WO2007114358A1 - ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position and an organic electoluminescence (EL) device using the same, and more specifically, a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position, and the same
  • the present invention relates to an organic EL device that improves the chromaticity of light emission by using.
  • Organic-electric luminescence elements may be abbreviated as EL to recombine holes injected from an anode and electrons injected from a cathode by applying an electric field. It is a self-luminous element that utilizes the principle that fluorescent substances emit light by energy.
  • Eastman's Kodak CW Tang et al. Reported a low-voltage driven organic EL device using a stacked device (CW Tang, SA Vanslyke, Applied Physics Letters, 51 ⁇ , 913, 1987, etc.). Since then, research on organic EL devices using organic materials as constituent materials has been actively conducted. Tang et al.
  • the device structure of the organic EL device is a two-layer type of hole transport (injection) layer, electron transport light-emitting layer, or hole transport (injection) layer, light-emitting layer, electron transport (injection) layer
  • the three-layer type is well known. In such a multilayer structure element, the element structure and the formation method have been devised in order to increase the recombination efficiency of injected holes and electrons.
  • light-emitting materials such as chelate complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complexes, coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and the like are known. Is blue to red It has been reported that light emission in the visible region can be obtained, and a color display element is expected to be realized (for example, Patent Document 1, Patent Document 2, Patent Document 3, etc.).
  • chelate complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complexes, coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and the like. Is blue to red It has been reported that light emission in the visible region can be obtained, and a color display element is expected to be realized (for example, Patent Document 1, Patent Document 2, Patent Document 3, etc.).
  • Patent Document 4 discloses a benzanthracene derivative having an aromatic hydrocarbon ring at the 12-position as a light-emitting material. Such a benzanthracene derivative is used as a blue light-emitting material, but has a defect that the device life is sufficient and the chromaticity is not good.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-239655
  • Patent Document 2 JP-A-7-138561
  • Patent Document 3 JP-A-3-200289
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-178548
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides an organic EL device having good chromaticity, and is particularly suitable as a light-emitting material used for the organic EL device of the present invention.
  • the present invention provides a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position represented by the following general formula (1).
  • R 1 -R 10 independently of each other, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic group having 5 to 50 nuclear atoms Heterocyclic group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted nucleus cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted Or an unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted A substituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atom
  • L is a linking group, a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted divalent aromatic group having 5 to 50 nuclear atoms.
  • n is an integer of:! ⁇ 4.
  • each L may be the same or different.
  • Ar is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nucleus atoms, a fluorenyl group, Or it is a carbazolyl group.
  • n is an integer between :! When m is an integer of 2 or more, multiple 1 ⁇ to 1 ⁇ ° and L may be the same or different. ]
  • the present invention also relates to an organic EL outer luminescence device in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode.
  • the present invention provides an organic electoluminescence device containing a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position as a single component or a mixture component. The invention's effect
  • the organic EL device containing a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention can produce an organic EL device having high luminous efficiency, long life, and good chromaticity. Is possible.
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention is represented by the following general formula (1).
  • -° is independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted nuclear atom number of 5 to 50.
  • Aromatic heterocyclic group substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon number 1 to 50 Alkoxy groups, substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted aryloxy groups having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted aryloxy groups having 5 to 50 nuclear carbon atoms.
  • silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group, or hydroxyl group is there.
  • L is a linking group, a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted divalent aromatic group having 5 to 50 nuclear atoms.
  • n is an integer of:! ⁇ 4.
  • each L may be the same or different.
  • Ar is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nucleus atoms, a fluorenyl group, Or it is a carbazolyl group.
  • n is an integer of :! to 4, preferably an integer of 1 to 3.
  • m is an integer of 2 or more, a plurality of 1 ⁇ -1 ⁇ ° and L may be the same or different.
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (2).
  • Ar represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nucleus atoms, a fluorenyl group, or a carbazolyl group. It is.
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (3).
  • ⁇ ° is independently the same as ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 1 ⁇ in general formula (1).
  • L and ⁇ are independently the same as those in general formula (1).
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (4).
  • R 1 to ° are independently the same as ⁇ to 1 ⁇ ° in general formula (1).
  • L is the same as in general formula (1).
  • q, r and s are each independently the same as n in the general formula (1).
  • Ar is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a fluorenyl group, or a carbazolyl group.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group of 1 to! ⁇ include, for example, a vinylol group, 1_naphthyl group, 2_naphthyl group, 1_anthryl group, 2_anthryl group, 9_anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1_naphthacenyl group, 2_naphthacenyl group, 9_naphtha Cenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-2-yl group, p-telphenyl 2-lu 3-yl group, p-terphenyl 2-ru 2-myl group, m-terphenyl-2
  • a phenyl group, 1_naphthyl group, 2_naphthyl group, 9_ (10-phenyl) anthryl group, 9_ (10_naphthyl_1-yl) anthryl group, 9_ (10-naphthyl group) are preferable.
  • substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups of R 1 -R ⁇ are 1-pyrrolyl group, 2 pyrrolyl group, 3 pyrrolyl group, pyradyl group, 2 pyridinyl group, 3 pyridinyl group, 4 —pyridinyl group, 1 Indolinol group, 2-Indolinole group, 3-Indolyl group, 4-Indolinole group, 5-Indolyl group, 6-Indolyl group, 7-Indolyl group, 1 Isoindolyl group, 2-Isoindolyl group, 3-Isoindolyl group, 4 Isoindolyl group, 5 —Isoindolyl group, 6—Isoindolyl group, 7—Isoindolyl group, 2 Furyl group, 3 Furyl group, 2 Benzofuranyl group, 3—Benzofuranyl group, 4—Benzofur
  • substituted or unsubstituted alkyl groups for R 1 ! ⁇ include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n butyl, s butyl, isobutyl, t butyl, and n-pentyl.
  • Examples of ⁇ ⁇ to ⁇ 3 ⁇ substituted or unsubstituted cycloalkyl groups include, for example, cyclopropinole group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexinole group, 1-adamantyl group Group, 2-adamantyl group, 1_norbornyl group, 2-nonolebornyl group and the like.
  • the alkoxy group of ⁇ to ° is a group represented by — ⁇ , and examples of ⁇ include the same examples as the above alkyl group.
  • ⁇ ⁇ 1 3 As examples of the substituted or unsubstituted Ararukiru groups °, benzyl group, 1 _ Hue Niruechiru group, 2-Fueniruechiru group, 1-phenylalanine isopropyl, 2-Fueniruiso propyl group, Hue 2-luo t-butyl group, ⁇ -naphthylmethyl group, 1 ⁇ naphthylethyl group, 2-a naphthylethyl group, 1 ⁇ naphthylisopropyl group, 2- ⁇ naphthylisopropyl group, ⁇ naphthylmethyl group, 1- ⁇ naphthylethyl group, 2 ⁇ -naphthylethyl group, 1- ⁇ -naphthylisopropyl group, 2- ⁇ -naphthylisopropyl group, 1-pyrrolinoremethinole group
  • the substituted or unsubstituted aryloxy group of ⁇ ⁇ to ⁇ 3 ⁇ is represented by _ ⁇ ', and examples of Y' include the same as the aryl group and aromatic heterocyclic group.
  • a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group I ⁇ R 315 is - represented as COOZ, as T example, as the examples of the alkyl group.
  • Examples of the substituted or unsubstituted silyl group include a trimethylsilyl group, a tritylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a butyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, and a triphenylsilyl group. May be.
  • halogen atom of ⁇ ⁇ to ⁇ 3 ⁇ examples include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like.
  • L is a linking group, a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group.
  • An example of a divalent aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms having a substituted or unsubstituted L is generated by removing one hydrogen atom from the ⁇ to ° aromatic hydrocarbon group 2
  • a divalent group formed from benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, naphthacene, thalylene, pyrene, etc. is preferable.
  • divalent aromatic heterocyclic residue of a substituted or unsubstituted 5 to 50 ring atoms of L the! ⁇ ⁇ 1 3 aromatic heterocyclic group ° further removing one hydrogen atom
  • the resulting divalent groups include pyrrole, pyridine, indole, isoindole, quinoline, carbazolone, phenanthorin, thiophene, furan, benzothiophene, benzofuran, benzoimidazole, dibenzothiophene, dibenzofuran, etc.
  • a valent group is preferred.
  • ⁇ is an integer between :!
  • L may be the same or different.
  • Ar is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, a fluorenyl group, or a strong ruberazolyl. It is a group.
  • Ar in the general formula (2) is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, a fluorenyl group, or a carbazolyl group.
  • Ar in the general formula (4) is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon A cyclic group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, a fluorenyl group, or a carbazolyl group.
  • a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon ring residue of Ar as in the case of L, it is generated by removing one hydrogen atom from the 1 ⁇ to ° aromatic hydrocarbon group.
  • a divalent group is mentioned, and a preferable example is also the same.
  • a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic residue of Ar as in the case of L, it is formed by further removing one hydrogen atom from the 1 ⁇ -° aromatic heterocyclic group 2 A valent group, and preferred examples are also the same.
  • n is an integer of :! to 4, preferably an integer of 1 to 3.
  • m is an integer of 2 or more, a plurality of 1 ⁇ to ° and L may be the same or different.
  • Examples of the substituent of 1 ⁇ to 1 ⁇ ° and Ar include an alkyl group (methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n_butyl group, s_butyl group, isobutyl group, t_ Butyl group, n pentyl group, n hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutynole group, 1 , 2 Dihydroxyethyl group, 1,3 dihydroxyisopropyl group, 2,3 dihydroxyt-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group , 2-chlorodiethyl isobutyl group, 1,2-dichlorodiethyl group, 1,3 dicyclodiethyl group,
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention is preferably a light-emitting material for an organic EL device, and particularly preferably a host material for an organic EL device.
  • the organic EL device of the present invention is an organic electoluminescence device in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, wherein the organic thin film layer has the general formula (1) Containing at least one selected from benzanthracene derivatives having a hydrogen atom at the 12-position as described above alone or as a component of a mixture.
  • the light emitting layer further comprises an arylamine compound and Z Or, preferably containing a styrylamine compound.
  • Ar 3 is a group selected from a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a stilbene group, and a distyryl aryl group
  • Ar 4 and Ar 5 are each a hydrogen atom or an aromatic having a carbon number of 3 ⁇ 4 to 20 Ar 3 , Ar 4 and Ar 5 may be substituted
  • p is an integer of 1 to 4. More preferably, at least one of Ar 4 or Ar 5 is substituted with a styryl group However, at least one of Ar 3 to Ar 5 contains a substituted or unsubstituted styryl group.
  • examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, and a terphenyl group.
  • arylamine compound those represented by the following general formula (B) are preferable.
  • Ar 6 to Ar 8 are each a substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms.
  • Q is an integer of 1 to 4.
  • the aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms includes, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a coronyl group, a biphenyl group, a terphee group.
