WO2007042676A1 - Procede et dispositif de mesure de hauteurs de motifs - Google Patents

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WO2007042676A1
WO2007042676A1 PCT/FR2006/002296 FR2006002296W WO2007042676A1 WO 2007042676 A1 WO2007042676 A1 WO 2007042676A1 FR 2006002296 W FR2006002296 W FR 2006002296W WO 2007042676 A1 WO2007042676 A1 WO 2007042676A1
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Inventor
Alain Courteville
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Unity Semiconductor SAS
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Unity Semiconductor SAS
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0608—Height gauges

Definitions

  • the present invention relates to a method for measuring pattern heights of an object. It also relates to a device implementing this method.
  • Pattern height measurement is the measurement of the height or heights of one or more patterns. For example, one can measure for a staircase pattern a height per step.
  • the field of the invention is that of the measurement of pattern heights of an object whose surface is structured and reflected light.
  • a more specific and non-limiting example of a field of application among others may be that of lithography and the etching of micro-patterns on silicon wafers.
  • Electro-Mechanical Systems requires the implementation of etching processes to perform deep pattern etching, from a few tens to a few hundred microns deep, especially in silicon, silicon oxide and silicon plates.
  • HI-V compounds such as gallium arsenide, deep plasma etching is one of these processes.
  • Plasma etching involves selectively etching, by means of a gas plasma generated in a partial vacuum, portions of a non-protected plate by a resin or aluminum mask. It is thus possible to obtain with high precision patterns having shape factors (defined as the ratio of the depth of the pattern over the width of said pattern) important and very steep sides.
  • shape factors defined as the ratio of the depth of the pattern over the width of said pattern
  • This determination is complex. Indeed, the etching time required to obtain patterns of the desired shape factors depends, among other things, physico-chemical characteristics of the plasma, and the nature of the plate. In addition, this determination is crucial in that the desired resolution of the depth for this type of etching can be of the order of one micron.
  • the measurement methods based on incremental laser interferometry are generally implemented by devices comprising a Michelson-type interferometer, and comprise a measurement of the phase variation of an interferometric signal due to the variation of the height of the point of contact of a measuring beam on the surface of an object.
  • These measurement methods are difficult to apply to deep plasma etching because they do not strictly include thickness or height measurements, but measurements of relative displacements of the surface of the object relative to the frame of the measuring device. .
  • These measurement methods are therefore sensitive to displacements, vibrations, which can be relatively important in a plasma etching process.
  • the method disclosed by the patent US6580515B1 is based on a measurement of the optical path difference between two beams incident on the surface of an object at two different measurement points, a point that can be located in an intact area of the object and the other point can be located at the bottom of an engraved pattern. Because of the distance between the interferometer and the object, which is usually a few hundred millimeters, and the diffraction of the incident beams, the size of the measurement points is of the order of a few tens of microns, which does not allow the implementation of these methods for the measurement of narrow patterns.
  • Measurement methods based on normal incidence spectroscopic rellipsometry also known as "Optical Critical Dimension (OCD) metrology" make it possible to determine the structure of periodic patterns of an object from the spectral and polarimetric properties of an object. the retro light diffused by the structure, and their use is therefore restricted to periodic patterns. In addition, their efficiency is very dependent on the reasons.
  • OCD Optical Critical Dimension
  • Measurement methods based on low coherence interferometry are generally implemented by a device comprising a Michelson interferometer, illuminated this time by a broad-spectrum optical source. Using wavelengths for which the object is transparent, it is possible to directly measure thicknesses of material by performing in the interferometer the optical correlation of the light backscattered by the upper and lower faces of the object with a reference beam coming from the same source and whose optical path is varied by means of a delay line. When there is an equality of optical paths between the reflection on one of the faces of the plate and the reference beam, a peak of interference is obtained on a detector which makes it possible to locate the interface in this way. The location of two interfaces thus makes it possible to deduce the local thickness of a plate.
  • the object of the invention is to propose a method and a device for measuring the height of patterns of an object, applicable:
  • This object is achieved with a method of measuring pattern heights of an object, comprising:
  • the emitted light may therefore be monochrome or polychrome, and may include, for wavelengths of interest or other wavelengths, other propagation modes than the propagation mode of interest,
  • an illumination, by the light, of the surface of said object, a reflection, by the surface of the object, of the light, a collection of the reflected light characterized in that it further comprises: a division of wavefront of the light reflected into divisional components, by at least one pattern of the illuminated surface, - a filtering of the collected light, and
  • phase differences are representative of differences in operation between the division components, and therefore of differences in the heights of the illuminated pattern or patterns,
  • these wavelengths can be transmitted simultaneously or during a wavelength time scan.
  • these wavelengths may be discontinuous or may form a wavelength continuum over a wavelength range.
  • illumination means focusing or collimation of the emitted light, the beam of light incident on the surface of the object possibly being a beam of parallel light or not.
  • the filtering may comprise a modal filtering eliminating for the wavelengths of interest all modes other than the propagation mode of interest.
  • the propagation mode of interest consists of a fundamental transverse mode (or “transverse electric and magnetic (TEM) mode”) TEM 00 .
  • TEM transverse electric and magnetic
  • Illumination by light may be in normal incidence relative to the surface of the object.
  • the method according to the invention may further comprise a displacement of the illumination on the surface of the object.
  • Light emission can include:
  • modal filtering eliminating, for the wavelengths of interest, all modes other than the propagation mode of interest.
  • the method according to the invention can be realized during an operation of etching patterns on the object.
  • the method according to the invention is indeed achievable during an engraving, in situ, in real time and live.
  • the method according to the invention may furthermore comprise a determination of an end of etching time, for the control and the stoppage of an etching operation, based on the monitoring of the etching evolution of one or more reasons for the object, or for the development of an engraving protocol; the determined etching end time can then be used to perform other etchings under identical experimental conditions without having to measure in situ and in real time pattern heights.
