WO2010016613A1

WO2010016613A1 - 光電変換素子

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Publication number: WO2010016613A1
Application number: PCT/JP2009/064214
Authority: WO
Inventors: 三宅邦仁; 野口公信
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2008-08-06
Filing date: 2009-08-05
Publication date: 2010-02-11
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Abstract

少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に光活性層を含み、該光活性層が電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含み、該電子供与性化合物若しくは該電子受容性化合物が式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物であって、該高分子化合物中に含まれる全繰り返し単位中、式（Ｉ）で表される繰り返し単位の比率が最も大きい光電変換素子。（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。また、Ｒ₁、Ｒ ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆は、それぞれ互いに連結して環状構造を形成してもよい。Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₃は、同一又は相異なり、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－Ｎ（Ｒ₇）－又は－ＣＲ₈＝ＣＲ₉－を表す。Ｒ ₇、Ｒ₈及びＲ₉は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、同一又は相異なり、０～５の整数を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｘ₁、Ｘ₃が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。）

Description

術分野

本、特定の分子合物を含むを有する光電子に関する背景

年、地球温暖化止のため、大気中に放出される減が求められてる。 CO の減の力な段して、例えば、家屋の根に

系陽電池などの電気化学池を用るソラステムの用が提唱されてる。ししながら、上記系電気池に用られる単結晶、多晶及びァスは、その製造過程におて高温、件が必要なために高価であると題がある。方、有機陽電池は、高温、プセスができ、プセスのみで安価に造できる可能性があ、近年注目されてきてる。陽電池としてほ、電子供与化合物としてり返し ( ) り返し ( ) とを有する共役合体と有機物とらなるを有する有機陽電池 ( pp ed Phys cs 79 3 35(2００4 ) が知られてる。

合体のり返し ( ) 返し ( ) との比は、 0・ 36 O 33である ( dvanced a e a 5 988 (2００3))

( ) ( ) 明の示

しかしながら、前記陽電池の、光電率のなる向上が求められてる。明の、光電率が高光電子を提供することである。一に、少なとも方が透明明である対の、に光を含み、が電子供与化合物と電子化合物を含み、子供与しは化合物が ( ) で表される繰返し位を含む高分子合物であて、分子合物に含まれるり返し、 ( ) で表される繰り返し位の率が最も大き光電子を提供する。

㈹ (R，、 R R R は、同一な、水素原子置換を表す。 R，、 R 、 R R Rは、それぞれに連結して環状造を形成してもよ。 x X 、同一な、子、酸素原子、セン子、 (R ) 又は C CR を表す。 R、 R R 、同一なり、水素原子置換を表す。は、同一な、 0～5の数を表す。 R，、 R 、 R X 複数個ある場合、それら一であてもなててもよ。 ) 第二に、が～3の数である前記子を提供す。第三に、 Ⅹ X 、子である前記子を提供する。第四に、 ( ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 5０超えてる前記子を提供する。第五に、 ( ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 52 上である前記子を提供する。第六に、 ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、００である前記子を提供する。、 ( ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 98 下である前記子を提供する。第八に、高分子合物が、さらに、 ( ) で表される繰返し位を含む子を提供する。

( 、同な、を表す。 R，は、同な、水素原子置換を表す。 R，と、連結して環状造を形成してもよ。 )

第九に、高分子合物に含まれる返し、 ( で表される繰返し位の率が、 ( ) で表される繰り返し位の率に次で大き前記子を提供する。第十に、高分子合物が有する繰返し位が、 ( ) で表される繰り返し位及び ( ) で表される繰り返し位みである前記

子を提供する。第十一に、 R，、 R R R が、水素原子である前記子を提供する。第十二に、 R，が、水素原子である前記子を提供する。第十三に、 R， R，が、炭化水素である前記子を提供する。第十四に R 、アキ基である前記子を提供する。第十五に、 R，が有する素数が 2 上であ、、 R，有する素数が 2 上である前記子を提供する。第十六に、が 5～０である光電子を提供する。第十、が、ベゼタン環である光電子を提供する。第十八に、 ( できれる繰り返し位を含む高分子合物が電子供与化合物であり、電子物がオ造を有する高分子物である前記子を提供する。第十九に、電子化合物が ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物であり、電子供与化合物がオ造を有する高分子合物である前記子を提供する。第二十に、オ造を有する高分子合物がチオモポリである前記子を提供する。第二一に、前記子を含イメジセサを提供する。第二十二に、 ( ) で表される繰返し位を含高分子合物であて、分子合物に含まれるり返し、 ( ) で表される繰り返し位の率が最大き高分子合物を提供する。

