WO2011073868A2 - Cellule photovoltaïque heterojonction a contact arriere - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a rear contact heterojunction photovoltaic cell and its manufacturing method.
  • a photovoltaic module comprises a plurality of photovoltaic cells (or solar cells) connected in series and / or in parallel.
  • a photovoltaic cell is a semiconductor diode designed to absorb light energy and convert it into electrical energy.
  • This semiconductor diode comprises a so-called PN junction between two silicon layers respectively doped with P and N. During the formation of the junction, a potential difference (and therefore a local electric field) appears, due to the excess of free electrons in the N layer and the free electron defect in the P layer.
  • Solar cells based on monocrystalline silicon or multicrystalline are traditionally developed by taking the positive and negative contacts on each of the faces of the cell.
  • the rear face is generally completely covered with metal since only the conductivity (no light having to cross the rear face), while the front face, that is to say that which is illuminated, is contacted by a metal grid which allows most of the incident light to pass through.
  • the advantage of this technique is to have no shading on the front face while reducing the ohmic losses due to metal contacts since they cover a much larger surface of the cell.
  • junction In order to make selective contacts on one side, there are two possible types of junction: the so-called homojunction contact (crystalline / crystalline contact), which can for example be obtained by diffusion of dopants under the effect of a high temperature ( oven); and the so-called heterojunction contact (crystalline / amorphous contact), which can for example be obtained by deposition of hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) doped.
  • homojunction contact crystalline crystalline contact
  • heterojunction contact crystalline / amorphous contact
  • Document US 2008/0035198 provides an example of a homojunction type rear contact photovoltaic cell.
  • Document US 2007/0137692 provides another example, in which two superposed metal layers are provided for the collection of the respective charge carriers, separated from one another and separated from the substrate by an insulator, the contact of each layer. metal with the substrate being provided by laser annealing of the metal layer at point locations.
  • the heterojunction-type contacts have the advantage of offering a higher open circuit voltage (and a lower high-temperature output loss) than the homojunction-type contacts.
  • the heterojunction-type contacts make it possible to achieve both passivation and contact.
  • WO 03/083955, WO 2006/077343, WO 2007/085072, US 2007/0256728, EP 1873840 all disclose heterojunction semiconductor devices comprising a crystalline silicon substrate covered on one and the same rear face by respective areas of N-doped amorphous silicon and P-doped amorphous silicon, which are separated by insulating portions, and which are covered with respective metallization areas for the collection of charge carriers.
  • a disadvantage of all these devices is that their manufacture requires two separate stages of amorphous silicon deposition, for example by using a mask at each step or by first depositing one of the amorphous silicas, then etching it before depositing the other amorphous silicon.
  • the invention relates firstly to a semiconductor device comprising:
  • a crystalline semiconductor substrate having a front face and a rear face
  • a front passivation layer disposed on the front face of the substrate
  • a rear passivation layer disposed on the rear face of the substrate
  • a first metallization zone disposed on the rear passivation layer and adapted for collecting electrons
  • a second metallization zone suitable for collecting holes comprising:
  • the crystalline semiconductor substrate is an N-type or P-type doped crystalline silicon substrate.
  • the second metallization zone comprises aluminum, and preferably the first metallization zone also comprises aluminum.
  • the front passivation layer comprises:
  • a doped hydrogenated amorphous silicon layer disposed thereon, exhibiting P type doping if the substrate is of P type, or N type doping if the substrate is of N type; and / or the rear passivation layer comprises:
  • a doped hydrogenated amorphous silicon layer disposed thereon, exhibiting N type doping a doped hydrogenated amorphous silicon layer disposed thereon, exhibiting N type doping.
  • the first metallization zone and the second metallization zone form an interdigitated structure.
  • the semiconductor device comprises an anti-reflective layer disposed on the front passivation layer, preferably comprising hydrogenated amorphous silicon nitride.
  • this semiconductor device is a photovoltaic cell.
  • the invention also relates to a photovoltaic cell module, comprising a plurality of photovoltaic cells as described above, connected in series or in parallel.
  • the invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising:
  • a crystalline semiconductor substrate having a front face and a back face
  • ⁇ forming an inner part of the second metallization region, which crosses the back passivation layer and forms in the substrate a region having a higher electron acceptor concentration to the rest of the substrate, laser annealing the part of surface of the second metallization zone.
  • the crystalline semiconductor substrate is an N-type or P-type doped crystalline silicon substrate.
  • the formation of the front passivation layer on the front face of the substrate comprises the formation of an intrinsic hydrogenated amorphous silicon layer in contact with the substrate; and forming a hydrogenated amorphous silicon layer doped thereon, exhibiting P type doping if the substrate is of type
  • the formation of the rear passivation layer on the rear face of the substrate comprises the formation of an intrinsic hydrogenated amorphous silicon layer in contact with the substrate; and forming a doped hydrogenated amorphous silicon layer having N-type doping thereon.
  • the second metallization zone comprises aluminum, and preferably the first metallization zone also comprises aluminum.
  • the formation of the first metallization zone and the formation of the surface portion of the second metallization zone are carried out by lithography or evaporation through a mask or spray through a mask or screen printing, and are preferably performed simultaneously; and wherein the first metallization zone and the second metallization zone preferably form an interdigitated structure.
  • the method comprises forming an anti-reflective layer on the front passivation layer, said anti-reflective layer being reflective material preferably comprising hydrogenated amorphous silicon nitride.
  • the semiconductor device is a photovoltaic cell.
  • the invention also relates to a method for manufacturing a photovoltaic cell module, comprising the series or parallel connection of several photovoltaic cells as described above.
  • the present invention overcomes the disadvantages of the state of the art. It provides more particularly a semiconductor device adapted to operate as a photovoltaic cell, which can be manufactured in a simpler process, with a reduced number of steps and can be implemented on an industrial scale.
  • This semiconductor device can in fact be obtained with a single step of deposition of doped amorphous silicon on the rear face and a single step of depositing metal material for collecting charge carriers on the rear face.
  • the invention also has one or preferably more of the advantageous features listed below.
  • the invention provides photovoltaic cells with rear contact, that is to say having no shading on the front face, and having ohmic losses due to minimal metal contacts; in addition, the invention makes it possible to dispense with any transparent conductive oxide on the front face, which allows a short-circuit current, and therefore a high efficiency.
  • the semiconductor devices of the invention have a heterojunction type contact N (that is to say a contact with an amorphous silicon region), which guarantees a very good passivation; and a contact P of homojunction type, which combined with the first makes it possible to use a greatly simplified manufacturing process without unduly degrading the overall passivation.
  • Figure 1 shows schematically an embodiment of a semiconductor device (including a photovoltaic cell) according to the invention, during manufacture, in section (and in partial view). The different layers of material are not scaled in the figure.
  • Figure 2 shows this semiconductor device at the end of its manufacture, in section also and still in partial view.
