WO2005085334A1

WO2005085334A1 - 高分子複合成形体、該成形体を用いたプリント配線基板及びそれらの製造方法

Info

Publication number: WO2005085334A1
Application number: PCT/JP2005/002643
Authority: WO
Inventors: Masayuki Tobita; Toru Kimura; Hisashi Aoki; Naoyuki Shimoyama; Tsukasa Ishigaki; Mitsukazu Ochi; Miyuki Harada
Original assignee: Polymatech Co Ltd
Current assignee: Polymatech Co Ltd
Priority date: 2004-03-09
Filing date: 2005-02-18
Publication date: 2005-09-15
Anticipated expiration: 2006-09-09
Also published as: EP1734068A1; JPWO2005085334A1; EP1734068A4; CN1906234A; CN100439428C; US20070116938A1; JP4771939B2

Abstract

　エポキシ樹脂または熱可塑性高分子と、繊維とから形成されるエポキシ樹脂複合成形体または熱可塑性高分子複合成形体。該成形体中において、前記繊維が第１の平面に沿って配置されており、前記エポキシ樹脂または熱可塑性高分子の分子鎖は第１の平面に交わる方向に配向されている。前記エポキシ樹脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向度αが、０．５以上１．０未満の範囲である。第１の平面に沿った方向および第１の平面に交わる方向における該成形体の熱膨張係数は、いずれも５×１０−６～５０×１０−６（／Ｋ）であり、かつ第１の平面に沿った方向における熱膨張係数と第１の平面に交わる方向における熱膨張係数との差が３０×１０−６（／Ｋ）以下である。

Description

明細書

高分子複合成形体、該成形体を用いたプリント配線基板及びそれらの製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、概して、熱膨張係数が、その表面に沿う方向およびそれに交わる方向の双方において等方的に、小さくなるように制御された高分子複合成形体および該成形体を用いたプリント配線基板に関する。より詳細には、本発明は、熱膨張係数が、その表面に沿う方向およびそれに交わる方向の双方において等方的に、小さくなるように制御されたエポキシ榭脂複合成形体および熱可塑性高分子複合成形体に関する。また、そのようなエポキシ榭脂複合成形体および熱可塑性高分子複合成形体を用いて作製したプリント配線基板に関する。

背景技術

[0002] 従来、マトリックスとしての高分子材料に、ガラス繊維、炭素繊維、金属繊維、ァラミド繊維、ポリベンザゾール繊維などの機能性繊維が配合されて複合化された高分子複合材料成形体が広く知られてヽる。

[0003] 一方、プリント配線基板やその基板上に実装される半導体パッケージなどの電子部品等の絶縁材料としては、エポキシ榭脂ゃ熱可塑性榭脂などカゝらなる高分子組成物が汎用されている。それらのプリント配線基板および電子部品には、エポキシ榭脂ゃ熱可塑性高分子のような高分子材料の他に、金属、セラミックス等の様々な異種材料が使用されている。そのため、これらの異種材料が接合或いは隣接して配置された基板または電子部品においては、周囲の環境温度が変化すると、それらの異種材料の熱膨張係数の差によって、基板または電子部品自身あるいはそれらの界面に熱応力が発生する。特に、基板を形成するエポキシ榭脂ゃ熱可塑性高分子などの高分子材料 (室温における一般的な熱膨張係数： > 5 X 10— ⁵ (/K) )と配線材料に用いられる銅 (室温における熱膨張係数： 1. 65 X 10— ⁵ (ZK) )等の金属とでは、熱膨張係数の差が大きい。そのため、エポキシ榭脂などの高分子材料および金属で構成される基板や電子部品では、発生する熱応力によって亀裂が生じたり、エポキシ榭脂などの高分子材料部分と金属部分との界面の剥離や配線の断線、ショート等のトラブルが起こって問題になっている。

[0004] 上記のような問題に対処するため、プリント配線基板として、一般に、ガラスクロスなどの基材にエポキシ榭脂ゃ熱可塑性高分子などを含む高分子組成物を含浸させて乾燥したプリプレダと、銅箔とを加熱加圧して一体成形することによって形成される、銅張積層板が用いられている。さらに、特許文献 1一 3には、基板材料自体の熱膨張を低減するために、より低い熱膨張係数を有するエポキシ榭脂組成物が開示されている。特許文献 4および 5には、特殊な基材、補強相を導入した基板が開示されている。また、特許文献 6には、フレキシブルプリント配線基板などの基板材料として、低熱膨張性であり、かつ平面内にてランダムに配向した等方性の液晶性高分子を用いることによって、基板面内の熱膨張係数の異方性を低減させた液晶性高分子積層体が開示されている。その他にも、シリカなどの低膨張性の充填剤を配合した基板も提案されている。

[0005] 近年のプリント配線基板の多層化、複雑ィ匕にともな、、スルーホール信頼性確保などの目的で、特にプリント基板材料の厚み方向における熱膨張を抑えることが重要となってきている。し力しながら、上記のようなガラスクロス含浸エポキシプリント配線基板、特殊な基材、および補強相を導入したエポキシプリント配線基板では、表面に沿う方向の熱膨張を低下させることは可能であるが、厚み方向における熱膨張は逆に増大する。

[0006] また、より低、熱膨張係数を有するエポキシ榭脂組成物を用いたエポキシプリント配線基板や、シリカなどの低膨張性の充填剤を配合したエポキシプリント配線基板は、基板の熱膨張を等方的にある程度低下させることが可能であるが、十分ではない。例えば、特許文献 7には、液晶性高分子と他の熱可塑性高分子とをブレンドした組成物を用いることで厚み方向の熱膨張係数を低減させたフィルムが開示されている。

[0007] また、液晶性エポキシ榭脂に磁場を印加することにより、該榭脂の分子鎖を一定方向に配向させたエポキシ成形体では、その配向方向における熱膨張を低下させることは可能であるが、それ以外の方向における熱膨張が増大する。

[0008] したがって、表面に沿う方向およびそれに直交する方向の双方において、等方的に熱膨張が低減されたエポキシ榭脂成形体などの高分子成形体が強く望まれている本発明は、上記のような問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、熱膨張が、その表面に沿う方向およびそれに交わる方向の双方において等方的に低減されたエポキシ榭脂複合成形体などの高分子複合成形体および該成形体によって形成されたプリント配線基板を提供することにある。また、本発明の別の目的は、そのようなエポキシ榭脂複合成形体などの高分子複合成形体および該成形体によって形成されたプリント配線基板を製造する方法を提供することにある。

特許文献 1：特開 2002-53646号公報

特許文献 2 :特開 2001— 288251号公報、

特許文献 3：特開平 10- 145020号公報

特許文献 4：特開平 11 147960号公報

特許文献 5：特開平 8-255959号公報

特許文献 6：特開平 10-034742号公報

特許文献 7：特開 2004-175995号公報

発明の開示

上記問題点を解決するために、本発明の第一の態様によれば、エポキシ榭脂と、繊維とから形成されるエポキシ榭脂複合成形体が提供される。該成形体中にお!ヽて、前記繊維が第 1の平面に沿って配置されており、前記エポキシ榭脂の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されており、 X線回折測定から下記式（1)によって求められる前記エポキシ榭脂の分子鎖の配向度 α力 0. 5以上 1. 0未満の範囲であり、配向度 α = (180— Δ )Ζΐ80· · · (1)

上記式中、 Δ βは X線回折測定によるピーク散乱角を固定して、方位角方向の 0— 3 60度までの強度分布における半値幅を表しており、第 1の平面に沿つた方向および第 1の平面に交わる方向における該成形体の熱膨張係数が、いずれも 5 X 10— ⁶— 5 0 Χ 10— ⁶(Ζκ)であり、かつ第 1の平面に沿った方向における熱膨張係数と第 1の平面に交わる方向における熱膨張係数との差が 30 X 10— ⁶ (ΖΚ)以下である。この場合、熱膨張係数を等方的に小さく制御することにより、熱膨張に伴うクラック発生などの不具合を低減することができる。

[0010] 前記エポキシ榭脂が、分子内にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂であることが望ましい。

前記繊維が、繊維クロスおよび単繊維群の少なくともヽずれか一方からなることが望ましい。

[0011] また、前記繊維は、ガラス繊維、セラミックス繊維、炭素繊維、金属繊維、有機繊維力も選択される少なくとも 1種であることが望ましい。

別の態様によれば、エポキシ榭脂複合成形体の表面および内部の少なくとも!/、ずれかに導電層を設けることによって形成されるプリント配線基板も提供される。この場合、熱膨張係数が等方的に小さく制御されたエポキシ榭脂複合成形体を用いてプリント配線基板を形成することにより、導電層と基板の界面での熱膨張に伴うクラック発生などの問題を低減し、スルーホール信頼性を向上することができる。

[0012] さらに別の態様によれば、エポキシ榭脂複合成形体を製造する方法が提供される。

該方法は、繊維を第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記金型のキヤビティ内にエポキシ榭脂組成物を注入して、前記繊維にエポキシ榭脂組成物を含浸させる工程と、前記エポキシ榭脂の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させる工程とを含む。この方法によれば、熱膨張係数が等方的に小さく制御されたェポキシ榭脂複合成形体を容易に得ることができる。

[0013] 前記エポキシ榭脂の分子鎖を配向させる工程において、エポキシ榭脂の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることが好ましい。

また、別の態様によれば、プリント配線基板を製造する方法が提供される。該方法は、繊維を第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記金型のキヤビティ内にエポキシ榭脂組成物を注入して、前記繊維にエポキシ榭脂組成物を含浸させる工程と、前記エポキシ榭脂の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させる工程とを含み、さらに、前記配置する工程の前、含浸させる工程の後、および硬化させるェ程の後の少なくとも何れかにおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくともいずれかに導電層を形成する工程を含む。この方法によれば、熱膨張係数が等方的に小さく制御されたプリント配線基板を容易に得ることができる。

[0014] 前記配向させる工程において、エポキシ榭脂の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることが好ましい。

さらに別の態様によれば、前記エポキシ榭脂複合成形体を製造する別の方法が提供される。該方法は、前記繊維を含むエポキシ榭脂組成物を調製する工程と、前記エポキシ榭脂組成物を、前記繊維の長軸が第 1の平面に沿うように、金型のキヤビティ内に注入する工程と、前記エポキシ榭脂の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させるェ程とを含む。この方法によれば、熱膨張係数が等方的に小さく制御されたエポキシ榭脂複合成形体を容易に得ることができる。

[0015] また、別の態様によれば、熱可塑性高分子と、繊維とから形成される熱可塑性高分子複合成形体が提供される。該成形体中において、前記繊維が第 1の平面に沿って配置されており、前記熱可塑性高分子の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されており、

