WO2014050904A1 - 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子 - Google Patents

有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2014050904A1
WO2014050904A1 PCT/JP2013/075937 JP2013075937W WO2014050904A1 WO 2014050904 A1 WO2014050904 A1 WO 2014050904A1 JP 2013075937 W JP2013075937 W JP 2013075937W WO 2014050904 A1 WO2014050904 A1 WO 2014050904A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
carbon atoms
compound
substituted
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/075937
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
瑠美 三宮
孝弘 甲斐
正樹 古森
山本 敏浩
匡志 多田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Priority to JP2014538540A priority Critical patent/JP6334404B2/ja
Priority to KR1020157010556A priority patent/KR102097718B1/ko
Priority to US14/421,792 priority patent/US20150218191A1/en
Priority to CN201380050369.7A priority patent/CN104662688B/zh
Priority to EP13841725.8A priority patent/EP2903048B1/en
Publication of WO2014050904A1 publication Critical patent/WO2014050904A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02Boron compounds
    • C07F5/027Organoboranes and organoborohydrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00Other synthetic dyes of known constitution
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658Organoboranes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18Carrier blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes

Definitions

  • the present invention relates to a novel compound for an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device using the same, and more particularly to a thin film type device that emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound. .
  • an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element) has a light emitting layer and a pair of counter electrodes sandwiching the layer as its simplest structure. That is, in an organic EL element, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode, holes are injected from the anode, and these are recombined in the light emitting layer to emit light. .
  • CBP 4,4′-bis (9-carbazolyl) biphenyl
  • Ir (ppy) 3 a green phosphorescent material typified by tris (2-phenylpyridine) iridium complex
  • a host material having high triplet excitation energy and balanced in both charge (hole / electron) injection and transport characteristics is required. Further, a compound that is electrochemically stable and has high heat resistance and excellent amorphous stability is desired, and further improvement is required.
  • Patent Document 3 an indolocarbazole compound having a diphenylamino group is disclosed as a hole transport material.
  • Patent Document 4 a diphenylindolocarbazole compound is disclosed as a hole transport material.
  • Patent Documents 5 and 6 disclose a nitrogen-containing heterocyclic group-substituted indolocarbazole compound having a substituent as a phosphorescent host material, and an organic EL device using the compound has improved luminous efficiency and high driving stability. To be disclosed.
  • Patent Documents 1 to 6 disclose that a compound having an indolocarbazole skeleton is used in the organic EL device, a compound having a boron-containing group on the indolocarbazole skeleton is not disclosed.
  • Patent Document 7 teaches a compound in which various substituents are substituted on a condensed 5-membered ring, but does not teach a compound having a boron-containing group on an indolocarbazole skeleton.
  • An object of this invention is to provide a practically useful organic electroluminescent element which has high efficiency and high brightness stability at the time of a drive, and a compound suitable for it in view of the said present condition.
  • the compound for organic EL elements of the present invention is represented by the following general formula (1).
  • ring I represents an aromatic hydrocarbon ring represented by formula (1a) that is condensed with an adjacent ring at an arbitrary position
  • ring II is a formula (1b) that is condensed with an adjacent ring at an arbitrary position.
  • L 1 and L 2 are independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic group having 3 to 17 carbon atoms.
  • the connecting aromatic rings may be the same or different.
  • L 1 is an i + 1 valent group
  • L 2 is a k + 1 valent group.
  • Z represents a boron-containing group represented by the formula (1c).
  • a 1 and A 2 are each independently hydrogen, deuterium, carbon An alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxyl group, chlorine, bromine, fluorine, substituted or unsubstituted carbon number 6 to 18 aromatic hydrocarbon group or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms, wherein A 1 and A 2 are adjacent A 1 and A 2 , or A 1 and A Two substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • each R independently represents deuterium, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 19 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, or a carbon number.
  • p and q each independently represent an integer of 0 to 4, and in formula (1a), r represents an integer of 0 to 2.
  • i and k each represents an integer of 0 to 5.
  • R is a boron-containing group represented by the formula (1c).
  • Examples of the compound for an organic EL device represented by the general formula (1) include compounds represented by the following general formulas (2) to (5).
  • L 1 , L 2 , Z, R, p, q, r, i and k are the same as those in the general formula (1).
  • each R is independently deuterium, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 19 carbon atoms, or an alkenyl having 2 to 12 carbon atoms.
  • alkynyl groups having 2 to 12 carbon atoms dialkylamino groups having 2 to 24 carbon atoms, diarylamino groups having 6 to 36 carbon atoms, diaralkylamino groups having 14 to 38 carbon atoms, and acyl groups having 2 to 12 carbon atoms
  • An alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkylsulfonyl group having 1 to 12 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a phenoxy group, and an alkylthio group having 1 to 12 carbon atoms A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms, or a boron-containing group represented by the formula (1c) But Masui.
  • a 1 and A 2 are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted carbon. It is preferably an aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms. It is more preferable that
  • i + k ⁇ 1 and R is not a boron-containing group represented by the formula (1c).
  • this invention relates to the organic EL element which has an organic layer containing the said compound for organic EL elements.
  • the organic layer is preferably at least one layer selected from a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. More preferably, the light emitting layer contains a phosphorescent dopant and a compound for an organic EL device represented by any one of the general formulas (1) to (5) as a host material.
  • the indolocarbazole compound for the organic EL device of the present invention has at least one boron-containing group in the molecule of the indolocarbazole compound.
  • the boron-containing group has a characteristic that the lowest empty orbital (LUMO) energy rank is low and the energy gap with the valence band of the cathode is reduced because the boron atom has an empty orbital in its molecular orbital.
  • LUMO lowest empty orbital
  • the organic EL device using the indolocarbazole compound can realize an optimum carrier balance with respect to various dopants in the light emitting layer, and as a result, the organic EL device having greatly improved light emitting characteristics.
  • An element can be provided.
  • the indolocarbazole compound can improve the stability in each active state of oxidation, reduction, and excitation, and at the same time has good amorphous characteristics, so that it has a low driving voltage and has high durability.
  • An EL element can be realized. *
  • the compound for organic EL elements of the present invention is represented by the general formula (1).
  • ring I represents an aromatic hydrocarbon ring represented by formula (1a) that is condensed with an adjacent ring at an arbitrary position
  • ring II is a formula (1b) that is condensed with an adjacent ring at an arbitrary position.
  • the aromatic hydrocarbon ring represented by the formula (1a) can be condensed with two adjacent rings at any position, but cannot be structurally condensed. There is a position.
  • the aromatic hydrocarbon ring represented by the formula (1a) has six sides, but does not condense with two adjacent rings at two adjacent sides.
  • the heterocyclic ring represented by the formula (1b) can be condensed with two adjacent rings at any position, but there is a position where it cannot be condensed structurally.
  • the heterocyclic ring represented by the formula (1b) has five sides, but does not condense with two adjacent rings at two adjacent sides, and also condenses with an adjacent ring at a side including a nitrogen atom. None do. Therefore, the types of indolocarbazole skeleton are limited.
  • the indolocarbazole skeleton is preferably represented by the following structure. From these examples, preferred condensation positions of the aromatic hydrocarbon ring and the heterocyclic ring in the indolocarbazole skeleton are understood.
  • L 1 is an i + 1 valent group
  • L 2 is a k + 1 valent group
  • L 1 and L 2 independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms, or the aromatic hydrocarbon group Alternatively, it represents a linked aromatic group in which 2 to 6 aromatic rings of the aromatic heterocyclic group are linked.
  • it is a linked aromatic group, it may be linear or branched, and the aromatic rings to be linked may be the same or different.
  • L 1 and L 2 are an unsubstituted aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, or 2 to 6 linked or unsubstituted aromatic rings connected to form a linked aromatic group
  • L 1 and L 2 are an aromatic hydrocarbon group having a substituent, an aromatic heterocyclic group having a substituent, or a linked aromatic group having a substituent
  • L 1 and L 2 are an aromatic hydrocarbon group having a substituent, an aromatic heterocyclic group having a substituent, or a linked aromatic group having a substituent
  • deuterium 1 carbon atom -12 alkyl group, aralkyl group having 7 to 19 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms, cyano group, dialkylamino group having 2 to 24 carbon atoms, 6 to 6 carbon atoms 36 diarylamino groups, diaralkylamino groups having 14 to 38 carbon atoms, amino groups, nitro groups, acyl groups, alkoxycarbonyl groups having 2 to 12 carbon atoms, carboxyl groups, alkoxyl groups having 1 to 12 carbon atoms, carbon numbers Examples thereof include an alkylsulfony
  • alkyl group having 1 to 12 carbon atoms Preferably, deuterium, alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 19 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms, dialkylamino having 2 to 24 carbon atoms Group, C6-C36 diarylamino group, C14-38 diaralkylamino group, C2-C12 acyl group, C2-C12 alkoxycarbonyl group, C1-C12 alkoxyl group An alkylsulfonyl group having 1 to 12 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a phenoxy group, and an alkylthio group having 1 to 12 carbon atoms.
  • L 1 and L 2 are unsubstituted monovalent linked aromatic groups
  • examples of the linked aromatic group include structures represented by the following formulas (6) to (8).
  • i or k is 1 or more, a structure is formed by taking i or k hydrogen atoms from these.
  • Ar 1 to Ar 6 each represents an unsubstituted monocyclic or condensed aromatic ring, which may be the same or different.
  • L 1 and L 2 are unsubstituted linked aromatic groups, or when represented by formulas (6) to (8) include, for example, the following groups or i or k groups thereof: And a group formed by removing hydrogen.
  • R ′ represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms or an aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms. Specific examples of these aromatic hydrocarbon groups or aromatic heterocyclic groups are the same as those described for L 1 and L 2 in the general formula (1) except that the valence is monovalent.
  • Z is a boron-containing group represented by formula (1c).
  • a 1 and A 2 are each independently hydrogen, deuterium, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms, or a carbon number
  • it is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 17 carbon atoms.
  • a 1 and A 2 are an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, they may be bonded to each other to form a ring.
  • two aromatic rings may combine to form a ring with B, and further, substituents of two aromatic rings may combine to form a ring, or one aromatic ring The ring and the substituent of the other aromatic ring may be combined to form a ring.
  • a 1 and A 2 are an aromatic hydrocarbon group having a substituent or an aromatic heterocyclic group having a substituent
  • the substituent is deuterium, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or 7 to 19 carbon atoms.
  • deuterium an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 19 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an aromatic having 6 to 18 carbon atoms
  • each R is independently deuterium, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms.
  • deuterium an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number of 3 12 to 12 aromatic heterocyclic groups or boron-containing groups.
  • R is an aromatic hydrocarbon group having a substituent or an aromatic heterocyclic group having a substituent
  • a 1 and A 2 are aromatic hydrocarbon groups having a substituent or aromatic having a substituent. It is the same as the substituent in the case of a group heterocyclic group.
  • formula (1a) and formula (1b) independently represent an integer of 0 to 4
  • r represents an integer of 0 to 2
  • i and k represent an integer of 0 to 5, respectively.
  • p, q, r, i, and k are independently 0 or 1.
  • p + q + r + i + k 1 or more
  • R is a group other than the boron-containing group represented by the formula (1c).
  • R and Z may be the same or different.
  • Preferred examples of the indolocarbazole compound represented by the general formula (1) include an indolocarbazole compound represented by any one of the general formulas (2) to (5).
  • symbols common to the general formula (1), the formula (1a), the formula (1b), and the formula (1c) have the same meaning.
  • the general formula (1) As a preferred skeleton of the indolocarbazole compound represented by the general formula (1), there is a skeleton represented by any one of the formulas (IC-1) to (IC-4).
  • the general formula (1) is a concept including a skeleton represented by the formulas (IC-1) to (IC-4), and these will be described by using a compound represented by the general formula (1) as a representative. Can do.
  • the indolocarbazole compound represented by the general formula (1) may have a mother skeleton represented by the formulas (IC-1) to (IC-4).
  • the raw materials can be selected according to the above and synthesized using a known method.
  • the indolocarbazole skeleton represented by the formula (IC-1) is described in Synlett, 2005, No. 1, can be synthesized by the following reaction formula with reference to the synthesis example shown in p42-48.
  • the indolocarbazole skeleton represented by the formula (IC-3) is obtained by the following reaction formula with reference to the synthesis example shown in Archiv der Pharmazie (Weinheim, Germany) 1987, 320 (3), p280-2. Can be synthesized.
  • indolocarbazole compound represented by general formula (1) Specific examples of the indolocarbazole compound represented by general formula (1) are shown below, but the organic EL device material of the present invention is not limited thereto.
  • the indolocarbazole compound represented by the general formula (1) (hereinafter also referred to as the compound of the present invention) is at least one of organic EL elements in which an anode, a plurality of organic layers and a cathode are laminated on a substrate. By containing it in the organic layer, an excellent organic EL device is provided.
  • the organic layer to be contained a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, a hole blocking layer or an electron blocking layer is suitable.
  • a light emitting layer when used in a light emitting layer, it can be used as a host material for a light emitting layer containing a fluorescent, delayed fluorescent or phosphorescent dopant, and an organic light emitting that emits fluorescence and delayed fluorescence of the compound of the present invention. Can be used as material.
  • the compound of the present invention is particularly preferably contained as a host material for a light emitting layer containing a phosphorescent dopant.
  • the organic EL device of the present invention has an organic layer having at least one light emitting layer between an anode and a cathode laminated on a substrate, and at least one organic layer contains the indolocarbazole compound.
  • the compound for organic EL device of the present invention is included in the light emitting layer together with the phosphorescent light emitting dopant.
  • the structure of the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
  • the structure of the organic EL element of the present invention is not limited to the illustrated one.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structural example of a general organic EL device used in the present invention, wherein 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, and 5 is a light emitting layer. , 6 represents an electron transport layer, and 7 represents a cathode.
  • the organic EL device of the present invention may have an exciton blocking layer adjacent to the light emitting layer, and may have an electron blocking layer between the light emitting layer and the hole injection layer.
  • the exciton blocking layer can be inserted on either the anode side or the cathode side of the light emitting layer, or both can be inserted simultaneously.
