WO2010126346A2 - 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents

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조은철
이원재
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Hyundai Heavy Industries Co Ltd
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and more particularly, to a solar cell capable of forming a selective emitter by laser doping or etching a region of the MWT solar cell in contact with the front electrode having a predetermined width and height. It relates to a manufacturing method.
  • solar cells are particularly attracting attention because they are rich in energy resources and have no problems with environmental pollution.
  • Solar cells include solar cells that generate steam for rotating turbines using solar heat, and solar cells that convert photons into electrical energy using the properties of semiconductors. Refers to photovoltaic cells (hereinafter referred to as solar cells).
  • a conventional solar cell has a junction structure of a p-type semiconductor 101 and an n-type semiconductor 102 like a diode, and when light is incident on the solar cell, the solar cell interacts with the material constituting the semiconductor of the solar cell ( -) Charged electrons and electrons are released and positively charged holes are generated, and as they move, current flows. This is called the photovoltaic effect.
  • the p-type and n-type semiconductors constituting the solar cell electrons are pulled toward the n-type semiconductor and holes are pulled toward the p-type semiconductor, respectively. It moves to the electrode bonded to the semiconductor, and if the electrodes are connected by wires, electricity flows to obtain power.
  • conventional back-contact silicon solar cells have several advantages over conventional silicon solar cells having contacts on the front surface and the rear surface.
  • the first advantage is that it has higher conversion efficiency due to reduced or eliminated shading obscuration losses (cannot be used to convert sunlight reflected from the contact grid into electricity).
  • the second advantage is that it is easier to assemble the back-contact cells into the electrical circuit and thus lower the cost, since both polar contacts are on the same surface. For example, very large cost savings can be achieved compared to current photovoltaic module assembly, which can be achieved with back-contact cells by encapsulating solar cell electrical circuits and photovoltaic modules in a single step. have.
  • MWA metallization wrap around
  • MTT metallization wrap through
  • EWT emitter wrap through
  • back-junction back-junction
  • MWA and MWT have current collection grids on the front. These grids are each wrapped around an edge or wrapped through holes to the back to make a back contact cell.
  • the MWT performs texturing after drilling the holes, and then heavy doping after forming the PSG to form the emitter.
  • a fine (fine) line finger having a predetermined width or height or less is formed on the entire surface of the wafer, there is a problem in that a selective emitter corresponding to the same cannot be formed.
  • the first object of the present invention is to form a selective emitter by laser doping or etching the region of the MWT solar cell in contact with the front electrode having a certain width and height
  • the present invention provides a method for producing a solar cell.
  • the second object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solar cell that can reduce the power consumption by lowering the contact resistance therebetween when the front electrode is a fine line finger having a fine width and height.
  • the present invention provides a method of manufacturing a solar cell.
  • a via hole is formed in a silicon wafer, a shallow emitter is formed on an inner wall of the via hole and the front and rear surfaces of the wafer connecting the via hole, and the via hole of the shallow emitter is formed.
  • the dopants are heavy doped to have a high density of at least a certain number of regions along the connecting direction to form selective emitters.
  • the PSG is formed on the entire surface of the wafer, and the PSG is annealed using a laser to form the selective emitter.
  • the heavy doping may include forming a diffuser on the front surface of the wafer, masking a plurality of regions along a direction connecting the via holes, and etching back an outer region of the masked region to emit the selective emitter. May be formed.
  • the selective emitter after the selective emitter is formed, it is preferable to print the Ag paste on the heavy doping portion of the front surface of the wafer, and to print Al on the rear surface of the wafer.
  • a shallow emitter layer is formed, aluminum is printed on the shallow emitter layer, and the heat treatment is performed to deform the shallow emitter layer into a p-type doped layer. It is preferable to make it.
  • the present invention has the effect of reducing the power consumption by lowering the contact resistance therebetween when the front electrode is a fine line finger having a fine width and height.
