WO2012108418A1 - Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット - Google Patents

Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット Download PDF

Info

Publication number
WO2012108418A1
WO2012108418A1 PCT/JP2012/052715 JP2012052715W WO2012108418A1 WO 2012108418 A1 WO2012108418 A1 WO 2012108418A1 JP 2012052715 W JP2012052715 W JP 2012052715W WO 2012108418 A1 WO2012108418 A1 WO 2012108418A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
nozzle
gas
foup
gas supply
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/052715
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
木崎原　稔郎
宣之 上杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge Filter Japan Ltd
Kondoh Industries Ltd
KONDOH IND Ltd
Original Assignee
Cambridge Filter Japan Ltd
Kondoh Industries Ltd
KONDOH IND Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cambridge Filter Japan Ltd, Kondoh Industries Ltd, KONDOH IND Ltd filed Critical Cambridge Filter Japan Ltd
Publication of WO2012108418A1 publication Critical patent/WO2012108418A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
    • H10P72/19—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP] closed carriers
    • H10P72/1924—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP] closed carriers characterised by atmosphere control
    • H10P72/1926—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP] closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrier

Definitions

  • the present invention relates to an N2 gas purge apparatus provided with an N2 gas supply nozzle and an exhaust nozzle in a purge apparatus for purging a semiconductor wafer storage container (hereinafter referred to as “FOUP”) used in a mini-environment type semiconductor clean room with an N2 gas.
  • FOUP semiconductor wafer storage container
  • a mini-engineering method is generally used in which a wafer is stored in a FOUP, and is transported and handled between semiconductor manufacturing apparatuses without being exposed to the outside air.
  • FOUP is equipped with a breathing filter unit on the bottom plate of the FOUP in order to make the internal pressure and the outside air pressure uniform when the atmospheric pressure changes during transportation and to prevent the FOUP from expanding and contracting.
  • a breathing filter is attached to the breathing filter unit. The breathing filter is for preventing dust from entering the FOUP from the outside when the air enters and exits the FOUP.
  • N2 gas purge is employed in a process in which the adhesion of moisture and chemical gas to the wafer surface in the FOUP causes a decrease in yield.
  • the residual gas in the FOUP is driven out with high-purity N 2 gas and filled with N 2 gas, thereby protecting the wafer surface from contamination by moisture or chemical gas.
  • each of the breathing filter units installed on the bottom plate of the N2 gas purge FOUP includes one type of N2 gas supply breathing filter unit and one type of exhaust breathing filter unit. Equipped.
  • the breathing filter unit for N2 gas supply includes a valve that is opened only when N2 gas is supplied to the FOUP.
  • the exhaust breathing filter unit includes a valve that is opened only when the residual gas in the FOUP is exhausted to the outside of the FOUP. After the inside of the FOUP is replaced with N2 gas, the respective valves are closed and sealed so that the N2 gas in the FOUP does not leak to the outside.
  • the bottom plate of the N2 gas purge FOUP is equipped with various types of breathing filter units by FOUP force.
  • the breathing filter unit on the N2 gas supply side has an upper end opening at the top of the cylindrical housing and an N2 gas supply side ventilation opening at the bottom.
  • the upper end opening includes a filter
  • the N2 gas supply side ventilation opening includes a shutter that is opened only when N2 gas is supplied into the breathing filter unit.
  • the breathing filter unit on the residual gas exhaust side includes an upper end opening at the top of the cylindrical housing and a residual gas exhaust side ventilation opening at the bottom.
  • the upper end opening is provided with a filter
  • the residual gas exhaust side ventilation opening is provided with a shutter that is opened only when the residual gas in the breathing filter unit is discharged.
  • the FOUP positioning kinema pins On the FOUP mounting surface of the N2 gas purge device, three sets of FOUP positioning kinema pins, two types of N2 gas supply nozzles for supplying N2 gas into the FOUP and exhaust nozzles for residual gas in the FOUP are installed. .
  • the FOUP containing the semiconductor wafer is purged with N 2 gas
  • the FOUP is mounted on the N 2 gas purge apparatus.
  • the FOUP is positioned by the kinema pin.
  • the N2 gas supply side vent opening of the breathing unit at the bottom of the F0UP is connected to the N2 gas supply nozzle.
  • the residual gas exhaust side ventilation opening is connected to the exhaust nozzle.
  • the N2 gas supplied from the N2 gas supply nozzle of the N2 gas purge apparatus enters the FOUP containing the semiconductor wafer from the N2 gas supply side ventilation opening of the breathing filter unit at the bottom of the FOUP.
  • the residual gas inside the FOUP passes through the exhaust nozzle of the N2 purge device connected to the residual gas exhaust side ventilation opening of the breathing unit at the bottom of the F0UP and is sucked and discharged outside.
  • FOUP In the semiconductor production line, FOUP is periodically washed with hot water and dried. At that time, since the FOUP is made of resin, it is gradually deformed.
  • the FOUP is mounted on the purge device. Even if the FOUP is held at a fixed position with three sets of kinema pins, the FOUP that has been repeatedly washed and dried is distorted, and the bottom of the FOUP cannot be kept horizontal. .
  • the breathing filter unit is replaced as a consumable item. Therefore, it is possible to easily attach the breathing filter unit of each company to the bottom of the FOUP, but it is not structured so as to keep the level accurately.
  • the breathing filter unit 1 may have different specifications even with the same force, and there are various shapes of the N2 gas supply side ventilation opening and the residual gas exhaust side ventilation opening.
  • the N2 gas purge apparatus has a problem that an N2 gas supply nozzle and an exhaust nozzle that can be connected to a new breathing filter must be newly prepared.
  • the tip of the N2 gas supply nozzle and the tip of the exhaust nozzle, or the N2 gas supply side vent opening and the residual gas exhaust side vent opening use elastic rubber materials. In this case, since dust and outgas are generated, there is a problem of adversely affecting the semiconductor wafer process.