  • the organic EL device of the present invention has a substrate, an anode, a light emitting layer and a cathode as essential layers, but it is preferable to have a hole injecting and transporting layer and an electron injecting and transporting layer in layers other than the essential layers, and further emitting It is preferable to have a hole blocking layer between the layer and the electron injecting and transporting layer.
  • the hole injection / transport layer means either or both of a hole injection layer and a hole transport layer
  • the electron injection / transport layer means either or both of an electron injection layer and an electron transport layer.
  • the organic EL element of the present invention is preferably supported on a substrate.
  • the substrate is not particularly limited as long as it is conventionally used for an organic EL element.
  • a substrate made of glass, transparent plastic, quartz, or the like can be used.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO.
  • conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO.
  • an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form a transparent conductive film may be used.
  • these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (about 100 ⁇ m or more) ), A pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. Or when using the substance which can be apply
  • the cathode a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used.
  • an electron injecting metal a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture
  • Suitable are a magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum and the like.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • the light emission luminance is improved, which is convenient.
  • a transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the conductive transparent material mentioned in the description of the anode on the cathode after producing the metal with a thickness of 1 to 20 nm on the cathode.
  • an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.
  • the light emitting layer is a layer that emits light after excitons are generated by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively.
  • the light emitting layer includes an organic light emitting material and a host material.
  • a fluorescent light emitting material can be used alone for the light emitting layer, but it is preferable to use a fluorescent light emitting material as a fluorescent light emitting dopant and to mix a host material.
  • an indolocarbazole compound represented by the general formula (1) can be used as the fluorescent light emitting material in the light emitting layer.
  • it can be selected from them.
  • Polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds such as, organic silane derivatives, and the like.
  • Preferred are condensed aromatic compounds, styryl compounds, diketopyrrolopyrrole compounds, oxazine compounds, pyromethene metal complexes, transition metal complexes, or lanthanoid complexes, more preferably naphthacene, pyrene, chrysene, triphenylene, benzo [c] phenanthrene.
  • an indolocarbazole compound represented by the general formula (1) can be used, but since it is known from a large number of patent documents, it can be selected from them.
  • a compound having a condensed aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, naphthacene, triphenylene, perylene, fluoranthene, fluorene, indene or a derivative thereof, N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl-4
  • Aromatic amine derivatives such as 4,4'-diphenyl-1,1'-diamine
  • metal chelated oxinoid compounds such as tris (8-quinolinato) aluminum (III)
  • bisstyryl derivatives such as distyrylbenzene derivatives, tetraphenyl Butadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives,
  • the amount of the fluorescent light emitting dopant contained in the light emitting layer is 0.01 to 20% by weight, preferably 0.1 to 10% by weight. It should be in range.
  • an organic EL element injects electric charges into a luminescent material from both an anode and a cathode, generates an excited luminescent material, and emits light.
  • a charge injection type organic EL device it is said that 25% of the generated excitons are excited to a singlet excited state and the remaining 75% are excited to a triplet excited state.
  • certain fluorescent materials emit triplet-triplet annihilation or heat after energy transition to triplet excited state due to intersystem crossing etc. It is known that, due to the absorption of energy, the singlet excited state is crossed back to back and emits fluorescence, thereby expressing thermally activated delayed fluorescence.
  • the organic EL device of the present invention can also exhibit delayed fluorescence. In this case, both fluorescence emission and delayed fluorescence emission can be included. However, light emission from the host material may be partly or partly emitted.
  • a delayed light emitting material can be used alone in the light emitting layer, but it is preferable to use a delayed fluorescent material as a delayed fluorescent light emitting dopant and mix a host material.
  • an indolocarbazole compound represented by the general formula (1) can be used, but it can also be selected from known delayed fluorescent light emitting materials.
  • a tin complex, an indolocarbazole derivative, a copper complex, a carbazole derivative, and the like can be given. Specific examples include compounds described in the following non-patent documents and patent publications, but are not limited to these compounds.
  • delayed luminescent materials are shown below, but are not limited to the following compounds.
  • the amount of the delayed fluorescent material contained in the light emitting layer is 0.01 to 50% by weight, preferably 0.1 to 20%. It is good to be in the range of wt%, more preferably 0.01 to 10%.
  • an indolocarbazole compound represented by the general formula (1) can be used, but it can also be selected from compounds other than indolocarbazole.
  • a compound having a condensed aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, naphthacene, triphenylene, perylene, fluoranthene, fluorene, indene or a derivative thereof, N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl-4
  • Aromatic amine derivatives such as 4,4'-diphenyl-1,1'-diamine
  • metal chelated oxinoid compounds such as tris (8-quinolinato) aluminum (III)
  • bisstyryl derivatives such as distyrylbenzene derivatives, tetraphenyl Butadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, ox
  • the light emitting layer When the light emitting layer is a phosphorescent light emitting layer, the light emitting layer contains a phosphorescent light emitting dopant and a host material.
  • the phosphorescent dopant material preferably contains an organometallic complex containing at least one metal selected from ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum and gold. Specific examples include compounds described in the following patent publications, but are not limited to these compounds.
  • Preferable phosphorescent dopants include complexes such as Ir (ppy) 3 having a noble metal element such as Ir as a central metal, complexes such as Ir (bt) 2 ⁇ acac3, and complexes such as PtOEt3. Specific examples of these complexes are shown below, but are not limited to the following compounds.
  • the amount of the phosphorescent dopant contained in the light emitting layer is 2 to 40% by weight, preferably 5 to 30% by weight.
  • the emissive layer is a phosphorescent light-emitting layer
  • an indolocarbazole compound represented by the general formula (1) as a host material in the light-emitting layer.
  • the material used for the light emitting layer may be a host material other than the indolocarbazole compound.
  • An indolocarbazole compound and another host material may be used in combination.
  • a plurality of known host materials may be used in combination.
  • a known host compound that can be used is preferably a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents a long wavelength of light emission, and has a high glass transition temperature.
  • host materials are known from a large number of patent documents and can be selected from them.
  • Specific examples of the host material are not particularly limited, but include indole derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine.
  • arylamine derivatives amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, anthraquino Heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as dimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene,
  • the light emitting layer may be any one of a fluorescent light emitting layer, a delayed fluorescent light emitting layer and a phosphorescent light emitting layer, but is preferably a phosphorescent light emitting layer.
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer for lowering the driving voltage and improving the luminance of light emission.
  • the injection layer can be provided as necessary.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking.
  • the indolocarbazole compound represented by the general formula (1) for the hole blocking layer.
  • a known hole blocking layer is used. Materials may be used.
  • a hole-blocking layer material the material of the electron carrying layer mentioned later can be used as needed.
  • the electron blocking layer is made of a material that has a function of transporting holes and has a very small ability to transport electrons.
  • the electron blocking layer blocks the electrons while transporting holes, and the probability of recombination of electrons and holes. Can be improved.
  • the indolocarbazole compound represented by the general formula (1) according to the present invention can be used.
  • the material for the hole transport layer described later is used as necessary. It can also be used.
  • the thickness of the electron blocking layer is preferably 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
  • the exciton blocking layer is a layer for preventing excitons generated by recombination of holes and electrons in the light emitting layer from diffusing into the charge transport layer. It becomes possible to efficiently confine in the light emitting layer, and the light emission efficiency of the device can be improved.
  • the exciton blocking layer can be inserted on either the anode side or the cathode side adjacent to the light emitting layer, or both can be inserted simultaneously.
  • an indolocarbazole compound represented by the general formula (1) can be used as the material for the exciton blocking layer.
  • other materials for example, 1,3-dicarbazolylbenzene (mCP), Bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato aluminum (III) (BAlq).
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has either hole injection or transport or electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. Although it is preferable to use the indolocarbazole compound represented by General formula (1) for a positive hole transport layer, arbitrary things can be selected and used from a conventionally well-known compound.
  • Examples of known hole transport materials that can be used include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, Examples include styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers. Porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styryl. It is preferable to use an amine compound, and it is more preferable to use an aromatic tertiary amine compound.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • an electron transport material (which may also serve as a hole blocking material), it is sufficient if it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
  • any one of conventionally known compounds can be selected and used. For example, nitro-substituted fluorene Derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and the like.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • An indolocarbazole compound to be a phosphorescent light emitting element material was synthesized by the route shown below.
  • corresponds to the number attached
  • Example 1 Each thin film was laminated at a vacuum degree of 4.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa by a vacuum deposition method on a glass substrate on which an anode made of ITO having a thickness of 110 nm was formed.
  • copper phthalocyanine (CuPC) was formed to a thickness of 25 nm on ITO.
  • NPB 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • the concentration of Ir (ppy) 3 in the light emitting layer was 10.0 wt%.
  • tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (III) (Alq3) was formed to a thickness of 20 nm as an electron transport layer.
  • lithium fluoride (LiF) was formed to a thickness of 1.0 nm as an electron injection layer.
  • aluminum (Al) was formed as an electrode to a thickness of 70 nm to produce an organic EL element.
  • the organic EL element had the light emission characteristics as shown in Table 1.
  • Table 1 the luminance, voltage, and luminous efficiency show values at 20 mA / cm 2 .
  • the maximum wavelength of the device emission spectrum was 520 nm, and it was found that light emission from Ir (ppy) 3 was obtained.
  • Examples 2-12 In the same manner as in Synthesis Example 1, compounds A1, A27, A33, A41, B4, B22, B33, C9, D8, D17 and E11 were synthesized. As in Example 1, except that Compound A1, A27, A33, A41, B4, B22, B33, C9, D8, D17 and E11 were used as the host material of the light emitting layer of Example 1 instead of Compound B9.
  • An organic EL device was prepared. The maximum wavelength of the emission spectrum of each element was 520 nm, and it was found that light emission from Ir (ppy) 3 was obtained. The respective emission characteristics are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that CBP was used as the host material of the light emitting layer.
  • Comparative Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the following compound Ho-1 was used as the host material for the light emitting layer.
  • Comparative Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the following compound Ho-2 was used as the host material for the light emitting layer.
  • the maximum wavelengths of the element emission spectra of the organic EL elements prepared in Comparative Examples 1 to 3 were all 520 nm, indicating that light emission from Ir (ppy) 3 was obtained.
  • Table 1 shows the compounds used as the host material and the respective light emission characteristics (@ 20 mA / cm 2 ).
  • the organic EL device using the indolocarbazole compound represented by the general formula (1) has a low driving voltage and is good compared to the case where CBP generally known as a phosphorescent host is used. It can be seen that it exhibits luminescent properties. Compared to the case where Ho-1 and Ho-2, which are compounds having no boron-containing group, are used on the linking group bonded to N of indolocarbazole or on the benzene of indolocarbazole. It can be seen that it exhibits excellent luminescent properties. From the above, the superiority of the organic EL device using the indolocarbazole compound is clear.
  • the organic EL device according to the present invention has practically satisfactory levels of light emission characteristics, driving voltage and durability, and is a flat panel display (mobile phone display device, vehicle-mounted display device, OA computer display device, television, etc.), surface light emission. Its technical value is great in applications to light sources (lighting, light sources for copying machines, backlight light sources for liquid crystal displays and instruments), display boards, and sign lamps that make use of the characteristics of the body.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
  本発明は新規な有機電界発光素子用化合物及びこれを用いた有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは、有機化合物からなる発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するものである。
  一般に、有機電界発光素子(以下、有機EL素子という)は、その最も簡単な構造としては発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。すなわち、有機EL素子では、両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入され、これらが発光層において再結合し、光を放出する現象を利用する。
  近年、有機薄膜を用いた有機EL素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンからなる正孔輸送層と8-ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体(以下、Alq3という)からなる発光層とを電極間に薄膜として設けた素子の開発により、従来のアントラセン等の単結晶を用いた素子と比較して大幅な発光効率の改善がなされたことから、自発光・高速応答性といった特徴を持つ高性能フラットパネルへの実用化を目指して進められてきた。
  また、素子の発光効率を上げる試みとして、蛍光ではなく燐光を用いることも検討されている。上記の芳香族ジアミンからなる正孔輸送層とAlq3からなる発光層とを設けた素子をはじめとした多くの素子が蛍光発光を利用したものであったが、燐光発光を用いる、すなわち、三重項励起状態からの発光を利用することにより、従来の蛍光(一重項)を用いた素子と比べて、3~4倍程度の効率向上が期待される。この目的のためにクマリン誘導体やベンゾフェノン誘導体を発光層とすることが検討されてきたが、極めて低い輝度しか得られなかった。また、三重項状態を利用する試みとして、ユーロピウム錯体を用いることが検討されてきたが、これも高効率の発光には至らなかった。近年では、特許文献1に挙げられるように発光の高効率化や長寿命化を目的にイリジウム錯体等の有機金属錯体を中心に燐光発光ドーパント材料の研究が多数行われている。
WO01/041512 A 特開2001-313178号公報 特開平11-162650号公報 特開平11-176578号公報 WO2008/056746 A WO2008/146839 A WO2010/114243 A
  高い発光効率を得るには、前記ドーパント材料と同時に、使用するホスト材料が重要になる。ホスト材料として提案されている代表的なものとして、特許文献2で紹介されているカルバゾール化合物の4,4'-ビス(9-カルバゾリル)ビフェニル(以下、CBPという)が挙げられる。CBPはトリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体(以下、Ir(ppy)3という)に代表される緑色燐光発光材料のホスト材料として使用した場合、正孔を流し易く電子を流しにくい特性上、電荷注入バランスが崩れ、過剰の正孔は電子輸送層側に流出し、結果としてIr(ppy)3からの発光効率が低下する。
  前述のように、有機EL素子で高い発光効率を得るには、高い三重項励起エネルギーを有し、かつ両電荷(正孔・電子)注入輸送特性においてバランスがとれたホスト材料が必要である。更に、電気化学的に安定であり、高い耐熱性と共に優れたアモルファス安定性を備える化合物が望まれており、更なる改良が求められている。
  特許文献3においては、正孔輸送材料としてジフェニルアミノ基を有するインドロカルバゾール化合物が開示されている。特許文献4においては、正孔輸送材料としてジフェニルインドロカルバゾール化合物が開示されている。特許文献5及び6には燐光ホスト材料として置換基を有する含窒素複素環基置換インドロカルバゾール化合物が開示され、これを使用した有機EL素子は発光効率を改善し、高い駆動安定性を有するものとなることを開示する。
  特許文献1~6はいずれもインドロカルバゾール骨格を有する化合物を有機EL素子に使用することが開示されているが、インドロカルバゾール骨格上にホウ素含有基を有する化合物は開示しない。また、特許文献7は、縮合5員環に種々の置換基が置換した化合物を教えるが、インドロカルバゾール骨格上にホウ素含有基を有する化合物は教えない。
  有機EL素子をフラットパネルディスプレイ等の表示素子に応用するためには、素子の発光効率を改善すると同時に低駆動電圧等の駆動時の安定性を十分に確保する必要がある。本発明は、上記現状に鑑み、高効率かつ駆動時の高い輝度安定性を有した実用上有用な有機EL素子及びそれに適する化合物を提供することを目的とする。
  本発明者らは、鋭意検討した結果、特定構造のインドロカルバゾール骨格を有する化合物を有機EL素子として用いることで優れた特性を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
  本発明の有機EL素子用化合物は、下記一般式(1)で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
 
