WO2008017490A2 - Optisches filter und verfahren zur herstellung desselben, sowie vorrichtung zur untersuchung elektromagnetischer strahlung - Google Patents

Optisches filter und verfahren zur herstellung desselben, sowie vorrichtung zur untersuchung elektromagnetischer strahlung Download PDF

Info

Publication number
WO2008017490A2
WO2008017490A2 PCT/EP2007/007075 EP2007007075W WO2008017490A2 WO 2008017490 A2 WO2008017490 A2 WO 2008017490A2 EP 2007007075 W EP2007007075 W EP 2007007075W WO 2008017490 A2 WO2008017490 A2 WO 2008017490A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
filter
substrate
sensor
filter elements
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2007/007075
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2008017490A3 (de
Inventor
Hartmut Hillmer
Wolfgang KÖCHER
Jürgen KRIEG
Carl Sandhagen
Hardy Hoheisel
Winfried Willemer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OPSOLUTION GmbH
OPSOLUTION NANOPHOTONICS GmbH
Original Assignee
OPSOLUTION GmbH
OPSOLUTION NANOPHOTONICS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102006039073A external-priority patent/DE102006039073A1/de
Priority claimed from DE102006039071A external-priority patent/DE102006039071B4/de
Application filed by OPSOLUTION GmbH, OPSOLUTION NANOPHOTONICS GmbH filed Critical OPSOLUTION GmbH
Priority to EP07801588A priority Critical patent/EP2057446A2/de
Priority to US12/376,690 priority patent/US8629986B2/en
Publication of WO2008017490A2 publication Critical patent/WO2008017490A2/de
Publication of WO2008017490A3 publication Critical patent/WO2008017490A3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US14/094,804 priority patent/US9244208B2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • G02B5/285Interference filters comprising deposited thin solid films
    • G02B5/288Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • G02B5/284Interference filters of etalon type comprising a resonant cavity other than a thin solid film, e.g. gas, air, solid plates
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/0059Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons using light, e.g. diagnosis by transillumination, diascopy, fluorescence
    • A61B5/0075Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons using light, e.g. diagnosis by transillumination, diascopy, fluorescence by spectroscopy, i.e. measuring spectra, e.g. Raman spectroscopy, infrared absorption spectroscopy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29DPRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00634Production of filters
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0256Compact construction
    • G01J3/0259Monolithic
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/2803Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/30Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
    • G01J3/36Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/44Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
    • G01J3/4406Fluorescence spectrometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G01J3/51Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/024Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/805Coatings
    • H10F39/8053Colour filters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining

Definitions

  • the invention relates to an optical filter and a method for its production, and to an apparatus for investigating the spectral and spatial distribution of an electromagnetic, emanating from an object radiation.
  • Filters of this type consist, for example, of so-called Fabry-Perot filters, which have at least two DBR mirrors separated by a cavity (DBR - Distributed Bragg Reflector). Such filters are reflective in a pre-selected by their construction, referred to as stop band wavelength range, in a lying within this stop band, narrow pass band (- dip), however, transmissive.
  • the DBR mirrors contain at least one layer period each, which consists of two or more layers with different thicknesses and / or refractive indices.
  • the number of shift periods is mostly integer, but can also be half-integer, z. B. if at the end of a stack formed from layer periods not all layers of the relevant period come to rest.
  • the width of the stop band and the reflectivity profile in the stop band and the optical length of the cavity the position of the transmission band or the position of its central or main wavelength can be selected or determined.
  • Fabry-Perot-Filtem makes it possible to change the main wavelength of the transmission band within the tuning range given by the stop band by changing the geometric and thus also the optical length of the cavity by shifting the two DBR mirrors relative to one another.
  • the component can be tuned in this way to one of several wavelengths ⁇ l, ⁇ 2 ⁇ n.
  • Optical components of the type described are generally known (eg DE 103 18 767 A1). It is also known that in their application the disadvantage that a tuning of the filter in the entire stop band is usually not possible for reasons kontruktiven or connected with a high technical effort. Although several filters with different tuning ranges could be provided to avoid this disadvantage, this would also be costly.
  • the technical problem underlying the invention is to propose a cost-producible optical filter of the type described above, with which a plurality of wavelengths can be detected, but in which a tuning by shifting the DBR mirror is not required.
  • a method for producing such a filter should be proposed.
  • an optical filter which contains at least two filter elements, each having a characteristic transmission band.
  • the filter is also provided with an associated, photoelectronic detector device and connected to this one or two-piece, optoelectronic device.
  • a component which does not have two, but a plurality of filter elements with correspondingly many different transmission bands.
  • Such a device is produced using the method according to the invention with comparatively simple means, in particular if the filter elements are distinguished from each other only by the thickness of their Kavticians slaughter and the filter is constructed directly on a substrate, the z. B. has a detector device made in CMOS technology.
  • the invention is also directed to a device of the type specified in the preamble of claim 25 and their application.
  • Reflectance spectroscopy applied. Since the intensity of the remission radiation emitted by a tissue, the skin or the like in this case generally depends both on the location and on the spectral distribution, sensor or detector devices are required which enable both a local and a spectral resolution. The previously available
  • optoelectronic components with color filters in the form of Fabry-Perot filters are used in particular in the telecom and data communication, each one
  • Photo element od. Like. Is assigned (eg., DE 103 18 767 Al). Such filters have at least two DBR (Distributed Bragg Reflector) mirrors separated by a cavity and are in a construction preselected as a stop band
  • DBR Distributed Bragg Reflector
  • Tuning range can be changed by z. B. the geometric and thus the optical length of the cavity is changed by displacement of the two DBR mirror relative to each other. In this way, when a single sensor element is used, the component can be tuned to one of many wavelengths ⁇ 1, 12...
  • z. B the geometric and thus the optical length of the cavity is changed by displacement of the two DBR mirror relative to each other.
  • a spatial resolution in addition to the spectral resolution requires a plurality of such optical fibers and associated spectrometers or a spectrometer, which is adapted to scan a plurality of optical fibers sequentially. Both are associated with a lot of effort and therefore undesirable. It would be correspondingly complicated to provide a single optical fiber and to move it over the areas to be scanned.
  • the invention Based on this prior art, the invention, the technical problem underlying the device of the type described initially in such a way that it simultaneously allows a spatial resolution and a spectral resolution, without the need for a movable component, a variety of spectrometers or a tunable filter becomes.
  • the invention provides a device which combines in a common sensor both photoelectric sensor elements and at least four, but preferably substantially more than four filter elements with different spectral transmission characteristics in it.
  • special spectrometers or the like and / or movable parts are no longer needed. Rather, it is sufficient to place the sensor on the object to be tested, for example the human skin or a tissue, and to interrogate the existing photoelectric sensor elements with electrical means. Tuning the filter is not required. In this case, both a spectral information and a local information is obtained by each filter element.
  • the invention also provides the use of the device according to claims 60 and 61.
  • Fig. 1 shows schematically the construction of an inventive optical filter with two DBR mirrors and an associated detector device
  • FIG. 2 shows a schematic longitudinal section through two filter elements of the filter according to FIG. 1, wherein the mirror curvature of an upper DBR mirror is not shown;
  • FIG. 3 schematically shows possible transmission bands of a Fabry-Perot filter for a preselected geometric length of the cavity
  • FIG. 4 shows diagrammatically and by way of example four transmission bands obtained with the filter according to FIG. 1;
  • 5a to 5c and 6a to 6c schematically show different steps of two embodiments for producing the device provided with the detector device according to Fig. 1;
  • FIG. 7 shows a roughly schematic cross section through an apparatus according to the invention for investigating the spectral and local distribution of electromagnetic radiation
  • Fig. 8 is a schematic plan view of the erf ⁇ ndungswashe device with a first Exemplary embodiment of a possible arrangement of sensor and filter elements;
  • Fig. 9 is a schematic plan view of the device according to the invention with a second
  • FIG. 10 shows a schematic cross section through a further embodiment of the device according to the invention in its application for the examination of remission spectra
  • Fig. 11 is a plan view of the apparatus of Fig. 10;
  • FIG. 12 shows a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the device according to the invention in its application for the examination of transmission spectra;
  • Fig. 13 shows schematically the application of a device according to the invention for tomography
  • Fig. 14 shows the construction of an embodiment of a preferred invention
  • Device with two DBR mirrors and an associated sensor device.
  • Fig. 15 schematically and exemplarily four with filter elements of the device of FIG. 14 received transmission bands.
  • 16 schematically shows an exemplary embodiment of a possible arrangement of sensor and filter elements on separate substrates
  • FIG. 17 shows a schematic cross-section of a device according to the invention in which the substrate of the filter device simultaneously forms the window of the housing of the optoelectronic component.
  • Fig. 18 shows schematically an embodiment for the complete or partial execution or attachment of other optical functions in or on the window
  • FIG. 19 schematically shows the application of a device according to the invention for transmission or absorption measurement
  • Fig. 20 shows schematically the arrangement which replaces the device according to the invention
  • Fig. 21 shows schematically a further arrangement which replaces the device according to the invention
  • FIG. 22 shows a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the device according to the invention with integrated light source
  • a component according to the invention contains a substrate 1, which consists for example of silicon, and an optical filter 2, which is provided as a whole with the reference numeral 2.
  • the filter 2 contains a first, resting on the substrate 1
  • the cavity in Fig. 1 is designated as a whole by the reference numeral 5.
  • the complete component therefore represents a substantially consisting of four superposed layers multilayer body. All these layers are substantially over the whole, z. B. in the x-direction of an imaginary, Cartesian
  • Coordinate system extending width of the device extends.
  • a layer of a material forming the cavity 5 is arranged on the first DBR mirror 3. This layer has a different parallel to the z-direction
  • the cavity 5 formed by the layer has a comparatively small thickness in a section 5a, a somewhat greater thickness in a section 5b and in sections
  • Sections 5a to 5d therefore all have different values. Between the sections 5a to 5d are separation areas 6, in which the cavity material z. B. has a preselected, constant thickness and the sections 5a to 5d of the cavity 5 spatially separate from each other.
  • This zone has in Fig. 1 - viewed in the z-direction - everywhere the same thickness. Therefore, the lower and upper sides of this zone have a contour or structuring similar to that in Fig. 1 upper contour or structuring of the cavity 5 corresponds.
  • the measured in the z direction distance of the lower and upper side of the DBR mirror 4 is in Fig. 1 is substantially the same everywhere.
  • the filter 2 in the embodiment contains four filter elements 2a to 2d, as indicated in Fig. 1 by dashed lines, each filter element 2a to 2d from one of the sections 5a to 5d of the cavity 5 and one associated therewith Section of the DBR mirror 3 and 4 is formed.
  • these filter elements 2a to 2d preferably have a circular shape, although in principle they could also have other circumferential contours.
  • the component may have further filter elements that are identical to the described filter elements 2a to 2d. So it would be z. B. possible to provide each filter element 2a to 2d for redundancy reasons twice in the component.
  • the substrate 1 is preferably a translucent or permeable film for the electromagnetic radiation to be detected, a thin glass plate, a silicon wafer or the like, "translucent" meaning that the pane does not necessarily need to be clear to pass through the filter 2 passing light unaffected, but z. B. also have a scattering function and therefore either formed overall as a diffuser or can be provided with the light-scattering means.
  • the device of FIG. 1 is provided with an integrated into the substrate 1, an array-like, formed photoelectric detector device.
  • This preferably contains for each filter element 2a to 2d each a photo element 7a to 7d, z. B. in the form of a photodiode.
  • the photoelements 7a to 7d are arranged in the substrate 1 in FIG. 1 in such a way that they are arranged directly below those portions of the DBR mirror 3 associated with a respective filter element 2a to 2d.
  • the filter element 2a is therefore z. B. the photo element 7a so assigned that this can only absorb the transmitted by the filter element 2a radiation.
  • photo elements 7a to 7d are assigned to the individual filter elements 2a to 2d is arbitrary and essentially dependent thereon, such as the detection and / or evaluation of the radiations or their wavelengths transmitted by the filter elements 2a to 2d, lying in the transmission bands should be done.
  • the substrate contains the radiation-sensitive photoelements 7a to 7d optionally close to the interface with the filter elements 2a to 2d, in the volume or at its interface facing away from the filter 2.
  • the photoelements 7a to 7d can be composed of phototransistors, photodiodes, photoresistors, and CCD elements or the like. consist of any element that is suitable for the detection of radiation in the scope described here.
  • the substrate 1 preferably also contains a multiplicity of electrical components in the form of transistors and diodes or the like, by means of which the electrical signals emitted by the photoelements 7a to 7d can be processed.
  • substrate I a plate or foil which is produced in CMOS technique or the like and which also contains the photoelements 7a to 7d.
  • the device is therefore shown in FIG. 1 as a whole of an optical filter 2, which has four filter elements 2a to 2d with identical DBR mirror sections, but different Kavticiansabêten 5a to 5d, and from a photoelectronic detector device having the filter 2 supporting substrate 1, so that it forms an integrally manufactured filter and sensor array in Fig. 1.
  • the component may also have only two or three or substantially more than four filter elements 2a to 2d and associated photoelements 7a to 7d.
  • the z. Circular filter elements 2a to 2d and the associated photoelements 7a to 7d may be arranged two-dimensionally and optionally in rows and columns which form the lines and columns of a corresponding imaginary coordinate system in Cartesian or polar coordinate fashion (eg lines parallel to the x-axis and to y-axis parallel columns). Alternatively, however, a one-dimensional arrangement in straight or curved lines or any other arrangement is possible.
  • the filter and photo elements 2a to 2d and 7a to 7d regardless of whether they are arranged in rows and / or columns, may be arranged with a regular or an irregular distribution.
  • FIG. 2 shows by way of example details of the two sections of the DBR mirrors 3 and 4 involved in the formation of the filter elements 2a and 2d.
  • both sections of the DBR mirror 3 have three and one-half layer periods 8, each period 8 comprising a layer 8a and a second layer Layer 8b contains. Since a respective layer 8a borders both the substrate 1 and the cavity section 5a or 5d, there are three and a half layer pairs 8 in the exemplary embodiment.
  • the two sections of the DBR mirror 4 shown in FIG. 2 have three and one-half layer periods 9 with layers 9a and 9b, which suitably correspond to the layers 8a, 8b, but may also be deviated therefrom.
  • the layers 8a, 9a and 8b, 9b differ in a known manner (cf., for example, DE 103 18 767 A1 and the further publications cited therein) by their layer thickness and / or their refractive index, ie. H. by their optical thickness.
  • all the layers 8a, 9a may be the same or different.
  • z. Example the differences between the refractive indices of the layers 8a and 8b (or 9a and 9b), d. H. the refractive index contrasts appropriately chosen so that a stop band of the desired width is formed. The larger the application-technically usable total spectral range, d. H.
  • the number of existing layer periods 8 and 9 should be large enough so that a high degree of reflection and a possible rectangular formed stop band can be obtained.
  • the photoelement 7a can only receive radiation of the wavelength ⁇ 1, the photoelement 7b only radiation of the wavelength ⁇ 2, the photoelement 7c only radiation of the wavelength ⁇ 3 and the photoelement 7d only radiation of the wavelength ⁇ 4, the wavelengths ⁇ 1 to ⁇ 4 being z.
  • B. designate the main wavelengths (central wavelengths) of the respective pass bands.
  • the filter array can therefore selectively detect all four wavelengths ⁇ 1 to ⁇ 4.
  • Fig. 3 shows schematically in which way the main wavelength of the transmitted spectral range by the geometric cavity length 1, d. H. the vertical layer thickness of the
  • Cavity material is determined. Depending on the number of waves standing in the cavity 5, one of the modes a, b or c is defined.
  • the example here selected mode b is z. B. distinguished by the illustrated stop band and selected.
  • Cavity length 1 the wavelength of the selected mode b is varied.
  • a selected transmission band here only the transmission band b, lies in the stop band.
  • Fig. 4 shows the transmission bands (dips) at the main wavelengths ⁇ 1 to ⁇ 4 within a stopband that extends from slightly above 500 nm to just below 800 nm.
  • the reflectivity is plotted on the ordinate in all four spectra. For the sake of clarity, the zero points are each shifted along the ordinate.
  • the different layer thicknesses of the cavity material in the filter elements 2a to 2d can lead to a mesa-shaped structure which rises above a base layer forming the separating sections 6, as shown particularly in FIG.
  • These cavity sections 5e to 5g are preferably designed so that at least for different angles of incidence of the radiation Within a limited angular range 10 equal optical lengths result, as indicated in FIG. 5b for the region 10 of the Kavmaschinesabitess 5g. This makes it possible to couple the light to be detected at different angles without resulting in measurement errors.
  • a variation of the optical length L can also be brought about by a variation of the refractive index n.
  • all cavity sections 5a to 5g could have the same geometric thickness.
  • the production of the described optoelectronic component is carried out by the means of microelectronics, optoelectronics, nanotechnology and microsystem technology, but can be done in various ways.
  • the production method will be explained in more detail in connection with FIGS. 5a to 5c with reference to an exemplary embodiment which has hitherto been considered best.
  • the procedure is that first the design of the filter 2 including the associated filter elements 2a to 2d and Kavticiansabête 5a to 5g is set.
  • the design of the detector device contained, suitable for the filter 2 or adapted to the filter 2 substrate 1 is set, in which it is z. B.
  • the subsequently produced substrate 1 serves as a starting point for the production of the filter array. If necessary, the substrate 1 can be smoothed on its side facing the filter array prior to its application, for example by deposition of a suitable layer or by polishing. Alternatively, it is also possible, conversely, first to determine the design of the detector device having substrate 1 or, if available on the market, of an existing, for. B. purchased substrate 1 and then set a matching design for the filter 2.
  • the DBR mirror 3 is deposited on the substrate 1 (FIG. 5a).
  • the DBR mirror 3 is deposited on the substrate 1 (FIG. 5a).
  • the DBR mirror 3 is deposited on the substrate 1 (FIG. 5a).
  • the DBR mirror 3 is deposited on the substrate 1 (FIG. 5a).
  • the thickness of the layers 8a is the same everywhere in the simplest case, and the same applies to the layers 8b, so that on the substrate 1 layer pairs 8a, 8b are formed, which form the DBR mirror 3, which on the entire substrate 1 through has the same thickness.
  • the cavity material is z. B. applied by spin coating analogous to the application of photoresist, by deposition or by a nozzle spray technique, the layer 11 receives a continuous constant thickness.
  • the structuring of the layer 11 with the aid of a suitably structured stamp 12 (FIG. 5 a), the stamping surface 14 of which facing the layer 11 being formed as a negative mold of the structuring to be produced in the layer 5.
  • the structuring then takes place in that the layer 11 z. B. heated to 140 DC to 160 DC to make the Kavticiansmaterial formable, and then the punch 12 is pressed to form on the surface of the layer 11, the cavity sections 5e, 5f and 5g shown in Fig. 5b.
  • the separating sections 6 according to FIG. 1 are omitted here. They are replaced by zones 15 in which the cavity material is almost zero in thickness. If in this case the thickness zero is desired, this can, for. B.
  • the cavity sections 5e, 5f and 5g are fixed by leaving the cavity material to cool and, if necessary, hardening it by light irradiation, preferably by UV light.
  • the formation of the second DBR mirror 4 takes place (FIG. 5c).
  • This mirror 4 is applied and formed in the same way as described above for the first DBR mirror, while maintaining a structuring predetermined by the cavity sections 5d to 5g, despite the fact that the thickness is the same everywhere. It is important to ensure that in this step, the process temperature below the re-softening temperature of the cavity 5 forming layer 11 remains.
  • a selective filter array with an integrated, photoelectronic detector device in the form of a sensor array is obtained, which in the exemplary embodiment comprises three photoelements 7c, 7f and 7g which are each associated with one of the filter elements 2e to 2g with the cavity sections 5e to 5g .
  • filter arrays can be made with a few hundred filter elements that are transparent to different wavelengths. Since the width of a filter dips in the exemplary illustrated wavelengths ⁇ l to ⁇ 4 only about 1 nm and the width of the stop band in Fig. 4 is about 280 nm, would be in the exemplary embodiment by varying the thickness of Kavticiansmaterials arrays with about 250 to 300 filter elements be produced.
  • the thickness variation of the cavity material from filter element to filter element needs to be only a few nanometers. If materials are used for the DBR mirrors 3, 4, whose refractive index contrast is substantially greater than that in the system silicon dioxide / silicon nitride, then stop bands with a width of z. B. 700 nm and consequently produce arrays with well over 500 filter elements. The cross sections of the filter elements parallel to the imaginary xy plane amount to z. B. a few microns.
  • the transmission bands of the filter elements can be lined up without gaps. In this case, so many filters are used until the entire spectral range is covered. Alternatively, however, the transmission bands of the filter elements can also be arranged to be spectrally distributed, overlapping or with gaps between them. Also combinations of these three cases are possible.
  • the stamp 12 can in each case z.
  • silicon as from the MIGA process (microstructured silicon, electroplating, impression) is known from metal, as known from the LIGA process (lithography, electroplating, impression), or made of glass.
  • the structuring can take place in that the cavity material in the individual Kavticiansabschnit- th with different thickness on the DBR mirror 3 is deposited. There are numerous procedures for this. At least partially z. B. a deposition with the aid of electron, ion and / or particle radiation or electromagnetic waves or with plasma support applicable. The application of layers of different thicknesses with a correspondingly modified Tintelstrahl printing method is possible.
  • an initially applied layer 16 of preselected thickness (Fig. 6a) is locally reduced (Fig. 6b), for example by etching or with the aid of Rastersonden- or Cantileverspitzen.
  • a subsequent deposition of the layers of the second DBR mirror 4, z. B. with a PECVD-V experienced from the gas phase, at temperatures that are below the glass transition temperature for the polymer. This ensures that a subsequent conversion of the polymer into a rubbery, viscous state, for example, and thus damage to the component or deterioration of the optical properties of the cavity sections is avoided.
  • FIGS. 6a to 6c corresponds to the method according to FIGS. 5a to 5c, for which reason the same reference numerals are used for the same parts and further explanations can be dispensed with.
  • the invention is not limited to the described exemplary embodiments, which can be modified in many ways.
  • the number of filter elements present per filter array is largely freely selectable and adaptable to the desired wavelength range, which can extend from the UV range into the microwave range.
  • the methods specified for the production of the optoelectronic component are only examples. In particular, it would be z.
  • the filter array is also without the substrate 1 and in combination with other light processing elements (light processing elements) applicable.
  • Conceivable are waveguide-based, optoelectronic integrated circuits, multiplexers, demultiplexers, wavelength converters, optical amplifiers and similar components.
  • photoresistor arrays, CCD arrays, photodiode arrays, phototransistor arrays and the like may also be advantageously used.
  • plastic materials can also be used as substrate (for example films, in particular flexible films made of organic materials), all types of electronic and optoelectronic components being able to be integrated. On the basis of organic materials, all components are also conceivable, which are previously realized on an inorganic basis.
  • the elements 2 and 1 can each be combined, but also used individually and formed as films, which are each bent, shaped or adapted to an existing surface relief.
  • the specified sizes of the stop bands and / or the layers of the transmission bands are given only by way of example and largely dependent on the geometry and the material of the DBR mirror 3, 4 and the Kavticiansabête.
  • the application of the device according to the invention or the filter and sensor array is not limited to the examples given. Further applications are in sensor chips for digital and spectrometer cameras, as filter and sensor arrays for analysis purposes, in particular in the qualitative and quantitative analysis of the composition of gases, liquids and solids (or their surfaces) and in biotechnology or in medical technology. In this case, each photo element (or each pixel) detects a preselectable wavelength.
  • FIG. 7 shows a device according to the invention for investigating the spectral and local distribution of an electromagnetic radiation indicated by arrows 1.
  • This may be e.g. to be a radiation emitted from an object, not shown, e.g. of the human skin is remitted when this object is irradiated with natural light, a lamp or otherwise.
  • the device includes, for example, a disc, plate or foil-shaped, for example, made of silicon substrate 2, in which a plurality of photoelectric sensor elements 3 is arranged, for example, from photodiodes, phototransistors, CCD elements, photoresistors or the.
  • a plurality of photoelectric sensor elements 3 is arranged, for example, from photodiodes, phototransistors, CCD elements, photoresistors or the.
  • electrical lines 4 in the form of printed conductors, terminal contacts, bus lines od. The like.
  • the lines 4 are For example, arranged on a front side 2a of the substrate 2, in particular vapor-deposited thereon.
  • each filter element 5 receives the radiation 1 and produced in a miniaturized construction, which are arranged permeably and uniformly distributed over the back side of the substrate 2 in at least one narrow spectral region.
  • each filter element 5 is preferably associated with an associated sensor element 3 in such a way that radiation transmitted by it is incident only on the associated sensor element 3.
  • the sensor and filter elements 3, 5 are preferably produced by the means of microelectronics, optoelectronics, nanotechnology and / or microsystems technology and are therefore made correspondingly small, i. miniaturized. Preferably, they point in the lateral direction
  • 5 transmitted spectral range can thereby e.g. less than one nanometer (e.g., 0.5 nm), but also a few nanometers.