  • the present invention is a nozzle unit that is applied to each nozzle of an N2 gas purge apparatus that includes an N2 gas supply nozzle and an exhaust nozzle for filling a FOUP (semiconductor wafer storage container) with N2 gas in a semiconductor manufacturing line.
  • a breathing filter unit is provided at the bottom of the FOUP, and the breathing filter unit is provided with an N2 gas supply side ventilation opening and a residual gas exhaust side ventilation opening.
  • the N2 gas is supplied into the FOUP by the N2 gas supply nozzle, the residual gas in the FOUP is discharged by the exhaust nozzle, and the inside of the FOUP is filled with the N2 gas.
  • the nozzle unit includes a nozzle, a nozzle receiver, and an O-ring.
  • the nozzle has a structure in which an upper end of the nozzle is in close contact with the ventilation opening of the breathing filter unit and a hemispherical seal is formed in the lower portion, and a gas passage extends through the upper and lower portions.
  • the nozzle receiver includes a concave hemispherical seal portion for receiving and holding the hemispherical seal portion of the nozzle at an upper portion, and a gas passage at the center.
  • a zero ring groove is provided in each of the nozzle and the nozzle receiver.
  • a holding O-ring is provided on the nozzle and the nozzle receiver.
  • the nozzle unit according to the present invention includes a nozzle, a nozzle receiver, and an O-ring.
  • the nozzle has a structure in which an upper end of the nozzle is in close contact with the ventilation opening of the breathing filter unit and a hemispherical seal is formed in the lower portion, and a gas passage extends through the upper and lower portions.
  • the nozzle receiver includes a concave hemispherical seal portion for receiving and holding the hemispherical seal portion of the nozzle at an upper portion, and a gas passage at the center. Further, in order to hold the nozzle in the nozzle receiver while maintaining the nozzle mobility, a zero ring groove is provided in each of the nozzle and the nozzle receiver.
  • a holding O-ring is provided on the nozzle and the nozzle receiver. Therefore, the bottom of the FOUP is inclined by washing and drying, and as a result, even if the ventilation opening of the breathing filter unit is inclined, the nozzle tip is brought into close contact with the inclined ventilation opening by the rotation of the nozzle. Accordingly, outgas from the O-ring is blocked at the seal portion contact surface. Further, the outgas is not mixed into the gas passage but is discharged to the outside, so that the gas can be completely purged.
  • the perspective view of the conventional N2 gas purge FOUP The FOUP and N2 gas supply side breathing filter unit longitudinal section. Sectional drawing of the residual gas exhaust side breathing filter unnoted.
  • the perspective view of the N2 gas purge apparatus Sectional drawing of the flow of N2 gas and a residual gas when FOUP is mounted in the N2 gas purge apparatus equipped with the N2 gas supply nozzle and the residual gas exhaust nozzle, and the inside of FOUP is purged. Sectional drawing of the connection part of the N2 gas supply side nozzle and the N2 gas supply side ventilation
  • gas_flowing opening of a breathing filter unit Sectional drawing of the N2 gas leak countermeasure part 2 from the connection part of the same N2 gas supply side nozzle and the N2 gas supply side ventilation
  • Sectional drawing of the nozzle which concerns on this invention. Sectional drawing of the nozzle receptacle. Sectional drawing of the same O-ring. The nozzle assembly sectional drawing.
  • FIG. 4 is a comparison diagram of measurement results of N2 gas purge time when the N2 gas purge apparatus is equipped with the N2 gas supply nozzle and the residual gas exhaust nozzle of the present invention and when the conventional N2 gas supply nozzle and the residual gas exhaust nozzle are equipped.
  • FIG. 1 is a perspective view of a conventionally used FOUP.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the FOUP and N2 gas supply side breathing filter unit.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the residual gas exhaust side breathing filter unit.
  • an N 2 gas supply side breathing filter unit 1 and a residual gas exhaust side breathing filter unit 6 are attached to the bottom 12 of the FOUP 11.
  • the N2 gas supply side breathing filter unit 1 includes an upper end opening portion 2, a filter 3, and an N2 gas supply side ventilation opening 5, and an N2 gas supply side shutter 4 that is opened only when N2 gas is supplied.
  • the exhaust side breathing filter unit 6 includes an upper end opening 7, a filter 8, and a residual gas exhaust side ventilation opening 10 and is formed with a residual gas exhaust side shutter 9 that is opened only when residual gas is exhausted. Yes.
  • FIG. 4 is a perspective view of an N2 gas purge device 16 equipped with a conventional nozzle.
  • the FOUP mounting portion 17 of the N2 gas purge device 16 is equipped with an N2 gas supply side nozzle 19 and a residual gas exhaust side nozzle 20, and three sets of kinema pins 18 are projected.
  • the kinema pin 18 positions the FOUP 11 when the FOUP 11 is mounted.
  • the N 2 gas purge device 16 is provided with an N 2 gas supply port 21 for supplying the N 2 gas 25 and a residual gas exhaust port 22 for exhausting the residual gas 26.
  • an electromagnetic valve control panel 23 for operating an electromagnetic valve (not shown) inside the purge apparatus 16 is connected to the purge device 16 by a cable 24.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the flow of the N2 gas 25 and the residual gas 26 when the FOUP 11 is mounted on the FOUP mounting portion 17 of the purge device 16 equipped with the conventional nozzle and N2 gas purge is performed.
  • the FOUP 11 containing the semiconductor wafer 14 is mounted on the N 2 gas purge device 16. At this time, the FOUP 11 is positioned by the kinema bin 18.
  • the N2 gas supply side ventilation opening 5 of the breathing units 1 and 6 at the bottom of the FOUP 11 is connected to the N2 gas supply nozzle 19.
  • the residual gas exhaust side ventilation opening 10 is connected to the exhaust nozzle 20.
  • the N2 gas 25 is supplied from the N2 gas supply nozzle 19 of the purge device 16 through the N2 gas supply port 21 from the N2 gas supply source 27. Then, the N 2 gas 25 enters the FOUP 11 in which the semiconductor wafer 14 is accommodated from the N 2 gas supply side ventilation opening 5 of the N 2 gas supply side breathing filter unit 1 at the bottom of the FOUP 11.
  • the residual gas 26 in the FOUP 11 passes through the exhaust nozzle 20 and the residual gas exhaust port 22 of the purge device 16 connected to the residual gas exhaust side ventilation opening 10 of the residual gas exhaust side breathing filter unit 6 at the bottom of the FOUP 11, and is exhausted from the exhaust duct. It is sucked and discharged from 28 to the outside. As a result, the inside of the FOUP 11 is filled with the N 2 gas 25.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a connection state between the N 2 gas supply nozzle 19 and the N 2 gas supply side ventilation opening 5 of the N 2 gas supply side breathing filter unit 1 in the conventional purge device 16.
  • the FOUP 1 is periodically washed with hot water and dried. Since FOUP1 is made of resin, it is deformed little by little. Even if the FOUP 11 is mounted on the purge device 16 and the F0UP 11 is kept at a fixed position by the kinema pin 18, the FOUP 11 that has been repeatedly washed and dried is distorted, and the bottom 12 of the FOUP 11 cannot be kept horizontal. Furthermore, since the N2 gas supply side breathing filter unit 1 is replaced as a consumable item, the priority is given to the method of attaching the N2 gas supply side breathing filter unit 1 of each company to the FOUP bottom 12.
  • the level cannot be maintained with high accuracy, and a gap 30 is generated between the N 2 gas supply nozzle 19 and the N 2 gas supply side ventilation opening 5 due to the inclination 31 ( ⁇ ). As a result, N2 gas leaks from the gap 30 during the N2 gas purge.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional general countermeasure example.
  • the N2 gas supply side ventilation opening 5 or the N2 gas supply nozzle tip 29 is made of a material 53 having elasticity. With this method, sealing performance can be secured to some extent, but outgas from the elastic material 53 increases. For this reason, there is a problem that it cannot be used in the advanced semiconductor production line.
  • FIG. 8 shows the N2 gas supply nozzle 19 supported by a spring 33 so that the N2 gas supply nozzle 19 is inclined according to the inclination of the N2 gas supply side ventilation opening 5.
  • a shift D34 between the centers of the N2 gas supply side ventilation opening 5 and the N2 gas supply side ventilation opening 5 occurs. For this reason, connecting the FOUP 1 and the N2 gas purge device 16 has a problem that the FOUP 11 and the N2 purge device 16 are distorted.
  • FIG. 9 is a sectional view of the nozzle 35.
  • the nozzle 35 includes a nozzle tip portion 36 and a hemispherical seal portion 37 and is formed through an N gas passage 38 in the center.
  • the nozzle tip 36 has a shape that matches the N2 gas supply side ventilation opening 5 and the residual gas exhaust side ventilation opening 10 of the breathing filter of each specification.
  • the hemispherical seal portion 37 is on the opposite side of the nozzle tip portion 36.
  • an O-ring groove 39 is provided so as to surround the hemispherical seal portion 37 in order to hold the nozzle 35 on the nozzle receiver 42 while maintaining the movability and sealing performance of the nozzle 35.
  • the nozzle tip 36 is smoothly inclined in accordance with the inclination 31 ( ⁇ ) of the N2 gas supply side ventilation opening 5 and the residual gas exhaust side ventilation opening 10 constituting the breathing filter units 1, 6, and the respective centers are not displaced.
  • the length L of the nozzle 35 (the length from the nozzle tip to the nozzle hemispherical seal portion) is set to L ⁇ 2R with respect to the spherical radius R40 of the nozzle hemispherical seal portion 37. It is preferable.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the nozzle receiver 42 that holds the nozzle 35 according to the present invention.
  • the nozzle receiver 42 includes a concave hemispherical seal portion 43 that receives the hemispherical seal portion 37 of the nozzle 35, and a gas passage 45 is formed through the center.
  • the concave hemispherical seal portion 43 is provided with an O-ring groove 46 for holding the nozzle 35.
  • the spherical radius R40 of the concave hemispherical seal portion 43 and the spherical radius R44 of the nozzle receiving concave hemispherical seal portion 43 are formed to have the same length.
  • the nozzle 35 can be rotated on the concave hemispherical seal portion 43 of the nozzle receiver 42 with the rotating sphere center 51 as a fulcrum.
  • the widths of the O-ring grooves 39 and 46 provided in the nozzle 35 and the nozzle receiver 42 be wider than the diameter of the O-ring 47 in accordance with the inclination angle of the nozzle 35.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an O-ring 47 that is held by a nozzle receiver 42 while keeping the nozzle 35 movable.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the nozzle unit 52 of the present invention formed using the nozzle 35, the nozzle receiver 42, and the O-ring 47.
  • the seal portion contact surfaces 48 and 49 are in close contact with each other, and gas leakage can be prevented. Since the nozzle 35 is easily removed from the nozzle receiver 42, it has good maintainability and can be replaced with a nozzle that fits the ventilation openings of various breathing filters.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the connecting portion when the nozzle unit 52 of the present invention is attached to the purge device 16 and the FOUP 11 is purged with N 2 gas.
  • the ventilation opening 5 of the breathing filter unit 1 is inclined by the bottom portion 12 of the FOUP 11 inclined by washing and drying. Due to the rotation of the nozzle 35, the nozzle tip portion 36 is in close contact with the inclined ventilation opening 5, so that the outgas 50 from the O-ring 47 is blocked by the seal portion contact surfaces 48 and 49. Further, the outgas 50 is discharged outside without being mixed into the gas passage 38.
  • FIG. 14 shows the N2 gas purge performance test status of the FOUP 11 by the purge device 16 equipped with the nozzle unit 52 of the present invention.
  • An oxygen concentration meter 54 is installed on the wafer 14 in the FOUP 1. Changes in the oxygen concentration in the FOUP 11 due to purging are measured and converted into changes in the concentration of N 2 gas.
  • FIG. 15 shows a comparison of the purge time when the conventional nozzle is used and when the nozzle unit of the present invention is used.
  • the purge time is greatly shortened as a result of completely preventing gas leakage from the connecting portion between the breathing filter unit of the FOUP 1 and the nozzle unit 52. I was able to.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

