WO2012000815A1 - Modifizierung von siliciumschichten aus silan-haltigen formulierungen - Google Patents

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Wolfgang Fahrner
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing an oxygen-containing surface or interface of a silicon layer, which is arranged on a substrate, in particular in the manufacture of photovoltaic devices.
  • the conventional production of solar cells consists either in the counter doping of a doped semiconductor substrate by means of implantation or diffusion or deposition of a counter doped semiconductor layer on a doped semiconductor substrate by means of epitaxy or in the deposition of semiconductor layers of different doping from the gas phase in FIG.
  • Doping with at least one pn junction By depositing one or more layers of these silanes on a suitable substrate, one or more pn junctions acting as a solar cell can be formed. The deposition takes place by means of an application device suitable for thin layers, for. B. a spin coaters. The resulting layers are stabilized by a suitable temperature treatment, so that they typically assume a mixture of microcrystalline, nanocrystalline and amorphous (in short: polymorphic) structures. Unless explicitly stated, all microcrystalline, nanocrystalline and / or amorphous layers should be referred to as "polymorphic" in general, since a precise differentiation and definition is in most cases not well-suited or of secondary importance for the result obtained. How to produce silicon layers from silanes is known per se.
  • GB 2077710 teaches the preparation of polysilanes of the general formula - (SiH 2 ) n - with n> 10 by simultaneous reduction and polymerization of SiH 2 Cl 2 with alkali metals.
  • Such higher silanes are named as precursors for silicon layers, eg. B. for solar cells.
  • Si n H 2n +2 with For smaller n values, n ⁇ 4
  • JP 7267621 teaches the preparation of silicon films from films of such silanes which are first UV exposed at low temperatures, where such silanes have a low vapor pressure, and then heated to temperatures above 400 ° C become.
  • n-type or p-doped silicon layers are successively produced from these solutions by applying the liquid formulation to suitable conductive substrates, for example by spin-coating, and then converting it into silicon.
  • the steps are i) providing a substrate,
  • the silicon layers thus obtained typically have a mixture of microcrystalline, nanocrystalline and amorphous structures. Layers with such structures are called "polymorphic" at this point and in the following.
  • polymorphic In the above-described conventional production of silicon layers, the problem arises that occur at the p-n junctions losses that z. B. in the case of a solar cell reduce their efficiency. The reason for this is disturbances on the silicon surface or interface of the differently doped silicon layers, which increase the recombination of charge carriers.
  • heterojunction solar cells amorphous silicon, aSi, on monocrystalline or multicrystalline silicon, (m) cSi
  • the causes for the reduction of the efficiency are known both qualitatively and quantitatively (for example H. Angermann et al .:
  • Recombination centers destroy photogenerated useful charges and thus reduce the useful current via the load circuit. Metrologically, this destruction is recorded as an increased surface recombination rate. In the following ways you try there, the Dangling Bonds (not saturated silicon bonds) to reduce or the
  • the a-SiO x : H layers like the intrinsic i-aSi: H layers, are produced by plasma-assisted deposition from the gas phase, but with the addition of oxygen or an oxygen-containing gas, eg. B. C0 2 .
  • EP 1087 433 describes that a polysilane film is applied to a substrate and by immediate thermal treatment in air and further treatment with O 2 and / or ozone (0 3 ) a Si0 2 layer can be obtained. This layer then exhibits suitable properties as a dielectric in electronic components.
  • US 2004/0248429 it is described that a polysilane film is applied to a substrate and by immediate
  • the object of the present invention was therefore to provide a process with little technical effort, which allows the production of semiconducting or conductive layers of liquid silane formulations and the modification of the surfaces or interfaces, so that impurities are eliminated or reduced and a sufficiently high
  • Oxygen or suitable oxygen-containing compounds treated or oxygen or suitable oxygen-containing compounds added to the liquid silane formulations In the case of the sequence of silicon p- and n-layers, in this way impurities are reduced, so that there is an ipini or inipi junction or a pin or nip junction, which enables the production of a solar cell with increased efficiency.
  • n-layers and p-layers are meant layers with n-type or p-type conductivity, “i-layers” are undoped (intrinsic) layers.
  • Such layers are referred to herein as the undoped (intrinsic) suboxide layer "i-Si (subox)".
  • Suboxide layers in the context of the present invention are understood as meaning layers of the formula SiOx (where 0 ⁇ x ⁇ 2). Silicon suboxide layers are typically not electrical barrier layers. In this case, the production of the undoped (intrinsic) silicon suboxide layers, the undoped (intrinsic) silicon layers and the n-doped and p-doped
  • Silicon layers preferably by liquid formulations containing at least one silicon compound.
  • the suboxides are incorporated by introducing oxygen-containing compounds or oxygen and / or O 3 in another form into the manufacturing process of the solar cell.
  • the above-mentioned object is achieved according to the invention by a method for producing at least one silicon layer arranged on a substrate, wherein at least one of the silicon layers has suboxide structures on its surface or overall suboxide structures, including on the surface, comprising the steps:
  • step (f) irradiating and / or thermally treating the product obtained after step (e)
  • Carbon dioxide one or more oxygen-containing compound (s) or a mixture thereof in pure form or in the form of a liquid or gaseous mixture, and optionally additionally containing solvents and / or further auxiliaries,
  • steps a) to d) and step f) or a ') to e' preferably under inert conditions. This ensures that a suboxide is formed with suitable optoelectronic properties. It is also crucial that steps d) and e) are not carried out together.
  • inert conditions are understood to mean that during the corresponding process steps according to the invention the content of oxygen in the environment is less than 20 ppm. This is ensured by using appropriate inert gases.
  • inert gases are nitrogen and / or noble gases, such as argon and helium, or mixtures thereof, which have an oxygen content of less than 20 ppm.
  • nitrogen, argon or helium are used.
  • the predominantly silicon-containing and at least partially polymorphic layer formed in steps (c) to (f) or (c) to (g) and having suboxide structures on its surface preferably has a layer thickness of from 5 to 3000 nm preferably from 5 to 500 nm. Preferred layer thicknesses are also in the range from 50 to 300 nm and 100 to 200 nm.
  • the suboxide structure-containing surface, ie the layer formed in steps (e) to (f) or (e) to (g), is preferred a thickness of 1 to 50 nm, more preferably from 1 to 20 nm.
  • the inventive method can also be operated so that optionally
  • step (b) to (f) or (b ') to (d') can be carried out several times.
  • the individual steps can be configured concretely independently of one another, so that the properties of each layer are individualized for the intended purpose can be adjusted.
  • step e) or b ') must be carried out at least once
  • the groups R 1 to R 4 of the formula R 1 R 2 SiR 3 R 4 which do not have the structure -OR are preferably selected, independently of one another, from hydrogen, an alkyl group, an aryl group or an alkylaryl group.
  • the said form of oxygen may be H 2 O, an alcohol, a diol, a triol, an aldehyde, a ketone, a carboxylic acid or a carbonic acid ester, preferably a carbonic acid ester of diols.
  • a suitable one may be H 2 O, an alcohol, a diol, a triol, an aldehyde, a ketone, a carboxylic acid or a carbonic acid ester, preferably a carbonic acid ester of diols.
  • Carbonic acid ester is z. B. propylene carbonate. Such carbonic acid esters contain much oxygen and may well be added to the formulation in step (b ').
  • the substrate used usually has to be electrically conductive.
  • all suitable arrangements with an electrically conductive surface come into question.
  • Exemplary substrates consist of about or are graphite, metal or with
  • the method according to the invention is suitable for all substrates of semiconductor wafer technology. Also suitable are substrates with surfaces of metals, metal alloys, graphite, conductive metal oxides, eg. As indium tin oxide (ITO), conductive carbon compounds or other conductive objects, eg. B. metal flakes in a carbon matrix. Suitable z. B. also coated with a conductive material insulators such as glass, ceramic, or temperature-resistant plastics.
  • the conductive coatings can be over the entire area or in special cases only part of the area. For example, in the case of conductive coated insulators is usually to ensure that the subsequent coverage of the substrate with the silicon layer in terms of area is not complete, so in the case of photovoltaic
  • semiconductor wafers for. Silicon wafers, or preferably n-type or p-type silicon wafers.
  • coated substrate which has already been produced by the process described here can also be used as the substrate.
  • the coated substrate may in particular represent a Si cell and / or a SiGe cell.
  • the compounds mentioned can be partially or completely oligomerized, wherein molar masses of 500 g / mol to 10,000 g / mol, preferably 800 g / mol to 5000 g / mol are set.
  • the silicon compounds can also be partially or completely oligomerized by irradiation or thermal treatment, with molar masses of 500 g / mol to 10,000 g / mol, preferably 800 g / mol to 5000 g / mol, particularly preferably 1000 g / mol to 3000 g / mol, can be adjusted.
  • Oligomers which have been prepared from these silanes are very particularly suitable, with molar masses of 500 g / mol to 10,000 g / mol, preferably 800 g / mol to 5000 g / mol, particularly preferably 1000 g / mol to 3000 g / mol, can be adjusted.
