WO2007114247A1 - プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 - Google Patents
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
Definitions
- the present invention relates to a plasma generation apparatus and a plasma generation method used for processes such as CVD, etching, or sputtering that are used when manufacturing semiconductors, liquid crystal display devices, solar cells, and the like.
- an electromagnetic wave coupling type apparatus using an antenna element is used for plasma generation.
- the frequency of the high frequency signal used in such a large semiconductor manufacturing apparatus is 10M.
- the frequency is as high as Hz to 2.5 GHz, the wavelength of the electromagnetic wave emitted from the antenna element force is short. For this reason, it is more important to control the plasma density distribution that affects the uniformity of processing such as film formation.
- an array antenna in which a plurality of rod-shaped antenna elements whose surfaces are covered with a dielectric material are arranged in a plane is used to create a large-area plasma with uniform spatial distribution of electromagnetic waves. It is for.
- Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-86581
- Each of the plurality of antenna elements constituting such an antenna array has a characteristic parameter that affects the impedance matching state, such as capacitance and resistance, so that the reflected power when high-frequency power is fed is 0% ( Designed to produce the best impedance matching state.
- mechanical manufacturing errors such as rod-shaped conductors constituting the antenna element, dielectric material (eg, quartz) covering the surface, and the wiring state of the matching circuit for adjusting the impedance matching state are always described. It just happens. Even if the plasma is generated using each antenna array configured based on the original design, the impedance matching state of each antenna element is not the same as the design value due to such errors. (In other words, the reflected power does not become 0% for all antenna elements). For this reason, it is necessary to previously adjust the impedance matching state for each antenna element. Such adjustment of the impedance matching state is not limited to the plasma generation apparatus using the array antenna, but is necessary even when a plasma generation apparatus having another configuration is used. Disclosure of the invention
- the impedance matching is adjusted alternately for each of the two adjacent antenna elements, the first antenna element and the second antenna element.
- the power reflection from the first antenna element is improved from 10% to 0% by adjusting the impedance matching state for the first antenna element.
- the plasma density around the first antenna changes in the increasing direction.
- This change changes the plasma impedance (load) around the adjacent second antenna element.
- the power reflection from the second antenna element always changes in an increasing direction, for example, 10% from the original 0%. That is, when the impedance matching state of the first antenna element is changed (for example, improved), the impedance matching state of the second antenna element is also changed (for example, deteriorated).
- the impedance matching state of the second antenna element is changed to reduce the power reflection from the second antenna element (for example, from 10% to 0%), the first antenna element naturally changes. The power reflection of the antenna element increases.
- the impedance matching state of each of the plurality of antenna elements is as described above. It was difficult to adjust at the same time. For this reason, conventionally, the impedance matching state of each antenna element varies, and electromagnetic radiation from each antenna element becomes non-uniform, and the density distribution of the generated plasma may not be uniform. It was. As a result, the generated plasma distribution becomes non-uniform, and when the film formation by CVD or the like becomes non-uniform, problems sometimes occur.
- the present invention uses an array antenna in which a plurality of antenna elements composed of rod-shaped conductors whose surfaces are covered with a dielectric are arranged in parallel and in a planar shape.
- impedance matching can be performed with high precision, more quickly and easily so that the plasma is uniform, and a plasma generating apparatus with a simple apparatus configuration and plasma that realizes such plasma generation
- the purpose is to provide a generation method.
- the present invention provides a plasma generator using an antenna array in which a plurality of antenna elements composed of rod-shaped conductors whose surfaces are covered with a dielectric are arranged in a plane.
- a high-frequency power source for generating a high-frequency signal to be fed to each antenna element of the antenna array, a basic element having a variable characteristic parameter for impedance matching, and an auxiliary element having a variable characteristic parameter,
- An impedance matching unit that changes an impedance matching state of each antenna element by changing a composite characteristic parameter obtained by combining the characteristic parameter of the basic element and the characteristic parameter of the auxiliary element; and By adjusting the size of the combined characteristic parameter of the impedance matching unit, the impedance of the entire antenna array is adjusted.
- a controller that performs matching, wherein the controller is in an adjustment state in which the characteristic parameter of the auxiliary element is adjusted for each antenna element, and impedance matching for each antenna element is adjusted,
- a plasma generation device characterized by matching the impedance of the entire antenna array by adjusting the characteristic parameters of the basic elements of each antenna element in synchronization with each other.
- the controller increases or decreases the size of the characteristic parameter of the basic element of each antenna element by the same amount. It is preferable to match the impedance of the entire antenna array.
- the characteristic parameters of the basic elements of all the antenna elements are fixed to the same size, and the characteristic parameters of the auxiliary elements are set for each antenna element.
- the impedance matching for each antenna element is adjusted, and the controller adjusts the characteristic parameters of the basic elements of all the antenna elements to the same size. Therefore, it is preferable to match the impedance of the entire antenna array.
- each of the impedance matching units provided for each antenna element includes a first parameter adjusting unit connected to a feeding line that feeds the high-frequency signal to the antenna element, and a junction with the antenna element.
- the basic element and the auxiliary element are also provided for deviations of the first capacitance adjusting means and the second capacitance adjusting means, respectively.
- Each of the terminals is connected to a grounded stub provided for impedance matching of each antenna element.
- the side of the basic element to which the antenna element is connected It is preferable that the terminal on the opposite side of the auxiliary element and the terminal on the opposite side of the auxiliary element connected to the antenna element are connected to the stub and V is shifted.
- the characteristic parameter is a capacitance parameter for impedance matching
- the basic element and the auxiliary element are capacitance elements in which the capacitance parameter is variable even when V deviation occurs.
- the basic element and the auxiliary element may be inductance elements (inductive elements).
- the present invention also provides an antenna array in which a plurality of antenna elements composed of rod-shaped conductors whose surfaces are covered with a dielectric material are arranged in a plane, and a basic with variable characteristic parameters for impedance matching. Element and an auxiliary element whose characteristic parameter is variable, and by changing a combined characteristic parameter obtained by combining the characteristic parameter of the basic element and the characteristic parameter of the auxiliary element, impedance matching of each antenna element is performed.
- the characteristic parameter of the basic element of each antenna element is fixed, and the characteristic parameter of the auxiliary element is fixed for each antenna element.
- a plasma generation method characterized by matching the impedance of the entire antenna array by adjusting the characteristic parameters of the basic elements of each antenna element in synchronization with each other is also provided.
- the characteristic parameters of the basic elements of all the antenna elements are fixed to the same size, and plasma is generated in this fixed state to reflect high-frequency power.
- the characteristic parameter of the auxiliary element is adjusted for each antenna element so that the impedance matching for each antenna element is adjusted, so that the respective antenna elements become zero.
- the present invention provides a basic element in which a characteristic parameter for impedance matching is variable, and an auxiliary element in which the characteristic parameter is also variable, each of which is composed of a rod-shaped conductor whose surface is covered with a dielectric.
- An impedance matching device including an element is provided. Then, for each antenna element, the characteristic parameters of the basic element are fixed and the characteristic parameters of the auxiliary element are adjusted, thereby adjusting the impedance matching of each antenna individually.
- the impedance of the entire antenna array is matched by adjusting only the characteristic parameters of the basic elements in synchronism with all the antenna elements. Therefore, in the present invention, the characteristic parameter of the auxiliary element can be adjusted to correct the variation of the characteristic parameter for each antenna element caused by the processing accuracy of the antenna. For all elements, the characteristics of the basic elements
- the impedance of the entire antenna array can be matched simply by adjusting only the sensitivity parameter. That is, according to the present invention, impedance matching can be performed with high accuracy and more quickly and easily.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of a plasma CVD apparatus which is an embodiment of a plasma reaction processing apparatus of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic top view for explaining the arrangement of antenna elements in the CVD apparatus shown in FIG.
- FIG. 3 is a flowchart of an example of the plasma generation method of the present invention performed using the CVD apparatus shown in FIG.
- FIG. 4 is a flowchart showing in more detail impedance matching of each antenna element performed in the CVD apparatus shown in FIG. 1.
- FIG. 5 shows the connection relationship between the first capacitance adjusting means and the second capacitance adjusting means, the first basic element and the first auxiliary element, the second basic element and the second auxiliary element in the CVD apparatus shown in FIG. It is a figure which shows an example of these connection relations.
- FIG. 6 shows the connection relationship between the first capacitance adjusting means and the second capacitance adjusting device, the first basic element and the first auxiliary element, the second basic element and the second auxiliary element in the CVD apparatus shown in FIG. It is a figure which shows the other example of the connection relation of.
- FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating the configuration of a plasma CVD apparatus 10 which is an embodiment of the plasma generation apparatus of the present invention.
- FIG. 2 is a diagram for explaining the arrangement of the antenna elements of the CVD apparatus 10.
- a feeder line for transmitting a high-frequency signal is illustrated, and a controller and a control line for performing impedance matching described later are illustrated.
- the CVD apparatus 10 is an apparatus that performs a film forming process on a processing substrate 12 such as a glass substrate or a silicon wafer by using plasma CVD.
- the CVD apparatus 10 includes a reaction vessel 14, a substrate table 16 on which a processing substrate 12 is placed, and a reaction vessel 14. Provided on the wall surface, the inlet 18 for introducing the raw material gas, provided on the wall surface of the reaction vessel 14, provided on the exhaust port 20 for exhausting the raw material gas etc.
