WO2008046552A1 - Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von mikrowellenplasmen hoher plasmadichte - Google Patents

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    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators

Definitions

  • the invention relates to a device for generating high plasma density microwave plasmas, which has at least one microwave feed, which is surrounded by at least one dielectric tube. Furthermore, a method of generating high plasma density microwave plasma by use of this device will be described.
  • Devices for generating microwave plasmas are used in the plasma treatment of workpieces and gases.
  • the plasma treatment is used for.
  • the workpiece or gas to be treated is brought into contact with the plasma or the microwave radiation.
  • the geometry of the workpieces to be treated ranges from flat substrates, fibers and webs to moldings of any shape.
  • the most important process gases are noble gases, fluorine- and chlorine-containing gases, hydrocarbons, furans, dioxins, hydrogen sulfide, oxygen, hydrogen, nitrogen, tetrafluoromethane, sulfur hexafluoride, air, water and their mixtures.
  • these gases can readily be used as process gases for other applications.
  • the above-mentioned documents have in common that they describe a microwave antenna inside a dielectric tube. If microwaves are generated in the interior of such a tube, surface waves form along the outside thereof. These surface waves generate a linearly stretched plasma in a process gas which is under low pressure. Typical lower pressures are 0.1 mbar - 10 mbar.
  • the volume inside the dielectric tube is typically at ambient pressure (generally normal pressure, about 1013 mbar).
  • a cooling gas flow through the tube is used to cool the dielectric tube.
  • microwaves for the supply of microwaves, inter alia, waveguide and Koaxialleit ⁇ r, as coupling points in the wall of the plasma chamber, inter alia, antennas and slots are used.
  • Such feed lines for microwaves and coupling points are described, for example, in DE 423 59 14 and WO 98/59359 A1.
  • the microwave frequencies used to generate the plasma are preferably in the range from 800 MHz to 2.5 GHz, more preferably in the ranges from 800 MHz to 950 MHz and 2.0-2.5 GHz, but the microwave frequency can be within the entire range of 10 MHz to a few 100 GHz.
  • DE 198 480 22 A1 and DE 195 032 05 C1 describe devices for generating plasma in a vacuum chamber by means of electromagnetic Senteidern, with a conductor which projects within a tube of insulating material in the vacuum chamber, wherein the insulating tube at both ends by walls the vacuum chamber is held and sealed against the walls on its outer surface.
  • the ends of the conductor are connected to a generator for generating the electromagnetic alternating fields.
  • homogeneous microwave plasmas With a device for the production of homogeneous microwave plasmas according to WO 98/59359 A1, particularly homogeneous plasmas can be produced over long distances, even at higher process pressures, due to the uniform coupling of the microwaves.
  • these sources are typically operated with microwave power of about 1 - 2 kW at a correspondingly low pressure (about 0.1 - 0.5 mbar).
  • the process pressures can Although also 1 mbar - 100 mbar be, but only under certain conditions and correspondingly lower power, so as not to destroy the pipe.
  • the object of the present invention is to overcome the abovementioned disadvantages and thus to obtain an increase in the plasma concentration and the process gas pressure.
  • a device for producing microwave plasmas according to claim 1.
  • This device has at least one microwave feed, which is surrounded by an inner dielectric tube.
  • This inner dielectric tube is in turn surrounded by at least one outer dielectric tube. Thereby a space is formed which is suitable for receiving and passing a fluid.
  • the device advantageously allows the passage of a fluid through the double-tube arrangement described above, which can be used for cooling or the supply to the process gas.
  • Suitable microwave feeds are known to the person skilled in the art.
  • a microwave feed consists of a structure that can radiate microwaves into the room. Structures that radiate microwaves are known to the person skilled in the art and can be implemented by all known microwave antennas and resonators with coupling points for coupling the microwave radiation into a room. Cavity resonators, rod antennas, slot antennas, helix antennas and omnidirectional antennas are preferred for the device described. Particularly preferred are coaxial resonators.
  • the microwave feed is connected to a microwave generator (e.g., klystron or magnetron) via microwave feeds (waveguide or coaxial).
  • a microwave generator e.g., klystron or magnetron
  • microwave feeds microwave feeds (waveguide or coaxial).
  • circulators, isolators, tuning elements (e.g., three-pin tuners or E / H tuners) and mode converters (e.g., rectangular to coaxial) may also be incorporated into the microwave feed.
  • the dielectric tubes are preferably elongate. This means here that the ratio pipe diameter: pipe length is between 1: 1 and 1: 1000, and preferably 1:10 to 1: 100.
  • the two tubes can be the same length or have a different length.
  • the tubes are preferably straight, but may also have a curved shape or corners along their longitudinal axis.
  • the cross-sectional area of the tubes is preferably circular, but generally any surface shapes are possible. Examples of other surface shapes are ellipses and polygons.
  • Elongated shape of the tubes requires an elongated plasma.
  • Elongated plasmas have the advantage that, by moving the plasma apparatus relative to a flat workpiece, large areas can be treated in a short time.
  • the dielectric tubes should have a low dielectric loss factor tan ⁇ for the microwave wavelength used at the given microwave frequency.
  • Low dielectric loss factors tan ⁇ are in the range 10 '2 to 10 "7 .
  • Suitable dielectric materials for the dielectric tubes are metal oxides, semi-metal oxides, ceramics, plastics, and composites of these materials. Particular preference is given to dielectric tubes made of quartz glass or aluminum oxide with dielectric loss factors tan ⁇ in the range 10 -3 to 10 -4 . In this case, the dielectric tubes may consist of the same material or different materials.
  • the dielectric tubes are closed at the end faces with walls.
  • a gas- or vacuum-tight connection between the pipes and the walls is advantageous. Connections between two workpieces are known to the person skilled in the art and can be, for example, adhesive, welding, clamping or screw connections.
  • the tightness of the compound can range from gas-tight to vacuum-tight, being vacuum tight, depending on the working environment, tightness in a rough vacuum (300 - 1 hPa), fine vacuum (1 - 10 '3 hPa), high vacuum (10 "3 - 10 " 7 hPa) or Ultra-high vacuum (10 "7 - 10 " 12 hPa).
  • vacuum-tight here means tightness in coarse or fine vacuum.
  • the walls may have passages through which a fluid can be passed.
  • the size and shape of the passages is arbitrary.
  • each wall can contain at least one aperture.
  • the fluid is passed through the space between the outer dielectric tube and the inner dielectric tube and is delivered through the openings in the walls at the end faces of the dielectric tube.
  • the flow rate and flow behavior (laminar or turbulent) of the dielectric fluid through the dielectric tube should be chosen so that the fluid, especially if it is a liquid, has good contact with the edge of the dielectric tube and, in addition, liquid Fluids come to no evaporation of the dielectric fluid.
  • the regulation of the flow rate and the fürström s by means of the pressure and the shape and size of the passages is known in the art.
  • both a gas and a dielectric liquid may be used.
  • a cooling of the dielectric tube by a fluid can not be realized in a simple manner, since the energy input of the microwaves to the fluid heats the latter.
  • Each additional heating of the fluid reduces the cooling effect on the dielectric tube.
  • This reduction of the cooling capacity can also lead to a negative cooling capacity at high Mikrowellenabsorpti- on the fluid. This corresponds to an additional heating of the dielectric tube.
  • the fluid In order to keep a heating of the fluid through the microwave low as possible, the fluid must at the wavelength of the microwaves a low dielectric loss tangent tan ⁇ in the range 10 -2 to 10 "have. 7 this way, a microwave power input is avoided in the fluid or to a Tolerable measure reduced.
  • liquid fluids offer a greater absorption of heat output than gaseous fluids.
  • Such a dielectric fluid is, for example, an insulating oil having a low dielectric loss factor.
  • Insulating oils are, for example, mineral oils, olefins (eg polyalphaolefin) or silicone oils (eg Coolanol® or dimethylpolysiloxanes).
  • Preferred as a dielectric liquid is hexadimethylsiloxane.
  • the material of the outer dielectric tube is replaced by a porous dielectric material.
  • Suitable porous dielectric materials are ceramics or sintered dielectrics, preferably alumina.
  • the gas has a resultant direction of movement radially away from the tube.
  • the proportion of excited particles is increased by the passage of the process gas through the range of maximum microwave intensity. This ensures an efficient transport of excited particles to the workpiece in this way. This increases both the concentration and the flux of excited particles.
  • Such an arrangement is also particularly well suited for carrying out pure gas conversion processes such as exhaust gas purification or gas synthesis processes. Additional process gases can optionally be fed through further porous tubes of the process chamber.
  • the porosity of the outer dielectric tube and the gas pressure control the flow (molecules per unit area per time) of the process gas or process gas mixture through the outer dielectric tube.
  • any known gas can be used.
  • the most important process gases are noble gases, fluorine- and chlorine-containing gases, hydrocarbons, furans, dioxins, hydrogen sulfide, oxygen, hydrogen, nitrogen, tetrafluoromethane, sulfur hexafluoride, air, water and their mixtures.
  • the process gas from exhaust gases of all kinds in particular carbon monoxide, hydrocarbons, nitrogen oxides, aldehydes and sulfur oxides.
  • these gases can readily be used as process gases for other applications.
  • a further dielectric tube may be introduced within the outer dielectric tube which surrounds the inner dielectric tube and is also connected at its end faces gas-tight or vacuum-tight to the walls.
  • the space between the outer dielectric tube and the inner dielectric tube is divided into outer and inner spaces.
  • the process gas is passed through the outer space, and a fluid passed through the inner space, a cooling of the inner dielectric tube and the microwave structure is possible. This in turn allows for higher process performance.
  • the fluid should not absorb the microwaves.
  • the liquid should be used for the used microwave length has a low dielectric loss factor tan ⁇ in the range 10 '2 to 10 "7 have.
  • a metallic sheathing may be applied around the outer dielectric tube which partially covers this tube.
  • This metallic sheath acts as a microwave shield and can be used e.g. consist of a metal tube, a bent metal sheet, a metal foil or even of a metallic layer and plugged, galvanized or applied in any other way.
  • Such metallic microwave shields can arbitrarily limit the angular range in which the generation of the plasma takes place (for example to 90 °, 180 ° or 270 °) and thus reduce the power requirement accordingly.
  • the above-described devices for producing plasmas form a plasma during operation on the outside of the dielectric tube.
  • the device is placed inside a room (plasma chamber). exaggerated.
  • this plasma chamber can have different shapes and openings and fulfill various functions.
  • the plasma chamber can contain the workpiece to be machined and the process gas (direct plasma process) or process gases and openings for the plasma exit have (remote plasma process, exhaust gas purification).
  • a fluid is passed through the space between the inner dielectric tube and the outer dielectric tube, preferably through passages in the walls.
  • the fluid may be a gas or a liquid.
  • the pressure of the fluid may be greater than, less than or equal to the atmospheric pressure.
  • a gaseous fluid preferably a process gas, particularly preferably an exhaust gas
  • a gaseous fluid is passed through the porous tube of the device described above with a porous outer tube and supplied to a plasma process.
  • the fluid preferably has a low dielectric loss factor tan ⁇ in the range 10 'a to 10 "7 .
  • a gas which is preferably a process gas
  • a fluid which preferably has a low dielectric loss factor tan ⁇ .
  • the outer dielectric tube preferably has a porous wall.
  • FIG. 1 shows sectional drawings of the one described above
  • FIG. 2 shows sectional drawings of the one described above
  • FIG. 3 shows sectional drawings of the one described above
  • FIG. 4 shows an embodiment with a metallic one
  • FIG. 5 shows a sectional drawing of the one described above
  • Figures 6 A and 6 B show a possible embodiment for the treatment of large-scale workpieces.
  • FIG. 1 shows the transverse and longitudinal section of a device for producing microwave plasmas with a microwave feed designed as a coaxial resonator.
  • the microwave feed contains an inner conductor (1), an outer conductor (2) and coupling points (4).
  • the microwave feed is surrounded by an outer dielectric tube (3) which separates the microwave supplying area from the plasma chamber (not shown) and on the outside of which the plasma is formed.
  • the outer dielectric see tube (3) is connected to the walls (5, 6) gas or vacuum tight.
  • an inner dielectric tube (10) which is also gas- or vacuum-tightly connected to the walls (5, 6) and to the outer dielectric tube (3) one from the microwave feed forms separated space through which a fluid can flow.
  • the fluid can be supplied or removed via the openings (8) and (9).
  • FIG 2 shows the transverse and longitudinal section of an embodiment of the sketched in Figure 1 apparatus for generating microwave plasmas, in which the wall of the outer dielectric tube (3) has pores (7).
  • the pores (7) are shown greatly enlarged in the drawing for clarity. Through these pores (7) gas can be passed through the outer dielectric tube in the plasma chamber. It passes through the tube wall of the outer dielectric tube (3), at which the field strength of the microwaves and thus the ionization of the plasma is greatest.
  • FIG 3 shows the transverse and longitudinal section of an embodiment of the sketched in Figure 1 apparatus for generating microwave plasmas, in which the microwave feed is surrounded by three nested tubes.
  • This triple tube arrangement comprises an inner dielectric tube (10) which is surrounded by a central dielectric tube (11), which in turn is surrounded by the outer dielectric tube (3). All three dielectric tubes are connected to the walls (5, 6) gas or vacuum tight.
  • a process gas can via the openings (8 a) and (9 a) on or be discharged and escape through pores (7) in the outer dielectric tube (3). Again, the pores (7) are shown greatly enlarged in the drawing for clarity.
  • a fluid for cooling the assembly flows through the inner space between the middle dielectric tube (11) and the inner dielectric tube (10) and can be supplied and removed via the openings (8b) and (9b).
  • Figure 4 shows a cross section of an embodiment of the device shown in Figure 1, in which the outer dielectric tube (3) is surrounded by a metallic sheath (12).
  • the angular range in which the generation of the plasma takes place is limited to 180 ° by the metallic casing.
  • Figure 5 shows a longitudinal section of a device (20), as described by Figure 1, in the installed state in a plasma chamber (21).
  • the cooling liquid (22) flows in this example through passages in the two end faces.
  • the plasma is formed during operation.
  • FIGS. 6A and 6B show, in a perspective view and in a cross-section, an embodiment (20) in which the largest part of the outer surface of the outer dielectric tube is enclosed by a metal trim (12), and a plasma (31) which is in FIG The drawing is indicated by transparent arrows, can arise only in a narrow range.
  • a workpiece (30) which moves relative to the device can be treated in this area with plasma over a large area.
  • All embodiments are powered by a microwave supply, not shown in the drawings, consisting of a microwave generator and possibly additional elements. These elements may e.g. Circulators, isolators, tuning elements (e.g., three-pin tuners or E / H tuners) and mode converters (e.g., rectangular to coaxial).
  • a microwave supply not shown in the drawings, consisting of a microwave generator and possibly additional elements.
  • These elements may e.g. Circulators, isolators, tuning elements (e.g., three-pin tuners or E / H tuners) and mode converters (e.g., rectangular to coaxial).
  • the fields of application of the apparatus and the method described above are manifold.
  • the plasma treatment is used for.
  • the workpiece or gas to be treated is brought into contact with the plasma or the microwave radiation.
  • the geometry of the workpieces to be treated is sufficient 1

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Abstract

Eine Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Flasmadichte weist mindestens eine Mikrowelleneinspeisung auf, die von einem äußeren dielektrischen Rohr (3) umgeben ist. Die Mikrowelleneinspeisung ist dabei außer dem äußeren dielektrischen Rohr (3) zusätzlich von mindestens einem inneren dielektrischen Rohr (2) umgeben, das innerhalb des äußeren dielektrischen Rohrs (3) verläuft. Die Rohre (2, 3) bilden dabei mindestens einen Raum, der zur Aufnahme und Durchleitung eines Fluids geeignet ist. Mittels eines Fluids kann die oben beschriebene Vorrichtung gekühlt werden. Durch das äußere dielektrische Rohr (3) ist eine Zuleitung (7) eines Prozessgases in den Plasmabereich möglich.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellen- plasmen hoher Plasmadichte
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte, welche mindestens eine Mikrowelleneinspeisung aufweist, die von mindestens einem dielektrischen Rohr umgeben ist. Desweiteren wird ein Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte durch Verwendung dieser Vorrichtung beschrieben.
Vorrichtungen zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen werden bei der Plasmabehandlung von Werkstücken und Gasen eingesetzt. Die Plasmabehandlung dient z. B. der Beschichtung, Reinigung, Modifizierung und Ätzung von Werkstücken, zur Behandlung von medizinischen Implantaten, zur Textilbehand- lung, zur Sterilisation, zur Lichterzeugung, bevorzugt im Spektralbereich Infrarot bis Ultraviolett, zur Umsetzung von Gasen oder zur Gassynthese sowie in der Technik zur Abgasreinigung. Dabei wird das zu behandelnde Werkstück oder Gas in Kontakt mit dem Plasma oder der Mikrowellenstrahlung gebracht .
Die Geometrie der zu behandelnden Werkstücke reicht von flachen Substraten, Fasern und Bahnen bis zu Formteilen von beliebiger Gestalt.
Die wichtigsten Prozessgase sind Edelgase, fluor- und chlorhaltige Gase, Kohlenwasserstoffe, Furane, Dioxine, Schwefelwasserstoffe, Sauerstoff, Wasserstoff, Stickstoff, Tetrafluormethan, Schwefelhexafluorid, Luft, Wasser und deren Mischungen. Bei der Abgasreinigung durch mikrowellenin- duziertes Plasma besteht das Prozessgas aus Abgasen aller Art insbesondere Kohlenmonoxid, Kohlenwasserstoffe, Stickoxide, Aldehyde und Schwefeloxide. Diese Gase können jedoch ohne weiteres auch als Prozessgase für andere Anwendungen verwendet werden.
Vorrichtungen, die Mikrowellenplasmen erzeugen, sind in den Dokumenten WO 98/59359 Al, DE 198 480 22 Al und DE 195 032 05 Cl beschrieben worden.
Den oben angeführten Dokumenten ist gemein, dass sie eine Mikrowellenantenne im Inneren eines dielektrischen Rohres beschreiben. Werden im Inneren eines solchen Rohres Mikrowellen erzeugt, bilden sich entlang dessen Außenseite Oberflächenwellen aus. Durch diese Oberflächenwellen wird in einem Prozessgas, welches unter niedrigem Druck steht, ein linear gestrecktes Plasma erzeugt. Typische niedere Drücke sind dabei 0,1 mbar - 10 mbar. Das im Inneren des dielektrischen Rohres liegende Volumen ist typischerweise auf Umgebungsdruck (im Allgemeinen Normaldruck; ca. 1013 mbar) . Bei einigen Ausführungsformen wird zur Kühlung des dielektrischen Rohres ein Kühlgasstrom benutzt, der das Rohr durchströmt .
Für die Zuleitung der Mikrowellen werden unter anderem Hohlleiter und Koaxialleitβr, als Koppelstellen in der Wand der Plasmakammer werden unter anderem Antennen und Schlitze verwendet. Solche Zuleitungen für Mikrowellen und Koppelstellen werden zum Beispiel in DE 423 59 14 und WO 98/59359 Al beschrieben. Die zur Erzeugung des Plasmas verwendeten Mikrowellenfrequenzen liegen vorzugsweise im Bereich von 800 MHz bis 2,5 GHz, besonders bevorzugt in den Bereichen 800 MHz bis 950 MHz und 2,0 - 2,5 GHz, jedoch kann die Mikrowellenfre- guenz im gesamten Bereich von 10 MHz bis einigen 100 GHz liegen.
DE 198 480 22 Al und DE 195 032 05 Cl beschreiben Vorrichtungen zur Erzeugung von Plasma in einer Vakuumkammer mit Hilfe von elektromagnetischen Wechselteidern, mit einem Leiter, der innerhalb eines Rohres aus isolierendem Werkstoff in die Vakuumkammer hineinragt, wobei das Isolierrohr an beiden Enden durch Wände der Vakuumkammer gehalten und gegenüber den Wänden an seiner Außenfläche abgedichtet ist. Die Enden des Leiters sind an einen Generator zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlossen.
Mit einer Vorrichtung zur Erzeugung von homogenen Mikrowellenplasmen gemäß WO 98/59359 Al lassen sich aufgrund der gleichmäßigen Einkopplung der Mikrowellen besonders homogene Plasmen auch bei höheren Prozessdrücken über große Längen erzeugen.
Die Einsatzmöglichkeiten der oben genannten Plasmaquellen werden durch eine hohe Energieabgabe des Plasmas auf das dielektrische Rohr eingeschränkt. Durch diese Energieabgabe kann es zu einer übermäßigen Erwärmung des Rohres und letztendlich zu einer Zerstörung desselben kommen. Daher werden diese Quellen typischerweise mit Mikrowellenleistungen von ca. 1 - 2 kW bei entsprechend niedrigem Druck (ca. 0,1 - 0,5 mbar) betrieben. Die Prozessdrücke können zwar auch 1 mbar - 100 mbar betragen, jedoch nur unter bestimmten Bedingungen und entsprechend niedrigerer Leistung, um das Rohr nicht zu zerstören.
Mit den oben genannten Vorrichtungen lassen sich typische Plasmalängen von 0,5 - 1,5 m erreichen. Mit Plasmen aus nahezu 100% Argon lassen sich zwar auch größere Längen erzielen, jedoch sind solche Plasmen technisch wenig relevant.
Ein weiteres Problem bei solchen Plasmaquellen liegt in der Prozessgasführung insbesondere bei höheren Prozessgasdrücken (größer als 1 mbar) . Die Ursache hierfür liegt darin begründet, dass die Plasmadichte in zunehmender radialer Entfernung vom dielektrischen Rohr stark abnimmt . Dies erschwert die Zuführung von neuem Prozessgas zu den Bereichen hoher Ladungsträgerdichten. Desweiteren steigt bei höheren Prozessdrücken die auf das dielektrische Rohr abgegebene Wärmeleistung .
Höhere Prozessgasdrücke sind jedoch bevorzugt, da sie häufig zu deutlichen Steigerungen der Prozessgeschwindigkeiten, um das 10 bis 100-fache, führen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die oben genannten Nachteile zu überwinden und so eine Steigerung der Plasmakonzentration und des Prozessgasdrucks zu erhalten.
Dies wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen nach Anspruch 1 erreicht. Diese Vorrichtung weist mindestens eine Mikrowelleneinspeisung auf, die von einem inneren dielektrischen Rohr umgeben ist. Dieses innere dielektrische Rohr ist wiederum von mindestens einem äußeren dielektrischen Rohr umgeben. Dadurch wird ein Raum gebildet, der zur Aufnahme und Durchleitung eines Fluids geeignet ist.
Die Vorrichtung ermöglicht in vorteilhafter Weise die Durchleitung eines Fluids durch die oben beschriebene Doppelrohranordnung, welches zur Kühlung oder der Zuführung zum Prozessgas verwendet werden kann.
Geeignete Mikrowelleneinspeisungen sind dem Fachmann bekannt. Im Allgemeinen besteht eine Mikrowelleneinspeisung aus einer Struktur, die Mikrowellen in den Raum abstrahlen kann. Strukturen, die Mikrowellen abstrahlen, sind dem Fachmann bekannt und können durch alle bekannten Mikrowellenantennen und Resonatoren mit Koppelstellen zum Einkop- peln der Mikrowellenstrahlung in einen Raum realisiert werden. Bevorzugt für die beschriebene Vorrichtung sind Hohl- raumresonatoren, Stabantennen, Schlitzantennen, Helixanten- nen und omnidirektionale Antennen. Besonders bevorzugt sind Koaxialresonatoren.
Die Mikrowelleneinspeisung ist im Betrieb über Mikrowellen- zuleitungen (Hohlleiter oder Koaxialleiter) mit einem Mikrowellengenerator (z.B. Klystron oder Magnetron) verbunden. Zur Steuerung der Eigenschaften der Mikrowellen und zum Schutz der Elemente können noch Zirkulatoren, Isolatoren, Tuningelemente (z.B. Dreistifttuner oder E/H Tuner) sowie Modenkonverter (z.B. Rechteck- auf Koaxialleiter) in die Mikrowellenzuführung eingebracht werden.
Die dielektrischen Rohre sind vorzugsweise langgestreckt. Dies bedeutet hier, dass das Verhältnis Rohrdurchmesser : Rohrlänge zwischen 1:1 und 1:1000 liegt und vorzugsweise 1:10 bis 1:100 beträgt. Dabei können die beiden Rohre gleichlang sein oder eine unterschiedliche Länge aufweisen. Ferner sind die Rohre vorzugsweise gerade, können jedoch auch eine gebogene Form oder Ecken entlang ihrer Längsachse haben.
Die Querschnittsfläche der Rohre ist vorzugsweise kreisrund, jedoch sind generell beliebige Flächenformen möglich. Beispiele für andere Flächenformen sind Ellipsen und Polygone.
Die langgestreckte Form der Rohre bedingt ein langgestrecktes Plasma. Langgestreckte Plasmen haben den Vorteil, dass durch Bewegung der Plasmavorrichtung relativ zu einem flächigen Werkstück große Flächen in kurzer Zeit behandelt werden können.
Die dielektrischen Rohre sollten bei der gegebenen Mikrowellenfrequenz einen geringen dielektrischen Verlustfaktor tan δ für die benutzte Mikrowellenlänge aufweisen. Geringe dielektrische Verlustfaktoren tan δ liegen in dem Bereich 10'2 bis 10"7.
Geeignete dielektrische Materialien für die dielektrischen Rohre sind Metalloxide, Halbmetalloxide, Keramiken, Kunststoffe und Verbundmaterialien aus diesen Stoffen. Besonders bevorzugt sind dielektrische Rohre aus Quarzglas oder Aluminiumoxyd mit dielektrischen Verlustfaktoren tan δ im Bereich 10"3 bis 10"4. Dabei können die dielektrischen Rohre aus demselben Material oder unterschiedlichen Materialien bestehen.
Gemäß einer besonderen Ausführungsform sind die dielektrischen Rohre an den Stirnseiten mit Wänden verschlossen. Eine gas- oder vakuumdichte Verbindung zwischen den Rohren und den Wänden ist dabei vorteilhaft. Verbindungen zwischen zwei Werkstücken sind dem Fachmann bekannt und können zum Beispiel Klebe-, Schweiß-, Klemm- oder Schraubverbindungen sein. Die Dichtigkeit der Verbindung kann von gasdicht bis vakuumdicht reichen, wobei vakuumdicht, je nach Arbeitsumgebung, Dichtigkeit im Grobvakuum (300 - 1 hPa) , Feinvakuum (1 - 10'3 hPa), Hochvakuum (10"3 - 10"7 hPa) oder Ultrahoch- vakuum (10"7 - 10"12 hPa) bedeutet. Im Allgemeinen bedeutet vakuumdicht hier eine Dichtigkeit im Grob- oder Feinvakuum.
Die Wände können Durchlässe aufweisen, durch die ein Fluid geleitet werden kann. Dabei ist die Größe und Form der Durchlässe beliebig. Je nach Anwendung kann jede Wand mindestens einen Durchläse enthalten. Bei einer bevorzugten Ausführungsform befinden sich in dem Bereich, den die Stirnseite des inneren dielektrischen Rohres abdeckt, keine Durchlässe.
Das Fluid wird durch den Raum zwischen dem äußeren dielektrischen Rohr und dem inneren dielektrischen Rohr geleitet und über die Öffnungen in den Wänden an den Stirnseiten des dielektrischen Rohres zu- beziehungsweise abgeführt. Die Durchstömungsgeschwindigkeit und das Durchströmverhalten (laminar oder turbulent) des dielektrischen Fluids durch das dielektrische Rohr ist so zu wählen, dass das Fluid, besonders wenn es sich um eine Flüssigkeit handelt, einen guten Kontakt mit dem Rand des dielektrischen Rohres hat und es zusätzlich bei flüssigen Fluiden zu keiner Verdampfung der dielektrischen Flüssigkeit kommt. Die Regelung der Durchströmgeschwindigkeit und des Durchströmverhaltens mittels des Drucks und der Form und Größe der Durchlässe ist dem Fachmann bekannt.
Als dielektrisches Fluid kann sowohl ein Gas als auch eine dielektrische Flüssigkeit verwendet werden.
Jedoch ist eine Kühlung des dielektrischen Rohres durch ein Fluid nicht in einfacher Weise zu realisieren, da der Energieeintrag der Mikrowellen auf das Fluid dieses erwärmt. Durch jede zusätzliche Aufheizung des Fluids wird der Kühleffekt auf das dielektrische Rohr vermindert. Diese Verminderung der Kühlleistung kann bei hoher Mikrowellenabsorpti- on des Fluids auch zu einer negativen Kühlleistung führen. Dies entspricht einer zusätzlichen Erwärmung des dielektrischen Rohres .
Um eine Aufheizung des Fluids durch die Mikrowellen möglichst gering zu halten, muss das Fluid bei der Wellenlänge der Mikrowellen einen niedrigen dielektrischen Verlustfaktor tan δ im Bereich 10~2 bis 10"7 aufweisen. Hierdurch wird ein Mikrowellenleistungseintrag in das Fluid vermieden bzw. auf ein tolerierbares Maß reduziert.
Flüssige Fluide bieten aufgrund des größeren Wärmekoeffizienten eine größere Aufnahme der Wärmeleistung als gasförmige Fluide.
Eine solche dielektrische Flüssigkeit ist zum Beispiel ein isolierendes Öl mit einem niedrigen dielektrischen Verlustfaktor. Isolierende Öle sind zum Beispiel Mineralöle, Ole- fine (z.B. Polyalphaolefin) oder Silikonöle (z.B. Coolanol® oder Dimethylpolysiloxane) . Bevorzugt als dielektrische Flüssigkeit ist Hexadimethylsiloxan. Durch diese Fluid-Kühlung des äußeren dielektrischen Rohres ist es möglich, die Aufheizung des äußeren dielektrischen Rohres zu vermindern. Dadurch werden höhere Mikrowellenleistungen ermöglicht, die wiederum zu einer Steigerung der Konzentration des Plasmas an der Außenseite des äußeren dielektrischen Rohres führen. Desweiteren wird durch die Kühlung ein höherer Prozessdruck möglich als in ungekühlten Plasmaerzeugern'.
Xm Gegensatz zu einer Gaskühlung gemäß DE 195 032 05, bei der das Kühlgas Kontakt zu der Mikrowelleneinspeisung hat, wird in der hier beschriebenen Vorrichtung durch die Doppelrohranordnung der Kontakt zwischen Fluid und der Mikro- welleneinspeisung vermieden, und somit die Möglichkeit ausgeschlossen, dass das Fluid mit der Mikrowelleneinspeisung reagieren kann. Desweiteren wird durch diese Trennung von Fluid und Mikrowelleneinspeisung eine Wartung der Mikrowelleneinspeisung erheblich vereinfacht.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird erfindungsgemäß das Material des äußeren dielektrischen Rohres durch ein poröses dielektrisches Material ersetzt. Geeignete poröse dielektrische Materialien sind Keramiken oder gesinterte Dielektrika, bevorzugt Aluminiumoxid. Es ist jedoch auch möglich, Rohrwandungen aus Quarzglas oder Metalloxiden mit kleinen Löchern zu versehen.
Bei dem Durchfluss eines Gases zwischen den dielektrischen Rohren entweicht nun ein Teil des Gases durch diese Poren. Da an der Oberfläche des äußeren dielektrischen Rohres die höchsten Mikrowellenfeldstärken herrschen, durchwandern die Gasmoleküle beim Durchgang durch das äußere dielektrische Rohr die Zone der höchsten Ionendichte.
Desweiteren besitzt das Gas nach dem Durchgang durch die Poren eine resultierende Bewegungsrichtung radial vom Rohr weg.
Wird zur Kühlung das gleiche Gas benutzt, das auch als Prozessgas verwendet wird, wird der Anteil der angeregten Teilchen durch die Passage des Prozessgases durch den Bereich größter Mikrowellenintensität gesteigert. Dadurch ist auf diese Weise ein effizienter Transport von angeregten Teilchen zum Werkstück gewährleistet. Dies steigert sowohl die Konzentration als auch den Fluss der angeregten Teilchen.
Eine solche Anordnung ist des Weiteren ebenfalls besonders gut geeignet, um reine Gaskonversionsprozesse wie Abgasreinigung oder Gassyntheseprozesse durchzuführen. Weitere Prozessgase lassen sich gegebenenfalls durch weitere poröse Rohre der Prozesskammer zuführen.
Durch die Porosität des äußeren dielektrischen Rohres und den Gasdruck wird der Fluss (Moleküle pro Fläche pro Zeit) des Prozessgases oder Prozessgasgemischs durch das äußere dielektrische Rohr geregelt.
Desweiteren müssen bei diesem Abgasreinigungsverfahren alle Gasmoleküle die Rohrwand und damit den Bereich höchster Ionendichte passieren. Dies stellt einen Vorteil gegenüber gängigen Verfahren dar, bei denen sich die Brennkammer im Inneren eines Volumens befindet, und die Mikrowellen von außen eingestrahlt werden. Der Anteil des gereinigten Abgases ist bei einem gängigen Verfahren geringer als bei dem hier vorgestellten, da bei einem solchen gängigen Verfahren Teile des Gases, die sich in der Nähe der Wände des Volumens befinden, aufgrund der dort herrschenden niedrigen Feldstärken nicht ionisiert werden.
Als Prozessgas kann jedes bekannte Gas genutzt werden. Die wichtigsten Prozessgase sind Edelgase, fluor- und chlorhaltige Gase, Kohlenwasserstoffe, Furane, Dioxine, Schwefelwasserstoffe, Sauerstoff, Wasserstoff, Stickstoff, Tetrafluormethan, Schwefelhexafluorid, Luft, Wasser und deren Mischungen. Bei der Abgasreinigung durch mikrowelleninduziertes Plasma besteht das Prozessgas aus Abgasen aller Art insbesondere Kohlenmonoxid, Kohlenwasserstoffe, Stickoxide, Aldehyde und Schwefeloxide. Diese Gase können jedoch ohne weiteres auch als Prozessgase für andere Anwendungen verwendet werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann ein weiteres dielektrisches Rohr innerhalb des äußeren dielektrischen Rohres eingebracht werden, das das innere dielektrische Rohr umgibt und ebenfalls an seinen Stirnseiten gas- oder vakuumdicht mit den Wänden verbunden ist. In dieser Ausführungsform wird der Raum zwischen dem äußeren dielektrischen Rohr und dem inneren dielektrischen Rohr in einen äußeren- und einen inneren Raum geteilt .
Wird nun das Prozessgas durch den äußeren Raum geleitet, und ein Fluid durch den inneren Raum geleitet, ist eine Kühlung des inneren dielektrischen Rohres und der Mikrowellenstruktur möglich. Dies wiederum ermöglicht eine höhere Prozessleistung. Das Fluid sollte dabei die Mikrowellen nicht absorbieren. Insbesondere bei der Verwendung einer Flüssigkeit als Fluid sollte die Flüssigkeit für die be- nutzte Mikrowellenlänge einen geringen dielektrischen Verlustfaktor tan δ im Bereich 10'2 bis 10"7 aufweisen.
Um den Mikrowellenleistungsbedarf bei den oben aufgeführten Plasmaquellen weiter zu reduzieren, kann gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform eine metallische Ummante- lung um das äußere dielektrische Rohr angebracht werden, welches dieses Rohr partiell abdeckt. Diese metallische Um- mantelung wirkt dabei als Mikrowellenabschirmung und kann z.B. aus einem Metallrohr, einem gebogenen Metallblech, einer Metallfolie oder auch aus einer metallischen Schicht bestehen und aufgesteckt, aufgalvanisiert oder auf eine andere Weise aufgebracht sein. Solche metallischen Mikrowellenabschirmungen können den Winkelbereich, in dem die Erzeugung des Plasmas stattfindet, beliebig begrenzen (z.B. auf 90°, 180° oder 270°) und so den Leistungsbedarf entsprechend reduzieren.
Insbesondere bei der Ausführungsform mit einer metallischen Ummantelung der Vorrichtungen zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen ist es möglich, breite Werkstoffbahnen mit nur geringer Verlustleistung mit einem Plasma zu behandeln. Durch die Ummantelung wird der Raumbereich der Vorrichtung, der dem Werkstück nicht zugewandt ist, abgeschirmt, und nur ein schmaler Plasmastreifen zwischen Werkstück und Vorrichtung über die gesamte Breite des Werkstückes erzeugt .
Alle oben beschriebenen Vorrichtungen zur Erzeugung von Plasmen bilden während des Betriebs an der Außenseite des dielektrischen Rohres ein Plasma aus. Im Normalfall wird die Vorrichtung im Inneren eines Raumes (Plasmakammer) be- trieben. Diese Plasmakammer kann je nach Betriebsart verschiedene Formen und Öffnungen aufweisen und verschiedene Funktionen erfüllen. Zum Beispiel kann die Plasmakammer das zu bearbeitende Werkstück und das Prozessgas enthalten (direkter Plasmaprozess) oder Prozessgase und Öffnungen für den Plasmaaustritt aufweisen (remote-Plasmaprozess, Abgasreinigung) .
Bei einem Verfahren zur Erzeugung Mikrowellenplasmen in einer oben beschriebenen Vorrichtung wird ein Fluid durch den Raum zwischen dem inneren dielektrischen Rohr und dem äußeren dielektrischen Rohr, vorzugsweise durch Durchlässe in den Wänden, geleitet. Das Fluid kann dabei ein Gas oder eine Flüssigkeit sein.
Der Druck des Fluids kann dabei größer, kleiner oder gleich dem Atmosphärendruck sein.
In einer vorteilhaften Ausführung wird ein gasförmiges Fluid, vorzugsweise ein Prozessgas, besonders bevorzugt ein Abgas, durch das poröse Rohr der oben beschriebenen Vorrichtung mit einem porösen äußernen Rohr geleitet und so einem Plasmaprozess zugeführt . Das Fluid hat dabei bevorzugt einen geringen dielektrischen Verlustfaktor tan δ im Bereich 10'a bis 10"7.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführung fließt in der oben beschriebenen Vorrichtung, welche ein inneres mittleres und äußeres dielektrische Rohr enthält, fließt in dem Raum zwischen dem äußeren dielektrischen Rohr und dem mittleren dielektrischen Rohr ein Gas, welches vorzugsweise ein Prozessgas ist, und in dem Raum zwischen dem inneren di- elektrischen Rohr und dem mittleren dielektrischen Rohr ein Fluid; welches vorzugsweise einen geringen dielektrischen Verlustfaktor tan δ hat. Das äußere dielektrische Rohr weist dabei vorzugsweise eine poröse Wand auf.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Zeichnungen schematisch dargestellten Ausführungsformen beispielhaft erläutert.
Figur 1 zeigt Schnittzeichnungen der oben beschriebenen
Vorrichtung .
Figur 2 zeigt Schnittzeichnungen der oben beschriebenen
Vorrichtung mit porösem äußerem dielektrischem Rohr.
Figur 3 zeigt Schnittzeichnungen der oben beschriebenen
Vorrichtung mit einer zusätzlichen Kühlung.
Figur 4 zeigt eine Ausführungsform mit einer metallischen
Ummantelung.
Figur 5 zeigt eine Schnittzeichnung der oben beschriebenen
Vorrichtung eingebaut in einer Plasmakammer.
Figuren 6 A und 6 B zeigen eine mögliche Ausführungsform zur Behandlung großflächiger Werkstücke.
Figur 1 zeigt den Quer- und Längsschnitt einer Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen mit einer als Koaxial- resonator ausgeführten Mikrowelleneinspeisung. Die Mikro- welleneinspeisung enthält einen Innenleiter (1), einen Außenleiter (2) und Koppelstellen (4) . Die Mikrowelleneinspeisung ist von einem äußeren dielektrischen Rohr (3) umgeben, das den mikrowellenzuführenden Bereich von der Plasmakammer (nicht eingezeichnet) trennt, und auf dessen Außenseite sich das Plasma ausbildet. Das äußere dielektri- sehe Rohr (3) ist mit den Wänden (5, 6) gas- oder vakuumdicht verbunden. Zwischen dem Koaxialgenerator und dem äußeren dielektrischen Rohr ist ein inneres dielektrisches Rohr (10) eingefügt, welches ebenfalls mit den Wänden (5, 6) gas- oder vakuumdicht verbunden ist, und mit dem äußeren dielektrischen Rohr (3) einen von der Mikrowelleneinspei- sung abgetrennten Raum bildet, durch den ein Fluid fließen kann. Das Fluid kann über die Öffnungen (8) und (9) zu- bzw. abgeführt werden.
Figur 2 zeigt den Quer- und Längsschnitt einer Ausführungsform der in Figur 1 skizzierten Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen, bei der die Wand des äußeren dielektrischen Rohres (3) Poren (7) aufweist. Die Poren (7) sind in der Zeichnung zur besseren Darstellung stark vergrößert dargestellt. Durch diese Poren (7) kann Gas durch das äußere dielektrische Rohr in die Plasmakammer geführt werden. Dabei passiert es die Rohrwand des äußeren dielektrischen Rohres (3), an der die Feldstärke der Mikrowellen und damit die Ionisation des Plasmas am größten ist.
Figur 3 zeigt den Quer- und Längsschnitt einer Ausführungsform der in Figur 1 skizzierten Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen, bei der die Mikrowelleneinspeisung von drei ineinander liegenden Rohren umgeben ist. Diese Tripelrohranordnung umfasst ein inneres dielektrisches Rohr (10), welches von einem mittleren dielektrischen Rohr (11) umgeben ist, das wiederum von dem äußeren dielektrischen Rohr (3) umgeben ist. Alle drei dielektrischen Rohre sind mit den Wänden (5, 6) gas- oder vakuumdicht verbunden. Ein Prozessgas kann über die Öffnungen (8a) und (9a) zu- bzw. abgeführt werden und durch Poren (7) im äußeren dielektrischen Rohr (3) austreten. Auch hier sind die Poren (7) in der Zeichnung zur besseren Darstellung stark vergrößert dargestellt. Ein Fluid zum Kühlen der Anordnung fließt durch den inneren Raum zwischen dem mittleren dielektrischen Rohr (11) und dem inneren dielektrischen Rohr (10) und kann über die Öffnungen (8b) und (9b) zu- bzw. abgeführt werden.
Figur 4 zeigt einen Querschnitt einer Ausführungsform der in Figur 1 dargestellten Vorrichtung, bei der das äußere dielektrische Rohr (3) von einer metallischen Ummantelung (12) umgeben ist. In dem in Figur 4 dargestellten Fall wird dabei von der metallischen Ummantelung der Winkelbereich, in dem die Erzeugung des Plasmas stattfindet, auf 180° begrenzt.
Figur 5 zeigt einen Längsschnitt einer Vorrichtung (20), wie sie durch Figur 1 beschrieben wird, im eingebauten Zustand in einer Plasmakammer (21). Die Kühlflüssigkeit (22) fließt in diesem Beispiel durch Durchlässe in den beiden Stirnseiten. In dem Raum (23) zwischen dem äußeren dielektrischen Rohr (3) und der Wand der Plasmakammer bildet sich im Betrieb das Plasma aus .
In einer bevorzugten Ausführungsform, in der das äußere dielektrische Rohr (3) eine poröse Rohrwand aufweist, wie in Figur 2 skizziert wurde, strömt das Kühlgas, welches gleichzeitig das Prozessgas ist, wie durch die Pfeile (24) angedeutet wird, durch die Rohrwand in den Raum (23) und bildet ein Plasma. Figuren 6 A und 6 B zeigen in einer perspektivischen Darstellung und in einem Querschnitt eine Ausführungsform (20), bei der der größte Teil der Mantelfläche des äußeren dielektrischen Rohres von einer Metalluimtiantelung (12) umschlossen ist, und ein Plasma (31), welches in der Zeichnung durch durchsichtige Pfeile angedeutet ist, nur in einem schmalen Bereich entstehen kann. Ein Werkstück (30), welches sich relativ zu der Vorrichtung bewegt, kann in diesem Bereich mit Plasma über eine große Fläche behandelt werden.
Alle Ausführungsformen werden von einer in den Zeichnungen nicht dargestellten Mikrowellenzufuhr, bestehend aus einem Mikrowellengenerator und ggf. zusätzlichen Elementen, gespeist. Diese Elemente können z.B. Zirkulatoren, Isolatoren, Tuningelemente (z.B. Dreistifttuner oder E/H Tuner) sowie Modenkonverter (z.B. Rechteck- auf Koaxialleiter) beinhalten.
Die Einsatzgebiete der oben beschriebenen Vorrichtung und des oben beschriebenen Verfahrens sind mannigfaltig. Die Plasmabehandlung dient z. B. der Beschichtung, Reinigung, Modifizierung und Ätzung von Werkstücken, zur Behandlung von medizinischen Implantaten, zur Textilbehandlung, zur Sterilisation, zur Lichterzeugung, bevorzugt im Spektralbe- reich Infrarot bis Ultraviolett, zur Umsetzung von Gasen oder zur GasSynthese, sowie in der Technik zur Abgasreinigung. Dabei wird das zu behandelnde Werkstück oder Gas in Kontakt mit dem Plasma oder der Mikrowellenstrahlung gebracht. Die Geometrie der zu behandelnden Werkstücke reicht 1
von flachen Substraten, Fasern und Bahnen bis zu Formteilen von beliebiger Gestalt.
Durch die Erhöhung der Plasmadichte und der Plasmaleistung sind dabei höhere Prozessgeschwindigkeiten als in Vorrichtungen und Verfahren des Standes der Technik möglich.

Claims

Ansprüche
1. Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen, welche mindestens eine Mikrowelleneinspeisung aufweist, die von einem äußeren dielektrischen Rohr (3) umgeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowelleneinspeisung zusätzlich von mindestens einem inneren dielektrischen Rohr (10) umgeben ist, das innerhalb des äußeren dielektrischen Rohrs (3) verläuft, wodurch ein Raum gebildet wird, der zur Aufnahme und Durchleitung eines Fluids geeignet ist .
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beide dielektrische Rohre (3, 10) an ihren Stirnseiten mit Wänden (5, 6) verbunden sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Wände (5, 6) mindestens einen Durchlass (8, 9) für das Fluid aufweist.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrischen Rohre aus Materialien aus der Metalloxide, Halbmetalloxide, Keramiken, Kunststoffe sowie Verbundmaterialien aus diesen Stoffen umfassenden Gruppe hergestellt sind, bevorzugt aus Quarzglas oder Aluminiumoxid.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das äußere dielektrische Rohr zumindest in einem Teilbereich der Mantelfläche oder in dem Bereich der gesamten Mantelfläche porös oder gasdurchlässig ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das innere dielektrische Rohr (10) von einem mittleren dielektrischen Rohr (11) umgeben ist, das innerhalb des äußeren dielektrischen Rohrs (3) verläuft .
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das äußere dielektrische Rohr (3) teilweise mit einer Metallummantelung (12) umgeben ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallummantelung (12) aus einem metallenen Rohrsegment, einer Metallfolie oder einer Metallschicht besteht .
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallummantelung (12) einen Bereich der Mantelfläche des äußeren dielektrischen Rohres (3) frei lässt, der vorzugsweise über die gesamte Länge des dielektrischen Rohres (3) reicht.
10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Prozesskammer außerhalb des äußeren dielektrischen Rohres (3) aufweist.
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowelleneinspeisung eine Mikrowellenantenne oder ein Hohlraumresonator mit Koppelstellen, vorzugsweise ein Koaxialresonator, ist.
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowelleneinspeisung über Mikrowellenzuleitungen, vorzugsweise Hohlleiter oder Koaxialleiter, mit einem Mikrowellengenerator, vorzugsweise einem Klystron oder Magnetron, verbunden ist .
13. Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen in einer Vorrichtung, die mindestens eine Mikrowelleneinspeisung aufweist, welche von einem inneren dielektrischen Rohr (10) umgeben ist, das wiederum von einem äußeren dielektrischen Rohr (3) umgeben ist, wobei ein Fluid durch den Raum zwischen dem inneren dielektrischen Rohr (10) und dem äußeren dielektrischen Rohr (3) geleitet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass beide dielektrische Rohre (3, 10) an ihren Stirnseiten mit Wänden (5, 6), die Durchlässe (8, 9) aufweisen, verbunden sind, und dass das Fluid durch die Durchlässe (8, 9) geleitet wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 und 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluid eine Flüssigkeit ist oder enthält .
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 und 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluid ein Gas ist oder enthält.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das äußere dielektrische Rohr (3) aus einem porösen oder gasdurchlässigen Material besteht und dass das Gas, welches durch den Raum zwischen dem inneren dielektrischen Rohr (10) und dem äußeren dielektrischen Rohr (3) geleitet wird, durch das äußere dielektrische Rohr (3) einem Plas- maprozess zugeführt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass dem Plasmaprozess mindestens ein Prozessgas zugeführt •wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass den Plasmaprozess mindestens ein Abgas zugeführt wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasdruck in dem Raum zwischen dem inneren dielektrischen Rohr (10) und dem äußeren dielektrischen Rohr (3) größer als der Atmosphärendruck oder gleich dem Atmosphärendruck ist.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasdruck in dem Raum zwischen dem inneren dielektrischen Rohr (10) und dem äußeren dielektrischen Rohr (3) kleiner als der Atmosphärendruck ist.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das innere dielektrische Rohr (10) von einem mittleren dielektrischen Rohr (11) umgeben ist, das innerhalb des äußeren dielektrischen Rohrs (3) verläuft, und der Raum zwischen dem äußeren dielektrischen Rohr (3) und dem mittleren dielektrischen Rohr (11) von einem Gas durchströmt wird, und der Raum zwischen dem inneren dielektrischen Rohr (10) und dem mittleren dielektrischen Rohr (11) von einem Fluid durchströmt wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluid einen geringen dielektrischen Verlustfaktor tan δ im Bereich 10"2 bis 10"7 aufweist.
24. Verwendung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12 zur Erzeugung eines Plasmas zur Beschichtung, Reinigung, Modifizierung und Ätzung von Werkstücken, zur Behandlung von medizinischen Implantaten, zur Textilbehandlung, zur Sterilisation, zur Lichterzeugung, bevorzugt im Spektralbereich Infrarot bis Ultraviolett, zur Umsetzung von Gasen oder zur Gassynthese sowie in der Technik zur Abgasreinigung .
25. Verwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 13 bis 23 zur Erzeugung eines Plasmas zur Beschichtung, Reinigung, Modifizierung und Ätzung von Werkstücken, zur Behandlung von medizinischen Implantaten, zur Textilbehandlung, zur Sterilisation, zur Lichterzeugung, bevorzugt im Spektralbereich Infrarot bis Ultraviolett, zur Umsetzung von Gasen oder zur Gassynthese sowie in der Technik zur Abgasreinigung.
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