  • the silicon-containing formulation used in the methods of the invention is typically a liquid formulation. This consists of the aforementioned silicon compounds and optionally in admixture with solvents. Suitable solvents are, for. B. liquid at room temperature aliphatic or aromatic hydrocarbons and mixtures thereof.
  • Examples are n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-decane, Dodecane, cyclohexane, cyclooctane, cyclodecane, dicyclopentane, benzene, toluene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, indane, indene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, diethyl ether,
  • Ethylene glycol methyl ethyl ether diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, p-dioxane, acetonitrile, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, dichloromethane and chloroform.
  • the viscosity of the coating solution is preferably 1 to 2000 mPas.
  • higher silanes of the abovementioned formulas with n> 3 are used. In this way, from a liquid low-viscosity mixture in one step, a desired higher-viscosity liquid mixture containing oligo- / polysilanes can be prepared.
  • dopants and / or other auxiliaries may be added. These further agents or substances can be added to the mixture independently of each other before the oligomerization and / or polymerization or only afterwards. If dopants are added to the mixtures, in the case of n-doping z. As phosphorus compounds, such as phenylphosphine, and in the case of p-doping z. Boron compounds such as decaboran-14.
  • the oligomerization and / or polymerization can be carried out partially or completely by irradiation or thermal treatment, wherein molar masses of 500 g / mol to 10000 g / mol, preferably 800 g / mol to 5000 g / mol, particularly preferably 1000 g / mol to 3000 g / mol, can be adjusted.
  • the proportion of solvent based on the total formulation may be 5 to 95% by weight, preferably 25 to 93% by weight, particularly preferably 50 to 93% by weight.
  • the coating of the substrate with the silicon-containing formulation may be known
  • the thermal treatment of the coated substrate can take place in one, several or all of steps (d), (d ') and / or (f) in a known manner, wherein step d) in the first embodiment of the method according to the invention must be carried out in any case ,
  • the substrate coated with the formulation can preferably be heated to temperatures of 200 to 1000 ° C., preferably 250 to 700 ° C., more preferably 250 to 600 ° C.
  • an upstream curing by crosslinking can also be carried out with a UV lamp (eg wavelength 254 nm, power 15 watts or wavelength 180 nm).
  • the coated substrate is supplied to a thermal treatment without irradiation.
  • heating units come z.
  • heating plates infrared fields, tube furnaces or muffle furnaces in question, each with substantial exclusion of 0 2 and H 2 0. except for the very small, deliberately introduced amounts of oxygen to reach the suboxide layers.
  • the total amount of oxygen must not be so high that Si0 2 is formed.
  • the temperatures range from 200 ° C to 1000 ° C.
  • the layers may also preferably be aftertreated by heating under forming gas mixtures
  • Hydrogen and nitrogen, or of hydrogen and argon eg, H 2 / N 2 in volume ratio 5/95 to 10/90 or H 2 / Ar in volume ratio 5/95 to 10/90
  • temperatures 250 ° C to 700 ° C, preferably 250 ° C to 500 ° C.
  • the present invention also provides a coated substrate comprising one of the following layer sequences:
  • i-Si is meant an undoped layer consisting predominantly of silicon, preferably an undoped layer consisting of silicon.
  • n-Si is meant an n-type doped layer predominantly of silicon, and
  • p-Si means a corresponding p-type doped layer. The character “//” indicates the transition to the next layer.
  • the suboxide layers i-Si (subox), p-Si (subox) and n-Si (subox) are prepared by methods according to the present invention. Most preferably, all layers are prepared by a liquid phase process.
  • the layers i-Si preferably have a layer thickness of 5 to 3000 nm, more preferably of 5 to 500 nm.
  • the layers i-Si (subox), p-Si (subox) and n-Si (subox) preferably have one
  • the layer formed in the step sequence d), e) and f), which consists of i-Si and i-Si (Subox) which consists of i-Si and i-Si (Subox)
  • the above-mentioned preferred layer thickness of i-Si namely preferably 10 to 3000 nm, more preferably from 20 to 500 nm.
  • i-Si (Subox) applies a preferred layer thickness of 1 to 20 nm, more preferably from 1 to 15 nm, particularly preferably from 1 to 10 nm.
  • the layers n-Si and p-Si preferably have a layer thickness of from 10 to 3000 nm, more preferably from 20 to 500 nm.
  • the above exemplary layer sequences preferably do not include further intermediate layers within the respective layer sequence. Nevertheless, more can
  • Layers which are arranged further outward, be provided.
  • the substrate used may, for. B. be a multi-layered substrate. Also on the respective last-mentioned layer further functional layers can be arranged. It should also not be ruled out that it may not be possible to provide further intermediate layers within the respective layer sequences.
  • the Si (subox) layers can be produced very advantageously in comparison with the plasma-assisted deposition from the gas phase (PECVD process).
  • PECVD gas phase
  • the PECVD method which can be used at temperatures of up to 300 ° C., also leaves a certain polymorphism of the silicon or the a-SiO x : H
  • the method according to the invention not only allows a simpler production of the layers, it also allows a simpler variation of the polymorphism solely by the temperature treatment of the layers, wherein it is possible to apply temperatures up to 1000 ° C. This high temperature range also enables improved optimization of the Si (Subox) layers.
  • Suitable substrates are all materials and arrangements mentioned above.
  • a further subject matter of the present invention is a photovoltaic device, in particular a solar cell or solar cell combinations, which has been produced or can be produced using the method according to the invention described here or its variants.
  • the present invention also encompasses the use of oxygen in the form of elemental oxygen, carbon dioxide, one or more oxygen-containing compounds
  • Example 1 Preparation of an undoped Si layer (i-Si layer)
  • the mixture still contained residues of monomeric cyclopentasilane.
  • Be the mixture was diluted with toluene so that the mixture of 1 part by weight of silane and 3 parts by weight of toluene and 2.5 cm is applied using a spin coater to a coated silver crystal wafer size ⁇ 2.5 cm could.
  • the layer was heated to 500 ° C. for a period of 2 minutes.
  • the result was a dark, substantially oxygen-free undoped silicon layer on the metallic substrate. It is given the short name "i-Si".
  • the layer thickness was 140 nm.
  • Example 1 a was carried out, but with the difference that the mixture of oligomeric and monomeric cyclopentasilane prepared by UV irradiation on dilution together with the toluene is a co-oligomerizate of phenylphosphine and
  • the mixture was applied using a spin coater to a coated silver crystal wafer of the size 2.5 cm ⁇ 2.5 cm. Subsequently, with the aid of a hot plate, the layer was heated to 500 ° C. for a period of 2 minutes. The result was a dark, substantially oxygen-free n-doped silicon layer on the metallic substrate. She receives the
  • n-Si Short name "n-Si”.
  • the layer thickness was 170 nm.
  • the mixture was applied using a spin coater to a coated silver crystal wafer of the size 2.5 cm ⁇ 2.5 cm. Subsequently, with the aid of a hot plate, the layer was heated to 500 ° C. for a period of 2 minutes. A dark, substantially oxygen-free, p-doped silicon layer was formed on the metallic substrate. She receives the
  • the layer thickness was 180 nm.
  • Example 4 Preparation of a uniform, undoped Si layer with suboxide structures with introduction of oxygen in step (b ')
  • the mixture was first diluted with toluene so that a mixture of 1 part by weight of silane and 5 parts by weight of toluene was obtained. Thereafter, 1 part by weight of a solution of 1 part by weight of isobutyltrimethoxysilane in 20 parts by weight of toluene was added.
  • the mixture was applied using a spin coater to a coated silver crystal wafer of the size 2.5 cm ⁇ 2.5 cm. Subsequently, with the aid of a hot plate, the layer was heated to 500 ° C. for a period of 2 minutes. The result was a dark, oxygen-containing undoped silicon layer on the metallic substrate, it is given the short name "i-Si (Subox)".
  • the layer thickness was 20 nm.
  • Example 5 Preparation of an undoped Si layer, with suboxide structures on the surface, introduction of oxygen in step (e)
  • Example 2 In a glove box with an argon atmosphere, the preparation described in Example 1 of a mixture of oligomeric and monomeric cyclopentasilane by UV Irradiation repeated.
  • the oligomeric fraction had a weight average
  • the mixture was first diluted with toluene to give the mixture of 1 part by weight of silane and 3 parts by weight of toluene.
  • the mixture was applied using a spin coater to a coated silver crystal wafer of the size 2.5 cm ⁇ 2.5 cm. Subsequently, using a hot plate, the layer was heated to 280 ° C for 30 seconds. There was a
  • an n-type Si layer n-Si was fabricated on a metallic substrate.
  • the layer thickness was 350 nm.
  • the layer thickness can also be in the range between 50 nm and 500 nm.
  • the layer thickness was 20 nm. In modifications, the layer thickness may be in the range between 5 nm and 50 nm.
  • Example 7 Layer sequence for producing a thin-layered pin solar cell with suboxide
  • the layer thickness was 400 nm.
  • the layer thickness may be in the range between 50 nm and 500 nm.
  • the layer thickness was 25 nm.