- the reaction vessel 14 the raw material gas into the reaction chamber Gas emission plate 24 to be emitted, a plurality of antenna elements 22 provided in the reaction vessel 14, an impedance matching unit 40 provided outside the reaction vessel 14, a high-frequency power supply 28 for supplying power to the antenna element 22, a high-frequency power supply 28, and an impedance Controller 30 for controlling the matching unit 40, first current / voltage sensor 32 for detecting the current and voltage of the high-frequency signal fed to the antenna element 22, and current and voltage for individually adjusting the impedance matching unit 40 And a distributor 33 provided between the first current / voltage sensor 32 and the second current / voltage sensor 34.
- the reaction vessel 14 is a metal vessel, and the wall surface of the reaction vessel 14 is grounded.
- the substrate table 16 is a table on which the processing substrate 12 is placed so that the processing substrate 12 faces the antenna element 22. Inside the substrate table 16, a heating element (not shown) for heating the processing substrate 12 is provided. In addition, a grounded electrode plate (not shown) is provided. This electrode plate can be connected to a bias power source and applied with a bias voltage!
- the introduction port 18 is provided on the upper surface side of the reaction vessel 14, and is connected to a supply pipe 19 for supplying a source gas.
- the supply pipe 19 is connected to a source gas source (not shown).
- the source gas supplied from the inlet 18 varies depending on the type of film formation.For example, in the case of a low-temperature polysilicon TFT liquid crystal, silane gas is suitable for the production of a silicon film, and TEOS is suitable for the production of a gate insulating film. Used for.
- a raw material gas dispersion chamber 23 is configured to be separated from the lower reaction chamber 25 by a gas radiation plate 24.
- the gas radiation plate 24 has a plurality of through holes of about 0.5 mm formed in a plate-shaped member made of a conductive material (for example, anodized aluminum, etc.), and the raw material gas is constant in the lower reaction chamber 25. It emits at a flow rate.
- the gas radiation plate 24 may be made of a ceramic material or a plate-like member formed by CVD. When the gas radiation plate 24 is a plate-like member formed by CVD, a metal film is formed on the gas radiation plate 24 and is grounded.
- the exhaust port 20 is used as a source gas atmosphere in which the inside of the reaction vessel 14 is decompressed to a predetermined pressure. For this purpose, it is connected to an exhaust pipe 21 connected to a vacuum pump (not shown).
- a plurality of antenna elements 22 provided in an array are provided in the upper part of the reaction chamber 25 below the gas radiation plate 24 so as to face the gas radiation plate 24.
- the plurality of antenna elements 22 are arranged parallel to each other and in a planar shape to form an array antenna having a monopole antenna force.
- the array antenna is a monopole antenna provided parallel to the gas radiating plate 24 and the processing substrate 12 placed on the substrate base 16 as shown in FIG.
- the wall forces in the reaction vessel 14 also protrude in opposite directions, and the feeding direction is reversed.
- Each of these antenna elements 22 is connected to an impedance matching unit 40 which is a matching box.
- Each antenna element 22 is made of a conductor with high electrical conductivity and a rod shape (or pipe shape! /), And (2n + 1) Z4 times the wavelength of the high frequency used (n is It has a radiation length of 0 or a positive integer.
- the surface of each antenna element 22 is covered with a dielectric such as a quartz tube. By covering the rod-shaped conductor with a dielectric, the capacity and inductance of the antenna element 22 are adjusted, and this allows high-frequency current to propagate efficiently along the protruding direction of the antenna element 22. Electromagnetic waves can be radiated efficiently.
- the antenna element 22 thus covered with the dielectric is electrically insulated and attached to the opening opened on the inner wall of the reaction vessel 14, and the side force impedance matching device at the high-frequency current supply end of the antenna element 22 is installed. Connected to 40.
- the electromagnetic radiation radiated from the antenna element 22 is such that the electromagnetic radiation between adjacent antenna elements 22 does not affect each other. It acts on the electromagnetic wave formed in a mirror image relationship by the action of the grounded metal film to form a predetermined electromagnetic wave for each antenna element. Further, since the antenna element 22 constituting the array antenna has a feeding direction opposite to that of the adjacent antenna element 22, electromagnetic waves are uniformly formed in the reaction chamber 25.
- the impedance matching unit 40 includes a first capacitance adjusting unit 42 connected to the feeder line 27 and a second capacitance adjusting unit 44 joined to the antenna element 22.
- First The capacity adjusting means 42 includes a first basic element 52a, a first auxiliary element 52b, a first basic motor 62a, and a first auxiliary motor 62b.
- the second capacity adjusting means 44 includes a second basic element 54a, a second auxiliary element 54b, a second basic motor 64a, and a second auxiliary motor 64b.
- the impedance matching unit 40 is provided with a stub 69 for impedance matching of the antenna element.
- the casing of the impedance matching unit 40 is connected (electrically connected) to the grounded reaction vessel 14.
- the stub 69 is connected to the casing of the impedance matching unit 40 and grounded.
- each of the first basic element 52a and the first auxiliary element 52b the gap between the electrodes constituting the capacitive element is variably configured so that the capacitance (characteristic parameter) can be freely adjusted.
- Each of the first basic element 52a and the first auxiliary element 52b provided in the first capacitance adjusting means 42 has an electrode on one side connected to the feeder 27, and both electrodes on the other side are connected to the stub 69. Connected and grounded. This capacity adjustment is performed by each of the first basic motor 62a and the first auxiliary motor 62b that move the electrodes.
- the capacities of the first basic element 52a and the first auxiliary element 52b are individually adjusted by the first basic motor 62a and the first auxiliary motor 62b, respectively.
- the combined capacitance of 52a and the first auxiliary element 52b is adjusted.
- the combined capacitance of the first basic element 52a and the first auxiliary element 52b will be referred to as a feeder line-side combined capacitance.
- the second basic element 54a and the second auxiliary element 54b are both configured such that the electrodes constituting the capacitive element are variably configured so that the capacitance (characteristic parameter) can be freely adjusted.
- the electrode on one side is connected to the antenna element 22 (the conductor thereof), and the electrode on the other side Are connected to stub 69 and grounded.
- the adjustment of the capacity is performed by each of the second basic motor 64a and the second auxiliary motor 64b that move the electrodes.
- the stub 69 is a known stub for stub matching, and includes the antenna element 22 that is connected to the antenna element 22 and contributes to impedance matching of the antenna element 22. It is the short end of the high frequency current transmission line.
- the stub 69 has a length of about 30% of the 1Z4 ⁇ of the high frequency wavelength used (length of around 7.5% of the wavelength ⁇ ), and is connected to the casing of the impedance matching device 40 and grounded. is doing.
- the adjustment of the feed line side combined capacitance and the adjustment of the antenna line side combined capacitance are performed in order to correct impedance mismatch caused by a change in the load of the antenna element 22 during plasma generation.
- the impedance mismatch for each antenna element ie, adjusting the impedance matching state
- the capacities of the first auxiliary element 52b and the second auxiliary element 54b individually while the capacitances of the first basic element 52a and the second basic element 54a are fixed, the combined capacitance of the feeder line side and the antenna line are adjusted. Adjust the side composite capacity (adjust the state).
- the capacities of the first auxiliary element 52b and the second auxiliary element 54b are not changed from this adjusted state.
- the capacitance of the first basic element 52a and the second basic element 54a of the antenna elements in synchronism with each of the antenna elements 22, the impedance of the entire antenna array is matched.
- the high frequency power supply 28 includes a high frequency oscillation circuit and an amplifier (not shown), and is configured so that the oscillation frequency can be changed according to a signal from the controller 30! RU
- the controller 30 is a control unit that changes the oscillation frequency of the high-frequency power supply 28 and adjusts the impedance matching unit 26 in accordance with detection signals of a first current / voltage sensor 32 and a second current / voltage sensor 34 described later. is there.
- the oscillation frequency of the high-frequency transmission circuit can be changed according to the difference in the process performed on the substrate. Further, in the various impedance matching operations described later, the oscillation frequency of the high-frequency transmission circuit may be finely adjusted in order to finely adjust the impedance matching state. Note that the oscillation frequency of the high-frequency power supply 28 does not have to be variable, such as when used in a process that does not require a change or fine adjustment of the oscillation frequency.
- the first current / voltage sensor 32 receives the high-frequency signal from the high-frequency power source 28 as the antenna element 22. This is the part that detects the current and voltage in the vicinity of the output terminal of the high-frequency power supply 28 in order to detect whether or not it is struck.
- the first current / voltage sensor 32 is connected to the impedance matching device 40 via the distributor 33.
- the second current 'voltage sensor 34 is individually provided in the vicinity of the input end of each impedance matching unit 40, and is a part that detects current and voltage in order to adjust each impedance matching unit 40.
- the controller 30 determines whether or not each antenna element is in an impedance matching state.
- the controller 30 further generates a control signal for controlling the capacity adjustment operation in the impedance matching unit 40 according to the determination result, and the first basic motor 62a, the first auxiliary motor 62b, and the second basic motor. 64a and the second auxiliary motor 64b.
- the controller 30 individually supplies a control signal to the first auxiliary motor 62b and the second auxiliary motor 64b to adjust the impedance matching state for each antenna element, and the first auxiliary motor 62b.
- the capacities of the element 52b and the second auxiliary element 54b are individually adjusted, and the feed line side combined capacity and the antenna line side combined capacity are adjusted.
- the first basic motor 62a of each antenna element 22 is simultaneously driven by the same amount for each of the first basic motors 62a of each antenna element 22, so that the first Send a control signal to change the capacitance of the basic element 52a by the same amount.