X線回折測定力下記式（1)によって求められる前記熱可塑性高分子の分子鎖の配向度 α力 0. 5以上 1. 0未満の範囲であり、

配向度 α = (180— Δ )Ζΐ80· · · (1)

上記式中、 Δ βは X線回折測定によるピーク散乱角を固定して、方位角方向の 0— 3 60度までの強度分布における半値幅を表しており、

第 1の平面に沿った方向および第 1の平面に交わる方向における該成形体の熱膨張係数が、いずれも 5 X 10— ⁶— 50 X 10— ⁶ (ΖΚ)であり、かつ第 1の平面に沿った方向における熱膨張係数と第 1の平面に交わる方向における熱膨張係数との差が 30 X 10— ⁶ (ΖΚ)以下である。この場合、熱膨張係数を等方的に小さく制御することにより、熱膨張に伴うクラック発生などの不具合を低減することができる。

[0016] 前記熱可塑性高分子は、分子内にメソゲン基を有する液晶性高分子であることが好ましい。

前記液晶性高分子は、好ましくは、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミドおよび芳香族ポリエステルアミド力選ばれる少なくとも一種である。

[0017] 前記繊維が、繊維クロスおよび単繊維群の少なくとも何れか一方力もなることが好ましい。

前記繊維は、ガラス繊維、セラミックス繊維、炭素繊維、金属繊維、有機繊維から選択される少なくとも 1種であることが好ましい。

[0018] また、別の態様によれば、前記熱可塑性高分子複合成形体の表面および内部の少なくともいずれかに導電層を設けることによって形成されるプリント配線基板が提供される。この場合、熱膨張係数が等方的に小さく制御された熱可塑性高分子複合成形体を用ヽてプリント配線基板を形成することにより、導電層と基板の界面での熱膨張に伴うクラック発生などの問題を低減し、スルーホール信頼性を向上することができる。

[0019] さらに、別の態様によれば、前記熱可塑性高分子複合成形体を製造する方法が提供される。該方法は、前記繊維を第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記金型のキヤビティ内に熱可塑性高分子組成物を注入して、前記繊維に熱可塑性高分子組成物を含浸させる工程と、前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含む。

[0020] 別の態様によれば、熱可塑性高分子複合成形体を製造する別の方法が提供される。該方法は、前記熱可塑性高分子を含む熱可塑性高分子組成物の予備成形体を形成する工程と、前記予備成形体および繊維を、第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記予備成形体を溶融させることにより、前記繊維に前記熱可塑性高分子組成物を含浸させる工程と、前記熱可塑性高分子の分子鎖を第

1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含む。

[0021] 別の態様によれば、熱可塑性高分子複合成形体を製造するさらに別の方法が提供される。該方法は、前記熱可塑性高分子および繊維を含む熱可塑性高分子組成物を調製する工程と、前記熱可塑性高分子組成物を、前記繊維の長軸が第 1の平面に沿うように、前記金型のキヤビティ内に注入する工程と、前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま

、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含む。これらの方法によれば、熱膨張係数が等方的に小さく制御された熱可塑性高分子複合成形体を容易に得ることができる。

[0022] 前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程において、熱可塑性高分子の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることが好ましい。

また、別の態様によれば、プリント配線基板を製造する方法も提供される。該方法は、繊維を第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、金型のキヤビティ内に熱可塑性高分子組成物を注入して、前記繊維に熱可塑性高分子組成物を含浸させる工程と、熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含み、さらに、前記配置する工程の前、配置する工程の後、および固化させるェ程の後の少なくとも何れかにおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくとも!/ヽずれかに導電層を形成する工程を含む。

[0023] さらに別の態様によれば、プリント配線基板を製造する別の方法が提供される。該方法は、前記熱可塑性高分子を含む熱可塑性高分子組成物の予備成形体を形成する工程と、前記予備成形体および繊維を、第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記予備成形体を溶融させることにより、前記繊維に前記熱可塑性高分子組成物を含浸させる工程と、前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含み、さらに、前記配置する工程の前、配置するェ程の後、および固化させる工程の後の少なくとも何れかにおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくともいずれか〖こ導電層を形成する工程を含む。

[0024] さらに別の態様によれば、プリント配線基板を製造するさらに別の方法が提供される。該方法は、前記熱可塑性高分子および繊維を含む熱可塑性高分子組成物を調製する工程と、前記熱可塑性高分子組成物を、前記繊維の長軸が第 1の平面に沿うように、前記金型のキヤビティ内に注入する工程と、前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含み、さらに、前記注入する工程の前、同工程の後、および固化させる工程の後の少なくとも何れか〖こおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくともいずれか〖こ導電層を形成する工程を含む。これらの方法によれば、熱膨張係数が等方的に小さく制御されたプリント配線基板を容易に得ることができる。

[0025] 前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程において、熱可塑性高分子の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれること力好ましい。

[0026] また、別の態様によれば、高分子と、繊維とから形成される高分子複合成形体が提供される。該成形体中において、前記繊維が第 1の平面に沿って配置されており、前記高分子の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されており、

X線回折測定から下記式（1)によって求められる前記高分子の分子鎖の配向度 ex 力 0. 5以上 1. 0未満の範囲であり、

配向度 α = (180— Δ ) Ζΐ80· · · (1)

図面の簡単な説明

[0027] [図 1]第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体及び第 3実施形態の熱可塑性高分子複合成形体を示す斜視図である。

[図 2]第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体を示す断面図である。

[図 3]第 2実施形態のプリント配線基板を示す断面図である。

[図 4]エポキシ榭脂複合成形体のエポキシ榭脂組成物成分のデバイ環の半径方向における X線回折強度分布を示す X線回折パターンである。

[図 5]エポキシ榭脂複合成形体のエポキシ榭脂組成物成分の方位角方向の強度分布を示すグラフである。

[図 6]第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体の製造方法を示す概略図である。

[図 7]第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体の製造方法を示す概略図である。

[図 8]第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体の製造方法を示す概略図である。

[図 9]第 2実施形態のプリント配線基板の製造方法を示す概略図である。

[図 10]第 2実施形態のプリント配線基板の製造方法を示す概略図である。

[図 11]第 3実施形態の熱可塑性高分子複合成形体を示す断面図である。

[図 12]第 4実施形態のプリント配線基板を示す断面図である。

[図 13]第 3実施形態の熱可塑性高分子複合成形体の製造方法を示す概略図である

[図 14]第 3実施形態の熱可塑性高分子複合成形体の製造方法を示す概略図である

発明を実施するための最良の形態

[0028] 以下、本発明を実施する最良の形態について詳細に説明する。

本発明は、高分子と繊維とから形成される高分子複合成形体を提供する。この高分子複合成形体は、該成形体中において、前記繊維は第 1の平面に沿って配置されており、前記高分子の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されていることにより、それらの方向において熱膨張係数が低減されている。

[0029] (第 1実施形態）

本発明の第 1実施形態であるエポキシ榭脂複合成形体 1を図 1および図 2に従って説明する。エポキシ榭脂複合成形体 1は、板状の形状を有し、エポキシ榭脂組成物 1 6と複数枚の繊維クロス 15とから形成されて、る。エポキシ榭脂複合成形体 1中において、各繊維クロス 15は、多数の単繊維カゝら構成された布であり、第 1の平面、すなわち、本実施形態では成形体 1の表面と平行になるように、エポキシ榭脂組成物 16 中に配置されている。エポキシ榭脂複合成形体 1において、エポキシ榭脂組成物 16 中のエポキシ榭脂の分子鎖は、第 1の平面に直交する方向、すなわち、本実施形態においては、成形体の厚み方向（図 1の Z方向）に配向されている。つまり、エポキシ榭脂の分子鎖は繊維クロス 15と直交するように配置されて、る。

[0030] 本実施形態において、繊維クロス 15にカ卩えて、あるいはその代わりに単繊維群を用いることも可能である。

その場合には、例えば、単繊維はその繊維軸がエポキシ榭脂複合成形体 1の表面と平行になり（例えば、図 1の X方向および Y方向）、かつ、好ましくは、繊維軸が向かう方向はランダムとなるように配向され、エポキシ榭脂の分子鎖は成形体 1の厚み方向（図 1の Z方向）に配向される。

[0031] (第 2実施形態）

本発明の第 2の実施形態のエポキシ榭脂複合成形体 1を用いて具体ィ匕したプリント配線基板 2を図 3に従って説明する。プリント配線基板 2は、第 1実施形態と同様に形成されたエポキシ榭脂複合成形体 1と、該成形体 1を挟むように上下両面に形成された導電層 14a, 14bとを備える。エポキシ榭脂複合成形体 1中において、繊維クロス 1 5は、基板 2の表面と平行になるように配置されている。エポキシ榭脂複合成形体 1において、エポキシ榭脂の分子鎖は、基板 2の表面と直交する方向、すなわち、基板 2 の厚み方向に配向されて、る。

[0032] 本実施形態においても、繊維クロス 15にカ卩えて、あるいはその代わりに単繊維群を用いることも可能である。その場合、第 1実施形態の場合と同様に、単繊維はその繊維軸がエポキシ榭脂複合成形体 1の表面と平行になり（例えば、図 1の X方向および Y方向）、かつ、好ましくは、繊維軸が向力う方向はランダムとなるように配向され、ェポキシ榭脂の分子鎖は成形体 1の厚み方向（図 1の Z方向）に配向される。

[0033] (第 3実施形態）

本発明の第 3実施形態である熱可塑性高分子複合成形体 10を図 1および図 11に従って説明する。熱可塑性高分子複合成形体 10は、板状の形状を有し、熱可塑性高分子組成物 160と複数枚の繊維クロス 15とから形成されている。熱可塑性高分子複合成形体 10中において、各繊維クロス 15は、多数の単繊維カゝら構成された布であり、第 1の平面、すなわち、本実施形態では成形体 10の表面と平行になるように、熱可塑性高分子組成物 160中に配置されている。熱可塑性高分子複合成形体 10 において、熱可塑性高分子組成物 160中の熱可塑性高分子の分子鎖は、第 1の平面に直交する方向、すなわち、本実施形態においては、成形体の厚み方向（図 1の Z 方向）に配向されている。つまり、熱可塑性高分子の分子鎖は繊維クロス 15と直交するように配置されている。

[0034] 本実施形態において、繊維クロス 15にカ卩えて、あるいはその代わりに単繊維群を用いることも可能である。

その場合には、例えば、単繊維は、その繊維軸が熱可塑性高分子複合成形体 10 の表面と平行に配置され、かつ、好ましくは、繊維軸が向力う方向はランダムとなるように配向され、熱可塑性高分子の分子鎖は成形体 10の厚み方向（図 1の Z方向）に配向される。