 一般式(1)中、環Iは隣接環と任意の位置で縮合する式(1a)で表される芳香族炭化水素環を示し、環IIは隣接環と任意の位置で縮合する式(1b)で表される複素環を表す。
 一般式(1)及び式(1b)中、L及びLは独立に、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は該置換若しくは未置換の芳香族環が2~6つ連結して構成される連結芳香族基を表し、連結する場合は直鎖状であっても分岐状であっても良く、連結する芳香族環は同一であっても異なっていても良い。そして、Lはi+1価の基であり、Lはk+1価の基である。
 一般式(1)及び式(1b)中、Zは式(1c)で表されるホウ素含有基を示し、式(1c)中、A及びAはそれぞれ独立に、水素、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数1~12のアルコキシル基、水酸基、塩素、臭素、フッ素、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基を示すが、A及びAは隣接するA及びA、又はA及びAの置換基と互いに結合して環を形成してもよい。
 一般式(1)及び式(1a)中、Rはそれぞれ独立に、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、シアノ基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数2~12のアシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、水酸基、アミド基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は式(1c)で表されるホウ素含有基を示す。
 一般式(1)中、p及びqはそれぞれ独立に0~4の整数を表し、式(1a)中、rは0~2の整数を表す。一般式(1)及び式(1b)中、i及びkはそれぞれ0~5の整数を表す。ここで、p+q+r+i+k≧1であり、i及びkが共に0である場合、Rの少なくとも一つは式(1c)で表されるホウ素含有基である。また、p、q、r、i及びkが2以上の場合、R及びZはそれぞれ同一でも異なってもよい。
 上記一般式(1)で表される有機EL素子用化合物としては、下記一般式(2)~(5)で表される化合物がある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
 