- the second basic motor 64a of each antenna element 22 is driven by the same amount, and the second basic motor 64a of each antenna element 22 is driven.
- both the first current 'voltage sensor 32 and the second current' voltage sensor 34 are provided.
- either one of the current 'voltage sensors may be provided.
- both the first current 'voltage sensor 32 and the second current' voltage sensor 34 are provided.
- a raw material gas is fed into the reaction vessel 14 from the introduction port 18, while a vacuum pump (not shown) connected to the discharge port 20 is operated to normally perform a vacuum of about 1 Pa to several tens of OPa.
- An atmosphere is created in the reaction vessel 14.
- an electromagnetic wave is radiated around the antenna element 22 by feeding a high-frequency signal to the antenna element 22.
- plasma is generated in the reaction vessel 14 and the source gas radiated from the gas radiation plate 24 is excited to generate radicals.
- the electromagnetic wave radiated from the antenna element 22 is easily reflected by the plasma. For this reason, the electromagnetic wave is localized in a local region around the antenna element 22.
- the present invention has been made by paying attention to such points, and the basic characteristic parameters of each antenna element in a state in which the error component of the characteristic parameters due to manufacturing errors and the like has been eliminated. It is characterized in that only the components are adjusted synchronously for all antennas.
- an example of the plasma generation method of the present invention performed using the apparatus 10 will be described.
- FIG. 3 is a flowchart of an example of the plasma generation method of the present invention performed using the CVD apparatus 10.
- the plasma is generated in the reaction vessel 14, and the adjustment state of each antenna element 22 is confirmed in a state where the plasma is localized and formed in the vicinity of the antenna element 22 (step S102).
- information on the current and voltage detected by the first current / voltage sensor 32 and the second current / voltage sensor 34 is supplied to the controller 30 as a detection signal.
- the controller 30 all the antenna elements 22, and the force (for example, the force at which the phase difference between the current and voltage of the supplied high-frequency signal satisfies the predetermined condition) is determined. (Step S106).
- step S106 determines whether an impedance mismatch is recognized in any one of the plurality of antenna elements 22 is recognized. If the determination in step S106 is NO, that is, if an impedance mismatch is recognized in any one of the plurality of antenna elements 22, the impedance of each antenna element 22 is determined. Matching is performed (step S108).
- FIG. 4 is a flowchart showing in more detail the impedance matching of each antenna element 22 in step S108.
- each of the impedance matching devices 40 provided in each antenna element has a capacitance of the first basic element 52a of the first capacitance adjusting means 42 and the capacitance of the second basic element 54a of the second capacitance adjusting means 44.
- Is set step S202.
- As the capacity to be set at this time for example, it is preferable to set a capacity (designed capacity) set in advance according to the frequency of the applied high-frequency voltage. Yes.
- the present invention is not limited to this, for example, by changing the capacities of only the first basic element 52a and the second basic element 54a individually for each antenna element 22, and performing impedance matching for each antenna element 22.
- the capacities of the first basic element 52a and the second basic element 54a may be set.
- the capacity of each 54a may be set.
- the impedance matching of the antenna element 22 is such that the phase difference between the current and voltage of the supplied high-frequency signal is zero, and the impedance of the antenna element 22 and the impedance of the feeder line 27 (eg, 50 ohms)
- the capacities of the first auxiliary element 52b and the second auxiliary element 54b are individually adjusted so as to coincide with each other via the first capacity adjusting means 42 and the second capacity adjusting means 44. In such adjustment, the current and voltage information detected by the first current / voltage sensor 32 and the second current 'voltage sensor 34 are supplied to the controller 30 as detection signals.
- the controller 30 sets the feed line side combined capacity and the antenna line side combined capacity based on the detection signal, and generates a control signal for controlling the first auxiliary motor 62b and the second auxiliary motor 64b. In this manner, the control signal is supplied to the first auxiliary motor 62b and the second auxiliary motor 64b, and impedance matching between the antenna element 22 and the signal line 27 is performed.
- step S206 Such impedance matching performed by individually adjusting the first auxiliary element 52b and the second auxiliary element 54b is repeated until it is executed for all the antenna elements 22 constituting the array antenna ( Step S206 to Step S208 to Step S204).
- the adjustment state in step S102 is confirmed.
- the confirmation in step S106 is OK, and impedance matching of the entire antenna array is performed (step S110).
- step SI 10 the capacitances of the first basic element 52 a and the second basic element 54 a of each antenna element are adjusted in synchronization for all the antenna elements 22, thereby matching the impedance of the entire antenna array.
- the reflected power of the supplied high-frequency signal becomes zero at each antenna element 22, and as a result, the reflected power of the high-frequency signal supplied to the entire antenna array becomes zero.
- the capacities of the first basic element 52a and the second basic element 54a of each antenna element are adjusted in synchronism with all the antenna elements 22.
- the controller 30 drives the first basic motor 62a of each antenna element by the same amount based on the detection signal, and changes the capacitance of the first basic element 52a of each antenna element by the same amount. Send.
- the second basic motor 64a of each antenna element 22 is driven by the same amount, and the second basic motor 64a of each antenna element 22 is driven.
- the impedance of the entire antenna array is matched by adjusting the capacitances of the first basic element 52a and the second basic element 54a of each antenna element in synchronism with each other.
- Such impedance matching for adjusting the first basic element 52a and the second basic element 54a in synchronization is repeated until the impedance of the entire antenna array is matched.
- the first auxiliary element 52b and the second auxiliary element 54b are individually adjusted to eliminate the difference in the error component of the characteristic parameter caused by the manufacturing error or the like for each antenna element. Can be kept.
- the impedance of the entire antenna array can be matched by adjusting only the first basic element 52a and the second basic element 54a in synchronism with respect to all the antenna elements. That is, according to the present invention, impedance matching can be performed more quickly and easily with high accuracy.
- FIG. 5 (a) shows the first capacitance adjustment means 42 and the second capacitance adjustment means 44, the first basic element 52a and the first capacitance in the impedance matching device 40 of the CVD apparatus 10 shown in FIG.
- FIG. 5 is a diagram showing a connection relationship among an auxiliary element 52b, a second basic element 54a, and a second auxiliary element 54b.
- FIG. 5 (b) and FIG. 6 (a) and (b) are diagrams showing other examples of connection relations between the respective means and elements.
- the first capacity adjusting means 42 and the second capacity adjusting means 44 are only connected in parallel as shown in FIGS. 6 (a) and (b). They may be connected in series, as in the example shown in.
- first basic element 52a and the first auxiliary element 52b of the first capacitance adjusting means 42 and the second basic element 54a and the second auxiliary element 54b of the second capacitance adjusting means 44 are also shown in FIG. ) And Fig. 6 (a), as shown in Fig. 5 (b) and Fig. 6 (b). Good. In either case, impedance matching between the antenna element 22 and the signal line 27 can be performed by controlling the capacitance of each element.
- a capacitive element (capacitor) is used for impedance matching of the antenna element 22, but an inductance (characteristic parameter) is controlled using an inductive element (inductor). Good.
- each antenna element 22 is provided. High-frequency power is supplied individually to each antenna, and each antenna element 22 has impedance for each antenna element 22 while discharging plasma under the same conditions (pressure, gas type, gas flow rate, RF power, RF frequency, etc.). Matching may be performed. However, when setting the impedance matching state as accurately as possible in the actual process, the state in which high-frequency power is supplied to the entire antenna array composed of the plurality of antenna elements 32 as in the above embodiment. Thus, it is preferable to perform impedance matching for each antenna element. At this time, it is preferable that the plasma is generated in a state where the pressure is relatively high (for example, 130 Pa), the plasma is more localized in the antenna, and the interference between the antennas is relatively small, and adjustment is performed in the state. .
- the pressure for example, 130 Pa
- the capacitance of only the capacitive element is controlled.
- the frequency of the high-frequency signal is added to the capacitance of the capacitive element to accurately perform impedance matching. May be finely adjusted.
- the present invention is not limited to the above-described embodiment, and is within the scope not departing from the gist of the present invention.
- various improvements and changes may be made.
- the plasma generation apparatus of the present invention can be suitably used for an etching apparatus in addition to a CVD apparatus.
