WO2007123185A1

WO2007123185A1 - コンタクトプローブ、及びその作製方法

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Publication number: WO2007123185A1
Application number: PCT/JP2007/058561
Authority: WO
Inventors: Masahiro Aoyagi; Katsuya Kikuchi; Hiroshi Nakagawa; Yoshikuni Okada; Hiroyuki Fujita; Shouichi Imai; Shigeo Kiyota
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST; Shinwa Frontech Corp; Kiyota Manufacturing Co
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST; Shinwa Frontech Corp; Kiyota Manufacturing Co
Priority date: 2006-04-21
Filing date: 2007-04-19
Publication date: 2007-11-01
Anticipated expiration: 2008-10-21
Also published as: US7990165B2; JPWO2007123185A1; US20090224781A1; US9134346B2; EP2012131A1; EP2012131A4; JP5109064B2; US20110247209A1

Abstract

【課題】測定機器との電気的接続が容易であると共に微細ピッチの高速・高周波信号の測定を容易且つ正確に行うことができ、また、複数チャンネルの信号測定に容易に対応することのできるコンタクトプローブ、及びその作製方法を提供する。【解決手段】測定対象への接触部となる信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂを有し、信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂが基板上の金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板３と、信号線路１５ａ及び該信号線路１５ａの周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極１２，１７，１８を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板２とを備え、第一のプリント配線基板３の信号電極１０ａと第二のプリント配線基板２の信号線路１５ａとが電気的に接続され、第一のプリント配線基板３のグランド電極１０ｂと第二のプリント配線基板２のシールド電極１２，１７，１８とが電気的に接続されて構成される。

Description

明細書

コンタクトプローブ、及びその作製方法

技術分野

[0001] 本発明は、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等において、その高周波特性の測定に用いられ、特に複数チャンネル信号に対応するコンタクトプローブ、及びその作製方法に関する。背景技術

[0002] 近来、電子機器の高速化'高周波化に伴い、機器を構成する電子デバイス、電子部品、実装部品等について、その高速'高周波信号に対する電気特性を測定検査する需要が従来に比べ増加している。この測定検査の際に用いられるのが、高周波コンタクトプローブである。従来の高周波コンタクトプローブは、細線リジッド同軸ケーブルの先端に微細な金属コンタクトパッドを接続した構成のものが主流であった。製品としては、例えば、 GGB社、カスケード 'マイクロテック社、ズース 'マイクロテック社の高周波コンタクトプローブが広く普及してレ、る。

[0003] し力、しながら、従来から広く用いられているコンタクトプローブの多くは、その先端の電極間ピッチ（信号電極とグランド電極の間隔）ヽ微細なものでも 100 II m程度であり、 50 μ m未満の微細ピッチを有する集積回路用インターポーザ等の特性評価を行うのが困難であるという課題があった。

このような課題を解決する技術として、測定対象に接触する信号電極及びグランド電極を有するプローブ先端部材をプリント回路基板で作製し、同軸ケーブルの先端に前記プローブ先端部材を半田付けにより電気的に接続する構成が特許文献 1に開示される。

特許文献 1に開示される構成によれば、プリント配線基板の作製技術によりプロ一ブ先端部材の電極間ピッチを 50 μ m未満に形成することができ、微細ピッチを有する測定対象であっても高速 ·高周波信号の測定が可能となる。

特許文献 1：特開 2006— 10678号公報

発明の開示発明が解決しょうとする課題

[0004] し力ながら、特許文献 1に開示のコンタクトプローブにあっては、測定機器からの同軸ケーブルをプローブ先端部材に直接的に接続する際、そのプローブ先端部材が微小であるために、半田付けによる正確な接続が困難であるという課題があった。

[0005] また、複数の測定対象が存在する場合、各測定対象間のピッチが広ければ、特許文献 1に示されるような単一チャンネルの高周波プローブを複数用いて測定可能であるが、各測定対象間のピッチが狭い場合には、 2チャンネル以上の複数チャンネル信号に対応した高周波コンタクトプローブの利用が不可欠となっている。

[0006] し力しながら、特許文献 1に開示のプローブを含む従来の単一チャンネルの高周波コンタクトプローブを用いて複数チャンネル対応の高周波プローブを構成する場合、複数のプローブ先端を例えば横一列に並べる必要があり、 50 μ m以下の微細ピッチで複数のプローブを並べるのは技術的に困難であるという課題があった。

[0007] 本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、測定機器との電気的接続が容易であると共に微細ピッチの高速 ·高周波信号の測定を容易且つ正確に行うことができ、また、複数チャンネルの信号測定に対応することのできるコンタクトプロ一ブ、及びその作製方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0008] 前記課題を解決するためになされた、本発明にかかるコンタクトプローブは、高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブにおいて、測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極を有し、前記信号電極及びグランド電極が基板上の金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板と、信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板とを備え、前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが電気的に接続されて構成されることに特徴を有する。尚、前記信号電極と前記グランド電極との間の電極間ピッチは、 10 / m以上〜 50 μ m未満に形成されてレ、ることが望ましい。

[0009] このように、コンタクトプローブをプリント配線基板により作製することによって、電極間ピッチが微細（例えば 50 _β m未満）なプローブ先端部（第一のプリント配線基板）を容易且つ精度よく形成することができる。したがって、そのプローブ先端を、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等に形成された微細ピッチに押し当て、その高速 ·高周波測定を実現することができる。

また、第一のプリント回路基板 (プローブ先端部）と測定機器 (の同軸ケーブル)との電気的接続に、同軸線路構造を有する第二のプリント回路基板を介すため、その接続を容易且つ正確に行うことができる。特に微小な構成となる第一のプリント回路基板と、第二のプリント回路基板との接続は、基板同士の接続であるため、微細バンプ等を介して行うことができ、容易且つ正確な電気的接続を実現することができる。

[0010] また、第二のプリント回路基板は、同軸線路構造を有するため、高速'高周波信号の伝送効率を向上すると共に、外来ノイズ及び配線間のクロストーク発生を低減すること力 Sできる。