 一般式(2)~(5)中、L、L、Z、R、p、q、r、i及びkは一般式(1)と同意である。
 一般式(1)~(5)及び式(1a)中、Rはそれぞれ独立に、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、炭素数2~12のアシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は式(1c)で表されるホウ素含有基であることが好ましい。
 式(1c)中、A及びAが、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基であることが好ましく、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基であることがより好ましい。
 また、一般式(1)~(5)において、i+k≧1で、Rが式(1c)で表されるホウ素含有基でないことが好ましい。
 また本発明は、上記有機EL素子用化合物を含む有機層を有する有機EL素子に関する。該有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層から選ばれる少なくとも一つの層であることが好ましい。さらに好ましくは、該発光層が燐光発光性ドーパントと上記一般式(1)~(5)のいずれかで表される有機EL素子用化合物をホスト材料として含有する。
 本発明の有機EL素子用のインドロカルバゾール化合物は、インドロカルバゾール化合物の分子内に少なくとも一つのホウ素含有基を有する。ホウ素含有基は、ホウ素原子がその分子軌道に空軌道を有していることから、最低空軌道(LUMO)エネルギー順位が低く、陰極の価電子帯とのエネルギーギャップを小さくする特性を有しており、本発明の化合物を有機EL素子に使用することにより電荷の注入輸送性が向上し、有機EL素子の電圧を下げる効果が期待できる。
 以上のことから、該インドロカルバゾール化合物を用いた有機EL素子は、発光層中の多様なドーパントに対し最適なキャリアバランスを実現することができ、その結果、発光特性を大幅に改善した有機EL素子を提供することが可能となる。さらに、該インドロカルバゾール化合物は酸化、還元、励起の各活性状態での安定性を向上させることが可能であり、同時に良好なアモルファス特性を有することから、低駆動電圧で、耐久性の高い有機EL素子を実現できる。 
有機EL素子の一構造例を示す断面図である。 本発明の有機EL素子用化合物B9のH-NMRチャートを示す。
  本発明の有機EL素子用化合物は、前記一般式(1)で表される。
  一般式(1)において、環Iは隣接環と任意の位置で縮合する式(1a)で表される芳香族炭化水素環を示し、環IIは隣接環と任意の位置で縮合する式(1b)で表される複素環を表す。
  一般式(1)で表されるインドロカルバゾール骨格において、式(1a)で表される芳香族炭化水素環は2つの隣接環と任意の位置で縮合することができるが、構造的に縮合できない位置がある。式(1a)で表される芳香族炭化水素環は、6つの辺を有するが、隣接する2つの辺で2つの隣接環と縮合することはない。また、式(1b)で表される複素環は2つの隣接環と任意の位置で縮合することができるが、構造的に縮合できない位置がある。すなわち、式(1b)で表される複素環は、5つの辺を有するが、隣接する2つの辺で2つの隣接環と縮合することはなく、また、窒素原子を含む辺で隣接環と縮合することはない。したがって、インドロカルバゾール骨格の種類は限られる。
  一般式(1)において、インドロカルバゾール骨格は以下の構造で表されるものが好ましい。これらの例から、インドロカルバゾール骨格中の芳香族炭化水素環及び複素環の好ましい縮合位置が理解される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
 
  一般式(1)中、Lはi+1価の基であり、Lはk+1価の基である。L、Lは独立に、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は該芳香族炭化水素基若しくは該芳香族複素環基の芳香族環が2~6つ連結した連結芳香族基を表す。好ましくは、置換若しくは未置換の炭素数6~12の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~12の芳香族複素環基、又は該置換若しくは未置換の芳香族環が2~6つ連結して生じる置換若しくは未置換の連結芳香族基である。連結芳香族基である場合は、直鎖状であっても分岐状であっても良く、連結する芳香族環は同一であっても異なっていても良い。
 L、Lが未置換の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は該置換若しくは未置換の芳香族環が2~6つ連結して連結芳香族基である場合の具体例としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、イソインドール、インダゾール、プリン、ベンゾイミダゾール、インドリジン、クロメン、ベンゾオキサゾール、イソベンゾフラン、キノリジン、イソキノリン、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、フェナザシラン、シベンゾジオキシン、カルボリン、インドール、インドロインドール、カルバゾール、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチアゾール、オキサトレン、ジベンゾフラン、チオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、チオナフテン、イソチアナフテン、チオフテン、チオファントレン、ジベンゾチオフェン等の芳香族化合物からi+1個、又はk+1個の水素を取って生じる基、又はこれらが2~6つ連結した芳香族化合物からi+1個、又はk+1個の水素を取って生じる基が挙げられる。
 L、Lが置換基を有する芳香族炭化水素基、置換基を有する芳香族複素環基、又は置換基を有する連結芳香族基である場合の置換基としては、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、シアノ基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、アシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、水酸基、アミド基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基がある。
 好ましくは、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、炭素数2~12のアシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基である。
 ここで、L、Lが未置換の1価の連結芳香族基である場合において、連結芳香族基としては、下記式(6)~(8)で示されるような構造が挙げられる。なお、i又はkが1以上である場合は、これらからi個又はk個の水素を取って生じる構造となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
 
 式(6)~(8)中、Ar1~Arは未置換の単環又は縮合環の芳香族環を表し、同一であっても異なっていても良い。
 L及びLが未置換の連結芳香族基である場合、又は式(6)~(8)で表わされる場合の具体例としては、例えば以下のような基又はこれらからi個又はk個の水素を取って生じる基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000007
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000008
 
 式中、R’は炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~17の芳香族複素環基を示す。これらの芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例は、価数が1価である他は上記一般式(1)中のL、Lで説明したものと同様である。
 一般式(1)及び式(1b)中、Zは式(1c)で表されるホウ素含有基である。
  式(1c)中、A及びAはそれぞれ独立に、水素、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数1~12のアルコキシル基、水酸基、塩素、臭素、フッ素、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基を示す。好ましくは、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基である。また、A及びAが芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の場合、互いに結合して環を形成してもよい。例えば、2つの芳香族環が結合してBと共に環を形成してもよく、更に2つの芳香族環が有する置換基同士が結合して環を形成してもよく、また、一方の芳香族環と、他方の芳香族環が有する置換基とが結合して環を形成してもよい。
 A、Aが置換基を有する芳香族炭化水素基又は置換基を有する芳香族複素環基である場合の置換基は、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、シアノ基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、アシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、水酸基、塩素、臭素、フッ素、アミド基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は炭素数3~17の芳香族複素環基である。好ましくは、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、又は炭素数2~12のアルキニル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は炭素数3~17の芳香族複素環基である。
 一般式(1)、式(1a)及び式(1b)中、Rはそれぞれ独立に、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数2~12のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、シアノ基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数2~12のアシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、水酸基、アミド基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は式(1c)で表されるホウ素含有基を示す。好ましくは、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、置換若しくは未置換の炭素数6~12の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~12の芳香族複素環基、又はホウ素含有基である。Rが置換基を有する芳香族炭化水素基又は置換基を有する芳香族複素環基である場合の置換基は、A、Aが置換基を有する芳香族炭化水素基又は置換基を有する芳香族複素環基である場合の置換基と同意である。
 一般式(1)、式(1a)及び式(1b)において、p及びqは独立に0~4の整数、rは0~2の整数を表し、i及びkはそれぞれ0~5の整数を表す。好ましくは、p、q、r、i、kは独立に、0又は1である。
 ここで、p+q+r+i+k≧1であり、一般式(1)中に少なくとも一つの式(1c)で表されるホウ素含有基を有する。好ましくは、i+kが1以上であり、Rが式(1c)で表されるホウ素含有基以外の基である。p、q、r、i及びkが2以上の場合、R及びZはそれぞれ同一でも異なってもよい。
 一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物の好ましい例として、一般式(2)~(5)のいずれかで表されるインドロカルバゾール化合物がある。一般式(2)~(5)において、一般式(1)、式(1a)、式(1b)及び式(1c)と共通の記号は同じ意味を有する。
  一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物の好ましい骨格として、式(IC-1)~(IC-4)のいずれかで表される骨格がある。一般式(1)は、式(IC-1)~(IC-4)で表される骨格を包含する概念であり、これらを一般式(1)で表される化合物で代表して説明することができる。
  一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物は、式(IC-1)~(IC-4)の形態で表されるような母骨格が考えられるが、これらは目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
  例えば、式(IC-1)で表されるインドロカルバゾール骨格は、Synlett,2005,No.1,p42-48に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000009
 
  また、式(IC-3)で表されるインドロカルバゾール骨格は、Archiv der Pharmazie (Weinheim, Germany) 1987, 320(3), p280-2に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000010
 
  一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物の具体例を以下に示すが、本発明の有機EL素子用材料はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000011
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000012
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000013
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000014
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000015
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000016
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000017
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000018
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000019
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000020
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000021
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000022
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000023
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000024
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000025
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000026
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000027
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000028
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000029
 
