WO2014016285A2 - Composants micro-electroniques passifs, aptes a laisser circuler un signal radiofrequence ou hyperfrequence selon une seule direction - Google Patents

Composants micro-electroniques passifs, aptes a laisser circuler un signal radiofrequence ou hyperfrequence selon une seule direction Download PDF

Info

Publication number
WO2014016285A2
WO2014016285A2 PCT/EP2013/065495 EP2013065495W WO2014016285A2 WO 2014016285 A2 WO2014016285 A2 WO 2014016285A2 EP 2013065495 W EP2013065495 W EP 2013065495W WO 2014016285 A2 WO2014016285 A2 WO 2014016285A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
graphene
radiofrequency
microelectronic
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/065495
Other languages
English (en)
Other versions
WO2014016285A3 (fr
Inventor
Afshin Ziaei
Matthieu Le Baillif
Shailendra Bansropun
Paolo MARTINS
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thales SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thales SA filed Critical Thales SA
Priority to US14/416,700 priority Critical patent/US9819065B2/en
Priority to KR1020157004125A priority patent/KR102066313B1/ko
Priority to JP2015523526A priority patent/JP6200502B2/ja
Priority to SG11201500560PA priority patent/SG11201500560PA/en
Priority to EP13740000.8A priority patent/EP2875549B1/fr
Publication of WO2014016285A2 publication Critical patent/WO2014016285A2/fr
Publication of WO2014016285A3 publication Critical patent/WO2014016285A3/fr
Priority to IL236849A priority patent/IL236849B/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38—Circulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors (thin- or thick-film circuits; capacitors without a potential-jump or surface barrier specially adapted for integrated circuits, details thereof, multistep manufacturing processes therefor)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38—Circulators
    • H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
    • H01P1/387—Strip line circulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/003—Coplanar lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/081—Microstriplines
    • H01P3/082—Multilayer dielectric
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H2300/00—Orthogonal indexing scheme relating to electric switches, relays, selectors or emergency protective devices covered by H01H
    • H01H2300/036—Application nanoparticles, e.g. nanotubes, integrated in switch components, e.g. contacts, the switch itself being clearly of a different scale, e.g. greater than nanoscale

Definitions

  • Passive microelectronic components capable of allowing a radiofrequency or microwave signal to circulate in a single direction
  • the present invention relates to passive microelectronic components, able to let a radiofrequency or microwave signal circulate in a single direction.
  • the invention lies in the general field of microelectronic components for an integrated circuit, and finds applications in radiofrequency or microwave telecommunications systems such as radar systems or wireless telephony.
  • radiofrequency or microwave frequency components of ohmic or capacitive type, have no particular transmission direction associated.
  • a microstrip-type transmission line according to the state of the art can be connected indifferently between an input radio frequency line originating from a radio frequency source and an output radio frequency line.
  • radiofrequency or microwave signal can not return to the source from which it originates.
  • radiofrequency circulators In order to meet this need, radiofrequency components called radiofrequency circulators have been developed.
  • a radiofrequency circulator is a device with n ports, allowing a radiofrequency signal to circulate only in a given direction, called traffic direction, between an input port and an output port.
  • the radiofrequency signal is transmitted almost without loss in the direction of flow, and the reflected waves are strongly attenuated. This property is also referred to as the non-reciprocal transmission of the component.
  • Circulators using a ferrite structure and permanent magnet imposing a direction of electromagnetic gyration have been proposed in the state of the art, but this type of circulator has the disadvantage of being bulky and expensive.
  • the patent application FR 06 04857 describes a radiofrequency or microwave circulator based on microswitches, which greatly reduces its size. Nevertheless, even using the technology described in this document, it is necessary to manufacture a specific circulating component to obtain the property of non-reciprocity.
  • radiofrequency components having the property of non-reciprocity at lower manufacturing cost, while maintaining a small footprint.
  • the invention proposes a microelectronic passive radio frequency component for an integrated circuit comprising a dielectric substrate and at least one metal conductive layer disposed on said substrate, said conductive layer comprising at least a first metallic conductive portion and a second metallic conductive portion separated by insulation.
  • the passive radio frequency microelectronic component according to the invention comprises at least one layer of graphene arranged in such a way that a radiofrequency or microwave signal passes through said at least one layer of graphene when it is transmitted between said first metallic conductive part and said second metal conductive portion, said graphene layer being adapted, when subjected to an electrical potential, to transmit said radiofrequency or microwave signal in a first direction and to attenuate said radiofrequency or microwave signal in a second direction opposite to said first direction.
  • the invention proposes to exploit the electromagnetic polarization properties of a radiofrequency or microwave signal by a graphene layer to render various passive radio-frequency microelectronic components capable of transmitting a radiofrequency or microwave signal in a preferred direction.
  • graphene is a two-dimensional carbon monoplane crystal, the stack of which constitutes graphite. It has been shown that a single layer of graphene has a good electrical conduction and a polarization property of an electromagnetic field across the layer, the angle of rotation associated with the polarization being dependent on an electric potential applied to the graphene layer. Thus, the direction and the intensity of the polarization determine a preferred direction of transmission of the radiofrequency or microwave signal and consequently a direction of attenuation thereof.
  • one or more layers of graphene are easy to integrate in a method of manufacturing a microelectronic component.
  • said at least one layer of graphene when it is of the transmission line type, said at least one layer of graphene is placed in contact with the first metallic conductive part and connected to the second metallic conductive part via a metal bridge;
  • said at least one layer of graphene when it is of the capacitive type comprising a dielectric layer at least partially covering said first metal conductive part and in contact with said second metal conductive part, said at least one layer of graphene is placed in contact with said dielectric layer; when it is of the capacitive type as mentioned above, said at least one layer of graphene is disposed between said first metal conductive part and the dielectric layer;
  • said at least one layer of graphene is disposed between said second metallic conductive part and the dielectric layer;
  • the graphene layer or layers are of the same size in width and in length as said dielectric layer;
  • the graphene layer is composed of a sheet of carbon crystals of monoatomic thickness.
  • FIG. 1 represents a graphene sheet and illustrates the polarization property of graphene
  • FIG. 2 is an example of a coplanar transmission line
  • FIG. 3 is an example of a microstrip-type transmission line
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view of a non-reciprocal transmission line according to one embodiment of the invention.
  • FIG. 5 is a sectional view of a MIM type capacity
  • FIG. 6 is a sectional view of a non-reciprocal MIM capacitor according to one embodiment of the invention.
  • FIG. 7 is a view from above and a sectional view of a microswitch
  • FIG. 8 is a view from above and a sectional view of a non-reciprocal micro-switch according to one embodiment of the invention
  • FIG. 9 illustrates a non-reciprocal microelectronic component portion according to the invention.
  • the principle of the invention consists in adding one or more layers of graphene in a passive microelectronic component of ohmic or capacitive type, the graphene layers being positioned so as to exploit the polarization property of graphene to make the micro-component non-reciprocal electronics, thus passing in one direction and not passing in the opposite direction.
  • the invention will be described in its application to various passive microelectronic components which are transmission lines, capacitors and microswitches.
  • Figure 1 illustrates a graphene sheet 1 composed of hexagonal crystals of carbon 2, of mono-atomic thickness.
  • the components of the electric field E and magnetic B are represented in a three-dimensional reference frame (x, y, z), in order to illustrate the rotation of the electric field during the passage of a radiofrequency or microwave signal through the graphene sheet 1, when polarized by applying an electric potential.
  • the component E 1 of the electric field is rotated by an angle ⁇ .
  • the polarization angle and the polarization intensity determine a preferred direction of transmission and give rise to the phenomenon of non-reciprocity, in which the transmission in the direction opposite to the direction preferential is greatly attenuated by losses.
  • FIG. 9 illustrates a portion P of passive microelectronic component for an integrated circuit according to the invention.
  • the portion P which is shown in section, comprises a dielectric substrate S, a first metal conductive portion C1 and a second metal conductive portion C2.
  • the first conductive metal part C1 is placed on the substrate S.
  • the conductive parts C1 and C2 are separated by an insulation cutoff I, which is in practice a free space.
  • one or more sets B of additional layers are added in the isolation space I, between the conductive metal parts C1 and C2.
  • Set B comprises at least one layer of graphene G.
  • the intermediate layers and 1 2 are optional, depending on the embodiment envisaged, as described below.
  • At least one layer of graphene is disposed between the conductive metal parts C1 and C2.
  • any passive microelectronic component incorporating a portion P as described above becomes non-reciprocal.
  • the graphene layer G added is able to transmit a radiofrequency or microwave signal transmitted between the first conductive portion C1 and the second conductive portion C2 in a first direction and to attenuate it in a second direction, opposite to the first direction .
  • microelectronic component portion as described above in various passive microelectronic components which are transmission lines, capacitors and micro-switches, will be described in more detail.
  • FIG. 2 illustrates a transmission line of coplanar line 3 type according to the state of the art, widely used in integrated circuits, composed of a dielectric substrate 4, a conductive micro-ribbon 6, and two planes of mass 8, 10, located on the same side of the component as the microstrip.
  • FIG. 3 illustrates a transmission line of microstrip line type 12, also widely used in integrated circuits, comprising a ground plane 14, a dielectric substrate 16 and a conductive strip 18.
  • transmission lines 3, 12 are capable of being connected between a radiofrequency line of said source input and a so-called load radiofrequency line, not shown in the figures, and of transmitting a radiofrequency or microwave signal between the source and the load .
  • a completely similar implementation applies with the micro-ribbon type transmission line 12.
  • the substrate 22, corresponding to the substrate 4 of FIG. 2 is composed in this embodiment of a first layer 24 and a second passivation layer 26 superimposed on the layer 24.
  • the layer 24 is in high resistivity silicon and the layer 26 is silicon dioxide (silica).
  • a first metal conductive portion 28, forming part of the conductive micro-ribbon 6, is placed on the substrate.
  • a graphene layer 30 composed of a graphene sheet partly covers the first metallic conductive part 28.
  • the layer 30 is composed of several superimposed graphene sheets, in order to increase the polarization effect and the effect of non-reciprocity of the transmission that results therefrom.
  • the graphene layer 30 is in contact with a second metal conductive portion 32 forming part of the conductive microstrip 6, via a bridge 34 which extends the conductive portion 32 and partially covers the graphene sheet 30.
  • the conductive parts 28, 32 are separated by an insulation break 36, which separates the two metal parts.
  • the metal parts 28 and 32 are made of conductive metal, typically gold (Au).
  • FIG. 5 illustrates, in cross-section, another passive microelectronic component which is a metal-insulator-metal (MIM) type capacitor.
  • MIM metal-insulator-metal
  • the capacitor 40 comprises a substrate 42, composed in this embodiment of a first layer 44 and a second passivation layer 46, superimposed on the layer 44. These substrate layers are similar to the substrates already described with reference to FIGS. 2 and 3 for the transmission lines.
  • the capacitor 40 also comprises a first metal conductive part which is a metal layer 48, a dielectric layer 50 and a second metallic conductive part which is a metal layer 52.
  • the two metal layers 48, 52 constitute the reinforcements of the capacitor 40.
  • the dielectric layer 50 is in contact, on a part of its surface, with a part of the first layer 48 and on another part of its surface with a part of the second metal layer 52.
  • An insulation break 54 is arranged between the first metallic conductive layer 48 and the second metallic conductive layer 52, over the entire thickness so as to form an insulation and to obtain the capacitive effect through the dielectric 50.
  • the dielectric 50 is composed, for example, without limitation, of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (Si 3 N 4 ). Alternatively, any other known dielectric material may be used.
  • the metal parts 48, 52 are conductive metal, typically gold (Au).
  • Such a capacitive component is carried out by known techniques such as, for example, epitaxy or layer growth.
  • a graphene layer is for example manufactured by epitaxy from silicon carbide.
  • a non-reciprocal capacitive component 55 according to the invention illustrated in sectional view in FIG. 6, comprises, in addition to the elements already described for a conventional capacitive component, one or more layers of graphene 56, positioned in contact with the dielectric 50 .
  • the graphene layer is positioned "sandwich" with respect to the dielectric layer 50, and is located either above the dielectric layer as shown in Figure 6, or below.
  • the insertion of several layers of graphene makes it possible to increase the non-reciprocal effect of the component when they are polarized by applying an electric potential.
  • the graphene layers are either connected to the same source of potential, or each connected to a separate potential source.
  • the various stacked layers are manufactured successively. For example, when a layer of graphene is added to the middle of the dielectric layer, five manufacturing steps are implemented to manufacture respectively the layers of (metal, dielectric, graphene, dielectric, metal) of the component.
  • the graphene layer has the same dimensions in length and width as the dielectric layer 50.
  • FIG. 7 illustrates another passive component that can be made non-reciprocal according to the invention, which is a micro-frequency MEMS (Micro Electro-Mechanical System) microswitch.
  • MEMS Micro Electro-Mechanical System
  • FIG. 7 illustrates a top view 70 and a cross-sectional view 72 of a MEMS microswitch, which performs a switching function via a deformable metal membrane, in contact with conductive parts insulated from each other, the membrane coming to establish a contact when it is subjected to a potential difference.
  • the metallic conductive parts or layers 74 are insulated from each other, separated by a void space 75, the air acting as an insulator.
  • a first conductive metal part or central metal contact 76 makes it possible to short circuit when a membrane 78 is in the low state.
  • the conductive layers 74, 76 are affixed to a substrate 80, preferably comprising two layers, a first layer 82 and a second passivation layer 84, superimposed on the layer 82, as explained above with reference to the other passive components described.
  • the membrane 78 is connected to the ground plane by a contact 86.
  • a dielectric layer 88 is disposed above the central metal contact
  • the membrane 78 When the MEMS switch is actuated, the membrane 78 lowers and lands on the dielectric 88 and thus forms a capacitive contact between the contact 76 and the ground plane via the contact 86.
  • This configuration is similar to the configuration of the capacitance MIM described above with reference to Figures 5 and 6, the function of the second metal layer being performed by the metal membrane 78 in the lowered state.
  • the membrane 78 is made of conductive metal, typically gold
  • Figure 8 illustrates, in top view 90 and in cross-section 92, a microswitch of the type of Figure 7 improved by adding a layer of graphene.
  • FIG. 7 The references of FIG. 7 are repeated to designate the same elements.
  • a graphene layer 94 is added in contact with the dielectric 88.
  • the graphene layer is positioned above the dielectric 88 and has the same dimensions.
  • the graphene layer 94 formed of one or more graphene sheets, is placed above the electrical contact and below the dielectric 88.
  • a superposition of several alternating layers of dielectric and graphene is performed.
  • the coupling between the contact 86 and the ground plane is rendered non-reciprocal, and consequently the insulation is improved and the power is no longer reflected. on the plane of mass, it is absorbed. Thus, the switching capacity of this component is increased.
  • the passive microelectronic components described above are made non-reciprocal by adding one or more layers of graphene.
  • the size of these microelectronic components remains small, insofar as one or more layers of graphene have a very small thickness.
  • the non-reciprocal components obtained have dimensions similar to the dimensions of conventional components which have no direction of circulation of the radiofrequency or microwave preferred signal.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)

Description

Composants micro-électroniques passifs, aptes à laisser circuler un signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une seule direction
La présente invention concerne des composants micro-électroniques passifs, aptes à laisser circuler un signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une seule direction.
L'invention se situe dans le domaine général des composants micro-électroniques pour circuit intégré, et trouve des applications dans les systèmes de télécommunications radiofréquence ou hyperfréquence tels que les systèmes radar ou la téléphonie sans fil.
En général, les composants radiofréquence ou hyperfréquence, de type ohmique ou capacitif, n'ont pas de direction de transmission particulière associée. Ainsi par exemple une ligne de transmission de type micro-ruban selon l'état de la technique, peut être branchée indifféremment entre une ligne radiofréquence d'entrée provenant d'une source radiofréquence et une ligne radiofréquence de sortie.
Pour certaines applications, il est important que le signal radiofréquence ou hyperfréquence ne puisse pas retourner vers la source dont il provient.
Afin de répondre à ce besoin, des composants radiofréquence appelés circulateurs radiofréquence ont été développés. Un circulateur radiofréquence est un dispositif à n ports, permettant à un signal radiofréquence de circuler seulement selon une direction donnée, dite direction de circulation, entre un port d'entrée et un port de sortie. Le signal radiofréquence est transmis quasiment sans perte dans la direction de circulation, et les ondes réfléchies sont fortement atténuées. On appelle également cette propriété la non-réciprocité de transmission du composant.
Des circulateurs utilisant une structure à ferrite et à aimant permanent imposant un sens de giration électromagnétique ont été proposés dans l'état de la technique, mais ce type de circulateur présente l'inconvénient d'être encombrant et coûteux.
Alternativement, la demande de brevet FR 06 04857 décrit un circulateur radiofréquence ou hyperfréquence à base de micro-commutateurs, ce qui réduit largement son encombrement. Néanmoins, même en utilisant la technologie décrite dans ce document, il est nécessaire de fabriquer un composant circulateur spécifique pour obtenir la propriété de non-réciprocité.
Il est donc souhaitable d'obtenir des composants radiofréquence ayant la propriété de non-réciprocité à plus faible coût de fabrication, tout en conservant un faible encombrement.
A cet effet, l'invention propose un composant micro-électronique radiofréquence passif pour circuit intégré comportant un substrat diélectrique et au moins une couche conductrice métallique disposée sur ledit substrat, ladite couche conductrice comportant au moins une première partie conductrice métallique et une deuxième partie conductrice métallique séparées par une isolation.
Le composant micro-électronique radiofréquence passif selon l'invention comporte au moins une couche de graphène disposée de manière à ce qu'un signal radiofréquence ou hyperfréquence traverse ladite au moins une couche de graphène lorsqu'il est transmis entre ladite première partie conductrice métallique et ladite deuxième partie conductrice métallique, ladite couche de graphène étant apte, lorsqu'elle est soumise à un potentiel électrique, à transmettre ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une première direction et à atténuer ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une deuxième direction opposée à ladite première direction.
Avantageusement, l'invention propose d'exploiter les propriétés de polarisation électromagnétique d'un signal radiofréquence ou hyperfréquence par une couche de graphène pour rendre divers composants micro-électroniques radiofréquence passifs aptes à transmettre un signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une direction privilégiée.
En effet, le graphène est un cristal bidimensionnel monoplan de carbone, dont l'empilement constitue le graphite. Il a été montré qu'une couche unique de graphène présente une bonne conduction électrique et une propriété de polarisation d'un champ électromagnétique à travers la couche, l'angle de rotation associé à la polarisation étant dépendant d'un potentiel électrique appliqué à la couche de graphène. Ainsi, le sens et l'intensité de la polarisation déterminent une direction de transmission préférentielle du signal radiofréquence ou hyperfréquence et par conséquent, une direction d'atténuation de celui-ci.
Avantageusement, une ou plusieurs couches de graphène sont aisées à intégrer dans un procédé de fabrication d'un composant micro-électronique.
Le composant micro-électronique passif selon l'invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous :
- lorsqu'il est de type ligne de transmission, ladite au moins une couche de graphène est disposée en contact avec la première partie conductrice métallique et reliée à la deuxième partie conductrice métallique via un pont métallique ;
-lorsqu'il est de type capacitif comportant une couche de diélectrique recouvrant au moins partiellement ladite première partie conductrice métallique et en contact avec ladite deuxième partie conductrice métallique, ladite au moins une couche de graphène est disposée en contact avec ladite couche de diélectrique ; - lorsqu'il est du type capacitif tel que mentionné ci-dessus, ladite au moins une couche de graphène est disposée entre ladite première partie conductrice métallique et la couche de diélectrique ;
- lorsqu'il est du type capacitif tel que mentionné ci-dessus, ladite au moins une couche de graphène est disposée entre ladite deuxième partie conductrice métallique et la couche de diélectrique ;
- lorsqu'il est du type capacitif tel que mentionné ci-dessus, il comporte une pluralité de couches de diélectrique et de graphène alternées ;
- lorsqu'il est de type micro-commutateur comprenant une membrane métallique flexible apte à établir un contact entre ladite première partie conductrice métallique et ladite deuxième partie conductrice métallique, la première partie conductrice métallique étant recouverte d'une couche de diélectrique, ladite couche de graphène est disposée en contact avec ladite couche de diélectrique ;
- lorsqu'il est de type micro-commutateur tel que mentionné ci-dessus, il comporte une pluralité de couches de diélectrique et de graphène alternées ;
- lorsqu'il est du type capacitif ou de type micro-commutateur, la ou les couches de graphène sont de mêmes dimensions en largeur et en longueur que ladite couche de diélectrique ;
- la couche de graphène est composée d'une feuille de cristaux de carbone d'épaisseur mono-atomique.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles :
-la figure 1 représente une feuille de graphène et illustre la propriété de polarisation du graphène ;
- la figure 2 est un exemple de ligne de transmission de type coplanaire ;
- la figure 3 est un exemple de ligne de transmission de type micro-ruban ;
- la figure 4 est une vue en coupe longitudinale d'une ligne de transmission non- réciproque selon un mode de réalisation de l'invention ;
- la figure 5 est une vue en coupe d'une capacité de type MIM ;
- la figure 6 est une vue en coupe d'une capacité MIM non-réciproque selon un mode de réalisation de l'invention ;
- la figure 7 est une vue du dessus et une vue de coupe d'un micro-commutateur, et -la figure 8 est une vue du dessus et une vue de coupe d'un micro-commutateur non-réciproque selon un mode de réalisation de l'invention ;
- la figure 9 illustre une portion de composant micro-électronique non réciproque selon l'invention.
Le principe de l'invention consiste à rajouter une ou plusieurs couches de graphène dans un composant micro-électronique passif de type ohmique ou capacitif, les couches de graphène étant positionnées de manière à exploiter la propriété de polarisation du graphène pour rendre le composant micro-électronique non-réciproque, donc passant selon une direction et non passant selon la direction opposée.
L'invention sera décrite dans son application à divers composants microélectroniques passifs qui sont des lignes de transmission, des capacités et des microcommutateurs.
La figure 1 illustre une feuille de graphène 1 composée de cristaux hexagonaux de carbone 2, d'épaisseur mono-atomique. Les composantes du champ électrique E et magnétique B sont représentées dans un référentiel tridimensionnel (x,y,z), afin d'illustrer la rotation du champ électrique lors du passage d'un signal radiofréquence ou hyperfréquence à travers la feuille de graphène 1 , lorsqu'elle est polarisée par application d'un potentiel électrique. Selon le niveau de potentiel électrique appliqué au niveau de la couche de graphène 1 , la composante Ei du champ électrique subit une rotation d'un angle Θ.
L'angle de polarisation et l'intensité de polarisation, dépendants du niveau de potentiel appliqué à la feuille de graphène, déterminent une direction de transmission préférentielle et engendrent le phénomène de non-réciprocité, selon lequel la transmission dans la direction opposée à la direction préférentielle est fortement atténuée par des pertes.
La figure 9 illustre une portion P de composant micro-électronique passif pour circuit intégré selon l'invention.
La portion P, qui est représentée en coupe, comprend un substrat diélectrique S, une première partie conductrice métallique C1 et une deuxième partie conductrice métallique C2. La première partie métallique conductrice C1 est posée sur le substrat S. Les parties conductrices C1 et C2 sont séparées par une coupure d'isolation I, qui est en pratique un espace libre.
Selon le principe de l'invention, un ou plusieurs ensembles B de couches supplémentaires sont ajoutés dans l'espace d'isolation I, entre les parties métalliques conductrices C1 et C2. L'ensemble B comprend au moins une couche de graphène G. Il peut également comprendre une première couche intermédiaire , par exemple un couche diélectrique, positionnée sous la couche de graphène G et une couche intermédiaire l2, positionnée au-dessus de la couche de graphène. Les couches intermédiaires et l2 sont optionnelles, selon le mode de réalisation envisagé, comme décrit ci-après.
Ainsi, au moins une couche de graphène est disposée entre les parties métalliques conductrices C1 et C2.
Tout composant micro-électronique passif intégrant une portion P telle que décrite ci-dessus devient non réciproque. En effet, la couche de graphène G ajoutée est apte à transmettre un signal radiofréquence ou hyperfréquence transmis entre la première partie conductrice C1 et la deuxième partie conductrice C2 selon une première direction et à l'atténuer selon une deuxième direction, opposée à la première direction.
L'utilisation d'une portion de composant micro-électronique tel que décrit ci-dessus dans divers composants micro-électroniques passifs qui sont des lignes de transmission, des capacités et des micro-commutateurs, sera décrite plus en détail.
La figure 2 illustre une ligne de transmission de type ligne coplanaire 3 selon l'état de la technique, largement utilisée dans des circuits intégrés, composée d'un substrat diélectrique 4, d'un micro-ruban conducteur 6, et de deux plans de masse 8, 10, situés sur la même face du composant que le micro-ruban.
La figure 3 illustre une ligne de transmission de type ligne micro-ruban 12, également largement utilisée dans les circuits intégrés, comportant un plan de masse 14, un substrat diélectrique 16 et un ruban conducteur 18.
Ces lignes de transmission 3, 12 sont aptes à être connectées entre une ligne radiofréquence d'entrée dite source et une ligne radiofréquence de sortie dite charge, non représentées sur les figures, et à transmettre un signal radiofréquence ou hyperfréquence entre la source et la charge.
Afin de rendre ces lignes de transmission 3, 12 non-réciproques, en instaurant une première direction de transmission préférentielle et une deuxième direction de transmission fortement atténuée, la deuxième direction étant opposée à la première direction, une ou plusieurs couches de graphène sont insérées en série comme illustré à la figure 4, qui représente une vue en coupe longitudinale de la ligne centrale d'une ligne de transmission coplanaire 3. Une couche de graphène est constituée d'une ou plusieurs feuilles de graphène 1 superposées.
Une mise en œuvre tout à fait analogue s'applique avec la ligne de transmission de type micro-ruban 12. Dans la vue en coupe 20 de la ligne de transmission 3 est représenté l'empilement de couches minces formant la partie centrale de la ligne de transmission. Le substrat 22, correspondant au substrat 4 de la figure 2, est composé dans ce mode de réalisation d'une première couche 24 et d'une deuxième couche de passivation 26, superposée à la couche 24. Par exemple, la couche 24 est en silicium haute résistivité et la couche 26 est en dioxyde de silicium (silice). Une première partie conductrice métallique 28, faisant partie du micro-ruban conducteur 6, est posée sur le substrat.
Une couche de graphène 30 composée d'une feuille de graphène recouvre en partie la première partie conductrice métallique 28.
En variante, la couche 30 est composée de plusieurs feuilles de graphène superposées, afin d'augmenter l'effet de polarisation et l'effet de non-réciprocité de la transmission qui en découle.
La couche de graphène 30 est en contact avec une deuxième partie conductrice métallique 32 faisant partie du micro-ruban conducteur 6, via un pont 34 qui prolonge la partie conductrice 32 et recouvre partiellement la feuille de graphène 30.
Les parties conductrices 28, 32 sont séparées par une coupure d'isolation 36, qui sépare les deux parties métalliques.
Dans un mode de réalisation, les parties métalliques 28 et 32 sont en métal conducteur, typiquement de l'or (Au).
Lorsqu'un potentiel est appliqué à la couche de graphène 30 à travers d'électrodes non représentées sur la figure 4, elle est polarisée, ce qui a pour effet, comme expliqué ci- dessus, de définir une direction de transmission préférentielle d'un signal radiofréquence ou hyperfréquence.
La figure 5 illustre, en coupe transversale, un autre composant micro-électronique passif qui est une capacité de type Métal- Isolant-Métal (MIM).
La capacité 40 comprend un substrat 42, composé dans ce mode de réalisation d'une première couche 44 et d'une deuxième couche de passivation 46, superposée à la couche 44. Ces couches de substrat sont analogues aux substrats déjà décrits en référence aux figures 2 et 3 pour les lignes de transmission.
La capacité 40 comporte également une première partie conductrice métallique qui est une couche métallique 48, une couche de diélectrique 50 et une deuxième partie conductrice métallique qui est une couche métallique 52. Les deux couches métalliques 48, 52 constituent les armatures de la capacité 40. La couche de diélectrique 50 est en contact, sur une partie de sa surface, d'une partie de la première couche 48 et sur une autre partie de sa surface, d'une partie de la deuxième couche métallique 52. Une coupure d'isolation 54 est aménagée entre la première couche conductrice métallique 48 et la deuxième couche conductrice métallique 52, sur toute l'épaisseur de manière à former une isolation et à obtenir l'effet capacitif à travers le diélectrique 50.
Le diélectrique 50 est composé par exemple, de manière non limitative, d'oxyde de silicium (Si02) ou de nitrure de silicium (Si3N4). En variante, tout autre matériau diélectrique connu peut être utilisé.
Les parties métalliques 48, 52 sont en métal conducteur, typiquement en or (Au).
La fabrication d'un tel composant capacitif est réalisée par des techniques connues comme par exemple l'épitaxie ou croissance de couches.
Avantageusement, il est aisé d'intégrer à de tels procédés de fabrication l'ajout d'une ou plusieurs couches de graphène pour réaliser un composant capacitif non- réciproque selon l'invention, dont un exemple en vue de coupe est illustré à la figure 6. En effet, une couche de graphène est par exemple fabriquée par épitaxie à partir de carbure de silicium.
Un composant capacitif non-réciproque 55 selon l'invention illustré en vue de coupe à la figure 6, comporte, en plus des éléments déjà décrits pour un composant capacitif classique, une ou plusieurs couches de graphène 56, positionnées en contact avec le diélectrique 50.
De préférence, la couche de graphène est positionnée en « sandwich » par rapport à la couche diélectrique 50, et se situe soit au-dessus de la couche diélectrique comme illustré sur la figure 6, soit en-dessous.
Dans le cas alternatif où plusieurs couches de graphène sont prévues, elles sont par exemple positionnées en alternance avec des couches de diélectrique. Avantageusement, l'insertion de plusieurs couches de graphène permet d'augmenter l'effet de non-réciprocité du composant lorsqu'elles sont polarisées par application d'un potentiel électrique. Les couches de graphène sont soit reliées à une même source de potentiel, soit reliées chacune à une source de potentiel séparée. Les diverses couches empilées sont fabriquées successivement. Par exemple, lorsqu'une couche de graphène est ajoutée au milieu de la couche diélectrique, cinq étapes de fabrication sont mises en œuvre pour fabriquer respectivement les couches de (métal, diélectrique, graphène, diélectrique, métal) du composant.
De préférence, la couche de graphène a les mêmes dimensions en longueur et en largeur que la couche diélectrique 50.
De manière similaire, il est possible de rendre une capacité de type capacité interdigitée non-réciproque, en appliquant une ou plusieurs feuilles de graphène en recouvrement sur les doigts d'un ou des deux peignes positionnés en regard. Similairement au mode de réalisation de la capacité MIM explicité ci-dessus en référence à la figure 6, la ou les feuilles de graphène sont alors en contact avec le diélectrique qui est l'air dans ce cas de figure et permettent de favoriser la transmission d'un signal radiofréquence ou hyperfréquence selon un sens donné lorsqu'elles sont polarisées par application d'un potentiel.
La figure 7 illustre un autre composant passif qu'il est possible de rendre non- réciproque selon l'invention, qui est un micro-commutateur MEMS (Micro Electro- Mechanical System) radiofréquence ou hyperfréquence.
La figure 7 illustre une vue du dessus 70 et une vue en coupe transversale 72 d'un micro-commutateur MEMS, qui réalise une fonction de commutation via une membrane métallique déformable, en contact avec des parties conductrices isolées entre elles, la membrane venant établir un contact lorsqu'elle est soumise à une différence de potentiel.
Comme illustré sur la figure 7, les parties ou couches conductrices métalliques 74 sont isolées entre elles, séparées par un espace vide 75, l'air jouant le rôle d'isolant. Une première partie métallique conductrice ou contact métallique central 76 permet de réaliser un court-circuit lorsqu'une membrane 78 est à l'état bas. Les couches conductrices 74, 76 sont apposées sur un substrat 80, comportant préférentiellement deux couches, une première couche 82 et une deuxième couche de passivation 84, superposée à la couche 82, comme expliqué ci-dessus en référence aux autres composants passifs décrits.
La membrane 78 est reliée au plan de masse par un contact 86.
Une couche diélectrique 88 est disposée au-dessus du contact métallique central
76.
Lorsque le commutateur MEMS est actionné, la membrane 78 s'abaisse et se pose sur le diélectrique 88 et forme ainsi un contact capacitif entre le contact 76 et le plan de masse via le contact 86. Cette configuration est similaire à la configuration de la capacité MIM décrite ci-dessus en référence aux figures 5 et 6, la fonction de la deuxième couche métallique étant réalisée par la membrane métallique 78 à l'état abaissé.
Classiquement, la membrane 78 est en métal conducteur, typiquement de l'or
(Au).
La figure 8 illustre, en vue du dessus 90 et en coupe transversale 92 un micro- commutateur du type de celui de la figure 7 amélioré par ajout d'une couche de graphène.
Les références de la figure 7 sont reprises pour désigner les mêmes éléments. En supplément des éléments du micro-commutateur MEMS de la figure 7, une couche de graphène 94 est ajoutée en contact avec le diélectrique 88.
Dans le mode de réalisation illustré à la figure 8, la couche de graphène est positionnée au-dessus du diélectrique 88 et a les mêmes dimensions. Dans un mode de réalisation alternatif, la couche de graphène 94, formée d'une ou plusieurs feuilles de graphène, est posée au-dessus du contact électrique et en dessous du diélectrique 88.
Dans un autre mode de réalisation alternatif, une superposition de plusieurs couches alternées de diélectrique et de graphène est réalisée.
Avantageusement, grâce à la couche de graphène ou à la pluralité de couches de graphène, le couplage entre le contact 86 et le plan de masse est rendu non-réciproque, et par conséquent l'isolation est améliorée et la puissance n'est plus réfléchie sur le plan de masse, elle est absorbée. Ainsi, la capacité de commutation de ce composant est augmentée.
Il est envisagé, de manière analogue, d'ajouter une ou plusieurs couches de graphène dans un commutateur MEMS capacitif de type série.
Avantageusement, les composants micro-électroniques passifs décrits ci-dessus sont rendus non-réciproques par ajout d'une ou plusieurs couches de graphène. L'encombrement de ces composants micro-électroniques reste faible, dans la mesure où une ou plusieurs couches de graphène ont une très faible épaisseur. Les composants non-réciproques obtenus ont des dimensions similaires aux dimensions des composants classiques qui n'ont pas de sens de circulation du signal radiofréquence ou hyperfréquence privilégié.
La fabrication de composants micro-électroniques passifs avec ajout d'une ou plusieurs couches de graphène est aisée, car elle comporte simplement l'ajout de couches supplémentaires dans l'empilement de couches constituant de tels composants.

Claims

REVENDICATIONS
1 .- Composant micro-électronique radiofréquence passif pour circuit intégré comportant un substrat diélectrique (S, 22, 42, 80) et au moins une couche conductrice métallique disposée sur ledit substrat, ladite couche conductrice comportant au moins une première partie conductrice métallique (C1 , 28, 48, 76) et une deuxième partie conductrice métallique (C2, 32, 52, 74) séparées par une isolation (I, 36, 54, 75),
caractérisé en ce qu'il comporte au moins une couche de graphène (G, 30, 56, 94) disposée de manière à ce qu'un signal radiofréquence ou hyperfréquence traverse ladite au moins une couche de graphène (G, 30, 56, 94) lorsqu'il est transmis entre ladite première partie conductrice métallique et ladite deuxième partie conductrice métallique, ladite couche de graphène (G, 30, 56, 94) étant apte, lorsqu'elle est soumise à un potentiel électrique, à transmettre ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une première direction et à atténuer ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une deuxième direction opposée à ladite première direction.
2.- Composant micro-électronique radiofréquence passif selon la revendication 1 de type ligne de transmission (20), caractérisé en ce que ladite au moins une couche de graphène (30) est disposée en contact avec ladite première partie conductrice métallique (28) et reliée à ladite deuxième partie conductrice métallique (32) via un pont métallique (34) qui prolonge ladite deuxième partie conductrice (32) et recouvre partiellement ladite au moins une couche de graphène (30).
3. - Composant micro-électronique radiofréquence selon la revendication 1 de type capacitif (55), comportant une couche de diélectrique (50) recouvrant au moins partiellement ladite première partie conductrice métallique (48) et en contact avec ladite deuxième partie conductrice métallique (52), caractérisé en ce que ladite au moins une couche de graphène (56) est disposée en contact avec ladite couche de diélectrique (50).
4. - Composant micro-électronique radiofréquence selon la revendication 3 caractérisé en ce qu'au moins une couche de graphène (56) est disposée entre ladite première partie conductrice métallique (48) et la couche de diélectrique (50).
5. - Composant micro-électronique radiofréquence selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce qu'au moins une couche de graphène (56) est disposée entre ladite deuxième partie conductrice métallique (52) et la couche de diélectrique (50).
6. - Composant micro-électronique radiofréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de couches de diélectrique et de graphène alternées.
7.- Composant micro-électronique radiofréquence selon la revendication 1 de type micro-commutateur (90, 92) comprenant une membrane métallique flexible (78) apte à établir un contact en ladite première partie conductrice métallique (76) et ladite deuxième partie conductrice métallique (74), la première partie conductrice métallique (76) étant recouverte d'une couche de diélectrique (88), caractérisé en ce que ladite couche de graphène (94) est disposée en contact avec ladite couche de diélectrique (88).
8.- Composant micro-électronique radiofréquence selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de couches de diélectrique et de graphène alternées.
9. - Composant micro-électronique radiofréquence selon l'une quelconque des revendications 3 à 8, caractérisé en ce que la ou les couches de graphène sont de mêmes dimensions en largeur et en longueur que ladite couche de diélectrique (50, 88).
10. - Composant micro-électronique radiofréquence selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une dite couche de graphène (30, 56, 94) est composée d'une feuille de cristaux de carbone d'épaisseur mono-atomique.
PCT/EP2013/065495 2012-07-23 2013-07-23 Composants micro-electroniques passifs, aptes a laisser circuler un signal radiofrequence ou hyperfrequence selon une seule direction Ceased WO2014016285A2 (fr)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/416,700 US9819065B2 (en) 2012-07-23 2013-07-23 Passive microelectronic components, capable of allowing a radio-frequency or hyper-frequency signal to travel in a single direction
KR1020157004125A KR102066313B1 (ko) 2012-07-23 2013-07-23 무선주파수 또는 하이퍼주파수 신호가 단방향으로 진행하도록 할 수 있는 수동형 마이크로전자 부품
JP2015523526A JP6200502B2 (ja) 2012-07-23 2013-07-23 無線周波数または高周波信号が一方向に伝わるようにすることができる受動マイクロ電子部品
SG11201500560PA SG11201500560PA (en) 2012-07-23 2013-07-23 Passive microelectronic components, capable of allowing a radio-frequency or hyper-frequency signal to travel in a single direction
EP13740000.8A EP2875549B1 (fr) 2012-07-23 2013-07-23 Composants micro-électroniques passifs, aptes à laisser circuler un signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une seule direction
IL236849A IL236849B (en) 2012-07-23 2015-01-22 Passive microelectronic components that allow radio frequency or hyperfrequency signals to travel in one direction

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1202083 2012-07-23
FR1202083A FR2993713B1 (fr) 2012-07-23 2012-07-23 Composants micro-electroniques, aptes a laisser circuler un signal radiofrequence ou hyperfrequence selon une seule direction

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2014016285A2 true WO2014016285A2 (fr) 2014-01-30
WO2014016285A3 WO2014016285A3 (fr) 2014-04-10

Family

ID=47291061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/065495 Ceased WO2014016285A2 (fr) 2012-07-23 2013-07-23 Composants micro-electroniques passifs, aptes a laisser circuler un signal radiofrequence ou hyperfrequence selon une seule direction

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9819065B2 (fr)
EP (1) EP2875549B1 (fr)
JP (1) JP6200502B2 (fr)
KR (1) KR102066313B1 (fr)
FR (1) FR2993713B1 (fr)
IL (1) IL236849B (fr)
SG (1) SG11201500560PA (fr)
WO (1) WO2014016285A2 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956538A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种基于石墨烯的低损耗介质移相器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101794318B1 (ko) * 2016-04-05 2017-11-07 재단법인대구경북과학기술원 2차원 물질 및 금속 박막을 포함하는 전자소자 전송선 및 이를 포함하는 마이크로 전자소자의 제조방법
CN106324869B (zh) * 2016-11-16 2019-02-15 电子科技大学 基于石墨烯的微带线行波吸收型光调制器
CN107394324A (zh) * 2017-06-23 2017-11-24 深圳市景程信息科技有限公司 基于石墨烯的可调微带线信号传输结构
CN107565199A (zh) * 2017-08-09 2018-01-09 深圳市景程信息科技有限公司 基于石墨烯的宽带功分比可调耦合器
CN108183296B (zh) * 2017-12-13 2020-02-04 北京无线电测量研究所 一种垂直互联的微波极化合成环行组件
CN108091967B (zh) * 2018-01-22 2023-10-13 东南大学 基于石墨烯的半模基片集成波导动态可调衰减器
JP7120331B2 (ja) * 2019-01-31 2022-08-17 株式会社村田製作所 多層配線基板
CN115084805B (zh) * 2021-03-16 2023-08-08 北京京东方技术开发有限公司 Mems移相器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0980355A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Hoya Corp 偏光ガラスおよび光アイソレータ
JP4419507B2 (ja) * 2003-10-17 2010-02-24 富士ゼロックス株式会社 コンデンサの製造方法
US20070158768A1 (en) * 2006-01-06 2007-07-12 Honeywell International, Inc. Electrical contacts formed of carbon nanotubes
FR2901917B1 (fr) 2006-05-31 2008-12-19 Thales Sa Circulateur radiofrequence ou hyperfrequence
FR2930374B1 (fr) * 2008-04-18 2011-08-26 Thales Sa Circulateur radiofrequence a base de mems.
JP5276178B2 (ja) * 2009-09-28 2013-08-28 株式会社東芝 スイッチ素子およびスイッチ素子を備えた回路
JP2011198938A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Toshiba Corp トランジスタ
US8803636B2 (en) * 2010-12-09 2014-08-12 Nokia Corporation Apparatus and associated methods

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956538A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种基于石墨烯的低损耗介质移相器
CN103956538B (zh) * 2014-04-29 2016-05-11 中国人民解放军国防科学技术大学 一种基于石墨烯的低损耗介质移相器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014016285A3 (fr) 2014-04-10
EP2875549A2 (fr) 2015-05-27
FR2993713A1 (fr) 2014-01-24
FR2993713B1 (fr) 2018-06-15
US9819065B2 (en) 2017-11-14
IL236849B (en) 2020-07-30
IL236849A0 (en) 2015-03-31
JP6200502B2 (ja) 2017-09-20
KR102066313B1 (ko) 2020-02-11
JP2015523037A (ja) 2015-08-06
US20150180108A1 (en) 2015-06-25
SG11201500560PA (en) 2015-04-29
EP2875549B1 (fr) 2020-05-06
KR20150036680A (ko) 2015-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2875549B1 (fr) Composants micro-électroniques passifs, aptes à laisser circuler un signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une seule direction
EP3175477B1 (fr) Structure pour applications radio-frequences
EP3365927B1 (fr) Structure composite et procédé de fabrication associé
EP3872839A1 (fr) Structure pour applications radiofrequences
EP3577683B1 (fr) Structure pour application radiofréquence
EP2022129B1 (fr) Circulateur radiofrequence ou hyperfrequence
KR20060118437A (ko) 저항손을 감소시키는 다층 반도체 구조의 제조 방법
FR3052592A1 (fr) Structure pour applications radiofrequences
EP2306641B1 (fr) Procédé de fabrication de résonateur BAW à facteur de qualité élevé
EP1543535B1 (fr) Procédé de réalisation des microcommutateurs a actuation electrostatique a faible temps de reponse et a commutation de puissance
FR2977886A1 (fr) Capteur miniaturise a element chauffant et procede de fabrication associe.
FR3053162B1 (fr) Circulateur hyperfrequence double cellules a faible encombrement et procede de fabrication
FR2965991A1 (fr) Dispositif acoustique d'isolation galvanique
EP0223673A1 (fr) Dispositif de couplage entre une ligne à ondes de surface électromagnétiques et une ligne microbande extérieure
US7304412B2 (en) Apparatus embodying doped substrate portion
EP1953778B1 (fr) Condensateur dans un circuit monolithique
CN115172339B (zh) 一种电容器及其制备方法
EP4295442B1 (fr) Composant micro-ondes non réciproque
EP3648346A1 (fr) Circuit de polarisation d'un composant de puissance
EP2648335B1 (fr) Limiteur de puissance hyperfréquence à commutateurs MEMS radiofréquences capacitifs
FR2930370A1 (fr) Composants microsystemes comportant une membrane comprenant des nanotubes.
EP4295443A1 (fr) Composant micro-ondes non reciproque
EP3420644B1 (fr) Circuit imprimé en technologie uniplanaire
KR20050016428A (ko) 전기신호 전송선로
EP2278613A1 (fr) Via de connexion électrique de forme annulaire constitué de plusieurs vias conducteurs élémentaires

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13740000

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013740000

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015523526

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 236849

Country of ref document: IL

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14416700

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157004125

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A