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Abstract
インピーダンス整合のための特性パラメータが可変な基本素子と、同じく特性パラメータが可変な補助素子とを備えたインピーダンス整合器を用いてプラズマを生成する際、各アンテナ素子の基本素子の特性パラメータがそれぞれ固定されて、各アンテナ素子毎に補助素子の特性パラメータが調整されることで、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調整された調整状態で、アンテナアレイの各アンテナ素子に高周波信号を給電してアンテナ素子から電磁波を放射してプラズマを生成させ、各アンテナ素子の基本素子の特性パラメータを、それぞれ同期させて調整して、アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合する。
Description
プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体、液晶表示装置、太陽電池等を作製する際に用いる CVD、エツ チング又はスパッタリング等の処理に用いられるプラズマ生成装置及びプラズマ生成 方法に関する。
背景技術
[0002] プラズマを用いた CVD (Chemical Vapor Deposition)装置をはじめとする半導体製 造装置では、プラズマ生成のためにアンテナ素子を用いた電磁波結合型の装置が 用いられている。
一方、液晶表示装置やアモルファス型の太陽電池の大型化に伴って、プラズマを 用いて各処理を行う半導体製造装置についても、大面積の基板を処理する大型の 装置が望まれている。
[0003] このような大型の半導体製造装置において使用する高周波信号の周波数は 10M
Hz〜2. 5GHzと高いため、アンテナ素子力も放射される電磁波の波長が短い。この ため、成膜等の処理の均一性に影響を与えるプラズマの密度分布が均一になるよう に制御することが一層重要となって 、る。
[0004] このような状況下、特許文献 1に示すプラズマ CVD装置にぉ 、て、大面積プラズマ 生成用アンテナを用いることが提案されて 、る。
具体的には、誘電体で表面が覆われた棒状のアンテナ素子が平面状に複数個配 置されてなるアレイアンテナを用いて、電磁波の空間分布を一様にして大面積のブラ ズマ生成に用 、るものである。
特許文献 1 :特開 2003— 86581号公報
[0005] このようなアンテナアレイを構成する複数のアンテナ素子それぞれは、容量や抵抗 など、インピーダンス整合状態に影響を与える特性パラメータが、高周波電力を給電 した際の反射電力が 0%になるよう (インピーダンス整合状態が最良となるよう)設計- 作製されている。
[0006] しかし、アンテナ素子を構成する棒状の導体や、表面を覆う誘電体 (例えば石英)、 インピーダンス整合状態の調整のためのマッチング回路の配線状態など、機械的な 製造誤差は、必ずといっていいほど生じるものである。当初の設計に基づいて構成さ れた各アンテナアレイを用いてプラズマを生成しても、このような誤差に起因して、各 アンテナ素子のインピーダンス整合状態は、設計値どおり同一とはならない (すなわ ち、各アンテナ素子全てで、反射電力が 0%にはならない)場合も多い。このため、ァ ンテナ素子それぞれ毎に、インピーダンス整合状態を予め調整する必要がある。この ようなインピーダンス整合状態の調整は、アレイアンテナを用いたプラズマ生成装置 に限らず、その他の構成のプラズマ生成装置を用いた場合でも必要なことである。 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 特許文献 1に示されるプラズマ CVD装置では、アンテナ素子の電磁波の放射によ つて生成したプラズマの影響を受けて、アレイアンテナの複数のアンテナ素子それぞ れが相互に影響し合い、各アンテナ素子の負荷が相互に変化し、各アンテナ素子の インピーダンス整合がそれぞれ変化するといつた特徴がある。
[0008] 例えば、隣接する 2つのアンテナ素子である、第 1のアンテナ素子および第 2のアン テナ素子それぞれについて、交互にインピーダンス整合を調整するとする。まず、第 1のアンテナ素子についてインピーダンス整合状態を調整することにより、第 1のアン テナ素子からの電力反射が 10%から 0%に改善されたとする。すると、第 1のアンテ ナ周辺のプラズマ密度は高くなる方向に変化する。この変化は、隣接する第 2のアン テナ素子周辺のプラズマインピーダンス (負荷)を変化させる。この場合、第 2のアン テナ素子からの電力反射は、例えば、元々 0%であったものが 10%になるなど、必ず 増える方向に変化する。すなわち、第 1のアンテナ素子のインピーダンス整合状態を 変化 (例えば改善)させると、第 2のアンテナ素子のインピーダンス整合状態も変化( 例えば悪化)する。今度は逆に第 2のアンテナ素子のインピーダンス整合状態を変化 させて、第 2のアンテナ素子からの電力反射を低減させる(例えば、 10%から 0%へと 変化させる)と、当然、第 1のアンテナ素子の電力反射が増加する。
[0009] 従来は、このように、複数のアンテナ素子それぞれのインピーダンス整合状態を、
同時に調整することが難し力つた。このため、従来は、各アンテナ素子でのインピー ダンス整合状態がばらつくことで、各アンテナ素子からの電磁波の放射が不均一とな り、生成されるプラズマの密度分布が一様でなくなることもあった。この結果、生成す るプラズマ分布が不均一となり、 CVD等による成膜が不均一となるといつた問題が生 じることもあった。
[0010] そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、誘電体で表面が覆われた棒状 の導体で構成した複数のアンテナ素子を、平行かつ平面状に配したアレイアンテナ を用いてプラズマを生成させる際、プラズマが均一となるように、インピーダンス整合 を高精度に、さらに迅速かつ容易に行うことができる、簡易な装置構成のプラズマ生 成装置及びそのようなプラズマ生成を実現するプラズマ生成方法を提供することを目 的とする。
課題を解決するための手段
[0011] 上記目的を達成するために、本発明は、誘電体で表面が覆われた棒状の導体で 構成したアンテナ素子が平面状に複数配列されてなるアンテナアレイを用いたブラ ズマ生成装置であって、前記アンテナアレイの各アンテナ素子に給電する高周波信 号を生成する高周波電源と、インピーダンス整合のための特性パラメータが可変な基 本素子と、前記特性パラメータが可変な補助素子とを備え、前記基本素子の前記特 性パラメータと前記補助素子の前記特性パラメータとが合成された合成特性パラメ一 タを変化させることで、各アンテナ素子のインピーダンス整合状態を変化させるインピ 一ダンス整合器と、各インピーダンス整合器の前記合成特性パラメータの大きさをそ れぞれ調整することで、前記アンテナアレイ全体のインピーダンス整合を行う制御器 と、を有し、前記制御器は、各アンテナ素子毎に前記補助素子の前記特性パラメ一 タが調整されて、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調整された調整状態で、 各アンテナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータを、それぞれ同期させて調整 することで、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合することを特徴とするプ ラズマ生成装置を提供する。
[0012] なお、前記制御器は、前記調整状態で、各アンテナ素子の前記基本素子の前記 特性パラメータの大きさを、それぞれ同一の大きさだけ増加または減少させて、前記
アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合することが好ましい。
[0013] また、前記調整状態は、各アンテナ素子全ての前記基本素子の前記特性パラメ一 タが、それぞれ同一の大きさに固定されて、各アンテナ素子毎に前記補助素子の前 記特性パラメータが調整されることで、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調 整された状態であり、前記制御器は、各アンテナ素子全ての前記基本素子の前記特 性パラメータを、それぞれ同一の大きさに調整することで、前記アンテナアレイ全体の インピーダンスを整合することが好まし 、。
[0014] また、前記アンテナ素子毎に設けられた前記インピーダンス整合器それぞれは、前 記アンテナ素子へ前記高周波信号を給電する給電線と接続された第 1のパラメータ 調整手段と、前記アンテナ素子と接合された第 2のパラメータ調整手段とを有して構 成され、前記基本素子および前記補助素子は、前記第 1の容量調整手段および前 記第 2の容量調整手段の 、ずれにも、それぞれ設けられて 、ることが好ま U、。
[0015] また、前記第 1のパラメータ調整手段では、前記基本素子の前記給電線が接続さ れた側と反対側の端子と、前記補助素子の前記給電線が接続された側と反対側の 端子はいずれも、各アンテナ素子のインピーダンス整合のために設けられた、接地さ れたスタブと接続されており、前記第 2のパラメータ調整手段では、前記基本素子の 前記アンテナ素子が接続された側と反対側の端子と、前記補助素子の前記アンテナ 素子が接続された側と反対側の端子とが、 V、ずれも前記スタブと接続されて 、ること が好ましい。
[0016] また、前記特性パラメータは、インピーダンス整合のための容量パラメータであり、 前記基本素子および前記補助素子は、 Vヽずれも前記容量パラメータが可変な容量 素子であることが好ましい。また、前記基本素子および前記補助素子は、インダクタ ンス素子 (誘導素子)であっても構わな ヽ。
[0017] 本発明は、また、誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子が 平面状に複数配列されてなるアンテナアレイと、インピーダンス整合のための特性パ ラメータが可変な基本素子と、前記特性パラメータが可変な補助素子とを備え、前記 基本素子の前記特性パラメータと前記補助素子の前記特性パラメータとが合成され た合成特性パラメータを変化させることで、各アンテナ素子のインピーダンス整合状
態を変化させるインピーダンス整合器と、を用いてプラズマを生成する際、各アンテ ナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータがそれぞれ固定されて、各アンテナ素 子毎に前記補助素子の前記特性パラメータが調整されることで、各アンテナ素子毎 のインピーダンス整合が調整された調整状態で、前記アンテナアレイの各アンテナ素 子に高周波信号を給電して前記アンテナ素子力 電磁波を放射してプラズマを生成 させ、各アンテナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータを、それぞれ同期させ て調整することで、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合することを特徴と するプラズマ生成方法を、併せて提供する。
[0018] なお、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合する際、前記調整状態で、 各アンテナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータの大きさを、それぞれ同一の 大きさだけ増加または減少させて、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合 することが好ましい。
[0019] なお、前記プラズマの生成に先がけ、各アンテナ素子全ての前記基本素子の前記 特性パラメータを、それぞれ同一の大きさに固定して、この固定状態でプラズマを生 成し、高周波電力の反射がそれぞれゼロになるよう、各アンテナ素子毎に前記補助 素子の前記特性パラメータを調整し、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調 整された前記調整状態を設定することが好ま Uヽ。
発明の効果