  • a device for measuring the height of patterns of an object implementing a method according to the invention, and comprising: light emitting means, said light comprising a propagation mode of interest for at least one wavelength of interest, light guide means,
  • - Feedback guide means of the collected light characterized in that it further comprises: filtering means of the collected light, and - extraction means, from the filtered light, and for the lengths waveform of interest, phase difference information between components of a wavefront division of the reflected light; these phase differences are representative of differences in operation between the division components, and therefore of differences in the heights of the illuminated pattern or patterns.
  • the filtering means may comprise means for modal filtering of the collected light, eliminating for the wavelengths of interest all the modes other than the propagation mode of interest.
  • the object may consist, among others, of a silicon wafer, silicon oxide, an IH-V compound such as Gallium arsenide, or any other micro or macroscopic object whose surface is structured and reflected light.
  • the device according to the invention may further comprise means for moving the illumination on the surface of the object.
  • the forward and return guidance means may comprise single mode optical fibers.
  • the illumination means and the collection means may be merged, and the device according to the invention may further comprise a coupler, a Y junction or a circulator separating the emitted light and the collected light.
  • the extraction means may comprise a Michelson interferometer.
  • the device according to the invention may furthermore comprise: a camera focused on the object, means for illuminating the object in white light, and
  • the device according to the invention can be coupled to pattern etching means.
  • the device according to the invention can then furthermore comprise means for determining an end of etching time.
  • the etching means may comprise a plasma etching device.
  • the device according to the invention can also be applied to a measurement of step heights between mirrors of a segmented mirror, such as a segmented telescope mirror for example.
  • a measuring device also makes it possible to measure thicknesses in a conventional manner by amplitude division, which makes it possible, in a single measurement, to determine the height of a pattern and the remaining material thickness.
  • FIG. 1 illustrates the principle of a method for measuring pattern heights according to the invention
  • FIG. 2 illustrates a measuring device according to the invention
  • FIG. 3 illustrates an application of a measuring device according to FIG. invention to plasma etching.
  • the object on which are etched patterns may for example consist of a silicon wafer.
  • this object can consist of any object having a structured surface and reflecting light.
  • Such a method is based on a direct measurement of heights of at least one pattern by wavefront division and modal filtering of an optical beam reflected by the pattern.
  • a mono or polychromatic light beam is emitted.
  • the light comprises, for at least one wavelength of interest, a propagation mode of interest. This beam is guided and then focused or collimated on a surface of an object 14 carrying at least one engraved pattern on its surface.
  • the light beam incident on the surface of the object comprises a single fundamental transverse mode TEM 00 , for a continuous range of wavelengths of infrared interest.
  • the wavefront incident on the surface of the object is plane and parallel to the surface.
  • the size of the focusing point at the surface, limited by diffraction, is typically a few tens of microns.
  • the method then comprises a reflection of the incident light 4 by the upper surface 18 of the object.
  • the reflection comprises a division of the wavefront of the light, depending on the depth where reflection occurs locally.
  • the reflected light 7 is composed of several division components, plane wave fronts, which can be considered as waves with phase differences proportional to the distance differences traveled before reflection.
  • a low zone 19 and a high zone 20 of the upper surface 18 of the object are at the origin of two divisional components 16 and 17 reflected light. These two components have a phase difference that increases with the height of the pattern. If the object includes an interface 23 under the pattern 5, additional reflection 22 due to the interface may occur.
  • the reflected light is then collected.
  • the method then comprises a modal filtering and a return guidance of the collected light.
  • Modal filtering removes from the collected light, for the wavelengths of interest, all modes other than the propagation mode of interest.
  • the method then comprises, from the filtered light, an extraction of phase difference information between the different division components at the wavelengths of interest.
  • the object may consist, inter alia, of a silicon wafer, of silicon oxide or of a III-V compound such as gallium arsenide, said plate comprising, on its surface, lithographically etched micropatterns.
  • the object may also consist of a segmented mirror, telescope for example, consisting of a plurality of mirrors arranged side by side.
  • the mirrors In order for the segmented mirror surface to be perfect, the mirrors must have substantially zero differences in height at their junctions. A slight difference in height at a junction between two mirrors of the segmented mirror results in a small step, whose height is measurable by the method according to the invention.
  • the field of the invention is generally the measurement of pattern heights of an object whose surface is structured and reflected light.
  • the measuring device comprises light emitting means 1 which emit a polychromatic light.
  • the transmission means comprise a superluminescent diode emitting in the infrared a continuum of wavelengths of about thirty nanometers in width.
  • the source is coupled to means 2 for guiding light of the optical fiber or waveguide type, or equivalent allowing only the propagation of the propagation mode of interest for the wavelengths of interest emitted by the source .
  • Illumination means 3 such as collimation optics enable the incident light beam 4 to be focused on a pattern 5 whose height or heights are to be measured, said pattern being etched on the surface of an object 14.
  • the optics collimation is adjusted so that the plane of the end 21 of the guide means 2 go and the surface 18 of the object are conjugated, or in other words images of each other by the optics of collimation.
  • the wavefront incident on the surface of the object is plane.
  • the light reflected from the surface is composed of different components, flat wavefront and with phase differences. These reflected waves are coupled by collection means 6 (such as collection optics) in return guide means 8.
  • the return guide means consist of a waveguide of equivalent nature to the forward guidance means. Each component will generate electromagnetic coupling in the guide wave in the propagation mode of interest (the only possible) that will retain only the average phase of the collected wave.
  • the return guide means play a role of modal filtering means and allow to reject the high frequencies of the collected wave to keep only the phase information that interests us.
  • the collected and filtered light is then directed to extraction means, for the wavelengths of interest and the propagation mode of interest, of phase difference information between the division components.
  • the extraction means comprise an optical correlator 10, which is typically but not limited to a Michelson interferometer with a fixed-length reflector arm 11, and a variable-length arm 12 (also called a delay line) based on a mirror mobile.
  • the resulting interference signal is detected by a detector 13.
  • a detector 13 When reproducing between the two arms of the Michelson an optical delay equivalent to that existing between divisional components resulting from partial reflections, a maximum of amplitude is obtained on the detector. in the interferogram envelope, or interference peak, for a position of the delay line corresponding to the difference in height of the surfaces having generated the partial reflections.
