WO2012147322A1 - 表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012147322A1
WO2012147322A1 PCT/JP2012/002764 JP2012002764W WO2012147322A1 WO 2012147322 A1 WO2012147322 A1 WO 2012147322A1 JP 2012002764 W JP2012002764 W JP 2012002764W WO 2012147322 A1 WO2012147322 A1 WO 2012147322A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
layer
display
display device
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/002764
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健司 御園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US14/113,635 priority Critical patent/US9239495B2/en
Publication of WO2012147322A1 publication Critical patent/WO2012147322A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G02F1/133325—Assembling processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Definitions

  • the present invention relates to a display device, an electronic device including the display device, and a method for manufacturing the display device, and more particularly to a technique for narrowing the frame of the display device.
  • a display region for displaying an image and a frame region around the display region are respectively defined, and there is a constant demand for narrowing the frame region to reduce the width of the frame region.
  • Patent Document 1 discloses a liquid crystal display device in which an FPC (Flexible Printed Circuit) is bonded to an end surface of a transparent substrate in a state where the FPC is flexibly folded along the end surface of the transparent substrate.
  • FPC Flexible Printed Circuit
  • Patent Document 2 of the plurality of parallel display electrodes, half of the first parallel display electrodes are drawn out to the first terminal portion side at one end of the substrate and are provided at the first terminal portion.
  • the other half of the second parallel display electrode is drawn out to the second terminal portion side of the other end of the substrate and connected to another electrode terminal provided in the first terminal portion via an external wiring.
  • a liquid crystal display panel is disclosed.
  • Patent Document 3 a through-hole penetrating in the substrate thickness direction is formed in a region of the active matrix substrate facing an input side terminal of a driver IC (Integrated Circuit), and the FPC is formed from the back side of the active matrix substrate.
  • a display device connected to a terminal on the input side of a driver IC through a through hole is disclosed.
  • a terminal region is provided along at least one side of a frame-shaped frame region defined around a rectangular display region.
  • the terminal region is generally an active matrix substrate that protrudes from the counter substrate (on the counter substrate side) among the active matrix substrate and the counter substrate that are arranged to face each other, for example, constituting the display device. It is provided on the surface.
  • An electronic component such as an IC chip or FPC for driving the display device is mounted in the terminal region of the display device. For this reason, in the conventional display device, it is necessary to secure an area for mounting the driving electronic component in the terminal region. Therefore, the narrowing of the frame has a limit due to the mounting of the electronic component.
  • the present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to make the width of the frame area as narrow as possible.
  • the peripheral edges of the first substrate and the second substrate facing each other are provided so as to coincide with each other, and the flexible substrate extends to the outside from between the frame region of the first substrate and the sealing material.
  • the electronic component for driving is mounted on the resin substrate layer having the property.
  • a display device is provided so as to face each other and have their peripheral edges coincide with each other, and a glass first substrate and a second substrate each having a display area for displaying an image, respectively.
  • a glass first substrate and a second substrate each having a display area for displaying an image, respectively.
  • the first substrate and the second substrate Provided between the first substrate and the second substrate, provided between the display medium layer disposed in the display area, and the first substrate and the second substrate, and defined along each peripheral edge.
  • the first substrate and the second substrate are bonded to each other, and a sealing material for encapsulating the display medium layer between the first substrate and the second substrate, and the frame of the first substrate
  • a flexible resin substrate layer provided so as to extend to the outside from between the region and the sealing material and a driving electronic component mounted on the resin substrate layer are provided.
  • the peripheral ends of the glass first substrate and the second substrate facing each other coincide with each other, for example, on the counter substrate side of the active matrix substrate protruding from the counter substrate.
  • a flexible resin substrate layer is provided so as to extend from between the frame area of the first substrate and the sealing material, and an electronic component for driving is provided on the resin substrate layer.
  • the frame area does not include the area where the driving electronic components are mounted, and is substantially only the area where the sealing material is disposed on the first substrate and the second substrate. Can be made as narrow as possible.
  • the display medium layer is a liquid crystal layer
  • a backlight is provided on the opposite side of the first substrate to the display medium layer
  • the electronic component is provided on the opposite side of the backlight from the first substrate. It may be done.
  • the driving electronic component mounted on the resin substrate layer is provided on the opposite side of the first substrate of the backlight, the driving electronic component is not affected without affecting the image display. Are arranged so as to overlap the display area.
  • an electronic apparatus includes a plurality of the display devices described above, and the plurality of display devices are provided in a matrix.
  • the joint between the display devices is not conspicuous by arranging a plurality of display devices in a matrix. Realize (seamless) large-screen electronic devices (multi-display).
  • an electronic apparatus has a pair of the display devices described above, and the pair of display devices are provided so as to be foldable.
  • the pair of display devices can be foldably connected to enable spread (a pair of display devices
  • An electronic device electronic tablet
  • a narrow frame which can be expanded like a book and displayed on two screens
  • a first original substrate is manufactured by forming a display region for displaying an image on a glass substrate and a resin substrate layer having flexibility outside the display region.
  • a sealing material is disposed around the first substrate and the second substrate are bonded to each other so that the display regions overlap each other through the sealing material and a display medium layer disposed inside the sealing material.
  • a substrate removal step of preparing a first substrate to match the peripheral end of the second substrate By removing the outside portion of the sealing material of the plate, the peripheral end and a substrate removal step of preparing a first substrate to match the peripheral end of the second substrate.
  • the peripheral edge of the first substrate manufactured in the substrate removing process and the peripheral edge of the second substrate manufactured in the second substrate manufacturing process are coincident with each other.
  • a resin substrate layer is formed outside the display region of the first original substrate, and in the mounting step after the bonding step, The electronic component for driving is mounted on the surface of the resin substrate layer formed on the substrate, and the glass substrate placed on the back surface of the resin substrate layer on which the electronic component is mounted is partially removed in the substrate removal step. become.
  • the glass substrate is disposed on the back surface of the resin substrate layer when mounting the electronic component, the electronic component is reliably mounted on the resin substrate layer. After the electronic component is mounted, the glass substrate disposed on the back surface of the resin substrate layer is removed, so that the flexible resin substrate layer is easily deformed and affects the image display in the apparatus. It becomes easy to be accommodated in a space that is not given.
  • the frame area does not include the area where the driving electronic components are mounted, and is substantially only the area where the sealing material is disposed on the first substrate and the second substrate. Can be made as narrow as possible.
  • the resin substrate layer and the glass substrate to be removed may be peeled off by irradiating laser light from the back side of the resin substrate layer.
  • the resin substrate layer and the glass substrate to be removed are peeled off by irradiating the laser beam from the back side of the resin substrate layer. Peeling occurs at the interface between the glass substrate and the resin substrate layer due to the specific phenomenon of ablation (decomposition / vaporization of the film due to heat absorption) due to the absorption of laser light at the portion of the interface on the resin substrate layer side. become.
  • a flexible resin substrate that is provided so that the peripheral ends of the first substrate and the second substrate facing each other coincide with each other and extends to the outside from between the frame region of the first substrate and the sealing material. Since the driving electronic component is mounted on the layer, the width of the frame region can be reduced as much as possible.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a liquid crystal display panel constituting the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view showing a resin substrate layer constituting the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating effects of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of a multi-display including the liquid crystal display device according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the multi-display along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of an electronic tablet including the liquid crystal display device according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is another cross-sectional view of an electronic tablet including the liquid crystal display device according to the third
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 5 show Embodiment 1 of a display device and a manufacturing method thereof according to the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel 40 constituting the liquid crystal display device 50.
  • FIG. 3 is a plan view showing the resin substrate layer 7 constituting the liquid crystal display device 50.
  • FIG. 4 is an explanatory view showing the method for manufacturing the liquid crystal display device 50 in cross section.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing the effect of the liquid crystal display device 50.
  • the liquid crystal display device 50 is provided between the liquid crystal display panel 40, the backlight 45 provided on the lower side of the liquid crystal display panel 40 in the figure, and the liquid crystal display panel 40 and the backlight 45.
  • An optical sheet (not shown) such as a diffusion sheet, a resin substrate layer 7 provided so as to extend from one end of the liquid crystal display panel 40, and electrons on the resin substrate layer 7 below the backlight 45 in the figure.
  • An IC chip 41 and an FPC 42 mounted as components, a liquid crystal display panel 40, a backlight 45, an optical sheet, a resin substrate layer 7, a plastic chassis 46 provided to accommodate the IC chip 41 and the FPC 42 therein, and It has.
