WO2011126035A1 - サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体 - Google Patents

サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体 Download PDF

Info

Publication number
WO2011126035A1
WO2011126035A1 PCT/JP2011/058664 JP2011058664W WO2011126035A1 WO 2011126035 A1 WO2011126035 A1 WO 2011126035A1 JP 2011058664 W JP2011058664 W JP 2011058664W WO 2011126035 A1 WO2011126035 A1 WO 2011126035A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sialon
powder
oxide
producing
nitrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/058664
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
昌孝 藤永
孝之 上田
慎輔 治田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Priority to EP11765935.9A priority Critical patent/EP2554629B1/en
Priority to JP2012509679A priority patent/JP5170344B2/ja
Priority to CN201180011395.XA priority patent/CN102782085B/zh
Priority to US13/637,109 priority patent/US8974698B2/en
Priority to KR1020127023910A priority patent/KR101455486B1/ko
Publication of WO2011126035A1 publication Critical patent/WO2011126035A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing an ⁇ -sialon oxynitride phosphor and a sialon oxynitride phosphor.
  • an ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor activated with a rare earth metal element in a powder state that realizes high brightness of a white light emitting diode (white LED) using a blue light emitting diode (blue LED) as a light source
  • a sialon-based oxynitride phosphor activated with a rare earth metal element in a powder state that realizes high brightness of a white light emitting diode (white LED) using a blue light emitting diode (blue LED) as a light source
  • a sialon-based oxynitride phosphor activated with a rare earth metal element in a powder state that realizes high brightness of a white light emitting diode (white LED) using a blue light emitting diode (blue LED
  • a phosphor in which silicate, phosphate (for example, apatite, etc.), and aluminate are used as a base material, and transition metals or rare earth metals are added to these base materials as an activator is widely known.
  • silicate, phosphate for example, apatite, etc.
  • aluminate for example, apatite, etc.
  • transition metals or rare earth metals are added to these base materials as an activator.
  • the white LED currently being developed is a blue LED surface coated with a YAG (yttrium, aluminum, garnet) phosphor.
  • the YAG phosphor activated by Ce yellows the blue LED blue light. Convert to light. Part of the blue light with a wavelength of 450 nm emitted from the blue LED passes through the phosphor layer, and the rest hits the phosphor and is converted into yellow light. The blue and yellow light will be mixed and appear white.
  • the YAG phosphor does not only have a bluish white light because the spectrum intensity decreases, but the excitation energy of the blue LED does not match the excitation energy of the YAG phosphor. Therefore, there is a problem that the luminous efficiency is low. There is also a problem that the durability of the coated phosphor layer is insufficient. For this reason, the performance improvement of the fluorescent substance itself used for wavelength conversion is calculated
  • M is at least one metal selected from Li, Ca, Mg, Y, or a lanthanide metal excluding La, Ce
  • Disclosed is an ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor substituted with a lanthanide metal Ln (Ln is at least one lanthanide metal selected from Eu, Dy, Er, Tb, and Yb) that is the center of light emission.
  • the ⁇ -sialon oxynitride phosphor disclosed in Patent Document 1 is a certain excellent phosphor, but it is desirable to further improve the emission intensity of the phosphor.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing a photoluminescence phosphor capable of realizing a high brightness of a white LED having a blue LED as a light source in the oxynitride phosphor mainly composed of.
  • the present applicant obtains a photoluminescence phosphor that can realize high brightness of white LEDs using blue LEDs as a light source by using amorphous silicon nitride powder with a high light packing density as a raw material.
  • the present invention has been completed.
  • the present invention includes an amorphous silicon nitride powder having a light packing density of 0.1 to 0.3 g / cm 3 , and typically further includes an AlN and / or Al powder, an oxide of metal M, or thermal decomposition.
  • the product has the formula M x Si 12- (m + n ) Al (m + n) O n n 16 -n: Ln y (In the formula, M is at least one metal selected from Li, Ca, Mg, Y, or a lanthanide metal excluding La, Ce, and Ln is at least selected from Eu, Dy, Er, Tb, Yb.
  • the present invention also relates to a method for producing a powdered ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor, wherein the amorphous silicon nitride powder has a specific surface area of more than 600 to 800 m 2 / g.
  • the oxynitride phosphor mainly composed of ⁇ -sialon of the present invention has high emission intensity and an appropriate spectrum, it is a high-brightness and highly reliable white LED using a blue LED as a light source. Can be used.
  • the method for producing a powdered ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor of the present invention includes an amorphous silicon nitride powder having a light weight density of 0.1 to 0.3 g / cm 3 , typically AlN and / or Alternatively, an Al powder, an oxide of metal M or a precursor material that becomes an oxide by thermal decomposition, and an oxide of lanthanide metal Ln or a precursor material that becomes an oxide by thermal decomposition, a product of formula M x Si 12- (m + n) Al ( m + n) O n n 16-n: in Ln y (wherein, M is, Li, Ca, Mg, Y or La, at least one metal selected from the lanthanide metal excluding Ce, Ln is at least one lanthanide metal selected from Eu, Dy, Er, Tb, and Yb, and 0.3 ⁇ x + y ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 0.7, 0.3 ⁇ m
  • This following general formula M x Si represent the ⁇ - sialon-based oxynitride phosphor produced by the method of the invention 12- (m + n) Al ( m + n) O n N 16-n: Ln y
  • the metal M penetrating into ⁇ -sialon and the lanthanide metal Ln serving as the center of light emission are one large unit cell of ⁇ -sialon containing four formulas of (Si, Al) 3 (N, O) 4
  • a white LED having a blue LED as a light source is produced. It is possible to obtain a photoluminescence phosphor that can achieve brightness.
  • the light packing density of the amorphous silicon nitride powder is 0.1 to 0.3 g / cm 3 , preferably 0.16 to 0.22 g / cm 3 .
  • the light weight density of the powder is measured in accordance with JIS R9301-2-3. Specifically, it is a value calculated from the weight and volume of the sample by slowly dropping the sample through the chute into the measuring container. .
  • the specific surface area of the silicon amorphous nitride powder is a 600 super ⁇ 800 cm 2 / g, preferably 650 ⁇ 800cm 2 / g.
  • the specific surface area is 600 cm 2 / g or less, the crystallinity of ⁇ -sialon is lowered and the fluorescence characteristics are not improved.
  • the specific surface area is larger than 800 cm 2 / g, a crystal phase other than ⁇ -sialon is generated, and the fluorescence characteristics are deteriorated.
  • the amorphous silicon nitride powder having a light weight density of 0.16 to 0.22 g / cm 3 used in the present invention is not limited, but a nitrogen-containing silane compound powder having a light weight density of 0.10 to 0.30 g / cm 3 is used. It can be manufactured by heat treatment. Further, a powder of a nitrogen-containing silane compound having a light packing density of 0.10 to 0.30 g / cm 3 can be obtained by the manufacturing method disclosed by the present applicant in Japanese Patent Application Nos. 2009-82730 and 2009-82747. . The manufacturing method will be described below.