  • 1 to 5 are cross-sectional views showing the manufacturing method of the solar cell of the present invention.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a solar cell manufactured by the method of manufacturing a solar cell of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing a solar cell with normal fine line fingers.
  • FIG. 8 is a plan view showing a solar cell with a fine line finger in accordance with the present invention.
  • 1 to 5 are cross-sectional views showing the manufacturing method of the solar cell of the present invention.
  • 6 is a partial cross-sectional view showing a solar cell manufactured by the method of manufacturing a solar cell of the present invention.
  • 7 is a plan view showing a solar cell with normal fine line fingers.
  • 8 is a plan view showing a solar cell with a fine line finger in accordance with the present invention.
  • via holes 200 are formed in the wafer 100.
  • via holes 200 that may penetrate the front and rear surfaces of the prepared silicon wafer 100 are formed using a laser.
  • the via hole 200 may be formed to gradually narrow its inner diameter along the front and rear surfaces of the wafer 100.
  • the wafers 100 on which the via holes 200 are formed are etched and cleaned.
  • an alkaline etch is included in this step, or the front surface is textured for improved absorption, including an acid etch.
  • an n-type first contact hole contacting the via hole 200 is formed on the back surface of the wafer 100.
  • a shallow emitter 300 is formed on the inner wall of the via hole 200 and the front and rear surfaces of the wafer 100 connecting the via hole 200.
  • a shallow emitter 300 having a low density is formed on the front surface of the wafer 100, the rear surface of the wafer 100, and the inner wall of the via hole 200.
  • reference numeral '301' is a shallow emitter layer.
  • Al compensates the emitter doped layer to form a p-type doped layer. Transform to In this case, the compensation is a process of doping Al (p type dopant) at a higher concentration than the emitter (n type-in) to transform the p type.
  • the dopant is heavy-doped to have a high density or more in a plurality of areas along the direction connecting the via hole 200 of the shallow emitter 300 to form the selective emitter 500. do.
  • the heavy doping in the present invention can be selected from one of two. That is, one is the laser doping method and the other is the etch back method.
  • heavy doping may form a PSG on the entire surface of the wafer 100 and anneal the PSG using a laser to form the selective emitter 500.
  • the position where the high density selective emitter 500 is formed is preferably an area where an electrode or a fine line finger 700 is provided below.
  • the selective emitter 500 may also be backed to form the selective emitter 500.
  • DOPING PASTE method It is coated with a doping paste containing phosphorus on the wafer 100, heat-treated at a high temperature to dope the phosphorus contained in the paste into the wafer 100 to form a heavy emitter, and proceed to the shallow emitter process to selectively Emitter 500 is formed.
  • the face coating is formed by screen printing, inkjet printing or the like. In the high temperature heat treatment process using a tubular furnace, it is preferable to perform heavy doping and shallow doping sequentially in one step.
  • the etchant may comprise an aqueous HF chemical etch, an HF gas phase etch or a plasma etchant.
  • a silicon nitride layer is then deposited on the entire surface of the wafer 100 to form an antireflective coating.
  • the silicon nitride is deposited using plasma chemical vapor deposition.
  • the solar cell test process is performed after the metal firing process.
  • the PSG diffused and left is removed, and the chemical Silicon vapor deposition is used to deposit silicon nitride on the front and back surfaces of the wafer 100, and Al is printed on the back surface of the wafer 100.
  • a fine line finger 700 is formed to be connected to the via hole 200 along the direction in which the bee hole 200 is connected.
  • the plating process is performed during the metal firing process to perform a solar cell test process.
  • the height H2 of the fine line finger 700 is formed to 9 ⁇ m
  • the width W2 is formed to 60 ⁇ m
  • the cross-sectional area is formed to be 270 ⁇ m 2.
  • the height H1 of the normal fine line finger 700 is 18 ⁇ m
  • the width W1 is 120 ⁇ m
  • the cross-sectional area is In the case where it is formed at 1080 mu m2, and the material of the fine line finger is assumed to be the same and the density is constant, and the current density is constant, the shading loss (%) is 2.6 when the fine line finger according to the present invention is applied. %, 5.2% for a normal fine line finger.
  • the spacing D of the fine line fingers is 2.3 mm.

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 태양 전지의 제조 방법을 제공한다. 상기 태양 전지의 제조 방법은 실리콘 웨이퍼에 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내벽 및 상기 비아홀을 잇는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면에 쉘로우 이미터(shallow emitter)를 형성하고, 상기 쉘로우 이미터의 상기 비아홀을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역에 일정 이상의 높은 밀도를 갖도록 도펀트(dopant)를 헤비 도핑(heavy doping)시키어 선택적 이미터를 형성한다. 따라서, 본 발명은 MWT 태양 전지에 일정 폭과 높이를 갖는 전면 전극에 접하는 영역에 레이저 도핑 또는 에칭을 실시하여 선택적 이미터를 형성할 수 있다.

Description

[규칙 제26조에 의한 보정 01.06.2010]　태양 전지의 제조 방법
본 발명은 태양 전지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MWT 태양 전지에 일정 폭과 높이를 갖는 전면 전극에 접하는 영역에 레이저 도핑 또는 에칭을 실시하여 선택적 이미터를 형성할 수 있는 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다. 태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
종래의 태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체(101)와 n형 반도체(102)의접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이를 광기전력효과(光起電力效果, photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형및 n형 반도체 중 전자는 n형 반도체 쪽으로, 정공은 p형 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체 및 p형 반도체와 접합된 전극으로 이동하게 되고, 이 전극들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다
이 중 종래의 백-콘택 실리콘 태양 전지는 전면(front surface) 및 배면(rear surface) 상에 콘택을 갖는 종래 실리콘 태양전지에 비하여 몇 가지 장점을 가지고 있다. 첫 번째 장점은, 감소되거나 제거된 콘택 차폐 손실(shading obscuration losses)로 인해 더 높은 변환 효율을 가진다는 것이다(콘택 그리드(grid)로부터 반사된 햇빛을 전기로 변환시켜 이용할 수 없다). 두 번째 장점은 백-콘택 셀(cells)을 전기 회로 안으로 조립하는 것이 더 쉬워지고 따라서 비용을 낮출 수 있는 것인데, 왜냐하면 양쪽 극성 콘택들이 동일한 면(surface) 상에 있기 때문이다. 예를 들어, 현재 광전지 모듈(photovoltaic module) 조립에 비하여 매우 큰 비용 절감이 달성될 수 있으며, 이것은 단일 단계에서 태양 전지 전기 회로와 광전지 모듈을 캡슐화(encapsulate) 함으로써 백-콘택 셀과 함께 달성될 수 있다.
백-콘택 실리콘 태양 전지를 만드는 몇 가지 방식이 있다. 이러한 방식은 MWA(Metallization Wrap Around), MWT(Metallization Wrap Through), EWT(Emitter Wrap Through), 및 백-접합(back-junction) 구조를 포함한다.
MWA 및 MWT는 전면 상에 전류 컬렉션 그리드(current collection grids)를 가지고 있다. 이 그리드들은 각각 백 콘택 셀을 만들기 위해 에지(edge) 둘레로 랩핑(wrapping) 되거나 홀(holes)을 통해 배면까지 랩핑된다.
이 중 MWT는 홀을 드릴링한 이후에 텍스처링을 실시하고, 이어 PSG를 형성한 이후에 헤비 도핑을 실시하여 이미터를 형성한다. 그러나, 이러한 경우에 웨이퍼 전면에 일정 폭 및 높이 이하의 파인(미세) 라인 핑거가 형성되는 경우에 이에 대응되는 선택적 이미터를 형성할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 창출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 MWT 태양 전지에 일정 폭과 높이를 갖는 전면 전극에 접하는 영역에 레이저 도핑 또는 에칭을 실시하여 선택적 이미터를 형성할 수 있는 태양 전지의 제조 방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 제 2목적은 전면 전극이 세밀한 폭과 높이를 이루는 파인 라인 핑거인 경우에 이들과의 접촉 저항을 낮추어 전력 소모를 저감시킬 수 있는 태양 전지의 제조 방법을 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.
상기 태양 전지의 제조 방법은 실리콘 웨이퍼에 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내벽 및 상기 비아홀을 잇는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면에 쉘로우 이미터(shallow emitter)를 형성하고, 상기 쉘로우 이미터의 상기 비아홀을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역에 일정 이상의 높은 밀도를 갖도록 도펀트(dopant)를 헤비 도핑(heavy doping)시키어 선택적 이미터를 형성한다.
여기서, 상기 헤비 도핑은, 상기 웨이퍼 전면에 PSG를 형성하고, 레이저를 사용하여 상기 PSG를 어닐링하여 상기 선택적 이미터를 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 헤비 도핑은, 상기 웨이퍼 전면에 확산부를 형성하고, 상기 비아홀을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역을 마스킹하고, 상기 마스킹된 영역의 외부 영역을 에치 백(each-back)하여 상기 선택적 이미터를 형성할 수도 있다.
또한, 상기 선택적 이미터가 형성된 이후에, 상기 웨이퍼의 전면의 헤비도핑부에 Ag 페이스트를 프린팅하고, 상기 웨이퍼의 후면에 Al를 프린팅하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 웨이퍼의 전면의 헤비 도핑부에 Ag을 프린팅하는 경우에, 빛 반사를 최소화하기 위해서 상기 비이홀을 잇는 방향을 따라 상기 비아홀과 연결되도록 파인 라인 핑거를 형성하고, 상기 도금 처리를 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 쉘로우 이미터를 형성한 이후에, 쉘로우 이미터 층을 형성하고, 상기 쉘로우 이미터 층에 알루미늄을 프린팅하고, 이를 열처리하여, 상기 알루미늄이 상기 쉘로우 이미터 층을 p 타입 도핑층으로 변형시키는 것이 바람직하다.
본 발명은 MWT 태양 전지에 일정 폭과 높이를 갖는 전면 전극에 접하는 영역에 레이저 도핑 또는 에칭을 실시하여 선택적 이미터를 형성하여 이미터 층 및 이미터 표면의 재결합을 감소시켜 변환효율을 향상시키는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 전면 전극이 세밀한 폭과 높이를 이루는 파인 라인 핑거인 경우에 이들과의 접촉 저항을 낮추어 전력 소모를 저감시킬 수 있는 효과를 갖는다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 태양 전지의 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 태양 전지의 제조 방법으로 제조된 태양 전지를 보여주는 부분 단면도이다.
도 7은 정상 파인 라인 핑거를 갖는 태양 전지를 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명에 따르는 파인 라인 핑거를 갖는 태양 전지를 보여주는 평면도이다.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 태양 전지의 제조 방법을 설명하도록 한다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 태양 전지의 제조 방법을 보여주는 단면도들이다. 도 6은 본 발명의 태양 전지의 제조 방법으로 제조된 태양 전지를 보여주는 부분 단면도이다. 도 7은 정상 파인 라인 핑거를 갖는 태양 전지를 보여주는 평면도이다. 도 8은 본 발명에 따르는 파인 라인 핑거를 갖는 태양 전지를 보여주는 평면도이다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조 하면, 웨이퍼(100)에 비아홀들(200)을 형성한다. 여기서, 상기 준비되는 실리콘 웨이퍼(100)의 전면과 배면을 관통할 수 있는 비아홀들(200)을 레이저를 사용하여 형성한다. 여기서, 상기 비아홀(200)은 상기 웨이퍼(100)의 전면과 배면을 따라 그 내경이 점진적으로 좁아지도록 형성하는 것이 좋다.
그리고, 상기 비아홀들(200)이 형성된 웨이퍼들(100)을 에칭 및 클리닝한다. 여기서, 이 단계에서 알칼리 에칭을 포함하고, 또는 산성 에칭을 포함하여 향상된 흡수를 위하여 전면을 텍스처링한다.