  • the focusing point covers a pattern in operation as illustrated in FIG. 1, a peak is detected on the interference signal for a position of the delay line corresponding to the height of the step.
  • the pattern covered consists of two steps following each other, three peaks are detected on the interference signal, for positions of the delay line corresponding to the height of one of the two steps or the total march. In other words, three divisional
  • the entire system of forward and return guidance of the light is made of monomode optical fibers, which at the same time function as almost perfect modal filters, allowing only the propagation of the transverse fundamental mode TEM 0O .
  • the incident beam arrives at normal incidence on the object, and the illumination and collection means may be merged, in which case the incident and reflected beams are separated by a coupler, a Y junction or a circulator 9.
  • a measuring device can be mounted directly on an etching device for measurements "in situ" during an etching operation.
  • FIG. 3 illustrates an application of a measuring device according to the invention to plasma etching.
  • the measuring device includes everything first a portion 24, comprising a portion identical to the device illustrated in Figure 2 and further comprising: a camera with associated lighting means for imaging in white light a measurement area, and - means of emission of a visible laser pointing beam, in the case where the measurements by interferometry use a non-visible wavelength of interest, for example infrared; this visible laser beam makes it possible to point and visualize the exact location of the measurement with the camera.
  • the measuring device illustrated in Figure 3 further comprises; displacement means 15 of the portion 24 comprising the illumination means, relative to the object 14; these displacement means can be motorized or not, on two or three axes, and can move the measuring point of the incident light 4 accurately on the surface of the object, and
  • these analysis means may comprise software means for analyzing measurements, and means for viewing data measured or analyzed.
  • the measuring device is coupled to etching means such as a plasma etching device comprising:
  • a hermetic enclosure containing the object and a gas that can be ionized in the form of a plasma
  • means 27 for creating a plasma generally comprising an electric source.
  • a mask of resin or aluminum 28 plated on the object allows a selective attack of unprotected portions of the surface of the object, by means of the gas plasma generated in the enclosure.
  • the analysis means 26 make it possible, from a time monitoring of the measurements of the height of the patterns and possibly the thickness of the remaining material, to determine an end time of the etching according to several possible criteria:
  • the thickness measurement may be that of a layer in the case where the object is a set of multilayer plates.
  • the determined etching end time can then be used to perform other etchings under identical experimental conditions without having to measure in situ and in real time pattern heights.
  • a measuring device according to the invention can be applied to any structured object reflecting light, and to other types of etching than plasma etching.

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Abstract

La présente invention concerne un procédé de mesure de hauteurs de motifs d'un objet. De la lumière incidente (4) comprenant un mode de propagation d'intérêt pour au moins une longueur d'onde d'intérêt, est réfléchie par une surface (18) d'un objet (14). La réflexion comprend une division de front d'onde de la lumière par au moins un motif (5), en composantes de division (16, 17). Le procédé comprend alors une collection de la lumière réfléchie (7), suivie d'un filtrage de la lumière collectée. On extrait ensuite de la lumière filtrée, pour les longueurs d'onde d'intérêt, des informations de différences de phase entre les composantes de division. Un tel procédé permet la mesure de hauteurs de motifs sur un objet dont la surface est structurée et réfléchie la lumière, notamment les motifs sur un wafer de silicium. Un tel procédé de mesure permet le suivi in situ et en temps réel d'une gravure de motifs, par exemple au cours d'une gravure profonde par plasma. L'invention concerne aussi un dispositif mettant en oevre ce procédé.

Description

«Procédé et dispositif de mesure de hauteurs de motifs»
Domaine technique
La présente invention concerne un procédé de mesure de hauteurs de motifs d'un objet. Elle concerne également un dispositif mettant en œuvre ce procédé. On entend par mesure de hauteurs de motifs la mesure de la ou des hauteurs d'un ou plusieurs motifs. Par exemple, on peut mesurer pour un motif en marches d'escalier une hauteur par marche.
Le~ domaine de l'invention est celui de la mesure de hauteurs de motifs d'un objet dont la surface est structurée et réfléchie la lumière. Un exemple plus précis et nullement limitatif de domaine d'application parmi d'autres peut être celui de la lithographie et de la gravure de micros motifs sur des plaques de silicium.
Etat de Ea technique antérieure Le développement des microsystèmes (ou MEMS , pour " Micro-
Electro-Mechanical Systems") nécessite la mise en œuvre de procédés de gravure permettant d'effectuer des gravures de motifs profonds, de quelques dizaines à quelques centaines de microns de profondeur, notamment dans des plaques de silicium, d'oxyde de silicium et de composés HI-V tel que l'Arséniure de Gallium. La gravure profonde par plasma fait partie de ces procédés.