  • the IC chip 41 generally represents an IC chip 41a (see FIG. 3) for a gate driver, which will be described later, and an IC chip 41b (see FIG. 3) for a source driver.
  • the liquid crystal display panel 40 includes an active matrix substrate 20 provided as a first substrate, a counter substrate 30 provided as a second substrate so as to face the active matrix substrate 20,
  • the liquid crystal layer 25 provided as a display medium layer between the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 and the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 are bonded to each other, and the liquid crystal layer is interposed between the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30.
  • the liquid crystal display panel 40 is provided around a rectangular display area D in which a plurality of subpixels, which are minimum units of an image, are arranged in a matrix, and around the display area D.
  • the liquid crystal display panel 40 has polarizing plates (not shown) attached to the front and back surfaces, respectively.
  • the peripheral edges of the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 are coincident with each other.
  • the fact that the peripheral edges of the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 coincide with each other means that the deviation width of each peripheral edge in plan view is about ⁇ 0.2 mm or less.
  • the active matrix substrate 20 includes an insulating substrate 10a such as a glass substrate, a plurality of gate lines 11 provided on the insulating substrate 10a so as to extend in parallel to each other, and each gate line 11.
  • a gate insulating film 12 provided so as to cover the gate line
  • a plurality of source lines 14 provided on the gate insulating film 12 so as to extend in parallel to each other in a direction orthogonal to the gate lines 11, and the gate lines 11 and
  • a plurality of TFTs (Thin Film5Transistors) 5 provided for each intersection of the source lines 14, that is, for each subpixel, an interlayer insulating film 15 provided so as to cover each TFT 5, and the interlayer insulating film 15
  • a capacitor line constituting an auxiliary capacitor may be provided between a pair of adjacent gate lines 11.
  • the plurality of gate lines 11 extend in parallel in the horizontal direction in the drawing in the display region D, and are converged and led out to the resin substrate layer 7 side of the frame region F.
  • the gate driver IC chip 41a is connected via the pattern 18ba.
  • the plurality of source lines 14 extend parallel to each other in the vertical direction in the drawing in the display region D, and are converged and drawn to the resin substrate layer 7 side of the frame region F.
  • the source driver IC chip 41b is connected via the pattern 18bb.
  • the TFT 5 includes a gate electrode 11a provided on the insulating substrate 10a, a gate insulating film 12 provided so as to cover the gate electrode 11a, and the gate electrode 11a overlying the gate insulating film 12.
  • the semiconductor layer 13 provided in an island shape and the source electrode 14a and the drain electrode 14b provided on the semiconductor layer 13 so as to be separated from each other are provided.
  • the multilayer laminated film up to the interlayer insulating film 15 on the insulating substrate 10 a is referred to as a TFT array layer 16, and the pixel electrode 18 a is formed on the TFT array layer 16.
  • the multilayer laminated film up to the pixel electrode 18a on the insulating substrate 10a is referred to as a pixel electrode array layer 6.
  • the gate electrode 11a is, for example, a portion in which each gate line 11 protrudes laterally for each subpixel.
  • the semiconductor layer 13 is provided on, for example, an intrinsic amorphous silicon layer (not shown) having a channel region and an intrinsic amorphous silicon layer so that the channel region is exposed, and n connected to the source electrode 14a and the drain electrode 14b, respectively. + An amorphous silicon layer (not shown).
  • the source electrode 14a is, for example, a portion in which each source line 14 protrudes laterally for each subpixel.
  • the drain electrode 14b is connected to the pixel electrode 18a through a contact hole (not shown) formed in the interlayer insulating film 15.
  • the counter substrate 30 includes an insulating substrate 10 b such as a glass substrate, a black matrix 21 provided in a lattice shape on the insulating substrate 10 b, and a red color provided between each lattice of the black matrix 21.
  • a plurality of colored layers 22 such as a layer, a green layer and a blue layer, a black matrix 21, a common electrode 23 provided so as to cover each colored layer 22, and a plurality of photo spacers provided in a column shape on the common electrode 23 (Not shown) and an alignment film (not shown) provided so as to cover the common electrode 23 and each photo spacer.
  • the liquid crystal layer 25 is made of a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.
  • the resin substrate layer 7 is provided so as to extend to the outside from between the frame region F of the active matrix substrate 20 and the sealing material 26. Further, as shown in FIG. 3, the resin substrate layer 7 includes a base material layer 17 made of a heat-resistant resin material, and wiring patterns 18 ba, 18 bb and 18 bc provided on the base material layer 17. . Furthermore, the resin substrate layer 7 has flexibility, and is bent along each end face of the insulating substrate 10a and the backlight 45 as shown in FIG. Here, the wiring pattern 18bc is configured to connect the IC chip 41a for the gate driver, the IC chip 41b for the source driver, and the FPC.
  • the backlight 45 is provided on a light guide plate (not shown), a light source (not shown) such as an LED (Light Emitting Diode) provided along one side surface of the light guide plate, and a back surface side of the light guide plate. And a reflective sheet (not shown).
  • a light source such as an LED (Light Emitting Diode) provided along one side surface of the light guide plate, and a back surface side of the light guide plate.
  • a reflective sheet not shown.
  • the chassis 46 is provided with an opening so that the display area D of the liquid crystal display panel 40 is exposed.
  • the liquid crystal display device 50 configured as described above applies a predetermined voltage for each subpixel to the liquid crystal layer 25 disposed between each pixel electrode 18a on the active matrix substrate 20 and the common electrode 23 on the counter substrate 30.
  • the transmittance of light from the backlight 45 is adjusted to each sub-pixel to display an image.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device 50 of the present embodiment includes an active matrix original substrate manufacturing process, a counter substrate manufacturing process, a bonding process, a mounting process, and a substrate removing process.
  • 4 (a) to 4 (e) indicate a large mother glass, and the liquid crystal display device 50 of this embodiment is manufactured by multi-chamfering in which a plurality of cells are simultaneously manufactured. Which indicates that.
  • a molybdenum film (thickness of about 150 nm) is formed on the entire substrate of the insulating substrate 10aa such as a glass substrate having a thickness of about 0.7 mm by sputtering, for example, and then the molybdenum film is applied to the molybdenum film.
  • the gate line 11 and the gate electrode 11a are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling and cleaning.
  • a silicon nitride film (having a thickness of about 100 nm to 600 nm) is formed on the entire substrate on which the gate line 11 and the gate electrode 11a are formed, for example, by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. 12 is formed.
  • an intrinsic amorphous silicon film (thickness of about 100 nm) and a phosphorus-doped n + amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) are sequentially formed on the entire substrate on which the gate insulating film 12 is formed, for example, by plasma CVD.
  • the semiconductor layer forming portion (13) is formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the laminated film of the intrinsic amorphous silicon film and the n + amorphous silicon film.
  • a titanium film (thickness of about 20 nm to 150 nm), an aluminum film (thickness of about 50 nm to 400 nm), and the like are sequentially formed on the entire substrate on which the semiconductor layer forming portion (13) has been formed by, for example, sputtering.
  • the source line 14, the source electrode 14a, and the drain electrode 14b are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the metal laminated film.
  • the n + amorphous silicon film in the semiconductor layer forming portion is etched to form a channel region, and the semiconductor layer 13 and the TFT 5 including the semiconductor layer 13 are formed. .
  • the interlayer insulating film 15 is formed.
  • the TFT array layer 16 (see FIG. 4A) is formed on the insulating substrate 10aa.
  • polyamic acid is applied to the outside of the display region D of the insulating substrate 10aa on which the TFT array layer 16 is formed, for example, using an offset printing machine, a plurality of times (for example, about three times) and pre-baked (for example, By performing main baking (for example, about 90 minutes at 300 ° C. in an oven in a nitrogen atmosphere) on a hot plate, the thickness is 4 ⁇ m to 10 ⁇ m as shown in FIG.
  • a base material layer 17 made of about a polyimide resin is formed.
  • the method of forming the base material layer by applying polyamic acid using an offset printing machine is exemplified.
  • the polyamic acid is applied only to the formation area.
  • a base material layer is formed by applying an acid, or once forming a heat-resistant polymer resin film on a film material such as PEN (Polyethylene Naphthalate), and then transferring the polymer resin film to a predetermined area.
  • PEN Polyethylene Naphthalate
  • polyamic acid undergoes a dehydration cyclization (imidization) reaction by heating at 200 ° C. or higher.