[0020] 本発明は、誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子それぞ れに、インピーダンス整合のための特性パラメータが可変な基本素子と、同じく特性 ノ メータが可変な補助素子とを備えるインピーダンス整合器を設けた。そして、各ァ ンテナ素子毎に、基本素子の特性パラメータをそれぞれ固定して補助素子の特性パ ラメータを調整することで、各アンテナそれぞれのインピーダンス整合を個別に調整 した調整状態とし、この調整状態で、基本素子の特性パラメータのみを、各アンテナ 素子の全てにっ 、て同期させて調整することで、アンテナアレイ全体のインピーダン スを整合している。このため、本発明では、補助素子の特性パラメータを調整して、ァ ンテナの加工精度等に起因する、各アンテナ素子毎の特性パラメータのばらつきを 補正しておくことができ、その結果、各アンテナ素子の全てについて、基本素子の特
性パラメータのみを同期させて調整するだけで、アンテナアレイ全体のインピーダン スを整合させることができる。すなわち、本発明では、インピーダンス整合を高精度に 、さらに迅速かつ容易に行うことができる。
図面の簡単な説明
[0021] [図 1]本発明のプラズマ反応処理装置の一実施形態であるプラズマ CVD装置の構 成を説明する概略断面図である。
[図 2]図 1に示す CVD装置におけるアンテナ素子の配置について説明する概略上面 図である。
[図 3]図 1に示す CVD装置を用いて行なわれる、本発明のプラズマ生成方法の一例 のフローチャート図である。
[図 4]図 1に示す CVD装置において行なわれる、各アンテナ素子それぞれのインピ 一ダンス整合について、さらに詳細に示すフローチャート図である。
[図 5]図 1に示す CVD装置における、第 1の容量調整手段および第 2の容量調整手 段との接続関係、第 1基本素子および第 1補助素子、第 2基本素子および第 2補助 素子の接続関係の一例を示す図である。
[図 6]図 1に示す CVD装置における、第 1の容量調整手段および第 2の容量調整手 段との接続関係、第 1基本素子および第 1補助素子、第 2基本素子および第 2補助 素子の接続関係の他の例を示す図である。
符号の説明
[0022] 10 CVD装置
12 処理基板
14 反応容器
16 基板台
18 導入口
19 供給管
20 排気口
22 アンテナ素子
23 原料ガス分散室
24 ガス放射板
25 反応室
21 糸口 f 称
28 高周波電源
30 制御器
32 第 1電流'電圧センサ
34 第 2電流'電圧センサ
40 インピーダンス整合器
42 第 1の容量調整手段
44 第 2の容量調整手段
52a 第 1基本素子
52b 第 1補助素子
54a 第 2基本素子
54b 第 2補助素子
62a 第 1基本モータ
62b 第 1補助モータ
64a 第 2基本モータ
64b 第 2補助モータ
発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下、本発明のプラズマ生成装置及びプラズマ生成方法について詳細に説明する 図 1は、本発明のプラズマ生成装置の一実施形態であるプラズマ CVD装置 10の 構成を説明する概略構成図である。図 2は、 CVD装置 10のアンテナ素子の配置を 説明する図である。図 2においては、高周波信号を伝送する給電線を図示し、後述 するインピーダンス整合を行うための制御器及び制御線は図示されて 、な 、。
[0024] CVD装置 10は、ガラス基板やシリコンウェハ等の処理基板 12にプラズマ CVDを 用いて成膜処理を行う装置である。
CVD装置 10は、反応容器 14、処理基板 12を載置する基板台 16、反応容器 14の
壁面に設けられ、原料ガスを導入する導入口 18、反応容器 14の壁面に設けられ、 減圧のために原料ガス等を排気する排気口 20、反応容器 14に設けられ、原料ガス を反応室に放出するガス放射板 24、反応容器 14内に設けられた複数のアンテナ素 子 22、反応容器 14の外側に設けられるインピーダンス整合器 40、アンテナ素子 22 に給電する高周波電源 28、高周波電源 28及びインピーダンス整合器 40を制御する 制御器 30、アンテナ素子 22に給電される高周波信号の電流及び電圧を検出する第 1電流 ·電圧センサ 32、インピーダンス整合器 40を個別に調整するために電流及び 電圧を検出する第 2電流 ·電圧センサ 34、第 1電流'電圧センサ 32と第 2電流 ·電圧 センサ 34との間に設けられる分配器 33を有する。
[0025] 反応容器 14は、金属製の容器であり、反応容器 14の壁面は接地されている。
基板台 16は、処理基板 12がアンテナ素子 22に対向するように、処理基板 12を載 置する台であり、基板台 16の内部には処理基板 12を加熱する図示されな ヽ発熱体 が設けられ、さらに接地された図示されない電極板が設けられている。この電極板は バイアス電源に接続されて、バイアス電圧が印加されてもよ!、。
[0026] 導入口 18は、反応容器 14の上面側に設けられ、原料ガスを供給する供給管 19と 接続されている。供給管 19は、図示されない原料ガス源と接続されている。導入口 1 8から供給される原料ガスは、成膜の種類によって変わるが、例えば、低温ポリシリコ ン TFT液晶の場合、シリコン膜の作製に際してはシランガスが、またゲート絶縁膜の 作製に際しては TEOSが好適に用いられる。
[0027] 反応容器 14の上側には、原料ガス分散室 23が、ガス放射板 24によって下側の反 応室 25と仕切られて構成される。
ガス放射板 24は、導電性材料 (例えば、アルマイト処理されたアルミニウムなど)か らなる板状部材に 0. 5mm程度の貫通穴が複数あけられ、原料ガスが下側の反応室 25に一定の流速で放射するようになっている。なお、ガス放射板 24は、セラミック材 で構成されてもよいし、 CVDにより成膜された板状部材であってもよい。ガス放射板 24が、 CVDにより成膜された板状部材である場合、ガス放射板 24には金属膜が形 成されており接地されて!ヽる。
排気口 20は、反応容器 14内を所定の圧力に減圧した原料ガスの雰囲気とするた
めに、図示されな ヽ真空ポンプと接続した排気管 21に接続されて ヽる。
[0028] ガス放射板 24下側の反応室 25の上側部分には、ガス放射板 24に対向するように 、アレイ状に設けられた複数のアンテナ素子 22が設けられて 、る。
複数のアンテナ素子 22は、図 2に示すように、互いに平行にかつ平面状に配置さ れて、モノポールアンテナ力もなるアレイアンテナを形成する。このアレイアンテナは 、ガス放射板 24及び基板台 16に載置される処理基板 12に対して平行に設けられる モノポールアンテナであるアンテナ素子 22は、図 2に示すように隣接するアンテナ 素子 22と互いに逆方向に反応容器 14内の壁面力も突出しており、給電方向が逆向 きとなつている。これらのアンテナ素子 22は、それぞれマッチングボックスであるイン ピーダンス整合器 40と接続されて 、る。
[0029] 各アンテナ素子 22は、電気伝導率の高!、棒状 (パイプ状であってもよ!/、)の導体か らなり、使用する高周波の波長の(2n+ 1) Z4倍 (nは 0または正の整数である)の放 射長さもつ。各アンテナ素子 22の表面は、石英チューブ等の誘電体で被覆されてい る。棒状の導体を誘電体で被覆することで、アンテナ素子 22としての容量とインダク タンスが調整されており、これにより、アンテナ素子 22の突出方向に沿って高周波電 流を効率よく伝播させることができ、電磁波を効率よく放射させることができる。
このように誘電体で覆われたアンテナ素子 22は、反応容器 14の内壁に開けた開 口に電気的に絶縁して取り付けられており、アンテナ素子 22の高周波電流供給端の 側力 インピーダンス整合器 40に接続されて 、る。
[0030] アンテナ素子 22は、ガス放射板 24の近傍に設けられるので、アンテナ素子 22から 放射される電磁波は、隣接するアンテナ素子 22間で電磁波が相互に影響を及ぼし 合うことなぐガス放射板 24の接地されている金属膜の作用によって鏡像関係に形 成される電磁波と作用して、アンテナ素子毎に所定の電磁波を形成する。さらに、ァ レイアンテナを構成するアンテナ素子 22は、隣接するアンテナ素子 22と給電方向が 逆向きとなっているので、反応室 25において電磁波は均一に形成される。
[0031] インピーダンス整合器 40は、給電線 27と接続された第 1の容量調整手段 42と、ァ ンテナ素子 22と接合された第 2の容量調整手段 44とを有して構成されている。第 1
の容量調整手段 42は、第 1基本素子 52a、第 1補助素子 52b、第 1基本モータ 62a、 第 1補助モータ 62bとを有して構成されている。また、第 2の容量調整手段 44は、第 2 基本素子 54a、第 2補助素子 54b、第 2基本モータ 64a、第 2補助モータ 64bとを有し て構成されている。インピーダンス整合器 40には、アンテナ素子のインピーダンス整 合のためのスタブ 69が設けられている。インピーダンス整合器 40の筐体は、接地さ れた反応容器 14と接続 (電気的に接続)している。スタブ 69は、このインピーダンス 整合器 40の筐体と接続して接地されて 、る。
[0032] 第 1基本素子 52aおよび第 1補助素子 52bは、いずれも、容量素子を構成する電極 間が可変に構成され、容量 (特性パラメータ)が自在に調整できるようになっている。 第 1の容量調整手段 42に備えられた、第 1基本素子 52aおよび第 1補助素子 52bは 、いずれも一方の側の電極が給電線 27と接続され、他方の側の電極はともにスタブ 69と接続されて接地している。この容量の調整は、電極を移動させる第 1基本モータ 62aおよび第 1補助モータ 62bそれぞれによって行なわれる。第 1の容量調整手段 4 2では、第 1基本モータ 62aおよび第 1補助モータ 62bそれぞれによって、第 1基本素 子 52aおよび第 1補助素子 52bの容量がそれぞれ個別に調整されて、第 1本素子 52 aと第 1補助素子 52bの合成容量が調整される。以降、第 1基本素子 52aと第 1補助 素子 52bの合成容量のことを、給電線側合成容量と 、う。
[0033] 同様に、第 2基本素子 54aおよび第 2補助素子 54bは、いずれも、容量素子を構成 する電極間が可変に構成され、容量 (特性パラメータ)が自在に調整できるようになつ ている。第 2の容量調整手段 44に備えられた、第 2基本素子 54aおよび第 1補助素 子 54bは、いずれも一方の側の電極がアンテナ素子 22 (の導体)と接続され、他方の 側の電極はお互いスタブ 69と接続されて接地している。この容量の調整は、電極を 移動させる第 2基本モータ 64aおよび第 2補助モータ 64bそれぞれによって行なわれ る。第 2の容量調整手段 44では、第 2基本モータ 64aおよび第 2補助モータ 64bそれ ぞれによって、第 2基本素子 54aおよび第 2補助素子 54bの容量がそれぞれ個別に 調整されて、第 2基本素子 54aと第 2補助素子 54bの合成容量が調整される。以降、 第 2本素子 54aと第 2補助素子 54bの合成容量のことを、アンテナ素子側合成容量と いう。
[0034] なお、スタブ 69は、 、わゆるスタブ整合(stub matching)のための公知のスタブ であり、アンテナ素子 22に接続してアンテナ素子 22のインピーダンス整合に寄与す る、アンテナ素子 22を含んだ高周波電流の伝送線路の短い端部である。スタブ 69 は、使用する高周波の波長えの 1Z4 λの約 30%の長さ(波長 λの 7. 5%前後の長 さ)となっており、インピーダンス整合器 40の筐体と接続されて接地している。