  • FIG. 8 shows a schematic plan view of a sensor according to FIG. 7, the circles each indicating a filter element 5.
  • the filter elements 5 and the underlying, not visible in Fig. 8 sensor elements 3 form a sensor and filter array in which the sensor and filter elements 5 are arranged in Cartesian rows and columns.
  • a significant advantage of the sensor of Fig. 8 is that the spatial and spectral resolution can be chosen differently depending on the individual case. For example, if all filter elements 5 shown in FIG. 8 become different spectral
  • Each pixel would then provide different spectral information about the location where the sensor is located.
  • Each of these macropixels would then contain, for example, nine filter and sensor elements 5, 3 or subpixels.
  • a reduced spectral resolution corresponding to only nine usable spectral ranges is possible compared to the first described case, while at the same time a high spatial resolution is achieved, since each individual macropixel 6a, 6b and 6c provides information about the specific location, where it is located.
  • the largest central wavelength sensor element 5 continuously increases, but is distributed completely randomly.
  • the same sensor either by defining large macropixels formed from many filter elements 5, a small spatial resolution and a high spectral resolution or vice versa by definition comparatively smaller to select a high spatial resolution and a small spectral resolution from macropixels formed from a few subpixels.
  • the subpixels are preferably distributed randomly or pseudo-randomly instead of ordered within each pixel, so that by dividing these macropixels a modified spatial resolution could be provided with a similar spectral resolution. It is clear that the formation of macropixels from a plurality of statistically distributed subpixels, no macropixels are obtained whose filter elements have identical spectral passbands when the passbands of all existing filter elements are different. After all, however, macroelements with very similar filter properties are obtained, which is also sufficient for many applications. For example, if macropixels are formed from only two subpixels each, one becomes achieved very high spatial resolution, and also allows each macropixel at least the distinction of short and long-wave radiation.
  • the filter arrays with PRN or specifically irregularly arranged filter arrays have the following advantages.
  • the spatial resolution given at the same time allows for spectral application the control of the beam path or non-ideal beam paths.
  • a filter consisting of only one macropixel or a gradient filter, the uniform and geometrically unchanged illumination is necessary. If a spatial resolution is available, a variation or an inhomogeneous measurement object can be detected and, if necessary, compensated.
  • the spatial resolution allows the control of the correct support on the skin or on the surface, since the profile of the coupling or the illumination can be determined by the local resolution.
  • Spatial resolution provides information about the "uniformity" (freedom from blemishes, injuries, scars, tattoos, etc.) of the skin site Before the actual analysis, the quality of the site can be assessed.
  • the requirements arise from the additionally desired spatial resolution which is used to determine and, if necessary, compensate for an unstable beam path (deplacement) or inhomogeneous samples.
  • the spatial resolution it is necessary to arrange it as an array with targeted unsorted distribution, with the array and spectral range being divided into the same number of parts and each part of the array containing filter elements of each spectral range. In this case, each passband area in total is present in the same number (eg 1, 2, 3) on the filter array.
  • the spatial resolution is additionally used in order to determine and, if necessary, compensate for an inhomogeneous surface and to check the correct placement of the measuring apparatus or the surface of the sample.
  • the requirements result from the additionally desired spatial resolution which is used to determine and possibly compensate for an unstable beam path (deplacement) or inhomogeneous surface or faulty coupling of the measuring apparatus and to check the correct placement of the measuring apparatus.
  • an arrangement as an array with targeted unsorted distribution is necessary.
  • the expected spectral distribution of the light as a function of the distance between the entry site and the exit site from the medium (eg skin) has an influence on the frequency of the filter elements in a certain area of the array.
  • very few or no filter element with a corresponding passband is arranged in the regions with very low and unexplainable intensity of a spectral range.
  • an increased number of filter elements just that passband can increase the sensitivity of the measuring apparatus by a larger number available for averaging filter elements. If the light source is arranged in the middle of the array or multiple arrays, this leads to a circular arrangement of the spectral distribution areas around the light source.
  • FIGS. 9 to 11 Further possible embodiments of the device according to the invention are shown in FIGS. 9 to 11.
  • Fig. 9 shows an arrangement in which four rows 13a to 13d of filter elements 5 are present.
  • a preselected point 8 which here is the center of the sensor, an equal number of filter elements 5 are arranged with the same spectral gradation.
  • the rows 13a, 13c and 13b, 13d are arranged centrally symmetrical to the point 8. In this way, local and / or spectral imbalances in the objects to be examined can be detected quickly and reliably, as described e.g. could be caused by a liver spot on an examined skin.
  • the production of the sensor according to FIG. 9 can take place, for example, in that either a coherent substrate in the manner described with sensor and filter elements 3, 5 is provided or four individual, along the lines 9 and 10 adjacent substrate portions 2a to 2d are used, which may all be identical in the case of a central and mirror symmetry.
  • the sensor and filter elements are e.g. arranged rotationally symmetric to the center, i. they are, as Fig. 1 1 shows, preferably on circles with the center and the radiation source 14 as the center.
  • a particular advantage of the arrangement according to FIGS. 10 and 11 is also that numerous depth information is obtained with one measuring operation. It is known that light remitted at a greater distance from the light source also penetrates to a greater depth into the tissue or the like and is therefore absorbed by deeper layers. By difference formations, therefore, the special absorption ratios and thus, e.g. Defects in deeper skin layers are determined. Because of the large number of existing sensor elements, all this information is obtained virtually simultaneously.
  • a corresponding sensor 17 shown in FIG. 12 serves to determine transmission spectra of an object 18.
  • the only difference from FIGS. 10 and 5 consists in that the sensor 17 and a light source 19 are arranged on opposite sides of the article 18.
  • the described sensors can of course also be designed for the investigation of fluorescence or phosphorescence spectra as well as scattered radiation.
  • Fig. 13 shows an application example in the manner of computed tomography.
  • a plurality of sensors 20a to 2Od are arranged around an object 21, which here, for example, a human arm is.
  • the sensors 20a to 20d may be formed like the sensor 12 according to FIG. 10 and may each be provided with a central radiation source 22a to 22d. Alternatively or additionally, however, provision can also be made for directing radiation sources 23 onto the object 21 from points lying outside of the sensors 20a to 20d.
  • Cartesian arrangement of the sensor and filter elements 3, 5 is also a polar coordinate line and column-wise arrangement or taking place only in a straight or curved line arrangement of the sensor and filter elements 3, 5 possible, which is not shown individually.
  • the substrate 2 according to FIG. 14, in which the same parts are provided with the same reference numerals as in FIG. 7, consists of a plane-parallel, flat plate, on the rear side 2b of which an optical reference 25 is provided as a whole Filter is formed.
  • the filter 25 includes a first DBR mirror 26 mounted on the back side 2b of the substrate 2, a second DBR mirror 27 disposed on a side of the first DBR mirror 26 remote from the substrate 2 and spaced therefrom, and a provided between the two DBR mirrors 26 and 27 cavity, which is designated in Fig. 14 as a whole by the reference numeral 28.
  • the complete sensor therefore represents a multilayer body consisting essentially of four superimposed layers.
  • a layer of material forming the cavity 28 is arranged on the first DBR mirror 26.
  • This layer has a different thickness parallel to the z-direction.
  • the cavity 28 formed by the layer has a comparatively small thickness in a section 28a, a slightly greater thickness in a section 28b, and somewhat greater sections in sections 28c and 28d.
  • Geometric lengths I 1 to U of the cavity 28 in these sections 28 a to 28 d therefore all have different values.
  • Between the sections 28a to 28d are preferably separation areas 29, in which the cavity material z. B. has a preselected, constant or varying thickness and which separate the sections 28 a to 28 d of the cavity 28 spatially from each other.
  • This zone has everywhere the same thickness in Fig. 14 - viewed in the z-direction.
  • the lower and upper sides of this zone have a contour or structuring which corresponds to the upper contour or structuring of the cavity 28 in FIG. 14.
  • the z direction measured distance of the bottom and top of the DBR mirror 27 is substantially the same in FIG.
  • the filter 25 in the exemplary embodiment contains four filter elements 5a to 5d corresponding to the filter elements 5 in FIG. 7, as indicated by dashed lines in FIG. 14, each filter element 5a to 5d being made of one of the sections 28a to 25d of the cavity 28 and each associated portion of the DBR mirrors
  • 5d prefers a circular shape, although in principle it could also have other circumferential contours.
  • the substrate 2 is preferably a transparent or permeable film for the electromagnetic radiation to be detected, a thin glass plate, a silicon wafer or the like, "translucent" meaning that the pane does not necessarily need to be clear to pass through the filter 25 passing radiation unaffected, but z. B. also have a scattering function and therefore either formed overall as a diffuser or can be provided with the radiation-scattering means.
  • the sensor according to FIG. 14 also contains an array-like, photoelectric detector or sensor device integrated in the substrate 2.
  • This preferably contains for each filter element 5a to 5d each a photo or sensor element 3a to 3d, z. B. in the form of a photodiode.
  • the photoelements 3a to 3d are arranged in the substrate 2 in such a way that they are arranged directly underneath those portions DBR mirror 26 which are assigned to a respective filter element 5a to 5d.
  • the filter element 5a is therefore z. B. the photo element 3a assigned so that it can only absorb the transmitted by the filter element 5a radiation.
  • the radiation-sensitive photoelements 3a to 3d are located in the substrate 2 close to the front side 2a or adjacent to the front 2a, since they currently due to the usual manufacturing techniques, eg. B. the CCD or CMOS design, can not be implanted arbitrarily deep into the substrate 2.
  • the photoelements 7a to 7d adjoining the rear side 2b, for example, when they are formed as thermocouples.
  • the sensor or photo elements 3a to 3d may consist of any desired element which is suitable for detecting radiation in the scope described here.
  • the z. B. in CCD or CMOS design substrate 2 preferably also a variety of not shown, electrical or electronic components in the form of transistors and diodes or the.
  • electrical or electronic components in the form of transistors and diodes or the.
  • These lines 4 are usually on the front side 2a of the substrate 2, as they are for. B. are deposited on the substrate 2, while the electronic components are arranged in the substrate 2.
  • the filter 25 or its filter elements 5 a to 5 d are preferably formed on the back side 2 b of the substrate 2, which therefore forms both the substrate for the sensor device and the substrate for the filter 25.
  • it is provided to irradiate the sensor from the rear side 2b facing away from the lines 4, as indicated in FIG. 14 by the arrows assigned to the wavelengths ⁇ 1 to ⁇ 4 and by the arrows 15, 16 in FIG.
  • This ensures that the lines 4, the incidence of radiation to the underlying photo elements 3a to 3d can not hinder and / or the lines 4 on the front 2a and arbitrarily regardless of the position of the photo elements 3a to 3b or to be detected Radiation can be transferred.
  • the substrate 2 is irradiated from its rear side 2b, ie the side facing away from the lines 4 and the radiation usually only a comparatively low penetration depth with respect to the substrate materials commonly used, the substrate 2 is further provided, at least where the filters - And photo elements 5a to 5d and 3a to 3d are arranged, with a thickness of z. B. 10 ⁇ to 20 ⁇ sufficiently thin.
  • the sensor consists of Fig. 14 in total of a one-piece filter and sensor array with a spatially very small extent. It can therefore be placed with its acting as a scanning rear side 2b and the filter elements 5 located on this at any point on the object to be examined.
  • the described sensor with particular advantage not only four, but according to the above description, a far larger number of z. B. at least ten, with particular advantage one hundred or more filter elements and associated photo elements.
  • the DBR mirrors 26, 27 may be formed in any manner known in the art (e.g., DE 10318767 A1).
  • FIGS. 14 and 15. it is schematically indicated that the filter element 5 a z. B. transmits a wavelength ⁇ l, wavelengths ⁇ 2 to ⁇ 4, however, reflected so that only the wavelength 11 can reach the photo element 3a.
  • the filter element 5d pass the wavelength ⁇ 4 so that it can reach the filter element 3d while at the same time it does not transmit the wavelengths ⁇ 1 to ⁇ 3.
  • Fig. 15 shows the e.g. to Fig. 14 belonging transmission bands (dips) at the main or central wavelengths ⁇ l to ⁇ 4 within a stop band, which extends from slightly above 500 nm to slightly below 800 nm.
  • the reflectivity is plotted on the ordinate in all four spectra. For the sake of clarity, the zero points are each shifted along the ordinate.
  • a variation of the optical length L can also be brought about by a variation of the refractive index n.
  • all the cavity sections 28a to 28d could have the same geometric thickness.
  • the procedure is, for example, that the design of the filter 25, including the associated filter elements 5a to 5d and cavity sections 28a to 28d, is initially determined, the locations at which filter elements come to rest with specific passbands, for example from a previously created random list .
  • the design of a detector device containing, suitable for the filter 25 or adapted to the filter 25 substrate 2 is defined, which is, for example, a CCD or CMOS photodiode array, the z. B. in the form of an approximately 0.5 mm thick silicon chip or wafer is present and is provided at the desired intervals and in the desired distribution with the photoelements 3.
  • the subsequently produced substrate 2 serves as a starting point for the production of the filter array.
  • the substrate 2, if not yet sufficiently thin, will now be etched or otherwise continuously to a thickness of e.g. 10 ⁇ to 20 ⁇ diluted or where the photoelements 3 are provided with a thinned middle section.
  • a deposition of the DBR mirror 26 now takes place on the back side 2b of the substrate 2, by z. B. alternately layers of silicon dioxide (SiC ⁇ ) and layers of silicon nitride (SiaN 4 ) with a PECVD method (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) on the substrate 2 are deposited.
  • the cavity material to be used is a solid, but thermoformable material, such as, for example.
  • B. polymethylmethacrylate (PMMA Plexiglas) used.
  • the cavity material is e.g. by spin coating applied analogously to the application of photoresist, by deposition or by a nozzle spray technique.
  • the layer facing the embossing surface is formed as a negative shape of the pattern to be produced in the layer 28.
  • the structuring then takes place in that the layer z. B. heated to 140 ° C to 160 0 C to make the Kavticiansmaterial formable, and then the stamp is pressed to form on the surface of the layer shown in Fig. 14 Kavticiansabête 28 a to 28 d.
  • the cavity sections 28a to 28d are fixed by leaving the cavity material to cool and, if necessary, by irradiation with light. ment, preferably by UV light is cured.
  • the formation of the second DBR mirror 27 then takes place in the same way as described above for the first DBR mirror 26.
  • the sensors can be provided with several hundred filter elements permeable to different wavelengths. Since the width of a filter dips in the exemplified wavelengths ⁇ l to ⁇ 4 only about 1 nm and the width of the stop band in Fig. 15 is about 280 nm, would be in the embodiment by varying the thickness of Kavticiansmaterials arrays with about 250 to 300 filter elements be produced. It is assumed that the thickness variation of the cavity material from filter element to filter element needs to be only a few nanometers. Be used for the DBR mirror 26, 27 materials whose refractive index contrast is substantially greater than that in the system silicon dioxide / silicon nitride, then stop tapes with a width of z. B. 700 nm and consequently produce arrays with well over 500 filter elements. The cross sections of the filter elements parallel to the imaginary xy plane amount to z. B. a few microns.
  • the transmission bands of the filter elements can be lined up without gaps. In this case, so many filters are used until the entire spectral range is covered. Alternatively, however, the transmission bands of the filter elements can also be arranged to be spectrally distributed, overlapping or with gaps between them. Also combinations of these three cases are possible.
  • Filter elements are largely freely selectable and adaptable to the desired wavelength range, which can extend from the UV range to the microwave range. It would also be possible to provide a sensor according to FIG. 8 with a plurality of macropixels 6a, 6b in such a way that the filter elements of the one macropixel have central wavelengths which are of a certain value of e.g. 1 nm different from the central wavelengths of the other macropixel. Furthermore, the specified method for the production of the optoelectronic
  • the substrates as indicated in FIGS. 10 and 11, can be provided with holes which are suitable for receiving radiation sources in
  • plastic materials can also be used as substrate (for example films, in particular flexible films made of organic materials), all types of electronic and optoelectronic components being able to be integrated. On the basis of organic materials also all components are conceivable, which are currently realized on an inorganic basis. Furthermore, it would be possible to manufacture the substrate and the filter elements separately and to subsequently connect them with precise centering of the photoelements on the filter elements by gluing or otherwise to form a one-piece component.
  • the substrate 2 deviating from the flat shape shown may each be bent or adapted to an existing surface relief or be.
  • the stated sizes of the stop bands and / or the layers of the transmission bands are also given by way of example only and are largely dependent on the geometry, the size and the material of the DBR mirrors 26, 27 and the cavity sections 5a to 5d.
  • the application of the sensor according to the invention is not limited to the examples given. Further applications are in sensor chips for digital and spectrometer cameras, as filter and sensor arrays for analysis purposes, in particular in the qualitative and quantitative analysis of the composition of gases, liquids and solids (or their surfaces) and in biotechnology or in medical technology. In this case, each photo element (or each pixel) detects a preselectable wavelength.
  • the senor on the side with which it is placed on the object to be examined, ie in particular on the free surface of the DBR mirror 27, with a protective layer.
  • This should preferably be transparent and easy to wash or disinfect and meet the hygienic requirements. Should this layer affect the filtering or absorption properties of the filter then this could be taken into account when making the filter or when adjusting the sensitivity of the sensor electronically.
  • the invention can also provide a component according to claim 49, which unites the photoelements or the substrate with the photoelements as well as the filter elements or the substrate of the filter elements in a conventional housing for, for example, a capped mounting or mounting by means of soldering.
  • a component according to claim 49 which unites the photoelements or the substrate with the photoelements as well as the filter elements or the substrate of the filter elements in a conventional housing for, for example, a capped mounting or mounting by means of soldering.
  • the device can be produced with relatively simple means when using the method according to claim 58, since the filter is constructed directly on a substrate, the z. B. is used as a window in conventional housings of a detector device manufactured in CMOS or CCD technology. Since the filter elements can also be arranged on the rear side of this substrate, that is to say in the protected interior of the component, its front side is for the e.g. also combined attachment of other optical components such as Mikrolinsenanodn 11, optical fibers or diaphragms available, furthermore, the thickness of the whole or part of the substrate also used as a window for the filter elements can be chosen so that it is particularly advantageous for the function of the other optical components is.
  • the substrate of the filter elements themselves may have a further optical function than that of a window, e.g. that of a bandpass filter associated with all or a spatially adjacent part of the filter elements.
  • a bandpass filter associated with all or a spatially adjacent part of the filter elements. Due to the design of the filter elements as a Fabry-Perot filter, it is also possible to accommodate a large number of (eg a few hundred) filter elements in a small space (eg 1 cm x 1 cm) whose transmission bands are optionally different or identical Wavelength ranges are assigned. In this way, a sensor can also be created which has both a high spatial resolution and a high spectral resolution.
  • Spectrometers according to the prior art require a relatively large distance between the light entry point and the photosensitive element due to the required spreading of the spectrum relative to the presented arrangement.
  • a flat spectrally sensitive sensor with a wire or contactless power supply and a similar data transmission in a hermetically sealed housing (Fig. 19, 1), one obtains a measuring apparatus with applications that are not possible in the prior art.
  • a sensor unit 1 can be implanted under the skin 2.
  • a further unit 3 which takes over the power supply 4 and the data exchange 5 with the implanted unit, a light source 6 is integrated.
  • the unit with the light source placed on the skin above the sensor unit 1 results in the necessary arrangement of light source, absorption path and spectrally sensitive sensor for measuring transmission or absorption spectra.
  • the arrangement is comparable to an arrangement (FIG. 20) in which a corresponding tissue piece 7 is removed and introduced into the beam path of an absorption spectrometer comprising light source 8, monochromator 9 and detector 10. The volume between
  • Light source unit (FIG. 19) 3 and sensor unit 1 thus corresponds to the volume of the cuvette (FIG. 20) 11.
  • a measurement can be repeated at any time without having to bring a sensor under the skin again, d. H. without renewed injury.
  • the arrangement of Figure 19 ensures that only light reaches the receiver which has penetrated the sample, here the skin and the underlying tissue layers. Due to the position of the sensor unit, the tissue in the imaginary cuvette is identical for each measurement; when the light source unit is replaced, a higher reproducibility is achieved than with a transreflective measurement apparatus.
  • the spectrally sensitive region of the unit (FIG. 22) 17 is provided completely or only partially, which makes possible a reference measurement, with a layer of an indicator 18 which, for example, reacts reversibly to the blood sugar content, by means of such an implanted sensor and a unit of energy supply , Data transmission and lighting as a handheld device at any time injury-free, the blood sugar content can be determined.
  • the presented unit eliminates the need for sampling, since the irradiated volume or the indicator influencing the volume must not be separated or removed.
  • the described sensor is provided with a light source 19, the result is a complete absorption or reflection spectrometer which can be used in a hermetically sealed housing 20 in aggressive media.
  • This spectrometer can eg. into the stomach and taking continuous measurements on the way through the gastrointestinal tract. It is possible in conjunction with a corresponding indicator e.g. the pH during the course of the gastrointestinal
  • the position of such a spectrometer is detected with the unit for power supply and data transmission.
  • the data processing and display can be integrated.
  • a corresponding sensor unit may also be provided with a data memory which allows a unique identification and for storing e.g. a patient history can be used.
  • a corresponding sensor unit can supply measurement data for controlling a dosing device and in combination with this e.g. keep the insulin level constant.
  • a power supply and data transmission and data processing unit may provide dosing provisions.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches Filter und ein Verfahren zu seiner Herstellung, sowie auf eine Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, von einem Gegenstand ausgehenden Strahlung. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kostengünstig herstellbares optisches Filter der oben beschriebenen Art vorzuschlagen, mit dem eine Mehrzahl von Wellenlängen detektiert werden kann, bei dem aber eine Durchstimmung durch Verschiebung der DBR-Spiegel nicht erforderlich ist. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Filters vorgeschlagen werden. Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Filterarrays mit zwei DBR-Spiegeln und einer zwischen diesen vorhandenen Kavität, die eine Vielzahl von unterschiedliche Höhen aufweisenden, je ein Fabry-Perot-Filterelement bildenden Kavitätsabschnitten enthält, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Aufbringen eines ersten DBR-Spiegels auf ein Substrat, Ausbildung einer aus einem Kavitätsmaterial bestehenden Schicht auf dem DBR-Spiegel, wobei diese Schicht durch Anwendung eines Nanoimprint- Verfahrens mit der Vielzahl der die Filterelemente bis bildenden Kavitätsabschnitte versehen wird, und Aufbringen des zweiten DBR-Spiegels auf das Kavitätsmaterial mit einer durch die unterschiedlichen Höhen der Kavitätsabschnitte vorgegebenen Strukturierung.