  • the layer thickness was 120 nm.
  • the layer thickness can be in the range between 5 nm and 50 nm.
  • n-type silicon layer n-Si was deposited.
  • the layer thickness was 70 nm. In modifications, the layer thickness may be in the range between 20 nm and 500 nm.
  • Example 8 Layer sequence for producing a thin-layered inipi solar cell with suboxide
  • Example 6 The procedure was as in Example 6, wherein additionally as a first step on the
  • Example 9 Layer sequence for the production of a thin-layered ipini solar cell with suboxide The procedure was as in Example 6, wherein additionally as a first step on the

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Abstract

Verfahren zur Herstellung mindestens einer auf einem Substrat angeordneten Siliziumschicht, wobei mindestens eine der Siliciumschichten Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt Suboxidstrukturen aufweist, umfassend die Schritte:(a) Bereitstellen eines Substrates, (b) Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung, (c) Aufbringen der Formulierung auf das Substrat, (d) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des beschichteten Substrats, (e) Behandeln der nach Schritt (d) erhaltenen Schicht mit Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff und/oder O3, Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, und (f) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (e) erhaltenen beschichteten Substrats, unter Bildung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche aufweist, oder umfassend die Schritte: (a') Bereitstellen eines Substrates, (b') Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung und enthaltend Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff und/oder O3, Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, (c') Aufbringen der Formulierung auf das Substrat, und (d') Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (c') erhaltenen beschichteten Substrats, unter Bildung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die insgesamt Suboxidstrukturen aufweist.

Description

Modifizierung von Siliciumschichten aus Silan-haltigen Formulierungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer sauerstoffhaltigen Oberfläche oder Grenzfläche einer Siliziumschicht, die auf einem Substrat angeordnet ist, insbesondere bei der Herstellung photovoltaischer Geräte.
Die konventionelle Herstellung von Solarzellen besteht entweder in der Gegendotierung eines dotierten Halbleitersubstrates mittels Implantation oder Diffusion oder Abscheidung einer gegendotierten Halbleiterschicht auf einem dotierten Halbleitersubstrat mittels Epitaxie oder in der Abscheidung von Halbleiterschichten verschiedener Dotierung aus der Gasphase im
Vakuum oder aus Varianten der genannten Verfahren. Der Nachteil aller dieser Verfahren ist der wirtschaftliche und preisliche Aufwand, der damit betrieben werden muss.
Zur Vermeidung der notwendigen Vakuumtechnik, hoher Temperaturen und/oder eines teuren Substrates versucht man, Schichten oder Schichtfolgen aus Silanen der Flüssigphase herzustellen.
Bei der Herstellung von Solarzellen benötigt man Halbleiterschichten unterschiedlicher
Dotierung mit zumindest einem pn-Übergang. Durch Abscheiden einer oder mehrerer Schichten dieser Silane auf einem geeigneten Substrat kann ein oder mehrere p-n Übergänge erzeugt werden, die als Solarzelle wirken. Die Abscheidung erfolgt mittels einer für dünne Schichten geeigneten Auftragsvorrichtung, z. B. eines spin coaters. Die entstandenen Schichten werden durch eine geeignete Temperaturbehandlung stabilisiert, so dass sie typischerweise eine Mischung von mikrokristallinen, nanokristallinen und amorphen (kurz: polymorphen) Gefügen annehmen. Sofern nicht explizit ausgeführt, sollen hier alle mikrokristallinen, nanokristallinen und/oder amorphen Schichten allgemein als "polymorph" bezeichnet werden, da eine genaue Unterscheidung und Festlegung in den meisten Fällen nicht gut möglich ist bzw. für das erzielte Ergebnis von untergeordneter Bedeutung ist. Wie man Siliciumschichten aus Silanen herstellt, ist an sich bekannt. So lehrt GB 2077710 die Herstellung von Polysilanen der allgemeinen Formel -(SiH2)n- mit n >10 durch gleichzeitige Reduktion und Polymerisation von SiH2CI2 mit Alkalimetallen. Solche höheren Silane werden als Precursor für Siliziumschichten benannt, z. B. für Solarzellen. Im Falle der Silane SinH2n+2 mit kleineren Werten für n, nämlich n <4, lehrt JP 7267621 die Herstellung von Siliciumschichten aus Filmen solcher Silane, die zuerst bei tiefen Temperaturen, in denen solche Silane einen niedrigen Dampfdruck haben, mit UV bestrahlt, und dann auf Temperaturen über 400°C erhitzt werden. Des Weiteren lehrt EP 1284306, dass man aus cyclischen Silanen der allgemeinen Formel SinH2n und offenkettigen Silanen der allgemeinen Formel SinH2n+2, jeweils mit n=3 bis 10, auf ähnliche Weise Silicium-Filme herstellen kann. Diese Silane werden dabei teilweise oder in Gänze oligomerisiert, z. B. durch Erhitzen und/oder UV-Bestrahlung. Außerdem werden spezielle Phosphor-Verbindungen bzw. Bor-Verbindungen zugegeben, um eine n- bzw. p- Dotierung zu erreichen.
Im Stand der Technik stellt man aus diesen Lösungen nacheinander jeweils n- bzw. p-dotierte Siliziumschichten her, indem man die Flüssigformulierung beispielsweise durch Spin-Coating auf geeignete leitfähige Substrate aufbringt und dann in Silizium umwandelt. Die Schritte sind i) Bereitstellen eines Substrats,
ii) Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silizium- Verbindung und ggf. einer Phosphor- oder Bor-Verbindung,
iii) Beschichten des Substrats mit der Formulierung,
iv) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des beschichteten Substrats unter Bildung einer zumindest teilweise polymorphen und überwiegend aus Silizium bestehenden Schicht.
Die so erhaltenen Siliziumschichten weisen typischerweise eine Mischung von mikrokristallinen, nanokristallinen und amorphen Gefügen auf. Schichten mit solchen Gefügen werden an dieser Stelle und im Folgenden "polymorph" genannt. Bei der oben geschilderten konventionellen Herstellung von Siliziumschichten tritt das Problem auf, dass bei den p-n Übergängen Verluste auftreten, die z. B. im Falle einer Solarzelle deren Wirkungsgrad herabsetzen. Die Ursache hierfür sind Störungen an der Silizium- Oberfläche bzw. Grenzfläche der unterschiedlich dotierten Siliziumschichten, welche die Rekombination von Ladungsträgern erhöhen. Im wohlbekannten Vergleichsfall von Heterojunction-Solarzellen (amorphes Silizium, aSi, auf mono- oder multikristallinem Silizium, (m)cSi), sind die Ursachen für die Reduzierung des Wirkungsgrades sowohl qualitativ als auch quantitativ bekannt (z. B. H. Angermann et al.:
Optimisation of electronic interface properties of a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells by wet- chemical surface pre-treatment, Proceedings on Advanced Materials and Concepts for
Photovoltaics EMRS 2007 Conference, Strasbourg, France, Fahrner, W. R. et al.: Simulation of Interface States in a-Si:H/mc-Si Heterojunction Solar Cells, 17th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes, Vail, Colorado USA, August 5 -8 (2007). Als maßgeblicher störender Einfluss wirken Oberflächenzustände, die als
Rekombinationszentren photogenerierte Nutzladungen vernichten und damit den Nutzstrom über den Verbraucherkreis verringern. Messtechnisch wird diese Vernichtung als erhöhte Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit erfasst. Auf folgenden Wegen versucht man dort, die Dangling Bonds (nicht abgesättigte Silizium-Bindungen) zu reduzieren bzw. die
Oberflächeneigenschaften zu verbessern: (1 ) Es wird (atomarer) Wasserstoff eingetrieben, um diese freien Bindungen abzusättigen. Technisch erfolgt dies, indem z. B. bei einer PECVD- Abscheidung das Silan mit Wasserstoff verdünnt wird. Dieses Verfahren ist weitgehend erprobt und die Chancen auf eine weitergehende Verbesserung werden als gering angesehen. (2) Es wird eine dielektrische Schicht deponiert. Aufgrund ihres hohen Widerstandes kann diese Schicht nicht zwischen a-Si und c-Si eingebaut werden, sondern nur auf der Absorber- abgewandten Seite des Emitters. Zum Stromabgriff an den Emitter-seitigen Kontakten sind spezielle technologische Lösungen notwendig. In der Regel arbeiten die Dielektrika-
Passivierungen über den Feldeffekt dergestalt, dass eingebaute ortsfeste Ladungen generierte Minoritätsladungsträger abstoßen. (3) Es werden weitere passivierende Schichten zwischen dem dotierten aSi (als Emitter) und dem cSi als (Absorber) eingebracht. Der bekannteste Fall einer solchen passivierenden Schicht ist intrinsisches aSi (i- aSi).