  • the nitrogen-containing silane compound powder having a light weight density of 0.10 to 0.30 g / cm 3 is obtained by mixing the halogenated silane compound with liquid ammonia and reacting the halogenated silane compound with no solvent or halogenated silane. It can be manufactured by a manufacturing method characterized in that a solution of an inert organic solvent having a compound concentration of 50 vol% or more is supplied by being discharged from a supply port into liquid ammonia.
  • halogenated silane used in the method for producing the nitrogen-containing silane compound powder examples include fluorinated silanes such as SiF 4 , H 2 SiF 6 , HSiF 3 , H 3 SiF 5 H 3 SiF, and H 5 SiF 3 , SiCl 4 , Silane chloride such as HSiCl 3 , H 2 SiCl 2 , H 3 SiCl, bromide silane such as SiBr 4 , HSiBr 3 , H 2 SiBr 2 , H 3 SiBr, SiI 4 , HSiI 3 , H 2 SiI 2 , H 3 SiI Silane iodide silanes can be used.
  • RSiX 3, R 2 SiX 2 , R 3 SiX R is an alkyl or alkoxy group, X is a halogen
  • halogenated silane such as SiF 4 , H 2 SiF 6 , HSiF 3 , H 3 SiF 5 H 3 SiF, and H 5
  • the halogenated silane can be supplied as a solvent-free solution or a solution diluted with a small amount of an organic solvent.
  • the filtrate obtained by filtering the produced nitrogen-containing silane compound powder from the reaction slurry is composed of only two components, liquid ammonia and ammonium halide dissolved in the ammonia. .
  • the organic solvent used for diluting the halogenated silane can be appropriately selected from those which dissolve the halogenated silane and do not react with the halogenated silane or liquid ammonia.
  • chain aliphatic hydrocarbons having 5 to 12 carbon atoms such as n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, cyclic aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane and cyclooctane, toluene And aromatic hydrocarbons such as xylene.
  • the preferable halogenated silane concentration in the mixed solution of the organic solvent and the halogenated silane is 50 vol% or more, more preferably 66 vol% or more. If the concentration is less than 50 vol%, a sufficient increase in apparent density cannot be obtained for the produced nitrogen-containing silane compound powder.
  • a discharge port for supplying the halogenated silane as a solution without solvent or diluted with a small amount of an organic solvent is installed in liquid ammonia in the reactor.
  • the discharge linear velocity from the supply port is preferably maintained at 5 cm / sec or more. If the linear velocity is not sufficient, a small amount of ammonia tends to enter from the discharge port into the supply pipe by diffusion. As a result, the supply pipe is likely to be clogged due to the formation of a nitrogen silane compound in the vicinity of the discharge port or the precipitation of by-product ammonium halide, which is not practical. More preferably, the discharge linear velocity from the supply port is maintained at 8 cm / sec or more.
  • the discharge pressure of the supply pump when supplying the halogenated silane as a solution without solvent or diluted with a small amount of organic solvent should be such that a sufficient pressure difference can be produced.
  • the above mixing ratio refers to the ratio of the total amount of halogenated silane and liquid ammonia supplied to the reactor per batch when the reaction is carried out in a batch mode. Refers to the ratio of the volume flow rate of the halogenated silane and liquid ammonia.
  • reaction temperature for carrying out the production of this nitrogen-containing silane compound, and it can be selected in the range from low temperature to room temperature depending on the equipment specifications. However, if the reaction temperature is increased, the vapor pressure of liquid ammonia will increase. It is necessary to increase the pressure specification of the vessel. On the other hand, if the reaction temperature is too low, an excessive load is applied to the cooling facility.
  • a suitable reaction temperature range is ⁇ 10 to 40 ° C., more preferably 0 to 30 ° C.
  • the pressure at the time of producing this nitrogen-containing silane compound is substantially defined by the vapor pressure of liquid ammonia occupying most of the reaction slurry. Since the vapor pressure of liquid ammonia in the reaction slurry depends on the reaction temperature, the pressure at which the reaction is performed is a value corresponding to the reaction temperature.
  • the preferred range of pressure is 0.3 to 1.6 MPa, more preferably 0.4 to 1.6 MPa (absolute pressure). Under the pressure conditions set in this way, liquid ammonia exists at a temperature close to the boiling point, and the large reaction heat generated when synthesizing the nitrogen-containing silane compound is caused by evaporation of ammonia present in the vicinity. Can be absorbed.
  • This nitrogen-containing silane compound is a compound generally called silicon diimide, but it easily absorbs or releases NH 3 even near room temperature, and Si 6 N 13 H 15 , Si 6 N 12 H 12 , Si 6 N 11 H 9.
  • Si—N—H compounds that can exist in various composition formulas such as This nitrogen-containing silane compound or silicon diimide is often represented by the formula Si (NH) 2 , but is considered to be a compound having an imino group or amino group bonded to silicon, and has the chemical formula Si (NH x ) y (Wherein x is 1 or 2, and y is 2 to 4).
  • the nitrogen-containing silane compound has a light weight density after production of 0.10 to 0.30 g / cm 3 , preferably 0.16 to 0.22 g / cm 3.
  • the true density is 1.4 to 1.9 g / cm 3 , more preferably 1.5 to 1.7 g / cm 3
  • the specific surface area is 700 to 700 for nitrogen-containing silane compounds. It can be set to 1100 m 2 / g, more preferably 800 to 1000 m 2 / g.
  • the diatomaceous density by heat treatment of the nitrogen-containing silane compound of 0.10 ⁇ 0.30g / cm 3, can be loosed density obtained amorphous silicon nitride 0.10 ⁇ 0.30g / cm 3.
  • a heat treatment for obtaining amorphous silicon nitride having a light packing density of 0.10 to 0.30 g / cm 3 from a nitrogen-containing silane compound having a light packing density of 0.10 to 0.30 g / cm 3 for example, an inert gas or a nitrogen atmosphere Among them, it can be obtained by baking at 600 to 1200 ° C.
  • AlN and / or Al powder is used as an aluminum source used as a raw material together with the amorphous silicon nitride.
  • Each of the powders may be used alone or in combination.
  • the aluminum nitride powder a general powder having an oxygen content of 0.1 to 8% by mass and a specific surface area of 1 to 100 m 2 / g can be used.
  • an oxide of metal M or a precursor substance that generates an oxide of metal M by thermal decomposition and an oxide of lanthanide metal Ln
  • a precursor material that generates an oxide of lanthanide metal Ln by thermal decomposition can be used.
  • Metal salts that generate an oxide of metal M or lanthanide metal Ln by thermal decomposition include respective carbonates and oxalates. Citrate, basic carbonate, hydroxide and the like.
  • the product was calcined as described above general formula M x Si 12- (m + n ) Al (m + n) O n N 16-n: Ln y (wherein, M is, Li, Ca, It is at least one metal selected from lanthanide metals excluding Mg, Y, or La and Ce, and Ln is at least one lanthanide metal selected from Eu, Dy, Er, Tb, Yb, and 0.3 ⁇ x + y ⁇ 1.5, 0 ⁇ y ⁇ 0.7, 0.3 ⁇ m ⁇ 4.5, 0 ⁇ n ⁇ 2.25)).
  • M x Si 12- (m + n ) Al (m + n) O n n 16-n a mixture obtained by adding ⁇ - sialon powder represented by Ln y can be performed deformation such as a starting material.
  • the method for mixing each of the starting materials is not particularly limited.
  • a method known per se for example, a dry mixing method, a wet mixing in an inert solvent that does not substantially react with each component of the starting material, and then the solvent is added.
  • a removal method or the like can be employed.
  • a V-type mixer, a rocking mixer, a ball mill, a vibration mill, a medium stirring mill, or the like is preferably used.
