WO2012043054A1 - 常温接合装置および常温接合方法 - Google Patents

常温接合装置および常温接合方法 Download PDF

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WO2012043054A1
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substrate
temperature bonding
chamber
wafer
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武志 津野
後藤 崇之
雅人 木ノ内
健介 井手
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0428Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
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    • H10P72/0431Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a room temperature bonding apparatus and a room temperature bonding method, and more particularly to a room temperature bonding apparatus and a room temperature bonding method used when bonding a plurality of substrates.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • the MEMS include a micromachine, a pressure sensor, and a micro motor.
  • Room temperature bonding is known in which wafer surfaces activated in a vacuum atmosphere are brought into contact with each other and bonded to each other. Such room temperature bonding is suitable for manufacturing the MEMS.
  • a MEMS formed by bonding wafers with large waviness may be a defective product. It is desired to produce a device with good quality more stably.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-318219 discloses that the bonded surface can be efficiently and uniformly cleaned with energy waves or energy particles, and also has a problem of impurity adhesion due to etching of the opposite chamber wall surface when cleaning in the chamber.
  • An implementation method that can be avoided is disclosed.
  • the mounting method irradiates energy waves or energy particles with a single irradiation means in the gap formed between both objects to be bonded, and substantially simultaneously cleans the bonding surfaces of both objects to be bonded. It is characterized in that at least one of the objects to be bonded is rotated during cleaning, the relative positions between the cleaned objects to be bonded are aligned, and then the objects to be bonded are bonded.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-73780 discloses a room temperature bonding method capable of bonding without warping.
  • the room-temperature bonding method is a method in which the bonding surfaces of the objects to be bonded are subjected to surface activation treatment with an energy wave that is an atomic beam, an ion beam or plasma, and then bonded. In addition, this is a method of separating the main bonding step.
  • the room-temperature bonding apparatus reduces the residual stress of a bonding chamber and a bonding chamber for manufacturing the bonding substrate by bonding the two activated substrates manufactured by activating the two substrates. And a heat chamber for annealing the bonding substrate. According to such a room temperature bonding apparatus, the residual stress of the bonding substrate can be reduced, and the quality can be further improved.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a control device.
  • the heat chamber includes a pressurizing mechanism that pressurizes the bonding substrate.
  • the control device controls the pressurizing mechanism so that the bonded substrate is pressurized when the bonded substrate is annealed. According to such a room temperature bonding apparatus, the bonding substrate can be formed in a predetermined shape.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a sensor for measuring a pressure for pressurizing the bonded substrate when the bonded substrate is annealed.
  • the control device controls the pressurizing mechanism so that the pressure does not exceed a predetermined pressure.
  • Such a room temperature bonding apparatus can prevent the bonding substrate from cracking due to an increase in the load applied to the bonding substrate.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a chamber for desorbing the adsorbed material from the two substrates before activating the two substrates. According to such a room temperature bonding method, voids can be prevented from being generated on the bonding surface of the bonded substrate when the bonded substrate is annealed, and the bonding strength of the bonded substrate can be improved.
  • the room-temperature bonding apparatus further includes a cooling device that cools the two substrates after the adsorbed substances are desorbed from the two substrates.
  • the controller controls the bonding chamber so that the two substrates are activated after being cooled.
  • the heat chamber is also used as a chamber for desorbing adsorbed substances from the two substrates before activating the two substrates.
  • a room temperature bonding apparatus is more compact and preferable as compared with other room temperature bonding apparatuses in which the apparatus for annealing the bonding substrate and the apparatus for desorbing the adsorbed substance from the two substrates are separate.
  • the heat chamber includes a first holding device that holds a first substrate of the two substrates, a second holding device that holds a second substrate of the two substrates, and the first holding device includes A first heater for desorbing the adsorbed substance from the first substrate when the first substrate is held; and a second substrate when the second holding device holds the second substrate. And a second heater for desorbing the adsorbed substance from the first heater.
  • the control device applies pressure so that when the bonded substrate is annealed by the first heater, the bonded substrate is pressed by being sandwiched between the first holding device and the second holding device. Control the pressure mechanism.
  • the room temperature bonding method includes a step of activating two substrates to produce two activated substrates, a step of producing a bonded substrate by bonding the two activated substrates, and the bonded substrate. Annealing the bonded substrate so as to reduce the residual stress. According to such a room temperature bonding method, the residual stress of the bonded substrate can be reduced, and the quality can be further improved.
  • the room temperature bonding method according to the present invention further includes a step of pressurizing the bonded substrate when the bonded substrate is annealed.
  • the bonding substrate can be formed in a predetermined shape.
  • the room temperature bonding method includes a step of measuring a pressure for pressurizing the bonded substrate when the bonded substrate is annealed, and a step of controlling the pressure so that the pressure does not exceed a predetermined pressure. It has more. According to such a room temperature bonding method, it is possible to prevent the bonding substrate from cracking due to an increase in the load applied to the bonding substrate.
  • the room temperature bonding method according to the present invention further includes a step of desorbing the adsorbed substance from the two substrates before activating the two substrates. According to such a room temperature bonding method, voids can be prevented from being generated on the bonding surface of the bonded substrate when the bonded substrate is annealed, and the bonding strength of the bonded substrate can be improved.
  • the room-temperature bonding method according to the present invention further includes a step of cooling the two substrates after desorbing the adsorbed material from the two substrates.
  • the two substrates are activated after being cooled. According to such a room temperature bonding method, a product can be produced at higher speed, and the throughput can be improved.
  • the bonded substrate is annealed using a heat chamber for desorbing adsorbed material from the two substrates.
  • the room-temperature bonding apparatus main body that performs such a room-temperature bonding method is different from the apparatus that anneals the bonding substrate with other room-temperature bonding apparatus main bodies that are separate from the apparatus that desorbs the adsorbed material from the two substrates. Therefore, it is more compact and preferable.
  • the heat chamber includes a first holding device that holds a first substrate of the two substrates, a second holding device that holds a second substrate of the two substrates, and the first holding device includes A first heater for desorbing the adsorbed substance from the first substrate when the first substrate is held; and a second substrate when the second holding device holds the second substrate. And a second heater for desorbing the adsorbed substance from the first heater.
  • the bonded substrate is pressed by being sandwiched between the first holding device and the second holding device, and is annealed by the first heater.
  • the room temperature bonding apparatus and the room temperature bonding method according to the present invention can reduce the residual stress of a product produced by bonding objects to be bonded, and can improve the quality of the product.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a room temperature bonding apparatus main body.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the bonding chamber.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the heat chamber.
  • FIG. 4 is a plan view showing the upper cartridge.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the upper cartridge.
  • FIG. 6 is a plan view showing the lower cartridge.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the lower cartridge.
  • FIG. 8 is a block diagram showing a room temperature bonding apparatus control apparatus.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a room temperature bonding method according to the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing another heat chamber.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing still another heat chamber.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing still another heat chamber.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing another room temperature bonding apparatus main body.
  • the room temperature bonding apparatus includes a room temperature bonding apparatus main body and a room temperature bonding apparatus controller.
  • the room-temperature bonding apparatus main body includes a load lock chamber 1, a bonding chamber 2, and a heat chamber 3.
  • the load lock chamber 1, the joining chamber 2, and the heat chamber 3 are containers that seal the inside from the environment.
  • the room temperature bonding apparatus main body further includes a gate valve 5 and a gate valve 6.
  • the gate valve 5 is interposed between the load lock chamber 1 and the bonding chamber 2, and forms a first gate that connects the inside of the bonding chamber 2 and the inside of the load lock chamber 1.
  • the gate valve 5 is controlled by the bonding device control device to close the first gate or open the first gate.
  • the gate valve 6 is interposed between the load lock chamber 1 and the heat chamber 3, and forms a second gate that connects the inside of the heat chamber 3 and the inside of the load lock chamber 1.
  • the gate valve 6 is controlled by the bonding device control device to close the second gate or open the second gate.
  • the load lock chamber 1 has a lid (not shown).
  • the lid closes the gate connecting the environment and the interior of the load lock chamber 1 or opens the gate.
  • the load lock chamber 1 includes a vacuum pump (not shown).
  • the vacuum pump exhausts gas from the inside of the load lock chamber 1 by being controlled by the joining device controller.
  • the vacuum pump include a turbo molecular pump, a cryopump, and an oil diffusion pump.
  • the load lock chamber 1 further includes a plurality of shelves 7 and a transfer robot 8 inside.
  • a plurality of cartridges are placed on the plurality of shelves 7.
  • the transfer robot 8 is controlled by the bonding device control device to transfer the cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the bonding chamber 2 or the bonding chamber 2. Are transported to the plurality of shelves 7.
  • the transfer robot 8 is controlled by the bonding apparatus control device to transfer the cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the heat chamber 3 or heat
  • the cartridge arranged in the chamber 3 is conveyed to a plurality of shelves 7.
  • the bonding chamber 2 includes a vacuum pump 10.
  • the vacuum pump 10 evacuates gas from the inside of the bonding chamber 2 by being controlled by the bonding apparatus control device when the gate valve 5 is closed.
  • Examples of the vacuum pump 10 include a turbo molecular pump, a cryopump, and an oil diffusion pump.
  • the heat chamber 3 includes a vacuum pump (not shown).
  • the vacuum pump exhausts gas from the inside of the heat chamber 3 by being controlled by the joining device control device when the gate valve 6 is closed.
  • Examples of the vacuum pump include a turbo molecular pump, a cryopump, and an oil diffusion pump.
  • the bonding chamber 2 further includes a positioning stage carriage 11 and an alignment mechanism 12, as shown in FIG.
  • the positioning stage carriage 11 is formed in a plate shape.
  • the positioning stage carriage 11 is disposed inside the bonding chamber 2 and is supported so as to be able to move in parallel in the horizontal direction and to be rotatable around a rotation axis that is parallel to the vertical direction.
  • the positioning stage carriage 11 is used for holding a cartridge.
  • the alignment mechanism 12 is controlled by the bonding apparatus control device so that the positioning stage carriage 11 moves in parallel in the horizontal direction, or centering on a rotation axis in which the positioning stage carriage 11 is parallel to the vertical direction.
  • the positioning stage carriage 11 is moved so as to rotate.
  • the bonding chamber 2 further includes a pressure contact shaft 14, an electrostatic chuck 15, a pressure contact mechanism 16, and a load meter 17.
  • the pressure contact shaft 14 is supported so as to be movable in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2.
  • the electrostatic chuck 15 is disposed at the lower end of the press contact shaft 14.
  • the electrostatic chuck 15 is formed of a dielectric layer in which internal electrodes are disposed.
  • the dielectric layer is made of alumina ceramic and has a flat surface at the lower end.
  • the electrostatic chuck 15 is controlled by the bonding device control device so that a predetermined applied voltage is applied to the internal electrode.
  • the electrostatic chuck 15 holds a wafer disposed near the flat surface of the dielectric layer with an electrostatic force when a predetermined applied voltage is applied to the internal electrode.
  • the pressure contact mechanism 16 is moved by the bonding apparatus control device to translate the pressure contact shaft 14 in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2.
  • the pressure contact mechanism 16 further measures the position where the electrostatic chuck 15 is disposed, and outputs the position to the bonding apparatus control device.
  • the load meter 17 measures the load applied to the pressure contact shaft 14, thereby measuring the load applied to the wafer held by the electrostatic chuck 15, and outputs the load to the bonding apparatus controller.
  • the bonding chamber 2 further includes an ion gun 18 and an electron source 19.
  • the ion gun 18 emits accelerated argon ions by being controlled by the bonding device controller.
  • the ion gun 18 discharges the argon ions into the space between the positioning stage carriage 11 and the electrostatic chuck 15, that is, a wafer held by the positioning stage carriage 11 and a wafer held by the electrostatic chuck 15. Is fixed to the bonding chamber 2 so that the argon ions are irradiated.
  • the electron source 19 emits accelerated electrons by being controlled by the bonding apparatus controller.
  • the electron source 19 is configured so that electrons are emitted into the space between the alignment mechanism 12 and the electrostatic chuck 15, that is, a wafer held on the positioning stage carriage 11 and a wafer held on the electrostatic chuck 15. Are fixed to the bonding chamber 2 so that the electrons are irradiated.
  • the ion gun 18 further includes a metal target (not shown).
  • the metal target is formed of a plurality of metals and is disposed at a position where the argon ions are irradiated.
  • the metal target releases the plurality of metal atoms to the atmosphere inside the bonding chamber 2 when the argon ions are irradiated.
  • the metal target can be replaced with a metal grid.
  • the metal grid is a metal member having an opening, and is disposed at the exit end of the ion gun 18.
  • the metal grid emits the plurality of metal atoms to the atmosphere inside the bonding chamber 2 by irradiating the argon ions in the same manner as the metal target.
  • the metal target can be omitted when it is not necessary to attach metal atoms to the bonding surface of the wafer.
  • FIG. 3 shows the heat chamber 3.
  • the heat chamber 3 includes a chamber base 21, a heat sink 22, a heat insulating member 23, a sample table 24, and a heater 25.
  • the chamber base 21 forms a part of the heat chamber 3 and is a foundation that supports the heat sink 22, the heat insulating member 23, the sample stage 24, and the heater 25.
  • the heat sink 22 is fixed to the chamber base 21.
  • the heat insulating member 23 is made of quartz and is fixed to the chamber base 21 via the heat sink 22.
  • the heat insulating member 23 can also be formed of another heat insulating material having a high thermal shock property different from quartz. An example of the heat insulating material is quartz glass.
  • the heat insulating member 23 includes a flow path 26. The flow path 26 forms a conduit through which gaseous nitrogen flows.
  • the gaseous nitrogen is supplied from the outside of the heat chamber 3 by a cooling device (not shown).
  • the sample stage 24 is made of aluminum nitride AlN, and is fixed to the chamber base 21 via a heat insulating member 23. Note that the sample stage 24 can also be formed of another material having an excellent thermal conductivity different from that of aluminum nitride AlN. As the material, silicon carbide SiC is exemplified.
  • the sample table 24 has a holding surface 27 on the side opposite to the side joined to the heat insulating member 23. The holding surface 27 is formed so that the cartridge is held on the sample stage 24.
  • the heater 25 is disposed inside the sample table 24. The heater 25 generates heat by being controlled by the room temperature bonding apparatus controller, and heats the wafer placed on the cartridge. At this time, the heat sink 22 prevents the heat chamber 3 from being heated when the cooled refrigerant is constantly supplied from the outside of the heat chamber 3 and the heater 25 generates heat.
  • the heat chamber 3 further includes a substrate holder 31, a heat sink 32, an angle adjusting mechanism 33, a load cell 34, and a pressurizing mechanism 35.
  • the substrate holder 31 is made of quartz.
  • the substrate holder 31 has a holding surface 36 on the side facing the sample table 24.
  • the pressing surface 36 is formed flat.
  • the substrate pressing member 31 is bonded to the heat sink 32 on the side opposite to the side on which the pressing surface 36 is formed.
  • the heat sink 32 is bonded to the angle adjustment mechanism 33 on the side opposite to the side bonded to the substrate holder 31.
  • the angle adjustment mechanism 33 is joined to the load cell 34.
  • the load cell 34 is supported so that it can move in a direction perpendicular to the upper surface of the chamber base 21. At this time, the heat sink 32 prevents the angle adjusting mechanism 33 and the load cell 34 from being heated when the cooled refrigerant is constantly supplied from the outside of the heat chamber 3 and the substrate holder 31 is heated.
  • the pressurizing mechanism 35 is controlled by the room temperature bonding apparatus control device to move the angle adjusting mechanism 33 in the vertical direction with respect to the upper surface of the chamber base 21, that is, press the substrate against the upper surface of the chamber base 21. 31 is moved in the vertical direction.
  • the load cell 34 includes a piezoelectric element, measures the load applied to the pressing surface 36, and measures the bias of the load applied to the substrate pressing 31.
  • the load cell 34 outputs the load and the bias to the room temperature bonding apparatus controller.
