WO2009128123A1 - 液晶表示パネル - Google Patents

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crystal display
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active matrix
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守屋由瑞
海瀬泰佳
吉田裕志
田坂泰俊
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    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display panel, and more particularly to a liquid crystal display panel in which a cell thickness is maintained by a photo spacer formed in a column shape on a substrate.
  • the liquid crystal display panel includes a pair of substrates arranged to face each other and a liquid crystal layer provided between the two substrates.
  • the thickness of the liquid crystal layer that is, the cell thickness is kept constant by the spacer provided between the pair of substrates.
  • the spacer a bead-shaped spacer dispersed and arranged on one of the pair of substrates has been conventionally used.
  • the bead-shaped spacer is used.
  • columnar photo spacers that are formed and arranged by photolithography on one of the pair of substrates are used.
  • Patent Document 1 discloses a reflection / transmission type liquid crystal display device having a spacer function in a pixel and a protrusion for regulating alignment of liquid crystal molecules and a method thereof.
  • an active matrix liquid crystal display panel includes an active matrix substrate and a counter substrate as the pair of substrates.
  • FIG. 11 is a plan view of a conventional active matrix substrate 120.
  • the active matrix substrate 120 includes a plurality of pixel electrodes 117 provided in a matrix and a plurality of gate lines 113a provided so as to extend in parallel with each other along the short side of each pixel electrode 117.
  • a plurality of source lines 115 provided so as to extend in parallel with each other along the long side of each pixel electrode 117, and a plurality of capacitor lines 113b provided so as to extend in parallel with each other along each gate line 113a.
  • a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) 105 provided respectively at the intersections of the gate lines 113a and the source lines 115 and connected to the pixel electrodes 117, respectively.
  • the TFT 105 and the pixel electrode 117 are connected via a through hole 116a formed in a resin film (not shown) on the TFT 105 as shown in FIG. .
  • the photo spacers 123a (and 123b) formed on the counter substrate are indicated by two-dot chain lines. Since the photo spacer 123b is formed lower than the photo spacer 123a, it is in contact with the surface of the active matrix substrate when the panel surface is pressed to maintain the cell thickness, and is manufactured by a liquid crystal dropping injection method.
  • the liquid crystal display panel is configured such that bubbles are not easily generated when a low temperature impact is applied to the panel surface.
  • the head of the photo spacer 123a of the counter substrate may fall.
  • the cell thickness becomes narrow and the cell thickness cannot be kept constant, making it difficult to control the cell thickness stably by the photo spacer 123a. End up.
  • the through holes 116a formed in the active matrix substrate 120 and the photo spacers 123a formed in the counter substrate are arranged apart from each other in plan view, thereby allowing the through matrix of the active matrix substrate 120 to pass through. It can be considered that the head of the photo spacer 123a of the counter substrate does not fall into the hole 116a.
  • the spacing between the source lines 115 is becoming narrower as the pixels become higher in definition, so that the photo spacers 123a or the through holes 116a are formed so as to protrude into the transmission region in plan view.
  • the through hole 116a and the photo spacer 123a are separated from each other in plan view.
  • a transmissive region is a region that does not overlap with the capacitor line 113 b and the TFT 105 among regions surrounded by a pair of adjacent gate lines 113 a and a pair of adjacent source lines 115. It is an area that transmits light from the light and is effective for image display.
  • the photo spacer 123a or the through hole 116a is projected into the transmission region in plan view, the portion protruding into the transmission region is not effective for image display, and the aperture ratio of the pixel is lowered.
  • the orientation of the liquid crystal layer is likely to be disturbed in the vicinity of the photo spacer 123a, so that the aperture ratio of the pixel is lowered by shielding that region. .
  • the through hole 116a is formed so as to protrude into the transmissive region, the orientation of the liquid crystal layer is easily disturbed in the vicinity of the through hole 116a, and the aperture ratio of the pixel is reduced as described above.
  • light leakage occurs and there is a concern about a decrease in contrast.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to maintain the stability of cell thickness control by a photospacer and suppress a decrease in the aperture ratio of a pixel.
  • the present invention provides a first pixel column in which a photo spacer is disposed so as to overlap one end of a through hole, and a second pixel array in which a photo spacer is disposed so as to overlap the other end of the through hole. And a pixel column.
  • a liquid crystal display panel includes an active matrix substrate, a counter substrate disposed to face the active matrix substrate, and a liquid crystal layer provided between the active matrix substrate and the counter substrate.
  • the active matrix substrate includes a plurality of switching elements provided on the first transparent substrate, an insulating film provided so as to cover the switching elements, and a matrix formed on the insulating film.
  • a plurality of pixel electrodes respectively connected to each switching element through through holes formed for each of the switching elements, and the counter substrate is provided to stand on the second transparent substrate.
  • a photo spacer is provided for maintaining the thickness of the liquid crystal layer, and a plurality of pixels are defined in a matrix corresponding to the pixel electrodes.
  • a first pixel column in which a plurality of pixels arranged so that the photo spacer overlaps one end of the through hole, and the photo spacer at the other end of the through hole.
  • a second pixel row in which a plurality of pixels arranged so as to overlap with each other.
  • the first pixel column in which a plurality of pixels arranged so that the photo spacer overlaps with one end of the through hole and the photo spacer overlap with the other end of the through hole are arranged.
  • a second pixel column in which a plurality of pixels are arranged, the head of the photo spacer of the counter substrate in the first pixel column is temporarily assumed due to a shift in bonding the active matrix substrate and the counter substrate. Even if the portion falls into the through hole of the active matrix substrate, the head of the photo spacer of the counter substrate does not fall into the through hole of the active matrix substrate in the second pixel column.
  • the head of the photo spacer of the counter substrate in each pixel of the second pixel column contacts the pixel electrode outside the through hole of the active matrix substrate, so that the photo The stability of the cell thickness control by the spacer is maintained.
  • the photo spacer is disposed so as to overlap one end or the other end of the through hole, the interval between the photo spacer and the through hole in a plan view is narrowed. Thereby, since it is suppressed that a photo spacer or a through hole protrudes to a transmissive area
  • the first pixel column and the second pixel column may be adjacent to each other.
  • the cell thickness is reliably held in one of the adjacent pixel columns.
  • the insulating film may be a resin film.
  • the insulating film is generally a resin film that is thicker than the inorganic insulating film, the through-hole formed in the insulating film is deep and the inner wall is inclined so as to spread upward.
  • the first pixel column and the second pixel column are provided as described above, stable cell thickness control is possible.
  • the photo spacer may include a first photo spacer and a second photo spacer formed lower than the first photo spacer.
  • the head of the first photo spacer abuts against the surface of the active matrix substrate and the cell thickness is normally maintained.
  • the head of the second photo spacer contacts the surface of the active matrix substrate to maintain the cell thickness.
  • the difference in elastic characteristics between each photospacer and the second transparent substrate is smaller than when the photospacer is the first photospacer, and even if a low temperature impact is applied to the panel surface, the second transparent substrate As each photo spacer also bends following the bending of the liquid crystal, it becomes difficult to form a minute space between them, and the generation of bubbles is suppressed. .
  • the photo spacer may be configured to be the alignment center of the liquid crystal layer.
  • the photo spacer since the photo spacer serves as the alignment center of the liquid crystal layer, the photo spacer maintains the cell thickness and regulates the alignment of the liquid crystal layer in the VA (Vertical Alignment) type liquid crystal display panel. Become.
  • the active matrix substrate includes a plurality of gate lines provided to extend in parallel to each other, a plurality of source lines provided to extend in parallel to each other in a direction intersecting each gate line, and the gate lines to each other.
  • a plurality of capacitor lines provided so as to extend in parallel with each other, and the photo spacer and the through hole may be arranged so as to overlap the capacitor lines along the source lines.
  • the photo spacer and the through hole are arranged so as to overlap each capacitor line along each source line, in the high-definition liquid crystal display panel in which the interval between the source lines is set narrow, A decrease in the aperture ratio of the pixel is specifically suppressed.
  • the active matrix substrate includes a plurality of gate lines provided to extend in parallel to each other, a plurality of source lines provided to extend in parallel to each other in a direction intersecting each gate line, and the gate lines to each other.
  • a plurality of capacitor lines provided so as to extend in parallel with each other, and the photo spacers and the through holes may be disposed so as to overlap the capacitor lines along the gate lines.
  • the photo spacer and the through hole are arranged so as to overlap each capacitor line along each gate line, in the high-definition liquid crystal display panel in which the interval between the source lines is set narrow.
  • the reduction in the aperture ratio of the pixel is specifically suppressed, and for example, the distance between each drain connection electrode connected to the drain region of the semiconductor layer of each TFT provided as a switching element and each source line is designed wide. Therefore, leakage failure between the same layers between each drain connection electrode and each source line is suppressed.
  • a liquid crystal display panel specifically includes an active matrix substrate, a counter substrate disposed to face the active matrix substrate, and a liquid crystal layer provided between the active matrix substrate and the counter substrate.
  • the active matrix substrate is provided with a plurality of switching elements provided on the first transparent substrate, an insulating film provided to cover each switching element, and provided in a matrix on the insulating film, A plurality of pixel electrodes respectively connected to each switching element through through holes formed for each of the switching elements in an insulating film, and the counter substrate stands on a second transparent substrate, respectively.
