WO2014003437A1 - 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법 - Google Patents

복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2014003437A1
WO2014003437A1 PCT/KR2013/005654 KR2013005654W WO2014003437A1 WO 2014003437 A1 WO2014003437 A1 WO 2014003437A1 KR 2013005654 W KR2013005654 W KR 2013005654W WO 2014003437 A1 WO2014003437 A1 WO 2014003437A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
gas injection
supply unit
inner tube
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2013/005654
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이유진
연세훈
김동제
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olum Material Corp
Original Assignee
TGO Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TGO Tech Corp filed Critical TGO Tech Corp
Priority to CN201380034301.XA priority Critical patent/CN104471677A/zh
Priority to US14/410,197 priority patent/US20150322570A1/en
Priority to JP2015520015A priority patent/JP2015528054A/ja
Priority to EP13810167.0A priority patent/EP2869334A4/en
Publication of WO2014003437A1 publication Critical patent/WO2014003437A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y10T137/0402—Cleaning, repairing, or assembling

Definitions

  • the present invention relates to a gas supply unit for supplying a plurality of gases and a manufacturing method thereof.
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • LEDs are semiconductor light emitting devices that convert current into light and have been widely used as light sources for display images of electronic devices including information and communication devices.
  • LED lamps unlike conventional lighting such as incandescent lamps, fluorescent lamps, it is known that the efficiency of converting electrical energy into light energy can be saved up to 90%, and it is widely used as a device that can replace fluorescent lamps or incandescent bulbs. I am getting it.
  • the manufacturing process of such an LED device can be largely classified into an epi process, a chip process, and a package process.
  • the epitaxial process refers to a process for epitaxial growth of a compound semiconductor on a substrate
  • the chip process refers to a process of manufacturing an epi chip by forming electrodes on each part of the epitaxially grown substrate. It refers to a process of connecting leads to the manufactured epi chip and packaging so that light is emitted to the outside as much as possible.
  • the epi process is the most important process for determining the luminous efficiency of the LED device. This is because when the compound semiconductor is not epitaxially grown on the substrate, defects occur in the crystal and these defects act as nonradiative centers, thereby lowering the luminous efficiency of the LED device.
  • a liquid phase epitaxy (LPE), a vapor phase epitaxy (VPE), a molecular beam epitaxy (MBE), and a chemical vapor deposition (CVD) method are used.
  • LPE liquid phase epitaxy
  • VPE vapor phase epitaxy
  • MBE molecular beam epitaxy
  • CVD chemical vapor deposition
  • MOCVD Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
  • HVPE Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • a process gas is generally supplied from the lower side or one side of the reaction chamber.
  • a process gas cannot be uniformly supplied to the plurality of substrates, there is a problem in that a uniform deposition film is not formed on the plurality of substrates. Accordingly, there is a problem in that the productivity and efficiency of the process may be deteriorated since it is impossible to mass produce a high efficiency LED device having the same quality.
  • a nozzle for supplying a plurality of sources is used for this process, and it is essential to solve problems such as clogging of the nozzle.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, the gas supply unit and the manufacturing that solves the problem of being able to form a deposition film uniformly on a plurality of substrates and at the same time clogging the gas supply portion Its purpose is to provide a method.
  • a gas supply unit for supplying a plurality of gases including a facade and at least one inner tube located inside the facade, a plurality of first gases
  • the first process gas supplied to the inner tube through the injection port is injected to the outside of the appearance
  • the second process gas supplied to the appearance through a plurality of second gas injection port is characterized in that the outside of the appearance is injected.
  • a gas supply unit capable of forming a deposition film uniformly on a plurality of substrates and a method of manufacturing the same.
  • a gas supply unit and a method of manufacturing the same which solves the problem of clogging the part supplying the process gas.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a deposition film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view showing a method of manufacturing a gas supply unit for supplying a plurality of gases according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a cross-sectional view showing the configuration of a gas supply unit for supplying a plurality of gases according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view showing a manufacturing method of a gas supply unit for supplying a plurality of gases according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a gas supply unit for supplying a plurality of gases according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a deposition film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • a material of a substrate (not shown) loaded on the deposition film forming apparatus 100 is not particularly limited, and a substrate of various materials, such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and sapphire, may be loaded.
  • a description will be given assuming a circular sapphire substrate used in the light emitting diode field.
  • Deposition film forming apparatus 100 may be configured to include a chamber (110).
  • the chamber 110 may be configured to substantially seal an inner space during the process to provide a space for forming a deposition film on the plurality of substrates.
  • the chamber 110 is configured to maintain optimal process conditions, and the shape may be manufactured in a square or circular shape.