Eine wesentliche Erweiterung dieses Verfahrens - immer noch bezogen auf Heterojunction- Solarzellen - besteht im Ersatz der i-aSi-Schichten durch Suboxide. Die Passivschichten werden dabei beidseitig auf dem Absorber aufgebracht. Bei ansonsten vergleichbaren
Parametern wurde eine Erhöhung des Wirkungsgrades um etwa 2.5 % auf 19.5 % erhalten (T. Müller et al.: Application of Wide Band Hydrogenated Amorphous Silicon Oxide (a-SiOx:H) Layers to Heterojunction Solar Cells for High- Quality Passivation ), 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, May 1 1 -16, 2008, Sa Diego, CA. Die Verbesserung beruht im
Wesentlichen auf einer Reduzierung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit auf 8 - 9 cm/sec. Die a-SiOx:H Schichten werden wie die intrinischen i-aSi:H-Schichten mittels plasma- unterstützter Abscheidung aus der Gasphase hergestellt, jedoch unter Zugabe von Sauerstoff oder eines Sauerstoff-haltigen Gases, z. B. C02.
In EP 1087 433 wird beschrieben, dass ein Polysilanfilm auf ein Substrat aufgebracht wird und durch sofortige thermische Behandlung an Luft und weiterer Behandlung mit 02 und/oder Ozon (03) eine Si02-Schicht erhalten werden kann. Diese Schicht zeigt dann geeignete Eigenschaften als Dielektrikum in elektronischen Bauteilen. In US 2004/0248429 wird beschrieben, dass ein Polysilanfilm auf ein Substrat aufgebracht und durch sofortiges
Aussetzen des Films mit 02 und/oder 03 und weitere thermische Behandlung unter
Inertbedingungen der Polysilanfilm in eine Si-Schicht mit einer Si02 Oberfläche bestimmter Dicke konvertiert wird. Eine Si02-Schicht ist jedoch nachteilig für optoelektronische
Anwendungen, da sie als Barriereschicht dient.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es nun, ein Verfahren mit geringem technischen Aufwand bereit zu stellen, das die Herstellung halbleitender oder leitender Schichten aus Flüssigsilan-Formulierungen und die Modifizierung der Oberflächen bzw. Grenzflächen gestattet, so dass Störstellen beseitigt oder verringert werden und eine genügend hohe
Effizienz, z. B. bei daraus hergestellten Solarzellen, erreicht wird. Überraschend werden oben beschriebene Schwierigkeiten behoben oder verringert, indem man entweder die Oberfläche des aus Flüssigsilan-Formulierungen gebildeten Siliziums mit
Sauerstoff oder geeigneten sauerstoffhaltigen Verbindungen behandelt oder Sauerstoff bzw. geeignete sauerstoffhaltige Verbindungen den Flüssigsilan-Formulierungen zusetzt. Im Fall der Folge von Silizium p- und n- Schichten, werden auf diese Weise Störstellen verringert, so dass ein ipini- oder inipi- Übergang bzw. ein pin- oder nip-Übergang vorliegt, der die Herstellung einer Solarzelle mit erhöhtem Wirkungsgrad ermöglicht.
Der Grundgedanke der Erfindung besteht also darin, eine Solarzelle, die auf Basis von flüssigem Silizium hergestellt wird, an den Grenzflächen zwischen p- und i-Schichten, n- und i- Schichten und eventuell zwischen der Metallisierung und der n- bzw. p-Schicht zu passivieren. Unter "n-Schichten" und "p-Schichten" sollen Schichten mit n-Typ- bzw. p-Typ-Leitfähigkeit verstanden werden, "i-Schichten" sind undotierte (intrinsische) Schichten.
Im vorgestellten Verfahren erfolgt die Passivierung über Oberflächen- oder
Zwischenflächenbedeckung der genannten aktiven Schichten mittels einer weiteren Schicht, bei deren Herstellung Sauerstoff oder Verbindungen enthaltend Sauerstoff zugesetzt wird. Solche Schichten werden hierin als undotierte (intrinsische) Suboxidschicht "i-Si(Subox)" bezeichnet. Unter Suboxidschichten im Sinne der vorliegenden Erfindung werden Schichten der Formel SiOx (mit 0 < x < 2) verstanden. Siliziumsuboxidschichten sind in der Regel keine elektrischen Barriereschichten. Dabei erfolgt die Herstellung der undotierten (intrinsischen) Silicium-Suboxidschichten, der undotierten (intrinsischen) Siliciumschichten sowie der n-dotierten und p-dotierten
Siliciumschichten bevorzugt durch flüssige Formulierungen enthaltend mindestens eine Siliciumverbindung. Die Suboxide werden dabei durch Einbringen von sauerstoffhaltigen Verbindungen oder Sauerstoff und/oder 03 in anderer Form in den Herstellungsprozess der Solarzelle eingefügt.
Konkret wird die oben genannte Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer auf einem Substrat angeordneten Siliziumschicht, wobei mindestens eine der Siliciumschichten Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt Suboxidstrukturen - inklusive an der Oberfläche - aufweist, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Substrates,
Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung, und optional zusätzlich enthaltend Lösungsmittel und/oder Dotierungsmittel und/oder weitere Hilfsstoffe,
(C) Aufbringen der Formulierung auf das Substrat,
Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des beschichteten Substrats, so dass sich eine zumindest teilweise polymorphe und überwiegend aus Silicium bestehende Schicht oder eine entsprechende Precursor-Schicht überwiegend bestehend aus Polysilin bildet,
(e) Behandeln der nach Schritt (d) erhaltenen Schicht mit Sauerstoff in Form von
elementarem Sauerstoff und/oder 03, Kohlendioxid, einer oder mehreren
sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, und
(f) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (e) erhaltenen
beschichteten Substrats
(g) optional, Abkühlen der nach Schritt d) erhaltenen Beschichtung,
so dass sich eine überwiegend aus Silicium bestehende und zumindest teilweise polymorphe Schicht, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche aufweist, bildet, oder umfassend die Schritte: (a') Bereitstellen eines Substrates,
(b') Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung und enthaltend Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff und/oder 03,
Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, und optional zusätzlich enthaltend Lösungsmittel und/oder weitere Hilfsstoffe,
(c') Aufbringen der Formulierung auf das Substrat, und
(d') Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (c') erhaltenen
beschichteten Substrats,
(e') optional, Abkühlen der nach Schritt (d') erhaltenen Beschichtung,
so dass sich eine überwiegend aus Silicium bestehende und zumindest teilweise polymorphe Schicht, die insgesamt Suboxidstrukturen aufweist, bildet.
Im Gegensatz zum Stand der Technik werden die Schritte a) bis d) und Schritt f) bzw. a') bis e'), vorzugsweise unter Inertbedingungen durchgeführt. Dadurch wird gewährleistet, dass ein Suboxid mit geeigneten optoelektronischen Eigenschaften entsteht. Ebenfalls entscheidend ist, dass die Schritte d) und e) nicht zusammen durchgeführt werden.
Unter Inertbedingungen im Sinne der vorliegenden Erfindung wird verstanden, dass während der entsprechenden erfindungsgemäßen Verfahrensschritte der Gehalt an Sauerstoff in der Umgebung weniger als 20 ppm beträgt. Dies wird durch Einsatz entsprechender Inertgase gewährleistet. Bespiele für einsetzbare Inertgase sind Stickstoff und/oder Edelgase, wie beispielsweise Argon und Helium, oder Mischungen hieraus, die einen Gehalt Sauerstoff von weniger als 20 ppm aufweisen. Vorzugsweise werden Stickstoff, Argon oder Helium eingesetzt.
Die in den Schritten (c) bis (f) bzw. (c) bis (g) gebildete überwiegend aus Silicium bestehende und zumindest teilweise polymorphe Schicht, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche aufweist, weist dabei bevorzugt eine Schichtdicke von 5 bis 3000 nm, weiter bevorzugt von 5 bis 500 nm auf. Bevorzugte Schichtdicken liegen auch im Bereich von 50 bis 300 nm und 100 bis 200 nm. Dabei weist die Suboxidstruktur-haltige Oberfläche, also die in den Schritten (e) bis (f) bzw. (e) bis (g) gebildete Schicht, bevorzugt eine Dicke von 1 bis 50 nm, weiter bevorzugt von I bis 20 nm auf. Die in den Schritten (b') bis (d') bzw. (b') bis (e') gebildete überwiegend aus Silicium bestehende und zumindest teilweise polymorphe Schicht, die insgesamt Suboxidstrukturen aufweist, weist dabei bevorzugt eine Schichtdicke von 5 bis 100 nm, weiter bevorzugt von 5 bis 50 nm, besonders bevorzugt von 5 bis 40 nm, auf.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt das
Behandeln mit Sauerstoff in Schritt (e) durch:
(i) Begasung der Schicht mit elementarem Sauerstoff und/oder 03, Kohlendioxid, einer oder mehreren in Gasform gebrachten sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer
Gasmischung davon, oder
(ii) Aufbringen einer flüssigen Formulierung enthaltend gelösten elementaren Sauerstoff und/oder 03, gelöstes Kohlendioxid, eine oder mehrere sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder eine Mischung davon auf die Schicht.
Die alternative Verfahrensführung mit den Schritten (a') bis (e') ist nicht in jedem Fall ideal, da nicht nur auf der Oberfläche Si-Suboxide entstehen, sondern auch in der Schicht insgesamt. Trotzdem kann diese Alternative zu brauchbaren oder sogar guten Ergebnissen führen.