また、先端部が非常に微小な構造となる第一のプリント回路基板と、第二のプリント回路基板との電気接続とは、微細バンプを介して行なうため、接続部分での特性インピーダンスの変動が小さく抑えられ、伝送特性を大幅に向上することができる。

尚、第一のプリント回路基板と、第二のプリント回路基板とを 1枚のプリント回路基板上に一体に作製することは可能であるが、その場合にはビア接続構造を用いる必要力 Sある。し力しながら、従来のビア接続構造は、高周波特性が悪いため、本発明では微細バンプ接続を採用している。

[0011] また、前記第二のプリント配線基板において、前記シールド電極と導通するグランド線路が前記信号線路と同一平面上に形成され、前記信号線路及び前記グランド線路の上下レ、ずれかの面が所定面積露出するように切り欠き部が形成されてレ、ることが望ましい。

このように第二のプリント配線基板において、切り欠き部を形成することにより第一のプリント配線基板との接続部を設けられ、その接続を容易に行うことができる。

[0012] また、前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とは、夫々の基板に複数系統形成され、前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが対応する系統毎に電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが対応する系統毎に電気的に接続されていることが望ましい。

[0013] このようにプリント配線基板により複数チャンネル (複数系統）の電極を形成することで、コンタクトプローブ先端において、電極間ピッチが微細（例えば 50 μ m未満）な複数チャンネルの電極を並べて形成することができる。したがって、複数チャンネルの測定対象が微細ピッチで存在する場合であっても、この複数チャンネルに対応するコンタクトプローブによって、各チャンネルについて高速 ·高周波信号の測定を行うことができる。

また、第二のプリント配線基板の形状を後端（同軸ケーブルとの接続側）の幅が広い扇状に形成することによって、その後端の隣り合うチャンネルの電極間のピッチを広くすることができ、測定機器からの同軸ケーブルとの接続を容易に行うことができる

[0014] また、前記課題を解決するためになされた、本発明にかかるコンタクトプローブの作製方法は、高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブの作製方法において、測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極が金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板を作製すると共に、信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板を作製する工程と、前記第一のプリント配線基板の信号電極に、前記第二の多層プリント配線基板の信号線路を電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極に、前記第二のプリント配線基板のシールド電極を電気的に接続する工程とを実行することに特徴を有する。

[0015] このような方法により、プリント配線基板により形成されたコンタクトプローブを作製することができ、このコンタクトプローブのプローブ先端を、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等に形成された微細ピッチに押し当て、その高速 ·高周波測定を実現することができる。

[0016] また、前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とを、夫々の基板に複数系統形成し、前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とを対応する系統毎に電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とを対応する系統毎に電気的に接続することが望ましい。

このような方法により、複数の測定対象が存在する場合、各測定対象間のピッチが例えば 50 μ m未満と微細であっても、それに対応する複数チャンネル (複数系統）のコンタクトプローブを作製することができ、各チャンネルについて高速'高周波信号の測定を行うことができる。

尚、第一のプリント配線基板及び第二のプリント配線基板を作製する工程については、所謂シリコンインターポーザの作製工程に準ずる作製方法を採用することも可能である。その場合には、微細線路パターン形成の精度が向上して線路の特性インピ一ダンス制御性が改善し、伝送特性を向上することができる。

[0017] また、前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、信号電極及びグランド電極を形成するためのフォトレジストパターンを前記絶縁層上に形成するステップと、前記フォトレジストパターンが形成された絶縁層上に金属層を積層するステップと、前記フォトレジストパターンを除去し、前記絶縁層上に積層された金属層により信号電極及びグランド電極を形成するステップとを実行することが望ましい。

[0018] 尚、前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、前記絶縁層上に金属層を積層するステップと、最上層の金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステツプとを実行してもよい。

或いは、前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップを実行してもよい。このようなステップを実行することにより、電極間ピッチが微細（例えば 50 μ m未満）なプローブ先端部（第一のプリント配線基板）を容易且つ精度よく形成することができる。

[0019] また、前記第二のプリント配線基板を作製する工程において、両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層上に、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、最上面の金属層に信号線路及びグランド線路となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップと、前記金属配線パターンが形成された面に対し、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、前記信号線路の延長方向に沿って該信号線路の両側に、上方から下方に向け、前記グランド線路と交差し、前記信号線路より下層の金属層に達するように夫々溝加工を施すステップと、少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メツキ処理を施し、前記信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を形成するステップと、前記信号線路とグランド線路の上下レ、ずれかの面が夫々所定面積露出するよう切削処理を施すステップとを実行することが望ましレヽ

[0020] このようなステップを実行することにより、同軸線路構造の第二の回路基板を作製すること力 Sできる。また、第一のプリント配線基板と測定機器からの同軸ケーブルとの接続をこの第二のプリント配線基板を介して行うことで、夫々との接続を容易に行うことができる。

[0021] 尚、前記各絶縁層に、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフィン系榭脂のいずれかによるプリプレダを用いることが望ましい。

また、前記絶縁層に貼り合わされる金属層が、金、銀、銅のいずれかにより形成されることが望ましい。

また、前記溝力卩ェを施した部分になされる金属メツキが、銅メツキであることが望ましレ、。

[0022] 本発明によれば、測定機器との電気的接続が容易であると共に微細ピッチの高速' 高周波信号の測定を容易且つ正確に行うことができ、また、複数チャンネルの信号測定に対応することのできるコンタクトプローブ、及びその作製方法を得ることができる。