  • preferable substituents of the aryl group include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms (ethyl group, methylol group, isopropyl group, n_propyl group, s-butynole group, t_butyl group, Pentynole group, hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), C1-C6 alkoxy group (ethoxy group, methoxy group, isopropoxy group, n-propoxy group, s-butoxy group, t- Butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, cyclopentoxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms, amino group substituted with aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms, Examples thereof include an ester group having an aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms, an ester group having an alky
  • Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode (3) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode (4) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode
  • the force S in which the configuration of (8) is preferably used is not limited thereto.
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention may be used in any of the organic layers described above.
  • the amount contained preferably in the transport zone is selected from 30 to: 100 mol% force.
  • This organic EL element is usually produced on a translucent substrate.
  • This translucent substrate is a substrate that supports the organic EL element.
  • the transmissivity of light in the visible region of 400 to 700 nm is 50% or more, and a smoother substrate is desired. I prefer to use it.
  • a translucent substrate for example, a glass plate, a synthetic resin plate, or the like is preferably used.
  • the glass plate include a plate formed of soda-lime glass, norlium-strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz, and the like.
  • the synthetic resin plate include polycarbonate resin, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin, polyether sulfide resin, and polysulfone resin.
  • the anode plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer. It is effective to have a work function of 5 eV or more.
  • Specific examples of the anode material used in the present invention include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), gold, silver, platinum, and copper.
  • the cathode is preferably made of a material having a small work function for the purpose of injecting electrons into the electron transport layer or the light emitting layer.
  • the anode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance of the anode for light emission is greater than 10%.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / mouth or less.
  • the film thickness of the anode is a force that depends on the material.
  • the light emitting layer is
  • Injection function function that can inject holes from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and can inject electrons from the negative electrode or electron injection layer
  • Transport function Function to move injected charges (electrons and holes) by the force of electric field
  • Luminescent function provides a field for recombination of electrons and holes, and has a function to connect this to light emission.
  • the light emitting layer is particularly preferably a molecular deposited film.
  • the molecular deposited film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gas phase state or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state.
  • This molecular deposited film can be distinguished from a thin film (molecular accumulation film) formed by the LB method by the difference in aggregated structure and higher-order structure and the functional differences resulting from it.
  • a binder such as a resin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, which is then thin-filmed by a spin coating method or the like.
  • the light emitting layer can also be formed by this.
  • the light emitting layer may contain other known light emitting materials other than the light emitting material comprising a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention.
  • other known light emitting layers are added to the light emitting layer containing the light emitting material of the present invention. Laminate a light-emitting layer containing a light material.
  • the hole injecting / transporting layer is a layer that helps injecting holes into the light emitting layer and transports them to the light emitting region, and has a high hole mobility and usually has an ion energy of 5.5 eV or less. And small.
  • a material that transports holes to the light-emitting layer with a lower electric field strength is preferred.
  • the mobility force of holes is, for example, 10 4 ⁇ : When an electric field of OV / cm is applied. , even without least a 10- 4 cm 2 ZV 'seconds is preferable.
  • a material conventionally used as a hole charge transport material in a photoconductive material or a known medium strength arbitrary material used for a hole injection layer of an organic EL element is selected. Can be used.
  • Porphyrin compounds (disclosed in JP-A-63-29556965), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (US) Patent No. 4, 127, 412, JP-A 53-27033, 54-58445, 54-149634, 54-64299, 55-79450, 55-144250 gazette, 56-119132 gazette, 61-295 558 gazette, 61-98353 gazette, 63-295695 gazette, etc.), especially using aromatic tertiary amine compounds preferable.
  • US Pat. No. 5,061,569 has two condensed aromatic rings in the molecule, for example, 4,4,1bis (N_ (1-naphthyl) 1N-phenylamino) biphenyl. (Hereinafter abbreviated as NPD), and four triamineramine units described in JP-A-4-308688 are connected in a starburst type 4, 4 ', 4 "-Tris (N- (3 —Methylphenyl) _N_phenylamino) triphenylamine (hereinafter abbreviated as MTDATA), and the like.
  • NPD 1,4-naphthyl 1N-phenylamino
  • MTDATA triphenylamine
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC are also used as the material for the hole injection layer. Can be used.
  • the hole injection and transport layer can be formed by thin-filming the above-described compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.
  • the thickness of the hole injection or transport layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 zm.
  • the organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the light-emitting layer, and preferably has a conductivity of 10-1 Q S / cm or more.
  • Examples of materials for such an organic semiconductor layer include thiophene oligomers, conductive oligomers such as allylamin oligomers disclosed in JP-A-8-193191, and conductive materials such as allylamin dendrimers. Sex dendrimers and the like can be used.
  • the electron injection layer 'transport layer is a layer that assists the injection of electrons into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high electron mobility
  • the adhesion improving layer is the electron injection layer.
  • it is a layer made of a material that particularly adheres well to the cathode.
  • the electron transport layer is appropriately selected with a film thickness of several nm to several ⁇ , but particularly when the film thickness is large, in order to avoid a voltage rise, 10 4 to 10 / ( : 111 electron mobility of at least 10 5 when an electric field is applied in (: 111 2 / ⁇ 3 is preferably the following.
  • 8-hydroxyquinoline or a metal complex of its derivative, a oxadiazole derivative is preferable.
  • Specific examples of the above-mentioned metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives include metal chelate oxinoid compounds containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline), such as tris (8-quinolinone).
  • No) Aluminum can be used as an electron injection material.
  • examples of the oxadiazole derivative include an electron transfer compound represented by the following general formula.
  • Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 9 each represents a substituted or unsubstituted aryl group, which may be the same or different from each other.
  • Ar 4 , Ar 7 , Ar 8 represent a substituted or unsubstituted arylene group, and may be the same or different.
  • the aryl group is a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group. Group, pyrenyl group.
  • Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthranylene group, a peryleneylene group, and a pyrenylene group.
  • Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyan group. This electron transfer compound is preferably a film-forming compound.
  • electron transfer compound examples include the following.
  • ⁇ ⁇ 3 each independently represents a nitrogen atom or a carbon atom.
  • Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms
  • Ar 2 is a hydrogen atom, substituted or unsubstituted Aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or substituted or unsubstituted carbon number 1 to 20 alkoxy groups, or these divalent groups.
  • any one of Ar 1 and Ar 2 is a substituted or unsubstituted condensed ring group having 10 to 60 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted monoheterocondensed ring group having 3 to 60 nuclear carbon atoms. .
  • ⁇ L 2 and L are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group. It is a substituted fluorenylene group.
  • R represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having! To 20 carbon atoms.
  • a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, ⁇ is an integer of 0 to 5 , and when ⁇ is 2 or more, a plurality of R may be the same or different.
  • a plurality of adjacent R groups may be bonded together to form a carbocyclic aliphatic ring or carbocyclic aromatic ring. The nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by this. [0045] HAr-L-Ar'-A
  • HAr is a nitrogen-containing heterocycle having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent
  • L is a single bond and having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
  • Ariren group, Les substituted, also good Le, Re has a heteroarylene group or substituent to the 3 to 60 carbon atoms, it may also be a full Oreniren group
  • Ar 1 is, A divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent
  • Ar 2 is an aryl group or substituted having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
  • X and Y are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having from 6 to 6 carbon atoms: alkoxy group, alkenyloxy group, alkynyloxy group, hydroxy group, substituted or substituted Is a structure in which an unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic ring, or X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring.
  • R to R are independently hydrogen, halogen, or halogen.
  • Atoms substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy groups, aryloxy groups, perfluoroalkyl groups, perfluoroalkoxy groups, amino groups, alkylcarbonyl groups, aryls.
  • R to R and Z are each independently a hydrogen atom, saturated or unsaturated carbonization
  • a hydrogen group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic group, a substituted amino group, a substituted boryl group, an alkoxy group or an aryloxy group, and X, Y and Z are each independently saturated or unsaturated.
  • a hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic group, a substituted amino group, an alkoxy group, or an aryloxy group, and z and a substituent may be bonded to each other to form a condensed ring.
  • N represents an integer from 1 to 3, and when n is 2 or more, Z may be different.
  • n is 1, X, Y
  • R is a methyl group
  • R is a hydrogen atom or a substituted boryl group
  • n is 3,
  • Q 1 and Q 2 each independently represent a ligand represented by the following general formula (K), and L represents a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted Substituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted heterocyclic group, one OR 1 (R 1 is a hydrogen atom, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group , A substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group) or —0—0 & — ⁇ 3 3 ((3 4 ) (Q 3 and Q 4 are Q 1 and Q 2 and Represents the same ligand.] [0052] [Chemical 18]
  • ring 1 and ring 2 are each a 6-membered aryl ring structure condensed with each other which may have a substituent. ]
  • This metal complex is strong as an n-type semiconductor and has a high electron injection capability. Furthermore, since the generation energy at the time of complex formation is low, the bond between the metal and the ligand of the formed metal complex is strengthened, and the fluorescence quantum efficiency as a light emitting material is also increasing.
  • substituents of the rings A 1 and A 2 that form the ligand of the general formula (K) include chlorine, bromine, iodine, a halogen atom of fluorine, a methylol group, an ethyl group, a propyl group, Butyl group, s-butynol group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, trichloromethyl group, etc., substituted or unsubstituted alkyl group, fuel group, naphthyl group, 3 Substituted or unsubstituted aryl groups such as _methylphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 3_fluorophenylene group, 3_trichloromethylphenyl group, 3_trifluoromethylphenyl group, 3_nitrophenyl group , Methoxy, n-butoxy
  • arylothio group such as 3-trifluoromethylphenylthio group, cyano group, nitro group, amino group, methylamino group, jetylamino group, ethylamino group
  • a preferred form of the organic EL device of the present invention is a device containing a reducing dopant in a region for transporting electrons or an interface region between the cathode and the organic layer.
  • the reducing dopant is defined as a substance capable of reducing the electron transporting compound. Accordingly, various materials can be used as long as they have a certain reducibility, such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, alkali metal oxides, alkali metal halides, alkaline earth metals.
  • At least one substance can be preferably used.
  • Na (work function: 2. 36 eV)
  • K (work function: 2. 28 eV)
  • Rb (work function: 2. 16 eV)
  • Cs (work function: 1. 95 eV) force at least one alkali metal selected from the group consisting of Ca (work function: 2 9eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.52 eV) force.
  • the work function includes at least one alkaline earth metal selected from the group of 2. Particularly preferred is 9 eV or less.
  • a more preferred reducing dopant is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. It is.
  • alkali metals can improve emission brightness and extend the life of organic EL devices by adding a relatively small amount to the electron injection region, which has a particularly high reducing ability.
  • a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less a combination of these two or more alkali metals is also preferred.
  • combinations containing Cs, such as Cs and Na, Cs and K, A combination of Cs and Rb or Cs, Na and ⁇ is preferred.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer.
  • an insulator it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides. If the electron injection layer is composed of these alkali metal chalcogenides or the like, it is preferable in that the electron injection property can be further improved.