La gravure par plasma consiste à effectuer une attaque sélective, au moyen d'un plasma de gaz généré dans un vide partiel, des parties d'une plaque non protégée par un masque de résine ou d'aluminium. On peut ainsi obtenir avec une grande précision des motifs présentant des facteurs de forme (définis comme le rapport de la profondeur du motif sur la largeur dudit motif) importants et des flancs très raides. Toutefois, un certain nombre de problèmes se pose pour ce type de gravure, dont la détermination de la fin de l'attaque, ou en d'autres termes la détermination de l'instant où les motifs ont atteint leur profondeur requise. Cette détermination est complexe. En effet, le temps de gravure nécessaire pour obtenir des motifs aux facteurs de forme souhaités dépend, entre autres, des caractéristiques physico-chimiques du plasma, et de la nature de la plaque. De plus, cette détermination est cruciale en ce que la résolution souhaitée de la profondeur pour ce type de gravure peut être de l'ordre du micron. Certains procédés de mesure de hauteurs de motifs existent, mais ne donnent pas entièrement satisfaction. Parmi eux, on peut citer:
- les procédés de mesure à base d'interférométrie laser incrémentale, - les procédés de mesure basés sur de l'ellipsométrie spectroscopique en incidence normale, et
- les procédés de mesure basés sur de l'interférométrie à faible cohérence et sur une division d'amplitude due à des réflexions partielles sur des interfaces successives. Les procédés de mesure à base d'interférométrie laser incrémentale, sont mis en œuvre en général par des dispositifs comprenant un interféromètre de type Michelson, et comprennent une mesure de la variation de phase d'un signal interférométrique due à la variation de la hauteur du point de contact d'un faisceau de mesure sur la surface d'un objet. Ces procédés de mesure sont difficilement applicables à la gravure profonde plasma car ils ne comprennent pas à proprement parler des mesures d'épaisseurs ou de hauteurs, mais des mesures de déplacements relatifs de la surface de l'objet par rapport au bâti du dispositif de mesure. Ces procédés de mesure sont donc sensibles aux déplacements, vibrations, qui peuvent être relativement importants dans un procédé de gravure plasma. Ainsi, le procédé divulgué par le brevet US6580515B1 est basé sur une mesure de la différence de trajet optique entre deux faisceaux incidents sur la surface d'un objet en deux points de mesure distincts, un point pouvant être situé dans une zone intacte de l'objet et l'autre point pouvant être situé au fond d'un motif gravé. Du fait d'une part de la distance entre l' interféromètre et l'objet, qui fait usuellement quelques centaines de millimètres, et d'autre part de la diffraction des faisceaux incidents, la taille des points de mesure est de l'ordre de quelques dizaines de microns, ce qui ne permet pas la mise en œuvre de ces procédés pour la mesure de motifs étroits. Les procédés de mesure basés sur de rellipsométrie spectroscopique en incidence normale, connue aussi sous le nom d' "Optical Critical Dimension (OCD) metrology", permettent de déterminer la structure de motifs périodiques d'un objet à partir des propriétés spectrales et polarimétriques de la lumière rétro diffusée par la structure, et leur utilisation est donc restreinte à des motifs périodiques. De plus, leur efficacité est très dépendante des motifs. Un tel procédé de mesure est par exemple divulgué dans le brevet WO 02/15238A2.
Les procédés de mesure basés sur de l'interférométrie à faible cohérence sont en général mis en œuvre par un dispositif comprenant un interféromètre de Michelson, illuminé cette fois par une source optique à spectre large. En utilisant des longueurs d'ondes pour lesquelles l'objet est transparent, il est possible de mesurer directement des épaisseurs de matière en effectuant dans l'interféromètre la corrélation optique de la lumière rétrodiffusée par les faces supérieures et inférieures de l'objet avec un faisceau de référence issu d'une même source et dont on fait varier le trajet optique au moyen d'une ligne à retard. Lorsque l'on a une égalité de chemins optiques entre la réflexion sur une des faces de la plaque et le faisceau de référence, on obtient sur un détecteur un pic d'interférences qui permet de localiser ainsi l'interface. La localisation de deux interfaces permet ainsi de déduire l'épaisseur locale d'une plaque. Ces procédés sont donc basés sur une division d'amplitude due à des réflexions partielles sur des interfaces successives. La mise en oeuvre générale de ce type de procédé est notoirement connue de longue date, et on peut en trouver un exemple appliqué à la problématique de la gravure chimique dans le brevet EP 1 296 367Al.
Le but de l'invention est de proposer un procédé et un dispositif de mesure de hauteurs de motifs d'un objet, applicable :
- à des motifs étroits ou larges, - à des motifs périodiques ou non périodiques/ in situ, en direct et en temps réel, par exemple au cours d'une gravure, et
- sur des objets ne comprenant pas nécessairement plusieurs interfaces optiques. Exposé de l'invention
Cet objectif est atteint avec un procédé de mesure de hauteurs de motifs d'un objet, comprenant :
- une émission de lumière, ladite lumière comprenant un mode de propagation d'intérêt pour au moins une longueur d'onde d'intérêt, la lumière émise pouvant donc être monochrome ou polychrome, et pouvant comprendre, pour les longueurs d'onde d'intérêt ou d'autres longueurs d'onde, d'autres modes de propagation que le mode de propagation d'intérêt,
- une illumination, par la lumière, de la surface dudit objet, - une réflexion, par la surface de l'objet, de la lumière, une collection de la lumière réfléchie, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : une division de front d'onde de la lumière réfléchie en composantes de division, par au moins un motif de la surface illuminée, - un filtrage de la lumière collectée, et
- à partir de la lumière filtrée, et pour les longueurs d'onde d'intérêt, une extraction d'informations de différences de phase entre les composantes de division ; ces différences de phase sont représentatives de différences de marche entre les composantes de division, et donc de différences entre des hauteurs du ou des motifs illuminés,
Dans le cas d'une émission d'une pluralité de longueurs d'onde d'intérêt, ces longueurs d'onde peuvent être émises simultanément ou au cours d'un balayage temporel en longueur d'onde. De plus, ces longueurs d'onde peuvent être discontinues ou peuvent former un continuum de longueur d'onde sur un intervalle de longueur d'onde.
On entend par illumination par exemple une focalisation ou une collimation de la lumière émise, le faisceau de lumière incident à la surface de l'objet pouvant être un faisceau de lumière parallèle ou non.
Le filtrage peut comprendre un filtrage modal supprimant pour les longueurs d'onde d'intérêt tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt.
De manière préférentielle, le mode de propagation d'intérêt consiste en un mode transverse (ou "transverse electric and magnetic (TEM) mode") fondamental TEM00.
L'illumination par la lumière peut être en incidence normale par rapport à la surface de l'objet.
Le procédé selon l'invention peut comprendre en outre un déplacement de l'illumination sur la surface de l'objet. L'émission de lumière peut comprendre :
- une émission d'une pluralité de modes de propagation pour une pluralité de longueurs d'ondes, et
- un filtrage modal supprimant pour les longueurs d'onde d'intérêt tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt.
Le procédé selon l'invention peut être réalisé au cours d'une opération de gravure de motifs sur l'objet. Le procédé selon l'invention est en effet réalisable au cours d'une gravure, in situ, en temps réel et en direct.