  • the firing temperature is preferably 240 ° C. or higher, and more preferably 300 ° C. or higher in consideration of the constituent material of the wiring formed on the base material layer and the formation conditions (high temperature, vacuum, etc.).
  • a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film is formed on the entire substrate on which the base material layer 17 is formed, for example, by sputtering.
  • the transparent conductive film is subjected to photolithography, etching, and resist peeling and cleaning, so that the pixel electrode 18a and the wiring pattern 18b (18ba) are obtained as shown in FIGS. , 18bb and 18bc), the pixel electrode array layer 6 and the resin substrate layer 7 are formed.
  • the pixel electrode array layer 6 and the resin substrate layer 7 are simplified and shown in an elongated rectangular shape in FIG.
  • the wiring patterns 18ba, 18bb and 18bc generally shows the wiring patterns 18ba, 18bb and 18bc.
  • the wiring patterns 18ba, 18bb, and 18bc formed using the transparent conductive film are exemplified.
  • the wiring patterns 18ba, 18bb, and 18bc are formed of the transparent conductive film and a metal film such as an aluminum film or a titanium film. It is also possible to form using a laminated film.
  • the coating film is baked and rubbed. Then, an alignment film is formed.
  • ⁇ Counter mother substrate manufacturing process> First, for example, after a photosensitive resin colored in black is applied to the entire substrate of the insulating substrate 10b such as a glass substrate having a thickness of about 0.7 mm by, for example, spin coating or slit coating, the coating film is applied. On the other hand, by performing exposure, development and baking, the black matrix 21 is formed with a thickness of about 1.0 ⁇ m.
  • a photosensitive resin colored, for example, red, green, or blue is applied to the entire substrate on which the black matrix 21 is formed, for example, by spin coating or slit coating, and then applied to the coating film.
  • a colored layer 22 for example, a red layer
  • a selected color is formed to a thickness of about 2.0 ⁇ m.
  • the same process is repeated for the other two colors to form the other two colored layers 22 (for example, a green layer and a blue layer) with a thickness of about 2.0 ⁇ m.
  • a transparent electrode such as an ITO film or an IZO film is formed with a thickness of about 50 nm to 200 nm on the entire substrate on which each colored layer 22 is formed, for example, by sputtering, thereby forming the common electrode 23. .
  • a photosensitive resin film made of photosensitive acrylic resin or the like is formed to the entire substrate on which the common electrode 23 is formed, for example, by spin coating or slit coating.
  • a photo spacer is formed to a thickness of about 4.0 ⁇ m.
  • an alignment film is formed by baking and rubbing the applied film.
  • ⁇ Bonding process> First, for example, on the surface of the large-sized active matrix original substrate (20a) manufactured in the active matrix original substrate manufacturing step, as shown in FIG. After the sealing material 26 made of a combination resin of ultraviolet) curing and thermosetting is printed in a frame shape, the liquid crystal material 25 a is dropped inside each sealing material 26.
  • the large-sized active matrix original substrate (20a) on which the liquid crystal material 25a is dropped and the large-sized counter substrate (30) manufactured in the counter substrate manufacturing process are overlapped with each other in the display areas D.
  • the surface and the back surface of the large bonding body (40a) are pressurized by releasing the bonded large bonding body (40a) to atmospheric pressure.
  • each sealing material 26 is cured by heating the large-sized bonding body (40a).
  • the large-sized bonded body 40a in which the sealing material 46 is cured is divided into cell units by dicing, for example, so that the active matrix raw material divided into cell units is divided as shown in FIG.
  • substrate 30 is produced.
  • ⁇ Mounting process> On the surface of the resin substrate layer 7 formed on the active matrix original substrate 20a of the bonded body 40a produced in the bonding process, as shown in FIG. 4 (f), for example, via an ACF (Anisotropic Conductive Film).
  • the IC chip 41 (the IC chip 41a for the gate driver and the IC chip 41b for the source driver) and the FPC 42 are mounted.
  • the active matrix original substrate 20a of the bonded body 40a on which the IC chip 41 and the FPC 42 are mounted in the above mounting process has a wavelength of 308 nm emitted from a XeCl excimer laser.
  • ablation by absorption of the laser beam L (decomposition / vaporization of the film by heat absorption) at the portion of the interface between the insulating substrate 10aa and the resin substrate layer 7 on the resin substrate layer 7 side.
  • a phenomenon is caused, and the resin substrate layer 7 and the insulating substrate 10aa are partially separated.
  • the region irradiated with the laser beam L is a region of the active matrix original substrate 20a protruding from the counter substrate 30 (see the broken line portion in FIG. 4G).
  • the optical sheet and the backlight 45 are disposed on the active matrix substrate 20 side of the liquid crystal display panel 40, and the resin substrate layer 7 is bent along each end face of the active matrix substrate 20 and the backlight 45, so that the resin substrate layer 7 is formed.
  • the liquid crystal display panel 40, the backlight 45, and the like are accommodated in the chassis 46 and fixed.
  • the liquid crystal display device 50 of the present embodiment can be manufactured.
  • the peripheral edge of the active matrix substrate 20 manufactured in the substrate removal step and the counter substrate manufacturing step (later bonding)
  • the surface of the active matrix substrate 120 protruding from the counter substrate 130 in the liquid crystal display device 150 of FIG. 5 on the counter substrate 130 side is aligned with the peripheral edge of the counter substrate 30 (divided for each cell unit in the combined process).
  • the liquid crystal display device 150 of the comparative example includes an active matrix substrate 120 in which a pixel electrode array layer 106 is formed on an insulating substrate 110, and a counter substrate 130 provided to face the active matrix substrate 120.
  • liquid crystal display panel 140 having a liquid crystal layer 125 sealed between both the substrates 120 and 130 with a sealant 126 interposed therebetween, a backlight 145 provided on the back side of the liquid crystal display panel 140, and a liquid crystal display panel IC chip 141 and FPC 142 mounted on 140, and liquid crystal display panel 140, backlight 145, chassis 146 provided to accommodate IC chip 141 and FPC 142 inside, display area D and the left side in the figure
  • the structure of the frame region F is substantially the same as that of the liquid crystal display device 50 of the present embodiment.
  • the resin is placed outside the display region D of the active matrix original substrate 20a.
  • the substrate layer 7 is formed, and in the mounting step after the bonding step, the driving IC chip 41 and the FPC 42 are mounted on the surface of the resin substrate layer 7 formed on the active matrix original substrate 20a, and in the substrate removing step, The insulating substrate 10aa disposed on the back surface of the resin substrate layer 7 on which the IC chip 41 and the FPC 42 are mounted is partially removed.
  • the frame region F does not include the region where the IC chip 41 and the FPC 42 are mounted, and is substantially only the region where the sealing material 26 in the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 is disposed.
  • the width of the region F can be made as narrow as possible, and the outer size can be made compact.
  • the IC chip 41 and the FPC 42 mounted on the resin substrate layer 7 are provided on the opposite side of the active matrix substrate 20 of the backlight 45, the image display is affected.
  • the IC chip 41 and the FPC 42 can be arranged so as to overlap the display area D without giving the frame width, and the width of the frame area F can be made extremely narrow.
  • the TFT 5 is formed on the glass substrate, it is possible to suppress deterioration in characteristics of the TFT 5 due to the substrate to be formed.
  • the resin substrate layer 7 on which the IC chip 41 and the FPC 42 are mounted does not require transparency, optical isotropy, and the like.
  • the selectivity of can be expanded.
  • FIG. 6 is a plan view of a multi-display 60a provided with the liquid crystal display device 50 of this embodiment
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the multi-display 60a along the line VII-VII in FIG. .
  • the same portions as those in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the multi-display 60 a accommodates 3 ⁇ 4 (12) liquid crystal display devices 50 arranged in a matrix and each liquid crystal display device 50. And a metal frame 51 provided.
  • each liquid crystal display device 50 is fixed to the frame 51 with a metal screw or a plastic claw.
  • the frame 51 is configured to be disassembled into a plurality of parts, and can be freely changed in size according to the number of the liquid crystal display devices 50.
  • the multi-display 60a of the present embodiment in each liquid crystal display device 50, since the width of the frame region F is as small as possible, the plurality of liquid crystal display devices 50 are arranged in a matrix. By disposing, a so-called seamless large-screen electronic device in which the joint between the liquid crystal display devices 50 is not conspicuous can be realized.
  • each liquid crystal display device 50 is unitized by the plastic chassis 46, each liquid crystal display device 50 is excellent in the conveyance property, and the liquid crystal display device 50 at the time of conveyance is used. Can be prevented from being damaged.