[0035] (第 4実施形態）

本発明の第 4の実施形態の熱可塑性高分子複合成形体 10を用いて具体化したプリント配線基板 20を図 12に従って説明する。プリント配線基板 20は、第 1実施形態と同様に形成された熱可塑性高分子複合成形体 10と、該成形体 10を挟むようにその成形体 10の上下両面に形成された導電層 14a, 14bとを備える。熱可塑性高分子複合成形体 10中において、繊維クロス 15は、基板 20の表面と平行になるように配置されている。熱可塑性高分子複合成形体 10において、熱可塑性高分子の分子鎖は、基板 20の表面と直交する方向、すなわち、基板 20の厚み方向に配向されている。

[0036] 本実施形態においても、繊維クロス 15にカ卩えて、あるいはその代わりに単繊維群を用いることも可能である。その場合、第 3実施形態の場合と同様に、単繊維はその繊維軸が熱可塑性高分子複合成形体 10の表面と平行に配置され、かつ、好ましくは、繊維軸が向力う方向はランダムとなるように配向され、熱可塑性高分子の分子鎖は成形体 10の厚み方向（図 1の Z方向）に配向される。

[0037] また、第 2および第 4実施形態においては、プリント配線基板の要求特性として、絶縁体部が電気的に高絶縁性であることが挙げられるため、前記エポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10内に配置された繊維クロス及び単繊維群も絶縁性であることが好ましい。導電層 14a, 14bとしては、金属箔、金属鍍金層、導電性ペースト層など、電気回路を形成可能なものが使用できる。 [0038] 第 1一第 4実施形態のエポキシ榭脂複合成形体 1または熱可塑性高分子複合成形体 10において、 X線回折測定から下記式（1)によって求められる前記エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向度 αは、 0. 5以上 1. 0未満の範囲である。

[0039] 配向度 ο; = (180— Δ ) Ζΐ80· · · (1)

(ただし、 Δ βは X線回折測定によるピーク散乱角を固定して、方位角方向の 0— 36 0度までの強度分布における半値幅を表す。 )

配向度 αを求めるには、エポキシ榭脂複合成形体 1または熱可塑性高分子複合成形体 10について広角 X線回折測定 (透過）を行う。 X線回折装置において、試料に X 線を照射すると、該試料中に含まれる粒子 (分子鎖）に配向がある場合には同心弧状の回折パターン (デバイ環）が得られる。まず、成形体試料について、このデバィ環の中心から半径方向における X線回折強度分布を示す回折パターンを得る（図 4参照)。この回折パターンにおいて、横軸は X線の回折角度 Θの 2倍の角度 2 Θを示し、 2 Θ = 20度の位置に確認されるピークは、硬化したエポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖間の距離を表すものと考えられてヽる。

[0040] エポキシ榭脂または熱可塑性榭脂のこの回折ピークの角度 (ピーク散乱角）は、ェポキシ榭脂または熱可塑性榭脂の構造の違いやエポキシ榭脂組成物または熱可塑性高分子組成物の配合の違いによって、約 15— 30度の範囲となる場合もある力概ね 20度前後に現れる。この回折ピークが得られた角度 (ピーク散乱角）を固定して、方位角方向（デバイ環の周方向）に 0° — 360° までの X線回折強度分布を測定することにより、図 5に示すようなピーク散乱角における方位角方向の X線回折強度分布が得られる。この強度分布におけるピークが急峻であるほど、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖が一定方向に高度に配向されていることを示している。従つて、この方位角方向の強度分布において、ピーク高さの半分の位置における幅（半値幅 Δ β )を求め、この半値幅 Δ βを上記式（1)に代入することによって、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向度 ocを算出することができる。図 5に示す方位角方向の強度分布の場合、配向度 αは 0. 72である。

[0041] 配向度 aの値は、熱膨張係数をどの程度低下させる必要があるかによる力本発明に期待される効果をより高く得るには、配向度 αの範囲は、 0. 5以上 1. 0未満、好ましくは 0. 55以上 1. 0未満、さらに好ましくは 0. 6以上 1. 0未満、より好ましくは 0. 7以上 1. 0未満である。エポキシ榭脂複合成形体および熱可塑性高分子複合成形体において、エポキシ榭脂および熱可塑性高分子の分子鎖の配向度 (Xがこのような範囲にあると、その配向方向における該成形体の熱膨張係数を有意に低下させることがでさる。

[0042] 本発明のエポキシ榭脂複合成形体および熱可塑性高分子複合成形体において、この配向度 αが 0. 5未満であると、成形体の熱膨張係数が低下せず、十分な効果が得られない。一方、配向度 αは、半値幅 Δ βが常に正の値を示すため、上記（1)式力も 1. 0以上の値はとり得ない。

[0043] 前記エポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10において、第 1の平面、すなわち本実施形態においては、該成形体 1, 10の表面に平行な方向、およびそれに直交する方向における熱膨張係数は、いずれも 5 X 10— ⁶— 50 X 10— ⁶ (Ζκ)、より好ましくは、 10 X 10— ⁶— 40 X 10— ⁶ (Ζκ)であり、かつ第 1の平面に沿つた方向における熱膨張係数とそれに直交する方向における熱膨張係数との差は、 3

0 X 10— ⁶ (Ζκ)以下である。

[0044] 上記実施形態にお!、ては、エポキシ榭脂複合成形体 1または熱可塑性高分子複合成形体 10中、繊維クロス 15 (または単繊維群)を成形体の表面 (第 1の平面）と平行になるように配置し、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖をその表面に直交する方向、すなわち、成形体の厚み方向に配向させている。このように、ェポキシ榭脂複合成形体 1または熱可塑性高分子複合成形体 10のマトリックスであるェポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖を繊維クロス 15 (または単繊維群）と交わる方向に配向させることにより、繊維クロス 15 (または単繊維群）が拡がる方向（表面に沿う方向）と、それと交わってエポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖が延びる方向（厚み方向）の双方において、熱膨張を低減することが可能となる。また、ェポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖は、繊維クロスの繊維や繊維間の空隙と比較すると非常に小さいため、その配向が繊維クロス 15 (または単繊維群）によって阻害され難い。したがって、成形体内に繊維クロス 15 (または単繊維群)を高密度に含有させることができる。 [0045] このエポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10は、各種複合材料、プリント配線基板、半導体パッケージ、筐体等の絶縁材に適用することができる。それにより、各種電子部品において、エポキシ榭脂および熱可塑性高分子材料と他の材料との熱膨張の差に起因するクラックの発生、界面剥離、配線の断線、ショートなどの問題及びそれに伴う特性低下を低減することができる。

[0046] さらに、第 2および第 4実施形態におけるプリント配線基板 2, 20は、本発明のェポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10をそれぞれ絶縁体とし、導電層 14a, 14bをその絶縁体の両面に形成してなることを特徴とする。このようなプリント配線基板 2, 20は、導電層 14a, 14bと絶縁体 (エポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10)との熱膨張の差に起因するクラックの発生、界面剥離、配線の断線、ショートなどの問題及びそれに伴う特性低下を低減し、スルーホール安定性を向上させることができるものである。

[0047] 以下、本発明のエポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10 の各構成要素につ、て詳述する。

<エポキシ榭月旨 >

エポキシ榭脂組成物に含まれるエポキシ榭脂としては、例えばビスフエノール型ェポキシ榭脂、ノボラック型エポキシ榭脂、ナフタレン型エポキシ榭脂、トリフエノールァルカン型エポキシ榭脂、ビフエ-ル型エポキシ榭脂、環状脂肪族型エポキシ榭脂、これらのハロゲン化物、これらの水素添加物等が挙げられる。これらの種類のエポキシ榭脂は、単独で用いても、二種類以上を組み合わせて用いてもカゝまわない。さらに、このようなエポキシ榭脂のなかでも、特に分子内にメソゲン基を有する液晶性ェポキシ榭脂を用いることが好まし、。分子内にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂の液晶状態を利用することにより、エポキシ榭脂の分子鎖を容易に配向させることができる。また、その配向度も容易に制御することも可能である。エポキシ榭脂組成物中のエポキシ榭脂のうち、分子内にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂の含有量は、 50重量％以上であることが好ましいが、特にこれに限定されるものではない。

[0048] 分子内にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂としては、分子の主鎖にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂が特に好ましい。メソゲン基とは、液晶性を示す官能基を示し、具体的には、ビフエ-ル、シァノビフエ-ル、ターフェ-ル、シァノターフェ -ル、フエ-ルペンゾエート、ァゾベンゼン、ァゾメチン、ァゾキシベンゼン、スチルベン、フエ-ルシクロへキシル、ビフエ-ルシクロへキシル、フエノキシフエ-ル、ベンジリデンァ-リン、ベンジルベンゾエート、ビピリジン、フエ-ルピリミジン、フエ-ルジォキサン、ベンゾィルァ-リン、トラン等及びこれらの誘導体が挙げられる。

[0049] エポキシ榭脂分子鎖内に含まれるこれらのメソゲン基の数は、少なくとも一つ以上であり、二つ以上であってもよい。また、メソゲン基とメソゲン基の間に脂肪族炭化水素基、脂肪族エーテル基、脂肪族エステル基、シロキサン結合等カゝら構成される屈曲鎖 (スぺーサ）と呼ばれる柔軟構造部を有して!/、てもよ!/、。

[0050] このような液晶性エポキシ榭脂は、ある温度領域で液晶状態となり、部分的にメソゲン基が規則的に配列しやすい性質を有している。これらの液晶性は、直交偏光子を利用した通常の偏光検査法によって、液晶に固有の強い複屈折性の発現により確認することができる。液晶状態の種類としては、ネマティック、スメクティック、コレステリック、ディスコティック等のいずれの液晶状態を発現するものでも力まわない。なお、分子内にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂と、分子内にメソゲン基を含まないエポキシ榭脂とを混合して用いてもょ、。

[0051] <熱可塑性高分子 >

熱可塑性高分子組成物に含まれる熱可塑性高分子には、分子内にメソゲン基を有する液晶性の熱可塑性高分子を用いることが好まし、。分子内にメソゲン基を有する液晶性の熱可塑性高分子の液晶状態を利用することにより、該熱可塑性高分子の分子鎖を容易に配向させることができる。また、その配向度も容易に制御することも可能である。前記組成物中の熱可塑性高分子のうち、分子内にメソゲン基を有する液晶性の熱可塑性高分子の含有量は、 50重量％以上であることが好ましいが、特にこれに限定されるものではな、。