Brauchbare Ergebnisse gelten insbesondere für dünne, undotierte Siliciumschichten
(Schichtdicke 40 nm oder geringer). Dagegen führt die Einführung von Si-Suboxiden in dickere undotierte Siliciumschichten (Schichtdicke 50 nm oder höher) zu weniger guten Ergebnissen. Die Einführung von Si-Suboxiden in dotierte Siliciumschichten mit n-Dotierung oder p-Dotierung zeigt in der Regel keine verbessernde Wirkung.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch so betrieben werden, dass wahlweise
(i) die Schritte (c) und (d) und/oder
(ii) die Schritte (e) und (f) und/oder
(iii) die Schritte (c') und (<_')
jeweils nacheinander, sich zeitlich überschneidend oder gleichzeitig durchgeführt werden.
Wie oben ersichtlich, ist das erfindungsgemäße Verfahren geeignet zur Herstellung
"mindestens einer" auf einem Substrat angeordneten Siliziumschicht. Um mehrere
entsprechende Siliziumschichten auf einem Substrat zu erhalten können die Verfahrensschritte (b) bis (f) bzw. (b') bis (d') mehrfach durchgeführt werden. Bei mehreren Durchgängen der Verfahrensschritte können die einzelnen Schritte unabhängig voneinander konkret ausgestaltet werden, so dass die Eigenschaften jeder Schicht individuell für den beabsichtigten Zweck eingestellt werden können. Jedoch muss mindestens einmal der Schritt e) bzw. b') dabei durchgeführt werden
Bei der unter (e) bzw. unter (b') genannten sauerstoffhaltigen Verbindung(en) handelt es sich bevorzugt um Verbindungen der allgemeinen Formel R1R2SiR3R4, wobei zumindest eine der Gruppen R1 bis R4 die Struktur -O-R hat, wobei R = H, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Alkylarylgruppe ist.
Die Gruppen R1 bis R4 der Formel R1R2SiR3R4, die die Struktur -O-R nicht haben, sind bevorzugt unabhängig voneinander ausgewählt aus Wasserstoff, einer Alkylgruppe, einer Arylgruppe oder einer Alkylarylgruppe.
In einer alternativen Ausführungsform kann es sich bei der genannten Form des Sauerstoffs um H20, einen Alkohol, ein Diol, ein Triol, ein Aldehyd, ein Keton, eine Carbonsäure oder einen Kohlensäureester, bevorzugt ein Kohlensäureester von Diolen, handeln. Ein geeigneter
Kohlensäureester ist z. B. Propylencarbonat. Solche Kohlensäureester enthalten viel Sauerstoff und können auch gut in Schritt (b') der Formulierung zugesetzt werden.
Das verwendete Substrat hat in der Regel elektrisch leitfähig zu sein. Für diesen Fall kommen auch alle geeigneten Anordnungen mit einer elektrisch leitfähigen Oberfläche in Frage.
Beispielhafte Substrate bestehen etwa aus oder sind Graphit, Metall oder mit
legierungsbildenden Metallen (ausser Silicium) beschichtetes Graphit. Insbesondere ist das erfindungsgemäße Verfahren für alle Substrate der Halbleiterwafer-Technologie geeignet. In Frage kommen also auch Substrate mit Oberflächen aus Metallen, Metall-Legierungen, Graphit, leitfähigen Metalloxiden, z. B. Indiumzinnoxid (ITO), leitfähigen Kohlenstoff-Verbindungen oder sonstigen leitfähigen Objekten, z. B. Metallflitter in einer Kohlenstoff-Matrix. Geeignet sind z. B. auch mit einem leitenden Material beschichtete Isolatoren wie beispielsweise Glas, Keramik, oder temperaturbeständige Kunststoffe. Die leitfähigen Beschichtungen können vollflächig oder in besonderen Fällen nur teilflächig sein. Zum Beispiel ist im Falle leitfähig beschichteter Isolatoren in der Regel darauf zu achten, dass die spätere Bedeckung des Substrates mit der Siliziumschicht flächenmäßig nicht vollständig erfolgt, damit im Falle photovoltaischer
Anordnungen seitlich eine leitende Verbindung, z. B. zur Stromableitung, bestehen bleibt. Als Substrate können prinzipiell auch Halbleiterwafer, z. B. Silicium-Wafer, oder bevorzugt Silicium-Wafer vom n-Typ oder p-Typ, in Frage kommen.
Als Substrat kann aber auch ein beschichtetes Substrat eingesetzt werden, welches bereits nach dem hier beschriebenen Verfahren hergestellt wurde. Das beschichtete Substrat kann insbesondere eine Si-Zelle und/oder eine SiGe-Zelle darstellen.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Silicium- Verbindung eine Silicium-Wasserstoff-Verbindung, vorzugsweise der allgemeinen Formel SinH2n+2 mit n= 3 bis 10, bevorzugt n=4 bis 8 oder SinH2n mit n= 4 bis 8, bevorzugt n=5 und 6; ein Silicium-Halogenid; ein Silicium-Organyl; eine oligomere Silicium-Verbindung SinR2n+2 oder SinR2n mit n= 8 bis 100 und R= H, Halogen, Organyl, wobei jedes R unabhängig gewählt sein kann; oder eine beliebige Mischung solcher Silicium-Verbindungen. Des Weiteren können die genannten Verbindungen teilweise oder in Gänze oligomerisiert werden, wobei Molmassen von 500 g/mol bis 10000 g/mol, bevorzugt 800 g/mol bis 5000 g/mol eingestellt werden. Des Weiteren können auch die Silicium-Verbindungen, teilweise oder in Gänze durch Bestrahlen oder thermische Behandlung oligomerisiert werden, wobei Molmassen von 500 g/mol bis 10000 g/mol, bevorzugt 800 g/mol bis 5000 g/mol, besonders bevorzugt 1000 g/mol bis 3000 g/mol, eingestellt werden können.
Besonders bevorzugt werden Silicium-Wasserstoff-Verbindungen, also Silane und Oligo- bzw. Polysilane, eingesetzt, da diese einen hohen Silicium-Anteil bezogen auf das Molgewicht der Verbindungen aufweisen. Von den Silanen eignen sich besonders solche der allgemeinen Formel SinH2n+2 mit n = 3 bis 10, bevorzugt n = 4 bis 8, oder SinH2n mit n= 4 bis 8, bevorzugt n = 5 und 6, für das erfindungsgemäße Verfahren. Ganz besonders eignen sich Oligomere, die aus diesen Silanen hergestellt worden sind, wobei Molmassen von 500 g/mol bis 10000 g/mol, bevorzugt 800 g/mol bis 5000 g/mol, besonders bevorzugt 1000 g/mol bis 3000 g/mol, eingestellt werden können. Die in den erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Silicium-haltige Formulierung ist typischerweise eine flüssige Formulierung. Diese besteht aus den vorgenannten Silicium- Verbindungen und gegebenenfalls im Gemisch mit Lösungsmitteln. Geeignete Lösungsmittel sind z. B. bei Raumtemperatur flüssige aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffe sowie deren Mischungen. Beispiele sind n-Pentan, n-Hexan, n-Heptan, n-Oktan, n-Dekan, Dodekan, Cyclohexan, Cyclooctan, Cyclodekan, Dicyclopentan, Benzol, Toluol, m-Xylol, p- Xylol, Mesitylen, Indan, Inden, Tetrahydronaphtalin, Decahydronaphtalin, Diethylether,
Dipropylether, Ethylenglycoldimethylether, Ethylenglycoldiethylether,
Ethylenglycolmethylethylether, Diethylenglycoldimethylether, Diethylenglycoldiethylether, Diethylenglycolmethylethylether, Tetrahydrofuran, p-Dioxan, Acetonitril, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Dichlormethan und Chloroform. Die Viskosität der Beschichtungslösung liegt bevorzugt bei 1 bis 2000 mPas.
In einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Silicium-haltige Formulierung durch Oligomerisieren und/oder Polymerisieren eines Gemisches enthaltend mindestens ein höheres Silan der allgemeinen Formel SinH2n+2 mit n = 3 bis 10, bevorzugt n = 4 bis 8, oder SinH2n mit n= 4 bis 8, bevorzugt n = 5 und 6 hergestellt werden. Zur Oligomerisierung mittels UV-Bestrahlung oder Wärmebehandlung werden höhere Silane der vorgenannten Formeln mit n > 3 eingesetzt. Auf diese Weise kann aus einer flüssigen niedrigviskosen Mischung in einem Schritt eine gewünschte höherviskose Flüssigmischung enthaltend Oligo-/Polysilane hergestellt werden.