半導体製造ラインにおいて、ＦＯＵＰ内へＮ２ガスを供給して、Ｎ２ガスパージを十分に行うことができ、且つパージ時間も短くすることができるノズルユニットを提供する。ノズルユニットは上部にブリージングフィルターユニットの通気開口に密着するノズル先端部（３６）、下部に半球面シール部（３７）を備えると共に、上部と下部をガス通路（３８）が開通した構造のノズル（３５）と、上部に前記ノズル（３５）の半球面シール部（３７）を受けて保持するための凹型半球面シール部（４３）を備え且つ中心にガス通路（４５）を備えたノズル受け（４２）とを具備する。更に、前記ノズル（３５）の可動性を維持したまま、該ノズル（３５）をノズル受け（４２）に保持すべく、ノズル（３５）とノズル受け（４２）にＯリング溝（４６）および保持用Ｏリング（４７）をそれぞれ設ける。

Description

Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット

　本発明は、ミニ・エンバイ口ンメント方式の半導体クリーンルームで使用される半導体ウエハ収納容器（以下、「ＦＯＵＰ」という）を、Ｎ２ガスパージするパージ装置においてＮ２ガス供給ノズルおよび排気ノズルを備えたＮ２ガスパージ装置におけるノズルユニットに関するものである。

　現在、半導体製造クリーンルームでは、ウエハをＦＯＵＰに収納し、外気に触れずに半導体製造装置間を搬送・ハンドリングするミニ・工ンバイラメント方式が一般的となっている。
　現在、半導体回路の微細化が進み、先端の半導体ＩＣは３２ｎｍのテザインルールで生産されており、２２ｎｍでの生産も迫ってきている。その結果、半導体プ口セス環境への要求も一段と厳しくなり、プ口セス工程によっては、ウエハを収納したＦＯＵＰ内の水分、ケミ力ルガスを完全に除去することが必要になってきている。
　ＦＯＵＰには、輸送中に大気圧が変化した場合、内部の圧力と外気圧力を均一にして、ＦＯＵＰの膨張、収縮を防ぐために、ＦＯＵＰの底板にブリージングフィルターユニットが備えられている。そして、前記ブリージングフィルターユニットには、ブリージングフィルターが取り付けられている。該ブリージングフィルターは、ＦＯＵＰ内部と外部との空気の出入り時に、外部からＦＯＵＰ内に塵が侵入するのを防ぐためのものである。
　そして現在、ＦＯＵＰ内のウエハ面への水分、ケミ力ルガスの付着が歩留まり低下を引き起こす工程では、Ｎ２ガスパージが採用されている。これにより、高純度のＮ２ガスでＦＯＵＰ内の残留ガスを追い出し、Ｎ２ガスを満たすことにより、ウエハ表面を水分またはケミ力ルガスによる汚染から保護する。
　前記Ｎ２ガスパージが採用されるようになってからは、Ｎ２ガスパージ用ＦＯＵＰの底板に設置されたブリージングフィルターユニットには、Ｎ２ガス供給用ブリージングフィルターユニットと、排気用ブリージングフィルターユニットとがそれぞれ１種類ずつ装備されている。Ｎ２ガス供給用ブリージングフィルターユニットは、ＦＯＵＰへのＮ２ガスの供給時のみ開放するバルブを備えている。排気用ブリージングフィルターユニットは、ＦＯＵＰ内の残留ガスをＦＯＵＰ外部へ排気する時のみ開放するバルブを備えている。ＦＯＵＰ内をＮ２ガスに置換後は、前記のそれぞれのバルブは閉鎖され、ＦＯＵＰ内のＮ２ガスが外部へ漏れなぃようにシールされている。

発明が解決しようとする課題

　前記Ｎ２ガスパージ用ＦＯＵＰの底板には、ＦＯＵＰメー力により、色々なタイプのブリージングフィルターユニットが装備されている。いずれのメー力のブリージングフィルターユニットも、Ｎ２ガス供給側のブリージングフィルターユニットは、筒状筐体の上部に上端開口部を、底部にＮ２ガス供給側通気開口を備えている。そして、上端開口部はフィルターを備え、Ｎ２ガス供給側通気開口はブリージングフィルターユニット内へのＮ２ガス供給時のみ開放になるシャターを備える。さらに、残留ガス排気側のブリージングフィルターユニットは、筒状筐体の上部に上端開口部を、底部に残留ガス排気側通気開口を備えている。そして、上端開口部はフィルターを備え、残留ガス排気側通気開口はブリージングフィルターユニット内の残留ガスが排出されるときのみ開放になるシャッターを備えている。
　前記Ｎ２ガスパージ装置のＦＯＵＰ搭載面には、ＦＯＵＰ位置決め用キネマピンが３セットと、ＦＯＵＰ内へＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給ノズルおよびＦ０ＵＰ内の残留ガスの排気用ノズルの２種類が設置されている。半導体ウエハが収納されたＦＯＵＰをＮ２ガスパージする場合、前記ＦＯＵＰを前記Ｎ２ガスパージ装置に搭載する。このとき、前記ＦＯＵＰは前記キネマピンによって位置決めされる。また、前記Ｆ０ＵＰ底部のブリージングユニットのＮ２ガス供給側通気開ロは前記Ｎ２ガス供給ノズルと連結される。そして、残留ガス排気側通気開口は排気ノズルと連結される。
　Ｎ２ガスパージ装置のＮ２ガス供給ノズルから供給されるＮ２ガスは、前記ＦＯＵＰ底部のブリージングフィルターユニットのＮ２ガス供給側通気開口より、半導体ウエハが収納されたＦＯＵＰ内部に入る。ＦＯＵＰ内部の残留ガスは、前記Ｆ０ＵＰ底部のブリージングユニットの残留ガス排気側通気開口に連結されたＮ２パージ装置の排気用ノズルを通り、外部へ吸引排出される。
　半導体製造ラインでは、ＦＯＵＰは定期的に温水洗浄・乾燥される。その際、前記ＦＯＵＰは樹脂製のため少しずつ変形して行く。前記ＦＯＵＰがパージ装置上に搭載され、３セットのキネマピンで、ＦＯＵＰを定位置に保持しても、何回も洗浄・乾燥を繰り返したＦＯＵＰは歪んでしまい、ＦＯＵＰの底部も水平が保てなくなる。更に、前記ブリージングフィルターユニットは消耗品として交換される。従って、各社のブリージングフィルターユニットのＦＯＵＰ底部への取り付けは簡単に出来るようになっているが、精度良く水平を保てるような構造になっていない。その結果、Ｎ２パージ装置にＦＯＵＰが搭載された場合、Ｎ２ガス供給ノズルとＮ２ガス供給側通気開口、残留ガス排気ノズルと残留ガス排気側通気開口の間に、それぞれの通気開ロの傾斜が原因で隙間が発生する。その結果、それぞれの隙間からＮ２ガスおよび残留ガスが漏れてしまい、ＦＯＵＰ内のＮ２ガスパージが不安定になり、パージ時間も長くなるという課題があった。
　また、半導体の微細化に伴い半導体プ口セスからのＦＯＵＰ仕様、ブリージングフィルター仕様への要求も頻繁に変わっている。結果として、ブリージングフィルターユニット１は、同一メー力でも仕様が異なるものもあり、Ｎ２ガス供給側通気開口、残留ガス排気側通気開口の形状も各種存在する。
　そのため、Ｎ２ガスパージ装置では、新たなブリージングフィルターと連結できるＮ２ガス供給ノズルおよび排気ノズルを新たに準備しなくてはならないという課題があった。
　更に、前記従来のＮ２ガスパージ装置では、連結部からのＮ２ガスの漏れを防ぐために、Ｎ２ガス供給ノズルの先端および排気ノズルの先端、またはＮ２ガス供給側通気開口部および残留ガス排気側通気開口部に弾力性のあるゴム系材料を使用しているものもある。この場合、塵、アウトガスが発生するため、半導体ウエハプ口セスに悪影響を及ぼすという課題があった。