[0052] 分子内にメソゲン基を有する液晶性の熱可塑性高分子としては、分子の主鎖にメソゲン基を有する液晶性高分子 (主鎖型液晶性高分子)が特に好ま、。メソゲン基とは、液晶性を示す官能基を示し、具体的には、ビフヱニル、シァノビフエ-ル、ターフェニル、シァノターフェ-ル、フエ-ルペンゾエート、ァゾベンゼン、ァゾメチン、ァゾキシベンゼン、スチルベン、フエ-ルシクロへキシル、ビフエ-ルシクロへキシル、フエノキシフエ-ル、ベンジリデンァ-リン、ベンジルベンゾエート、ビピリジン、フエ-ルピリミジン、フエニルジォキサン、ベンゾィルァ-リン、トラン等及びこれらの誘導体が挙げられる。

[0053] 液晶性の熱可塑性高分子の分子鎖内に含まれるこれらのメソゲン基の数は、少なくとも一つ以上であり、二つ以上であってもよい。また、メソゲン基とメソゲン基の間に脂肪族炭化水素基、脂肪族エーテル基、脂肪族エステル基、シロキサン結合等から構成される屈曲鎖 (スぺーサ）と呼ばれる柔軟構造部を有して、てもよ、。

[0054] 液晶性の熱可塑性高分子の具体例としては、熱液晶性高分子が挙げられる。

熱液晶性高分子は、熱可塑性を有する高分子であって、加熱により溶融した時、所定の温度範囲で光学的異方性を示す液晶状態となる液晶性高分子である。熱液晶性高分子としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリイミド等が挙げられる。これらの高分子は、単独で用いても、二種類以上を組み合わせて用いても力まわな、。

[0055] このような液晶性の熱可塑性高分子は、所定の温度領域で液晶状態となり、部分的にメソゲン基が規則的に配列しやすい性質を有している。これらの液晶性は、直交偏光子を利用した通常の偏光検査法によって、液晶に固有の強い複屈折性の発現により確認することができる。液晶状態の種類としては、ネマティック、スメクティック、コレステリック、ディスコティック等の、ずれの液晶状態を発現するものでも力まわなヽ

。なお、分子内にメソゲン基を有する液晶性の熱可塑性高分子と、分子内にメソゲン基を含まなヽ熱可塑性高分子とを混合して用いてもょヽ。

[0056] く繊維〉

本発明のエポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10に用いられる繊維は、繊維クロスまたは単繊維の集合 (単繊維群)である。使用する繊維クロスおよび単繊維群における単繊維の繊維長、繊維径、繊維クロスにおける繊維の織り密度は、特に限定されるものではない。し力しながら、単繊維の生産性や取り扱い、エポキシ榭脂組成物および熱可塑性高分子組成物への配合のし易さなどを考慮すると、実用的に好ましい単繊維の直径は 0. 1— 30 /z mであり、繊維クロスにおける単繊維の織り密度は横糸 *縦糸ともに、 5— 50本 Z25mm程度が好ましい。繊維クロス中の単繊維は、エポキシ榭脂組成物および熱可塑性高分子組成物が含浸し易、ように、繊維同士が離間されて織成されていてもよい。また、縦糸と横糸の編みこむ数の割合についても、適宜調整しても構わない。また、繊維クロスは、フェルト布などのような繊維を高分子榭脂で固定した織布または不織布であっても構わなヽ。繊維クロス及び単繊維群を構成する単繊維の種類は、特に制限されるものではないが、ガラス繊維、炭素繊維、金属繊維、セラミックス繊維、有機繊維力選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。

[0057] 繊維の異方性反磁性磁化率％が大き!/ヽ値であると、磁場雰囲気下で繊維は磁力 a

線に平行あるいは直交する方向に大きな力を受ける。異方性反磁性磁化率％とは、 a 外部より磁場を印加することにより生じる、繊維の繊維軸方向の磁化率から、繊維軸に直交する方向の磁化率％ _±差し引いた反磁性磁化率の異方性を示す値である。この異方性反磁性磁化率％ aが正の値を示す繊維、例えば、炭素繊維、ァラミド繊維、ポリベンザゾール繊維などは、磁場雰囲気下で、繊維軸が磁力線に沿って平行になるように力を受ける。また、主鎖型液晶性エポキシ榭脂および主鎖型の液晶性熱可塑性高分子の分子鎖も磁場雰囲気下で繊維軸が磁力線に沿って平行になるように力を受け、その方向に配向する。

[0058] このように、エポキシ榭脂および熱可塑性高分子の分子鎖も、磁力線と平行になるように配向する性質を有する。したがって、異方性反磁性磁化率％ aが正の値を示す繊維を使用し、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖を磁場によって配向させる場合には、磁場によって繊維がエポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向方向と同一の方向に配向されな、ように留意する必要がある。この方法としては、磁場によって配向され難ヽ繊維、すなわち異方性反磁性磁化率％ a自体が小さい繊維を用いる力、あるいは、配向するのにより大きな力を必要とするように、長い繊維を用いる、凝集'密集している繊維を用いる、比重の高い繊維を用いる、もしくは高粘度のエポキシ榭脂組成物または熱可塑性組成物を使用するなどの方法が挙げられる。

[0059] また、繊維クロスと単繊維群とを組み合わせて使用してもよい。さらに、 2種類以上の繊維クロス及び単繊維群を併用してもよヽ。それらの繊維クロスおよび単繊維群のうち、少なくとも 1種類の繊維クロスおよび単繊維群がエポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向方向と交わる方向に配置されていれば、他の繊維クロスおよび単繊維群は無配向であっても、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向方向と同一方向に配置されて、ても構わな、。

[0060] <エポキシ榭脂組成物 >

エポキシ榭脂複合成形体 1を形成するエポキシ榭脂組成物 16は、上記のエポキシ榭脂と、任意で繊維クロスおよび単繊維群の少なくとも一方とを含有する。エポキシ榭脂組成物には、上述のエポキシ榭脂を反応硬化させる目的で、硬化剤が配合されてもよい。配合される硬化剤の種類及び量、熱硬化条件、光硬化条件、湿気硬化条件については特に限定されるものではない。例えば、通常のアミン系硬ィ匕剤、酸無水物系硬化剤、フエノール系硬化剤、潜在性硬化剤、ポリメルカブタン系硬化剤、ポリアミノアミド系硬ィ匕剤、イソシァネート類、ブロックイソシァネート等を用いることができる。それらの硬化剤は単独で使用してもよいし、 2種以上混合して使用してもよい。また、これらの硬化剤の配合量は、通常これらの硬化剤が使用される際の使用量と同様である。

[0061] また、硬化剤を配合せず、エポキシ榭脂のエポキシ基を自己重合させてもよ!ヽ。この場合には、エポキシ榭脂組成物には重合開始剤が添加される。

本発明で使用するエポキシ榭脂は、 A1C1、 SnCl、 TiCl、 BF、 PCI及び SbF

3 4 4 3 5 5 のような酸およびそれらの塩を重合開始剤として用いて、カチオン重合することができる。同様に、臭化テトラブチルアンモ-ゥム、塩化ジメチルジベンジルアンモ -ゥム等のようなアンモ-ゥム塩を重合開始剤として用いて、ァ-オン重合することも可能である。

[0062] また、エポキシ榭脂組成物には、上記エポキシ榭脂に加えて、他の反応硬化性榭脂が少量含有されて、てもよ、。

<熱可塑性高分子組成物 >

熱可塑性高分子複合成形体 10を形成する熱可塑性高分子組成物 160は、上記の熱可塑性高分子を含有する。さらに、熱可塑性高分子組成物 160は、繊維クロスおよび単繊維群の少なくとも一方を含んで、てもよ、。

[0063] 上記のエポキシ榭脂組成物および熱可塑性高分子組成物には、エポキシ榭脂複合成形体および熱可塑性高分子複合成形体の膨張率をさらに低下させるため及び破壊靭性、曲げ強度、誘電率、熱伝導性などの諸特性を向上させるために充填剤を適量配合することも可能である。充填剤としては、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属水酸化物、金属炭酸化合物、金属被覆榭脂、榭脂フイラ一、炭素繊維、ガラス繊維、ガラスビーズ、炭素系材料、タルク、クレー等が挙げられる。金属としては、銀、銅、金、白金、ジルコン等、金属酸化物としては酸化ケィ素、酸化アルミニゥム、酸ィ匕マグネシウム等、金属窒化物としては窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケィ素等、金属炭化物としては炭化ケィ素等、金属水酸化物としては水酸ィ匕ァルミ-ゥム、水酸ィ匕マグネシウム等が挙げられる。エポキシ榭脂または熱可塑性高分子と充填剤との濡れ性の改善や、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子と充填剤との界面を補強したり、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子に対する充填剤の分散を促進する目的で、充填剤に通常のカップリング剤処理を施しても力まわない。

[0064] なお、エポキシ榭脂組成物および熱可塑性高分子組成物には必要に応じて、硬化促進剤、硬化遅延剤、補強材、ゴムやエラストマ一等の低応力化剤、顔料、染料、蛍光増白剤、分散剤、安定剤、紫外線吸収剤、エネルギー消光剤、帯電防止剤、酸ィ匕防止剤、熱安定剤、滑剤、難燃剤、消泡剤、可塑剤、溶剤等を添加することも可能である。

[0065] 次にエポキシ榭脂複合成形体 1および熱可塑性高分子複合成形体 10およびプリント配線基板 2, 20の製造方法について説明する。

エポキシ榭脂複合成形体 1は、エポキシ榭脂組成物 16中において、繊維クロス 15 を、第 1の平面 (例えば、成形体 1の表面）に沿うように配置し、エポキシ榭脂組成物 1 6中のエポキシ榭脂の分子鎖を前記第 1の平面と交わる方向（例えば、成形体 1の厚み方向）に配向させた状態で、エポキシ榭脂組成物 16を硬化することによって形成される。

[0066] 熱可塑性高分子複合成形体 10は、熱可塑性高分子組成物 160中において、繊維クロス 15を、第 1の平面 (例えば、成形体 10の表面）に沿うように配置し、熱可塑性高分子組成物 160中の熱可塑性高分子の分子鎖を前記第 1の平面と交わる方向（例えば、成形体 10の厚み方向）に配向させた状態で、熱可塑性高分子組成物 160を固ィ匕させること〖こよって形成される。

[0067] 成形装置としては、トランスファー成形装置、プレス成形装置、注型成形装置、射出成形装置、押出成形装置等のエポキシ榭脂および熱可塑性高分子の成形が可能である装置を用いることができる。エポキシ榭脂組成物 16および熱可塑性高分子組成物 160は、シート状、フィルム状、ブロック状、粒状、棒状、チューブ状、繊維状等の様々な形状のエポキシ榭脂複合成形体および熱可塑性高分子複合成形体に成形することができる。