  • the angle adjustment mechanism 33 changes the direction in which the pressing surface 36 faces by being controlled by the room temperature bonding apparatus controller.
  • the load cell 34 may have a large error in measurement values when the piezoelectric element is heated. Since the load cell 34 is prevented from being heated by the heat sink 32, the load and the deviation can be measured with higher accuracy.
  • the plurality of cartridges placed on the plurality of shelves 7 include an upper cartridge and a lower cartridge.
  • FIG. 4 shows the cartridge thereon.
  • the upper cartridge 41 is made of aluminum, stainless steel, or aluminum nitride, and has a generally disc shape.
  • the upper cartridge 41 has a plurality of island portions 42-1 to 42-4 formed on the upper surface of the disk.
  • the plurality of island portions 42-1 to 42-4 are formed as protrusions protruding from the upper surface of the disk, and the upper ends thereof are formed along one plane.
  • the upper cartridge 41 is formed with a flange portion 44 and a main body portion 45.
  • the main body portion 45 is formed in a cylindrical shape.
  • the flange portion 44 is formed so as to protrude from the side surface of the cylinder of the main body portion 45 and is formed in a disk shape. That is, the upper cartridge 41 is gripped by the transport robot 8 by being squeezed by the flange portion 44.
  • the upper cartridge 41 is used by placing the upper wafer 46 on the plurality of island portions 42-1 to 42-4. That is, the plurality of island portions 42-1 to 42-4 are formed along the outer periphery of the upper wafer 46.
  • the upper cartridge 41 is arranged so that the lower surface of the upper wafer 46 does not contact the upper cartridge 41 when the upper wafer 46 is placed on the plurality of island portions 42-1 to 42-4.
  • the side surface is formed so as not to be contaminated by the upper cartridge 41.
  • the upper cartridge 41 is further formed with a flow path through which the space between the upper cartridge 41 and the upper wafer 46 communicates with the outside when the upper wafer 46 is placed on the plurality of island portions 42-1 to 42-4.
  • a plurality of island portions 42-1 to 42-4 are formed. That is, the plurality of island portions 42-1 to 42-4 are formed so as not to be connected to each other.
  • FIG. 6 shows the lower cartridge 51.
  • the lower cartridge 51 is made of aluminum, stainless steel, or aluminum nitride, is formed in a generally disc shape, and is used for placing a lower wafer.
  • the lower cartridge 51 further has an island portion 52 formed on the upper surface of the disk.
  • the island portion 52 is formed as a protrusion protruding from the upper surface of the disk, is formed in a shape substantially equal to the shape of the lower wafer placed on the lower cartridge 51, and is formed so that the upper end is along one plane.
  • the island portion 52 has a groove 53 formed at the upper end.
  • the grooves 53 are formed in a lattice shape at the upper end.
  • the groove 53 is further formed so as to be connected to the side surface of the island portion 52.
  • the lower cartridge 51 is formed with a flange portion 54 and a main body portion 55.
  • the main body portion 55 is formed in a cylindrical shape.
  • the flange portion 54 is formed so as to protrude from the side surface of the cylinder of the main body portion 55 and is formed in a disk shape. That is, the lower cartridge 51 is gripped by the transfer robot 8 by the flange portion 54 being rubbed.
  • the lower cartridge 51 is used with the lower wafer 56 placed on the island portion 52. That is, the island portion 52 is formed along the outer periphery of the lower wafer 56.
  • the lower cartridge 51 further has an island portion 52 so that when the lower wafer 56 is placed on the island portion 52, a flow path is formed so that a space between the lower cartridge 51 and the lower wafer 56 communicates with the outside. Is formed. That is, the island portions 52 are formed so as not to be connected to each other.
  • FIG. 8 shows the room temperature bonding apparatus controller 61.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 is a computer and includes a CPU, a storage device, a removable memory drive, a communication device, an input device, an output device, and an interface (not shown).
  • the CPU executes a computer program installed in the room temperature bonding apparatus control device 61 to control the storage device, the removable memory drive, the communication device, the input device, the output device, and the interface.
  • the storage device records the computer program.
  • the storage device further records information used by the CPU.
  • the removable memory drive is used when the computer program is installed in the room temperature bonding apparatus controller 61 when a recording medium in which the computer program is recorded is inserted.
  • the communication apparatus downloads a computer program from another computer connected to the room temperature bonding apparatus controller 61 to the room temperature bonding apparatus controller 61 via a communication network, and installs the computer program in the room temperature bonding apparatus controller 61.
  • the input device outputs information generated by being operated by the user to the CPU. Examples of the input device include a keyboard and a mouse.
  • the output device outputs the information generated by the CPU so that it can be recognized by the user. Examples of the output device include a display that displays an image generated by the CPU.
  • the interface outputs information generated by an external device connected to the room temperature bonding apparatus control device 61 to the CPU, and outputs information generated by the CPU to the external device.
  • the external devices include a gate valve 5, a gate valve 6, a transfer robot 8, a vacuum pump exhausted from the load lock chamber 1, a vacuum pump exhausted from the heat chamber 3, a vacuum pump 10, an alignment mechanism 12, and an electrostatic chuck 15.
  • a pressure contact mechanism 16, a load meter 17, an ion gun 18, an electron source 19, a heater 25, a cooling device that supplies a refrigerant to the flow path 26, a heater 25, an angle adjustment mechanism 33, a load cell 34, and a pressurization mechanism 35 are included.
  • the computer program installed in the room temperature bonding apparatus controller 61 is formed of a plurality of computer programs for causing the room temperature bonding apparatus controller 61 to realize a plurality of functions.
  • the plurality of functions include a conveyance unit 62, a pre-bonding heating unit 63, a bonding unit 64, and a post-bonding heating unit 65.
  • the transfer unit 62 is configured so that when the gate valve 5 and the gate valve 6 are closed, a preliminary atmosphere having a predetermined degree of vacuum is generated inside the load lock chamber 1 or the load lock chamber 1.
  • the vacuum pump of the load lock chamber 1 is controlled so that an atmospheric pressure atmosphere is generated inside.
  • the transfer unit 62 controls the gate valve 5 so that the gate valve 5 opens and closes when the preliminary atmosphere is generated inside the load lock chamber 1, and the gate valve 6 opens and closes so that the gate valve 6 opens and closes. Control.
  • the transport unit 62 is configured so that when the gate valve 5 is opened, the upper cartridge 41 or the lower cartridge 51 arranged on the plurality of shelves 7 is transported to the positioning stage carriage 11 of the joining chamber 2, or The transfer robot 8 is controlled so that the upper cartridge 41 or the lower cartridge 51 held by the positioning stage carriage 11 is transferred to the plurality of shelves 7 of the load lock chamber 1.
  • the transport unit 62 is configured so that when the gate valve 6 is opened, the upper cartridge 41 or the lower cartridge 51 arranged on the plurality of shelves 7 is transported to the sample stage 24 of the heat chamber 3 or heat
  • the transfer robot 8 is controlled so that the upper cartridge 41 or the lower cartridge 51 held on the sample stage 24 of the chamber 3 is transferred to the plurality of shelves 7 of the load lock chamber 1.
  • the pre-bonding heating unit 63 controls the vacuum pump of the heat chamber 3 so that a desorption atmosphere having a predetermined degree of vacuum is generated inside the heat chamber 3 when the gate valve 6 is closed.
  • the pre-bonding heating unit 63 is placed on the upper cartridge 41 when the desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3 and the upper cartridge 41 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the heater 25 is controlled so that the upper wafer 46 is heated at a predetermined desorption temperature, that is, the adsorbed substance is desorbed from the upper wafer 46.
  • the adsorbed substance is a substance adsorbed on the upper wafer 46, and examples thereof include water and atmospheric components.
  • An example of the desorption temperature is 200 ° C.
  • the pre-bonding heating unit 63 controls the heater 25 so that the upper wafer 46 is not heated after the upper wafer 46 is heated for a predetermined time, that is, after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the upper wafer 46. Then, the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so that gaseous nitrogen flows through the flow path 26, that is, the upper wafer 46 is cooled to the bonding temperature.
  • the bonding temperature is set so as to be included in a temperature range in which a product manufactured from the upper wafer 46 is used.
  • the pre-bonding heating unit 63 is placed on the lower cartridge 51 when the desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3 and the lower cartridge 51 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the heater 25 is controlled so that the lower wafer 56 is heated at a predetermined desorption temperature, that is, the adsorbed substance is desorbed from the lower wafer 56.
  • the pre-bonding heating unit 63 controls the heater 25 so that the lower wafer 56 is not heated after the lower wafer 56 is heated for a predetermined time, that is, after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the lower wafer 56.
  • the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so that gaseous nitrogen flows through the flow path 26, that is, the lower wafer 56 is cooled to the bonding temperature.
  • the joint 64 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is lowered when the upper cartridge 41 is placed on the positioning stage carriage 11.
  • the joint portion 64 controls the load meter 17 so that the load applied to the electrostatic chuck 15 is measured when the electrostatic chuck 15 is lowered.
  • the joint portion 64 calculates the timing at which the load reaches a predetermined contact load, that is, calculates the timing at which the upper wafer 46 placed on the upper cartridge 41 contacts the electrostatic chuck 15 based on the load.
  • the joining part 64 controls the press contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 stops at the timing.
  • the bonding portion 64 controls the electrostatic chuck 15 so that the electrostatic chuck 15 holds the upper wafer 46 when the electrostatic chuck 15 is in contact with the upper wafer 46 placed on the upper cartridge 41.
  • the joining portion 64 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is raised when the upper chuck 46 held on the upper cartridge 41 is held by the electrostatic chuck 15.
  • the junction 64 controls the vacuum pump 10 so that a junction atmosphere having a predetermined degree of vacuum is generated inside the junction chamber 2 when the gate valve 5 is closed.
  • the bonding unit 64 further controls the ion gun 18 so that the upper wafer 46 and the lower wafer 56 are irradiated with argon ions when the bonding atmosphere is generated inside the bonding chamber 2.
  • the junction 64 further controls the electron source 19 so that electrons are emitted while the argon ions are being emitted.
  • the bonding portion 64 and the lower wafer 56 placed on the lower cartridge 51 and the upper portion are connected.
  • the pressure contact mechanism 16 is controlled so that the wafer 46 approaches a predetermined alignment distance.
  • the bonding portion 64 is further positioned so that when the upper wafer 46 and the lower wafer 56 are separated by the alignment distance, the lower wafer 56 is arranged at a predetermined alignment position with respect to the upper wafer 46.
  • the alignment mechanism 12 is controlled. The alignment position is set so that when the electrostatic chuck 15 is lowered, the upper wafer 46 and the lower wafer 56 are bonded as designed.
  • the bonding portion 64 further controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is lowered when the lower wafer 56 is disposed at the alignment position.
  • the joint portion 64 controls the load meter 17 so that the load applied to the electrostatic chuck 15 is measured when the electrostatic chuck 15 is lowered.
  • the joining part 64 calculates the timing when the load reaches a predetermined joining load.
  • the bonding portion 64 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 stops at that timing, that is, the bonding load is applied to the upper wafer 46 and the lower wafer 56.
  • the bonding unit 64 is configured so that the bonded wafer manufactured from the upper wafer 46 and the lower wafer 56 is detached from the electrostatic chuck 15 after the bonding load is applied to the upper wafer 46 and the lower wafer 56 for a predetermined bonding time. In addition, the electrostatic chuck 15 is controlled. The bonding unit 64 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is raised after the bonded wafer is detached from the electrostatic chuck 15.
  • the post-joining heating unit 65 controls the pressurizing mechanism 35 so that the substrate presser 31 is lowered when the lower cartridge 51 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the post-bonding heating unit 65 measures the load applied to the substrate retainer 31 when the substrate retainer 31 is lowered, and measures the bias of the load applied to the substrate retainer 31.
  • the load cell 34 is controlled.
  • the post-bonding heating unit 65 controls the pressurizing mechanism 35 so that a predetermined pressing load is applied to the bonded wafer.
  • the post-bonding heating unit 65 is configured so that the pressing surface 36 of the substrate holder 31 is parallel to the upper surface of the bonded wafer based on the deviation, that is, the pressing load is uniformly applied to the bonding wear.
  • the angle adjustment mechanism 33 is controlled.
  • the post-bonding heating unit 65 is configured so that the bonded wafer is heated at a predetermined annealing temperature when a predetermined pressing load is applied to the bonded wafer, that is, the bonded wafer is annealed.
  • the heater 25 is controlled.
  • An example of the annealing temperature is 480 ° C.
  • the post-bonding heating unit 65 controls the heater 25 so that the lower cartridge 51 is not heated after the bonded wafer is heated for a predetermined time, that is, after the bonded wafer is annealed.
  • the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so that nitrogen flows, that is, the lower cartridge 51 is cooled to the portable temperature.
  • the post-bonding heating unit 65 controls the pressurizing mechanism 35 so that the substrate presser 31 is further raised after the bonded wafer is annealed.
  • FIG. 9 shows an embodiment of the room temperature bonding method according to the present invention.
  • the room temperature bonding method is performed using the room temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 5 so that the first gate connecting the inside of the load lock chamber 1 and the inside of the bonding chamber 2 is closed,
  • the gate valve 6 is controlled so that the second gate connecting the inside of the heat chamber 3 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the load lock chamber 1 so that an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the load lock chamber 1 when the gate valve 5 and the gate valve 6 are closed.
  • the vacuum pump 10 is controlled so that a bonding atmosphere is generated inside the bonding chamber 2, and the vacuum pump of the heat chamber 3 is controlled so that a desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3.
  • the user opens the lid of the load lock chamber 1 and arranges a plurality of cartridges on the plurality of shelves 7 when an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the load lock chamber 1.
  • the plurality of cartridges include a plurality of upper cartridges 41 and a plurality of lower cartridges 51.
  • An upper wafer 46 is placed on the upper cartridge 41.
  • a lower wafer 56 is placed on the lower cartridge 51.
  • the user closes the lid of the load lock chamber 1 after arranging the cartridges on the shelves 7.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the load lock chamber 1 so that a preliminary atmosphere is generated inside the load lock chamber 1 when the lid of the load lock chamber 1 is closed (step S1). ).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened when a preliminary atmosphere is generated inside the load lock chamber 1.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 transfers one upper cartridge 41 of the plurality of cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the sample stage 24 of the heat chamber 3. In this manner, the transfer robot 8 is controlled (step S2).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is closed after the upper cartridge 41 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the heat chamber 3 so that a desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3 when the gate valve 6 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 is configured so that the upper wafer 46 placed on the upper cartridge 41 is heated at a predetermined desorption temperature when the desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3. That is, the heater 25 is controlled so that the adsorbed material is desorbed from the upper wafer 46 (step S3).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the heater 25 so that the upper wafer 46 is not heated after the upper wafer 46 is heated for a predetermined time, that is, after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the upper wafer 46.
  • the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so that gaseous nitrogen flows through the flow path 26, that is, the upper wafer 46 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the upper wafer 46.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that the upper cartridge 41 is transferred from the sample stage 24 of the heat chamber 3 to the plurality of shelves 7 after the upper wafer 46 is cooled to the bonding temperature.
  • step S2 The room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is closed after the lower cartridge 51 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the heat chamber 3 so that a desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3 when the gate valve 6 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 is configured so that the lower wafer 56 placed on the lower cartridge 51 is heated at a predetermined desorption temperature when the desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3. That is, the heater 25 is controlled so that the adsorbed material is desorbed from the lower wafer 56 (step S3).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the heater 25 so that the lower wafer 56 is not heated after the lower wafer 56 is heated for a predetermined time, that is, after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the lower wafer 56.
  • the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so that gaseous nitrogen flows through the flow path 26, that is, the lower wafer 56 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the lower wafer 56.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that the lower cartridge 51 is transferred from the sample stage 24 of the heat chamber 3 to the plurality of shelves 7 after the lower wafer 56 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 5 so that the gate valve 5 is opened after the adsorbed substances are sufficiently desorbed from the upper wafer 46 and the lower wafer 56.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that the upper cartridge 41 on which the detached upper wafer 46 is placed is transferred from the plurality of shelves 7 to the positioning stage carriage 11 of the bonding chamber 2. .
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is lowered.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the load meter 17 so that the load applied to the electrostatic chuck 15 is measured when the electrostatic chuck 15 is lowered.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 calculates the timing at which the load reaches a predetermined contact load, that is, the timing at which the upper wafer 46 placed on the upper cartridge 41 contacts the electrostatic chuck 15 based on the load. calculate.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 stops at that timing.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the electrostatic chuck 15 so that the electrostatic chuck 15 holds the upper wafer 46 when the electrostatic chuck 15 is in contact with the upper wafer 46 mounted on the upper cartridge 41. Control.
  • the room-temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is raised when the upper chuck 46 held on the upper cartridge 41 is held by the electrostatic chuck 15.
  • the room-temperature bonding apparatus control device 61 is configured so that the upper cartridge 41 on which the upper wafer 46 is not placed is transported from the positioning stage carriage 11 to the plurality of shelves 7 after the electrostatic chuck 15 has moved up to a predetermined activation position.
  • the transfer robot 8 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 5 so that the gate valve 5 is closed after the lower cartridge 51 is held by the positioning stage carriage 11 (step S4).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump 10 so that a bonding atmosphere is generated inside the bonding chamber 2 when the gate valve 5 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 further controls the ion gun 18 so that the upper wafer 46 and the lower wafer 56 are irradiated with argon ions when the bonding atmosphere is generated inside the bonding chamber 2.
  • the room-temperature bonding apparatus controller 61 further controls the electron source 19 so that electrons are emitted while the argon ions are being emitted (step S5).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressure contact mechanism 16 so that the lower wafer 56 and the upper wafer 46 are close to a predetermined alignment distance.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 further arranges the lower wafer 56 at a predetermined alignment position with respect to the upper wafer 46 when the upper wafer 46 and the lower wafer 56 are separated by the alignment distance.
  • the alignment mechanism 12 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 further controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is lowered after the lower wafer 56 is disposed at the alignment position.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the load meter 17 so that the load applied to the electrostatic chuck 15 is measured when the electrostatic chuck 15 is lowered.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 calculates the timing at which the load reaches a predetermined bonding load.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 controls the pressure welding mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 stops at that timing, that is, the bonding load is applied to the upper wafer 46 and the lower wafer 56 (step). S6).
  • the lower wafer 56 and the upper wafer 46 are bonded to each other when a bonding load is applied to form a single bonded wafer.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the electrostatic chuck 15 so that the bonded wafer is detached from the electrostatic chuck 15 after the bonding load is applied to the bonded wafer for a predetermined bonding time.
  • the room-temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressure contact mechanism 16 so that the electrostatic chuck 15 is raised after the bonded wafer is detached from the electrostatic chuck 15.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 5 so that the gate valve 5 is opened after the electrostatic chuck 15 is sufficiently raised.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 transfers the transfer robot 8 so that the lower cartridge 51 on which the bonded wafer is placed is transferred from the positioning stage carriage 11 to the load lock chamber 1 when the gate valve 5 is opened. To control.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened when a preliminary atmosphere is generated inside the load lock chamber 1.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 is configured so that when the gate valve 6 is opened, the lower cartridge 51 on which the bonded wafer is placed is transported from the load lock chamber 1 to the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the transfer robot 8 is controlled (step S7).
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 35 so that the substrate presser 31 is lowered when the lower cartridge 51 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 measures the bias applied to the substrate holder 31 so that the load applied to the substrate holder 31 is measured when the substrate holder 31 is lowered.
  • the load cell 34 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 35 at a predetermined sampling period so that a predetermined pressing load is applied to the bonded wafer. Based on the deviation, the room-temperature bonding apparatus control device 61 applies the pressing load uniformly to the bonding wear so that the pressing surface 36 of the substrate pressing member 31 is parallel to the upper surface of the bonding wafer.
  • the angle adjustment mechanism 33 is controlled at a predetermined sampling period.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 is configured so that the bonded wafer is heated at a predetermined annealing temperature when the holding load is applied to the bonded wafer, that is, the bonded wafer is annealed.
  • the heater 25 is controlled at a predetermined sampling period (step S8).
  • the bonded wafer is annealed by heating for a predetermined annealing time, and the residual stress is reduced.
  • An example of the annealing time is several minutes.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 controls the heater 25 so that the lower cartridge 51 is not heated after the bonded wafer is annealed, so that gaseous nitrogen flows in the flow path 26, that is, the lower cartridge 51 is enabled.
  • the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so as to be cooled to the carrying temperature. Room temperature is illustrated as the portable temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 35 so that the substrate presser 31 is further raised after the bonded wafer is annealed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 transfers the substrate cartridge 31 so that the lower cartridge 51 on which the annealed bonded wafer is placed is transferred from the positioning stage carriage 11 to the plurality of shelves 7 after the substrate presser 31 is sufficiently raised.
  • the robot 8 is controlled (step S9).
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 is arranged when the upper cartridge 41 on which the upper wafer 46 is placed and the lower cartridge 51 on which the lower wafer 56 is placed are arranged on the plurality of shelves 7 (YES in step S10). The operations from step S2 to step S9 are repeated again.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 5 so that the gate valve 5 is closed when a wafer to be bonded is not arranged on the plurality of shelves 7 (NO in step S10).
  • the gate valve 6 is controlled so that the gate valve 6 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the load lock chamber 1 so that an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the load lock chamber 1 after the gate valve 5 and the gate valve 6 are closed.
  • the user opens the lid of the load lock chamber 1 and takes out a plurality of cartridges from the plurality of shelves 7.
  • the plurality of cartridges includes a plurality of upper cartridges 41 and a plurality of lower cartridges 51. The bonded wafer is placed on the lower cartridge 51.
  • the upper cartridge 41 on which the upper wafer 46 is placed and the lower cartridge 51 on which the lower wafer 56 is placed are arranged on the plurality of shelves 7. Then, the room temperature bonding method is performed again.
  • the contact area of the bonding surface bonded at room temperature becomes small, and sufficient bonding strength may not be obtained.
  • the upper wafer 46 and the lower wafer 56 are bonded with a sufficient bonding strength when the waviness is large and bonded while applying a sufficiently large load.
  • the upper wafer 46 and the lower wafer 56 have large waviness, and residual stress may be generated when they are joined while a sufficiently large load is applied. Such residual stress may adversely affect a product manufactured from the upper wafer 46 and the lower wafer 56. Examples of the adverse effects include functional defects and malfunctions.
  • voids generated from the adsorbing material may be generated on the bonding surface, and the bonding strength may be reduced.
  • Such a room temperature bonding method can reduce the adsorbed material remaining on the bonded surface of the bonded wafer by the operation of desorbing the adsorbed material from the upper wafer 46 and the lower wafer 56 (steps S2 to S3). As a result, voids can be prevented from occurring on the joint surface, and the joint strength can be improved.
  • the room temperature bonding method according to the present invention operates to desorb the adsorbed material from the upper wafer 46 and the lower wafer 56 when the adsorbed material adsorbed on the upper wafer 46 and the lower wafer 56 is sufficiently small. (Steps S2 to S3) can be omitted. Such a room temperature bonding method can also produce a product with good quality more stably in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment.
  • Products made from bonded wafers may be required to be formed in a predetermined shape. Even when the waviness of the bonded wafer before annealing is large, the bonded wafer can be formed more flat by being annealed while the pressing load is applied, and is applied to such a product. be able to.
  • the room temperature bonding method according to the present invention is performed when annealing is performed when the bonded wafer before annealing is sufficiently flat, that is, when bonding can be performed so that the bonded wafer is sufficiently flat. It is possible to omit applying the pressing load to the. Such a room temperature bonding method can also produce a product with good quality more stably in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment.
  • the load applied to the bonded wafer may increase due to thermal expansion of the bonded wafer and the apparatus that handles the bonded wafer when the bonded wafer is annealed.
  • the bonded wafer may crack when the applied load is sufficiently large.
  • the room temperature bonding method of the present invention since the load applied to the bonded wafer is controlled by the holding load, the bonded wafer can be prevented from cracking, and a product with good quality can be more stably produced. Can be produced.
  • the room temperature bonding method according to the present invention suppresses the load applied to the bonded wafer when the apparatus that handles the bonded wafer is elastically deformed and the load applied to the bonded wafer does not exceed a predetermined load. It is also possible to omit the operation of performing feedback control so that the load becomes a pressing load after the load is once controlled.
  • the heat chamber 3 in the above-described embodiment is replaced with another heat chamber.
  • the heat chamber 70 includes a chamber base 21, a heat sink 22, a heat insulating member 23, a sample stage 24, and a heater 25 in the same manner as the heat chamber 3 in the above-described embodiment. I have.
  • the heat chamber 70 further includes an electrostatic chuck 71, a heat insulating member 72, a heat sink 73, an angle adjusting mechanism 74, a load cell 75, a pressurizing mechanism 76, and a heater 77.
  • the electrostatic chuck 71 has a holding surface 78 on the side facing the sample stage 24. The holding surface 78 is formed flat.
  • the electrostatic chuck 71 is joined to the heat insulating member 72 on the side opposite to the side on which the holding surface 78 is formed.
  • the electrostatic chuck 71 is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to hold a wafer disposed near the holding surface 78 with an electrostatic force.
  • the heat insulating member 72 is made of quartz and joined to the heat sink 73.
  • the heat insulating member 72 includes a flow path 79.
  • the flow path 79 forms a conduit through which gaseous nitrogen flows.
  • the gaseous nitrogen is supplied from the outside of the heat chamber 70 by a cooling device (not shown).
  • the heat sink 73 is bonded to the angle adjusting mechanism 74 on the opposite side to the side bonded to the electrostatic chuck 71.
  • the angle adjustment mechanism 74 is joined to the load cell 75.
  • the load cell 75 is supported so that it can move in a direction perpendicular to the upper surface of the chamber base 21. At this time, the heat sink 73 prevents the angle adjusting mechanism 74 and the load cell 75 from being heated when the cooled refrigerant is constantly supplied from the outside of the heat chamber 70 and the electrostatic chuck 71 is heated. .
  • the pressurizing mechanism 76 is controlled by the room temperature bonding apparatus control device to move the angle adjusting mechanism 74 in the vertical direction with respect to the upper surface of the chamber base 21, that is, electrostatically with respect to the upper surface of the chamber base 21.
  • the chuck 71 is moved in the vertical direction.
  • the load cell 75 includes a piezoelectric element, measures the load applied to the holding surface 78, and measures the bias of the load applied to the electrostatic chuck 71.
  • the load cell 75 outputs the load and the bias to the room temperature bonding apparatus controller.
  • the angle adjustment mechanism 74 changes the direction in which the holding surface 78 faces by being controlled by the room temperature bonding apparatus controller.
  • the load cell 75 may have a large error in measurement values when the piezoelectric element is heated. Since the load cell 75 is prevented from being heated by the heat sink 73, the load and the deviation can be measured with higher accuracy.
  • the heater 77 is disposed inside the electrostatic chuck 71.
  • the heater 77 generates heat and is heated by the room temperature bonding apparatus controller 61 to heat the wafer held by the electrostatic chuck 71.
  • the heat sink 73 prevents the load cell 75 from being heated when the cooled refrigerant is constantly supplied from the outside of the heat chamber 70 and the heater 77 generates heat.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened when a preliminary atmosphere is generated inside the load lock chamber 1.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 transfers one upper cartridge 41 of the plurality of cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the sample stage 24 of the heat chamber 70.
  • the transfer robot 8 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 76 so that the electrostatic chuck 71 is lowered after the upper cartridge 41 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 70.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the load cell 75 so that the load applied to the electrostatic chuck 71 is measured when the electrostatic chuck 71 is lowered.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 calculates the timing at which the load reaches a predetermined contact load, that is, the timing at which the upper wafer 46 placed on the upper cartridge 41 contacts the electrostatic chuck 71 based on the load. calculate.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 76 so that the electrostatic chuck 71 stops at that timing.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the electrostatic chuck 71 so that the electrostatic chuck 71 holds the upper wafer 46 when the electrostatic chuck 71 is in contact with the upper wafer 46 mounted on the upper cartridge 41. Control.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 controls the pressurizing mechanism 76 so that the electrostatic chuck 71 is raised when the upper chuck 46 held on the upper cartridge 41 is held by the electrostatic chuck 71.
  • the room-temperature bonding apparatus control device 61 includes a transfer robot 8 so that the upper cartridge 41 on which the upper wafer 46 is not mounted is transferred from the sample stage 24 to the plurality of shelves 7 after the electrostatic chuck 71 has moved up to a predetermined position. To control.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 includes a transfer robot so that the lower cartridge 51 on which the lower wafer 56 is placed is transferred from the plurality of shelves 7 to the sample stage 24 after the upper cartridge 41 is transferred to the plurality of shelves 7. 8 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is closed after the lower cartridge 51 is held on the sample stage 24.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the heat chamber 70 so that a desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 70 when the gate valve 6 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 is configured so that the upper wafer 46 held by the electrostatic chuck 71 is heated at a predetermined desorption temperature when the desorption atmosphere is generated in the heat chamber 70.
  • the heater 25 is controlled to control the heater 25 so that the lower wafer 56 placed on the lower cartridge 51 is heated at the desorption temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the heater 77 so that the upper wafer 46 is not heated after the upper wafer 46 is heated for a predetermined time, so that gaseous nitrogen flows in the flow path 79, that is, the upper wafer.
  • the cooling device of the heat chamber 70 is controlled so that 46 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the heater 25 so that the lower wafer 56 is not heated after the lower wafer 56 is heated for a predetermined time, so that gaseous nitrogen flows in the flow path 26, that is, the lower wafer 56.
  • the cooling device of the heat chamber 70 is controlled so that is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened after the adsorbed substances are sufficiently desorbed from the upper wafer 46 and the lower wafer 56.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that the lower cartridge 51 is transferred from the sample stage 24 of the heat chamber 70 to the plurality of shelves 7 after the lower wafer 56 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 includes a transfer robot so that after the lower cartridge 51 is transferred from the sample stage 24 of the heat chamber 70, the upper cartridge 41 on which no wafer is placed is transferred to the sample stage 24 of the heat chamber 70. 8 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 76 so that the electrostatic chuck 71 is lowered after the upper cartridge 41 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 70.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the load cell 75 so that the load applied to the electrostatic chuck 71 is measured when the electrostatic chuck 71 is lowered.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 calculates the timing at which the load reaches a predetermined contact load, that is, the timing at which the upper wafer 46 held by the electrostatic chuck 71 contacts the upper cartridge 41 based on the load. To calculate.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 76 so that the electrostatic chuck 71 stops at that timing.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 moves the electrostatic chuck 71 so that the upper wafer 46 is detached from the electrostatic chuck 71 when the electrostatic chuck 71 is in contact with the upper wafer 46 mounted on the upper cartridge 41. Control.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the pressurizing mechanism 76 so that the electrostatic chuck 71 moves up after the upper wafer 46 is detached from the electrostatic chuck 71.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 includes a transfer robot 8 so that the upper cartridge 41 on which the upper wafer 46 is placed is transferred from the sample stage 24 to the plurality of shelves 7 after the electrostatic chuck 71 has moved up to a predetermined position. To control.
  • the room temperature bonding method to which such an operation is applied can produce a product with good quality more stably in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment.
  • Such an operation can be executed in a shorter time than the operations in steps S2 to S3 in the above-described embodiment. For this reason, according to the room temperature bonding method to which such an operation is applied, a bonded wafer can be manufactured at a higher speed.
  • FIG. 11 shows still another heat chamber.
  • the heat chamber 80 includes a chamber base 21, a heat sink 22, a heat insulating member 23, a sample stage 24, and a heater 25 in the same manner as the heat chamber 3 in the above-described embodiment.
  • the heat chamber 80 further includes a substrate pressing member 81, an angle adjusting mechanism 82, a load cell 83, a pressurizing mechanism 84, and a cooling mechanism 85.
  • the substrate holder 81 is made of quartz.
  • the substrate pressing member 81 has a pressing surface on the side facing the sample table 24. The pressing surface is formed flat.
  • the substrate pressing member 81 is joined to the angle adjusting mechanism 82 on the side opposite to the side on which the pressing surface is formed.
  • the angle adjustment mechanism 82 is joined to the load cell 83.
  • the load cell 83 is supported so that it can move in a direction perpendicular to the upper surface of the chamber base 21.
  • the pressure mechanism 84 is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to move the angle adjustment mechanism 82 in the vertical direction with respect to the upper surface of the chamber base 21, that is, press the substrate against the upper surface of the chamber base 21. 81 is moved in the vertical direction.
  • the load cell 83 includes a piezoelectric element, measures the load applied to the pressing surface thereof, and measures the bias of the load applied to the substrate pressing member 81.
  • the load cell 83 outputs the load and the bias to the room temperature bonding apparatus controller.
  • the angle adjustment mechanism 82 is controlled by the room temperature bonding apparatus control device to change the direction in which the pressing surface is facing.
  • the cooling mechanism 85 prevents the load cell 83 from being heated when the cooled refrigerant is constantly supplied from the outside of the heat chamber 80 and the substrate holder 81 is heated.
  • the load cell 83 may have a large measurement value error due to heating of the piezoelectric element. Since the load cell 83 is prevented from being heated by the heat sink 32, the load and the deviation can be measured with higher accuracy.
  • the room temperature bonding apparatus main body to which the heat chamber 80 is applied can be used in the same manner as the room temperature bonding apparatus main body to which the heat chamber 3 in the above-described embodiment is applied. For this reason, even when the room temperature bonding method according to the present invention is performed using the room temperature bonding apparatus main body to which the heat chamber 80 is applied, a product with good quality is obtained in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment. It can be manufactured more stably. Furthermore, since the heat chamber 80 cools the load cell 83 from the vicinity as compared with the heat chamber 3 in the above-described embodiment, the load cell 83 can be cooled more reliably.
  • the load cell 83 can measure the load and the bias with higher accuracy, and further improve the controllability for controlling the pressurizing mechanism 84 so that the pressing load is applied to the bonded wafer. Therefore, it is possible to further improve the controllability of controlling the angle adjusting mechanism 82 so that the pressing load is uniformly applied to the bonding wear.
  • FIG. 12 shows still another heat chamber.
  • the heat chamber 90 includes a chamber base 91, a heat insulating member 92, a sample table 93, and a heater 94.
  • the chamber base 91 forms a part of the heat chamber 90 and is a foundation that supports the heat insulating member 92, the sample table 93, and the heater 94.
  • the heat insulating member 92 is made of quartz and is fixed to the chamber base 91.
  • the heat insulating member 92 includes a flow path 95.
  • the channel 95 forms a conduit through which gaseous nitrogen flows. The gaseous nitrogen is supplied from the outside of the heat chamber 90 by a cooling device (not shown).
  • the sample stage 93 is made of aluminum nitride AlN, and is fixed to the chamber base 91 via a heat insulating member 92.
  • the sample table 93 has a holding surface 96 formed on the side opposite to the side joined to the heat insulating member 92.
  • the holding surface 96 is formed so that the cartridge is held on the sample table 93.
  • the heater 94 is disposed inside the sample table 93. The heater 94 generates heat by being controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 and heats the wafer placed on the cartridge.
  • the heat chamber 90 further includes a substrate presser 101, an angle adjustment mechanism 102, a load cell 103, a pressurization mechanism 104, and a cooling mechanism 105.
  • the substrate holder 101 is made of quartz.
  • the substrate holder 101 has a holding surface on the side facing the sample table 93.
  • the pressing surface is formed flat.
  • the substrate presser 101 is joined to the angle adjustment mechanism 102 on the side opposite to the side where the pressing surface is formed.
  • the angle adjustment mechanism 102 is joined to the load cell 103.
  • the load cell 103 is supported so that it can move in a direction perpendicular to the upper surface of the chamber base 21.
  • the pressure mechanism 104 is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to move the angle adjusting mechanism 102 in the vertical direction with respect to the upper surface of the chamber base 21, that is, press the substrate against the upper surface of the chamber base 21. 101 is moved in the vertical direction.
  • the load cell 103 includes a piezoelectric element, measures the load applied to the pressing surface, and measures the bias of the load applied to the substrate pressing 101.
  • the load cell 103 outputs the load and the bias to the room temperature bonding apparatus controller 61.
  • the angle adjusting mechanism 102 is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to change the direction in which the pressing surface is facing.
  • the cooling mechanism 105 is constantly supplied with the cooled refrigerant from the outside of the heat chamber 90, cools the heat chamber 90, and prevents the load cell 103 from being heated. Since the load cell 103 is prevented from being heated by the heat sink 32, the load and the deviation can be measured with higher accuracy.
  • the room temperature bonding apparatus body to which the heat chamber 90 is applied can be used in the same manner as the room temperature bonding apparatus body to which the heat chamber 3 in the above-described embodiment is applied. For this reason, even when the room temperature bonding method according to the present invention is performed using a room temperature bonding apparatus body to which the heat chamber 90 is applied, a product with good quality can be obtained in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment. It can be manufactured more stably. Further, the heat chamber 90 can be formed in a smaller size and the inside of the heat chamber 90 can be simply formed by the heat sink 22 and the heat sink 32 than the heat chamber 3 in the above-described embodiment. it can.
  • the room temperature bonding apparatus main body in the above-described embodiment further includes another heat chamber 110.
  • the heat chamber 110 is a container that seals the inside from the environment.
  • the room temperature bonding apparatus main body further includes a gate valve 111.
  • the gate valve 111 is interposed between the load lock chamber 1 and the heat chamber 110, and forms a gate that connects the inside of the heat chamber 110 and the inside of the load lock chamber 1.
  • the gate valve 111 is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to close the gate or open the gate.
  • the heat chamber 110 includes a chamber base 21, a heat sink 22, a heat insulating member 23, a sample table 24, and a heater 25 in the same manner as the heat chamber 3 in the above-described embodiment.
  • An angle adjustment mechanism 33, a load cell 34, and a pressure mechanism 35 are provided.
  • Still another embodiment of the room temperature bonding method according to the present invention is performed using the room temperature bonding apparatus main body to which the heat chamber 110 is added, and steps S2 to S3 in the above-described embodiment are replaced with other operations. ing.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened when a preliminary atmosphere is generated inside the load lock chamber 1.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 transfers one upper cartridge 41 of the plurality of cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the transfer robot 8 is controlled.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that one lower cartridge 51 of the plurality of cartridges arranged on the plurality of shelves 7 is transferred to the sample stage 24 of the heat chamber 110. To do.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is closed after the upper cartridge 41 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 3.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the heat chamber 3 so that a desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3 when the gate valve 6 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 is configured so that the upper wafer 46 placed on the upper cartridge 41 is heated at a predetermined desorption temperature when the desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 3. That is, the heater 25 is controlled so that the adsorbed material is desorbed from the upper wafer 46.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the heater 25 so that the upper wafer 46 is not heated after the upper wafer 46 is heated for a predetermined time, that is, after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the upper wafer 46.
  • the cooling device of the heat chamber 3 is controlled so that gaseous nitrogen flows through the flow path 26, that is, the upper wafer 46 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 6 so that the gate valve 6 is opened after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the upper wafer 46.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 111 so that the gate valve 111 is closed after the lower cartridge 51 is held on the sample stage 24 of the heat chamber 110.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the vacuum pump of the heat chamber 110 so that a desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 110 when the gate valve 111 is closed.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 is configured to heat the lower wafer 56 placed on the lower cartridge 51 at a predetermined desorption temperature when the desorption atmosphere is generated inside the heat chamber 110. That is, the heater 25 is controlled so that the adsorbed material is desorbed from the lower wafer 56.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the heater 25 so that the lower wafer 56 is not heated after the lower wafer 56 is heated for a predetermined time, that is, after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the lower wafer 56.
  • the cooling device of the heat chamber 110 is controlled so that gaseous nitrogen flows through the flow path 26, that is, the lower wafer 56 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the gate valve 111 so that the gate valve 111 is opened after the adsorbed substance is sufficiently desorbed from the lower wafer 56.
  • the operation of desorbing the adsorbed material from the lower wafer 56 is executed in parallel with the operation of desorbing the adsorbed material from the upper wafer 46.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that the upper cartridge 41 is transferred from the sample stage 24 of the heat chamber 3 to the plurality of shelves 7 after the upper wafer 46 is cooled to the bonding temperature.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 controls the transfer robot 8 so that the lower cartridge 51 is transferred from the sample stage 24 of the heat chamber 110 to the plurality of shelves 7 after the lower wafer 56 is cooled to the bonding temperature. To do.
  • the room temperature bonding method to which such an operation is applied can produce a product with good quality more stably in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment.
  • Such an operation can be executed in a shorter time than the operations in steps S2 to S3 in the above-described embodiment. For this reason, according to the room temperature bonding method to which such an operation is applied, a bonded wafer can be manufactured at a higher speed.
  • the heat chamber 110 can also be used for the operation of annealing the bonded wafer (steps S7 to S8).
  • the heat chamber 110 is replaced with another heat chamber in which the substrate holder 31, the heat sink 32, the angle adjustment mechanism 33, the load cell 34, and the pressure mechanism 35 are omitted.
  • the room temperature bonding apparatus main body to which such a heat chamber is applied is preferable because it is simpler and lower in manufacturing cost than the room temperature bonding apparatus main body to which the heat chamber 110 is applied.
  • FIG. 14 Still another embodiment of the room temperature bonding apparatus according to the present invention is shown in FIG. 14, in which the load lock chamber 1 of the room temperature bonding apparatus main body in the above-described embodiment includes the transfer chamber 120 and the load lock chamber 121.
  • the heat chamber 3 is replaced with a plurality of heat chambers 122-1 to 122-4.
  • the transfer chamber 120, the load lock chamber 121, and the plurality of heat chambers 122-1 to 122-4 are containers that seal the inside from the environment.
  • the room temperature bonding apparatus main body further includes a gate 123 and gate valves 124-1 to 124-4.
  • the gate 123 is interposed between the transfer chamber 120 and the load lock chamber 121 and connects the inside of the transfer chamber 120 and the inside of the load lock chamber 121.
  • the gate valve 124-i is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to close the gate or open the gate.
  • the load lock chamber 121 includes a lid (not shown). The lid closes the gate connecting the environment and the interior of the load lock chamber 121 or opens the gate.
  • the load lock chamber 121 includes a vacuum pump (not shown). The vacuum pump exhausts gas from the inside of the load lock chamber 121 by being controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 when the lid and the gate valve 121 are closed.
  • the load lock chamber 121 further includes a plurality of shelves 7 in the same manner as the load lock chamber 1.
  • the transfer chamber 120 includes a transfer robot 8 inside.
  • the transfer robot 8 is controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 to transfer the cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the bonding chamber 2 or the bonding chamber. 2 is transported to a plurality of shelves 7.
  • the transfer robot 8 further transfers the cartridges arranged on the plurality of shelves 7 to the heat chamber 122-i by being controlled by the room temperature bonding apparatus controller 61 when the gate valve 124-i is opened.
  • the cartridges arranged in the heat chamber 122-i are transported to the plurality of shelves 7.
  • Still another embodiment of the room temperature bonding method according to the present invention is executed using such a room temperature bonding apparatus main body.
  • steps S2 to S3 in the above-described embodiment are replaced with other operations.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 desorbs the adsorbed substance from the upper wafer 46 using the heat chamber 122-1, and desorbs the adsorbed substance from the lower wafer 56 using the heat chamber 122-2.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 further uses the heat chamber 122-3 to remove the adsorbed substance from the other upper wafer 46 during the desorption operation using the heat chambers 122-1, 122-2.
  • the adsorbed material is desorbed from the other lower wafer 56 using the heat chamber 122-4.
  • steps S4 to S6 are further replaced with other operations.
  • the room temperature bonding apparatus control device 61 includes the upper wafer 46 from which the adsorbed material is desorbed using the heat chamber 122-1 and the lower wafer 56 from which the adsorbed material is desorbed using the heat chamber 122-2. Are bonded at room temperature to produce a bonded wafer.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 desorbs the adsorbed substance from the upper wafer 46 using the heat chamber 122-1, and further uses the heat chamber 122-2. The adsorbed material is desorbed from the other lower wafer 56.
  • steps S7 to S8 are further replaced with other operations.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 uses the heat chamber 122-1 to anneal the bonded wafer.
  • the room temperature bonding apparatus controller 61 uses the upper wafer 46 from which the adsorbed material has been desorbed using the heat chamber 122-3 and the heat chamber 122-4 to perform adsorption while being annealed in the heat chamber 122-1.
  • the lower wafer 56 from which the substance has been removed is bonded at room temperature to produce another bonded wafer.
  • a product with good quality can be more stably produced in the same manner as the room temperature bonding method in the above-described embodiment.
  • more bonded wafers can be manufactured within a predetermined period than the room temperature bonding method in the above-described embodiment.

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Abstract

 本発明による常温接合方法は、2つの基板を活性化することにより2つの活性化基板を作製するステップと、その2つの活性化基板を接合することにより接合基板を作製するステップと、その接合基板の残留応力が低減するようにその接合基板を焼きなましするステップとを備えている。このような常温接合方法によれば、その接合基板の残留応力を低減することができ、品質をより向上させることができる。

Description

常温接合装置および常温接合方法
 本発明は、常温接合装置および常温接合方法に関し、特に、複数の基板を接合するときに利用される常温接合装置および常温接合方法に関する。
 微細な電気部品や機械部品を集積化したMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)が知られている。そのMEMSとしては、マイクロマシン、圧力センサ、超小型モーターなどが例示される。真空雰囲気で活性化されたウェハ表面同士を接触させ、そのウェハを接合する常温接合が知られている。このような常温接合は、そのMEMSを作製することに好適である。うねりが大きいウェハを接合することにより形成されたMEMSは、不良品となることがある。品質が良いデバイスをより安定して作製することが望まれている。
 特開2003-318219号公報には、エネルギー波もしくはエネルギー粒子により効率よくかつ均一に接合面を洗浄できるようにし、また、チャンバー内で洗浄する際にも、対向チャンバー壁面エッチングによる不純物付着の問題を回避できるようにした実装方法が開示されている。その実装方法は、対向する両被接合物間に形成される間隙内に、一つの照射手段によりエネルギー波もしくはエネルギー粒子を照射して両被接合物の接合面を実質的に同時洗浄するとともに、洗浄中に少なくとも一方の被接合物を回転させ、洗浄された被接合物間の相対位置をアライメント後、被接合物同士を接合することを特徴としている。
 特開2006-73780号公報には、そりなく接合することができる常温接合方法が開示されている。その常温接合方法は、被接合物同士の接合面を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波により表面活性化処理した後、接合する方法において、常温のもと仮接合する工程と、加熱を加えて本接合する工程を分離する方法である。
特開2003-318219号公報 特開2006-73780号公報
 本発明の課題は、接合対象を接合することにより作製される製品の品質を向上させる常温接合装置および常温接合方法を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、接合対象を接合することを利用して製品をより安定して作製する常温接合装置および常温接合方法を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、接合対象を接合することを利用して製品をより高速に作製する常温接合装置および常温接合方法を提供することにある。
 本発明による常温接合装置は、2つの基板が活性化されることにより作製された2つの活性化基板を接合することにより接合基板を作製する接合チャンバーと、その接合基板の残留応力が低減するようにその接合基板を焼きなましするヒートチャンバーとを備えている。このような常温接合装置によれば、その接合基板の残留応力を低減することができ、品質をより向上させることができる。
 本発明による常温接合装置は、制御装置をさらに備えている。そのヒートチャンバーは、その接合基板を加圧する加圧機構を備えている。その制御装置は、その接合基板が焼きなましされているときにその接合基板が加圧されるようにその加圧機構を制御する。このような常温接合装置によれば、その接合基板を所定の形状に形成することができる。
 本発明による常温接合装置は、その接合基板が焼きなましされているときにその接合基板を加圧する圧力を測定するセンサをさらに備えている。その制御装置は、その圧力が所定の圧力以上にならないようにその加圧機構を制御する。このような常温接合装置は、その接合基板に印加される荷重が増加することによりその接合基板が割れることを防止することができる。
 本発明による常温接合装置は、その2つの基板を活性化する前にその2つの基板から吸着物質を脱離させるチャンバーをさらに備えている。このような常温接合方法によれば、接合基板が焼きなましされているときに接合基板の接合面にボイドが発生することを防止することができ、接合基板の接合強度を向上させることができる。
 本発明による常温接合装置は、その2つの基板からその吸着物質を脱離させた後にその2つの基板を冷却する冷却装置をさらに備えている。その制御装置は、その2つの基板が冷却された後に活性化されるように、その接合チャンバーを制御する。
 そのヒートチャンバーは、その2つの基板を活性化する前にその2つの基板から吸着物質を脱離させるチャンバーに兼用される。このような常温接合装置は、その接合基板を焼きなましする装置とその2つの基板から吸着物質を脱離させる装置とが別個である他の常温接合装置に比較して、よりコンパクトであり、好ましい。
 そのヒートチャンバーは、その2つの基板のうちの第1基板を保持する第1保持装置と、その2つの基板のうちの第2基板を保持する第2保持装置と、その第1保持装置がその第1基板を保持しているときに、その第1基板からその吸着物質を脱離させる第1ヒータと、その第2保持装置がその第2基板を保持しているときに、その第2基板からその吸着物質を脱離させる第2ヒータとを備えている。その制御装置は、その接合基板がその第1ヒータにより焼きなましされるときに、その接合基板がその第1保持装置とその第2保持装置とに挟まれることにより加圧されるように、その加圧機構を制御する。
 本発明による常温接合方法は、2つの基板を活性化することにより2つの活性化基板を作製するステップと、その2つの活性化基板を接合することにより接合基板を作製するステップと、その接合基板の残留応力が低減するようにその接合基板を焼きなましするステップとを備えている。このような常温接合方法によれば、その接合基板の残留応力を低減することができ、品質をより向上させることができる。
 本発明による常温接合方法は、その接合基板を焼きなまししているときにその接合基板を加圧するステップをさらに備えている。このような常温接合方法によれば、その接合基板を所定の形状に形成することができる。
 本発明による常温接合方法は、その接合基板が焼きなましされているときにその接合基板を加圧する圧力を測定するステップと、その圧力が所定の圧力以上にならないようにその圧力を制御するステップとをさらに備えている。このような常温接合方法によれば、その接合基板に印加される荷重が増加することによりその接合基板が割れることを防止することができる。
 本発明による常温接合方法は、その2つの基板を活性化する前にその2つの基板から吸着物質を脱離させるステップをさらに備えている。このような常温接合方法によれば、接合基板が焼きなましされているときに接合基板の接合面にボイドが発生することを防止することができ、接合基板の接合強度を向上させることができる。
 本発明による常温接合方法は、その2つの基板からその吸着物質を脱離させた後にその2つの基板を冷却するステップをさらに備えている。その2つの基板は、冷却された後に活性化される。このような常温接合方法によれば、製品をより高速に作成することができ、スループットを向上させることができる。
 その接合基板は、その2つの基板から吸着物質を脱離させるためのヒートチャンバーを用いて焼きなましされる。このような常温接合方法を実行する常温接合装置本体は、その接合基板を焼きなましする装置とは、その2つの基板から吸着物質を脱離させる装置とが別個である他の常温接合装置本体に比較して、よりコンパクトであり、好ましい。
 そのヒートチャンバーは、その2つの基板のうちの第1基板を保持する第1保持装置と、その2つの基板のうちの第2基板を保持する第2保持装置と、その第1保持装置がその第1基板を保持しているときに、その第1基板からその吸着物質を脱離させる第1ヒータと、その第2保持装置がその第2基板を保持しているときに、その第2基板からその吸着物質を脱離させる第2ヒータとを備えている。その接合基板は、その第1保持装置とその第2保持装置とに挟まれることにより加圧され、その第1ヒータにより焼きなましされる。
 本発明による常温接合装置および常温接合方法は、接合対象を接合することにより作製される製品の残留応力を低減することができ、その製品の品質を向上させることができる。
図1は、常温接合装置本体を示す断面図である。 図2は、接合チャンバーを示す断面図である。 図3は、ヒートチャンバーを示す断面図である。 図4は、上カートリッジを示す平面図である。 図5は、上カートリッジを示す断面図である。 図6は、下カートリッジを示す平面図である。 図7は、下カートリッジを示す断面図である。 図8は、常温接合装置制御装置を示すブロック図である。 図9は、本発明による常温接合方法を示すフローチャートである。 図10は、他のヒートチャンバーを示す断面図である。 図11は、さらに他のヒートチャンバーを示す断面図である。 図12は、さらに他のヒートチャンバーを示す断面図である。 図13は、他の常温接合装置本体を示す断面図である。 図14は、さらに他の常温接合装置本体を示す断面図である。
 図面を参照して、本発明による常温接合装置の実施の形態を記載する。その常温接合装置は、常温接合装置本体と常温接合装置制御装置とを備えている。その常温接合装置本体は、図1に示されているように、ロードロックチャンバー1と接合チャンバー2とヒートチャンバー3とを備えている。ロードロックチャンバー1と接合チャンバー2とヒートチャンバー3とは、それぞれ、内部を環境から密閉する容器である。その常温接合装置本体は、さらに、ゲートバルブ5とゲートバルブ6とを備えている。ゲートバルブ5は、ロードロックチャンバー1と接合チャンバー2との間に介設され、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー1の内部とを接続する第1ゲートを形成している。ゲートバルブ5は、その接合装置制御装置により制御されることにより、その第1ゲートを閉鎖し、または、その第1ゲートを開放する。ゲートバルブ6は、ロードロックチャンバー1とヒートチャンバー3との間に介設され、ヒートチャンバー3の内部とロードロックチャンバー1の内部とを接続する第2ゲートを形成している。ゲートバルブ6は、その接合装置制御装置により制御されることにより、その第2ゲートを閉鎖し、または、その第2ゲートを開放する。
 ロードロックチャンバー1は、図示されていない蓋を備えている。その蓋は、環境とロードロックチャンバー1の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、そのゲートを開放する。ロードロックチャンバー1は、図示されていない真空ポンプを備えている。その真空ポンプは、その蓋とゲートバルブ5とゲートバルブ6とが閉鎖されているときに、その接合装置制御装置により制御されることにより、ロードロックチャンバー1の内部から気体を排気する。その真空ポンプとしては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。
 ロードロックチャンバー1は、さらに、複数の棚7と搬送ロボット8とを内部に備えている。複数の棚7には、複数のカートリッジが載せられる。搬送ロボット8は、ゲートバルブ5が開放されているときに、その接合装置制御装置により制御されることにより、複数の棚7に配置されたカートリッジを接合チャンバー2に搬送し、または、接合チャンバー2に配置されたカートリッジを複数の棚7に搬送する。搬送ロボット8は、さらに、ゲートバルブ6が開放されているときに、その接合装置制御装置により制御されることにより、複数の棚7に配置されたカートリッジをヒートチャンバー3に搬送し、または、ヒートチャンバー3に配置されたカートリッジを複数の棚7に搬送する。
 接合チャンバー2は、真空ポンプ10を備えている。真空ポンプ10は、ゲートバルブ5が閉鎖されているときに、その接合装置制御装置により制御されることにより、接合チャンバー2の内部から気体を排気する。真空ポンプ10としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。
 ヒートチャンバー3は、図示されていない真空ポンプを備えている。その真空ポンプは、ゲートバルブ6が閉鎖されているときに、その接合装置制御装置により制御されることにより、ヒートチャンバー3の内部から気体を排気する。その真空ポンプとしては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。
 接合チャンバー2は、図2に示されているように、さらに、位置決めステージキャリッジ11と位置合わせ機構12とを備えている。位置決めステージキャリッジ11は、板状に形成されている。位置決めステージキャリッジ11は、接合チャンバー2の内部に配置され、水平方向に平行移動可能に、かつ、鉛直方向に平行である回転軸を中心に回転移動可能に支持されている。位置決めステージキャリッジ11は、カートリッジを保持するために利用される。位置合わせ機構12は、その接合装置制御装置により制御されることにより、位置決めステージキャリッジ11が水平方向に平行移動するように、または、位置決めステージキャリッジ11が鉛直方向に平行である回転軸を中心に回転移動するように、位置決めステージキャリッジ11を移動する。
 接合チャンバー2は、さらに、圧接軸14と静電チャック15と圧接機構16と荷重計17とを備えている。圧接軸14は、接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動可能に支持されている。静電チャック15は、圧接軸14の下端に配置されている。静電チャック15は、内部に内部電極が配置されている誘電層から形成されている。その誘電層は、アルミナ系セラミックから形成され、下端に平坦な面が形成されている。静電チャック15は、その接合装置制御装置により制御されることにより、その内部電極に所定の印加電圧が印加される。静電チャック15は、その内部電極に所定の印加電圧が印加されることにより、その誘電層の平坦な面の近傍に配置されるウェハを静電力によって保持する。圧接機構16は、その接合装置制御装置により制御されることにより、接合チャンバー2に対して鉛直方向に圧接軸14を平行移動させる。圧接機構16は、さらに、静電チャック15が配置される位置を測定し、その位置をその接合装置制御装置に出力する。荷重計17は、圧接軸14に印加される荷重を測定することにより、静電チャック15により保持されたウェハに印加される荷重を測定し、その荷重をその接合装置制御装置に出力する。
 接合チャンバー2は、さらに、イオンガン18と電子源19とを備えている。イオンガン18は、その接合装置制御装置により制御されることにより、加速されたアルゴンイオンを放出する。イオンガン18は、位置決めステージキャリッジ11と静電チャック15との間の空間にそのアルゴンイオンを放出するように、すなわち、位置決めステージキャリッジ11に保持されるウェハと静電チャック15に保持されるウェハとにそのアルゴンイオンが照射されるように、接合チャンバー2に固定されている。電子源19は、その接合装置制御装置により制御されることにより、加速された電子を放出する。電子源19は、位置合わせ機構12と静電チャック15との間の空間にその電子が放出されるように、すなわち、位置決めステージキャリッジ11に保持されるウェハと静電チャック15に保持されるウェハとにその電子が照射されるように、接合チャンバー2に固定されている。
 イオンガン18は、さらに、図示されていない金属ターゲットを備えている。その金属ターゲットは、複数の金属から形成され、そのアルゴンイオンが照射される位置に配置されている。その金属ターゲットは、そのアルゴンイオンが照射されたときに、その複数の金属の原子を接合チャンバー2の内部の雰囲気に放出する。なお、その金属ターゲットは、金属グリッドに置換されることもできる。その金属グリッドは、開口を有する金属部材であり、イオンガン18の出射端に配置されている。その金属グリッドは、その金属ターゲットと同様にして、そのアルゴンイオンに照射されることにより、接合チャンバー2の内部の雰囲気にその複数の金属の原子を放出する。なお、その金属ターゲットは、ウェハの接合面に金属の原子を付着させることが不要であるときに、省略することもできる。
 図3は、ヒートチャンバー3を示している。ヒートチャンバー3は、チャンバーベース21とヒートシンク22と断熱部材23と試料台24とヒータ25とを備えている。チャンバーベース21は、ヒートチャンバー3の一部を形成し、ヒートシンク22と断熱部材23と試料台24とヒータ25とを支持する基礎である。ヒートシンク22は、チャンバーベース21に固定されている。断熱部材23は、石英から形成され、ヒートシンク22を介してチャンバーベース21に固定されている。なお、断熱部材23は、石英と異なる熱衝撃性が高い他の断熱材から形成されることもできる。その断熱材としては、石英ガラスが例示される。断熱部材23は、流路26を備えている。流路26は、気体窒素が流れる管路を形成している。その気体窒素は、図示されていない冷却装置によりヒートチャンバー3の外部から供給される。試料台24は、窒化アルミニウムAlNから形成され、断熱部材23を介してチャンバーベース21に固定されている。なお、試料台24は、窒化アルミニウムAlNと異なる熱伝導率が優れた他の材料から形成されることもできる。その材料としては、炭化珪素SiCが例示される。試料台24は、断熱部材23に接合されている側の反対側に保持面27が形成されている。保持面27は、そのカートリッジが試料台24に保持されるように、形成されている。ヒータ25は、試料台24の内部に配置されている。ヒータ25は、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、発熱し、そのカートリッジに載せられているウェハを加熱する。このとき、ヒートシンク22は、冷却された冷媒がヒートチャンバー3の外部から常時供給され、ヒータ25が発熱しているときに、ヒートチャンバー3が加熱されることを防止する。
 ヒートチャンバー3は、さらに、基板押さえ31とヒートシンク32と角度調整機構33とロードセル34と加圧機構35とを備えている。基板押さえ31は、石英から形成されている。基板押さえ31は、試料台24に対向する側に押さえ面36が形成されている。押さえ面36は、平坦に形成されている。基板押さえ31は、押さえ面36が形成されている側の反対側がヒートシンク32に接合されている。ヒートシンク32は、基板押さえ31に接合されている側の反対側が角度調整機構33に接合されている。角度調整機構33は、ロードセル34に接合されている。ロードセル34は、チャンバーベース21の上面に対して垂直方向に移動することができるように、支持されている。このとき、ヒートシンク32は、冷却された冷媒がヒートチャンバー3の外部から常時供給され、基板押さえ31が加熱されているときに、角度調整機構33とロードセル34とが加熱されることを防止する。
 加圧機構35は、その常温接合装置制御装置により制御されることにより、チャンバーベース21の上面に対して角度調整機構33を垂直方向に移動させ、すなわち、チャンバーベース21の上面に対して基板押さえ31を垂直方向に移動させる。ロードセル34は、圧電素子を備え、押さえ面36に印加される荷重を測定し、基板押さえ31に印加される荷重の偏りを測定する。ロードセル34は、その荷重とその偏りとをその常温接合装置制御装置に出力する。角度調整機構33は、その常温接合装置制御装置により制御されることにより、押さえ面36が向いている向きを変える。
 ロードセル34は、その圧電素子が加熱されることにより、測定値の誤差が大きくなることがある。ロードセル34は、ヒートシンク32により加熱が防止されることにより、その荷重とその偏りとをより高精度に測定することができる。
 複数の棚7に載せられる複数のカートリッジは、上カートリッジと下カートリッジとを含んでいる。図4は、その上カートリッジを示している。上カートリッジ41は、アルミニウムまたはステンレス鋼または窒化アルミニウムから形成され、概ね円盤状に形成されている。上カートリッジ41は、その円盤の上側の面に、複数の島部分42-1~42-4が形成されている。複数の島部分42-1~42-4は、その円盤の上側の面から突出する突起に形成され、上端が1つの平面に沿うように形成されている。
 上カートリッジ41は、図5に示されているように、フランジ部分44と本体部分45とが形成されている。本体部分45は、円柱状に形成されている。フランジ部分44は、本体部分45の円柱の側面から張り出すように形成され、円盤状に形成されている。すなわち、上カートリッジ41は、フランジ部分44を掬われることにより、搬送ロボット8に把持される。
 上カートリッジ41は、上ウェハ46が複数の島部分42-1~42-4の上に載せられて利用される。すなわち、複数の島部分42-1~42-4は、上ウェハ46の外周に沿うように形成されている。上カートリッジ41は、上ウェハ46が複数の島部分42-1~42-4に載せられたときに、上ウェハ46の下側の面が上カートリッジ41に接触しないように、上ウェハ46の下側の面が上カートリッジ41により汚染されないように、形成されている。上カートリッジ41は、さらに、上ウェハ46が複数の島部分42-1~42-4に載せられたときに、上カートリッジ41と上ウェハ46とに挟まれる空間が外部に通じる流路が形成されるように、複数の島部分42-1~42-4が形成されている。すなわち、複数の島部分42-1~42-4は、互いに、連ならないように形成されている。
 図6は、その下カートリッジ51を示している。下カートリッジ51は、アルミニウムまたはステンレス鋼または窒化アルミニウムから形成され、概ね円盤状に形成され、下ウェハを載せるために利用される。下カートリッジ51は、さらに、その円盤の上側の面に、島部分52が形成されている。島部分52は、その円盤の上側の面から突出する突起に形成され、下カートリッジ51に載せられる下ウェハの形状と概ね等しい形状に形成され、上端が1つの平面に沿うように形成されている。島部分52は、上端に溝53が形成されている。溝53は、上端に格子状に形成されている。溝53は、さらに、島部分52の側面に繋がるように、形成されている。
 下カートリッジ51は、図7に示されているように、フランジ部分54と本体部分55とが形成されている。本体部分55は、円柱状に形成されている。フランジ部分54は、本体部分55の円柱の側面から張り出すように形成され、円盤状に形成されている。すなわち、下カートリッジ51は、フランジ部分54を掬われることにより、搬送ロボット8に把持される。
 下カートリッジ51は、下ウェハ56が島部分52の上に載せられて利用される。すなわち、島部分52は、下ウェハ56の外周に沿うように形成されている。下カートリッジ51は、さらに、下ウェハ56が島部分52に載せられたときに、下カートリッジ51と下ウェハ56とに挟まれる空間が外部に通じる流路が形成されるように、島部分52が形成されている。すなわち、島部分52は、互いに、連ならないように形成されている。
 図8は、常温接合装置制御装置61を示している。常温接合装置制御装置61は、コンピュータであり、図示されていないCPUと記憶装置とリムーバルメモリドライブと通信装置と入力装置と出力装置とインターフェースとを備えている。そのCPUは、常温接合装置制御装置61にインストールされるコンピュータプログラムを実行して、その記憶装置とリムーバルメモリドライブと通信装置と入力装置と出力装置とインターフェースとを制御する。その記憶装置は、そのコンピュータプログラムを記録する。その記憶装置は、さらに、そのCPUにより利用される情報を記録する。そのリムーバルメモリドライブは、コンピュータプログラムが記録されている記録媒体が挿入されたときに、そのコンピュータプログラムを常温接合装置制御装置61にインストールするときに利用される。その通信装置は、通信回線網を介して常温接合装置制御装置61に接続される他のコンピュータからコンピュータプログラムを常温接合装置制御装置61にダウンロードし、そのコンピュータプログラムを常温接合装置制御装置61にインストールするときに利用される。その入力装置は、ユーザに操作されることにより生成される情報をそのCPUに出力する。その入力装置としては、キーボード、マウスが例示される。その出力装置は、そのCPUにより生成された情報をユーザに認識されることができるように出力する。その出力装置としては、そのCPUにより生成された画像を表示するディスプレイが例示される。
 そのインターフェースは、常温接合装置制御装置61に接続される外部機器により生成される情報をそのCPUに出力し、そのCPUにより生成された情報をその外部機器に出力する。その外部機器は、ゲートバルブ5とゲートバルブ6と搬送ロボット8とロードロックチャンバー1から排気する真空ポンプとヒートチャンバー3から排気する真空ポンプと真空ポンプ10と位置合わせ機構12と静電チャック15と圧接機構16と荷重計17とイオンガン18と電子源19とヒータ25と流路26に冷媒を供給する冷却装置とヒータ25と角度調整機構33とロードセル34と加圧機構35とを含んでいる。
 常温接合装置制御装置61にインストールされるコンピュータプログラムは、常温接合装置制御装置61に複数の機能をそれぞれ実現させるための複数のコンピュータプログラムから形成されている。その複数の機能は、搬送部62と接合前加熱部63と接合部64と接合後加熱部65とを含んでいる。
 搬送部62は、さらに、ゲートバルブ5とゲートバルブ6とが閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー1の内部に所定の真空度の予備雰囲気が生成されるように、または、ロードロックチャンバー1の内部に大気圧雰囲気が生成されるように、ロードロックチャンバー1の真空ポンプを制御する。搬送部62は、ロードロックチャンバー1の内部にその予備雰囲気が生成されているときに、ゲートバルブ5が開閉するようにゲートバルブ5を制御し、ゲートバルブ6が開閉するようにゲートバルブ6を制御する。
 搬送部62は、ゲートバルブ5が開放されているときに、複数の棚7に配置されている上カートリッジ41または下カートリッジ51が接合チャンバー2の位置決めステージキャリッジ11に搬送されるように、または、位置決めステージキャリッジ11に保持されている上カートリッジ41または下カートリッジ51がロードロックチャンバー1の複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。搬送部62は、ゲートバルブ6が開放されているときに、複数の棚7に配置されている上カートリッジ41または下カートリッジ51がヒートチャンバー3の試料台24に搬送されるように、または、ヒートチャンバー3の試料台24に保持されている上カートリッジ41または下カートリッジ51がロードロックチャンバー1の複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 接合前加熱部63は、ゲートバルブ6が閉鎖されているときに、ヒートチャンバー3の内部に所定の真空度の脱離雰囲気が生成されるように、ヒートチャンバー3の真空ポンプを制御する。接合前加熱部63は、ヒートチャンバー3の内部にその脱離雰囲気が生成されている場合で、ヒートチャンバー3の試料台24に上カートリッジ41が保持されているときに、上カートリッジ41に載せられている上ウェハ46が所定の脱離温度で加熱されるように、すなわち、上ウェハ46から吸着物質が脱離するように、ヒータ25を制御する。その吸着物質は、上ウェハ46に吸着されている物質であり、水や大気成分が例示される。その脱離温度としては、200℃が例示される。接合前加熱部63は、上ウェハ46が所定の時間加熱された後に、すなわち、上ウェハ46からその吸着物質が十分に脱離された後に、上ウェハ46が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、上ウェハ46が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。その接合温度は、上ウェハ46から作製される製品が使用される温度範囲に含まれるように設定される。
 接合前加熱部63は、ヒートチャンバー3の内部にその脱離雰囲気が生成されている場合で、ヒートチャンバー3の試料台24に下カートリッジ51が保持されているときに、下カートリッジ51に載せられている下ウェハ56が所定の脱離温度で加熱されるように、すなわち、下ウェハ56から吸着物質が脱離するように、ヒータ25を制御する。接合前加熱部63は、下ウェハ56が所定の時間加熱された後に、すなわち、下ウェハ56からその吸着物質が十分に脱離された後に、下ウェハ56が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、下ウェハ56が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。
 接合部64は、上カートリッジ41が位置決めステージキャリッジ11に載っているときに、静電チャック15が下降するように、圧接機構16を制御する。接合部64は、静電チャック15が下降しているときに、静電チャック15に印加される荷重が測定されるように、荷重計17を制御する。接合部64は、その荷重が所定の接触荷重に到達するタイミングを算出し、すなわち、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46が静電チャック15に接触するタイミングをその荷重に基づいて算出する。接合部64は、そのタイミングで静電チャック15が停止するように、圧接機構16を制御する。接合部64は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46に静電チャック15が接触しているときに、静電チャック15が上ウェハ46を保持するように、静電チャック15を制御する。接合部64は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46を静電チャック15が保持しているときに、静電チャック15が上昇するように、圧接機構16を制御する。
 接合部64は、ゲートバルブ5が閉鎖されているときに、接合チャンバー2の内部に所定の真空度の接合雰囲気が生成されるように、真空ポンプ10を制御する。接合部64は、さらに、接合チャンバー2の内部にその接合雰囲気が生成されているときに、上ウェハ46と下ウェハ56とにアルゴンイオンが照射されるように、イオンガン18を制御する。接合部64は、さらに、そのアルゴンイオンが放出されている最中に、電子が放出されるように、電子源19を制御する。
 接合部64は、さらに、静電チャック15が上ウェハ46を保持している場合で、下カートリッジ51が位置決めステージキャリッジ11に載っているときに、下カートリッジ51に載っている下ウェハ56と上ウェハ46とが所定の位置合わせ距離まで接近するように圧接機構16を制御する。接合部64は、さらに、上ウェハ46と下ウェハ56とがその位置合わせ距離だけ離れているときに、上ウェハ46に対して下ウェハ56が所定の位置合わせ位置に配置されるように、位置合わせ機構12を制御する。その位置合わせ位置は、静電チャック15が下降したときに、上ウェハ46と下ウェハ56とが設計通りに接合されるように、設定される。
 接合部64は、さらに、下ウェハ56がその位置合わせ位置に配置されているときに、静電チャック15が下降するように、圧接機構16を制御する。接合部64は、静電チャック15が下降しているときに、静電チャック15に印加される荷重が測定されるように、荷重計17を制御する。接合部64は、その荷重が所定の接合荷重に到達するタイミングを算出する。接合部64は、そのタイミングで静電チャック15が停止するように、すなわち、上ウェハ46と下ウェハ56とにその接合荷重が印加されるように、圧接機構16を制御する。
 接合部64は、上ウェハ46と下ウェハ56とにその接合荷重が所定の接合時間印加された後に、上ウェハ46と下ウェハ56とから作製された接合ウェハが静電チャック15から離脱するように、静電チャック15を制御する。接合部64は、その接合ウェハが静電チャック15から離脱した後に、静電チャック15が上昇するように、圧接機構16を制御する。
 接合後加熱部65は、ヒートチャンバー3の試料台24に下カートリッジ51が保持されているときに、基板押さえ31が下降するように、加圧機構35を制御する。接合後加熱部65は、基板押さえ31が下降しているときに、基板押さえ31に印加される荷重が測定されるように、かつ、基板押さえ31に印加される荷重の偏りが測定されるように、ロードセル34を制御する。接合後加熱部65は、その接合ウェハに所定の押さえ荷重が印加されるように、加圧機構35を制御する。接合後加熱部65は、その偏りに基づいて基板押さえ31の押さえ面36がその接合ウェハの上側の面に平行になるように、すなわち、その接合ウェアにその押さえ荷重が均一に印加されるように、角度調整機構33を制御する。
 接合後加熱部65は、その接合ウェハに所定の押さえ荷重が印加されているときに、その接合ウェハが所定の焼きなまし温度で加熱されるように、すなわち、その接合ウェハが焼きなましされるように、ヒータ25を制御する。その焼きなまし温度としては、480℃が例示される。接合後加熱部65は、その接合ウェハが所定の時間加熱された後に、すなわち、その接合ウェハが焼きなましされた後に、下カートリッジ51が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、下カートリッジ51が可搬温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。接合後加熱部65は、その接合ウェハが焼きなましされた後に、さらに、基板押さえ31が上昇するように、加圧機構35を制御する。
 図9は、本発明による常温接合方法の実施の形態を示している。その常温接合方法は、本発明による常温接合装置を用いて実行される。常温接合装置制御装置61は、まず、ロードロックチャンバー1の内部と接合チャンバー2の内部とを接続する第1ゲートが閉鎖されるように、ゲートバルブ5を制御し、ロードロックチャンバー1の内部とヒートチャンバー3の内部とを接続する第2ゲートが閉鎖されるように、ゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ5とゲートバルブ6とが閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー1の内部に大気圧雰囲気が生成されるようにロードロックチャンバー1の真空ポンプを制御し、接合チャンバー2の内部に接合雰囲気が生成されるように真空ポンプ10を制御し、ヒートチャンバー3の内部に脱離雰囲気が生成されるようにヒートチャンバー3の真空ポンプを制御する。
 ユーザは、ロードロックチャンバー1の内部に大気圧雰囲気が生成されているときに、ロードロックチャンバー1の蓋を開けて、複数の棚7に複数のカートリッジを配置する。複数のカートリッジは、複数の上カートリッジ41と複数の下カートリッジ51とを含んでいる。上カートリッジ41には、上ウェハ46が載せられている。下カートリッジ51には、下ウェハ56が載せられている。ユーザは、複数の棚7にその複数のカートリッジを配置した後に、ロードロックチャンバー1の蓋を閉鎖する。常温接合装置制御装置61は、ロードロックチャンバー1の蓋が閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー1の内部に予備雰囲気が生成されるようにロードロックチャンバー1の真空ポンプを制御する(ステップS1)。
 常温接合装置制御装置61は、ロードロックチャンバー1の内部に予備雰囲気が生成されているときに、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が開放されているときに、複数の棚7に配置されている複数のカートリッジのうちの1つの上カートリッジ41がヒートチャンバー3の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する(ステップS2)。
 常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の試料台24に上カートリッジ41が保持された後に、ゲートバルブ6が閉鎖されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が閉鎖されているときに、ヒートチャンバー3の内部に脱離雰囲気が生成されるようにヒートチャンバー3の真空ポンプを制御する。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の内部にその脱離雰囲気が生成されているときに、上カートリッジ41に載せられている上ウェハ46が所定の脱離温度で加熱されるように、すなわち、上ウェハ46から吸着物質が脱離するように、ヒータ25を制御する(ステップS3)。常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が所定の時間加熱された後に、すなわち、上ウェハ46からその吸着物質が十分に脱離された後に、上ウェハ46が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、上ウェハ46が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46からその吸着物質が十分に脱離された後に、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が接合温度まで冷却された後に、上カートリッジ41がヒートチャンバー3の試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、次いで、上カートリッジ41がヒートチャンバー3の試料台24から搬送された後に、複数の棚7に配置されている複数のカートリッジのうちの1つの下カートリッジ51がヒートチャンバー3の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する(ステップS2)。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の試料台24に下カートリッジ51が保持された後に、ゲートバルブ6が閉鎖されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が閉鎖されているときに、ヒートチャンバー3の内部に脱離雰囲気が生成されるようにヒートチャンバー3の真空ポンプを制御する。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の内部にその脱離雰囲気が生成されているときに、下カートリッジ51に載せられている下ウェハ56が所定の脱離温度で加熱されるように、すなわち、下ウェハ56から吸着物質が脱離するように、ヒータ25を制御する(ステップS3)。常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56が所定の時間加熱された後に、すなわち、下ウェハ56からその吸着物質が十分に脱離された後に、下ウェハ56が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、下ウェハ56が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56からその吸着物質が十分に脱離された後に、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56が接合温度まで冷却された後に、下カートリッジ51がヒートチャンバー3の試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46と下ウェハ56とからその吸着物質が十分に脱離された後に、ゲートバルブ5が開放されるようにゲートバルブ5を制御する。常温接合装置制御装置61は、その脱離された上ウェハ46が載っている上カートリッジ41が複数の棚7から接合チャンバー2の位置決めステージキャリッジ11に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。常温接合装置制御装置61は、次いで、静電チャック15が下降するように、圧接機構16を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック15が下降しているときに、静電チャック15に印加される荷重が測定されるように、荷重計17を制御する。常温接合装置制御装置61は、その荷重が所定の接触荷重に到達するタイミングを算出し、すなわち、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46が静電チャック15に接触するタイミングをその荷重に基づいて算出する。常温接合装置制御装置61は、そのタイミングで静電チャック15が停止するように、圧接機構16を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46に静電チャック15が接触しているときに、静電チャック15が上ウェハ46を保持するように、静電チャック15を制御する。常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46を静電チャック15が保持しているときに、静電チャック15が上昇するように、圧接機構16を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック15が所定の活性化位置まで上昇した後に、上ウェハ46が載っていない上カートリッジ41が位置決めステージキャリッジ11から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41が複数の棚7に搬送された後に、その脱離された下ウェハ56が載っている下カートリッジ51が複数の棚7から位置決めステージキャリッジ11に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。常温接合装置制御装置61は、下カートリッジ51が位置決めステージキャリッジ11に保持された後に、ゲートバルブ5が閉鎖されるようにゲートバルブ5を制御する(ステップS4)。
 常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ5が閉鎖されているときに、接合チャンバー2の内部に接合雰囲気が生成されるように、真空ポンプ10を制御する。常温接合装置制御装置61は、さらに、接合チャンバー2の内部にその接合雰囲気が生成されているときに、上ウェハ46と下ウェハ56とにアルゴンイオンが照射されるように、イオンガン18を制御する。常温接合装置制御装置61は、さらに、そのアルゴンイオンが放出されている最中に、電子が放出されるように、電子源19を制御する(ステップS5)。
 常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56と上ウェハ46とが所定の位置合わせ距離まで接近するように圧接機構16を制御する。常温接合装置制御装置61は、さらに、上ウェハ46と下ウェハ56とがその位置合わせ距離だけ離れているときに、上ウェハ46に対して下ウェハ56が所定の位置合わせ位置に配置されるように、位置合わせ機構12を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、さらに、下ウェハ56がその位置合わせ位置に配置された後に、静電チャック15が下降するように、圧接機構16を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック15が下降しているときに、静電チャック15に印加される荷重が測定されるように、荷重計17を制御する。常温接合装置制御装置61は、その荷重が所定の接合荷重に到達するタイミングを算出する。常温接合装置制御装置61は、そのタイミングで静電チャック15が停止するように、すなわち、上ウェハ46と下ウェハ56とにその接合荷重が印加されるように、圧接機構16を制御する(ステップS6)。下ウェハ56と上ウェハ46とは、その接合荷重が印加されることにより、接合され、1枚の接合ウェハに形成される。
 常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハにその接合荷重が所定の接合時間印加された後に、その接合ウェハが静電チャック15から離脱するように、静電チャック15を制御する。常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハが静電チャック15から離脱した後に、静電チャック15が上昇するように、圧接機構16を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、静電チャック15が十分に上昇した後に、ゲートバルブ5が開放されるようにゲートバルブ5を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ5が開放されているときに、その接合ウェハが載せられている下カートリッジ51が位置決めステージキャリッジ11からロードロックチャンバー1に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、ロードロックチャンバー1の内部に予備雰囲気が生成されているときに、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が開放されているときに、その接合ウェハが載せられている下カートリッジ51がロードロックチャンバー1からヒートチャンバー3の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する(ステップS7)。
 常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の試料台24に下カートリッジ51が保持されているときに、基板押さえ31が下降するように、加圧機構35を制御する。常温接合装置制御装置61は、基板押さえ31が下降しているときに、基板押さえ31に印加される荷重が測定されるように、かつ、基板押さえ31に印加される荷重の偏りが測定されるように、ロードセル34を制御する。常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハに所定の押さえ荷重が印加されるように、所定のサンプリング周期で加圧機構35を制御する。常温接合装置制御装置61は、その偏りに基づいて基板押さえ31の押さえ面36がその接合ウェハの上側の面に平行になるように、すなわち、その接合ウェアにその押さえ荷重が均一に印加されるように、所定のサンプリング周期で角度調整機構33を制御する。常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハにその押さえ荷重が印加されているときに、その接合ウェハが所定の焼きなまし温度で加熱されるように、すなわち、その接合ウェハが焼きなましされるように、所定のサンプリング周期でヒータ25を制御する(ステップS8)。
 その接合ウェハは、所定の焼きなまし時間加熱されることにより、焼きなましされ、残留応力が低減する。その焼きなまし時間としては、数分が例示される。常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハが焼きなましされた後に、下カートリッジ51が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、下カートリッジ51が可搬温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。その可搬温度としては、室温が例示される。常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハが焼きなましされた後に、さらに、基板押さえ31が上昇するように、加圧機構35を制御する。常温接合装置制御装置61は、基板押さえ31が十分に上昇した後に、その焼きなましされた接合ウェハが載せられている下カートリッジ51が位置決めステージキャリッジ11から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する(ステップS9)。
 常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が載せられている上カートリッジ41と下ウェハ56が載せられている下カートリッジ51とが複数の棚7に配置されているときに(ステップS10、YES)、ステップS2~ステップS9の動作を再度繰り返して実行する。
 常温接合装置制御装置61は、接合することが予定されているウェハが複数の棚7に配置されていないときに(ステップS10、NO)、ゲートバルブ5が閉鎖されるようにゲートバルブ5を制御し、ゲートバルブ6が閉鎖されるように、ゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ5とゲートバルブ6とが閉鎖された後に、ロードロックチャンバー1の内部に大気圧雰囲気が生成されるようにロードロックチャンバー1の真空ポンプを制御する。ユーザは、ロードロックチャンバー1の内部に大気圧雰囲気が生成された後に、ロードロックチャンバー1の蓋を開けて、複数の棚7から複数のカートリッジを取り出す。その複数のカートリッジは、複数の上カートリッジ41と複数の下カートリッジ51とを含んでいる。下カートリッジ51には、その接合ウェハが載せられている。
 ユーザは、さらに上ウェハ46と下ウェハ56とを常温接合したいときに、上ウェハ46が載せられている上カートリッジ41と下ウェハ56が載せられている下カートリッジ51とを複数の棚7に配置した後に、このような常温接合方法を再度実行する。
 上ウェハ46と下ウェハ56とは、うねりが大きいときに、常温接合された接合面の接触面積が小さくなり、十分な接合強度が得られないことがある。上ウェハ46と下ウェハ56とは、うねりが大きい場合で、十分に大きい荷重を印加しながら接合されたときに、十分な接合強度で接合される。上ウェハ46と下ウェハ56とは、うねりが大きい場合で、十分に大きい荷重が印加されながら接合されたときに、残留応力が生じることがある。このような残留応力は、上ウェハ46と下ウェハ56とから作製される製品に悪影響を及ぼすことがある。その悪影響としては、機能上の欠陥、動作不良が例示される。
 このような常温接合方法によれば、上ウェハ46と下ウェハ56とが接合された接合ウェハに残留応力が生じた場合であっても、その残留応力を低減することができ、品質が良い製品をより安定して作製することができる。
 吸着物質が吸着された2枚のウェハが常温接合された接合ウェハは、焼きなましされることにより、その吸着物質から生成されるボイドが接合面に発生し、接合強度が低減することがある。このような常温接合方法は、上ウェハ46と下ウェハ56とから吸着物質を脱離する動作(ステップS2~S3)により、接合ウェハの接合面に残留する吸着物質を低減することができ、その結果、ボイドが接合面に発生することを防止し、接合強度を向上させることができる。
 なお、本発明による常温接合方法は、上ウェハ46と下ウェハ56とに吸着されている吸着物質が十分に少量であるときに、上ウェハ46と下ウェハ56とから吸着物質を脱離する動作(ステップS2~S3)を省略することができる。このような常温接合方法も、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。
 接合ウェハから作製される製品は、所定の形状に形成されていることが要求されることがある。その接合ウェハは、焼きなましされる前の接合ウェハのうねりが大きい場合でも、その押さえ荷重が印加されながら焼きなましされることにより、より平坦に形成されることができ、このような製品に適用されることができる。
 なお、本発明による常温接合方法は、焼きなましされる前の接合ウェハが十分に平坦であるときに、すなわち、接合ウェハが十分に平坦になるように常温接合することができるときに、焼きなましするときにその押さえ荷重を印加することを省略することができる。このような常温接合方法も、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。
 その接合ウェハに印加される荷重は、その接合ウェハが焼きなましされているときに、その接合ウェハやその接合ウェハを取り扱う装置が熱膨張することにより、増加することがある。その接合ウェハは、印加される荷重が十分に大きいときに、割れることがある。本発明による常温接合方法によれば、その接合ウェハに印加される荷重が押さえ荷重に制御されているために、接合ウェハが割れることを防止することができ、品質が良い製品をより安定して作製することができる。なお、本発明による常温接合方法は、その接合ウェハを取り扱う装置が弾性変形することによりその接合ウェハに印加される荷重が所定の荷重より大きくならないときに、その接合ウェハに印加される荷重が押さえ荷重に一旦制御した後にその荷重が押さえ荷重になるようにフィードバック制御する動作を省略することもできる。
 本発明による常温接合装置の実施の他の形態は、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3が他のヒートチャンバーに置換されている。そのヒートチャンバー70は、図10に示されているように、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3と同様にして、チャンバーベース21とヒートシンク22と断熱部材23と試料台24とヒータ25とを備えている。
 ヒートチャンバー70は、さらに、静電チャック71と断熱部材72とヒートシンク73と角度調整機構74とロードセル75と加圧機構76とヒータ77とを備えている。静電チャック71は、試料台24に対向する側に保持面78が形成されている。保持面78は、平坦に形成されている。静電チャック71は、保持面78が形成されている側の反対側が断熱部材72に接合されている。静電チャック71は、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、保持面78の近傍に配置されるウェハを静電力によって保持する。断熱部材72は、石英から形成され、ヒートシンク73に接合されている。断熱部材72は、流路79を備えている。流路79は、気体窒素が流れる管路を形成している。その気体窒素は、図示されていない冷却装置によりヒートチャンバー70の外部から供給される。ヒートシンク73は、静電チャック71に接合されている側の反対側が角度調整機構74に接合されている。角度調整機構74は、ロードセル75に接合されている。ロードセル75は、チャンバーベース21の上面に対して垂直方向に移動することができるように、支持されている。このとき、ヒートシンク73は、冷却された冷媒がヒートチャンバー70の外部から常時供給され、静電チャック71が加熱されているときに、角度調整機構74とロードセル75とが加熱されることを防止する。
 加圧機構76は、その常温接合装置制御装置により制御されることにより、チャンバーベース21の上面に対して角度調整機構74を垂直方向に移動させ、すなわち、チャンバーベース21の上面に対して静電チャック71を垂直方向に移動させる。ロードセル75は、圧電素子を備え、保持面78に印加される荷重を測定し、静電チャック71に印加される荷重の偏りを測定する。ロードセル75は、その荷重とその偏りとをその常温接合装置制御装置に出力する。角度調整機構74は、その常温接合装置制御装置により制御されることにより、保持面78が向いている向きを変える。
 ロードセル75は、その圧電素子が加熱されることにより、測定値の誤差が大きくなることがある。ロードセル75は、ヒートシンク73により加熱が防止されることにより、その荷重とその偏りとをより高精度に測定することができる。
 ヒータ77は、静電チャック71の内部に配置されている。ヒータ77は、常温接合装置制御装置61に制御されることにより、発熱し、静電チャック71に保持されているウェハを加熱する。このとき、ヒートシンク73は、冷却された冷媒がヒートチャンバー70の外部から常時供給され、ヒータ77が発熱しているときに、ロードセル75が加熱されることを防止する。
 本発明による常温接合方法の実施の他の形態は、ヒートチャンバー70が適用された常温接合装置本体を用いて実行され、既述の実施の形態におけるステップS2~S3が他の動作に置換されている。その動作では、常温接合装置制御装置61は、ロードロックチャンバー1の内部に予備雰囲気が生成されているときに、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が開放されているときに、複数の棚7に配置されている複数のカートリッジのうちの1つの上カートリッジ41がヒートチャンバー70の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー70の試料台24に上カートリッジ41が保持された後に、静電チャック71が下降するように、加圧機構76を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック71が下降しているときに、静電チャック71に印加される荷重が測定されるように、ロードセル75を制御する。常温接合装置制御装置61は、その荷重が所定の接触荷重に到達するタイミングを算出し、すなわち、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46が静電チャック71に接触するタイミングをその荷重に基づいて算出する。常温接合装置制御装置61は、そのタイミングで静電チャック71が停止するように、加圧機構76を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46に静電チャック71が接触しているときに、静電チャック71が上ウェハ46を保持するように、静電チャック71を制御する。常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46を静電チャック71が保持しているときに、静電チャック71が上昇するように、加圧機構76を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック71が所定の位置まで上昇した後に、上ウェハ46が載っていない上カートリッジ41が試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41が複数の棚7に搬送された後に、下ウェハ56が載っている下カートリッジ51が複数の棚7から試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。常温接合装置制御装置61は、下カートリッジ51が試料台24に保持された後に、ゲートバルブ6が閉鎖されるようにゲートバルブ6を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が閉鎖されているときに、ヒートチャンバー70の内部に脱離雰囲気が生成されるようにヒートチャンバー70の真空ポンプを制御する。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー70の内部にその脱離雰囲気が生成されているときに、静電チャック71に保持されている上ウェハ46が所定の脱離温度で加熱されるように、ヒータ77を制御し、下カートリッジ51に載せられている下ウェハ56がその脱離温度で加熱されるように、ヒータ25を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が所定の時間加熱された後に、上ウェハ46が加熱されないように、ヒータ77を制御し、流路79に気体窒素が流れるように、すなわち、上ウェハ46が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー70の冷却装置を制御する。常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56が所定の時間加熱された後に下ウェハ56が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、下ウェハ56が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー70の冷却装置を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46と下ウェハ56とからその吸着物質が十分に脱離された後に、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56が接合温度まで冷却された後に、下カートリッジ51がヒートチャンバー70の試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、下カートリッジ51がヒートチャンバー70の試料台24から搬送された後に、ウェハが載っていない上カートリッジ41がヒートチャンバー70の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー70の試料台24に上カートリッジ41が保持された後に、静電チャック71が下降するように、加圧機構76を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック71が下降しているときに、静電チャック71に印加される荷重が測定されるように、ロードセル75を制御する。常温接合装置制御装置61は、その荷重が所定の接触荷重に到達するタイミングを算出し、すなわち、静電チャック71に保持されている上ウェハ46が上カートリッジ41に接触するタイミングをその荷重に基づいて算出する。常温接合装置制御装置61は、そのタイミングで静電チャック71が停止するように、加圧機構76を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、上カートリッジ41に載っている上ウェハ46に静電チャック71が接触しているときに、静電チャック71から上ウェハ46が離脱するように、静電チャック71を制御する。常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が静電チャック71から離脱した後に、静電チャック71が上昇するように、加圧機構76を制御する。常温接合装置制御装置61は、静電チャック71が所定の位置まで上昇した後に、上ウェハ46が載っている上カートリッジ41が試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 このような動作が適用された常温接合方法は、既述の実施の形態おける常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。このような動作は、さらに、既述の実施の形態おけるステップS2~S3の動作に比較して、より短時間に実行されることができる。このため、このような動作が適用された常温接合方法によれば、より高速に接合ウェハを作製することができる。
 図11は、さらに他のヒートチャンバーを示している。そのヒートチャンバー80は、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3と同様にして、チャンバーベース21とヒートシンク22と断熱部材23と試料台24とヒータ25とを備えている。ヒートチャンバー80は、さらに、基板押さえ81と角度調整機構82とロードセル83と加圧機構84と冷却機構85とを備えている。基板押さえ81は、石英から形成されている。基板押さえ81は、試料台24に対向する側に押さえ面が形成されている。その押さえ面は、平坦に形成されている。基板押さえ81は、その押さえ面が形成されている側の反対側が角度調整機構82に接合されている。角度調整機構82は、ロードセル83に接合されている。ロードセル83は、チャンバーベース21の上面に対して垂直方向に移動することができるように、支持されている。
 加圧機構84は、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、チャンバーベース21の上面に対して角度調整機構82を垂直方向に移動させ、すなわち、チャンバーベース21の上面に対して基板押さえ81を垂直方向に移動させる。ロードセル83は、圧電素子を備え、その押さえ面に印加される荷重を測定し、基板押さえ81に印加される荷重の偏りを測定する。ロードセル83は、その荷重とその偏りとをその常温接合装置制御装置に出力する。角度調整機構82は、その常温接合装置制御装置により制御されることにより、その押さえ面が向いている向きを変える。
 冷却機構85は、冷却された冷媒がヒートチャンバー80の外部から常時供給され、基板押さえ81が加熱されているときに、ロードセル83が加熱されることを防止する。ロードセル83は、その圧電素子が加熱されることにより、測定値の誤差が大きくなることがある。ロードセル83は、ヒートシンク32により加熱が防止されることにより、その荷重とその偏りとをより高精度に測定することができる。
 ヒートチャンバー80が適用された常温接合装置本体は、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3が適用された常温接合装置本体と同様に利用されることができる。このため、本発明による常温接合方法は、ヒートチャンバー80が適用された常温接合装置本体用いて実行された場合でも、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。ヒートチャンバー80は、さらに、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3に比較して、より近傍からロードセル83を冷却しているために、ロードセル83をより確実に冷却することができる。このため、ロードセル83は、その荷重とその偏りとをより高精度に測定することができ、その接合ウェハに押さえ荷重が印加されるように加圧機構84を制御する制御性をより向上させることができ、その接合ウェアにその押さえ荷重が均一に印加されるように角度調整機構82を制御する制御性をより向上させることができる。
 図12は、さらに他のヒートチャンバーを示している。そのヒートチャンバー90は、チャンバーベース91と断熱部材92と試料台93とヒータ94とを備えている。チャンバーベース91は、ヒートチャンバー90の一部を形成し、断熱部材92と試料台93とヒータ94とを支持する基礎である。断熱部材92は、石英から形成され、チャンバーベース91に固定されている。断熱部材92は、流路95を備えている。流路95は、気体窒素が流れる管路を形成している。その気体窒素は、図示されていない冷却装置によりヒートチャンバー90の外部から供給される。試料台93は、窒化アルミニウムAlNから形成され、断熱部材92を介してチャンバーベース91に固定されている。試料台93は、断熱部材92に接合されている側の反対側に保持面96が形成されている。保持面96は、そのカートリッジが試料台93に保持されるように、形成されている。ヒータ94は、試料台93の内部に配置されている。ヒータ94は、常温接合装置制御装置61に制御されることにより、発熱し、そのカートリッジに載せられているウェハを加熱する。
 ヒートチャンバー90は、さらに、基板押さえ101と角度調整機構102とロードセル103と加圧機構104と冷却機構105とを備えている。基板押さえ101は、石英から形成されている。基板押さえ101は、試料台93に対向する側に押さえ面が形成されている。その押さえ面は、平坦に形成されている。基板押さえ101は、その押さえ面が形成されている側の反対側が角度調整機構102に接合されている。角度調整機構102は、ロードセル103に接合されている。ロードセル103は、チャンバーベース21の上面に対して垂直方向に移動することができるように、支持されている。
 加圧機構104は、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、チャンバーベース21の上面に対して角度調整機構102を垂直方向に移動させ、すなわち、チャンバーベース21の上面に対して基板押さえ101を垂直方向に移動させる。ロードセル103は、圧電素子を備え、その押さえ面に印加される荷重を測定し、基板押さえ101に印加される荷重の偏りを測定する。ロードセル103は、その荷重とその偏りとを常温接合装置制御装置61に出力する。角度調整機構102は、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、その押さえ面が向いている向きを変える。
 冷却機構105は、冷却された冷媒がヒートチャンバー90の外部から常時供給され、ヒートチャンバー90を冷却し、ロードセル103が加熱されることを防止する。ロードセル103は、ヒートシンク32により加熱が防止されることにより、その荷重とその偏りとをより高精度に測定することができる。
 ヒートチャンバー90が適用された常温接合装置本体は、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3が適用された常温接合装置本体と同様に利用されることができる。このため、本発明による常温接合方法は、ヒートチャンバー90が適用された常温接合装置本体用いて実行された場合でも、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。ヒートチャンバー90は、さらに、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3に比較して、ヒートシンク22とヒートシンク32との分、ヒートチャンバー90の内部をシンプルに形成することができ、小型化することができる。
 本発明による常温接合装置の実施のさらに他の形態は、図13に示されているように、既述の実施の形態における常温接合装置本体が他のヒートチャンバー110をさらに備えている。ヒートチャンバー110は、内部を環境から密閉する容器である。その常温接合装置本体は、さらに、ゲートバルブ111を備えている。ゲートバルブ111は、ロードロックチャンバー1とヒートチャンバー110との間に介設され、ヒートチャンバー110の内部とロードロックチャンバー1の内部とを接続するゲートを形成している。ゲートバルブ111は、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、そのゲートを閉鎖し、または、そのゲートを開放する。
 ヒートチャンバー110は、既述の実施の形態におけるヒートチャンバー3と同様にして、チャンバーベース21とヒートシンク22と断熱部材23と試料台24とヒータ25とを備え、さらに、基板押さえ31とヒートシンク32と角度調整機構33とロードセル34と加圧機構35とを備えている。
 本発明による常温接合方法の実施のさらに他の形態は、ヒートチャンバー110が追加された常温接合装置本体を用いて実行され、既述の実施の形態におけるステップS2~S3が他の動作に置換されている。
 その動作では、常温接合装置制御装置61は、ロードロックチャンバー1の内部に予備雰囲気が生成されているときに、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が開放されているときに、複数の棚7に配置されている複数のカートリッジのうちの1つの上カートリッジ41がヒートチャンバー3の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。常温接合装置制御装置61は、次いで、複数の棚7に配置されている複数のカートリッジのうちの1つの下カートリッジ51がヒートチャンバー110の試料台24に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の試料台24に上カートリッジ41が保持された後に、ゲートバルブ6が閉鎖されるようにゲートバルブ6を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ6が閉鎖されているときに、ヒートチャンバー3の内部に脱離雰囲気が生成されるようにヒートチャンバー3の真空ポンプを制御する。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー3の内部にその脱離雰囲気が生成されているときに、上カートリッジ41に載せられている上ウェハ46が所定の脱離温度で加熱されるように、すなわち、上ウェハ46から吸着物質が脱離するように、ヒータ25を制御する。常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が所定の時間加熱された後に、すなわち、上ウェハ46からその吸着物質が十分に脱離された後に、上ウェハ46が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、上ウェハ46が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー3の冷却装置を制御する。常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46からその吸着物質が十分に脱離された後に、ゲートバルブ6が開放されるようにゲートバルブ6を制御する。
 常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー110の試料台24に下カートリッジ51が保持された後に、ゲートバルブ111が閉鎖されるようにゲートバルブ111を制御する。常温接合装置制御装置61は、ゲートバルブ111が閉鎖されているときに、ヒートチャンバー110の内部に脱離雰囲気が生成されるようにヒートチャンバー110の真空ポンプを制御する。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー110の内部にその脱離雰囲気が生成されているときに、下カートリッジ51に載せられている下ウェハ56が所定の脱離温度で加熱されるように、すなわち、下ウェハ56から吸着物質が脱離するように、ヒータ25を制御する。常温接合装置制御装置61は、下ウェハ56が所定の時間加熱された後に、すなわち、下ウェハ56からその吸着物質が十分に脱離された後に、下ウェハ56が加熱されないように、ヒータ25を制御し、流路26に気体窒素が流れるように、すなわち、下ウェハ56が接合温度まで冷却されるように、ヒートチャンバー110の冷却装置を制御する。常温接合装置制御装置61は、次いで、下ウェハ56からその吸着物質が十分に脱離された後に、ゲートバルブ111が開放されるようにゲートバルブ111を制御する。
 下ウェハ56から吸着物質が脱離する動作は、上ウェハ46から吸着物質が脱離する動作と並行して実行される。
 常温接合装置制御装置61は、上ウェハ46が接合温度まで冷却された後に、上カートリッジ41がヒートチャンバー3の試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。常温接合装置制御装置61は、次いで、下ウェハ56が接合温度まで冷却された後に、下カートリッジ51がヒートチャンバー110の試料台24から複数の棚7に搬送されるように、搬送ロボット8を制御する。
 このような動作が適用された常温接合方法は、既述の実施の形態おける常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。このような動作は、既述の実施の形態おけるステップS2~S3の動作に比較して、より短時間に実行されることができる。このため、このような動作が適用された常温接合方法によれば、より高速に接合ウェハを作製することができる。
 なお、ヒートチャンバー110は、接合ウェハを焼きなましする動作(ステップS7~S8)に利用されることもできる。なお、ヒートチャンバー110は、接合ウェハを焼きなましする動作に利用されないときに、基板押さえ31とヒートシンク32と角度調整機構33とロードセル34と加圧機構35とが省略された他のヒートチャンバーに置換されることができる。このようなヒートチャンバーが適用された常温接合装置本体は、ヒートチャンバー110が適用された常温接合装置本体に比較して、よりシンプルであり、製造コストがより低く、好ましい。
 本発明による常温接合装置の実施のさらに他の形態は、図14に示されているように、既述の実施の形態における常温接合装置本体のロードロックチャンバー1がトランスファチャンバー120とロードロックチャンバー121とに置換され、ヒートチャンバー3が複数のヒートチャンバー122-1~122-4に置換されている。トランスファチャンバー120とロードロックチャンバー121と複数のヒートチャンバー122-1~122-4とは、それぞれ、内部を環境から密閉する容器である。その常温接合装置本体は、さらに、ゲート123とゲートバルブ124-1~124-4とを備えている。ゲート123は、トランスファチャンバー120とロードロックチャンバー121との間に介設され、トランスファチャンバー120の内部とロードロックチャンバー121の内部とを接続している。ゲートバルブ124-i(i=1,2,3,4)は、トランスファチャンバー120とヒートチャンバー122-iとの間に介設され、トランスファチャンバー120の内部とヒートチャンバー122-iの内部とを接続するゲートを形成している。ゲートバルブ124-iは、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、そのゲートを閉鎖し、または、そのゲートを開放する。
 ロードロックチャンバー121は、図示されていない蓋を備えている。その蓋は、環境とロードロックチャンバー121の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、そのゲートを開放する。ロードロックチャンバー121は、図示されていない真空ポンプを備えている。その真空ポンプは、その蓋とゲートバルブ121が閉鎖されているときに、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、ロードロックチャンバー121の内部から気体を排気する。ロードロックチャンバー121は、さらに、ロードロックチャンバー1と同様にして、複数の棚7を内部に備えている。
 トランスファチャンバー120は、搬送ロボット8を内部に備えている。搬送ロボット8は、ゲートバルブ5が開放されているときに、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、複数の棚7に配置されたカートリッジを接合チャンバー2に搬送し、または、接合チャンバー2に配置されたカートリッジを複数の棚7に搬送する。搬送ロボット8は、さらに、ゲートバルブ124-iが開放されているときに、常温接合装置制御装置61により制御されることにより、複数の棚7に配置されたカートリッジをヒートチャンバー122-iに搬送し、または、ヒートチャンバー122-iに配置されたカートリッジを複数の棚7に搬送する。
 本発明による常温接合方法の実施のさらに他の形態は、このような常温接合装置本体を用いて実行される。その常温接合方法は、既述の実施の形態におけるステップS2~S3が他の動作に置換されている。その動作では、常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー122-1を用いて上ウェハ46から吸着物質を脱離し、ヒートチャンバー122-2を用いて下ウェハ56から吸着物質を脱離する。常温接合装置制御装置61は、さらに、ヒートチャンバー122-1、122-2を用いて脱離の動作をしている最中に、ヒートチャンバー122-3を用いて他の上ウェハ46から吸着物質を脱離し、ヒートチャンバー122-4を用いて他の下ウェハ56から吸着物質を脱離する。
 その常温接合方法は、さらに、ステップS4~S6が他の動作に置換されている。その動作では、常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー122-1を用いて吸着物質が脱離された上ウェハ46とヒートチャンバー122-2を用いて吸着物質が脱離された下ウェハ56とを常温接合して接合ウェハを作製する。常温接合装置制御装置61は、その接合ウェハを作製している最中に、ヒートチャンバー122-1を用いてさらに他の上ウェハ46から吸着物質を脱離し、ヒートチャンバー122-2を用いてさらに他の下ウェハ56から吸着物質を脱離する。
 その常温接合方法は、さらに、ステップS7~S8が他の動作に置換されている。その動作では、常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー122-1を用いてその接合ウェハを焼きなましする。常温接合装置制御装置61は、ヒートチャンバー122-1で焼きなましされている最中に、ヒートチャンバー122-3を用いて吸着物質が脱離された上ウェハ46とヒートチャンバー122-4を用いて吸着物質が脱離された下ウェハ56とを常温接合して他の接合ウェハを作製する。
 このような動作が適用された常温接合方法によれば、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、品質が良い製品をより安定して作製することができる。このような動作が適用された常温接合方法によれば、既述の実施の形態における常温接合方法に比較して、所定期間内に接合ウェハをより多く作製することができる。
 なお、この出願は、2010年9月28日に出願された日本特許出願2010-217441号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てを引用によりここに組み込む。

Claims (14)

  1.  2つの基板が活性化されることにより作製された2つの活性化基板を接合することにより接合基板を作製する接合チャンバーと、
     前記接合基板の残留応力が低減するように前記接合基板を焼きなましするヒートチャンバー
     とを具備する常温接合装置。
  2.  請求項1において、
     制御装置をさらに具備し、
     前記ヒートチャンバーは、前記接合基板を加圧する加圧機構を備え、
     前記制御装置は、前記接合基板が焼きなましされているときに前記接合基板が加圧されるように前記加圧機構を制御する
     常温接合装置。
  3.  請求項2において、
     前記接合基板が焼きなましされているときに前記接合基板を加圧する圧力を測定するセンサをさらに具備し、
     前記制御装置は、前記圧力が所定の圧力以上にならないように前記加圧機構を制御する
     常温接合装置。
  4.  請求項3において、
     前記2つの基板を活性化する前に前記2つの基板から吸着物質を脱離させるチャンバー
     をさらに具備する常温接合装置。
  5.  請求項4において、
     前記2つの基板から前記吸着物質を脱離させた後に前記2つの基板を冷却する冷却装置をさらに具備し、
     前記制御装置は、前記2つの基板が冷却された後に活性化されるように、前記接合チャンバーを制御する
     常温接合装置。
  6.  請求項5において、
     前記ヒートチャンバーは、前記チャンバーに兼用される
     常温接合装置。
  7.  請求項6において、
     前記ヒートチャンバーは、
     前記2つの基板のうちの第1基板を保持する第1保持装置と、
     前記2つの基板のうちの第2基板を保持する第2保持装置と、
     前記第1保持装置が前記第1基板を保持しているときに、前記第1基板から前記吸着物質を脱離させる第1ヒータと、
     前記第2保持装置が前記第2基板を保持しているときに、前記第2基板から前記吸着物質を脱離させる第2ヒータとを備え、
     前記制御装置は、前記接合基板が前記第1ヒータにより焼きなましされるときに、前記接合基板が前記第1保持装置と前記第2保持装置とに挟まれることにより加圧されるように、前記加圧機構を制御する
     常温接合装置。
  8.  2つの基板を活性化することにより2つの活性化基板を作製するステップと、
     前記2つの活性化基板を接合することにより接合基板を作製するステップと、
     前記接合基板の残留応力が低減するように前記接合基板を焼きなましするステップ
     とを具備する常温接合方法。
  9.  請求項8において、
     前記接合基板を焼きなまししているときに前記接合基板を加圧するステップ
     をさらに具備する常温接合方法。
  10.  請求項9において、
     前記接合基板が焼きなましされているときに前記接合基板を加圧する圧力を測定するステップと、
     前記圧力が所定の圧力以上にならないように前記圧力を制御するステップ
     とをさらに具備する常温接合方法。
  11.  請求項10において、
     前記2つの基板を活性化する前に前記2つの基板から吸着物質を脱離させるステップ
     をさらに具備する常温接合方法。
  12.  請求項11において、
     前記2つの基板から前記吸着物質を脱離させた後に前記2つの基板を冷却するステップをさらに具備し、
     前記2つの基板は、冷却された後に活性化される
     常温接合方法。
  13.  請求項12において、
     前記接合基板は、前記2つの基板から吸着物質を脱離させるためのヒートチャンバーを用いて焼きなましされる
     常温接合方法。
  14.  請求項13において、
     前記ヒートチャンバーは、
     前記2つの基板のうちの第1基板を保持する第1保持装置と、
     前記2つの基板のうちの第2基板を保持する第2保持装置と、
     前記第1保持装置が前記第1基板を保持しているときに、前記第1基板から前記吸着物質を脱離させる第1ヒータと、
     前記第2保持装置が前記第2基板を保持しているときに、前記第2基板から前記吸着物質を脱離させる第2ヒータとを備え、
     前記接合基板は、前記第1保持装置と前記第2保持装置とに挟まれることにより加圧され、前記第1ヒータにより焼きなましされる
     常温接合方法。
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