  • each liquid crystal display device 50 is unitized, and the frame 51 is also configured to be disassembled. A large screen can be easily realized.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic tablet 60b provided with the liquid crystal display device 50 of the present embodiment in an expanded state.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the electronic tablet 60b in a folded state.
  • the electronic tablet 60 b includes a pair of liquid crystal display devices 50, a pair of housings 52 a and 52 b provided so as to accommodate the liquid crystal display devices 50, and housings 52 a and 52 b. And a hinge portion 53 provided to connect the two.
  • each liquid crystal display device 50 is fixed inside the casings 52a and 52b with metal screws, plastic claws, or the like.
  • the housings 52a and 52b are provided with openings so that the display area D of the liquid crystal display device 50 (liquid crystal display panel 40) is exposed.
  • the hinge portion 53 is capable of displaying on two screens: a screen of the liquid crystal display device 50 housed in the housing 52a and a screen of the liquid crystal display device 50 housed in the housing 52b.
  • the casings 52a and 52b are configured to be switchable (foldable openable / closable) so that the casings 52a and 52b are folded so as to face each other.
  • each liquid crystal display device 50 since the width of the frame region F is as small as possible, the pair of liquid crystal display devices 50 can be folded. By connecting, an electronic device with a narrow frame that can be spread (displayed on two screens) can be realized, and the outer size can be made compact.
  • the electronic tablet 60b in which the liquid crystal display device 50 including the chassis 46 is accommodated is illustrated.
  • the chassis 46 is omitted, and the liquid crystal display panel 40 and the backlight 45 are provided in the casings 52a and 52b. Etc. may be accommodated directly.
  • a liquid crystal display device is exemplified as the display device.
  • the present invention can also be applied to other display devices such as an organic EL (Electro-Luminescence) display device.
  • an active matrix drive type liquid crystal display device is exemplified, but the present invention can also be applied to a passive matrix drive type display device.
  • the method for manufacturing a liquid crystal display device using the ODF (One Drop Drop Fill) method is exemplified, but the present invention can also be applied to a method for manufacturing a liquid crystal display device using a vacuum injection method. .
  • an active matrix substrate in which a TFT electrode connected to a pixel electrode is used as a drain electrode is exemplified.
  • an active matrix in which a TFT electrode connected to a pixel electrode is referred to as a source electrode. It can also be applied to a substrate.
  • the present invention is useful for display devices that require a narrow frame.
  • D Display area F Frame area L Laser light 7 Resin substrate layers 10a and 10b Insulating substrate (glass substrate) 20 Active matrix substrate (first substrate) 20a Active matrix original substrate (first original substrate) 25 Liquid crystal layer (display medium layer) 26 Sealing material 30 Counter substrate (second substrate) 40a bonded body 41 IC chip (electronic component) 41a IC chip (electronic component) for gate driver 41b IC chip (electronic component) for source driver 42 FPC (electronic parts) 45 Backlight 60a Multi-display (electronic equipment) 60b Electronic tablet (electronic equipment)

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

　互いに対向すると共に互いの周端が一致するガラス製の第１基板（２０）及び第２基板（３０）と、両基板（２０、３０）の間の表示領域（Ｄ）に設けられた表示媒体層（２５）と、両基板（２０、３０）の間の額縁領域（Ｆ）で両基板（２０、３０）を互いに接着すると共に両基板（２０、３０）の間に表示媒体層（２５）を封入するシール材（２６）と、第１基板（２０）の額縁領域（Ｆ）及びシール材（２６）の間から外部に延びる可撓性の樹脂基板層（７）と、樹脂基板層（７）に実装された駆動用の電子部品（４１、４２）とを備えている。

Description

表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法に関し、特に、表示装置の狭額縁化技術に関するものである。
　液晶表示装置などの表示装置では、画像表示を行う表示領域、及びその周囲に額縁領域がそれぞれ規定され、額縁領域の幅を狭くする、狭額縁化が常に要望されている。
　例えば、特許文献１には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）が透明基板の端面に沿ってコンパクトに折り曲げられた状態でその透明基板の端面に接合部材により接着された液晶表示装置が開示されている。
　また、特許文献２には、複数の平行表示電極のうち、半分の第１平行表示電極が基板の一方端の第１端子部側に引き出されていると共に第１端子部に設けられた電極端子に接続され、残り半分の第２平行表示電極が基板の他方端の第２端子部側に引き出されていると共に外部配線を介して第１端子部に設けられた他の電極端子に接続された液晶表示パネルが開示されている。
　また、特許文献３には、ドライバＩＣ（Integrated Circuit）の入力側の端子に対向するアクティブマトリクス基板の領域に基板厚さ方向に貫通する貫通孔を形成し、ＦＰＣがアクティブマトリクス基板の裏面側から貫通孔を介してドライバＩＣの入力側の端子に接続された表示装置が開示されている。
特開２００５－１２２０７８号公報 特開２００６－２４３００８号公報 特開２００８－２７５８９４号公報
　ところで、液晶表示装置などの表示装置では、矩形状の表示領域の周囲に規定された枠状の額縁領域の少なくとも一辺に沿って端子領域が設けられている。ここで、端子領域は、一般的に、例えば、表示装置を構成する互いに対向するように配置されたアクティブマトリクス基板及び対向基板のうち、対向基板から突出するアクティブマトリクス基板の（対向基板側の）表面に設けられている。そして、表示装置の端子領域には、表示装置を駆動させるためのＩＣチップやＦＰＣなどの電子部品が実装されている。そのため、従来の表示装置では、端子領域に駆動用の電子部品を実装するための面積を確保することが必要であるので、狭額縁化には、電子部品の実装に起因する限界がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域の幅を可及的に狭くすることにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、互いに対向する第１基板及び第２基板の各周端を一致するように設け、第１基板の額縁領域及びシール材の間から外部に延びる可撓性を有する樹脂基板層に駆動用の電子部品を実装するようにしたものである。
　具体的に本発明に係る表示装置は、互いに対向すると共に、互いの周端が一致するように設けられ、画像表示を行う表示領域がそれぞれ規定されたガラス製の第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、上記表示領域に配置された表示媒体層と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、上記各周端に沿って規定された額縁領域において、該第１基板及び第２基板を互いに接着すると共に、該第１基板及び第２基板の間に上記表示媒体層を封入するためのシール材と、上記第１基板の上記額縁領域及び上記シール材の間から外部に延びるように設けられた可撓性を有する樹脂基板層と、上記樹脂基板層に実装された駆動用の電子部品とを備えている。
　上記の構成によれば、互いに対向するガラス製の第１基板及び第２基板の各周端が一致するように設けられているので、例えば、対向基板から突出するアクティブマトリクス基板の対向基板側の表面に規定された従来の端子領域が存在しない。そして、従来の端子領域の代わりに、第１基板の額縁領域及びシール材の間から外部に延びるように可撓性を有する樹脂基板層が設けられ、その樹脂基板層に駆動用の電子部品が実装されている。ここで、電子部品が実装された可撓性を有する樹脂基板層は、変形し易いので、装置内の画像表示に影響を与えない空間に収容され易い。これにより、額縁領域が、駆動用の電子部品が実装される領域を含まないで、実質的に、第１基板及び第２基板におけるシール材が配置される領域だけになるので、額縁領域の幅を可及的に狭くすることが可能になる。