  • the nitrogen-containing silane compound and / or amorphous silicon nitride powder is extremely sensitive to moisture and moisture, it is necessary to mix the starting materials in a controlled inert gas atmosphere.
  • the mixture of starting materials is calcined at 1400 to 2000 ° C., preferably 1500 to 1800 ° C. in a nitrogen-containing inert gas atmosphere at 1 atm to obtain the desired ⁇ -sialon powder.
  • the firing temperature is lower than 1400 ° C., it takes a long time to produce the desired ⁇ -sialon powder, which is not practical.
  • generation powder also falls.
  • the firing temperature exceeds 2000 ° C. an undesirable situation occurs in which silicon nitride and sialon undergo sublimation decomposition and free silicon is generated.
  • ⁇ -sialon and Li compound can be mixed and then reheated at 1000 to 1400 ° C. in a nitrogen-containing inert gas atmosphere.
  • the starting raw material mixed powder can be fired in a temperature range of 1600 to 2000 ° C., preferably 1600 to 1900 ° C., under a pressurized nitrogen gas atmosphere.
  • nitrogen gas pressurization suppresses sublimation decomposition of silicon nitride and sialon at a high temperature, and a desired ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor can be obtained in a short time.
  • the firing temperature can be increased by increasing the nitrogen gas pressure. For example, firing can be performed at 1600 to 1850 ° C. under a nitrogen gas pressure of 5 atm and 1600 to 2000 ° C. under a nitrogen gas pressure of 10 atm.
  • ⁇ -sialon and Li compound can be mixed and then reheated at 1000 to 1400 ° C. in a nitrogen-containing inert gas atmosphere.
  • heating furnace used for firing the powder mixture.
  • a batch-type electric furnace, rotary kiln, fluidized firing furnace, pusher-type electric furnace, or the like using a high-frequency induction heating system or a resistance heating system is used. be able to.
  • the powdery ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor manufactured by the manufacturing method of the present invention is composed of the ⁇ -sialon-based oxynitride represented by the above general formula, but the fluorescence emission intensity is the conventional ⁇ . -Improved from sialon-based oxynitride phosphors.
  • the median diameter in the particle size distribution curve of the ⁇ -sialon-based oxynitride phosphor is preferably 8 ⁇ m or less, particularly preferably 1 to 6 ⁇ m.
  • the ⁇ -sialon oxynitride phosphor activated with rare earth elements of the present invention is kneaded with a transparent resin such as an epoxy resin or an acrylic resin by a known method to produce a coating agent, and the surface is coated with the coating agent.
  • a transparent resin such as an epoxy resin or an acrylic resin
  • the coated light emitting diode is used as a light conversion element.
  • Examples 1-5 Silicon diimide having a specific surface area of 1104 m 2 / g obtained by reacting liquid ammonia in the absence of solvent or in a solution of an inert organic solvent having a silicon tetrachloride concentration of 50 vol% or more is thermally decomposed at 600 to 1200 ° C.
  • an amorphous silicon nitride powder having a light packing density of 0.18 to 0.22 g / cm 3 and a specific surface area of 689 to 782 m 2 / g was obtained.
  • the metal impurities mixed in the amorphous silicon nitride powder are reduced to 10 ppm or less by a known method for improving the friction state between the powder and the metal in the reaction vessel material and the powder handling device. Further, the oxygen concentration in the nitrogen gas circulated in the heating furnace can be controlled in the range of 20 ppm to 1000 ppm.
  • nitrogen gas is added to the aluminum nitride powder, lithium carbonate powder, lithium nitride powder, and europium oxide powder so as to have the composition shown in Table 1.
  • the mixture was mixed with a vibration mill in a nitrogen gas atmosphere for 1 hour.
  • the powder is taken out in a nitrogen-purged glow box, filled in a crucible, set in a resistance heating electric furnace, and from room temperature to 1200 ° C for 2 hours in a normal pressure nitrogen atmosphere, 1200 ° C to 1440 ° C.
  • the temperature was raised for 4 hours and further from 1440 ° C. to 1725 ° C. on a schedule of 2 hours and held for 12 hours for crystallization to obtain ⁇ -sialon powder.
  • ⁇ -sialon and lithium oxide were mixed and then heat-treated at 1400 ° C. in a nitrogen atmosphere at normal pressure.
  • the obtained powder was pulverized using an agate mortar, dry pulverizer, and wet pulverizer.
  • fluorescence characteristics were evaluated using an FP-6500 with an integrating sphere manufactured by JASCO Corporation at an excitation wavelength of 450 nm.
  • the intensity of the dominant wavelength is shown in Tables 1 and 2).
  • the light packing density of the powder in the present invention was determined by a method based on JIS R9301-2-3.
  • the specific surface area was measured by a BET method using a nitrogen gas adsorption method.
  • a silicon diimide having a light packing density of 0.08 g / cm 2 and a specific surface area of 869 m 2 / g obtained by reacting a toluene solution having a silicon tetrachloride concentration of 33 vol% with liquid ammonia is thermally decomposed at 600 to 1200 ° C.
  • an amorphous silicon nitride powder having a light packing density of 0.09 g / cm 2 and a specific surface area of 463 m 2 / g was obtained.
  • ⁇ -sialon was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, but with the blending ratios shown in Comparative Examples 1 to 4 in Table 1.
  • Comparative Example 5 As in Example 1, however, ⁇ -sialon was prepared and evaluated at the blending ratio shown in Comparative Example 5 in Table 1.
  • Examples 6 to 9 Silicon diimide having a specific surface area of 1104 m 2 / g obtained by reacting liquid ammonia in the absence of solvent or in a solution of an inert organic solvent having a silicon tetrachloride concentration of 50 vol% or more is thermally decomposed at 600 to 1200 ° C.
  • an amorphous silicon nitride powder having a light packing density of 0.18 to 0.22 g / cm 3 and a specific surface area of 689 to 782 m 2 / g was obtained.
  • the metal impurities mixed in the amorphous silicon nitride powder are reduced to 10 ppm or less by a known method for improving the friction state between the powder and the metal in the reaction vessel material and the powder handling device. Further, the oxygen concentration in the nitrogen gas circulated in the heating furnace can be controlled in the range of 20 ppm to 1000 ppm.
  • nitrogen gas is added to the aluminum nitride powder, calcium carbonate powder, calcium nitride powder, and europium oxide powder so as to have the composition shown in Table 2.
  • the mixture was mixed with a vibration mill in a nitrogen gas atmosphere for 1 hour.
  • the powder is taken out in a nitrogen-purged glow box, filled in a crucible, set in a resistance heating electric furnace, and from room temperature to 1200 ° C for 2 hours in a normal pressure nitrogen atmosphere, 1200 ° C to 1440 ° C.
  • the temperature was raised for 4 hours and further from 1440 ° C. to 1725 ° C. on a schedule of 2 hours and held for 12 hours for crystallization to obtain ⁇ -sialon powder.
  • the obtained powder was pulverized using an agate mortar, dry pulverizer, and wet pulverizer. After setting to a predetermined particle size, fluorescence characteristics were measured using an FP-6500 with an integrating sphere manufactured by JASCO Corporation.
  • ⁇ -sialon was prepared and evaluated in the same manner as in Example 6, but with the blending ratios shown in Comparative Examples 6 to 8 in Table 1.
  • Comparative Examples 9 and 10 As in Example 6, however, ⁇ -sialon was prepared and evaluated at the blending ratios shown in Comparative Examples 9 and 10 in Table 2.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