[0068] エポキシ榭脂組成物 16および熱可塑性高分子組成物 160中のエポキシ榭脂および熱可塑性高分子の分子鎖を配向させる方法としては、エポキシ榭脂組成物および熱可塑性高分子組成物の硬化 Z固化前または硬化 Z固化時に、ラビング、延伸、圧延、流動場、せん断場、磁場及び電場から選ばれる少なくとも一種によって分子鎖を配向させる方法が挙げられる。これらの配向方法の中でも、配向する方向を容易に制御できることから、磁場による配向方法が好ましい。エポキシ榭脂または熱可塑性高分子に磁場を印加すると、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖は、磁力線と平行になるように配向する。また、必要に応じて上記の配向処理を併用することちでさる。

[0069] 磁場を発生する磁場発生装置としては、永久磁石、電磁石、超電導磁石、コイル等が挙げられる。これらの磁場発生装置の中でも、実用的な磁束密度を有する磁場を発生させることができることから超電導磁石が好ましい。

[0070] エポキシ榭脂組成物に印加する磁場の磁束密度は、好ましくは 0. 2— 20テスラ (T )、さらに好ましくは 0. 5— 15T、最も好ましくは 1一 10Tである。この磁束密度が 0. 2 Τ未満であると、エポキシ榭脂の剛直な分子鎖を十分に配向させることができず、熱膨張係数の低下が不十分となる。一方、磁束密度が 20Τを超える磁場は、実用上得られ難い。この磁束密度の範囲が 0. 2— 20Τであると、熱膨張係数の低いエポキシ榭脂複合成形体が得られるとともに、実用的である。

[0071] 熱可塑性高分子組成物に印加する磁場の磁束密度は、好ましくは 1一 20テスラ (Τ )、さらに好ましくは 2— 15T、最も好ましくは 3— 10Tである。この磁束密度が 1T未満であると、熱可塑性高分子の分子鎖を十分に配向させることができず、熱膨張係数の低下が不十分となる。一方、磁束密度が 20Τを超える磁場は、実用上得られ難い。この磁束密度の範囲が 1一 20Τであると、熱膨張係数の低い熱可塑性高分子複合成形体が得られるとともに、実用的である。

[0072] 次いで、エポキシ榭脂複合成形体 1、熱可塑性高分子複合成形体 10及びプリント配線基板 2, 20を製造する具体的な方法について、図 6—図 10および図 13—図 14 に基づいて詳細に説明する。

[0073] まず、図 2に示す第 1の実施形態の板状に形成されたエポキシ榭脂複合成形体 1 の製造方法について説明する。図 6において、金型 11の内部には、所望の成形体の形状に対応した形状を有するキヤビティ 12が形成されている。まず、図 6に示すように、このキヤビティ 12内に、一枚の繊維クロス 15をキヤビティの底面に沿うように、好ましくは、底面と平行になるように配置する。次いで、図 7に示すように、エポキシ榭脂組成物 16をキヤビティ 12内に充填する。この際、複数枚の繊維クロス 15を積層して配置した後に、エポキシ榭脂組成物 16を流し込んで、複数の繊維クロス 15にェポキシ榭脂組成物 16を含浸させてもよい。あるいは、繊維クロス 15を一枚配置した後に、エポキシ榭脂組成物 16を流し込んで繊維クロス 15にエポキシ榭脂組成物 16を含浸させた後に、さらに別の繊維クロス 15を配置してもよぐさらには、これらの作業を繰り返すことにより、得られる成形体 1内において複数枚の繊維クロス 15を積層させてもよい。

[0074] エポキシ榭脂組成物 16を充填する工程の最中、またはその後で、減圧或いは加圧により、混入した気泡を除去する工程を加えることが好ましい。

必要に応じて、金型 11には加熱装置（図示せず)が備えられる。前記エポキシ榭脂組成物 16を充填する工程において、エポキシ榭脂組成物 16は、溶融状態に維持される。また、エポキシ榭脂組成物 16が分子内にメソゲン基を有するエポキシ榭脂を含有する場合には、エポキシ榭脂組成物 16は液晶状態に維持される。

[0075] 次に、図 8に示すように、金型 11の上下に磁場発生装置として配置された一対の永久磁石 13によって、キヤビティ 12に充填されたエポキシ榭脂組成物 16に所定の磁束密度の磁場を印加する。本実施形態においては、永久磁石 13によって発生する磁場の磁力線 Mは、キヤビティ 12の厚さ方向に一致するように配置されている。なお、磁場は、エポキシ榭脂組成物 16をキヤビティ 12内に充填する前力も金型 11に印加しておいても力まわない。このとき、磁力線 Mは、エポキシ榭脂組成物 16の厚さ方向に一致するため、エポキシ榭脂の分子鎖、好ましくは、分子内にメソゲン基を有するエポキシ榭脂の剛直な分子鎖を、エポキシ榭脂糸且成物 16の厚さ方向に配向させることができる。

[0076] このエポキシ榭脂の配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させて、金型 11から取り出す。それにより、本発明のエポキシ榭脂複合成形体 1が得られる。また、予め繊維クロス 15にエポキシ榭脂組成物 16が含浸したプリプレダを用いてもよい。このプリプレダを溶融状態に加熱しながら、上述のように磁場を印加して、ェポキシ榭脂の分子鎖を繊維クロスと交わる方向に配向させてもよい。この際、エポキシ榭脂は、加熱時にその分子鎖の磁場配向が可能である程度の溶融粘度を有することが必要である。

[0077] さらに、上記の製造方法において、繊維クロス 15の代わりに繊維を用いる場合には、予め繊維をエポキシ榭脂組成物に添加しておき、その繊維が添加されたエポキシ榭脂組成物を金型 11のキヤビティ 12内に充填してもよい。この時、キヤビティ 12の厚みと比べて、繊維の方が長い場合には、前記繊維は、その長軸がキヤビティ 12の底面に沿う方向に自発的に配向する。もちろん、流動場やせん断場などの外力によつて、繊維の長軸をキヤビティ 12の底面に沿う方向に配向させてもよい。

[0078] 図 11に示す第 3の実施形態の板状に形成された熱可塑性高分子複合成形体 10 の製造方法について説明する。図 13において、金型 11の内部には、所望の成形体の形状に対応した形状、ここでは板形状を有するキヤビティ 12が形成されている。まず、図 13に示すように、このキヤビティ 12内に、シート状または平板状に予備成形された熱可塑性高分子組成物 160をキヤビティの底面に沿うように、好ましくは、底面と平行になるように配置する。次いで、少なくとも一枚の繊維クロス 15を熱可塑性高分子組成物 160のシートの上面に沿うように、好ましくは、金型の底面と平行になるように配置する。さらにこれらの作業を繰り返し、複数枚の熱可塑性高分子組成物シートと繊維クロス 15とを積層する。

[0079] 金型 11には加熱装置（図示せず）が備えられ、積層した熱可塑性高分子組成物シートおよび繊維クロス 15を加熱プレス成形する。このプレス成形中、熱可塑性高分子組成物シートは溶融して液体状態となり、繊維クロス 15に含浸される。また、熱可塑性高分子組成物 160が分子内にメソゲン基を有する液晶性高分子を含有する場合には、熱可塑性高分子組成物 160は液晶状態に維持される。加熱プレス成形のェ程の中、キヤビティ 12内を減圧して、溶融した熱可塑性高分子組成物 160に空気が混入しないようにすることが好ましい。さらに、図 14に示すように、金型 11の上下には磁場発生装置として一対の永久磁石 13が配置され、キヤビティ 12に配置された高分子組成物 160に所定の磁束密度の磁場を印加する。本実施形態においては、永久磁石 13によって発生する磁場の磁力線 Mは、キヤビティ 12の厚さ方向に一致するように配置されている。これにより、熱可塑性高分子の分子鎖、好ましくは、分子内にメソゲン基を有する液晶性の熱可塑性高分子の剛直な分子鎖を、前記キヤビティ 12内で板状に成形された熱可塑性高分子組成物 160の厚さ方向に配向させることができる。なお、磁場は、熱可塑性高分子組成物シートをキヤビティ 12内に積層する前から金型 11に印加してぉ、ても力まわな!/、。

[0080] この熱可塑性高分子の配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物 160を冷却などにより固化させて、金型 11から取り出す。それにより、本発明の熱可塑性高分子複合成形体 10が得られる。

[0081] 上記の製造方法において、予め熱可塑性高分子に単繊維群を配合した熱可塑性高分子組成物 160のシートを用いてもよい。単繊維群を含む熱可塑性高分子組成物 160をシート状に予備成形すると、前記単繊維は、その長軸がシート面に沿う方向に自発的に配向する。このような熱可塑性高分子組成物 160のシートを溶融状態に加熱しながら、上述のようにシートの厚さ方向に磁場を印加して、熱可塑性高分子の分子鎖を単繊維と交わる方向に配向させる。

[0082] また、熱可塑性高分子複合成形体 10の製造方法として、第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体 1の製造方法と同様に、まず金型 11のキヤビティ 12内に繊維クロス 15を配置し、次、で溶融状態の熱可塑性高分子組成物 160をキヤビティ 12内に射出する方法も可能である。この場合、エポキシ榭脂組成物を、溶融した熱可塑性高分子組成物と置き換えること以外は上述した第 1実施形態のエポキシ榭脂複合成形体 1の製造方法とほぼ同様である。

[0083] さらに、この製造方法において、繊維クロス 15の代わりに単繊維群を用いる場合には、予め単繊維群を熱可塑性高分子組成物 160に添加しておき、その単繊維群が添加された熱可塑性高分子組成物を金型 11のキヤビティ 12内に射出してもよい。この時、キヤビティ 12の厚みと比べて、繊維の方が長い場合には、前記繊維は、その長軸がキヤビティ 12の底面に沿う方向に自発的に配向する。もちろん、流動場やせん断場などの外力によって、繊維の長軸をキヤビティ 12の底面に沿う方向に配向させてもよい。そのような外力は、熱可塑性高分子組成物を金型 11のキヤビティ 12内に射出する際に生じ得る。