　上記表示媒体層は、液晶層であり、上記第１基板の上記表示媒体層と反対側には、バックライトが設けられ、上記電子部品は、上記バックライトの上記第１基板と反対側に設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、樹脂基板層に実装された駆動用の電子部品がバックライトの第１基板と反対側に設けられているので、画像表示に影響を与えることなく、駆動用の電子部品が表示領域に重なるように配置される。
　また、本発明に係る電子機器は、上述した表示装置を複数有し、上記複数の表示装置は、マトリクス状に設けられている。
　上記の構成によれば、各表示装置において、額縁領域の幅が可及的に狭くなっているので、複数の表示装置をマトリクス状に配置することにより、各表示装置の間の継ぎ目が目立たない（シームレスの）大画面の電子機器（マルチディスプレイ）が実現する。
　また、本発明に係る電子機器は、上述した表示装置を一対有し、上記一対の表示装置は、折り畳み可能に連結するように設けられている。
　上記の構成によれば、各表示装置において、額縁領域の幅が可及的に狭くなっているので、一対の表示装置を折り畳み可能に連結することにより、見開きが可能な（一対の表示装置を本のように広げて２画面での表示が可能な）狭額縁の電子機器（電子タブレット）が実現する。
　また、本発明に係る表示装置の製造方法は、ガラス基板に画像表示を行う表示領域、及び該表示領域の外側に可撓性を有する樹脂基板層を形成することにより、第１原基板を作製する第１原基板作製工程と、ガラス基板に画像表示を行う表示領域を形成することにより、第２基板を作製する第２基板作製工程と、上記第１原基板又は第２基板の表示領域の周囲にシール材を配置し、上記第１原基板及び第２基板を上記シール材及び該シール材の内側に配置される表示媒体層を介して上記各表示領域が互いに重なるように貼り合わせることにより、貼合体を作製する貼合工程と、上記貼合体の第１原基板に形成された樹脂基板層の表面に駆動用の電子部品を実装する実装工程と、上記電子部品が実装された樹脂基板層の裏面に配置するガラス基板の上記シール材よりも外側の部分を除去することにより、周端が上記第２基板の周端に一致するように第１基板を作製する基板除去工程とを備える。
　上記の方法によれば、基板除去工程で作製された第１基板の周端と、第２基板作製工程で作製された第２基板の周端とが一致するので、例えば、対向基板から突出するアクティブマトリクス基板の対向基板側の表面に規定された従来の端子領域が存在しない。そして、従来の端子領域を配置する代わりに、第１原基板作製工程において、第１原基板の表示領域の外側に樹脂基板層を形成し、貼合工程の後の実装工程において、第１原基板に形成された樹脂基板層の表面に駆動用の電子部品を実装し、基板除去工程において、電子部品が表面に実装された樹脂基板層の裏面に配置するガラス基板を部分的に除去することになる。ここで、電子部品を実装する際には、樹脂基板層の裏面にガラス基板が配置するので、電子部品が樹脂基板層に確実に実装される。そして、電子部品が実装された後には、樹脂基板層の裏面に配置するガラス基板が除去されるので、可撓性を有する樹脂基板層が、変形し易くなり、装置内の画像表示に影響を与えない空間に収容され易くなる。これにより、額縁領域が、駆動用の電子部品が実装される領域を含まないで、実質的に、第１基板及び第２基板におけるシール材が配置される領域だけになるので、額縁領域の幅を可及的に狭くすることが可能になる。
　上記基板除去工程では、上記樹脂基板層の裏面側からレーザー光を照射することにより、上記樹脂基板層と上記除去されるガラス基板とを剥離させてもよい。
　上記の方法によれば、基板除去工程において、樹脂基板層の裏面側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層と除去されるガラス基板とを剥離させるので、ガラス基板と樹脂基板層との界面の樹脂基板層側の部分において、レーザー光の吸収によるアブレーション（熱吸収による膜の分解／気化）現象が具体的に起こることにより、ガラス基板と樹脂基板層との界面において剥離が発生することになる。
　本発明によれば、互いに対向する第１基板及び第２基板の各周端が一致するように設けられ、第１基板の額縁領域及びシール材の間から外部に延びる可撓性を有する樹脂基板層に駆動用の電子部品が実装されているので、額縁領域の幅を可及的に狭くすることができる。
図１は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 図２は、実施形態１に係る液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの断面図である。 図３は、実施形態１に係る液晶表示装置を構成する樹脂基板層を示す平面図である。 図４は、実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法を断面で示す説明図である。 図５は、実施形態１に係る液晶表示装置の効果を示す説明図である。 図６は、実施形態２に係る液晶表示装置を備えたマルチディスプレイの平面図である。 図７は、図６中のVII－VII線に沿ったマルチディスプレイの断面図である。 図８は、実施形態３に係る液晶表示装置を備えた電子タブレットの断面図である。 図９は、実施形態３に係る液晶表示装置を備えた電子タブレットの他の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図５は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。具体的に、図１は、本実施形態の液晶表示装置５０の断面図である。また、図２は、液晶表示装置５０を構成する液晶表示パネル４０の断面図である。また、図３は、液晶表示装置５０を構成する樹脂基板層７を示す平面図である。また、図４は、液晶表示装置５０の製造方法を断面で示す説明図である。また、図５は、液晶表示装置５０による効果を示す説明図である。
　液晶表示装置５０は、図１に示すように、液晶表示パネル４０と、液晶表示パネル４０の図中下側に設けられたバックライト４５と、液晶表示パネル４０及びバックライト４５の間に設けられた拡散シートなどの光学シート（不図示）と、液晶表示パネル４０の一方の端部から延びるように設けられた樹脂基板層７と、バックライト４５の図中下側で樹脂基板層７に電子部品として実装されたＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２と、液晶表示パネル４０、バックライト４５、光学シート、樹脂基板層７、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２を内部に収容するように設けられたプラスチック製のシャーシ４６とを備えている。なお、ＩＣチップ４１は、後述するゲートドライバ用のＩＣチップ４１ａ（図３参照）、及びソースドライバ用のＩＣチップ４１ｂ（図３参照）を総じて示したものである。
　液晶表示パネル４０は、図１及び図２に示すように、第１基板として設けられたアクティブマトリクス基板２０と、アクティブマトリクス基板２０に対向するように第２基板として設けられた対向基板３０と、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間に表示媒体層として設けられた液晶層２５と、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０を互いに接着すると共に、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間に液晶層２５を封入するために設けられたシール材２６とを備えている。また、液晶表示パネル４０は、図１に示すように、各々、画像の最小単位である複数の副画素がマトリクス状に配置された矩形状の表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられ、シール材２６が配置された枠状の額縁領域Ｆとを備えている。さらに、液晶表示パネル４０は、その表面及び裏面に偏光板（不図示）がそれぞれ貼り付けられている。また、液晶表示パネル４０では、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の各周端が互いに一致している。ここで、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の各周端が互いに一致するとは、平面視での各周端のずれ幅が±０．２ｍｍ以下程度を意味する。
　アクティブマトリクス基板２０は、図２及び図３に示すように、ガラス基板などの絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎、すなわち、各副画素毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）５と、各ＴＦＴ５を覆うように設けられた層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極１８ａと、各画素電極１８ａを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。なお、隣り合う一対のゲート線１１の間には、補助容量を構成する容量線が設けられていてもよい。
　複数のゲート線１１は、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて図中横方向に互いに平行に延び、額縁領域Ｆの樹脂基板層７側に集束して引き出され、樹脂基板層７の配線パターン１８ｂａを介してゲートドライバ用のＩＣチップ４１ａに接続されている。
　複数のソース線１４は、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて図中縦方向に互いに平行に延び、額縁領域Ｆの樹脂基板層７側に集束して引き出され、樹脂基板層７の配線パターン１８ｂｂを介してソースドライバ用のＩＣチップ４１ｂに接続されている。
　ＴＦＴ５は、図２に示すように、絶縁基板１０ａ上に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１ａに重なるように島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上に互いに離間するように設けられたソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂとを備えている。ここで、本実施形態では、図２に示すように、絶縁基板１０ａ上の層間絶縁膜１５までの多層積層膜をＴＦＴアレイ層１６と称し、ＴＦＴアレイ層１６上に画素電極１８ａが形成され、絶縁基板１０ａ上の画素電極１８ａまでの多層積層膜を画素電極アレイ層６と称している。
　ゲート電極１１ａは、例えば、各ゲート線１１が各副画素毎に側方に突出した部分である。
　半導体層１３は、例えば、チャネル領域を有する真性アモルファスシリコン層（不図示）と、チャネル領域が露出するように真性アモルファスシリコン層上に設けられ、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂにそれぞれ接続されたｎ＋アモルファスシリコン層（不図示）とを備えている。
　ソース電極１４ａは、例えば、各ソース線１４が各副画素毎に側方に突出した部分である。
　ドレイン電極１４ｂは、層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して、画素電極１８ａに接続されている。
　対向基板３０は、図２に示すように、ガラス基板などの絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に格子状に設けられたブラックマトリクス２１と、ブラックマトリクス２１の各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層２２と、ブラックマトリクス２１、各着色層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３上に柱状に設けられた複数のフォトスペーサ（不図示）と、共通電極２３及び各フォトスペーサを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　液晶層２５は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