Le procédé selon l'invention peut comprendre en outre une détermination d'un temps de fin de gravure, pour le contrôle et l'arrêt d'une opération de gravure, à partir du suivi de l'évolution de gravure d'un ou plusieurs motifs de l'objet, ou pour la mise au point d'un protocole de gravure; le temps de fin de gravure déterminé peut alors servir à réaliser d'autres gravures dans des conditions expérimentales identiques sans avoir à mesurer in situ et en temps réel des hauteurs de motifs.
Suivant encore un autre aspect de l'invention, il est proposé un dispositif de mesure de hauteurs de motifs d'un objet, mettant en œuvre un procédé selon l'invention, et comprenant : - des moyens d'émission de lumière, ladite lumière comprenant un mode de propagation d'intérêt pour au moins une longueur d'onde d'intérêt, des moyens de guidage aller de la lumière,
- des moyens d'illumination, par la lumière, de la surface dudit objet réfléchissant la lumière, des moyens de collection de la lumière réfléchie,
- des moyens de guidage retour de la lumière collectée, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : des moyens de filtrage de la lumière collectée, et - des moyens de d'extraction, à partir de la lumière filtrée, et pour les longueurs d'onde d'intérêt, d'informations de différences de phase entre des composantes d'une division de front d'onde de la lumière réfléchie; ces différences de phase sont représentatives de différences de marche entre les composantes de division, et donc de différences entre des hauteurs du ou des motifs illuminés. Les moyens de filtrage peuvent comprendre des moyens de filtrage modal de la lumière collectée, supprimant pour les longueurs d'onde d'intérêt tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt.
L'objet peut consister, entre autres, en une plaque de silicium, d'oxyde de silicium, d'un composé IH-V tel que l'Arséniure de Gallium, ou en tout autre objet micro ou macroscopique dont la surface est structurée et réfléchie ia lumière.
Le dispositif selon l'invention peut comprendre en outre des moyens de déplacement de l'illumination sur la surface de l'objet. Les moyens de guidage aller et retour peuvent comprendre des fibres optiques monomodes.
Les moyens d'illumination et les moyens de collection peuvent être confondus, et le dispositif selon l'invention peut comprendre en outre un coupleur, une jonction Y ou un circulateur séparant la lumière émise et la lumière collectée.
Les moyens d'extraction peuvent comprendre un interféromètre de Michelson.
Le dispositif selon l'invention peut comprendre en outre : une caméra focalisée sur l'objet, - des moyens d'éclairage en lumière blanche de l'objet, et
- des moyens d'émission d'un faisceau laser de pointage de zone de mesure, émettant dans le visible.
Dans une forme de réalisation, le dispositif selon l'invention peut être couplé à des moyens de gravure de motifs. Le dispositif selon l'invention peut alors comprendre en outre des moyens de détermination d'un temps de fin de gravure. Les moyens de gravure peuvent comprendre un dispositif de gravure plasma.
Le dispositif selon l'invention peut aussi être appliqué à une mesure de hauteurs de marches entre des miroirs d'un miroir segmenté, comme un miroir segmenté de télescope par exemple.
L'originalité de cette méthode, par comparaison à l'interférométrie à faible cohérence classique réside dans le fait que l'on exploite la division et le codage du front d'onde par au moins un motif, que l'on recode ensuite en retard optique pur par le biais d'un filtrage, et non pas une division d'amplitude due à des réflexions partielles sur des interfaces successives, comme c'est le cas de manière classique. Une conséquence importante de cela est que la mesure de hauteurs devient possible pour des motifs dont la taille est inférieure à la largeur du faisceau incident, ce qui est toujours le cas à cause de Ia diffraction lorsqu'une optique focalisant ou collimatant la lumière sur l'objet est à plusieurs centaines de millimètres de l'objet. Ainsi donc c'est précisément cette originalité qui rend la méthode particulièrement intéressante pour le contrôle de gravure dans un dispositif de gravure par plasma, du fait de la structure des machines qui interdit toute mesure è courte distance.
Il est à noter d'ailleurs qu'un dispositif de mesure seion l'invention permet également de faire des mesures d'épaisseur de manière classique par division d'amplitude, ce qui permet, en une seule mesure, de déterminer la hauteur d'un motif et l'épaisseur de matière restante. Description des figures et modes de réalisation
D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de mises en œuvre nullement limitatives, et des dessins annexés suivants :
- la figure 1 illustre le principe d'un procédé de mesure de hauteurs de motifs selon l'invention, la figure 2 illustre un dispositif de mesure selon l'invention, et la figure 3 illustre une application d'un dispositif de mesure selon l'invention à la gravure plasma.
On va tout d'abord décrire, en référence à la figure 1, le principe d'un procédé de mesure de hauteurs de motifs selon l'invention. L'objet sur lequel sont gravés des motifs peut par exemple consister en une plaque de silicium. De manière générale, cet objet peut consister en n'importe quel objet ayant une surface structurée et réfléchissant la lumière. Un tel procédé est basé sur une mesure directe de hauteurs d'au moins un motif par division de front d'onde et filtrage modal d'un faisceau optique réfléchi par le motif. Un faisceau de lumière mono ou polychromatique est émis. La lumière comprend pour au moins une longueur d'onde d'intérêt un mode de propagation d'intérêt. Ce faisceau est guidé puis focalisé ou collimaté sur une surface d'un objet 14 porteur d'au moins un motif 5 gravé à sa surface. De manière préférentielle, le faisceau de lumière incident à la surface de l'objet comprend un unique mode transverse fondamental TEM00, pour un intervalle continu de longueurs d'onde d'intérêt infra rouge. Toujours de manière préférentielle, le front d'onde incident à la surface de l'objet est plan et parallèle à la surface. La taille du "point" de focalisation à la surface, limitée par la diffraction, est typiquement de quelques dizaines de microns.