[0035] 上記給電線側合成容量の調整、およびアンテナ線側合成容量の調整は、プラズマ の生成中にアンテナ素子 22の負荷の変化によって生じるインピーダンスの不整合を 是正するために行なわれる。後述するように、プラズマによって基板を処理するに先 がけて(すなわち、実際のプロセスに先がけて)、各アンテナ素子毎のインピーダンス 不整合を是正する (すなわち、インピーダンス整合状態を調整する)際は、第 1基本 素子 52aおよび第 2基本素子 54aの容量は固定したまま、第 1補助素子 52bおよび 第 2補助素子 54bの容量をそれぞれ個別に調整することで、給電線側合成容量およ びアンテナ線側合成容量を調整する (調整状態とする)。そして、実際に、プラズマに よって基板を処理する際 (すなわち、実際のプロセスの際)は、第 1補助素子 52bおよ び第 2補助素子 54bの容量は、この調整状態から変化させず、各アンテナ素子の第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aの容量を、各アンテナ素子 22全てにっ 、て 同期させて調整することで、アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合する。
[0036] 高周波電源 28は、図示されない高周波発振回路及び増幅器により構成され、制御 器 30からの信号に応じて、発振周波数が可変となるように構成されて!、る。
制御器 30は、後述する第 1電流 ·電圧センサ 32及び第 2電流 ·電圧センサ 34の検 知信号に応じて、高周波電源 28の発振周波数の変更及びインピーダンス整合器 26 の調整を行う制御部分である。高周波発信回路の発振周波数は、基板に対して行な うプロセスの違いに応じて変更することができる。また、後述する各種インピーダンス の整合動作においては、インピーダンス整合状態を微調整するために、高周波発信 回路の発振周波数を微調整してもよい。なお、発振周波数の変更や微調整の必要 がないプロセスに用いる場合など、高周波電源 28の発信周波数は、可変でなくともよ い。
[0037] 第 1電流.電圧センサ 32は、高周波電源 28からの高周波信号がアンテナ素子 22
ヽるか否かを検知するために、高周 波電源 28の出力端近傍で電流及び電圧を検知する部分である。第 1電流'電圧セ ンサ 32は、分配器 33を介してインピーダンス整合器 40と接続されている。第 2電流' 電圧センサ 34は、各インピーダンス整合器 40の入力端近傍に個別に設けられ、各ィ ンピーダンス整合器 40の調整を行うために、電流及び電圧を検知する部分である。 インピーダンス整合がなされて 、な 、場合、給電線 27とアンテナ素子 22の接続部分 で高周波信号の反射波が発生し、これによつて電流と電圧間に位相差が生じる。こ のため、第 1電流'電圧センサ 32及び第 2電流'電圧センサ 34において電流、電圧 を検知することで、各アンテナ素子毎に、インピーダンス整合の状態力 不整合の状 態かを検知することができる。第 1電流'電圧センサ 32及び第 2電流 ·電圧センサ 34 の検知信号は、制御器 30に供給される。
[0038] 制御器 30は、第 1電流 ·電圧センサ 32及び第 2電流 ·電圧センサ 34からの検知信 号に基づいて、各アンテナ素子毎に、インピーダンス整合の状態か否かを判断する。 制御器 30は、さらに、判断の結果に応じて、インピーダンス整合器 40における容量 の調整動作を制御する制御信号を生成して、第 1基本モータ 62a、第 1補助モータ 6 2b、第 2基本モータ 64a、および第 2補助モータ 64bに供給する。制御器 30は、実際 のプロセスに先がけて、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合状態を調整する際 は、第 1補助モータ 62bおよび第 2補助モータ 64bに制御信号を個別に供給して、第 1補助素子 52bおよび第 2補助素子 54bの容量をそれぞれ個別に調整し、給電線側 合成容量およびアンテナ線側合成容量を調整する。
[0039] そして、実際のプロセスの際は、各アンテナ素子 22の第 1基本モータ 62aそれぞれ について同時に、各アンテナ素子の第 1基本モータ 62aをそれぞれ同一量だけ駆動 して、各アンテナ素子の第 1基本素子 52aの容量をそれぞれ同一量だけ変化させる 制御信号を送る。また、同時に、各アンテナ素子 22の第 2基本モータ 64aそれぞれ につ 、ても、各アンテナ素子 22の第 2基本モータ 64aをそれぞれ同一量だけ駆動し て、各アンテナ素子の第 2基本素子 64aの容量をそれぞれ同一量だけ変化させる制 御信号を送る。これにより、各アンテナ素子の第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aの容量を、各アンテナ素子 22全てについて同期させて調整することで、アンテナ
アレイ全体のインピーダンスを整合させる。
なお、本実施形態では、第 1電流'電圧センサ 32及び第 2電流'電圧センサ 34の 双方を設けた構成であるが、本発明では、いずれか一方の電流'電圧センサを設け ればよい。しかし、より正確な制御を行うには、第 1電流'電圧センサ 32及び第 2電流 '電圧センサ 34の双方を設けた構成とすることが好ましい。
[0040] このような CVD装置 10では、反応容器 14内に導入口 18から原料ガスを送り込み、 一方、排出口 20に接続した図示されない真空ポンプを作動させて通常 lPa〜数 10 OPa程度の真空雰囲気を反応容器 14内につくる。この状態でアンテナ素子 22に高 周波信号を給電することで、アンテナ素子 22の周囲に電磁波が放射される。これに より、反応容器 14内でプラズマが発生するとともに、ガス放射板 24から放射された原 料ガスが励起されてラジカルをつくる。その際、発生したプラズマは導電性を有する ので、アンテナ素子 22から放射された電磁波はプラズマで反射され易い。このため、 電磁波はアンテナ素子 22周辺の局部領域に局在化する。
これにより、プラズマはアンテナ素子 22の近傍に局在化して形成される。
[0041] このとき、電磁波の放射するアンテナ素子 22の周辺には、局在化したプラズマが発 生しているので、アンテナ素子 22の負荷も変化する。このため、それぞれのアンテナ 素子等の製造誤差等にも起因して、アンテナ素子 22は、インピーダンス整合の状態 から不整合の状態に変化する。インピーダンス不整合の状態になると、高周波電源 2 8から供給される高周波信号の、給電線 27とアンテナ素子 22との接続部分における 反射率は高くなり、給電が十分に行われなくなる。その際、各アンテナ素子 22の負荷 変動も異なるため、各アンテナ素子 22における不整合の状態も異なる。このため、ァ ンテナ素子 22から放射される電磁波も分布を持ち、その結果、発生するプラズマの 密度分布も空間で変動することとなる。
[0042] このようなプラズマの密度分布の空間変動は、処理基板 12の成膜処理等にとって 好ましくない。このため、各アンテナ素子 22からの電磁波の放射が一定になり、均一 なプラズマが生成されるように、各アンテナ素子 22毎にインピーダンス整合が行われ ている必要がある。ここで、上述のような製造誤差等起因した特性パラメータの誤差 成分の、各アンテナ素子毎の違いは、特性パラメータの実際の設計値の大きさに比
ベて小さいものである。各アンテナ素子毎に、このような誤差成分の違いを解消して おけば、各アンテナ素子は設計値どおりの特性パラメータを有することになる。この状 態では、各アンテナ素子に共通して給電する高周波電圧の周波数や、各アンテナ素 子における、誤差成分以外の特性パラメータの成分を調整するだけで、各アンテナ 素子 22の負荷変動も極端に少なくなり、各アンテナ素子 22における不整合の状態も 極端に小さくなる。
[0043] 本発明は、このような点に本願発明者が着目してなされたものであり、製造誤差等 起因した特性パラメータの誤差成分を解消した状態で、各アンテナ素子の基本的な 特性パラメータ成分のみを、全てのアンテナについて同期して調整することを特徴と する。以下、装置 10を用いて行なう本発明のプラズマ生成方法の一例について述べ る。
[0044] 図 3は、 CVD装置 10を用いて行なわれる、本発明のプラズマ生成方法の一例のフ ローチャート図である。まず、反応容器 14内でプラズマが発生し、プラズマがアンテ ナ素子 22の近傍に局在化して形成された状態で、各アンテナ素子 22の調整状態を 確認する (ステップ S102)。具体的には、各アンテナ素子 22それぞれについて、第 1 電流 ·電圧センサ 32及び第 2電流 ·電圧センサ 34で検知された電流、電圧の情報が 検知信号として制御器 30に供給される。制御器 30では、全てのアンテナ素子 22〖こ つ!、て、供給される高周波信号の電流と電圧の位相差が所定の条件を満たして 、る 力 (例えば、ゼロとなっている力 )判断する(ステップ S106)。
[0045] ステップ S 106における判定が NOの場合、すなわち、複数のアンテナ素子 22のい ずれかにおいて、インピーダンスの不整合が認められた場合、各アンテナ素子 22そ れぞれにつ 、て、インピーダンス整合が行なわれる(ステップ S 108)。
[0046] 図 4は、ステップ S108における、各アンテナ素子 22それぞれのインピーダンス整合 について、さらに詳細に示すフローチャート図である。まず、各アンテナ素子に設けら れたインピーダンス整合器 40それぞれつ 、て、第 1の容量調整手段 42の第 1基本素 子 52aおよび、第 2の容量調整手段 44の第 2基本素子 54aの容量が設定される (ス テツプ S202)。このとき設定される容量としては、例えば、与えられる高周波電圧の 周波数に応じて予め設定されている容量 (設計値の容量)を設定しておくのが好まし
い。なお、これに限らず、例えば、各アンテナ素子 22毎に、第 1基本素子 52aおよび 第 2基本素子 54aのみの容量を個別に変更して、各アンテナ素子 22毎にインピーダ ンス整合を行うことで、第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aそれぞれの容量を 設定してもよい。この場合、各アンテナ素子 22毎に、インピーダンス整合が最も良好 となった (高周波信号の電流と電圧の位相差が、最もゼロに近づいた)際の、第 1基 本素子 52aおよび第 2基本素子 54aそれぞれの容量を設定してもよい。
[0047] そして、各アンテナ素子 22毎の、第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aの容量 が一定の値に設定されている状態で、第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aの 容量は固定したまま、第 1補助素子 52bおよび第 2補助素子 54bの容量をそれぞれ 個別に調整することで、給電線側合成容量およびアンテナ線側合成容量を調整して 、各アンテナ素子 22それぞれについて、インピーダンス整合を行なう。
[0048] アンテナ素子 22のインピーダンス整合は、具体的には、供給される高周波信号の 電流と電圧の位相差がゼロとなり、かつアンテナ素子 22のインピーダンスと給電線 2 7のインピーダンス (例えば 50オーム)が、第 1の容量調整手段 42、第 2の容量調整手 段 44を介して一致するように、第 1補助素子 52bおよび第 2補助素子 54bの容量を それぞれ個別に調整する。このような調整では、第 1電流 ·電圧センサ 32及び第 2電 流'電圧センサ 34で検知された電流、電圧の情報が検知信号として制御器 30に供 給される。制御器 30では、検知信号に基づいて、給電線側合成容量やアンテナ線 側合成容量が設定され、第 1補助モータ 62bおよび第 2補助モータ 64bを制御する 制御信号が生成される。こうして、制御信号が第 1補助モータ 62bおよび第 2補助モ ータ 64bに供給されて、アンテナ素子 22と信号線 27との間のインピーダンス整合が 行われる。
[0049] このような、第 1補助素子 52bおよび第 2補助素子 54bをそれぞれ個別に調整して 行なうインピーダンス整合は、アレイアンテナを構成する全てのアンテナ素子 22につ いて実行されるまで繰り返される(ステップ S206〜ステップ S 208〜ステップ S204)。 全てのアンテナ素子 22について、インピーダンス整合状態が調整されると、ステップ S 102の調整状態の確認が行なわれる。この場合、ステップ S 106の確認は OKとなり 、アンテナアレイ全体のインピーダンス整合が行なわれる(ステップ S110)。