  • preferable alkali metal rucogenides include, for example, LiO, KO, Na S, Na Se and NaO
  • preferable alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, and CaSe
  • preferable alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, KC1, and NaCl.
  • examples of preferable alkaline earth metal halides include CaF, BaF, SrF, MgF and BeF, and fluorides, and halides other than fluorides.
  • the semiconductors that make up the electron transport layer include Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, One kind or a combination of two or more kinds of oxides, nitrides or oxynitrides containing at least one element of Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb and Zn may be mentioned.
  • the inorganic compound constituting the electron transport layer is preferably a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, and pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-mentioned alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal force rucogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides.
  • the cathode those having a low work function, (4 eV or less) metal, alloy, electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material are used.
  • electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium silver alloy, aluminum / aluminum oxide, AlZLiO, Al / LiO, Al / LiF, aluminum lithium alloy. , Indium, and rare earth metals.
  • This cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance for the light emission of the cathode is preferably larger than 10%.
  • the sheet resistance as a cathode is preferably several hundred ⁇ / b or less, and the film thickness is usually 10 nm to l / im, preferably 50 to 200 nm.
  • an organic EL element applies an electric field to an ultra-thin film, pixel defects are likely to occur due to leakage or a short circuit.
  • an insulating thin film layer may be inserted between the pair of electrodes.
  • Examples of the material used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, oxidizing power, subsequentlyium, calcium fluoride, aluminum nitride, titanium oxide, Examples thereof include silicon oxide, germanium oxide, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide. A mixture or laminate of these may be used.
  • the organic EL device of the present invention for example, an anode, a light emitting layer, a hole injection layer as necessary, and an electron injection layer as necessary by the materials and methods described above.
  • the cathode may be formed last.
  • the organic EL element can be fabricated in the reverse order from the cathode to the anode.
  • a thin film made of an anode material is formed by vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 zm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm, and used as an anode.
  • a hole injection layer is provided on the anode.
  • the hole injection layer can be formed by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. A homogeneous film can be obtained immediately and pinholes are not easily generated. In view of the above, it is preferable to form the film by a vacuum evaporation method.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used (material of the hole injection layer), the crystal structure and recombination structure of the target hole injection layer, etc.
  • deposition source temperature 50 to 450 ° C, vacuum degree of 10- 7 ⁇ : 10- 3 ⁇ :, deposition rate 0. 01 ⁇ 50nm / sec, a substrate temperature of 50 to 300 ° C, in the range of thickness of 5 nm to 5 mu m It is preferable to select appropriately.
  • a light emitting layer is provided on the hole injection layer.
  • the light emitting layer can also be formed by thinning the light emitting material by a method such as vacuum deposition, sputtering, spin coating, or casting using the light emitting material according to the present invention. It is preferable to form the film by a vacuum vapor deposition method from the viewpoint that it is obtained immediately and does not easily generate pinholes.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the compound used, but in general, the medium range of conditions similar to the formation of the hole injection layer can be selected.
  • the film thickness is preferably in the range of 10 to 40 nm.
  • an electron injection layer is provided on the light emitting layer. Also in this case, like the hole injection layer and the light emitting layer, it is preferable to form by a vacuum evaporation method because it is necessary to obtain a homogeneous film.
  • the vapor deposition conditions can be selected from the same condition ranges as those for the hole injection layer and the light emitting layer.
  • the cathode is made of metal, and vapor deposition or sputtering can be used. However, vacuum deposition is preferred to protect the underlying organic layer from damage during film formation.
  • the above organic EL devices are manufactured from the anode to the cathode consistently with a single vacuum. It is preferable to manufacture.
  • the method for forming each layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. Conventionally known methods such as vacuum deposition and spin coating can be used.
  • the organic thin film layer containing the compound represented by the general formula (1) used in the organic EL device of the present invention is prepared by a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE method), or a solution dating method using a solvent. Further, it can be formed by a known method using a coating method such as a spin coating method, a casting method, a bar coating method, or a roll coating method.
  • each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of several nm to 1 zm in order to improve defects such as pinholes and efficiency.
  • This compound was identified as BAN-3.
  • the compound was identified as BAN-22.
  • Alq film with a thickness of 10 nm was formed on this film. This functions as an electron injection layer. Thereafter, Li (Li source: manufactured by SAES Getter Co., Ltd.), which is a reducing point, and Alq were subjected to binary evaporation to form an Alq: Li film (film thickness: 10 nm) as an electron injection layer (cathode).
  • Li Li source: manufactured by SAES Getter Co., Ltd.
  • Alq Li film (film thickness: 10 nm) as an electron injection layer (cathode).
  • metal A1 was deposited to form a metal cathode, and an organic EL light emitting device was formed. This element was subjected to a current test. However, a blue light emission of 7680 (1/111 2 was obtained at a voltage of 6.9 V and a current density of 10111 8 / (: 111 2.
  • the initial luminance was set to lOOOcd / m 2 to reduce the half-life of this organic EL device
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amine compound BD2 was used instead of the amine compound BD1 as the material of the light emitting layer, and the half-life was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amine compound BD3 was used instead of the amine compound BD1 as the material of the light emitting layer, and the half-life was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
  • An organic EL device was fabricated in exactly the same manner as in Example 1 except that ban_l was used instead of BAN-3.
  • Table 1 shows the results of measuring the half-life of this organic EL device with an initial luminance of 1000 cd / m 2 .
  • Table 1 shows the results of measuring the half-life of this organic EL device with an initial luminance of 1000 cd / m 2 .
  • An organic EL device was fabricated in exactly the same manner as in Example 1 except that ban-3 was used instead of BAN_3.
  • the benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention has better chromaticity and longer life than the prior art.
  • the organic EL device containing a benzanthracene derivative having a hydrogen atom at the 12-position of the present invention has a long lifetime and good chromaticity.

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Abstract

　１２位に水素原子を有する新規なベンズアントラセン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記ベンズアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有することによって、高発光効率で、長寿命であり、色度が良好な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供し、さらには本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる発光材料を提供する。                                                                                                 

Description

明 細 書
ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクト口ルミネッセン ス素子
技術分野
[0001] 本発明は、 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体、及びそれを用い た有機エレクト口ルミネッセンス (EL)素子に関し、さらに詳しくは、 12位に水素原子 を有するベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いることによって発光の色度を改 善した有機 EL素子に関するものである。
背景技術