그리고, 도 3을 참조 하면, 상기 웨이퍼(100)의 배면에 상기 비아홀(200)과 콘택되는 n 타입 제 1콘택홀을 형성한다.
이어, 상기 비아홀(200)의 내벽 및 상기 비아홀(200)을 잇는 상기 웨이퍼(100)의 전면 및 후면에 쉘로우 이미터(300, shallow emitter)를 형성한다.
따라서, 상기 웨이퍼(100)의 전면과 상기 웨이퍼(100)의 배면 및 비아홀(200)의 내벽에 낮은 밀도의 쉘로우 이미터(300)가 형성된다.
도 4와 도 6에 도시된 바와 같이, 도번 '301'은 쉘로우 이미터 층이다.이후에 Al을 프린팅하고 열처리하는 공정에서 Al이 이미터 도핑층을 컴펜세이션(compensation)시켜 p 타입 도핑층으로 변형시킨다. 여기서, 상기 컴펜세이션은 이미터(n 타입-인)보다 고농도로 Al( p 타입 도펀트)을 도핑시켜서 p 타입으로 변형시키는 과정이다.
그리고, 상기 쉘로우 이미터(300)의상기 비아홀(200)을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역에 일정 이상의 높은 밀도를 갖도록 도펀트(dopant)를 헤비 도핑(heavy doping)시키어 선택적 이미터(500)를 형성한다.
여기서, 본 발명에서의 헤비 도핑은 두 가지 중어느 하나를 선택할 수 있다. 즉, 하나는 레이저 도핑 방법이고 다른 하나는 에치 백 방법이다.
전자의 경우에 있어서, 헤비 도핑은 상기 웨이퍼(100) 전면에 PSG를 형성하고, 레이저를 사용하여 상기 PSG를 어닐링하여 상기 선택적 이미터(500)를 형성할 수 있다. 여기서, 높은 밀도의 선택적 이미터(500)가 형성되는 위치는 전극 또는 하기의 파인 라인 핑거(700)가 마련되는 영역인 것이 바람직하다.
후자에 있어서, 헤비 도핑은 상기 웨이퍼(100) 전면에 높은 밀도를 형성하는 PSG를 형성하고, 상기 비아홀(200)을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역을 마스킹하고, 상기 마스킹된 영역의 외부 영역을 에치 백(each-back)하여 상기 선택적 이미터(500)를 형성할 수도 있다.
여기서, 다른 가능한 방법은 도핑 페이스트(DOPING PASTE) 방법이다. 이는 상기 웨이퍼(100)에 인을 함유한 도핑 페이스트를 도포하고, 고온에서 열처리하여 페이스트에 함유된 인을 웨이퍼(100) 내로 도핑하여 헤비 이미터를 형성하고, 쉘로우 이미터 공정을 진행하여 선택적인 이미터(500)를 형성한다. 상기 페이스크 도포는 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 등의 방법으로 형성한다. 상기 고온 열처리 공정을 튜브형 퍼니스를 이용하고, 한번의 공정에서 헤비 도핑과 쉘로우 도핑이 순차적으로 이루어지게 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기와 같은 두 가지의 방법 중 어느 하나를 선택하여 선택적 이미터(500)를 형성한 이후에, 확산에 의하여 남겨진 PSG를 제거하기 위하여 에칭을 수행한다. 여기서, 에천트는 수성 HF 화학적 에칭, HF 기상 에칭 또는 플라즈마 에천트를 포함할 수 있다.
이어, 반사 방지 코팅을 형성하기 위하여 웨이퍼(100) 전면 상에 실리콘 나이트 라이드 층을 증착한다. 여기서, 상기 실리콘 나이트 라이드는 플라즈마 화학 기상 증착을 사용하여 증착한다.
그리고, 웨이퍼(100)의 전면에 Ag을 프린팅하고, 웨이퍼의 후면에 Al를 프린팅한다.