Description

Optisches Filter und Verfahren zur Herstellung desselben, sowie Vorrichtung zur Untersuchung elektromagnetischer Strahlung
Die Erfindung betrifft ein optisches Filter und ein Verfahren zu seiner Herstellung, sowie auf eine Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, von einem Gegenstand ausgehenden Strahlung.
FQr die Messtechnik, Analytik, Datenspeicherung, Bildspeicheruπg und Bildverarbeitung sowie ganz allgemein für die optische Tele- und Datenkommunikation werden vielfach optoelektronische, insbesondere als optische Filter ausgebildete Bauelemente benötigt, die auf eine von mehreren benachbarten Wellenlängen abgestimmt werden können. Filter dieser Art bestehen beispielsweise aus sogenannten Fabry-Perot-Filtem, die mindestens zwei durch eine Kavität getrennte DBR-Spiegel aufweisen (DBR - Distributed Bragg Reflector). Derartige Filter sind in einem durch ihre Konstruktion vorgewählten, als Stopband bezeichneten Wellenlängenbereich reflektierend, in einem innerhalb dieses Stopbandes liegenden, schmalen Durchlaßband (- Dip) dagegen transmittierend. Die DBR-Spiegel enthalten zu diesem Zweck wenigstens je eine Schichtenperiode, die aus zwei oder mehr Schichten mit unterschiedlichen Dicken und/oder Brechungsindizes besteht. Die Zahl der Schichtenperioden ist meistens ganzzahlig, kann aber auch halbzahlig sein, z. B. wenn am Ende eines aus Schichtenperioden gebildeten Stapels nicht alle Schichten der betreffenden Periode zu liegen kommen. Durch die Zahl der Schichtenperioden und den Brechungsindexkontrast können die Breite des Stopbandes und das Reflektivitätsprofil im Stopband und durch die optische Länge der Kavität die Lage des Transmissionsbandes bzw. die Lage von dessen Zentral- oder Hauptwellenlänge gewählt bzw. bestimmt werden. Schließlich ist es bei Fabry-Perot-Filtem möglich, die Hauptwellenlänge des Transmissionsbandes innerhalb des durch das Stopband vorgegebenen Durchstimmbereichs dadurch zu verändern, daß die geometrische und damit auch die optische Länge der Kavität durch Verschiebung der beiden DBR-Spiegel relativ zueinander verändert wird. Das Bauelement kann auf diese Weise auf eine von mehreren Wellenlängen λl , λ2 λn abgestimmt werden. Optische Bauelemente der beschriebenen Art sind allgemein bekannt (z. B. DE 103 18 767 Al). Bekannt ist auch, daß sich bei ihrer Anwendung der Nachteil ergibt, daß eine Durchstimmung des Filters im gesamtem Stopband meistens aus kontruktiven Gründen nicht möglich oder mit einem hohen technischen Aufwand verbunden ist. Zur Vermeidung dieses Nachteils könnten zwar mehrere Filter mit unterschiedlichen Durchstimmbereichen vorgesehen werden, doch wäre dies ebenfalls aufwendig. Abgesehen davon ist es häufig unerwünscht, das Filter durch relative Verschiebung der DBR-Spiegel durchzustimmen, insbesondere wenn es dem Zweck dienen soll, in einer von einer Strahlungsquelle ausgehenden Strahlung (z. B. Licht) die Intensität bei einer definierten Wellenlänge zu bestimmen bzw. festzustellen, mit welcher Wellenlänge einer Vielzahl von möglichen Wellenlängen die Strahlung momentan von der Strahlungsquelle abgestrahlt wird.
Ausgehend davon liegt der Erfindung das technische Problem zugrunde, ein kostengünstig herstellbares optisches Filter der oben beschriebenen Art vorzuschlagen, mit dem eine Mehrzahl von Wellenlängen detektiert werden kann, bei dem aber eine Durchstimmung durch Verschiebung der DBR-Spiegel nicht erforderlich ist. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Filters vorgeschlagen werden.
Zur Lösung dieses technischen Problems dienen erfindungsgemäß die Merkmale der Ansprüche 1 und 19.
Durch die Erfindung wird in vorteilhafter Weise ein optisches Filter geschaffen, das wenigstens zwei Filterelemente enthält, die je ein charakteristisches Transmissionsband aufweisen. Mit ganz besonderem Vorteil ist das Filter außerdem mit einer zugehörigen, fotoelektronischen Detektoreinrichtung versehen und mit dieser zu einem ein- oder zweistückigen, optoelektronischen Bauelement verbunden. Dadurch sind nicht nur die verschiedenen Filterelemente des Filters, sondern auch die zur Erkennung oder Unterscheidung der Transmissionsbänder bzw. zur spektralen Auswertung der aufgenommenen Strahlung erforderlichen Fotoelemente in einem und demselben Bauelement integriert. Dabei ist es möglich, die charakteristischen Transmissionsbänder und/oder die spektrale Verteilung der aufgenommenen Strahlung durch bloßes Abfragen der Fotoelemente, d.h. ohne mechanisches Durchstimmen des Filters erkennbar zu machen. Mit besonderem Vorteil wird daher ein Bauelement vorgeschlagen, das nicht zur zwei, sondern eine Vielzahl von Filterelementen mit entsprechend vielen unterschiedlichen Transmissionsbändern aufweist. Ein derartiges Bauelement ist bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit vergleichsweise einfachen Mitteln herstellbar, insbesondere wenn die Filterelemente nur durch die Dicke ihrer Kavitätsschicht voneinander unterschieden werden und das Filter unmittelbar auf einem Substrat aufgebaut wird, das z. B. eine in CMOS-Technologie hergestellte Detektoreinrichtung aufweist.
Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Wie eingangs bereits aufgegriffen richtet sich die Erfindung weiterhin auch auf eine Vorrichtung der im Oberbegriff des Anspruchs 25 angegebenen Gattung und deren Anwendung.
In der Medizin wird zur nicht-invasiven Diagnostik und Therapiekontrolle zunehmend die sog.
Remissionsspektroskopie angewandt. Da die Intensität der von einem Gewebe, der Haut od. dgl. abgegebenen Remissionsstrahlung hierbei in der Regel sowohl vom Ort als auch von der spektralen Verteilung abhängt, werden Sensor- bzw. Detektoreinrichtungen benötigt, die sowohl eine örtliche als auch eine spektrale Auflösung ermöglichen. Die bisher verfügbaren
Detektoreinrichtungen sind für diesen Zweck noch nicht optimal.
In der Fernsehtechnik sind z. B. CCD-Sensorarrays bekannt, die aus einer Vielzahl von Bildsensoren bzw. Sensorelementen und auf diese aufgelegten Farbfiltern bestehen. Die Farbfilter werden z. B. aus Polymerfolien und in diese eingebrachten, für die Farben Rot, Blau und Grün empfindlichen Filterelementen hergestellt. Für die Remissionsspektroskopie sind derartige Bauelemente wegen der nur drei erfassbaren Spektralbereiche nicht oder nur begrenzt geeignet.
Daneben werden insbesondere in der Tele- und Datenkommunikation optoelektronische Bauelemente mit Farbfiltern in Form von Fabry-Perot-Filtern verwendet, denen je ein
Fotoelement od. dgl. zugeordnet ist (z. B. DE 103 18 767 Al). Derartige Filter weisen wenigstens zwei, durch eine Kavität getrennte DBR-Spiegel (DBR = Distributed Bragg Reflector) auf und sind in einem durch ihre Konstruktion vorgewählten, als Stopband bezeichneten
Wellenlängenbereich reflektierend, in wenigstens einem innerhalb dieses Stopbandes liegenden, schmalen Transmissionsband (= Dip) dagegen transmittierend. Filter dieser Art haben den Vorteil, dass das Transmissionsband innerhalb eines durch das Stopband vorgegebenen
Durchstimmbereichs verändert werden kann, indem z. B. die geometrische und damit auch die optische Länge der Kavität durch Verschiebung der beiden DBR-Spiegel relativ zueinander verändert wird. Das Bauelement kann auf diese Weise bei Anwendung eines einzigen Sensor- elements auf eine von vielen Wellenlängen λl, 12 .... λn abgestimmt werden. Allerdings ergibt sich der Nachteil, dass es keine Ortsauflösung ermöglicht und eine Durchstimmung des Filters im gesamten Stopband meistens aus konstruktiven Gründen nicht möglich oder mit einem hohen technischen Aufwand verbunden ist. Für die Remissionsspektroskopie sind solche Bauelemente ebenfalls wenig geeignet.
Für die Remissionsspektroskopie in der Medizin werden daher bis heute überwiegend Vorrichtungen der eingangs bezeichneten Gattung benutzt, die als ein Strahlung aufnehmendes Element eine dünne Lichtleitfaser enthalten, deren eines Ende auf ein zu prüfendes Gewebe oder z. B. auf die menschliche Haut aufgesetzt wird und deren anderes Ende zu einem Spektrometer führt, das zur Untersuchung der spektralen Intensitätsverteilung des remittierten Lichts z. B. mit einem Prisma, einem Gitter od. dgl. und einer diesem nachgeschalteten CCD-Kamera versehen ist (z. B. Applied Optics, 1. Juni 1998, Vol. 37, No. 16, S. 3586 bis 3593 oder Applied Optics, 1. Januar 2002, Vol. 41, No. 1, S. 182 bis 192). Eine Ortsauflösung neben der spektralen Auflösung erfordert dabei eine Vielzahl von solchen Lichtleitfasern und zugehörigen Spektrometern oder ein Spektrometer, das dazu eingerichtet ist, eine Vielzahl von Lichtleitfasern nacheinander abzutasten. Beides ist mit viel Aufwand verbunden und daher unerwünscht. Entsprechend aufwändig wäre es, eine einzige Lichtleitfaser vorzusehen und diese über die abzutastenden Bereiche zu bewegen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung das technische Problem zugrunde, die Vorrichtung der eingangs bezeichneten Gattung so auszubilden, daß sie gleichzeitig eine Ortsauflösung und eine spektrale Auflösung ermöglicht, ohne daß hierfür ein bewegliches Bauteil, eine Vielzahl von Spektrometern oder ein abstimmbares Filter benötigt wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe dienen die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 25.
Durch die Erfindung wird eine Vorrichtung geschaffen, die in einem gemeinsamen Sensor sowohl fotoelektrische Sensorelemente als auch wenigstens vier, vorzugsweise jedoch wesentlich mehr als vier Filterelemente mit unterschiedlichen spektralen Durchlaßeigenschaften in sich vereinigt. Dadurch werden spezielle Spektrometer od. dgl. und/oder bewegbare Teile nicht mehr benötigt. Es genügt vielmehr, den Sensor auf den zu prüfenden Gegenstand, z.B. die menschliche Haut oder ein Gewebe, aufzulegen und die vorhandenen fotoelektrischen Sensorelemente mit elektrischen Mitteln abzufragen. Ein Durchstimmen des Filters ist dazu nicht erforderlich. Dabei wird durch jedes Filterelement sowohl eine spektrale Information als auch eine örtliche Information erhalten. Beim Vorhandensein einer großen Anzahl von Filterelementen, die für jeweils andere Spektralbereiche durchlässig sind, kann außerdem dadurch, daß mehr oder weniger der Filterelemente zu einem die Ortsinformation liefernden Makropixel zusammengefaßt werden, wahlweise die Ortsauflösung oder die spektrale Auflösung vergrößert oder verkleinert werden.
Gegenstand der Erfindung ist außerdem die Anwendung der Vorrichtung gemäß den Ansprüchen 60 und 61.
Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung wird nachfolgend in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch den Aufbau eines erfϊndungsgemäßen optischen Filters mit zwei DBR- Spiegeln und einer zugehörigen Detektoreinrichtung;
Fig. 2 einen schematischen Längsschnitt durch zwei Filterelemente des Filters nach Fig. 1, wobei die Spiegelkrümmung eines oberen DBR-Spiegels nicht dargestellt ist;
Fig. 3 schematisch mögliche Transmissionsbänder eines Fabry-Perot-Filters für eine vorgwählte geometrische Länge der Kavität;
Fig. 4 schematisch und beispielhaft vier mit dem Filter nach Fig. 1 erhaltene Transmissionsbänder; und
Fig. 5a bis 5c und 6a bis 6c schematisch verschiedene Schritte von zwei Ausführungsbeispielen zur Herstellung des mit der Detektoreinrichtung versehenen Bauelements nach Fig. 1 ;
Fig. 7 einen grob schematischen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen Strahlung;
Fig. 8 eine schematische Draufsicht auf die erfϊndungsgemäße Vorrichtung mit einem ersten Ausführungsbeispiel für eine mögliche Anordnung von Sensor- und Filterelementen;
Fig. 9 eine schematische Draufsicht auf die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einem zweiten
Ausführungsbeispiel für eine mögliche Anordnung von Sensor- und Filterelementen;
Fig. 10 eine schematischen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei ihrer Anwendung zur Untersuchung von Remissionsspektren;
Fig. 11 eine Draufsicht auf die Vorrichtung nach Fig. 10;
Fig. 12 einen schematischen Querschnitt durch ein weiteres Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei ihrer Anwendung zur Untersuchung von Transmissionsspektren;
Fig. 13 schematisch die Anwendung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Tomographie;
Fig. 14 den Aufbau eines Ausführungsbeispiels einer bevorzugten erfindungsgemäßen
Vorrichtung mit zwei DBR-Spiegeln und einer zugehörigen Sensoreinrichtung.
Fig. 15 schematisch und beispielhaft vier mit Filterelementen der Vorrichtung nach Fig. 14 erhaltene Transmissionsbänder.
Fig. 16 schematisch ein Ausführungsbeispiel für eine mögliche Anordnung von Sensor- und filterelementen auf getrennten Substraten
Fig. 17 einen schematischen Querschnitt einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der das Substrat der Filtereinrichtung gleichzeitig das Fenster des Gehäuses des optoelektronischen Bauelementes bildet.
Fig. 18 schematisch ein Ausführungsbeispiel für die vollständige oder teilweise Ausführung oder Anbringung weiterer optische Funktionen in oder an das Fenster
Fig. 19 schematisch die Anwendung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zu Transmissions- oder Absorptionsmessung Fig. 20 schematisch die Anordnung die die erfindungsgemäße Vorrichtung ersetzt
Fig. 21 schematisch eine weitere Anordnung die die erfindungsgemäße Vorrichtung ersetzt
Fig. 22 einen schematischen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit integrierter Lichtquelle
Nach Fig. 1 enthält ein erfindungsgemäßes Bauelement ein beispielsweise aus Silizium bestehendes Substrat 1 und ein auf diesem angeordnetes, als Ganzes mit dem Bezugszeichen 2 versehenes, optisches Filter 2. Das Filter 2 enthält einen auf dem Substrat 1 aufliegenden, ersten
DBR-Spiegel 3, einen zweiten DBR-Spiegel 4, der auf einer vom Substrat 1 abgewandten Seite des ersten DBR-Spiegels 3 und mit Abstand von diesem angeordnet ist, und eine zwischen den beiden DBR-Spiegeln 3 und 4 vorgesehene Kavität, die in Fig. 1 als Ganzes mit dem Bezugszeichen 5 bezeichnet ist. Das komplette Bauelement stellt daher einen im wesentlichen aus vier übereinander liegenden Schichten bestehenden Mehrschichtkörper dar. Alle diese Schichten sind im wesentlichen über die ganze, z. B. in x-Richtung eines gedachten, kartesischen
Koordinatensystems verlaufende Länge und die ganze, z. B. y-Richtung des gedachten
Koordinatensystems verlaufende Breite des Bauelements erstreckt. Dabei haben je eine das Substrat 1 bildende Schicht und eine den ersten DBR-Spiegel 3 bildende Zone senkrecht zur xy-
Ebene des gedachten Koordinatensystems, d. h. in z-Richtung, durchgehend im wesentlichen dieselbe Dicke.
Wie Fig. 1 weiter zeigt, ist auf dem ersten DBR-Spiegel 3 eine Schicht aus einem die Kavität 5 bildenden Material angeordnet. Diese Schicht hat parallel zur z-Richtung eine unterschiedliche
Dicke. Insbesondere hat die von der Schicht gebildete Kavität 5 in einem Abschnitt 5a eine vergleichsweise kleine Dicke, in einem Abschnitt 5b eine etwas größere Dicke und in Abschnitten
5c und 5d noch etwas größere Dicken. Geometrische Längen 11 bis 14 der Kavität 5 in diesen
Abschnitten 5a bis 5d haben daher sämtlich unterschiedliche Werte. Zwischen den Abschnitten 5a bis 5d befinden sich Trennbereiche 6, in denen das Kavitätsmaterial z. B. eine vorgewählte, konstante Dicke hat und die die Abschnitte 5a bis 5d der Kavität 5 räumlich voneinander trennen.
Auf der aus dem Kavitätsmaterial gebildeten Schicht befindet sich eine den zweiten DBR-Spiegel
4 bildende Zone. Diese Zone hat in Fig. 1 - in z-Richtung betrachtet - überall dieselbe Dicke. Daher haben die Unter- und Oberseiten dieser Zone eine Kontur bzw. Strukturierung, die der in Fig. 1 oberen Kontur bzw. Strukturierung der Kavität 5 entspricht. Der in z-Richtung gemessene Abstand der Unter- und Oberseite des DBR-Spiegels 4 ist in Fig. 1 im wesentlichen überall derselbe.
Aufgrund der beschriebenen Ausbildung der Kavität 5 enthält das Filter 2 im Ausführungsbeispiel vier Filterelemente 2a bis 2d, wie in Fig. 1 durch gestrichelte Linien angedeutet ist, wobei jedes Filterelement 2a bis 2d aus einem der Abschnitte 5a bis 5d der Kavität 5 und je einem zugehörigen Abschnitt der DBR-Spiegel 3 und 4 gebildet ist. In der Draufsicht, d. h. in der xy- Ebene, haben diese Filterelemente 2a bis 2d bevorzugt eine Kreisform, obwohl sie im Prinzip auch andere Umfangskonturen haben könnten.
Alternativ zur obigen Beschreibung kann das Bauelement weitere Filterelemente aufweisen, die mit den beschriebenen Filterelementen 2a bis 2d identisch sind. So wäre es z. B. möglich, jeder Filterelement 2a bis 2d aus Redundanzgründen zweimal im Bauelement vorzusehen.
Bei dem Substrat 1 handelt es sich vorzugsweise um eine lichtdurchlässige bzw. für die zu detektierende, elektromagnetische Strahlung durchlässige Folie, eine dünne Glasplatte, eine Siliziumscheibe od. dgl., wobei unter "lichtdurchlässig" verstanden wird, daß die Scheibe nicht notwendigerweise klarsichtig sein braucht, um das den Filter 2 passierende Licht unbeeinflußt durchzulassen, sondern z. B. auch eine streuende Funktion haben und daher entweder insgesamt als Streuscheibe ausgebildet oder mit das Licht streuenden Mitteln versehen sein kann.
Bei einem besonders vorteilhaften und bisher als am besten empfundenen Ausfuhrungsbeispiel ist das Bauelement nach Fig. 1 mit einer in das Substrat 1 integrierten, arrayartig ausgebildeten, fotoelektrischen Detektoreinrichtung versehen. Diese enthält vorzugsweise für jedes Filterelement 2a bis 2d je ein Fotoelement 7a bis 7d, z. B. in Form einer Fotodiode. Die Fotoelemente 7a bis 7d sind in Fig. 1 in dem Substrat 1 derart angeordnet, daß sie unmittelbar unter denjenigen Abschnitten DBR-Spiegels 3 angeordnet sind, die einem betreffenden Filterelement 2a bis 2d zugeordnet sind. Dem Filterelement 2a ist daher z. B. das Fotoelement 7a so zugeordnet, daß dieses nur die von Filterelement 2a durchgelassene Strahlung aufnehmen kann. Entsprechendes gilt sinngemäß für die Filterelemente 2b bis 2d und die zugehörigen Fotoelemente 7b bis 7d. Aus Redundanz- und anderen Gründen kann es zweckmäßig sein, unter jedem Filterelement 2a bis 2d mindestens je zwei identische Fotoelemente 7a bis 7d so anzuordnen, daß beim Ausfall eines der beiden Fotoelemente des jeweils andere wirksam bleibt, und/oder ausgewählte Fotoelemente 7a bis 7d gleichzeitig unter wenigstens zwei verschiedenen Filterelementen 2a bis 2d anzuordnen, so daß diese ansprechen, wenn das eine und/oder andere Filterelement Strahlung durchläßt. Wie die Fotoelemente 7a bis 7d den einzelnen Filterelementen 2a bis 2d zugeordnet werden, ist an sich beliebig und im wesentlichen davon abhängig, wie die Erkennung und/oder Auswertung der von den Filterelementen 2a bis 2d durchgelassenen, in den Transmissionsbändern liegenden Strahlungen bzw. deren Wellenlängen erfolgen soll.
Das Substrat enthält die strahlungsempfindlichen Fotoelemente 7a bis 7d wahlweise dicht an der Grenzfläche zu den Filterelementen 2a bis 2d, im Volumen oder an seiner vom Filter 2 abgewandten Grenzfläche. Dabei können die Fotoelemente 7a bis 7d aus Fototransistoren, Fotodioden, Fotowiderständen und CCD-Elementen od. dgl., d.h. aus jedem beliebigen Element bestehen, das zur Detektion von Strahlung im hier beschriebenen Umfang geeignet ist.
Schließlich enthält das Substrat 1 vorzugweise auch eine Vielzahl von elektrischen Bauelementen in Form von Transistoren und Dioden od. dgl., mittels derer die von den Fotoelementen 7a bis 7d abgegebenen elektrischen Signale verarbeitet werden können. Hierzu wird als Substrat I zweckmäßig eine in CMOS Technik od. dgl. hergestellte, auch die Fotoelemente 7a bis 7d enthaltende Platte oder Folie verwendet.
Das Bauelement besteht daher nach Fig. 1 insgesamt aus einem optischen Filter 2, das vier Filterelemente 2a bis 2d mit identischen DBR-Spiegel-Abschnitten, aber unterschiedlichen Kavitätsabschnitten 5a bis 5d aufweist, und aus einem eine fotoelektronische Detektoreinrichtung aufweisenden, das Filter 2 tragenden Substrat 1, so daß es in Fig. 1 ein einstückig hergestelltes Filter- und Sensorarray bildet. Bei Anwendung eines durchgehend gleichen und daher überall denselben Brechungsindex n aufweisenden Materials für die Kavität 5 haben die Kavitätsabschnitte 5a bis 5d dabei optische Längen Ll = Ii D n, L2 = I2 D n, L3 = I3 D n und L4 = U D n, die sich durch ihre geometrischen Längen Ii bis U voneinander unterscheiden.
Anstelle der vier in Fig. 1 dargestellten Filterelemente 2a bis 2d kann das Bauelement auch nur zwei oder drei oder wesentlich mehr als vier Filterelemente 2a bis 2d und zugeordnete Fotoelemente 7a bis 7d aufweisen. Dabei können die z. B. kreisförmigen Filterelemente 2a bis 2d und die zugehörigen Fotoelemente 7a bis 7d zweidimensional und wahlweise in Zeilen und Spalten angeordnet sein, die kartesisch oder polarkoordinatenartig die Zeilen und Spalten eines entsprechenden, gedachten Koordinatensystems bilden (z. B. zur x-Achse parallele Zeilen und zur y-Achse parallele Spalten). Alternativ ist aber auch eine eindimensionale Anordnung in geraden oder gekrümmten Zeilen oder irgendeine andere Anordnung möglich. Außerdem können die Filter- und Fotoelemente 2a bis 2d und 7a bis 7d unabhängig davon, ob sie zeilen- und/oder spaltenweise angeordnet sind, mit einer regelmäßigen oder einer unregelmäßigen Verteilung angeordnet sein.
Fig. 2 zeigt beispielhaft Einzelheiten der beiden an der Bildung der Filterelemente 2a und 2d beteiligten Abschnitte der DBR-Spiegel 3 und 4. Beide Abschnitte des DBR-Spiegels 3 weisen im Ausfuhrungsbeispiel dreieinhalb Schichtenperioden 8 auf, wobei jede Periode 8 eine Schicht 8a und eine Schicht 8b enthält. Da sowohl an das Substrat 1 als auch an den Kavitätsabschnitt 5a bzw. 5d jeweils eine Schicht 8a grenzt, sind im Ausfuhrungsbeispiel dreieinhalb Schichtenpaare 8 vorhanden. In entsprechender Weise weisen die beiden in Fig. 2 gezeigten Abschnitte des DBR- Spiegels 4 dreieinhalb Schichtenperioden 9 mit Schichten 9a und 9b auf, die zweckmäßig den Schichten 8a, 8b entsprechen, aber auch von diesen abweichend ausgebildet sein können. Die Schichten 8a, 9a und 8b, 9b unterscheiden sich im übrigen in bekannter Weise (vgl. z. B. DE 103 18 767 Al und die dort angegebenen weiteren Druckschriften) durch ihre Schichtdicke und/oder ihren Brechungsindex, d. h. durch ihre optische Dicke. Dabei können alle Schichten 8a, 9a unter sich gleich oder auch unterschiedlich ausgebildet sein. Dasselbe gilt für die Schichten 8b und 9b. Außerdem werden z. B. die Unterschiede zwischen den Brechungsindizes der Schichten 8a und 8b (bzw. 9a und 9b), d. h. die Brechungsindexkontraste zweckmäßig so gewählt, daß ein Stopband der gewünschten Breite entsteht. Je größer der anwendungstechnisch nutzbare Gesamtspektralbereich, d. h. die gewünschte Breite des Stopbandes des Filterarrays sein soll, um so größer sollten einerseits die genannten Brechungsindexkontraste sein. Andererseits sollten die Anzahlen der vorhandenen Schichtenperioden 8 bzw. 9 groß genug sein, damit ein hoher Reflexionsgrad und ein möglichst rechteckig ausgebildetes Stopband erhalten werden.
Abgesehen davon ist klar, daß die Absorption der Schichten 8a, 8b und 9a, 9b und der Kavitätsabschnitte 5a bis 5d in den betrachteten Spektralbereichen ausreichend klein sein sollte, insbesondere wenn die Zahl der Schichtenperioden groß gewählt wird, um unter anderem eine möglichst geringe Absorption der Transmissionsbänder zu erhalten.
In manchen Fällen kann es schließlich sinnvoll sein, der dem Substrat 1 nahen Schicht 8a eine andere Dicke als den anderen Schichten des DBR-Spiegels 3 zuzuordnen. Ebenso könnten eine oder mehrere andere Schichten in der Schichtdicke abweichen. Die Funktion des beschriebenen Filter- und Sensorarrays ergibt sich im wesentlichen aus Fig. 1 bis 4. In Fig. 2 ist schematisch angedeutet, daß das Filterelement 2a z. B. eine Wellenlänge λ4 reflektiert, eine Wellenlänge λl dagegen durchläßt, so daß sie das Fotoelement 7a erreichen kann. Dagegen läßt das Filterelement 2d die Wellenlänge λ4 passieren, so daß sie das Filterelement 7d erreichen kann, während es gleichzeitig die Wellenlänge λl nicht durchläßt. Analog zeigt Fig. 1 das Durchlaßspektrum der insgesamt vier Filterelemente 2a bis 2d aufweisenden Filterarray. Demnach kann das Fotoelement 7a nur Strahlung der Wellenlänge λl, das Fotoelement 7b nur Strahlung der Wellenlänge λ2, das Fotoelement 7c nur Strahlung der Wellenlänge λ3 und das Fotoelement 7d nur Strahlung der Wellenlänge λ4 aufnehmen, wobei die Wellenlängen λl bis λ4 z. B. die Hauptwellenlängen (Zentralwellenlängen) der jeweiligen Durchlaßbänder bezeichnen. Das Filterarry kann daher selektiv alle vier Wellenlängen λl bis λ4 erfassen.