[0002] 有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下、エレクト口ルミネッセンスを ELと略記するこ とがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された 電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子 である。イーストマン 'コダック社の C. W. Tangらによる積層型素子による低電圧駆 動有機 EL素子の報告（C. W. Tang, S. A. Vanslyke,アプライドフィジックスレターズ（ Applied Physics Letters)、 51卷、 913頁、 1987年等）がなされて以来、有機材料を 構成材料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われている。 Tangらは、トリス (8—キノリノラート）アルミニウムを発光層に、トリフヱニルジァミン誘導体を正孔輸送 層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めるこ と、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率 を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例 のように有機 EL素子の素子構造としては、正孔輸送 (注入)層、電子輸送発光層の 2 層型、又は正孔輸送 (注入)層、発光層、電子輸送 (注入)層の 3層型等がよく知られ ている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高める ため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
[0003] また、発光材料としてはトリス（8—キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体 、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルァリーレン誘導体、 ォキサジァゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色 までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が 期待されている (例えば、特許文献 1、特許文献 2、特許文献 3等)。
また、発光材料として 12位に芳香族炭化水素環を有するベンズアントラセン誘導体 が特許文献 4に開示されている。このようなベンズアントラセン誘導体は青色発光材 料として用いられるが、素子寿命が十分でなぐ色度が良好でないという欠点を有し ていた。
[0004] 特許文献 1 :特開平 8— 239655号公報
特許文献 2 :特開平 7— 138561号公報
特許文献 3：特開平 3— 200289号公報
特許文献 4：特開 2000— 178548号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、色度が良好な有機 EL素子 を提供すること、さらには本発明の有機 EL素子に用いられる発光材料として特に好 適な 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体を提供することを目的とする 課題を解決するための手段
[0006] 本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（
1)〜（4)で表わされる 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体を発光材 料として用いると、高発光効率で、長寿命であり、色度の良好な有機 EL素子を作製 することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
[0007] すなわち、本発明は、下記一般式（1)で表される 12位に水素原子を有するベンズ アントラセン誘導体を提供するものである。
[化 1]
Figure imgf000004_0001
[式中、 R -R10^,それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6 〜50の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素 環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核 炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキ シ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の 核炭素数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリ 一ルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボニル基、置換 もしくは無置換の炭素数 1〜50のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ 基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。
Lは、連結基であり、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 2価の芳香 族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の 2価の芳香族複素環基、 置換もしくは無置換のフルォレニレン基、又は置換もしくは無置換の力ルバゾリレン 基である。
nは:!〜 4の整数である。 nが 2以上の整数である時、 Lはそれぞれ同一でも異なつ ていても良い。
Arは、単結合、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族炭化水 素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、フルォレニル基 、又はカルバゾリル基である。
mは:!〜 4の整数である。 mが 2以上の整数である時、複数の 1^〜1^°及び Lはそれ ぞれ同一でも異なっていても良レ、。 ]
また、本発明は、陽極と陰極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる 有機薄膜層が挟持されている有機エレ外口ルミネッセンス素子において、該有機薄 膜層が前記の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体を単独もしくは混 合物の成分として含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子を提供するものである。 発明の効果
[0009] 本発明の前記の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体を含有する有 機 EL素子は、高発光効率で、長寿命であり、色度の良好な有機 EL素子を作製する ことが可能である。
発明を実施するための最良の形態
[0010] 本発明の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体は、下記一般式（1) で表されるものである。
[化 2]
Figure imgf000005_0001
一般式（1)において、 〜 °は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置 換の核炭素数 6〜50の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜5 0の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしく は無置換の核炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしく は無置換の核炭素数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 5 〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ二 ル基、置換もしくは無置換の炭素数:!〜 50のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原 子、シァノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。
Lは、連結基であり、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 2価の芳香 族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の 2価の芳香族複素環基、 置換もしくは無置換のフルォレニレン基、又は置換もしくは無置換の力ルバゾリレン 基である。
nは:!〜 4の整数である。 nが 2以上の整数である時、 Lはそれぞれ同一でも異なつ ていても良い。
Arは、単結合、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族炭化水 素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、フルォレニル基 、又はカルバゾリル基である。
mは:!〜 4の整数であり、好ましくは 1〜3の整数である。 mが 2以上の整数である時 、複数の 1^〜1^°及び Lはそれぞれ同一でも異なっていても良い。
[0011] 一般式（1)で表される 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体は、好ま しくは下記一般式（2)で表される化合物である。
[化 3]
Figure imgf000006_0001
( 2 ) 一般式（2)において、 1^〜1^°、 L及び nは、それぞれ独立に、一般式（1)における ものと同じである。 Arは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族 炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、フルォレ ニル基、又はカルバゾリル基である。
[0012] 一般式（1)で表される 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体は、好ま しくは下記一般式（3)で表される化合物である。
[化 4]
Figure imgf000007_0001
一般式（3)において、 〜 °は、それぞれ独立に、一般式（1)における Ι^〜Ι 1ϋと 同じである。 L及び ηは、それぞれ独立に、一般式（1)におけるものと同じである。 一般式（1)で表される 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体は、好ま しくは下記一般式 (4)で表される化合物である。
[化 5]
Figure imgf000007_0002
一般式 (4)において、 R1〜 °は、それぞれ独立に、一般式（1)における ^〜1^°と 同じである。 Lは、一般式（1)におけるものと同じである。 q、 r及び sは、それぞれ独立 に、一般式（1)における nと同じである。 Arは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜5 0の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環 基、フルォレニル基、又はカルバゾリル基である。
1〜!^の置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フヱニノレ 基、 1 _ナフチル基、 2_ナフチル基、 1 _アントリル基、 2 _アントリル基、 9_アントリ ル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フエナントリル基、 4—フエナン トリル基、 9—フエナントリル基、 1 _ナフタセニル基、 2_ナフタセニル基、 9 _ナフタ セニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4—ビフエ二ルイル基、 p テルフエ二ルー 4—ィル基、 p テ ルフエ二ルー 3—ィル基、 p テルフエ二ルー 2—ィル基、 m テルフエ二ノレ— 4—ィ ル基、 m—テルフエニル _ 3—ィル基、 m—テルフエニル _ 2—ィル基、 o_トリノレ基、 m—トリル基、 ρ—トリノレ基、 p_t_ブチルフエニル基、 p_ (2—フエニルプロピノレ）フ ェニノレ基、 3_メチル _ 2_ナフチル基、 4_メチル _ 1 _ナフチル基、 4—メチノレ _ 1 —アントリル基、 4'—メチルビフエ二ルイル基、 4" _t_ブチル _p—テルフエニル— 4_ィル基等が挙げられる。
これらの中でも好ましくは、フエニル基、 1 _ナフチル基、 2_ナフチル基、 9 _ (10 —フエニル）アントリル基、 9 _ (10_ナフチル _ 1 —ィル）アントリル基、 9 _ (10—ナ フチル一2—ィル）アントリル基、 9 _フエナントリノレ基、 1—ピレニル基、 2—ピレニノレ 基、 4—ピレニル基、 2 _ビフヱ二ルイル基、 3 _ビフヱ二ルイル基、 4 _ビフヱ二ルイ ル基、 o トリル基、 m—トリル基、 p トリル基、 p— t ブチルフエニル基である。
R -R^の置換もしくは無置換の芳香族複素環基の例としては、 1—ピロリル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリジニル基、 3 ピリジニル基、 4 —ピリジニル基、 1 インドリノレ基、 2—インドリノレ基、 3—インドリル基、 4—インドリノレ 基、 5 インドリル基、 6 インドリル基、 7 インドリル基、 1 イソインドリル基、 2—ィ ソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6— イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 ベンゾフラ二 ル基、 3—べンゾフラニル基、 4一べンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6—ベン ゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1 イソべンゾフラニル基、 3—イソベンゾフラ二 ル基、 4_イソべンゾフラニル基、 5 _イソべンゾフラニル基、 6 _イソべンゾフラニル 基、 7_イソべンゾフラニル基、キノリル基、 3 _キノリル基、 4_キノリル基、 5—キノリ ル基、 6 _キノリル基、 7_キノリル基、 8—キノリノレ基、 1 _イソキノリル基、 3 _イソキノ リル基、 4_イソキノリル基、 5_イソキノリル基、 6 _イソキノリノレ基、 7_イソキノリル基 、 8—イソキノリノレ基、 2_キノキサリニル基、 5_キノキサリニル基、 6 _キノキサリニル 基、 1 _カルバゾリル基、 2 _カルバゾリル基、 3 _カルバゾリル基、 4 _力ルバゾリノレ 基、 9_カルバゾリル基、 1—フエナントリジニル基、 2—フエナントリジニル基、 3—フ ェナントリジニル基、 4—フエナントリジニル基、 6—フエナントリジニル基、 7—フエナン トリジニル基、 8 フエナントリジニル基、 9 フエナントリジニル基、 10 フエナントリ ジニル基、 1—アタリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジ ニル基、 9—アタリジニル基、 1， 7_フエナント口リン _ 2—ィル基、 1， 7_フエナント口 リン _ 3—ィル基、 1， 7_フエナント口リン _4—ィル基、 1， 7_フエナント口リン一 5_ イノレ基、 1 , 7 フエナント口リン一 6 イノレ基、 1， 7 フエナント口リン一 8 イノレ基、 1 , 7 フエナント口リン一 9 イノレ基、 1， 7 フエナント口リン一 10 イノレ基、 1， 8 フ ェナント口リン一 2 ィル基、 1， 8 フエナント口リン一 3 ィル基、 1 , 8 フエナント口 リン _4—ィル基、 1， 8_フエナント口リン _ 5—ィル基、 1， 8 _フエナント口リン一 6 _ イノレ基、 1 , 8—フエナント口リン一 7—イノレ基、 1， 8—フエナント口リン一 9—イノレ基、 1 , 8 フエナント口リン一 10 イノレ基、 1， 9 フエナント口リン一 2 ィル基、 1， 9 フ ェナント口リン一 3—ィル基、 1， 9—フエナント口リン一 4—ィル基、 1 , 9—フエナント口 リン一 5—イノレ基、 1, 9—フエナント口リン一 6—イノレ基、 1, 9—フエナント口リン一 7— ィル基、 1 , 9—フエナント口リン一 8—ィル基、 1, 9—フエナント口リン一 10—ィル基、 1 , 10—フエナント口リン 2—ィノレ基、 1, 10—フエナント口リン 3—ィノレ基、 1, 10 フエナント口リンー4ーィノレ基、 1, 10—フエナント口リンー5—ィノレ基、 2, 9—フエナ ントロリン一 1—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 3—ィル基、 2, 9 フエナント口リン —4—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 5—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 6—ィル 基、 2, 9 フエナント口リン 7—ィノレ基、 2, 9 フエナント口リン 8—ィノレ基、 2, 9 フエナント口リン 10—ィル基、 2, 8 フエナント口リン 1ーィノレ基、 2, 8 フエナ ントロリン 3—ィノレ基、 2, 8 フエナント口リン一 4—イノレ基、 2, 8 フエナント口リン _ 5—ィノレ基、 2, 8 _フエナント口リン一 6—ィノレ基、 2, 8_フエナント口リン一 7—ィノレ 基、 2, 8 _フエナント口リン一 9—ィノレ基、 2, 8_フエナント口リン一 10—ィノレ基、 2, 7 —フエナント口リン _ 1—ィル基、 2， 7_フエナント口リン _ 3—ィノレ基、 2, 7_フエナ ントロリン _4—ィノレ基、 2, 7_フエナント口リン _ 5—ィノレ基、 2, 7_フエナント口リン _ 6—ィノレ基、 2, 7 _フエナント口リン一 8—ィノレ基、 2, 7_フエナント口リン一 9—ィノレ 基、 2, 7—フエナント口リン—10—ィル基、 1—フエナジニル基、 2—フエナジニル基、 1 _フヱノチアジニル基、 2 _フヱノチアジニル基、 3 _フヱノチアジニル基、 4—フエノ チアジニル基、 10—フエノチアジニル基、 1 フエノキサジニル基、 2—フエノキサジ ニル基、 3—フエノキサジニル基、 4 フエノキサジニル基、 10—フエノキサジニル基 、 2 ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5 ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリノレ 基、 5 _ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2 _チェニル基、 3 _チェニル基、 2 —メチルピロール— 1—ィル基、 2 メチルビロール— 3—ィル基、 2 _メチルピロ一 ノレ _4_イノレ基、 2 メチルピロール一 5—ィル基、 3 メチルビロール一 1—ィル基、 3 メチルピロール— 2—ィル基、 3 メチルビロール— 4—ィル基、 3 _メチルピロ一 ノレ _5—ィノレ基、 2_t—ブチルビロール一 4—ィル基、 3_ (2—フエニルプロピル）ピ ロール— 1—ィル基、 2_メチル _1_インドリル基、 4_メチル _1_インドリル基、 2 —メチル _3_インドリル基、 4_メチル _3_インドリル基、 2_t_ブチル 1_インドリ ル基、 4_t_ブチル 1_インドリル基、 2_t_ブチル 3_インドリル基、 4_t_ブチル 3 _インドリル基等が挙げられる。