Le procédé comprend ensuite une réflexion de la lumière incidente 4 par la surface supérieure 18 de l'objet. Si le point de focalisation recouvre un motif 5, la réflexion comprend une division du front d'onde de la lumière, en fonction de la profondeur où se produit localement la réflexion. Ainsi le lumière réfléchie 7 est constituée de plusieurs composantes de division, de fronts d'ondes plans, et qui peuvent être considérées comme autant d'ondes avec des différences de phase proportionnelles aux différences de distance parcourue avant réflexion. Dans le cas simple illustré sur la figure 1, ou le motif 5 est une simple marche, une zone basse 19 et une zone haute 20 de la surface supérieure 18 de l'objet sont à l'origine de deux composantes de division 16 et 17 de la lumière réfléchie. Ces deux composantes ont une différence de phase qui augmente avec la hauteur du motif. Si l'objet comprend une interface 23 sous le motif 5, une réflexion supplémentaire 22 due à l'interface peut apparaître.
La lumière réfléchie est ensuite collectée. Le procédé comprend alors un filtrage modal et un guidage retour de la lumière collectée. Le filtrage modal supprime de la lumière collectée, pour les longueurs d'onde d'intérêt, tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt. Le procédé comprend alors, à partir de la lumière filtrée, une extraction d'informations de différences de phase entre les différentes composantes de division, aux longueurs d'onde d'intérêt.
L'objet peut consister, entre autres, en une plaque de silicium, d'oxyde de silicium ou d'un composé III-V tel que PArséniure de Gallium, ladite plaque comprenant à sa surface des micromotifs gravés par lithographie.
L'objet peut aussi consister en un miroir segmenté, de télescope par exemple, constitué d'une pluralité de miroirs disposés côte à côte. Pour que la surface du miroir segmenté soit parfaite, les miroirs doivent avoir des différences de hauteurs sensiblement nulles au niveau de leurs jonctions. Une légère différence de hauteur au niveau d'une jonction entre deux miroirs du miroir segmenté se traduit par une petite marche, dont la hauteur est mesurable par le procédé selon l'invention. Ainsi, le domaine de l'invention est de manière générale la mesure de hauteurs de motifs d'un objet dont la surface est structurée et réfléchie la lumière.
Nous allons maintenant décrire, en référence à la figure 2, un exemple de dispositif de mesure selon l'invention. Le dispositif de mesure comprend des moyens d'émission 1 de lumière qui émettent une lumière poiychromatique. De manière préférentielle, les moyens d'émission comprennent une diode superluminescente émettant dans l'infra rouge un continuum de longueurs d'onde d'une trentaine de nanomètres de largeur. La source est couplée à des moyens de guidage aller 2 de la lumière de type fibre optique ou guide d'onde, ou équivalent ne permettant que la propagation du mode de propagation d'intérêtpour les longueurs d'onde d'intérêt émises par la source. Des moyens d'illumination 3 comme une optique de collimation permettent de focaliser le faisceau de lumière incidente 4 sur un motif 5 dont on cherche à mesurer la ou les hauteurs, ledit motif étant gravé à la surface d'un objet 14. L'optique de collimation est ajustée de telle sorte que le plan de l'extrémité 21 des moyens de guidage aller 2 et la surface 18 de l'objet sont conjugués, ou en d'autres termes images l'un de l'autre par l'optique de collimation. Dans ce cas, le front d'onde incident à la surface de l'objet est plan.
Comme il a été décrit précédemment, la lumière réfléchie 7 par la surface est constituée de différentes composantes, de fronts d'ondes plans et avec des différences de phase. Ces ondes réfléchies sont couplées par des moyens de collection 6 (comme une optique de collection) dans des moyens de guidage retour 8. Les moyens de guidage retour consistent en un guide d'onde de nature équivalente aux moyens de guidage aller. Chaque composante va générer par couplage électromagnétique dans le guide une onde dans le mode de propagation d'intérêt (le seul possible) qui va ne conserver que la phase moyenne de l'onde collectée. Ainsi les moyens de guidage retour jouent un rôle de moyens de filtrage modal et permettent de rejeter les hautes fréquences de l'onde collectée pour ne conserver que l'information de phase qui nous intéresse. La lumière collectée et filtrée est ensuite dirigée vers des moyens de d'extraction, pour les longueurs d'onde d'intérêt et le mode de propagation d'intérêt, d'informations de différences de phase entre les composantes de division. Les moyens d'extraction comprennent un corrélateur optique 10, qui est typiquement mais de manière non limitative un interféromètre de Michelson avec un bras réflecteur de longueur fixe 11, et un bras de longueur variable 12 (aussi appelé ligne à retard) basé sur un miroir mobile. Le signal d'interférences résultant est détecté par un détecteur 13. Lorsqu'on reproduit entre les deux bras du Michelson un retard optique équivalent à celui existant entre des composantes de division issues de réflexions partielles, on obtient sur le détecteur un maximum d'amplitude dans l'enveloppe de l'interférogramme, ou pic d'interférences, pour une position de la ligne à retard correspondant à la différence de hauteur des surfaces ayant engendré les réflexions partielles. Si le point de focalisation recouvre un motif en marche comme illustré sur la figure 1, on détecte sur le signai d'interférences un pic, pour une position de la ligne à retard correspondant à la hauteur de la marche. Si le motif recouvert consiste en deux marches à la suite l'une de l'autre, on détecte sur le signal d'interférences trois pics, pour des positions de la ligne à retard correspondant à la hauteur d'une des deux marches ou de la marche totale. Autrement dit, on détecte trois composantes de division avec des différences de phase.
Selon un mode de réalisation préférentiel, tout le système de guidage aller et retour de la lumière est réalisé en fibres optiques monomodes, qui font en même temps office de filtres modaux quasiment parfaits, ne permettant que la propagation du mode fondamental transverse TEM0O.
Toujours selon un mode de réalisation préférentiel, le faisceau incident arrive en incidence normale sur l'objet, et les moyens d'illumination et de collection peuvent être confondus, auquel cas les faisceaux incidents et réfléchis sont séparés par un coupleur, une jonction Y ou un circulateur 9.