Fig. 3 zeigt schematisch, in welcher Weise die Hauptwellenlänge des transmittierten Spektralbereichs durch die geometrische Kavitätslänge 1, d. h. die vertikale Schichtdicke des
Kavitätsmaterials bestimmt wird. Je nach Zahl der in der Kavität 5 stehenden Wellen wird eine der Moden a, b oder c definiert. Die hier beispielhaft ausgewählte Mode b wird z. B. durch das dargestellte Stopband ausgezeichnet und ausgewählt. Durch die beschriebene Dickenvariation der
Kavitätslänge 1 wird die Wellenlänge der ausgewählten Mode b variiert. Durch Wahl der Spiegeleigenschaften und des dadurch bestimmten Reflexionsspektrums (Fig. 3 unten rechts) kommt ein ausgewähltes Transmissionsband, hier nur das Transmissionsband b im Stopband zu liegen.
Schließlich zeigt Fig. 4 die Transmissionsbänder (Dips) bei den Hauptwellenlängen λl bis λ4 innerhalb eines Stopbandes, das sich von etwas oberhalb von 500 nm bis etwas unterhalb von 800 nm ersteckt. In allen vier Spektren ist auf der Ordinate jeweils die Reflektivität aufgetragen. Der Übersichtlichkeit wegen sind dabei die Nullpunkte jeweils längs der Ordinate verschoben.
Die unterschiedlichen Schichtdicken des Kavitätsmaterials in den Filterelementen 2a bis 2d können zu einer mesaförmigen Struktur führen, die sich über eine die Trennabschnitte 6 bildende Grundschicht erhebt, wie insbesondere Fig. 1 zeigt. Als besonders vorteilhaft wird es jedoch angesehen, den Kavitätsabschnitten eine linsenförmige Struktur zu geben, wie in Fig. 5 für Kavitätsabschnitte 5e, 5f und 5g dargestellt ist. Diese Kavitätsabschnitte 5e bis 5g sind vorzugsweise so gestaltet, daß sich für unterschiedliche Einfallswinkel der Strahlung zumindest innerhalb eines begrenzten Winkelbereichs 10 gleiche optische Längen ergeben, wie in Fig. 5b für den Bereich 10 des Kavitätsabschnitts 5g angedeutet ist. Dadurch ist es möglich, das zu detektie- rende Licht unter unterschiedlichen Winkeln einzukoppeln, ohne daß sich dadurch Meßfehler ergeben.
Anstatt durch eine Dickenvariation der Kavitätsabschnitte 5a bis 5g kann eine Variation der optischen Länge L auch durch eine Variation des Brechungsindex n herbeigeführt werden. In diesem Fall könnten alle Kavitätsabschnitte 5a bis 5g dieselbe geometrische Dicke aufweisen.
Die Herstellung des beschriebenen optoelektronischen Bauelements wird mit den Mitteln der Mikroelektronik, Optoelektronik, Nanotechnologie und Mikrosystemtechnik durchgeführt, kann aber auf verschiedene Weise erfolgen. Nachfolgend wird das Herstellungsverfahren in Verbindung mit den Fig. 5a bis 5c anhand eines bisher für am besten gehaltenen Ausführungsbeispiels näher erläutert. Dabei wird so vorgegangen, daß zunächst das Design des Filters 2 einschließlich der zugehörigen Filterelemente 2a bis 2d und Kavitätsabschnitte 5a bis 5g festgelegt wird. In Abhängigkeit davon wird, wenn das Bauelement mit einer integrierten Detektoreinrichtung versehen werden soll, das Design eines die Detektoreinrichtung enthaltenen, zum Filter 2 passenden oder an das Filter 2 angepaßten Substrats 1 festgelegt, bei dem es sich z. B. um ein CMOS-Photodioden-Array handelt, die z. B. in Form eines ca. 0,5 mm dicken Siliziumchips oder -wafers vorliegt und in den gewünschten Abständen und in der gewünschten Verteilung mit den Fotoelementen 7 versehen ist. Das danach hergestellte Substrat 1 dient als Ausgangspunkt für die Herstellung des Filterarrays. Bei Bedarf kann das Substrat 1 auf seiner dem Filterarray zugewandten Seite vor dessen Applikation geglättet werden, beispielsweise durch Deposition einer geeigneten Schicht oder durch Politur. Alternativ ist es aber auch umgekehrt möglich, zunächst das Design des die Detektoreinrichtung aufweisenden Substrats 1 festzulegen oder, falls auf dem Markt verfügbar, von einem vorhandenen, z. B. gekauften Substrat 1 auszugeben und danach ein daran angepaßtes Design für das Filter 2 festzulegen.
In einem weiteren Schritt erfolgt eine Deposition des DBR-Spiegels 3 auf dem Substrat 1 (Fig. 5a). Hierzu werden z. B. abwechselnd Schichten 8a aus Siliciumdioxid (SiO2) und Schichten 8b aus Siliciumnitrid (Si3N4) mit einem PECVD-Verfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) auf dem Substrat 1 abgeschieden. Die Dicke der Schichten 8a ist im einfachsten Fall überall dieselbe, und dasselbe gilt für die Schichten 8b, so daß auf dem Substrat 1 Schichtenpaare 8a, 8b entstehen, die den DBR-Spiegel 3 bilden, der auf dem gesamten Substrat 1 durchgehend dieselbe Dicke hat.
Auf die oberste Schicht des DBR-Spiegels 3 wird nun eine Schicht 11 (Fig. 5a) aus dem Kavitätsmaterial aufgebracht. Da die spätere Strukturierung des Kavitätsmaterials bevorzugt durch ein Nanoprint-Verfahren (Nano-Imprint Verfahren) erfolgen soll, wird als Kavitätsmaterial ein festes, aber thermisch formbares Material wie z. B. Polymethylmethacrylat (PMMA = Plexiglas) verwendet. Das Kavitätsmaterial wird z. B. durch Aufschleudern analog zur Aufbringung von Photolack, durch Abscheidung oder durch eine Düsenspritztechnik aufgebracht, wobei die Schicht 11 eine durchgehend konstante Dicke erhält.
Im Anschluß daran erfolgt die Strukturierung der Schicht 11 mit Hilfe eines entsprechend strukturierten Stempels 12 (Fig. 5a), dessen der Schicht 1 1 zugewandte, prägende Oberfläche 14 als Negativform der in der Schicht 5 herzustellenden Strukturierung ausgebildet wird. Die Strukturierung erfolgt dann dadurch, daß die Schicht 11 z. B. auf 140 DC bis 160 DC erhitzt wird, um das Kavitätsmaterial formbar zu machen, und anschließend der Stempel 12 aufgedrückt wird, um auf der Oberfläche der Schicht 11 die in Fig. 5b dargestellten Kavitätsabschnitte 5e, 5f und 5g auszubilden. Die Trennabschnitte 6 gemäß Fig. 1 entfallen hier. Sie werden hier durch Zonen 15 ersetzt, in denen das Kavitätsmaterial fast die Dicke Null hat. Falls hierbei die Dicke Null gewünscht wird, kann dies z. B. durch einen zusätzlichen, ganzflächig angewandten Plasmaätzprozeß bewirkt werden. Im Anschluß an diese Abformung der Schicht 11 werden die Kavitätsabschnitte 5e, 5f und 5g fixiert, indem das Kavitätsmaterial der Abkühlung überlassen und ggf. durch Lichteinstrahlung, vorzugsweise durch UV-Licht, gehärtet wird.
In einem letzten Verfahrenschritt erfolgt die Ausbildung des zweiten DBR-Spiegels 4 (Fig. 5c). Dieser Spiegel 4 wird in derselben Weise aufgebracht und ausgebildet, wie oben für den ersten DBR-Spiegel beschrieben ist, wobei er trotz überall gleicher Dicke eine durch die Kavitätsabschnitte 5d bis 5g vorgegebene Strukturierung erhält. Dabei ist darauf zu achten, daß bei diesem Schritt die Prozeßtemperatur unterhalb der Wiedererweichungstemperatur der die Kavitäts 5 bildenden Schicht 11 bleibt.
Wie Fig. 5c zeigt, wird ein selektives Filterarray mit einer integrierten, fotoelektronischen Detektoreinrichtung in Form eines Sensorarrays erhalten, das im Ausführungsbeispiel drei Fotoelemente 7c, 7f und 7g aufweist, die je einem der Filterelemente 2e bis 2g mit den Kavitätsabschnitten 5e bis 5g zugeordnet sind. Mit Hilfe der beschriebenen Technik können Filterarrays mit einigen hundert, für unterschiedliche Wellenlängen durchlässigen Filterelementen hergestellt werden. Da die Breite eines Filterdips bei den bespielhaft dargestellten Wellenlängen λl bis λ4 nur ca. 1 nm und die Breite des Stopbandes in Fig. 4 ca. 280 nm beträgt, würden im Ausfuhrungsbeispiel durch Variation der Dicke des Kavitätsmaterials Arrays mit ca. 250 bis 300 Filterelementen herstellbar sein. Dabei wird davon ausgegangen, daß die Dickenvariation des Kavitätsmaterials von Filterelement zu Filterelement nur wenige Nanometer betragen braucht. Werden für die DBR-Spiegel 3, 4 Materialien verwendet, deren Brechungsindexkontrast wesentlich größer als der beim System Silizi- umdioxid/Siliziumnitrid ist, dann lassen sich Stopbänder mit einer Breite von z. B. 700 nm und infolgedessen Arrays mit weit über 500 Filterelementen herstellen. Die Querschnitte der Filterelemente parallel zur gedachten xy-Ebene betragen dabei z. B. wenige Mikrometer.
Die Transmissionsbänder der Filterelemente können lückenlos aneinander gereiht werden. Es werden in diesem Fall so viele Filter verwendet, bis der gesamte Spektralbereich abgedeckt ist. Alternativ können die Transmissionsbänder der Filterelemente aber auch überlappend oder mit dazwischen liegenden Lücken spektral verteilt angeordnet werden. Auch Kombinationen dieser drei Fälle sind möglich.
Bei den beschriebenen Abformverfahren für die Kavitätsabschnitte mit Hilfe eines Stempels 12 gemäß Fig. 5a können auch zahlreiche andere Kavitätsmaterialien angewendet werden. Insbesondere können auch flüssige, vorzugsweise zähflüssige Kavitätsmaterialien angewendet werden, die nach Durchführung der Prägung mit Licht oder anderswie gehärtet werden. Der Stempel 12 kann dabei jeweils z. B. aus Silizium, wie aus dem MIGA-Verfahren (Mikrostrukturiertes Silizium, Galvanik, Abformung) bekannt ist, aus Metall, wie aus dem LIGA- Verfahren (Lithographie, Galvanik, Abformung) bekannt ist, oder aus Glas bestehen. Weiter kann die Strukturierung dadurch erfolgen, daß das Kavitätsmaterial in den einzelnen Kavitätsabschnit- ten mit unterschiedlicher Dicke auf dem DBR-Spiegel 3 deponiert wird. Hierzu gibt es zahlreiche Verfahren. Zumindest teilweise sind z. B. eine Deposition unter Zuhilfenahme von Elektronen-, Ionen- und/oder Partikelstrahlung oder von elektromagnetischen Wellen oder mit Plasmaunterstützung anwendbar. Auch das Aufbringen unterschiedlich dicker Schichten mit einem entsprechend abgewandelten Tintelstrahl-Druckverfahren ist möglich.
Anstatt mit Hilfe eines Abform- oder Depositionsverfahrens kann die Strukturierung des Kavitätsmaterials auch mit Hilfe eines abtragenden Verfahrens erfolgen, wie in Fig. 6a bis 6c angedeutet ist, indem z. B. eine zunächst aufgebrachte Schicht 16 vorgewählter Dicke (Fig. 6a) lokal reduziert wird (Fig. 6b), beispielsweise durch Ätzen oder mit Hilfe von Rastersonden- bzw. Cantileverspitzen. Zumindest bei der Anwendung eines Kavitätsmaterials in Form eines Polymers sollte außerdem beachtet werden, daß eine spätere Abscheidung der Schichten des zweiten DBR- Spiegels 4, z. B. mit einem PECVD-V erfahren aus der Gasphase, bei Temperaturen erfolgt, die unterhalb der Glasübergangstemperatur für das Polymer liegen. Hierdurch wird sichergestellt, daß eine nachträgliche Umwandlung des Polymers in einen z.B. gummiartigen, zähflüssigen Zustand und dadurch eine Beschädigung des Bauelements bzw. eine Verschlechterung der optischen Eigenschaften der Kavitätsabschnitte vermieden wird.
Im übrigen entspricht das Verfahren nach Fig. 6a bis 6c dem Verfahren nach Fig. 5a bis 5c, weshalb für gleiche Teile dieselben Bezugszeichen verwendet sind und auf weitere Erläuterungen verzichtet werden kann.
Schließlich ist es möglich, die Kavitätsabschnitte bei gleicher geometrischer Dicke dadurch mit einer unterschiedlichen optischen Länge zu versehen, daß ihr Brechungsindex variiert wird. Eine solche Strukturierung kann z. B. unter Anwendung eines üblichen Implantationsverfahrens oder ortsaufgelösten Bestrahlungsverfahrens erfolgen. Denkbar wäre in diesem Fall auch die Anwendung flüssiger oder gasförmiger, zu einer Schicht konstanter Dicke führenden Kavitätsmaterialien. Bei allen beschriebenen Strukturierungsverfahren für das Kavitätsmaterial ist natürich unabhängig davon, mit welchen Mitteln sie durchgeführt werden, stets die vorher festgelegte Lage der verschiedenen Fotoelemente 7 im Substrat 1 zu beachten, falls dieses mit einer Detektoreinrichtung versehen ist.
Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausfuhrungsbeispiele beschränkt, die auf vielfache Weise abgewandelt werden können. Insbesondere die Zahl der pro Filterarray vorhandenen Filterelemente ist weitgehend frei wählbar und an den gewünschten Wellenbereich anpaßbar, der sich vom UV-Bereich bis in den Mikrowellenbereich erstrecken kann. Weiterhin stellen die angegebenen Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements nur Beispiele dar. Insbesondere wäre es z. B. möglich, die Sensorarray bzw. das Substrat 1 und die Filterarray separat herzustellen und hinterher mit genauer Zentrierung der Fotoelemente 7a bis 7g auf die Filterelemente 2a bis 2g durch Kleben oder sonstwie zu einem einstückigen Bauelement zu verbinden. Weiterhin ist das Filterarray auch ohne das Substrat 1 und in Kombination mit anderen, Licht verarbeitenden Arrays (light processing elements) anwendbar. Denkbar sind dabei auf Wellenleitern basierende, optoelektronisch integrierte Schaltungen, Multiplexer, Demultiplexer, Wellenlängenkonverter, optische Verstärker und ähnliche Bauelemente. Ferner können vorteilhaft auch Fotowiderstände-Arrays, CCD-Arrays, Fotodioden-Arrays, Fototransistoren-Arrays u.a. verwendet werden. Insbesondere sind auch plastische Materialien als Substrat (z. B. Folien, insbesondere biegbare, Folien aus organischen Materialien) anwendbar, wobei alle Arten von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen integriert sein können. Auf der Basis organischer Materialien sind ebenfalls alle Bauelemente denkbar, die bisher auf anorganischer Basis realisierbar werden. Dabei können die Elemente 2 und 1 jeweils kombiniert, aber auch einzeln verwendet werden und als Folien ausgebildet werden, die jeweils gebogen, geformt oder einem bestehenden Oberflächenrelief angepaßt werden. Auch die angegebenen Größen der Stopbänder und/oder die Lagen der Transmissionsbänder sind nur beispielhaft angegeben und weitgehend von der Geometrie und dem Material der DBR-Spiegel 3, 4 und der Kavitätsabschnitte abhängig. Weiterhin ist die Anwendung des erfindungsgemäßen Bauelements bzw. des Filter- und Sensorarrays nicht auf die angegebenen Beispiele beschränkt. Weitere Anwendungsmöglichkeiten bestehen in Sensorchips für Digital- und Spektrometerkameras, als Filter- und Sensorarrays für Analysezwecke, insbesondere bei der qualitativen und quantitativen Analyse der Zusammensetzung von Gasen, Flüssigkeiten und Festkörpern (bzw. deren Oberflächen) sowie in der Biotechnologie oder in der Medizintechnik. Dabei detektiert jedes Fotoelement (bzw. jedes Pixel) eine vorwählbare Wellenlänge. Schließlich versteht sich, daß die verschiedenen Merkmale auch in anderen als den beschriebenen dargestellten Kombinationen angewendet werden können.
Fig. 7 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, durch Pfeile 1 angedeuteten Strahlung. Hierbei kann es sich z.B. um eine Strahlung handeln, die von einem nicht gezeigten Gegenstand, z.B. der menschlichen Haut, remitiert wird, wenn dieser Gegenstand mit natürlichem Licht, eine Lampe oder sonstwie bestrahlt wird.
Die Vorrichtung enthält z.B. ein Scheiben-, platten- oder folienförmiges, z.B. aus Silizium hergestelltes Substrat 2, in dem eine Mehrzahl von fotoelektrischen Sensorelementen 3 angeordnet ist, die z.B. aus Fotodioden, Fototransistoren, CCD-Elementen, Fotowiderständen od. dgl. bestehen und in nicht näher dargestellter Weise mit elektrischen Leitungen 4 in Form von Leiterbahnen, Anschlußkontakten, Busleitungen od. dgl. versehen sind. Die Leitungen 4 sind beispielsweise auf einer Vorderseite 2a des Substrats 2 angeordnet, insbesondere auf diese aufgedampft. Auf einer Rückseite 2b des Substrats 2 befindet sich dagegen eine Mehrzahl von die Strahlung 1 aufnehmenden, in miniaturisierter Bauweise hergestellten Filterelementen 5, die in wenigstens je einem schmalen Spektralbereich durchlässig und gleichmäßig über die Rückseite des Substrats 2 verteilt angeordnet sind. Dabei ist vorzugsweise jedes Filterelement 5 einem zugehörigen Sensorelement 3 derart zugeordnet, daß von ihm durchgelassene Strahlung nur auf das zugehörige Sensorelement 3 auftrifft.
Die Sensor- und Filterelemente 3, 5 werden vorzugsweise mit den Mitteln der Mikroelektronik, Optoelektronik, Nanotechnologie und/oder Mikrosystemtechnik hergestellt und sind daher entsprechend klein ausgebildet, d.h. miniaturisiert. Vorzugsweise weisen sie in lateraler Richtung
Abmessungen von nicht mehr als 100 μm, vorzugsweise von z.B. 10 μm bis 20 μm auf, so daß auf einem Substrat 2, dessen Breitseite bzw. Flächen 2a, 2b eine Größe von wenigen
Quadratzentimetern haben, ohne weiteres eine Million und mehr Pixel bzw. Paare von Sensor- und Filterelementen 3, 5 untergebracht werden können. Die Breite eines von einem Filterelement
5 durchgelassenen Spektralbereichs kann dabei z.B. weniger als ein Nanometer (z.B. 0,5 nm), aber auch einige Nanometer betragen.
Fig. 8 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Sensor nach Fig. 7, wobei die Kreise je ein Filterelement 5 andeuten. In diesem Fall bilden die Filterelemente 5 und die unter ihnen liegenden, in Fig. 8 nicht sichtbaren Sensorelemente 3 ein Sensor- und Filterarray, in dem die Sensor- und Filterelemente 5 kartesisch in Reihen und Spalten angeordnet sind.
Ein wesentlicher Vorteil des Sensor nach Fig. 8 besteht darin, daß die örtliche und spektrale Auflösung in Abhängigkeit vom Einzelfall unterschiedlich gewählt werden kann. Werden beispielsweise alle aus Fig. 8 ersichtlichen Filterelemente 5 mit unterschiedlichen spektralen
Durchlaßbändern ausgebildet, dann kann der gesamte Sensor als spektral hochauflösendes
Bauelement verwendet werden. Jedes Pixel würde dann eine andere spektrale Information über den Ort liefern, an dem der Sensor angeordnet ist. Alternativ wäre es aber auch möglich, den Sensor in eine Mehrzahl von Bereichen bzw. Makropixeln 6a, 6b und 6c einzuteilen, die in Fig. 8 beispielhaft dargestellt und durch Umrißlinien angedeutet sind. Jedes dieser Makropixel würde dann z.B. neun Filter- und Sensorelemente 5, 3 bzw. Subpixel enthalten. In diesem Fall wird eine gegenüber dem zuerst beschriebenen Fall reduzierte spektrale Auflösung entsprechend nur je neun nutzbaren Spektralbereichen ermöglicht, während gleichzeitig eine hohe Ortsauflösung erzielt wird, da jedes einzelne Makropixel 6a, 6b und 6c eine Information über den speziellen Ort liefert, an dem es angeordnet ist.
Im Beispiel nach Fig. 8 wäre es möglich, jedem Makropixel 6a, 6b und 6c Filterelemente mit denselben neun Spektralbereichen zuzuordnen. Dadurch wäre sowohl die mögliche spektrale Auflösung als auch die mögliche örtliche Auflösung festgelegt. Eine Zusammenfassung mehrerer Makropixel würde dann keine zusätzliche spektrale Information liefern. Gemäß einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel wird daher vorgeschlagen, alle vorhandenen Filterelemente 5 (Subpixel) mit unterschiedichen spektralen Durchlaßbereichen zu versehen und diese Spektralbereiche im Sensor statistisch oder pseudostatistisch (prn = pseudo random noise) zu verteilen. Das bedeutet, daß die Haupt- bzw. Zentralwellenlänge nicht z. B. von einem in der linken oberen Ecke der Fig. 8 befindlichen, die kleinste Zentralwellenlänge aufweisenden Sensorelement 5 an zeilen- und spaltenweise bis hin zu einem in der rechten unteren Ecke des Sensors nach Fig. 8 befindlichen, die größte Zentralwellenlänge aufweisenden Sensorelement 5 stetig zunimmt, sondern völlig zufällig verteilt ist. Durch Zusammenfassung einer an sich beliebigen Anzahl von benachbarten Sensorelementen 5 (Subpixeln) zu definierten Makropixeln ist es dann möglich, mit demselben Sensor entweder durch Definition großer, aus vielen Filterelementen 5 gebildeten Makropixeln eine kleine Ortsauflösung und eine hohe spektrale Auflösung oder umgekehrt durch Definition vergleichsweise kleiner, aus wenigen Subpixeln gebildeten Makropixeln eine hohe Ortsauflösung und eine kleine spektrale Auflösung zu wählen. Die Zusammenfassung der Filter- und Sensorelemente 5, 3 zu Makropixeln, d.h. die Auswahl, welche örtliche und welche spektrale Auflösung im Einzelfall angewendet wird, erfolgt daher zweckmäßig nicht bereits beim ursprünglichen Design des Sensor- und Filterarrays, sondern später z.B. auf rein elektronischem Wege mit Hilfe einer entsprechenden Auswerteschaltung oder -logik oder eines Auswertungsprogramms. Alternativ ist es natürlich auch möglich, bei der Herstellung des Sensors eine bestimmte Anzahl von z.B. 100 Filterelementen mit unterschiedlichen Spektralbereichen festzulegen und - über den Sensor verteilt - eine Vielzahl von Makropixeln mit je 100 dieser Subpixel vorzusehen. Auch dabei werden die Subpixel vorzugsweise statistisch oder pseudostatistisch statt geordnet innerhalb jedes Markopixels verteilt, so daß durch Teilung dieser Makropixel eine veränderte örtliche Auflösung mit einer ähnlichen, spektralen Auflösung vorgesehen werden könnte. Dabei ist klar, daß durch die Bildung von Makropixeln aus einer Vielzahl von statistisch verteilten Subpixeln keine Makropixel erhalten werden, deren Filterelemente identische spektrale Durchlaßbänder aufweisen, wenn die Durchlaßbänder aller vorhandenen Filterelemente unterschiedlich sind. Immerhin werden aber Makroelemente mit sehr ähnlichen Filtereigenschaften erhalten, was für viele Anwendungs- zwecke auch ausreicht. Werden z.B. Makropixel aus nur je zwei Subpixeln gebildet, wird eine sehr hohe Ortsauflösung erreicht, wobei außerdem jedes Makropixel zumindest die Unterscheidung von kurz- und langwelliger Strahlung erlaubt.
Die mit PRN oder gezielt unregelmäßig angeordneten Filterarrays haben folgende Vorteile.
Die Abstimmung zwischen Modus hoher spektraler Auflösung und geringer Ortsauflösung und Modus geringer spektraler Auflösung und hoher Ortsauflösung ist stufenlos nur durch Veränderung der Auswertung möglich indem die Makropixel variabel zusammengesetzt werden.
Die gleichzeitig gegebene Ortsauflösung ermöglicht bei spektraler Anwendung die Kontrolle des Strahlengangs bzw. nicht ideale Strahlengänge. Bei einem aus nur einem Makropixel bestehenden Filter bzw. eines Verlaufsfilters ist die gleichmäßige und geometrisch unveränderte Beleuchtung notwendig. Steht eine Ortsauflösung zur Verfügung kann eine Variation oder ein inhomogenes Messobjekt erkannt und ggf. kompensiert werden.
Bei der Anwendung an Haut oder Flächen ermöglicht die Ortsauflösung die Kontrolle der korrekten Auflage auf die Haut bzw. auf die Fläche, da das Profil der Ankopplung bzw. der Beleuchtung durch die Ortsauf lösung bestimmbar ist. Durch die Ortsauflösung stehen Informationen über die „Gleichmäßigkeit" (Freiheit von Flecken, Verletzungen, Narben, Tätowierungen, usw.) der Hautstelle zur Verfügung. Vor der eigentlichen Analyse kann die Qualität der Messstelle beurteilt werden.
Zur Nutzung der genannten Vorteile ergeben sich folgende Anforderungen.
Bei einem Durchlichtspektrometer ergeben sich die Anforderungen aus der zusätzlich gewünschten Ortsauflösung die verwendet wird um einen unstabilen Strahlengang (Deplatzierung ) oder inhomogene Proben festzustellen und ggf. zu kompensieren. Um die Ortsauflösung zu erreichen, ist eine Anordnung als Array mit gezielter unsortierter Verteilung notwendig, wobei Array und Spektralbereich in die gleiche Anzahl Teile aufgeteilt wird und jeder Teil des Arrays Filterelemente jedes Spektralbereiches enthält. Dabei ist jeder Durchlassbereich insgesamt in gleicher Anzahl (zB. 1, 2, 3) auf dem Filterarray vorhanden.
Bei einem Reflexionsspektrometer wird die Ortsauflösung zusätzlich verwendet um eine inhomogene Oberfläche festzustellen und ggf. zu kompensieren sowie die korrekte Plazierung der Meßapparatur bzw. der Oberfläche der Probe zu überprüfen. Bei einem Transreflektionsspektrometer ergeben sich die Anforderungen aus der zusätzlich gewünschten Ortsauflösung die verwendet wird um einen unstabilen Strahlengang (Deplatzierung ) oder inhomogene Oberfläche oder Fehlerhafte Ankopplung der Messapparatur festzustellen und ggf. zu kompensieren sowie die korrekte Platzierung der Meßapparatur zu überprüfen. Um die Ortsauflösung zu erreichen, ist eine Anordnung als Array mit gezielter unsortierter Verteilung notwendig. Dabei hat die erwartete spektrale Verteilung des Lichtes als Funktion des Abstandes zwischen Eintrittsort und Austrittsort aus dem Medium (z.B. Haut) Einfluss auf die Häufigkeit der Filterelemente in einem Bestimmten Bereich des Arrays. Je nach Anwendungsfall wird in den Bereichen mit sehr geringer und unauswertbarer Intensität eines Spektralbereiches sehr wenige bzw. kein Filterelement mit einem entsprechendem Durchlassbereich angeordnet. In den Bereichen geringer aber noch auswertbarer Intensität eines bestimmten Spektralbereiches kann eine erhöhte Anzahl von Filterelementen eben jenes Durchlassbereiches die Sensitivität der Messapparatur durch eine größere Anzahl zur Mittelung zur Verfügung stehender Filterelemente erhöhen. Wird die Lichtquelle in der Mitte des Arrays bzw. mehrerer Arrays angeordnet führt dies zu einer kreisförmigen Anordnung der spektralen Verteilungsbereiche um die Lichtquelle herum.