図面の簡単な説明

[図 1]図 1は、本発明に係るコンタクトプローブの第一の実施の形態を示す側面図である。

[図 2]図 2は、図 1のコンタクトプローブの下面図である。

[図 3]図 3は、図 1のコンタクトプローブのプローブ本体とプローブ先端部の上方からの斜視図である。

[図 4]図 4は、図 1のコンタクトプローブのプローブ本体とプローブ先端部の下方からの斜視図である。

[図 5]図 5は、プローブ本体の作製方法を示すフローである。

[図 6A]図 6Aは、図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6B]図 6Bは、図 6Aに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6C]図 6Cは、図 6Bに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6D]図 6Dは、図 6Cに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6E]図 6Eは、図 6Dに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6F]図 6Fは、図 6Eに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6G]図 6Gは、図 6Fに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 6H]図 6Hは、図 6Gに続く図 5のフローに対応した工程図である。

[図 7]図 7は、プローブ先端部の作製方法を示すフローである。

[図 8A]図 8Aは、図 7のフローに対応した工程図である。

[図 8B]図 8Bは、図 8Aに続く図 7のフローに対応した工程図である。

[図 8C]図 8Cは、図 8Bに続く図 7のフローに対応した工程図である。

[図 8D]図 8Dは、図 8Cに続く図 7のフローに対応した工程図である。

[図 8E]図 8Eは、図 8Dに続く図 7のフローに対応した工程図である。

[図 9]図 9は、プローブ先端部の他の作製方法を示すフローである。

[図 10A]図 10Aは、図 9のフローに対応した工程図である。

[図 10B]図 10Bは、図 10Aに続く図 9のフローに対応した工程図である。

[図 10C]図 10Cは、図 10Bに続く図 9のフローに対応した工程図である。 [図 10D]図 10Dは、図 IOCに続く図 9のフローに対応した工程図である。

[図 10E]図 10Eは、図 10Dに続く図 9のフローに対応した工程図である。

[図 10F]図 10Fは、図 10Eに続く図 9のフローに対応した工程図である。

[図 11]図 11は、プローブ先端部の他の作製方法を示すフローである。

[図 12A]図 12Aは、図 11のフローに対応した工程図である。

[図 12B]図 12Bは、図 12Aに続く図 11のフローに対応した工程図である。

[図 12C]図 12Cは、図 12Bに続く図 11のフローに対応した工程図である。

[図 12D]図 12Dは、図 12Cに続く図 11のフローに対応した工程図である。

園 13]図 13は、プローブ先端部のコンタクトバンプの作製方法を示すフローである。

[図 14A]図 14Aは、図 13のフローに対応した工程図である。

[図 14B]図 14Bは、図 14Aに続く図 13のフローに対応した工程図である。

[図 14C]図 14Cは、図 14Bに続く図 13のフローに対応した工程図である。

[図 14D]図 14Dは、図 14Cに続く図 13のフローに対応した工程図である。

園 15]図 15は、本発明に係るコンタクトプローブの第二の実施の形態を示す平面図である。

[図 16A]図 16Aは、図 15のコンタクトプローブのプローブ本体の構成を示す平面図である。

[図 16B]図 16Bは、図 16Aにおける A— A断面図である。

[図 17A]図 17Aは、図 15のコンタクトプローブのプローブ先端部の構成を示す平面図である。

[図 17B]図 17Bは、図 17Aにおける B— B断面図である。

園 18A]図 18Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

園 18B]図 18Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

園 19A]図 19Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

園 19B]図 19Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 20A]図 20Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 20B]図 20Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 21A]図 21Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 21B]図 21Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 22A]図 22Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 22B]図 22Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 23A]図 23Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 23B]図 23Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 24A]図 24Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 24B]図 24Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 25A]図 25Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 25B]図 25Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 26A]図 26Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

[図 26B]図 26Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

園 27A]図 27Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

園 27B]図 27Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

園 28A]図 28Aは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。

園 28B]図 28Bは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図 )である。

[図 29]図 29は、切り欠き部を形成する他の方法を説明するためのフローである。園 30A]図 30Aは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。

園 30B]図 30Bは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。

園 30C]図 30Cは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。

園 31A]図 31Aは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。

園 31B]図 31Bは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。

園 31C]図 31Cは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。

符号の説明

2 プローブ本体（第二のプリント配線基板）

2a 切り欠き部

3 プローブ先端部（第一のプリント配線基板）

4 微細バンプ

5 基板 6 補強板

7 コンタクトバンプ

8 絶縁層

9 金属層

10 金属層

10a 信号電極

10b グランド電極

11 絶縁層

12 金属層

13 金属層

14 絶縁層

15 金属層

15a 信号線路

15b グランド線路

16 絶縁層

17 金属層

18 金属メツキ層

19 溝部

20 プローブ本体 (第二のプ:リント配線基板）

30 プローブ先端部（第一のプリント配線基板)

100 コンタクトプローブ

101 コンタクトプローブ

発明を実施するための最良の形態

以下、本発明に力かるコンタクトプローブ及びその作製方法の実施の形態につき、図に基づいて説明する。図 1は、本発明に係るコンタクトプローブの第一の実施の形態を示す側面図、図 2は、図 1のコンタクトプローブの下面図である。尚、第一の実施の形態に示すコンタクトプローブは、単一チャンネル（単一系統）に対応する構造のプローブである。 [0026] 図示するようにコンタクトプローブ 100は、測定対象との接触部となるプローブ先端部 3と、図示しない同軸ケーブル等を介し高周波測定機器と接続されるプローブ本体 2とを有する。

プローブ先端部 3 (第一のプリント配線基板）とプローブ本体 2 (第二のプリント配線基板）は、夫々プリント配線基板により形成され、それらが微細バンプ 4を用いた 100 °C〜150°Cの熱圧着により相互に接合されている。尚、この微細バンプ 4は、金、金合金、銀、銀合金のいずれかにより形成されるのが好ましい。

尚、プローブ先端部 3とプローブ本体 2との電気接続については、微細バンプを用いるものの、熱圧着による接合を形成せずに、圧接により実施することもできる。その場合、プローブ先端部 3とプローブ本体 2との隙間に熱硬化樹脂を塗布した後、互いに圧接させ、加熱による硬化収縮によって接触圧力を高め、電気接続を確保することが可能となる。このような方法は NCP (Non Conductive Paste)工程と呼ばれている。