[0050] ステップ SI 10では、各アンテナ素子の第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54a の容量を、各アンテナ素子 22全てについて同期させて調整することで、アンテナァレ ィ全体のインピーダンスを整合する。アンテナアレイ全体のインピーダンス整合は、具 体的には、供給される高周波信号の反射電力が各アンテナ素子 22でゼロとなり、結 果、アンテナアレイ全体に供給される高周波信号の反射電力がゼロとなるように、各 アンテナ素子の第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aの容量を、各アンテナ素 子 22全てにつ!、て同期させて調整する。
[0051] このような調整では、第 1電流'電圧センサ 32及び第 2電流'電圧センサ 34で検知 された電流、電圧の情報が検知信号として制御器 30に供給される。制御器 30では、 検知信号に基づいて、各アンテナ素子の第 1基本モータ 62aをそれぞれ同一量だけ 駆動して、各アンテナ素子の第 1基本素子 52aの容量をそれぞれ同一量だけ変化さ せる制御信号を送る。また、同時に、各アンテナ素子 22の第 2基本モータ 64aそれぞ れにつ 、ても、各アンテナ素子 22の第 2基本モータ 64aをそれぞれ同一量だけ駆動 して、各アンテナ素子の第 2基本素子 64aの容量をそれぞれ同一量だけ変化させる 制御信号を送る。これにより、各アンテナ素子の第 1基本素子 52aおよび第 2基本素 子 54aの容量を、各アンテナ素子 22全てについて同期させて調整することで、アン テナアレイ全体のインピーダンスを整合させる。このような、第 1基本素子 52aおよび 第 2基本素子 54aを同期させて調整するインピーダンス整合は、アンテナアレイ全体 のインピーダンスが整合されるまで、繰り返される。
[0052] このように、本発明では、第 1補助素子 52bおよび第 2補助素子 54bをそれぞれ個 別に調整し、製造誤差等に起因した特性パラメータの誤差成分の、各アンテナ素子 毎の違いを解消しておくことができる。その結果、各アンテナ素子の全てについて、 第 1基本素子 52aおよび第 2基本素子 54aのみを、同期させて調整するだけで、アン テナアレイ全体のインピーダンスを整合させることができる。すなわち、本発明では、 インピーダンス整合を高精度に、さらに迅速かつ容易に行うことができる。
[0053] 図 5 (a)は、図 1に示す CVD装置 10のインピーダンス整合器 40における、第 1の容 量調整手段 42および第 2の容量調整手段 44と、第 1基本素子 52aおよび第 1補助 素子 52b、第 2基本素子 54aおよび第 2補助素子 54b、の接続関係を示す図である。
図 5 (b)および図 6 (a)および (b)は、各手段および素子の接続関係の他の例を示す 図である。第 1の容量調整手段 42および第 2の容量調整手段 44は、図 5 (a)および( b)に示す例のように、並列に接続されるのみでなぐ図 6 (a)および (b)に示す例のよ うに、直列に接続されていてもよい。また、第 1の容量調整手段 42の第 1基本素子 52 aと第 1補助素子 52b、および第 2の容量調整手段 44の第 2基本素子 54aと第 2補助 素子 54bそれぞれも、図 5 (a)および図 6 (a)に示す例のように、それぞれ並列に接続 されるのみでなぐ図 5 (b)および図 6 (b)に示す例のように、それぞれ直列に接続さ れていてもよい。いずれの場合においても、各素子の容量を制御することにより、アン テナ素子 22と信号線 27のインピーダンス整合を行うことができる。
[0054] なお、本実施形態では、アンテナ素子 22のインピーダンス整合のために容量素子( キャパシタ)を用いたが、誘導素子 (インダクタ)を用いて、インダクタンス (特性パラメ ータ)を制御してもよい。
[0055] また、第 1補助素子 52bおよび第 2補助素子 54bの容量をそれぞれ個別に調整す ることで、各アンテナ素子 22それぞれについてインピーダンス整合を行なう際、各ァ ンテナ素子 22の 1本 1本に個別に高周波電力を供給して、各アンテナ 1つずつ同じ 条件 (圧力、ガス種、ガス流量、 RF電力、 RFの周波数等)でプラズマを放電させなが ら、アンテナ素子 22それぞれについてインピーダンスの整合を行なってもよい。ただ し、実際のプロセスにおいて、なるべく高精度にインピーダンス整合された状態に設 定する場合は、上記実施形態のように、複数のアンテナ素子 32で構成されたアンテ ナアレイ全体に高周波電力を供給した状態で、各アンテナ素子毎にインピーダンス 整合を行なうことが好ましい。この際、圧力が比較的高い状態 (例えば 130Pa)でブラ ズマを生成し、プラズマがよりアンテナに局在化して、アンテナ間の干渉が比較的小 さ 、状態で調整を行なうことが好まし 、。
[0056] また、上記実施形態では、容量素子のみの容量を制御したが、本発明にお!/、ては 、インピーダンス整合を正確に行うための、容量素子の容量に加えて高周波信号の 周波数を微調整してもよい。
[0057] 以上、本発明のプラズマ生成装置及びプラズマ生成方法について詳細に説明した
1S 本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲におい
て、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。例えば、本発明のプラズマ 生成装置は、 CVD装置の他にエッチング装置にも好適に用いることができる。
Claims
[1] 誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子が平面状に複数配 列されてなるアンテナアレイを用いたプラズマ生成装置であって、
前記アンテナアレイの各アンテナ素子に給電する高周波信号を生成する高周波電 源と、
インピーダンス整合のための特性パラメータが可変な基本素子と、前記特性パラメ ータが可変な補助素子とを備え、前記基本素子の前記特性パラメータと前記補助素 子の前記特性パラメータとが合成された合成特性パラメータを変化させることで、各 アンテナ素子のインピーダンス整合状態を変化させるインピーダンス整合器と、 各インピーダンス整合器の前記合成特性パラメータの大きさをそれぞれ調整するこ とで、前記アンテナアレイ全体のインピーダンス整合を行う制御器と、を有し、 前記制御器は、各アンテナ素子毎に前記補助素子の前記特性パラメータが調整さ れて、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調整された調整状態で、各アンテ ナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータを、それぞれ同期させて調整すること で、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合することを特徴とするプラズマ生 成装置。
[2] 前記制御器は、前記調整状態で、各アンテナ素子の前記基本素子の前記特性パ ラメータの大きさを、それぞれ同一の大きさだけ増加または減少させて、前記アンテ ナアレイ全体のインピーダンスを整合することを特徴とする請求項 1記載のプラズマ 生成装置。
[3] 前記調整状態は、各アンテナ素子全ての前記基本素子の前記特性パラメータが、 それぞれ同一の大きさに固定されて、各アンテナ素子毎に前記補助素子の前記特 性パラメータが調整されることで、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調整さ れた状態であり、
前記制御器は、各アンテナ素子全ての前記基本素子の前記特性パラメータを、そ れぞれ同一の大きさに調整することで、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを 整合することを特徴とする請求項 1または 2記載のプラズマ生成装置。
[4] 前記アンテナ素子毎に設けられた前記インピーダンス整合器それぞれは、前記ァ
ンテナ素子へ前記高周波信号を給電する給電線と接続された第 1のパラメータ調整 手段と、前記アンテナ素子と接合された第 2のパラメータ調整手段とを有して構成さ れ、
前記基本素子および前記補助素子は、前記第 1の容量調整手段および前記第 2 の容量調整手段のいずれにも、それぞれ設けられていることを特徴とする請求項 1〜 3の 、ずれかに記載のプラズマ生成装置。
[5] 前記第 1のパラメータ調整手段では、前記基本素子の前記給電線が接続された側 と反対側の端子と、前記補助素子の前記給電線が接続された側と反対側の端子は いずれも、各アンテナ素子のインピーダンス整合のために設けられた、接地されたス タブと接続されており、
前記第 2のパラメータ調整手段では、前記基本素子の前記アンテナ素子が接続さ れた側と反対側の端子と、前記補助素子の前記アンテナ素子が接続された側と反対 側の端子とが、 V、ずれも前記スタブと接続されて!、ることを特徴とする請求項 4記載 のプラズマ生成装置。
[6] 前記特性パラメータは、インピーダンス整合のための容量パラメータであり、
前記基本素子および前記補助素子は、 Vヽずれも前記容量パラメータが可変な容量 素子であることを特徴とする請求項 1〜5のいずれかに記載のプラズマ生成装置。
[7] 誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子が平面状に複数配 列されてなるアンテナアレイと、インピーダンス整合のための特性パラメータが可変な 基本素子と、前記特性パラメータが可変な補助素子とを備え、前記基本素子の前記 特性パラメータと前記補助素子の前記特性パラメータとが合成された合成特性パラメ ータを変化させることで、各アンテナ素子のインピーダンス整合状態を変化させるイン ピーダンス整合器と、を用いてプラズマを生成する際、
各アンテナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータがそれぞれ固定されて、各 アンテナ素子毎に前記補助素子の前記特性パラメータが調整されることで、各アンテ ナ素子毎のインピーダンス整合が調整された調整状態で、
前記アンテナアレイの各アンテナ素子に高周波信号を給電して前記アンテナ素子 カゝら電磁波を放射してプラズマを生成させ、
各アンテナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータを、それぞれ同期させて調 整することで、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合することを特徴とする プラズマ生成方法。
[8] 前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合する際、前記調整状態で、各アン テナ素子の前記基本素子の前記特性パラメータの大きさを、それぞれ同一の大きさ だけ増加または減少させて、前記アンテナアレイ全体のインピーダンスを整合するこ とを特徴とする請求項 7記載のプラズマ生成方法。
[9] 前記プラズマの生成に先がけ、各アンテナ素子全ての前記基本素子の前記特性 ノ メータを、それぞれ同一の大きさに固定して、この固定状態でプラズマを生成し、 高周波電力の反射がそれぞれゼロになるよう、各アンテナ素子毎に前記補助素子の 前記特性パラメータを調整し、各アンテナ素子毎のインピーダンス整合が調整された 前記調整状態を設定することを特徴とする請求項 7または 8記載のプラズマ生成方法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP07740295A EP2001044A4 (en) | 2006-03-29 | 2007-03-29 | PLASMA GENERATION DEVICE AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING |
| US12/294,531 US8098016B2 (en) | 2006-03-29 | 2007-03-29 | Plasma generating apparatus and plasma generating method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006-090404 | 2006-03-29 | ||