  • Figure 3 shows a view of the rear face of this semiconductor device at the end of its manufacture.
  • Figure 4 shows a partial view of this device, in longitudinal section corresponding to the line A-A in Figure 3.
  • a semiconductor device according to the invention can be manufactured as follows.
  • a crystalline semiconductor substrate 1 having a front face 1a and a rear face 1b.
  • the crystalline semiconductor substrate 1 is a substrate (or "wafer") of crystalline silicon, in particular monocrystalline or polycrystalline (preferably monocrystalline), in the form of a plate.
  • This substrate can be N- or P-doped.
  • the use of an N-type doped substrate is particularly advantageous insofar as the lifetime of this substrate is higher.
  • an N-type doped substrate is used as an example.
  • the substrate 1 is advantageously devoid of any oxide material.
  • the substrate 1 has sufficient doping to have a resistivity of between about 0.1 and 1 ⁇ .cm.
  • the front passivation layer 3 advantageously comprises an amorphous intrinsic hydrogenated silicon layer 6 in contact with the substrate 1 and a doped hydrogenated amorphous silicon layer 7 disposed thereon.
  • the doped hydrogenated amorphous silicon layer 7 is N-doped when the substrate 1 is N-type; or it is P-doped when the substrate 1 is of type P.
  • the rear passivation layer 2 advantageously comprises an amorphous intrinsic hydrogenated silicon layer 4 in contact with the substrate 1 and a doped hydrogenated amorphous silicon layer 5 disposed thereon.
  • the doped hydrogenated amorphous silicon layer 5 is N-doped, whatever the type of doping of the substrate 1.
  • the passivation layers before 3 and back 2 play a role of passivation in two complementary ways: on the one hand the presence of amorphous silicon on each side 1 a, 1 b of the crystalline substrate makes it possible to render the surface defects of the substrate inactive, by avoiding the bonds hanging on the surface, which avoids the recombination of the charge carriers before their collection; on the other hand, the presence of the doped hydrogenated amorphous silicon layers 5, 7 makes it possible to create a front surface field, respectively a rear surface field, which also improves the collection of the charge carriers.
  • the deposition of the two intrinsically hydrogenated amorphous silicon layers 4, 6 and the two doped hydrogenated amorphous silicon layers 5, 7 can be carried out for example by the technique of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or by the technique of low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). Each of the layers can cover the entire surface of the substrate 1.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • an anti-reflective layer 8 is advantageously provided on the front passivation layer 3.
  • the latter comprises a dielectric material, preferably hydrogenated amorphous silicon nitride. Preferably, it extends over the entire surface of the front passivation layer 3. It can be deposited for example according to the PECVD or LPCVD technique.
  • the main role of the anti-reflective layer is to eliminate as much as possible the reflection of light arriving on the device from the front side.
  • the refractive index of the anti-reflective layer may for example be close to 2.
  • a textured silicon can be used to improve the collection of light.
  • a metal layer 9 is deposited on the rear passivation layer 2.
  • it can be carried out by evaporation. spraying or electrochemical deposition.
  • the metal layer 9 is preferably based on aluminum.
  • the metal layer 9 initially covers the entire surface of the rear passivation layer 2; then, a portion of the metal layer 9 (by etching or otherwise) is selectively removed in order to obtain a first metallization zone 10 and a second metallization zone 11 separated from the first metallization zone 10.
  • the first metallization zone 10 and the second metallization zone 11 form an interdigitated structure as shown in FIG. 3, that is to say a structure in which the two metallization zones 10, 11 form Inverted and nested combs.
  • the metallization zones 10, 1 1 are intended for the collection of the respective charge carriers.
  • An interdigitated structure allows an electrical connection of the particularly simple device.
  • the metallization zones 10, 1 1 selectively to the surface of the rear passivation layer 2, so as to obtain directly the desired pattern (for example, interdigitance).
  • the desired pattern for example, interdigitance
  • the metallization zones 10, 1 1 are made from the same material (preferably based on aluminum): this embodiment is indeed the simplest to put implemented. However, it is also possible to prepare metallization zones 10, 1 1 of composition different from each other. In this case, at least the second metallization zone 11 is preferably based on aluminum.
  • a laser annealing step (or "laser firing") of the second metallization zone 11 is then carried out.
  • Laser annealing consists in applying laser pulses to the second metallization zone 11 so as to induce, for a very short time, a melting / solidification cycle on the second metallization zone 11 as well as on a certain thickness of the sub-silicon. underlying.
  • the metal especially aluminum
  • the metal diffuses rapidly in the liquid silicon.
  • the silicon is again epitaxied from the underlying solid silicon; the atoms (dopants) of the metal (in particular aluminum) having diffused during the melting cycle are then put in substitutional sites in the reconstructed crystal.
  • the second metallization zone comprises, on the one hand, a surface portion 11, disposed on the rear passivation layer 3 and essentially corresponding to the second metallization zone before laser annealing; and on the other hand an inner portion 12 passing through the rear passivation layer 2 and penetrating into the substrate 1, this inner portion 12 being obtained by diffusion of atoms (especially aluminum) during laser annealing.
  • the inner portion 12 of the second metallization zone therefore comprises a region of the substrate 1, situated below the surface portion 11 of the second metallization zone, which is doped with P + type (that is to say which has a high concentration of P-type dopants, especially aluminum atoms).
  • the inner portion 12 of the second metallization zone thus forms in the substrate 1 a region in which the concentration of electron acceptors is greater than the rest of the substrate 1, and that the substrate 1 is N-type or of type P.
  • a PN-type junction is thus formed between the region of the substrate 1 modified by laser annealing and the rest of the substrate 1; and when the substrate 1 is of the P type, a PP + type junction is thus formed.
  • the extreme rapidity of the solidification front during laser annealing favors the formation of square profiles, and allows to achieve higher activation rates than those obtained with conventional techniques.
  • the laser energy determines the thickness of the region of the substrate 1 thus doped.
  • the dopants are electrically active, the doping profile is quasi-square, with very steep sides.
  • Nd-YAG pulsed laser or a pulsed UV excimer laser.
  • a Nd-YAG tripped laser can be used at 1064 nm in TEM 0 o mode, with a power of 300 to 900 mW and a pulse duration of 100 ms with a repetition frequency of 1 kHz.
  • the laser power and the pulse duration are adjusted according to the desired annealing depth and induced doping.
  • the laser scroll speed and frequency are adjusted to adjust the distance between the laser impacts.
  • the distance between the laser impacts along the bands of the pattern must be low enough to limit ohmic losses and optimize load collection.
  • the first metallization zone 10 remains present only above the rear passivation layer 2 and more precisely above the N-doped hydrogenated amorphous silicon layer. Therefore, this first metallization zone 10 ensures a contact of N type, that is to say is adapted to the collection of electrons.
  • the second metallization zone has been converted into P-type contact, that is to say, it is adapted to the collection of holes.
  • the geometry of the semiconductor device thus obtained may be as follows:
  • Substrate 1 thickness between 150 and 300 ⁇ .
  • Intrinsic hydrogenated amorphous silicon layers 4, 6 thickness between 1 and 10 nm, especially between 3 and 5 nm.
  • Dielectric amorphous silicon doped layers 5, 7 thickness between 5 and 30 nm, especially between 5 and 15 nm.
  • - Anti-reflective layer 8 thickness between 50 and 100 nm.
  • First metallization zone 10 and surface portion 1 1 of the second metallization zone thickness of between 2 and
  • these metallization zones comprise alternating parallel strips.
  • Each band may have a typical width of 50 to 400 ⁇ and in particular 50 to 200 ⁇ (for example about 100 ⁇ ) and two strips may be separated by a typical distance of 50 to 200 ⁇ (for example about 100 ⁇ ).
  • the diffusion length of the charge carriers in the rear passivation layer 2 is typically about 20 nm due to the presence of doped amorphous silicon. As a result, the charge carriers can pass through the rear passivation layer 2 according to its thickness, but can not essentially cross it in a direction parallel to the rear face 1a of the substrate 1. Consequently, there is practically no possible short circuit between the two respective metallization zones.
  • the above description relates to semiconductor devices that are generally used as photovoltaic cells.
  • One or more of these devices may be incorporated as a photovoltaic cell module.
  • a number of photovoltaic cells may be electrically connected, in series and / or in parallel, to form the module.
  • the module can be manufactured in different ways. For example, it is possible to arrange the photovoltaic cells between glass plates, or between a glass plate and a transparent resin plate, for example ethylene vinyl acetate. If all the photovoltaic cells have their front face oriented in the same direction, it is also possible to use a non-transparent plate (metal, ceramic or other) on the rear side. It is also possible to manufacture modules receiving light on two opposite faces (see for example US 6,667,434 in this regard). A sealing resin may be provided to seal the sides of the module and protect it from atmospheric moisture. Various resin layers may also be provided to prevent the undesirable diffusion of sodium from the glass plates.
  • the module furthermore generally comprises static conversion means at the terminals of the photovoltaic cells.
  • it may be DC-AC conversion means (DC / AC) and / or DC-DC converting means (DC / DC).
  • the static conversion means are adapted to transmit the electrical power supplied by the photovoltaic cells to a load of an external application - battery, electrical network or other. These static conversion means are adapted to reduce the transmitted current and to increase the transmitted voltage.
  • the static conversion means may be associated with management electronics.

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Abstract

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur cristallin (1 ) présentant une face avant (1 a) et une face arrière (1 b); une couche de passivation avant (3) disposée sur la face avant (1 a) du substrat (1 ); une couche de passivation arrière (2) disposée sur la face arrière (1 b) du substrat (1 ); une première zone de métallisation (10) disposée sur la couche de passivation arrière (2) et adaptée à la collecte des électrons; une deuxième zone de métallisation adaptée à la collecte des trous, comprenant : • une partie de surface (1 1 ) disposée sur la couche de passivation arrière (2); et • une partie interne (12) traversant la couche de passivation arrière (2) et formant dans le substrat (1 ) une région dans laquelle la concentration en accepteurs d'électrons est supérieure au reste du substrat (1 ). L'invention concerne également un module de cellules photovoltaïques utilisant ce dispositif, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif.

Description

CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE HETEROJONCTION
A CONTACT ARRIERE
DOMAINE DE L'INVENTION
La présente invention concerne une cellule photovoltaïque hétérojonction à contact arrière ainsi que son procédé de fabrication.
ARRIERE-PLAN TECHNIQUE
De manière connue en soi, un module photovoltaïque comprend une pluralité de cellules photovoltaïques (ou cellules solaires) reliées en série et / ou en parallèle. Une cellule photovoltaïque est une diode semi-conductrice conçue pour absorber de l'énergie lumineuse et la convertir en énergie électrique. Cette diode semi-conductrice comprend une jonction dite PN entre deux couches de silicium dopé respectivement P et N. Lors de la formation de la jonction, une différence de potentiel (et donc un champ électrique local) apparaît, du fait de l'excès d'électrons libres dans la couche N et du défaut d'électrons libres dans la couche P.
Lorsque des photons sont absorbés par le semi-conducteur, ils cèdent leur énergie pour produire des électrons libres et des trous. Etant donné la différence de potentiel existant au niveau la jonction, les électrons libres ont tendance à s'accumuler dans la zone N et les trous à s'accumuler dans la zone P. Des électrodes de collecte en contact respectivement avec la zone N et la zone P permettent de récupérer le courant émis par la cellule photovoltaïque.
Les cellules solaires à base de silicium monocristallin ou multicristallin sont traditionnellement élaborées en prenant les contacts positifs et négatifs sur chacune des faces de la cellule. La face arrière est généralement intégralement recouverte de métal puisque seule compte la conductivité (aucune lumière ne devant traverser la face arrière), alors que la face avant, c'est-à-dire celle qui est éclairée, est contactée par une grille métallique qui permet de laisser passer la majorité de la lumière incidente. Récemment, il a été proposé de disposer les contacts électriques uniquement en face arrière (« Rear Contacted Cells »). Cela suppose de réaliser des contacts sélectifs sur une seule face. L'avantage de cette technique est de n'avoir aucun ombrage en face avant tout en permettant de diminuer les pertes ohmiques dues aux contacts métalliques puisqu'ils recouvrent une surface de la cellule beaucoup plus grande. A cela s'ajoute le fait qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser un oxyde transparent conducteur en face avant (aucune conduction électrique n'est nécessaire) mais plutôt du silicium amorphe et / ou un diélectrique qui a la propriété de ne pas absorber la lumière autant qu'un oxyde transparent conducteur (qui de plus est souvent composé de produits chers et / ou rares). On peut donc a priori réaliser des cellules ayant un courant de court-circuit, et donc un rendement, plus élevé.
Afin de réaliser les contacts sélectifs sur une seule face, il existe deux types de jonction possibles : le contact dit homojonction (contact cristallin / cristallin), qui peut par exemple être obtenu par diffusion de dopants sous l'effet d'une haute température (four) ; et le contact dit hétérojonction (contact cristallin / amorphe), qui peut par exemple être obtenu par dépôt de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) dopé.
Le document US 2008/0035198 fournit un exemple de cellule photovoltaïque à contact arrière de type homojonction. Le document US 2007/0137692 en fournit un autre exemple, dans lequel sont prévues deux couches métalliques superposées pour la collecte des porteurs de charge respectifs, séparées l'une de l'autre et séparées du substrat par un isolant, le contact de chaque couche métallique avec le substrat étant assuré par recuit laser de la couche métallique en des emplacements ponctuels.
Les contacts de type hétérojonction présentent l'avantage d'offrir une tension de circuit ouvert plus élevée (et une perte de rendement à haute température plus faible) que les contacts de type homojonction. En outre, les contacts de type hétérojonction permettent de réaliser à la fois une passivation et une prise de contact.
Toutefois, la fabrication de cellules photovoltaïques à contact arrière de type hétérojonction reste elle-même relativement difficile à mettre en œuvre dans la mesure où les procédés proposés jusqu'ici reposent sur un nombre élevé d'étapes, par exemple un nombre élevé d'étapes de photolithographie, technologie connue pour sa précision mais également pour son aspect difficilement industrialisable. De même les autres méthodes disponibles pour la réalisation de deux contacts de type hétérojonction en face arrière (masquage, lift-off) font également appel à un nombre d'étapes élevé et peuvent être peu pratiques à utiliser.
Par exemple, les documents WO 03/083955, WO 2006/077343, WO 2007/085072, US 2007 / 0256728, EP 1873840 décrivent tous des dispositifs semi-conducteurs à hétérojonctions comprenant un substrat de silicium cristallin recouvert sur une même face arrière par des zones respectives de silicium amorphe dopé N et de silicium amorphe dopé P, qui sont séparées par des portions isolantes, et qui sont recouvertes de zones de métallisation respectives destinées à la collecte des porteurs de charge.
Un inconvénient de tous ces dispositifs est que leur fabrication nécessite deux étapes distinctes de dépôt de silicium amorphe, par exemple en utilisant un masque à chaque étape ou encore en déposant d'abord l'un des siliciums amorphes, puis en le gravant avant de déposer l'autre silicium amorphe.
Par conséquent, il existe un réel besoin de mettre au point un dispositif semi-conducteur adapté à fonctionner comme une cellule photovoltaïque, susceptible d'être fabriqué selon un procédé plus simple, avec un nombre réduit d'étapes et pouvant être mis en œuvre à l'échelle industrielle.
RESUME DE L'INVENTION
L'invention concerne en premier lieu un dispositif semi-conducteur comprenant :
- un substrat semi-conducteur cristallin présentant une face avant et une face arrière ;
- une couche de passivation avant disposée sur la face avant du substrat ;
- une couche de passivation arrière disposée sur la face arrière du substrat ;
- une première zone de métallisation disposée sur la couche de passivation arrière et adaptée à la collecte des électrons ;
- une deuxième zone de métallisation adaptée à la collecte des trous, comprenant :
une partie de surface disposée sur la couche de passivation arrière ; et
■ une partie interne traversant la couche de passivation arrière et formant dans le substrat une région dans laquelle la concentration en accepteurs d'électrons est supérieure au reste du substrat.
Selon un mode de réalisation, le substrat semi-conducteur cristallin est un substrat de silicium cristallin dopé de type N ou P.
Selon un mode de réalisation, la deuxième zone de métallisation comprend de l'aluminium, et de préférence la première zone de métallisation comprend également de l'aluminium.
Selon un mode de réalisation, la couche de passivation avant comprend :
- une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque en contact avec le substrat ; et
- une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé disposée sur celle-ci, présentant un dopage de type P si le substrat est de type P, ou un dopage de type N si le substrat est de type N ; et / ou la couche de passivation arrière comprend :
- une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque en contact avec le substrat ; et
- une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé disposée sur celle-ci, présentant un dopage de type N.
Selon un mode de réalisation, la première zone de métallisation et la deuxième zone de métallisation forment une structure interdigitée.
Selon un mode de réalisation, le dispositif semi-conducteur comprend une couche anti-réflective disposée sur la couche de passivation avant, comprenant de préférence du nitrure de silicium amorphe hydrogéné.
Selon un mode de réalisation, ce dispositif semi-conducteur est une cellule photovoltaïque.
L'invention a également pour objet un module de cellules photovoltaïques, comportant plusieurs cellules photovoltaïques telles que décrites ci-dessus, connectées en série ou en parallèle.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant :
- la fourniture d'un substrat semi-conducteur cristallin présentant une face avant et une face arrière ;
- la formation d'une couche de passivation avant sur la face avant du substrat ;
- la formation d'une couche de passivation arrière sur la face arrière du substrat ; - la formation d'une première zone de metallisation sur la couche de passivation arrière, adaptée à la collecte des électrons ;
- la formation d'une deuxième zone de métallisation, comprenant :
■ la formation d'une partie de surface de la deuxième zone de métallisation sur la couche de passivation arrière, adaptée à la collecte des trous ;
■ la formation d'une partie interne de la deuxième zone de métallisation, qui traverse la couche de passivation arrière et forme dans le substrat une région présentant une concentration en accepteurs d'électrons supérieure au reste du substrat, par recuit laser de la partie de surface de la deuxième zone de métallisation.
Selon un mode de réalisation, le substrat semi-conducteur cristallin est un substrat de silicium cristallin dopé de type N ou P.
Selon un mode de réalisation :
- la formation de la couche de passivation avant sur la face avant du substrat comprend la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque en contact avec le substrat ; et la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé sur celle-ci, présentant un dopage de type P si le substrat est de type
P, ou un dopage de type N si le substrat est de type N ; et / ou
- la formation de la couche de passivation arrière sur la face arrière du substrat comprend la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque en contact avec le substrat ; et la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé présentant un dopage de type N sur celle-ci.
Selon un mode de réalisation, la deuxième zone de métallisation comprend de l'aluminium, et de préférence la première zone de métallisation comprend également de l'aluminium.
Selon un mode de réalisation, la formation de la première zone de métallisation et la formation de la partie de surface de la deuxième zone de métallisation sont effectuées par lithographie ou évaporation à travers un masque ou pulvérisation à travers un masque ou sérigraphie, et sont de préférence effectuées simultanément ; et dans lequel la première zone de métallisation et la deuxième zone de métallisation forment de préférence une structure interdigitée.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'une couche anti-réflective sur la couche de passivation avant, ladite couche anti- réflective comprenant de préférence du nitrure de silicium amorphe hydrogéné.
Selon un mode de réalisation, le dispositif semi-conducteur est une cellule photovoltaïque.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un module de cellules photovoltaïques, comprenant la connexion en série ou en parallèle de plusieurs cellules photovoltaïques telles que décrites ci-dessus.
La présente invention permet de surmonter les inconvénients de l'état de la technique. Elle fournit plus particulièrement un dispositif semi- conducteur adapté à fonctionner comme une cellule photovoltaïque, susceptible d'être fabriqué selon un procédé plus simple, avec un nombre réduit d'étapes et pouvant être mis en œuvre à l'échelle industrielle.
Cela est accompli grâce à la mise au point d'un dispositif semiconducteur à contact arrière, tel que décrit ci-dessus.
Ce dispositif semi-conducteur peut en effet être obtenu avec une seule étape de dépôt de silicium amorphe dopé sur la face arrière et une seule étape de dépôt de matière métallique de collecte des porteurs de charge sur la face arrière.