　樹脂基板層７は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板２０の額縁領域Ｆとシール材２６との間から外部に延びるように設けられている。また、樹脂基板層７は、図３に示すように、耐熱性を有する樹脂材料からなる基材層１７と、基材層１７上に設けられた配線パターン１８ｂａ、１８ｂｂ及び１８ｂｃとを備えている。さらに、樹脂基板層７は、可撓性を有しており、図１に示すように、絶縁基板１０ａ及びバックライト４５の各端面に沿って屈曲している。ここで、配線パターン１８ｂｃは、ゲートドライバ用のＩＣチップ４１ａ及びソースドライバ用のＩＣチップ４１ｂとＦＰＣ４２とを接続するように構成されている。
　バックライト４５は、例えば、導光板（不図示）と、導光板の１つの側面に沿って設けられたＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの光源（不図示）と、導光板の裏面側に設けられた反射シート（不図示）とを備えている。
　シャーシ４６には、図１に示すように、液晶表示パネル４０の表示領域Ｄが露出するように開口部が設けられている。
　上記構成の液晶表示装置５０は、アクティブマトリクス基板２０上の各画素電極１８ａと対向基板３０上の共通電極２３との間に配置する液晶層２５に各副画素毎に所定の電圧を印加して液晶層２５の配向状態を変えることにより、バックライト４５からの光の透過率を各副画素に調整して、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の液晶表示装置５０の製造方法について、図４を用いて一例を挙げて説明する。ここで、本実施形態の液晶表示装置５０の製造方法は、アクティブマトリクス原基板作製工程、対向基板作製工程、貼合工程、実装工程及び基板除去工程を備える。なお、図４（ａ）～図４（ｅ）内の２点鎖線は、大型のマザーガラスを示しており、本実施形態の液晶表示装置５０が複数のセルを同時に作製する多面取りで製造されることを示している。
　＜アクティブマトリクス原基板作製工程＞
　まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板などの絶縁基板１０ａａの基板全体に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）などを成膜した後に、そのモリブデン膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、ゲート線１１及びゲート電極１１ａを形成する。
　続いて、ゲート線１１及びゲート電極１１ａが形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ～６００ｎｍ程度）を成膜して、ゲート絶縁膜１２を形成する。
　そして、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を順に成膜した後に、真性アモルファスシリコン膜及びｎ＋アモルファスシリコン膜の積層膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、半導体層形成部（１３）を形成する。
　さらに、半導体層形成部（１３）が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ２０ｎｍ～１５０ｎｍ程度）及びアルミニウム膜（厚さ５０ｎｍ～４００ｎｍ程度）などを順に成膜した後に、その金属積層膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、ソース線１４、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂを形成する。
　続いて、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂをマスクとして、上記半導体層形成部のｎ＋アモルファスシリコン膜をエッチングすることにより、チャネル領域を形成して、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
　そして、ＴＦＴ５が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ程度）などを成膜した後に、その窒化シリコン膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、層間絶縁膜１５を形成する。
　以上のようにして、絶縁基板１０ａａ上に、ＴＦＴアレイ層１６（図４（ａ）参照）を形成する。
　続いて、ＴＦＴアレイ層１６が形成された絶縁基板１０ａａの表示領域Ｄの外側に、例えば、オフセット印刷機を用いて、ポリアミック酸を複数回（例えば、３回程度）塗布し、予備焼成（例えば、ホットプレート上で８０℃で３０分程度）及び本焼成（例えば、窒素雰囲気のオーブンで３００℃で９０分程度）を行うことにより、図４（ａ）に示すように、厚さ４μｍ～１０μｍ程度のポリイミド樹脂からなる基材層１７を形成する。なお、本実施形態では、オフセット印刷機を用いてポリアミック酸を塗布して基材層を形成する方法を例示したが、例えば、非形成領域に撥水剤を塗布した後に、形成領域だけにポリアミック酸を塗布したり、ＰＥＮ（Polyethylene Naphthalate）などのフィルム材料上に耐熱性の高分子樹脂膜を一旦形成し、その高分子樹脂膜を所定の領域に転写したりして、基材層を形成する方法であってもよい。ここで、ポリアミック酸は、２００℃以上の加熱で脱水環化（イミド化）反応が進行するものの、１８０℃～２１０℃程度の熱圧着による実装工程及びそれに用いる装置のばらつきなどを考慮すると、本焼成の温度は、２４０℃以上が好ましく、さらに、基材層上に形成する配線の構成材料やその形成条件（高温、真空など）を考慮すると、３００℃以上がより好ましい。
　さらに、基材層１７が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜などの透明導電膜を厚さ５０ｎｍ～２００ｎｍ程度で成膜した後に、その透明導電膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、画素電極１８ａ、配線パターン１８ｂ（１８ｂａ、１８ｂｂ及び１８ｂｃ）を形成して、画素電極アレイ層６及び樹脂基板層７を形成する。ここで、図４において、図４（ｃ）以降では、画素電極アレイ層６及び樹脂基板層７を簡略化してそれぞれ細長の矩形状に示している。また、図４（ｂ）の配線パターン１８ｂは、配線パターン１８ｂａ、１８ｂｂ及び１８ｂｃを総じて示したものである。なお、本実施形態では、透明導電膜を用いて形成された配線パターン１８ｂａ、１８ｂｂ及び１８ｂｃを例示したが、配線パターン１８ｂａ、１８ｂｂ及び１８ｂｃを上記透明導電膜とアルミニウム膜やチタン膜などの金属膜との積層膜を用いて形成してもよい。
　最後に、画素電極アレイ層６及び樹脂基板層７が形成された基板全体に、例えば、印刷法によりポリイミドの樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
　以上のようにして、セル単位毎に表示領域Ｄ及び樹脂基板層７が形成された分断前の大判のアクティブマトリクス原基板（２０ａ）を製造することができる。
　＜対向母基板作製工程＞
　まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板などの絶縁基板１０ｂの基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、黒色に着色された感光性樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、ブラックマトリクス２１を厚さ１．０μｍ程度に形成する。
　続いて、ブラックマトリクス２１が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、例えば、赤色、緑色又は青色に着色された感光性樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、選択した色の着色層２２（例えば、赤色層）を厚さ２．０μｍ程度に形成する。そして、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層２２（例えば、緑色層及び青色層）を厚さ２．０μｍ程度に形成する。
　そして、各着色層２２が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの透明導電膜を厚さ５０ｎｍ～２００ｎｍ程度で成膜することにより、共通電極２３を形成する。
　さらに、共通電極２３が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、感光性のアクリル樹脂などからなる感光性樹脂膜を塗布した後に、その感光性樹脂膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、フォトスペーサを厚さ４．０μｍ程度に形成する。
　最後に、上記フォトスペーサが形成された基板全体に、例えば、印刷法によりポリイミドの樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
　以上のようにして、セル単位毎に表示領域Ｄが形成された分断前の大判の対向基板（３０）を製造することができる。
　＜貼合工程＞
　まず、例えば、上記アクティブマトリクス原基板作製工程で作製された大判のアクティブマトリクス原基板（２０ａ）の表面に対して、図４（ｄ）に示すように、各表示領域Ｄの周囲に、ＵＶ（ultraviolet）硬化及び熱硬化の併用型樹脂などからなるシール材２６を枠状に印刷した後に、各シール材２６の内側に液晶材料２５ａを滴下する。
　続いて、液晶材料２５ａが滴下された大判のアクティブマトリクス原基板（２０ａ）と、上記対向基板作製工程で作製された大判の対向基板（３０）とを、互いの各表示領域Ｄが重なるように減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた大判の貼合体（４０ａ）を大気圧に開放することにより、大判の貼合体（４０ａ）の表面及び裏面を加圧する。
　さらに、大判の貼合体（４０ａ）に挟持された各シール材２６にＵＶ光を照射した後に、大判の貼合体（４０ａ）を加熱することにより各シール材２６を硬化させる。
　最後に、シール材４６を硬化させた大判の貼合体４０ａを、例えば、ダイシングによりセル単位毎に分断することにより、図４（ｅ）に示すように、セル単位毎に分断されたアクティブマトリクス原基板２０ａ及び対向基板３０を備えた貼合体４０ａを作製する。
　＜実装工程＞
　上記貼合工程で作製された貼合体４０ａのアクティブマトリクス原基板２０ａに形成された樹脂基板層７の表面に、図４（ｆ）に示すように、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して、ＩＣチップ４１（ゲートドライバ用のＩＣチップ４１ａ、ソースドライバ用のＩＣチップ４１ｂ）及びＦＰＣ４２を実装する。
　＜基板除去工程＞
　まず、上記実装工程でＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２が実装された貼合体４０ａのアクティブマトリクス原基板２０ａに対して、図４（ｇ）に示すように、例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザーから発振される波長３０８ｎｍのレーザー光Ｌを裏面側から照射することにより、絶縁基板１０ａａと樹脂基板層７との界面の樹脂基板層７側の部分において、レーザー光Ｌの吸収によるアブレーション（熱吸収による膜の分解／気化）現象を起こし、樹脂基板層７と絶縁基板１０ａａとを部分的に剥離させる。ここで、レーザー光Ｌを照射する領域は、対向基板３０から突出するアクティブマトリクス原基板２０ａの領域（図４（ｇ）中の破線部参照）である。
　続いて、アクティブマトリクス原基板２０ａの絶縁基板１０ａａに対して、図４（ｈ）に示すように、対向基板３０の端面に沿って超鋼ホイールＨの刃先を当接及び転動させることにより、絶縁基板１０ａａの裏面にクラックＣを形成すると共に、そのクラックＣを基板厚さ方向に拡大することにより、図４（ｉ）に示すように、捨て基板Ｗを除去して、アクティブマトリクス基板２０及びそれを備えた液晶表示パネル４０を作製する。
　さらに、液晶表示パネル４０のアクティブマトリクス基板２０側に光学シート及びバックライト４５を配置すると共に、樹脂基板層７をアクティブマトリクス基板２０及びバックライト４５の各端面に沿って折り曲げ、樹脂基板層７を折り曲げた状態で液晶表示パネル４０及びバックライト４５などをシャーシ４６の内部に収容して固定する。
　以上のようにして、本実施形態の液晶表示装置５０を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置５０及びその製造方法によれば、基板除去工程で作製されたアクティブマトリクス基板２０の周端と、対向基板作製工程で作製された（後の貼合工程でセル単位毎に分断された）対向基板３０の周端とが一致するので、例えば、図５の液晶表示装置１５０における対向基板１３０から突出するアクティブマトリクス基板１２０の対向基板１３０側の表面に規定された従来の端子領域Ｔが存在しない。ここで、比較例の液晶表示装置１５０は、図５に示すように、絶縁基板１１０上に画素電極アレイ層１０６が形成されたアクティブマトリクス基板１２０と、それに対向するように設けられた対向基板１３０と、それらの両基板１２０及び１３０の間にシール材１２６を介して封入された液晶層１２５とを有する液晶表示パネル１４０、液晶表示パネル１４０の裏面側に設けられたバックライト１４５、液晶表示パネル１４０に実装されたＩＣチップ１４１及びＦＰＣ１４２、並びに、液晶表示パネル１４０、バックライト１４５、ＩＣチップ１４１及びＦＰＣ１４２を内部に収容するように設けられたシャーシ１４６を備え、表示領域Ｄ及び図中左側の額縁領域Ｆの構造が本実施形態の液晶表示装置５０と実質的に同じになっている。そして、本実施形態の液晶表示装置５０及びその製造方法によれば、従来の端子領域Ｔを配置する代わりに、アクティブマトリクス原基板作製工程において、アクティブマトリクス原基板２０ａの表示領域Ｄの外側に樹脂基板層７を形成し、貼合工程の後の実装工程において、アクティブマトリクス原基板２０ａに形成された樹脂基板層７の表面に駆動用のＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２を実装し、基板除去工程において、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２が表面に実装された樹脂基板層７の裏面に配置する絶縁基板１０ａａを部分的に除去することになる。ここで、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２を実装する際には、樹脂基板層７の裏面に絶縁基板１０ａａが配置するので、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２を樹脂基板層７に確実に実装することができる。そして、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２が実装された後には、樹脂基板層７の裏面に配置する絶縁基板１０ａａが除去されるので、可撓性を有する樹脂基板層７が、変形し易くなり、装置内の画像表示に影響を与えない空間に収容され易くなる。これにより、額縁領域Ｆが、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２が実装される領域を含まないで、実質的に、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０におけるシール材２６が配置される領域だけになるので、額縁領域Ｆの幅を可及的に狭くすることができ、外形サイズをコンパクトにすることができる。
　また、本実施形態の液晶表示装置５０によれば、樹脂基板層７に実装されたＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２がバックライト４５のアクティブマトリクス基板２０と反対側に設けられているので、画像表示に影響を与えることなく、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２を表示領域Ｄに重なるように配置することができ、額縁領域Ｆの幅を極めて狭くすることができる。
　また、本実施形態の液晶表示装置５０によれば、ＴＦＴ５がガラス基板上に形成されているので、被形成基板によるＴＦＴ５の特性低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の液晶表示装置５０によれば、ＩＣチップ４１及びＦＰＣ４２を実装する樹脂基板層７に透過性や光学的等方性などが不要であるので、樹脂基板層７を構成する材料の選択性を広げることができる。
　《発明の実施形態２》
　図６及び図７は、本発明に係る表示装置及びそれを電子機器の実施形態２を示している。具体的に図６は、本実施形態の液晶表示装置５０を備えたマルチディスプレイ６０ａの平面図であり、図７は、図６中のVII－VII線に沿ったマルチディスプレイ６０ａの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　マルチディスプレイ６０ａは、図６及び図７に示すように、マトリクス状に配列するように設けられた３×４個（１２個）の液晶表示装置５０と、各液晶表示装置５０を収容するように設けられた金属製のフレーム５１とを備えている。また、マルチディスプレイ６０ａでは、各液晶表示装置５０がフレーム５１に金属製のネジやプラスチック製のツメなどにより固定されている。
　フレーム５１は、複数個に分解できるように構成され、液晶表示装置５０の構成数に応じてサイズ変更が自在に構成されている。
　以上説明したように、本実施形態のマルチディスプレイ６０ａによれば、各液晶表示装置５０において、額縁領域Ｆの幅を可及的に狭くなっているので、複数の液晶表示装置５０をマトリクス状に配置することにより、各液晶表示装置５０の間の継ぎ目が目立たない、いわゆる、シームレスの大画面の電子機器を実現することができる。
　また、本実施形態のマルチディスプレイ６０ａによれば、各液晶表示装置５０がプラスチック製のシャーシ４６でユニット化されているので、各液晶表示装置５０の搬送性に優れ、搬送時の液晶表示装置５０の破損を抑制することができる。
　また、本実施形態のマルチディスプレイ６０ａによれば、各液晶表示装置５０毎にユニット化され、フレーム５１も分解可能に構成されているので、搬送先に小さいサイズで運んで、その搬送先での大画面化を容易に実現することができる。
　《発明の実施形態３》
　図８及び図９は、本発明に係る表示装置及びそれを電子機器の実施形態３を示している。具体的に、図８は、本実施形態の液晶表示装置５０を備えた電子タブレット６０ｂの広げた状態の断面図である。また、図９は、電子タブレット６０ｂの折り畳んだ状態の断面図である。
　電子タブレット６０ｂは、図８及び図９に示すように、一対の液晶表示装置５０と、各液晶表示装置５０を収容するように設けられた一対の筐体５２ａ及び５２ｂと、筐体５２ａ及び５２ｂを連結するように設けられたヒンジ部５３とを備えている。また、マルチディスプレイ６０ｂでは、各液晶表示装置５０が筐体５２ａ及び５２ｂの内部に金属製のネジやプラスチック製のツメなどにより固定されている。
　筐体５２ａ及び５２ｂには、液晶表示装置５０（液晶表示パネル４０）の表示領域Ｄが露出するように開口部が設けられている。
　ヒンジ部５３は、図８に示すように、筐体５２ａに収容された液晶表示装置５０の画面と筐体５２ｂに収容された液晶表示装置５０の画面との２画面での表示が可能な状態と、図９に示すように、筐体５２ａ及び５２ｂが互いに対向するように折り畳んだ状態とを切り替え自在（折畳み開閉自在）に構成されている。
　以上説明したように、本実施形態の電子タブレット６０ｂによれば、各液晶表示装置５０において、額縁領域Ｆの幅が可及的に狭くなっているので、一対の液晶表示装置５０を折り畳み可能に連結することにより、見開き（２画面での表示）が可能な狭額縁の電子機器を実現することができ、外形サイズをコンパクトにすることができる。
　なお、本実施形態では、シャーシ４６を備えた液晶表示装置５０が収容された電子タブレット６０ｂを例示したが、シャーシ４６を省略して、筐体５２ａ及び５２ｂ内に液晶表示パネル４０及びバックライト４５などを直接収容してもよい。
　また、上記各実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置などの他の表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、ＯＤＦ（One Drop Fill）法を用いる液晶表示装置の製造方法を例示したが、本発明は、真空注入法を用いる液晶表示装置の製造方法にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極としたアクティブマトリクス基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶアクティブマトリクス基板にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、額縁領域の幅を狭くすることができるので、狭額縁化が要望される表示装置について有用である。
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｌ　　　　レーザー光
７　　　　樹脂基板層
１０ａ，１０ｂ　　絶縁基板（ガラス基板）
２０　　　アクティブマトリクス基板（第１基板）
２０ａ　　アクティブマトリクス原基板（第１原基板）
２５　　　液晶層（表示媒体層）
２６　　　シール材
３０　　　対向基板（第２基板）
４０ａ　　貼合体
４１　　　ＩＣチップ（電子部品）
４１ａ　　ゲートドライバ用のＩＣチップ（電子部品）
４１ｂ　　ソースドライバ用のＩＣチップ（電子部品）
４２　　　ＦＰＣ（電子部品）
４５　　　バックライト
６０ａ　　マルチディスプレイ（電子機器）
６０ｂ　　電子タブレット（電子機器）

Claims (6)

  1. 　互いに対向すると共に、互いの周端が一致するように設けられ、画像表示を行う表示領域がそれぞれ規定されたガラス製の第１基板及び第２基板と、
    　上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、上記表示領域に配置された表示媒体層と、
    　上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、上記各周端に沿って規定された額縁領域において、該第１基板及び第２基板を互いに接着すると共に、該第１基板及び第２基板の間に上記表示媒体層を封入するためのシール材と、
    　上記第１基板の上記額縁領域及び上記シール材の間から外部に延びるように設けられた可撓性を有する樹脂基板層と、
    　上記樹脂基板層に実装された駆動用の電子部品とを備えている、表示装置。
  2. 　上記表示媒体層は、液晶層であり、
    　上記第１基板の上記表示媒体層と反対側には、バックライトが設けられ、
    　上記電子部品は、上記バックライトの上記第１基板と反対側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　請求項１又は２に記載された表示装置を複数有し、
    　上記複数の表示装置は、マトリクス状に設けられている、電子機器。
  4. 　請求項１又は２に記載された表示装置を一対有し、
    　上記一対の表示装置は、折り畳み可能に連結するように設けられている、電子機器。
  5. 　ガラス基板に画像表示を行う表示領域、及び該表示領域の外側に可撓性を有する樹脂基板層を形成することにより、第１原基板を作製する第１原基板作製工程と、
    　ガラス基板に画像表示を行う表示領域を形成することにより、第２基板を作製する第２基板作製工程と、
    　上記第１原基板又は第２基板の表示領域の周囲にシール材を配置し、上記第１原基板及び第２基板を上記シール材及び該シール材の内側に配置される表示媒体層を介して上記各表示領域が互いに重なるように貼り合わせることにより、貼合体を作製する貼合工程と、
    　上記貼合体の第１原基板に形成された樹脂基板層の表面に駆動用の電子部品を実装する実装工程と、
    　上記電子部品が実装された樹脂基板層の裏面に配置するガラス基板の上記シール材よりも外側の部分を除去することにより、周端が上記第２基板の周端に一致するように第１基板を作製する基板除去工程とを備える、表示装置の製造方法。
  6. 　上記基板除去工程では、上記樹脂基板層の裏面側からレーザー光を照射することにより、上記樹脂基板層と上記除去されるガラス基板とを剥離させる、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
PCT/JP2012/002764 2011-04-27 2012-04-20 表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法 Ceased WO2012147322A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/113,635 US9239495B2 (en) 2011-04-27 2012-04-20 Display device, electronic device including display device, and method for manufacturing display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-099042 2011-04-27
