WO2012070226A1 - 含酸素縮合環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

含酸素縮合環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to an oxygen-containing fused ring derivative and an organic electroluminescence device comprising the same.
  • An organic electroluminescence (EL) element is a self-luminous element utilizing the principle that a fluorescent substance emits light by recombination energy of holes injected from an anode and electrons injected from a cathode by applying an electric field. .
  • the organic EL element includes a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and an organic thin film layer between the electrodes.
  • the organic thin film layer is composed of a laminate of layers having various functions. For example, an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a barrier layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked in this order. It is a laminated body.
  • Organic EL elements can be classified into two types, fluorescent and phosphorescent, according to the light emission principle.
  • the fluorescence type organic EL element uses light emission by singlet excitons
  • the phosphorescence type organic EL element uses light emission by triplet excitons.
  • triplet energy is applied to the layer adjacent to the cathode side interface of the light emitting layer for the purpose of preventing the diffusion of triplet excitons having a longer exciton lifetime than that of the singlet excitons. It is known to achieve high efficiency by using large materials.
  • Patent Document 1 discloses a technique for improving efficiency by providing a barrier layer made of BCP (bathocuproine) which is a phenanthroline derivative adjacent to a light emitting layer and confining triplet excitons.
  • BCP bathoproine
  • Patent Document 2 a specific aromatic ring compound is used for the hole blocking layer to achieve high efficiency and long life.
  • light emission caused by triplet excitons has also been reported recently in fluorescent organic EL devices (for example, Non-Patent Documents 1 and 2 and Patent Document 3).
  • An object of the present invention is to provide a novel oxygen-containing fused ring derivative that prevents an increase in applied voltage and enables high-efficiency light emission of an organic EL element by utilizing a TTF (triplet-triplet fusion) phenomenon.
  • Another object of the present invention is to provide an optimum barrier material for promoting the TTF phenomenon.
  • An oxygen-containing condensed ring derivative represented by the following formula (1) is an m-valent condensed ring group in which four or more rings having one or more rings selected from a furan ring and a pyran ring are condensed.
  • HAr is any of the nitrogen-containing heterocyclic groups represented by the following formulas (2) to (5).
  • n and m are each an integer of 1 to 5, and at least one of n and m is 1.
  • L represents a single bond, a substituted or unsubstituted n + 1 valent aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted n + 1 valent heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms, or a substituted or unsubstituted group.
  • R 11 , R 12 , R 21 , R 22 , R 31 to R 40 , and R 41 to R 46 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 31 to R 35 and any one of R 36 to R 40 is a single bond that connects two pyridine rings of the formula (4).
  • X is selected from N or CR 13 ;
  • R 13 is a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • R 13 there are a plurality, each of R 13 may be the same or different.
  • Y is selected from N or CR 23 , and R 23 is a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • each of R 23 may be the same or different.
  • Z is a bridging group, which is a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted alkenylene group. Any one of R 11 to R 13 , any one of R 21 to R 23 , any one of R 31 to R 40 , and any one of R 41 to R 46 is a single bond to L. It is a bond. ) 2.
  • R 51 to R 58 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • R 51 and R 52 , R 52 and R 53 , R 53 and R 54 , R 54 and R 55 , R 55 and R 56 , R 56 and R 57 , or R 57 and R 58 is A ring is formed by bonding in the form represented by the following formula (7) or (8).
  • R 61 to R 68 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • any m of R 61 to R 68 is a single bond that bonds to L.
  • R 71 to R 90 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • any m of R 71 to R 80 and any m of R 81 to R 90 are single bonds that bind to L. ) 4).
  • R 91 to R 130 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms).
  • any m of R 131 to R 140 is a single bond that bonds to L. ) 6). 6.
  • An anode, a light emitting layer, a barrier layer, and a cathode are provided in this order, An organic electroluminescence device wherein the barrier layer contains the oxygen-containing fused ring derivative according to any one of 1 to 6. 10.
  • the organic electroluminescence according to 9, comprising an electron injection layer and / or an electron transport layer between the barrier layer and the cathode, wherein at least one of the electron injection layer and the electron transport layer contains a heterocyclic derivative. element. 11.
  • the electron donating dopant is alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkaline earth metal oxide, alkaline earth metal halide, rare earth metal oxidation. 12.
  • the organic electroluminescence device wherein the organic electroluminescence device is one or more selected from the group consisting of a metal oxide, a rare earth metal halide, an alkali metal organic complex, an alkaline earth metal organic complex, and a rare earth metal organic complex .
  • the organic electroluminescence device according to any one of 9 to 12, wherein the light emitting layer contains an anthracene derivative represented by the following formula (16).
  • Ar 11 and Ar 12 are each a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
  • R 201 to R 208 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted group.
  • the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention is represented by the following formula (1).
  • Ar 1 is an m-valent condensed ring group in which four or more rings having one or more rings selected from a furan ring and a pyran ring are condensed.
  • HAr is any of the nitrogen-containing heterocyclic groups represented by the following formulas (2) to (5).
  • n and m are each an integer of 1 to 5, and at least one of n and m is 1.
  • L represents a single bond, a substituted or unsubstituted n + 1 valent aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted n + 1 valent heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms, or a substituted or unsubstituted group.
  • R 11 , R 12 , R 21 , R 22 , R 31 to R 40 , and R 41 to R 46 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 31 to R 35 and any one of R 36 to R 40 is a single bond that connects two pyridine rings of the formula (4).
  • X is selected from N or CR 13 ;
  • R 13 is a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • R 13 there are a plurality, each of R 13 may be the same or different.
  • Y is selected from N or CR 23 , and R 23 is a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • each of R 23 may be the same or different.
  • Z is a bridging group, which is a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted alkenylene group. Any one of R 11 to R 13 , any one of R 21 to R 23 , any one of R 31 to R 40 , and any one of R 41 to R 46 is a single bond to L. It is a bond. )
  • HAr represented by the formula (2) is preferably any of the following nitrogen-containing heterocyclic groups.
  • R 211 to R 216 , R 221 to R 225 , R 231 to R 235 , R 241 to R 245 , R 251 to R 255 , R 261 to R 264 , R 271 to R 274 , R 281 to R 284 , R 291 to R 294 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms, carbon A substituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 20 ring carbon atoms, a substituted or
  • R 211 to R 216 , R 221 to R 225 , R 231 to R 235 , R 241 to R 245 , R 251 to R 255 , R 261 to R 264 , R 271 to R 274 , R 281 To R 284 and R 291 to R 294 are each a single bond that binds to L. )
  • HAr represented by the formula (3) is preferably any of the following nitrogen-containing heterocyclic groups.
  • R 311 to R 316 , R 321 to R 325 , R 331 to R 335 , R 341 to R 345 , R 351 to R 355 , R 361 to R 364 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms, substituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, cyano group, substituted or unsubstituted carbon An alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 20 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted
  • the R 311 R 316 Any one of R 321 to R 325 , R 331 to R 335 , R 341 to R 345 , R 351 to R 355 , R 361 to R 364 is a single bond that binds to L).
  • HAr represented by the formula (4) is preferably any of the following nitrogen-containing heterocyclic groups.
  • R 411 to R 418 , R 421 to R 428 , R 431 to R 438 , R 441 to R 448 , R 451 to R 458 , and R 461 to R 468 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms, substituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, cyano group, substituted or unsubstituted carbon An alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted
  • the R 411 R 418 Any one of R 421 to R 428 , R 431 to R 438 , R 441 to R 448 , R 451 to R 458 , and R 461 to R 468 is a single bond that binds to L).
  • HAr represented by the formula (4) preferably has a structure represented by (4-1). In the structure of (4-1), the nitrogen atoms of the two pyridine rings are close to each other.
  • HAr represented by the formula (5) is preferably any of the following nitrogen-containing heterocyclic groups.
  • R 511 to R 516 , R 521 to R 526 , R ′ 1 to R ′ 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or Unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, substituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, cyano group, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted ring forming carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylthio group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstitute
  • R ′ is independently a hydrogen atom, a halogen atom, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms, substituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, cyano group, substituted or unsubstituted carbon An alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, an amino group, a substituted or unsubstituted carbon atom of 1 A mono- or dialkylamino group of ⁇ 20, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
  • ring group includes one or more rings selected from a furan ring and a pyran ring, and a substituted or unsubstituted benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, pyridazine ring in a structure including the oxygen-containing ring.
  • Ar 1 is preferably a condensed ring having one or more rings selected from a furan ring and a pyran ring, and having a structure in which a benzene ring is condensed to a structure containing the oxygen-containing ring and a total of four or more rings are condensed.
  • a fused group having 1 or 2 rings selected from a furan ring and a pyran ring, and having a structure in which a benzene ring is condensed to a structure containing the oxygen-containing ring and 4 or more rings are condensed. It is a cyclic group.
  • the “fused ring” is a polycyclic ring in which adjacent rings share two atoms.
  • a ring structure in which four or more rings of Ar 1 are condensed has high planarity. If the organic EL material has a structure with high planarity, the overlap between molecules increases, the distance between the molecules decreases, and the charge transport property can be improved. Conceivable.
  • a condensed ring structure having an oxygen-containing ring has a high triplet energy. Since the compound having a condensed ring having an oxygen-containing ring has a large triplet energy, the TTF phenomenon can be promoted by using it as a material for a barrier layer in contact with the light emitting layer of the organic EL element, for example. From this viewpoint, it is more preferable that the oxygen-containing condensed ring structure of Ar 1 does not include an anthracene structure in which three benzene rings are linearly condensed as a partial structure.
  • Ar 1 is a condensed ring group in which four or more rings having one or more furan rings are condensed
  • the following condensed ring groups are exemplified.
  • Ar represents a substituted or unsubstituted benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring or pyridazine ring, respectively, and each forms a condensed ring with an adjacent ring. May further form a condensed ring structure with a benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring or pyridazine ring.
  • the condensed ring group having a furan ring is preferably a condensed ring group represented by the following formula (6), more preferably represented by any one of the following formulas (9) to (10) having one furan ring. Or a condensed ring group represented by any one of the following formulas (11) to (14) having two furan rings.
  • R 51 to R 58 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • R 51 and R 52 , R 52 and R 53 , R 53 and R 54 , R 54 and R 55 , R 55 and R 56 , R 56 and R 57 , or R 57 and R 58 is Are bonded to each other in the form represented by the following formula (7) or (8) to form a ring.
  • R 61 to R 68 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • any m of R 51 to R 68 is a single bond that bonds to L.
  • R 71 to R 90 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • any m of R 71 to R 80 and any m of R 81 to R 90 are single bonds that
  • R 91 to R 130 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms).