  • a first photo spacer provided to maintain the thickness of the liquid crystal layer and a second photo spacer lower than the first photo spacer. The first photo spacer is provided so as not to overlap the through hole, and the second photo spacer is provided so as to overlap the through hole.
  • the cell thickness is reliably maintained.
  • the second photo spacer that is formed lower than the first photo spacer and contacts the surface of the active matrix substrate when the panel surface is pressed is provided so as to overlap the through hole, so as to overlap the through hole, the aperture ratio of the pixel is reduced. Reduction is suppressed. Accordingly, it is possible to maintain the stability of the cell thickness control by the photo spacer and suppress the decrease in the aperture ratio of the pixel.
  • the first pixel column arranged so that the photo spacer overlaps one end of the through hole, and the second pixel column arranged so that the photo spacer overlaps the other end of the through hole are provided. Therefore, the stability of the cell thickness control by the photo spacer can be maintained and the decrease in the aperture ratio of the pixel can be suppressed.
  • FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate 20a constituting the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the active matrix substrate 20a and the liquid crystal display panel 50a including the active matrix substrate 20a along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the active matrix substrate 20a taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50a.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50b according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing a liquid crystal display panel 50c according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing a liquid crystal display panel 50d according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of an active matrix substrate 20e constituting the liquid crystal display panel according to the fifth embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the active matrix substrate 20e and the liquid crystal display panel 50e including the active matrix substrate 20e along the line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing a liquid crystal display panel 50f according to the sixth embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view of a conventional active matrix substrate 120.
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 4 show Embodiment 1 of a liquid crystal display panel according to the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate 20a constituting the liquid crystal display panel of the first embodiment.
  • 2 is a cross-sectional view of the active matrix substrate 20a and the liquid crystal display panel 50a including the active matrix substrate 20a along the line II-II in FIG. 1, and
  • FIG. 3 is along the line III-III in FIG. It is sectional drawing of the active matrix substrate 20a.
  • each pixel electrode 17 disposed in the uppermost layer in the active matrix substrate 20a is indicated by a bold line.
  • the liquid crystal display panel 50a includes an active matrix substrate 20a and a counter substrate 30a arranged to face each other, a liquid crystal layer 40 provided between the substrates 20a and 30a, the substrates 20a and A sealing material (not shown) for sealing the liquid crystal layer 40 between the substrates 20a and 30a is provided.
  • the active matrix substrate 20a includes a first transparent substrate 10a such as a glass substrate, a semiconductor layer 11 provided in a substantially L shape on the first transparent substrate 10a, and a semiconductor
  • a gate insulating film 12 provided so as to cover the layer 11, a plurality of gate lines 13a provided on the gate insulating film 12 so as to extend in parallel to each other, and the gate lines 13a on the gate insulating film 12 along the gate lines 13a
  • a plurality of capacitor lines 13b provided so as to extend in parallel with each other, an interlayer insulating film 14 provided so as to cover each gate line 13a and each capacitor line 13b, and orthogonal to each gate line 13a on the interlayer insulating film 14
  • a plurality of source lines 15 a provided so as to extend in parallel to each other in a direction to be formed, a plurality of drain connection electrodes 15 b provided in an island shape between the source lines 15 a on the interlayer insulating film 14,
  • the resin film 16 provided so as to cover the drain line 15a and
  • a plurality of pixels P constituting a minimum unit of an image are defined in a matrix corresponding to each pixel electrode 17.
  • a region that does not overlap with a portion that configures the capacitor line 13b and the TFT 5 described later for example, An area (transmission area) effective for image display is configured by transmitting light from the backlight.
  • TFTs 5 are provided as switching elements at the intersections of the gate lines 13a and the source lines 15a.
  • the TFT 5 includes a gate electrode G configured by a part of the gate line 13 a and a protruding portion protruding to the side of the gate line 13 a, a channel region 11 a, a channel A semiconductor layer 11 in which a lightly doped region (so-called LDD region) 11b outside the region 11a and a heavily doped region 11c including a source region S and a drain region D outside the lightly doped region 11b are respectively defined; And a gate insulating film 12 provided between the gate electrode G and the semiconductor layer 11.
  • LDD region lightly doped region
  • the source region S is connected to the source line 15a through an active contact hole 14a formed in the laminated film of the gate insulating film 12 and the interlayer insulating film 14, as shown in FIGS.
  • the drain region D is connected to the drain connection electrode 15b through an active contact hole 14b formed in the laminated film of the gate insulating film 12 and the interlayer insulating film 14.
  • the drain connection electrode 15b is connected to the pixel electrode 17 through a through hole 16a formed in the resin film 16, as shown in FIGS.
  • the drain region D is provided so as to overlap the capacitor line 13b, and constitutes an auxiliary capacitor together with the capacitor line 13b and the gate insulating film 12 provided therebetween. is doing.
  • the counter substrate 30 a includes a second transparent substrate 10 b such as a glass substrate, a black matrix 21 a provided in a lattice shape on the second transparent substrate 10 b, and each lattice of the black matrix 21 a
  • a color filter layer 21 b provided with colored layers such as a red layer, a green layer and a blue layer, a common electrode 22 provided so as to cover the color filter layer 21, and a stand up on the common electrode 22.
  • the first and second photo spacers 23a and 23b (see FIG. 1) and an alignment film (not shown) provided so as to cover the common electrode 22 are provided.
  • the first photo spacers 23a and the second photo spacers 23b arranged on the counter substrate 30a are indicated by two-dot chain lines.
  • the first photo spacers 23a are formed, for example, at a height of about 4.5 ⁇ m, and come into contact with the surface of the active matrix substrate 20a (the surface of the pixel electrode 17) as shown in FIG. That is, it is configured to maintain the cell thickness.
  • the second photospacer 23b is formed, for example, at a height of about 4.2 ⁇ m and lower than the first photospacer 23a, and the surface of the active matrix substrate 20a (the surface of the pixel electrode 17) when the panel surface is pressed. And the thickness of the liquid crystal layer 40 is maintained.
  • the second photo spacers 23b are formed lower than the first photo spacers 23a, when the liquid crystal display panel 50a is manufactured by the liquid crystal dropping injection method, all the photo spacers are the first photo spacers 23a.
  • each of the photo spacers follows the bending of the second transparent substrate 10b. Since the photo spacer is also bent, it is difficult to form a minute space or the like between them, and the generation of bubbles is suppressed.
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50a.
  • the through holes 16a formed in the active matrix substrate 20a and the first photo spacers 23a and the second photo spacers 23b formed in the counter substrate 30a are shown.
  • the liquid crystal display panel 50 a includes a first pixel column La arranged such that each first photo spacer 23 a overlaps one end (lower side in the drawing) of the through hole 16 a, and the first pixel column A second pixel column Lb is arranged adjacent to La and arranged such that each first photospacer 23a overlaps the other end (upper side in the drawing) of the through hole 16a.
  • the second photo spacers 23b are arranged so as to overlap the through holes 16a in the first pixel column La and the second pixel column Lb.
  • the size of the pixel P is about 30 ⁇ m ⁇ 90 ⁇ m
  • the number density of the first photo spacers 23a is about 11 / mm 2
  • the number density of the second photo spacers 23b is 360 / mm 2.
  • a mm 2 about.
  • the size of the pixel P is about 40 ⁇ m ⁇ 120 ⁇ m
  • the number density of the first photo spacers 23a is about 11 / mm 2
  • the number density of the second photo spacers 23b is about 197 / mm 2. It is.
  • the number density of the first photo spacers 23a is about 11 / mm 2 and the number density of the second photo spacers 23b is about 122 / mm 2. It is. Note that the first photo spacers 23a are preferably arranged only in the respective pixels P that display blue in order to suppress deterioration in display quality.
  • the liquid crystal display panel 50a having the above configuration configures the liquid crystal layer 40 by applying a predetermined voltage to the liquid crystal layer 40 disposed between each pixel electrode 17 on the active matrix 20a and the common electrode 22 on the counter substrate 30a. By changing the alignment state of the liquid crystal molecules, the transmittance of the light transmitted through the panel is adjusted for each pixel P, and an image is displayed.
  • the manufacturing method of the present embodiment includes an active matrix substrate manufacturing process, a counter substrate manufacturing process, and a liquid crystal dropping and bonding process.
  • an amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) is formed on the entire first transparent substrate 10a such as a glass substrate by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) using, for example, disilane as a source gas. After that, heat treatment such as laser light irradiation is performed to transform the film into a polysilicon film. Thereafter, the polysilicon film is patterned by photolithography to form the semiconductor layer 11.
  • a base coat film may be formed by forming a silicon oxide film or the like between the first transparent substrate 10a and the semiconductor layer 11 by a plasma CVD method.
  • a silicon oxide film (having a thickness of about 100 nm) is formed on the entire substrate on which the semiconductor layer 11 is formed by a plasma CVD method to form the gate insulating film 12, and then the gate insulating film 12 is interposed. Then, the semiconductor layer 11 is doped with phosphorus or boron as an impurity.