[0027] また、微細バンプ 4による接合のみではプローブとして強度が不十分の虞があるため、図 1に示すようにプローブ本体 2の上層にシリコンまたはガラスからなる基板 5が形成され、これにより面一状態になされたプローブ本体 2とプローブ先端部 3の上面に、樹脂板または金属板等からなる補強板 6が接着剤により接着されて設けられている。

尚、基板 5をガラスにより形成した場合、プローブ先端部 3において透過性が得られ、電極位置に対する視認性が向上するため、測定対象との接触時に位置合わせを容易とすることができる。その場合には、補強板も透明樹脂等により形成されていることが望ましい。

また、前記したようにプローブ先端部 3とプローブ本体 2との電気接続を圧接により実現する場合、補強板 6の接着剤、及び、プローブ先端部 3とプローブ本体 2の隙間に封入された樹脂を剥離用の溶媒、酸などで溶解させてやれば、プローブ先端部 3を交換すること力 Sできる。

[0028] また、図 2に示すように、プローブ先端部 3の下面の金属配線パターン 10には 3つの線路が形成され（1本の信号電極 10aと 2本のグランド電極 10b)、夫々の先端に測定対象と接触するためのコンタクトバンプ 7 (1つの信号用コンタクトバンプ 7aと 2つのグランド用コンタクトバンプ 7b)が設けられている。即ち、中央の信号電極 10aの先端に設けられた信号用コンタクトバンプ 7aは測定対象から信号を拾うためのコンタクトバンプであり、両側のグランド電極 10bの先端に設けられたグランド用コンタクトバンプ 7 bは、測定対象側のグランドレベル信号を拾うためのコンタクトバンプである。尚、信号用コンタクトバンプ 7aとグランド用コンタクトバンプ 7bとの電極間ピッチは、例えば 1 0〜50 μ mに設定されている。

[0029] また、プローブ本体 2の、プローブ先端部 3が接続されてレ、る側と反対側（後端側）には、図示しない同軸ケーブルが接続可能になされ、その同軸ケーブルを高周波測定機器等に接続することによって高周波信号の測定が可能になされている。

即ち、このコンタクトプローブ 100によれば、プリント配線基板によりプローブ先端部 3が作製されるため、例えば 50 μ m未満の所望の電極間ピッチを容易に形成することができ、測定対象の微細ピッチに対する測定が可能になされている。また、プロ一ブ本体 2は、詳細に後述するように同軸線路構造を有しており、これにより、高速 ·高周波信号の伝送効率を向上すると共に、外来ノイズ及び配線間のクロストーク発生を低減するようになされている。尚、プローブ本体 2の同軸線路の延長方向の長さ寸法は任意に設定され形成される。

[0030] また、プローブ本体 2は、前記のように同軸線路構造を有するプリント配線基板により作製されるため、そのプローブ先端部 3との接続、及び測定機器からの同軸ケープノレとの接続を夫々容易なものとすることができる。即ち、プローブ先端部 3と測定機器との電気的接続を容易且つ正確に行うことができる。特に微小な構成となるプローブ先端部 3と、プローブ本体 2との接続は、基板同士の接続であるため、微細バンプ 4を介して行うことができ、容易且つ正確な電気的接続を実現することができる。

[0031] 続いて、プローブ本体 2とプローブ先端部 3の構造について、さらに詳細に説明する。図 3は、プローブ本体 2とプローブ先端部 3の上方からの斜視図であり、図 4は下方からの斜視図である。

先ず、プローブ本体 2の構造について説明する。図 3に示すように、プローブ本体 2 は、多層構造になされたプリント配線基板であって、最下層であるグランド層 13の上に絶縁層 11、金属層 12、絶縁層 14、金属層 15、絶縁層 16、金属層 17、金属メツキ層 18が順に積層されている。このうち、金属層 15は、信号線路 15aと、その両側に絶縁層 14を介し形成されたグランド線路 15bとで構成される。即ち、信号線路 15aは、グランド線路 15bと電気的に絶縁された状態になされている。

[0032] また、図 3に示すように、信号線路 15a及びグランド線路 15bの延長方向に沿って、プローブ本体 2の上面から下方に向け、信号線路 15aの両側に（2つの）溝部 19が形成され、その溝部 19の表面にも金属メツキ層 18が形成されている。ここで溝部 19は、グランド線路 15bと交差し、さらに金属層 12に達する深さまで形成されるため、金属メツキ層 18により、金属層 12とグランド線路 15bと金属層 17とが相互に導通状態となされる。即ち、信号線路 15aの周囲を、絶縁層を介して取り囲むシールド電極が形成された同軸線路構造となされている。

また、図 3に示すように、プローブ本体 2の上部先端には、信号線路 15a及びグランド線路 15bの上面が露出し、プローブ先端部 3との接続部が形成されるように切り欠き部 2aが設けられている。

[0033] 次に、プローブ先端部 3の構成について説明する。プローブ先端部 3は、図 3、図 4 に示すように、絶縁層 8の上層に金属層 9、下層に金属層 10が形成された構造になされ、金属層 10は、前記したように中央に信号電極 10a、その両側にグランド電極 1 Obが形成されている。

[0034] このプローブ先端部 3がプローブ本体 2に接続される際には、信号電極 10aの後端部 10c (図 4参照）と切り欠き部 2aにおける信号線路 15aの上面（図 3参照）、及びグランド電極 10bの後端部 10d (図 4参照）と切り欠き部 2aにおけるグランド線路 15bの上面（図 3参照）が、前記の微細バンプ 4により電気的に接続されるようになされる。尚、図 4に示す信号電極 10aの先端部 10eとグランド電極 10bの先端部 10fに、図 2 に示したコンタクトバンプ 7a、 7bが夫々設けられるようになされている。

[0035] 続いて、プローブ本体 2とプローブ先端部 3の作製方法について説明する。最初に、図 5のフロー及び、そのフローに対応した図 6A乃至図 6Hの工程図に従レ、、同軸線路構造を有するプローブ本体 2の作製方法について説明する。