R1 !^の置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プ 口ピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基 、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチ ル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1, 3 ジヒドロキシイソプロピル基、 2, 3 ジヒドロキシ t ブチル基、 1, 2, 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 クロ口ェチル 基、 2 クロ口ェチル基、 2 クロ口イソブチル基、 1, 2 ジクロ口ェチル基、 1, 3 ジ クロ口イソプロピル基、 2, 3 ジクロロー t ブチル基、 1, 2, 3 トリクロ口プロピル基 、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル 基、 1, 2_ジブロモェチル基、 1， 3 _ジブロモイソプロピル基、 2, 3_ジブロモ— _ ブチル基、 1， 2, 3 _トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1—ョードエチノレ基、 2- ョードエチル基、 2 _ョードイソブチル基、 1， 2 _ジョードエチル基、 1, 3—ジョードィ ソプロピル基、 2， 3—ジョード— _ブチル基、 1, 2, 3_トリョードプロピル基、ァミノ メチノレ基、 1_アミノエチノレ基、 2 _アミノエチノレ基、 2—ァミノイソブチル基、 1, 2—ジ アミノエチノレ基、 1， 3 ジァミノイソプロピノレ基、 2, 3 ジ ミノー tーブチノレ基、 1, 2 , 3 トリァミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2 シァノエチル基 、 2 シァノイソブチル基、 1 , 2 ジシァノエチル基、 1 , 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシァノ一 t ブチル基、 1 , 2, 3 トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1— ニトロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—二トロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル 基、 1 , 3—ジニトロイソプロピノレ基、 2, 3—ジニトロ一 t—ブチノレ基、 1， 2, 3 _トリニト 口プロピル基等が挙げられる。
[0017] Ι^〜Ι 3ϋの置換もしくは無置換のシクロアルキル基の例としては、例えば、シクロプロ ピノレ基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、 4—メチルシクロへキ シノレ基、 1—ァダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1 _ノルボルニル基、 2—ノノレボ ルニル基等が挙げられる。
^〜 °のアルコキシ基は、—ΟΥで表される基であり、 Υの例としては、前記アルキ ル基と同様の例が挙げられる。
[0018] !^〜1 3°の置換もしくは無置換のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1 _フエ ニルェチル基、 2—フエニルェチル基、 1—フエニルイソプロピル基、 2—フエニルイソ プロピル基、フエ二ルー t ブチル基、 α—ナフチルメチル基、 1 α ナフチルェ チル基、 2— a ナフチルェチル基、 1 α ナフチルイソプロピル基、 2— α ナ フチルイソプロピル基、 β ナフチルメチル基、 1— β ナフチルェチル基、 2 β ナフチルェチル基、 1— β ナフチルイソプロピル基、 2— β ナフチルイソプロピ ル基、 1 ピロリノレメチノレ基、 2—（1 ピロリル）ェチル基、 ρ—メチルベンジル基、 m ーメチノレべンジノレ基、 o—メチノレべンジノレ基、 p—クロ口べンジノレ基、 m—クロ口べンジ ノレ基、 o クロ口べンジル基、 p ブロモベンジル基、 m ブロモベンジル基、 o ブロ モベンジノレ基、 p ョードベンジノレ基、 m ョードベンジル基、 o ョードベンジノレ基、 p—ヒドロキシベンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 o—ヒドロキシベンジル基、 p _ ァミノべンジル基、 m—ァミノべンジル基、 o—ァミノべンジル基、 p ニトロベンジル基 、 m—ニトロべンジル基、 o _ニトロべンジル基、 p _シァノベンジル基、 m_シァノベ ンジノレ基、 o _シァノベンジル基、 1—ヒドロキシ一 2 _フエ二ルイソプロピル基、 1—ク ロロ _ 2 _フヱニルイソプロピル基等が挙げられる。
[0019] Ι^〜Ι 3ϋの置換もしくは無置換のァリールォキシ基は、 _〇Υ'と表され、 Y'の例とし ては前記ァリール基及び芳香族複素環基と同様なものが挙げられる。 R1 !^の置換もしくは無置換のァリールチオ基は、— SY'と表され、 Y'の例として は、前記ァリールォキシ基の Y'と同様の例が挙げられる。
I^ R315の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基は— COOZと表され、 T 例としては、前記アルキル基と同様の例が挙げられる。
^〜 。の置換もしくは無置換のシリル基、としては、例えば、トリメチルシリル基、トリ ェチルシリル基、 tーブチルジメチルシリル基、ビュルジメチルシリル基、プロピルジメ チルシリル基、トリフヱニルシリル基等が挙げられ、いずれも置換されていてもよい。
Ι^〜Ι 3ϋのハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
[0020] 一般式（1)〜（4)において、 Lは、連結基であり、単結合、置換もしくは無置換の核 炭素数 6〜50の 2価の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜5 0の 2価の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のフルォレニレン基、又は置換もしく は無置換の力ルバゾリレン基である。
Lの置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 2価の芳香族炭化水素環基の例とし ては、前記 ^〜 °の芳香族炭化水素基からさらに水素原子 1個を取り除いて生ずる 2価基が挙げられ、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フエナントレン、ナフタセン、 タリセン、ピレン等から生ずる 2価基が好ましい。
Lの置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の 2価の芳香族複素環残基の例として は、前記 !^〜1 3°の芳香族複素環基からさらに水素原子 1個を取り除いて生ずる 2価 基が挙げられ、ピロール、ピリジン、インドール、イソインドール、キノリン、カルバゾー ノレ、フエナント口リン、チ才フェン、フラン、ベンゾチ才フェン、ベンゾフラン、ベンゾイミ ダゾール、ジベンゾチォフェン、ジベンゾフラン等から生ずる 2価基が好ましい。
ηは:!〜 4の整数である。 ηが 2以上の整数である時、 Lはそれぞれ同一でも異なつ ていても良い。
[0021] 一般式（1)において、 Arは、単結合、水素原子、置換もしくは無置換の芳香族炭 化水素環基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、フルォレニル基、又は力ルバ ゾリル基である。一般式（2)における Arは、水素原子、置換もしくは無置換の芳香族 炭化水素環基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、フルォレニル基、又はカル バゾリル基である。一般式 (4)における Arは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素 環基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、フルォレニル基、又はカルバゾリル基 である。
Arの置換もしくは無置換の 2価の芳香族炭化水素環残基の例としては、 Lにおける 例と同様に、前記 1^〜 °の芳香族炭化水素基からさらに水素原子 1個を取り除いて 生ずる 2価基が挙げられ、好ましい例も同様である。
Arの置換もしくは無置換の 2価の芳香族複素環残基の例としては、 Lにおける例と 同様に、前記 1^〜 °の芳香族複素環基からさらに水素原子 1個を取り除いて生ずる 2価基が挙げられ、好ましい例も同様である。
mは:!〜 4の整数であり、好ましくは 1〜3の整数である。 mが 2以上の整数である時 、複数の 1^〜 °及び Lはそれぞれ同一でも異なっていても良い。
また、前記 1^〜1^°及び Arの置換基としては、例えば、アルキル基（メチル基、ェチ ル基、プロピル基、イソプロピル基、 n_ブチル基、 s_ブチル基、イソブチル基、 t_ ブチル基、 n ペンチル基、 n へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロ キシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブ チノレ基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1 , 3 ジヒドロキシイソプロピル基、 2, 3 ジヒ ドロキシー t ブチル基、 1, 2, 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 クロ 口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロ口ェチル基、 1 , 3 ジクロ口イソプロピル基、 2, 3 ジクロロー t ブチル基、 1, 2, 3 トリクロロプ 口ピル基、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソ ブチル基、 1, 2 ジブロモェチル基、 1 , 3 ジブロモイソプロピル基、 2, 3 ジブ口 モー t ブチル基、 1, 2, 3—トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョードエチル 基、 2—ョードエチル基、 2_ョードイソブチル基、 1 , 2_ジョードエチル基、 1 , 3—ジ ョードイソプロピル基、 2, 3—ジョード— _ブチル基、 1， 2， 3_トリョードプロピル基 、アミノメチル基、 1 _アミノエチノレ基、 2 _アミノエチノレ基、 2—ァミノイソブチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプロピル基、 2, 3—ジァミノ _t—ブチノレ 基、 1 , 2， 3 トリァミノプロピル基、シァノメチノレ基、 1—シァノエチル基、 2 シァノエ チル基、 2 _シァノイソブチル基、 1 , 2 _ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロ ピル基、 2， 3—ジシァノ一 t_ブチル基、 1 , 2, 3 _トリシアノプロピル基、ニトロメチル 基、 l一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—二トロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロ ェチノレ基、 1 , 3—ジニ卜口イソプロヒ。ノレ基、 2, 3—ジニ卜ロー tーブチノレ基、 1 , 2, 3— トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへ キシル基、 4—メチルシクロへキシル基、 1—ァダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1 —ノルボルニル基、 2 _ノルボルニル基等）、炭素数 1〜6のアルコキシ基（エトキシ基 、メトキシ基、イソプロポキシ基、 n—プロポキシ基、 s—ブトキシ基、 t—ブトキシ基、ぺ ントキシ基、へキシルォキシ基、シクロペントキシ基、シクロへキシルォキシ基等）、核 原子数 5〜40のァリール基、核原子数 5〜40のァリール基で置換されたァミノ基、核 原子数 5〜40のァリール基を有するエステル基、炭素数:!〜 6のアルキル基を有する エステル基、シァノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
[0023] 本発明における一般式（ 1 )で表される 12位に水素原子を有するベンズアントラセン 誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
[0024] [化 6]
0025
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
[0026] [化 8]
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
[0027] 本発明の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体は、有機 EL素子用 発光材料であると好ましぐまた有機 EL素子用ホスト材料であると特に好ましい。 本発明の有機 EL素子は、陽極と陰極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数 層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクト口ルミネッセンス素子において、 前記有機薄膜層が前記一般式（1)に記載の 12位に水素原子を有するベンズアント ラセン誘導体から選ばれる少なくとも 1種類を単独もしくは混合物の成分として含有 する。
[0028] また、本発明の有機 EL素子は、前記発光層が、さらにァリールァミン化合物及び Z 又はスチリルアミン化合物を含有すると好ましレ、。
スチリルァミン化合物としては、下記一般式 (A)で表されるものが好ましい。
[化 9]
Figure imgf000018_0001
n
( A )
(式中、 Ar3は、フヱニル基、ビフヱニル基、テルフヱニル基、スチルベン基、ジスチリ ルァリール基から選ばれる基であり、 Ar4及び Ar5は、それぞれ水素原子又は炭素数 力 ¾〜20の芳香族炭化水素基であり、 Ar3, Ar4及び Ar5は置換されていてもよレ、。 p は 1〜4の整数である。さらに好ましくは Ar4又は Ar5の少なくとも一方はスチリル基で 置換されている。ただし、 Ar3〜Ar5のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換のス チリル基を含む。 )
ここで、炭素数が 6〜20の芳香族炭化水素基としては、フエ二ル基、ナフチル基、 アントラニル基、フエナントリル基、テルフエニル基等が挙げられる。
[0029] ァリールァミン化合物としては、下記一般式 (B)で表されるものが好ましい。
[化 10]
Figure imgf000018_0002
( B )
(式中、 Ar6〜Ar8は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 5〜40のァリール基 である。 qは 1〜4の整数である。 )
[0030] ここで、核炭素数が 5〜40のァリール基としては、例えば、フエ二ル基、ナフチル基 、アントラニル基、フエナントリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフエ二ル基、テルフエ ニル基、ピロ一リル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ォキサ ジァゾリル基、ジフエ二ルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、 ベンゾキノリル基、フルオランテュル基、ァセナフトフルオランテニル基、スチルベン 基、ペリレニル基、クリセ二ル基、ピセニル基、トリフヱニレニル基、ルビセニル基、ベ ンゾアントラセニル基、フエ二ルアントラニル基、ビスアントラセニル基、又は下記一般 式（C) , (D)で示されるァリール基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセ ニル基、ピレニル基、又は一般式 (D)で示されるァリール基が好ましい。
[0031] [化 11]
Figure imgf000019_0001
(一般式（C)において、 rは:!〜 3の整数である。 )
[0032] なお、前記ァリール基の好ましい置換基としては、炭素数 1〜6のアルキル基（ェチ ル基、メチノレ基、イソプロピル基、 n_プロピル基、 s—ブチノレ基、 t_ブチル基、ペン チノレ基、へキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等）、炭素数 1〜6のアル コキシ基（エトキシ基、メトキシ基、イソプロポキシ基、 n—プロポキシ基、 s—ブトキシ基 、 t—ブトキシ基、ペントキシ基、へキシルォキシ基、シクロペントキシ基、シクロへキシ ルォキシ基等）、核炭素数 5〜40のァリール基、核炭素数 5〜40のァリール基で置 換されたアミノ基、核炭素数 5〜40のァリール基を有するエステル基、炭素数 1〜6の アルキル基を有するエステル基、シァノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
[0033] 以下、本発明の有機 EL素子の素子構成について説明する。
本発明の有機 EL素子の代表的な素子構成としては、
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極 (4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(9)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極 などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常（8)の構成が好ましく用いられる力 S、これらに限定されるものでは ない。
また、本発明の有機 EL素子において、本発明の 12位に水素原子を有するベンズ アントラセン誘導体は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素 の中の発光帯域もしくは正孔輸送帯域に含有されていることが好ましぐ含有させる 量は 30〜： 100モル％力 選ばれる。