Selon certains modes de réalisation particuliers, l'invention présente également une ou de préférence plusieurs des caractéristiques avantageuses énumérées ci-dessous.
- L'invention fournit des cellules photovoltaïques à contact arrière, c'est à dire ne présentant pas d'ombrage en face avant, et présentant des pertes ohmiques dues aux contacts métalliques minimales ; en outre, l'invention permet de se dispenser de tout oxyde transparent conducteur en face avant, ce qui permet un courant de court-circuit, et donc un rendement, élevé.
- Les dispositifs semi-conducteurs de l'invention présentent un contact N de type hétérojonction (c'est-à-dire un contact avec une région de silicium amorphe), ce qui garantit une très bonne passivation ; et un contact P de type homojonction, qui combiné au premier permet de recourir à un procédé de fabrication grandement simplifié sans trop dégrader la passivation globale.
- L'utilisation de la technique du recuit laser pour réaliser les contacts de type P permet de n'endommager la couche de passivation sur la face arrière que de manière très limitée (c'est à dire au niveau des contacts de type P eux-mêmes), car le chauffage par le laser est très localisé sur la surface. La couche de passivation reste intacte au niveau des contacts de type N et entre les contacts de type N et les contacts de type P.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES
La Figure 1 représente de manière schématique un mode de réalisation d'un dispositif semi-conducteur (notamment une cellule photovoltaïque) selon l'invention, en cours de fabrication, en coupe (et en vue partielle). Les différentes couches de matériau ne sont pas à l'échelle sur la figure.
La Figure 2 représente ce dispositif semi-conducteur à la fin de sa fabrication, en coupe également et toujours en vue partielle.
La Figure 3 représente une vue de la face arrière de ce dispositif semi-conducteur à la fin de sa fabrication.
La Figure 4 représente une vue partielle de ce dispositif, en coupe longitudinale correspondant à la ligne A-A sur la Figure 3.
DESCRIPTION DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION
L'invention est maintenant décrite plus en détail et de façon non limitative dans la description qui suit, en se référant à l'application photovoltaïque de l'invention.
En faisant référence à la Figure 1 , un dispositif semi-conducteur selon l'invention peut être fabriqué comme suit.
Tout d'abord, on fournit un substrat semi-conducteur cristallin 1 présentant une face avant 1 a et une face arrière 1 b. De préférence, le substrat semi-conducteur cristallin 1 est un substrat (ou « wafer ») de silicium cristallin, notamment monocristallin ou polycristallin (de préférence monocristallin), en forme de plaque.
Ce substrat peut être dopé de type N ou P. L'utilisation d'un substrat dopé de type N est particulièrement avantageuse dans la mesure où le temps de vie de ce substrat est plus élevé. Dans la suite, on prend pour exemple un substrat dopé de type N. Le substrat 1 est avantageusement dépourvu de tout matériau oxyde.
De préférence, le substrat 1 présente un dopage suffisant pour présenter une résistivité comprise entre environ 0,1 et 1 Q.cm.
De part et d'autre du substrat 1 , c'est-à-dire sur sa face avant 1 a et sur sa face arrière 1 b, on applique respectivement une couche de passivation avant 3 et une couche de passivation arrière 2. La couche de passivation avant 3 comprend avantageusement une couche de silicium hydrogéné intrinsèque amorphe 6 en contact avec le substrat 1 et une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé 7 disposée sur celle-ci. La couche de silicium amorphe hydrogéné dopé 7 est dopée N lorsque le substrat 1 est de type N ; ou bien elle est dopée P lorsque le substrat 1 est de type P.
De manière symétrique, la couche de passivation arrière 2 comprend avantageusement une couche de silicium hydrogéné intrinsèque amorphe 4 en contact avec le substrat 1 et une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé 5 disposée sur celle-ci. De préférence la couche de silicium amorphe hydrogéné dopé 5 est dopée N, quel que soit le type de dopage du substrat 1 .
Les couches de passivation avant 3 et arrière 2 jouent un rôle de passivation de deux façons complémentaires : d'une part la présence de silicium amorphe sur chaque face 1 a, 1 b du substrat cristallin permet de rendre inactifs les défauts de surface du substrat, en évitant les liaisons pendantes à la surface, ce qui évite la recombinaison des porteurs de charge avant leur collecte ; d'autre part la présence des couches de silicium amorphe hydrogéné dopé 5, 7 permet de créer un champ de surface avant, respectivement un champ de surface arrière, qui améliorent également la collecte des porteurs de charge.
Le dépôt des deux couches de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque 4, 6 et des deux couches de silicium amorphe hydrogéné dopé 5, 7 peut être effectué par exemple selon la technique du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou selon la technique du dépôt chimique en phase vapeur faible pression (LPCVD). Chacune des couches peut couvrir la totalité de la surface du substrat 1 .
Sur la couche de passivation avant 3, on dispose avantageusement une couche anti-réflective 8. Celle-ci comprend un matériau diélectrique, de préférence du nitrure de silicium amorphe hydrogéné. De préférence, elle s'étend sur toute la surface de la couche de passivation avant 3. Elle peut être déposée par exemple selon la technique PECVD ou LPCVD. Le rôle principal de la couche anti-réflective est d'éliminer au maximum la réflexion de la lumière arrivant sur le dispositif par le côté avant. L'indice de réfraction de la couche anti-réflective pourra par exemple être voisin de 2. On peut utiliser un silicium texturé pour améliorer la collecte de la lumière.
Sur la couche de passivation arrière 2, on procède au dépôt d'une couche métallique 9. On peut par exemple procéder par évaporation, pulvérisation ou par dépôt électrochimique. La couche métallique 9 est de préférence à base d'aluminium. Selon le mode de réalisation représenté sur la Figure 1 , la couche métallique 9 recouvre initialement toute la surface de la couche de passivation arrière 2 ; puis, on enlève sélectivement une partie de la couche métallique 9 (par gravure ou autre) afin d'obtenir une première zone de métallisation 10 et une deuxième zone de métallisation 1 1 séparée de la première zone de métallisation 10.
De préférence, la première zone de métallisation 10 et la deuxième zone de métallisation 1 1 forment une structure interdigitée telle que représentée sur la Figure 3, c'est-à-dire une structure où les deux zones de métallisation 10, 1 1 forment des peignes inversés et imbriqués. Les zones de métallisation 10, 1 1 sont destinées à la collecte des porteurs de charge respectifs. Une structure interdigitée permet une connexion électrique du dispositif particulièrement simple.
Alternativement, on peut également appliquer directement les zones de métallisation 10, 1 1 de façon sélective à la surface de la couche de passivation arrière 2, de sorte à obtenir directement le motif (par exemple interdigité) souhaité. Pour ce faire, on peut utiliser la sérigraphie de pâte métallique, à travers un masque de forme appropriée ou encore l'évaporation ou la pulvérisation à travers un masque.
