WO2010017920A1 - Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten abscheiden von leitfähigem material - Google Patents

Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten abscheiden von leitfähigem material Download PDF

Info

Publication number
WO2010017920A1
WO2010017920A1 PCT/EP2009/005758 EP2009005758W WO2010017920A1 WO 2010017920 A1 WO2010017920 A1 WO 2010017920A1 EP 2009005758 W EP2009005758 W EP 2009005758W WO 2010017920 A1 WO2010017920 A1 WO 2010017920A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electron beam
filling
metal carbonyl
nanoseconds
milliseconds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2009/005758
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Nicole Auth
Petra Spies
Rainer Becker
Thorsten Hofmann
Klaus Edinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nawotec GmbH
Original Assignee
Nawotec GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nawotec GmbH filed Critical Nawotec GmbH
Priority to US13/058,493 priority Critical patent/US8318593B2/en
Priority to EP09777750.2A priority patent/EP2331726B1/de
Publication of WO2010017920A1 publication Critical patent/WO2010017920A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/487—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using electron radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
    • H10P14/43—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/021—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates
    • H10W20/023—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates the interconnections being through-semiconductor vias
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/021—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates
    • H10W20/023—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates the interconnections being through-semiconductor vias
    • H10W20/0245—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates the interconnections being through-semiconductor vias comprising use of blind vias during the manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/021—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates
    • H10W20/023—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates the interconnections being through-semiconductor vias
    • H10W20/0261—Manufacture or treatment of interconnections within wafers or substrates the interconnections being through-semiconductor vias characterised by the filling method or the material of the conductive fill
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/056—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
    • H10W20/057—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches by selectively depositing, e.g. by using selective CVD or plating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/067—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the pattern of conductive parts