이어, 금속 소성과정을 거쳐, 태양 전지 테스트 과정을 진행한다.
한편, 도 6을 참조 하면, 상기의 쉘로우 이미터(300)를 형성하고, 상기의 헤비 도핑을 사용한 선택적 이미터(500)를 형성한 이후에, 확산되고 남겨진 PSG를 제거하고, 상기와 같이 화학 기상 증착을 사용하여 실리콘 나이트 라이드를 웨이퍼(100)의 전면, 배면에 증착하고, 웨이퍼(100) 후면에 Al을 프린팅한다.
그리고, 웨이퍼(100)의 배면에 Ag를 프린팅한다. 이때, 상기 비이홀(200)을잇는 방향을 따라 상기 비아홀(200)과 연결되도록 파인 라인 핑거(700)를 형성한다.
그리고, 금속 소성 과정을 거치는 중에 도금 처리를 수행하여 태양 전지 테스트 과정을 수행한다.
여기서, 도 7 및 도 8을 참조 하면, 상기 파인 라인 핑거(700)의 높이(H2)를 9㎛로 형성하고, 폭(W2)을 60㎛로 형성하고, 단면적을 270㎛2이 되도록 형성한다.
이러한 경우에, 도 7의 정상 파인 라인 핑거(700)의 경우와 비교하여 본다면, 여기서, 상기 정상 파인 라인 핑거(700)의 높이(H1)는 18㎛, 폭(W1)은 120㎛, 단면적은 1080㎛2로 형성되고, 파인 라인 핑거의 물질이 동일하다고 가정하고 밀도가 일정하며, 전류 밀도가 일정하다고 가정하는 경우에, 쉐이딩 로스(%)는 본 발명에 따르는 파인 라인 핑거가 적용되는 경우 2.6%, 정상 파인 라인 핑거의 경우 5.2%인 것을 알 수 있다. 여기서, 파인 라인 핑거들의 간격(D)은 2.3㎜이다.

Claims (7)

  1. 실리콘 웨이퍼에 비아홀을 형성하고,
    상기 비아홀의 내벽 및 상기 비아홀을 잇는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면에 쉘로우 이미터(shallow emitter)를 형성하고,
    상기 쉘로우 이미터의 상기 비아홀을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역에 일정 이상의 높은 밀도를 갖도록 도펀트(dopant)를 헤비 도핑(heavy doping)시키어 선택적 이미터를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 헤비 도핑은,
    상기 웨이퍼 전면에 PSG를 형성하고,
    레이저를 사용하여 상기 PSG를 어닐링하여 상기 선택적 이미터를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 헤비 도핑은,
    상기 웨이퍼 전면에 헤비 이미터 층을 형성하고,
    상기 비아홀을 잇는 방향을 따르는 다수의 영역을 마스킹하고,
    상기 마스킹된 영역의 외부 영역을 에치 백(eath-back)하여 상기 선택적 이미터를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 헤비 도핑은,
    상기 웨이퍼 전면에 인함유 페이스트를 도포하고,
    고온 열처리하여 헤비이미터층을 만들고, 쉘로우 이미터를 형성하여 상기 선택적 이미터를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 선택적 이미터가 형성된 이후에, 상기 웨이퍼의 전면의 헤비도핑부에 Ag 페이스트를 프린팅하고, 상기 웨이퍼의 후면에 Al를 프린팅하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 전면의 헤비 도핑부에 Ag을 프린팅하는 경우에, 빛 반사를 최소화하기 위해서 상기 비이홀을 잇는 방향을 따라 상기 비아홀과 연결되도록 파인 라인 핑거를 형성하고, 상기 도금 처리를 하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 쉘로우 이미터를 형성한 이후에,
    쉘로우 이미터 층을 형성하고,
    상기 쉘로우 이미터 층에 알루미늄을 프린팅하고,
    이를 열처리하여,
    상기 알루미늄이 상기 쉘로우 이미터 층을 p 타입 도핑층으로 변형시키는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
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