Selon le mode de réalisation principal décrit ci-dessus, les zones de métallisation 10, 1 1 sont réalisées à partir d'un même matériau (de préférence à base d'aluminium) : ce mode de réalisation est en effet le plus simple à mettre en œuvre. Toutefois, il est également possible de préparer des zones de métallisation 10, 1 1 de composition différentes l'une de l'autre. Dans ce cas, au moins la deuxième zone de métallisation 1 1 est de préférence à base d'aluminium.
On procède ensuite à une étape de recuit laser (ou « laser firing ») de la deuxième zone de métallisation 1 1 . Le recuit laser consiste à appliquer des impulsions laser sur la deuxième zone de métallisation 1 1 de sorte à induire pendant un temps très court un cycle de fusion / solidification sur la deuxième zone de métallisation 1 1 ainsi que sur une certaine épaisseur du silicium sous-jacent. Pendant la phase de fusion, le métal (notamment aluminium) diffuse rapidement dans le silicium liquide. Pendant la phase de solidification, le silicium est à nouveau épitaxié à partir du silicium solide sous-jacent ; les atomes (dopants) du métal (notamment aluminium) ayant diffusé pendant le cycle de fusion sont alors mis en sites substitutionnels dans le cristal reconstruit. Ainsi, et en faisant référence à la Figure 2, à l'issue du recuit laser, la deuxième zone de métallisation comprend d'une part une partie de surface 1 1 , disposée sur la couche de passivation arrière 3 et qui correspond essentiellement à la deuxième zone de métallisation avant recuit laser ; et d'autre part une partie interne 12 traversant la couche de passivation arrière 2 et pénétrant dans le substrat 1 , cette partie interne 12 étant obtenue par diffusion des atomes (notamment d'aluminium) lors du recuit laser.
La partie interne 12 de la deuxième zone de métallisation comprend donc une région du substrat 1 , située en dessous de la partie de surface 1 1 de la deuxième zone de métallisation, qui est dopée de type P+ (c'est-à-dire qui présente une forte concentration de dopants de type P, notamment atomes d'aluminium). Autrement dit, la partie interne 12 de la deuxième zone de métallisation forme ainsi dans le substrat 1 une région dans laquelle la concentration en accepteurs d'électrons est supérieure au reste du substrat 1 , et ce, que le substrat 1 soit de type N ou de type P. Lorsque le substrat 1 est de type N, on forme ainsi une jonction de type PN entre la région du substrat 1 modifiée par recuit laser et le reste du substrat 1 ; et lorsque le substrat 1 est de type P, on forme ainsi une jonction de type PP+.
L'extrême rapidité du front de solidification lors du recuit laser favorise la formation de profils carrés, et permet d'atteindre des taux d'activation supérieurs à ceux obtenus avec des techniques classiques. Selon cette technique, l'énergie laser détermine l'épaisseur de la région du substrat 1 ainsi dopée. A la suite du traitement laser, les dopants sont électriquement actifs, le profil de dopage est quasi-carré, avec des flancs très abrupts.
Les documents suivants fournissent des exemples de mise en œuvre de la technique du recuit laser :
- Laser fired back contact for silicon cells, Tucci et al., Thin solid films 516:6767-6770 (2008);
- Laser fired contacts on amorphous silicon deposited by hot-wire CVD on crystalline silicon, Blanqué et al., 23rd European photovoltaic solar energy conférence, 1 -5 septembre 2008, Valence (Espagne), p.1393-1396;
- Bragg reflector and laser fired back contact in a-Si:H/c-Si heterostructure, Tucci et al., Materials Science and Engineering B 159-160:48-52 (2009).
Typiquement, on pourra utiliser un laser puisé Nd-YAG ou un laser excimère UV puisé. A titre d'exemple, on pourra utiliser un laser déclenché Nd-YAG à 1064 nm en mode TEM0o, avec une puissance de 300 à 900 mW et une durée d'impulsion de 100 ms avec une fréquence de répétition de 1 kHz.
De manière générale, la puissance du laser et la durée d'impulsion sont ajustées en fonction de la profondeur du recuit et du dopage induit souhaités. La vitesse de défilement du laser et la fréquence sont ajustées pour ajuster la distance entre les impacts laser.
Lorsque la partie de surface 1 1 de la deuxième zone de métallisation présente un motif de bandes, comme c'est le cas dans le cadre d'une structure interdigitée, la distance entre les impacts laser le long des bandes du motif (voir la Figure 4) doit être suffisamment faible afin de limiter les pertes ohmiques et d'optimiser la collecte des charges.
A l'issue du recuit laser :
- La première zone de métallisation 10 reste présente uniquement au-dessus de la couche de passivation arrière 2 et plus précisément au-dessus de la couche de silicium amorphe hydrogéné 5 dopé N. Par conséquent, cette première zone de métallisation 10 assure un contact de type N, c'est-à-dire est adaptée à la collecte des électrons.
- La deuxième zone de métallisation a été transformée en contact de type P, c'est-à-dire qu'elle est adaptée à la collecte des trous.
A titre indicatif, la géométrie du dispositif semi-conducteur ainsi obtenu peut être la suivante :
- Substrat 1 : épaisseur comprise entre 150 et 300 μιτι.
- Couches de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque 4, 6 : épaisseur comprise entre 1 et 10 nm, notamment entre 3 et 5 nm.
- Couches de silicium amorphe hydrogéné dopé 5, 7 : épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, notamment entre 5 et 15 nm.
- Couche anti-réflective 8 : épaisseur comprise entre 50 et 100 nm.
- Première zone de métallisation 10 et partie de surface 1 1 de la deuxième zone de métallisation : épaisseur comprise entre 2 et
30 μιτι, notamment entre 2 et 10 μιτι.
Si les deux zones de métallisation ont une forme interdigitée, comme cela est représenté ici, ces zones de métallisation comprennent des bandes parallèles disposées en alternance. Chaque bande peut avoir une largeur typique de 50 à 400 μιτι et notamment de 50 à 200 μιτι (par exemple environ 100 μιτι) et deux bandes peuvent être séparées par une distance typique de 50 à 200 μιτι (par exemple environ 100 μιτι). La longueur de diffusion des porteurs de charge dans la couche de passivation arrière 2 est typiquement d'environ 20 nm du fait de la présence de silicium amorphe dopé. Par conséquent les porteurs de charge peuvent traverser la couche de passivation arrière 2 selon son épaisseur, mais ne peuvent essentiellement pas la traverser selon une direction parallèle à la face arrière 1 a du substrat 1 . Par conséquent, il n'y a pratiquement pas de court circuit possible entre les deux zones de métallisation respectives.
La description ci-dessus a trait à des dispositifs semi-conducteurs qui sont généralement utilisés en tant que cellules photovoltaïques. Un ou plusieurs de ces dispositifs peuvent être incorporés sous la forme d'un module de cellules photovoltaïques. Par exemple, un certain nombre de cellules photovoltaïques peuvent être reliées électriquement, en série et / ou en parallèle, pour former le module.