Definitions

  • the present invention relates to a method for electron beam-induced deposition of conductive material.
  • the composition of the deposited material contains not only the metal central atom but also carbon and oxygen from the CO ligands of the metal carbonyl.
  • the composition of the landfill - and of course its specific electrical resistance - thus depends on the process control in the case of electron beam-induced deposition.
  • the authors Lau, Chee, Thong and Ng have deposited conductive dicobalto-carbonyl needles under various process conditions with the aid of an electron beam and analyzed the samples (YM Lau, PC Chee, JTL Thong to V. Ng, "Propertiers and applications of cobalt-based Material produced by electron-beam induced deposition ", J. Vac., Technol.
  • the present invention is therefore based on the problem to provide a simpler method for electron beam-induced deposition of conductive material from a metal carbonyl, which avoids the disadvantages and limitations mentioned above, at least in part.
  • the method of electron beam-induced deposition of electrically conductive material comprises providing at least one electron beam at a location of a substrate, storing the at least one metal carbonyl at a first temperature, and heating the at least one metal carbonyl to at least a second temperature prior to Providing at the location where the at least one electron beam impinges.
  • the Applicant has surprisingly found that, besides the parameters of the electron beam, the treatment of the metal carbonyl has a decisive influence on the deposition of conductive material.
  • a spontaneous transformation of a metal carbonyl for example from Dikobaltoktocarbonyl (Co 2 (CO) 8 ) in tetra cobalt dodecarbonyl (Co 4 (CO) I2 ) to form Kohlenstoffnonooxid Avoid (CO).
  • CO room temperature
  • dicobaltoctocarbonyl (Co 2 (CO) 8 ) is used as metal carbonyl.
  • metal carbonyl for example with one of the metal central chromium (Cr), iron (Fe), manganese (Mn), molybdenum (Mo), nickel (Ni), tellurium (Te), rhenium (Rh), ruthenium (Ru), vanadium (V) tungsten (W), etc. are used.
  • Cr metal central chromium
  • Fe iron
  • Mo manganese
  • Mo molybdenum
  • Ni nickel
  • Te tellurium
  • Rh rhenium
  • Ru ruthenium
  • V vanadium
  • W vanadium
  • the first temperature for the metal carbonyl ranges from 230K to 320K, preferably from 240K to 290K, and more preferably from 250K to 260K.
  • the ideal temperature is dependent upon the material and constraints imposed by the gas delivery system To be defined.
  • the second temperature for the metal carbonyl comprises a range from 265 K to 320 K, preferably from 270 K to 300 K and particularly preferably from 275 K to 280 K.
  • the electron beam and the metal carbonyl are used to fill a vias.
  • the electron beam has a refresh time of from 20 milliseconds to 0.2 milliseconds, preferably from 5 milliseconds to 0.8 milliseconds, and more preferably from 2.5 milliseconds to 1.6 milliseconds.
  • the electron beam at the end of the filling on a smaller, preferably a ten times lower repetition period as at the beginning of the filling.
  • the electron beam has a residence time (dwell time) of 2000 nanoseconds to 10 nanoseconds, preferably 500 nanoseconds to 40 nanoseconds and more preferably 250 nanoseconds to 160 at the beginning of filling Nanoseconds up.
  • dwell time 2000 nanoseconds to 10 nanoseconds, preferably 500 nanoseconds to 40 nanoseconds and more preferably 250 nanoseconds to 160 at the beginning of filling Nanoseconds up.
  • the quotient of repetition time duration and residence time duration when filling a contact hole is increased with increasing aspect ratio.
  • the deposited conductive material has a specific resistance of less than 100 ⁇ cm.
  • a feed system for the metal carbonyl is formed in order to suck the carbon dioxide formed from the metal carbonyl out of a vacuum chamber.
  • the vacuum chamber comprises no additional heat sources in addition to the electron beam.
  • the electron beam is used to find the point to be processed and / or to control the deposition of the electrically conductive material and / or its surroundings.
  • an apparatus for electron beam-induced deposition of conductive material comprises an electron beam apparatus for providing at least one electron beam at a location of a substrate, a reservoir for storing at least one metal carbonyl at a first temperature, and a device for heating the at least one Metallcarbonyls on at least a second Temperature before providing to a location at which the at least one electron beam impinges.
  • Fig. 1 is a schematic representation of an exemplary device for
  • Metallcarbonyls and a focused electron beam electrically conductive material can be deposited;
  • FIG. 2 is a schematic enlarged view of a via etched from a first wiring plane through multiple layers of a multilayer system to a second wiring level;
  • FIG. 3 shows a schematic section through the via of FIG. 2, which has been filled with conductive material by means of an embodiment of the method according to the invention.
  • a substrate 90 is arranged in a vacuum chamber 10 on a sample holder 20, on which conductive material is to be deposited.
  • the substrate 90 comprises a multilayer system 200.
  • the electron beam for carrying out the method according to the invention originates from an electron beam device 30 which is, for example, an optionally modified scanning electron microscope.
  • the metal carbonyl used is dicobalt octocarbonyl (Co 2 (CO) 8 ).
  • Alternative embodiments of the process according to the invention allow the use of metal carbonyls with other central metal atoms, such as Cr, Fe, Ni, Mo, V and W, to name just a few examples. It is also conceivable to introduce two or more metal carbonyls via a separate valve into the vacuum chamber 10 through a single or separate inlet (not shown in FIG. 1).
  • the first and / or the plurality of metal carbonyls may also be introduced into the vacuum chamber 10 in a non-directional manner.
  • the metal carbonyl Co 2 (CO) 8 is stored in a reservoir 70.
  • the reservoir has a cooling device and a temperature control.
  • the contents of the container 70 can be stored at a defined temperature.
  • the reservoir 70 allows the Dikobaltoktocarbonyls below the room temperature. It has proven to be advantageous to store Co 2 (CO) 8 at essentially 253 K. At this temperature, a spontaneous conversion of Dikobaltoktocarbonyl in tetraco- baltdodecacarbonyl with the release of CO can be prevented or slowed down sufficiently.
  • the device 60 may heat the Co 2 (CO) 8 coming from the reservoir 70 to an adjustable temperature. This is necessary because only the provision of the metal carbonyl at the point of impact of the electron beam on the substrate 90 at sufficiently high temperatures results in the deposition of low resistivity conductive material. It has been found that the supply of dicobaltoctocarbonyl via inlet 40 at a temperature of about 278 K results in conductive material of low resistivity.
  • the device 60 further allows the temperature of the Co 2 (CO) 8 to change during the deposition process. Since the favorable inlet temperature for dicobaltoctocarbonyl is below room temperature, in an alternative embodiment, the energy needed to heat the metal carbonyl may also be taken from the environment, the device 60 may be configured to allow heating of the metal carbonyl in this way. It is also conceivable that the device 60 combines both described possibilities of heating in one embodiment.
  • valves 50 in the delivery system 40 allow for the provision of a defined gas flow rate at the point of impact of the electron beam on the substrate 90, or the controlled supply of Co 2 (CO) 8 from the reservoir 70 into the heater 60.
  • the metal carbonyl is continuously provided at the location of the electron beam.
  • the valves 50 make it possible in an alternative embodiment. It is possible to vary the flow of gas in the delivery system 40 over time.
  • the suction device 80 shown in FIG. 1 This makes it possible to suck the carbon dioxide formed in the electron beam from the metal carbonyl substantially at the place of origin out of the vacuum chamber 10. Since the CO 2 is locally pumped out of the vacuum chamber 10 at the point of impact of the electron beam on the substrate 90 before it can disperse and settle therein, contamination of the vacuum chamber 10 is prevented.
  • the metal carbonyl feed system 40 and the carbon dioxide exhaust 80 may be combined in one system, for example, by two side by side tubes; cannulas.
  • a focused electron beam For initializing the etching reaction, preferably only a focused electron beam is used.
  • the electron acceleration voltage is in the range of 0.1 keV to 30 keV.
  • the current intensity of the electron beam used varies in the interval between 1 pA and 1 nA.
  • other energy-transferring mechanisms eg a focused laser beam and / or or an unfocussed ion beam.
  • Electron beam induced deposition is used in addition to mask repair, primarily for wiring or rewiring microelectronic circuit parts and for directly depositing conductive interconnections between microelectromechanical systems (MEMS).
  • MEMS microelectromechanical systems
  • Various embodiments of the method according to the invention can be used for the mentioned different fields of application. In the following, a preferred embodiment for the filling of deep vias with a high aspect ratio for connecting microelectronic circuit blocks is explained in more detail.
  • the aspect ratio refers to the ratio of the depth or height of a structure to its smallest lateral extent.
  • FIG. 2 shows a multilayer system 200 which has on its upper side a first wiring plane, of which the electrical line 290 is shown.
  • the layers 210, 220, 230, 240, 250 and 280 are in the example of FIG. 2 semiconductor layers of different composition and / or doping. However, it is also possible that one, several or all of the layers 210, 220, 230,
  • insulator layer 260 In the insulator layer 260, a second wiring layer is embedded, the metallically conductive connections
  • a via 300 is exposed from the first wiring level electric wire 290 to the second wiring level electric wire 270 by etching. As shown in FIG.
  • FIG. 3 presents a section through the via 300 of the multilayer system 200 of FIG. 2, after filling it with an embodiment of the method according to the invention.
  • the refresh time of the electron beam at the beginning of the deposition process is substantially 2 ms (milliseconds). This parameter decreases towards the end of the filling process at the upper end of the contact hole 300 by about an order of magnitude to substantially 0.2 ms.
  • the electron beam remains in one place essentially 200 ns (nanoseconds).
  • the residence time is reduced substantially to 100 ns.
  • the electron beam had an energy of 1 keV and its current strength was in the range between 1 pA and 50 pA.
  • the diameter of the Electron beam was about 4 nm. The term "substantially” means here, as well as in the other parts of this description an indication within the measurement accuracy.
  • the quotient of repetition time duration and dwell time during the filling of the contact hole 300 changes.
  • This quotient also shows a dependency on the aspect ratio of the contact hole to be filled. With increasing aspect ratio, it is beneficial to achieve low resistivity landfills to increase the quotient of repeat time and residence time.
  • the method according to the invention makes it possible to deposit material with a specific resistance of less than 100 ⁇ xm. This numerical value is still about 20 times higher than the specific resistance of metallic cobalt. However, the numerical value of the resistivity achieved is of the same order of magnitude as that of Lau et al. Lau, PC Chee, JTL Thong to V. Ng, "Propertiers and applications of cobalt-based material produced by electron-beam induced deposition", J. Vac. Sei. Technol.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von elektrisch leitfahigem Material aus einem Metallcarbonyl mit den Verfahrensschritten des Bereitsteilens zumindest eines Elektronenstrahls an einer Stelle eines Substrats (90), des Aufbewahrens des zumindest einen Metallcarbonyls bei einer ersten Temperatur, und des Erwärmens des zumindest einen Metallcarbonyls auf zumindest eine zweite Temperatur vor dem Bereitstellen an der Stelle, an der der zumindest eine Elektronenstrahl auf das Substrat (90) auftrifft.