  上記一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物(以下、本発明の化合物ともいう)は、基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機EL素子の少なくとも1つの有機層に含有させることにより、優れた有機EL素子を与える。含有させる有機層としては、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層又は電子阻止層が適する。ここで、発光層に使用する場合は、蛍光発光、遅延蛍光発光又は燐光発光性のドーパントを含有する発光層のホスト材料として使用できるほか、本発明の化合物を蛍光及び遅延蛍光を放射する有機発光材料として使用することができる。本発明の化合物は、燐光発光ドーパントを含有する発光層のホスト材料として含有させることが特に好ましい。
  次に、本発明の有機EL素子について説明する。
  本発明の有機EL素子は、基板上に積層された陽極と陰極の間に、少なくとも一つの発光層を有する有機層を有し、且つ少なくとも一つの有機層は、上記インドロカルバゾール化合物を含む。有利には、燐光発光ドーパントと共に本発明の有機EL素子用化合物を発光層中に含む。
  次に、本発明の有機EL素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機EL素子の構造は何ら図示のものに限定されるものではない。
  図1は本発明に用いられる一般的な有機EL素子の構造例を示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。本発明の有機EL素子では発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また、発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有しても良い。励起子阻止層は発光層の陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、発光層及び陰極を必須の層として有するが、必須の層以外の層に、正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。
  なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板1上に陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。
-基板-
  本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。
-陽極-
  有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In23-ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。
-陰極-
  一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
  また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
-発光層-
  発光層は、陽極及び陰極のそれぞれから注入された正孔及び電子が再結合することにより励起子が生成した後、発光する層であり、発光層には有機発光材料とホスト材料を含む。
 発光層が蛍光発光層である場合、発光層には蛍光発光材料を単独で使用することもできるが、蛍光発光材料を蛍光発光ドーパントとして使用し、ホスト材料を混合することが好ましい。
 発光層における蛍光発光材料としては、一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることができるが、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することもできる。例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリジン化合物、8-キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体等が挙げられる。好ましくは縮合芳香族化合物、スチリル化合物、ジケトピロロピロール化合物、オキサジン化合物、ピロメテン金属錯体、遷移金属錯体、又はランタノイド錯体が挙げられ、より好ましくはナフタセン、ピレン、クリセン、トリフェニレン、ベンゾ[c]フェナントレン、ベンゾ[a]アントラセン、ペンタセン、ペリレン、フルオランテン、アセナフソフルオランテン、ジベンゾ[a,j]アントラセン、ジベンゾ[a,h]アントラセン、ベンゾ[a]ナフタセン、ヘキサセン、アンタントレン、ナフト[2,1-f]イソキノリン、α-ナフタフェナントリジン、フェナントロオキサゾール、キノリノ[6,5-f]キノリン、ベンゾチオファントレン等が挙げられる。これらは置換基としてアルキル基、アリール基、芳香族複素環基、又はジアリールアミノ基を有していてもよい。
 発光層における蛍光ホスト材料としては、一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることができるが、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することもできる。例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、フルオランテン、フルオレン、インデンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、N,N’-ジナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンなどの芳香族アミン誘導体、トリス(8-キノリナート)アルミニウム(III)をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が使用できるが特に限定されるものではない。
 前記蛍光発光材料を蛍光発光ドーパントとして使用し、ホスト材料を含む場合、蛍光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、0.01~20重量%、好ましくは0.1~10重量%の範囲にあることが良い。
 通常、有機EL素子は、陽極、陰極の両電極より発光物質に電荷を注入し、励起状態の発光物質を生成し、発光させる。電荷注入型の有機EL素子の場合、生成した励起子のうち、一重項励起状態に励起されるのは25%であり、残り75%は三重項励起状態に励起されると言われている。Advanced Materials 2009, 21, 4802-4806.に示されているように、特定の蛍光発光物質は、項間交差等により三重項励起状態へとエネルギーが遷移した後、三重項-三重項消滅あるいは熱エネルギーの吸収により、一重項励起状態に逆項間交差され蛍光を放射し、熱活性化遅延蛍光を発現することが知られている。本発明の有機EL素子でも遅延蛍光を発現することができる。この場合、蛍光発光及び遅延蛍光発光の両方を含むこともできる。但し、発光の一部或いは部分的にホスト材料からの発光があってもよい。
 発光層が遅延蛍光発光層である場合、発光層には遅延発光材料を単独で使用することもできるが、遅延蛍光材料を遅延蛍光発光ドーパントとして使用し、ホスト材料を混合することが好ましい。
 発光層における遅延蛍光発光材料としては、一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることができるが、公知の遅延蛍光発光材料から選択することもできる。例えば、スズ錯体、インドロカルバゾール誘導体、銅錯体、カルバゾール誘導体等が挙げられる。具体的には、以下の非特許文献、特許公報に記載されている化合物が挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。
 Adv. Mater. 2009, 21, 4802-4806、Appl. Phys. Lett. 98, 083302 (2011)、特開2011-213643号公報、及びJ. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 14706-14709。
 遅延発光材料の具体例を下記に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000030
 
 前記遅延蛍光発光材料を遅延蛍光発光ドーパントとして使用し、ホスト材料を含む場合、遅延蛍光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、0.01~50重量%、好ましくは0.1~20重量%、より好ましくは0.01~10%の範囲にあることが良い。
 発光層における遅延蛍光ホスト材料としては、一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることができるが、インドロカルバゾール以外の化合物から選択することもできる。例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、フルオランテン、フルオレン、インデンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、N,N’-ジナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンなどの芳香族アミン誘導体、トリス(8-キノリナート)アルミニウム(III)をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、アリールシラン誘導体等が使用できるが特に限定されるものではない。
 発光層が燐光発光層である場合、発光層は燐光発光ドーパントとホスト材料を含む。燐光発光ドーパント材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。具体的には以下の特許公報類に記載されている化合物が挙げられるが、これらの化合物に限定されない。
 WO2009/073245号公報、WO2009/046266号公報、WO2007/095118号公報、WO2008/156879号公報、WO2008/140657号公報、US2008/261076号公報、特表2008-542203号公報、WO2008/054584号公報、特表2008-505925号公報、特表2007-522126号公報、特表2004-506305号公報、特表2006-513278号公報、特表2006-50596号公報、WO2006/046980号公報、WO2005113704号公報、US2005/260449号公報、US2005/2260448号公報、US2005/214576号公報、WO2005/076380号公報、US2005/119485号公報、WO2004/045001号公報、WO2004/045000号公報、WO2006/100888号公報、WO2007/004380号公報、WO2007/023659号公報、WO2008/035664号公報、特開2003-272861号公報、特開2004-111193号公報、特開2004-319438号公報、特開2007-2080号公報、特開2007-9009号公報、特開2007-227948号公報、特開2008-91906号公報、特開2008-311607号公報、特開2009-19121号公報、特開2009-46601号公報、特開2009-114369号公報、特開2003-253128号公報、特開2003-253129号公報、特開2003-253145号公報、特開2005-38847号公報、特開2005-82598号公報、特開2005-139185号公報、特開2005-187473号公報、特開2005-220136号公報、特開2006-63080号公報、特開2006-104201号公報、特開2006-111623号公報、特開2006-213720号公報、特開2006-290891号公報、特開2006-298899号公報、特開2006-298900号公報、WO2007/018067号公報、WO2007/058080号公報、WO2007/058104号公報、特開2006-131561号公報、特開2008-239565号公報、特開2008-266163号公報、特開2009-57367号公報、特開2002-117978号公報、特開2003-123982号公報、特開2003-133074号公報、特開2006-93542号公報、特開2006-131524号公報、特開2006-261623号公報、特開2006-303383号公報、特開2006-303394号公報、特開2006-310479号公報、特開2007-88105号公報、特開2007-258550号公報、特開2007-324309号公報、特開2008-270737号公報、特開2009-96800号公報、特開2009-161524号公報、WO2008-050733号公報、特開2003-73387号公報、特開2004-59433号公報、特開2004-155709号公報、特開2006-104132号公報、特開2008-37848号公報、特開2008-133212号公報、特開2009-57304号公報、特開2009-286716号公報、特開2010-83852号公報、特表2009-532546号公報、特表2009-536681号公報、特表2009-542026号公報等。
  好ましい燐光発光ドーパントとしては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr(ppy)3等の錯体類、Ir(bt)2・acac3等の錯体類、PtOEt3等の錯体類が挙げられる。これらの錯体類の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000031
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000032
 
  前記燐光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、2~40重量%、好ましくは5~30重量%の範囲にあることがよい。
  発光層が燐光発光層である場合、発光層におけるホスト材料としては、前記一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることが好ましい。しかし、該インドロカルバゾール化合物を発光層以外の他の何れかの有機層に使用する場合は、発光層に使用する材料はインドロカルバゾール化合物以外の他のホスト材料であってもよい。また、インドロカルバゾール化合物と他のホスト材料を併用してもよい。更に、公知のホスト材料を複数種類併用して用いてもよい。
  使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。
  このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8―キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。
 発光層は蛍光発光層、遅延蛍光発光層あるいは燐光発光層のいずれでもよいが、燐光発光層であることが好ましい。
-注入層-
  注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。
-正孔阻止層-
  正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
  正孔阻止層には一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることが好ましいが、インドロカルバゾール化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、公知の正孔阻止層材料を用いてもよい。また、正孔阻止層材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。
-電子阻止層-
 電子阻止層とは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から成り、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。
  電子阻止層の材料としては、本発明に係る一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることができるが、他の材料として、後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることもできる。電子阻止層の膜厚は好ましくは3~100nmであり、より好ましくは5~30nmである。
-励起子阻止層-
  励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。
  励起子阻止層の材料としては、一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることができるが、他の材料として、例えば、1,3-ジカルバゾリルベンゼン(mCP)や、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)-4-フェニルフェノラトアルミニウム(III)(BAlq)が挙げられる。
-正孔輸送層-
  正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
  正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送層には一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。
-電子輸送層-
  電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。
  電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる場合もある)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には本発明に係る一般式(1)で表される材料を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
  以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明は勿論、これらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を越えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。
 以下に示すルートにより燐光発光素子用材料となるインドロカルバゾール化合物を合成した。尚、化合物番号は、上記例示化合物に付した番号に対応する。
合成例1
化合物B9の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000033
 
 窒素雰囲気下、化合物(A) 5.00g(0.0150mol)、ジブロモベンゼン 25.0g(0.106mol)、銅 6.10g(0.0960mol)、炭酸カリウム 22.8g (0.165mol)、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン(DMI) 30mlを加え、190℃で6時間撹拌した。その反応溶液を室温まで冷却し、水 800mlへ注ぎ込み、室温で12時間撹拌した。析出した固体をろ別し、テトラヒドロフラン(THF) 200mlに溶解させ、2M HCl 200mlを加えた後、酢酸エチル 100mlで3回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を除去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、白色固体として中間体(B) 6.18g(0.0126mol、収率 84%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000034
 