[0036] 先ず、図 6Aに示すように、絶縁層 11の両面に薄膜の金属層 12、 13が貼り合わせてなる両面金属貼り樹脂コア基板を用意する（図 5のステップ SI)。

次いで、図 6Bに示すように、金属層 12上に、片面に金属層 15を貼り合わせてなる絶縁層 14を積層する。具体的には金属層 12上に片面金属貼り樹脂プリプレダを熱圧着する（図 5のステップ S2)。これにより、金属層 12の上に絶縁層 14、その上に金属層 15が形成される。

また、図 6Bに示すように金属層 15の上にフォトレジスト Rを塗布し（図 5のステップ S

3)、露光 ·現像処理により所定のレジストパターンを形成する（図 5のステップ S4)。

[0037] 次いで、図 6Cに示すように、レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行レ、、金属層 15に金属配線パターンを形成する（図 5のステップ S5)。これにより、信号線路 15a、グランド線路 15bの金属配線パターンが形成される。

金属層 15のパターン形成がなされフォトレジスト Rが除去されると、図 6Dに示すように、その上に片面に金属層 17を貼り合わせてなる絶縁層 16を積層する。具体的には、金属層 15 (金属配線パターン)上に片面金属貼り樹脂プリプレダを熱圧着する（図 5のステップ S6)。これにより絶縁層 16、金属層 17が積層され、ストリップ線路 (信号線路 15a)が形成される。

[0038] 次いで、図 6Fに示すように、信号線路 15aの延長方向に沿って信号線路 15aの両側に、上方から下方に向け、グランド線 15bに交差し、且つ、信号線路 15aよりも下層の金属層、即ち金属層 12に達するようレーザービーム照射、エンドミル等の方法により溝加工処理がなされる（図 5のステップ S7)。

そして、図 6Gに示すように、上面及び溝部 19に金属メツキ処理がなされる（図 5のステップ S8)。この金属メツキ層 18により、金属層 12と金属層 17とが導通し、同軸線路構造のプリント配線基板が形成される。

[0039] 次いで、図 6Hに示すように、この同軸線路構造のプリント配線基板の先端上部に切削加工により切り欠き部 2aが形成される。これにより、信号線路 15a及びグランド線路 15bの上面が所定面積露出し、プローブ先端部 3との接続部が形成され、全体の成形処理後、プローブ本体 2が完成する（図 5のステップ S9)。

[0040] 尚、前記各絶縁層は、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフィン系榭脂のいずれかによるプリプレダであるのが好ましい。

また、前記各金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることが望ましぐ金属メツキ層 18は、銅メツキであることが望ましい。

また、前記切り欠き部 2aを形成する方法については、特開平 10— 242594号公報及び、特開 2001— 156444号公報に開示の方法、即ち、プリント基板内に開口部を形成するプリント配線基板の製造方法を適用することも可能である。

その方法とは、予め切り欠きを形成したい部分に対応するプリント回路のプリプレダ層に切り欠きを設ける一方、通常の積層プロセスを経てプリント配線基板を作製し、それらを一体化させるものである。

[0041] 以下、その具体例を図 18A乃至図 28Bの工程図を用レ、、図 29のフローに沿って説明する。尚、図 18A、図 19A、図 20A、図 21A、図 22A、図 23A、図 24A、図 25 A、図 26A、図 27A、図 28Aは夫々、作製されるプローブ本体 2の正面側から見た図、図 18B、図 19B、図 20B、図 21B、図 22B、図 23B、図 24B、図 25B、図 26B、図 2 7B、図 28Bは、それらに対応する側面図である。

[0042] 先ず、図 18A,図 18Bに示すように、絶縁層 14の両面に薄膜の金属層 15、 12が貝占り合わせてなる両面金属貼り樹脂コア基板を用意する（図 29のステップ ST1)。次いで、図 19A、図 19Bに示すように金属層 15の上にフォトレジスト Rを塗布し（図 29のステップ ST2)、露光.現像処理により所定のレジストパターンを形成する（図 29 のステップ ST3)。

次いで、図 20A、図 20Bに示すように、レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、金属層 15に金属配線パターンを形成する（図 29のステップ ST4)。これにより、金属配線パターンが形成される（以下、金属層 15を金属配線パターン 15とも呼ぶ）。

[0043] 金属層 15のパターン形成がなされフォトレジスト Rが除去されると、図 21A、図 21B に示すように、上面に金属層 17を貼り合わせてなる半硬化性樹脂層 51を用意し（図 29のステップ ST5)、図 22A、図 22Bに示すように、半硬化性樹脂層 51の先端部分に切削加工を施す（図 29のステップ ST6)。尚、半硬化性樹脂層 51は、一般にノンフロー樹脂、ローフロー樹脂とも呼ばれるプリキュア状態の樹脂層からなり、半硬化状態のエポキシ樹脂、フエノール樹脂、イミド樹脂、 BT樹脂、テフロン (登録商標）の榭脂等が用いられる。

[0044] そして、図 23A、図 23Bに示すように、半硬化性樹脂層 51を金属配線パターン 15 上に熱プレスし、これにより半硬化性樹脂層 51が完全に硬化する（図 29のステップ S

T7)。また、このとき、図示するように、切削加工を施した半硬化性樹脂 51の部位が中空状態となっている。

次に、図 24Α、図 24Βに示すように、下面に金属層 13を貼り合わせてなる絶縁層 1

1 (片面金属貼り樹脂プリプレダ)を金属層 12の下面から補強のために熱圧着する（図 29のステップ ST8)。

補強され、図 25A、図 25Bの状態となると、図 26A、図 26Bに示すように、金属層 1

2に達するようレーザービーム照射、エンドミル等の方法により溝加工処理がなされる

(図 29のステップ ST9)。

[0045] そして、図 27A、図 27Bに示すように、上面及び溝部 19に金属メツキ処理（無電解銅めつき処理）がなされる（図 29のステップ ST10)。この金属メツキ層 18により、金属層 12と金属層 17とが導通し、同軸線路構造のプリント配線基板が形成される。