Weitere mögliche Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind in Fig. 9 bis 11 dargestellt. Fig. 9 zeigt eine Anordnung, bei der vier Reihen 13a bis 13d von Filterelementen 5 vorhanden sind. In jeder Reihe 13a bis 13d ist, ausgehend von einem vorgewählten Punkt 8, der hier der Mittelpunkt des Sensors ist, eine gleiche Anzahl von Filterelementen 5 mit gleicher spektraler Abstufung angeordnet. Dabei sind die Reihen 13a, 13c und 13b, 13d zentralsymmetrisch zum Punkt 8 angeordnet. Auf diese Weise lassen sich schnell und sicher örtliche und/oder spektrale Unsymmetrien bei den zu untersuchenden Gegenständen feststellen, wie sie z.B. durch einen Leberfleck auf einer untersuchten Haut verursacht sein könnten. Dasselbe würde gelten, wenn die Reihen 13a bis 13d zusätzlich oder alternativ spiegelsymmetrisch angeordnet werden (z.B. 13a, 13d spiegelsymmetrisch zu einer Linie 9 und/oder 7a, 7b spiegelsymmetrisch zu einer Linie 10), wobei die Felder 2c bis 2f auch vollständig mit Filterelementen belegt sein können.
Die Herstellung des Sensors nach Fig. 9 kann z.B. dadurch erfolgen, daß entweder ein zusammenhängendes Substrat in der beschriebenen Weise mit Sensor- und Filterelementen 3, 5 versehen wird oder vier einzelne, längs der Linien 9 und 10 aneinander grenzende Substratabschnitte 2a bis 2d verwendet werden, die im Fall einer Zentral- und Spiegelsymmetrie sämtlich identisch ausgebildet sein können.
Beim Ausfuhrungsbeispiel nach Fig. 10 und 1 1 wird von der bekannten Tatsache Gebrauch gemacht, daß in bestimmten Fällen, z.B. bei der Untersuchung bestimmter Gegenstände 11 wie z.B. der menschlichen Haut, die von einer im Zentrum eines Sensors 12 angeordneten Strahlungsquelle 14 bestrahlt wird, kürzerwellige Teile (Pfeil 15) aufgrund üblicher Streuung zu den nahe dem Zentrum liegenden Sensor- und Filterelementen 3, 5 hin remittiert werden, während längerwellige Anteile (Pfeil 16) derselben Lichtquelle 14 zu vom Zentrum entfernteren Sensor- und Filterelementen 3, 5 hin remittiert werden. In einem solchem Fall können weiter innen liegende Filterelemente 5a (Fig. 1 1) ganz oder überwiegend mit kurzwelligen Durchlaßbändern und weiter außen liegende Filterelemente 5b ganz oder überwiegend mit längerwelligen Durchlaßbändern versehen werden, ohne daß dadurch ein merkbarer Informationsverlust auftritt. Die Sensor- und Filterelemente sind dabei z.B. rotationssymmetrisch zum Zentrum angeordnet, d.h. sie liegen, wie Fig. 1 1 zeigt, vorzugsweise auf Kreisen mit dem Zentrum und der Strahlungsquelle 14 als Mittelpunkt. Ein besonderer Vorteil der Anordnung nach Fig. 10 und 11 besteht außerdem darin, dass mit einem Messvorgang zahlreiche Tiefeninformationen erhalten werden. Es ist bekannt, dass in größerer Entfernung von der Lichtquelle remittiertes Licht auch bis zu einer größeren Tiefe in das Gewebe od. dgl. eindringt und daher von tiefer liegenden Schichten absorbiert wird. Durch Differenzbildungen können daher auf einfache Weise für jede Schicht die speziellen Absorptionsverhältnisse und damit z.B. Fehlstellen in tiefer gelegenen Hautschichten ermittelt werden. Wegen der Vielzahl der vorhandenen Sensorelemente werden alle diese Informationen praktisch gleichzeitig erhalten.
Während der in Fig. 10 und 11 dargestellte Sensor 12 für die Abtastung von Gegenständen 11 in Remission eingerichtet ist, dient ein entsprechender, in Fig. 12 dargestellter Sensor 17 zur Ermittlung von Transmissionsspektren eines Gegenstands 18. Der einzige Unterschied zu Fig. 10 und 5 besteht dabei darin, daß der Sensor 17 und eine Lichtquelle 19 auf entgegengesetzten Seiten des Gegenstands 18 angeordnet sind. In entsprechender Weise können die beschriebenen Sensoren natürlich auch zur Untersuchung von Fluoreszenz- oder Phosphoreszenzspektren sowie von Streustrahlung eingerichtet sein.
Fig. 13 zeigt ein Anwendungsbeispiel nach Art der Computertomographie. Hierbei werden mehrere Sensoren 20a bis 2Od um einen Gegenstand 21 herum angeordnet, der hier z.B. ein menschlicher Arm ist. Dabei können die Sensoren 20a bis 2Od wie der Sensor 12 nach Fig. 10 ausgebildet und mit je einer zentralen Strahlungsquelle 22a bis 22d versehen sein. Alternativ oder zusätzlich kann aber auch vorgesehen sein, Strahlungsquellen 23 von außerhalb der Sensoren 20a bis 20d liegenden Stellen her auf den Gegenstand 21 zu richten.
Anstatt der aus Fig. 8 ersichtlichen, kartesischen Anordnung der Sensor- und Filterelemente 3, 5 ist auch eine polarkoordinatenartig zeilen- und spaltenweise Anordnung oder eine nur in einer geraden oder gekrümmten Zeile erfolgende Anordnung der Sensor- und Filterelemente 3, 5 möglich, was nicht einzeln gezeigt ist.
Die Ausbildung der Sensor- und Filterelemente 3, 5 ist an sich beliebig. Nach einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht das Substrat 2 gemäß Fig. 14, in der gleiche Teile mit denselben Bezugszeichen wie in Fig. 7 versehen sind, aus einer planparallelen, flachen Platte, an deren Rückseite 2b ein als Ganzes mit dem Bezugszeichen 25 versehenes, optisches Filter ausgebildet ist. Das Filter 25 enthält einen auf die Rückseite 2b des Substrats 2 aufgebrachten, ersten DBR-Spiegel 26, einen zweiten DBR-Spiegel 27, der auf einer vom Substrat 2 abgewandten Seite des ersten DBR-Spiegels 26 und mit Abstand von diesem angeordnet ist, und eine zwischen den beiden DBR-Spiegeln 26 und 27 vorgesehene Kavität, die in Fig. 14 als Ganzes mit dem Bezugszeichen 28 bezeichnet ist. Der komplette Sensor stellt daher einen im wesentlichen aus vier übereinander liegenden Schichten bestehenden Mehrschichtkörper dar.
Wie Fig. 14 weiter zeigt, ist auf dem ersten DBR-Spiegel 26 eine Schicht aus einem die Kavität 28 bildenden Material angeordnet. Diese Schicht hat parallel zur z-Richtung eine unterschiedliche Dicke. Insbesondere hat die von der Schicht gebildete Kavität 28 in einem Abschnitt 28a eine vergleichsweise kleine Dicke, in einem Abschnitt 28b eine etwas größere Dicke und in Abschnitten 28c und 28d noch etwas größere Dicken. Geometrische Längen I1 bis U der Kavität 28 in diesen Abschnitten 28a bis 28d haben daher sämtlich unterschiedliche Werte. Zwischen den Abschnitten 28a bis 28d befinden sich vorzugsweise Trennbereiche 29, in denen das Kavitätsmaterial z. B. eine vorgewählte, konstante oder variierende Dicke hat und die die Abschnitte 28a bis 28d der Kavität 28 räumlich voneinander trennen.
Auf der aus dem Kavitätsmaterial gebildeten Schicht befindet sich eine den zweiten DBR-Spiegel
27 bildende Zone. Diese Zone hat in Fig. 14 - in z-Richtung betrachtet - überall dieselbe Dicke.
Daher haben die Unter- und Oberseiten dieser Zone eine Kontur bzw. Strukturierung, die der in Fig. 14 oberen Kontur bzw. Strukturierung der Kavität 28 entspricht. Der in z-Richtung gemessene Abstand der Unter- und Oberseite des DBR-Spiegels 27 ist in Fig. 14 im wesentlichen überall derselbe.
Aufgrund der beschriebenen Ausbildung der Kavität 28 enthält das Filter 25 im Aus- führungsbeispiel vier den Filterelementen 5 in Fig. 7 entsprechende Filterelemente 5a bis 5d, wie in Fig. 14 durch gestrichelte Linien angedeutet ist, wobei jedes Filterelement 5a bis 5d aus einem der Abschnitte 28a bis 25d der Kavität 28 und je einem zugehörigen Abschnitt der DBR-Spiegel
26 und 27 gebildet ist. In der Draufsicht, d. h. in der xy-Ebene, haben diese Filterelemente 5a bis
5d bevorzugt eine Kreisform, obwohl sie im Prinzip auch andere Umfangskonturen haben könnten.
Bei dem Substrat 2 handelt es sich vorzugsweise um eine lichtdurchlässige bzw. für die zu detektierende, elektromagnetische Strahlung durchlässige Folie, eine dünne Glasplatte, eine Siliziumscheibe od. dgl., wobei unter "lichtdurchlässig" verstanden wird, dass die Scheibe nicht notwendigerweise klarsichtig sein braucht, um die den Filter 25 passierende Strahlung unbeeinflußt durchzulassen, sondern z. B. auch eine streuende Funktion haben und daher entweder insgesamt als Streuscheibe ausgebildet oder mit die Strahlung streuenden Mitteln versehen sein kann.
Der Sensor nach Fig. 14 enthält analog zu Fig. 7 weiter eine in das Substrat 2 integrierte, arrayartig ausgebildete, fotoelektrische Detektor- bzw. Sensoreinrichtung. Diese enthält vorzugsweise für jedes Filterelement 5a bis 5d je ein Foto- bzw. Sensorelement 3a bis 3d, z. B. in Form einer Fotodiode. Die Fotoelemente 3a bis 3d sind gemäß Fig. 14 in dem Substrat 2 derart angeordnet, dass sie unmittelbar unter denjenigen Abschnitten DBR-Spiegels 26 angeordnet sind, die einem betreffenden Filterelement 5a bis 5d zugeordnet sind. Dem Filterelement 5a ist daher z. B. das Fotoelement 3a so zugeordnet, dass dieses nur die von Filterelement 5a durchgelassene Strahlung aufnehmen kann. Entsprechendes gilt sinngemäß für die Filterelemente 5b bis 5d und die zugehörigen Fotoelemente 3b bis 3d. Aus Redundanz- und anderen Gründen kann es zweckmäßig sein, unter jedem Filterelement 5a bis 5d mindestens je zwei identische Fotoelemente 3a bis 3d so anzuordnen, dass beim Ausfall eines der beiden Fotoelemente das jeweils andere wirksam bleibt, und/oder ausgewählte Fotoelemente 3a bis 3d gleichzeitig unter wenigstens zwei verschiedenen Filterelementen 5a bis 5d anzuordnen, so dass diese ansprechen, wenn das eine und/oder andere Filterelement Strahlung durchlässt.
Die strahlungsempfindlichen Fotoelemente 3a bis 3d liegen im Substrat 2 dicht an der Vorderseite 2a oder grenzen an die Vorderseite 2a an, da sie zur Zeit aufgrund der üblichen Herstellungstechniken, z. B. der CCD- oder CMOS-Bauweise, nicht beliebig tief in das Substrat 2 eingepflanzt werden können. Bei Anwendung anderer Techniken wäre es allerdings auch möglich, die Fotoelemente 7a bis 7d an die Rückseite 2b angrenzen zu lassen, z.B. dann, wenn sie als Thermoelemente ausgebildet werden. Dabei können die Sensor- bzw. Fotoelemente 3a bis 3d aus jedem beliebigen Element bestehen, das zur Detektion von Strahlung im hier beschriebenen Umfang geeignet ist.
Schließlich enthält das z. B. in CCD- oder CMOS-Bauweise hergestellte Substrat 2 vorzugsweise auch eine Vielzahl von nicht dargestellten, elektrischen bzw. elektronischen Komponenten in Form von Transistoren und Dioden od. dgl., mittels derer die von den Fotoelementen 7a bis 7d abgegebenen elektrischen Signale verarbeitet werden können, sowie die auch aus Fig. 7 ersichtlichen Leitungen 4. Diese Leitungen 4 liegen in der Regel auf der Vorderseite 2a des Substrats 2, da sie z. B. auf das Substrat 2 aufgedampft werden, während die elektronischen Komponenten in dem Substrat 2 angeordnet sind. Alternativ wäre es natürlich auch möglich, nur die Fotoelemente 7a bis 7d im Substrat 2 anzuordnen, die elektronischen Komponenten dagegen auf oder in einem davon getrennten Chip anzuordnen und je nach Bedarf mit demselben oder einem anderen Gehäuse zu umgeben.
Wie Fig. 14 zeigt, sind das Filter 25 bzw. seine Filterelemente 5a bis 5d vorzugsweise auf der Rückseite 2b des Substrats 2 ausgebildet, das daher sowohl das Substrat für die Sensoreinrichtung als auch das Substrat für das Filter 25 bildet. Gleichzeitig ist vorgesehen, den Sensor von der von den Leitungen 4 abgewandten Rückseite 2b her zu bestrahlen, wie in Fig. 14 durch die den Wellenlängen λl bis λ4 zugeordneten Pfeile und in Fig. 10 durch die Pfeile 15, 16 angedeutet ist. Dadurch wird erreicht, dass die Leitungen 4 den Einfall der Strahlung auf die unter ihnen liegenden Fotoelemente 3a bis 3d nicht behindern können und/oder die Leitungen 4 auf der Vorderseite 2a beliebig und ohne Rücksicht auf die Lage der Fotoelemente 3a bis 3b oder die zu detektierende Strahlung verlegt werden können.
Da das Substrat 2 von seiner Rückseite 2b, d.h. der von den Leitungen 4 abgewandten Seite her bestrahlt wird und die Strahlung meistens nur eine vergleichsweise geringe Eindringtiefe bezüglich der üblicherweise verwendeten Substratmaterialien hat, ist erfindungsgemäß weiter vorgesehen, das Substrat 2 zumindest dort, wo die Filter- und Fotoelemente 5a bis 5d und 3a bis 3d angeordnet sind, mit einer Dicke von z. B. 10 μ bis 20 μ ausreichend dünn zu machen. Der Sensor besteht nach Fig. 14 insgesamt aus einem einstückig hergestellten Filter- und Sensorarray mit einer räumlich sehr kleinen Ausdehnung. Er kann daher mit seiner als Abtastfläche wirkenden Rückseite 2b und den auf dieser befindlichen Filterelementen 5 an beliebiger Stelle auf den zu untersuchenden Gegenstand aufgelegt werden. Bei Anwendung eines durchgehend gleichen und daher überall denselben Brechungsindex n aufweisenden Materials für die Kavität 28 haben die Kavitätsabschnitte 28a bis 28d dabei optische Längen Ll = Ii • n, L2 = Ij • n, L3 = I3 • n und L4 = I4 • n, die sich durch ihre geometrischen Längen U bis I4 voneinander unterscheiden.
Abweichend von Fig. 14 enthält der beschriebene Sensor mit besonderem Vorteil nicht nur vier, sondern entsprechend der obigen Beschreibung eine weit größere Anzahl von z. B. wenigstens zehn, mit besonderem Vorteil hundert oder mehr Filterelementen und zugeordneten Fotoelementen.
Im übrigen können die DBR-Spiegel 26, 27 in jeder an sich bekannten Weise gestaltet werden (z.B. DE 103 18 767 Al).
Die Funktion des beschriebenen Filter- und Sensorarrays ergibt sich im wesentlichen aus Fig. 14 und 15. In Fig. 14 ist schematisch angedeutet, daß das Filterelement 5a z. B. eine Wellenlänge λl durchläßt, Wellenlängen λ2 bis λ4 dagegen reflektiert, so dass nur die Wellenlänge 11 das Fotoelement 3a erreichen kann. Dagegen lässt z.B. das Filterelement 5d die Wellenlänge λ4 passieren, so dass sie das Filterelement 3d erreichen kann, während es gleichzeitig die Wellenlängen λl bis λ3 nicht durchlässt.
Fig. 15 die zeigt die z.B. zu Fig. 14 gehörenden Transmissionsbänder (Dips) bei den Haupt- bzw. Zentralwellenlängen λl bis λ4 innerhalb eines Stopbandes, das sich von etwas oberhalb von 500 nm bis etwas unterhalb von 800 nm ersteckt. In allen vier Spektren ist auf der Ordinate jeweils die Reflektivität aufgetragen. Der Übersichtlichkeit wegen sind dabei die Nullpunkte jeweils längs der Ordinate verschoben.
Anstatt durch eine Dickenvariation der Kavitätsabschnitte 28a bis 28d kann eine Variation der optischen Länge L auch durch eine Variation des Brechungsindex n herbeigeführt werden. In diesem Fall könnten alle Kavitätsabschnitte 28a bis 28d dieselbe geometrische Dicke aufweisen.
Die Herstellung des beschriebenen optoelektronischen Sensors kann auf verschiedene Weise erfolgen. Dabei wird z.B. so vorgegangen, dass zunächst das Design des Filters 25 einschließlich der zugehörigen Filterelemente 5a bis 5d und Kavitätsabschnitte 28a bis 28d festgelegt wird, wobei sich die Orte, an denen Filterelemente mit bestimmten Durchlassbereichen zu liegen kommen, z.B. aus einer zuvor erstellten Zufallsliste ergeben. In Abhängigkeit davon wird das Design eines die Detektoreinrichtung enthaltenden, zum Filter 25 passenden oder an das Filter 25 angepassten Substrats 2 festgelegt, bei dem es sich z.B. um ein CCD- oder CMOS-Photodioden- Array handelt, das z. B. in Form eines ca. 0,5 mm dicken Siliziumchips oder -wafers vorliegt und in den gewünschten Abständen und in der gewünschten Verteilung mit den Fotoelementen 3 versehen ist. Das danach hergestellte Substrat 2 dient als Ausgangspunkt für die Herstellung des Filterarrays.
Das Substrat 2 wird nun, falls es noch nicht ausreichend dünn ist, durch Ätzen oder sonstwie durchgehend auf eine Dicke von z.B. 10 μ bis 20 μ verdünnt oder dort, wo sich die Fotoelemente 3 befinden, mit einem verdünnten Mittelabschnitt versehen.
In einem weiteren Schritt erfolgt jetzt z.B. eine Deposition des DBR-Spiegels 26 auf der Rückseite 2b des Substrats 2, indem z. B. abwechselnd Schichten aus Siliziumdioxid (SiC^) und Schichten aus Siliziumnitrid (SiaN4) mit einem PECVD- Verfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) auf dem Substrat 2 abgeschieden werden.
Auf die oberste Schicht des DBR-Spiegels 26 wird nun eine Schicht aus dem Kavitätsmaterial aufgebracht. Soll die spätere Strukturierung des Kavitätsmaterials bevorzugt durch ein Nanoprint- Verfahren erfolgen, wird als Kavitätsmaterial ein festes, aber thermisch formbares Material wie z. B. Polymethylmethacrylat (PMMA = Plexiglas) verwendet. Das Kavitätsmaterial wird z.B. durch Aufschleudern analog zur Aufbringung von Photolack, durch Abscheidung oder durch eine Düsenspritztechnik aufgebracht.
Im Anschluss daran erfolgt die Strukturierung der aus dem Kavitätsmaterial bestehenden Schicht z. B. mit Hilfe eines entsprechend strukturierten Stempels, dessen der Schicht zugewandte, prägende Oberfläche als Negativform der in der Schicht 28 herzustellenden Strukturierung ausgebildet wird. Die Strukturierung erfolgt dann dadurch, dass die Schicht z. B. auf 140 °C bis 160 0C erhitzt wird, um das Kavitätsmaterial formbar zu machen, und anschließend der Stempel aufgedrückt wird, um auf der Oberfläche der Schicht die in Fig. 14 dargestellten Kavitätsabschnitte 28a bis 28d auszubilden. Daran anschließend werden die Kavitätsabschnitte 28a bis 28d fixiert, indem das Kavitätsmaterial der Abkühlung überlassen und ggf. durch Lichteinstrah- lung, vorzugsweise durch UV-Licht, gehärtet wird. In einem letzten Verfahrenschritt erfolgt dann die Ausbildung des zweiten DBR-Spiegels 27 in derselben Weise, wie oben für den ersten DBR- Spiegel 26 beschrieben ist.
Mit Hilfe der beschriebenen Technik können die Sensoren mit einigen hundert, für unterschiedliche Wellenlängen durchlässigen Filterelementen versehen werden. Da die Breite eines Filterdips bei den beispielhaft dargestellten Wellenlängen λl bis λ4 nur ca. 1 nm und die Breite des Stopbandes in Fig. 15 ca. 280 nm beträgt, würden im Ausführungsbeispiel durch Variation der Dicke des Kavitätsmaterials Arrays mit ca. 250 bis 300 Filterelementen herstellbar sein. Dabei wird davon ausgegangen, dass die Dickenvariation des Kavitätsmaterials von Filterelement zu Filterelement nur wenige Nanometer betragen braucht. Werden für die DBR- Spiegel 26, 27 Materialien verwendet, deren Brechungsindexkontrast wesentlich größer als der beim System Siliziumdioxid/Siliziumnitrid ist, dann lassen sich Stopbänder mit einer Breite von z. B. 700 nm und infolgedessen Arrays mit weit über 500 Filterelementen herstellen. Die Querschnitte der Filterelemente parallel zur gedachten xy-Ebene betragen dabei z. B. wenige Mikrometer.
Die Transmissionsbänder der Filterelemente können lückenlos aneinander gereiht werden. Es werden in diesem Fall so viele Filter verwendet, bis der gesamte Spektralbereich abgedeckt ist. Alternativ können die Transmissionsbänder der Filterelemente aber auch überlappend oder mit dazwischen liegenden Lücken spektral verteilt angeordnet werden. Auch Kombinationen dieser drei Fälle sind möglich.
Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, die auf vielfache Weise abgewandelt werden können. Insbesondere die Zahl der pro Sensor vorhandenen
Filterelemente ist weitgehend frei wählbar und an den gewünschten Wellenlängenbereich anpassbar, der sich vom UV-Bereich bis in den Mikrowellenbereich erstrecken kann. Möglich wäre auch, einen Sensor entsprechend Fig. 8 derart mit mehreren Makropixeln 6a, 6b zu versehen, daß die Filterelemente des einen Makropixels Zentralwellenlängen aufweisen, die sich um einen bestimmten Wert von z.B. 1 nm von den Zentralwellenlängen des anderen Makropixels unterscheiden. Weiterhin stellt das angegebene Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen
Bauelements nur ein Beispiel dar. Insbesondere können die Substrate, wie in Fig. 10 und 11 angedeutet ist, mit Löchern versehen werden, die mit zur Aufnahme von Strahlungsquellen in
Form von Leuchtdioden, Glühlampen oder an Strahlungsquellen angeschlossenen Faserbündeln od. dgl. dienen. Alternativ können derartige Löcher auch z.B. dem Durchläse von Tageslicht dienen, da auch Tageslicht als Lichtquelle geeignet sein kann. Weiter sind auch plastische Materialien als Substrat (z. B. Folien, insbesondere biegbare Folien aus organischen Materialien) anwendbar, wobei alle Arten von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen integriert sein können. Auf der Basis organischer Materialien sind ebenfalls alle Bauelemente denkbar, die bisher auf anorganischer Basis realisiert werden. Weiterhin wäre es möglich, das Substrat und die Filterelemente separat herzustellen und hinterher mit genauer Zentrierung der Fotoelemente auf die Filterelemente durch Kleben oder sonstwie zu einem einstückigen Bauelement zu verbinden. Außerdem kann das Substat 2 abweichend von der gezeigten flächigen Form jeweils gebogen geformt oder an ein bestehendes Oberflächenrelief angepasst sein oder werden. Auch die angege- benen Größen der Stopbänder und/oder die Lagen der Transmissionsbänder sind nur beispielhaft angegeben und weitgehend von der Geometrie, der Größe und dem Material der DBR-Spiegel 26, 27 und der Kavitätsabschnitte 5a bis 5d abhängig. Weiterhin ist die Anwendung des erfindungsgemäßen Sensors nicht auf die angegebenen Beispiele beschränkt. Weitere Anwendungsmöglichkeiten bestehen in Sensorchips für Digital- und Spektrometerkameras, als Filter- und Sensorarrays für Analysezwecke, insbesondere bei der qualitativen und quantitativen Analyse der Zusammensetzung von Gasen, Flüssigkeiten und Festkörpern (bzw. deren Oberflächen) sowie in der Biotechnologie oder in der Medizintechnik. Dabei detektiert jedes Fotoelement (bzw. jedes Pixel) eine vorwählbare Wellenlänge. Weiterhin ist es möglich, den Sensor auf derjenigen Seite, mit welcher er auf den zu untersuchenden Gegenstand aufgelegt wird, d.h. insbesondere auf der freien Oberfläche des DBR-Spiegels 27, mit einer Schutzschicht zu versehen. Diese sollte vorzugsweise transparent und leicht abwaschbar bzw. desinfizierbar sein und den gestellten hygienischen Anforderungen genügen. Sollte diese Schicht die Filter- oder Absorptionseigenschaften des Filters beeinflussen, dann könnte dies bei der Herstellung des Filters oder bei der elektonischen Einstellung der Empfindlichkeit des Sensors entsprechen berücksichtigt werden. Schließlich versteht sich, dass die verschiedenen Merkmale auch in anderen als den beschriebenen dargestellten Kombinationen angewendet werden können.
Durch die Erfindung kann auch ein Bauteil nach Anspruch 49 geschaffen werden, das in einem üblichen Gehäuse für z.B. gesockelte Montage oder Montage mittels Löten die Fotoelemente bzw. das Substrat mit den Fotoelementen als auch die Filterelemente bzw. das Substrat der Filterelemente in sich vereinigt. Dadurch sind ebenfalls nicht nur die verschiedenen Filterelemente des Filters, sondern auch die zur Erkennung oder Unterscheidung der Transmissionsbänder bzw. zur spektralen Auswertung der aufgenommenen Strahlung erforderlichen Fotoelemente in einem und demselben Bauelement integriert. Auch bei dieser Anordnung ist es möglich, die charakteristischen Transmissionsbänder und/oder die spektrale Verteilung der aufgenommenen Strahlung sowie den Ort, an dem eine bestimmte Strahlung abgegeben wird, durch bloßes Abfragen der aus Richtung der Lichtquelle direkt hinter den Filterelementen angeordneten Fotoelementen oder durch weitere optische Komponenten zugeordneten Fotoelementen, d. h. ohne mechanisches Durchstimmen des Filters erkennbar zu machen.
Das Bauelement ist bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Anspruch 58 mit vergleichsweise einfachen Mitteln herstellbar, da das Filter unmittelbar auf einem Substrat aufgebaut wird, das z. B. in üblichen Gehäusen einer in CMOS- oder CCD-Technologie hergestellten Detektoreinrichtung als Fenster verwendet wird. Da die Filterelemente auch auf der Rückseite diese Substrats angeordnet, also im geschützten Inneren des Bauelementes, sein können, steht dessen Vorderseite für die z.B. auch kombinierte Anbringung weiterer optischer Komponenten wie beispielsweise Mikrolinsenanodnungen, Lichtleitern oder Blenden zur Verfügung, weiterhin kann die Dicke des ganzen oder eines Teils des ebenfalls als Fenster verwendeten Substrates für die Filterelemente derart gewählt werden, so dass diese für die Funktion der weiteren optischen Komponenten besonders vorteilhaft ist. Weiterhin kann das Substrat der Filterelemente selbst eine weitere optische Funktion als der eines Fensters aufweisen, z.B. die eines Bandpassfilters, welche allen oder einen räumlich benachbarten Teil der Filterlemente zugeordnet ist. Aufgrund der Ausbildung der Filterelemente als Fabry-Perot-Filter ist es außerdem möglich, auf engem Raum (z. B. 1 cm x 1 cm) eine Vielzahl von (z. B. einigen hundert) Filterelementen unterzubringen, deren Transmissionsbänder wahlweise unterschiedlichen oder gleichen Wellenlängenbereichen zugeordnet sind. Auf diese Weise lässt sich ebenfalls ein Sensor schaffen, der sowohl eine hohe Ortsauflösung als auch eine hohe spektrale Auflösung hat.
Mit der vorgestellten Vorrichtung ist es möglich sehr flache spektral sensitive Sensoren herzustellen. Spektrometer nach Stand der Technik benötigen einen relativ zur vorgestellten Anordnung großen Abstand zwischen Lichteintrittspunkt und lichtempfindlichen Element bedingt durch die benötigte Aufspreizung des Spektrums. Kombiniert man einen solchen flachen spektral empfindlichen Sensor mit einer draht bzw. kontaktlosen Energieversorgung und einer ebensolchen Datenübertragung in einem hermetisch dichten Gehäuse (Fig. 19, 1), erhält man eine Messapparatur mit Anwendungsbereichen die nach Stand der Technik nicht möglich sind. So kann beispielsweise eine solche Sensor-Einheit 1 unter die Haut 2 implantiert werden. In einer weiteren Einheit 3 die die Energieversorgung 4 und den Datenaustausch 5 mit der implantierten Einheit übernimmt ist eine Lichtquelle 6 integriert. Wird die Einheit mit der Lichtquelle auf der Haut über der Sensor-Einheit 1 platziert ergibt sich die notwendige Anordnung von Lichtquelle, Absorptionsstrecke und spektral sensitivem Sensor zur Messung von Transmissions- bzw. Absorptionsspektren. Die Anordnung ist vergleichbar mit einer Anordnung (Fig. 20) , bei der ein entsprechendes Gewebestück 7 entnommen und in den Strahlengang eines Absorptionsspektrometers bestehend aus Lichtquelle 8, Monochromator 9 und Detektor 10 eingebracht wird. Das Volumen zwischen
Lichtquellen-Einheit (Fig. 19) 3 und Sensor-Einheit 1 entspricht also dem Volumen der Küvette (Fig. 20) 11.
Eine Messung kann jederzeit wiederholt werden ohne erneut einen Sensor unter die Haut bringen zu müssen, d. h. ohne erneute Verletzung. Der wesentliche Vorteil einer solchen Transmissionsmessung gegenüber einer transreflektiven Messung bzw. Apparatur (Fig. 21) 12, bei der Lichtquelle 13 und Lichtempfänger bzw. Spektrometer 14 durch einen Abstand bzw. einer Lichtsperre 15 voneinander getrennt auf die Haut 2 aufgelegt werden, ist der senkrechte mittlere Absorptionspfad. Weiterhin ist keine zusätzliche Abschirmung 16 zwischen und Lichtquelle und Lichtempfänger nötig. Die Anordnung nach Fig. 19 gewährleistet, dass nur Licht den Empfänger erreicht, welches die Probe, hier die Haut und die darunter liegenden Gewebeschichten, durchdrungen hat. Durch die Position der Sensor-Einheit ist das Gewebe in der gedachten Küvette bei jeder Messung identisch, bei erneutem Auflegen der Lichtquelleneinheit wird eine höhere Reproduzierbarkeit erreicht als bei einer Apparatur zur transreflektiven Messung.
Wird der spektral sensitive Bereich der Einheit (Fig. 22) 17 vollständig oder nur zum Teil, was eine Referenzmessung ermöglicht, mit einer Schicht eines Indikators 18 versehen welcher z.B. auf den Blutzuckergehalt reversibel reagiert, kann mittels eines solchen implantierten Sensors und einer Einheit aus Energieversorgung, Datenübertragung und Beleuchtung als Handgerät jederzeit verletzungsfrei der Blutzuckergehalt bestimmt werden. Grundsätzlich entfallt mit der vorgestellten Einheit die Notwendigkeit zur Probenentnahme, da das durchstrahlte Volumen oder das den Indikator beeinflussende Volumen nicht abgetrennt oder entnommen werden muss.
Wird der beschriebene Sensor mit einer Lichtquelle 19 versehen, so entsteht ein komplettes Absorptions- oder Reflektionsspektrometer welches in einem hermetisch dichten Gehäuse 20 in agressiven Medien eingesetzt werden kann. Dieses Spektrometer kann zb. in den Magen gebracht werden und auf dem Weg durch den Magen-Darm- Trackt kontinuierlich Messungen durchfuhren. Es ist in Verbindung mit einem entsprechenden Indikator möglich z.B. den pH- Wert im Verlauf des Magen-Darm-
Tracktes zu bestimmen. Die Position eines solchen Spektrometers wird mit der Einheit zur Energieversorgung und Datenübertragung festgestellt. In diese Einheit kann beispielsweise auch die Datenverarbeitung und Anzeige integriert sein.
Eine entsprechende Sensoreinheit kann ebenfalls mit einem Datenspeicher versehen sein, welcher eine eindeutige Identifikation ermöglicht und zur Speicherung von z.B. einer Patientenhistorie verwendet werden kann.
Eine entsprechende Sensoreinheit kann Messdaten zur Steuerung eines Dosiergerätes liefern und in Kombination mit diesem z.B. den Insulinspiegel konstant halten. Eine Einheit zur Energieversorgung und Datenübertragung und Datenverarbeitung kann Dosierungsvorgaben zur Verfügung stellen.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines optischen Filterarrays mit zwei DBR-Spiegeln (3, 4) und einer zwischen diesen vorhandenen Kavität, die eine Vielzahl von unterschiedliche Höhen aufweisenden, je ein Fabry-Perot-Filterelement (2a bis 2g) bildenden Kavitätsabschnitten (5a bis 5g) enthält, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Aufbringen eines ersten DBR-Spiegels (3) auf ein Substrat (1), Ausbildung einer aus einem Kavitätsmaterial bestehenden Schicht (5) auf dem DBR-Spiegel (3), wobei diese Schicht (5) durch Anwendung eines Nanoimprint- Verfahrens mit der Vielzahl der die Filterelemente (2a bis 2g) bildenden Kavitätsabschnitte (5a bis 5g) versehen wird, und Aufbringen des zweiten DBR-Spiegels (4) auf das Kavitätsmaterial mit einer durch die unterschiedlichen Höhen der Kavitätsabschnitte (5a bis 5g) vorgegebenen Strukturierung.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat (1) ein mit einer fotoelektrischen Detektoreinrichtung versehenes Substrat verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine den Filterelementen (2a bis 2g) zugewandte Oberfläche des Substrats (1) vor dem Aufbringen des ersten DBR-Spiegels (3) geglättet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierung unter Anwendung eines thermisch verformbaren Kavitätsmaterials erfolgt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierung unter Anwendung eines flüsssigen oder zähflüssigen, durch Licht härtbaren Kavitätsmaterials erfolgt und das Kavitätsmaterial nach der Abformung mit Licht ausgehärtet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Brechungs- index der Schicht (5) mit Hilfe eines implantierenden Verfahrens lokal verändert wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (5) mit einer vorgewählten Dicke aufgebracht und ihre Dicke dann mit Hilfe eines abtragenden Verfahrens lokal reduziert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Reduktion der Dicke der Schicht (5) durch Ätzen erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (5) dadurch strukturiert wird, dass sie unterschiedlich dick auf dem ersten DBR-Spiegel (3) deponiert wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Kavitäts- material ein Polymer verwendet wird und die Deposition der DBR-Spiegel (3, 4) durch Abscheidung aus einer Gasphase mit Plasmaunterstützung (PECVD) erfolgt, wobei zumindest die Deposition des auf dem Kavitätsmaterial abzuscheidenden DBR-Spiegels (4) bei einer unterhalb einer Glasübergangstemperatur der Polymers liegenden Temperatur vorgenommen wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1), die DBR-Spiegel (3, 4) und die Schicht (5) aus dem Kavitätsmaterial getrennt voneinander hergestellt und dann paßgenau aufeinander gelegt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung des Substrats (1) und der übrigen Teile in Wafergröße erfolgt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchführung des Nanoimprint-Verfahrens mit Hilfe eines Stempels (12) erfolgt, der unter Zuhilfenahme einer der folgenden Techniken hergestellt wird: LIGA-Technik, MIGA-Technik, Elektonen-, Ionen- oder Partikelstrahl-Deposition, Deposition unter Zuhilfenahme elektromagnetischer Wellen oder Deposition mit Plasmaunterstützung.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Deposition der Schicht (5) vor Durchführung des Nanoimprint-Verfahrens mit einem modifizierten Tintenstrahl-Druckverfahren erfolgt.
15. Optisches Filterarray mit einem für eine zu detektierende elektromagnetische Strahlung durchlässigen Substrat (1), auf dem ein erster DBR-Spiegel (3), ein zweiter DBR-Spiegel (4) und eine Vielzahl von zwischen den beiden DBR-Spiegeln (3, 4) räumlich getrennt angeordneten, aus je einem Kavitätsmaterial bestehenden Kavitätsabschnitten (5a bis 5g) angeordnet ist, die unterschiedliche optische Längen (Ll, L2) haben und mit den beiden DBR-Spiegeln (3, 4) je ein Filterelement (2a bis 2g) bilden, wobei das Filter (2) in einem durch die DBR-Spiegel (3, 4) bestimmten Stopband reflektiert und wobei jedes Filterelement (2a bis 2g) mindestens ein durch die optische Länge von dessen Kavitätsabschnitt (5a bis 5g) bestimmtes, innerhalb des Stopbandes liegendes, schmales Transmissionsband aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die unterschiedlichen Dicken der Kavitätsabschnitte (5a bis 5g) durch Anwendung eines Nanoimprint-Verfahrens hergestellt sind.
16. Filterarray nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektoreinrichtung als CCD- oder CMOS-Schaltung realisiert und die Filterelemente (2a bis 2g) unmittelbar auf der CCD- oder CMOS-Schaltung aufgebaut sind.
17. Filterarray nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavitätsabschnitte (5a bis 5d) mesaförmig ausgebildet sind.
18. Filterarray nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavitätsabschnitte (5e bis 5g) linsenförmig ausgebildet sind.
19. Filterarray nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavitätsabschnitte (5e bis 5g) derart linsenförmig ausgebildet sind, dass sie für unterschiedliche Einfallswinkel gleiche optische Längen (L) aufweisen.
20. Filterarray nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavitäts- abschnitte (5a bis 5g) aus einem thermisch verformbaren Material bestehen.
21. Filterarray nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente (2a bis 2g) und ihnen zugeordnete Fotoelemente (7a bis 7g) polarkoordinatenartig zeilen- und spaltenweise angeordnet sind.
22. Filterarray nach einem der Ansprüche 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente (2a bis 2g) und ihnen zugeordnete Fotoelemente (7a bis 7g) in einer linearen oder gekrümmten Zeile angeordnet sind.
23. Filterarray nach einem der Ansprüche 15 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Filter- und Fotoelemente (2a bis 2g; 7a bis 7g) in einer unregelmäßigen, jedoch vorgewählten Verteilung angeordnet sind.
24. Filterarray nach einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) und/oder das Filter (2) auf der Basis von organischen oder anorganischen Materialien hergestellt ist.
25. Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, von einem Gegenstand ausgehenden Strahlung, enthaltend eine Vielzahl von miniaturisierten Filterelementen (5, 5a bis 5d) mit unterschiedlichen, engen spektralen Durchlassbereichen und den Fotoelementen (5, 5a bis 5d) zugeordneten, fotoelektrischen Sensorelementen (3), wobei die Filterelemente (5, 5a bis 5d) nebeneinander angeordnet sind und zusammen mit den Sensorelementen (3) ein Sensor- und Filterarray bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die spektralen Durchlassbereiche mit einer statistischen oder pseudostatistischen Verteilung in dem Sensor- und Filterarray verteilt angeordnet sind.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensor- und Filterarray aus benachbarten Sensor- und Filterelementen (3, 5, 5a bis 5d) gebildete Bereiche (6a, 6b, 6c) aufweist und die Filterelemente (5, 5a bis 5d) aufgrund der statistischen oder pseudostatischen Verteilung in allen Bereichen (6a, 6b, 6c) ähnliche Durchlassbereiche aufweisen.
27. Vorrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass alle Bereiche (6a, 6b, 6c) dieselbe Anzahl von Filterelementen (5, 5a bis 5d) aufweisen.
28. Vorrichtung nach Anspruch 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet, dass sie Mittel aufweist, mittels derer die Bereiche (6a, 6b, 6c) bei der Auswertung der untersuchten Strahlung wahlweise festlegbar sind.
29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensor- und Filterarray wenigstens einen ersten und einen zweiten Abschnitt (7a, 7c) aufweist, wobei die Durchlassbereiche in dem ersten Abschnitt (7a) eine statistische oder pseudostatistische Verteilung und in dem zweiten Abschnitt (7c) eine zu einem vorgewählten Punkt der Sensor- und Filterarray zentralsymmetrische Anordnung bezüglich des ersten Abschnitts aufweisen.
30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensor- und Filterarray wenigstens einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist, wobei die Durchlassbereiche in dem ersten Abschnitt eine statistische oder pseudostatistische Verteilung und in dem zweiten Abschnitt eine zu einer vorgewählten Linie der Sensor- und Filterarray spiegelsymmetrische Anordnung bezüglich des ersten Abschnitts aufweisen.
31. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlassbereiche den Filterelementen (5) so zugeordnet sind, dass sich eine zu einem vorgewählten Punkt des Sensor- und Filterarrays rotationssymmetrische Verteilung der Durchlassbereiche ergibt.
32. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass der statistischen Verteilung eine lineare Verteilung derart überlagert ist, dass den Filterelementen (5a, 5b) in einem vorgewählten Punkt (14) der Sensor- und Filterarray nahen Zonen im Mittel kürzerwellige Durchlassbereiche und mit zunehmenden Abständen von diesem Punkt (14) im Mittel zunehmend längerwellige Durchlassbereiche zugeordnet sind.
33. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensor- und Filterarray wenigstens vierzig Filterelemente (5, 5a bis 5d) mit unterschiedlichen spektralen Durchlassbereichen enthält.
34. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensor- und Filterelemente (3; 5, 5a bis 5d) kartesisch Zeilen- und spaltenweise angeordnet sind.
35. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensor- und Filterelemente (3; 5, 5a bis 5d) polarkoordinatenartig Zeilen- und spaltenweise angeordnet sind.
36. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (12, 17, 20a, bis 2Od) ein scheibenförmiges Substrat (2) aufweist, in dem die Sensorelemente (5) angeordnet sind.
37. Vorrichtung nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) aus einer im Wesentlichen planparallelen, ebenen oder gekrümmten Scheibe besteht.
38. Vorrichtung nach Anspruch 36 oder 37, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) gleichzeitig das Substrat für die Filterelemente (5, 5a bis 5d) bildet.
39. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente (5a bis 5d) aus Fabry-Perot-Filterelementen bestehen.
40. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente (5a bis 5d) aus zwei DBR-Spiegeln (26, 27) und zwischen den DBR-Spiegeln (26, 27) angeordneten, unterschiedliche optische Längen aufweisenden Kavitätsabschnitten (28a bis 28d) bestehen.
41. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensor- und Filterarray in CCD- und/oder CMOS-Technik hergestellt ist.
42. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 41, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente (5) auf eine von elektrischen Leitungen (4) freie Oberfläche (2b) des Substrats (2) aufgebracht sind.
43. Vorrichtung nach Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) zumindest im Bereich der fotoelektrischen Sensorelemente (3) eine in Abhängigkeit von der Eindringtiefe der Strahlung gewählte Dicke aufweist.
44. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Spektralbereiche der Filterelemente (5, 5a bis 5d) höchstens einige Nanometer beträgt, insbesondere z. B. bis zu 4 nm im sichtbaren Bereich, mehr als 10 nm im nahen Infrarot und bis zu 10 nm oder mehr bei noch größeren Wellenlängen.
45. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 44, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensor- und Filterelemente (3, 5) laterale Abmessungen von höchstens 100 μm aufweisen.
46. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) mit einem zur Aufnahme einer Lichtquelle (14, 22a bis 22d) bestimmten Loch versehen ist.
47. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 46, dadurch gekennzeichnet, dass sie zwei zur Erfassung einer vom Gegenstand (11, 18, 21) remittierten oder transmittierten Strahlung eingerichtet ist.
48. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 47, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Erfassung einer vom Gegenstand ausgehenden Fluoreszenz-, Phosphoreszenz oder Streustrahlung eingerichtet ist.
49. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 48 welches ein Substrat (Fig. 16a) mit einer Vielzahl für eine zu detektierende Strahlung empfindlichen Fotolelementen 5a und ein Substrat (Fig. 16b) 10 mit einer Vielzahl von aufgebrachten miniaturisierten Fabry-Perot-Filterelementen 2a enthält, die für wenigstens je einen aus einer Vielzahl von unterschiedlichen Spektralbereichen der zu detektierenden Strahlung ausgewählten Spektralbereich durchlässig sind, wobei das Substrat der Sensoreinrichtung oder der Filtereinrichtung 2a gleichzeitig (Fig. 17) das Fenster 10 des Gehäuses des optoelektronischen Bauelementes bildet.
50. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 49 dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente auf der dem Fotoelemente-Substrat zugewandten Seite des Substrates angebracht sind. Dadurch befinden sich die Filterelemente im inneren des Bauteils und somit näher an den Fotoelementen und sind zudem vor Umwelteinflüssen geschützt.
51. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 50 dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat der Filterelemente vollständig oder teilweise weitere optische Komponenten wie beispielsweise Mikrolinsenanodnungen, Lichtleitern oder Blenden angebracht sind.
52. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 51 dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat der Filterlelemente vollständig oder teilweise weitere optische Funktionen als der eines Fensters aufweist, z.B. die eines Bandpassfilters oder Lowpassfilters, welche allen oder einen räumlich benachbarten Teil der Filterlemente zugeordnet ist.
53. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 52, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des als Fenster verwendeten Substrates der Filterelemente vollständig oder für einen eines Teils derart gewählt ist, so dass diese für die Funktion der weiteren optischen Komponenten oder für die Funktion des Bauelements für einen großen Wellenlängenbereich besonders vorteilhaft ist.
54. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 53, dadurch gekennzeichnet, dass die endgültige Zuordnung nach der Montage bestimmt wird und bei der Verarbeitung der Signale der Fotoelemente auf rein elektronischem Wege mit Hilfe einer entsprechenden Auswerteschaltung oder -logik oder eines Auswertungsprogramms berücksichtigt wird.
55. Bauelement nach einem der Ansprüche 25 bis 54 dadurch gekennzeichnet, dass die sich durch die Montage ergebende Zuordnung bestimmt wird, in einer elektronischen Schaltung innerhalb des Substrates der Fotoelemente oder eines weiteren Substrates innerhalb des Gehäuses gespeichert wird und bei der Ausgabe der Signale vom Bauelement berücksichtigt wird, so dass z.B. für alle Bauelemente eines Typs eine standardisierte Ausgabe erfolgt.
56. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis55, dadurch gekennzeichnet, dass sie als Chip mit einer Größe von wenigen Quadratmillimetern und wenigstens eintausend
Sensor- und Filterelementen (3, 5) ausgebildet ist.
57. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 56, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterelemente (5, 5a bis 5d) und ihnen zugeordnete Sensorelemente (3) zu einem einstückigen, auf den Gegenstand (11, 18, 21), z.B Gewebe bzw. Körperteile oder aus der Tiefe zurückstreuendem Material, auflegbaren Sensor (12, 17, 20a bis 2Od) zusammengefasst sind.
58. Bauelement (Fig. 18) nach einem der Ansprüche 25 bis 57, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte: Design eines optischen Filters (2) einschließlich der zugehörigen Filterelemente (2a bis 2e), Design eines Substrats für die Filterelemente 10 einschließlich darin enthaltener optischer Funktionen 10a und weiterer aufgebrachter optischen Komponenten wie z.B. Mikrolinsenanodnungen 3, Lichtleitern oder Blenden 4, Design eines weiteren Substrats (5) einschließlich darin enthaltener Sensorelemente 5a-5e, Deposition eines ersten DBR-Spiegels 1 1 auf einer Seite des Substrats 10, Deposition einer Schicht eines Kavitätsmaterials auf dem ersten DBR-Spiegel 1 1, Strukturierung der Dicke und/oder des Brechungsindex der Schicht 12 in Abhängigkeit vom Design der Filterelemente und Deposition eines zweiten DBR-Spiegels 13 auf der strukturierten Schicht, Montage in ein Gehäuse 6 z.B. für gesockelte Montage oder Montage mittels Löten, dabei werden die Fotoelemente bzw. das Substrat mit den Fotoelementen als auch die Filterelemente bzw. das Substrat der Filterelemente in ein Bauelement vereinigt, wobei die Zuordnung der Fotoelemente zu den Filterelementen erst durch die Montage erfolgen kann bzw. durch die Toleranzen beeinflusst wird, die endgültige Zuordnung bestimmt wird und bei der Verarbeitung der Signale der Fotoelemente auf rein elektronischem Wege mit Hilfe einer entsprechenden Auswerteschaltung oder -logik oder eines Auswertungsprogramms berücksichtigt wird, oder die sich durch die Montage ergebende Zuordnung wird bestimmt, in einer elektronischen Schaltung innerhalb des Substrates der Fotoelemente oder eines weiteren Substrates innerhalb des Gehäuses gespeichert und bei der Ausgabe der Signale vom Bauelement berücksichtigt wird.
59. Bauelement nach wenigstens einem der Ansprüche 25 bis 58, dadurch gekennzeichnet dass eine oder mehrere gerichtete oder ungerichtete Lichtquellen auch unterschiedlicher
Emissionsbreite und -bereiche integriert sind.
60. Bauelement nach wenigstens einem der Ansprüche 25 bis 59, dadurch gekennzeichnet dass eine oder mehrere Aufnahmen für Lichtwellenleiter bzw. Fasern integriert sind, so dass die Lage von Lichtaustrittspunkt zum Lichteintrittspunkt bzw. Filter durch das Bauelement vorgegeben wird.
61. Anwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 60 für computerto- mographische Auswertungen.
62. Anwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 25 bis 61 für die Ermittlung von Remissionsspektren der menschlichen Haut.
63) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 62, dadurch gekennzeichnet, dass ein entsprechend flacher spektral empfindlichen Sensor mit einer draht bzw. kontaktlosen
Energieversorgung und einer ebensolchen Datenübertragung kombiniert wird, so dass die Kombination beispielsweise zur Implantation in den menschlichen Körper geeignet ist.
64) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 63 dadurch gekennzeichnet, dass sie zusätzlich mit einer Lichtquelle kombiniert ist.
65) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 64 dadurch gekennzeichnet, dass sie mit einem Indikator kombiniert ist, der auf Umgebungsbedingungen wie pH- Wert reversibel reagiert.
66) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 65 dadurch gekennzeichnet, dass sie sich, als Einheit in einem hermetisch dichten Gehäuse befindet. 67) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 66 dadurch gekennzeichnet, dass sie resistent gegen aggressive Medien ist.
68) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 67 dadurch gekennzeichnet, dass sie einen integrierten Datenspeicher besitzt.
69) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 68, dadurch gekennzeichnet, dass die Einheit aus Energieübertragung, Datenübertragung und Datenverarbeitung in ein Dosiergerät integriert ist.
70) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 69, dadurch gekennzeichnet, dass die Einheit aus Energieübertragung, Datenübertragung und Datenverarbeitung ein Dosiergerät steuert.
71) Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 70, dadurch gekennzeichnet, dass die Einheit aus Energieübertragung, Datenübertragung und Datenverarbeitung Dosierungsvorgaben z. B. über eine Anzeige zur Verfügung stellt.
PCT/EP2007/007075 2006-08-09 2007-08-09 Optisches filter und verfahren zur herstellung desselben, sowie vorrichtung zur untersuchung elektromagnetischer strahlung Ceased WO2008017490A2 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07801588A EP2057446A2 (de) 2006-08-09 2007-08-09 Optisches filter und verfahren zur herstellung desselben, sowie vorrichtung zur untersuchung elektromagnetischer strahlung
US12/376,690 US8629986B2 (en) 2006-08-09 2007-08-09 Optical filter and method for the production of the same, and device for the examination of electromagnetic radiation
US14/094,804 US9244208B2 (en) 2006-08-09 2013-12-03 Optical filter and method for the production of the same, and device for the examination of electromagnetic radiation

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006039073A DE102006039073A1 (de) 2006-08-09 2006-08-09 Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, von einem Gegenstand ausgehenden Strahlung
DE102006039073.3 2006-08-09
DE102006039071.7 2006-08-09
DE102006039071A DE102006039071B4 (de) 2006-08-09 2006-08-09 Optisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/376,690 A-371-Of-International US8629986B2 (en) 2006-08-09 2007-08-09 Optical filter and method for the production of the same, and device for the examination of electromagnetic radiation
US14/094,804 Continuation US9244208B2 (en) 2006-08-09 2013-12-03 Optical filter and method for the production of the same, and device for the examination of electromagnetic radiation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2008017490A2 true WO2008017490A2 (de) 2008-02-14
WO2008017490A3 WO2008017490A3 (de) 2008-06-26

Family

ID=38896930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/007075 Ceased WO2008017490A2 (de) 2006-08-09 2007-08-09 Optisches filter und verfahren zur herstellung desselben, sowie vorrichtung zur untersuchung elektromagnetischer strahlung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8629986B2 (de)
EP (1) EP2057446A2 (de)
CN (1) CN104316987A (de)
WO (1) WO2008017490A2 (de)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2928490A1 (fr) * 2008-03-07 2009-09-11 St Microelectronics Sa Circuit integre comprenant des miroirs enterres a des profondeurs differentes
FR2937425A1 (fr) * 2008-10-22 2010-04-23 Commissariat Energie Atomique Structure de filtrage optique en longueur d'onde et capteur d'images associe
WO2010056285A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Eastman Kodak Company Image sensors having gratings for color separation
JP2012112723A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Hamamatsu Photonics Kk 分光センサの製造方法
US8873056B2 (en) 2010-11-22 2014-10-28 Hamamatsu Photonics K.K. Spectroscopic sensor
US8980675B2 (en) 2011-10-04 2015-03-17 Hamamatsu Photonics K.K. Production method for spectroscopic sensor
US9885814B2 (en) * 2011-05-25 2018-02-06 Soochow University Method for making color image and color filter manufactured with the method
EP2522968B1 (de) * 2009-11-30 2021-04-21 IMEC vzw Integrierte Schaltung für spektrales Abbildungssystem
CN113167650A (zh) * 2019-01-16 2021-07-23 松下知识产权经营株式会社 光学滤光器、光检测装置及光检测系统
CN113167649A (zh) * 2019-01-16 2021-07-23 松下知识产权经营株式会社 光检测装置、光检测系统及滤光器阵列
JP2022058424A (ja) * 2019-03-06 2022-04-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ
TWI791917B (zh) * 2018-11-02 2023-02-11 美商菲爾薇解析公司 階梯式結構光學濾波器

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011073430A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Vito Nv (Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek) Geometric referencing of multi-spectral data
JP5663900B2 (ja) 2010-03-05 2015-02-04 セイコーエプソン株式会社 分光センサー装置及び電子機器
JP5765081B2 (ja) * 2011-06-22 2015-08-19 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器、製造方法、および検査装置
FR2977684A1 (fr) * 2011-07-08 2013-01-11 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation par impression d'un filtre pour une radiation electromagnetique
DE102012005583A1 (de) 2011-08-12 2013-05-29 Opsolution Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzielung von Biofeedback-Informationen
WO2013023637A2 (de) 2011-08-12 2013-02-21 Opsolution Gmbh Verfahren und vorrichtung zur erzielung von biofeedback-informationen
JP5337212B2 (ja) * 2011-09-02 2013-11-06 株式会社東芝 固体撮像素子
JP6074274B2 (ja) * 2012-02-01 2017-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9304040B2 (en) * 2013-05-21 2016-04-05 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Method and apparatus for multiplexed fabry-perot spectroscopy
CN103728683A (zh) * 2013-12-25 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
TWI695557B (zh) * 2014-09-23 2020-06-01 新加坡商海特根微光學公司 緊密、功率效率高之堆疊寬頻光學發射器
US10048127B2 (en) 2015-08-05 2018-08-14 Viavi Solutions Inc. Optical filter and spectrometer
EP3182079B1 (de) * 2015-12-14 2023-08-23 ams AG Vorrichtung zur optischen messung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung zur optischen messung
JP6391901B2 (ja) * 2016-07-22 2018-09-19 三菱電機株式会社 光受信モジュール
US11215813B2 (en) 2016-09-26 2022-01-04 Kazuhiro Yamamoto Display element
IT201700053528A1 (it) * 2017-05-17 2018-11-17 St Microelectronics Srl Dispositivo optoelettronico accordabile e sensore di pressione sanguigna includente il medesimo
US11642070B2 (en) 2017-07-18 2023-05-09 Headwall Photonics, Inc. Diagnostic system and methods for simultaneously detecting light at multiple detection locations in a spectroscopic system
US11156753B2 (en) 2017-12-18 2021-10-26 Viavi Solutions Inc. Optical filters
GB2574805A (en) * 2018-06-14 2019-12-25 Cambridge Entpr Ltd A single step lithography colour filter
WO2021009264A1 (en) * 2019-07-16 2021-01-21 Ams International Ag Reconstructing light wavelength spectrum with thin-film device
CN111081860A (zh) * 2019-11-28 2020-04-28 天津大学 一种宽谱高效率的超导纳米线单光子探测器
CN111769168B (zh) * 2020-07-06 2022-03-11 武汉光谷量子技术有限公司 窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法
KR102662357B1 (ko) * 2020-11-12 2024-04-30 서울대학교산학협력단 파장 변환 물질을 포함하는 공진 공동 구조체
WO2022147062A1 (en) 2020-12-30 2022-07-07 HAMR Industries LLC Multifunctional optical filters
US12416526B2 (en) 2021-03-01 2025-09-16 Solventum Intellectual Properties Company Optical stack, optical device and optical construction
FR3137448B1 (fr) * 2022-07-04 2024-07-05 Commissariat Energie Atomique Matrice de filtrage multispectral à filtres de Fabry-Pérot incurvés et procédés de fabrication
KR20240097495A (ko) 2022-12-20 2024-06-27 삼성전자주식회사 전자장치에서 건강 정보를 제공하는 방법 및 그 전자장치
US20240345299A1 (en) * 2023-04-12 2024-10-17 Visera Technologies Company Limited Optical structure
WO2024228453A1 (ko) * 2023-05-02 2024-11-07 한국기계연구원 대역 투과필터를 포함하는 광센서 모듈 및 이를 포함하는 공정 모니터링 시스템
FR3153430B1 (fr) * 2023-09-26 2025-10-24 Commissariat A L Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’une matrice de filtrage multispectral à filtres de Fabry-Pérot incurvés
EP4545283A1 (de) * 2023-10-23 2025-04-30 trinamiX GmbH Verfahren zur herstellung eines interferenzfilters
DE102024105724A1 (de) * 2024-02-29 2025-09-04 Carl Zeiss Spectroscopy Gmbh Spektrometer zur spektralen Vermessung einer Probe

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822998A (en) * 1986-05-15 1989-04-18 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Spectral sensor with interference filter
US5144498A (en) 1990-02-14 1992-09-01 Hewlett-Packard Company Variable wavelength light filter and sensor system
US5784507A (en) 1991-04-05 1998-07-21 Holm-Kennedy; James W. Integrated optical wavelength discrimination devices and methods for fabricating same
US5387977A (en) 1991-09-04 1995-02-07 X-Rite, Incorporated Multiangular color measuring apparatus
US5568186A (en) 1993-11-15 1996-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Focal plane filtered multispectral multidetector imager
WO1995017690A1 (en) 1993-12-23 1995-06-29 Honeywell Inc. Color filter array
DE4431412C1 (de) 1994-08-24 1996-03-14 William Newton Vorrichtung zur Durchführung spektroskopischer Messungen
US5497003A (en) 1995-02-15 1996-03-05 Servo Corporation Of America Pyroelectric detector array with optical filter elements
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
DE19609073A1 (de) 1996-03-08 1997-09-11 Forschungszentrum Juelich Gmbh Farbselektives Si-Detektorarray
DE19638693C2 (de) 1996-09-20 1998-12-17 Fraunhofer Ges Forschung Photodetektor und Farbfilter unter Verwendung eines Photodetektors
DE69824516T2 (de) 1997-10-20 2005-06-23 Nippon Telegraph And Telephone Corp. Scheibenförmiger abstimmbarer optischer Filter
AU2492399A (en) * 1998-02-02 1999-08-16 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
US6323987B1 (en) 1999-05-14 2001-11-27 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Controlled multi-wavelength etalon
US6462876B1 (en) 1999-11-16 2002-10-08 Agere Systems Guardian Corp. Multi-wavelength etalon
KR100832604B1 (ko) 2000-05-30 2008-05-27 시스테무.로케이션 가부시키가이샤 차량 재판매가격 분석장치
CA2396859A1 (en) 2001-08-06 2003-02-06 Coho Holdings, Llc Optical device for filtering and sensing
US7179654B2 (en) 2002-03-18 2007-02-20 Agilent Technologies, Inc. Biochemical assay with programmable array detection
US6998613B2 (en) 2003-04-22 2006-02-14 Raytheon Company Integrated spectroscopic microbolometer with microfilter arrays
FR2855608B1 (fr) 2003-05-28 2005-07-08 Onera (Off Nat Aerospatiale) Spectrometre statique par transformee de fourier
WO2005089098A2 (en) * 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
EP1784678A2 (de) * 2004-08-19 2007-05-16 University of Pittsburgh Optische spektralanalysatoren auf chipmassstab mit verbesserter auflösung
US7291824B2 (en) * 2005-12-22 2007-11-06 Palo Alto Research Center Incorporated Photosensing throughout energy range and in subranges
US7310153B2 (en) * 2004-08-23 2007-12-18 Palo Alto Research Center, Incorporated Using position-sensitive detectors for wavelength determination
US7522786B2 (en) * 2005-12-22 2009-04-21 Palo Alto Research Center Incorporated Transmitting light with photon energy information
SE0402576D0 (sv) 2004-10-25 2004-10-25 Forskarpatent I Uppsala Ab Multispectral and hyperspectral imaging
US7385704B2 (en) * 2005-03-30 2008-06-10 Xerox Corporation Two-dimensional spectral cameras and methods for capturing spectral information using two-dimensional spectral cameras
US7399421B2 (en) * 2005-08-02 2008-07-15 International Business Machines Corporation Injection molded microoptics
JP4612514B2 (ja) * 2005-09-27 2011-01-12 株式会社東芝 磁気記録媒体用スタンパ、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体用スタンパの製造方法
US7734131B2 (en) * 2006-04-18 2010-06-08 Xerox Corporation Fabry-Perot tunable filter using a bonded pair of transparent substrates

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902621B2 (en) 2008-03-07 2011-03-08 Stmicroelectronics S.A. Integrated circuit comprising mirrors buried at different depths
FR2928490A1 (fr) * 2008-03-07 2009-09-11 St Microelectronics Sa Circuit integre comprenant des miroirs enterres a des profondeurs differentes
US8675280B2 (en) 2008-10-22 2014-03-18 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Wavelength optical filter structure and associated image sensor
FR2937425A1 (fr) * 2008-10-22 2010-04-23 Commissariat Energie Atomique Structure de filtrage optique en longueur d'onde et capteur d'images associe
WO2010046369A1 (fr) * 2008-10-22 2010-04-29 Commissariat A L'energie Atomique Structure de filtrage optique en longueur d'onde et capteur d'images associé
WO2010056285A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Eastman Kodak Company Image sensors having gratings for color separation
US8400537B2 (en) 2008-11-13 2013-03-19 Omnivision Technologies, Inc. Image sensors having gratings for color separation
US11733095B2 (en) 2009-11-30 2023-08-22 Imec Hyperspectral image sensor with calibration
EP2511681B1 (de) * 2009-11-30 2024-05-22 IMEC vzw Integrierte schaltung für spektrales abbildungssystem
EP2522968B1 (de) * 2009-11-30 2021-04-21 IMEC vzw Integrierte Schaltung für spektrales Abbildungssystem
EP4137790A1 (de) * 2009-11-30 2023-02-22 Imec VZW Integrierte schaltung für ein spektrales bildgebungssystem
DE112011103858T5 (de) 2010-11-22 2013-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Verfahren zum Herstellen eines Spektroskopiesensors
US8715443B2 (en) 2010-11-22 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method for producing spectroscopic sensor
US8873056B2 (en) 2010-11-22 2014-10-28 Hamamatsu Photonics K.K. Spectroscopic sensor
JP2012112723A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Hamamatsu Photonics Kk 分光センサの製造方法
DE112011103858B4 (de) 2010-11-22 2020-08-06 Hamamatsu Photonics K.K. Verfahren zum Herstellen eines Spektroskopiesensors
US9885814B2 (en) * 2011-05-25 2018-02-06 Soochow University Method for making color image and color filter manufactured with the method
DE112012004131B4 (de) * 2011-10-04 2025-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Herstellungsverfahren für einen spektroskopischen Sensor
US8980675B2 (en) 2011-10-04 2015-03-17 Hamamatsu Photonics K.K. Production method for spectroscopic sensor
TWI907760B (zh) * 2018-11-02 2025-12-11 美商菲爾薇解析公司 階梯式結構光學濾波器
TWI791917B (zh) * 2018-11-02 2023-02-11 美商菲爾薇解析公司 階梯式結構光學濾波器
US11892664B2 (en) 2018-11-02 2024-02-06 Viavi Solutions Inc. Stepped structure optical filter
US12436328B2 (en) 2018-11-02 2025-10-07 Viavi Solutions Inc. Stepped structure optical filter
CN113167649A (zh) * 2019-01-16 2021-07-23 松下知识产权经营株式会社 光检测装置、光检测系统及滤光器阵列
CN113167650A (zh) * 2019-01-16 2021-07-23 松下知识产权经营株式会社 光学滤光器、光检测装置及光检测系统
CN113167650B (zh) * 2019-01-16 2024-05-10 松下知识产权经营株式会社 光学滤光器、光检测装置及光检测系统
JP7213456B2 (ja) 2019-03-06 2023-01-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ
JP7457952B2 (ja) 2019-03-06 2024-03-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ
JP2022058424A (ja) * 2019-03-06 2022-04-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ

Also Published As

Publication number Publication date
CN104316987A (zh) 2015-01-28
EP2057446A2 (de) 2009-05-13
US8629986B2 (en) 2014-01-14
US20140151575A1 (en) 2014-06-05
US20110043823A1 (en) 2011-02-24
US9244208B2 (en) 2016-01-26
WO2008017490A3 (de) 2008-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008017490A2 (de) Optisches filter und verfahren zur herstellung desselben, sowie vorrichtung zur untersuchung elektromagnetischer strahlung
DE102006039071B4 (de) Optisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69933193T2 (de) Integrierter optischer Sensor und Verfahren zum integrierten optischen Nachweis einer Substanz
EP2387744B1 (de) Vorrichtung zur optischen navigation
DE19806681B4 (de) Mikrotiterplatte
EP2226648A2 (de) 3D -Bilderzeugungssystem mit Multispektralsensor
DE10145701A1 (de) Fluoreszenz-Biosensorchip und Fluoreszenz-Biosensorchip-Anordnung
EP1131618B1 (de) Messanordnung und messmethode zum parallelen auslesen von spr-sensoren
EP3204739B1 (de) Vorrichtung zur spektrometrischen erfassung von licht mit einer photodiode, die monolithisch in die schichtstruktur eines wellenlängenselektiven filters integriert ist
EP2513873B1 (de) Sensor zur prüfung von wertdokumenten
WO2004048881A2 (de) Messeinrichtung zur optischen untersuchung eines testelements
EP2985579B1 (de) Spektrometer mit monochromator und order-sorting-filter
WO2006045621A1 (de) Messeinrichtung und abtastvorrichtung zur bildelementweisen fotoelektrischen ausmessung eines messobjekts
DE102022102009A1 (de) Spektralsensormodul
DE102012214932B4 (de) Testprobenvorrichtung und Testverfahren für ein optisches, im Sub-Wellenlängenbereich auflösendes Mikroskop
DE102019208430A1 (de) Nicht-invasiver optischer Detektor für innere Substanzen
DE102010031919A1 (de) Messsonde für einen Sensor zur Analyse eines Mediums mittels Infrarotspektroskopie
DE102017201139A1 (de) Bauelement zum Begrenzen eines Einfallswinkels von Licht, Verfahren zum Herstellen desselben und Mikrospektrometer
EP3470822A1 (de) Vorrichtung zur bestimmung von reflexionskoeffizienten an dünnen schichten
DE102006039073A1 (de) Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, von einem Gegenstand ausgehenden Strahlung
WO2016012276A1 (de) Anordnung zur orts- und wellenlängenaufgelösten erfassung von lichtstrahlung, die von mindestens einer oled oder led emittiert wird
WO2012152753A1 (de) Vorrichtung zur erfassung des spektrums elektromagnetischer strahlung innerhalb eines vorgegebenen wellenlängenbereichs
WO2021004916A1 (de) Beleuchtungseinrichtung und verfahren zum herstellen einer beleuchtungseinrichtung
DE102006039072A1 (de) Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu seiner Herstellung und mit dem Bauelement ausgerüstetes Spektrometer
DE102015218484A1 (de) Referenzpixelarray für einen Bildsensor

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780036943.8

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07801588

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2007801588

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007801588

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12376690

Country of ref document: US