Un dispositif de mesure selon l'invention peur être monté directement sur un dispositif de gravure pour des mesures "in situ" au cours d'une opération de gravure. La figure 3 illustre une application d'un dispositif de mesure selon l'invention à la gravure plasma. Le dispositif de mesure comprend tout d'abord une partie 24, comprenant une partie identique au dispositif illustré sur la figure 2 et comprenant en outre : une caméra avec des moyens d'éclairage associés permettant d'imager en lumière blanche une zone de mesure, et - des moyens d'émission d'un faisceau laser visible de pointage, dans le cas où les mesures par interférométrie utilisent une longueur d'onde d'intérêt non visible, par exemple infrarouge; ce faisceau laser visible permet de pointer et visualiser l'endroit exact de la mesure avec la caméra. Le dispositif de mesure illustré sur la figure 3 comprend en outre ; des moyens de déplacement 15 de la partie 24 comprenant les moyens d'illumination, relativement à l'objet 14 ; ces moyens de déplacement peuvent être motorisés ou non, sur deux ou trois axes, et permettent de déplacer le point de mesure de la lumière incidente 4 avec précision sur la surface de l'objet, et
- des moyens 26 d'analyse de mesures ; ces moyens d'analyse peuvent comprendre des moyens logiciel d'analyse de mesures, et des moyens de visualisation de données mesurées ou analysées.
Le dispositif de mesure est couplé à des moyens de gravure comme un dispositif de gravure plasma comprenant :
- une enceinte hermétique 25 contenant l'objet et un gaz pouvant être ionisé sous forme d'un plasma, et
- des moyens de création 27 d'un plasma, comprenant en général une source électrique.
Un masque de résine ou d'aluminium 28 plaqué sur l'objet permet une attaque sélective des parties non protégées de la surface de l'objet, au moyen du plasma de gaz généré dans l'enceinte.
Les moyens d'analyse 26 permettent, à partir d'un suivi temporel des mesures de hauteurs de motifs et éventuellement d'épaisseur de matière restante, une détermination d'un temps de fin de la gravure selon plusieurs critères possibles :
- mesure en temps réel de la profondeur de gravure d'un motif 5 et arrêt de la gravure sur une consigne de profondeur. - mesure de l'épaisseur initiale à graver et de l'épaisseur restante de gravure et arrêt de la gravure sur une consigne d'épaisseur restante. La mesure d'épaisseur peut être celle d'une couche dans le cas où l'objet est un ensemble de plaques multicouches.
Les applications d'un tel dispositif sont de manière non limitative :
- le contrôle et l'arrêt d'une opération de gravure, à partir du suivi de l'évolution d'un ou plusieurs motifs de l'objet,
- la mise au point d'un protocole de gravure ; le temps de fin de gravure déterminé peut alors servir à réaliser d'autres gravures dans des conditions expérimentales identiques sans avoir à mesurer in situ et en temps réel des hauteurs de motifs.
Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. Un dispositif de mesure selon l'invention peut être appliqué à n'importe quel objet structuré réfléchissant la lumière, et à d'autres types de gravure que la gravure plasma.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de mesure de hauteurs de motifs d'un objet, comprenant :
- une émission de lumière, ladite lumière comprenant un mode de propagation d'intérêt pour au moins une longueur d'onde d'intérêt, une illumination, par la lumière (4), de la surface (18) dudit objet
(14), une réflexion, par la surface de l'objet, de la lumière (4), une collection de la lumière réfléchie (7), caractérisé en ce qu'il comprend en outre : une division de front d'onde de la lumière réfléchie en composantes de division (16, 17), par au moins un motif de la surface illuminée, un filtrage de la lumière collectée, comprenant un filtrage modal supprimant pour les longueurs d'onde d'intérêt tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt, et
- à partir de la lumière filtrée, et pour les longueurs d'onde d'intérêt, une extraction d'informations de différences de phase entre les composantes de division.
2. Procédé de mesure selon Ia revendication 1, caractérisé en ce que le mode de propagation d'intérêt consiste en un mode transverse fondamental TEM0O-
3. Procédé de mesure selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'illumination par la lumière est en incidence normale par rapport à la surface de l'objet.
4. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un déplacement de l'illumination sur la -surface de l'objet.
5. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'émission de lumière comprend :
- une émission d'une pluralité de modes de propagation pour une pluralité de longueurs d'ondes, et - un filtrage modal supprimant pour les longueurs d'onde d'intérêt tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt.
6. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est réalisé au cours d'une opération de gravure de motifs sur l'objet.
7. Procédé de mesure selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une détermination d'un temps de fin de gravure.
8. Dispositif de mesure de hauteurs de motifs d'un objet, mettant en oeuvre le procédé selon l'une des revendications précédentes, et comprenant :
- des moyens d'émission (1) de lumière, ladite lumière comprenant un mode de propagation d'intérêt pour au moins une longueur d'onde d'intérêt, des moyens de guidage aller (2) de la lumière, des moyens d'illumination (3), par la lumière, de la surface dudit objet (14) réfléchissant la lumière, - des moyens de collection (6) de la lumière réfléchie (7), des moyens de guidage retour (8) de la lumière collectée, caractérisé en ce qu'il comprend en outre :
- des moyens de filtrage de la lumière collectée, comprenant des moyens de filtrage modal (8) de la lumière collectée supprimant pour les longueurs d'onde d'intérêt tous les modes autres que le mode de propagation d'intérêt,
- des moyens d'extraction (10, 11, 12, 13), à partir de la lumière filtrée, et pour les longueurs d'onde d'intérêt, d'informations de différences de phase entre des composantes d'une division de front d'onde de la lumière réfléchie.
9. Dispositif de mesure selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de déplacement (15) de l'illumination sur la surface de l'objet.
10. Dispositif de mesure selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que les moyens de guidage aller (2) et retour (8) comprennent des fibres optiques monomodes.
11. Dispositif de mesure selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que les moyens d'illumination (3) et les moyens de collection (6) sont confondus, et en ce qu'il comprend en outre un coupleur, une jonction Y ou un circulateur (9) séparant la lumière émise et la lumière collectée.
12. Dispositif de mesure selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que les moyens d'extraction comprennent un interféromètre de Michelson.