Description

6. August 2009 NaWoTec GmbH Zl 15553 WO JH/Wg/Sij
Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Ma- terial
1. Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material.
2. Stand der Technik
In der Halbleitertechnologie sind die Reparatur von Belichtungsmasken und das sogenannte Circuit Editing, d.h. das gezielte Verändern von mikroskopischen Strukturen wichtige Prozesse. Zum Abbilden von Maskendefekten und von mikroelektronischen Schaltungen wird häufig ein Rasterelektronenmikroskop eingesetzt, da Elektronenstrahlen im Gegensatz zu Ionenstrahlen die abgetastete Ober- fläche nicht verändern.
Das Abtragen von Material im mikroskopischen Maßstab mit Hilfe eines Elektronenstrahls und eines geeigneten Ätzgases ist bereits etabliert und vielfach beschrieben worden. Die Anmelderin hat in der DE 103 38 019 Al ein Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen von Metalloxidschichten offenbart. Ferner hat die Anmelderin in der EP 04 008 972.4 eine Vorrichtung zum Untersuchen und Verändern einer Probe mit Hilfe eines Elektronenstrahls beschrieben. Zu dem Prozess der Deposition von Material zur Maskenreparatur gibt es ebenfalls bereits ein umfangreiches Schrifttum. Auch die Thematik des Abscheidens von leitfähigem Material beim Circuit Editing zur (Neu-) Verdrahtung von Schaltungsteilen auf mikroskopischer Ebene wurde bisher intensiv untersucht. Der wichtigste Parameter für neu geschaffene elektrisch leitfähige Verbindungen auf mikroskopischer Ebene ist deren spezifischer Widerstand.
In der EP 0130398 wurde erstmals die Verwendung eines Elektronenstrahls zur Deposition von elektrisch leitfähigen Verbindungen aus Nickeltetracarbonyl of- fenbart. Als Präkursormaterialien mit denen sich leitfähige Materialien mit niedrigem spezifischem Widerstand mit einem Elektronenstrahl deponieren lassen, wurden von der Anmelderin in Übereinstimmung mit der Literatur Metallcarbo- nyle und Wolframhexafluorid (WF6) identifiziert. Der letztgenannte Präkursor weist keinen Kohlenstoff auf, der sich in das Deponat einlagern könnte. Die An- melderin hat jedoch durch umfangreiche Untersuchungen herausgefunden, dass WF6 Deponate eine grobkörnige Mikrostruktur aufweisen, die einen zuverlässigen und zerstörungsfreien Stromtransport nicht zulassen. Insbesondere beim Füllen von sogenannten Vias mit Hilfe von WF6 und eines Elektronenstrahls ätzt das bei der Reaktion des Präkursors freiwerdende Fluor die das Via begrenzenden Sei- tenwände und führt damit zusätzlich zum Einbau von unerwünschten Komponenten in das Deponat.
Beim Verwenden von Metallcarbonylen werden in das entstehende Deponat zwar keine unbekannten Komponenten aus der Probe eingebaut, aber die Zusammen- setzung des abgeschiedenen Materials enthält neben dem Metallzentralatom auch Kohlenstoff und Sauerstoff aus den CO-Liganden des Metallcarbonyls. Die Zusammensetzung des Deponats - und damit natürlich auch sein spezifischer elektrischer Widerstand - hängt somit von der Prozessführung bei elektronenstrahlindu- ziertem Abscheiden ab. Die Autoren Lau, Chee, Thong und Ng haben leitfähige Nadeln aus Dikobaltokto- carbonyl unter verschiedenen Prozessbedingungen mit Hilfe eines Elektronenstrahls abgeschieden und die Proben analysiert (Y.M. Lau, P.C. Chee, J.T.L. Thong an V. Ng, „Propertiers and applications of cobalt-based material produced by electron-beam induced deposition", J. Vac. Sei. Technol. A 20(4), 1295-1302 (2002)). Dabei zeigte sich, dass geringe Stromstärken des Elektronenstrahls zur Deposition von amorphem Material fuhren, das elektrisch kaum leitend ist; wohingegen große Stromstärken die Abscheidung von polykristallinem Material mit einem großen Kobaltanteil (bis zu 50 Atom-%) bewirken. Dieser Zusammenhang wurde bei großen Beschleunigungsspannungen der Elektronen und einer gleichfalls großen Verweilzeit (dwell time) des Elektronenstrahls beobachtet.
Beim Füllen von Vias durch Deposition von leitfahigem Material fuhren große Gasflussmengen des .Metallcarbonyls in Kombination mit großen Stromstärken des Elektronenstrahls und hohen Beschleunigungsspannungen jedoch nicht zum Abscheiden von Material mit niedrigem spezifischem Widerstand. Das Auftreffen von energiereichen Elektronen mit großer Stromstärke auf ein Substrat führt zu dessen elektrostatischer Aufladung, wodurch die Ortsauflösung des Elektronenstrahls verringert wird. Damit einher geht eine reduzierte Kontrolle des Depositi- onsprozesses. Darüber hinaus ist die Verwendung hoher Beschleunigungsspannungen wegen der damit einhergehenden Schädigung der empfindlichen Halbleiterbauelemente unverwünscht. Neben den Parametern des Elektronenstroms hat die Anmelderin den Einfluss der Verarbeitung des Metallcarbonyls auf den spezifischen Widerstand des deponierten Materials untersucht.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher das Problem zu Grunde, ein einfacheres Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material aus einem Metallcarbonyl anzugeben, das die oben genannten Nachteile und Einschränkungen zumindest zum Teil vermeidet. - A -
3. Zusammenfassung der Erfindung
Gemäß einem Ausfuhrungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. In einer Ausfϊihrungsform um- fasst das Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von elektrisch leitfähigem Material das Bereitstellen zumindest eines Elektronenstrahls an einer Stelle eines Substrats, das Aufbewahren des zumindest einen Metallcarbonyls bei einer ersten Temperatur und das Erwärmen des zumindest einen Metallcarbonyls auf zumindest eine zweite Temperatur vor dem Bereitstellen an die Stelle, an der der zumindest eine Elektronenstrahl auftrifft.