| JP2006090404A JP4817923B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2007114247A1 true WO2007114247A1 (ja) | 2007-10-11 |
Family
ID=38563515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2007/056857 Ceased WO2007114247A1 (ja) | 2006-03-29 | 2007-03-29 | プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8098016B2 (ja) |
| EP (1) | EP2001044A4 (ja) |
| JP (1) | JP4817923B2 (ja) |
| KR (1) | KR101041252B1 (ja) |
| TW (1) | TWI398197B (ja) |
| WO (1) | WO2007114247A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177049A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5052537B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2012-10-17 | 三井造船株式会社 | プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法 |
| TWI455172B (zh) * | 2010-12-30 | 2014-10-01 | Semes Co Ltd | 基板處理設備、電漿阻抗匹配裝置及可變電容器 |
| US9269521B2 (en) | 2011-11-08 | 2016-02-23 | University Of Utah Research Foundation | Micro-plasma field effect transistors |
| US8643275B2 (en) * | 2011-11-08 | 2014-02-04 | University Of Utah Research Foundation | Micro-plasma field effect transistors |
| TWI488546B (zh) * | 2012-02-23 | 2015-06-11 | 新川股份有限公司 | A plasma generating device and a plasma reactor |
| JP2015022940A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、異常発振判断方法及び高周波発生器 |
| JP6244014B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-12-06 | 株式会社日立国際電気 | 電源装置及びインピーダンス整合方法 |
| KR102024185B1 (ko) * | 2018-01-11 | 2019-09-23 | (주)이큐글로벌 | 소스 매처 |
| JP7061264B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-04-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ制御システム及びプラズマ制御システム用プログラム |
| JP7135529B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-09-13 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7298320B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-06-27 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用プログラム |
| JP7352068B2 (ja) * | 2019-07-12 | 2023-09-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ制御システム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152097A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Nippon Scient Kk | プラズマエツチング装置における電源マツチング回路 |
| JP2001257097A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JP2003273035A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-09-26 | Alps Electric Co Ltd | プラズマ処理装置及びその駆動方法並びにプラズマ処理方法 |
| JP2005149887A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ発生装置用アンテナの整合方法及びプラズマ発生装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270617B1 (en) * | 1995-02-15 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US6252354B1 (en) * | 1996-11-04 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control |
| TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| JP3501668B2 (ja) | 1997-12-10 | 2004-03-02 | キヤノン株式会社 | プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 |
| KR100542459B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2006-01-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
| JP4564213B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2010-10-20 | 三井造船株式会社 | プラズマ生成用アンテナ及びcvd装置 |
| TW200300649A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-01 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus, its driving method, matching circuit design system, and plasma processing method |
| JP3872741B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2007-01-24 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
| JP4088616B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2008-05-21 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置、基板処理システム、及び製膜・セルフクリーニング方法 |
| JP2006278862A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ加工装置 |
-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006090404A patent/JP4817923B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-29 WO PCT/JP2007/056857 patent/WO2007114247A1/ja not_active Ceased
- 2007-03-29 US US12/294,531 patent/US8098016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-29 EP EP07740295A patent/EP2001044A4/en not_active Withdrawn
- 2007-03-29 KR KR1020087023390A patent/KR101041252B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-29 TW TW096111104A patent/TWI398197B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152097A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Nippon Scient Kk | プラズマエツチング装置における電源マツチング回路 |
| JP2001257097A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JP2003273035A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-09-26 | Alps Electric Co Ltd | プラズマ処理装置及びその駆動方法並びにプラズマ処理方法 |
| JP2005149887A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ発生装置用アンテナの整合方法及びプラズマ発生装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See also references of EP2001044A4 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177049A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200840427A (en) | 2008-10-01 |
| JP4817923B2 (ja) | 2011-11-16 |
| TWI398197B (zh) | 2013-06-01 |
| KR20080106296A (ko) | 2008-12-04 |
| JP2007266374A (ja) | 2007-10-11 |
| EP2001044A4 (en) | 2010-09-29 |
| EP2001044A2 (en) | 2008-12-10 |
| US20100236917A1 (en) | 2010-09-23 |
| US8098016B2 (en) | 2012-01-17 |
| EP2001044A9 (en) | 2009-04-08 |
| KR101041252B1 (ko) | 2011-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 07740295 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
| NENP | Non-entry into the national phase |
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