13. Dispositif de mesure selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : une caméra focalisée sur l'objet, des moyens d'éclairage en lumière blanche de l'objet, et - des moyens d'émission d'un faisceau laser de pointage de zone de mesure, émettant dans le visible.
14. Dispositif de mesure selon l'une des revendications 8 à 13, caractérisé en ce qu'il est couplé à des moyens de gravure (25, 27, 28) de motifs.
15. Dispositif de mesure selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de détermination (26) d'un temps de fin de gravure.
Iβ. Dispositif de mesure selon l'une des revendications 14 à 15, caractérisé en ce que les moyens de gravure comprennent un dispositif de gravure plasma.
17. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 16, caractérisé en ce qu'il est appliqué à une mesure de hauteurs de marches entre des miroirs d'un miroir segmenté.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4279862A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-22 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation combinée de structures gravées dans un substrat
EP4279860A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-22 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation de structures à travers un substrat
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2892188B1 (fr) * 2005-10-14 2007-12-28 Nanotec Solution Soc Civ Ile Procede et dispositif de mesure de hauteurs de motifs
FR2959305B1 (fr) 2010-04-26 2014-09-05 Nanotec Solution Dispositif optique et procede d'inspection d'objets structures.
WO2012061163A2 (fr) * 2010-10-25 2012-05-10 Nikon Corporation Appareil, ensemble optique, procédé pour l'inspection ou la mesure d'un objet et procédé pour la fabrication d'une structure
TWI441271B (zh) 2011-01-31 2014-06-11 財團法人工業技術研究院 量測矽通孔結構之系統、方法與電腦可讀取記錄媒體
JP6190168B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-30 キヤノン株式会社 合焦方法、合焦装置、露光方法、およびデバイス製造方法
TWI600876B (zh) 2015-11-23 2017-10-01 財團法人工業技術研究院 量測系統
JP2019168328A (ja) 2018-03-23 2019-10-03 株式会社東芝 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法
US20260009637A1 (en) * 2022-11-13 2026-01-08 Nova Ltd. Coherent spectroscopy for tsv
EP4513134A1 (fr) * 2023-08-21 2025-02-26 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation de structures à travers un substrat
CN120426860B (zh) * 2025-07-07 2025-08-29 上海车仪田科技有限公司 一种双光束激光干涉检测装置及检测方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4358201A (en) * 1979-06-22 1982-11-09 International Business Machines Corporation Interferometric measurement apparatus and method having increased measuring range
US4770532A (en) * 1986-03-13 1988-09-13 Hitachi, Ltd. Equipment for optically measuring the height of step
US5581345A (en) * 1990-12-03 1996-12-03 Nikon Corporation Confocal laser scanning mode interference contrast microscope, and method of measuring minute step height and apparatus with said microscope

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08122026A (ja) * 1994-10-20 1996-05-17 Nikon Corp 微小段差測定方法
JP4486217B2 (ja) 2000-05-01 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
EP1309875A2 (fr) 2000-08-11 2003-05-14 Therma-Wave, Inc. Systeme optique de metrologie de dimensions critiques integre a un outil de traitement de plaquettes de semi-conducteur
JP4409744B2 (ja) * 2000-10-20 2010-02-03 ライトロン株式会社 エッチング工程の進行状況表示方法およびエッチング工程モニタ装置
US6580515B1 (en) 2001-05-29 2003-06-17 Nanometrics Incorporated Surface profiling using a differential interferometer
JP4208069B2 (ja) * 2003-03-26 2009-01-14 住友大阪セメント株式会社 屈折率及び厚さの測定装置ならびに測定方法
JP4500510B2 (ja) * 2003-06-05 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 エッチング量検出方法，エッチング方法，およびエッチング装置
JP3908726B2 (ja) * 2003-12-05 2007-04-25 韓国科学技術院 音響光学変調フィルターを用いた透明薄膜の３次元形状測定装置
JP2005189069A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp 表面形状測定方法及び表面形状測定装置
FR2892188B1 (fr) * 2005-10-14 2007-12-28 Nanotec Solution Soc Civ Ile Procede et dispositif de mesure de hauteurs de motifs

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4358201A (en) * 1979-06-22 1982-11-09 International Business Machines Corporation Interferometric measurement apparatus and method having increased measuring range
US4770532A (en) * 1986-03-13 1988-09-13 Hitachi, Ltd. Equipment for optically measuring the height of step
US5581345A (en) * 1990-12-03 1996-12-03 Nikon Corporation Confocal laser scanning mode interference contrast microscope, and method of measuring minute step height and apparatus with said microscope

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
OOKI H ET AL: "LASER SCANNING MODE INTERFERENCE CONTRAST MICROSCOPE AND ITS APPLICATION TO STEP HEIGHT MEASUREMENT", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS, TOKYO, JP, vol. 32, no. 11A, PART 1, November 1993 (1993-11-01), pages 4998 - 5001, XP002028936, ISSN: 0021-4922 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4279862A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-22 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation combinée de structures gravées dans un substrat
EP4279860A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-22 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation de structures à travers un substrat
EP4279861A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-22 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation de structures gravées dans un substrat
WO2023222395A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-23 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation de structures à travers un substrat
WO2023222394A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-23 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation combinée de structures gravées dans un substrat
WO2023222393A1 (fr) 2022-05-19 2023-11-23 Unity Semiconductor Procédé et système de caractérisation de structures gravées dans un substrat
US11959737B2 (en) 2022-05-19 2024-04-16 Unity Semiconductor Method and a system for combined characterisation of structures etched in a substrate
US11959736B2 (en) 2022-05-19 2024-04-16 Unity Semiconductor Method and a system for characterising structures etched in a substrate
US12079979B2 (en) 2022-05-19 2024-09-03 Unity Semiconductor Method and a system for characterising structures through a substrate
US12444039B2 (en) 2022-05-19 2025-10-14 Unity Semiconductor Method and a system for characterising structures through a substrate

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JP5196351B2 (ja) 2013-05-15
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