[0084] V、ずれの場合にぉ、ても熱可塑性高分子組成物は、溶融時にその分子鎖の磁場配向を可能にする程度の溶融粘度を有することが必要である。

図 3に示す第 2実施形態のプリント配線基板を製造するためには、上述した第 1の実施形態のエポキシ榭脂複合成形体 1の製造方法において、金型 11のキヤビティ 1 2内に繊維クロス 15を配置する工程の前に、図 9に示すように、例えば金属箔からなる導電層 14aをキヤビティ 12の底面上に配置する。さらに、キヤビティ 12内にェポキシ榭脂組成物 16を充填する工程の後、図 10に示すように、キヤビティ 12内に充填されたエポキシ榭脂組成物 16の上に、さらに導電層 14bを配置する。その後、図 8に示した第 1実施形態の製造方法と同様に、磁場を印加することによって、エポキシ榭脂の分子鎖をエポキシ榭脂組成物 16の厚さ方向に配向させる。このエポキシ榭脂の配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させて、金型 11から取り出すことにより、両面に導電層 14a, 14bが設けられたエポキシ榭脂複合成形体が得られる。さらに、導電層 14a, 14bを、例えば、エッチングなどの周知の方法によってパターンユングすることによって、本発明のプリント配線基板 2を得ることができる。

[0085] また、上述したプリプレダ間に回路を予め形成した金属箔を配置することにより、多層プリント配線基板を製造することもできる。

図 12に示す第 4実施形態のプリント配線基板を製造するためには、上述した第 3の実施形態の熱可塑性高分子複合成形体 10の製造方法において、金型 11のキヤビティ 12内にシート状に予備成形された熱可塑性高分子組成物 160および繊維クロス 15を配置する工程の前に、図 9に示すように、例えば金属箔カもなる導電層 14aをキャビティ 12の底面上に配置する。さら〖こ、キヤビティ 12内に熱可塑性高分子組成物 1 60および繊維クロス 15を積層して配置する工程の後、図 10に示すように、キヤビティ 12内の最上部に配置された熱可塑性高分子組成物 160の上に、さらに導電層 14b を配置する。その後、図 8に示した第 3実施形態の製造方法と同様に、磁場を印加することによって、熱可塑性高分子の分子鎖をキヤビティ 12内の熱可塑性高分子組成物 160の厚さ方向に配向させる。この熱可塑性高分子の配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させて、金型 11から取り出すことにより、両面に導電層 14a, 14bが設けられた熱可塑性高分子複合成形体が得られる。さらに、導電層 1 4a, 14bを、例えば、エッチングなどの周知の方法によってパターンユングすることによって、本発明のプリント配線基板 20を得ることができる。

また、高分子組成物シートと繊維クロス 15を積層して配置する際に、 2枚の高分子組成物シートの間に予め回路を形成した金属箔を配置することにより、多層プリント配線基板を製造することもできる。

[0086] なお、上記実施形態を以下のように変更して構成することもできる。

•予めエポキシ榭脂複合成形体または熱可塑性高分子複合成形体を製造し、接着層などを介して、金属箔など力なる導電層をエポキシ榭脂複合成形体または熱可塑性高分子複合成形体に一体化させることによりプリント配線基板を形成する。

[0087] ·導電層として、金属箔の代わりに、金属鍍金層あるいは導電性ペースト層を用いる。この際、予め繊維クロスにエポキシ榭脂組成物または熱可塑性高分子組成物が含浸したプリプレダを用いても、予めエポキシ榭脂複合成形体または熱可塑性高分子複合成形体を製造してもかまわなヽ。

[0088] ·エポキシ榭脂複合成形体 1または熱可塑性高分子複合成形体 10において、繊維クロスを成形体の厚み方向と平行に配置し、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖を該成形体の表面と平行に配向させてもよい。この場合、上記製造方法にお V、て、磁力線 Mがキヤビティ 12内のエポキシ榭脂組成物 16または熱可塑性高分子組成物 160の表面と平行になるように、一対の永久磁石 13を金型 11の両側方に対向させて配設する。

[0089] ·前記永久磁石 13は、金型 11を挟むように一対配設されているが、一方の永久磁石 13を省略してもよい。

•前記永久磁石 13は、 S極と N極とが互いに対向するように一対配設されて!/、る力

S極同士又は N極同士が対向するように配設してもょ、。

[0090] ·前記磁力線 Mは、直線状である力曲線状等でもよい。また、前記永久磁石 13は磁力線 Mがー方向に延びるように配設されて!/、るが、磁力線 Mが二方向以上に延びるように永久磁石 13を配設してもよい。さらに、磁力線 M又は金型 11のいずれか一方を回転させてもよい。

[0091] ·繊維クロスの代わりに多数の単繊維を用いてもよい。その場合には、上記製造方法において、得られる成形体の表面に平行になるように複数の単繊維をキヤビティ 1 2内に配置した後、エポキシ榭脂組成物 16をキヤビティ 12内に充填してもよい。あるいは、予めエポキシ榭脂組成物 16または熱可塑性高分子組成物 160中に単繊維を配合しておいてもよい。この場合には、前述したように、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖を磁場によって配向させる際に、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖の配向方向と同一の方向に繊維をも配向させないように留意することが必要である。

[0092] ·成形体中において、繊維はその繊維軸が第 1の平面に沿うように配向されていればよぐ必ずしも第 1の平面と平行である必要はない。また、エポキシ榭脂または熱可塑性高分子の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されていればよぐ第 1の平面に直交して、る必要はな、。

[0093] 以下、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明するが、これらは本発明の範囲を何ら制限するものではない。

実施例

[0094] エポキシ榭脂^!合成形体によるプリント西 R線某板

(実施例 1)

本発明のエポキシ榭脂複合成形体を絶縁層として用い、導電層として銅箔を使用したプリント配線基板を作製した。エポキシ榭脂として、分子の主鎖にメソゲン基を有するテレフタリリデンビス— (4ーァミノ— 3—メチルフエノール）ジグリシジルエーテルと、硬化剤として、 4, 4，ージアミノー 1, 2—ジフエ-ルェタンとを、 1モル： 0. 5モルで混合したエポキシ榭脂組成物 16を使用した。繊維クロス 15としては、ガラスクロスである旭ファイバーグラス製「MS 130」（重量 106gZm²、密度 19本 Z25mm)を使用した。導電層 14a, 14bとしては、銅箔 (厚さ 18 m)を使用した。使用するガラスクロスの枚数は、成形体におけるガラスクロス含有量が 8vol%となるように設定した。金型 11 のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置し、その上に 3枚のガラスクロス 15をキヤビティ 12の底面と平行になるように重ねて配置した。その後、金型 11を温度 170°Cに加熱し、キヤビティ 12内に前記エポキシ榭脂組成物 16を充填し、エポキシ榭脂組成物 16をガラスクロス 15に含浸させた後、そのエポキシ榭脂組成物 16上に別の銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、磁束密度 10テスラの磁場中にて、 170 。C、 10分間にわたって組成物 16を硬化させた。それにより、厚み 2mmの積層板を得た。次に、その積層板にドリルによって穴径 0. 9mm.穴数 200個の穴あけを行い、各穴のランド径 1. 3mm、回路幅 0. 2mm,回路間隔を 0. 2mmとなるように銅スル一ホールメツキ処理を経て、ノターンユングを行い、プリント配線基板 2を作製した。

[0095] (実施例 2及び 3)

表 1に示すように、キヤビティ 12内に配置するガラスクロスの枚数 (ガラスクロス含有量)を変更した以外は、実施例 1と同様の方法で各プリント配線基板 2を作製した。

[0096] (実施例 4)

表 1に示すように、キヤビティ 12内に配置するガラスクロスの枚数 (ガラスクロス含有量)および磁束密度を変更した以外は、実施例 1と同様の方法でプリント配線基板 2 を作製した。

[0097] (実施例 5)

実施例 1と同一のエポキシ榭脂および硬化剤を、 1モル: 0. 5モルで混合した。その混合物に、実施例 1一 4のガラスクロスの代わりに、単繊維群として、ガラス繊維である旭ファイバーグラス製「CS03BC273」（繊維長 3mm)を添加して、エポキシ榭脂組成物 16を調製した。ガラス繊維の添加量は、成形体におけるガラス繊維含有量が 21 vol%となるように設定した。前記導電層 14a, 14bとして実施例 1と同一の銅箔を使用した。まず、金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置した。その後、金型 11を温度 170°Cに加熱し、キヤビティ 12内に前記エポキシ榭脂組成物 1 6を充填した後、前記エポキシ榭脂組成物 16上に別の銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、磁束密度 10テスラの磁場中にて、前記エポキシ榭脂組成物 16を 170°C 、 10分間で硬化させた。それにより、厚み 2mmの積層板が得られた。磁力線の方向は積層板の厚み方向と一致させた。次に、この積層板を用いて、実施例 1との同様の方法で、プリント配線基板 2を作製した。

[0098] (実施例 6)

実施例 1と同一のエポキシ榭脂および硬ィ匕剤を、 1モル: 0. 5モルで混合したェポキシ榭脂組成物を使用した。繊維クロスとしては、実施例 1と同一のガラスクロスを用い、導電層 14a, 14bとしては実施例 1と同一の銅箔を使用した。使用するガラスクロスの枚数は、成形体におけるガラスクロス含有量が 17vol%となるように設定した。まず、 1枚のガラスクロス 15に加熱溶融させたエポキシ榭脂組成物 16を含浸させた後、磁束密度 10テスラの磁場中にて冷却固化させて、プリプレダを作成した。実施例 1 と同様の金型 11のキヤビティ 12内に銅箔を配置し、その銅箔の上に前記プリプレダを 10枚重ね、さらにその上に別の銅箔を配置して、磁束密度 10テスラの磁場中にて、 170° Cで加熱および加圧することによって、厚み 2mmの積層体を得た。磁力線の方向は積層板の厚み方向とした。次に、この積層板を用いて、実施例 1との同様の方法で、プリント配線基板 2を作製した。

[0099] (比較例 1)

エポキシ榭脂として分子内にメソゲン基を有するテレフタリリデンビス (4 アミノー 3 メチルフエノール）ジグリシジルエーテルと硬化剤として 4, 4'ージアミノー 1, 2—ジフエ-ルェタンを、 1モル : 0. 5モルで混合したエポキシ榭脂組成物 16を使用し、繊維クロス及び繊維を含有しなヽプリント配線基板を作製した。導電層として実施例 1と同一の銅箔を使用した。まず、金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a) を配置した。その後、金型 11を温度 170°Cに加熱し、キヤビティ 12内に前記ェポキシ榭脂組成物 16を充填した後、前記エポキシ榭脂組成物 16上に別の銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、磁場を印加せずに、前記エポキシ榭脂組成物 16を 170 °C、 10分間で硬化させることにより、厚み 2mmの積層板を得た。次に、この積層板を用いて、実施例 1との同様の方法で、プリント配線基板 2を作製した。

[0100] (比較例 2)