  • the material of the chamber 110 is preferably made of quartz glass, but is not necessarily limited thereto.
  • a process for forming a deposition film on a substrate is performed by supplying deposition material into the chamber 110 and heating the chamber 110 to a temperature of about 800 ° C. to 1200 ° C.
  • the deposition material thus supplied is supplied to the substrate to participate in the formation of the deposition film.
  • Deposition film forming apparatus 100 may be configured to include a heater (not shown).
  • the heater may be installed outside the chamber 110 to apply heat required for a deposition process to a plurality of substrates.
  • the heater may heat the substrate to a temperature of about 1,200 ° C. or more in order to achieve a smooth deposition film growth on the substrate.
  • a heating method or an induction heating method using a halogen lamp may be used, but a resistive heating method may be preferably used.
  • the resistance heating method is a method of heating using an electrical resistance, and refers to a method of generating heat by flowing a current through a metal resistance or a non-metal resistance such as silicon carbide.
  • Deposition film forming apparatus 100 may be configured to include a substrate support (130).
  • the substrate support 130 is composed of a plurality of substrate support plates 131, and the substrate support plates 131 are preferably arranged in layers.
  • the plurality of substrate support plates 131 may be arranged and fixed to have a predetermined distance from each other by the gap maintaining member 135.
  • the number of substrate support plates 131 may be variously changed according to the purpose of the present invention.
  • the substrate support plate 131 and the gap maintaining member 135 are preferably made of quartz glass, but are not necessarily limited thereto.
  • Deposition film forming apparatus 100 may be configured to include a gas supply unit 140.
  • the gas supply unit 140 may perform a function of supplying a process gas necessary for forming a deposition film into the chamber 110.
  • the gas supply unit 140 may be formed of quartz.
  • the gas supply unit supplies the process gas from the lower side or one side of the chamber 110, a difference in the amount of process gas supplied may occur between the substrate positioned near the gas supply unit and the substrate positioned far away. There was no choice but to. This difference results in a difference in the thickness of the deposited film, etc., resulting in a failure to form a deposited film having the same quality and specifications on the plurality of substrates.
  • the present invention is characterized in that the gas supply unit 140 is disposed so as to pass through the center of the substrate support plate 131.
  • the gas supply unit 140 passes through a central through hole (not shown) formed in the center of the substrate support plate 131 and is supported by the substrate support plate 131 at the center of the substrate support plate 131.
  • It is characterized by the configuration of the supply of the process gas toward the.
  • the deposition film forming apparatus 100 may include a baffle unit 150.
  • the baffle portion 150 may be positioned below the substrate support 130 to block the heat generated in the chamber 110 from leaking to the outside, and in particular, the baffle portion 150 may flow out to the outside through the lower support 160. You can block.
  • Deposition film forming apparatus 100 may be configured to include a lower support (160).
  • the lower support 160 may be installed under the chamber 110 to support the substrate support 130 and the baffle 150 during the deposition process.
  • a through hole (not shown) may be formed at the center of the lower support 160 to allow the gas supply unit 140 to pass therethrough.
  • an exhaust port (not shown) for exhausting the process gas to the outside may be formed.
  • the rotating part 120 may be positioned below the lower support 160.
  • the rotating unit 120 may enable the substrate support 130 and / or the gas supply unit 140 to rotate. By rotating the substrate supporter 130 and / or the gas supply part 140, the rotation part 120 may uniformly supply the process gas to the substrate positioned on the substrate support plate 131.
  • the rotary power supply means 170 may be a motor, and the rotary power supply means 170 may be connected to the rotary part 120 through a power transmission means (not shown) such as a belt to rotate the rotary part 120. .
  • Deposition film forming apparatus 100 may be configured to include a thermocouple (180).
  • the thermocouple 180 may be inserted into one side of the lower support 160.
  • the thermocouple 180 may be connected to a temperature controller (not shown) and measure the temperature inside the chamber 110 to control the temperature of the substrate.
  • gas supply unit 140 and the manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
  • FIG. 2 is a view showing a method of manufacturing a gas supply unit 140 for supplying a plurality of gases according to an embodiment of the present invention
  • Figure 3 is a gas for supplying a plurality of gases according to an embodiment of the present invention It is sectional drawing which shows the structure of the supply part 140.
  • the gas supply unit 140 for supplying a plurality of gases may have a double tube shape including an exterior 141 and at least one inner tube 142 positioned inside the exterior 141. .
  • the inner tube 142 may be positioned to contact a predetermined portion of the exterior 141.
  • the exterior 141 and the inner tube 142 may both have a tubular shape made of quartz.
  • the first process gas and the second process gas may flow in the inner tube 142 and the exterior 141, respectively.
  • the exterior 141 may be a passage through which GaCl gas and HCl gas (second process gas) pass
  • the inner tube 142 may be a passage through which NH 3 gas (first process gas) passes.
  • the first and second process gases which are susceptible to reaction until just before the process gas is injected, are provided with the inner tube 142.
  • the exterior 141 may be kept separated from each other. Therefore, the reaction by the process gas does not occur in the gas supply unit 140, so that the problem in which the process gas is injected by the reactants is not blocked.
  • the gas supply unit 140 may include a plurality of first gas injection holes 143 and a plurality of second gas injection holes 144.
  • the first gas injection hole 143 may inject the first process gas supplied through the inner tube 142
  • the second gas injection hole 144 may inject the second process gas supplied through the exterior 141.
  • the positions at which the first gas injection holes 143 and the second gas injection holes 144 are formed may correspond to positions of the plurality of substrate support plates 131, respectively.
  • the size of the first gas injection hole 143 and the second gas injection hole 144 may vary according to the formed position.
  • the first gas injection hole 143 and the second gas injection hole 144 are formed is farther from the supply gas supply source, that is, along the direction in which the first and second process gases flow, the first gas injection hole.
  • the size of the 143 and the second gas injection hole 144 may be increased. Accordingly, the process gas can be uniformly supplied to the substrates 10 positioned on the substrate support plates 131. Referring to the method of manufacturing the gas supply unit 140 according to an embodiment of the present invention.
  • the appearance 141 is prepared.
  • tube 142 of the required number can be joined to the predetermined
  • the number of the inner tube 142 is illustrated as four, but is not limited thereto.
  • the inner tube 142 may be bonded in various ways within the outer appearance 141, for example, by welding.
  • the 1st gas injection port 143 which communicates between the inner pipe
  • the number of the first gas injection holes 143 is not particularly limited and may be variously changed according to the purpose of the present invention.
  • the second gas communicates between the exterior 141 and the outside in a portion (parts other than the predetermined portions described above) where the inner tube 142 does not contact the exterior 141.
  • the injection hole 144 may be formed. Therefore, the gas flowing in the exterior 141 through the second gas injection hole 144 may be injected to the outside.
  • Various methods may be used, such as using a drill to form the first gas injection hole 143 and the second gas injection hole 144.
  • FIG. 4 is a view showing a method of manufacturing a gas supply unit 240 for supplying a plurality of gases according to another embodiment of the present invention
  • Figure 5 is a gas for supplying a plurality of gases according to another embodiment of the present invention It is sectional drawing which shows the structure of the supply part 240.
  • FIG. 4 is a view showing a method of manufacturing a gas supply unit 240 for supplying a plurality of gases according to another embodiment of the present invention
  • Figure 5 is a gas for supplying a plurality of gases according to another embodiment of the present invention It is sectional drawing which shows the structure of the supply part 240.
  • Gas supply unit 240 for supplying a plurality of gases may be composed of an outer tube 241 and the inner tube (242).
  • the inner tube 242 may not be directly bonded to the exterior 241.
  • both the exterior 241 and the inner tube 242 may be made of quartz.
  • the inner tube 242 may be a passage through which the first process gas (NH 3 gas) flows, and the exterior 141 may be a passage through which the second process gas (GaCl gas and HCl gas) pass. Therefore, as in the previous embodiment, the reaction by the process gas does not occur in the gas supply unit 240, so that the problem of clogging the portion where the process gas is injected does not occur.
  • first gas injection holes 244 ′ and a plurality of second gas injection holes 244 may be formed in the gas supply part 240.
  • the first gas injection hole 244 ′ may inject the first process gas supplied through the inner tube 242, and the second gas injection hole 244 may inject the second process gas supplied through the exterior 241. .
  • the first process gas supplied through the inner tube 242 is injected into the third gas injection hole 243, and the injected first process gas passes through the passage 245 in the first gas injection hole 244 ′. It is different from the previous embodiment in that it is injected in the).
  • the position of the other first and second gas injection holes 244 ′ and 244 and the size of the first and second gas injection holes 244 ′ and 244 may be the same as in the previous embodiment.
  • a method of manufacturing the gas supply unit 240 will be described below.
  • first and second gas injection holes 244 ′ and 244 may be formed in the exterior 241, and third gas injection holes 243 may be formed in the inner tube 242. have.
  • first and second gas injection holes 244 ′ and 244 may be formed in the circumferential direction at equal intervals at predetermined heights, and the third gas injection holes may be formed in the inner tube 242 in a line at a predetermined height. 243 may be formed.
  • first gas inlet 244 ′ of the exterior 241 and the third gas inlet 243 of the inner tube 242 are connected to each other as described below, the first gas inlet 244 ′ and the third gas inlet 243 are connected to each other. It is preferable that the heights at which) are formed are the same as each other.
  • FIG. 4C illustrates a state in which all inner tubes 242 are positioned inside the outer tube 241 and the third gas nozzles 243 of the inner tube 242 are connected to the first gas nozzles 244 ′ of the outer tube 241. Indicates.
  • the process gas flowing inside the gas supply part 240 is the first gas injection hole 244 ′ and the second gas.
  • the cover 246 for sealing one end of the exterior 241 and the inner tube 242 can be covered.
  • the hemispherical cap 247 can be covered on the cover 246 as needed.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부로서, 외관 및 상기 외관의 내부에 위치하는 적어도 하나의 내관을 포함하고, 복수개의 제1 가스 분사구를 통해 상기 내관에 공급되는 제1 공정 가스가 상기 외관의 외부로 분사되고, 복수개의 제2 가스 분사구를 통해 상기 외관에 공급되는 제2 공정 가스가 상기 외관의 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 가스 공급부를 제공한다.

Description

복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법
본 발명은 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자로서, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 널리 이용되어 왔다. 특히, 백열등, 형광등 등의 재래식 조명과 달리 전기 에너지를 빛 에너지로 전환하는 효율이 높아 최고 90%까지 에너지를 절감할 수 있다는 사실이 알려지면서, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 소자로서 널리 각광받고 있다.
이러한 LED 소자의 제조공정은 크게 에피 공정, 칩 공정, 패키지 공정으로 분류될 수 있다. 에피 공정은 기판 상에 화합물 반도체를 에피택셜 성장(epitaxial growth)시키는 공정을 말하고, 칩 공정은 에피택셜 성장된 기판의 각 부분에 전극을 형성하여 에피 칩을 제조하는 공정을 말하며, 패키지 공정은 이렇게 제조된 에피 칩에 리드(Lead)를 연결하고 빛이 최대한 외부로 방출되도록 패키징하는 공정을 말한다.
이러한 공정 중에서도 에피 공정은 LED 소자의 발광 효율을 결정하는 가장 핵심적인 공정이라 할 수 있다. 이는 기판 상에 화합물 반도체가 에피택셜 성장되지 않는 경우, 결정 내부에 결함이 발생하고 이러한 결함은 비발광 센터(nonradiative center)로 작용하여, LED 소자의 발광 효율을 저하시키기 때문이다.
이러한 에피 공정, 즉 기판 상에 증착막을 형성시키는 공정에는 LPE(Liquid Phase Epitaxy), VPE(Vapor Phase Epitaxy), MBE(Molecular Beam Epitaxy), CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법 등이 사용되고 있는데, 이 중에서도 특히 유기금속 화학기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 또는 하이드라이드 기상 에피택시법(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE)이 주로 사용되고 있다.
종래의 MOCVD 방법 및 HVPE 방법을 이용하여 복수개의 기판 상에 증착막을 형성시키는 경우 통상 반응 챔버의 하부 또는 일측면에서 공정 가스가 공급되고 있다. 그러나, 이와 같은 경우 복수개의 기판 상에 일정하게 공정 가스가 공급될 수 없으므로 복수개의 기판 상에 균일한 증착막이 형성되지 못하는 문제점이 있었다. 이에 따라, 동일한 품질을 가지는 고효율 LED 소자를 대량으로 생산할 수 없어 공정의 생산성과 효율성이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 이러한 공정을 위해서는 복수의 소스를 공급하기 위한 노즐이 사용되는데, 노즐의 막힘과 같은 문제를 해결하는 것이 필수적이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 복수개의 기판 상에 균일하게 증착막을 형성할 수 있는 것과 동시에 가스를 공급하는 부분이 막히는 문제점을 해결하는 가스 공급부 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부로서, 외관 및 상기 외관의 내부에 위치하는 적어도 하나의 내관을 포함하고, 복수개의 제1 가스 분사구를 통해 상기 내관에 공급되는 제1 공정 가스가 상기 외관의 외부로 분사되고, 복수개의 제2 가스 분사구를 통해 상기 외관에 공급되는 제2 공정 가스가 상기 외관의 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 가스 공급부를 제공한다.
본 발명에 따르면, 복수개의 기판 상에 균일하게 증착막을 형성시킬 수 있는 가스 공급부 및 그 제조방법이 제공된다
또한, 본 발명에 따르면, 공정 가스를 공급하는 부분이 막히는 문제점을 해결하는 가스 공급부 및 그 제조방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부의 구성을 나타내는 단면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현 될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일 또는 유사한 기능을 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
먼저, 증착막 형성 장치(100)에 로딩되는 기판(미도시됨)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸, 사파이어 등 다양한 재질의 기판이 로딩될 수 있다. 이하에서는 발광 다이오드 분야에서 사용되는 원형의 사파이어 기판을 상정하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 챔버(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 챔버(110)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되어 복수개의 기판 상에 증착막이 형성되기 위한 공간을 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 챔버(110)는 최적의 공정 조건을 유지하도록 구성되며, 형태는 사각형 또는 원형의 형태로 제조될 수 있다. 챔버(110)의 재질은 석영(quartz) 유리로 구성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
일반적으로 기판 상에 증착막을 형성하기 위한 공정은 증착 물질을 챔버(110) 내부로 공급하고 챔버(110) 내부를 약 800℃에서 1200℃의 온도까지 가열함으로써 이루어진다. 이렇게 공급된 증착 물질은 기판으로 공급되어 증착막의 형성에 관여하게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 히터(미도시함)를 포함하여 구성될 수 있다. 히터는 챔버(110)의 외부에 설치되어 복수개의 기판에 증착 공정에서 필요한 열을 인가하는 기능을 수행할 수 있다. 기판 상에서 원활한 증착막 성장이 이루어지기 위하여 히터는 기판을 약 1,200℃ 이상의 온도까지 가열할 수 있다. 기판을 가열하기 위하여 할로겐 램프를 이용한 가열 방식 또는 유도 가열 방식을 이용할 수도 있으나 바람직하게는 저항 가열 방식을 이용할 수 있다. 저항 가열(resistance heating) 방식이란 전기저항을 이용하여 가열하는 방식으로서, 금속저항 또는 탄화규소와 같은 비금속저항에 전류를 흘려서 열을 발생시키는 방식을 일컫는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 기판 지지부(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 기판 지지부(130)는 복수개의 기판 지지판(131)으로 구성되고, 기판 지지판(131)은 층으로 배열 설치되는 것이 바람직하다. 이처럼 기판 지지부(130)가 복수개의 기판 지지판(131)으로 구성되는 경우 복수개의 기판 지지판(131)은 간격 유지 부재(135)에 의하여 서로 일정한 간격을 갖도록 배열되어 고정될 수 있다. 기판 지지판(131)의 개수는 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 기판 지지판(131) 및 간격 유지 부재(135)는 석영 유리로 구성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 가스 공급부(140)를 포함하여 구성될 수 있다. 가스 공급부(140)는 증착막 형성을 위해 필요한 공정 가스를 챔버(110) 내부로 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 가스 공급부(140)는 석영(quartz)으로 형성될 수 있다.
종래의 증착막 형성 장치에서 가스 공급부는 챔버(110)의 하부 또는 일측면에서 공정 가스를 공급하기 때문에, 가스 공급부와 가까이 위치된 기판과 멀리 위치된 기판 사이에는 공급되는 공정 가스의 양의 차이가 발생할 수 밖에 없었다. 이러한 차이는 결과적으로 증착막의 두께 등의 차이를 야기하게 되므로 복수개의 기판 상에 동일한 품질 및 규격을 가지는 증착막을 형성하지 못하게 되는 원인이 되었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 가스 공급부(140)가 기판 지지판(131)의 중앙을 관통하도록 배치되는 것을 구성상의 특징으로 한다. 다시 말하면, 가스 공급부(140)가 기판 지지판(131)의 중앙에 형성된 중앙 관통홀(미도시됨)을 관통하여 기판 지지판(131)의 중심부에서 기판 지지판(131)에 의하여 지지되고 있는 복수개의 기판을 향하여 공정 가스를 공급하는 것을 구성상의 특징으로 한다. 이러한 구성을 채용함으로써 본 발명에서는 복수개의 기판 상에 균일하게 공정 가스를 공급할 수 있게 되기 때문에 복수개의 기판 상에 동일한 품질 및 규격을 가지는 증착막을 형성할 수 있게 된다. 가스 공급부(140)의 구체적인 구성과 그 제조 방법에 관하여는 후술한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 배플부(150)를 포함하여 구성될 수 있다. 배플부(150)는 기판 지지부(130)의 하부에 위치하여, 챔버(110) 내에서 발생한 열이 외부로 유출되는 것을 차단할 수 있으며, 특히 하부 지지대(160)를 통해 열이 외부로 유출되는 것을 차단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 하부 지지대(160)를 포함하여 구성될 수 있다. 하부 지지대(160)는 챔버(110) 하부에 설치되어 증착 공정이 이루어지는 동안 기판 지지부(130)와 배플부(150)를 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 하부 지지대(160)의 중앙에는 가스 공급부(140)가 관통하도록 하기 위한 관통홀(미도시됨)이 형성될 수 있다. 하부 지지대(160) 상의 서로 마주보는 양측에는 공정 가스를 외부로 배기하기 위한 배기구(미도시됨)가 형성될 수 있다.
하부 지지대(160)의 아래에는 회전부(120)가 위치하도록 구성될 수 있다. 회전부(120)는 기판 지지부(130) 및/또는 가스 공급부(140)의 회전이 가능하도록 할 수 있다. 회전부(120)가 기판 지지부(130) 및/또는 가스 공급부(140)를 회전시키는 것에 의해, 공정 가스가 기판 지지판(131) 상에 위치하는 기판에 균일하게 공급되도록 할 수 있다.
하부 지지대(160)의 아래의 일 측에는 회전 동력 공급 수단(170)이 위치하도록 구성될 수 있다. 회전 동력 공급 수단(170)은 모터일 수 있으며, 회전 동력 공급 수단(170)은 벨트와 같은 동력 전달 수단(미도시됨)을 통하여 회전부(120)와 연결되어 회전부(120)를 회전시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착막 형성 장치(100)는 써모커플(180)을 포함하여 구성될 수 있다. 써모커플(180)은 하부지지대(160)의 일측에 삽입될 수 있다. 써모커플(180)은 온도 제어부(미도시)에 연결되고 챔버(110) 내부의 온도를 측정하여 기판의 온도를 제어할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(140) 및 그 제조 방법에 관하여 자세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(140)의 제조방법을 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(140)의 구성을 나타내는 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(140)는 외관(141)과 외관(141)의 내부에 위치하는 적어도 하나의 내관(142)으로 이루어지는 이중 관 형상일 수 있다. 내관(142)은 외관(141)의 소정의 부위에 접하도록 위치할 수 있다. 외관(141) 및 내관(142)은 모두 석영(quartz)으로 이루어진 관 형상일 수 있다. 내관(142) 및 외관(141)에는 각각 제1 공정 가스 및 제2 공정 가스가 흐를 수 있다. 예를 들어, 외관(141)은 GaCl 가스와 HCl 가스(제2 공정 가스)가 지나는 통로이며, 내관(142)은 NH3 가스(제1 공정 가스)가 지나는 통로일 수 있다. NH3 가스와 GaCl 가스, NH3 가스와 HCl 가스 간에는 반응이 일어나기 쉬운데, 본 실시예에 의하면, 공정 가스가 분사되기 직전까지 반응이 일어나기 용이한 제1 및 제2 공정 가스를 내관(142)과 외관(141)에 서로 분리한 상태로 유지할 수 있다. 따라서, 가스 공급부(140) 내에서 공정 가스에 의한 반응이 일어나지 않게 되어 반응물에 의하여 공정 가스가 분사되는 부분이 막히는 문제가 발생하지 않는다.
가스 공급부(140)에는 복수개의 제1 가스 분사구(143) 및 복수개의 제2 가스 분사구(144)가 형성될 수 있다. 제1 가스 분사구(143)는 내관(142)을 통해 공급되는 제1 공정 가스를 분사하고, 제2 가스 분사구(144)는 외관(141)을 통해 공급되는 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 제1 가스 분사구(143) 및 제2 가스 분사구(144)가 형성된 위치는 복수개의 기판 지지판(131) 각각의 위치에 대응할 수 있다. 또한, 형성된 위치에 따라 제1 가스 분사구(143) 및 제2 가스 분사구(144)의 크기가 달라질 수 있다. 바람직하게는, 제1 가스 분사구(143) 및 제2 가스 분사구(144)가 형성된 위치가 공급 가스 공급원으로부터 멀어질수록 - 즉, 제1 및 제2 공정 가스가 흐르는 방향에 따라서 - 제1 가스 분사구(143) 및 제2 가스 분사구(144)의 크기가 커질 수 있다. 그에 따라, 기판 지지판(131) 각각에 위치하는 기판(10)에 균일하게 공정 가스를 공급할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(140)를 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2(a)에서 나타내는 바와 같이, 외관(141)이 준비된다. 그리고, 도 2(b)에서 나타내는 바와 같이 외관(141) 내의 소정의 부위에 필요한 개수만큼의 내관(142)을 접합할 수 있다. 본 실시예에서는 내관(142)의 개수가 4개인 것을 예시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 외관(141) 내에 내관(142)을 여러 가지 방식으로 접합할 수 있으며, 예를 들면, 용접을 통해 접합할 수 있다.
그리고, 도 2(c)에서 나타내는 바와 같이, 외관(141) 내에 내관(142)이 접합된 부분에 내관(142)과 외부 간을 소통하는 제1 가스 분사구(143)를 형성할 수 있다. 따라서, 제1 가스 분사구(143)를 통해 내관(142)에 흐르는 가스가 외부로 분사될 수 있다. 제1 가스 분사구(143)의 개수는 특별하게 한정되지 아니하며, 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 그리고, 도 2(d)에서 나타내는 바와 같이, 외관(141)에 내관(142)이 접하지 않는 부위(앞서 설명한 소정의 부위 이외의 부위)에 외관(141)과 외부 간을 소통하는 제2 가스 분사구(144)를 형성할 수 있다. 따라서, 제2 가스 분사구(144)를 통해 외관(141)에 흐르는 가스가 외부로 분사될 수 있다. 제1 가스 분사구(143) 및 제2 가스 분사구(144)를 형성하기 위하여 드릴을 사용하는 등의 여러가지 방식이 사용될 수 있다.
그리고, 가스 공급부(140) 내부를 흐르는 공정 가스가 제1 가스 분사구(143) 및 제2 가스 분사구(144) 외에 다른 부분으로 배출되지 않도록 하기 위하여, 도 2(e)에서 나타내는 바와 같이, 외관(141) 및 내관(142)의 일단을 봉하기 위한 덮개(145)를 씌울 수 있다. 그리고, 도 2(f)에서 나타내는 바와 같이, 필요에 따라 덮개(145) 위에 반구 형상의 캡(146)을 씌울 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(240)의 제조방법을 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(240)의 구성을 나타내는 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(240)는, 앞선 실시예와 마찬가지로, 외관(241)과 내관(242)으로 이루어질 수 있다. 다만, 이전의 실시예와는 달리 본 실시예에 따른 가스 공급부(240)에서는 외관(241)에 내관(242)을 직접 접합하는 방식에 의하지 않을 수 있다. 본 실시예에서도, 외관(241) 및 내관(242)은 모두 석영으로 이루어질 수 있다. 내관(242)은 제1 공정 가스(NH3 가스)가 흐르는 통로이며, 외관(141)은 제2 공정 가스(GaCl 가스와 HCl 가스)가 지나는 통로일 수 있다. 따라서, 이전의 실시예와 마찬가지로, 가스 공급부(240) 내에서 공정 가스에 의한 반응이 일어나지 않게 되어 공정 가스가 분사되는 부분이 막히는 문제가 발생하지 않는다.
또한, 가스 공급부(240)에는 복수개의 제1 가스 분사구(244')와 복수개의 제2 가스 분사구(244)가 형성될 수 있다. 제1 가스 분사구(244')는 내관(242)을 통해 공급되는 제1 공정 가스를 분사하고, 제2 가스 분사구(244)는 외관(241)을 통해 공급되는 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 내관(242)을 통해 공급되는 제1 공정 가스가 제3 가스 분사구(243)로 분사되고, 분사된 제1 공정 가스가 통로(245)를 통해 제1 가스 분사구(244')로 분사되는 점에서 이전 실시예와 다르다. 그 외의 제1 및 제2 가스 분사구(244', 244)가 형성된 위치와 제1 및 제2 가스 분사구(244', 244)의 크기에 관한 점은 이전 실시예와 동일할 수 있다. 가스 공급부(240)를 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4(a)에서 나타내는 바와 같이, 외관(241) 및 내관(242)이 준비된다. 그리고, 도 4(b)에서 나타내는 바와 같이, 외관(241)에는 제1 및 제2 가스 분사구(244', 244)를 형성하고, 내관(242)에는 제3 가스 분사구(243)를 형성할 수 있다. 외관(241)에는 소정의 높이 마다 동일한 간격으로 둘레 방향으로 제1 및 제2 가스 분사구(244', 244)가 형성될 수 있고, 내관(242)에는 소정의 높이 마다 일렬로 제3 가스 분사구(243)가 형성될 수 있다. 외관(241)의 제1 가스 분사구(244')와 내관(242)의 제3 가스 분사구(243)는 후술하는 바와 같이 서로 연결되므로, 제1 가스 분사구(244')와 제3 가스 분사구(243)가 형성되는 높이는 서로 동일한 것이 바람직하다.
외관(241)에 제1 및 제2 가스 분사구(244', 244)가 형성되고 내관(242)에 제3 가스 분사구(243)가 형성되면, 도 4(c)에서 나타내는 바와 같이, 외관(241)에 형성된 제1 가스 분사구(244')와 내관(242)에 형성된 제3 가스 분사구(243) 간에 통로(245)를 형성할 수 있다. 도 4(d)는 모든 내관(242)이 외관(241) 내부에 위치하고, 내관(242)의 제3 가스 분사구(243)가 외관(241)의 제1 가스 분사구(244')와 연결된 상태를 나타낸다.
제1 가스 분사구(244')와 제3 가스 분사구(243)가 모두 통로(245)에 의해 연결되면, 가스 공급부(240) 내부를 흐르는 공정 가스가 제1 가스 분사구(244') 및 제2 가스 분사구(244) 외에 다른 부분으로 배출되지 않도록 하기 위하여, 도 4(e)에서 나타내는 바와 같이, 외관(241) 및 내관(242)의 일단을 봉하기 위한 덮개(246)를 씌울 수 있다. 그리고, 도 4(f)에서 나타내는 바와 같이, 필요에 따라 덮개(246) 위에 반구 형상의 캡(247)을 씌울 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
[부호의 설명]
140, 240: 가스 공급부
141, 241: 외관
142, 242: 내관
143, 244': 제1 가스 분사구
144, 244: 제2 가스 분사구
243: 제3 가스 분사구
245: 통로

Claims (15)

  1. 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부로서,
    외관 및 상기 외관의 내부에 위치하는 적어도 하나의 내관을 포함하고,
    복수개의 제1 가스 분사구를 통해 상기 내관에 공급되는 제1 공정 가스가 상기 외관의 외부로 분사되고,
    복수개의 제2 가스 분사구를 통해 상기 외관에 공급되는 제2 공정 가스가 상기 외관의 외부로 분사되는 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내관은 상기 외관의 소정의 부위와 접하고,
    상기 제1 가스 분사구는 상기 소정의 부위에 상기 외관과 상기 내관을 관통하도록 형성되고,
    상기 제2 가스 분사구는 상기 외관의 상기 소정의 부위 이외의 부위에 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 내관에는 복수개의 제3 가스 분사구가 형성되고,
    상기 제1 가스 분사구와 상기 제3 가스 분사구 간에는 통로가 개재되는 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 복수개의 제1 가스 분사구 및 상기 복수개의 제2 가스 분사구가 형성된 위치는 상기 공정 가스에 의해 처리되는 기판이 놓이는 위치에 대응하는 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 공정 가스와 상기 제2 공정 가스는 서로 다른 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 공정 가스는 NH3 가스이고, 상기 제2 공정 가스는 HCl 가스 및 GaCl 가스인 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 가스 분사구 또는 상기 제2 가스 분사구의 크기는 형성된 위치에 따라 크기가 다른 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 가스 분사구 또는 상기 제2 가스 분사구의 크기는 상기 제1 공정 가스 또는 상기 제2 공정 가스가 흐르는 방향에 따라 커지는 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 외관 및 상기 내관은 석영(quartz)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 공급부.
  10. 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 제조하는 방법으로서,
    외관의 소정의 부위에 적어도 하나의 내관을 접합시키는 단계;
    상기 소정의 부위에 상기 외관과 상기 내관을 관통하는 제1 가스 분사구를 형성하는 단계;
    상기 외관의 상기 소정의 부위 이외의 부위에 제2 가스 분사구를 형성하는 단계; 및
    상기 외관 및 상기 내관의 일단에 덮개를 씌우는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급부 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 내관은 용접 방식을 이용하여 상기 외관의 상기 소정의 부위에 접합시키는 것을 특징으로 하는 가스 공급부 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 가스 분사구 및 상기 제2 가스 분사구는 드릴을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 공급부 제조방법.
  13. 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 제조하는 방법으로서,
    외관에 제1 가스 분사구 및 제2 가스 분사구를 형성하는 단계;
    내관에 제3 가스 분사구를 형성하는 단계;
    상기 외관의 내부에 적어도 하나의 상기 내관을 위치시키고 상기 제1 가스 분사구와 상기 제3 가스 분사구 간에 통로를 개재시키는 단계; 및
    상기 외관 및 상기 내관의 일단에 덮개를 씌우는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급부 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 가스 분사구와 상기 제3 가스 분사구 간에 통로를 개재시키기 위하여 용접을 이용하는 것을 특징으로 하는 가스 공급부 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 가스 분사구, 상기 제2 가스 분사구 및 상기 제3 가스 분사구는 드릴을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 공급부 제조방법.
PCT/KR2013/005654 2012-06-29 2013-06-26 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법 Ceased WO2014003437A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380034301.XA CN104471677A (zh) 2012-06-29 2013-06-26 用于供给多种气体的供气单元及其制造方法
US14/410,197 US20150322570A1 (en) 2012-06-29 2013-06-26 Gas supply unit for supplying multiple gases, and method for manufacturing same
JP2015520015A JP2015528054A (ja) 2012-06-29 2013-06-26 複数のガスを供給するためのガス供給部およびその製造方法
EP13810167.0A EP2869334A4 (en) 2012-06-29 2013-06-26 GAS SUPPLY UNIT FOR THE INTAKE OF MULTIPLE GASES AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0071417 2012-06-29
KR20120071417 2012-06-29
KR1020120118119A KR101412643B1 (ko) 2012-06-29 2012-10-23 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법
KR10-2012-0118119 2012-10-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014003437A1 true WO2014003437A1 (ko) 2014-01-03

Family

ID=50140522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/005654 Ceased WO2014003437A1 (ko) 2012-06-29 2013-06-26 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150322570A1 (ko)
EP (1) EP2869334A4 (ko)
JP (1) JP2015528054A (ko)
KR (1) KR101412643B1 (ko)
CN (1) CN104471677A (ko)
TW (1) TW201406979A (ko)
WO (1) WO2014003437A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015131984A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 三菱マテリアル株式会社 減圧式縦型化学蒸着装置及び化学蒸着方法
JP2016117934A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 三菱マテリアル株式会社 化学蒸着装置、化学蒸着方法
CN105899710A (zh) * 2014-01-10 2016-08-24 三菱综合材料株式会社 化学蒸镀装置及化学蒸镀方法
US10364498B2 (en) * 2014-03-31 2019-07-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas supply pipe, and gas treatment equipment

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170032934A1 (en) * 2014-04-09 2017-02-02 Bühler Alzenau Gmbh Gas distribution apparatus in a vacuum chamber, comprising a gas conducting device
JP2017020111A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 三菱マテリアル株式会社 化学蒸着装置、化学蒸着方法
JP6509104B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN112981370B (zh) * 2019-12-16 2023-10-27 芯恩（青岛）集成电路有限公司 沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242100A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk 半導体製造装置の洗浄装置
JP2003075859A (ja) * 2001-09-03 2003-03-12 Miwa Engineering:Kk スルーホールの形成方法及びスルーホールが形成された基板
JP2006336788A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Calsonic Kansei Corp 二重管の端末構造及び二重管の端末加工方法
KR20110103630A (ko) * 2010-03-15 2011-09-21 주식회사 티지솔라 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6475277B1 (en) * 1999-06-30 2002-11-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III-V nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus
KR100561848B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-16 삼성전자주식회사 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치
JP2006294916A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
CN101589171A (zh) * 2006-03-03 2009-11-25 普拉萨德·盖德吉尔 用于大面积多层原子层化学气相处理薄膜的装置和方法
JP5062144B2 (ja) * 2008-11-10 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 ガスインジェクター
SG173052A1 (en) * 2009-03-03 2011-08-29 Soitec Silicon On Insulator Gas injectors for cvd systems with the same
KR100996210B1 (ko) * 2010-04-12 2010-11-24 세메스 주식회사 가스 분사 유닛 및 이를 이용한 박막 증착 장치 및 방법
KR101205436B1 (ko) * 2011-01-04 2012-11-28 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242100A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk 半導体製造装置の洗浄装置
JP2003075859A (ja) * 2001-09-03 2003-03-12 Miwa Engineering:Kk スルーホールの形成方法及びスルーホールが形成された基板
JP2006336788A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Calsonic Kansei Corp 二重管の端末構造及び二重管の端末加工方法
KR20110103630A (ko) * 2010-03-15 2011-09-21 주식회사 티지솔라 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015131984A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 三菱マテリアル株式会社 減圧式縦型化学蒸着装置及び化学蒸着方法
CN105899710A (zh) * 2014-01-10 2016-08-24 三菱综合材料株式会社 化学蒸镀装置及化学蒸镀方法
EP3093368A4 (en) * 2014-01-10 2017-06-14 Mitsubishi Materials Corporation Chemical vapor deposition device, and chemical vapor deposition method
US10364498B2 (en) * 2014-03-31 2019-07-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas supply pipe, and gas treatment equipment
JP2016117934A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 三菱マテリアル株式会社 化学蒸着装置、化学蒸着方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201406979A (zh) 2014-02-16
JP2015528054A (ja) 2015-09-24
CN104471677A (zh) 2015-03-25
EP2869334A4 (en) 2015-07-08
EP2869334A1 (en) 2015-05-06
KR101412643B1 (ko) 2014-07-08
KR20140004550A (ko) 2014-01-13
US20150322570A1 (en) 2015-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014003437A1 (ko) 복수의 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 그 제조방법
CN111211074B (zh) 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫
WO2011037377A2 (ko) 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법
WO2011129492A1 (ko) 가스 분사 유닛 및 이를 이용한 박막 증착 장치 및 방법
CN105493229B (zh) 用于杂质分层外延法的设备
WO2013022127A1 (ko) Ｍｏｃｖｄ 장치
KR20110103630A (ko) 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법
KR101462259B1 (ko) 배치식 증착막 형성장치
WO2014119955A1 (ko) 배치식 증착층 형성장치
KR101378801B1 (ko) 복수개의 기판이 안착되는 기판 서포트의 중앙을 관통하는 공정 가스 공급부를 갖는 배치식 에피택셜층 형성장치
KR101505184B1 (ko) 회전 부재를 포함하는 증착막 형성 장치
KR101625008B1 (ko) 공정 가스 공급부
KR101505183B1 (ko) 회전 부재를 포함하는 증착막 형성 장치
KR101555021B1 (ko) 배치식 증착층 형성장치
KR101350779B1 (ko) 가스공급장치와 이를 포함한 배치식 에피택셜층 형성장치
KR101525504B1 (ko) 기판 지지부의 중앙을 관통하는 가스 공급부를 갖는 배치식 에피택셜층 형성장치
JP2016135899A (ja) 回転部材を含む蒸着膜形成装置
KR101552229B1 (ko) 회전 부재를 포함하는 증착막 형성 장치
KR20170043802A (ko) 증착막 형성 장치
KR101477785B1 (ko) 가이드 부재를 포함하는 기판 지지부 및 증착막 형성 장치
KR101573522B1 (ko) 유기금속 화학기상 증착장치의 노즐 유닛
CN105839080A (zh) 包含旋转部件的沉积膜形成装置
WO2012105757A2 (en) Deposition apparatus
WO2018106039A1 (ko) 유기금속화학기상증착장치
KR20150000224A (ko) 금속 할로겐 가스 형성장치 및 이를 포함하는 증착막 형성장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13810167

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14410197

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015520015

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2013810167

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013810167

Country of ref document: EP