JP2011099042 2011-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012147322A1 true WO2012147322A1 (ja) 2012-11-01

Family

ID=47071853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/002764 Ceased WO2012147322A1 (ja) 2011-04-27 2012-04-20 表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9239495B2 (ja)
WO (1) WO2012147322A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104701342A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 乐金显示有限公司 弯曲式显示装置
WO2016204055A1 (ja) * 2015-06-16 2016-12-22 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2016204056A1 (ja) * 2015-06-16 2016-12-22 シャープ株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置
EP3018724A4 (en) * 2013-09-30 2017-05-10 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2017151366A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、及び、表示装置
CN119342684A (zh) * 2023-07-21 2025-01-21 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 柔性电路板、可穿戴设备以及柔性电路板的制作方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9205505B2 (en) * 2010-07-22 2015-12-08 Ferro Corporation Hermetically sealed electronic device using solder bonding
KR102324543B1 (ko) * 2014-12-11 2021-11-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시패널
CN108535907B (zh) * 2014-12-25 2021-07-20 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示器及其制作方法
US10395615B2 (en) 2014-12-25 2019-08-27 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same cross-references to related applications
KR102386891B1 (ko) * 2015-03-11 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
CN104880883A (zh) * 2015-06-12 2015-09-02 武汉华星光电技术有限公司 一种蓝相液晶显示面板及其制作方法
TWI651567B (zh) * 2015-07-03 2019-02-21 友達光電股份有限公司 顯示器及顯示器的製造方法
KR102534149B1 (ko) * 2016-05-24 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 그것의 제조 방법, 및 멀티 표시 장치
CN107247355A (zh) * 2017-07-31 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法
CN108089382A (zh) * 2017-12-28 2018-05-29 惠州市华星光电技术有限公司 一种液晶面板及显示装置
CN110707242A (zh) 2019-09-02 2020-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001008128A1 (en) * 1999-07-22 2001-02-01 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of manufacture thereof, and electronic device
JP2005292587A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144875A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Sharp Corp 配線基板の実装方法
JP3317996B2 (ja) * 1992-06-03 2002-08-26 松下電器産業株式会社 機器の表示装置
JPH0793125A (ja) * 1993-09-21 1995-04-07 Tsutomu Fujiwara 折畳み式液晶表示装置
JPH10153785A (ja) * 1996-09-26 1998-06-09 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3757923B2 (ja) * 2002-09-20 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 電子機器
JP2005122078A (ja) 2003-09-26 2005-05-12 Optrex Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2006243008A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Optrex Corp 表示パネル
JP2008275894A (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Sharp Corp 表示パネル及び表示装置
TWI457875B (zh) * 2009-02-19 2014-10-21 Prime View Int Co Ltd 顯示裝置及其製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001008128A1 (en) * 1999-07-22 2001-02-01 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of manufacture thereof, and electronic device
JP2005292587A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3018724A4 (en) * 2013-09-30 2017-05-10 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
US9728739B2 (en) 2013-09-30 2017-08-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
CN104701342A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 乐金显示有限公司 弯曲式显示装置
WO2016204055A1 (ja) * 2015-06-16 2016-12-22 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2016204056A1 (ja) * 2015-06-16 2016-12-22 シャープ株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置
US10310334B2 (en) 2015-06-16 2019-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of producing display device
JP2017151366A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、及び、表示装置
US10056547B2 (en) 2016-02-26 2018-08-21 Japan Display Inc. Manufacturing method of display device, and display device
CN119342684A (zh) * 2023-07-21 2025-01-21 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 柔性电路板、可穿戴设备以及柔性电路板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140049742A1 (en) 2014-02-20
US9239495B2 (en) 2016-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012147322A1 (ja) 表示装置、それを備えた電子機器、及び表示装置の製造方法
JP4925030B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP5620921B2 (ja) プラスチック基板を有する電子デバイス及びその製造方法
KR101307260B1 (ko) 라인 온 글라스형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5258277B2 (ja) 液晶表示装置
JP4961271B2 (ja) 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル
JP5627179B2 (ja) 最小面積の液晶表示素子
US9437616B2 (en) Display apparatus
KR20150078248A (ko) 표시소자
US10090490B2 (en) Method of producing curved display panel
WO2013140760A1 (ja) アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
US20090227074A1 (en) Method of manufacturing display device
CN103472607A (zh) 显示面板与其制造方法
US20180173033A1 (en) Method of producing display device, and display device
JP2018063348A (ja) 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
WO2011004521A1 (ja) 表示パネル
KR20060115464A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP2011186130A (ja) 液晶表示装置
WO2011074336A1 (ja) アクティブマトリクス基板、及び製造方法
JP2013235196A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
WO2012063719A1 (ja) 液晶表示パネルとその製造方法
JP2007017935A (ja) 表示基板、その製造方法、及びこれを有する表示装置
US20090270008A1 (en) Method for producing display element
JP2008139555A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
WO2011080968A1 (ja) 液晶パネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12776227

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14113635

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12776227

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP