angeordnet sein. Auch die unterste Schicht 14 des Schichtstapeis 2a kann eine Schicht mit erhöhtem Anteil an Sinterhilfsmittel 5 sein, wobei entsprechend der weiter oben beschriebenen Art und Weise auch hier das Eindringen des Sinterhilfsmittel 5 in die Poren 21 der Zwangsschicht 12 beachtet werden muß.

Figur 4 zeigt ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren fertig hergestelltes keramisches Substrat 1, bei dem die Zwangsschichten bereits entfernt worden sind. Das Substrat 1 ist hergestellt aus einem Stapel 2a von übereinanderliegenden Schichten 3, die ein ungesintertes Keramikmaterial enthalten, wobei das ungesinterte Keramikmaterial durch Sintern in ein gesintertes Keramikmaterial übergeführt worden ist. Auf der Oberseite der obersten Schicht 3a des keramischen Substrats 1 sind Bauelemente 18, 19 angeordnet, wobei das erste Bauelemente 18 durch Drahtbonden und anschließendes Vergießen und das zweite Bauelement 19 durch Flip-Chip-Montage auf der Oberfläche des keramischen Substrats 1 befestigt ist. Die beiden Bauelemente 18, 19 können beispielsweise keramische Mikrowellenfilter sein. Auf der Unterseite des keramischen

Substrats 1 sind Metallisierungen aus Metallpaste 20 angeordnet, an denen das Substrat 1 auf eine Leiterplatte gelötet und mithin mit weiteren elektronischen Bauelementen elektrisch in Kontakt gebracht werden kann. Auch auf der Obersei- te des Substrats 1 sind Metallisierungen aus Metallpaste 20 angeordnet, auf denen die Bauelemente 18, 19 befestigt werden können. Das Substrat 1 weist eine Höhe H von 1 mm auf.

Die Zahl der Schichten 3 beträgt sechs .

Im Innern des Substrats 1 befinden sich Verdrahtungsebenen, die durch Leiterbahnen 10 realisiert werden. Dabei befindet sich eine Verdrahtungsebene immer an der Grenzfläche zwischen zwei Schichten 3. Die Leiterbahnen 10 können beispielsweise durch eine silberhaltige Siebdruckpaste gebildet werden. Darüber hinaus weist eine Schicht 3 auch Durchführungen 11 auf, die auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Schicht 3 liegende Leiterbahnen 10 miteinander kontaktiert. In den Durchführungen 11 sind elektrisch leitende Materialien angeordnet, die vorteilhafterweise die Durchführungen 11 auffüllen.

Im oberen Bereich des Substrats 1 sind zwei der Schichten 3 als Schichten 15 mit hohem e ausgebildet. Ein solches e kann beispielsweise e = 20 sein. Durch entsprechend ausgebildete Leiterbahnen 10 beziehungsweise elektrisch leitende Flächen 24 in den Verdrahtungsebenen können passive Komponenten wie Kondensatoren 17 in das Substrat 1 integriert sein. Gemäß Fi- gur 4 sind elektrisch leitende Flächen 24 an den Grenzschichten zwischen zwei Schichten 3 so angeordnet und durch Durchführungen 11 miteinander verbunden, daß ineinandergreifende Kammstrukturen, wie sie aus Vielschichtkondensatoren bekannt sind, entstehen. Durch das Aufdrucken einer Widerstandspaste 25 vor dem Verstapeln der Schichten 3 an der Grenzflächen zwischen den Schichten 3 können auch integrierte Widerstände als Passivkomponenten im Substrat 1 hergestellt werden. Durch Ausbilden von Leiterbahnen 10 in Form von spiralförmigen Bah- nen und durch Aneinanderreihen von übereinander gestapelten spiralförmigen Bahnen können auch integrierte Spulen 16 in dem Substrat 1 hergestellt werden.

Die dargestellte Erfindung wird vorzugsweise für Stapel 2a verwendet, die aus im wesentlichen entlang von Ebenen verlaufenden Schichten 3 hergestellt sind. Es ist jedoch auch denkbar, die Erfindung auf gekrümmte Substrate anzuwenden, wobei die Schichten 3 dann nicht entlang einer Ebene sondern entlang von gekrümmten Kurven verlaufen.

Claims

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats (1) mit folgenden Schritten:

a) Bereitstellen eines Grundkörpers (2) mit einem Stapel (2a) von übereinanderliegenden Schichten (3) , die ein ungesintertes Keramikmaterial und ein Sinterhilfsmittel (5) enthalten, wobei eine der Schichten (3a) einen gegenüber ei- ner benachbarten Schicht (3) erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel (5) enthält b) Sintern des Schichtstapels (2a) .

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Sinterhilfsmittel (5) nach dem Sintern in einer anderen chemischen Zusammensetzung vorliegt als vor dem Sintern.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2 , wobei die oberste Schicht (7) des Schichtstapels (2a) einen gegenüber einer benachbarten Schicht (3) erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel (5) enthält.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei zwischen der Schicht (3a) mit dem erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel (5) und der benachbarten Schicht (3) während des Sinterns eine Reaktionsschicht (9) entsteht.

5. Verfahren nach Anspruch 4 , wobei die Dicke d der Reaktionsschicht (9) zwischen 5 und 100 μm beträgt .

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei zur Aktivierung des erhöhten Glasanteils ein Entbinde- rungs- und Sinterprofil angewandt wird, das oberhalb der Erweichungstemperatur des Glasanteils eine Haltezeit aufweist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Anteil an Sinterhilfsmittel (5) in der Schicht (3a) mit dem erhöhten Anteil an Sinterhilfsmittel (5) zwischen 60 und 90 Gew.-% beträgt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei im Anschluß an das Sintern eine sinterhilfsmittelhalti- ge Metallpaste (20) auf der Oberfläche (6) der obersten Schicht (7) des Stapels (2a) aufgetragen und eingebrannt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei vor dem Sintern eine Zwangsschicht (4) auf der obersten Schicht (7) des Schichtstapels (2a) angeordnet wird, die durch Eindringen des Sinterhilfsmittels (5) der obersten

Schicht (7) in die Zwangsschicht (4) während des Sinterns auf dem Schichtstapel (2a) befestigt wird und die nach dem Sintern wieder entfernt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Eindringtiefe (e) des Sinterhilfsmittels (5) in die Zwangsschicht (4) > 50 μm ist.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei die Zwangsschicht (4) eine Dicke (D) aufweist, die um mindestens 100 μm größer ist als die Eindringtiefe (e) .

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Sinterhilfsmittel (5) Glas enthält.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei zur Bildung des Stapels (2a) Schichten (3, 3a) verwendet werden, die als Keramikmaterial AI2O3 und als Sinterhilfsmittel (5) Glas enthalten.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, der die Form einer Platte aufweist, wobei die Platte eine Grundfläche von wenigstens 18 cm x 18 cm und eine Höhe (H) von 0,5 bis 3 mm aufweist .

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, bei dem zwischen zwei

Schichten (3) Leiterbahnen (10) angeordnet sind.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei eine zweite Zwangsschicht (12) auf der Oberfläche (13) der untersten Schicht (14) des Stapels (2a) angeordnet wird.

17. Keramisches Substrat aus einem Stapel (2a) von übereinan- derliegenden Schichten (3, 3a), die ein Keramikmaterial enthalten und miteinander versintert sind und die unveränderte Reste eines Sinterhilfsmittels (5) enthalten, bei dem eine Schicht (3a) einen höheren Anteil an unverändertem Sinterhilfsmittel (5) enthält als die benachbarte Schicht (3) .

18. Keramisches Substrat nach Anspruch 17, bei dem der höhere Anteil an unverändertem Sinterhilfsmittel (5) 5 bis 30 Gew.-% beträgt.

19. Keramisches Substrat nach einem der Ansprüche 17 oder 18, bei dem die oberste Schicht (7) des Schichtstapels (2a) einen höheren Anteil an unverändertem Sinterhilfsmittel (5) enthält als die benachbarte Schicht (3) .

20. Keramisches Substrat nach einem der Ansprüche 17 bis 20, bei dem zwischen der Schicht (3a) mit dem erhöhten Anteil an unveränderten Sinterhilfsmittel (5) und der zu dieser Schicht (3a) benachbarten Schicht (3) eine Reaktionsschicht (9) angeordnet ist, die Sinterhilfsmittel (5) aus der Schicht (3a) und Keramikmaterial aus der dazu benachbarten Schicht (3) enthält und die eine Dicke (d) von 10 bis 50 μm aufweist.

21. Keramisches Substrat nach Anspruch 19 oder 20, bei dem auf der obersten Schicht (7) des Stapels (2a) eine Metallpaste (20) eingebrannt ist.

22. Keramisches Substrat nach einem der Ansprüche 17 bis 21, bei dem zwischen zwei Schichten (3) des Stapels (2a) Leiterbahnen (10) angeordnet sind.

23. Keramisches Substrat nach Anspruch 22, bei dem eine Schicht (3) eine elektrisch leitfähige Durchführung (11) enthält, die zwei auf verschiedenen Seiten der Schicht (3) angeordnete Leiterbahnen (10) miteinander verbindet.