Die Anmelderin hat überraschend herausgefunden, dass - neben den Parametern des Elektronenstrahls - die Behandlung des Metallcarbonyls einen entscheidenden Einfluss auf das Abscheiden von leitfähigem Material hat. Durch das Aufbewah- ren des Metallcarbonyl bei Temperaturen deutlich unterhalb der Raumtemperatur (300 K) lässt sich eine spontane Umwandlung eines Metallcarbonyls, beispielsweise von Dikobaltoktocarbonyl (Co2(CO)8) in Tetrakobaltdodecarbonyl (Co4(CO)I2) unter Bildung von Kohlenstoffrnonooxid (CO) vermeiden. Durch die Bildung von CO in dem Vorratsbehälter wird neben dem Metallcarbonyl auch Kohlenstoffrnonooxid an der Stelle der Deposition bereitgestellt und teilweise in das sich abscheidende Material eingebaut. Der Anteil der metallischen Komponente in dem Deponat wird damit verkleinert und dessen spezifischer Widerstand vergrößert. Da erst das Bereitstellen des Metallcarbonyls bei hinreichend hohen Temperaturen die Deposition von Material mit niedrigem spezifischem Wider- stand erlaubt, wird das Metallcarbonyl von dem Einleiten in die Vakuumkammer erwärmt. Durch diese Maßnahmen können zuverlässig leitfähige Deponate hergestellt werden.
In einer bevorzugten Ausfuhrungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird Dikobaltoktocarbonyl (Co2(CO)8) als Metallcarbonyl verwendet. Es können jedoch auch andere Metallcarbonyle, beispielsweise mit einem der Metallzentral- atome Chrom (Cr), Eisen (Fe), Mangan (Mn), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Tellur (Te), Rhenium (Rh), Ruthenium (Ru), Vanadium (V) Wolfram (W), usw. eingesetzt werden. Ferner ist es denkbar zwei oder mehrere Metallverbindungen in Kombination an der Stelle des Auftreffens des Elektronenstrahls bereitzustellen.
Vorzugsweise umfasst die erste Temperatur für das Metallcarbonyl einen Bereich von 230 K bis 320 K, bevorzugt von 240 K bis 290 K und besonders bevorzugt von 250 K bis 260 K. Die ideale Temperatur ist von dem Material und den Randbedingungen abhängig, die durch das Gaszuführungssystem definiert werden.
hi einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfasst die zweite Temperatur für das Metallcarbonyl einen Bereich von 265 K bis 320 K, bevorzugt von 270 K bis 300 K und besonders bevorzugt von 275 K bis 280 K.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden der Elektronenstrahl und das Metallcarbonyl zum Füllen eines Vias verwendet.
Vorzugsweise weist der Elektronenstrahl zu Beginn des Füllens eine Wiederholzeitdauer (refresh time) von 20 Millisekunden bis 0,2 Millisekunden, bevorzugt von 5 Millisekunden bis 0,8 Millisekunden und besonders bevorzugt von 2,5 Millisekunden bis 1,6 Millisekunden auf. In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Elektronenstrahl am Ende des Füllens eine geringere, vorzugsweise eine um einen Faktor zehn geringere Wiederholzeitdauer wie zu Beginn des Füllens auf.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens weist der Elektronenstrahl zu Beginn des Füllens eine Verweilzeitdauer (dwell time) von 2000 Nanosekunden bis 10 Nanosekunden, bevorzugt von 500 Nanosekunden bis 40 Nanosekunden und besonders bevorzugt von 250 Nanosekunden bis 160 Nanosekunden auf. In einer günstigen Ausführungsform weist der Elektronenstrahl am Ende des Füllens eine geringere, vorzugsweise eine um einen Faktor zwei geringere Verweilzeitdauer wie zu Beginn des Füllens auf.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Quotient aus Wiederholzeitdauer und Verweilzeitdauer beim Füllen eines Kontaktlochs mit steigendem Aspektverhältnis vergrößert.
In einer weiteren besonders bevorzugten Ausführungsform des erfϊndungsgemä- ßen Verfahrens weist das abgeschiedene leitfähige Material einen spezifischen Widerstand kleiner als 100 μΩ cm auf.
Bevorzugt ist ein Zuführungssystem für das Metallcarbonyl ausgebildet, um das aus dem Metallcarbonyl entstehende Kohlenstoffdioxid aus einer Vakuumkammer abzusaugen.
Vorzugsweise umfasst die Vakuumkammer neben dem Elektronenstrahl keine zusätzlichen Wärmequellen.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Elektronenstrahl zum Auffinden der zu bearbeitenden Stelle und/oder zur Kontrolle der Abscheidung des elektrisch leitfähigen Materials und/oder seiner Umgebung verwendet.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material ein Elektronenstrahlgerät zum Bereitstellen zumindest eines Elektronenstrahls an einer Stelle eines Substrats auf, einen Vorratsbehälter zum Aufbewahren eines zumindest einen Metallcarbonyls bei einer ersten Temperatur und eine Vorrichtung zum Erwärmen des zumindest einen Metallcarbonyls auf zumindest eine zweite Temperatur vor dem Bereitstellen an eine Stelle, an der der zumindest eine Elektronenstrahl auftrifft.
Weitere Ausfuhrungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in weiteren abhängigen Patentansprüchen definiert.
4. Beschreibung der Zeichnungen
In der folgenden detaillierten Beschreibung werden derzeit bevorzugte Ausfüh- rungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, wobei
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer beispielhaften Vorrichtung zur
Durchführung des Verfahrens zeigt, wobei auf ein in einer Vakuum- kammer befindliches Substrat durch die kombinierte Einwirkung eines
Metallcarbonyls und eines fokussierten Elektronenstrahls elektrisch leitfähiges Material abgeschieden werden kann;
Fig. 2 eine schematische, vergrößerte Darstellung eines von einer ersten Verdrahtungsebene durch mehrere Schichten eines Mehrschichtsystems auf eine zweite Verdrahtungsebene geätzten Vias zeigt; und
Fig. 3 einen schematischen Schnitt durch das Via der Fig. 2 zeigt, das mit einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens mit leitfä- higem Material gefüllt worden ist.
5. Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Vorrichtung genauer erläutert. Wie in Fig. 1 schematisch dargestellt, wird in einer Vakuumkammer 10 auf einem Probenhalter 20 ein Substrat 90 angeordnet, auf dem leitfähiges Material abgeschieden werden soll. In den Figuren 2 und 3 umfasst das Substrat 90 ein Mehrschichtsystem 200. Der Elektronenstrahl zur Durchführung des erfindungsgemä- ßen Verfahrens stammt aus einem Elektronenstrahlgerät 30, das beispielsweise ein gegebenenfalls modifiziertes Rasterelektronenmikroskop ist.