Gegebenenfalls kann/können zusätzlich Lösungsmittel, Dotierungsmittel und/oder weitere Hilfsstoffe zugesetzt werden. Dabei können diese weiteren Mittel bzw. Stoffe unabhängig voneinander dem Gemisch bereits vor dem Oligomerisieren und/oder Polymerisieren oder erst danach zugesetzt werden. Werden den Mischungen Dotierstoffe zugesetzt, können das im Falle der n-Dotierung z. B. Phosphor-Verbindungen, wie etwa Phenylphosphin, und im Falle der p-Dotierung z. B. Bor-Verbindungen, wie etwa Dekaboran-14, sein. Auch in diesem Fall kann das Oligomerisieren und/oder Polymerisieren teilweise oder in Gänze durch Bestrahlen oder thermische Behandlung erfolgen, wobei Molmassen von 500 g/mol bis 10000 g/mol, bevorzugt 800 g/mol bis 5000 g/mol, besonders bevorzugt 1000 g/mol bis 3000 g/mol, eingestellt werden können. Der Anteil an Lösungsmittel bezogen auf die Gesamtformulierung kann 5 bis 95 Gew.- %, bevorzugt 25 bis 93 Gew.-%, besonders bevorzugt 50 bis 93 Gew.-% betragen. Das Beschichten des Substrats mit der Silicium-haltigen Formulierung kann auf bekannte
Weise erfolgen, bevorzugt durch Aufgießen oder Rakeln oder Verfahren ausgewählt aus Druckbzw. Beschichtungsverfahren (insbesondere Flexo/Gravur-Druck, Inkjet-Druck, Offset-Druck, digitalem Offset-Druck und Siebdruck), Sprühverfahren, Rotationsbeschichtungs-verfahren („Spin-coating"), Tauchverfahren („Dip-coating") und Verfahren ausgewählt aus Meniscus Coating, Slit Coating, Slot-Die Coating, und Curtain Coating.
Das thermische Behandeln des beschichteten Substrats kann in einem, mehreren oder allen der Schritte (d), (d') und/oder (f) auf bekannte Weise erfolgen, wobei Schritt d) in der ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens in jedem Fall erfolgen muss. So kann etwa das mit der Formulierung beschichtete Substrat bevorzugt auf Temperaturen von 200 bis 1000 °C, vorzugsweise 250 bis 700 °C, weiter bevorzugt 250 bis 600 °C, erhitzt werden. Dabei bildet sich erfindungsgemäß eine zumindest teilweise polymorphe und überwiegend aus Silicium bestehende Schicht. Im Falle frisch hergestellter Schichten kann auch mit einer UV- Lampe (z. B. Wellenlänge 254 nm, Leistung 15 Watt oder Wellenlänge 180 nm) eine vorgeschaltete Härtung durch Vernetzung erfolgen. In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das beschichtete Substrat ohne Bestrahlung einer thermischen Behandlung zugeführt. Als Heizaggregate kommen z. B. Heizplatten, Infrarot- Felder, Rohröfen oder Muffelöfen in Frage, jeweils unter weitgehendem Ausschluss von 02 und H20. bis auf die sehr kleinen, gezielt eingebrachten Sauerstoffmengen zum Erreichen der Suboxid-Schichten. Dabei darf die Gesamtsauerstoffmenge nicht so hoch sein, dass Si02 entsteht. Die Temperaturen reichen von 200°C bis 1000°C. Die Schichten können auch bevorzugt nachbehandelt werden durch Erhitzen unter Formiergas-Mischungen aus
Wasserstoff und Stickstoff oder aus Wasserstoff und Argon (z. B. H2/N2 im Volumen-Verhältnis 5/95 bis 10/90 oder H2/Ar im Volumen-Verhältnis 5/95 bis 10/90) bei Temperaturen von 250°C bis 700°C, bevorzugt 250°C bis 500°C.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch ein beschichtetes Substrat, umfassend eine der folgenden Schichtabfolgen:
Substrat // i-Si(Subox),
Substrat // i-Si // i-Si(Subox),
Substrat // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si,
Substrat // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si,
- Substrat // i-Si(Subox) // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si //
i-Si(Subox), und
Substrat // i-Si(Subox) // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si //
i-Si(Subox).
Substrat // n-Si// p-Si // p-Si(Subox) // n-Si // i-Si// p-Si Substrat // p-Si// n-Si // n-Si(Subox) // p-Si // i-Si// n-Si
Substrat // n-Si// i-Si // p-Si // p-Si(Subox) // n-Si // i-Si// p-Si
Substrat // p-Si// i-Si // n-Si // n-Si(Subox) // p-Si // i-Si// n-Si Unter "i-Si(Subox)" wird im Rahmen der Erfindung eine überwiegend aus Silicium bestehende und zumindest teilweise polymorphe, undotierte (intrinsische) Schicht verstanden, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt Suboxidstrukturen aufweist.
Unter "i-Si" wird eine überwiegend aus Silicium bestehende, undotierte Schicht, vorzugsweise eine aus Silicium bestehende, undotierte Schicht verstanden. Unter "n-Si" wird eine überwiegend aus Silicium bestehende, n-Typ-dotierte Schicht und unter "p-Si" eine entsprechende p-Typ-dotierte Schicht verstanden. Das Zeichen " // " zeigt den Übergang zur jeweils nächsten Schicht an.
Bevorzugte Schichtabfolgen sind
Substrat // i-Si // i-Si(Subox),
Substrat // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si,
Substrat // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si,
Substrat // i-Si(Subox) // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si //
i-Si(Subox), und
Substrat // i-Si(Subox) // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si //
i-Si(Subox).
Substrat // n-Si// p-Si // p-Si(Subox) // n-Si // i-Si// p-Si
Substrat // p-Si// n-Si // n-Si(Subox) // p-Si // i-Si// n-Si
Substrat // n-Si// i-Si // p-Si // p-Si(Subox) // n-Si // i-Si// p-Si
Substrat // p-Si// i-Si // n-Si // n-Si(Subox) // p-Si // i-Si// n-Si
Vorzugsweise werden die Suboxidschichten i-Si(Subox), p-Si(Subox) und n-Si(Subox) durch Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt. Ganz besonders bevorzugt werden alle Schichten nach einem Flüssigphasenverfahren hergestellt.
Die Schichten i-Si weisen dabei bevorzugt eine Schichtdicke von 5 bis 3000 nm, weiter bevorzugt von 5 bis 500 nm auf. Die Schichten i-Si(Subox), p-Si(Subox) und n-Si(Subox) weisen dabei bevorzugt eine
Schichtdicke von 1 bis 50 nm, weiter bevorzugt von 1 bis 40 nm, besonders bevorzugt von 1 bis 20 nm, auf. Für die in der Schrittfolge d),e) und f) gebildete Schicht, welche aus i-Si und i-Si(Subox) besteht, gilt die oben genannte bevorzugte Schichtdicke von i-Si, nämlich bevorzugt 10 bis 3000 nm, weiter bevorzugt von 20 bis 500 nm. Für den Anteil i-Si(Subox) gilt eine bevorzugte Schichtdicke von 1 bis 20 nm, weiter bevorzugt von 1 bis 15 nm, besonders bevorzugt von 1 bis 10 nm.
Die Schichten n-Si und p-Si weisen bevorzugt eine Schichtdicke von 10 bis 3000 nm, weiter bevorzugt von 20 bis 500 nm auf.
Die oben genannten beispielhaften Schichtabfolgen umfassen vorzugsweise keine weiteren Zwischenschichten innerhalb der jeweiligen Schichtabfolge. Gleichwohl können weitere
Schichten, die weiter nach außen angeordnet sind, vorgesehen sein. Das verwendete Substrat kann z. B. ein mehrschichtiges Substrat sein. Auch auf die jeweils zuletzt genannte Schicht können weitere funktionale Schichten angeordnet sein. Es soll auch nicht ausgeschlossen werden, dass nicht gegebenenfalls doch weitere Zwischenschichten innerhalb der jeweiligen Schichtabfolgen vorgesehen sein können.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich die Si(Subox)-Schichten sehr vorteilhaft gegenüber der Plasma-unterstützten Abscheidung aus der Gasphase (PECVD-Verfahren) herstellen. Das bei Temperaturen von sinnvollerweise bis 300°C anwendbare PECVD- Verfahren lässt zwar auch eine gewisse Polymorphie des Siliziums bzw. der a-SiOx:H
Schichten zu, indem man die Prozessführung über die Frequenz bei der Plasmaerzeugung und den Wasserstoffgehalt in der Gasphase variiert. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt jedoch nicht nur eine einfachere Herstellung der Schichten, es ermöglicht auch eine einfachere Variation der Polymorphie alleine durch die Temperaturbehandlung der Schichten, wobei man Temperaturen bis 1000 °C anwenden kann. Diese hohe Temperaturspanne ermöglicht zudem eine verbesserte Optimierung der Si(Subox)-Schichten.
Als Substrate kommen alle oben genannten Materialien und Anordnungen in Frage. Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein photovoltaisches Gerät, insbesondere eine Solarzelle oder Solarzellenkombinationen, welches unter Anwendung desr hier beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahrens oder seiner Varianten hergestellt wurde bzw. hergestellt werden kann.
Die vorliegende Erfindung umfasst insbesondere auch die Verwendung von Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff, Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen
Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung für Silicium-Suboxidstrukturen bei der Herstellung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, wobei die Schicht die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt aufweist.