  • a tantalum nitride film (thickness of about 50 nm) and a tungsten film (thickness of about 350 nm) are sequentially formed on the entire substrate on the gate insulating film 12 by sputtering, and then patterned by photolithography. Then, the gate line 13a and the capacitor line 13b are formed.
  • the semiconductor layer 11 is doped with phosphorus or boron through the gate insulating film 13, and a channel region 11a is formed in a portion overlapping the gate electrode G.
  • the semiconductor layer 11 is doped with phosphorus or boron through the photoresist and the gate insulating film 12. Note that a region overlapping the capacitor line 13b of the semiconductor layer 11 is separately doped with phosphorus or boron before the capacitor line 13b is formed. Thereafter, heat treatment is performed, and activation of doped phosphorus or boron is performed, thereby forming the lightly doped region 11b and the heavily doped region 11c including the source region S and the drain region D.
  • a silicon nitride film (thickness of about 250 nm) and a silicon oxide film (thickness) are formed on the entire substrate in which the channel region 11a, the lightly doped region 11b, and the heavily doped region 11c are formed in the semiconductor layer 11 by plasma CVD.
  • a silicon nitride film (thickness of about 250 nm) and a silicon oxide film (thickness) are formed on the entire substrate in which the channel region 11a, the lightly doped region 11b, and the heavily doped region 11c are formed in the semiconductor layer 11 by plasma CVD.
  • the interlayer insulating film 14 is formed, and then the portions of the stacked film of the gate insulating film 12 and the interlayer insulating film 14 that overlap the source region S and the drain region D are removed by etching.
  • Contact holes 14a and 14b are formed.
  • a titanium film (thickness of about 100 nm), an aluminum film (thickness of about 350 nm), and a titanium film (thickness) are formed on the entire substrate on which the interlayer insulating film 14 having the active contact holes 14a and 14b is formed by sputtering.
  • the source line 15a and the drain connection electrode 15b are formed by patterning by photolithography.
  • acrylic resin is applied to the entire substrate on which the source line 15a and the drain connection electrode 15b are formed by spin coating to form the resin film 16 (thickness of about 2 ⁇ m), and then the drain of the resin film 16 is formed. A portion overlapping the connection electrode 15b is removed by etching to form a through hole 16a.
  • an ITO (Indium Tin Oxide) film (thickness of about 100 nm) is formed on the entire substrate on which the resin film 16 having the through holes 16a is formed by sputtering, and then patterned by photolithography, A pixel electrode 17 is formed.
  • an alignment film is formed by performing a rubbing process.
  • the active matrix substrate 20a can be manufactured.
  • a black-colored photosensitive resist material having a film thickness of about 2 ⁇ m is formed on the entire second transparent substrate 10b such as a glass substrate, and then a pattern is formed by photolithography to form a black matrix 21a. Form.
  • a photosensitive resist material colored in, for example, red, green, or blue is formed on each of the lattices of the black matrix 21a with a film thickness of about 2 ⁇ m, and then patterned by photolithography to select the selected color.
  • a colored layer for example, a red layer
  • other colored layers for example, a green layer and a blue layer
  • the color filter layer 21b is formed.
  • an ITO film (thickness of about 100 nm) is formed by sputtering on the substrate on which the color filter layer 21b is formed, and the common electrode 22 is formed. Note that before the ITO film is formed on the substrate on which the color filter layer 21b is formed, an overcoat layer may be formed so as to cover the color filter layer 21b to improve flatness.
  • a photosensitive acrylic resin is applied to the entire substrate on which the common electrode 22 is formed, for example, by spin coating to a thickness of about 4.5 ⁇ m, and then patterned by photolithography to form the first photo spacers 23a (A second photo spacer 23b (about 4.2 ⁇ m) is formed.
  • the first photo spacer 23a and the second photo spacer 23b have a wavelength of 365 nm (i-line, for example) via a halftone mask or a gray tone mask provided with regions having different light transmittances relative to the photosensitive acrylic resin.
  • an alignment film is formed by performing a rubbing process.
  • the counter substrate 30a can be manufactured.
  • a seal material made of ultraviolet curing and thermosetting resin is drawn in a frame shape on the counter substrate 30a manufactured in the counter substrate manufacturing step.
  • a liquid crystal material is dropped onto a region inside the sealing material in the counter substrate 30a on which the sealing material is drawn.
  • the bonded body is released to atmospheric pressure. By doing, the surface of a bonding body is pressurized.
  • the sealing material is hardened by heating the bonding body.
  • the liquid crystal display panel 50a can be manufactured as described above.
  • the first pixel column formed by arranging the plurality of pixels P arranged so that the first photo spacer 23a overlaps one end of the through hole 16a. Since it includes La and a second pixel column Lb in which a plurality of pixels P are arranged so that the first photo spacer 23b overlaps the other end of the through hole 16a, the active matrix substrate 20a and the counter substrate are provided.
  • the head of the first photospacer 23a of the counter substrate 30a falls into the through hole 16a of the active matrix substrate 20a in the first pixel column La due to a shift when the 30a is bonded, the second In the pixel column Lb, the head of the first photo spacer 23a of the counter substrate 30a is connected to the through hole of the active matrix substrate 20a. It will not depress the inside of the hole 16a. In this case, the head of the first photospacer 23a of the counter substrate 30a in each pixel P of the second pixel row Lb contacts the pixel electrode 17 outside the through hole 16a of the active matrix substrate 20a, so that the cell thickness Therefore, the stability of the cell thickness control by the first photo spacer 23a is maintained.
  • the first photo spacer 23a is arranged so as to overlap one end or the other end of the through hole 16a, there is no need for a margin for misalignment or the like, and the first photo spacer 23a and the through hole 16a in a plan view are eliminated. Can be narrowed. Thereby, since it can suppress that the 1st photo-spacer 23a or the through hole 16a protrudes in a transmissive area
  • the head of the first photo spacer 23a is normally at the active matrix substrate 20a.
  • the cell thickness can be maintained by contacting the surface of the substrate, and when the panel surface is pressed, the head of the second photo spacer 23b can contact the surface of the active matrix substrate 20a to maintain the cell thickness.
  • the liquid crystal display panel manufactured by the liquid crystal dropping injection method there is a difference in elastic characteristics between each photo spacer and the second transparent substrate 10b as compared with the case where all the photo spacers are the first photo spacers 23a. Even if a low temperature impact is applied to the panel surface, each photo follows the bending of the second transparent substrate 10b. By also flex pacer, such as the minute space is hardly formed between the two, it is possible to suppress the generation of bubbles.
  • the first photo spacers 23a, the second photo spacers 23b, and the through holes 16a are arranged so as to overlap the capacitor lines 13b along the source lines 15a.
  • the intervals between the source lines 15a are set narrow, it is possible to suppress a decrease in pixel aperture ratio.
  • liquid crystal display panel 50a of the present embodiment it is possible to prevent the portion where the orientation of the liquid crystal layer 40 is easily disturbed in the vicinity of each first photo spacer 23a and each through hole 16a from protruding into the transmission region.
  • the occurrence of light leakage and the decrease in contrast can be suppressed.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50b of the present embodiment.
  • the same portions as those in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • each second photospacer 23b is arranged so as to overlap a part of each through hole 16a.
  • liquid crystal display panel 50b of the present embodiment similarly to the first embodiment, it is possible to maintain the stability of the cell thickness control by the photo spacer and suppress the decrease in the aperture ratio of the pixel.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50c of the present embodiment.
  • each through hole 16a is formed along the source line 15a with respect to each first photo spacer 23a.
  • the liquid crystal display panel 50c according to the present embodiment is arranged in a shifted state (in the vertical direction in the drawing), as shown in FIG. 6, each through hole 16a is connected to each first photospacer 23a as a gate line. It is arranged in a state shifted along 13a (laterally in the figure).
  • the liquid crystal display panel 50 c includes a first pixel row La arranged so that each first photo spacer 23 a overlaps one end (left side in the drawing) of the through hole 16 a, Adjacent to the pixel column La, each first photo spacer 23a is provided with a second pixel column Lb arranged so as to overlap the other end (right side in the figure) of the through hole 16a.
  • liquid crystal display panel 50c of the present embodiment as in the first and second embodiments, it is possible to maintain the stability of the cell thickness control by the photo spacer and suppress the decrease in the aperture ratio of the pixel.
  • the distance between the first photo spacers 23a and the through holes 16a in a plan view can be narrowed, so that the distance between each source line and each drain connection electrode is designed to be wide. And leakage failure between the same layers can be suppressed.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50d of the present embodiment.
  • each second photospacer 23b is disposed so as to overlap a part of each through hole 16a.
  • liquid crystal display panel 50d of the present embodiment as in the first to third embodiments, it is possible to maintain the stability of cell thickness control by the photo spacer and suppress the decrease in the aperture ratio of the pixel.
  • FIG. 8 is a plan view of an active matrix substrate 20e constituting the liquid crystal display panel of the present embodiment
  • FIG. 9 is an active matrix substrate 20e along the line IX-IX in FIG. 8 and a liquid crystal display including the active matrix substrate 20e. It is sectional drawing of the panel 50e.
  • a transmissive liquid crystal display panel is exemplified, but in this embodiment, a transflective liquid crystal display panel 50e will be described.