　本発明は、半導体製造ラインにおいて、ＦＯＵＰ（半導体ウエハ収納容器）内部をＮ２ガスで充満させるＮ２ガス供給ノズルと排気ノズルを備えたＮ２ガスパージ装置の、各ノズルに適用するノズルユニットである。ＦＯＵＰの底部にはブリージングフィルターユニットが設けられ、ブリージングフィルターユニットにはＮ２ガス供給側通気開口と残留ガス排気側通気開口が設けられている。ＦＯＵＰを前記Ｎ２ガスパージ装置に搭載したとき、Ｎ２ガス供給側通気開口とＮ２ガス供給ノズルとが連結されると共に、残留ガス排気側通気開口と排気ノズルとが連結される。Ｎ２ガス供給ノズルによりＦＯＵＰ内部にＮ２ガスを供給し、排気ノズルによりＦＯＵＰ内部の残留ガスを排出してＦＯＵＰ内部をＮ２ガスで充満させる。ノズルユニットは、ノズルとノズル受けとＯリングとを具備する。ノズルは上部にブリージングフィルターユニットの通気開口に密着するノズル先端部、下部に半球面シール部を備えると共に、上部と下部をガス通路が貫通した構造を有する。ノズル受けは、上部に前記ノズルの半球面シール部を受けて保持するための凹型半球面シール部を備え、且つ中心にガス通路を備える。更に、ノズルの可動性を維持したまま、ノズルをノズル受けに保持するために、ノズルとノズル受けのそれぞれに０リング溝が設けられている。また、ノズルとノズル受けに保持用Ｏリングが設けられている。かかる手段を採用することにより、上記課題を解決した。

　本発明に係るノズルユニットは、ノズルとノズル受けとＯリングとを具備する。ノズルは上部にブリージングフィルターユニットの通気開口に密着するノズル先端部、下部に半球面シール部を備えると共に、上部と下部をガス通路が貫通した構造を有する。ノズル受けは、上部に前記ノズルの半球面シール部を受けて保持するための凹型半球面シール部を備え、且つ中心にガス通路を備える。更に、ノズルの可動性を維持したまま、ノズルをノズル受けに保持するために、ノズルとノズル受けのそれぞれに０リング溝が設けられている。また、ノズルとノズル受けに保持用Ｏリングが設けられている。したがって、洗浄・乾燥によりＦＯＵＰの底部が傾斜し、その結果、ブリージングフィルターユニットの通気開口が傾斜していても、前記ノズルの回転により、ノズル先端部が傾斜した通気開口に密着する。したがって、Ｏリングからのアウトガスはシール部接触面で遮断される。また、アウトガスはガス通路には混入されず外部に放出され、完全にガスパージができる。

従来のＮ２ガスパージ用ＦＯＵＰの斜視図。 同ＦＯＵＰとＮ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット縦断面図。 同残留ガス排気側ブリージングフィルターユノットの断面図。 同Ｎ２ガスパージ装置の斜視図。 同Ｎ２ガス供給ノズル、残留ガス排気ノズルを装備したＮ２ガスパージ装置にＦＯＵＰを搭載して、ＦＯＵＰ内をパージする時のＮ２ガス、残留ガスの流れ方の断面図。 同Ｎ２ガス供給側ノズルとブリージングフィルターユニットのＮ２ガス供給側通気開口との連結部の断面図。 同Ｎ２ガス供給側ノズルとブリージングフィルターユニットのＮ２ガス供給側通気開口との連結部からのＮ２ガス漏れ対策その１の断面図。 同Ｎ２ガス供給側ノズルとブリージングフィルターユニットのＮ２ガス供給側通気開口との連結部からのＮ２ガス漏れ対策その２の断面図。 本発明に係るノズルの断面図。 同ノズル受けの断面図。 同Ｏリングの断面図。 同ノズル組み立て断面図。 本発明に係るノズル、ノズル受け、およびＯリングを組み立てたノズルユニットとＦＯＵＰ底部のブリージングフィルターユニットのＮ２ガス供給側通気開口とが連結した状態の断面図。 本発明に係るＮ２ガス供給ノズル、残留ガス排気ノズルを装備したＮ２ガスパージ装置にＦＯＵＰを搭載して、ＦＯＵＰ内に測定器を設置し、Ｎ２パージ時間を測定するときの断面図。 Ｎ２ガスパージ装置に本発明のＮ２ガス供給ノズル、残留ガス排気ノズルを装備した場合と、従来のＮ２ガス供給ノズル、残王留ガス排気ノズルを装備した場合のＮ２ガスパージ時間の測定結果比較図。

　以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。図１は従来汎用されているＦＯＵＰの斜視図である。図２は同ＦＯＵＰとＮ２ガス供給側ブリージングフィルターユニットの縦断面図である。図３は同残留ガス排気側ブリージングフィルターユニットの縦断面図である。図１～図３に示すように、ＦＯＵＰ１１の底部１２には、Ｎ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット１と残留ガス排気側ブリージングフィルターユニット６が取り付けられている。Ｎ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット１は、上端開ロ部２、フイルター３、Ｎ２ガス供給側通気開口５を備え、内部にはＮ２ガス供給時のみ開放するＮ２ガス供給側シャッター４を備えている。また、排気側ブリージングフィルターユニット６は上端開口部７、フィルター８、残留ガス排気側通気開ロ１０を備え、内部には残留ガス排気時のみ開放する残留ガス排気側シャッター９を備えて形成されている。
　図４は、従来のノズルを装備したＮ２ガスパージ装置１６の斜視図である。前記Ｎ２ガスパージ装置１６のＦＯＵＰ搭載部１７には、Ｎ２ガス供給側ノズル１９と残留ガス排気側ノズル２０が装備されると共に、キネマピン１８が３セット突設されている。キネマピン１８は、前記ＦＯＵＰ１１の搭載時、該ＦＯＵＰ１１の位置決めを行う。更に、前記Ｎ２ガスパージ装置１６には、Ｎ２ガス２５の供給用のＮ２ガス供給口２１と残留ガス２６の排気用の残留ガス排気口２２とが設けられている。また、前記パージ裝置１６の内部の電磁バルブ（図示せず）を操作するための、電磁バルブ制御盤２３がケーブル２４でパージ装置１６に接続されている。
　図５は、従来のノズルを装備したパージ装置１６のＦＯＵＰ搭載部１７上にＦＯＵＰ１１を搭載し、Ｎ２ガスパージを行うときのＮ２ガス２５および残留ガス２６の流れを示す断面図である。半導体ウエハ１４が収納されたＦＯＵＰ１１をＮ２ガスパージ装置１６上に搭載する。このとき、ＦＯＵＰ１１はキネマビン１８によって位置決めされる。ＦＯＵＰ１１底部のブリージングユニット１，６のＮ２ガス供給側通気開ロ５はＮ２ガス供給ノズル１９と連結される。そして、残留ガス排気側通気開口１０は排気ノズル２０と連結される。
　Ｎ２ガス２５は、Ｎ２ガス供給源２７よりＮ２ガス供給口２１を経て、前記パージ装置１６のＮ２ガス供給ノズル１９から供給される。そして、Ｎ２ガス２５は、ＦＯＵＰ１１底部のＮ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット１のＮ２ガス供給側通気開口５より、半導体ウエハ１４が収納されたＦＯＵＰ１１内部に入る。ＦＯＵＰ１１内部の残留ガス２６は、ＦＯＵＰ１１底部の残留ガス排気側ブリージングフィルターユニット６の残留ガス排気側通気開口１０に連結されたパージ装置１６の排気用ノズル２０、残留ガス排気口２２を通り、排気ダクト２８から外部へ吸引排出される。その結果、ＦＯＵＰ１１内はＮ２ガス２５で充満される。
　図６は、従来のパージ装置１６におけるＮ２ガス供給ノズル１９とＮ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット１のＮ２ガス供給側通気開口５との連結状態を示す断面図である。
　一般に、半導体製造ラインでは、ＦＯＵＰ１は定期的に温水洗浄・乾燥される。ＦＯＵＰ１は樹脂製のため少しずつ変形して行く。ＦＯＵＰ１１がパージ装置１６上に搭載され、キネマピン１８でＦ０ＵＰ１１を定位置に保つても、何回も洗浄・乾燥を繰り返したＦＯＵＰ１１は歪んでしまい、ＦＯＵＰ１１の底部１２も水平が保てなくなる。更に、Ｎ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット１は消耗品として交換されるため、各社のＮ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット１のＦＯＵＰ底部１２への取り付け方法は簡単さが優先されてしまう。そのため、精度良く水平が維持できなくなり、Ｎ２ガス供給ノズル１９とＮ２ガス供給側通気開口５との間に傾斜３１（θ）が原因で隙間３０が発生する。その結果、Ｎ２ガスパージ時には、前記隙間３０からＮ２ガスが漏れてしまうことになる。
　また、残留ガス排気側の連結部でも、前記Ｎ２ガス供給側と同様の原因による隙間が発生するため、Ｆ０ＵＰ１１内の残留ガス２６の吸引・排出が十分にされなくなる。その結果、ＦＯＵＰ１１のＮ２ガスパージが十分に行われず、パージ時間も長くなるという問題点があった。
　図７、８に、従来のＮ２ガス供給側の連結部での、前記問題点に対する対策例を示す。前記対策例は、残留ガス排気側の連結部でも同一であるので、残留ガス排気側の連結部の説明を省略する。図７は、従来の一般的な対策例を示す断面図である。図に示すように、Ｎ２ガス供給側通気開ロ５またはＮ２ガス供給ノズル先端２９を、弾力性のある材質５３にする方法である。この方法であると、シール性はある程度確保できるが、弾力性のある材質５３からのアウトガスが多くなる。このため、先端半導体製造ラインでは、使用できないという課題があった。
　また、図８はＮ２ガス供給側通気開口５の傾斜に従って、Ｎ２ガス供給ノズル１９が傾斜するようにＮ２ガス供給ノズル１９をバネ３３で支持したものである。Ｎ２ガス供給側通気開口５が傾斜すると、該Ｎ２ガス供給側通気開口５とＮ２ガス供給側通気開口５の中心のずれＤ３４が発生する。このため、ＦＯＵＰ１とＮ２ガスパージ装置１６を連結するには、該ＦＯＵＰ１１とＮ２パージ装置１６に歪が伴うという課題があった。
　図９，１０，１１，１２に、本発明に係るノズルユニットおよびその構成部品を示す。本発明に係るノズルユニット５２は、ノズル３５とノズル受け４２とＯリング４７とを具備する。図９は、ノズル３５の断面図である。前記ノズル３５は、ノズル先端部３６と半球面シール部３７とを備えると共に、中央にＮガス通路３８を貫通して形成されている。ノズル先端部３６は各仕様のブリージングフィルターのＮ２ガス供給側通気開口５および残留ガス排気側通気開口１０に合わせた形状を有する。半球面シール部３７はノズル先端部３６の反対側にある。更に、前記ノズル３５の可動性、シール性を保ちながら、該ノズル３５をノズル受け４２に保持するため、Ｏリング溝３９が半球面シール部３７を取り囲むように設けられている。
　ブリージングフィルターユニット１，６を構成するＮ２ガス供給側通気開口５および残留ガス排気側通気開口１０の傾斜３１（θ）に合わせ、前記ノズル先端部３６がスムーズに傾斜し、それぞれの中心がずれないようにノズル３５を設計する必要がある。そのためには、該ノズル３５の長さＬ（ノズル先端部からノズル半球面シール部までの長さ）が、ノズル半球面シール部３７の球面半径Ｒ４０に対して、Ｌ≒２Ｒとなるようにすることが好ましい。
　図１０は、本発明に係るノズル３５を保持するノズル受け４２の断面図である。前記ノズル受け４２は、ノズル３５の半球面シール部３７を受ける凹型半球面シール部４３を備え、中央にはガス通路４５が貫通して形成されている。また、前記凹型半球面シール部４３には、ノズル３５を保持するためのＯリング溝４６が周設されている。前記凹型半球面シール部４３の球面半径Ｒ４０と、ノズル受け凹型半球面シール部４３の球面半径Ｒ４４は同一長さに形成される。更に、ノズル３５がノズル受け４２の凹型半球面シール部４３上を回転球中心５１を支点にして回転できるようにする。そのためには、ノズル３５とノズル受け４２に設けられたＯリング溝３９，４６の幅は、前記ノズル３５の傾斜角度に合わせ、Ｏリング４７の直径より幅広くすることが推奨される。
　図１は、前記ノズル３５の可動性を保ちながらノズル受け４２に保持するＯリング４７の断面図である。
　図１２は、ノズル３５、ノズル受け４２、およびＯリング４７を用いて形成された本発明ノズルユニット５２の断面図である。ノズル３５がノズル受け４２に嵌合されると、それぞれシール部接触面４８，４９が密に接触し、ガスの漏れを防ぐことができる。前記ノズル３５は、ノズル受け４２から取り外し司能なため、保守性も良く、各種のブリージングフィルターの通気開口に合うノズルと交換することができる。
　図１３は、本発明ノズルユニット５２をパージ装置１６に装着し、ＦＯＵＰ１１をＮ２ガスパージする時の連結部の断面図である。洗浄・乾燥により傾斜したＦＯＵＰ１１の底部１２により、ブリージングフィルターユニット１の通気開ロ５は傾斜している。ノズル３５の回転により、ノズル先端部３６は傾斜した通気開口５に密着しているため、Ｏリング４７からのアウトガス５０はシール部接触面４８，４９で遮断される。また、アウトガス５０は、ガス通路３８には混入されず外部に放出される。
　図１４は、本発明ノズルユニット５２を装着したパージ装置１６によるＦＯＵＰ１１をＮ２ガスパージ性能試験状況を示す。ＦＯＵＰ１内のウエハ１４の上に酸素濃度計５４が設置されている。パージによるＦＯＵＰ１１内の酸素濃度の変化を測定し、Ｎ２ガスの濃度変化に換算している。
　図１５は、従来のノズルを使用した時と、本発明ノズルユニットを使用した時のパージ時間の比較を示す。本発明のノズルユニットを使用することにより、ＦＯＵＰ１のブリージングフィルターユニットとノズルユニット５２との連結部からのガスの漏れが、完全に防げた結果、パージ時間が大幅に短縮されることを立証することができた。
　本明細書および図面で用いた符号を以下にまとめて示す。

１　　　Ｎ２ガス供給側ブリージングフィルターユニット
２　　　Ｎ２ガス供給側上部開口部
３　　　Ｎ２ガス供給側フィルター
４　　　Ｎ２ガス供給側シャッター
５　　　Ｎ２ガス供給側通気開口
６　　　残瑠ガス排気側ブリージングフィルターユニット
７　　　残瑠ガス排気側上部開口部８残瑠ガス排気側フィルター
９　　　残瑠ガス排気側シャッター
１０　　残瑠ガス排気側通気開ロ
１１　　ＦＯＵＰ１２底部
１３　　ドア
１４　　ウエハ
１５　　ウエハ間隙間
１６　　Ｎ２ガスパージ装置１７ＦＯＵＰ搭載部
１８　　キネマピン
１９　　従来のＮ２ガス供給側ノズル２０従来の残瑠ガス排気側ノズル
２１　　Ｎ２ガス供給口
２２　　残瑠ガス排気口２３電磁バルブ制御盤
２４　　ケーブル２５Ｎ２ガス
２６　　残瑠ガス
２７　　Ｎ２ガス供給源
２８　　排気ダクト
２９　　従来のＮ２ガス供給側ノズル先端
３０　　隙間
３１　　傾斜角
３２　　漏洩Ｎ２ガス３３バネ
３４　　中心のずれ
３５　　本発明のノズル
３６　　本発明のノズル先端部
３７　　本発明のノズル半球面シール部３８本発明のノズルガス通路
３９　　本発明のノズルＯリング溝
４０　　本発明のノズルシール部球面半径
４１　　本発明のノズル長さ
４２　　本発明のノズル受け
４３　　本発明のノズル受け凹型半球面シール部
４４　　本発明のノズル受け凹型シール部球面半径
４５　　本発明のノズル受けガス通路
４６　　本発明のノズル受けＯリング溝
４７　　Ｏリング断面
４８　　本発明のノズル半球面シール部接触面
４９　　本発明のノズル受け凹型半球面シール部接触面
５０　　Ｏリングからのアウトガス５１本発明のノズル回転中心
５２　　本発明のノズルユニット５３シールゴム
５４　　酸素濃度計

Claims (2)

  1. 　半導体製造ラインにおいて、ＦＯＵＰ（半導体ウエハ収納容器）内部をＮ２ガスで充満させるＮ２ガス供給ノズルと排気ノズルを備えたＮ２ガスパージ装置の、該Ｎ２ガス供給ノズルと該排気ノズルに適用するノズルユニットであって、
    　前記ＦＯＵＰの底部にはブリージングフィルターユニットが設けられ、
    　該ブリージングフィルターユニットにはＮ２ガス供給側通気開口と残留ガス排気側通気開口が設けられ、
    　前記ＦＯＵＰを前記Ｎ２ガスパージ装置に搭載したとき、前記Ｎ２ガス供給側通気開口と前記Ｎ２ガス供給ノズルとが連結されると共に、前記残留ガス排気側通気開口と前記排気ノズルとが連結され、
    　前記Ｎ２ガス供給ノズルによりＦＯＵＰ内部にＮ２ガスを供給し、前記排気ノズルにより前記ＦＯＵＰ内部の残留ガスを排出して該ＦＯＵＰ内部をＮ２ガスで充満させるものであり、
    　前記ノズルユニットは、
    　上部にブリージングフィルターユニットの通気開口に密着するノズル先端部、下部に半球面シール部を備えると共に、上部と下部をガス通路が貫通した構造のノズルと、
    　上部に前記ノズルの半球面シール部を受けて保持するための凹型半球面シール部を備え、且つ中心にガス通路を備えたノズル受けと、
    　を具備し、
    　前記ノズルの可動性を維持したまま、該ノズルを前記ノズル受けに保持するために、該ノズルと該ノズル受けのそれぞれに０リング溝が設けられると共に、保持用Ｏリングを具備することを特徴とするノズルユニット。
  2. 　前記ノズルの下部の半球面シール部と、前記ノズル受けの凹型半球面シール部のそれぞれの半球面が同一球半径Ｒを有し、該ノズルの長さＬと球半径Ｒとの関係は２Ｒ≒Ｌであり、該ノズルと該ノズル受けに設けられたＯリング溝の幅は、該ノズル受けの凹型半球面シール部上をノズルが半球中心を支点に回転できるように、ノズルの傾き角度にあわせ、Ｏリングの直径より幅広くすることを特徴とする、請求項１に記載のノズルユニット。
PCT/JP2012/052715 2011-02-08 2012-02-07 Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット Ceased WO2012108418A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-040792 2011-02-08
JP2011040792A JP5815959B2 (ja) 2011-02-08 2011-02-08 Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012108418A1 true WO2012108418A1 (ja) 2012-08-16

Family

ID=46638631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/052715 Ceased WO2012108418A1 (ja) 2011-02-08 2012-02-07 Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5815959B2 (ja)
WO (1) WO2012108418A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105474380A (zh) * 2013-08-20 2016-04-06 村田机械株式会社 气体清洗装置及气体清洗方法
FR3058562A1 (fr) * 2016-11-07 2018-05-11 Pfeiffer Vacuum Dispositif et procede de controle de l'etancheite d'une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs
CN108689066A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 株式会社大福 收纳架
US10453723B2 (en) 2014-11-12 2019-10-22 Miraial Co., Ltd. Gas purge filter

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5887719B2 (ja) 2011-05-31 2016-03-16 シンフォニアテクノロジー株式会社 パージ装置、ロードポート、ボトムパージノズル本体、ボトムパージユニット
JP6323245B2 (ja) * 2014-08-08 2018-05-16 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
JP5776828B1 (ja) 2014-08-08 2015-09-09 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
JP6565336B2 (ja) 2015-05-28 2019-08-28 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
JP6600853B2 (ja) * 2016-01-15 2019-11-06 信越ポリマー株式会社 樹脂部材の製造方法、筐体部材の製造方法及び基板収納容器の製造方法
KR101776486B1 (ko) 2016-04-07 2017-09-08 현대자동차주식회사 차량의 배기정화장치 및 그 제어방법
JP7125000B2 (ja) 2018-03-13 2022-08-24 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP6519897B2 (ja) * 2018-04-10 2019-05-29 シンフォニアテクノロジー株式会社 パージノズルユニット、ロードポート
JP6882698B2 (ja) * 2019-04-24 2021-06-02 シンフォニアテクノロジー株式会社 パージノズルユニット、ロードポート
JP7741645B2 (ja) 2020-05-26 2025-09-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー パージノズルアセンブリおよびパージノズルアセンブリを備える半導体処理アセンブリ
CN121866889A (zh) * 2023-07-21 2026-04-14 恩特格里斯公司 将气体分配到容器的方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05318368A (ja) * 1992-05-18 1993-12-03 Tokyo Electron Yamanashi Kk 吸着搬送装置
WO2004100254A1 (ja) * 2003-05-06 2004-11-18 Olympus Corporation 基板吸着装置
JP2007022758A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Ckd Corp 板状ワークの移載装置
JP2010182747A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Dan Takuma:Kk 保管システムおよび保管方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05318368A (ja) * 1992-05-18 1993-12-03 Tokyo Electron Yamanashi Kk 吸着搬送装置
WO2004100254A1 (ja) * 2003-05-06 2004-11-18 Olympus Corporation 基板吸着装置
JP2007022758A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Ckd Corp 板状ワークの移載装置
JP2010182747A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Dan Takuma:Kk 保管システムおよび保管方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105474380A (zh) * 2013-08-20 2016-04-06 村田机械株式会社 气体清洗装置及气体清洗方法
CN105474380B (zh) * 2013-08-20 2017-10-31 村田机械株式会社 气体清洗装置及气体清洗方法
US10453723B2 (en) 2014-11-12 2019-10-22 Miraial Co., Ltd. Gas purge filter
TWI686232B (zh) * 2014-11-12 2020-03-01 日商未來兒股份有限公司 氣體淨化用過濾器
FR3058562A1 (fr) * 2016-11-07 2018-05-11 Pfeiffer Vacuum Dispositif et procede de controle de l'etancheite d'une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs
WO2018083312A1 (fr) * 2016-11-07 2018-05-11 Pfeiffer Vacuum Dispositif et procédé de contrôle de l'étanchéité d'une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmosphérique de substrats semi-conducteurs
CN109937473A (zh) * 2016-11-07 2019-06-25 普发真空公司 控制用于半导体基板的传送和大气存储的运送盒的密封性的装置和方法
JP2019533907A (ja) * 2016-11-07 2019-11-21 ファイファー バキユーム 半導体基板を搬送および大気圧下で保管するための輸送用密閉容器の気密性を制御する装置および方法
TWI753040B (zh) * 2016-11-07 2022-01-21 法商普發真空公司 用於控制針對半導體基板之輸送及大氣儲存的傳輸外殼之緊密性的裝置及方法
JP7041144B2 (ja) 2016-11-07 2022-03-23 ファイファー バキユーム 半導体基板を搬送および大気圧下で保管するための輸送用密閉容器の気密性を制御する装置および方法
US11430681B2 (en) 2016-11-07 2022-08-30 Pfeiffer Vacuum Device and method for controlling the tightness of a transport enclosure for the conveyance and atmospheric storage of semiconductor substrates
CN108689066A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 株式会社大福 收纳架

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012164948A (ja) 2012-08-30
JP5815959B2 (ja) 2015-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012108418A1 (ja) Ｎ２ガスパージ装置におけるノズルユニット
US10930537B2 (en) Door opening/closing system, and load port equipped with door opening/closing system
US10947063B2 (en) Load port
JP5925474B2 (ja) ウエハ処理装置
US20090029046A1 (en) Substrate processing apparatus, method for processing substrate, and storage medium
TW202102416A (zh) 基板容器系統
US9598767B2 (en) Gas processing apparatus
TW201830562A (zh) 基板處理裝置
WO2012014940A1 (ja) Ｎ2ガスパージ用ブリージングフィルターユニットおよび該フィルターユニットを搭載した半導体ウエハ収納容器をｎ2ガスパージするパージ装置
JP7041144B2 (ja) 半導体基板を搬送および大気圧下で保管するための輸送用密閉容器の気密性を制御する装置および方法
CN111799200A (zh) 输送装置、工件处理装置、输送装置的控制方法、存储程序的记录介质
TWI773536B (zh) 基板容器系統
TW201924788A (zh) 計量及檢驗系統內之局部清洗
JP2024137664A (ja) 気体弁蓋および其れを応用する基板キャリア
KR102101413B1 (ko) 파티클 측정장치
JP2000100907A (ja) 基板処理装置
JP6323245B2 (ja) ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
CN116195035A (zh) 基板处理装置和声音传感器用防水装置
US20250091024A1 (en) Opening/closing mechanism, exhaust switching mechanism, and substrate processing device
TWM584983U (zh) 充氣系統
TW202548415A (zh) 充氣盤結構
TW202601272A (zh) 充氣頭及含充氣頭之充氣模組
KR102113276B1 (ko) 가스공급용 노즐패드 및 이를 구비한 웨이퍼 용기의 가스공급장치
KR20250069560A (ko) 반도체 기판을 운반하는 캐리어의 기상 오염을 측정하는 측정 장치 및 관련 측정 방법
KR20050026767A (ko) 반도체 설비의 배기장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12744614

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12744614

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1