WO2008065861A1

WO2008065861A1 - Atmospheric plasma processing apparatus and atmospheric plasma processing method

Info

Publication number: WO2008065861A1
Application number: PCT/JP2007/071537
Authority: WO
Inventors: Yuichiro Maehara; Kenji Sakka
Original assignee: Konica Minolta Business Technologies Inc
Current assignee: Konica Minolta Business Technologies Inc
Priority date: 2006-11-27
Filing date: 2007-11-06
Publication date: 2008-06-05
Anticipated expiration: 2009-05-27
Also published as: JPWO2008065861A1; JP5262723B2

Description

明細書

大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法

技術分野

[0001] 本発明は、新規の円筒状基材の表面処理に用いる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法に関するものである。

背景技術

[0002] 一般に、基材上に高機能性の薄膜を設ける方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空を用いた乾式製膜法が用いられてきた。

[0003] このような製膜方法は、真空設備を必要とする為、設備費用が高額となる。更に、連続生産が出来ず、製膜速度が低いことから、生産性が低いという課題を有していた。

[0004] これらの真空装置を用いることによる低生産性のデメリットを克服する方法として、特開昭 61— 238961号等において、大気圧下で放電プラズマを発生させ、該放電ブラズマにより高い処理効果を得る大気圧プラズマ処理方法が提案されている。

[0005] この大気圧プラズマ処理方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、その放電空間に導入した反応性ガスをプラズマ励起し、電極間に配置した基材などの表面に低コストで、かつ簡便に機能性薄膜を形成する方法である。この大気圧プラズマ処理方法は、基材が電極間に載置できるものであれば、電極間に載置することによって、また、基材が電極間に載置できないものであれば、励起したプラズマを当該基材に吹き付けることによって薄膜を形成することができ、フィルム状のもの、シート状のもの、レンズ状等の立体形状のもの等、特に限定なく表面処理を施すことができる。例えば、円筒状基材表面に大気圧プラズマ処理方法を用いて表面処理する大気圧プラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献 1、 2参照。）。しかしながら、該特許文献で提案されている方法は、成膜する基材に対向する位置に配置されている電極表面も同時に反応性ガス（励起ガス）に晒され続けるため、その表面が汚染されることになる。このため、長時間の連続表面処理を行った際に、電極表面の汚染物質に起因して発生する粉体などが、基材表面の薄膜に取り込まれ、表面平滑性の劣化や膜硬度の低下など、成膜する薄膜品質の低下の原因となる。更に、汚染物質の電極表面への堆積により、プラズマ放電やガス流れの不均一を引き起こし、その結果、形成する薄膜の膜厚ムラなどによるスジの発生や膜品質の不均一といった欠陥の要因となってしまう。こういった問題発生を防ぐためには、電極表面の汚染物質の除去が必要となるため、生産性を阻害しコストアップ要因となる。

[0006] 上記課題に対し、被処理基材に対向する電極表面の汚染を防止する技術として、対向するロール電極のそれぞれの表面で被処理基材を搬送させ、そのロール電極間にてプラズマ放電を行!/、、表面処理する大気圧プラズマ処理方法が提案されて!/ヽる（例えば、特許文献 3、 4参照。）。し力もながら、これら提案されている方法は、熱に弱レ、樹脂基材の場合、熱ダメージを防止するためプラズマ放電処理一回あたりの励起ガスの曝写時間やプラズマ放電に加えられる電力密度を抑制することが必要となり、機能性薄膜の所望の膜厚が一回のプラズマ放電処理で得られなくなることが多レ、。このため、プラズマ放電処理を複数回に分けることが必要となり、生産性を低下させたり、複数のプラズマ処理装置を並べ連続処理するなど大型な処理装置が必要となり、経済性の低下につながる。また、この様な提案されている大気圧プラズマ処理装置では、連続した円筒状基材に薄膜を安定に形成することが難しいという課題を抱えている。

特許文献 1 :特開 2000— 355772号公報

特許文献 2：特開 2003 160868号公報

特許文献 3 :特開平 11 221519号公報

特許文献 4 :特開 2001— 279457号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] 本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、円筒状基材上に、膜均一性の高!/、薄膜を安定し、かつ高生産性で形成できる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0008] 本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。 [0009] 1. 円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも 2つ有し、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する該ロール電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、少なくとも 2つの該円筒状基材を励起した前記ガスに晒すことにより、同時に薄膜を形成する手段を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。

[0010] 2.前記円筒状基材を連続的に搬送し、前記放電空間内を複数回通過させることを特徴とする前記 1に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[0011] 3.前記ロール電極間で形成する放電空間の一方の側にガス供給ノズルを備え、他方の側にガス排気ノズルを備えていることを特徴とする前記 1または 2に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[0012] 4.前記円筒状基材が、樹脂材料または弾性材料により構成されていることを特徴とする前記 1乃至 3のいずれか 1項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[0013] 5.前記薄膜を形成した円筒状基材が、電子写真方式の画像形成装置に用いるェンドレスベルト状の中間転写体であることを特徴とする前記 1乃至 4のいずれ力、 1項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[0014] 6.連続搬送する円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ュニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも 2つ有し、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する該ロール電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、少なくとも 2つの該円筒状基材を励起した前記ガスに複数回晒して、同時に薄膜を形成する工程を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。

[0015] 7.前記ロール電極間で形成する放電空間の一方の側にガス供給ノズルを備え、他方の側にガス排気ノズルを備えていることを特徴とする前記 6に記載の大気圧ブラズマ処理方法。

[0016] 8.前記円筒状基材が、樹脂材料または弾性材料により構成されていることを特徴とする前記 6または 7に記載の大気圧プラズマ処理方法。

[0017] 9.前記薄膜を形成した円筒状基材が、電子写真方式の画像形成装置に用いるェンドレスベルト状の中間転写体であることを特徴とする前記 6乃至 8のいずれ力、 1項に記載の大気圧プラズマ処理方法。

発明の効果

[0018] 本発明により、円筒状基材上に、膜均一性の高い薄膜を安定し、かつ高生産性で形成できる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法を提供することができた。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]単一の基材搬送ユニットを有する従来型の大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。

[図 2]本発明の複数のロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。

[図 3]本発明の 4つの基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。

[図 4]本発明に適用可能なロール電極の一例を示す概略図である。

符号の説明

[0020] 2、 2b、 2c 大気圧プラズマ処理装置

2bl、 2b2、 2b3、 2b4 成膜装置

20、 20a, 20b、 20c、 20d ロール電極

23、 23a, 23b、 23c、 23d 放電空間

24、 24b 混合ガス供給装置

25 第 1の電源

26 第 2の電源

27 排気ノズル

175 円筒状基材

201 従動ローラ

202 張力付与手段

発明を実施するための最良の形態 [0021] 以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。

[0022] 本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも 2 つ有し、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する該ロール電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、少なくとも 2つの該円筒状基材を励起した前記ガスに晒すことにより、同時に薄膜形成を行うことを特徴とする大気圧プラズマ処理装置により、円筒状基材上に、膜均一性の高い薄膜を安定し、かつ高生産性で形成できる大気圧プラズマ処理装置を実現できることを見出し、本発明に至った次第である。

[0023] すなわち、本発明の大気圧プラズマ処理装置は、少なくとも一対の対向ロール電極より構成され、円筒状基材をニ本以上同時に表面処理を可能とするものであり、装置一台の時間当たりの処理能力を 2倍以上に高めることができる。併せて、各対向電極表面、好ましくは対向電極の全幅にわたり円筒状基材を担持している方法であり、励起ガスによる対向電極表面の汚染を防止することができ、その結果、形成する膜品質の低下を防ぎ、膜硬度や表面平滑性を高品質に保つことができた。また、対向電極表面の汚染による放電ムラやガス流れのムラが発生しないため、形成した薄膜の膜厚均一性にすぐれ、生産安定性を向上することができた。更に、対応電極表面に付着した汚染物質を除去する工程が不要となることで、装置稼働率を高めることが可能となった。加えて、高速で基材を搬送（回転)することができ、その結果、プラズマ放電処理一回あたりの曝露時間を短くすることで、円筒状基材の熱ダメージを抑制でき、熱に弱い樹脂基材表面へ高品質の膜形成が容易となった。同様の理由で、成膜品質を劣化させずに成膜速度を高めるため、プラズマ放電の出力を増加することが可能となり、基材への熱ダメージを抑制しつつ、成膜速度の大幅な向上を図ることができた。

[0024] 以下、本発明の実施の形態を、図を用いて詳細に説明する力本欄の記載は請求の範囲の技術的範囲や用語の意義を限定するものではない。

[0025] はじめに、本発明の大気圧プラズマ処理装置について説明する。

[0026] 本発明の大気圧プラズマ処理装置を用いた大気圧プラズマ処理方法（以下、大気圧プラズマ CVD法ともいう）とは、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電ガスを励起し、放電させ、原料ガス及び、または、反応性ガスを放電空間へ導入し、励起し、基材上に薄膜を形成する処理を指し、その方法につ!/、ては特開平 11— 133205号、特開 2000— 185362号、特開平 11— 61406号、特開 2000— 147209号、特開 2000— 121804号等に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。ここで大気圧近傍と (ま、 20kPa〜； l lOkPaの圧力を表し、好ましく (ま、 93kPa〜； 104kPa力好ましレヽ。

[0027] 本発明の大気圧プラズマ処理装置は、円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも 2つ有し、円筒状基材上に機能性薄膜を形成することを特徴とする。

[0028] はじめに、単一の円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ュニットを有する従来型の大気圧プラズマ処理装置について説明する。

[0029] 図 1は、単一の基材搬送ユニットを有する従来型の大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。

[0030] 図 1において、第 1の大気圧プラズマ処理装置 2 (放電空間と薄膜堆積領域が略同一なダイレクト方式）は、円筒状基材 175上に、目的に応じた機能性薄膜を形成するもので、主には、無端の円筒状基材 175を巻架して矢印方向に回転するロール電極 20と従動ローラ 201、及び、円筒状基材 175表面に機能性薄膜を形成する成膜装置である大気圧プラズマ処理部 3より構成されて!/、る。

[0031] 大気圧プラズマ処理部 3は、ロール電極 20の外周に沿って配列された少なくとも 1 式の固定電極 21と、固定電極 21とロール電極 20間との構成される領域で放電が行われる放電空間 23と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガス Gを生成して放電空間 23に混合ガス Gを供給する混合ガス供給装置 24と、放電空間 23等に空気の流入することを軽減する放電容器 29と、ロール電極 20に接続された第 1の電源 25と、固定電極 21に接続された第 2の電源 26と、使用済みの排ガス G' を排気する排気部 28とを有している。

[0032] 混合ガス供給装置 24は、機能性薄膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或!/、はアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間 23に供給する。 [0033] また、従動ローラ 201は、張力付与手段 202により矢印方向に牽引され、円筒状基材 175に所定の張力を掛けている。張力付与手段 202は円筒状基材 175の掛け替え時等は張力の付与を解除し、円筒状基材 175の掛け替えを行う。

[0034] 第 1の電源 25は周波数 ω 1の電圧を出力し、第 2の電源 26は周波数 ω 2の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間 23に周波数 ω と ω とが重畳された電界を発生

1 2

する。そして、電界により混合ガス Gをプラズマ化して混合ガス Gに含まれる原料ガスに応じた膜が円筒状基材 175の表面に堆積される。

[0035] 以上の様な図 1に示した構成からなる第 1の大気圧プラズマ処理装置 2では、固定電極 21とロール電極 20間との構成される放電空間領域では、ロール電極 20は円筒状基材 175により、常時被覆された状態で処理を行うため、励起した混合ガス Gに直接晒されることはないが、固定電極 21表面は、処理中は常に励起した混合ガス Gに日西されることとなり、その結果、固定電極 21表面に異物が堆積し、放電ムラやガス流れムラが発生するため、薄膜の膜厚均一性を損なったり、膜故障を引き起こしゃすくなる。

[0036] 図 2は、本発明の複数のロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。

[0037] 図 2において、第 2の大気圧プラズマ処理装置 2bは、連続搬送している複数の無端の円筒状基材上に同時に機能性薄膜を形成するもので、主として円筒状基材表面に薄膜を形成する複数の成膜装置 2bl及び 2b2より構成されている。

[0038] 第 2の大気圧プラズマ処理装置 2b (図 2に示した方法は、ダイレクト方式と称され、対向したロール電極 20a、 20b間で放電と薄膜堆積を行う方式である）は、第 1の成膜装置 2blと、所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された第 2の成膜装置 2b2と、第 1の成膜装置 2blと第 2の成膜装置 2b2との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガス Gを生成して放電空間 23bに混合ガス Gを供給する混合ガス供給装置 24bと、その下流側に薄膜形成で使用した廃ガスを外部に排気する排気ノズノレ 27を有して!/、る。

[0039] 第 1の成膜装置 2blは無端の円筒状基材 175を担持し、矢印方向に回転するロール電極 20aと従動ローラ 201と矢印方向に従動ローラ 201を牽引する張力付与手段 202と、ロール電極 20aに接続された第 1の電源 25とを有し、第 2の成膜装置 2b2は無端の円筒状基材 175を担持して、矢印方向に回転するロール電極 20bと従動ローラ 201と矢印方向に従動ローラ 201を牽引する張力付与手段 202とロール電極 20b に接続された第 2の電源 26とを有して!/、る。

[0040] また、第 2の大気圧プラズマ処理装置 2bは、ロール電極 20aとロール電極 20bとの対向領域に放電が行われる放電空間 23bを有している。

[0041] 混合ガス供給装置 24bは、機能性薄膜、例えば、無機酸化物層、無機窒化物層、無機炭化物層等を形成するための原料ガスと、窒素ガス、アルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間 23bに供給する。

[0042] 第 1の電源 25は周波数 ω の電圧を出力し、第 2の電源 26は周波数 ω の電圧を出

1 2

力し、これらの電圧により放電空間 23bに周波数 ω ΐと ω 2とが重畳された電界を発生する。そして、電界により混合ガス Gをプラズマ化 (励起）し、プラズマ化 (励起）した混合ガスを、第 1の成膜装置 2blの円筒状基材 175及び第 2の成膜装置 2b2の円筒状基材 175の表面に晒し、この放電空間内を複数回通過させてプラズマ化 (励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜が第 1の成膜装置 2b 1の円筒状基材 175 及び第 2の成膜装置 2b2の円筒状基材 175の表面に、同時に堆積'形成される。

[0043] ここで、対向するロール電極 20aとロール電極 20bとは所定の間隙を隔てて配置されている。

[0044] また、従動ローラ 201は、張力付与手段 202により矢印方向に牽引され、円筒状基材 175に所定の張力を掛けている。張力付与手段 202は円筒状基材 175の掛け替え時等は張力の付与を解除し、円筒状基材 175の掛け替えを行う。従って、このロール電極 20aとロール電極 20bおよび従動ローラ 201は、ベルト着脱が容易な構成となつていることが好ましい。例えば、これらのロールを片持ちロール構造として、ハウジング部がベルト着脱の邪魔とならない構成とすることが好ましい。また、この従動ローラ 201は、ローラの幅手方向で搬送時の角度を可変できる機構を備えていることが好ましい。円筒状基材 175を連続して搬送する際に、ロール電極 20a、 20bと従動ローラ 201とで、その平行性にずれが発生する場合には、搬送している円筒状基材 175 に蛇行が発生し、安定した成膜を損なう結果となるため、従動ローラ 201に蛇行補正機構を備えて、従動ローラ 201の角度を制御して、正確な搬送条件を維持させる方法も好ましい。

[0045] 更に他の形態として、ローノレ電極 20aとローノレ電極 20bの内、一方のロール電極をアースに接続して、他方のロール電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第 2の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行うことができる観点から好ましぐ特に、放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。

[0046] 図 2においては、ロール電極とガイドロールとで担持した 2つの基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置の例にっレ、て示したが、図 3に示すように 4つの基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置も好ましく用いることができる。

[0047] 図 3においては、第 3の大気圧プラズマ処理装置 2cは、 4つの成膜装置（基材搬送ユニット） 2bl、 2b2、 2b3、 2b4を放射状に酉己置し、中央部に 4つのローノレ電極 20a、 20b、 20c、 20dが設置されている。各ロール電極間にそれぞれ放電空間 23a、 23b , 23c、 23dが構成されている。中心部には、 4つの混合ガス Gの供給ノズルを備えた混合ガス供給装置 24を配置し、それぞれの供給ノズルより混合ガス Gを各放電空間に導き、混合ガスを励起して、 2つの連続搬送している無端の円筒状基材上に同時に機能性薄膜を、放電空間内に複数通過させて所定の膜厚で形成する方法である。また、各放電空間 23の下流部には、それぞれ薄膜形成で使用した廃ガスを外部に排気する排気ノズル 27を有して!/、る。

[0048] 図 3においては、ロール電極 20aと 20cには、第 1の電源 25より周波数 ω の電圧を

1

出力し、ロール電極 20bと 20dには、第 2の電源 26より周波数 ω の電圧を出力する 2 周波方式の印可方法を示してある。

[0049] 図 3に示す 4つの基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置を用いることにより、 1つの円筒状基材の同時に 2つの放電空間により機能性薄膜を形成すること力 Sでき、その生産性は一段と向上する。

[0050] 上記図 2、図 3で説明した各大気圧プラズマ処理装置において、対向した位置に配置されてロール電極 20では、一方のロール電極（例えば、図 2におけるロール電極 2

Oa)には第 1の電源 25から周波数 ω の第 1の高周波電圧が印加され、他方のロール電極（例えば、図 2におけるロール電極 20b)には第 2の電源 26力、ら周波数 ω の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、ロール電極 20aとロール電極 20bとの間に電界強度 Vで周波数 ω と電界強度 Vで周波数 ω とが重畳された電

1 1 2 2

界が発生し、一方のロール電極 20aには電流 Iが流れ、他方のロール電極 20bには

1

電流 Iが流れ、このロール電極間にプラズマが発生する。

[0051] ここで、周波数 ω と周波数 ω の関係、及び、電界強度 Vと電界強度 Vおよび放電

1 2 1 2

ガスの放電を開始する電界強強度 IVとの関係力 ω < ωで、 V≥IV>V、または

1 2 1 2

、 V >IV≥Vを満たし、前記第 2の高周波電界の出力密度が lW/cm²以上となつ

1 2

ている。

[0052] 窒素ガスの放電を開始する電界強強度 IVは 3. 7kV/mmの為、少なくとも第 1の電源 25から印可する電界強度 Vは 3. 7kV/mm、またはそれ以上とし、第 2の高周

1

波電源 26から印可する電界強度 Vは 3. 7kV/mm、またはそれ未満とすることが好ましい。

[0053] また、第 2、第 3の大気圧プラズマ処理装置 2b、 2cに適用可能な第 1の電源 25 (高周波電源）としては、

印加電源記号メーカー周波数製品名

A1 神鋼電機 3kHz SPG3-4500

A2 神鋼電機 5kHz SPG5-4500

A3 春日電機 15kHz AGI-023

A4 神鋼電機 50kHz SPG50— 4500

A5 ハイデン研究所 100kHz水 PHF- 6k

A6 パール工業 200kHz CF— 2000— 200k

A7 パール工業 400kHz CF— 2000— 400k

A8 SEREN IPS 100 〜460kHz L3000

等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。

また、第 2の電源 26 (高周波電源）としては、

印加電源記号メーカー周波数製品名

B1 パール工業 800kHz CF— 2000 800k B2 Λ ル工業 2MHz CF- - 2000— - 2M

B3 Λ ル工業 13. 56MHz CF - 5000 - 13M

B4 Λ ル工業 27MHz CF- 2000 - 27M

B5 Λ ル工業 150MHz CF- 2000 - 150M

B6 ノル工業 20〜99. 9MHz RP - - 2000 - - 20/100M等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。

[0055] なお、上記電源のうち、 *印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで 100kHz)である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。

[0056] 本発明において、第 1及び第 2の電源から対向する電極間に供給する電力は、一方のロール電極（例えば、図 2におけるロール電極 20a)に lW/cm²以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。ロール電極 20aに供給する電力の上限値としては、好ましくは 50W/cm²、より好ましくは 20W/cm²である。下限値は、好ましくは 1. 2W/cm²である。なお、放電面積（cm² )は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。

[0057] また、他方のロール電極（例えば、図 2におけるロール電極 20b)にも、 lW/cm²以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは 5W/cm²以上である。ロール電極 20bに供給する電力の上限値は、好ましくは 50W/cm²である。

[0058] ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれる ON/OFFを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくとも他方のロール電極 20 (例えば、図 2におけるロール電極 20b)に供給する高周波は、連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。

[0059] また、ローノレ電極 20aと第 1の電源 25との間には、第 1フィルタ 25aが設置されており、第 1の電源 25からロール電極 20aへの電流を通過しやすくし、第 2の電源 26からの電流をアースして、第 2の電源 26から第 1の電源 25への電流が通過しにくくなるようになつており、ローノレ電極 20bと第 2の電原 26との間には、第 2フイノレタ 26aカ設置されており、第 2の電源 26からロール電極 20bへの電流を通過しやすくし、第 1の電源 21からの電流をアースして、第 1の電源 25から第 2の電源 26への電流を通過しにくくするようになっている。

[0060] 電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を採用することが好ましぐ各ロール電極には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。

[0061] 以上の説明において、電極と電源の関係は、一方のロール電極 20aに第 2の電源

26を接続して、ロール電極 20bに第 1の電源 25を接続しても良い。

[0062] 本発明の大気圧プラズマ処理装置においては、円筒状基材を連続的に搬送し、前記放電空間内を複数回通過させることが好ましい態様である力円筒状基材の搬送速度として、特に制限はないが、概ね lm/min〜； 1000m/minの範囲であり、好ましく (ま 10m/ mil！〜 500mz minであり、更に好ましく (ま 30m/ mil！〜 300mz min である。

[0063] 図 4は、本発明に適用可能なロール電極の一例を示す概略図である。

[0064] ロール電極 20の構成につ!/、て説明すると、図 4の（a)にお!/、て、ローノレ電極 20は、金属等の導電性母材 200a (以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体 200b (以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。また、溶射に用いるセラミツクス材としては、アルミナ ·窒化ケィ素等が好ましく用いられる力この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

[0065] また、図 4の（b)に示すように、金属等の導電性母材 200Aにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体 200Bを被覆した組み合わせでロール電極 20' を構成してもよい。ライユング材としては、ケィ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられる力 S、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

[0066] 金属等の導電性母材 200a、 200Aとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、チタニウム、鉄等の金属等が挙げられる力加工の観点からステンレスが好ましい。 [0067] 尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材 200a、 200Aは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。

[0068] 本発明の大気圧プラズマ処理装置では、上記説明した方法により、円筒状基材上に機能性薄膜が形成されるが、この機能性薄膜は XPS測定による炭素原子の含有量測定で、炭素原子 20原子％以下含むことが好ましい。

[0069] 例えば、図 2、図 3に記載の大気圧プラズマ処理装置においては、一対のロール電極間で混合ガス（放電ガス）をプラズマ励起させ、このプラズマ中に存在する炭素原子を有する原料ガスをラジカル化して、円筒状基材 175の表面に晒すものである。そして、この円筒状基材 175の表面に晒された炭素含有分子や炭素含有ラジカルが、形成した薄膜中に含有される。

[0070] 本発明の大気圧プラズマ処理装置で用いる放電ガスとは、上記のようなプラズマ処理条件においてプラズマ励起される気体をいい、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などが挙げられる。

[0071] また、機能性薄膜を形成するための原料ガスとしては、常温で気体または液体の有機金属化合物、特に、アルキル金属化合物や金属アルコキシド化合物、有機金属錯体化合物が用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなぐ混合ガス供給装置 24で加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。

[0072] 原料ガスとしては、放電空間でプラズマ状態となり、薄膜を形成する成分を含有するものであり、有機金属化合物、有機化合物、無機化合物等である。

[0073] 例えば、ケィ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン (TE OS)、テトラ n プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ n ブトキシシラン、テトラ t ブトキシシラン、ジメチノレジメトキシシラン、ジメチノレジェトキシシラン、ジェチノレジメトキシシラン、ジフエニノレジメトキシシラン、メチノレトリエトキシシラン、ェチノレトリメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン、（3, 3, 3—トリフルォロプロピル）トリメトキシシラン、へキサメチノレジシロキサン、ビス（ジメチノレアミノ）ジメチノレシラン、ビス（ジメチルァミノ）メチルビニルシラン、ビス（ェチルァミノ）ジメチルシラン、 N, O ビス（トチノレシラン、ジメチノレアミノジメチノレシラン、へキサメチノレジシラザン、へキサメチノレシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オタタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナ一トシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルァミノ）シラン、トリエトキシフルォロシラン、ァリルジメチセチレン、 1 , 4ービストリメチルシリル 1 , 3—ブタジイン、ジ tーブチルシラン、 1 , 3—ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジェニルトリメチルシラン、フエ二ルジメチルシラン、フエニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、 1 （トリメチルシリル） 1 プロピン、ト

ロキサン、へキサメチルシクロテトラシロキサン、 Mシリケート 51などが挙げられるがこれらに限定されない。

[0074] チタン化合物としては、テトラジメチルァミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。

[0075] アルミニウム化合物としては、アルミニウム n ブトキシド、アルミニウム s—ブトキシド、アルミニウム tーブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルァセトアセテート、アルミニウムェトキシド、アルミニウムへキサフルォロペンタンジォネート、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウム ΠΙ2, 4 ペンタンジォネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。

[0076] 亜鉛化合物としては、ジンクビス（ビス（トリメチルシリル）アミド）、ジンク 2, 4 ペンタンジォネート、ジンク 2, 2, 6, 6 テトラメチルー 3, 5 ヘプタンジォネートなどが挙げられるがこれらに限定されない。

[0077] ジルコニウム化合物としては、ジルコニウム tーブトキシド、ジルコニウムジイソプロボキシドビス（2, 2, 6, 6 テトラメチルー 3, 5 ヘプタンジォネート、ジルコニウムエトキシ.ジノレコニゥムへキサフノレオ口ペンタンジォネート）、ジノレコニゥムイソプロポキシド、ジルコニウム 2—メチルー 2—ブトキシド、ジルコニウムトリフルォロペンタンジォネートなどが挙げられるがこれらに限定されない。

[0078] また、これらの原料は、単独で用いても良いが、 2種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。

[0079] また、本発明の大気圧プラズマ処理装置により形成される機能性薄膜の硬度は、成膜速度や添加ガス量比などによって調整することができる。

[0080] 本発明においては、本発明の大気圧プラズマ処理装置により形成される機能性薄膜を備えた円筒状基材が、電子写真方式の画像形成装置に用いるエンドレスベルト状の中間転写体（以下、中間転写ベルトとも!/、う）であること力 S好ましレ、。

[0081] 本発明に係る中間転写体とは、電子写真方式の複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に用いられる部材であり、感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に一次転写し、転写されたトナー画像を保持し、保持したトナー画像を記録紙等の被転写物の表面に二次転写するものである。

[0082] 一般に、中間転写ベルトは、基材と、基材の表面に少なくとも 1層の層からなる表層を有し、前記表層の表面の硬度が、ナノインデンテーション法による測定で、 3GPa 以上、 l lGPa以下であることが好ましい。

[0083] 以下、本発明に係る中間転写ベルトの構成要件について、説明する。

[0084] (基材）

本発明において、中間転写ベルトの基材としては、樹脂材料または弾性体材料に導電剤を分散させてなるベルトを用いることができる。これらの基材材料は、単独で用いても 2種以上組み合わせても良ぐこれらの樹脂材料および弾性体材料の積層体による組み合わせからなるベルトを用いることもできる。ベルトに用いる樹脂としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、エチレンテトラフルォロエチレン共重合体、ポリアミド及びポリフエ二レンサルファイド等、いわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることができる。弾性体材料としては、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン 'ブタジエンゴム、アクリロニトリル.ブタジェンゴム、二トリルゴム、水素化二トリルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、エチレン 'プロピレンゴム、クロロプレンゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、ウレタンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレンゴム、ェピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、ポリエーテルゴム等のゴム材料や、ポリウレタン、ポリスチレン 'ポリブタジエンブロック重合体、ポリオレフイン、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、エチレン '酢酸ビュル共重合体等のエラストマ一を用いることができる。硬度を低下させるために弾性体層は発泡体としても良ぐこの場合、密度は 0. lg/cm³〜0. 9g/cm³が適当である。また、導電剤としては、力一ボンブラックを使用することができる。カーボンブラックとしては、中性または酸性力一ボンブラックを使用すること力 Sできる。導電性フィラーの使用量は、使用する導電性フイラ一の種類によっても異なるが中間転写ベルトの体積抵抗値および表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良ぐ通常、樹脂材料 100質量部に対して 1 0〜20質量部、好ましくは 10〜； 16質量部である。本発明に用いられる基材 175は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイや Tダイにより押しだして急冷することにより製造すること力 Sでさる。

[0085] (表層）

次に、この基材上に表層を形成する。

[0086] 本発明に係る中間転写ベルトにおける表層としては、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物及びそれらの複合物からなる無機化合物が好ましい。

[0087] 本発明において、表層に用いられる無機酸化物としては、酸化ケィ素、酸化アルミ二ゥム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコユウム酸チタン酸鈴、チタン酸鈴ランタン、チタン酸ストロンチゥム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタノレ酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。これらのうちより好ましいのは、酸化ケィ素、酸化アルミニウム、酸化チタンである。

[0088] 本発明における表層の材料は、 1種類の無機化合物でも良いし、 2種類以上の無機化合物を有してレ、ても良レ、。

[0089] 本発明における無機化合物層の表層は、 1層以上あれば良ぐ当該層の炭素原子含有量が 20原子％以下 (XPS測定）であれば好まし!/、。

[0090] 表層の XPS測定による組成分析は、例えば、 VGサイエンティフィック社製 X線光電子分光分析測定器などにより測定することができる。測定に際しては、アルゴンイオンエッチングにより薄膜の最表面の吸着、汚染原子の除去をおこなった。また、同様にエッチングにより複数層ある場合の各層の組成も測定できる。

[0091] 炭素原子を 20原子％以下 (XPS測定）にすることにより、ベルト搬送にともなう屈曲によるひび割れが発生しに《なり耐久性が向上する。炭素原子の含有量の調整は、高周波電源の出力、添加ガス量比、原料ガス量比、基材温度などの成膜条件を調整することにより行うこと力 Sできる。本発明における表層の少なくとも 1層は、炭素原子含有量は 20原子％以下が良ぐ好ましくは 0. ；!〜 15原子％、より好ましくは 0. ；!〜 5 原子％である。

[0092] 本発明における表層を基材上に形成する前にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロ一放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を行っても良い。

[0093] 更に、本発明に係る中間転写ベルトにおいては、表層と基材との間には、密着性の向上を目的として、アンカーコート剤層を形成しても良い。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシァネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビュルアルコール樹脂、ビュル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、およびアルキルチタネート等を、 1または 2種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、ダラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすること力 Sできる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、 0. ；!〜 5g/m² (乾燥状態)程度が好ましい。

[0094] 本発明における表層の膜厚は、 200nm〜； !OOOnm力 S良く、好ましくは 200nm〜6

00腹、さらに好ましくは 250應〜 500腹である。

[0095] 表層の表面硬度は、ナノインデンテーション法による測定で、 3GPa以上 l lGPa以下が好ましい。表面層の硬度の調整も、同様に成膜条件 (添加ガス量と原料ガス量比および高周波電源出力、基材温度など）を調整することにより行うことができる。実施例

[0096] 以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。

[0097] 《中間転写ベルトの作製》

(円筒状基材の作製）

下記の方法に従って、円筒状基材を作製した。

[0098] ポリフエ二レンサルファイド樹脂（E2180、東レ社製） 100質量部

導電フィラー（ファーネス # 3030B、三菱化学社製） 16質量部グラフト共重合体 (モディパー A4400、日本油脂社製） 1質量部滑材（モンタン酸カルシウム） 0· 2質量部

上記の各材料を単軸押出機に投入し、溶融混練させて樹脂混合物とした。単軸押出機の先端にはスリット状でシームレスベルト形状の吐出口を有する環状ダイスが取り付けてあり、混練された上記樹脂混合物を、シームレスベルト状の形態で押し出した。押し出されたシームレスベルト状の樹脂混合物を、単軸押出機の吐出先に設けた円筒状の冷却筒に外揷させて冷却し、固化することにより中間転写ベルト用の無端の円筒状基材を得た。得られた基材の厚さは、 120 であった。

[0099] (中間転写ベルト 1の作製：実施例）

上記作製した円筒状基材を、図 2に記載の 2ユニットのロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットから構成される大気圧プラズマ処理装置の円筒状基材 175として装着し、円筒状基材 175を 100m/minの搬送速度で連続搬送しながら、表層として酸化ケィ素層を下記の形成条件で 250nmの厚さで形成した。この時、大気圧プラズマ処理装置の各ロール電極 20a、 20bを被覆する誘電体は、いずれもセラミック溶射加工により片肉で lmm厚のアルミナを被覆したものを使用した。また、口ール電極 20a、 20b間で形成する放電空間 23bの間隙は、 0. 5mmに設定した。

[0100] また、各ロール電極の誘電体を被覆した金属母材は、水循環による加熱、冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、プラズマ放電中は 50°Cの水を循環することにより、各ロール電極の表面温度を一定に保ちながらプラズマ処理を行い、 10 0本の中間転写ベルト 1を連続して作製した。

[0101] 原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ余熱を行った Nガスおよび O

ガスと混合及び希釈した後、放電空間 23bへ、混合ガス供給装置 24bより供給を行つた。混合ガス供給装置の反対側には排気ノズル 27を設け、排気ノズル 27内の圧力を— 50Paに保つように調整し、プラズマ反応終了後の廃ガスの系外への排気を行った。

[0102] 〈酸化ケィ素層の形成条件〉

放電ガス： Nガス

反応ガス： Oガスを全ガスに対し 21体積％

原料ガス：テトラエトキシシラン (TEOS)を全ガスに対し 0. 1体積％

低周波側電源電力：神鋼電機社製高周波電源（50kHz)、 10W/cm² 高周波側電源電力：パール工業社製広帯域高周波電源（60. OMHz)、 lOW/c m

(中間転写ベルト 2の作製：比較例）

上記中間転写ベルト 1の作製において、大気圧プラズマ処理装置として、図 1に記載の単一の基材搬送ユニットを有する大気圧プラズマ処理装置を用いた以外は同様にして、 100本の中間転写ベルト 2を連続して作製した。なお、中間転写ベルト 2の作製において、 10本作製する毎に、円筒状基材に対向した位置にある固定電極 21の表面汚れを除去する操作を行った。

[0103] (中間転写ベルト 3の作製：比較例）

上記中間転写ベルト 2の作製において、固定電極 21の表面汚れの除去操作を全く行わなかった以外は同様にして、 100本の中間転写ベルト 3を連続して作製した。

[0104] 《評価》

上記方法に従って、各 100本の中間転写ベルトを作製した後、 100本目の中間転写ベルトについて、下記に示す各評価を行った。

[0105] 〔薄膜表面硬さの測定〕

作製した各中間転写ベルトの酸化ケィ素膜の薄膜表面硬さ（GPa)を、下記に示すナノインデンテーション法により測定した。 [0106] 使用した測定装置は、 NANO Indenter XP/DCM (MTS Systems社/ M TS Nano Instruments社製）で、先端形状が正三角形のダイヤモンド Berkovic h圧子を用い、最大荷重設定を 25 Nとして、酸化ケィ素層の厚み（250nm)に対し十分に小さな押し込み深さとなる条件で、薄膜表面硬さ（GPa)を測定した。

[0107] 〔表面粗さの測定〕

下記の方法に従って、 10点平均粗さ (Rz)を測定した。

[0108] 原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscopy : AFM)として、セイコーインスッル社/エスアイアイ.ナノテクノロジ一社製 SPI3800Nプローブステーション及び S PA400多機能型ユニットを測定装置として使用し、カンチレバーは、同社製シリコンカンチレバー SI— DF20を使用した。 DFMモード（Dynamic Force Mode)で、測定領域 10 πι角を測定し、得られた三次元データより、 10点平均粗さ (Rz)を算し/

[0109] 〔表面薄膜 (酸化ケィ素膜)の膜厚の測定

作製した各中間転写ベルトの酸化ケィ素膜の膜厚 (nm)を、反射分光膜厚計 FE— 3000 (大塚電子 (株)製）を使用した反射スペクトルの解析結果より求めた。また、この膜厚の解析結果が、中間転写ベルト断面 (表層部分)の電子顕微鏡観察により測定した膜厚とほぼ一致することを事前に確認している。

[0110] 各中間転写ベルト表面の作画に関与する範囲内について、巾方向および周方向それぞれ 10mm間隔で 100点の膜厚を測定し、設計膜厚 250nmからのバラツキ巾を測定し。これを薄膜均一性の尺度とした。

[0111] 〔カラーレーザープリンタによる画質評価〕

カラーレーザープリンタとして、コニカミノルタビジネステクノロジ一社製の magicolo r5440DLを用い、内部の中間転写ベルトを外し、上記作製した中間転写ベルト；!〜 3をそれぞれ装着した。モノクロトナーとして、平均粒径 6. 5 mの重合トナーを使用し、コニカミノルタ CFペーパー（コニ力ミノルタビジネステクノロジ一社製）に、黒ベタ画像の濃度を低〜高の 5段階に変化させた原稿を使用して、プリントを行い、出力した画像のムラやトナー濃度を目視観察し、下記の基準に従って画質評価を行った。

[0112] 〇：全ての濃度域で、画像ムラ及び濃度低下は認められない Δ：全ての濃度域で画像ムラの発生はないが、高濃度画像でやや濃度が低レ、

X：全ての濃度域で画像ムラが発生し、かつ得られた画像の濃度が低い〔クリーニング適性の評価〕

上記カラーレーザープリンタを用いて、各中間転写体表面をクリーニングブレードでクリーニングした後、各中間転写体の表面状態を目視観察してトナーの付着状態を確認し、下記の基準に従ってクリーニング適性の評価を行った。

[0113] 〇：トナーの付着がまったく認められない、

△:僅かにトナーの付着が認められるが、実用上問題はない

X：明らかなトナーの拭き取り残しが発生しており、実用上問題がある

以上により得られた結果を、表 1に示す。

[0114] [表 1]

表 1に記載の結果より明らかなように、本発明の大気圧プラズマ処理装置により作製した中間転写ベルト 1は均一に表面に薄膜が形成されており、薄膜の硬さ、表面粗さともに良好で、中間転写ベルトとして優れた特性であることが分かる。これに対し

、比較例の中間転写ベルト 2は、表面に均一の薄膜が形成されていたものの、形成した薄膜の硬さや表面粗さは中間転写ベルト 1に比べやや劣り、実機による中間転写ベルトとしての評価においても、中間転写ベルト 1よりやや劣っていた。また、 100本の中間転写ベルトを作製するのに要した時間も、本発明の中間転写ベルト 1の約 4倍であった。また、薄膜形成時に電極のクリーニング処理を全く行わなかった中間転写ベルト 3は、円筒の周方向にスジが全面に発生しており、薄膜形成が不均一であり、全体に白濁し、粉っぽく観察された。また、形成した薄膜の表面硬さや表面粗さも劣り、場所による測定値にばらつきが見られた。さらに、強い画像ムラが認められ、中間転写ベルトとして要求される品質を満たしていな力た。

Claims

請求の範囲

[1] 円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも 2つ有し、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する該ロール電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、少なくとも 2つの該円筒状基材を励起した前記ガスに晒すことにより、同時に薄膜を形成する手段を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。

[2] 前記円筒状基材を連続的に搬送し、前記放電空間内を複数回通過させることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[3] 前記ロール電極間で形成する放電空間の一方の側にガス供給ノズルを備え、他方の側にガス排気ノズルを備えていることを特徴とする請求の範囲第 1項または第 2項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[4] 前記円筒状基材が、樹脂材料または弾性材料により構成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 3項のいずれ力、 1項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[5] 前記薄膜を形成した円筒状基材が、電子写真方式の画像形成装置に用いるェンドレスベルト状の中間転写体であることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 4項のいずれか 1項に記載の大気圧プラズマ処理装置。

[6] 連続搬送する円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ュニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも 2つ有し、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する該ロール電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、少なくとも 2 つの該円筒状基材を励起した前記ガスに複数回晒して、同時に薄膜を形成するェ程を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。

[7] 前記ロール電極間で形成する放電空間の一方の側にガス供給ノズルを備え、他方の側にガス排気ノズルを備えていることを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の大気圧プラズマ処理方法。

[8] 前記円筒状基材が、樹脂材料または弾性材料により構成されていることを特徴とする請求の範囲第 6項または第 7項に記載の大気圧プラズマ処理方法。前記薄膜を形成した円筒状基材が、電子写真方式の画像形成装置に用いるェンドレスベルト状の中間転写体であることを特徴とする請求の範囲第 6項乃至第 8項のいずれか 1項に記載の大気圧プラズマ処理方法。