 窒素雰囲気下、中間体(B)6.00g(0.0123mol)、THF 100mlを加え、-78℃まで冷却した。1.59M n-BuLi 7.7ml (0.0123mol)を加え、-78℃で30分間撹拌した後、ジメシチルフルオロボラン 4.96g (0.0185mol)を加え、室温で2時間撹拌した。その後溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶で精製することで淡黄色固体として化合物B9 1.90g (0.00289mol、収率 23%)を得た。
APCI-TOFMS m/z 657 [M+1]、1H-NMR 測定結果(測定溶媒:THF-d8)を図2に示す。
実施例1
  膜厚110 nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度4.0×10-5 Paで積層させた。まず、ITO上に銅フタロシアニン(CuPC)を25 nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層として4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)を40 nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての化合物(B9)と、燐光発光ドーパントとしてのトリス(2‐フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)とを異なる蒸着源から、共蒸着し、40 nmの厚さに発光層を形成した。発光層中のIr(ppy)3の濃度は10.0 wt%であった。次に、電子輸送層としてトリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(III)(Alq3)を20 nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム(LiF)を1.0 nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてアルミニウム(Al)を70 nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。
  得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1のような発光特性を有することが確認された。表1において、輝度、電圧及び発光効率は、20mA/cm2での値を示す。素子発光スペクトルの極大波長は520 nmであり、Ir(ppy)3からの発光が得られていることがわかった。
実施例2~12
 合成例1と同様にして、化合物A1、A27、A33、A41、B4、B22、B33、C9、D8、D17及びE11を合成した。
 実施例1の発光層のホスト材料として、化合物B9に代えて化合物A1、A27、A33、A41、B4、B22、B33、C9、D8、D17及びE11を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。各々の素子発光スペクトルの極大波長は520 nmであり、Ir(ppy)3からの発光が得られていることがわかった。各々の発光特性を表1に示す。
比較例1
  発光層のホスト材料として、CBPを用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
比較例2
  発光層のホスト材料として、下記化合物Ho-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000035
 
比較例3
  発光層のホスト材料として、下記化合物Ho-2を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000036
 
  比較例1~3で作成した有機EL素子の素子発光スペクトルの極大波長はいずれも520 nmであり、Ir(ppy)3からの発光が得られていることがわかった。ホスト材料として使用した化合物及び各々の発光特性(@20mA/cm2)を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000037
 
  表1より、一般式(1)で表されるインドロカルバゾール化合物を用いた有機EL素子は、燐光ホストとして一般的に知られているCBPを用いた場合に対して、駆動電圧が低く良好な発光特性を示すことが判る。また、インドロカルバゾールのNに結合する連結基上に、あるいはインドロカルバゾールのベンゼン上に、ホウ素含有基を持たない化合物であるHo-1及びHo-2を用いた場合と比較して、良好な発光特性を示すことが判る。以上より、上記インドロカルバゾール化合物を用いた有機EL素子の優位性は明らかである。
産業上の利用の可能性
  本発明による有機EL素子は、発光特性、駆動電圧ならびに耐久性において、実用上満足できるレベルにあり、フラットパネルディスプレイ(携帯電話表示素子、車載表示素子、OAコンピュータ表示素子やテレビ等)、面発光体としての特徴を生かした光源(照明、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板や標識灯等への応用において、その技術的価値は大きいものである。

Claims (8)

  1.  下記一般式(1)で表される有機電界発光素子用化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
     ここで、環Iは隣接環と任意の位置で縮合する式(1a)で表される芳香族炭化水素環を示し、環IIは隣接環と任意の位置で縮合する式(1b)で表される複素環を表す。L及びLは独立に、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、及び該置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基の芳香族環が2~6つ連結して構成される連結芳香族基から選ばれるi+1価又はk+1価の基を表し、連結芳香族基は直鎖状であっても分岐状であっても良く、連結する芳香族環は同一であっても異なっていても良い。Zは式(1c)で表されるホウ素含有基を示し、Rはそれぞれ独立に、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、シアノ基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数2~12のアシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、水酸基、アミド基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は式(1c)で表されるホウ素含有基を示す。A及びAはそれぞれ独立に、水素、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数1~12のアルコキシル基、水酸基、塩素、臭素、フッ素、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基を示す。また、A及びAは隣接するA及びA、又はA及びAの置換基と互いに結合して環を形成してもよい。p及びqはそれぞれ独立に0~4の整数を表し、rは0~2の整数を表し、i及びkはそれぞれ0~5の整数を表す。ここで、p+q+r+i+k≧1であり、i及びkが共に0である場合、Rの少なくとも一つは式(1c)で表されるホウ素含有基である。また、p、q、r、i及びkが2以上の場合、R及びZはそれぞれ同一でも異なってもよい。
  2.  一般式(2)~(5)のいずれかで表されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子用化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
     一般式(2)~(5)中、L、L、Z、R、p、q、r、i及びkは一般式(1)と同意である。
  3.  Rが、それぞれ独立に、重水素、炭素数1~12のアルキル基、炭素数7~19のアラルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、炭素数2~24のジアルキルアミノ基、炭素数6~36のジアリールアミノ基、炭素数14~38のジアラルキルアミノ基、炭素数2~12のアシル基、炭素数2~12のアルコキシカルボニル基、炭素数1~12のアルコキシル基、炭素数1~12のアルキルスルホニル基、炭素数1~12のハロアルキル基、フェノキシ基、炭素数1~12のアルキルチオ基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基、又は式(1c)で表されるホウ素含有基であり、A及びAが、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基である請求項1に記載の有機電界発光素子用化合物。
  4.  i+kが1以上であり、Rがホウ素含有基以外の基であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子用化合物。
  5.  A及びAがそれぞれ独立に、置換若しくは未置換の炭素数6~18の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数3~17の芳香族複素環基であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子用化合物。
  6.  請求項1~5のいずれかに記載の有機電界発素子用化合物を含む有機層を有する有機電界発光素子。
  7.  有機電界発光素子用化合物を含む有機層が、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層から選ばれる少なくとも一つの層であることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
  8.  有機電界発光素子用化合物を含む有機層が発光層であり、該発光層が燐光発光性ドーパントと該有機電界発光素子用化合物をホスト材料として含有する請求項6に記載の有機電界発光素子。
PCT/JP2013/075937 2012-09-28 2013-09-25 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子 Ceased WO2014050904A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014538540A JP6334404B2 (ja) 2012-09-28 2013-09-25 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
KR1020157010556A KR102097718B1 (ko) 2012-09-28 2013-09-25 유기 전계발광 소자용 화합물 및 유기 전계발광 소자
US14/421,792 US20150218191A1 (en) 2012-09-28 2013-09-25 Compound for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element
CN201380050369.7A CN104662688B (zh) 2012-09-28 2013-09-25 有机电致发光元件用化合物和有机电致发光元件
EP13841725.8A EP2903048B1 (en) 2012-09-28 2013-09-25 Compound for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-216564 2012-09-28
JP2012216564 2012-09-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014050904A1 true WO2014050904A1 (ja) 2014-04-03