Beispiele:
Die angegebenen Schichtdicke wurden mit einem Profilometer, KLA Tencor, Gerätetyp P15 der Firma KLA-Tencor Corporation, Film and Surface Technology, 160 Rio Robles, San Jose, California USA 951 34, gemessen. Beispiel 1 : Herstellung einer undotierten Si-Schicht (i-Si-Schicht)
1 a) Schichtdicken 100 nm bis 200 nm
In einer Glove-Box mit einer Argon-Atmosphäre, die eine Sauerstoffkonzentration unter 0,5 ppm und einen Wassergehalt von höchstens 0,5 ppm aufwies, wurden 5 g Cyclopentasilan im offenen Gefäß mit einer UV-Lampe der Wellenlänge 254 nm und einer Leistung von 15 Watt im Abstand von 6 cm während einer Zeitdauer von 15 min bestrahlt. Dabei wurde das dünnflüssige Silan dickflüssiger. Mit Hilfe der Gelpermeationschromatograhie (GPC) wurde unter Zuhilfenahme einer Polystyrol- Eichkurve das gewichtsmittlere Molekulargewicht des höhermolekularen Anteils des
dickflüssigen Silangemisches zu Mw=2400 g/mol bestimmt. Außerdem enthielt das Gemisch noch Reste von monomerem Cyclopentasilan. Das Gemisch wurde mit Toluol so verdünnt, dass die Mischung aus 1 Gew.-Teil Silan und 3 Gew.-Teilen Toluol besteht und mit Hilfe eines Spincoaters auf ein mit Silber beschichtetes Quarzplättchen der Größe 2,5 cm ■ 2,5 cm aufgebracht werden konnte. Anschließend wurde mit Hilfe einer Heizplatte die Schicht auf 500 °C für die Dauer von 2 min erhitzt. Es entstand eine dunkle, im Wesentlichen sauerstofffreie undotierte Silicium-Schicht auf dem metallischen Substrat. Sie erhält die Kurzbezeichnung "i-Si". Die Schichtdicke betrug 140 nm.
1 b) Schichtdicken von 5 nm bis 40 nm Das unter 1 a) beschriebene Vorgehen wurde wiederholt mit dem Unterschied, dass die hergestellte Mischung aus Cyclopentasilan-Oligomeren mit einem gewichtsmittleren
Molekulargewicht des höhermolekularen Anteils von Mw=2400 g/mol und Resten von monomerem Cyclopentasilan nicht mit 3 Teilen Toluol, sondern mit 6 Teilen Toluol verdünnt wurde. Hierdurch wird die Schichtdicke gegenüber Beispiel 1 a) verringert. Die Schichtdicke betrug 25 nm.
Beispiel 2: Herstellung einer n-dotierten Si-Schicht (n-Si-Schicht)
Das Beispiel 1 a) wurde durchgeführt, jedoch mit dem Unterschied, dass der durch UV- Bestrahlung hergestellten Mischung aus oligomerem und monomerem Cyclopentasilan beim Verdünnen zusammen mit dem Toluol ein Co-Oligomerisat von Phenylphosphin und
Cyclopentasilan mit dem gewichtsmittleren Molekulargewicht Mw=2200 g/mol als Dotiermittel zugegeben wurde. Das Gemisch wurde mit Hilfe eines Spincoaters auf ein mit Silber beschichtetes Quarzplättchen der Größe 2,5 cm ■ 2,5 cm aufgebracht. Anschließend wurde mit Hilfe einer Heizplatte die Schicht auf 500 °C für die Dauer von 2 min erhitzt. Es entstand eine dunkle im Wesentlichen sauerstofffreie n-dotierte Silicium-Schicht auf dem metallischen Substrat. Sie erhält die
Kurzbezeichnung "n-Si". Die Schichtdicke betrug 170 nm.
Beispiel 3: Herstellung einer p-dotierten Si-Schicht (p Si-Schicht)
Das Beispiel 1 a) wurde durchgeführt, jedoch mit dem Unterschied, dass der durch UV- Bestrahlung hergestellten Mischung aus oligomerem und monomerem Cyclopentasilan beim Verdünnen zusammen mit dem Toluol ein Co-Oligomerisat von Dekaboran-14 und Cyclopentasilan mit dem gewichtmittleren Molekulargewicht Mw=2500 g/mol als Dotiermittel zugegeben wurde. Das Gemisch wurde mit Hilfe eines Spincoaters auf ein mit Silber beschichtetes Quarzplättchen der Größe 2,5 cm ■ 2,5 cm aufgebracht. Anschließend wurde mit Hilfe einer Heizplatte die Schicht auf 500 °C für die Dauer von 2 min erhitzt. Es entstand eine dunkle im Wesentlichen sauerstofffreie p-dotierte Silicium-Schicht auf dem metallischen Substrat. Sie erhält die
Kurzbezeichnung "p-Si". Die Schichtdicke betrug 180 nm.
Beispiel 4: Herstellung einer einheitlichen, undotierten Si-Schicht mit Suboxid-Strukturen unter Einbringen von Sauerstoff in Schritt (b')
In einer Glove-Box mit einer Argon-Atmosphäre wurde die unter Beispiel 1 a) beschriebene Herstellung einer Mischung aus oligomerem und monomerem Cyclopentasilan durch UV- Bestrahlung wiederholt. Der oligomere Anteil hatte dabei ein gewichtsmittleres
Molekulargewicht Mw von 2500 g/mol, gemessen mittels GPC.
Die Mischung wurde zunächst mit Toluol so verdünnt, dass eine Mischung aus 1 Gew.-Teil Silan und 5 Gew.-Teilen Toluol erhalten wurde. Danach wurde 1 Gew.- Teil einer Lösung von 1 Gew.-Teil Isobutyltrimethoxysilan in 20 Gew.-Teilen Toluol zugegeben.
Das Gemisch wurde mit Hilfe eines Spincoaters auf ein mit Silber beschichtetes Quarzplättchen der Größe 2,5 cm ■ 2,5 cm aufgebracht. Anschließend wurde mit Hilfe einer Heizplatte die Schicht auf 500 °C für die Dauer von 2 min erhitzt. Es entstand eine dunkle, sauerstoffhaltige undotierte Silicium-Schicht auf dem metallischen Substrat, sie erhält die Kurzbezeichnung "i- Si(Subox)". Die Schichtdicke betrug 20 nm.
Beispiel 5: Herstellung einer undotierten Si-Schicht, mit Suboxid-Strukturen an der Oberfläche, Einbringen von Sauerstoff in Schritt (e)
In einer Glove-Box mit einer Argon-Atmosphäre wurde die unter Beispiel 1 beschriebene Herstellung einer Mischung aus oligomerem und monomerem Cyclopentasilan durch UV- Bestrahlung wiederholt. Der oligomere Anteil hatte dabei ein gewichtsmittleres
Molekulargewicht Mw von 2500 g/mol, gemessen mittels GPC.
Die Mischung wurde mit zunächst mit Toluol so verdünnt, dass die Mischung aus 1 Gew.-Teil Silan und 3 Gew.-Teilen Toluol erhalten wurde.
Das Gemisch wurde mit Hilfe eines Spincoaters auf ein mit Silber beschichtetes Quarzplättchen der Größe 2,5 cm ■ 2,5 cm aufgebracht. Anschließend wurde mit Hilfe einer Heizplatte die Schicht auf 280 °C für die Dauer von 30 Sekunden erhitzt. Es entstand eine
dunkelorangefarbene undotierte Silicium-Precursor-Schicht auf dem metallischen Substrat.
Nach dem Abkühlen wird auf die Precursor-Schicht eine Lösung von 5 Gew.- Teilen
Isobutyltrimethoxysilan in 95 Gew.-Teilen Toluol via Spincoating aufgebracht. Anschließend wurde mit Hilfe einer Heizplatte die Schicht auf 500 °C für die Dauer von 2 min erhitzt. Es entstand eine dunkle undotierte, Silicium-Schicht auf dem metallischen Substrat, welche nur an der Oberfläche suboxidische Strukturen aufweist, so dass hier bereits eine Schichtfolge aus i-Si und i-Si(Subox) vorliegt. Sie erhält die Kurzbezeichnung "i-Si // i-Si(Subox)". Die Dicke der Doppelschicht betrug insgesamt 23 nm. Beispiel 6: Schichtfolge zur Herstellung einer dünnschichtigen nip-Solarzelle mit Suboxid
Zuerst wurde, wie unter Beispiel 2 beschrieben, eine n-dotierte Si-Schicht = n-Si auf einem metallischen Substrat hergestellt. Die Schichtdicke betrug 350 nm.
In Abwandlungen von Beispiel 6 kann die Schichtdicke auch im Bereich zwischen 50 nm und 500 nm liegen.
Diese Anordnung diente als neues Substrat, auf dem wie unter Beispiel 4 beschrieben, eine sauerstoffhaltige undotierte Silicium-Schicht = i-Si(Subox) aufgebracht wurde. Die Schichtdicke betrug 20 nm. In Abwandlungen kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 5 nm und 50 nm liegen.
Es folgte die Aufbringung einer undotierten Si-Schicht, mit Suboxid-Strukturen an der
Oberfläche = i-Si // i-Si(Subox) wie in Beispiel 5 beschrieben. Die Schichtdicke betrug 140 nm. In Abwandlungen kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 5 nm und 500 nm liegen. Danach wurde, der Beschreibung in Beispiel 3 folgend, eine p-dotierte Silicium-Schicht = p-Si aufgebracht. Die Schichtdicke betrug 80 nm. In Abwandlungen kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 20 nm und 500 nm liegen.
In Kurzform lautet die erhaltene Schichtfolge dann:
Metallsubstrat // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si
Beispiel 7: Schichtfolge zur Herstellung einer dünnschichtigen pin-Solarzelle mit Suboxid
Zuerst wurde, wie unter Beispiel 3 beschrieben, eine p-dotierte Si-Schicht = p-Si auf einem metallischen Substrat hergestellt. Die Schichtdicke betrug 400 nm. In Abwandlungen von Beispiel 7 kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 50 nm und 500 nm liegen. Diese Anordnung diente als neues Substrat, auf dem wie unter Beispiel 4 beschrieben, eine sauerstoffhaltige undotierte Silicium-Schicht = i-Si(Subox) aufgebracht wurde. Die Schichtdicke betrug 25 nm. In Abwandlungen kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 5 nm und 50 nm liegen. Es folgt die Aufbringung einer undotierten Si-Schicht, mit Suboxid-Strukturen an der Oberfläche = i-Si // i-Si(Subox) wie in Beispiel 5 beschrieben. Die Schichtdicke betrug 120 nm. In
Abwandlungen kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 5 nm und 50 nm liegen.
Danach wurde, der Beschreibung in Beispiel 2 folgend, eine n-dotierte Silicium-Schicht = n-Si aufgebracht. Die Schichtdicke betrug 70 nm. In Abwandlungen kann die Schichtdicke im Bereich zwischen 20 nm und 500 nm liegen.
In Kurzform lautet die erhaltene Schichtfolge dann:
Metallsubstrat // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si
Beispiel 8: Schichtfolge zur Herstellung einer dünnschichtigen inipi-Solarzelle mit Suboxid
Es wurde wie in Beispiel 6 vorgegangen, wobei zusätzlich als erster Schritt auf dem
Metallsubstrat eine i-Si(Subox) Schicht gemäß Beispiel 4 aufgebracht wurde und weiterhin zusätzlich als letzter Schritt ebenfalls eine i-Si(Subox) Schicht gemäß Beispiel 4 appliziert wurde.
In Kurzform lautet die erhaltene Schichtfolge dann:
Metallsubstrat // i-Si(Subox) // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si //
i-Si(Subox)
Beispiel 9: Schichtfolge zur Herstellung einer dünnschichtigen ipini-Solarzelle mit Suboxid Es wurde wie in Beispiel 6 vorgegangen, wobei zusätzlich als erster Schritt auf dem
Metallsubstrat eine i-Si(Subox) Schicht gemäß Beispiel 4 aufgebracht wurde und weiterhin zusätzlich als letzter Schritt ebenfalls eine i-Si(Subox) Schicht gemäß Beispiel 4 appliziert wurde. In Kurzform lautet die erhaltene Schichtfolge dann:
Metallsubstrat // i-Si(Subox) // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si //
i-Si(Subox)

Claims

Patentansprüche:
1 . Verfahren zur Herstellung mindestens einer auf einem Substrat angeordneten
Siliziumschicht, wobei mindestens eine der Siliciumschichten Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt Suboxidstrukturen aufweist, umfassend die Schritte:
(a) Bereitstellen eines Substrates,
(b) Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung,
(c) Aufbringen der Formulierung auf das Substrat,
(d) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des beschichteten Substrats,
(e) Behandeln der nach Schritt (d) erhaltenen Schicht mit Sauerstoff in Form von
elementarem Sauerstoff und/oder 03, Kohlendioxid, einer oder mehreren
sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung, und
(f) Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (e) erhaltenen
beschichteten Substrats,
unter Bildung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche aufweist,
oder umfassend die Schritte:
(a') Bereitstellen eines Substrates,
(b') Bereitstellen einer Formulierung enthaltend mindestens eine Silicium-Verbindung und enthaltend Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff und/oder 03,
Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung,
(c') Aufbringen der Formulierung auf das Substrat, und
(d') Bestrahlen und/oder thermisches Behandeln des nach Schritt (c') erhaltenen
beschichteten Substrats,
unter Bildung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die insgesamt Suboxidstrukturen aufweist.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (e) das Behandeln mit Sauerstoff erfolgt durch: i) Begasung der Schicht mit elementarem Sauerstoff und/oder 03, Kohlendioxid, einer oder mehreren in Gasform gebrachten sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Gasmischung davon, oder
ii) Aufbringen einer flüssigen Formulierung enthaltend gelösten elementaren Sauerstoff und/oder 03, gelöstes Kohlendioxid, eine oder mehrere sauerstoffhaltigen
Verbindung(en) oder eine Mischung davon auf die Schicht.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte (b) bis (f) und/oder (b') bis (d') mehrfach durchgeführt werden.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Form des Sauerstoffs um H20, einen Alkohol, ein Diol, ein Triol, ein Aldehyd, ein Keton, eine Carbonsäure, einen Kohlensäureester oder um eine sauerstoffhaltige
Verbindung der allgemeinen Formel R1R2SiR3R4 handelt, wobei zumindest eine der Gruppen R1 bis R4 die Struktur -O-R hat, wobei R = H, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Alkylarylgruppe ist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat elektrisch leitfähig ist oder eine elektrisch leitfähige Oberfläche aufweist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Silicium-Verbindung eine Silicium-Wasserstoff-Verbindung, vorzugsweise der allgemeinen Formel SinH2n+2 mit n= 3 bis 10 oder SinH2n mit n= 4 bis 8; ein Silicium-Halogenid; ein Silicium-Organyl; eine oligomere Silicium-Verbindung SinR2n+2 oder SinR2n mit n= 8 bis 100 und R= H, Halogen, Organyl, wobei jedes R unabhängig gewählt sein kann; oder eine beliebige Mischung solcher Silicium-Verbindungen ist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Silicium-haltige Formulierung eine flüssige Formulierung ist, die gegebenenfalls
Lösungsmittel umfasst und wobei die Viskosität der Beschichtungslösung bei 1 bis 2000 mPas liegt.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung des Substrats mittels Aufgießen oder Rakeln oder Verfahren ausgewählt aus Druck- bzw. Beschichtungsverfahren, Sprühverfahren, Rotationsbeschichtungs-verfahren, Tauchverfahren und Verfahren ausgewählt aus Meniscus Coating, Slit Coating, Slot-Die Coating, und Curtain Coating erfolgt. 9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem, mehreren oder allen der Schritte (d), (d') und(f) die thermische Behandlung bei
Temperaturen von 200 bis 1000 °C, vorzugsweise 250 bis 700 °C, weiter bevorzugt 250 bis 500 °C durchgeführt wird. 10. Beschichtetes Substrat umfassend eine der folgenden Schichtabfolgen, wobei die
Schichtabfolgen vorzugsweise keine weiteren Zwischenschichten innerhalb der jeweiligen Schichtabfolge umfassen:
Substrat // i-Si(Subox),
Substrat // i-Si // i-Si(Subox),
Substrat // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si,
Substrat // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si,
Substrat // i-Si(Subox) // n-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // p-Si //
i-Si(Subox), oder
Substrat // i-Si(Subox) // p-Si // i-Si(Subox) // i-Si // i-Si(Subox) // n-Si //
i-Si(Subox),
Substrat // n-Si// p-Si // p-Si(Subox) // n-Si // i-Si// p-Si
Substrat // p-Si// n-Si // n-Si(Subox) // p-Si // i-Si// n-Si
Substrat // n-Si// i-Si // p-Si // p-Si(Subox) // n-Si // i-Si// p-Si
Substrat // p-Si// i-Si // n-Si // n-Si(Subox) // p-Si // i-Si// n-Si wobei unter i-Si(Subox), p-Si(Subox) und n-Si(Subox) eine überwiegend aus Silicium bestehende und zumindest teilweise polymorphe Schicht, die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt aufweist, gemeint ist. 1 1 . Beschichtetes Substrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat elektrisch leitfähig ist oder eine elektrisch leitfähige Oberfläche aufweist.
12. Photovoltaisches Gerät, insbesondere Solarzelle oder Kombination von Solarzellen,
hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9. Verwendung von Sauerstoff in Form von elementarem Sauerstoff, Kohlendioxid, einer oder mehreren sauerstoffhaltigen Verbindung(en) oder einer Mischung davon in reiner Form oder in Form einer flüssigen oder gasförmigen Mischung für Silicium-Suboxidstrukturen bei der Herstellung einer überwiegend aus Silicium bestehenden und zumindest teilweise polymorphen Schicht, die die Suboxidstrukturen an ihrer Oberfläche oder insgesamt aufweist.
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