　α－サイアロンを主成分とする酸窒化物蛍光体において、青色ＬＥＤを光源とする白色ＬＥＤの高輝度化を実現できるフォトルミネッセンス蛍光体の製造方法を提供する。軽装密度０．１６～０．２２ｇ／ｃｍ3のアモルファス窒化ケイ素粉末を含み、生成物が式ＭxＳｉ12-(m+n)Ａｌ(m+n)ＯnＮ16-n：Ｌｎy（Ｍは、Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｙ、またはＬａ，Ｃｅを除くランタニド金属から選ばれる少なくとも１種の金属であり、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｙｂから選ばれる少なくとも１種のランタニド金属である。）で表わされる様に配合された混合粉末を、窒素を含有する不活性ガス雰囲気中１４００～２０００℃で焼成することを特徴とするα－サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。

Description

サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体
　本発明は、α−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体に関する。具体的には、青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）を光源とする白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ）の高輝度化を実現する、粉末状態の希土類金属元素で賦活されたα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体に関する。
　ケイ酸塩、リン酸塩（たとえば、アパタイトなど）、アルミン酸塩を母体材料とし、これら母体材料に遷移金属もしくは希土類金属を賦活材として添加した蛍光体が、広く知られている。特に、近年、青色ＬＥＤが実用化されたことにより、この青色ＬＥＤを利用した白色光源の開発が精力的に行われている。白色ＬＥＤは、既存の白色光源に比べて消費電力が低く、長寿命であることが期待されることから、液晶パネル用バックライト、屋内照明器具、自動車のパネル用バックライトなどへの用途開発が進行している。
　現在開発されている白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤの表面にＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光体を塗布したものであり、Ｃｅで賦活されたＹＡＧ系蛍光体が青色ＬＥＤの青色光を黄色光に変換する。青色ＬＥＤが放射する波長４５０ｎｍの青色光の一部は蛍光体層を透過し、残りは蛍光体に当たって黄色光に変換される。この青色、黄色の２色光が混ざり合って白色に見えることになる。
　しかしながら、ＹＡＧ系蛍光体は、励起波長が４００ｎｍを超えるとスペクトル強度が低下するので青味がかった白色光となるばかりでなく、青色ＬＥＤの励起エネルギーとＹＡＧ系蛍光体の励起エネルギーとが一致しないので発光効率が低いという課題がある。また、コーティングされた蛍光体層の耐久性が不十分であるという問題もある。このため、波長変換に使用する蛍光体自体の性能改善が求められている。
　本出願人は、特許文献１において、一般式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ（式中、０．３≦ｘ＋ｙ＜１．５，０＜ｙ＜０．７，０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５、金属Ｍの原子価をａ、ランタニド金属Ｌｎの原子価をｂとするとき、ｍ＝ａｘ＋ｂｙである。）で表わされ、α−サイアロンに固溶する金属Ｍ（Ｍは、Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｙ、またはＬａ，Ｃｅを除くランタニド金属から選ばれる少なくとも１種の金属）の一部または全てが、発光の中心となるランタニド金属Ｌｎ（Ｌｎは、Ｅｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｙｂから選ばれる少なくとも１種のランタニド金属）で置換されたα−サイアロン系酸窒化物蛍光体を開示した。
　この特許文献１に開示されているα−サイアロン系酸窒化物蛍光体は一定の優れた蛍光体であるが、蛍光体の発光強度をさらに改良することが望ましい。
特開２００４−２３８５０５号公報
　本発明は、一般式：ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ（式中、０．３≦ｘ＋ｙ＜１．５，０＜ｙ＜０．７，０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５、金属Ｍの原子価をａ、ランタニド金属Ｌｎの原子価をｂとするとき、ｍ＝ａｘ＋ｂｙである）で表わされるα−サイアロンを主成分とする酸窒化物蛍光体において、青色ＬＥＤを光源とする白色ＬＥＤの高輝度化を実現できるフォトルミネッセンス蛍光体の製造方法を提供することを目的とする。
　本出願人は、酸窒化物蛍光体の製造において、軽装密度の高いアモルファス窒化ケイ素粉末を原料として用いて、青色ＬＥＤを光源とする白色ＬＥＤの高輝度化を実現できるフォトルミネッセンス蛍光体を得ることができることを見出し、本発明を完成した。
　すなわち、本発明は、軽装密度０．１~０．３ｇ／ｃｍ３であるアモルファス窒化ケイ素粉末を含み、代表的には、さらに、ＡｌＮおよび／またはＡｌ粉末と、金属Ｍの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質と、ランタニド金属Ｌｎの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質とを、生成物が式
　ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ
（式中、Ｍは、Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｙ、またはＬａ，Ｃｅを除くランタニド金属から選ばれる少なくとも１種の金属であり、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｙｂから選ばれる少なくとも１種のランタニド金属であり、０．３≦ｘ＋ｙ＜１．５、０＜ｙ＜０．７、０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。）
で表わされるとして計算した配合割合で組合せた混合粉末を、窒素を含有する不活性ガス雰囲気中１４００~２０００℃で焼成することを特徴とする、粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法に関する。
　また、本発明は、前記アモルファス窒化ケイ素粉末の比表面積が６００超~８００ｍ２／ｇであることを特徴とする粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法に関する。
　本発明のα−サイアロンを主成分とする酸窒化物蛍光体は、発光強度が高く、スペクトルも適正な波長であるため、青色ＬＥＤを光源とする、高輝度で、信頼性の高い白色ＬＥＤとして使用することができる。
　本発明の粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法は、軽装密度が０．１~０．３ｇ／ｃｍ３であるアモルファス窒化ケイ素粉末を含み、代表的には、ＡｌＮおよび／またはＡｌ粉末と、金属Ｍの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質と、ランタニド金属Ｌｎの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質とを、生成物が式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ（式中、Ｍは、Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｙ、またはＬａ，Ｃｅを除くランタニド金属から選ばれる少なくとも１種の金属であり、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｙｂから選ばれる少なくとも１種のランタニド金属であり、０．３≦ｘ＋ｙ＜１．５、０＜ｙ＜０．７，０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。）で表わされるとして計算した配合割合で組合せた混合粉末を、窒素を含有する不活性ガス雰囲気中１４００~２０００℃で焼成することを特徴とする、粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法にある。
　本発明の製造方法で製造するα−サイアロン系酸窒化物蛍光体を表す下記一般式
　ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ
において、α−サイアロンに侵入固溶する金属Ｍ及び発光の中心となるランタニド金属Ｌｎは、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｎ，Ｏ）４の４式量を含むα−サイアロンの大きな単位胞１個当たり最高２個まで固溶するので、固溶限界の観点から、前記の一般式において、０．３≦ｘ＋ｙ＜１．５，０＜ｙ＜０．７，０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５となり、金属Ｍの原子価をａ、ランタニド金属Ｌｎの原子価をｂとするとき、ｍ＝ａｘ＋ｂｙである。例えば、侵入金属Ｍ、Ｌｎが総て２価のときは、０．６≦ｍ＜３．０かつ０＜ｎ＜１．５であり、侵入金属Ｍ、Ｌｎが総て３価のときは、０．９≦ｍ＜４．５かつ０＜ｎ＜２．２５である。