In dem in Fig. 1 schematisch dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird als Metallcarbonyl Dikobaltoktocarbonyl (Co2(CO)8) verwendet. Alternative Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens lassen den Einsatz von Metallcarbonylen mit anderen Metallzentralatomen, wie etwa Cr, Fe, Ni, Mo, V und W zu, um nur einige Beispiele zu nennen. Es ist ferner denkbar zwei oder mehrere Metallcarbonyle jeweils über ein eigenes Ventil durch einen einzigen oder durch separate Einlasse in die Vakuum- kammer 10 einzulassen (in Fig. 1 nicht dargestellt). Alternativ zu einem auf den Elektronenstrahl gerichteten Zuführungssystem 40 für das Metallcarbonyl, können das erste und/oder die mehreren Metallcarbonyle auch ungerichtet in die Vakuumkammer 10 eingelassen werden.
Das Metallcarbonyl Co2(CO)8 wird in einem Vorratsbehälter 70 aufbewahrt. Der Vorratsbehälter weist eine Kühlvorrichtung und eine Temperaturregelung auf. Damit kann der Inhalt des Behälters 70 bei einer definierten Temperatur gelagert werden. Insbesondere ermöglicht der Vorratsbehälter 70 ein Aufbewahren des Dikobaltoktocarbonyls unterhalb der Raumtemperatur. Es hat sich als vorteilhaft erwiesen Co2(CO)8 bei im Wesentlichen 253 K aufzubewahren. Bei dieser Temperatur kann eine spontane Umwandlung von Dikobaltoktocarbonyl in Tetrako- baltdodecacarbonyl unter Freisetzung von CO verhindert bzw. hinreichend verlangsamt werden.
Falls in wesentlichem Ausmaß CO in dem Vorratsbehälter 70 gebildet wird, wird das Kohlenstoffmonooxid zusammen mit Co2(CO)8 in der Vakuumkammer 10 an der Stelle der Deposition bereitgestellt. Dabei ist der tatsächlich vorhandene Gasmengenstrom des Dikobaltoktocarbonyls kleiner als der experimentell bestimmte Gasmengenstrom durch das Zufuhrungssystem 40. Dieses zusätzliche CO wird zumindest teilweise in das sich abscheidende Material eingebaut. Durch den ver- mehrten Einbau von Kohlenstoff und Sauerstoff in das deponierte Material wird der Anteil der metallischen Komponente verkleinert. Dies führt zu einem größeren spezifischen Widerstand des Deponats.
Die Vorrichtung 60 kann das aus dem Vorratsbehälter 70 kommende Co2(CO)8 auf eine einstellbare Temperatur erwärmen. Dies ist notwendig, da erst das Bereitstellen des Metallcarbonyls an der Stelle des Auftreffens des Elektronenstrahls auf das Substrat 90 bei hinreichend hohen Temperaturen zum Abscheiden von leitfähigem Material mit niedrigem spezifischem Widerstand führt. Es hat sich herausgestellt, dass die Zufuhr des Dikobaltoktocarbonyls über den Einlass 40 bei einer Temperatur von etwa 278 K zu leitfähigem Material mit kleinem spezifischen Widerstand führt. Die Vorrichtung 60 erlaubt es ferner die Temperatur des Co2(CO)8 während des Abscheidevorgangs zu verändern. Da die günstige Einlasstemperatur für Dikobaltoktocarbonyl unterhalb der Raumtemperatur liegt, kann in einer alternativen Ausführungsform die zum Erwärmen des Metallcarbonyls benö- tigte Energie auch der Umgebung entnommen werden, die Vorrichtung 60 kann ausgebildet werden das Erwärmen des Metallcarbonyls auf diesem Wege zu ermöglichen. Es ist femer denkbar, dass die Vorrichtung 60 beide beschriebene Möglichkeiten des Erwärmens in einer Ausführungsform kombiniert.
Die Ventile 50 in dem Zuführungssystem 40 ermöglichen das Bereitstellen eines definierten Gasmengenstroms an der Stelle des Auftreffens des Elektronenstrahls auf das Substrat 90, bzw. das kontrollierte Zuführen von Co2(CO)8 aus dem Vorratsbehälter 70 in die Heizvorrichtung 60. In der in Fig. 1 dargestellten bevorzugten Ausführungsform wird das Metallcarbonyl an der Stelle des Elektronenstrahls kontinuierlich bereitgestellt Die Ventile 50 machen es in einer alternativen Aus- führungsform möglich, den Gasmengenstrom in dem Zufiihrungssystem 40 zeitlich zu variieren.
Ein wichtiger Teil des Zuführungssystems 40 ist die in Fig. 1 dargestellte Ab- Saugvorrichtung 80. Diese macht es möglich, das in dem Elektronenstrahl aus dem Metallcarbonyl entstehende Kohlenstoffdioxid im Wesentlichen am Ort des Entstehens aus der Vakuumkammer 10 abzusaugen. Da das CO2 lokal an der Stelle des Auftreffens des Elektronenstrahls auf das Substrat 90 aus der Vakuumkammer 10 abgepumpt wird, bevor es sich in dieser verteilen und absetzen kann, wird eine Kontamination der Vakuumkammer 10 verhindert. Alternativ zu der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform mit zwei getrennten Systemen für Zufuhr 40 und Absaugung 80, kann das Zuführungssystem 40 für das Metallcarbonyl und die Absaugvorrichtung 80 für entstehendes Kohlenstoffdioxid in einem System kombiniert werden, beispielsweise durch zwei nebeneinander oder ineinander liegenden Röhren bzw. Kanülen.
Zur Initialisierung der Ätzreaktion wird vorzugsweise ausschließlich ein fokus- sierter Elektronenstrahl verwendet. Die Beschleunigungsspannung der Elektronen liegt in dem Bereich von 0,1 keV bis 30 keV Die Stromstärke des eingesetzten Elektronenstrahls variiert in dem Intervall zwischen 1 pA und 1 nA Allerdings könnten zusätzlich oder alternativ auch andere energieübertragende Mechanismen zum Einsatz kommen (z.B. ein fokussierter Laserstrahl und/oder ein unfokussier- ter Ionenstrahl). In günstigen Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es jedoch nicht wünschenswert, dass innerhalb der Vakuumkammer 10 an Stellen außerhalb des Abscheidebereichs sich zusätzliche Wärmequellen befinden.
Die elektronenstrahlinduzierte Deposition wird neben der Maskenreparatur, hauptsächlich zum Verdrahten oder Neuverdrahten von mikroelektronischen Schaltungsteilen und zum direkten Deponieren von leitfähigen Verbindungen zwischen mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) verwendet. Verschiedene Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens können für die er- wähnten verschiedenen Anwendungsgebiete eingesetzt werden. Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausfuhrungsform für das Füllen von tiefen Vias mit großem Aspektverhältnis zum Verbinden von mikroelektronischen Schaltungsblöcken näher erläutert. Das Aspektverhältnis bezeichnet das Verhältnis aus der Tiefe bzw. der Höhe einer Struktur zu ihrer kleinsten lateralen Ausdehnung.
Die Fig. 2 zeigt ein Mehrschichtsystem 200, das auf seiner Oberseite eine erste Verdrahtungsebene aufweist, von der die elektrische Leitung 290 dargestellt ist. Die Schichten 210, 220, 230, 240, 250 und 280 sind in dem Beispiel der Fig. 2 Halbleiterschichten unterschiedlicher Zusammensetzung und/oder Dotierung. Es ist jedoch auch möglich, dass eine, mehrere oder alle der Schichten 210, 220, 230,
240, 250 und 280 Isolatorschichten repräsentieren. In der Isolatorschicht 260 ist eine zweite Verdrahtungsebene eingebettet, die metallisch leitende Verbindungen
, aufweist, symbolisiert durch die elektrische Leitung 270. In Fig. 2 ist ein Via 300 von der elektrischen Leitung 290 der ersten Verdrahtungsebene auf die elektrische Leitung 270 der zweiten Verdrahtungsebene durch Ätzung freigelegt.
Die Fig. 3 präsentiert einen Schnitt durch das Via 300 des Mehrschichtsystems 200 der Fig. 2, nach dessen Füllen mit einer Ausfuhrungsform des erfindungsge- mäßen Verfahrens. Zum Herstellen einer elektrischen Verbindung mit niedrigem spezifischen Widerstand in dem Via 300 zwischen den elektrischen Leitungen 270 und 290 beträgt die Wiederholzeitdauer (refresh time) des Elektronenstrahls zu Beginn des Abscheidevorgangs, d.h. am Boden des Kontaktlochs im Wesentlichen 2 ms (Millisekunden). Dieser Parameter verringert sich gegen Ende des Füllvorgangs am oberen Ende des Kontaktlochs 300 um etwa eine Größenordnung auf im Wesentlichen 0,2 ms. Zu Beginn des Füllens im Bereich der elektrischen Leitung 270 verbleibt der Elektronenstrahl im Wesentlichen 200 ns (Nano- sekunden) auf einer Stelle. Am oberen Ende des Kontaktlochs am Ende des Füllens verkleinert sich die Verweilzeit im Wesentlichen auf 100 ns. Der Elektronen- strahl wies in diesem Ausführungsbeispiel eine Energie von 1 keV auf und seine Stromstärke lag in dem Bereich zwischen 1 pA und 50 pA. Der Durchmesser des Elektronenstrahls lag bei etwa 4 nm. Der Ausdruck „im Wesentlichen" bedeutet hier, wie auch an den anderen Stellen dieser Beschreibung eine Angabe im Rahmen der Messgenauigkeit.
Wie in dem vorangehenden Abschnitt dargestellt, ändert sich der Quotient aus Wiederholzeitdauer und Verweildauer während des Füllens des Kontaktlochs 300. Dieser Quotient zeigt zudem eine Abhängigkeit von dem Aspektverhältnis des zu füllenden Kontaktlochs. Mit steigendem Aspektverhältnis ist es zur Erzielung von Deponaten mit niedrigem spezifischem Widerstand günstig, den Quotienten aus Wiederholzeitdauer und Verweilzeitdauer zu vergrößern.
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt es Material mit einem spezifischen Widerstand von kleiner als 100 μΩxm abzuscheiden. Dieser Zahlenwert liegt zwar noch immer etwa um den Faktor 20 über dem spezifischen Widerstand von metal- lischem Kobalt. Der erreichte Zahlenwert des spezifischen Widerstands liegt jedoch in der gleichen Größenordnung, wie der von Lau et al. angegebene Bestwert von 45 μΩ-cm (YM. Lau, P.C. Chee, J.T.L. Thong an V. Ng, „Propertiers and applications of cobalt-based material produced by electron-beam induced deposi- tion", J. Vac. Sei. Technol. A 20(4), 1295-1302 (2002)). Dieser Wert konnte al- lerdings nur unter speziellen experimentellen Bedingungen erreicht werden, nämlich mit großen Elektronenströmen, großen Elektronenenergien und großen Verweilzeitdauern des Elektronenstrahls an einer Stelle. Unter diesen experimentellen Bedingungen ist ein Füllen eines Kontaktlochs mit Material, dessen spezifischer Widerstand in dem von Lau et al. angegebenen Bereich liegt, nicht möglich.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von elektrisch leitfähigem Material, aufweisend:
a. Bereitstellen zumindest eines Elektronenstrahls an einer Stelle eines Substrats (90);
b. Aufbewahren des zumindest einen Metallcarbonyls bei einer ersten Temperatur; und
> c. Erwärmen des zumindest einen Metallcarbonyls auf zumindest eine zweite Temperatur vor dem Bereitstellen an der Stelle (90), an der der zumindest eine Elektronenstrahl auftrifft.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metallcarbonyl Dikobaltoktocarbo- nyl umfasst.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die erste Temperatur für das Metallcarbonyl einen Bereich von 230 K bis 320 K, bevorzugt von 240 K bis 290 K und besonders bevorzugt von 250 K bis 260 K umfasst.
4. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die zweite Temperatur für das Metallcarbonyl einen Bereich von 265 K bis 320 K, bevorzugt von 270 K bis 300 K und besonders bevorzugt von 275 K bis 280 K umfasst.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Elektronenstrahl und das Metallcarbonyl zum Füllen eines Vias (300) verwendet werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Elektronenstrahl zu Beginn des Füllens eine Wiederholzeitdauer von 20 Millisekunden bis 0,2 Millisekunden, bevorzugt von 5 Millisekunden bis 0,8 Millisekunden und besonders bevorzugt von 2,5 Millisekunden bis 1 ,6 Millisekunden aufweist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 - 6, wobei der Elektronenstrahl am Ende des Füllens eine geringere, vorzugsweise eine um einen Faktor zehn geringere Wiederholzeitdauer wie zu Beginn des Füllens aufweist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 - 7, wobei der Elektronenstrahl zu Beginn des Füllens eine Verweilzeitdauer von 2000 Nanosekunden bis 10
Nanosekunden, bevorzugt von 500 Nanosekunden bis 40 Nanosekunden und besonders bevorzugt von 250 Nanosekunden bis 160 Nanosekunden aufweist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 - 8, wobei der Elektronenstrahl am Ende des Füllens eine geringere, vorzugsweise eine um einen Faktor zwei geringere Verweilzeitdauer wie zu Beginn des Füllens aufweist.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 5 - 9, wobei der Quo- tient aus Wiederholzeitdauer und Verweilzeitdauer beim Füllen eines Vias
(300) mit steigendem Aspektverhältnis vergrößert wird.
1 1. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das abgeschiedene elektrisch leitfähige Material einen spezifischen Widerstand klei- ner als 100 μΩxm aufweist.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Zuführungssystem für das Metallcarbonyl (40, 80) ausgebildet ist, um das aus dem Metallcarbonyl entstehende Kohlenstoffdioxid aus einer Vakuumkammer (10) abzusaugen.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vakuumkammer (10) neben dem Elektronenstrahl keine zusätzlichen Wärmequellen aufweist.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Elektronenstrahl zum Auffinden der zu bearbeitenden Stelle und/oder zur Kontrolle der Abscheidung des elektrisch leitfahigen Materials und/oder seiner Umgebung verwendet wird.
15. Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfälligem Material, aufweisend:
a. ein Elektronenstrahlgerät (30) zum Bereitstellen zumindest eines Elektronenstrahls an eine Stelle eines Substrats (90);
b. ein Vorratsbehälter (70) zum Aufbewahren eines zumindest einen Me- tallcarbonyls bei einer ersten Temperatur; und
c. eine Vorrichtung (60) zum Erwärmen des zumindest einen Metallcarbo- nyls auf zumindest eine zweite Temperatur vor dem Bereitstellen an eine Stelle, an der der zumindest eine Elektronenstrahl auftrifft.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, um das Metallcarbonyl Dikobaltoktocarbonyl zu verwenden.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei das Vorratsgefäß (70) ausgebildet ist, um das Metallcarbonyl bei einer ersten Temperatur in einem Bereich von 230 K bis 320, bevorzugt von 240 K bis 280 K und besonders bevorzugt von 250 K bis 260 K aufzubewahren.
18. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Heizvorrichtung (60) ausgebildet ist, um das Metallcarbonyl auf eine zweite Temperatur in einem Bereich von 265 K bis 320 K, bevorzugt von 270 K bis 300 K und besonders bevorzugt von 275 K bis 280 K aufzuheizen.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei das Elektronen- strahlgerät (30) und ein Gaszuführungssystem (40, 80) ausgebildet sind, um den Elektronenstrahl und das Metallcarbonyl zum Füllen eines Vias (300) zu verwenden.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei das Elektronenstrahlgerät (30) ausgebildet ist, um den Elektronenstrahl zu Beginn des Füllens mit einer Wiederholzeitdauer von 20 Millisekunden bis 0,2 Millisekunden, bevorzugt von 5 Millisekunden bis 0,8 Millisekunden und besonders bevorzugt von 2,5 Millisekunden bis 1 ,6 Millisekunden bereitzustellen.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 oder 20, wobei das Elektronenstrahlgerät (30) ausgebildet ist, um einen Elektronenstrahl am Ende des Füllens mit einer geringeren, vorzugsweise einer um einen Faktor zehn geringe- ren Wiederholzeitdauer wie zu Beginn des Füllens bereitzustellen.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 - 21, wobei das Elektronenstrahlgerät (30) ausgebildet ist, um einen Elektronenstrahl zu Beginn des Füllens mit einer Verweilzeitdauer von 2000 Nanosekunden bis 10 Nanose- künden, bevorzugt von 500 Nanosekunden bis 40 Nanosekunden und be- sonders bevorzugt von 250 Nanosekunden bis 160 Nanosekunden bereitzustellen.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 - 22, wobei das Elektronen- strahlgerät (30) ausgebildet ist, um einen Elektronenstrahl am Ende des Füllens mit geringeren, insbesondere einer um einen Faktor zwei geringeren Verweilzeitdauer wie zu Beginn des Füllens bereitzustellen.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 - 23, wobei das Elektronen- strahlgerät (30) ausgebildet ist, um beim Füllen eines Vias (300) mit steigendem Aspektverhältnis den Quotienten aus Wiederholzeitdauer und Verweilzeitdauer zu vergrößern.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 - 24, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, um elektrisch leitfähiges Material mit einem spezifischen
Widerstand kleiner als 100 μΩxm abzuscheiden.
26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 - 25, wobei ein Zufuhrungssystem für das Metallcarbonyl (40, 80) ausgebildet ist, um das aus dem Metall- carbonyl entstehende Kohlenstoffdioxid aus einer Vakuumkammer (10) abzusaugen.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 - 26, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, um in der Vakuumkammer (10) neben dem Elektronenstrahl keine zusätzlichen Wärmequellen aufzuweisen.
28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 - 27, wobei das Elektronen- strahlgerät (30) so ausgebildet ist, den Elektronenstrahl zum Auffinden der zu bearbeitenden Stelle und/oder zur Kontrolle der Abscheidung des elekt- risch leitfähigen Materials und/oder seiner Umgebung zu verwenden.
PCT/EP2009/005758 2008-08-14 2009-08-07 Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten abscheiden von leitfähigem material Ceased WO2010017920A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/058,493 US8318593B2 (en) 2008-08-14 2009-08-07 Method for electron beam induced deposition of conductive material
EP09777750.2A EP2331726B1 (de) 2008-08-14 2009-08-07 Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten abscheiden von leitfähigem material