[0034] この有機 EL素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機 EL 素子を支持する基板であり、その透光性については、 400〜700nmの可視領域の 光の透過率が 50%以上であるものが望ましぐさらに平滑な基板を用いるのが好まし レ、。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いら れる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、ノ リウム 'ストロンチウム含有ガラス、 鉛ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ホウケィ酸ガラス、バリウムホウケィ酸ガラス、石英な どで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂 板としては、ポリカーボネート樹脂 、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリ スルホン樹脂などの板か挙げられる。
[0035] 次に、陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、 4 . 5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料 の具体例としては、酸化インジウム錫合金 (ITO)、酸化錫（NESA)、金、銀、白金、 銅等が適用できる。また陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目 的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させる ことにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率 が 10%より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百 Ω /口以下が 好ましレ、。陽極の膜厚は材料にもよる力 通常 10nm〜l z m、好ましくは 10〜200n mの範囲で選択される。
本発明の有機 EL素子においては、発光層は、
(i)注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰 極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(ii)輸送機能；注入した電荷 (電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(iii)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能 を有する。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、 LB法等の公 知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましレ、 。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、 溶液状態又は液相状態の材料ィヒ合物から固体化され形成された膜のことであり、通 常この分子堆積膜は、 LB法により形成された薄膜 (分子累積膜)とは凝集構造、高 次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また特開昭 57— 51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化 合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜ィ匕すること によっても、発光層を形成することができる。
本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光層に、本発明の 12位に水 素原子を有するベンズアントラセン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光 材料を含有させてもよぐまた、本発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発 光材料を含む発光層を積層してもょレ、。
[0037] 次に、正孔注入'輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する 層であって、正孔移動度が大きぐイオンィ匕エネルギーが通常 5. 5eV以下と小さい。 このような正孔注入 ·輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材 料が好ましぐさらに正孔の移動度力 例えば 104〜： !OV/cmの電界印加時に、少 なくとも 10— 4cm2ZV'秒であるものが好ましい。このような材料としては、従来、光導 伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機 EL素子の 正孔注入層に使用されている公知のものの中力 任意のものを選択して用いること ができる。
[0038] 具体例としては、例えば、トリァゾール誘導体 (米国特許 3, 112, 197号明細書等 参照）、ォキサジァゾール誘導体 (米国特許 3， 189, 447号明細書等参照）、イミダ ゾール誘導体（特公昭 37— 16096号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（ 国 言午 3, 615, 402 明糸田 、同 3, 820, 989 明糸田 、同 ^3, 542, 544 号明細書、特公昭 45— 555号公報、同 51— 10983号公報、特開昭 51— 93224号 公報、同 55— 17105号公報、同 56— 4148号公報、同 55— 108667号公報、同 55 156953号公報、同 56— 36656号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン 誘導体 (米国特許第 3, 180， 729号明細書、同第 4, 278, 746号明細書、特開昭 5 5— 88064号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 105537号公報、同 55— 5108 6号公報、同 56— 80051号公報、同 56— 88141号公報、同 57— 45545号公報、 同 54— 112637号公報、同 55— 74546号公報等参照）、フエ二レンジァミン誘導体 (米国特許第 3, 615, 404号明細書、特公昭 51— 10105号公報、同 46— 3712号 公報、同 47— 25336号公報、特開昭 54— 53435号公報、同 54— 110536号公報 、同 54— 119925号公報等参照）、ァリールァミン誘導体（米国特許第 3， 567, 450 号明細書、同第 3, 180， 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細書、同第 3, 658 , 520 糸田 、
Figure imgf000022_0001
232, 103 糸田 、 ^4， 175, 961 糸田 、 4 , 012, 376号明糸田書、特公昭 49一 35702号公報、同 39— 27577号公報、特開昭 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 56— 22437号公報、西独特許 第 1 , 110, 518号明細書等参照）、ァミノ置換カルコン誘導体 (米国特許第 3， 526, 501号明細書等参照）、ォキサゾール誘導体 (米国特許第 3, 257， 203号明細書等 に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体 (特開昭 56— 46234号公報等参照）、フ ルォレノン誘導体（特開昭 54— 110837号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体 (米国特 許第 3, 717, 462号明糸田書、特開昭 54— 59143号公報、同 55— 52063号公報、 同 55— 52064号公報、同 55— 46760号公報、同 55— 85495号公報、同 57— 11 350号公報、同 57— 148749号公報、特開平 2— 311591号公報等参照）、スチル ベン誘導体（特開昭 61— 210363号公報、同第 61— 228451号公報、同 61— 146 42号公報、同 61— 72255号公報、同 62— 47646号公報、同 62— 36674号公報、 同 62— 10652号公報、同 62— 30255号公報、同 60— 93455号公報、同 60— 94 462号公報、同 60— 174749号公報、同 60— 175052号公報等参照）、シラザン誘 導体（米国特許第 4, 950， 950号明細書）、ポリシラン系（特開平 2— 204996号公 報）、ァニリン系共重合体 (特開平 2— 282263号公報）、特開平 1一 211399号公報 に開示されてレ、る導電性高分子オリゴマー（特にチォフェンオリゴマー）等を挙げるこ とができる。
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化合 物（特開昭 63— 2956965号公報等に開示のもの）、芳香族第三級ァミン化合物及 びスチリルァミン化合物（米国特許第 4, 127, 412号明細書、特開昭 53— 27033号 公報、同 54— 58445号公報、同 54— 149634号公報、同 54— 64299号公報、同 5 5— 79450号公報、同 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 61— 295 558号公報、同 61— 98353号公報、同 63— 295695号公報等参照）、特に芳香族 第三級ァミン化合物を用いることが好ましい。
また米国特許第 5， 061 , 569号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に 有する、例えば 4， 4，一ビス（N_ (1—ナフチル）一N—フエニルァミノ）ビフエ二ノレ（ 以下 NPDと略記する）、また特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエ二 ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4， 4', 4 "—トリス（N— (3—メチ ルフヱニル） _N_フエニルァミノ）トリフエニルァミン（以下 MTDATAと略記する）等 を挙げることができる。
また、前記化合物の他、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料とし て使用すること力できる。
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キヤ スト法、 LB法等の公知の方法により薄膜ィ匕することにより形成することができる。正孔 注入、輸送層としての膜厚は特に制限はなレ、が、通常は 5nm〜5 z mである。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、 1 0— 1QS/cm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材 料としては、含チォフェンオリゴマーゃ特開平 8— 193191号公報に開示してある含 ァリールァミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含ァリールァミンデンドリマー等の 導電性デンドリマー等を用いることができる。
[0040] 次に、電子注入層'輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送 する層であって、電子移動度が大きぐまた付着改善層は、この電子注入層の中で 特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
また、有機 EL素子は発光した光が電極 (この場合は陰極）により反射するため、直 接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干 渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は 数 nm〜数 μ ΐηの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避ける ために、 104〜10 /(：111の電界印加時に電子移動度が少なくとも10—5(：1112/¥3以 上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金 属錯体ゃォキサジァゾール誘導体が好適である。上記 8—ヒドロキシキノリン又はそ の誘導体の金属錯体の具体例としては、ォキシン（一般に 8—キノリノール又は 8—ヒ ドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートォキシノイド化合物、例えばトリス（8— キノリノ一ノレ）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
[0041] 一方、ォキサジァゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合 物が挙げられる。
[化 12] N-N
A -Ar2
O
Figure imgf000025_0001
(式中、 Ar1, Ar2, Ar3, Ar5, Ar6, Ar9はそれぞれ置換又は無置換のァリール基を示 し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよレ、。また Ar4, Ar7, Ar8は置換又 は無置換のァリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい） ここでァリール基としてはフエニル基、ビフエ二ル基、アントラニル基、ペリレニル基、 ピレニル基が挙げられる。また、ァリーレン基としてはフエ二レン基、ナフチレン基、ビ フエ二レン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また 、置換基としては炭素数 1〜： 10のアルキル基、炭素数 1〜： 10のアルコキシ基又はシ ァノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましレ、。
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
[化 13]
Figure imgf000025_0002
[0043] さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記一般式 (Ε)〜α )で表されるちのち用いることができる。
[化 14]
Figure imgf000026_0001
[0044] (一般式 (Ε)及び (F)中、 Α Α3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子であ る。
Ar1は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、又は置換もしくは無 置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基であり、 Ar2は、水素原子、置換もしくは 無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のへ テロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルキル基、又は置換もしく は無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基、あるいはこれらの 2価の基である。ただし 、 Ar1及び Ar2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜60の縮合環 基、又は置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のモノへテロ縮合環基である。
ΐΛ L2及び Lは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60 のァリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリーレン基、又は 置換もしくは無置換のフルォレニレン基である。
Rは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは 無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数:!〜 20 のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基であり、 ηは 0〜5の整数であり、 ηが 2以上の場合、複数の Rは同一でも異なっていてもよぐまた 、隣接する複数の R基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環 を形成してレ、てもよレ、。 )で表される含窒素複素環誘導体。 [0045] HAr-L-Ar'-A
(式中、 HArは、置換基を有していてもよい炭素数 3〜40の含窒素複素環であり、 L は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリーレン基、置換基を有し てレ、てもよレ、炭素数 3〜60のへテロアリーレン基又は置換基を有してレ、てもよレ、フル ォレニレン基であり、 Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60の 2価の芳香族 炭化水素基であり、 Ar2は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基又 は置換基を有してレ、てもよレ、炭素数 3〜60のへテロアリール基である。 )で表される 含窒素複素環誘導体。
[0046] [化 15]
Figure imgf000027_0001
[0047] (式中、 X及び Yは、それぞれ独立に炭素数:!〜 6の飽和若しくは不飽和の炭化水素 基、アルコキシ基、アルケニルォキシ基、アルキニルォキシ基、ヒドロキシ基、置換若 しくは無置換のァリール基、置換若しくは無置換のへテロ環又は Xと Yが結合して飽 和又は不飽和の環を形成した構造であり、 R〜Rは、それぞれ独立に水素、ハロゲ
1 4
ン原子、置換もしくは無置換の炭素数 1から 6までのアルキル基、アルコキシ基、ァリ ールォキシ基、パーフルォロアルキル基、パーフルォロアルコキシ基、アミノ基、アル キルカルボニル基、ァリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、ァリールォキ シカルボニル基、ァゾ基、アルキルカルボニルォキシ基、ァリールカルボニルォキシ 基、アルコキシカルボニルォキシ基、ァリールォキシカルボニルォキシ基、スノレフィニ ノレ基、スルフォニル基、スルファニル基、シリノレ基、力ルバモイル基、ァリール基、へ テロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミノレ基、ニトロソ基、ホルミル ォキシ基、イソシァノ基、シァネート基、イソシァネート基、チオシァネート基、イソチォ シァネート基もしくはシァノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合 した構造である。）で表されるシラシクロ