次いで、図 28A、図 28Bに示すように、中空状態であった半硬化性樹脂層 51の部分が切削により取り除かれ、切り欠き部 2aが形成される（図 29のステップ ST11)。

[0046] 続いて、図 7のフロー及び、そのフローに対応した図 8A乃至図 8Eの工程図に従い

、図 1に示す基板 5上に、プローブ先端部 3 (コンタクトバンプ 7無し）をリフトオフ法により作製する方法について説明する。

[0047] 先ず、図 8Aに示すように、シリコンまたはガラスからなる基板 5の上面に、真空蒸着

、スパッタ、 CVD、メツキ等のいずれかの手法により、金属層 9を形成し（図 7のステツプ S11)、さらに、金属層 9上に絶縁層 8を形成する（図 7のステップ S12)。

次に絶縁層 8にフォトレジスト Rを塗布し（図 7のステップ S13)、露光、現像処理により図 8Dに示すようにレジストパターンを形成する（図 7のステップ S14)。

[0048] 次いで、図 8Dに示すようにレジストパターンが形成された絶縁層 8上に真空蒸着、スパッタ、 CVD、メツキ等のいずれかの手法により金属層 10を堆積する（図 7のステツプ S15)。そして、図 8Eに示すように、基板を溶媒に浸潤することにより、フォトレジスト Rを除去する。これによりレジストパターン上の金属層 10が除去され、絶縁層 8上に信号電極 10a及びグランド電極 10bの金属配線パターンが形成されてプローブ先端部 3が完成する（図 7のステップ S16)。

[0049] 続いて、図 9のフロー及び、そのフローに対応した図 10A乃至図 10Fの工程図に従レ、、図 1に示す基板 5上に、プローブ先端部 3 (コンタクトバンプ 7無し)をエッチング法により作製する方法について説明する。

[0050] 先ず、図 10Aに示すように、シリコンまたはガラスからなる基板 5の上面に、真空蒸着、スパッタ、 CVD、メツキ等のいずれかの手法により金属層 9を形成し（図 9のステツプ S21)、さらに、金属層 9上に絶縁層 8を形成する（図 9のステップ S22)。

次いで、図 10Cに示すように、絶縁層 8上に、真空蒸着、スパッタ、 CVD、メツキ等のいずれかの手法により金属層 10を形成する（図 9のステップ S23)。

次に金属層 10上にフォトレジスト Rを塗布し（図 9のステップ S24)、露光、現像処理により図 10Dに示すようにレジストパターンを形成する（図 9のステップ S25)。

[0051] そして、図 10Eに示すように、化学またはプラズマエッチングによりレジストパターンをマスクとして金属層 10をカ卩ェし、信号電極 10a及びグランド電極 10bとなる金属配線パターンを形成する（図 9のステップ S26)。

最後に、基板を溶媒に浸潤することにより、図 10Fに示すようにフォトレジスト Rを除去する。これによりプローブ先端部 3が完成する（図 9のステップ S27)。

尚、以上の図 9のフローに基づき説明した作製方法によれば、電極間ピッチを 10 μ m未満（下限は 2 μ m)に形成することが可能である。

[0052] 続いて、図 11のフロー及び、そのフローに対応した図 12A乃至図 12Dの工程図に従レ、、基板 5を用いずにプローブ先端部 3 (コンタクトバンプ 7無し)をエッチング法により作成する方法について説明する。

[0053] 先ず、図 12Aに示すように、絶縁層 8の両面に薄膜の金属層 9、 10が貼り合わせてなる両面金属貼り樹脂コア基板を用意する（図 11のステップ S31)。

次に金属層 10にフォトレジスト Rを塗布し（図 11のステップ S32)、露光、現像処理により図 12Bに示すようにレジストパターンを形成する（図 11のステップ S 33)。 [0054] そして、図 12Cに示すように、化学またはプラズマエッチングによりレジストパターンをマスクとして金属層 10をカ卩ェし、信号電極 10a及びグランド電極 10bとなる金属配線パターンを形成する（図 11のステップ S34)。

最後に、基板を溶媒に浸潤することにより、図 12Dに示すようにフォトレジスト Rを除去する。これによりプローブ先端部 3が完成する（図 11のステップ S35)。

尚、以上の図 11のフローに基づき説明した作製方法によれば、 10 z mを下限とする電極間ピッチを形成することが可能である。

[0055] 尚、図 7〜図 12Dを用いて説明したプローブ先端部 3の作製方法において、プロ一ブ先端部 3の各絶縁層は、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフイン系樹脂のいずれかによるプリプレダであるのが好ましい。また、前記各金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることが望ましい。

[0056] 続いて、図 13のフロー及び、そのフローに対応した図 14A乃至図 14Dの工程図に従レ、、プローブ先端部 3にコンタクトバンプ 7を形成する方法について説明する。尚、この説明においては、基板 5上に形成されたプローブ先端部 3に、コンタクトバンプ 7 を設ける場合を例に説明する。

[0057] 先ず、図 14Aに示すように、図 7または図 9の工程により作製されたコンタクトバンプが未形成のプローブ先端部 3 (プリント配線基板）を用意する（図 13のステップ S41) 次いで、金属層 10上にフォトレジスト Rを塗布し（図 13のステップ S42)、図 14Bに示すように、露光、現像によりレジストパターン Rを形成する（図 13のステップ S43)。

[0058] そして、図 14Cに示すようにレジストパターン R上に金、銀、銅等のいずれかを真空蒸着、スパッタ、 CVD、メツキ等のいずれかの手法により堆積し、コンタクト層 7を形成する（図 13のステップ S44)。

そして、図 14Dに示すように、基板を溶媒に浸潤することにより、フォトレジスト Rを除去する。これによりレジストパターン上のコンタクト層 7が除去され、信号電極 10a上に信号用コンタクトバンプ 7a、グランド電極 10b上にグランド用コンタクトバンプ 7bが形成される（図 13のステップ S45)。尚、コンタクトバンプ 7の金属材料として、コンタクト耐久性が必要な場合は、硬度の高い金属が望ましレ、。そのようなものとして、例えば、 Ni、 Ni合金、 W、 W合金、 Pt、 P t合金等が挙げられる。このうち、 Ni、 Ni合金については、表面の酸化を防ぐために Auめっき処理を施すことが望ましレ、。

[0059] 以上のように、本発明に係る第一の実施の形態によれば、コンタクトプローブ 100をプリント配線基板により作製することによって、電極間ピッチが微細（例えば 50 μ m未満)なプローブ先端部 3を容易に且つ精度よく形成することができる。

したがって、プローブ先端 3を、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等に形成された微細ピッチに押し当て、その高速'高周波測定を実現すること力 Sできる。

[0060] また、プローブ先端部 3と測定機器との電気的接続に、プローブ本体 2を介すため、その接続を容易且つ正確なものとすることができる。即ち、プローブ本体 2は、同軸線路構造を有するプリント配線基板により作製されるため、そのプローブ先端部 3との接続、及び測定機器からの同軸ケーブルとの接続を夫々容易なものとすることができる。特に微小な構成となるプローブ先端部 3と、同軸線路構造を有するプローブ本体 2との接続は、基板同士の接続であるため、微細バンプ 4を介して行うことができ、容易且つ正確な電気的接続を実現することができる。

また、プローブ本体 2が同軸線路構造を有することにより、高速'高周波信号の伝送効率を向上すると共に、外来ノイズ及び配線間のクロストーク発生を低減することができる。

[0061] 尚、前記した第一の実施の形態においては、信号用コンタクトバンプ 7aとグランド用コンタクトバンプ 7bとの電極間ピッチを 10〜50 μ mとしたが、本発明のコンタクトプローブはそれに限定されるものではなぐ電極間ピッチを 10 μ m未満或いは 50 μ m 以上に形成する場合であっても、本発明のコンタクトプローブ、及びその作製方法を適用することができ、前記の作用効果を得ることができる。

[0062] 続いて、図 15乃至図 17Bに基づき、本発明に係る第二の実施の形態として、複数チャンネル (複数系統）に対応するコンタクトプローブについて説明する。

図 15は、本発明に係るコンタクトプローブの第二の実施の形態を示す平面図である。図 16Aは、図 15のコンタクトプローブのプローブ本体の構成を示す平面図であつて、図 16Bはその正面図（A— A矢視図）である。また、図 17Aは、図 15のコンタクトプローブのプローブ先端部の構成を示す平面図であって、図 17Bはその正面図（B _B矢視図）である。

[0063] 尚、第二の実施の形態に示すコンタクトプローブは、前記第一の実施の形態で示した作成方法と同様の工程により作製することができるため、その作製方法についての詳細な説明を省略する。また、同一部材については同一の符号で示し、その詳細な説明を省略する。

[0064] 図 15に示すコンタクトプローブ 101は、プローブ本体 20とプローブ先端部 30とが図示しなレ、微細バンプを用いた熱圧着により相互に接合され形成されてレ、る。図 15 に示すコンタクトプローブ 101は、複数チャンネル信号（図では例として 8チャンネルを示す）に対応可能に構成されており、プローブ本体 20の後端に図示しない測定機器からの同軸ケーブル 40の先端が接続可能になされている。

図示するように、プローブ本体 20は、先端の幅が狭く後端の幅が広い扇状に形成され、隣接する同軸ケーブル間のピッチが広くなされているため、複数の同軸ケープル 40を横並びに容易に接続することができる。

[0065] また、プローブ本体 20は、図 16A、図 16Bに示すように先端部に切り欠き部 20aが形成されており、この切り欠き部 20aにプローブ先端部 30の後端が接続される。切り欠き部 20aには、夫々が対応する同軸ケーブル 40に接続された複数の同軸線路 20 bの先端が所定のピッチで横並びに形成されており、夫々の信号線路 15a及びダランド線路 15bの上面が露出した状態となされている。

[0066] 一方、プローブ先端部 30は、図 17A、図 17Bに示すように、プローブ本体 20と同様に先端の幅が狭く後端の幅が広い扇状に形成され、後端において隣り合う信号電極 10aのピッチは、プローブ本体 20の切り欠き部 20aで横並びに露出した信号線路 15aと同じピッチで形成されている。

[0067] また、測定対象に対してコンタクト部となるプローブ先端部 30の先端は、複数チヤンネルの信号電極 10a及びグランド電極 10bが横並びに形成される。尚、プローブ先端において隣り合う信号電極 10aとグランド電極 10bとの間のピッチ、及び信号電極 10a間のピッチは、夫々例えば 10〜50 μ ΐηの所定値に形成されている。

このように、複数チャンネルに対応するプローブ先端部 30は、第一の実施の形態で説明したようにプリント配線基板の形成技術により作製されるため、隣り合う電極間のピッチが例えば 50 μ m未満の微細ピッチであっても、所望のピッチで複数のコンタタト電極を容易に並べて形成することができる。

[0068] 以上のように、本発明に係る第二の実施の形態によれば、プローブ先端部 30をプリント配線基板で作製することにより、コンタクトプローブ先端において、電極間ピッチが微細（例えば 50 μ m未満）な複数チャンネルの電極を並べて形成することができる。したがって、複数チャンネルの測定対象が微細ピッチで存在する場合であっても、複数チャンネルに対応するコンタクトプローブ 101によって、各チャンネルについて高速 ·高周波信号の測定を行うことができる。

また、プローブ本体 2の形状を後端の幅が広い扇状に形成することによって、後端の隣り合うチャンネル間のピッチを広くすることができ、測定機器からの同軸ケーブルとの接続を容易に行うことができる。