エポキシ榭脂として分子内にメソゲン基を有するテレフタリリデンビス (4 アミノー 3 メチルフエノール）ジグリシジルエーテルと、硬化剤として 4, 4，ージアミノー 1, 2—ジフエニルェタンとを、 1モル : 0. 5モルで混合したエポキシ榭脂組成物を使用し、繊維クロス及び繊維を含有しなヽプリント配線基板を作製した。導電層として実施例 1と同一の銅箔を使用した。金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置した。その後、金型 11を温度 170°Cに加熱し、キヤビティ 12内に前記エポキシ榭脂組成物を充填した後、前記エポキシ榭脂組成物 16上に別の銅箔 (導電層 14b)を配置した。次に、磁束密度 10テスラの磁場中にて、 170°C、 10分間で硬化させ、厚み 2 mmのプリント配線基板を作製した。磁力線の方向は積層板の厚み方向とした。次に、この積層板を用いて、実施例 1との同様の方法で、プリント配線基板 2を作製した。

[0101] (比較例 3)

実施例 1と同一のエポキシ榭脂組成物 16、ガラスクロス及び銅箔を使用した。ガラスクロスの枚数は、成形体におけるガラスクロス含有量が 17vol%となるように設定した。まず、金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置し、その上に 10枚のガラスクロスをキヤビティ 12の底面と平行になるように重ねて配置した。その後、金型 11を温度 170°Cに加熱し、キヤビティ 12内に前記エポキシ榭脂組成物 16 を充填し、そのエポキシ榭脂組成物 16にガラスクロス 15を含浸させた後、前記ェポキシ榭脂組成物 16上に別の銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、磁場を印加せずに、 170°C、 10分間で前記エポキシ榭脂組成物 16を硬化させた。これにより、厚み 2mmの積層板を得た。次に、この積層板を用いて、実施例 1との同様の方法で、プリント配線基板 2を作製した。

[0102] 実施例 1一 6及び比較例 2で得られたプリント配線基板のエポキシ榭脂複合成形体部分についてエポキシ榭脂の配向度 αを測定した。配向度 αの測定は、実施例 1一 6および比較例 2のプリント配線基板のエポキシ榭脂成形体部分のみ力なる試験片 (厚さ 2mm)を用いて、エポキシ榭脂の配向度 αを X線回折装置 (株式会社マック · サイエンス製「M18XHF²²-SRA」）によって測定した X線回折パターンより求めた。

[0103] また、各実施例及び比較例で得られた各プリント配線基板 2のエポキシ榭脂複合成形体部分について、プリント配線基板 2の表面に沿う方向および厚み方向の熱膨張係数を測定した。熱膨張係数の測定は、各実施例および比較例のプリント配線基板のエポキシ榭脂成形体部分のみ力なる試験片 (厚さ 2mm)を用い、熱機械分析装置 (株式会社島津製作所「TMA - 50」）によって、荷重 3g、昇温速度 10° CZ分にて行なった。

[0104] さらに、各プリント配線基板 2につ、て、スルーホール信頼性試験を行なった。各プリント配線基板 2を JIS— C0025に準拠して、 260° Cの油および 20° Cの水中へ、それぞれ 10秒間ずっ浸漬させることを 1サイクルとし、このサイクルを繰り返して、断線が発生するまでのサイクル数を計測した。

[0105] 実施例 1一 6及び比較例 1一 3において得られたプリント配線基板について、上記測定値および試験結果を表 1に示す。

[0106] [表 1] 表 1

表 1の結果から明らかなように、実施例 1一 4および 6では、ガラスクロスが拡がる基板の表面に沿う方向と、エポキシ榭脂の分子鎖を配向させた厚み方向の双方において、熱膨張係数は 40 X 10— ⁶ΖΚ以下という低い値を示した。また、実施例 5においても、エポキシ榭脂の分子鎖を配向させた厚み方向においてだけでなぐ基板の表面に沿う方向においても、熱膨張係数は 40 X 10— ⁶Ζκ以下という低い値を示した。これは、エポキシ榭脂組成物 16に添加されたガラス繊維力板状に成形されたこと〖こより、その繊維軸が基板の表面に沿う方向に配向され、その後、磁場を作用させても、 3mmという比較的長い繊維長のため磁場の影響を受け難ぐ前記配向状態を維持したためと考えられる。したがって、実施例 1一 6においては、表面に沿う方向における熱膨張係数と厚さ方向における熱膨張係数との差は、最大でも 30 X 10— ⁶Ζκ (実施例 3)となり、基板の表面に沿う方向および厚み方向の双方において、熱膨張係数力、さく制御されたエポキシ榭脂複合成形体力ゝらなるプリント配線基板が得られることが分かる。また、実施例 1一 6のプリント配線基板は、比較例 1一 3のプリント配線基板と比較して、 V、ずれも良好なスルーホール信頼性を有した。

[0107] 一方、比較例 1では、基板の表面に沿う方向と厚さ方向とにおける熱膨張係数の差は小さいものの、熱膨張係数の値がいずれも 60 X 10— ⁶Ζκを超える大きなものとなつた。比較例 2では、エポキシ榭脂の分子鎖を配向させた厚さ方向の熱膨張係数は低い値となったが、表面に沿う方向の熱膨張係数が非常に高い値を示している。比較例 3では、ガラスクロスが拡がる表面に沿う方向における熱膨張係数は低!、値であるが、厚さ方向の熱膨張係数は高い値を示している。また、比較例 1一 3のプリント配線基板では、十分なスルーホール信頼性が得られなカゝつた。

[0108] 熱可 ^ ^^开体によるプリント西 ρ篇某板

(実施例 7)

本発明の熱可塑性高分子複合成形体 10を絶縁層として用い、導電層として銅箔を使用したプリント配線基板を作製した。熱可塑性高分子として、構成単位が 4ーヒドロキシ安息香酸 Ζ (テレフタル酸とエチレングリコール（モル比： 1： 1) ) =80Ζ20モル %である熱可塑性高分子組成物 160を使用した。繊維クロス 15としては、ガラスクロスである旭シュエーベル製「1080」（重量 48gZm²、密度：縦 60本 X横 47本 Zインチ）を使用した。導電層 14a, 14bとしては、日鉱マテリアルズ製電解銅箔 (厚さ 18 m)を使用した。使用するガラスクロスの枚数は、成形体におけるガラスクロス含有量が 3. 7vol%となるように設定した。 [0109] まず、金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置し、その上に厚さ 0. 40mmのシート状に予備成形した熱可塑性高分子組成物 160とガラスクロス 15 とをキヤビティ 12の底面と平行になるように重ねて配置した。これを 4層重ねた上にさらに熱可塑性高分子組成物 160のシートを重ね、その上に銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、金型を磁束密度 10テスラの磁場中にて、 310°C、 15分間にわたつて加熱および加圧し、その後室温まで徐冷することにより、厚み 2mmの積層板を得た。磁力線の方向は積層板の厚み方向と一致させた。次に、その積層板にドリルによつて穴径 0. 9mmで 200個の穴をあけ、銅スルーホールメツキ処理を行ったあと、各穴のランド径 1. 3mm、回路幅 0. 2mm、回路間隔を 0. 2mmとなるようにパターン- ングを行い、プリント配線基板 20を作製した。

[0110] (実施例 8)

表 2に示すように、キヤビティ 12内に配置するガラスクロスの枚数 (ガラスクロス含有量)を変更した以外は、実施例 7と同様の方法で各プリント配線基板 20を作製した。

[0111] (実施例 9)

表 2に示すように、キヤビティ 12内に配置するガラスクロスの枚数 (ガラスクロス含有量)および磁束密度を変更した以外は、実施例 7と同様の方法でプリント配線基板 20 を作製した。

[0112] (実施例 10)

熱可塑性高分子として、 2、 2' ビビリジン 4、 4'ージカルボン酸と、 1、 12—ジァミノドデカンを反応させて合成した熱可塑性高分子組成物 160を使用し、表 2に示すように、キヤビティ 12内に配置するガラスクロスの枚数 (ガラスクロス含有量)を変更した以外は、実施例 7と同様の方法で各プリント配線基板 20を作製した。

[0113] (実施例 11)

実施例 7— 10のガラスクロスの代わりに、単繊維群として、ガラス繊維である旭ファィバーグラス製「CS03BC273」（繊維長 lmm)を、実施例 7と同一の熱可塑性高分子に配合して、熱可塑性高分子組成物 160を調製した。ガラス繊維の添加量は、熱可塑性高分子組成物 160におけるガラス繊維含有量が 19vol%となるように設定した。まず、磁束密度 10テスラの磁場中に設置した金型 11に熱可塑性高分子組成物 160を射出し、 310°C、 15分間にわたって加熱および加圧したのちに室温まで徐冷することにより、厚さ 2mmの熱可塑性高分子複合成形体 10を得た。磁力線の方向は成形体の厚み方向と一致させた。次に、この熱可塑性高分子複合成形体 10の両面に銅メツキを施し、導電層 14a, 14bを形成した。導電層 14a, 14bが形成された熱可塑性高分子複合成形体 10を、実施例 1と同様の方法でパターンユングして、プリント配線基板 20を作製した。

[0114] (比較例 4)

実施例 7— 9と同一の熱可塑性高分子組成物 160を使用し、繊維クロス及び繊維を含有しないプリント配線基板を作製した。導電層として実施例 7と同一の銅箔を使用した。まず、金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置し、その上に厚さ 2mmのシート状に予備成形した熱可塑性高分子組成物 160をキヤビティ 12 の底面と平行になるように配置し、その上に銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、磁場を印加せずに、金型を 310°C、 15分間にわたって加熱および加圧し、その後、室温まで徐冷することにより、厚み 2mmの積層板を得た。次に、この積層板を用いて、実施例 1と同様の方法で、プリント配線基板を作製した。

[0115] (比較例 5)

実施例 7— 9と同一の熱可塑性高分子組成物 160を使用し、繊維クロス及び繊維を含有しないプリント配線基板を作製した。導電層として実施例 7と同一の銅箔を使用した。まず、金型 11のキヤビティ 12の底面上に銅箔 (導電層 14a)を配置し、その上に厚さ 2mmのシート状に予備成形した熱可塑性高分子組成物 160をキヤビティ 12 の底面と平行になるように配置し、その上に銅箔 (導電層 14b)を配置した。その後、金型を磁束密度 10テスラの磁場中にて、 310°C、 15分間にわたって加熱およびカロ圧し、その後室温まで徐冷することにより、厚み 2mmの積層板を得た。磁力線の方向は積層板の厚み方向と一致させた。次に、この積層板を用いて、実施例 7と同様の方法で、プリント配線基板を作製した。

[0116] (比較例 6)

実施例 9と同一の材料及び分量の熱可塑性高分子組成物およびガラスクロスを用いて、成形時に磁場を印加しないこと以外は、実施例 9と同一の方法によって、プリント配線基板を作成した。