  • the condensed ring group having a furan ring is particularly preferably a condensed ring group represented by any one of the following formulas (11) to (14) having two furan rings. Since the compound of the present invention having these fused ring groups has a larger triplet energy, it is considered that the ability to confine triplet excitons becomes higher. This is considered to be advantageous for causing the TTF phenomenon to be described later more efficiently and to be one factor for increasing the light emission efficiency of the organic EL element.
  • Ar 1 is a condensed ring group in which four or more rings having one or more pyran rings are condensed
  • the following condensed ring groups are exemplified.
  • Ar represents a substituted or unsubstituted benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring or pyridazine ring, respectively, and forms a condensed ring with an adjacent ring.
  • the ring may further form a condensed ring structure with a benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring or pyridazine ring.
  • the condensed ring group having a pyran ring is preferably a condensed ring group represented by the following formula (15).
  • R 131 to R 140 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • any m of R 131 to R 140 is a single bond that bonds to L.
  • the plurality of Ar 1 when n is 2 or more, the plurality of Ar 1 may be the same as or different from each other.
  • the plurality of (L-HAr) s when m is 2 or more, the plurality of (L-HAr) s may be the same or different.
  • the plurality of L and HAr when m is 2 or more, the plurality of L and HAr may be the same as or different from each other.
  • the substituted silyl group having
  • alkylsilyl group having 3 to 30 carbon atoms examples include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, and a propyldimethylsilyl group.
  • the alkylsilyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 3 to 6 carbon atoms.
  • Examples of the arylsilyl group having 8 to 30 ring carbon atoms include a triphenylsilyl group, a phenyldimethylsilyl group, a t-butyldiphenylsilyl group, a tolylsilylsilyl group, a trixylsilyl group, and a trinaphthylsilyl group.
  • the number of ring-forming carbon atoms of the arylsilyl group is preferably 8-20, and particularly preferably 8-18.
  • n + m valent aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms of L examples include a divalent arylene group, such as a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a picenylene group, a pyrenylene group, a fluorenylene group, Examples include a chrysenylene group.
  • L is trivalent or more
  • examples of the L include a residue corresponding to the divalent arylene group.
  • n + m-valent heterocyclic group having 5 to 30 ring-forming atoms of L for example, in the case of a divalent heterocyclic group, a pyridinylene group, a pyrazinylene group, a pyrimidinylene group, a pyridazinylene group, a triazinylene group, an indylene group, a quinolinylene group , Acridinylene group, pyrrolidinylene group, dioxanylene group, piperidinylene group, morpholinylene group, piperazinylene group, carbazolylene group, furanylene group, thiophenylene group, oxazolylene group, oxadiazolylene group, benzooxazolylene group, thiazolylene group , Benzothiazolylene group, triazolylene group, imidazolylene group, benzimidazolylene group, imidazolpyridinylene group, benzofuranylene
  • unsubstituted means that a hydrogen atom is substituted.
  • the hydrogen atom of the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention includes light hydrogen and deuterium.
  • the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention is preferably used as a material for an organic EL device, and more preferably used as a barrier material for an organic EL device. Since the compound having the structure represented by formulas (9) to (15), which is the basic skeleton of the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention, has high triplet energy and high confinement effect of triplet excitons, By using it as a material for the barrier layer in contact with the light emitting layer of the organic EL element, the TTF phenomenon can be promoted.
  • the oxygen-containing fused ring structure which is the basic skeleton of the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention, is characterized by improved molecular stacking in a thin film and high electron transport properties due to its high planarity.
  • the electron injection into the light emitting layer is promoted, the recombination efficiency in the light emitting layer is increased, and the TTF phenomenon can be efficiently caused.
  • the TTF phenomenon has been confirmed when the site having the lowest triplet energy among the compounds used for the barrier layer is a hydrocarbon condensed ring group. Further, as in the oxygen-containing condensed ring derivative of the present invention, It was found that the TTF phenomenon can be efficiently caused even when the heterocyclic moiety has the lowest triplet energy.
  • the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention includes a nitrogen-containing heterocycle having a high electron-injecting property from a metal-containing layer such as an electrode, an organic EL device with a low driving voltage can be formed without further stacking an electron-injecting layer. Can be realized.
  • the TTF phenomenon will be briefly described below.
  • a voltage is applied to the organic EL element, electrons and holes are injected from the anode and the cathode, and the injected electrons and holes are recombined in the light emitting layer to generate excitons.
  • the spin state is 25% for singlet excitons and 75% for triplet excitons.
  • Conventionally known fluorescent elements emit light when singlet excitons relax to the ground state, but the remaining triplet excitons enter the ground state through thermal deactivation without emitting light.
  • S.M. M.M. According to Bachilo et al. (J. Phys. Chem.
  • the TTF phenomenon is a phenomenon in which singlet excitons are generated by collisional fusion of triplet excitons. If this TTF phenomenon is used, not only the 25% singlet excitons that are initially generated, but also triplet excitons Singlet excitons generated by collision fusion can also be used for light emission, and the light emission efficiency of the device can be increased.
  • the barrier layer containing the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention is adjacent to the light emitting layer of the fluorescent element.
  • a fluorescent element caused by singlet excitons having a short exciton lifetime it is common not to use a barrier layer that causes process up, but a barrier comprising the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention.
  • the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention has a high triplet energy, the function of the barrier layer can be exhibited even in a conventional phosphorescent device, and diffusion of the triplet energy can be prevented.
  • the term “barrier layer” means a layer having a barrier function against triplet energy, and its function is different from that of a hole barrier layer or a charge barrier layer.
  • the barrier layer containing the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention preferably further contains an electron donating dopant.
  • the electron donating dopant is preferably an alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkaline earth metal oxide, alkaline earth metal halide, rare earth metal And one or more selected from the group consisting of oxides of rare earth metals, halides of rare earth metals, organic complexes of alkali metals, organic complexes of alkaline earth metals, and organic complexes of rare earth metals.
  • rubrene, anthracene, tetracene, pyrene, perylene and the like can be used, preferably an anthracene derivative, and more preferably an anthracene derivative represented by the following formula (16).
  • Ar 11 and Ar 12 are each a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
  • R 201 to R 208 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted carbon number.
  • the aryl group and heterocyclic group of Ar 11 and Ar 12, the aryl group of R 201 to R 208 , the heterocyclic group, the alkyl group, the cycloalkyl group, the alkylsilyl group, the arylsilyl group, the alkoxy group, and the aryloxy group are respectively This is the same as the description of each group in the above paragraphs 0027 to 0033. )
  • the light emitting layer containing the anthracene derivative represented by the formula (16) is preferably in contact with the barrier layer containing the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention.
  • the light emission efficiency can be increased by utilizing the TTF phenomenon.
  • the triplet energy of the compound constituting the barrier layer comprising the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention must be higher than the triplet energy of the host mainly constituting the light emitting layer.
  • the host and dopant contained in the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention and the light emitting layer satisfy the following formulas (1) and (2).
  • E T h, E T b and E T d represent the triplet energy of the host material, the oxygen-containing fused ring derivative of the barrier layer, and the dopant, respectively.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an organic EL element showing an example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A schematically shows the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level of each layer.
  • the triplet energy means a difference between the energy in the lowest excited triplet state and the energy in the ground state
  • the singlet energy (sometimes referred to as an energy gap) is the energy in the lowest excited singlet state and the ground state. This is the difference in energy.
  • the organic EL element shown in FIG. 1 is laminated in order of the hole transport zone 50, the light emitting layer 20, the electron transport zone 30, and the cathode 40 in order from the anode 10.
  • a hole transport zone 50 is preferably provided between the anode 10 and the light emitting layer 20.
  • the electron transport zone has a configuration including only a barrier layer.
  • the embodiment with only the barrier layer does not prevent the insertion of the electron injection layer having a higher injection property.
  • the general compound conventionally used as an electron injection layer can be used, and a hetero ring-containing compound is preferable.
  • FIG. 2A holes injected from the anode are injected into the light emitting layer through the hole transport band, and electrons injected from the cathode are injected into the light emitting layer through the electron transport band. Thereafter, holes and electrons are recombined in the light emitting layer, and singlet excitons and triplet excitons are generated.
  • the triplet energies of the host and dopant are E T h and E T d, respectively, it is preferable that the relationship E T h ⁇ E T d is satisfied.
  • FIG. 2B triplet excitons generated by recombination on the host do not migrate to a dopant having a higher triplet energy.
  • Triplet excitons generated by recombination on the dopant molecule quickly transfer energy to the host molecule. That is, the triplet excitons collide with each other on the host efficiently by the TTF phenomenon without the host triplet excitons moving to the dopant, thereby generating singlet excitons. Furthermore, since the singlet energy E S d of the dopant is smaller than the singlet energy E S h of the host, the singlet excitons generated by the TTF phenomenon transfer energy from the host to the dopant and contribute to the fluorescence emission of the dopant. To do. Originally, in a dopant used in a fluorescent element, a transition from an excited triplet state to a ground state is forbidden.
  • the triplet exciton does not undergo optical energy deactivation and is thermally depleted. It was alive.
  • the relationship between the triplet energy of the host and the dopant as described above singlet excitons are efficiently generated by collision with each other before the triplet excitons are thermally deactivated, and the luminous efficiency is increased. Will improve.
  • a barrier layer is provided adjacent to the light emitting layer.
  • the barrier layer prevents the triplet excitons generated in the light emitting layer from diffusing into the electron transport band, and increases the density of the triplet excitons by confining the triplet excitons in the light emitting layer, thereby improving the efficiency of the TTF phenomenon. Has the function to cause well.
  • the triplet energy E T b of the compound constituting the barrier layer is preferably larger than E T h and more preferably larger than E T d.
  • the barrier layer prevents triplet excitons generated in the light-emitting layer from diffusing into the electron transport band, so that the host triplet excitons efficiently become singlet excitons in the light-emitting layer.
  • the exciton moves onto the dopant and is optically deactivated.
  • the material forming the barrier layer is the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention.
  • the barrier layer containing the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention can also play a role of an electron injection / transport function.
  • the unshared electron pair mediates transfer of electrons from the adjacent layer.
  • the electrons injected into the barrier material are more likely to donate electrons through the electron transport structure site. That is, by moving to a structural part having a high LUMO level, it contributes to electron injection into the light emitting layer.
  • a low work function metal-containing layer may be provided between the electron transport zone and the cathode.
  • the low work function metal-containing layer is a layer containing a low work function metal or a low work function metal compound. Even if it is formed of only a low work function metal or a low work metal compound, it is formed by adding a low work function metal, a low work function metal compound, or a low work function metal complex as a donor to the material used for the electron transport layer. May be.
  • a low work function metal means a metal having a work function of 3.8 eV or less. Examples of the metal having a low work function of 3.8 eV or less include alkali metals and alkaline earth metals. Examples of the alkali metal include Li, Na, K, and Cs.
  • alkaline earth metal examples include Mg, Ca, Sr, and Ba. Other examples include Yb, Eu and Ce.
  • the oxide, halide, carbonate, borate of a low work metal function is preferable.
  • Halides include fluoride, chloride and bromide, with fluoride being preferred.
  • LiF is preferably used.
  • the low work function metal complex is a low work function metal complex, and an alkali metal, alkaline earth metal, or rare earth metal organometallic complex is preferable.
  • the efficiency using the TTF phenomenon is remarkable in the blue fluorescent layer.
  • a blue fluorescent element main peak wavelength is 500 nm or less
  • a high luminous efficiency improvement effect can be obtained by using the compound of the present invention as a barrier material.
  • the phosphorescent light emitting layer an effect of confining triplet energy in the light emitting layer can be obtained, diffusion of the triplet energy can be prevented, and the emission efficiency of the phosphorescent dopant can be improved.
  • Synthesis example 1 (A) Synthesis of benzo [b] naphtho [2,1-d] furan-5-boronic acid According to the following scheme, benzo [b] naphtho [2,1-d] furan-5-boronic acid was synthesized.
  • the obtained residue was purified by silica gel chromatography, and the obtained residue was dispersed and washed with a mixed solution of hexane-ethyl acetate and dried to give 3.26 g of 4-methoxybenzo [kl] xanthene as a yellow solid (yield) 33%).
  • the produced precipitate was collected by filtration, washed with water and dichloromethane, and dried to obtain 4-hydroxybenzo [kl] xanthene crystals (2.35 g).
  • the filtrate was separated, and the aqueous layer was extracted with dichloromethane.
  • the organic layers were combined, dried over anhydrous sodium sulfate, filtered and concentrated.
  • the obtained residue was dispersed and washed with a small amount of dichloromethane and dried to obtain 4-hydroxybenzo [kl] xanthene crystals (0.53 g). Together, the yield was 2.88 g and the yield was 94%.
  • the reaction mixture was cooled to room temperature, water was added and the mixture was stirred for 30 minutes, ethyl acetate and hexane were added, and the mixture was further stirred for 30 minutes.
  • the produced solid was collected by filtration, washed with water, methanol, and hexane, and then dried under reduced pressure.
  • the obtained solid was further dispersed and washed with a hexane-ethyl acetate mixed solution, then purified by silica gel chromatography, and dispersed and washed in hot toluene to obtain 3.01 g of a white solid.
  • the yield was 72%.
  • the obtained solid was purified by silica gel chromatography to obtain 4.42 g of a white solid.
  • the yield was 97%.
  • the produced solid was collected by filtration, washed with water, methanol and hexane, and dried under reduced pressure.
  • the obtained solid was purified by silica gel chromatography and dispersed and washed in ethyl acetate to obtain 1.67 g of a white solid.
  • Example 4 Synthesis of Compound 4 2- (3-Bromophenyl) -imidazo [1,2-a] synthesized in Synthesis Example 4 instead of 1- (4-bromophenyl) -2-phenyl-1H-benz [d] imidazole
  • the reaction was performed in the same manner as in Example 2 except that pyridine was used.
  • the phosphorescence measurement sample was cooled to 77 (K), the excitation light was irradiated onto the phosphorescence measurement sample, and the phosphorescence intensity was measured while changing the wavelength.
  • the intensity and the horizontal axis are wavelength.
  • a tangent line was drawn with respect to the rising edge of the phosphorescence spectrum on the short wavelength side, and the wavelength value ⁇ ph (nm) at the intersection of the tangent line and the horizontal axis was obtained.
  • the tangent to the rising edge on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum is drawn as follows. When moving on the spectrum curve from the short wavelength side of the phosphorescence spectrum to the maximum value on the shortest wavelength side among the maximum values of the spectrum, tangents at each point on the curve are considered toward the long wavelength side. The slope of this tangent line increases as the curve rises (that is, as the vertical axis increases). The tangent drawn at the point where the value of the slope takes the maximum value is the tangent to the rising edge of the phosphorescence spectrum on the short wavelength side.
  • the maximum point having a peak intensity of 10% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the above-mentioned maximum value on the shortest wavelength side, and has the maximum slope value closest to the maximum value on the shortest wavelength side.
  • the tangent drawn at the point where the value is taken is taken as the tangent to the rising edge of the phosphorescence spectrum on the short wavelength side.
  • the measurement was performed by irradiating the material with light and measuring the amount of electrons generated by charge separation at that time.
  • the emitted photoelectrons were plotted by the 1/2 power with respect to the energy of the irradiation light, and the threshold of the photoelectron emission energy was defined as the ionization potential (Ip).
  • Ip ionization potential
  • the absorption spectrum was measured using a commercially available visible / ultraviolet spectrophotometer, and calculated from the falling wavelength on the long wavelength side of the spectrum.
  • ⁇ ab (unit: nm) means a wavelength value at the intersection of the tangent line and the horizontal axis with respect to the falling edge of the absorption spectrum on the long wavelength side.
  • each compound was dissolved in toluene solvent (Sample 2 ⁇ 10 -5 mol / l), the optical path length was prepared a sample so that 1 cm. Absorbance was measured while changing the wavelength.
  • the tangent to the falling edge of the absorption spectrum on the long wavelength side is drawn as follows. When moving on the spectrum curve in the long wavelength direction from the maximum value on the longest wavelength side among the maximum values of the absorption spectrum, the tangent at each point on the curve is considered. The tangent, as curve falls (i.e. as the vertical axis is decreased), repeats the inclination decreases then increases.
  • the tangent drawn at the point where the slope value takes the minimum value on the long wavelength side (except when the absorbance is 0.1 or less) is taken as the tangent to the fall on the long wavelength side of the absorption spectrum.
  • the value is 0.2 or less maxima absorbance is not included in the maximum value of the longest wavelength side.
  • Example 5 The materials used for the organic EL element are as follows.
  • a glass substrate with a transparent electrode line after washing is mounted on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and first, a compound HT-1 having a film thickness of 50 nm is formed so as to cover the transparent electrode on the surface on which the transparent electrode line is formed. A film was formed.
  • the HT-1 film functions as a hole injection layer.
  • the compound HT-2 was vapor-deposited to form an HT-2 film having a thickness of 45 nm on the HT-1 film.
  • the HT-2 film functions as a hole transport layer.
  • Compound BH-1 (host material) and compound BD-1 (dopant material) were deposited on the HT-2 film at a film thickness ratio of 20: 1 to form a light emitting layer having a film thickness of 25 nm. Further, Compound 1 was deposited on the light emitting layer to form a 5 nm thick barrier layer.
  • ET-1 which is an electron transport material was vapor-deposited to form an electron transport layer having a thickness of 20 nm on the light emitting layer. Thereafter, LiF was formed to a thickness of 1 nm.
  • metal Al was deposited to a thickness of 150 nm to form a metal cathode, thereby forming an organic EL device.
  • Examples 6, 7, 8 and 9 and Comparative Example 1 An organic EL device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 5 except that a barrier layer was laminated using the compound shown in Table 2 instead of Compound 1 and the compound shown in Table 2 was used as the dopant material. The results are shown in Table 2.
  • the BD-2 used in Example 8 and the compound ET-2 used in Comparative Example 1 are the following compounds.
  • Example 10 A 25 mm ⁇ 75 mm ⁇ 1.1 mm thick glass substrate with ITO transparent electrode (anode) (manufactured by Geomatic) was ultrasonically cleaned in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then UV ozone cleaning was performed for 30 minutes.
  • a glass substrate with a transparent electrode line after washing is mounted on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and first, a compound HT-1 having a film thickness of 50 nm is formed so as to cover the transparent electrode on the surface on which the transparent electrode line is formed. A film was formed.
  • the HT-1 film functions as a hole injection layer.
  • the compound HT-2 was vapor-deposited to form an HT-2 film having a thickness of 45 nm on the HT-1 film.
  • the HT-2 film functions as a hole transport layer.
  • Compound BH-1 (host material) and compound BD-2 (dopant material) were vapor-deposited on the HT-2 film at a film thickness ratio of 20: 1 to form a light-emitting layer having a film thickness of 25 nm.
  • the compound 1 was vapor-deposited on the light emitting layer, and the electron carrying layer with a film thickness of 25 nm was formed. Thereafter, LiF was formed to a thickness of 1 nm.
  • metal Al was deposited to a thickness of 150 nm to form a metal cathode, thereby forming an organic EL device.
  • Example 11 An organic EL device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 10 except that an electron transport layer was laminated using the compounds shown in Table 3 instead of Compound 1. The results are shown in Table 3.
  • the compound of the present invention is used as a material for forming a single electron transport layer, a high luminous efficiency can be obtained as compared with a conventional electron transport material.
  • the compound of the present invention has not only the effect of confining triplet excitons in the light-emitting layer due to the effect of the barrier material suggested as described above, but also a nitrogen-containing heterocyclic moiety having electron injection / transport properties. Since it is a compound having in the same molecule, it also functions as an electron transporting material.
  • an electron transport zone having a barrier ability can be formed with a smaller number of layers.
  • the organic EL device comprising the oxygen-containing fused ring derivative of the present invention can be used for a display panel or a lighting panel for a large-sized television where low power consumption is desired.

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Abstract

　本願に係る発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用な、下記式（１）の化合物に関する。 （式（１）中、Ａｒ1 は、フラン環及びピラン環から選択される環を１以上有する４環以上が縮合したｍ価の縮合環基、ＨＡｒは、下記式（２）～（５）で表される含窒素複素環基のいずれか、Ｌは、単結合等、ｎ及びｍは１～５の整数である。）（式（２）～（５）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ31～Ｒ46 は水素原子等、ＸはＮ又はＣＲ13、Ｒ13 は水素原子等、ＹはＮ又はＣＲ23、Ｒ23 は水素原子等、Ｚは置換若しくは未置換のアルキレン基等の架橋基である。）

Description

含酸素縮合環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子
　本発明は、含酸素縮合環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、電界を印加することで、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
　有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とからなる一対の電極と、これら電極の間に有機薄膜層を備える。有機薄膜層は、各機能を有する層の積層体によって構成されており、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、障壁層、電子輸送層及び電子注入層をこの順に積層した積層体である。
　有機ＥＬ素子は、その発光原理に従い、蛍光型と燐光型の２種類に分けることができる。蛍光型の有機ＥＬ素子では一重項励起子による発光を用い、燐光型の有機ＥＬ素子では三重項励起子による発光を用いる。燐光型素子においては、一重項励起子に比べて励起子寿命が長い三重項励起子の発光層外への拡散を防止する目的で、発光層の陰極側界面に隣接する層に三重項エネルギーが大きい材料を用いることによって高効率を達成することが知られている。
　特許文献１には発光層に隣接したフェナントロリン誘導体であるＢＣＰ（バソクプロイン）からなる障壁層を設け、三重項励起子を閉じ込めることにより高効率化を図る技術が開示されている。また、特許文献２においては、特定の芳香族環化合物を正孔障壁層に用いて高効率・長寿命化を図っている。
　一方、蛍光型有機ＥＬ素子においても、三重項励起子に起因する発光が近年報告がされている（例えば、非特許文献１及び２、特許文献３）。
特表２００２－５２５８０８号公報 米国特許第７０１８７２３号明細書 特開２００４－２１４１８０号公報
Journal　of　Applied　Physics，102，114504（2007） SID2008　DIGEST，709（2008）
　本発明の目的は、印加電圧の上昇を防ぎ、ＴＴＦ（Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｆｕｓｉｏｎ）現象を利用して有機ＥＬ素子の高効率な発光を可能とする新規な含酸素縮合環誘導体を提供することである。
　また、本発明の目的は、ＴＴＦ現象を促進するために最適な障壁材料を提供することである。
　本発明によれば、以下の含酸素縮合環誘導体等が提供される。
１．下記式（１）で表される含酸素縮合環誘導体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （式中、Ａｒ１は、フラン環及びピラン環から選択される環を１以上有する４環以上が縮合したｍ価の縮合環基である。
　ＨＡｒは、下記式（２）～（５）で表わされる含窒素複素環基のいずれかである。
　ｎ及びｍは、それぞれ１～５の整数であり、ｎ及びｍの少なくとも一方は１である。
　Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のｎ＋１価のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０のｎ＋１価の複素環基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つが単結合で連結してなるｎ＋１価の基である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、及びＲ４１～Ｒ４６は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ３１～Ｒ３５のいずれか１つ及びＲ３６～Ｒ４０のいずれか１つは、式（４）の２つのピリジン環同士を結合する単結合である。
　Ｘは、Ｎ又はＣＲ１３より選ばれ、Ｒ１３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ１３が複数ある場合、それぞれのＲ１３は同じでも異なっていてもよい。
　Ｙは、Ｎ又はＣＲ２３より選ばれ、Ｒ２３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ２３が複数ある場合、それぞれのＲ２３は同じでも異なっていてもよい。
　Ｚは架橋基であり、置換もしくは無置換のアルキレン基、又は置換もしくは無置換のアルケニレン基である。
　Ｒ１１～Ｒ１３のいずれか１つ、Ｒ２１～Ｒ２３のいずれか１つ、Ｒ３１～Ｒ４０のいずれか１つ、及びＲ４１～Ｒ４６のいずれか１つはＬと結合する単結合である。）
２．Ａｒ１が下記式（６）で表わされる縮合環基である１に記載の含酸素縮合環誘導体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｒ５１～Ｒ５８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ５１とＲ５２、Ｒ５２とＲ５３、Ｒ５３とＲ５４、Ｒ５４とＲ５５、Ｒ５５とＲ５６、Ｒ５６とＲ５７、またはＲ５７とＲ５８のうち少なくとも１組は、互いに下記式（７）又は（８）で表わされる形で結合して、環を形成する。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式中、Ｒ６１～Ｒ６８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ６１～Ｒ６８のいずれかｍ個は、Ｌと結合する単結合である。）
３．Ａｒ１が下記式（９）又は（１０）で表される縮合環基である１又は２に記載の含酸素縮合環誘導体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式中、Ｒ７１～Ｒ９０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ７１～Ｒ８０のいずれかｍ個及びＲ８１～Ｒ９０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
４．Ａｒ１が下記式（１１）、（１２）、（１３）又は（１４）で表される縮合環基である１又は２に記載の含酸素縮合環誘導体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式中、Ｒ９１～Ｒ１３０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ９１～Ｒ１００のいずれかｍ個、Ｒ１０１～Ｒ１１０のいずれかｍ個、Ｒ１１１～Ｒ１２０のいずれかｍ個及びＲ１２１～Ｒ１３０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
５．Ａｒ１が下記式（１５）で表される縮合環基である１に記載の含酸素縮合環誘導体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式中、Ｒ１３１～Ｒ１４０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　但し、Ｒ１３１～Ｒ１４０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
６．ｍが１であり、ｎが１である１～５のいずれかに記載の含酸素縮合環誘導体。
７．有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である１～６のいずれかに記載の含酸素縮合環誘導体。
８．前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が、障壁層材料である７に記載の含酸素縮合環誘導体。
９．陽極、発光層、障壁層、及び陰極をこの順に備え、
　前記障壁層が１～６のいずれかに記載の含酸素縮合環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．前記障壁層と陰極との間に、電子注入層及び／又は電子輸送層を有し、前記電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層が含ヘテロ環誘導体を含有する９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．前記電子注入層及び／又は電子輸送層が、電子供与性ドーパントを含有する１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．前記電子供与性ドーパントが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される１種又は２種以上である１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．前記発光層が、下記式（１６）で表されるアントラセン誘導体を含む９～１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８～３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。）
１４．前記式（１６）で表されるアントラセン誘導体を含有する発光層が、前記含酸素縮合環誘導体を含有する障壁層と接している１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１５．前記発光層が、主ピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光ドーパントを含有する９～１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　本発明によれば、印加電圧の上昇を防ぎ、ＴＴＦ（Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｆｕｓｉｏｎ）現象を利用して有機ＥＬ素子の高効率な発光を可能とする新規な含酸素縮合環誘導体が提供できる。
本発明の第１の実施形態の一例を示す図である。 本発明の各層のエネルギーギャップの関係を示す図である。 本発明の各層のエネルギーギャップの関係に基づく作用を示す図である。 過渡ＥＬ波形の測定方法を示す図である。 ＴＴＦ由来の発光強度比の測定方法を示す図である。
　本発明の含酸素縮合環誘導体は、下記式（１）で表わされる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式中、Ａｒ１は、フラン環及びピラン環から選択される環を１以上有する４環以上が縮合したｍ価の縮合環基である。
　ＨＡｒは、下記式（２）～（５）で表わされる含窒素複素環基のいずれかである。
　ｎ及びｍは、それぞれ１～５の整数であり、ｎ及びｍの少なくとも一方は１である。
　Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のｎ＋１価のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０のｎ＋１価の複素環基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つが単結合で連結してなるｎ＋１価の基である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、及びＲ４１～Ｒ４６は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ３１～Ｒ３５のいずれか１つ及びＲ３６～Ｒ４０のいずれか１つは、式（４）の２つのピリジン環同士を結合する単結合である。
　Ｘは、Ｎ又はＣＲ１３より選ばれ、Ｒ１３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ１３が複数ある場合、それぞれのＲ１３は同じでも異なっていてもよい。
　Ｙは、Ｎ又はＣＲ２３より選ばれ、Ｒ２３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ２３が複数ある場合、それぞれのＲ２３は同じでも異なっていてもよい。
　Ｚは架橋基であり、置換もしくは無置換のアルキレン基、又は置換もしくは無置換のアルケニレン基である。
　Ｒ１１～Ｒ１３のいずれか１つ、Ｒ２１～Ｒ２３のいずれか１つ、Ｒ３１～Ｒ４０のいずれか１つ、及びＲ４１～Ｒ４６のいずれか１つはＬと結合する単結合である。）
　式（２）で表されるＨＡｒは、好ましくは下記含窒素複素環基のいずれかである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 （式中、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　各複素環基において、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、のいずれか１つはＬと結合する単結合である。）
　式（３）で表されるＨＡｒは、好ましくは下記含窒素複素環基のいずれかである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 （式中、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。各複素環基において、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４のいずれか１つはＬと結合する単結合である。）
　式（４）で表されるＨＡｒは、好ましくは下記含窒素複素環基のいずれかである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式中、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。各複素環基において、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８のいずれか１つはＬと結合する単結合である。）
　式（４）で表されるＨＡｒは、好ましくは（４－１）で表される構造である。（４－１）の構造においては２つのピリジン環の窒素原子が近接した構造をとっている。この構造を有する材料にＬｉ、Ｎａなどに代表される金属イオンを有する電子供与性ドーパントを共蒸着させて用いる場合、（４－１）で表されるビピリジン構造の２つの窒素原子において金属原子または金属イオンに配位したキレート構造を形成することが出来るため、上記の電子供与性ドーパントとの反応性が高くなると考えられ、電子供与性ドーパントの効果をより効果的に得ることが出来ると考えられる。
　式（５）で表されるＨＡｒは、好ましくは下記含窒素複素環基のいずれかである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式中、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、Ｒ’１からＲ’４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。各複素環基において、Ｒのいずれか１つは単結合としてＬと結合する。Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。）
　Ａｒ１のフラン環及びピラン環（以下、総称として「含酸素環」とも言う。）から選択される環を１以上有する４環以上が縮合した縮合環基について、「４環以上が縮合した縮合環基」とは、フラン環及びピラン環から選択される環を１以上有し、当該含酸素環を含む構造に置換もしくは無置換のベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環より選ばれる環が縮環し、合計で４環以上縮環した構造を有する縮合環基を意味する。
　Ａｒ１は、好ましくはフラン環及びピラン環から選択される環を１以上有し、当該含酸素環を含む構造にベンゼン環が縮環して合計で４環以上縮環した構造を有する縮合環基であり、特に好ましくは、フラン環及びピラン環から選択される環を１もしくは２有し、当該含酸素環を含む構造にベンゼン環が縮環し、４環以上縮環した構造を有する縮合環基である。
　尚、本明細書中「縮合環」とは、隣接した環同士が２個の原子を共有する多環系の環である。
　Ａｒ１の４環以上が縮環した環構造は高い平面性を有する。有機ＥＬ材料が平面性の高い構造を有していると、分子同士の重なりが大きくなって分子同士の距離が短くなり、電荷輸送性を高められることから、素子の低電圧駆動を実現できると考えられる。
　また、含酸素環を有する縮合環構造は高い三重項エネルギーを有している。この含酸素環を有する縮合環を有する化合物は、三重項エネルギーが大きくなるため、例えば有機ＥＬ素子の発光層に接した障壁層の材料として利用することによって、ＴＴＦ現象を促進させることができる。この観点から、Ａｒ１の含酸素縮合環構造としてはベンゼン環３個が直線的に縮環したアントラセン構造を部分構造として含まないものであることがより好ましい。
　例えば、Ａｒ１がフラン環を１以上有する４環以上が縮合した縮合環基の場合、下記の縮合環基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式中、Ａｒは、それぞれ置換もしくは無置換のベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環又はピリダジン環を示し、それぞれ、隣接した環との縮合環を形成している。また、これら縮合環はさらにベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環又はピリダジン環と縮環構造を形成してもよい。）
　上記のフラン環を有する縮合環基は、好ましくは下記式（６）で表わされる縮合環基であり、より好ましくはフラン環を１つ有する下記式（９）～（１０）のいずれかで表される縮合環基、又はフラン環を２つ有する下記式（１１）～（１４）のいずれかで表される縮合環基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式中、Ｒ５１～Ｒ５８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ５１とＲ５２、Ｒ５２とＲ５３、Ｒ５３とＲ５４、Ｒ５４とＲ５５、Ｒ５５とＲ５６、Ｒ５６とＲ５７、またはＲ５７とＲ５８のうち少なくとも１組は、互いに下記式（７）又は（８）で表わされる形で結合して、環を形成する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式中、Ｒ６１～Ｒ６８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ５１～Ｒ６８のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （式中、Ｒ７１～Ｒ９０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ７１～Ｒ８０のいずれかｍ個及びＲ８１～Ｒ９０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （式中、Ｒ９１～Ｒ１３０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ９１～Ｒ１００のいずれかｍ個、Ｒ１０１～Ｒ１１０のいずれかｍ個、Ｒ１１１～Ｒ１２０のいずれかｍ個及びＲ１２１～Ｒ１３０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
　上記のフラン環を有する縮合環基においては、フラン環を２つ有する下記式（１１）～（１４）のいずれかで表される縮合環基であることが特に好ましい。これらの縮合環基を有する本願化合物は、より大きな三重項エネルギーを有することから、より三重項励起子を閉じ込める能力が高くなると考えられる。このことは、後述するＴＴＦ現象をより効率よく起こすために有利に働き、有機ＥＬ素子の発光効率を高めるための一つの要因となると考えられる。
　例えば、Ａｒ１がピラン環を１以上有する４環以上が縮合した縮合環基の場合、下記の縮合環基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （式中、Ａｒは、それぞれ置換もしくは無置換のベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環又はピリダジン環を示し、それぞれ、隣接した環との縮合環を形成している。また、これらの縮合環は、さらにベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環又はピリダジン環と縮環構造を形成してもよい。）
　上記のピラン環を有する縮合環基は、好ましくは下記式（１５）で表わされる縮合環基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 （式中、Ｒ１３１～Ｒ１４０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　また、Ｒ１３１～Ｒ１４０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
　式（１）において、ｎが２以上の場合、複数のＡｒ１は互いに同じでも異なってもよい。同様に、ｍが２以上の場合、複数の（Ｌ－ＨＡｒ）は互いに同じでも異なってもよい。また、ｍが２以上の場合、複数のＬとＨＡｒは互いに同じでも異なっていてもよい。
　式（１）のｍ及びｎは、好ましくはｍ＝ｎ＝１である。
　以下、本発明の含酸素縮合環誘導体の各置換基について説明する。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の環形成炭素数６～３０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クリセニル基、ベンゾフェナントリル基、ベンズアントリル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、トリフェニレニル基等が挙げられる。前記アリール基の環形成炭素数は、６～２０が好ましく、６～１４が特に好ましい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の環形成原子数５～３０の複素環基としては、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピロリル基、インダゾリル基等が挙げられる。前記複素環基の環形成原子数は、５～２０が好ましく、５～１４が特に好ましい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の炭素数１～１０のアルキル基としては、エチル基、メチル基、ｉ－プロピル基、ｎ－プロピル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。前記アルキル基の炭素数は、１～８が好ましく、１～６が特に好ましい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の炭素数３～８のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。前記シクロアルキル基の炭素数は、３～６が好ましい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の炭素数３～３０の置換シリル基は、炭素数３～３０のアルキルシリル基及び環形成炭素数８～３０のアリールシリル基を含む。
　上記炭素数３～３０のアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。前記アルキルシリル基の炭素数は、３～２０が好ましく、３～１０がより好ましく、３～６が特に好ましい。
　上記環形成炭素数８～３０のアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ－ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリキシリルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。前記アリールシリル基の環形成炭素数は、８～２０が好ましく、８～１８が特に好ましい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の炭素数１～２０のアルコキシ基は、－ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、上記アルキル基と同様の例が挙げられる。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基は、－ＯＡｒで表される基であり、Ａｒの例としては、上記アリール基と同様である。前記アリールオキシ基の環形成炭素数は、６～１６が好ましく、６～１２が特に好ましい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４のアルキルアミノ基は、－ＮＹ１Ｙ２と表され、Ｙ１及びＹ２の例としては、水素原子、上記アルキル基の例が挙げられる。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ異なっていてもよい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４のアリールアミノ基は、－ＮＺ１Ｚ２と表され、Ｚ１及びＺ２の例としては、水素原子、上記アリール基の例が挙げられる。Ｚ１及びＺ２はそれぞれ異なっていてもよい。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の置換もしくは無置換の環形成炭素数１～２０のアルキルチオ基は、－ＳＡと表され、Ａは、上記アルキル基である。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４の置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールチオ基は、－ＳＢと表され、Ｂは上記アリール基である。
　Ｌの環形成炭素数６～３０のｎ＋ｍ価のアリール基としては、例えば２価のアリーレン基が挙げられ、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ピセニレン基、ピレニレン基、フルオレニレン基、クリセニレン基等が挙げられる。
　Ｌが３価以上の場合、当該Ｌは、上記２価のアリーレン基に対応する残基が挙げられる。
　Ｌの環形成原子数５～３０のｎ＋ｍ価の複素環基としては、例えば２価の複素環基である場合、ピリジニレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、インドリレン基、キノリニレン基、アクリジニレン基、ピロリジニレン基、ジオキサニレン基、ピペリジニレン基、モルフォリジニレン基、ピペラジニレン基、カルバゾリレン基、フラニレン基、チオフェニレン基、オキサゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、チアゾリレン基、チアジアゾリレン基、ベンゾチアゾリレン基、トリアゾリレン基、イミダゾリレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、ベンゾフラニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ピロリル基、インダゾリル基等が挙げられる。
　Ｌが３価以上の場合、当該Ｌは、上記２価の複素環基に対応する残基が挙げられる。
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、Ｒ４１～Ｒ４６、Ｒ５１～Ｒ５８、Ｒ６１～Ｒ６８、Ｒ７１～Ｒ９０、Ｒ９１～Ｒ１３０、Ｒ１３１～Ｒ１４０、Ｒ２１１からＲ２１６、Ｒ２２１からＲ２２５、Ｒ２３１からＲ２３５、Ｒ２４１からＲ２４５、Ｒ２５１からＲ２５５、Ｒ２６１からＲ２６４、Ｒ２７１からＲ２７４、Ｒ２８１からＲ２８４、Ｒ２９１からＲ２９４、Ｒ３１１からＲ３１６、Ｒ３２１からＲ３２５、Ｒ３３１からＲ３３５、Ｒ３４１からＲ３４５、Ｒ３５１からＲ３５５、Ｒ３６１からＲ３６４、Ｒ４１１からＲ４１８、Ｒ４２１からＲ４２８、Ｒ４３１からＲ４３８、Ｒ４４１からＲ４４８、Ｒ４５１からＲ４５８、Ｒ４６１からＲ４６８、Ｒ５１１からＲ５１６、Ｒ５２１からＲ５２６、及びＲ’１からＲ’４並びにＬの各置換基がさらに置換基を有する場合、当該置換基としては、上述のアルキル基、アルキルシリル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、ジベンゾフラニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
　尚、本発明の含酸素縮合環誘導体の各置換基について、「無置換」とは、水素原子が置換したことを意味する。また、本発明の含酸素縮合環誘導体の水素原子には、軽水素、重水素が含まれる。
　式（１）で表される本発明の含酸素縮合環誘導体の具体例を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
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Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
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Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
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Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
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Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
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Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　本発明の含酸素縮合環誘導体は、有機ＥＬ素子用材料として用いると好ましく、有機ＥＬ素子の障壁材料として用いるとより好ましい。
　本発明の含酸素縮合環誘導体の基本骨格である、式（９）～（１５）で表わされた構造を有する化合物は三重項エネルギーが高く、三重項励起子の閉じ込め効果が高いため、例えば有機ＥＬ素子の発光層に接した障壁層の材料として利用することによって、ＴＴＦ現象を促進させることができる。また、本発明の含酸素縮合環誘導体の基本骨格である含酸素縮合環構造は、その平面性の高さによって薄膜中での分子スタッキングが向上し、電子輸送性が大きくなるという特徴を持つため、発光層への電子注入を促進し、発光層での再結合効率を高め、ＴＴＦ現象を効率的に起こすことができる。
　従来、ＴＴＦ現象は、障壁層に用いる化合物中で最も低い三重項エネルギーを有する部位が炭化水素の縮合環基である場合に確認されていたが、さらに、本発明の含酸素縮合環誘導体のように複素環部位が最も低い三重項エネルギーを有する場合でも、ＴＴＦ現象を効率的に起こすことができることを見出した。
　さらに、本発明の含酸素縮合環誘導体は、電極等の金属含有層からの電子注入性の高い含窒素複素環を含むため、電子注入層をさらに積層させることなく低駆動電圧の有機ＥＬ素子を実現させることができる。
　以下にＴＴＦ現象について簡単に説明をする。
　有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極、陰極から電子と正孔が注入され、注入された電子と正孔は発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％である。従来知られている蛍光素子においては、一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。しかしながら、Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５が一重項励起子に変化する。
　ＴＴＦ現象とは三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象であり、このＴＴＦ現象を利用すれば、当初生成する２５％の一重項励起子だけでなく、三重項励起子の衝突融合により生じる一重項励起子も発光に利用でき、素子の発光効率を高めることができる。
　ＴＴＦ現象を効率よく起こすためには、一重項励起子と比べて励起子寿命が格段に長い三重項励起子を発光層内に閉じ込めておく必要がある。
　本発明では、本発明の含酸素縮合環誘導体を含有する障壁層を蛍光素子の発光層に隣接させることが好ましい。励起子寿命が短い一重項励起子を起因とする蛍光素子においては、プロセスアップの原因となる障壁層を利用しないのが一般的であるが、本発明の含酸素縮合環誘導体を含んでなる障壁層を蛍光素子に用いることによってＴＴＦ現象を引き起こし、高効率な有機ＥＬ素子を実現することができる。また、本発明の含酸素縮合環誘導体は三重項エネルギーが高いため、従来の燐光素子においても障壁層の機能を発揮し、三重項エネルギーの拡散を防ぐことができる。
　尚、本発明において単に障壁層といったときは三重項エネルギーに対する障壁機能を有する層をいうものとし、正孔障壁層や電荷障壁層とはその機能が異なる。
　本発明の含酸素縮合環誘導体を含有する障壁層は、好ましくはさらに電子供与性ドーパントを含有する。
　上記電子供与性ドーパントは、好ましくはアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される１種又は２種以上である。
　本発明の有機ＥＬ素子の発光層は、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン等が使用できるが、好ましくはアントラセン誘導体であり、さらに好ましくは下記式（１６）で表されるアントラセン誘導体を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
 （式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８～３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。Ａｒ１１及びＡｒ１２のアリール基及び複素環状基、Ｒ２０１～Ｒ２０８のアリール基、複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基は、それぞれ上記段落００２７～００３３の各基の説明と同様である。）
　式（１６）で表されるアントラセン誘導体を含有する発光層は、好ましくは本発明の含酸素縮合環誘導体を含有する障壁層と接している。発光層と本発明の含酸素縮合環誘導体を含む障壁層が接しているとき、ＴＴＦ現象を利用して発光効率を高めることができる。
　ＴＴＦ現象を利用するときは、本発明の含酸素縮合環誘導体からなる障壁層を構成する化合物の三重項エネルギーが発光層を主として構成するホストの三重項エネルギーより高くなければならない。好ましくは、本発明の含酸素縮合環誘導体、発光層に含まれるホストとドーパントが下記式（１）及び（２）を満たす。
　ＥＴｂ＞ＥＴｈ・・・（１）
　ＥＴｄ＞ＥＴｈ・・・（２）
（ＥＴｈ、ＥＴｂ及びＥＴｄは、それぞれホスト材料、障壁層の含酸素縮合環誘導体及びドーパントの三重項エネルギーを示す。）
　図１は、本発明の第１の実施形態の一例を示す有機ＥＬ素子の概略構成図である。図２Ａは各層の最低励起一重項エネルギー準位及び最低励起三重項エネルギー準位を模式的に表す。尚、本発明で三重項エネルギーは、最低励起三重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいい、一重項エネルギー（エネルギーギャップという場合もある）は、最低励起一重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいう。図１に示す有機ＥＬ素子は、陽極１０から順に、正孔輸送帯域５０、発光層２０、電子輸送帯域３０、陰極４０の順に積層されている。陽極１０と発光層２０の間に正孔輸送帯域５０が設けられていることが好ましい。図２Ａに示す実施形態では、電子輸送帯域が障壁層のみの構成を示している。しかし、障壁層のみの実施形態はより注入性の高い電子注入層の挿入を妨げるものではない。電子注入層を形成するときは、従来電子注入層として使用されてきた一般的な化合物を使用することができ、含へテロ環化合物が好ましい。
　図２Ａにおいて、陽極から注入された正孔は正孔輸送帯域を通して発光層へ注入され、陰極から注入された電子は電子輸送帯域を通して発光層へ注入される。その後、発光層で正孔と電子が再結合し、一重項励起子と三重項励起子が生成する。再結合はホスト分子上で起こる場合とドーパント分子上で起こる場合の２通りがある。本実施形態では、図２Ａに示されるように、ホスト、ドーパントの三重項エネルギーをそれぞれＥＴｈ、ＥＴｄとするとき、ＥＴｈ＜ＥＴｄの関係を満たすと好ましい。この関係を満たすことにより、さらに図２Ｂに示されるように、ホスト上で再結合し発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つドーパントには移動しない。
　ドーパント分子上で再結合し発生した三重項励起子は速やかにホスト分子にエネルギー移動する。即ちホストの三重項励起子がドーパントに移動することなくＴＴＦ現象によって効率的にホスト上で三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成される。さらに、ドーパントの一重項エネルギーＥＳｄは、ホストの一重項エネルギーＥＳｈより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、ホストからドーパントへエネルギー移動しドーパントの蛍光性発光に寄与する。本来、蛍光型素子に用いられるドーパントにおいては、励起三重項状態から基底状態への遷移は禁制であり、このような遷移では三重項励起子は光学的なエネルギー失活をせず、熱的失活を起こしていた。しかし、ホストとドーパントの三重項エネルギーの関係を上記のようにすることにより、三重項励起子が熱的失活を起こす前に互いの衝突により効率的に一重項励起子を生成し発光効率が向上することになる。
　電子輸送帯域において、発光層に隣接する部分に障壁層を設ける。障壁層は、発光層で生成する三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の密度を高め、ＴＴＦ現象を効率よく引き起こす機能を有する。
　三重項励起子拡散防止のため、図２Ａ，２Ｂに示すように、障壁層を構成する化合物の三重項エネルギーＥＴｂはＥＴｈより大きく、さらに、ＥＴｄよりも大きいことが好ましい。障壁層は発光層にて生成された三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止するので、発光層内においてホストの三重項励起子が効率的に一重項励起子となり、その一重項励起子がドーパント上へ移動して光学的なエネルギー失活をする。障壁層を形成する材料は、本発明の含酸素縮合環誘導体である。
　本発明の含酸素縮合環誘導体を含む障壁層は、電子注入・輸送機能の役割も果たすことができる。これは、非共有電子対が隣接層からの電子の授受を媒介するためである。次に、障壁材料に注入された電子は、電子輸送構造部位を介してより電子を供与しやすい。即ちＬＵＭＯ準位の高い構造部位へと移動することによって、発光層への電子注入に寄与することとなる。
　上記電子輸送帯域と陰極の間には、低仕事関数金属含有層を有してもよい。低仕事関数金属含有層とは、低仕事関数金属や、低仕事関数金属化合物を含有する層である。低仕事関数金属や低仕事金属化合物のみで形成されても、電子輸送層として用いられる材料に、低仕事関数金属、低仕事関数金属化合物、又は低仕事関数金属錯体をドナーとして添加して形成してもよい。低仕事関数金属とは、仕事関数が３．８ｅＶ以下の金属をいう。低仕事関数が３．８ｅＶ以下の金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。アルカリ金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等が挙げられる。その他としては、Ｙｂ，Ｅｕ及びＣｅ等が挙げられる。また低仕事関数金属化合物としては、低仕事金属関数の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、ホウ酸塩が好ましい。ハロゲン化物としては、フッ化物、塩化物、臭化物が挙げられるが、フッ化物が好ましい。例えばＬｉＦが好ましいものとして用いられる。また、低仕事関数金属錯体とは、低仕事関数金属の錯体であり、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は希土類金属の有機金属錯体が好ましい。
　尚、ＴＴＦ現象を利用して効率を高めることは青色蛍光層において顕著である。最も発光効率を高めることが困難である青色蛍光素子（主ピーク波長が５００ｎｍ以下を示す）において、本発明の化合物を障壁材料として用いることで高い発光効率向上効果を得ることができる。
　燐光発光層においては、三重項エネルギーを発光層内に閉じ込める効果を得ることが可能であり、三重項エネルギーの拡散を防ぎ、燐光発光性ドーパントの発光効率の向上に寄与できる。
　本発明の有機ＥＬ素子の基板、陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層等のその他の部材は、国際特許出願第ＰＣＴ／ＪＰ２００９／０５３２４７号明細書、国際特許出願第ＰＣＴ／ＪＰ２００８／０７３１８０号明細書、米国特許出願第１２／３７６，２３６号明細書、米国特許出願第１１／７６６，２８１号明細書、米国特許出願第１２／２８０，３６４号明細書等に記載の公知のものを適宜選択して用いることができる。
合成例１
（ａ）　ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン－５－ボロン酸の合成
　下記スキームに従って、ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン－５－ボロン酸を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
（ａ－１）７，８，９，１０－テトラヒドロベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フランの合成
　１－ナフトール１４４ｇ、ｐ－トルエンスルホン酸１水和物（１９０ｇ）、１，３－シクロヘキサジエン（８０．１ｇ）、トルエン４Ｌをフラスコに仕込み、２４時間還流撹拌した。反応溶液を室温まで冷却後、水６００ｍＬで洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を減圧留去させた。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、７，８，９，１０－テトラヒドロベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン５５．５ｇ（収率２５％）を得た。
（ａ－２）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フランの合成
　アルゴン雰囲気下、７，８，９，１０－テトラヒドロベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン（５５．５ｇ）、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン（１１９ｇ）、無水１，４－ジオキサン１Ｌをフラスコに仕込み、１２時間還流攪拌した。反応溶液を室温まで冷却後、トルエンで抽出し、析出した固体をろ別した。ろ液をロータリーエバポレータで濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン３２．７ｇ（収率６０％）を得た。
（ａ－３）５－ブロモベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フランの合成
　ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン（３２．７ｇ）をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド３００ｍＬに溶解させ、Ｎ－ブロモスクシンイミド（２８．０ｇ）のＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド５０ｍＬ溶液を加えた後、反応溶液を６０℃で５時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却した後、水２Ｌ中に注いだ。得られた固体をメタノール、水、メタノールで順次洗浄した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、５－ブロモベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン３６．５ｇ（収率８２％）を得た。
（ａ－４）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン－５－ボロン酸の合成
　５－ブロモベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン（２９．７ｇ）、テトラヒドロフラン（脱水）５００ｍＬをフラスコに加え、－７８℃に冷却した。そこへｎ－ＢｕＬｉ（（１．６０Ｍ　ｉｎ　ｈｅｘａｎｅ）６６ｍＬ）を加え、０℃まで昇温させながら２時間撹拌した。次に再度－７８℃に冷却し、Ｂ（ＯＭｅ）３（２７．３ｇ）を加え、－７８℃で１０分間撹拌した後、室温で５時間撹拌した。反応終了後、１Ｎ　ＨＣｌ　ａｑ．（２００ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後、反応液を分液ロートに移し、酢酸エチルで抽出した。この溶液をＭｇＳＯ４で乾燥した後、濃縮し、ヘキサンで洗浄して、ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン－５－ボロン酸の白色固体１７．０ｇ（収率６５％）を得た。
合成例２
（ｂ）ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフラン－６－ボロン酸の合成
　下記合成スキームに従って、ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフラン－６－ボロン酸を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
（ｂ－１）２，４－ジブロモ－１，５－ジメトキシベンゼンの合成
　１，３－ジメトキシベンゼン（５３．９ｇ）をジクロロメタン８６０ｍＬに溶解させアルゴン置換し、氷冷下、臭素（１２９．３ｇ）のジクロロメタン１５０ｍＬ溶液を２時間半かけて滴下し、３時間かけて徐々に室温まで昇温させ、さらに一日撹拌を行った。反応液を氷冷し、１０％水酸化ナトリウム水溶液で中和した。ジクロロメタン層を回収し、水層をジクロロメタンで抽出し、有機層をまとめて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した後、濾液の濃縮を行った。得られた残渣をヘキサンで分散洗浄し、生成した結晶を濾取して乾燥し、２，４－ジブロモ－１，５－ジメトキシベンゼンの白色結晶１１０．５ｇ（収率９７％）を得た。
（ｂ－２）２，４－ビス（２－フルオロフェニル）－１，５－ジメトキシベンゼンの合成
　２，４－ジブロモ－１，５－ジメトキシベンゼン（８８．８ｇ）、２－フルオロフェニルボロン酸（１００．７４ｇ）、Ｎａ２ＣＯ３　２Ｍ　ａｑ．（６００ｍＬ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（６．７３ｇ）、１，２－ジメトキシエタン１５０ｍＬ、トルエン１５０ｍＬをフラスコに入れ、３６時間還流した。反応終了後、水５００ｍＬとトルエン１Ｌを加えて分液ロートに移し、トルエン相を回収した。ＭｇＳＯ４で乾燥した後、シリカゲルショートカラムを通し原点不純物の除去を行い、溶液を濃縮した。これをトルエン／ヘキサン混合溶媒から再結晶し、２，４－ビス（２－フルオロフェニル）－１，５－ジメトキシベンゼンの白色固体８６．５ｇ（収率８８％）を得た。
（ｂ－３）２，４－ビス（２－フルオロフェニル）－１，５－ジヒドロキシベンゼンの合成
　１，５－ジメトキシ－２，４－ビス（２－フルオロフェニル）ベンゼン（４８．３ｇ）、ジクロロメタン（脱水）７４０ｍＬをフラスコに入れ、０℃に冷却した。ＢＢｒ３（８９．０ｇ）を加え、その後室温で２４時間撹拌した。反応終了後、溶液を－７８℃に冷却し、メタノールで慎重に失活し、さらに十分量の水で失活した。溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンで抽出し、ＭｇＳＯ４で乾燥した後、シリカゲルショートカラムを通し原点不純物の除去を行い、溶液を濃縮し、得られた試料を６０℃で５時間真空乾燥し２，４－ビス（２－フルオロフェニル）－１，５－ジヒドロキシベンゼンの白色固体４４．１ｇ（収率１００％）を得た。
（ｂ－４）ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフランの合成
　２，４－ビス（２－フルオロフェニル）－１，５－ジヒドロキシベンゼン（４４．１４ｇ）、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン（脱水）８８８ｍＬ、をフラスコに入れ、固体を完全に溶解させた。Ｋ２ＣＯ３（８１．８ｇ）を加え、その後２００℃で２時間撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで冷却し、トルエン２Ｌを加え、分液ロートに移し、水で洗浄した。この溶液をＭｇＳＯ４で乾燥した後、シリカゲルショートカラムを通し原点不純物の除去を行い、溶液を濃縮し、トルエン／メタノール混合溶媒から再結晶しベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフランの白色固体２７．９ｇ（収率７３％）を得た。
（ｂ－５）ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフラン－６－ボロン酸の合成
　ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフラン（１２．９ｇ）、テトラヒドロフラン（脱水）（３００ｍＬ）をフラスコに加え、－７８℃に冷却した。そこへｎ－ＢｕＬｉ（（２．６３Ｍ　ｉｎ　ｈｅｘａｎｅ）２０．０ｍＬ）を加え、その後、室温で１時間放置した。次に再度－７８℃に冷却し、Ｂ（ＯＭｅ）３（１０．４ｇ）を加え、－７８℃で１０分間撹拌した後、室温で１時間放置した。反応終了後、エバポレータで半分程度の容量に濃縮した後、１Ｎ　ＨＣｌ　ａｑ．（２００ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後分液ロートに移し、酢酸エチルで抽出した。この溶液をＭｇＳＯ４で乾燥した後、濃縮し、トルエン／ヘキサン混合溶媒で分散洗浄し、ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフラン－６－ボロン酸の白色固体１３．７ｇ（収率９１％）を得た。
合成例３
（ｃ）２－（ベンゾ[ｋｌ]キサンテン－４－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランの合成
　下記合成スキームに従って、２－（ベンゾ[ｋｌ]キサンテン－４－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランを合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
（ｃ－１）４－メトキシベンゾ[ｋｌ]キサンテンの合成
　４－メトキシ－１－ナフトール（６．９７ｇ）及び１，２－ジブロモベンゼン（１１．３ｇ）をジメチルホルムアミド２００ｍＬに溶解し、炭酸セシウム（５２．１３ｇ）、トリフェニルフォスフィン（２．１０ｇ）及び酢酸パラジウム（II）（０．４５ｇ）を順次加え、１４０℃にて１５時間撹拌を行った。室温まで冷却し、水及び酢酸エチルを加えて分液を行い、水層を酢酸エチルで抽出を行い、水及び飽和食塩水で洗浄し、有機層を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し濾過した後、濃縮を行った。得られた残渣に水及びメタノールを加えて、ジエチルエーテル及び酢酸エチルで抽出を行い、水及び飽和食塩水で洗浄し、有機層を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し濾過した後、濃縮を行った。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製したのち、得られた残渣をヘキサン－酢酸エチル混合溶液で分散洗浄して乾燥を行い、４－メトキシベンゾ[ｋｌ]キサンテンの黄色固体３．２６ｇ（収率３３％）を得た。
（ｃ－２）４－ヒドロキシベンゾ[ｋｌ]キサンテンの合成
　４－メトキシベンゾ[ｋｌ]キサンテン（３．２６ｇ）をジクロロメタン１００ｍＬに溶解し、アルゴン雰囲気下、ドライアイス－メタノール浴で－６８℃に冷却し、三臭化ホウ素のジクロロメタン溶液（１Ｍ，１４ｍＬ）を２０分間かけて滴下した。室温まで徐々に昇温しながら４時間撹拌を行った。得られた混合物を氷冷して、数滴ずつ水を加えて慎重に失活させ、さらに１００ｍＬの水を加えた。生成した沈殿を濾取し、水及びジクロロメタンで洗浄して乾燥を行い、４－ヒドロキシベンゾ[ｋｌ]キサンテンの結晶（２．３５ｇ）を得た。濾液は分液し、水層をジクロロメタン抽出し、有機層を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した後濃縮した。得られた残渣を少量のジクロロメタンで分散洗浄を行い、乾燥を行い、４－ヒドロキシベンゾ[ｋｌ]キサンテンの結晶（０．５３ｇ）を得た。両者を合わせて収量２．８８ｇ、収率は９４％であった。
（ｃ－３）４－トリフルオロメタンスルホニルベンゾ[ｋｌ]キサンテンの合成
　４－ヒドロキシベンゾ[ｋｌ]キサンテン（２．８８ｇ）をジクロロメタン１００ｍＬに分散し、アルゴン雰囲気下、氷冷し、ピリジン（４．０ｍＬ）を加えた。得られた溶液にトリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．０ｍＬ）を１０分間かけて滴下し、氷冷下で５分撹拌した後、徐々に室温に昇温しながら３時間撹拌を行った。得られた溶液に氷冷下で１Ｍ塩酸（５０ｍＬ）を加え、混合溶液をジクロロメタンで抽出し、飽和重曹水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過して濃縮した。この残渣をヘキサン－酢酸エチル混合溶液で分散洗浄して乾燥させ、４－トリフルオロメタンスルホニルベンゾ[ｋｌ]キサンテンの固体を得た。洗浄母液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィーで精製を行った。得られた残渣をヘキサンで分散洗浄して乾燥させ、４－トリフルオロメタンスルホニルベンゾ[ｋｌ]キサンテンの固体を得た。両者を合わせ、４－トリフルオロメタンスルホニルベンゾ[ｋｌ]キサンテンの茶白色固体３．０１ｇ（収率６７％）を得た。
（ｃ－４）２－（ベンゾ［ｋｌ］キサンテン－４－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランの合成
　４－トリフルオロメタンスルホニルベンゾ［ｋｌ］キサンテン（３．０１ｇ）、ビスピナコラートジボロン（２．３０ｇ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド　ジクロロメタン付加物（０．３４ｇ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２３ｇ）及び酢酸カリウム（２．４２ｇ）を１，４－ジオキサン５０ｍｌに溶解し、８０℃にて１７時間撹拌した。ビスピナコラートジボロン（１．１５ｇ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド　ジクロロメタン付加物（０．３４ｇ）及び１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２３ｇ）を加えて８０℃にて７時間半撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水及び酢酸エチルを加えて濾過した。得られた混合液を分液し、酢酸エチルで抽出した後、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した後、濃縮を行った。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、２－（ベンゾ［ｋｌ］キサンテン－４－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランの黄色固体１．４７ｇ（収率５２％）を得た。
合成例４
（ｄ）２－（３－ブロモフェニル）－イミダゾ［１，２－ａ］ピリジンの合成
　下記スキームに従って、２－（３－ブロモフェニル）－イミダゾ［１，２－ａ］ピリジンを合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
　３－ブロモフェナシルブロミド９．２５ｇ、２－アミノピリジン１０．０ｇ及び炭酸水素ナトリウム４．１９ｇの混合物をエタノール１５０ｍｌ中で５時間還流した。反応終了後、生成した結晶をろ取し、水及びアセトンで洗浄、並びに減圧下にて乾燥を行い、２－（３－ブロモフェニル）－イミダゾ［１，２－ａ］ピリジン７．９１ｇ（収率８７％）を得た。
［含酸素縮合環誘導体］
実施例１
化合物１の合成
　１－（４－ブロモフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－ベンズ［ｄ］イミダゾール（３．００ｇ）、ベンゾ［ｂ］ナフト［２，１－ｄ］フラン－５－ボロン酸（２．９４ｇ）、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）０．５０ｇ、１，２－ジメトキシエタン２６ｍｌ及び２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１３ｍｌの混合物を８時間加熱還流撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、水を加え３０分間撹拌を行い、酢酸エチル、ヘキサンを加えて更に３０分間撹拌を行った。生成した固体をろ取し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄後、減圧下にて乾燥を行った。得られた固体をさらにヘキサン－酢酸エチル混合液で分散洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、熱トルエン中で分散洗浄することで、白色固体３．０１ｇを得た。
　得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物１と同定した（分子量４８６．１７に対しｍ／ｅ＝４８６）。収率７２％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
実施例２
化合物２の合成
　１－（４－ブロモフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－ベンズ［ｄ］イミダゾール（３．００ｇ）ベンゾフラノ［３，２－ｂ］ジベンゾフラン－６－ボロン酸（３．７０ｇ）テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）（０．６０ｇ）、１，２－ジメトキシエタン２６ｍｌ及び２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１３ｍｌの混合物を１３時間加熱還流撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、水を加え３０分間撹拌を行い、生成した固体をろ取し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄後、減圧下にて乾燥を行った。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、白色固体４．４２ｇを得た。
　得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物２と同定した（分子量５２６．１７に対しｍ／ｅ＝５２６）。収率９７％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
実施例３
化合物３の合成
　１－（４－ブロモフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－ベンズ［ｄ］イミダゾール（１．３６ｇ）、２－（ベンゾ[ｋｌ]キサンテン－４－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（１．４７ｇ）、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）（０．１４ｇ）、１，２－ジメトキシエタン１２ｍｌ及び２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液６ｍｌの混合物を６時間加熱還流撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、水を加え３０分間撹拌を行い、生成した固体をろ取し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄後、減圧下にて乾燥を行った。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、酢酸エチル中で分散洗浄することで、白色固体１．６７ｇを得た。
　得られた化合物はマススペクトル分析の結果、下記化合物３と同定した（分子量４８６．１７に対しｍ／ｅ＝４８６）。収率８８％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
実施例４
化合物４の合成
　１－（４－ブロモフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－ベンズ［ｄ］イミダゾールの代わりに合成例４で合成した２－（３－ブロモフェニル）－イミダゾ［１，２－ａ］ピリジンを用いた他は実施例２と同様に反応を行った。
　得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物４と同定した（分子量４５０．１４に対しｍ／ｅ＝４５０）。収率７３％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
　得られた化合物１、２、３及び４の各物性を下記の方法で評価した。結果を表１に示す。
（１）三重項エネルギー（ＥＴ） 
市販の装置Ｆ－４５００（日立社製）を用いて測定した。ＥＴの換算式は以下の通りである。
　　換算式ＥＴ（ ｅＶ）＝１２３９．８５／λｐｈ 
「λｐｈ」とは、縦軸にリン光強度、横軸に波長をとって、リン光スペクトルを表したときに、リン光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値（単位：ｎｍ）を意味する。 
　 各化合物を溶媒に溶解（試料１０μｍｏｌ／リットル、EPA（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：５（容積比）、各溶媒は分光用グレード）し、リン光測定用試料とした。石英セルへ入れたリン光測定用試料を７７（Ｋ）に冷却し、励起光をリン光測定用試料に照射し、波長を変えながらリン光強度を測定した。リン光スペクトルは、縦軸をリン光強度、横軸を波長とした。
　このリン光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｐｈ（ｎｍ）を求めた。
　燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　なお、スペクトルの最大ピーク強度の１０％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。 
（２）イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）
　イオン化ポテンシャルは、各層の単独層を別途ガラス基板上に真空蒸着で作製し、ガラス基板上の薄膜を用いて大気下で光電子分光装置（理研計器（株）社製：ＡＣ－３）を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。照射光のエネルギーに対し、放出された光電子を１／２乗でプロットし、光電子放出エネルギーのしきい値をイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）とした。
（３）アフィニティ（Ａｆ）
　イオン化ポテンシャルＩｐとエネルギーギャップＥｇの測定値から算出した。算出式は、次のとおりである。
　　Ａｆ＝Ｉｐ－Ｅｇ
　エネルギーギャップＥｇは、トルエン溶液中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視・紫外分光光度計を用いて、吸収スペクトルを測定し、そのスペクトルの長波長側の立ち下がり波長から算出した。
　換算式は、次のとおりである。
　　Ｅｇ（ｅＶ）＝１２３９．８５／λａｂ
　縦軸に吸光度、横軸に波長をとって、吸収スペクトルを表したものを吸収スペクトルとした。エネルギーギャップＥｇに関する上記換算式において、λａｂ（単位：ｎｍ）は、吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値を意味する。
　各化合物をトルエン溶媒に溶解（試料２×１０－５ｍｏｌ／リットル）し、光路長は１ｃｍとなるように試料を準備した。波長を変えながら吸光度を測定した。
　吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。
　吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
　なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
［有機ＥＬ素子の作製］
実施例５
　有機ＥＬ素子に使用した材料は以下の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして膜厚５０ｎｍの化合物ＨＴ－１を成膜した。ＨＴ－１膜は正孔注入層として機能する。ＨＴ－１膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ－２を蒸着してＨＴ－１膜上に膜厚４５ｎｍのＨＴ－２膜を成膜した。ＨＴ－２膜は正孔輸送層として機能する。
　ＨＴ－２膜上に化合物ＢＨ－１（ホスト材料）及び化合物ＢＤ－１（ドーパント材料）を２０：１の膜厚比で蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を成膜した。さらに発光層上に化合物１を蒸着し、膜厚５ｎｍの障壁層を形成した。さらに電子輸送材料であるＥＴ－１を蒸着して、発光層上に膜厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
　作製した有機ＥＬ素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における駆動時の素子性能（駆動電圧、発光効率、外部量子収率及び発光波長）を評価した。結果を表２に示す。
実施例６、７、８及び９並びに比較例１
　化合物１の代わりに表２に示す化合物を用いて障壁層を積層し、ドーパント材料に表２に示した化合物を用いた他は実施例５と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表２に示す。
　尚、実施例８で用いたＢＤ－２および比較例１で用いた化合物ＥＴ－２は、下記化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本発明の化合物を障壁層として用いることで（実施例５～９）、従来の電子輸送材料を用いた際（比較例１）と比較して高い発光効率を実現できることが分かる。
　上記高効率は、障壁材の効果が関与している可能性が示唆される。ホスト材料のＢＨ－１の三重項エネルギーは、化合物１～４と同様の方法で算出すると１．８３ｅＶであり、化合物１～３の値はこれと比べ十分に大きいことから、発光層内への三重項励起子の閉じ込め効果が生じていることが考えられる。
実施例１０
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして膜厚５０ｎｍの化合物ＨＴ－１を成膜した。ＨＴ－１膜は正孔注入層として機能する。ＨＴ－１膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ－２を蒸着してＨＴ－１膜上に膜厚４５ｎｍのＨＴ－２膜を成膜した。ＨＴ－２膜は正孔輸送層として機能する。
　ＨＴ－２膜上に化合物ＢＨ－１（ホスト材料）及び化合物ＢＤ－２（ドーパント材料）を２０：１の膜厚比で蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を成膜した。さらに発光層上に化合物１を蒸着し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層を形成した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
　作製した有機ＥＬ素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における駆動時の素子性能（駆動電圧、発光効率、外部量子収率及び発光波長）を評価した。結果を表３示す。
実施例１１、１２及び１３並びに比較例２
　化合物１の代わりに表３に示す化合物を用いて電子輸送層を積層した他は実施例１０と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　本発明の化合物は、単一での電子輸送層を形成する材料として用いても、従来の電子輸送材料と比較して高い発光効率が得られることが分かる。これは、本発明の化合物が前述のように示唆される障壁材の効果による発光層内への三重項励起子の閉じ込め効果を有するだけではなく、電子注入・輸送性を有する含窒素複素環部位を同一分子内に有する化合物であることから、電子輸送材としても機能することを示している。本発明の化合物を用いることで、より少ない積層数で障壁能を有する電子輸送帯域を形成できる可能性が示唆される。
　本発明の含酸素縮合環誘導体を含んでなる有機ＥＬ素子は、低消費電力化が望まれる大型テレビ向け表示パネルや照明パネル等に用いることができる。
　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (15)

  1. 　下記式（１）で表される含酸素縮合環誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
     （式中、Ａｒ１は、フラン環及びピラン環から選択される環を１以上有する４環以上が縮合したｍ価の縮合環基である。
    　ＨＡｒは、下記式（２）～（５）で表わされる含窒素複素環基のいずれかである。
    　ｎ及びｍは、それぞれ１～５の整数であり、ｎ及びｍの少なくとも一方は１である。
    　Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のｎ＋１価のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０のｎ＋１価の複素環基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つが単結合で連結してなるｎ＋１価の基である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
     （式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ３１～Ｒ４０、及びＲ４１～Ｒ４６は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　Ｒ３１～Ｒ３５のいずれか１つ及びＲ３６～Ｒ４０のいずれか１つは、式（４）の２つのピリジン環同士を結合する単結合である。
    　Ｘは、Ｎ又はＣＲ１３より選ばれ、Ｒ１３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　Ｒ１３が複数ある場合、それぞれのＲ１３は同じでも異なっていてもよい。
    　Ｙは、Ｎ又はＣＲ２３より選ばれ、Ｒ２３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　Ｒ２３が複数ある場合、それぞれのＲ２３は同じでも異なっていてもよい。
    　Ｚは架橋基であり、置換もしくは無置換のアルキレン基、又は置換もしくは無置換のアルケニレン基である。
    　Ｒ１１～Ｒ１３のいずれか１つ、Ｒ２１～Ｒ２３のいずれか１つ、Ｒ３１～Ｒ４０のいずれか１つ、及びＲ４１～Ｒ４６のいずれか１つはＬと結合する単結合である。）
  2. 　Ａｒ１が下記式（６）で表わされる縮合環基である請求項１に記載の含酸素縮合環誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
     （式中、Ｒ５１～Ｒ５８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　Ｒ５１とＲ５２、Ｒ５２とＲ５３、Ｒ５３とＲ５４、Ｒ５４とＲ５５、Ｒ５５とＲ５６、Ｒ５６とＲ５７、またはＲ５７とＲ５８のうち少なくとも１組は、互いに下記式（７）又は（８）で表わされる形で結合して、環を形成する。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
     （式中、Ｒ６１～Ｒ６８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　また、Ｒ６１～Ｒ６８のいずれかｍ個は、Ｌと結合する単結合である。）
  3. 　Ａｒ１が下記式（９）又は（１０）で表される縮合環基である請求項１又は２に記載の含酸素縮合環誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
     （式中、Ｒ７１～Ｒ９０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　また、Ｒ７１～Ｒ８０のいずれかｍ個及びＲ８１～Ｒ９０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
  4. 　Ａｒ１が下記式（１１）、（１２）、（１３）又は（１４）で表される縮合環基である請求項１又は２に記載の含酸素縮合環誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
     （式中、Ｒ９１～Ｒ１３０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　また、Ｒ９１～Ｒ１００のいずれかｍ個、Ｒ１０１～Ｒ１１０のいずれかｍ個、Ｒ１１１～Ｒ１２０のいずれかｍ個及びＲ１２１～Ｒ１３０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
  5. 　Ａｒ１が下記式（１５）で表される縮合環基である請求項１に記載の含酸素縮合環誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
     （式中、Ｒ１３１～Ｒ１４０は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、炭素数３～３０の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６～３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のモノもしくはジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　但し、Ｒ１３１～Ｒ１４０のいずれかｍ個はＬと結合する単結合である。）
  6. 　ｍが１であり、ｎが１である請求項１～５のいずれかに記載の含酸素縮合環誘導体。
  7. 　有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１～６のいずれかに記載の含酸素縮合環誘導体。
  8. 　前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が、障壁層材料である請求項７に記載の含酸素縮合環誘導体。
  9. 　陽極、発光層、障壁層、及び陰極をこの順に備え、
    　前記障壁層が請求項１～６のいずれかに記載の含酸素縮合環誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 　前記障壁層と陰極との間に、電子注入層及び／又は電子輸送層を有し、前記電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層が含ヘテロ環誘導体を含有する請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 　前記電子注入層及び／又は電子輸送層が、電子供与性ドーパントを含有する請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 　前記電子供与性ドーパントが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される１種又は２種以上である請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 　前記発光層が、下記式（１６）で表されるアントラセン誘導体を含む請求項９～１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
     （式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
    　Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８～３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。）
  14. 　前記式（１６）で表されるアントラセン誘導体を含有する発光層が、前記含酸素縮合環誘導体を含有する障壁層と接している請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 　前記発光層が、主ピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光ドーパントを含有する請求項９～１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
PCT/JP2011/006486 2010-11-22 2011-11-22 含酸素縮合環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子 Ceased WO2012070226A1 (ja)

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