D 、 R 、 R R は、同一なり、水素原子置換表す。 R，、 R R R Rは、それぞれに連結して環状造を形成してもよ。、 Ⅹ X 、同なり、子、酸素原子、セ子、 (R ) 又は CR 表す。 R R は、水素原子置換を表す。は、同一なり、０～5の数を表す。 R R R X、 X が複数個ある場合、それらは同一であてもなててもよ。 ) 明を実施するための

下、本明を詳細に説明する。 ( ) 、は、同一なり、０～5の数を表す。

は、～3の数であることが好まし、であることがよ好まし。

R R 、、同なり、水素原子置換を表す。～が置換である場合、置換の素数は、～3０であることが好まし。しては、メチ、チル、チ、、オクチ、基などのアキ、メトキ、トキ、トキ、オキ、オクオキ、オキ基などのアキ、、チ墓などのアリが挙げられる。

、 R R R R R は、それぞれに連結して環状造を形成してもよ。

R， Rが連結して成した環状造、 R とR が連結して成した環状造のとしては、以下の造が挙げられる。

R が連結して成した造のとしては、以下の造が挙げられる。 N

( 、、同なり、水素原子置換表す。 ) 2 で表されるしては、前述の～で表されると同様の基が挙げられる。～は、好ましは、水素原子アキ墓であ、より好ましほ、水素原子である。 x、 X X 、同一なり、子、酸素原子、セ子、 (R ) 又は CR CR 表す。 R R は、同一なり、水素原子置換を表す。 R が置換である場合、置換としては、メチ、チ、チ、、オクチ、基などのアキ、、チ基などのアが挙げられる X X は、好ましは子である。 ( ) で表される繰返し位としては、 ( ) で表される繰返し位が好まし。

明に用られる高分子合物、 ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物であて、分子合物が含有する全てのり返し位の申で、 (1) で表される繰り返し位の有量 ( 数) が最も大き。

明に用られる高分子合物の中では、 (1) で表される繰返し位が、高分子合物の返し位の計に対して、 5０。を超える高分子合物が好まし。 ( ) で表される繰り返し位が、 5０。を超える高分子合物、 5０下の分子合物を用た光電子よりも光電率が高なる。より好ましは、 ( で表される繰返し位が、高分子合物の返し位の計に対して、 52 上である。更に好ましは、 ( ) で表される繰返し位が、高分子合物のり返し位の計に対して、 55 上である。 ( ) で表される繰り返し、高分子合物の返し位の計に対して、００であることが好まし。より好ましは、 ( ) で表される繰返し位が、高分子合物のり返し位の計に対して、 98 下である。更に好ましは、 ( ) で表される繰返し位が、高分子合物のり返し位の計に対して、 7０下である。明に用られる高分子合物は ( ) で表される繰返し位以外の他繰り返し位を含むことが好まし。明に用られる高分子合物は、さらに、 ( ) で表される繰返し位を含んでてもよ。

( Bは、同一なり、を表す。、同一なり、水素原子置換を表す。 R R は、連結して環状造を形成してもよ。 ) T? 、 R が置換である場合、置換としては、メチ、チ、チ、、チ、オクチ、、、ウデ、、ト、テトラデ、ペタデ、キサ、、オクタ、ナデシ、イ基などのアキ、、チ基などのアリが挙げられる。、 11 、アキ、アの化水素であるこがまし、アキ基であることがらに好まし。置換である場合、炭素数が 2 上であることが好まし。、としては、ゼン、タン環などの化水素、オなどのが挙げられる。、は、 5～０であることが好まし、ンゼタン環であることがより好まし。 T で表される繰返し位としては、 ( で表される繰り返し位が好まし。

( )

( 、，０、前述同じ意味を表す。 )

明に用る高分子合物が ( ) で示される繰り返し位に加えて、 ( ) で表される繰返し位を含む場合、高分子合物に含まれるり返し、 ( ) で表される繰返し位の率が、 (1) で表されるり返し位の率に次で大きことが好まし、高分子合物が有する繰り返し位が、表される繰返し位及び ( ) で表される繰返し位のみである場合がさらにまし。高分子合物の

明に用られる高分子合物の法としては、特に制限されるものではなが、高分子合物の成のさらは、 Suz カップグ応を用る方法が好まし。カップリグ応を用、

る方法としては、例えば ( ００

Q ００)

、は、 ( ) 同様の基を表す。 Q Q は、同一な、ホウステを表す。

表される上の化合物、 (2００)

2００)

、、 ( ) 同様の基を表す。 2 、同一な、ゲ子、アキスネ、アリスネトアリアキスネト基を表す。

表される上の化合物を、ラジウム媒及び塩基ので反応さる工程を有する製造法が挙げられる。

この合、反応に用る式 (2００) で表わされる上の化合物の数の合計が、 ( ００) で表わされる上の化合物の数の合計を超えることを要する。応に用る式 (2０ ) で表わされる上の化合物の数の合計をとすると、０) で表わされる上の化合物の数の合計が0・ 6～・であることが好まし、・～0・であることがさらに好まし。ステとしては、下記

( 、 eはメチ基を表し、はチ墓を表す。 )

で表されるが例示される。 (2００における、 2におけるゲ子としては、ッ原子、塩素原子、素原子、原子が挙げられる。分子合物の成のからは、素原子、原子であることが好まし、素原子であることがらに好まし。 (2００) に 2

おける、におけるアキスネトとしては、メタスネト、タンスネト、トオメタンスネトが例示される。アリスネトとしては、ゼスネト、 P トスネトが例示される。アスネトとしては、ンジスネトが例示される。体的にほ、として、例えば、ラジウムテトラキス (ト

スフィ ) 、ラジウムアテト類、クビス (トスィン) ラジウム ( ) 等を用、炭酸カウム、炭酸ナトウム、水酸化ウム等の無基、トチアン等の有基、ッセシウム等の無ノに対して上、好ましは～2０えて反応させる。しては、メチホムアド、トン、トキシタ、テラドラ等が例示される。、水溶液として、 2 で反応さてもよ。 2 で反応さる場合は、必要に応じて、 4 アモウムの加えてもよ。、にもよるが、 5０～ 6０C 度の度が好適に用られる。の点近まで、流させてもよ。、 0・～9 n 間程度である。なお、反応は、アガス窒素ガス等の不囲気、しな条件で行。・ラジウム

明に用られる高分子合物の法で用るラジウムとしては、例えば、 Pd O) 、 P ) 含めて、ラジウムテトラキス (トスィ ) 、ラジウムアテト類、クビス ( トフスィ ) ラジウム ( ) 等が挙げられるが、反応 ( ) 作の、反応 ( 度の点らは、クビス (ト

スィ ) ラジウム、ラジウムアテ類が好まし。

ラジウムの、特に限定されず、してのであればよが、 nn で表される化合物に対して、通常、０・０００～０・5 、好ましは０・～０・である。

明に用られる高分子合物の法で用る、無機基、有機基、無機である。基としては、例えば、炭酸カウム、炭酸ナトリウム、水酸化ウム等が挙げられる。としては、例えば、トチア、トチア等が挙げられる。しては、例えば、ッセウム等が挙げられる。

基の、 ( ００) で表れる化合物に対して、通常、 0・5 ～００、好ましは0・9 ～2０、さらに好ましは～０である。・その他の成分

前記ラジウムとしてラジウムアテト類を用る場合は、例え、トフイ、トリ ( ト ) スフィ、ト ( トキスィン等のン合物を配して加することができる。この合、配の、ラジウムに対して、通常、０・5 ～であり、好ましほ０・9 ～9０、さらに好まし～０である。明に用られる高分子合物の法におて、前記、通常、で行われる。しては、，メチホムアド、トン、トキシタ、テトラドラ等が例示される。明に用られる高分子合物の解性の点らは、トン、テトラドラが好まし。

、水溶液として、 2 で反応さてもよ。基として無機用る場合は、無機の解性の点ら、通常、水溶液として、 2 で反応さる。

なお、塩基を水溶液として、 2 で反応させる場合は、必要に応じて、 4 アウム塩などの加えてもよ。・件

前記応を行、前記にもよるが、通常、 5０～ 6０C 度であ、高分子合物の分子化の点ら、 60～ 2０oCが好まし。の点近まで、流さてもよ。応を行 ( ) は、目的のに達したときを終点としてもよが、通常、 0・～2００間程度である。～間程度が効率的で好まし。、アガス、窒素ガス等の不囲気、 Pd (０) しな反応系で行。えば、アガス窒素ガス等で、分された系で行。体的には、重合 ( 応系) 内を窒ガスで十分換し、した後、この器に、 ( ０) で表される化合物、 (2００) で表される化合物、クビス (トイ ) ラジウム ( ) を仕込み、さらに、重合器をガスで十分換し、した後、あらじめガスでグするこによ、した、例え、トンを加えた後、この、あらじめガスでブグすることによりした基、例えば、炭酸ナトリウム溶液をした後、加熱、昇、例えば、度で8 間、不囲気を保持しながら合する。明に用られる高分子合物のポスチ算の均分子 Ⅹ ０～ X ０8であり、好ましは2X ０3～ X ０である。ポスチ算の均分子 Ⅹ 0 上である場合には、強靭な膜が得られやすなる。方、 08 下である場合には、解性が高、膜の容易である。ボリスチ算の均分子、通常、・ Ⅹ 0 ～・ Ⅹ 08であり、好ましは2・ 2 X 03～・ X 07である。明に用る高分子合物の、重合がそのまま残てると、素子の製に用たときに得られる素子の性や命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されててもよ。の造と連続した共役合を有してるものが好まし、また、例えば、ビン基を介してア

複素と結合してる構造であてもよ。体的には、 9 45478 報の０に記載が例示される。

明の、少なとも一方が透明明である対の、明の分子合物を含む上の光を有する。

明の、ましは、少なとも一方が透明明である一対の、型の有導体と型の有導体との物ら成されるを有する。この態の子の作機構を説明する。

明の極らしたネギがラ導体の

化合物 ( 型の有導体又は共役分子合物の子供与化合物 (P型の有導体) で収され、電子とホが結合した励起子を生成する。成した励起子が移動して、電子化合物と電子供与化合物が接してる面に達する、面でのそれぞれの O O (

) ネギ O ( ) ネギのにより子とホが分離し、独立に動ことができる電荷 ( 子とホ ) が発生する。生した電荷、それぞれ移動することにより外部電気ネギ ( ) として取り出すことができる。明の、通常、基上に形成れる。この、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変形しなものであることが好まし。の料としては、例え、ガラス、プラスチク、高分子ィム、ン等が挙げられる。透明なの合には、反対 ( 、板ら遠方の電 ) が透明明であるこが好まし。

記の明の極の料しては、の化物、明のが挙げられる。体的には、酸化イジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、びそれらの合体であるインジウム・スズ・キサイド ( O) 、イジウム・・キサイド等らなる料を用て作製された ( S 等) や、金、白金、銀、が用られ、 O、イジウム・・キサイド、酸化スが好まし。極の製方法としては、真空蒸着、スッタ法、イオンプティ、メッキが挙げられる。料として、ボアびそ導体、ボチオびその導体の機の

用てもよ。さらに電極料としては、金属、分子用るこができ、好ましは一対の極の一方の仕事関数のさ材料が好まし。えば、リチウム、ナトウム、カウム、ビジウム、セウム、グネウム、ウム、ストチウム、ウム、アウム、スカジ、ナジウム、、イットウム、イジウム、セウム、リウム、ウム、テウム、ウム等の金属、びそれらの 2 上の合金、又はそれらの上、金、銀、白金、、ガ、チタ、ト、ッケ、タングステン、錫の上との金、グラァイ又はグラァイト合物が用られる。金のとしては、グネウム金、グネウムイジウム金、グネウムーアウム金、イジウム金、リチウムーアウム金、チウムグネウム金、チウムインジウム金、力ウムーアウム金等が挙げられる。

率を向上さるための段として外の加的な中間層を使用しても良。間層としてられる材料としては、ッチウム等のアカ属、アカ属のゲン物、酸化物があげられる。また、酸化チタ等導体の粒子、 P O (ボー3 4 チジオなどが挙げられる。

、明の分子物を一種独でんでても二種以上を組み合わせてんでてもよ。ホを高めるため、

に電子供与化合物及び又は電子化合物として、物及び又は本明の分子合物以外の分子合物を混合してることもできる。

子供与化合物としては、明の分子合物のほ、例えば、ピラ導体、アア導体、スチ導体、トリジアン導体、オオびその導体、ポゾびその導体、ボラびその導体、側アを有するポキサン導体、ボアリびその導体、ポチオびその導体、ボピびその導体、ボビびその導体、ボビンびその導体が挙げられる。

化合物としてほ、明の分子合物のほ、例えば、オキアゾ導体、アトラメタびその導体、ベゾキノびその導体、トキノびその導体、アトラキノびその導体、テトラアノアンスラメタびその導体、オノン導体、ジチびその導体、ジ導体、 8 リびその導体の体、ボリびその導体、ポリサリびその導体、ボオンびその導体、 C ０等のラ類及びその導体、イン等のナト導体が挙げられ、とわけラ類及びその導体が好まし。

子供与化合物、電子化合物は、これらの合物のネギネギベら相対的に決定される。明の子に含まれる、電子供与化合物と電子化合物とを含む。子供与化合物と電子化合物の方が、 ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物であり、電子供与化合物と電子化合物の方が、におて式 ) で表される繰り返し位を含高分子合物と併用される化合物である。 (1) で表れる繰返し位を含む高分子合物の O O O ネギが、も類の用される化合物の O O O ネギよりも場合、 ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物は、電子供与化合物として働本明の子の、電子供与化合物として、 ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物を用る。様における電子化合物としては、ラ、ラ導体、カボチ、カボンチ導体が好まし。

ラのとしてほ、 6０ラン、 7０ラ、 76 ラ、 78 ラ、 84 ラなどが挙げられる。

ラ導体のとしてほ、 6 6 C6 メチステ ( PCB 6 6 Pheny 6 b y c ac d e hy es e ) 6 6 C 7 メチステ (C7０PC 6 6 Pheny 7 b y c ac d e hy es e ) 6 85 メチステ ( 4 6 6 Pheny C85 b y c ac d e hy es e ) 6 6

C6 メチステ ( 6 Th eny 6 bu y c ac d me hy es e ) などが挙げられる。化合物としてラ導体を用る場合、ラン導体の合が、電子供与化合物００に対して、０～００であることが好まし、 2０～5００であるこがより好まし。 ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物の O O O ネギベが、も類の用される化合物 O O O ネギよも深場合、 ( ) で表される繰返し位を含む高分子合物は、電子化合物として動作する。明子の、 ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物を電子化合物としてる。こ合、電子供与化合物として、オン造を有する高分子合物が好まし。オ造を有する高分子合物としては、ボチオフンポであることがよ好まし。ポリチオポは、イ基及びオイ基らぼれる構成位が複数個合してなるポである。オイとしては、オ 2 5 イ基が好まし、置換イとしては、アキチオフ 2 5 イ基がまし。

ボチオンポのとしては、ボ (3 チオ 2 5 イ ) (P3 ) 、 3 チオ 2 5 イ ) 、ポ (3 チオン 2 5 イ ) 、ボ (3 オクタチオ 2 5 イ ) 等が挙げられる。ボチオポリの中では、炭素数6～3０のアキ基が置換したチオポが好まし。のさは、通常、～０はであ、好ましは2 ～０００であり、より好ましは5 ～5００であ、さらに好まし 2０～2００である。の、なる方法で造してもよ、例えば、高分子合物を含む液らの、真空蒸着による法が挙げられる。液らのに用る、明の分子合物 ( 合体) を解さるものであれば特に制限はな。このとしては、例えば、ト、キ、メチ、テトラン、カリ、ビク、チベ、チゼン、 e チゼン等の不飽和化水素、四塩化炭素、クホム、クメタ、クタ、クタ、ブタン、クペタン、ブタ、クキサ、キサ、クキサン、クキサ等のゲ化水素、ゼ、ク、トクゼン等のゲ飽和化水素、テトラドラ、テトララ等のテ類が挙げられる。明分子合物 ( 合体) は、通常、前記・上解さることができる。

には、スピト、キヤスティグ、イクグラビアト、グラビアト、ト、ト、ワイアト、ディット、スプト、スク、クラビア、

、オセット、イクジッ、スペンサ、ノト、キヤラトのを用ることができ、スピト、、グラビア、イクジッ、ディスペンサまし。子の

明の、透明明の極ら太陽光等の光を照射することによ、電極に光電力が発生し、有機陽電池として動作させることができる。陽電池を積するこによ陽電池 2０としてることもできる。に電圧を印した状態、あるは無印の態で、透明明の極ら光を照射することによ、光電流が流れ、有機光セサとして動作さることができる。機光セサを積することによりイメジセサしてることもできる。

以下、本明をさらに詳細に説明するために実施を示すが、はこれらに限定されるものではな。 ( )

ポ A

1

2 量体 ( ) ０ 945 ( 60 ) 量体 (2) (2 ００ o ) ０ 9 8 、テトラキス (トイラジウム ( ０) 25 とを反応器に仕込み、反応器内をアガスで分換した。この器にアンガスでブグしてしたトン 5 ０を加えた。られた液を、００Cで０した。次に、得られた、アガスでブグしてしたテトラチアンクシド ( 溶液) 5 1をした後、 3・ 5 流した。次に、得られた反応、０・ 55 を加えた後、 8・ 5 流した。なお、反応、アガス囲気で行た。後、反応液を近まで冷却した後、得られた反応液を、したト層を回収した。で、得られたト層をメタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このを減圧した後、クホム解した。次に、得られたホム液を、不溶を除去した後、アナに通し、精製した。次に、得られたクホム液を減圧した後、メタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このメタノでした後、減圧して、重合体・ 93 を得た。下、この合体をと。ボは、ボリスチ算の均分子 2・であり、ボスチ算の均分子 4・ 7 X ０であた。

ボリの返し、仕込み比ら計算した式 (2 ) で表される繰返し位の、 55 6 であた。

2

（ 2）

の

（） 63 （ 8 o ）（ 2）（ 65 。） 756 と、キス（）ラジ（ ) 25 を反応器に仕込み、反応器内をアンガスで十分換した。この器に、アガスでブグしてしたト 5 を加えた。られた液を、０Cで０した。次に、得られた、アガスでリングしてしたテトラチアウムド ( 溶液) 5 1をした後、 2・ 5 流した。次に、得られた反応、ブゼン0・ 25 を加えた後、流した。次に、得られた反応、 0・ 3０を加えた後、 8 5 流した。なお、反応、アガス囲気で行た。後、反応液を近まで冷却した後、得られた反応液を、したト層を回収した。で、得られたト層をメタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このを減圧した後、クホムに溶解した。次に、得られたクホム液を、不溶を除去した後、アナに通し、精製した。次に、得られたクホム液を減圧した後、メタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このメタノでした後、減圧して、重合体・０を得た。下、この合体をと。ボは、ボスチ算の均分子 6 5 であり、ポリスチ算の均分子・ 4 X ０4であた。

ポの返し、仕込み比ら計算した式 (2 ) で表される繰り返し位の、 47 8 であた。 ( 3)

ポ Cの

量体 ( ) 729 (24 0 ) と、単量体 (2) 3 746 (3０ 0 ) と、メチトオチアモウムライド ( 品名 a qua 336 d ch H N (CH ) H d。 s y ０ 849 25C ade a k o He ke o o a on) 6 75 と、ラジウム ( 62 6 と、トス (2 トキ ) スィン 338 を反応器に仕込み、反応器内をアンガスで十分換した。この器に、アガスをブグしてしたト 6００を加えた。次に、この、アガスでブリグしてした 6・ 7 ナトウム溶液 50 した後、流する度に昇、 8 流した。なお、反応はアガス囲気で行た。

次に、得られた反応液を冷却した後、この、 3 ０9 テトラドラ 7・ 0 液を加え、 9 流した。なお、反応は、アンガス囲気で行た。後、得られた反応液を冷却した後、得られた反応液を、したト層を回収した。で、得られたト層をメタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このを減圧した後、夕ホムに溶解した。次に、得られたクホム液を過し、不溶を除去した後、クホム液を、アナに通して精製した。次に、得られたクホム液を減圧した後、メタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このメタノでした後、減圧して、重合体 4 8 を得た。下、この合体を Cと。ボ Cのボスチ算の均分子 2・ 8 X ０4であ、ポスチ算の均分子 8・ 3 X 0 であた。

ボリ Cのり返し、仕込み比ら計算した式 (2 で表される繰り返し位の、 55 6 であた。 (

ボの

量体 ( ０ 4739 (０ 8０ o ) 、単量体 (2) ・ 4 5０ (０ 983 ) と、メチトリオチアウムライド ( 品名 a qua 336 d ch CH N (CH ) H de s y ０ 849 2 o

5C ade a k O He ke o po a on) 0 33 と、ラジウム ( ) 2 と、トス (2 トキ ) スィ 23 、 49 eを反応器に仕込み、反応器内をアガスで十分換した。この器に、アンガスをブグしてしたト 4 を加えた。次に、この、アガスでブリグしてした 6 ナトウム溶液 5 をした後、流する度に昇、流した。なお、反応はアガス囲気で行た。後、得られた反応液を冷却した後、得られた反応液を、したトン層を回収した。で、得られたト層をメタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このを減圧した後、クホムに溶解した。次に、得られた液を過し、不溶を除去した後、クホム液を、アナに通して精製した。次に、得られたクホム液を減圧した後、メタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このメタノでした後、減圧して、重合体0・ 34 を得た。下、この合体をと。ボのボリスチン算の均分子・ 3 X ０であり、ボスチン算の均分子 6・ 6 X 3であた。

のり返し、仕込み比から計算した式 (2 ) で表される繰返し位の、 55 であた。 ( 5)

の

量体 ( ) ０ 36０ (０ 6 0 ) と、単量体 (2) ０・ 4 58 ( ０0 ) 、メチトオチアンウムライド ( 品名 a q a 336 A d ch CH N ( H ) H de s y ０8849 1 25 で ade a k O He ke o po a on) 0 37 と、ラジ ) 2 、トリス (2 トキ ) スフィ０・ 8 と、フ 98 を反応器に仕込み、反応器内をアガスで十分換した。この器に、アンガスをブグしてしたトン 40 加えた。次に、この、アガスでブグしてした 6・ 7 ナトウム溶液 5 1をした後、流する度に昇、 7 流した。なお、反応アガス囲気で行た。了後、得られた反応液を冷却した後、得られた反応液を、したト層を回収した。で、得られたト層をメタノ中に注ぎ込み、、生成したを回収した。このを減圧した後、クホムに溶解した。次に、得られたホム液を過し、不溶を除去した後、クホム液を、アナに通して精製した。次に、得られたクホム液を減圧した後、メタノ申に注ぎ込み、、生成したを回収した。このメタノでした後、減圧して、重合体 0・ 27 を得た。下、この合体をと。ポのボスチン算の均分子 6・０ X ０であり、ボスチン算の均分子 2・ 5 X 03であた。

ボのり返し、仕込み比ら計算した式 (2 ) で表される繰り返し位の、 62 であた。

( 陽電池、評価)

スッタ法によ 5０nのみで O膜を付けたガラス

理して表面理を行た。次に、高分子合物であるラ導体であるC6０PC (Pheny 6 b y c ac d e hy es e ティアカボン ) を含むオトジクゼ (ボ PC の 3) を用、スピントこよ布してを作製した ( ００n ) 。その、真空蒸着によフッチウムを厚さ4 で蒸着し、次でを厚さで蒸着した。られた有機陽電池の、 2 X 2 の角形であた。られた有機陽電池にソラタ ( 光計器製、商品名 TEN UN ㎜・5 フィタ、放射００㎜ 2

c )を用て一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して、短絡度、開放電圧、ィァクタを求めた。 Jsc (

) 5・34m c 2 oc ( 放電圧) ０ 825 ( ィファクタ ) ０・44、光電 ( ) は、・93 であた。

( 陽電池の、評価)

分子合物としてポリのわにポを用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 Jsc 3・ 7 c 2 Voc ０・8００ = 4０2、光電 ( ) は、・０であた。 2

( 陽電池の、評価)

分子合物としてわりに Cを用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 J。 5・9 。 oc ０・ 947 =０ 495、光電 ( ) は、 2 77 であた。 3

( 陽電池の、評価)

分子合物としてポのわりにポリを用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 sc 5・7g 2 oc ０・97 = 489、光電 ( ) は、 2・75 であた。 4 ( 陽電池の、評価)

分子合物としてポリのわりにポリを用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 J c 5・38mA c 2 oc ０・957 = 389、光電 ( ) 、 2 ００であた。 5

( 陽電池の、評価)

分子合物してのわりにを用、 C6０PC のわりにC 7０P (Pheny 7 b y c ac d me hy es e ンティアカボ ) を含むオトジクゼポリ C P B の

3) を用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 J c 8・００ c 2 oc ０・998 ０・486、光電 ( ) は、 3・88 であた。 6

( 陽電池の、評価)

分子合物としてポのわりにボ (3 チオ 2 5 イ ) P3 ) ( ジギラ、メク、商品名 s co P００を用、 C PC のわりにポ Cを含むオトジクゼ (P3 ポ Cの ) を用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 J c ・27 c 2 o c ・０6 =０ 33、光電、 0・44 であた。 2

( 陽電池の、評価)

分子合物としてのわにP3 を用、 C6 OPC のわりにを含むオトジクゼ (P3 リの ) を用た以外は、実施同様に有機陽電池を作製し、評価した。その果、 sc ０・ C 2 oc ・０7 ０・29、光電 ( T は、０・であた。上の利用能性

明、光電率が高ため、工業的に極めて有用である。

Claims

9 求のなとも一方が透明明である一対の、に光を含み、が電子供与化合物電子化合物とを含み、子供与化合物しは化合物が表される繰返し位を含高分子合物であて、分子合物に含まれるり返し、 ( ) で表される繰り返し位の率が最も大き光電。

R R R R R 、同なり、水素原子置換を表す。また、 R R R R は、それぞれに連結して環状造を形成してもよ。、 X 、同一なり、子、酸素原子、セ子、 (R ) C 表す。 R 、 R は、同一なり、水素原子置換を表す。は、同一なり、～5の数を表す。 X Xが複数個ある場合、それらは同一であてもなててもよ。 ) 2 が～3の数である記載の。 3・ X X xが、子である 2に記載の 3０ 4・ ( ) で表される繰返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 5０超えてる～3のずれに記載の

。 5・ ( ) で表される繰返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 52 上である 4に記載の。 6・ ( ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、０である～4のずれに記載の

。 7・ (1) で表される繰返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 98 下である 6に記載。 8・分子合物が、さらに、 (1 ) で表される繰り返し位を含

～7のずれに記載の。

( 、同一な、を表す。 R， R 、同なり、水素原子を表す。また、とR 、連結して環状造を形成してもよ。 ) 9 分子合物に含まれる返し、 ( ) で表される繰返位の率が、 ( ) で表される繰り返し位の率に次で大き

8に記載の。 1０・分子合物が有する繰返し位が、 ( ) で表される繰返し位及び ( ) で表される繰返し位のみである 8に記載の

。 1 ・ R、 R R が、水素原子である～０のずれに記載の。 12・ R R が、水素原子である～のずれに記載の

。 13・ R R 、炭化水素である 8～ 2のずれかに記載の。 14・ R 、アキ基である 3に記載の。 5・が有する素数が 2 上であり、か、 R，有する素数が 2 上である 3 4に記載の。 16・が 5～０である 8～ 5のずれに記載の。 17・がンゼンタ環である 6に記載の。 18・ ( ) で表される繰返し位を含む高分子合物が電子供与化合物であり、電子化合物がオン造を有する高分子合物である～ 7のずれに記載の。 9・化合物が ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物であり、電子供与化合物がオン造を有する高分子合物である～ 7のれに記載の。 2０・オン造を有する高分子合物が示チオンポである 8又は 9 載の。 2 ～2０のずれに記載の子を含むイメジセンサ 22・ ( ) で表される繰り返し位を含む高分子合物であて、分子合物に含まれるり返し、 (1 ) で表される繰り返し位の率が最も大き高分子合物。

）、 R 、、 4、 R R は、同一なり、水素原子置換を表す。また、 R， R R R は、それぞれに連結して環状造を形成してもよ。 X， x xは、同一な、子、酸素原子、セ子、 (R ) 又は C CR 表す。 R 、 R R は、同一な、水素原子置換を表す。は、同一はなり、 0～5の数を表す。， R R R、 X，、 X が複数個ある場合、それらは同一であてもなててもよ。 ) 23・が～3の数である 22に記載の分子合物。 24 X X X 、子である 22 23に記載の分子。 25・ ( ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物の返し位の計に対して、 5０。を超えてる 22～2 のずれに記載の分子合物。 26・ ( ) で表される繰り返し位の計が、高分子合物のり返し位の計に対して、 52 上である 25に記載の分子合物。 27・ ( ) で表れる繰り返し位の計が、高分子合物のり返し位の計に対して、０である 22～25のずれに記載の分子合物。 28・ ( ) で表される繰返し位の計が、高分子合物のり返し位の計に対して、 98 下である 27に記載の分子合物。 29・分子合物が、さらに、 ( ) で表される繰返し位を含む

22 28のずれに記載の分子合物。

( は、同一なり、を表す。 R， R 、同一な、水素原子置換を表す。また、と、連結して環状造を形成してもよ。 ) 3０・分子合物に含まれる返し、 ( ) で表される繰り返し位の率が、 ( ) できれる繰り返し位の率に次で大き

29 載の分子合物。 3 ・分子合物が有する繰り返し位が、 ( ) で表される繰り返し位及び ( で表される繰り返し位のみである 29に記載の分子合物。 32・，、 Rが、水素原子である 22～3 のずれに記載の分子合物。 33・ R R が、水素原子である 22～32のずれに記載の分子合物。 34・ R R 、炭化水素である 29～33のずれに記載の分子合物。 35・ R 、アキ基である 34に記載の分子合物。 36・ R が有する素数が 2 上であ、、 R 有する素数が 2 上である 34又は35に記載の分子合物。

37 Bが 5～０である 2 6のずれに記載の分子合物。

38・ Bが、ゼタ環であるに記載の分子合物。