[0048] [化 16]
Figure imgf000028_0001
(式中、 R〜R及び Zは、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化
1 8 2
水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ 基又はァリールォキシ基を示し、 X、 Y及び Zは、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽
1
和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又は ァリールォキシ基を示し、 zと 換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく
1 zの置
2
、 nは 1〜3の整数を示し、 nが 2以上の場合、 Zは異なってもよレ、。但し、 nが 1、 X、 Y
1
及び Rがメチル基であって、 Rが、水素原子又は置換ボリル基の場合、及び nが 3で
2 8
zカ チル基の場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。
1
[化 17]
Figure imgf000028_0002
[0051] [式中、 Q1及び Q2は、それぞれ独立に、下記一般式 (K)で示される配位子を表し、 L は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロア ルキル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基、一 O R1 (R1は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロ アルキル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基であ る。）又はー0— 0&— <33 ((34) (Q3及び Q4は、 Q1及び Q2と同じ)で示される配位子を 表す。 ] [0052] [化 18]
Figure imgf000029_0001
( K )
[式中、環 Α1及び Α2は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合した 6員ァリール環 構造である。 ]
[0053] この金属錯体は、 n型半導体としての性質が強ぐ電子注入能力が大きい。さらに は、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子 との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなつている。
一般式 (K)の配位子を形成する環 A1及び A2の置換基の具体的な例を挙げると、 塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチノレ基、ェチル基、プロピル基、ブチ ル基、 s—ブチノレ基、 t一ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル 基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フエエル 基、ナフチル基、 3 _メチルフエニル基、 3—メトキシフエ二ル基、 3 _フルオロフェニ ノレ基、 3 _トリクロロメチルフエニル基、 3 _トリフルォロメチルフエニル基、 3 _ニトロフ ェニル基等の置換もしくは無置換のァリール基、メトキシ基、 n—ブトキシ基、 t—ブト キシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルォロエトキシ基、ペンタフルォロプロポキシ基、 2 , 2, 3, 3—テトラフノレ才ロプロポキシ基、 1 , 1 , 1, 3, 3, 3—へキサフノレ才ロー 2—プ 口ポキシ基、 6—（パーフルォロェチル)へキシルォキシ基等の置換もしくは無置換の アルコキシ基、フエノキシ基、 p—二トロフエノキシ基、 p— t—ブチルフエノキシ基、 3— フルオロフエノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、 3—トリフルォロメチルフエノキシ基 等の置換もしくは無置換のァリールォキシ基、メチルチオ基、ェチルチオ基、 tーブチ ルチオ基、へキシルチオ基、ォクチルチオ基、トリフルォロメチルチオ基等の置換もし くは無置換のアルキルチオ基、フエ二ルチオ基、 p—二トロフエ二ルチオ基、 p— tーブ チルフエ二ルチオ基、 3—フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、 3—トリフルォロメチルフエ二ルチオ基等の置換もしくは無置換のァリールチオ基、シ ァノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ェチルアミノ基、ジェチ ノレアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルァミノ基、ジフエニルァミノ基等のモノ又はジ 置換アミノ基、ビス（ァセトキシメチル）アミノ基、ビス（ァセトキシェチル）アミノ基、ビス ァセトキシプロピル）アミノ基、ビス（ァセトキシブチル）アミノ基等のァシルァミノ基、水 酸基、シロキシ基、ァシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、ェチ ノレ力ルバモイル基、ジェチルカルバモイル基、プロィピルカルバモイル基、ブチルカ ノレバモイル基、フエ二ルカルバモイル基等の力ルバモイル基、カルボン酸基、スルフ オン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロへキシル基等のシクロアルキル基、フエ ニル基、ナフチル基、ビフヱニル基、アントラニル基、フエナントリル基、フルォレニル 基、ピレニル基等のァリール基、ピリジニル基、ピラジュル基、ピリミジニル基、ピリダ ジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニノレ基、アタリジニル基、ピロリジニ ル基、ジォキサニル基、ピペリジニル基、モルフオリジニル基、ピペラジニル基、トリア チニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、ォキサゾリル基、ォキサジ ァゾリル基、ベンゾォキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリ ル基、トリァゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラエル基等の複素環基 等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる 6員ァリール環もしくは複素環 を形成しても良い。
本発明の有機 EL素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層 の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントと は、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性 を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類 金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ 土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲンィヒ物、希土類金属の酸化物又は 希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯 体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適 に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、 Na (仕事関数： 2. 36eV) 、K (仕事関数： 2. 28eV)、Rb (仕事関数： 2. 16eV)及び Cs (仕事関数： 1. 95eV) 力 なる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、 Ca (仕事関数： 2. 9eV) 、Sr (仕事関数： 2. 0〜2. 5eV)、及び Ba (仕事関数： 2. 52eV)力 なる群から選択 される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が 2. 9eV以下のも のが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、 K、 Rb及び Csか らなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、 Rb又 は Csであり、最も好ましのは、 Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が 高ぐ電子注入域への比較的少量の添加により、有機 EL素子における発光輝度の 向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が 2. 9eV以下の還元性ドーパントとし て、これら 2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましぐ特に、 Csを含んだ組み合 わせ、例えば、 Csと Na、 Csと K、 Csと Rbあるいは Csと Naと Κとの組み合わせである ことが好ましい。 Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮するこ とができ、電子注入域への添加により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長 寿命化が図られる。
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層 をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上さ せること力 Sできる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土 類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン 化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい 。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入 性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属力 ルコゲニドとしては、例えば、 Li〇、 K〇、 Na S、 Na Se及び Na〇が挙げられ、好ま しいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、 Ca〇、 Ba〇、 Sr〇、 BeO、 BaS 、及び CaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例 えば、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1及び NaCl等が挙げられる。また、好ましいアル力 リ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF、 BaF、 SrF、 MgF及び BeFと レ、つたフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sb及び Znの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又 は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子 輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好 ましレ、。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が 形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、この ような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属力 ルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が 挙げられる。
[0056] 次に、陰極としては、仕事関数の小さレ、（4eV以下）金属、合金、電気伝導性化合 物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具 体例としては、ナトリウム、ナトリウム—カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシ ゥム '銀合金，アルミニウム/酸化アルミニウム、 AlZLi〇、 Al/LiO、 Al/LiF,ァ ルミユウム.リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成さ せることにより、作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極力 取り出す場合、陰極の発光に対する透過率 は 10%より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω /ロ以 下が好ましぐさらに、膜厚は通常 10nm〜l /i m、好ましくは 50〜200nmである。
[0057] また、一般に、有機 EL素子は、超薄膜に電界を印可するために、リークやショート による画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄 膜層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リ チウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化力 ノレシゥム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマ二 ゥム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が 挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。
[0058] 次に、本発明の有機 EL素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び 方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層 を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で 有機 EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次 設けられた構成の有機 EL素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を 1 z m以下、好ましくは 10 〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し 、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述 したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法等の方法により行うことがで きる力 均質な膜が得られやすぐかつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸 着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、 その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、 目的とする正孔注入層の結 晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度 50〜450°C、真空度 10— 7〜： 10— 3Τοπ：、蒸着速度 0. 01〜50nm/秒、基板温度 50〜300°C、膜厚 5nm〜 5 μ mの範囲で適宜選択することが好ましい。
[0059] 次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る 発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法 により、発光材料を薄膜ィ匕することにより形成できるが、均質な膜が得られやすぐか つピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。 真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異 なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中力 選択することができ る。膜厚は 10〜40nmの範囲が好ましい。
[0060] 次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同 様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は 正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機 EL素子を得ることができる。陰極は金属から構 成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物 層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機 EL素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作 製することが好ましい。
[0061] 本発明の有機 EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空 蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有 機 EL素子に用いる、前記一般式（1)で示される化合物を含有する有機薄膜層は、 真空蒸着法、分子線蒸着法 (MBE法)あるいは溶媒に解力 た溶液のデイツビング 法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布 法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機 EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、ピンホール等の 欠陥や、効率を良くするため、通常は数 nmから 1 z mの範囲が好ましい。
なお、有機 EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を +、陰極を—の極性にして 、 5〜40Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また逆の極性で電圧を印加しても 電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が + 、陰極が一の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は 任意でよい。