[0117] 実施例 7— 11及び比較例 4一 6で得られたプリント配線基板の熱可塑性高分子複合成形体部分について、先に実施例 1一 6および比較例 2に関して説明したのと同一の方法で、熱可塑性高分子の配向度 α、並びに、プリント配線基板の表面に沿う方向および厚み方向の熱膨張係数を測定した。比較例 4および 6の配向度 αは、これらの試験片の X線回折強度分布においてピークが観察されなったため、算出不能であった。

[0118] さらに、各プリント配線基板について、スルーホール信頼性試験を行った。各プリント配線基板 2を JIS— C 5012に準拠して、 260° Cのシリコーンオイルの中に 5秒間、 2 0。 Cの 2—プロパノールの中へ 20秒間浸漬させることを 1サイクルとし、このサイクルを繰り返して、亀裂や剥離、断線が発生するまでのサイクル数を計測した。

[0119] 実施例 7— 11及び比較例 4一 6において得られたプリント配線基板について、上記測定値および試験結果を表 2に示す。

[0120] [表 2]

表 2

表 2の結果から明ら力なように、実施例 7— 10では、ガラスクロスが拡カ ¾基板の表面に沿う方向と、熱可塑性高分子の分子鎖を配向させた厚み方向の双方において、熱膨張係数は 35 X 10— ⁶ZK以下という低い値を示した。また、ガラス単繊維を用いた実施例 5におレヽても、熱可塑性高分子の分子鎖を配向させた厚み方向にぉレ、てだけでなぐ基板の表面に沿う方向においても、熱膨張係数は 28 X 10— ^bZK以下という低い値を示した。これは、熱可塑性高分子組成物 160が型 11のキヤビティ 12内に射出される際に生じた組成物 160の流れによって、組成物 160中のガラス繊維が、その長軸がキヤビティ 12の底面に沿う方向、すなわち積層板の表面に沿う方向に配向されたためと考えられる。その後、磁場を積層板の厚み方向に作用させても、ガラス繊維の異方性反磁性磁化率％ aが小さいため磁場の影響を受け難ぐ前記配向状態が維持されたものと考えられる。

[0121] したがって、実施例 7— 11においては、表面に沿う方向における熱膨張係数と厚さ方向における熱膨張係数との差は、最大でも 29 X 10— ⁶ZK (実施例 1)となり、基板の表面に沿う方向および厚み方向の双方において、熱膨張係数が小さく制御された熱可塑性高分子複合成形体力もなるプリント配線基板が得られることが分かる。また、実施例 7— 11のプリント配線基板は、比較例 4一 6のプリント配線基板と比較して、 V、ずれも良好なスルーホール信頼性を有した。

[0122] 一方、比較例 4では、表面に沿う方向の熱膨張係数は比較的低い値となったが、厚さ方向の熱膨張係数は高い値を示した。比較例 5では、熱可塑性高分子の分子鎖を配向させた厚さ方向の熱膨張係数は非常に低い値となったが、表面に沿う方向の熱膨張係数が高い値を示した。比較例 6では、ガラスクロスが拡がる表面に沿う方向における熱膨張係数は低い値であるが、厚さ方向の熱膨張係数は高い値を示た。また、比較例 4一 6のプリント配線基板では、十分なスルーホール信頼性が得られなかつ

Claims

請求の範囲

[1] エポキシ榭脂と、繊維とから形成されるエポキシ榭脂複合成形体であって、該成形体中において、前記繊維が第 1の平面に沿って配置されており、前記エポキシ榭脂の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されており、

X線回折測定から下記式（1)によって求められる前記エポキシ榭脂の分子鎖の配向度 α力 0. 5以上 1. 0未満の範囲であり、

配向度 α = (180— Δ ) Ζΐ80· · · (1)

上記式中、 Δ βは X線回折測定によるピーク散乱角を固定して、方位角方向の 0— 3

60度までの強度分布における半値幅を表しており、

第 1の平面に沿った方向および第 1の平面に交わる方向における該成形体の熱膨張係数が、いずれも 5 X 10— ⁶— 50 X 10— ⁶ (ΖΚ)であり、かつ第 1の平面に沿った方向における熱膨張係数と第 1の平面に交わる方向における熱膨張係数との差が 30

X 10—⁶ (/Κ)以下であることを特徴とするエポキシ榭脂複合成形体。

[2] 前記エポキシ榭脂が、分子内にメソゲン基を有する液晶性エポキシ榭脂であることを特徴とする請求項 1に記載のエポキシ榭脂複合成形体。

[3] 前記繊維が、繊維クロスおよび単繊維群の少なくとも何れか一方からなる請求項 1 または 2に記載のエポキシ榭脂複合成形体。

[4] 前記繊維が、ガラス繊維、セラミックス繊維、炭素繊維、金属繊維、有機繊維から選択される少なくとも 1種であることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれか 1項に記載のエポキシ榭脂複合成形体。

[5] 請求項 1乃至 4の、ずれか 1項に記載のエポキシ榭脂複合成形体の表面および内部の少なくともいずれかに導電層を設けることによって形成されるプリント配線基板。

[6] 請求項 1乃至 4の、ずれか 1項に記載のエポキシ榭脂複合成形体を製造する方法であって、

前記繊維を第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記金型のキヤビティ内にエポキシ榭脂組成物を注入して、前記繊維にエポキシ榭脂組成物を含浸させる工程と、

前記エポキシ榭脂の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させる工程とを含むことを特徴とする方法。

[7] 前記エポキシ榭脂の分子鎖を配向させる工程において、エポキシ榭脂の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることを特徴とする請求項 6に記載の方法。

[8] 請求項 5に記載のプリント配線基板を製造する方法であって、

前記エポキシ榭脂の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、エポキシ榭脂組成物を硬化させる工程とを含み、さらに、

前記配置する工程の前、含浸させる工程の後、および硬化させる工程の後の少なくとも何れかにおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくともいずれかに導電層を形成する工程を含むことを特徴とする方法。

[9] 前記配向させる工程において、エポキシ榭脂の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることを特徴とする請求項 8に記載の方法。

[10] 請求項 1乃至 4のヽずれか一項に記載のエポキシ榭脂複合成形体を製造する方法であって、

前記繊維を含むエポキシ榭脂組成物を調製する工程と、

前記エポキシ榭脂組成物を、前記繊維の長軸が第 1の平面に沿うように、金型のキャビティ内に注入する工程と、

[11] 熱可塑性高分子と、繊維とから形成される熱可塑性高分子複合成形体であって、該成形体中において、前記繊維が第 1の平面に沿って配置されており、前記熱可塑性高分子の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されており、 X線回折測定力下記式（1)によって求められる前記熱可塑性高分子の分子鎖の配向度 α力 0. 5以上 1. 0未満の範囲であり、

配向度 α = (180— Δ )Ζΐ80· · · (1)

60度までの強度分布における半値幅を表しており、

X 10— ⁶ (/Κ)以下であることを特徴とする熱可塑性高分子複合成形体。

[12] 前記熱可塑性高分子が、分子内にメソゲン基を有する液晶性高分子であることを特徴とする請求項 11に記載の熱可塑性高分子複合成形体。

[13] 前記液晶性高分子が、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミドおよび芳香族ポリエステルアミドから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項 12に記載の熱可塑性高分子複合成形体。

[14] 前記繊維が、繊維クロスおよび単繊維群の少なくとも何れか一方力なる請求項 11 乃至 13のいずれか 1項に記載の熱可塑性高分子複合成形体。

[15] 前記繊維が、ガラス繊維、セラミックス繊維、炭素繊維、金属繊維、有機繊維から選択される少なくとも 1種であることを特徴とする請求項 11乃至 14のいずれか 1項に記載の熱可塑性高分子複合成形体。

[16] 請求項 11乃至 15のいずれか 1項に記載の熱可塑性高分子複合成形体の表面および内部の少なくともいずれか〖こ導電層を設けることによって形成されるプリント配線基板。

[17] 請求項 11乃至 15のいずれか 1項に記載の熱可塑性高分子複合成形体を製造する方法であって、

前記繊維を第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、前記金型のキヤビティ内に熱可塑性高分子組成物を注入して、前記繊維に熱可塑性高分子組成物を含浸させる工程と、

前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含むことを特徴とする方法。

[18] 請求項 11乃至 15のいずれか 1項に記載の熱可塑性高分子複合成形体を製造する方法であって、

前記熱可塑性高分子を含む熱可塑性高分子組成物の予備成形体を形成するェ程と、

前記予備成形体および繊維を、第 1の平面に沿うように金型のキヤビティ内に配置する工程と、

前記予備成形体を溶融させることにより、前記繊維に前記熱可塑性高分子組成物を含浸させる工程と、

[19] 請求項 11乃至 15のいずれか 1項に記載の熱可塑性高分子複合成形体を製造する方法であって、

前記熱可塑性高分子および繊維を含む熱可塑性高分子組成物を調製する工程と前記熱可塑性高分子組成物を、前記繊維の長軸が第 1の平面に沿うように、前記金型のキヤビティ内に注入する工程と、

[20] 前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程において、熱可塑性高分子の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることを特徴とする請求項 17乃至 19のいずれか 1項に記載の方法。

[21] 請求項 16に記載のプリント配線基板を製造する方法であって、

前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含み、さらに、

前記配置する工程の前、配置する工程の後、および固化させる工程の後の少なくとも何れかにおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくともいずれかに導電層を形成する工程を含むことを特徴とする方法。

[22] 請求項 16に記載のプリント配線基板を製造する方法であって、

前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程と、その配向状態を維持したまま、熱可塑性高分子組成物を固化させる工程とを含み

、さらに、

[23] 請求項 16に記載のプリント配線基板を製造する方法であって、

、さらに、前記注入する工程の前、同工程の後、および固化させる工程の後の少なくとも何れかにおいて、該プリント配線基板の表面および内部の少なくともいずれかに導電層を形成する工程を含むことを特徴とする方法。

[24] 前記熱可塑性高分子の分子鎖を第 1の平面と交わる方向に配向させる工程において、熱可塑性高分子の分子鎖の配向が磁場を印加することによって行なわれることを特徴とする請求項 21乃至 23のいずれか 1項に記載の方法。

[25] 高分子と、繊維とから形成される高分子複合成形体であって、該成形体中にお!、て、前記繊維が第 1の平面に沿って配置されており、前記高分子の分子鎖は第 1の平面に交わる方向に配向されており、

配向度 α = (180— Δ ) Ζΐ80· · · (1)

60度までの強度分布における半値幅を表しており、

X 10— ⁶ (/Κ)以下であることを特徴とする高分子複合成形体。