Le module peut être fabriqué de différentes façons. Par exemple, il est possible de disposer des cellules photovoltaïques entre des plaques de verre, ou entre une plaque de verre et une plaque de résine transparente, par exemple en éthylène acétate de vinyle. Si toutes les cellules photovoltaïques ont leur face avant orientée dans le même sens, on peut également utiliser une plaque non-transparente (métallique, céramique ou autre) du côté arrière. On peut également fabriquer des modules recevant la lumière sur deux faces opposées (voir par exemple le document US 6,667,434 à cet égard). Une résine de scellement peut être prévue pour sceller les côtés du module et le protéger de l'humidité atmosphérique. Diverses couches de résine peuvent également être prévues pour empêcher la diffusion indésirable de sodium issu des plaques de verre.
Le module comprend en outre généralement des moyens de conversion statique aux bornes des cellules photovoltaïques. Selon les applications, il peut s'agir de moyens de conversion courant continu - courant alternatif (DC/AC) et / ou de moyens de conversion courant continu - courant continu (DC/DC). Les moyens de conversion statique sont adaptés à transmettre la puissance électrique fournie par les cellules photovoltaïques vers une charge d'une application extérieure - batterie, réseau électrique ou autre. Ces moyens de conversion statique sont adaptés à diminuer le courant transmis et à augmenter la tension transmise. Les moyens de conversion statique peuvent être associés à une électronique de gestion.
Les détails de fabrication du module solaire (éléments de support, de cadre, connexions électriques, encapsulation...) sont bien connus de l'homme du métier.

Claims

REVENDICATIONS
Dispositif semi-conducteur comprenant :
- un substrat semi-conducteur cristallin (1 ) présentant une face avant (1 a) et une face arrière (1 b) ;
- une couche de passivation avant (3) disposée sur la face avant (1 a) du substrat (1 ) ;
- une couche de passivation arrière (2) disposée sur la face arrière (1 b) du substrat (1 ) ;
- une première zone de métallisation (10) disposée sur la couche de passivation arrière (2) et adaptée à la collecte des électrons ;
- une deuxième zone de métallisation adaptée à la collecte des trous, comprenant :
■ une partie de surface (1 1 ) disposée sur la couche de passivation arrière (2) ; et
■ une partie interne (12) traversant la couche de passivation arrière (2) et formant dans le substrat (1 ) une région dans laquelle la concentration en accepteurs d'électrons est supérieure au reste du substrat (1 ).
Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 , dans lequel le substrat semi-conducteur cristallin (1 ) est un substrat de silicium cristallin dopé de type N ou P.
Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième zone de métallisation (1 1 , 12) comprend de l'aluminium, et de préférence la première zone de métallisation (10) comprend également de l'aluminium.
Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de passivation avant (3) comprend :
- une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque (6) en contact avec le substrat (1 ) ; et
- une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé (7) disposée sur celle-ci, présentant un dopage de type P si le substrat (1 ) est de type P, ou un dopage de type N si le substrat (1 ) est de type N ; et / ou la couche de passivation arrière (2) comprend :
- une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque (4) en contact avec le substrat (1 ) ; et
- une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé (5) disposée sur celle-ci, présentant un dopage de type N.
Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la première zone de métallisation (10) et la deuxième zone de métallisation (1 1 , 12) forment une structure interdigitée.
Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant une couche anti-réflective (8) disposée sur la couche de passivation avant (3), comprenant de préférence du nitrure de silicium amorphe hydrogéné.
Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 6, ce dispositif semi-conducteur étant une cellule photovoltaïque.
Module de cellules photovoltaïques, comportant plusieurs cellules photovoltaïques selon la revendication 7 connectées en série ou en parallèle.
Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant :
- la fourniture d'un substrat semi-conducteur cristallin (1 ) présentant une face avant (1 a) et une face arrière (1 b) ;
- la formation d'une couche de passivation avant (3) sur la face avant (1 a) du substrat (1 ) ;
- la formation d'une couche de passivation arrière (2) sur la face arrière (1 b) du substrat (1 ) ;
- la formation d'une première zone de métallisation (10) sur la couche de passivation arrière (2), adaptée à la collecte des électrons ;
- la formation d'une deuxième zone de métallisation, comprenant : la formation d'une partie de surface (1 1 ) de la deuxième zone de métallisation (10) sur la couche de passivation arrière (2), adaptée à la collecte des trous ; la formation d'une partie interne (12) de la deuxième zone de métallisation, qui traverse la couche de passivation arrière (2) et forme dans le substrat (1 ) une région présentant une concentration en accepteurs d'électrons supérieure au reste du substrat (1 ), par recuit laser de la partie de surface (1 1 ) de la deuxième zone de métallisation.
Procédé selon la revendication 9, dans lequel le substrat semiconducteur cristallin (1 ) est un substrat de silicium cristallin dopé de type N ou P.
Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel :
- la formation de la couche de passivation avant (3) sur la face avant (1 a) du substrat (1 ) comprend la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque (6) en contact avec le substrat (1 ) ; et la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé (7) sur celle-ci, présentant un dopage de type P si le substrat (1 ) est de type P, ou un dopage de type N si le substrat (1 ) est de type N ; et / ou
- la formation de la couche de passivation arrière (2) sur la face arrière (1 b) du substrat (1 ) comprend la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque (4) en contact avec le substrat (1 ) ; et la formation d'une couche de silicium amorphe hydrogéné dopé (5) présentant un dopage de type N sur celle-ci.
Procédé selon l'une des revendications 9 à 1 1 , dans lequel la deuxième zone de métallisation (1 1 , 12) comprend de l'aluminium, et de préférence la première zone de métallisation (10) comprend également de l'aluminium.
13. Procédé selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel la formation de la première zone de métallisation (10) et la formation de la partie de surface (1 1 ) de la deuxième zone de métallisation sont effectuées par lithographie ou évaporation à travers un masque ou pulvérisation à travers un masque ou sérigraphie, et sont de préférence effectuées simultanément ; et dans lequel la première zone de métallisation (10) et la deuxième zone de métallisation (1 1 , 12) forment de préférence une structure interdigitée.
Procédé selon l'une des revendications 9 à 13, comprenant la formation d'une couche anti-réflective (8) sur la couche de passivation avant (3), ladite couche anti-réflective (8) comprenant de préférence du nitrure de silicium amorphe hydrogéné.
Procédé selon l'une des revendications 9 à 14, dans lequel le dispositif semi-conducteur est une cellule photovoltaïque.
16. Procédé de fabrication d'un module de cellules photovoltaïques, comprenant la connexion en série ou en parallèle de plusieurs cellules photovoltaïques selon la revendication 7.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013079800A1 (fr) * 2011-12-02 2013-06-06 Beneq Oy Structure de cellule photovoltaïque de silicium de type n
US20140017850A1 (en) * 2011-03-25 2014-01-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for producing photoelectric conversion element
CN103746005A (zh) * 2014-01-17 2014-04-23 宁波富星太阳能有限公司 双层氮化硅减反射膜及其制备方法
US8906734B2 (en) 2012-09-25 2014-12-09 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
US8927323B2 (en) 2013-02-08 2015-01-06 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device
US9859455B2 (en) 2013-02-08 2018-01-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2690668A4 (fr) * 2011-03-25 2014-09-03 Sanyo Electric Co Procédé de production d'un élément de conversion photoélectrique
CN103050553B (zh) * 2012-12-29 2015-06-24 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法
CN103178135B (zh) * 2013-02-26 2015-10-14 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
FR3040822B1 (fr) * 2015-09-07 2018-02-23 Ecole Polytechnique Procede de fabrication d'un dispositif a jonction electronique et dispositif associe
ES2901323T3 (es) * 2019-07-26 2022-03-22 Meyer Burger Germany Gmbh Dispositivo fotovoltaico y método para fabricar el mismo
KR102480841B1 (ko) 2021-01-21 2022-12-23 경북대학교 산학협력단 광전기화학 셀 및 그의 제조방법
CN113963836A (zh) * 2021-08-29 2022-01-21 东华理工大学 一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池
DE102023135277A1 (de) * 2023-12-15 2025-06-18 Ce Cell Engineering Gmbh Wafersolarzelle und Verfahren zur Herstellung einer solchen Wafersolarzelle

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083955A1 (fr) 2002-03-29 2003-10-09 Ebara Corporation Element photovoltaique et procede de fabrication
US6667434B2 (en) 2000-01-31 2003-12-23 Sanyo Electric Co., Ltd Solar cell module
WO2006077343A1 (fr) 2005-01-20 2006-07-27 Commissariat A L'energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US20070137692A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
WO2007085072A1 (fr) 2006-01-26 2007-08-02 Arise Technologies Corporation Cellule solaire
US20070256728A1 (en) 2006-05-04 2007-11-08 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
EP1873840A1 (fr) 2006-06-30 2008-01-02 General Electric Company Dispositif photovoltaïque qui comprend une configuration de contac totalement en arrière ; et processus de fabrication associés
US20080035198A1 (en) 2004-10-14 2008-02-14 Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh Method for the Contact Separation of Electrically-Conducting Layers on the Back Contacts of Solar Cells and Corresponding Solar Cells

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4839312A (en) * 1978-03-16 1989-06-13 Energy Conversion Devices, Inc. Fluorinated precursors from which to fabricate amorphous semiconductor material
US4703553A (en) * 1986-06-16 1987-11-03 Spectrolab, Inc. Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
US5538564A (en) * 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
US5571339A (en) * 1995-04-17 1996-11-05 The Ohio State Univ. Research Found Hydrogen passivated heteroepitaxial III-V photovoltaic devices grown on lattice-mismatched substrates, and process
US5641362A (en) * 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US6262359B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
US7335835B2 (en) * 2002-11-08 2008-02-26 The Boeing Company Solar cell structure with by-pass diode and wrapped front-side diode interconnection
FR2906403B1 (fr) * 2006-09-21 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Procede de recuit de cellules photovoltaiques
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
JP2009152222A (ja) * 2006-10-27 2009-07-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
RU2331139C1 (ru) * 2007-02-28 2008-08-10 Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты)
ATE486370T1 (de) * 2007-05-07 2010-11-15 Georgia Tech Res Inst Herstellung eines hochwertigen rückseitigen kontakts mit lokaler rückseitiger siebdruckfläche
US20090101202A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Industrial Technology Research Institute Method of fast hydrogen passivation to solar cells made of crystalline silicon
US20100218821A1 (en) * 2009-03-02 2010-09-02 Sunyoung Kim Solar cell and method for manufacturing the same
TW201140866A (en) * 2009-12-07 2011-11-16 Applied Materials Inc Method of cleaning and forming a negatively charged passivation layer over a doped region

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6667434B2 (en) 2000-01-31 2003-12-23 Sanyo Electric Co., Ltd Solar cell module
WO2003083955A1 (fr) 2002-03-29 2003-10-09 Ebara Corporation Element photovoltaique et procede de fabrication
US20080035198A1 (en) 2004-10-14 2008-02-14 Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh Method for the Contact Separation of Electrically-Conducting Layers on the Back Contacts of Solar Cells and Corresponding Solar Cells
WO2006077343A1 (fr) 2005-01-20 2006-07-27 Commissariat A L'energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US20070137692A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
WO2007085072A1 (fr) 2006-01-26 2007-08-02 Arise Technologies Corporation Cellule solaire
US20070256728A1 (en) 2006-05-04 2007-11-08 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
EP1873840A1 (fr) 2006-06-30 2008-01-02 General Electric Company Dispositif photovoltaïque qui comprend une configuration de contac totalement en arrière ; et processus de fabrication associés

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BLANQUÉ ET AL.: "Laser fired contacts on amorphous silicon deposited by hot-wire CVD on crystalline silicon", 23RD EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 1 September 2008 (2008-09-01), pages 1393 - 1396
TUCCI ET AL., THIN SOLID FILMS, vol. 516, 2008, pages 6767 - 6770
TUCCI ET AL.: "Bragg reflector and laser fired back contact in a-Si:H/c-Si heterostructure", MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B, vol. 159-160, 2009, pages 48 - 52, XP026109083, DOI: doi:10.1016/j.mseb.2008.09.026

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140017850A1 (en) * 2011-03-25 2014-01-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for producing photoelectric conversion element
US9257593B2 (en) * 2011-03-25 2016-02-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for producing photoelectric conversion element
WO2013079800A1 (fr) * 2011-12-02 2013-06-06 Beneq Oy Structure de cellule photovoltaïque de silicium de type n
US8906734B2 (en) 2012-09-25 2014-12-09 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
US9202959B2 (en) 2012-09-25 2015-12-01 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
US10008624B2 (en) 2012-09-25 2018-06-26 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
US10388815B2 (en) 2012-09-25 2019-08-20 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
US8927323B2 (en) 2013-02-08 2015-01-06 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device
US9640699B2 (en) 2013-02-08 2017-05-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device
US9859455B2 (en) 2013-02-08 2018-01-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field
US9985167B2 (en) 2013-02-08 2018-05-29 International Business Machines Corporation Methods for forming an interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field
US10043935B2 (en) 2013-02-08 2018-08-07 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device
US10756230B2 (en) 2013-02-08 2020-08-25 International Business Machines Corporation Methods for forming an interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field
CN103746005A (zh) * 2014-01-17 2014-04-23 宁波富星太阳能有限公司 双层氮化硅减反射膜及其制备方法

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