実施例
[0062] 次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によ つてなんら限定されるものではなレ、。
[0063] 合成実施例 1 (BAN— 2の合成）
市販のベンズアントラセン 40gを DMF300mlに分散し、 NBS35. 6gを室温で加え た。 3. 5時間攪拌後、水 600mlを加え、析出晶をろ別、メタノールで洗浄した。得ら れた粗結晶をトルエン/シリカゲルカラムにて精製した後、へキサンでろ過することで 7_ブロモベンズアントラセン 49. 3gをクリーム色結晶として得た (収率 91 %) 得られた 7—ブロモベンズアントラセン 20gを脱水 THF200mlに溶解し、 -62°Cに 冷却した。 1. 6M—ノルマルブチルリチウムへキサン溶液 50mlを滴下し、 30分攪拌 した。 - 5°Cに昇温した後、再度- 64°Cに冷却し、ホウ酸トリメチル 22. 4gの THF溶液 を滴下した。一晩後、希塩酸にて酸性化した後、トルエン抽出、水洗、飽和食塩水洗 を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後、得られた残渣 をトルエン/へキサンにて結晶化することで、 7—べンズアントラセンボロン酸 14gをク リーム色結晶として得た (収率 79 %)。
アルゴン雰囲気下、既知の方法により合成した 3 （ナフタレン 2 ィル）一（6— ブロモナフタレン一 2—ィノレ）ベンゼン 6. 73g、 7 ベンズアントラセンボロン酸 4. 92 gをトノレェン 80ml、 DME80mlに分散し、 2M—炭酸ナトリウム水溶液 25mlを加えた 。更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0. 57gをカロえ、 7時間加熱還流した 。一晩後、析出物をろ別し、母液を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸 ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた残渣をアセトンにて結晶化することで 、 目的の化合物（BAN— 2) 4. 7gを灰白色結晶として得た（収率 51%)。得られた化 合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマス分析）を測定したところ、 C H = 5
44 28
56に対し m/z = 556力 S得られたこと力、ら、この化合物を BAN— 2と同定した。
[0064] 合成実施例 2 (BAN— 3の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により合成した 3 _ (ナフタレン _ 2 _ィル）フエ二ノレ ボロン酸 4. 4g、 7 ブロモベンズアントラセン 5gをトルエン 60mlに分散し、 2M 炭 酸ナトリウム水溶液 26mlをカ卩えた。更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0· 57gをカ卩え、 7時間加熱還流した。一晩後、析出物をろ別し、母液を水、飽和食塩水 で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた残渣 をトルエン/へキサンにて結晶化することで、 目的の化合物（BAN— 3) 4· 3gを灰白 色結晶として得た（収率 61%)。得られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシ ヨンマス分析）を測定したところ、 C H =430に対し m/z = 430が得られたことから
34 22
、この化合物を BAN— 3と同定した。
[0065] 合成実施例 3 (BAN— 17の合成）
アルゴン雰囲気下、 p-ジブロモベンゼン 2. 65g、 7_ベンズアントラセンボロン酸 6 . 7gをトルエン 80ml、 DME80mlに溶解し、 2M—炭酸ナトリウム水溶液 40mlをカロ えた。更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0. 78gをカ卩え、 8時間加熱還流 した。一晩後、析出物をろ別し、得られた結晶を水、メタノーノレ、熱トルエンで洗浄す ることで、 目的の化合物（BAN— 17) 4. 6gを灰白色結晶として得た (収率 78%)。得 られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマス分析）を測定したところ、 C
H = 530に対し mZz = 530力 S得られたこと力 、この化合物を BAN— 17と同定し た。
[0066] 合成実施例 4 (BAN— 18の合成）
アルゴン雰囲気下、 2, 6-ジブ口モナフタレン 4g、 7—べンズアントラセンボロン酸 8 . 4gをトノレェン 100ml、 DMElOOm こ溶角军し、 2M—炭酸ナトリウム水溶夜 46mlを カロえた。更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0. 97gをカロえ、 8時間加熱還 流した。一晩後、析出物をろ別し、得られた結晶を水、メタノーノレ、熱トルエンで洗浄 することで、 目的の化合物（BAN— 18) 6. 7gを灰白色結晶として得た (収率 82%)。 得られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマス分析）を測定したところ 、 C H = 580に対し mZz = 580が得られたことから、この化合物を BAN— 18と同
46 28
定した。
[0067] 合成実施例 5 (BAN— 22の合成）
アルゴン雰囲気下、 2, 7-ジブロモ - 9, 9-ジメチル - 9H-フルオレン 4g、 7_ベンズ アントラセンボロン酸 6· 8gをトルエン 100ml、 DMElOOmlに溶解し、 2M—炭酸ナ トリウム水溶液 38mlを加えた。更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0· 79g を加え、 8時間加熱還流した。一晩後、析出物をろ別し、得られた結晶を水、メタノー ノレ、熱トルエンで洗浄することで、 目的の化合物（BAN— 22) 5. Ogを灰白色結晶と して得た（収率 68%)。得られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマス 分析）を測定したところ、 C H = 646に対し m/z = 646が得られたことから、この化
51 34
合物を BAN— 22と同定した。
[0068] 合成実施例 6 (BAN— 25の合成）
アルゴン雰囲気下、 1 , 3, 5-トリブロモベンゼン 2. 8g、 7—ベンズアントラセンボロ ン酸 8. Ogをトノレェン 100ml、 DMElOOmlに溶角军し、 2M—炭酸ナトリウム水溶 f夜 45 mlを加えた。更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0. 72gをカロえ、 8時間カロ 熱還流した。一晩後、析出物をろ別し、得られた結晶を水、メタノーノレ、熱トルエンで 洗浄することで、 目的の化合物（BAN— 25) 4. 5gを灰白色結晶として得た (収率 66 %)。得られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマス分析）を測定したと ころ、 C H = 756に対し mZz = 756が得られたことから、この化合物を BAN— 25
60 36
と同定した。 [0069] 合成実施例 7 (BAN— 36の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により合成した 3—（9 （ナフタレン 2 ィル）ァ ントラセン一 10—ィノレ）フエニルボロン酸 6· lg、 7—ブロモベンズアントラセン 4· Og をトルエン 80ml、 DME80mlに溶解し、 2M—炭酸ナトリウム水溶液 25mlを加えた。 更にテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0. 45gをカ卩え、 7時間加熱還流した。 一晩後、析出物をろ別し、母液を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナ トリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン Zへキサンにて結晶化 することで、 目的の化合物（BAN— 36) 6. 24gをクリーム色結晶として得た（収率 78 %)。得られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマス分析）を測定したと ころ、 C H = 606に対し mZz = 606が得られたことから、この化合物を BAN— 36
48 30
と同定した。
[0070] 実施例 1 (BAN— 3の評価）
25mm X 75mm X I . 1mm厚の ITO透明電極付きガラス基板（ジォマティック社 製）をイソプ 口ピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄 を 30分間行なった。洗浄後の透 明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されて いる側の面上に前記透明 電極を覆うようにして膜厚 60nmの Ν, Ν'—ビス（N, Ν，一ジフエ二ノレ一 4—アミノフ ェニル）一 Ν, Ν ジフエ二ノレ一 4, 4 '—ジァミノ一 1 , 1，一ビフエ二ル膜（以下「Τ Ρ D232膜」と略記する。）を成膜した。この TPD232膜は、正孔注入層として機能する 。 TPD 232膜の成膜に続けて、この TPD232膜上に膜厚 20nmの Ν, N, N，, N ' —テトラ（4—ビ フエニル）一ジアミノビフエ二レン層以下「TBDB層」を成膜した。こ の膜は正孔輸送層として機能 する。さらに膜厚 40nmの BAN— 3を蒸着し成膜した 。同時に発光分子として、下記のァミン化合物 801を8八1^ _ 3に対し、重量比 BA N_ 3 : BD1 =40 : 2で蒸着した。この膜は、発光層として 機能する。この膜上に膜 厚 10nmの Alq膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後 還元性ト '、一パントである Li (Li源:サエスゲッタ一社製）と Alqを二元蒸着させ、電子注入層（ 陰極 ）として Alq : Li膜 (膜厚 10nm)を形成した。この Alq : Li膜上に金属 A1を蒸着 させ金属 陰極を形成し有機 EL発光素子を形成した。この素子に通電試験を行った ところ、電圧 6. 9 V、電流 密度 10111八/(：1112にて7680(1/1112の青色発光が得られ た。初期輝度を lOOOcd/m2にし てこの有機 EL素子の半減寿命を測定した結果を 表 1に示す。
[化 19]
Figure imgf000038_0001
T P D 2 3 2 T B D B
Figure imgf000038_0002
B D 1 A 1 q
[0072] 実施例 2〜5
発光層の材料として AN— 3の代わりに表 1に記載の化合物を用いた以外は実施例
1と全く同様に有機 EL素子を作製した。初期輝度を lOOOcdZm2にしてこの有機 EL 素子の半減寿命を測定した結果を表 1に示す。
[0073] 実施例 6
実施例 1において発光層の材料として、ァミン化合物 BD1の代わりにァミン化合物 BD2を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作成し、実施例 1と同様にして半減 寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す。
[化 20]
Figure imgf000039_0001
B D 2 実施例 7
実施例 1において発光層の材料として、ァミン化合物 BD1の代わりにァミン化合物 BD3を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作成し、実施例 1と同様にして半減 寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す。
[化 21]
Figure imgf000039_0002
B D 3 比較例 1
BAN— 3の代わりに ban_ lを用いた以外は実施例 1と全く同様に有機 EL素子を 作製した。
初期輝度を 1000cd/m2にしてこの有機 EL素子の半減寿命を測定した結果を 表 1に示す。
[化 22]
Figure imgf000039_0003
b a n— 比較例 2 BAN— 3の代わりに ban— 2を用いた以外は実施例 1と全く同様に有機 EL素子を 作製した。
初期輝度を 1000cd/m2にしてこの有機 EL素子の半減寿命を測定した結果を 表 1に示す。
[化 23]
Figure imgf000040_0001
b a n - 2 比較例 3
BAN _ 3の代わりに ban— 3を用レ、た以外は実施例 1と全く同様に有機 EL素子を 作製した。
初期輝度を lOOOcdZm2にしてこの有機 EL素子の半減寿命を測定した結果を表 1に示す。
[化 24]
Figure imgf000040_0002
b a n - 3 [表 1] 表 1
Figure imgf000041_0001
[0079] 表 1から判るように本発明の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体は 従来技術に比べて色度が良くかつ長寿命である。
産業上の利用可能性
[0080] 以上、詳細に説明したように、本発明の 12位に水素原子を有するベンズアントラセ ン誘導体を含有する有機 EL素子は、長寿命であり、色度が良好である。

Claims

請求の範囲
下記一般式（1)で表される 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体。
Figure imgf000042_0001
[式中、 R -R10^,それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6 〜50の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素 環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の核 炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキ シ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の 核炭素数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリ 一ルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボニル基、置換 もしくは無置換の炭素数 1〜50のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ 基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。
Lは、連結基であり、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 2価の芳香 族炭化水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の 2価の芳香族複素環基、 置換もしくは無置換のフルォレニレン基、又は置換もしくは無置換の力ルバゾリレン 基である。
nは:!〜 4の整数である。 nが 2以上の整数である時、 Lはそれぞれ同一でも異なつ ていても良い。
Arは、単結合、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族炭化水 素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、フルォレニル基 、又はカルバゾリル基である。
mは:!〜 4の整数である。 mが 2以上の整数である時、複数の 1^〜1^°及び Lはそれ ぞれ同一でも異なっていても良い。 ]
一般式（1)で表される化合物が、下記一般式（2)で表される化合物である 記載の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体。
[化 2]
Figure imgf000043_0001
[式中、 ^〜1^°、 L及び nは、それぞれ独立に、一般式（1)におけるものと同じである 。 Arは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族炭化水素環基、 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、フルォレニル基、又は力 ルバゾリル基である。 ]
一般式（1)で表される化合物が、下記一般式（3)で表される化合物である請求項 1 記載の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体。
[化 3]
Figure imgf000043_0002
[式中、 〜1 2°は、それぞれ独立に、一般式（1)における R1 !^と同じである。 L及 び nは、それぞれ独立に、一般式（1)におけるものと同じである。 ]
一般式（1)で表される化合物が、下記一般式 (4)で表される化合物である請求項 1 記載の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体。 [化 4]
Figure imgf000044_0001
( 4 )
[式中、 ^〜!^°は、それぞれ独立に、一般式（1)における 1^〜^°と同じである。 Lは 、一般式（1)におけるものと同じである。 q、 r及び sは、それぞれ独立に、一般式（1) における nと同じである。 Arは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族炭化 水素環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、フルォレニル 基、又はカルバゾリル基である。 ]
陽極と陰極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層力 なる有機薄膜層が挟 持されている有機エレクト口ルミネッセンス素子において、該有機薄膜層が請求項 1 〜4のいずれかに記載の 12位に水素原子を有するベンズアントラセン誘導体から選 ばれる少なくとも 1種類を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクト口ノレ ミネッセンス素子。
前記発光層が、請求項:!〜 4のいずれかに記載の 12位に水素原子を有するベンズ アントラセン誘導体を、主成分として含有する請求項 5記載の有機エレクト口ルミネッ センス素子。
前記発光層が、さらにァリールァミン化合物を含有する請求項 5に記載の有機エレ タトロルミネッセンス素子。
前記発光層が、さらにスチリルァミン化合物を含有する請求項 5に記載の有機エレ
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