　軽装密度が０．１~０．３ｇ／ｃｍ３であるアモルファス窒化ケイ素粉末を含む出発原料を用いて、α−サイアロン系酸窒化物蛍光体を製造すると、青色ＬＥＤを光源とする白色ＬＥＤの高輝度化を実現できるフォトルミネッセンス蛍光体を得ることができる。アモルファス窒化ケイ素粉末の軽装密度は、０．１~０．３ｇ／ｃｍ３であるが、０．１６~０．２２ｇ／ｃｍ３が好ましい。軽装密度が０．１ｇ／ｃｍ３未満では、蛍光強度を向上させる効果がなく、０．３ｇ／ｃｍ３を超えると、蛍光特性が低下する。
　ここで、粉末の軽装密度はＪＩＳ　Ｒ９３０１−２−３に準拠して測定するが、具体的には、サンプルをシュートを通じてゆっくりと測定容器に落下させて、その重さと体積から算出した値である。
　また、アモルファス窒化ケイ素粉末の比表面積は、６００超~８００ｃｍ２／ｇであるが、６５０~８００ｃｍ２／ｇが好ましい。比表面積が６００ｃｍ２／ｇ以下では、α−サイアロンの結晶性が低下し、蛍光特性が向上しない。比表面積８００ｃｍ２／ｇより大きいと、α−サイアロン以外の結晶相が生成し、蛍光特性が低下する。
　本発明に用いる軽装密度が０．１６~０．２２ｇ／ｃｍ３であるアモルファス窒化ケイ素粉末は、限定されないが、軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３である含窒素シラン化合物粉末を加熱処理して製造することができる。また、軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３の含窒素シラン化合物の粉末は、本出願人が特願２００９−８２７３０号及び特願２００９−８２７４７号に開示した製法により得ることができる。以下にその製造方法を説明する。
　この軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３である含窒素シラン化合物粉末は、ハロゲン化シラン化合物を液体アンモニアと混合して反応させるに際し、ハロゲン化シラン化合物を無溶媒かあるいはハロゲン化シラン化合物濃度が５０ｖｏｌ％以上の不活性有機溶媒の溶液として液体アンモニア中に供給口から吐出させて供給することを特徴とする製造方法によって製造することができる。
　この含窒素シラン化合物粉末の製造方法で使用するハロゲン化シランとしては、ＳｉＦ４、Ｈ２ＳｉＦ６、ＨＳｉＦ３、Ｈ３ＳｉＦ５Ｈ３ＳｉＦ、Ｈ５ＳｉＦ３等の弗化シラン、ＳｉＣｌ４、ＨＳｉＣｌ３、Ｈ２ＳｉＣｌ２、Ｈ３ＳｉＣｌ等の塩化シラン、ＳｉＢｒ４、ＨＳｉＢｒ３、Ｈ２ＳｉＢｒ２、Ｈ３ＳｉＢｒ等の臭化シラン、ＳｉＩ４、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ等のヨウ化シランを使用することができる。また、ＲＳｉＸ３、Ｒ２ＳｉＸ２、Ｒ３ＳｉＸ（Ｒはアルキル又はアルコキシ基、Ｘはハロゲン）等のハロゲン化シランも使用することができる。
　この含窒素シラン化合物の製造方法の実施において、ハロゲン化シランは無溶媒あるいは少量の有機溶媒で希釈した溶液として供給することができる。ハロゲン化シランを無溶媒で供給した場合には、生成した含窒素シラン化合物粉末を反応スラリーからろ別して得られるろ液は、液体アンモニア及びこれに溶解したハロゲン化アンモニウムの二成分のみで構成される。
　ハロゲン化シランの希釈に使用する有機溶媒は、ハロゲン化シランを溶解し、ハロゲン化シランや液体アンモニアと反応しないものの中から適宜選択して使用することができる。例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタンなどのような炭素数５~１２の鎖状の脂肪族炭化水素、シクロヘキサンやシクロオクタンのような環状の脂肪族炭化水素、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などを挙げることが出来る。
　有機溶媒とハロゲン化シランとの混合溶液における好ましいハロゲン化シラン濃度は、５０ｖｏｌ％以上、より好ましくは６６ｖｏｌ％以上である。５０ｖｏｌ％未満の濃度では、生成する含窒素シラン化合物粉末について見掛け密度の充分な増加が得られない。
　この含窒素シラン化合物の製造方法の実施において、ハロゲン化シランを無溶媒あるいは少量の有機溶媒で希釈した溶液として供給する際の吐出口は反応器内の液体アンモニア中に設置される。このときの供給口からの吐出線速度は５ｃｍ／ｓｅｃ以上に保つことが好ましい。線速度が充分でないと、吐出口から供給配管内部に向けて、微量のアンモニアが拡散によって侵入しやすくなる。この結果、吐出口近傍での窒素シラン化合物の生成や副生のハロゲン化アンモニウムの析出などによる供給配管の閉塞が起こりやすくなり、実用的でない。供給口からの吐出線速度は８ｃｍ／ｓｅｃ以上に保つことがより好ましい。
　この含窒素シラン化合物の製造の実施において、ハロゲン化シランを無溶媒あるいは少量の有機溶媒で希釈した溶液として供給する際の供給ポンプの吐出圧力は、充分な圧力差を出せるようにしておくことが好ましい。例えば、反応器の圧力に対し５．９ＭＰａ以上、さらに好ましくは、７．８ＭＰａ以上の圧力差を出せる装置の能力を有することが望まれる。
　この含窒素シラン化合物の製造の実施において、反応器におけるハロゲン化シランと液体アンモニアの混合比率は、ハロゲン化シラン体積／液体アンモニア体積＝０．０１~０．１であることが好ましい。反応を実施する形式に特に制限はなく、バッチ式でも連続式でも良い。前記の混合比率は、反応をバッチ式で実施する場合には、１バッチあたりに反応器へ供給したハロゲン化シラン及び液体アンモニアの合計量の比率を指し、連続式の場合には、定常運転状態におけるハロゲン化シラン及び液体アンモニアの体積流量の比率を指す。
　この含窒素シラン化合物の製造を実施する反応温度に特別な制限はなく、設備仕様に応じて低温から常温の範囲で選択することができるが、反応温度を高くすると液体アンモニアの蒸気圧が高まり反応器の圧力仕様を高くする必要が生じる。一方、反応温度が低過ぎると冷却設備に過大な負荷がかかってしまう。好適な反応温度範囲は−１０~４０℃、より好ましくは０~３０℃である。
　この含窒素シラン化合物の製造を実施する際の圧力は、反応スラリーの大部分を占める液体アンモニアの蒸気圧によって実質的に規定される。反応スラリー中の液体アンモニアの蒸気圧は反応温度に依存するため、反応を実施する圧力は反応温度に対応した値となる。圧力の好適な範囲は０．３~１．６ＭＰａ、より好ましくは０．４~１．６ＭＰａである（絶対圧）。このように設定された圧力条件下では、液体アンモニアは沸点近傍の温度で存在しており、含窒素シラン化合物を合成する際に発生する大きな反応熱は、近傍に存在するアンモニアが蒸発することによって吸収することができる。
　この含窒素シラン化合物は、一般にシリコンジイミドとも呼ばれる化合物であるが、室温付近でも容易にＮＨ３を吸収又は放出し、Ｓｉ６Ｎ１３Ｈ１５，Ｓｉ６Ｎ１２Ｈ１２，Ｓｉ６Ｎ１１Ｈ９などの種々の組成式で存在し得るＳｉ−Ｎ−Ｈ系化合物である。この含窒素シラン化合物あるいはシリコンジイミドは、Ｓｉ（ＮＨ）２という式で表されることが多いが、ケイ素に結合したイミノ基又はアミノ基を有する化合物であると考えて化学式Ｓｉ（ＮＨｘ）ｙ（式中、ｘは１又は２であり、ｙは２~４である）で表されることもある。
　この含窒素シラン化合物は、上記の如く、製造後の軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３、好ましくは０．１６~０．２２ｇ／ｃｍ３であることを特徴とするが、そのほか、限定するわけではないが、一般的に、真密度は１．４~１．９ｇ／ｃｍ３、より好ましくは１．５~１．７ｇ／ｃｍ３、比表面積は含窒素シラン化合物では７００~１１００ｍ２／ｇ、より好ましくは８００~１０００ｍ２／ｇにすることができる。
　この軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３の含窒素シラン化合物を熱処理することで、軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３のアモルファス窒化珪素を得ることができる。軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３の含窒素シラン化合物から軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３のアモルファス窒化珪素を得る熱処理としては、たとえば、不活性ガス又は窒素雰囲気中で、６００~１２００℃で焼成することによって得ることができる。
　本発明の粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法において、上記のアモルファス窒化珪素とともに原料として用いるアルミニウム源としては、ＡｌＮおよび／またはＡｌ粉末を用いるが、金属アルミニウム粉末、窒化アルミニウム粉末の夫々を単独で使用しても良く、併用しても良い。窒化アルミニウム粉末は、酸素含有量が０．１~８質量％、比表面積が１~１００ｍ２／ｇの一般的なものを使用することができる。
　本発明の粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法では、そのほか、金属Ｍの酸化物または熱分解により金属Ｍの酸化物を生成する前駆体物質、及びランタニド金属Ｌｎの酸化物または熱分解によりランタニド金属Ｌｎの酸化物を生成する前駆体物質を用いることができるが、熱分解により金属Ｍまたはランタニド金属Ｌｎの酸化物を生成する金属塩類としては、夫々の炭酸塩、蓚酸塩、クエン酸塩、塩基性炭酸塩、水酸化物等を挙げることができる。