Family

ID=50388299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/075937 Ceased WO2014050904A1 (ja) 2012-09-28 2013-09-25 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150218191A1 (ja)
EP (1) EP2903048B1 (ja)
JP (1) JP6334404B2 (ja)
KR (1) KR102097718B1 (ja)
CN (1) CN104662688B (ja)
TW (1) TWI599570B (ja)
WO (1) WO2014050904A1 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014104315A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018056536A (ja) * 2016-09-23 2018-04-05 日本放送協会 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018125387A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 日本放送協会 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10096777B2 (en) 2016-12-22 2018-10-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for organic optoelectric device and organic optoelectric device and display device
JP2018170369A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2018170383A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
CN109678861A (zh) * 2018-12-31 2019-04-26 瑞声科技(南京)有限公司 一种双极性热激活延迟荧光化合物及其应用
CN109705125A (zh) * 2018-12-31 2019-05-03 瑞声科技(南京)有限公司 一种双极性热延迟荧光化合物及其应用
WO2022009883A1 (ja) 2020-07-08 2022-01-13 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 熱活性化遅延蛍光材料、及び有機電界発光素子
CN115298847A (zh) * 2020-03-17 2022-11-04 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的杂环化合物
US11895909B2 (en) * 2015-04-29 2024-02-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11957043B2 (en) 2020-05-06 2024-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device and electronic apparatus comprising same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3188260B1 (en) * 2015-12-31 2020-02-12 Dow Global Technologies Llc Nanostructure material structures and methods
US10892425B1 (en) * 2017-03-03 2021-01-12 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
JP7310605B2 (ja) * 2017-09-22 2023-07-19 三菱ケミカル株式会社 電荷輸送性化合物、電荷輸送性化合物を含む組成物及び該組成物を用いた有機電界発光素子
KR102668688B1 (ko) 2018-07-23 2024-05-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102595754B1 (ko) * 2018-08-09 2023-10-30 덕산네오룩스 주식회사 이종 화합물의 혼합물을 호스트로 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
US12022730B2 (en) 2018-11-27 2024-06-25 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light emitting device comprising the same
KR102331904B1 (ko) 2018-11-27 2021-11-26 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
WO2020111602A1 (ko) 2018-11-27 2020-06-04 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102797538B1 (ko) 2020-05-19 2025-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Citations (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11162650A (ja) 1997-10-02 1999-06-18 Xerox Corp エレクトロルミネセントデバイス
JPH11176578A (ja) 1997-10-02 1999-07-02 Xerox Corp インドロカルバゾールを用いたエレクトロルミネセントデバイス
WO2001041512A1 (en) 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
JP2001313178A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002117978A (ja) 2000-07-17 2002-04-19 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びイリジウム錯体
JP2003073387A (ja) 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 金属配位化合物及び有機発光素子
JP2003123982A (ja) 2001-08-07 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及び新規イリジウム錯体
JP2003133074A (ja) 2001-02-01 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 遷移金属錯体及び発光素子
JP2003253129A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP2003253145A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP2003253128A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP2003272861A (ja) 2002-03-12 2003-09-26 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
JP2004059433A (ja) 2001-06-15 2004-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 発光性有機金属化合物及び発光素子
JP2004506305A (ja) 2000-08-11 2004-02-26 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機金属化合物及び放射移行有機電気燐光体
JP2004111193A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
WO2004045001A2 (en) 2002-11-08 2004-05-27 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
WO2004045000A2 (en) 2002-11-06 2004-05-27 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP2004155709A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機金属錯体化合物及びこれを用いた有機発光素子
JP2004319438A (ja) 2003-03-28 2004-11-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及びロジウム錯体化合物
JP2005038847A (ja) 2003-06-26 2005-02-10 Samsung Sdi Co Ltd 有機金属錯体およびこれを採用した有機電界発光素子
JP2005082598A (ja) 2003-09-06 2005-03-31 Samsung Sdi Co Ltd 二核有機金属錯体及びそれを利用した有機電界発光素子
JP2005139185A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Samsung Sdi Co Ltd 有機金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
US20050119485A1 (en) 2002-11-06 2005-06-02 Brown Cory S. Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
JP2005187473A (ja) 2003-12-24 2005-07-14 Samsung Sdi Co Ltd ニ核有機金属錯体及びこれを利用した有機電界発光素子
JP2005220136A (ja) 2004-02-02 2005-08-18 Samsung Sdi Co Ltd イリジウム化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
WO2005076380A2 (en) 2004-02-03 2005-08-18 Universal Display Corporation Oleds utilizing multidentate ligand systems
US20050214576A1 (en) 2000-08-11 2005-09-29 Sergey Lamansky Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
US20050260448A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Chun Lin Novel organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US20050260449A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Robert Walters Complexes with tridentate ligands
WO2005113704A2 (en) 2004-05-18 2005-12-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
JP2006050596A (ja) 2004-07-06 2006-02-16 Canon Inc データ処理方法、データ処理装置、ディザパターン製造方法およびディザパターン
JP2006063080A (ja) 2004-08-28 2006-03-09 Samsung Sdi Co Ltd シクロメタル化遷移金属錯体及びこれを利用した有機電界発光素子
JP2006093542A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2006104132A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Toppan Printing Co Ltd 有機金属錯体、および発光材料、並びに発光素子
JP2006513278A (ja) 2002-08-16 2006-04-20 ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア 有機発光材料及びデバイス
JP2006104201A (ja) 2004-10-01 2006-04-20 Samsung Sdi Co Ltd シクロメタル化遷移金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2006111623A (ja) 2004-10-11 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd シクロメタル化遷移金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
WO2006046980A1 (en) 2004-07-06 2006-05-04 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP2006131561A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属錯体化合物
JP2006131524A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd 有機金属錯体、発光性固体、有機el素子及び有機elディスプレイ
JP2006213720A (ja) 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Sdi Co Ltd 有機金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
WO2006100888A1 (ja) 2005-03-22 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機el素子用材料、有機el素子、表示装置及び照明装置
JP2006261623A (ja) 2004-09-22 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006290891A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Samsung Sdi Co Ltd シリル置換シクロメタル化遷移金属錯体およびこれを用いた有機電界発光素子
JP2006303383A (ja) 2005-04-25 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006298900A (ja) 2005-04-21 2006-11-02 Samsung Sdi Co Ltd ホスト用化合物とドーパント用化合物が連結された有機金属化合物、およびこれを利用した有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006298899A (ja) 2005-04-21 2006-11-02 Samsung Sdi Co Ltd ホスト用化合物とドーパント用化合物が連結された有機金属化合物、およびこれを利用した有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006303394A (ja) 2005-04-25 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006310479A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
WO2007004380A1 (ja) 2005-07-01 2007-01-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007002080A (ja) 2005-06-23 2007-01-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007009009A (ja) 2005-06-29 2007-01-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007018067A1 (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007023659A1 (ja) 2005-08-25 2007-03-01 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007088105A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
WO2007058104A1 (ja) 2005-11-17 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007058080A1 (ja) 2005-11-17 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007522126A (ja) 2004-01-26 2007-08-09 ユニバーサル ディスプレイ コーポレーション 改善された電界発光安定性
WO2007095118A2 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Universal Display Corporation METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF
JP2007227948A (ja) 2007-03-29 2007-09-06 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
JP2007258550A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2007324309A (ja) 2006-05-31 2007-12-13 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2008037848A (ja) 2006-08-10 2008-02-21 Takasago Internatl Corp 白金錯体及び発光素子
JP2008505925A (ja) 2004-07-07 2008-02-28 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 安定で効率的なエレクトロルミネセンス材料
WO2008035664A1 (fr) 2006-09-20 2008-03-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Matériau de dispositif électroluminescent organique, dispositif électroluminescent organique, dispositif d'affichage et d'éclairage
JP2008091906A (ja) 2007-09-26 2008-04-17 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008050733A1 (en) 2006-10-24 2008-05-02 Ube Industries, Ltd. Gold complex, method for production of the gold complex, and organic ultraviolet electroluminescent element using the gold complex
WO2008054584A1 (en) 2006-11-03 2008-05-08 Universal Display Corporation Improved stability oled materials and devices
WO2008056746A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP2008133212A (ja) 2006-11-28 2008-06-12 Canon Inc 金属錯体化合物、電界発光素子及び表示装置
JP2008239565A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd イリジウム錯体とその製造法及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス
US20080261076A1 (en) 2007-03-08 2008-10-23 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
JP2008270737A (ja) 2007-03-23 2008-11-06 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2008266163A (ja) 2007-04-17 2008-11-06 Idemitsu Kosan Co Ltd 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008140657A1 (en) 2007-05-10 2008-11-20 Universal Display Corporation Organometallic compounds having host and dopant functionalities
JP2008542203A (ja) 2005-05-06 2008-11-27 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 安定oled材料及び改善された安定性を有するデバイス
WO2008146839A1 (ja) 2007-05-29 2008-12-04 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP2008311607A (ja) 2007-05-16 2008-12-25 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP2009019121A (ja) 2007-07-12 2009-01-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009046601A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009057367A (ja) 2007-08-03 2009-03-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属錯体化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009057304A (ja) 2007-08-30 2009-03-19 Mitsubishi Chemicals Corp 金属錯体及び有機電界発光素子
WO2009046266A1 (en) 2007-10-04 2009-04-09 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
JP2009096800A (ja) 2007-09-25 2009-05-07 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2009114369A (ja) 2007-11-08 2009-05-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2009073245A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
JP2009161524A (ja) 2007-12-14 2009-07-23 Fujifilm Corp 白金錯体化合物及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2009532546A (ja) 2006-04-07 2009-09-10 ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) 発光物質
JP2009536681A (ja) 2006-05-08 2009-10-15 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー エレクトロルミネセンスビス−シクロメタレート化イリジウム化合物およびかかる化合物で作製されたデバイス
JP2009542026A (ja) 2006-06-26 2009-11-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 架橋カルベン配位子を有するPtとPdのビスカルベン錯体及びテトラカルベン錯体のOLED内での利用
JP2009286716A (ja) 2008-05-28 2009-12-10 Sumitomo Seika Chem Co Ltd イリジウム錯体
JP2010083852A (ja) 2008-10-03 2010-04-15 Wakayama Univ 金属錯体の製造方法、金属錯体および有機電界発光素子
WO2010114243A2 (en) 2009-03-31 2010-10-07 Dow Advanced Display Materials,Ltd. Novel compounds for organic electronic material and organic electronic device using the same
WO2011125020A1 (en) * 2010-04-06 2011-10-13 Basf Se Substituted carbazole derivatives and use thereof in organic electronics
JP2011213643A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Canon Inc 銅錯体化合物及びこれを用いた有機発光素子
JP2012140367A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 縮合多環化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1217668A1 (de) * 2000-12-22 2002-06-26 Covion Organic Semiconductors GmbH Verwendung von Bor- und Aluminium-Verbindungen in Elektronik-Bauteilen
US6835473B2 (en) * 2001-12-06 2004-12-28 Konica Corporation Organic electroluminescence element and display
JP4867244B2 (ja) * 2005-09-12 2012-02-01 Jsr株式会社 電荷輸送性化合物およびその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物並びに有機エレクトロルミネッセンス素子
US8013330B2 (en) * 2007-05-30 2011-09-06 Nippon Steel Chemical Co., Ltd Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
EP2284920B1 (en) * 2008-05-08 2015-07-29 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Compound for organic electric field light-emitting element and organic electric field light-emitting element
CN102318101B (zh) * 2009-03-31 2013-05-29 新日铁化学株式会社 磷光发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件
KR101801048B1 (ko) * 2009-06-08 2017-11-28 에스에프씨 주식회사 인돌로카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101902917B1 (ko) * 2009-07-27 2018-10-02 에스에프씨 주식회사 인돌로카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101324788B1 (ko) * 2009-12-31 2013-10-31 (주)씨에스엘쏠라 유기 광소자 및 이를 위한 유기 광합물
WO2012039561A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-29 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
KR101256205B1 (ko) * 2010-09-30 2013-04-19 (주)씨에스엘쏠라 유기발광화합물 및 이를 구비한 유기발광소자
KR20120052879A (ko) * 2010-11-16 2012-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
EP2725633B1 (en) * 2011-06-27 2018-08-01 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Polymer for use in organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing same
CN103988329B (zh) * 2011-12-12 2016-07-13 新日铁住金化学株式会社 有机场致发光元件用材料和使用其的有机场致发光元件
CN102827196B (zh) * 2012-09-12 2015-06-03 山西大学 一种含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物及其制备方法和应用

Patent Citations (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11162650A (ja) 1997-10-02 1999-06-18 Xerox Corp エレクトロルミネセントデバイス
JPH11176578A (ja) 1997-10-02 1999-07-02 Xerox Corp インドロカルバゾールを用いたエレクトロルミネセントデバイス
WO2001041512A1 (en) 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
JP2001313178A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002117978A (ja) 2000-07-17 2002-04-19 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びイリジウム錯体
JP2004506305A (ja) 2000-08-11 2004-02-26 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機金属化合物及び放射移行有機電気燐光体
US20050214576A1 (en) 2000-08-11 2005-09-29 Sergey Lamansky Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP2003133074A (ja) 2001-02-01 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 遷移金属錯体及び発光素子
JP2004059433A (ja) 2001-06-15 2004-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 発光性有機金属化合物及び発光素子
JP2003123982A (ja) 2001-08-07 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及び新規イリジウム錯体
JP2003073387A (ja) 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 金属配位化合物及び有機発光素子
JP2003253128A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP2003253129A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP2003253145A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP2003272861A (ja) 2002-03-12 2003-09-26 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
JP2006513278A (ja) 2002-08-16 2006-04-20 ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア 有機発光材料及びデバイス
JP2004111193A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US20050119485A1 (en) 2002-11-06 2005-06-02 Brown Cory S. Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
WO2004045000A2 (en) 2002-11-06 2004-05-27 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP2004155709A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機金属錯体化合物及びこれを用いた有機発光素子
WO2004045001A2 (en) 2002-11-08 2004-05-27 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP2004319438A (ja) 2003-03-28 2004-11-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及びロジウム錯体化合物
JP2005038847A (ja) 2003-06-26 2005-02-10 Samsung Sdi Co Ltd 有機金属錯体およびこれを採用した有機電界発光素子
JP2005082598A (ja) 2003-09-06 2005-03-31 Samsung Sdi Co Ltd 二核有機金属錯体及びそれを利用した有機電界発光素子
JP2005139185A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Samsung Sdi Co Ltd 有機金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2005187473A (ja) 2003-12-24 2005-07-14 Samsung Sdi Co Ltd ニ核有機金属錯体及びこれを利用した有機電界発光素子
JP2007522126A (ja) 2004-01-26 2007-08-09 ユニバーサル ディスプレイ コーポレーション 改善された電界発光安定性
JP2005220136A (ja) 2004-02-02 2005-08-18 Samsung Sdi Co Ltd イリジウム化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
WO2005076380A2 (en) 2004-02-03 2005-08-18 Universal Display Corporation Oleds utilizing multidentate ligand systems
US20050260448A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Chun Lin Novel organometallic compounds for use in electroluminescent devices
WO2005113704A2 (en) 2004-05-18 2005-12-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US20050260449A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Robert Walters Complexes with tridentate ligands
WO2006046980A1 (en) 2004-07-06 2006-05-04 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP2006050596A (ja) 2004-07-06 2006-02-16 Canon Inc データ処理方法、データ処理装置、ディザパターン製造方法およびディザパターン
JP2008505925A (ja) 2004-07-07 2008-02-28 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 安定で効率的なエレクトロルミネセンス材料
JP2006063080A (ja) 2004-08-28 2006-03-09 Samsung Sdi Co Ltd シクロメタル化遷移金属錯体及びこれを利用した有機電界発光素子
JP2006261623A (ja) 2004-09-22 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006093542A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2006104201A (ja) 2004-10-01 2006-04-20 Samsung Sdi Co Ltd シクロメタル化遷移金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2006104132A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Toppan Printing Co Ltd 有機金属錯体、および発光材料、並びに発光素子
JP2006111623A (ja) 2004-10-11 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd シクロメタル化遷移金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2006131524A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd 有機金属錯体、発光性固体、有機el素子及び有機elディスプレイ
JP2006131561A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属錯体化合物
JP2006213720A (ja) 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Sdi Co Ltd 有機金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
WO2006100888A1 (ja) 2005-03-22 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機el素子用材料、有機el素子、表示装置及び照明装置
JP2006290891A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Samsung Sdi Co Ltd シリル置換シクロメタル化遷移金属錯体およびこれを用いた有機電界発光素子
JP2006298900A (ja) 2005-04-21 2006-11-02 Samsung Sdi Co Ltd ホスト用化合物とドーパント用化合物が連結された有機金属化合物、およびこれを利用した有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006298899A (ja) 2005-04-21 2006-11-02 Samsung Sdi Co Ltd ホスト用化合物とドーパント用化合物が連結された有機金属化合物、およびこれを利用した有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006303383A (ja) 2005-04-25 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006303394A (ja) 2005-04-25 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006310479A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2008542203A (ja) 2005-05-06 2008-11-27 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 安定oled材料及び改善された安定性を有するデバイス
JP2007002080A (ja) 2005-06-23 2007-01-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007009009A (ja) 2005-06-29 2007-01-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007004380A1 (ja) 2005-07-01 2007-01-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007018067A1 (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007023659A1 (ja) 2005-08-25 2007-03-01 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007088105A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
WO2007058104A1 (ja) 2005-11-17 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007058080A1 (ja) 2005-11-17 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007095118A2 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Universal Display Corporation METAL COMPLEXES OF CYCLOMETALLATED IMIDAZO[1,2-f]PHENANTHRIDINE AND DIIMIDAZO[1,2-A:1',2'-C]QUINAZOLINE LIGANDS AND ISOELECTRONIC AND BENZANNULATED ANALOGS THEREOF
JP2007258550A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2009532546A (ja) 2006-04-07 2009-09-10 ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) 発光物質
JP2009536681A (ja) 2006-05-08 2009-10-15 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー エレクトロルミネセンスビス−シクロメタレート化イリジウム化合物およびかかる化合物で作製されたデバイス
JP2007324309A (ja) 2006-05-31 2007-12-13 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2009542026A (ja) 2006-06-26 2009-11-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 架橋カルベン配位子を有するPtとPdのビスカルベン錯体及びテトラカルベン錯体のOLED内での利用
JP2008037848A (ja) 2006-08-10 2008-02-21 Takasago Internatl Corp 白金錯体及び発光素子
WO2008035664A1 (fr) 2006-09-20 2008-03-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Matériau de dispositif électroluminescent organique, dispositif électroluminescent organique, dispositif d'affichage et d'éclairage
WO2008050733A1 (en) 2006-10-24 2008-05-02 Ube Industries, Ltd. Gold complex, method for production of the gold complex, and organic ultraviolet electroluminescent element using the gold complex
WO2008054584A1 (en) 2006-11-03 2008-05-08 Universal Display Corporation Improved stability oled materials and devices
WO2008056746A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP2008133212A (ja) 2006-11-28 2008-06-12 Canon Inc 金属錯体化合物、電界発光素子及び表示装置
US20080261076A1 (en) 2007-03-08 2008-10-23 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
JP2008270737A (ja) 2007-03-23 2008-11-06 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2008239565A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd イリジウム錯体とその製造法及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス
JP2007227948A (ja) 2007-03-29 2007-09-06 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
JP2008266163A (ja) 2007-04-17 2008-11-06 Idemitsu Kosan Co Ltd 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008140657A1 (en) 2007-05-10 2008-11-20 Universal Display Corporation Organometallic compounds having host and dopant functionalities
JP2008311607A (ja) 2007-05-16 2008-12-25 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
WO2008146839A1 (ja) 2007-05-29 2008-12-04 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP2009019121A (ja) 2007-07-12 2009-01-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009057367A (ja) 2007-08-03 2009-03-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属錯体化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009046601A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009057304A (ja) 2007-08-30 2009-03-19 Mitsubishi Chemicals Corp 金属錯体及び有機電界発光素子
JP2009096800A (ja) 2007-09-25 2009-05-07 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2008091906A (ja) 2007-09-26 2008-04-17 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009046266A1 (en) 2007-10-04 2009-04-09 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
JP2009114369A (ja) 2007-11-08 2009-05-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2009073245A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
JP2009161524A (ja) 2007-12-14 2009-07-23 Fujifilm Corp 白金錯体化合物及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2009286716A (ja) 2008-05-28 2009-12-10 Sumitomo Seika Chem Co Ltd イリジウム錯体
JP2010083852A (ja) 2008-10-03 2010-04-15 Wakayama Univ 金属錯体の製造方法、金属錯体および有機電界発光素子
WO2010114243A2 (en) 2009-03-31 2010-10-07 Dow Advanced Display Materials,Ltd. Novel compounds for organic electronic material and organic electronic device using the same
JP2011213643A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Canon Inc 銅錯体化合物及びこれを用いた有機発光素子
WO2011125020A1 (en) * 2010-04-06 2011-10-13 Basf Se Substituted carbazole derivatives and use thereof in organic electronics
JP2012140367A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 縮合多環化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADV. MATER., vol. 21, 2009, pages 4802 - 4806
ADVANCED MATERIALS, vol. 21, 2009, pages 4802 - 4806
APPL. PHYS. LETT., vol. 98, 2011, pages 083302
ARCHIV DER PHARMAZIE (WEINHEIM, GERMANY, vol. 320, no. 3, 1987, pages 280 - 2
J. AM. CHEM. SOC., vol. 134, 2012, pages 14706 - 14709
See also references of EP2903048A4
SYNLETT, 2005, pages 42 - 48

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10186665B2 (en) 2012-12-28 2019-01-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JPWO2014104315A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US11895909B2 (en) * 2015-04-29 2024-02-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
JP2018056536A (ja) * 2016-09-23 2018-04-05 日本放送協会 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10096777B2 (en) 2016-12-22 2018-10-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for organic optoelectric device and organic optoelectric device and display device
JP2018125387A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 日本放送協会 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018170383A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2018170369A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
CN109678861A (zh) * 2018-12-31 2019-04-26 瑞声科技(南京)有限公司 一种双极性热激活延迟荧光化合物及其应用
CN109705125A (zh) * 2018-12-31 2019-05-03 瑞声科技(南京)有限公司 一种双极性热延迟荧光化合物及其应用
CN115298847A (zh) * 2020-03-17 2022-11-04 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的杂环化合物
US11957043B2 (en) 2020-05-06 2024-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device and electronic apparatus comprising same
US12302743B2 (en) 2020-05-06 2025-05-13 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device and electronic apparatus comprising same
WO2022009883A1 (ja) 2020-07-08 2022-01-13 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 熱活性化遅延蛍光材料、及び有機電界発光素子
KR20230035528A (ko) 2020-07-08 2023-03-14 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 열활성화 지연 형광재료, 및 유기 전계 발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP2903048B1 (en) 2018-01-10
KR102097718B1 (ko) 2020-04-07
EP2903048A4 (en) 2016-05-18
JPWO2014050904A1 (ja) 2016-08-22
CN104662688B (zh) 2017-06-23
JP6334404B2 (ja) 2018-05-30
KR20150063462A (ko) 2015-06-09
TW201431864A (zh) 2014-08-16
CN104662688A (zh) 2015-05-27
US20150218191A1 (en) 2015-08-06
EP2903048A1 (en) 2015-08-05
TWI599570B (zh) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6334404B2 (ja) 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
JP6307494B2 (ja) 有機電界発光素子用アダマンタン化合物及び有機電界発光素子
JP6006732B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及びそれを用いた有機電界発光素子
JP6091428B2 (ja) 有機電界発光素子
JP6436901B2 (ja) 有機電界発光素子用ホウ素化合物及び有機電界発光素子
JP6360796B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP6360797B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP6375302B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP5778756B2 (ja) 含窒素芳香族化合物及び有機電界発光素子
WO2014013936A1 (ja) 有機電界発光素子
WO2015146417A1 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
WO2015098297A1 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JPWO2016158454A1 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
WO2014050588A1 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP6402178B2 (ja) 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13841725

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14421792

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014538540

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013841725

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157010556

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A