  • the liquid crystal display panel 50e includes an active matrix substrate 20e and a counter substrate 30e arranged to face each other, a liquid crystal layer 40 provided between the substrates 20e and 30e, A sealing material (not shown) for adhering the substrates 20e and 30e to each other and enclosing the liquid crystal layer 40 between the substrates 20e and 30e is provided.
  • the active matrix substrate 20e has a configuration in which a reflective electrode 18 is provided on each pixel electrode 17 of the active matrix 20a of the first embodiment.
  • the reflection electrode 18 is provided between each gate line 13a and one capacitor line 13b adjacent to the gate line 13a on each pixel electrode 17, and constitutes a reflection region for displaying a reflection mode. is doing.
  • the pixel electrode 17 exposed from the reflective electrode 18 constitutes a transmissive region in which a transmissive mode is displayed.
  • the active matrix substrate 20e is formed by, for example, a molybdenum film by sputtering on the entire substrate on which the pixel electrode 17 is formed after the pixel electrode 17 is formed in the active matrix substrate manufacturing process described in the first embodiment. Then, an aluminum film can be sequentially formed and patterned by photolithography to form the reflective electrode 18.
  • the counter substrate 30 e has a configuration in which a white layer 21 c is provided between the color filter layer 21 b and the common electrode 22 in the counter substrate 30 a of the first embodiment.
  • the white layer 21c is provided so as to overlap the reflective region 18 of the active matrix substrate 20e, and is configured such that the cell thickness in the reflective region is 1 ⁇ 2 of the cell thickness in the transmissive region.
  • the counter substrate 30e is formed of a colorless photosensitive resist material on the entire substrate on which the color filter layer 21b is formed after the color filter layer 21b is formed in the counter substrate manufacturing process described in the first embodiment. After the film is formed, it can be manufactured by patterning by photolithography to form the white layer 21c.
  • the stability of cell thickness control by the photo spacer can be maintained, the distance between each source line and each drain connection electrode can be designed wide, and leakage between the same layers can be prevented. Etc. can be suppressed.
  • the positional relationship between each photo spacer and the through hole is set by moving the position of the through hole 16a while the positions of the first photo spacers 23a and the second photo spacers 23b are fixed.
  • the positional relationship between each photo spacer and the through hole may be set by moving the position of each photo spacer in a state where the position of the through hole is fixed. May be combined.
  • the first photo spacers 23a are arranged so as to overlap inside the pair of through holes 16a adjacent to each other.
  • the first photo spacers may be arranged so as to overlap the outside of a pair of through holes adjacent to each other.
  • the first pixel column La and the second pixel column Lb are adjacent to each other.
  • the first pixel column La and the second pixel column Lb may be separated from each other. That is, one or more pixel columns in which no special positional relationship is set between the photo spacers and the through holes are arranged between the first pixel column La and the second pixel column Lb, and these pixel columns are repeated. It may be.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel 50f of the present embodiment.
  • each first photospacer 23a is arranged so that each first photospacer 23a overlaps one end of each throughhole 16a, and each first photospacer 23a is provided in each throughhole 16a.
  • the second pixel row Lb arranged to overlap the other end is defined, in the liquid crystal display panel 50f of the present embodiment, the first photo spacer 23a is provided so as not to overlap the through hole 16a, and the second A photo spacer 23b is provided so as to overlap the through hole 16a.
  • the cell thickness can be reliably maintained. Can do.
  • the second photo spacers 23b that are formed lower than the first photo spacers 23b and come into contact with the surface of the active matrix substrate when the panel surface is pressed are provided so as to overlap the through holes 16a, A decrease in the aperture ratio can be suppressed. Therefore, the stability of the cell thickness control by the photo spacer can be maintained, and the decrease in the aperture ratio of the pixel can be suppressed.
  • each photo spacer of each of the above embodiments is aligned with the alignment center of the liquid crystal layer. It is good.
  • the first photo spacer and the second photo spacer are exemplified as the photo spacers.
  • the present invention may be only the photo spacers that are in contact with the surface of the active matrix substrate in a normal state.
  • the configuration in which the photo spacer is arranged at the approximate center of each pixel (in the transflective type, the approximate center of the reflection region) is exemplified.
  • the photo spacer is arranged anywhere within each pixel. It may be.
  • the liquid crystal display panel including the TFT is exemplified as the switching element.
  • the present invention can be applied to a liquid crystal display panel including other switching elements such as MIM (Metal Insulator Metal). it can.
  • the present invention can maintain the stability of the cell thickness control by the photo spacer and suppress the decrease in the aperture ratio of the pixel. Therefore, the entire liquid crystal display panel in which the photo spacer is arranged in the pixel is used. Useful for.

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Abstract

　アクティブマトリクス基板（２０ａ）が、複数のスイッチング素子（５）と、各スイッチング素子（５）を覆うように設けられたスルーホール（１６ａ）を有する絶縁膜と、その絶縁膜上に設けられスルーホール（１６ａ）を介して各スイッチング素子（５）にそれぞれ接続された複数の画素電極（１７）とを備え、対向基板が液晶層の厚さを保持するためのフォトスペーサ（２３ａ）を備えた液晶表示パネルであって、フォトスペーサ（２３ａ）がスルーホール（１６ａ）の一方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第１画素列と、フォトスペーサ（２３ａ）がスルーホール（１６ａ）の他方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第２画素列とを備えている。

Description

液晶表示パネル
　本発明は、液晶表示パネルに関し、特に、基板に柱状に形成されたフォトスペーサによりセル厚が保持される液晶表示パネルに関するものである。
　液晶表示パネルは、互いに対向して配置された一対の基板と、それらの両基板の間に設けられた液晶層とを備えている。そして、液晶表示パネルでは、上記一対の基板の間に設けられたスペーサによって、上記液晶層の厚さ、すなわち、セル厚が一定に保持されている。ここで、上記スペーサとしては、上記一対の基板の一方に散布して配置されるビーズ状のスペーサが従来より用いられてきたが、近年、セル厚の均一性を高めるために、上記ビーズ状のスペーサに代えて、上記一対の基板の一方にフォトリソグラフィにより形成して配置される柱状のフォトスペーサが用いられている。
　例えば、特許文献１には、画素内にスペーサ機能を有すると共に液晶分子の配向を規制する突起を備えた反射透過型の液晶表示装置及びその方法が開示されている。
特開２００６－３３０６０２号公報
　ところで、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルは、上記一対の基板として、アクティブマトリクス基板及び対向基板を備えている。
　図１１は、従来のアクティブマトリクス基板１２０の平面図である。
　アクティブマトリクス基板１２０は、図１１に示すように、マトリクス状に設けられた複数の画素電極１１７と、各画素電極１１７の短辺に沿って互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１３ａと、各画素電極１１７の長辺に沿って互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１１５と、各ゲート線１１３ａに沿って互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線１１３ｂと、各ゲート線１１３ａ及び各ソース線１１５の交差する部分にそれぞれ設けられ、各画素電極１１７にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）１０５とを備えている。そして、画像の最小単位である各画素において、ＴＦＴ１０５と画素電極１１７とは、図１１に示すように、ＴＦＴ１０５上の樹脂膜（不図示）に形成されたスルーホール１１６ａを介して接続されている。ここで、図１１では、対向基板に形成されたフォトスペーサ１２３ａ（及び１２３ｂ）を２点鎖線で示している。なお、フォトスペーサ１２３ｂは、フォトスペーサ１２３ａよりも低く形成されているので、パネル表面が押圧されたときにアクティブマトリクス基板の表面に当接してセル厚を保持すると共に、液晶滴下注入法により製造された液晶表示パネルにおいては、パネル表面に低温衝撃が負荷されたときに気泡が生じ難いように構成されている。
　上記のように、フォトスペーサ１２３ａを対向基板に形成した場合には、アクティブマトリクス基板１２０及び対向基板を貼り合わせる際のずれなどにより、アクティブマトリクス基板１２０に凹状に形成されたスルーホール１１６ａの内部に、対向基板のフォトスペーサ１２３ａの頭部が落ち込むおそれがある。そうなると、フォトスペーサ１２３ａの頭部がスルーホール１１６ａの内部に落ち込んだ領域では、セル厚が狭くなり、セル厚が一定に保持されなくなるので、フォトスペーサ１２３ａによる安定したセル厚制御が困難になってしまう。
　そこで、図１１に示すように、アクティブマトリクス基板１２０に形成されたスルーホール１１６ａと、対向基板に形成されたフォトスペーサ１２３ａとを平面視で離間して配置させることにより、アクティブマトリクス基板１２０のスルーホール１１６ａの内部に、対向基板のフォトスペーサ１２３ａの頭部が落ち込まないようにすることが考えられる。具体的に液晶表示パネルでは、画素の高精細化に伴って、各ソース線１１５の間隔が益々狭くなっているので、フォトスペーサ１２３ａ又はスルーホール１１６ａを、平面視で透過領域に突出して形成することにより、スルーホール１１６ａとフォトスペーサ１２３ａとを平面視で離間させることになる。ここで、図１１において、透過領域は、隣り合う一対のゲート線１１３ａと隣り合う一対のソース線１１５とに囲まれた領域のうち、容量線１１３ｂ及びＴＦＴ１０５に重ならない領域であり、例えば、バックライトからの光を透過して、画像表示に有効な領域である。そして、フォトスペーサ１２３ａ又はスルーホール１１６ａを平面視で透過領域に突出させると、その透過領域に突出した部分が画像表示に有効でなくなるので、画素の開口率が低下してしまう。例えば、フォトスペーサ１２３ａが透過領域に突出して形成された場合には、フォトスペーサ１２３ａの近傍で液晶層の配向が乱れ易いので、その領域を遮蔽することにより、画素の開口率が低下してしまう。また、スルーホール１１６ａが透過領域に突出して形成された場合には、スルーホール１１６ａの近傍で液晶層の配向が乱れ易く、上記と同様に、画素の開口率が低下してしまう。また、フォトスペーサ１２３ａ及びスルーホール１１６ａの近傍の液晶層の配向が乱れた領域では、光漏れが発生して、コントラストの低下も懸念される。
　このように、従来の液晶表示パネルでは、スルーホール及びフォトスペーサの配置により、セル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率を保持することが困難であった。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、フォトスペーサがスルーホールの一方端に重なるように配置された第１画素列と、フォトスペーサがスルーホールの他方端に重なるように配置された第２画素列とを備えるようにしたものである。
　具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、上記アクティブマトリクス基板が、第１の透明基板に設けられた複数のスイッチング素子と、該各スイッチング素子を覆うように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上にマトリクス状に設けられ、該絶縁膜に上記各スイッチング素子毎に形成されたスルーホールを介して該各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備え、上記対向基板が、第２の透明基板に起立するように設けられ上記液晶層の厚さを保持するためのフォトスペーサを備え、上記各画素電極に対応して複数の画素がマトリクス状に規定された液晶表示パネルであって、上記フォトスペーサが上記スルーホールの一方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第１画素列と、上記フォトスペーサが上記スルーホールの他方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第２画素列とを備えていることを特徴とする。
　上記の構成によれば、フォトスペーサがスルーホールの一方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第１画素列と、フォトスペーサがスルーホールの他方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第２画素列とを備えているので、アクティブマトリクス基板及び対向基板を貼り合わせる際のずれなどにより、仮に、第１画素列において、対向基板のフォトスペーサの頭部がアクティブマトリクス基板のスルーホールの内部に落ち込んだとしても、第２画素列において、対向基板のフォトスペーサの頭部がアクティブマトリクス基板のスルーホールの内部に落ち込まないことになる。そして、この場合、第２画素列の各画素における対向基板のフォトスペーサの頭部がアクティブマトリクス基板のスルーホールの外側の画素電極に当接することにより、セル厚が確実に保持されるので、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性が保持される。また、フォトスペーサがスルーホールの一方端又は他方端に重なるように配置されているので、平面視でのフォトスペーサ及びスルーホールの間隔が狭くなる。これにより、フォトスペーサ又はスルーホールが透過領域に突出することが抑制されるので、画素の開口率の低下が抑制される。したがって、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することが可能になる。
　上記第１画素列及び第２画素列は、互いに隣り合っていてもよい。
　上記の構成によれば、第１画素列及び第２画素列が互いに隣り合っているので、具体的に、隣り合った画素列の一方でセル厚が確実に保持されることになる。
　上記絶縁膜は、樹脂膜であってもよい。
　上記の構成によれば、絶縁膜が一般的に無機絶縁膜よりも肉厚な樹脂膜であるので、絶縁膜に形成されるスルーホールが深く、その内壁が上方に向かって広がるように傾斜して形成され、安定したセル厚制御が懸念されるものの、上記のように、第１画素列及び第２画素列を備えているので、安定したセル厚制御が可能になる。
　上記フォトスペーサは、第１フォトスペーサと、該第１フォトスペーサよりも低く形成された第２フォトスペーサとを有していてもよい。
　上記の構成によれば、第２フォトスペーサが第１フォトスペーサよりも低く形成されているので、通常時には、第１フォトスペーサの頭部がアクティブマトリクス基板の表面に当接してセル厚が保持され、パネル表面が押圧された押圧時には、第２フォトスペーサの頭部がアクティブマトリクス基板の表面に当接してセル厚が保持されると共に、液晶滴下注入法により製造された液晶表示パネルにおいては、全てのフォトスペーサが上記第１フォトスペーサである場合よりも、各フォトスペーサと第２の透明基板との弾性特性の差異が小さくなり、パネル表面に低温衝撃が負荷されても、第２の透明基板の撓みに追随して各フォトスペーサも撓むことにより、両者の間に微小空間などが形成され難くなり、気泡の発生が抑制されることになる。
　上記フォトスペーサは、上記液晶層の配向中心となるように構成されていてもよい。
　上記の構成によれば、フォトスペーサが液晶層の配向中心となるので、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶表示パネルにおいて、フォトスペーサがセル厚を保持すると共に、液晶層の配向を規制することになる。
　上記アクティブマトリクス基板は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、該各ゲート線に交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、上記各ゲート線に沿って互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線とを有し、上記フォトスペーサ及びスルーホールは、上記各ソース線に沿って各容量線に重なるように配置されていてもよい。
　上記の構成によれば、フォトスペーサ及びスルーホールが各ソース線に沿って各容量線に重なるように配置されているので、各ソース線の間隔が狭く設定された高精細な液晶表示パネルにおいて、画素の開口率の低下が具体的に抑制される。
　上記アクティブマトリクス基板は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、該各ゲート線に交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、上記各ゲート線に沿って互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線とを有し、上記フォトスペーサ及びスルーホールは、上記各ゲート線に沿って各容量線に重なるように配置されていてもよい。
　上記の構成によれば、フォトスペーサ及びスルーホールが各ゲート線に沿って各容量線に重なるように配置されているので、各ソース線の間隔が狭く設定された高精細な液晶表示パネルにおいて、画素の開口率の低下が具体的に抑制されると共に、例えば、スイッチング素子として設けられた各ＴＦＴの半導体層のドレイン領域に接続された各ドレイン接続電極と各ソース線との間隔が広く設計されるので、各ドレイン接続電極と各ソース線との間における同層間のリーク不良などが抑制される。
　また、具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、上記アクティブマトリクス基板が、第１の透明基板に設けられた複数のスイッチング素子と、該各スイッチング素子を覆うように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜にマトリクス状に設けられ、該絶縁膜に上記各スイッチング素子毎に形成されたスルーホールを介して該各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備え、上記対向基板が、第２の透明基板に起立するようにそれぞれ設けられ上記液晶層の厚さを保持するための第１フォトスペーサ及び該第１フォトスペーサよりも低い第２フォトスペーサを備えた液晶表示パネルであって、上記第１フォトスペーサは、上記スルーホールに重ならないように設けられ、上記第２フォトスペーサは、上記スルーホールに重なるように設けられていることを特徴とする。
　上記の構成によれば、通常、アクティブマトリクス基板の表面に当接する第１フォトスペーサがスルーホールに重ならないように設けられているので、セル厚が確実に保持される。また、第１フォトスペーサより低く形成され、パネル表面が押圧されたときなどにアクティブマトリクス基板の表面に当接する第２フォトスペーサがスルーホールに重なるように設けられているので、画素の開口率の低下が抑制される。したがって、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することが可能になる。
　本発明によれば、フォトスペーサがスルーホールの一方端に重なるように配置された第１画素列と、フォトスペーサがスルーホールの他方端に重なるように配置された第２画素列とを備えているので、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができる。
図１は、実施形態１に係る液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板２０ａの平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿ったアクティブマトリクス基板２０ａ及びそれを備えた液晶表示パネル５０ａの断面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿ったアクティブマトリクス基板２０ａの断面図である。 図４は、液晶表示パネル５０ａを模式的に示した平面図である。 図５は、実施形態２に係る液晶表示パネル５０ｂを模式的に示した平面図である。 図６は、実施形態３に係る液晶表示パネル５０ｃを模式的に示した平面図である。 図７は、実施形態４に係る液晶表示パネル５０ｄを模式的に示した平面図である。 図８は、実施形態５に係る液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板２０ｅの平面図である。 図９は、図８中のIX－IX線に沿ったアクティブマトリクス基板２０ｅ及びそれを備えた液晶表示パネル５０ｅの断面図である。 図１０は、実施形態６に係る液晶表示パネル５０ｆを模式的に示した平面図である。 図１１は、従来のアクティブマトリクス基板１２０の平面図である。
符号の説明
Ｌａ　　　第１画素列
Ｌｂ　　　第２画素列
Ｐ　　　　画素
５　　　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
１０ａ　　第１の透明基板
１０ｂ　　第２の透明基板
１３ａ　　ゲート線
１３ｂ　　容量線
１５ａ　　ソース線
１６　　　樹脂膜（絶縁膜）
１６ａ　　スルーホール
１７　　　画素電極
２０ａ，２０ｅ　　アクティブマトリクス基板
２３ａ　　第１フォトスペーサ
２３ｂ　　第２フォトスペーサ
３０ａ，３０ｅ　　対向基板
４０　　　液晶層
５０ａ～５０ｆ　　液晶表示パネル
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図４は、本発明に係る液晶表示パネルの実施形態１を示している。具体的に図１は、本実施形態１の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板２０ａの平面図である。そして、図２は、図１中のII－II線に沿ったアクティブマトリクス基板２０ａ及びそれを備えた液晶表示パネル５０ａの断面図であり、図３は、図１中のIII－III線に沿ったアクティブマトリクス基板２０ａの断面図である。なお、図１では、後述するように、アクティブマトリクス基板２０ａにおいて最上層に配置される各画素電極１７を太線で示している。
　液晶表示パネル５０ａは、図２に示すように、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａと、両基板２０ａ及び３０ａの間に設けられた液晶層４０と、両基板２０ａ及び３０ａを互いに接着すると共に両基板２０ａ及び３０ａの間に液晶層４０を封入するためのシール材（不図示）とを備えている。
　アクティブマトリクス基板２０ａは、図１～図３に示すように、ガラス基板などの第１の透明基板１０ａと、第１の透明基板１０ａ上に略Ｌ字状に設けられた半導体層１１と、半導体層１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１３ａと、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１３ａに沿って互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線１３ｂと、各ゲート線１３ａ及び各容量線１３ｂを覆うように設けられた層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に各ゲート線１３ａと直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１５ａと、層間絶縁膜１４上に各ソース線１５ａの間に島状に設けられた複数のドレイン接続電極１５ｂと、各ソース線１５ａ及び各ドレイン接続電極１５ｂを覆うように設けられた樹脂膜１６と、樹脂膜１６上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極１７と、各画素電極１７を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　ここで、液晶表示パネル５０ａでは、各画素電極１７に対応して、各々、画像の最小単位を構成する複数の画素Ｐ（後述する図４参照）がマトリクス状に規定されている。そして、各画素Ｐでは、隣り合う一対のゲート線１３ａと隣り合う一対のソース線１５ａとに囲まれた領域のうち、容量線１３ｂ及び後述するＴＦＴ５を構成する部分に重ならない領域に、例えば、バックライトからの光を透過して、画像表示に有効な領域（透過領域）が構成されている。
　また、アクティブマトリクス基板２０ａでは、図１に示すように、各ゲート線１３ａ及び各ソース線１５ａの交差する部分にスイッチング素子としてＴＦＴ５が設けられている。
　ＴＦＴ５は、図３に示すように、ゲート線１３ａの一部、及びゲート線１３ａの側方に突出した突出部により構成されたゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇに重なるようにチャネル領域１１ａ、チャネル領域１１ａの外側に低濃度ドープ領域（いわゆる、ＬＤＤ領域）１１ｂ、並びに低濃度ドープ領域１１ｂの外側にソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを含む高濃度ドープ領域１１ｃがそれぞれ規定された半導体層１１と、ゲート電極Ｇ及び半導体層１１の間に設けられたゲート絶縁膜１２とを備えている。ここで、ソース領域Ｓは、図１及び図３に示すように、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４の積層膜に形成されたアクティブコンタクトホール１４ａを介してソース線１５ａに接続されている。また、ドレイン領域Ｄは、図２に示すように、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４の積層膜に形成されたアクティブコンタクトホール１４ｂを介してドレイン接続電極１５ｂに接続されている。さらに、ドレイン接続電極１５ｂは、図１及び図２に示すように、樹脂膜１６に形成されたスルーホール１６ａを介して画素電極１７に接続されている。
　また、ドレイン領域Ｄは、図１及び図２に示すように、容量線１３ｂに重なるように設けられ、その容量線１３ｂと、それらの間に設けられたゲート絶縁膜１２と共に、補助容量を構成している。
　対向基板３０ａは、図２に示すように、ガラス基板などの第２の透明基板１０ｂと、第２の透明基板１０ｂ上に格子状に設けられたブラックマトリクス２１ａと、ブラックマトリクス２１ａの各格子間に赤色層、緑色層及び青色層などの着色層が設けられたカラーフィルタ層２１ｂと、カラーフィルタ層２１を覆うように設けられた共通電極２２と、共通電極２２上に起立するように設けられた第１フォトスペーサ２３ａ及び第２フォトスペーサ２３ｂ（図１参照）と、共通電極２２を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。ここで、図１のアクティブマトリクス基板２０ａの平面図では、対向基板３０ａに配置する第１フォトスペーサ２３ａ及び第２フォトスペーサ２３ｂを２点鎖線で示している。
　第１フォトスペーサ２３ａは、例えば、４．５μｍ程度の高さに形成され、図２に示すように、アクティブマトリクス基板２０ａの表面（画素電極１７の表面）に当接して、液晶層４０の厚さ、すなわち、セル厚を保持するように構成されている。
　第２フォトスペーサ２３ｂは、例えば、４．２μｍ程度の高さで第１フォトスペーサ２３ａよりも低く形成され、パネル表面が押圧されたときに、アクティブマトリクス基板２０ａの表面（画素電極１７の表面）に当接して、液晶層４０の厚さを保持するように構成されている。また、第２フォトスペーサ２３ｂは、第１フォトスペーサ２３ａよりも低く形成されているので、液晶表示パネル５０ａが液晶滴下注入法により製造された場合においては、全てのフォトスペーサが第１フォトスペーサ２３ａである場合よりも、各フォトスペーサと第２の透明基板１０ｂとの弾性特性の差異が小さくなり、パネル表面に低温衝撃が負荷されても、第２の透明基板１０ｂの撓みに追随して各フォトスペーサも撓むことにより、両者の間に微小空間などが形成され難くなり、気泡の発生が抑制された構成になっている。
　ここで、図４は、液晶表示パネル５０ａを模式的に示した平面図である。この図４では、各画素Ｐにおいて、アクティブマトリクス基板２０ａに形成されたスルーホール１６ａ、並びに対向基板３０ａに形成された第１フォトスペーサ２３ａ及び第２フォトスペーサ２３ｂを示している。
　液晶表示パネル５０ａは、図４に示すように、各第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａの一方端（図中下側）に重なるように配置された第１画素列Ｌａと、第１画素列Ｌａに隣り合い、各第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａの他方端（図中上側）に重なるように配置された第２画素列Ｌｂとを備えている。
　また、液晶表示パネル５０ａでは、図４に示すように、各第２フォトスペーサ２３ｂが第１画素列Ｌａ及び第２画素列Ｌｂにおいて各スルーホール１６ａに重なるように配置されている。ここで、例えば、画素Ｐのサイズが３０μｍ×９０μｍ程度である場合には、第１フォトスペーサ２３ａの個数密度が１１個／ｍｍ２程度であり、第２フォトスペーサ２３ｂの個数密度が３６０個／ｍｍ２程度である。また、画素Ｐのサイズが４０μｍ×１２０μｍ程度である場合には、第１フォトスペーサ２３ａの個数密度が１１個／ｍｍ２程度であり、第２フォトスペーサ２３ｂの個数密度が１９７個／ｍｍ２程度である。さらに、画素Ｐのサイズが５０μｍ×１５０μｍ程度である場合には、第１フォトスペーサ２３ａの個数密度が１１個／ｍｍ２程度であり、第２フォトスペーサ２３ｂの個数密度が１２２個／ｍｍ２程度である。なお、第１フォトスペーサ２３ａは、表示品位の低下を抑制するために、青色を表示する各画素Ｐのみに配置されるのが好ましい。
　上記構成の液晶表示パネル５０ａは、アクティブマトリクス２０ａ上の各画素電極１７と対向基板３０ａ上の共通電極２２との間に配置する液晶層４０に所定の電圧を印加して、液晶層４０を構成する液晶分子の配向状態を変えることにより、各画素Ｐ毎にパネル内を透過する光の透過率を調整して、画像を表示するように構成されている。
　次に、本実施形態の液晶表示パネル５０ａを製造する方法について一例を挙げて説明する。なお、本実施形態の製造方法は、アクティブマトリクス基板作製工程、対向基板作製工程及び液晶滴下貼り合わせ工程を備える。
　＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
　まず、ガラス基板などの第１の透明基板１０ａの基板全体に、例えば、原料ガスとしてジシランなどを用いて、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜した後、レーザ光の照射などによる加熱処理を行ってポリシリコン膜に変成する。その後、そのポリシリコン膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、半導体層１１を形成する。なお、第１の透明基板１０ａ及び半導体層１１の間に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜などを成膜して、ベースコート膜を形成してもよい。
　続いて、半導体層１１が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、酸化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜してゲート絶縁膜１２を形成した後に、ゲート絶縁膜１２を介して、半導体層１１に不純物としてリン又はボロンをドープする。
　さらに、ゲート絶縁膜１２上の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、窒化タンタル膜（厚さ５０ｎｍ程度）及びタングステン膜（厚さ３５０ｎｍ程度）を順次成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線１３ａ及び容量線１３ｂを形成する。
　続いて、ゲート線１３ａ（ゲート電極Ｇ）をマスクとして、ゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１１にリン又はボロンをドープして、ゲート電極Ｇに重なる部分にチャネル領域１１ａを形成する。
　さらに、ゲート電極Ｇを覆うように島状のフォトレジスト（不図示）を形成した後に、そのフォトレジスト及びゲート絶縁膜１２を介して、半導体層１１にリン又はボロンをドープする。なお、半導体層１１の容量線１３ｂに重なる領域については、容量線１３ｂを形成する前に、別途、リン又はボロンをドープする。その後、加熱処理を行い、ドープしたリン又はボロンの活性化処理を行うことにより、低濃度ドープ領域１１ｂ、並びにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを含む高濃度ドープ領域１１ｃを形成する。
　続いて、半導体層１１にチャネル領域１１ａ、低濃度ドープ領域１１ｂ及び高濃度ドープ領域１１ｃが形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）及び酸化シリコン膜（厚さ７００ｎｍ程度）を順に成膜して層間絶縁膜１４を形成した後に、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４の積層膜のソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに重なる部分をそれぞれエッチング除去して、アクティブコンタクトホール１４ａ及び１４ｂを形成する。
　そして、アクティブコンタクトホール１４ａ及び１４ｂを有する層間絶縁膜１４が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ３５０ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を順次成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線１５ａ及びドレイン接続電極１５ｂを形成する。
　さらに、ソース線１５ａ及びドレイン接続電極１５ｂが形成された基板全体に、例えば、アクリル樹脂をスピンコーティング法により塗布して、樹脂膜１６（厚さ２μｍ程度）を形成した後に、樹脂膜１６のドレイン接続電極１５ｂに重なる部分をエッチング除去して、スルーホール１６ａを形成する。
　そして、スルーホール１６ａを有する樹脂膜１６が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜した後、フォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極１７を形成する。
　最後に、画素電極１７が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布した後に、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
　以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０ａを作製することができる。
　＜対向基板作製工程＞
　まず、ガラス基板などの第２の透明基板１０ｂの基板全体に、例えば、黒に着色した感光性レジスト材料を膜厚２μｍ程度で成膜した後、フォトリソグラフィによりパターン形成して、ブラックマトリクス２１ａを形成する。
　続いて、ブラックマトリクス２１ａの格子間のそれぞれに、例えば、赤、緑又は青に着色された感光性レジスト材料を膜厚２μｍ程度で成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層）を形成する。その後、他の２色についても同様な工程を繰り返すことにより、他の着色層（例えば、緑色層及び青色層）を形成して、カラーフィルタ層２１ｂを形成する。
　さらに、カラーフィルタ層２１ｂが形成された基板上に、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜して、共通電極２２を形成する。なお、カラーフィルタ層２１ｂが形成された基板上にＩＴＯ膜を成膜する前に、カラーフィルタ層２１ｂを覆うようにオーバーコート層を形成して、平坦性を向上させてもよい。
　その後、共通電極２２が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法により、感光性アクリル樹脂を厚さ４．５μｍ程度で塗布した後に、フォトリソグラフィによりパターン形成して、第１フォトスペーサ２３ａ（高さ４．５μｍ程度）及び第２フォトスペーサ２３ｂ（４．２μｍ程度）を形成する。なお、第１フォトスペーサ２３ａ及び第２フォトスペーサ２３ｂは、感光性アクリル樹脂に対して、光透過率の異なる領域を備えたハーフトーンマスク又はグレートーンマスクを介して、例えば、波長３６５ｎｍ（ｉ線）又は波長４０５ｎｍ／４３６ｎｍ（ｇｈ線）の光を用いて、処理時間や光の強度を適宜調整して露光を行った後に、その露光された感光性アクリル樹脂に対して選択的にアッシングなどを行うことにより、所定の高さに形成される。
　最後に、第１フォトスペーサ２３ａ及び第２フォトスペーサ２３ｂが形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布した後に、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
　以上のようにして、対向基板３０ａを作製することができる。
　＜液晶滴下貼り合わせ工程＞
　まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記対向基板作製工程で作製された対向基板３０ａに、紫外線硬化及び熱硬化併用型樹脂などにより構成されたシール材を枠状に描画する。
　続いて、上記シール材が描画された対向基板３０ａにおけるシール材の内側の領域に液晶材料を滴下する。
　さらに、上記液晶材料が滴下された対向基板３０ａと、上記アクティブマトリクス基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス基板２０ａとを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、貼合体の表面を加圧する。
　そして、上記貼合体に挟持されたシール材にＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材を硬化させる。
　以上のようにして、液晶表示パネル５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ａによれば、第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａの一方端に重なるように配置された複数の画素Ｐを配列してなる第１画素列Ｌａと、第１フォトスペーサ２３ｂがスルーホール１６ａの他方端に重なるように配置された複数の画素Ｐを配列してなる第２画素列Ｌｂとを備えているので、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａを貼り合わせる際のずれなどにより、仮に、第１画素列Ｌａにおいて、対向基板３０ａの第１フォトスペーサ２３ａの頭部がアクティブマトリクス基板２０ａのスルーホール１６ａの内部に落ち込んだとしても、第２画素列Ｌｂにおいて、対向基板３０ａの第１フォトスペーサ２３ａの頭部がアクティブマトリクス基板２０ａのスルーホール１６ａの内部に落ち込まないことになる。そして、この場合、第２画素列Ｌｂの各画素Ｐにおける対向基板３０ａの第１フォトスペーサ２３ａの頭部がアクティブマトリクス基板２０ａのスルーホール１６ａの外側の画素電極１７に当接することにより、セル厚が確実に保持されるので、第１フォトスペーサ２３ａによるセル厚制御の安定性が保持される。また、第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａの一方端又は他方端に重なるように配置されているので、貼り合わせずれなどに対するマージンが不要となり、平面視での第１フォトスペーサ２３ａ及びスルーホール１６ａの間隔が狭くできる。これにより、第１フォトスペーサ２３ａ又はスルーホール１６ａが透過領域に突出することを抑制することができるので、画素の開口率の低下を抑制することができる。したがって、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の液晶表示パネル５０ａによれば、第２フォトスペーサ２３ｂが第１フォトスペーサ２３ａよりも低く形成されているので、通常時には、第１フォトスペーサ２３ａの頭部がアクティブマトリクス基板２０ａの表面に当接してセル厚を保持することができ、パネル表面が押圧された押圧時には、第２フォトスペーサ２３ｂの頭部がアクティブマトリクス基板２０ａの表面に当接してセル厚を保持することができると共に、液晶滴下注入法により製造された液晶表示パネルにおいては、全てのフォトスペーサが第１フォトスペーサ２３ａである場合よりも、各フォトスペーサと第２の透明基板１０ｂとの弾性特性の差異が小さくなり、パネル表面に低温衝撃が負荷されても、第２の透明基板１０ｂの撓みに追随して各フォトスペーサも撓むことにより、両者の間に微小空間などが形成され難くなり、気泡の発生を抑制することができる。
　また、本実施形態の液晶表示パネル５０ａによれば、第１フォトスペーサ２３ａ、第２フォトスペーサ２３ｂ及びスルーホール１６ａが各ソース線１５ａに沿って各容量線１３ｂに重なるように配置されているので、特に、各ソース線１５ａの間隔が狭く設定された高精細な液晶表示パネルにおいて、画素の開口率の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の液晶表示パネル５０ａによれば、各第１フォトスペーサ２３ａ及び各スルーホール１６ａの近傍における液晶層４０の配向の乱れ易い部分が透過領域に突出することを抑制することができ、光漏れの発生及びコントラストの低下を抑制することができる。そして、これにより、光漏れ及びコントラストの低下を抑制するための遮光膜を別途設ける必要がない。
　《発明の実施形態２》
　図５は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂを模式的に示した平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１の液晶表示パネル５０ａでは、図４に示すように、各第２フォトスペーサ２３ｂが各スルーホール１６ａの全体に重なるように配置されていたが、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂでは、図５に示すように、各第２フォトスペーサ２３ｂが各スルーホール１６ａの一部に重なるように配置されている。
　本実施形態の液晶表示パネル５０ｂによれば、上記実施形態１と同様に、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができる。
　《発明の実施形態３》
　図６は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃを模式的に示した平面図である。
　上記実施形態１の液晶表示パネル５０ａ及び実施形態２の液晶表示パネル５０ｂでは、図４及び図５に示すように、各第１フォトスペーサ２３ａに対して各スルーホール１６ａをソース線１５ａに沿って（図中縦方向に）ずれた状態で配置させていたが、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃでは、図６に示すように、各第１フォトスペーサ２３ａに対して各スルーホール１６ａをゲート線１３ａに沿って（図中横方向に）ずれた状態で配置させている。
　具体的に液晶表示パネル５０ｃは、図６に示すように、各第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａの一方端（図中左側）に重なるように配置された第１画素列Ｌａと、第１画素列Ｌａに隣り合い、各第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａの他方端（図中右側）に重なるように配置された第２画素列Ｌｂとを備えている。
　本実施形態の液晶表示パネル５０ｃによれば、上記実施形態１及び２と同様に、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができる。
　本実施形態の液晶表示パネル５０ｃによれば、平面視での各第１フォトスペーサ２３ａ及び各スルーホール１６ａの間隔を狭くできるので、各ソース線と各ドレイン接続電極との間隔を広く設計することができ、同層間におけるリーク不良などを抑制することができる。
　《発明の実施形態４》
　図７は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｄを模式的に示した平面図である。
　上記実施形態３の液晶表示パネル５０ｃでは、図６に示すように、各第２フォトスペーサ２３ｂが各スルーホール１６ａの全体に重なるように配置されていたが、本実施形態の液晶表示パネル５０ｄでは、図７に示すように、各第２フォトスペーサ２３ｂが各スルーホール１６ａの一部に重なるように配置されている。
　本実施形態の液晶表示パネル５０ｄによれば、上記実施形態１～３と同様に、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができる。
　《発明の実施形態５》
　図８は、本実施形態の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板２０ｅの平面図であり、図９は、図８中のIX－IX線に沿ったアクティブマトリクス基板２０ｅ及びそれを備えた液晶表示パネル５０ｅの断面図である。
　上記各実施形態では、透過型の液晶表示パネルを例示したが、本実施形態では、半透過型の液晶表示パネル５０ｅを説明する。
　具体的に液晶表示パネル５０ｅは、図９に示すように、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板２０ｅ及び対向基板３０ｅと、両基板２０ｅ及び３０ｅの間に設けられた液晶層４０と、両基板２０ｅ及び３０ｅを互いに接着すると共に両基板２０ｅ及び３０ｅの間に液晶層４０を封入するためのシール材（不図示）とを備えている。
　アクティブマトリクス基板２０ｅは、図９に示すように、上記実施形態１のアクティブマトリクス２０ａの各画素電極１７上に反射電極１８が設けられた構成になっている。ここで、反射電極１８は、各画素電極１７上において、各ゲート線１３ａと、そのゲート線１３ａに隣り合う一方の容量線１３ｂとの間に設けられ、反射モードの表示を行う反射領域を構成している。そして、反射電極１８から露出する画素電極１７は、透過モードの表示を行う透過領域を構成している。
　また、アクティブマトリクス基板２０ｅは、上記実施形態１で説明したアクティブマトリクス基板作製工程において、画素電極１７を形成した後に、その画素電極１７が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、モリブデン膜及びアルミニウム膜を順次成膜し、フォトリソグラフィによりパターニングして、反射電極１８を形成することにより、作製することができる。
　対向基板３０ｅは、図９に示すように、上記実施形態１の対向基板３０ａにおけるカラーフィルタ層２１ｂ及び共通電極２２の間に、ホワイト層２１ｃが設けられた構成になっている。ここで、ホワイト層２１ｃは、アクティブマトリクス基板２０ｅの反射領域１８に重なるように設けられ、反射領域におけるセル厚が透過領域におけるセル厚の１／２になるように構成されている。
　また、対向基板３０ｅは、上記実施形態１で説明した対向基板作製工程において、カラーフィルタ層２１ｂを形成した後に、そのカラーフィルタ層２１ｂが形成された基板全体に、無色の感光性レジスト材料を成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ホワイト層２１ｃを形成することにより、作製することができる。
　本実施形態の液晶表示パネル５０ｅによれば、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、各ソース線と各ドレイン接続電極との間隔を広く設計することができ、同層間におけるリーク不良などを抑制することができる。
　上記各実施形態では、各第１フォトスペーサ２３ａ及び各第２フォトスペーサ２３ｂの位置を固定した状態で、スルーホール１６ａの位置を移動させることにより、各フォトスペーサとスルーホールとの位置関係を設定していたが、本発明は、スルーホールの位置を固定した状態で、各フォトスペーサの位置を移動させることにより、各フォトスペーサとスルーホールとの位置関係を設定してもよく、また、それらが複合していてもよい。
　上記各実施形態では、互いに隣り合う第１画素列Ｌａ及び第２画素列Ｌｂにおいて、各第１フォトスペーサ２３ａが互いに隣り合う一対のスルーホール１６ａの内側に重なるように配置されていたが、本発明は、各第１フォトスペーサが互いに隣り合う一対のスルーホールの外側に重なるように配置されていてもよい。
　上記各実施形態では、第１画素列Ｌａ及び第２画素列Ｌｂが互いに隣り合っていたが、本発明では、第１画素列Ｌａ及び第２画素列Ｌｂが互いに離間していてもよい。すなわち、第１画素列Ｌａ及び第２画素列Ｌｂの間において、フォトスペーサ及びスルーホールの間に特別な位置関係が設定されていない画素列が１列以上配置され、それらの画素列が繰り返されていてもよい。
　《発明の実施形態６》
　図１０は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｆを模式的に示した平面図である。
　上記各実施形態の液晶表示パネルでは、各第１フォトスペーサ２３ａが各スルーホール１６ａの一方端に重なるように配置された第１画素列Ｌａ、及び各第１フォトスペーサ２３ａが各スルーホール１６ａの他方端に重なるように配置された第２画素列Ｌｂが規定されていたが、本実施形態の液晶表示パネル５０ｆでは、第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａに重ならないように設けられ、第２フォトスペーサ２３ｂがスルーホール１６ａに重なるように設けられている。
　本実施形態の液晶表示パネル５０ｆによれば、通常、アクティブマトリクス基板の表面に当接する第１フォトスペーサ２３ａがスルーホール１６ａに重ならないように設けられているので、セル厚を確実に保持することができる。また、第１フォトスペーサ２３ｂより低く形成され、パネル表面が押圧されたときなどにアクティブマトリクス基板の表面に当接する第２フォトスペーサ２３ｂがスルーホール１６ａに重なるように設けられているので、画素の開口率の低下を抑制することができる。したがって、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができる。
　上記各実施形態では、液晶層の配向方式について言及しなかったが、ＡＳＶ（Advanced Super View）液晶などのＶＡ方式の液晶表示パネルにおいては、上記各実施形態の各フォトスペーサを液晶層の配向中心としてもよい。
　上記各実施形態では、フォトスペーサとして、第１フォトスペーサ及び第２フォトスペーサを例示したが、本発明は、通常時に、アクティブマトリクス基板の表面に当接するフォトスペーサだけであってもよい。
　上記各実施形態では、フォトスペーサが各画素の略中央（半透過型においては、反射領域の略中央）に配置する構成を例示したが、フォトスペーサは、各画素内であれば、どこに配置されていてもよい。
　上記各実施形態では、スイッチング素子として、ＴＦＴを備えた液晶表示パネルを例示したが、本発明は、ＭＩＭ(Metal Insulator Metal)などの他のスイッチング素子を備えた液晶表示パネルについても適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フォトスペーサによるセル厚制御の安定性を保持して、画素の開口率の低下を抑制することができるので、フォトスペーサを画素内に配置した液晶表示パネル全般について有用である。

Claims (8)

  1. 　アクティブマトリクス基板と、
    　上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、
    　上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、
    　上記アクティブマトリクス基板が、第１の透明基板に設けられた複数のスイッチング素子と、該各スイッチング素子を覆うように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上にマトリクス状に設けられ、該絶縁膜に上記各スイッチング素子毎に形成されたスルーホールを介して該各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備え、
    　上記対向基板が、第２の透明基板に起立するように設けられ上記液晶層の厚さを保持するためのフォトスペーサを備え、
    　上記各画素電極に対応して複数の画素がマトリクス状に規定された液晶表示パネルであって、
    　上記フォトスペーサが上記スルーホールの一方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第１画素列と、
    　上記フォトスペーサが上記スルーホールの他方端に重なるように配置された複数の画素を配列してなる第２画素列とを備えていることを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 　請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記第１画素列及び第２画素列は、互いに隣り合っていることを特徴とする液晶表示パネル。
  3. 　請求項１又は２に記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする液晶表示パネル。
  4. 　請求項１乃至３の何れか１つに記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記フォトスペーサは、第１フォトスペーサと、該第１フォトスペーサよりも低く形成された第２フォトスペーサとを有していることを特徴とする液晶表示パネル。
  5. 　請求項１乃至４の何れか１つに記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記フォトスペーサは、上記液晶層の配向中心となるように構成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
  6. 　請求項１乃至５の何れか１つに記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記アクティブマトリクス基板は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、該各ゲート線に交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、上記各ゲート線に沿って互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線とを有し、
    　上記フォトスペーサ及びスルーホールは、上記各ソース線に沿って各容量線に重なるように配置されていることを特徴とする液晶表示パネル。
  7. 　請求項１乃至６の何れか１つに記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記アクティブマトリクス基板は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、該各ゲート線に交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、上記各ゲート線に沿って互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線とを有し、
    　上記フォトスペーサ及びスルーホールは、上記各ゲート線に沿って各容量線に重なるように配置されていることを特徴とする液晶表示パネル。
  8. 　アクティブマトリクス基板と、
    　上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、
    　上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、
    　上記アクティブマトリクス基板が、第１の透明基板に設けられた複数のスイッチング素子と、該各スイッチング素子を覆うように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜にマトリクス状に設けられ、該絶縁膜に上記各スイッチング素子毎に形成されたスルーホールを介して該各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備え、
    　上記対向基板が、第２の透明基板に起立するようにそれぞれ設けられ上記液晶層の厚さを保持するための第１フォトスペーサ及び該第１フォトスペーサよりも低い第２フォトスペーサを備えた液晶表示パネルであって、
    　上記第１フォトスペーサは、上記スルーホールに重ならないように設けられ、
    　上記第２フォトスペーサは、上記スルーホールに重なるように設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
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