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008037944.1 2008-08-14
DE102008037944A DE102008037944B4 (de) 2008-08-14 2008-08-14 Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010017920A1 true WO2010017920A1 (de) 2010-02-18

Family

ID=41152144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2009/005758 Ceased WO2010017920A1 (de) 2008-08-14 2009-08-07 Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten abscheiden von leitfähigem material

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8318593B2 (de)
EP (1) EP2331726B1 (de)
KR (1) KR101621574B1 (de)
DE (1) DE102008037944B4 (de)
TW (1) TWI472644B (de)
WO (1) WO2010017920A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5659041B2 (ja) * 2011-02-24 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および記憶媒体
EP2939261B1 (de) * 2012-12-31 2016-08-24 FEI Company Aufbringen von material in strukturen mit hohem aspektverhältnis
US12451322B2 (en) * 2023-02-15 2025-10-21 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Method of forming a multipole device, method of influencing an electron beam, and multipole device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0130398A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung und Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3543394A (en) * 1967-05-24 1970-12-01 Sheldon L Matlow Method for depositing thin films in controlled patterns
DE4340956C2 (de) 1993-12-01 2002-08-22 Advantest Corp Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe
EP1319733A3 (de) * 1998-02-06 2003-07-23 Richardson Technologies Inc Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dreidimensionaler Objekte
DE10338019A1 (de) 2003-08-19 2005-03-24 Nawotec Gmbh Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen
US7786403B2 (en) * 2003-08-28 2010-08-31 Nawo Tec Gmbh Method for high-resolution processing of thin layers using electron beams
US20050109278A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Ted Liang Method to locally protect extreme ultraviolet multilayer blanks used for lithography
EP2287883B1 (de) 2004-04-15 2017-08-16 Carl Zeiss SMT GmbH Vorrichtung und Methode zur Untersuchung oder Modifizierung einer Oberfläche mittels Ladungsträgerstrahls
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
DE102006054695B4 (de) 2006-11-17 2014-05-15 Carl Von Ossietzky Universität Oldenburg Verfahren zur Regelung nanoskaliger elektronenstrahlinduzierter Abscheidungen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0130398A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung und Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LAU Y M ET AL: "Properties and applications of cobalt-based material produced by electron-beam-induced deposition", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART A, AVS /AIP, MELVILLE, NY., US, vol. 20, no. 4, 1 July 2002 (2002-07-01), pages 1295 - 1302, XP012006123, ISSN: 0734-2101 *
UTKE I ET AL: "Cross section investigations of compositions and sub-structures of tips obtained by focused electron beam induced deposition", ADVANCED ENGINEERING MATERIALS WILEY-VCH VERLAG GMBH GERMANY, vol. 7, no. 5, May 2005 (2005-05-01), pages 323 - 331, XP002551163, ISSN: 1438-1656 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120008016A (ko) 2012-01-25
EP2331726B1 (de) 2017-11-01
TW201020337A (en) 2010-06-01
DE102008037944A1 (de) 2010-02-18
EP2331726A1 (de) 2011-06-15
DE102008037944B4 (de) 2013-03-21
KR101621574B1 (ko) 2016-05-16
US8318593B2 (en) 2012-11-27
TWI472644B (zh) 2015-02-11
US20110183517A1 (en) 2011-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3888463T2 (de) Anordnung mit Supergitter-Struktur und Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung.
DE3783864T2 (de) System mit umschaltbarer gittervorspannung zum kontaktlosen testen mit einem elektronenstrahl.
DE60204476T2 (de) Verfahren für lokalisiertes wachstum von nanoröhren und verfahren zur herstellung einer selbstausgerichteten kathode mit dem nanoröhrenwachstumsverfahren
EP2932523B1 (de) Plasmaquelle
DE112016001009B4 (de) Emitter, Elektronenkanone verwendenden Emitter, die Elektronenkanone verwendende elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung des Emitters
DE3855897T2 (de) Verfahren zur Ionenimplantation
DE3490250T1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Einbringen von normalerweise festen Materialien in Substrat-Oberflächen
EP2331726B1 (de) Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten abscheiden von leitfähigem material
DE10338019A1 (de) Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen
EP0527370B1 (de) Verfahren zur Durchführung ortsselektiver katalytischer Reaktionen mit oder auf Festkörperoberflächen im Nanometer- und Subnanometer-Bereich
DE112014003782T5 (de) lonenstrahlvorrichtung und Emitterspitzenausformverfahren
DE1515298A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und UEberziehen von kristallinem Material
DE1521313A1 (de) Verfahren zum Herstellen duenner Schichten
DE102010055564A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Silizium auf einem Substrat
DE102009019166B3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Referenzkörpers für Röntgenfluoreszenzuntersuchungen an Substraten und mit dem Verfahren hergestellter Referenzkörper
DE2116785A1 (de) Elektrisches Widerstandselement und Verfahren zum Herstellen eines solchen. Änm: The Bunker-Ramo Corp., Oak Brook, 111. (V.StA.)
WO2008059070A2 (de) Verfahren zur regelung nanoskaliger elektronenstrahlinduzierter abscheidungen
DE2333866A1 (de) Felddesorptions-ionenquelle und verfahren zu ihrer herstellung
EP2964804A1 (de) Verfahren zum optimieren eines abscheidungsprozesses, verfahren zum einstellen einer depositionsanlage und depositionsanlage
DE19906960C2 (de) Verfahren zur Erzeugung von metallenen Strukturen im Nanometer-Bereich (nm-Bereich) auf leitenden Oberflächen
DE19802779A1 (de) Elektronenemittervorrichtung
DE2906359A1 (de) Ionenquelle, insbesondere fuer ein massenspektrometer sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
Mucke Fabrication of nanometer structures by means of a fine-focused ion beam; Herstellung von Nanometer-Strukturen mittels feinfokussiertem Ionenstrahl (FIB)
Mucke Fabrication of nanometer structures by means of a fine-focused ion beam
DE68906865T2 (de) Verfahren mit selektiver keimbildung und wachstum zur chemischen dampfphasenabscheidung von metallen unter verwendung von fokussierten ionenstrahlen.

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09777750

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117005468

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2009777750

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009777750

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13058493

Country of ref document: US