[0069] 尚、前記した第二の実施の形態においては、信号電極 10aとグランド電極 10bとの間のピッチ、及び信号電極 10a間のピッチを、夫々例えば 10〜50 μ ΐηとした力本発明のコンタクトプローブはそれに限定されるものではなレ、。即ち、本発明のコンタクトプローブの作製方法によれば、例えば電極間ピッチを夫々 ΙΟ μ ΐη未満、或いは 50 β m以上に形成する場合であっても、従来の作製方法では実現困難な 8チャンネル、 16チャンネルといった多チャンネルのコンタクトプローブを容易に得ることができ、前記の作用効果を得ることができる。

[0070] また、前記実施の形態で示した方法により、図 30Aに示すような複数の同軸線路 5 5が並列に形成された基板 54を作製し、同軸線路 55と同軸ケーブルとを接続する場合には、次のように行なうことができる。

先ず、図 30Bに示すように、基板 54において、同軸ケーブルと接続する部分、即ち各同軸線路 55の先端部分において信号線路 56及びグランド電極 57が上側に露出するように切り欠き部 55aを形成する。

一方、図 30Cに示すように、同軸ケーブル 60において、同軸線路 55と接続する部分、即ち同軸ケーブル 60の先端部に、信号線路 61及びグランド電極 62が上面に露出するように切り欠き部 60aを形成する。

[0071] そして、図 31Aに示すように、基板 54における同軸線路 55の切り欠き部 55aと、同軸ケーブル 60の切り欠き部 60aとを互いに向かい合わせ、さらに図 31Bに示すように互いの信号線路とグランド電極とを電気的に接触させた状態で接合する。

[0072] 尚、同軸線路 55と同軸ケーブル 60との接合は、接合を行なう同軸線路 55のメタル部分と同軸ケーブル 60のメタル部分とを共に、予め、半田に馴染ませておき、接合部位同士の接触後に、全体を加熱することで実現される。

このような接合方法によれば、同軸構造が略維持された接続が可能となるため、接続部の伝送特性の劣化を抑えることができる。

また、前記接合方法により、図 31Cに示すように、複数の同軸線路 55に対して複数の同軸ケーブル 60を接続することができる。

産業上の利用可能性

[0073] 本発明にかかるコンタクトプローブは、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等において、その高速'高周波特性の測定評価に用いること力 Sできる。

Claims

請求の範囲

[1] 高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブにおいて、

測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極を有し、前記信号電極及びグランド電極が基板上の金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板と、

信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板とを備え、

前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが電気的に接続されて構成されることを特徴とするコンタクトプローブ。

[2] 前記第二のプリント配線基板において、

前記シールド電極と導通するグランド線路が前記信号線路と同一平面上に形成され、

前記信号線路及び前記グランド線路の上下いずれかの面が所定面積露出するように切り欠き部が形成されてレ、ることを特徴とする請求項 1に記載されたコンタクトプローブ。

[3] 前記信号電極と前記グランド電極との間の電極間ピッチは、 10 μ m以上〜 50 a m 未満に形成されてレ、ることを特徴とする請求項 1に記載されたコンタクトプローブ。

[4] 前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とは、夫々の基板に複数系統形成され、

前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが対応する系統毎に電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが対応する系統毎に電気的に接続されていることを特徴とする請求項 1に記載されたコンタクトプローブ。

[5] 高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブの作製方法において、測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極が金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板を作製すると共に、信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板を作製する工程と、

前記第一のプリント配線基板の信号電極に、前記第二の多層プリント配線基板の信号線路を電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極に、前記第二のプリント配線基板のシールド電極を電気的に接続する工程とを実行することを特徴とするコンタクトプローブの作製方法。

[6] 前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とを、夫々の基板に複数系統形成し、

前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とを対応する系統毎に電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とを対応する系統毎に電気的に接続することを特徴とする請求項 5に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[7] 前記第一のプリント配線基板を作製する工程にぉレ、て、

シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、

信号電極及びグランド電極を形成するためのフォトレジストパターンを前記絶縁層上に形成するステップと、

前記フォトレジストパターンが形成された絶縁層上に金属層を積層するステップと、前記フォトレジストパターンを除去し、前記絶縁層上に積層された金属層により信号電極及びグランド電極を形成するステップとを実行することを特徴とする請求項 5に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[8] 前記第一のプリント配線基板を作製する工程にぉレ、て、

前記絶縁層上に金属層を積層するステップと、

最上層の金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエツチングにより形成するステップとを実行することを特徴とする請求項 5に記載されたコンタタトプローブの作製方法。

[9] 前記第一のプリント配線基板を作製する工程にぉレ、て、

両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップを実行することを特徴とする請求項 5に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[10] 前記第二のプリント配線基板を作製する工程にぉレ、て、

両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層上に、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、

最上面の金属層に信号線路及びグランド線路となる金属配線パターンをエツチングにより形成するステップと、

前記金属配線パターンが形成された面に対し、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、

前記信号線路の延長方向に沿って該信号線路の両側に、上方から下方に向け、前記グランド線路と交差し、前記信号線路より下層の金属層に達するように夫々溝加ェを施すステップと、

少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メツキ処理を施し、前記信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を形成するステップと、

前記信号線路とグランド線路の上下レ、ずれかの面が夫々所定面積露出するよう切削処理を施すステップとを実行することを特徴とする請求項 5に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[11] 前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾ一ル系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフイン系樹脂のいずれかによるプリプレダを用いたことを特徴とする請求項 7に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[12] 前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾ一ル系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフイン系樹脂のいずれかによるプリプレダを用いたことを特徴とする請求項 8に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[13] 前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾ一ル系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフイン系樹脂のいずれかによるプリプレダを用いたことを特徴とする請求項 9に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[14] 前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾ一ル系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン (登録商標）系樹脂、もしくはシクロォレフイン系樹脂のいずれかによるプリプレダを用いたことを特徴とする請求項 10に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[15] 前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項 7に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[16] 前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項 8に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[17] 前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項 9に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[18] 前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項 10 に記載されたコンタクトプローブの作製方法。

[19] 前記溝加工を施した部分になされる金属メツキ力銅メツキであることを特徴とする請求項 10に記載されたコンタクトプローブの作製方法。