　また、出発原料としては、上記の如く焼成して生成物が一般式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ（式中、Ｍは、Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｙ、またはＬａ，Ｃｅを除くランタニド金属から選ばれる少なくとも１種の金属であり、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｙｂから選ばれる少なくとも１種のランタニド金属であり、０．３≦ｘ＋ｙ＜１．５、０＜ｙ＜０．７、０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。）で表わされる配合割合の混合粉末に、予め合成された同じく一般式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙで表わされるα−サイアロン粉末を添加した混合物を出発原料とするなどの変形を行うこともできる。
　前記した各出発原料を混合する方法については、特に制約は無く、それ自体公知の方法、例えば、乾式混合する方法、原料各成分と実質的に反応しない不活性溶媒中で湿式混合した後に溶媒を除去する方法などを採用することができる。混合装置としては、Ｖ型混合機、ロッキングミキサー、ボールミル、振動ミル、媒体攪拌ミルなどが好適に使用される。但し、含窒素シラン化合物および／またはアモルファス窒化ケイ素粉末は、水分、湿気に対して極めて敏感であるので、出発原料の混合は、制御された不活性ガス雰囲気下で行うことが必要である。
　出発原料の混合物は、１気圧の窒素含有不活性ガス雰囲気中１４００~２０００℃、好ましくは１５００~１８００℃で焼成され、目的とするα−サイアロン粉末が得られる。焼成温度が１４００℃よりも低いと、所望のα−サイアロン粉末の生成に長時間の加熱を要し、実用的でない。また、生成粉末中におけるα−サイアロン相の生成割合も低下する。焼成温度が２０００℃を超えると、窒化ケイ素およびサイアロンが昇華分解し、遊離のシリコンが生成する好ましくない事態が起こる。
　更に、α−サイアロンとＬｉ化合物を混合後、窒素含有不活性ガス雰囲気中１０００~１４００℃で再加熱することが出来る。
　出発原料混合粉末を、加圧窒素ガス雰囲気下１６００~２０００℃、好ましくは１６００~１９００℃の温度範囲で焼成することもできる。この場合には、窒素ガス加圧により、高温下での窒化ケイ素およびサイアロンの昇華分解が抑制され、短時間で所望のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体を得ることができる。窒素ガス圧を高くすることで焼成温度を上げることができるが、例えば５気圧の窒素ガス加圧下では１６００~１８５０℃、１０気圧の窒素ガス加圧下では１６００~２０００℃で焼成することができる。
　更に、α−サイアロンとＬｉ化合物を混合後、窒素含有不活性ガス雰囲気中１０００~１４００℃で再加熱することが出来る。
　粉末混合物の焼成に使用される加熱炉については、とくに制約は無く、例えば、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式によるバッチ式電気炉、ロータリーキルン、流動化焼成炉、プッシャ−式電気炉などを使用することができる。
　本発明の製造方法で製造される粉末状態のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体は、上記の一般式で表されるα−サイアロン系酸窒化物からなるが、蛍光の発光強度が従来のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体より改良されている。
　α−サイアロン系酸窒化物蛍光体の粒度分布曲線におけるメジアン径は８μｍ以下のものが好ましく、１~６μｍのものは特に好ましい。
　本発明の、希土類元素で賦活させたα−サイアロン系酸窒化物蛍光体は、公知の方法でエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の透明樹脂と混練されてコーティング剤が製造され、該コーティング剤で表面をコーティングされた発光ダイオードは、光変換素子として使用される。
　以下では具体的例を示し、本発明を更に詳細に説明する。
　実施例１~５
　四塩化ケイ素を無溶媒あるいは四塩化ケイ素濃度が５０ｖｏｌ％以上の不活性有機溶媒の溶液として液体アンモニアを反応させることにより得られた比表面積１１０４ｍ２／ｇのシリコンジイミドを６００~１２００℃で加熱分解して、軽装密度０．１８~０．２２ｇ／ｃｍ３　比表面積６８９~７８２ｍ２／ｇのアモルファス窒化ケイ素粉末を得た。本材料は、反応容器材質および粉末取り扱い機器における粉体と金属との擦れ合い状態を改良する公知の方法により、アモルファス窒化ケイ素粉末に混入する金属不純物は１０ｐｐｍ以下に低減される。また、加熱炉に流通させる窒素ガス中の酸素濃度を２０ｐｐｍ~１０００ｐｐｍの範囲で制御できる。
　出発原料として使用するアモルファス窒化ケイ素粉末が所定の値になっていることを確認した後、窒化アルミニウム粉末、炭酸リチウム粉末、窒化リチウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を、表１の組成になるように窒素ガス雰囲気中で秤量した。窒素ガス雰囲気中で振動ミルで１時間混合した。混合後、窒素パージされたグローボックス中で粉末を取り出し坩堝に充填して、抵抗加熱式電気炉にセットし、常圧の窒素雰囲気中で室温から１２００℃までを２時間、１２００℃から１４４０℃までを４時間、更に１４４０℃から１７２５℃までを２時間のスケジュールで昇温し、１２時間保持して結晶化させ、α−サイアロン粉末を得た。更にα−サイアロンと酸化リチウムを混合後、常圧の窒素雰囲気中で１４００℃で加熱処理した。
　得られた粉末をめのう乳鉢・乾式粉砕機・湿式粉砕機を用いて粉砕した。所定の粒径にした後、日本分光社製、積分球付のＦＰ−６５００を用いて、励起波長を４５０ｎｍとして、蛍光特性を評価した。
　測定した蛍光特性は、蛍光の主波長（ＣＩＥ色度図における、白色点の座標：ｘ＝０．３３，ｙ＝０．３３と試料の発光スペクトルの座標の二つの点を通る直線と、単色軌跡との交点から求められる波長）及びその主波長の強度（表１，２には相対強度を示す。）である。
　本発明における粉末の軽装密度は、ＪＩＳ　Ｒ９３０１−２−３に準拠した手法で求めた。比表面積は窒素ガス吸着法によるＢＥＴ法で測定した。
　比較例１~４
　先ず四塩化ケイ素濃度が３３ｖｏｌ％のトルエン溶液と液体アンモニアを反応させることにより得られた、軽装密度０．０８ｇ／ｃｍ２、比表面積８６９ｍ２／ｇのシリコンジイミドを６００~１２００℃で加熱分解して、軽装密度０．０９ｇ／ｃｍ２、比表面積４６３ｍ２／ｇのアモルファス窒化ケイ素粉末を得た。
　以下、実施例１と同様に、しかし表１の比較例１~４に示した配合割合でα−サイアロンを作製して評価した。
　比較例５
　実施例１と同様に、しかし表１の比較例５に示した配合割合でα−サイアロンを作製して評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例６~９
　四塩化ケイ素を無溶媒あるいは四塩化ケイ素濃度が５０ｖｏｌ％以上の不活性有機溶媒の溶液として液体アンモニアを反応させることにより得られた比表面積１１０４ｍ２／ｇのシリコンジイミドを６００~１２００℃で加熱分解して、軽装密度０．１８~０．２２ｇ／ｃｍ３、比表面積６８９~７８２ｍ２／ｇのアモルファス窒化ケイ素粉末を得た。本材料は、反応容器材質および粉末取り扱い機器における粉体と金属との擦れ合い状態を改良する公知の方法により、アモルファス窒化ケイ素粉末に混入する金属不純物は１０ｐｐｍ以下に低減される。また、加熱炉に流通させる窒素ガス中の酸素濃度を２０ｐｐｍ~１０００ｐｐｍの範囲で制御できる。
　出発原料として使用するアモルファス窒化ケイ素粉末が所定の値になっていることを確認した後、窒化アルミニウム粉末、炭酸カルシウム粉末、窒化カルシウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を、表２の組成になるように窒素ガス雰囲気中で秤量した。窒素ガス雰囲気中で振動ミルで１時間混合した。混合後、窒素パージされたグローボックス中で粉末を取り出し坩堝に充填して、抵抗加熱式電気炉にセットし、常圧の窒素雰囲気中で室温から１２００℃までを２時間、１２００℃から１４４０℃までを４時間、更に１４４０℃から１７２５℃までを２時間のスケジュールで昇温し、１２時間保持して結晶化させ、α−サイアロン粉末を得た。
　得られた粉末をめのう乳鉢・乾式粉砕機・湿式粉砕機を用いて粉砕した。所定の粒径にした後、日本分光社製、積分球付のＦＰ−６５００を用いて蛍光特性を測定した。
　比較例６~９
　先ず四塩化ケイ素濃度が３３ｖｏｌ％のトルエン溶液と液体アンモニアを反応させることにより得られた、軽装密度０．０８ｇ／ｃｍ２、比表面積８６９ｍ２／ｇのシリコンジイミドを６００~１２００℃で加熱分解して、軽装密度０．０９ｇ／ｃｍ２、比表面積４６３ｍ２／ｇのアモルファス窒化ケイ素粉末を得た。
　以下、実施例６と同様に、しかし表１の比較例６~８に示した配合割合でα−サイアロンを作製して評価した。
　比較例９、１０
　実施例６と同様に、しかし表２の比較例９，１０に示した配合割合でα−サイアロンを作製して評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002

Claims (9)

  1. 　生成物が式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ（Ｍは、Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｙ、またはＬａ，Ｃｅを除くランタニド金属から選ばれる少なくとも１種の金属であり、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｙｂから選ばれる少なくとも１種のランタニド金属である。）で表わされる様に配合された混合粉末であって、軽装密度が０．１~０．３ｇ／ｃｍ３のアモルファス窒化ケイ素粉末を含む混合粉末を、窒素を含有する不活性ガス雰囲気中１４００~２０００℃で焼成することを特徴とするα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  2. 　前記混合粉末が、前記アモルファス窒化ケイ素粉末と、ＡｌＮおよび／またはＡｌ粉末と、金属Ｍの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質と、ランタニド金属Ｌｎの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  3. 　前記混合粉末が、アモルファス窒化ケイ素粉末と、ＡｌＮおよび／またはＡｌ粉末と、金属Ｍの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質と、ランタニド金属Ｌｎの酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質とを組合わせた混合粉末に、予め合成した一般式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎまたは一般式ＭｘＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎ：Ｌｎｙ（式中の記号は上記式中と同じである。）で表わされるα−サイアロン粉末を添加した混合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  4. 　前記アモルファス窒化ケイ素粉末の比表面積が６００超~８００ｃｍ２／ｇであることを特徴とする、請求項１~３のいずれか１項に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  5. 　アモルファス窒化ケイ素粉末が、０．１~０．３ｇ／ｃｍ３の軽装密度と、６５０~８００ｃｍ２／ｇの比表面積を有することを特徴とする、請求項１~４のいずれか１項に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  6. 　１気圧の窒素含有不活性ガス雰囲気中１４００~１８００℃で焼成することを特徴とする、請求項１~５のいずれか１項に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  7. 　軽装密度が０．１６~０．２２ｇ／ｃｍ３である前記アモルファス窒化ケイ素粉末を、軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３である含窒素シラン化合物粉末を加熱処理して製造することを特徴とする、請求項１~６のいずれか１項に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  8. 　軽装密度が０．１０~０．３０ｇ／ｃｍ３である前記含窒素シラン化合物粉末を、ハロゲン化シラン化合物を液体アンモニアと混合して反応させるに際し、ハロゲン化シラン化合物を無溶媒かあるいはハロゲン化シラン化合物濃度が５０ｖｏｌ％以上の不活性有機溶媒の溶液として液体アンモニア中に供給口から吐出させて供給する製造方法によって製造することを特徴とする、請求項７に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法。
  9. 　請求項１~８のいずれか１項に記載のα−サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法で製造されたことを特徴とするα−サイアロン系酸窒化物蛍光体。
PCT/JP2011/058664 2010-03-31 2011-03-30 サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体 Ceased WO2011126035A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11765935.9A EP2554629B1 (en) 2010-03-31 2011-03-30 Method for producing sialon-based acid nitride phosphor, and sialon-based acid nitride phosphor
JP2012509679A JP5170344B2 (ja) 2010-03-31 2011-03-30 サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体
CN201180011395.XA CN102782085B (zh) 2010-03-31 2011-03-30 赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法以及赛隆系氧氮化物荧光体
US13/637,109 US8974698B2 (en) 2010-03-31 2011-03-30 Production method of sialon-based oxynitride phosphor, and sialon-based oxynitride phosphor
KR1020127023910A KR101455486B1 (ko) 2010-03-31 2011-03-30 사이알론계 산질화물 형광체의 제조 방법 및 사이알론계 산질화물 형광체

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010082067 2010-03-31
JP2010-082067 2010-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011126035A1 true WO2011126035A1 (ja) 2011-10-13

Family

ID=44762969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/058664 Ceased WO2011126035A1 (ja) 2010-03-31 2011-03-30 サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8974698B2 (ja)
EP (1) EP2554629B1 (ja)
JP (1) JP5170344B2 (ja)
KR (1) KR101455486B1 (ja)
CN (2) CN104087291B (ja)
MY (1) MY160855A (ja)
WO (1) WO2011126035A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102559184A (zh) * 2011-12-31 2012-07-11 河北大学 一种硅基氮氧化物荧光粉及其制备方法
KR20140140050A (ko) * 2012-03-29 2014-12-08 우베 고산 가부시키가이샤 산질화물 형광체 분말
JP2018197355A (ja) * 2014-02-03 2018-12-13 宇部興産株式会社 酸窒化物蛍光体粉末およびそれを用いた発光装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI513798B (zh) * 2010-03-01 2015-12-21 Ube Industries Lithium-α-sialon-based phosphor particles, a method for manufacturing the same, a lighting fixture, and an image display device
EP2767572A4 (en) * 2011-10-12 2015-09-30 Ube Industries FLUORESCENT OXYNITRIDE POWDER, SILICON-NITRIDE POWDER FOR ITS MANUFACTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
DE102013100429B4 (de) 2013-01-16 2023-12-07 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials und Verwendung eines mit dem Verfahren hergestellten pulverförmigen Precursormaterials
CN103173214A (zh) * 2013-03-06 2013-06-26 浙江理工大学 一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法
US10644206B2 (en) 2016-08-12 2020-05-05 Osram Oled Gmbh Lighting device
KR102436381B1 (ko) 2016-08-12 2022-08-24 에이엠에스-오스람 인터내셔널 게엠베하 조명 장치
US10711192B2 (en) 2016-08-12 2020-07-14 Osram Oled Gmbh Lighting device
DE102016121692A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Osram Gmbh Leuchtstoff und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
JP7050774B2 (ja) 2016-11-11 2022-04-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 蛍光体、照明装置および照明装置の使用
US10519371B2 (en) * 2016-11-11 2019-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, illumination device and use of an illumination device
WO2019029849A1 (de) 2016-11-11 2019-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dimmbare lichtquelle
DE102018205464A1 (de) 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung und verwendung einer beleuchtungsvorrichtung
KR102674932B1 (ko) * 2018-03-29 2024-06-14 덴카 주식회사 α형 사이알론 형광체 및 발광 장치
CN109020558B (zh) * 2018-09-07 2021-11-12 安徽理工大学 一种大功率暖白光固态照明用SiAlON荧光透明陶瓷及其制备方法
CN110655920A (zh) * 2019-09-20 2020-01-07 北京科技大学 一种二价铕掺杂的α-sialon基长余辉发光材料及制备方法
CN112480924B (zh) * 2020-11-25 2022-02-15 华南理工大学 镓酸盐红光荧光材料及制备方法和白光led发光装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855316A (ja) * 1981-09-24 1983-04-01 Toyo Soda Mfg Co Ltd 窒化珪素粉末の製造法
JPH09221308A (ja) * 1995-12-12 1997-08-26 Ube Ind Ltd 含窒素シラン化合物
JP2004238505A (ja) 2003-02-06 2004-08-26 Ube Ind Ltd サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法
JP2005036038A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2005162808A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体
WO2008004640A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Ube Industries, Ltd. Sialon-base oxynitride phosphors and process for production thereof
JP2009082747A (ja) 2009-01-28 2009-04-23 Heiwa Corp 遊技機
JP2009082730A (ja) 2003-08-22 2009-04-23 Ykk Corp ファスナー及び同ファスナーを被着した被着体
WO2010018873A1 (ja) * 2008-08-13 2010-02-18 宇部興産株式会社 Ｌｉ含有α－サイアロン系蛍光体とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6632379B2 (en) 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP3726131B2 (ja) 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
US7074346B2 (en) * 2003-02-06 2006-07-11 Ube Industries, Ltd. Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof
JP2005286312A (ja) 2004-03-02 2005-10-13 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
TW200604325A (en) 2004-03-22 2006-02-01 Fujikura Ltd Light-emitting device and illuminating device
KR100806243B1 (ko) 2004-03-22 2008-02-22 가부시키가이샤후지쿠라 산질화물 형광체 및 발광 디바이스
KR100900282B1 (ko) 2004-06-18 2009-05-29 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 α형 사이알론 및 α형 사이알론 형광체 및 그 제조 방법
KR100841676B1 (ko) 2004-07-13 2008-06-26 가부시키가이샤후지쿠라 형광체 및 그 형광체를 이용한 전구색광을 발하는 전구색광발광 다이오드 램프
JP4888624B2 (ja) 2004-07-30 2012-02-29 独立行政法人物質・材料研究機構 α型サイアロン粉末の製造方法
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
EP1785465B1 (en) 2004-08-30 2013-03-27 Fujikura, Ltd. Oxynitride phosphor and light-emitting device
CN102585810A (zh) * 2005-02-28 2012-07-18 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
JP4788944B2 (ja) 2005-03-18 2011-10-05 株式会社フジクラ 粉末状蛍光体とその製造方法、発光デバイス及び照明装置
JP5110518B2 (ja) 2005-07-01 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および照明器具
US8883039B2 (en) 2005-07-01 2014-11-11 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
JP2007332324A (ja) 2006-06-19 2007-12-27 Denki Kagaku Kogyo Kk サイアロン蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光素子
JP5124101B2 (ja) * 2006-05-10 2013-01-23 電気化学工業株式会社 α型サイアロン蛍光体及びその製造方法、並びに照明器具
WO2007129713A1 (ja) * 2006-05-10 2007-11-15 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子
JP5229770B2 (ja) 2007-03-22 2013-07-03 株式会社フジクラ サイアロン蛍光体
JP5941243B2 (ja) 2007-10-17 2016-06-29 スタンレー電気株式会社 発光装置、それを用いた車両用灯具、およびヘッドランプ
JP2009096882A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体とその製造方法
EP2383324A4 (en) 2009-01-27 2012-08-15 Denki Kagaku Kogyo Kk SINGLE-BASED LUMINOPHORE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP5589294B2 (ja) 2009-03-30 2014-09-17 宇部興産株式会社 含窒素シラン化合物粉末及びその製造方法
WO2010114141A1 (ja) 2009-03-30 2010-10-07 宇部興産株式会社 含窒素シラン化合物粉末及びその製造方法
JP5589295B2 (ja) 2009-03-30 2014-09-17 宇部興産株式会社 含窒素シラン化合物粉末及びその製造方法
JP2010116564A (ja) 2009-11-16 2010-05-27 Denki Kagaku Kogyo Kk α型サイアロン蛍光体とそれを用いた照明器具

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855316A (ja) * 1981-09-24 1983-04-01 Toyo Soda Mfg Co Ltd 窒化珪素粉末の製造法
JPH09221308A (ja) * 1995-12-12 1997-08-26 Ube Ind Ltd 含窒素シラン化合物
JP2004238505A (ja) 2003-02-06 2004-08-26 Ube Ind Ltd サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法
JP2005036038A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2009082730A (ja) 2003-08-22 2009-04-23 Ykk Corp ファスナー及び同ファスナーを被着した被着体
JP2005162808A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体
WO2008004640A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Ube Industries, Ltd. Sialon-base oxynitride phosphors and process for production thereof
WO2010018873A1 (ja) * 2008-08-13 2010-02-18 宇部興産株式会社 Ｌｉ含有α－サイアロン系蛍光体とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置
JP2009082747A (ja) 2009-01-28 2009-04-23 Heiwa Corp 遊技機

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2554629A4

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102559184A (zh) * 2011-12-31 2012-07-11 河北大学 一种硅基氮氧化物荧光粉及其制备方法
KR20140140050A (ko) * 2012-03-29 2014-12-08 우베 고산 가부시키가이샤 산질화물 형광체 분말
US20150044471A1 (en) * 2012-03-29 2015-02-12 Ube Industries, Ltd. Oxynitride phosphor powder
EP2832817A4 (en) * 2012-03-29 2015-12-09 Ube Industries OXYNITRIDPHOSPHORPULVER
US9382477B2 (en) 2012-03-29 2016-07-05 Ube Industries, Ltd. Oxynitride phosphor powder
KR101660618B1 (ko) * 2012-03-29 2016-09-27 우베 고산 가부시키가이샤 산질화물 형광체 분말
TWI571502B (zh) * 2012-03-29 2017-02-21 Ube Industries Oxynitride phosphor powder
JP2018197355A (ja) * 2014-02-03 2018-12-13 宇部興産株式会社 酸窒化物蛍光体粉末およびそれを用いた発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104087291B (zh) 2017-04-12
JP5170344B2 (ja) 2013-03-27
US8974698B2 (en) 2015-03-10
KR101455486B1 (ko) 2014-10-27
JPWO2011126035A1 (ja) 2013-07-11
KR20120123555A (ko) 2012-11-08
CN104087291A (zh) 2014-10-08
US20130020533A1 (en) 2013-01-24
EP2554629A1 (en) 2013-02-06
EP2554629B1 (en) 2016-03-09
CN102782085B (zh) 2014-06-25
MY160855A (en) 2017-03-31
EP2554629A4 (en) 2014-05-07
CN102782085A (zh) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5170344B2 (ja) サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体
JP5910498B2 (ja) 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたＣａＡｌＳｉＮ３系蛍光体、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８系蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３系蛍光体及びＬａ３Ｓｉ６Ｎ１１系蛍光体、及びその製造方法
JP4165318B2 (ja) サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP4277666B2 (ja) サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体
JP6610739B2 (ja) 酸窒化物蛍光体粉末およびそれを用いた発光装置
JP5874635B2 (ja) 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたＳｒ３Ａｌ３Ｓｉ１３Ｏ２Ｎ２１系蛍光体、β−サイアロン蛍光体及びそれらの製造方法
JP5741177B2 (ja) Ｃａ含有α型サイアロン蛍光体およびその製造方法
JP5854051B2 (ja) 酸窒化物蛍光体粉末及びその製造方法
CN102917978A (zh) 基于碳氮化物的磷光体及使用该材料的发光器件
CN106164218B (zh) 用于固态照明的超四面体磷光体
WO2014136961A1 (ja) 窒化物蛍光体の製造方法および窒化物蛍光体用窒化ケイ素粉末、ならびに窒化物蛍光体
JP6036987B2 (ja) 酸窒化物蛍光体粉末およびその製造方法
JP6015851B2 (ja) 酸窒化物蛍光体粉末およびその製造方法
JP4165412B2 (ja) 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、白色発光素子及び顔料
CN103347979B (zh) 荧光体、其制备方法以及发光装置
JP6028858B2 (ja) 酸窒化物蛍光体粉末
JP2017186459A (ja) 窒化物蛍光体粉末およびその製造方法
JP2008045080A (ja) 無機化合物の製造方法
CN101967374A (zh) 碱土金属氧氮化硅发光材料及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180011395.X

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11765935

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012509679

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127023910

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13637109

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011765935

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE