WO2015118982A1 - 電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法 - Google Patents

電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法 Download PDF

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copper particles
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清野紳弥
林俊孝
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic component module manufactured using a copper particle paste and a method for manufacturing the electronic component module.
  • Patent Document 1 discloses a liquid or paste containing copper nanoparticles having a particle size of 1000 nm or less, and the particle size peak of the particle size distribution based on the number of copper nanoparticles is 1 One or more in each of a section of ⁇ 35 nm and a section having a particle size larger than 35 nm and smaller than or equal to 1000 nm, and the copper nanoparticles include primary particles and secondary particles that are a fusion of primary particles. Materials have been proposed.
  • Patent Document 1 discloses that the above-described sinterable bonding material contains a dispersant (dispersion stabilizer), and an atmosphere of hydrogen, formic acid, or ethanol is disclosed as a reducing atmosphere in the firing step. Has been.
  • Patent Document 1 discloses that when an electronic component is bonded using the sinterable bonding material, a sintering heat treatment is performed while applying pressure in a direction in which the electronic component is bonded.
  • the atmosphere of hydrogen, formic acid, or ethanol is used as a firing atmosphere
  • a reducing atmosphere gas is not supplied to the inner region of the joint, and the inner region is desirably reduced
  • firing is likely to proceed in the vicinity of the outer periphery of the joint portion in contact with the reducing atmosphere, and firing is difficult to proceed in the inner region, so that an unsintered region is formed in the inner region, resulting in a decrease in joint strength.
  • the present invention solves the above-mentioned problem, and is excellent in stability (oxidation resistance) of copper particles that are conductive components, and it is difficult to form voids and can form a bonding portion with high bonding reliability.
  • the electronic component module of the present invention is An external component included in the electronic component is an electronic component module having a structure in which the external terminal is electrically and mechanically connected to a connection target via a bonding material,
  • the bonding material is
  • the particle size distribution has a particle size peak in the range of 0.1 to 5.0 ⁇ m, an average crystallite size before sintering in the range of 30 to 100 nm, and a dispersing agent that suppresses aggregation on the particle surface.
  • the bonding material is preferably a copper sintered body having an average crystallite diameter of the sintered copper particles in the range of 60 to 150 nm.
  • a stable copper sintered body is formed by adjusting the average crystallite diameter after sintering to 60 to 150 nm.
  • the said organic compound is an organic compound which has a hydroxyl group. Removing the oxide film formed on the surface of the copper particles in the firing step by using an organic compound having a hydroxy group as an organic compound having a reducing action at the firing temperature for sintering the copper particles; In the firing step, copper can be surely sintered without being oxidized, and the present invention can be made more effective.
  • the organic compound preferably contains at least one selected from the group consisting of triethanolamine, glycerin, ethylene glycol, triethylene glycol, diethylene glycol, and dipropylene glycol.
  • connection target is a mounting electrode disposed on a circuit board.
  • a structure in which a surface mount type electronic component such as an IC chip or a multilayer ceramic capacitor is mounted on the circuit board is provided. It is possible to reliably manufacture a highly reliable electronic component module.
  • connection object is a metal terminal attached to the external terminal.
  • the manufacturing method of the electronic component module of the present invention includes:
  • An external terminal included in an electronic component is a method for manufacturing an electronic component module having a structure in which an external terminal is electrically and mechanically connected to a connection target via a bonding material,
  • the external terminal of the electronic component has a particle size distribution with a particle size peak in the range of 0.1 to 5.0 ⁇ m, an average crystallite size before sintering in the range of 30 to 100 nm, and agglomeration.
  • a copper sintered body having an average crystallite diameter of the copper particles of 60 to 150 nm is formed, and the external terminals of the electronic component and A step of joining the connection object via the copper sintered body.
  • the electronic component is placed on the joining target so that the external terminal of the electronic component faces the connection target via the copper particle paste.
  • the heat treatment is preferably performed in an inert atmosphere.
  • the copper particles constituting the copper particle paste can be more reliably sintered, and the present invention can be made more effective.
  • the copper particles used as the copper particles constituting the above copper particle paste and having a particle size distribution having a particle size peak in the range of 0.1 to 5.0 ⁇ m are not excessively fine and are not easily oxidized.
  • the average crystallite diameter is as small as 30 to 100 nm and can be sintered at a low temperature of 300 ° C. or lower. After sintering, the average crystallite diameter is 60 It is a copper particle that becomes a copper sintered body of about 150 nm and becomes a stable bonding material.
  • the copper particles do not have a dispersant for suppressing aggregation on the surface, it is possible to obtain a sintered body in which the density of the copper sintered body obtained by sintering is high and the proportion of voids is small. it can.
  • the average crystallite size of the copper particles is 30 to 100 nm. By making it in this range, low temperature sintering at 300 ° C. or lower is enabled.
  • the above copper particle paste contains an organic compound (for example, a solvent) that exhibits a reducing action at a firing temperature for sintering the copper particles. Since the copper oxide on the surface of the copper particles, which becomes an inhibiting factor, is reduced, it is not particularly necessary to fire in a reducing atmosphere, and sintering in an inert atmosphere becomes possible. When firing in a reducing atmosphere using a reducing gas, when the above copper particle paste is used as a bonding material, sintering progresses on the surface and the peripheral portion of the bonded portion, and is fired inside the bonded portion. Although there is a problem that the result tends to be insufficient, as described above, the inclusion of an organic compound (for example, a solvent) that exhibits a reducing action eliminates the need for firing in a reducing atmosphere, thus eliminating this problem. can do.
  • an organic compound for example, a solvent
  • 1A to 1D are diagrams schematically showing a process of sintering copper particles.
  • the copper particles 10 used in the copper particle paste have a large grain boundary energy, with the average size (average crystallite diameter) of the crystallites 11 being as small as 30 to 100 nm. .
  • the surface of the copper particles 10 is covered with an oxide film (copper oxide) 12 at room temperature.
  • this copper particle paste (copper particle) 1 is heated to a reflow temperature (for example, 230 ° C.), as shown in FIG. 1B, the firing temperature for sintering the copper particles present around the copper particles 10
  • the organic compound (for example, a solvent) 13 having a reducing action acts as a reducing agent, and the oxide film (copper oxide) 12 on the surface of the copper particles 10 is reduced.
  • the oxide film (copper oxide) 12 on the surface of the copper particle 10 is reduced, the copper particle 10 having a small average crystallite diameter and a large grain boundary energy can be obtained even at a temperature as low as the reflow temperature.
  • the neck grows and coalesces as shown in FIG. 1C to increase the crystallite diameter.
  • the copper particles 10 themselves become large and the average crystallite diameter becomes as large as 60 to 150 nm, and a stable copper sintered body is formed.
  • the copper particles constituting the copper particle paste can be efficiently sintered even at a low temperature by such a mechanism.
  • the electronic component module of the present invention has a structure in which the external terminals provided in the electronic component are electrically and mechanically connected to the connection target via the bonding material formed by baking the copper particle paste. It has high reliability because the external terminals of the electronic component and the connection target are securely joined via a joint made of a copper sintered body with a high density and a small proportion of voids. An electronic component module can be reliably provided.
  • the method for manufacturing an electronic component module according to the present invention includes a heat treatment in a state where the electronic component and the bonding target are positioned so that the external terminal of the electronic component faces the connection target via the copper particle paste.
  • the copper particles contained in the copper particle paste are sintered, and the external terminals of the electronic component and the connection target are joined by a copper sintered body having an average crystallite diameter of 60 to 150 nm. It is possible to reliably join the external terminals of the component and the connection target through a joint made of a copper sintered body with a high density and a small proportion of voids, and a highly reliable electronic component module can be efficiently used. Can be manufactured well.
  • the external terminals included in the electronic component are electrically and mechanically connected to the connection target via a bonding material formed by sintering a copper particle paste.
  • the electronic component module having the above structure.
  • the copper particle has a particle size distribution having a particle size peak in the range of 0.1 to 5.0 ⁇ m and an average crystallite size before sintering of 30 to 100 nm. Copper particles in the range were prepared.
  • triethanolamine which is liquid at room temperature, was prepared as an organic compound that exhibits a reducing action at the firing temperature when sintering the copper particles.
  • copper particles and triethanolamine were blended at a ratio of 87:13 by weight and kneaded to prepare a copper particle paste.
  • the particle size peak of the particle size distribution of the copper particles was determined by the following method. First, copper particles were observed using a scanning electron microscope, and the horizontal ferret diameter was measured for 200 particles in the field of view. And the measured value obtained was converted into a sphere, the volume average particle size was calculated, and the particle size peak was obtained from the result.
  • the average crystallite size before sintering was determined by the following method. First, X-ray diffraction measurement was performed on the copper particles, and three peaks ⁇ 111>, ⁇ 200>, and ⁇ 311> were obtained. Then, using the obtained three peaks, the crystallite diameter was calculated by the Rietveld method, and the average value was taken as the average crystallite diameter.
  • a first oxygen-free copper sample piece 21 having a plane dimension of 5 mm in length and width and a thickness of 1 mm
  • a second oxygen-free copper sample having a plane dimension of 3 mm in length and breadth and a thickness of 1 mm.
  • the pieces 22 were joined via a copper sintered body 23 formed by firing the copper particle paste produced as described above.
  • a through hole (here, a plane having a diameter of 2000 ⁇ m) through which the copper particle paste passes is used.
  • the copper particle paste was printed on the first oxygen-free copper sample piece 21 so that the coating thickness was 40 ⁇ m.
  • the second oxygen-free copper sample piece 22 is placed on the copper particle paste printed on the first oxygen-free copper sample piece 21, no particular stress is applied, and the baking temperature is 230 ° C. and the baking time is: As shown in FIG. 2, the first oxygen-free copper sample piece 21 and the second oxygen-free copper sample piece 22 are bonded to a bonding material (copper particle paste) by baking under a condition of baking atmosphere: nitrogen for 60 minutes. The sintered copper sintered body) 23 was joined.
  • the bonding strength between the first oxygen-free copper sample piece 21 and the second oxygen-free copper sample piece 22 was measured.
  • the measurement of the joint strength was performed by measuring the shear strength using a universal bond tester Dage 4000 manufactured by Dage.
  • the lower first oxygen-free copper sample piece 21 is fixed with a fixing jig, a shear tool 24 having a tool width of 4 mm is used, a shear rate of 50 ⁇ m / s, and no The distance from the surface of the oxygen copper sample piece 21 to the tip of the tool was 50 ⁇ m and shared. Then, the fracture surface was photographed, and the bonding area was measured by image processing. *
  • the average crystallite diameter before firing is obtained by applying copper particle paste to a glass plate with ink and performing the above-described method, that is, X-ray diffraction measurement.
  • the crystallite diameter was calculated from the three peaks ⁇ 111>, ⁇ 200>, and ⁇ 311> by the Rietveld method, and the average value was obtained.
  • the average crystallite diameter after firing is the peak ⁇ 111> obtained by extracting the sintered body after sharing using tweezers and placing it on a glass plate and performing the above-described method, that is, X-ray diffraction measurement.
  • ⁇ 200>, ⁇ 311> The crystallite diameter was calculated by the Rietveld method from the three peaks, and the average value was obtained.
  • the copper particle paste is printed on the first oxygen-free copper sample piece 21 so that the coating thickness is 40 ⁇ m. Then, firing was performed under the conditions of: temperature: 230 ° C., firing time: 60 min, firing atmosphere: nitrogen, and the crystallite diameter before and after firing was examined.
  • the mechanism described above with reference to FIGS. 1A to 1D enables sintering at a low temperature. As a result, it is possible to form a bonding material made of a copper sintered body having a high density and a small proportion of voids without requiring firing at a high temperature.
  • FIGS. 4A, 4B and 5A, 5B show the copper particles before and after firing the copper particles within the range defined in the requirements of the present invention and the copper particle paste using the copper particles outside the range.
  • grains is shown.
  • FIG. 4A is a photomicrograph (SEM) showing the state of copper particles before firing a copper particle paste using copper particles having an average crystallite diameter of 56.7 nm within the range defined in the requirements of the present invention.
  • FIG. 4B is a micrograph (SEM image) showing the state of the copper particles after firing.
  • FIG. 5A is a photomicrograph (SEM) showing the state of copper particles before firing of a copper particle paste using copper particles having an average crystallite diameter of 107.2 nm outside the range defined in the requirements of the present invention.
  • FIG. 5B is a micrograph (SEM image) showing the state of the copper particles after firing.
  • cuprous oxide (Cu 2 O) powder was placed on a glass substrate, liquid triethanolamine was applied at room temperature, heated on a hot plate at a predetermined temperature for 10 minutes, and then subjected to composition analysis by XRD.
  • FIG. 6A is an XRD chart when the cuprous oxide powder coated with triethanolamine is heated for 10 minutes at 230 ° C., which is a temperature condition near the melting point of Sn generally used as an electrode material, and FIG. It is a figure which shows the XRD chart at the time of heating the cuprous oxide powder which apply
  • the heating temperature is 230 ° C., which is a temperature condition in the vicinity of the melting point of Sn generally used as an electrode material
  • a Cu peak is clearly recognized as shown in FIG. 6A, while cuprous oxide (Cu 2 It was confirmed that the peak of O) was small, that is, a reducing action was achieved.
  • triethanolamine is used as the reducing organic compound.
  • organic compounds having hydroxy groups such as glycerin, ethylene glycol, triethylene glycol, diethylene glycol, and dipropylene glycol are also used. It has been confirmed that the compounds have reducing properties, and these substances can also be used as reducing organic compounds.
  • organic compounds can be used as the organic compound exhibiting a reducing action.
  • a substance that is solid at room temperature If necessary, it can be dissolved in another solvent and used.
  • FIG. 7 shows an embodiment of the present invention having a structure that is electrically and mechanically connected to a connection object via a bonding material formed by sintering the copper particle paste produced as described above. It is a figure which shows the electronic component module concerning (Embodiment 1).
  • the electronic component module 30 has a gold bump (external terminal) 33 formed on a surface electrode 32 of an IC chip (electronic component in the present invention) 31 and a copper sintered body (joining material).
  • 34 is electrically and mechanically connected to a mounting electrode (connection object) 36 made of, for example, copper, formed on the circuit board 35, and the IC chip (electronic component) 31 is sealed.
  • FIG. 7 shows a structure in which the IC chip 31 is mounted on the circuit board 35, for example, other electronic components such as a chip capacitor and a chip resistor may be mounted.
  • the copper sintered body 34 which is the above-mentioned bonding material, is formed by baking the above-described copper particle paste, and the sintered copper body has an average crystallite diameter after sintering in the range of 60 to 150 nm. It is.
  • a method for manufacturing the electronic component module 30 will be described.
  • a circuit board 35 having a mounting electrode (land electrode) 36 on its surface is prepared.
  • an IC chip (electronic component in the present invention) 31 having a gold bump (external terminal) 33 formed on the surface electrode 32 is prepared.
  • the above-described copper particle paste is applied on the mounting electrode 36 of the circuit board 35, and the gold bump (external terminal) 33 of the IC chip (electronic component) 31 is applied on the mounting electrode 36 of the circuit board 35.
  • the IC chip (electronic component) 31 is mounted on the mounting electrode 36 of the circuit board 35 so as to be positioned on the copper particle paste.
  • the copper particles contained in the copper particle paste are fired by firing at 230 ° C. in a nitrogen atmosphere (inert atmosphere) without pressing the IC chip (electronic component) 31 toward the circuit board 35.
  • the gold bumps (external terminals) 33 are connected to the mounting electrodes (connection objects) 36 via the copper sintered body (bonding material) 34.
  • This electronic component module 30 is formed by baking a gold bump (external terminal 33) of the above-mentioned copper particle paste on an IC chip (electronic component) 31, and has an average crystallite diameter after sintering in the range of 60 to 150 nm. It has a structure in which it is electrically and mechanically connected to a mounting electrode (connection object) 36 of a circuit board 35 to be connected through a copper sintered body (bonding material) 34.
  • the gold bumps (external terminals) 33 and the mounting electrodes (connection objects) 36 of the IC chip (electronic component) 31 have a high density and a bonding material 34 made of a copper sintered body with a small proportion of voids. Thus, it is possible to provide a highly reliable electronic component module that is securely bonded.
  • the gold bump (external terminal) 33 of the IC chip (electronic component) 31 is connected to the connection target 36 via the copper particle paste that becomes the copper sintered body 34 after firing. Since the heat treatment is performed with the IC chip (electronic component) 31 and the mounting electrode (connection target) 36 positioned so as to face each other, the gold bump (external) of the IC chip (electronic component) 31 is provided.
  • the terminal 33 and the connection object 36 can be reliably bonded by the bonding material (copper sintered body) 34 made of a copper sintered body having a high density and a small proportion of voids.
  • the bump of the IC chip is made of gold
  • the mounting electrode (land electrode) is made of copper.
  • Ag, Cu, Ni, Ag—Pd, etc. and as the constituent material of the mounting electrode (land electrode), Au, Ag, Ni, Ag—Pd, etc. can be used. Is possible.
  • FIG. 8 is a diagram showing an electronic component module according to an embodiment (Embodiment 2) of the present invention.
  • an external terminal 42 made of copper included in the multilayer ceramic capacitor 41 is formed on a circuit board (alumina substrate) 45 via a copper sintered body (bonding material) 44.
  • This is an electronic component module having a structure electrically and mechanically connected to the mounting electrode 46 (connection object in the present invention) 46 made of copper.
  • the bonding strength between the mounting electrode (land electrode) 46 and the external terminal 42 is 45 MPa.
  • a copper particle paste that becomes a sintered copper body 44 after firing is applied onto a mounting electrode (land electrode) 46 formed on the surface of a circuit board 45, and external terminals 42 are formed at both ends.
  • the laminated ceramic capacitor 41 is placed so that the mounting electrode (land electrode) 46 and the external terminal 42 are opposed to each other with the copper particle paste interposed therebetween, and in particular, a nitrogen atmosphere (without applying stress from the outside) It is formed by sintering the copper particles contained in the copper particle paste by firing at 230 ° C. in an inert atmosphere.
  • FIG. 9 is a micrograph (SEM image) of the vicinity of the joint between the multilayer ceramic capacitor 41 and the circuit board 45. From FIG. 9, the external terminal 42 made of copper of the multilayer ceramic capacitor 41 is bonded to the mounting electrode 46 made of copper on the circuit board 45 via the bonding material made of the copper sintered body 44. I understand.
  • the external terminal 42 made of copper of the multilayer ceramic capacitor 41 is formed by using the above copper particle paste without forming the Sn plating layer or the solder plating layer on the external terminal 42 of the multilayer ceramic capacitor 41. It can be seen that by directly bonding the mounting electrode 46 made of copper on the circuit board 45, highly reliable bonding can be realized without forming an intermetallic compound.
  • the constituent material of the external terminal of the multilayer ceramic capacitor is not limited to copper, and may be formed of gold, silver, silver-palladium, nickel, or the like. Moreover, glass may be contained in copper.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an electronic component with a metal terminal (an electronic component module in a broad sense) according to another embodiment (third embodiment) of the present invention.
  • An electronic component (for example, a multilayer ceramic capacitor) 50 shown in FIG. 10 has a copper sintered body (a copper sintered body) formed by baking the copper particle paste on the external electrode 52 formed on the surface of the electronic component element 51.
  • the copper particle paste is applied to at least one of the external electrode 52 and the metal terminal 53 formed on the surface of the electronic component element 51, and the both are joined. In this state, heat treatment is performed under predetermined conditions to sinter the copper particles in the copper particle paste, so that it can be easily and reliably produced.
  • this electronic component 50 with a metal terminal is a bonding material (made of a copper sintered body in which the external electrode 52 of the electronic component element 51 and the metal terminal 53 to be connected have a high density and a small proportion of voids) It is reliably joined by a copper sintered body) 54 and has high reliability.
  • a metal terminal is not restricted to the thing of the above structures, The metal terminal which comprises some other electronic components may be sufficient. In that case, the same effect can be obtained.
  • the constituent material of the metal terminal 53 There is no particular restriction on the constituent material of the metal terminal 53, and it is possible to use a material made of gold, silver, copper, silver-palladium, nickel, or the like.
  • the copper particle paste is not limited to the electronic component module described in the first and second embodiments and the electronic component with a metal terminal described in the third embodiment (broadly defined electronic component module).
  • A a connection material for built-in components disposed inside the multilayer ceramic substrate;
  • B a material for forming a via-hole conductor for interlayer connection;
  • C an electrode forming material for forming a wiring or an electrode;
  • D a conductive sealing material,
  • It can also be applied to applications such as connection materials for die bonding.
  • Copper particles 11 Crystallites 12 Oxide film (copper oxide) 13 Organic compounds that exhibit reducing action (solvents) 21 First oxygen-free copper sample piece 22 Second oxygen-free copper sample piece 23 Copper sintered body obtained by firing copper particle paste 24 Share tool 30 Electronic component module 31 IC chip (electronic component) 32 Surface electrode 33 Gold bump (external terminal) 34 Copper sintered body (joining material) 35 Circuit board 36 Mounting electrode (target) 37 Sealing resin 40 Electronic component module 41 Multilayer ceramic capacitor 42 External terminal 44 Copper sintered body (joining material) 45 Circuit board (alumina substrate) 46 Mounting electrode (target) 50 Electronic component 51 Electronic component element 52 External electrode 53 Metal terminal 54 Copper sintered body (joining material)

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Abstract

 接合材料の内部まで確実に焼結させることができる銅粒子ペーストを用いて形成した、銅粒子の耐酸化性に優れ、かつ、接合信頼性の高い接合部を備えた電子部品モジュール、およびその製造方法を提供する。 粒度分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲、焼結前の平均結晶子径が30~100nmの範囲にあり、凝集を抑制する分散剤を粒子表面に有していない銅粒子と、記銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物とを含有する銅粒子ペーストを用いて、外部端子を接続対象に接合する。 また、電子部品31が備える外部端子33が、接合材料34を介して、接続対象36に電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュール30において、上記接合材料を、上記の銅粒子ペーストを焼き付けることにより形成される、平均結晶子径が60~150nmの範囲にある銅焼結体とする。

Description

電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法
 本発明は銅粒子ペーストを用いて製造される電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法に関する。
 近年のエレクトロニクス技術の進展に伴い、例えば、表面実装型の電子部品を回路基板上に実装してなる電子部品モジュールが広く用いられるに至っている。
 そして、表面実装型の電子部品(以下、単に電子部品という)を回路基板上に実装するにあたって、導電性の接合材料を用いて電子部品の外部端子を、回路基板に配設された実装用電極(接続対象)に機械的、電気的に接続することが行われている。
 このような接合材料として、特許文献1には、粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液またはペーストであって、銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークが、粒径が1~35nmの区間、および、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、銅ナノ粒子が、一次粒子と、一次粒子の融合体である二次粒子とを含む焼結性接合材料が提案されている。
 さらに、特許文献1には、上述の焼結性接合材料に、分散剤(分散安定剤)を含ませることが開示され、また、焼成工程における還元雰囲気として、水素、ギ酸またはエタノールの雰囲気が開示されている。
 特許文献1はその他にも、上記焼結性接合材料を用いて電子部品を接合する場合に、電子部品を接合する方向に加圧しながら焼結熱処理を施すことを開示している。
特開2013-91835号公報
 しかしながら、粒径が1~35nmの区間に粒径ピークがある場合、そのような粒径を有する粒子、すなわち、サイズの小さい粒子は、凝集を生じやすく、また、比表面積が大きく、酸化し易いため、材料の安定性が悪いという問題点がある。
 また、分散剤を含ませるようにした場合、焼成時に体積収縮を引き起こし、空隙を形成しやすいため、接合強度を低下させるという問題点がある。
 さらに、水素、ギ酸またはエタノールの雰囲気を焼成雰囲気とした場合、例えば、電子部品と接続対象の接合領域が大きい場合、接合部の内部領域にまで還元雰囲気ガスが供給されず、内部領域を望ましい還元性雰囲気下で焼成することが困難になるという問題点がある。すなわち、還元性雰囲気に接する接合部の外周近傍では焼成が進みやすく、内部領域では焼成が進みにくいため、内部領域には未焼結領域が形成されることになり、接合強度が低下するという問題点がある。
 本発明は、上記課題を解決するものであり、導電成分である銅粒子の安定性(耐酸化性)に優れ、かつ、空隙を形成しにくく、接合信頼性の高い接合部を形成することが可能で、かつ、接合部を構成する接合材料の表面近傍のみならず、接合材料の内部まで確実に焼結させることが可能な銅粒子ペーストを用いて製造される電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
 上記課題を解決するため、本発明の電子部品モジュールは、
 電子部品が備える外部端子が、接合材料を介して、接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュールであって、
 前記接合材料は、
 粒径分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にあるとともに、焼結前の平均結晶子径が30~100nmの範囲にあり、かつ、凝集を抑制する分散剤を粒子表面に有していない銅粒子と、
 前記銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物と、
 を含有する銅粒子ペーストを焼結させることにより形成されたものであること
 を特徴としている。
 また、前記接合材料は、焼結後の銅粒子の平均結晶子径が60~150nmの範囲にある銅焼結体であることが好ましい。
 焼結後の平均結晶子径が60~150nmとなるようにすることにより、安定した銅焼結体が形成される。
 また、上記の銅粒子ペーストにおいては、前記有機化合物がヒドロキシ基を有する有機化合物であることが好ましい。
 銅粒子を焼結させるための焼成温度で還元作用を奏する有機化合物として、ヒドロキシ基を有する有機化合物を用いることにより、焼成工程で銅粒子の表面に形成されている酸化物膜を除去すること、焼成工程で銅が酸化されることなく確実に焼結されるようにすることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
 また、前記有機化合物がトリエタノールアミン、グリセリン、エチレングリコール、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコールからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。
 上記群からなる少なくとも1種を用いることにより、本発明をより実効あらしめることができる。
 また、前記接続対象が、回路基板に配設された実装用電極であることが好ましい。
 本発明の方法で電子部品の外部端子を回路基板上の実装用電極に接続することにより、例えば、ICチップや積層セラミックコンデンサなどの表面実装型の電子部品が回路基板上に搭載された構造を有する、信頼性の高い電子部品モジュールを確実に製造することが可能になる。
 また、前記接続対象が、前記外部端子に取り付けられた金属端子であることが好ましい。
 本発明の方法で電子部品の外部端子を金属端子に取り付けることにより、信頼性の高い端子付き電子部品モジュールを確実に製造することが可能になる。
 また、本発明の電子部品モジュールの製造方法は、
 電子部品が備える外部端子が、接合材料を介して接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュールの製造方法であって、
 前記電子部品の前記外部端子が、粒径分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にあるとともに、焼結前の平均結晶子径が30~100nmの範囲にあり、かつ、凝集を抑制する分散剤を粒子表面に有していない銅粒子と、前記銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物と、を含有する銅粒子ペーストを介して前記接続対象と対向するように、前記電子部品と前記接合対象とを位置させる工程と、
 熱処理を行って前記銅粒子ペーストに含まれる前記銅粒子を焼結させることにより、銅粒子の平均結晶子径が60~150nmである銅焼結体を形成し、前記電子部品の前記外部端子と前記接続対象とを、前記銅焼結体を介して接合する工程と
 を備えていることを特徴としている。
 本発明の電子部品モジュールの製造方法においては、前記電子部品の前記外部端子が、前記銅粒子ペーストを介して、前記接続対象と対向するように前記電子部品を前記接合対象上に載置した状態で、外部から力を加えることなく前記熱処理を行うようにすることが好ましい。
 上述したような銅粒子ペーストを用いることにより、外部から力を加えることなく熱処理を行うことが可能であり、加圧をしないことで、電子部品へのダメージを少なくすることが可能になるとともに、微小な接合部を形成することができるようになる。
 また、前記熱処理を、不活性雰囲気中で実施することが好ましい。
 不活性雰囲気で熱処理することにより、さらに確実に銅粒子ペーストを構成する銅粒子を焼結させることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
 上記の銅粒子ペーストを構成する銅粒子として用いられている、粒度分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にある銅粒子は、過度に微細ではないため、酸化されにくく、安定性に優れている一方、焼結性の点では、平均結晶子径が30~100nmと小さく、300℃以下の低温で焼結させることが可能で、焼結後は、平均結晶子径が60~150nm程度の銅焼結体となり、安定した接合材料となるような銅粒子である。
 また、銅粒子は、凝集を抑制する分散剤をその表面に有していないことから、焼結により得られる銅焼結体の密度が高く、空隙が占める割合が小さい焼結体を得ることができる。
 すなわち、銅粒子の粒径が100nm以下の所謂ナノ粒子では、分散剤が存在しないと凝集してしまうが、上記の銅粒子ペーストおいては、銅粒子の粒度分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にあることから、分散剤を用いなくても凝集を抑制することを可能になる。
 なお、平均結晶子径が100nm以下のナノ粒子の場合、その効果(ナノサイズ効果)により低温で焼結させることが可能であるが、本発明では、銅粒子の平均結晶子径を30~100nmの範囲にすることで、300℃以下での低温焼結を可能にしている。
 つまり、銅粒子の粒度分布の粒径ピークを0.1~5.0μmと大きくし、かつ、平均結晶子径を30~100nmと小さくすることにより、分散剤を配合しなくても凝集させないようにすることが可能になるとともに、300℃以下での低温焼結を可能にすることができるようになる。
 また、上記の銅粒子ペーストは、銅粒子を焼結させるための焼成温度で還元作用を奏する有機化合物(例えば溶剤)を含ませるようにしているので、その有機化合物の還元作用により、焼結の阻害要因となる銅粒子表面の銅酸化物が還元されるため、特に還元性雰囲気中で焼成することを必要とせず、不活性雰囲気下での焼結が可能になる。なお、還元ガスを用いた還元雰囲気下で焼成を行うと、上記の銅粒子ペーストを接合材料として用いた場合には、接合部の表面や周辺部において焼結が進み、接合部の内部では焼結が不十分になりやすいという問題があるが、上述のように、還元作用を奏する有機化合物(例えば溶剤)を含有させることにより、還元雰囲気下で焼成を行う必要をなくして、この問題を解消することができる。
 なお、上記の銅粒子ペーストにおいて、銅粒子が低温で焼結するのは、以下に説明するメカニズムによるものと考えられる。
 図1A~図1Dは、銅粒子の焼結のプロセスを模式的に示す図である。
 図1Aに示すように、上記の銅粒子ペーストに用いられている銅粒子10は、結晶子11の平均サイズ(平均結晶子径)が30~100nmと小さく、大きな粒界エネルギーを有している。また、銅粒子10は、常温ではその表面が酸化膜(銅酸化物)12により覆われている。
 この銅粒子ペースト(銅粒子)1が、リフロー温度(例えば230℃)に加熱されると、図1Bに示すように、銅粒子10の周囲に存在する、銅粒子を焼結させるための焼成温度で還元作用を奏する有機化合物(例えば溶剤)13が還元剤として作用し、銅粒子10の表面の酸化膜(銅酸化物)12が還元される。
 こうして、銅粒子10の表面の酸化膜(銅酸化物)12が還元されると、平均結晶子径が小さく、大きな粒界エネルギーを有している銅粒子10は、リフロー温度程度の低い温度でもネック成長し、図1Cに示すように合一して、結晶子径が大きくなる。その結果、図1Dに示すように、銅粒子10自体も大きくなるとともに、平均結晶子径も60~150nmと大きくなり、安定した銅焼結体が形成されることになる。
 上記の銅粒子ペーストを構成する銅粒子は、このようなメカニズムにより、低温でも効率よく焼結させることができる。
 また、本発明の電子部品モジュールは、電子部品が備える外部端子が、上記の銅粒子ペーストを焼き付けることにより形成された接合材料を介して、接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有しており、電子部品の外部端子と接続対象とが密度が高く、空隙が占める割合が小さい銅焼結体からなる接合部を介して確実に接合されているので、高い信頼性を備えた電子部品モジュールを確実に提供することが可能になる。
 また、本発明の電子部品モジュールの製造方法は、電子部品の外部端子が、上記の銅粒子ペーストを介して、接続対象と対向するように、電子部品と接合対象とを位置させた状態で熱処理を行い、銅粒子ペーストに含まれる銅粒子を焼結させ、電子部品の外部端子と接続対象とを、平均結晶子径が60~150nmの銅焼結体により接合するようにしているので、電子部品の外部端子と接続対象とを、密度が高く、空隙が占める割合が小さい銅焼結体からなる接合部を介して確実に接合することが可能になり、信頼性の高い電子部品モジュールを効率よく製造することができる。
銅粒子ペーストにおいて用いられている銅粒子の焼結のプロセスの一工程を模式的に示す図である。 上記の銅粒子ペーストにおいて用いられている銅粒子の焼結のプロセスの他の工程を模式的に示す図である。 上記の銅粒子ペーストにおいて用いられている銅粒子の焼結のプロセスのさらに他の工程を模式的に示す図である。 上記の銅粒子ペーストにおいて用いられている銅粒子の焼結のプロセスのさらに他の工程を模式的に示す図である。 上記の銅粒子ペーストを用いて接合した接合部を示す図である。 上記の銅粒子ペーストを用いて接合した接合部の接合強度の測定方法を説明する図である。 平均結晶子径が56.7nmの銅粒子を用いた銅粒子ペーストの焼成前の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)である。 平均結晶子径が56.7nmの銅粒子を用いた銅粒子ペーストの焼成後の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)である。 平均結晶子径が107.2nmの銅粒子を用いた銅粒子ペーストの焼成前の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)である。 平均結晶子径が107.2nmの銅粒子を用いた銅粒子ペーストの焼成後の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)である。 トリエタノールアミンの還元剤としての作用を確認するための図であり、トリエタノールアミンを塗布した亜酸化銅粉を230℃で10min加熱した場合のXRDチャートを示す図である。 トリエタノールアミンの還元剤としての作用を確認するための図であり、トリエタノールアミンを塗布した亜酸化銅粉を200℃で10min加熱した場合のXRDチャートを示す図である。 本発明の実施形態1にかかる電子部品モジュールの構成を示す図である。 本発明の実施形態2にかかる電子部品モジュールの構成を示す図である。 本発明の実施形態2にかかる電子部品モジュールにおける、電子部品と回路基板の接合部近傍の顕微鏡写真(SEM像)である。 本発明の実施形態3にかかる電子部品モジュールの構成を示す図である。
 以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
 [実施形態1]
 本発明の実施形態1にかかる電子部品モジュールは、電子部品が備える外部端子が、銅粒子ペーストを焼結することにより形成される接合材料を介して、接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュールである。
 接合材料となる銅粒子ペーストを作製するにあたって、まず銅粒子として粒度分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にあり、かつ、焼結前の平均結晶子径が30~100nmの範囲にある銅粒子を用意した。
 また、銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物として、常温で液体のトリエタノールアミンを用意した。
 そして、銅粒子とトリエタノールアミンを、重量比で87:13となるような割合で配合し、混練することにより銅粒子ペーストを作製した。
 なお、銅粒子の粒度分布の粒径ピークは以下の方法で求めた。まず、走査型電子顕微鏡を用いて銅粒子を観察し、視野中の粒子200個について水平方向フェレ径を測定した。そして、得られた測定値を球に換算し、体積平均粒径を算出し、その結果から粒径ピークを求めた。
 また、焼結前の平均結晶子径は以下の方法で求めた。まず、銅粒子についてX線回折測定を行い、ピーク<111>、<200>、<311>の3つのピークを得た。それから、得られた3つのピークを用いて、リートベルト法により結晶子径を算出し、その平均値を平均結晶子径とした。
 <銅粒子ペーストの評価>
 (1)接合強度
 上述のようにして作製した銅粒子ペーストを用いて、以下に説明する方法で、無酸素銅試料片どうしを接合し、接合強度を調べた。
 ここでは、図2に示すように、平面寸法が縦横5mmで、厚みが1mmの第1の無酸素銅試料片21と、平面寸法が縦横3mmで、厚みが1mmの第2の無酸素銅試料片22を、上述のようにして作製した銅粒子ペーストを焼成してなる銅焼結体23を介して接合した。
 銅粒子ペーストを用いて第1の無酸素銅試料片21と、第2の無酸素銅試料片22とを接合するにあたっては、銅粒子ペーストを通過させる貫通孔(ここでは、直径が2000μmの平面形状が円形の貫通孔)を備えたメタルマスクを用い、第1の無酸素銅試料片21上に、銅粒子ペーストを塗布厚みが40μmとなるように印刷した。
 そして、第1の無酸素銅試料片21に印刷された銅粒子ペースト上に、第2の無酸素銅試料片22を載置し、特に応力は加えず、焼成温度:230℃、焼成時間:60min、焼成雰囲気:窒素の条件下で焼成することにより、図2に示すように、第1の無酸素銅試料片21と第2の無酸素銅試料片22を、接合材料(銅粒子ペーストを焼結させた銅焼結体)23を介して接合した。
 それから、第1の無酸素銅試料片21と第2の無酸素銅試料片22の接合強度を測定した。接合強度の測定は、Dage社製万能型ボンドテスターDage4000を用いて、シェア強度を測定することにより行った。
 なお、測定にあたっては、図3に示すように、下側の第1の無酸素銅試料片21を固定治具により固定し、ツール幅4mmのシェアツール24を用い、シェア速度50μm/s、無酸素銅試料片21の表面からツール先端までの距離を50μmとしてシェアした。そして、破面を撮影し、画像処理にて接合面積を測定した。 
 そして、上記シェア強度値を、接合面積で除し、単位面積当たりのシェア強度(MPa)を求めた。
 その結果、シェア強度として、36MPaの高強度が得られることが確認された。
 (2)焼成前および焼成後の平均結晶子径について
 焼成前の平均結晶子径は、銅粒子ペーストをガラス板上にインクを塗布し、上述の方法、すなわち、X線回折測定を行って得たピーク<111>、<200>、<311>の3つのピークから、リートベルト法により結晶子径を算出しその平均値を求める方法で測定した。焼成後の平均結晶子径は、シェアした後の焼結体を、ピンセットを用いて抽出し、ガラス板に載せて、上述の方法、すなわち、X線回折測定を行って得たピーク<111>、<200>、<311>の3つのピークから、リートベルト法により結晶子径を算出しその平均値を求める方法で測定した。
 すなわち、直径が2000μm(2mm)の平面形状が円形の貫通孔を備えたメタルマスクを用い、第1の無酸素銅試料片21上に、銅粒子ペーストを塗布厚みが40μmとなるように印刷し、温度:230℃、焼成時間:60min、焼成雰囲気:窒素の条件下で焼成を行い、焼成前後の結晶子径を調べた。
 その結果、焼成前の段階において、平均結晶子径が62nmであったものが、焼成後においては102μmにまで大きくなることが確認された。
 このように、焼成前の段階における平均結晶子径を、本発明の要件において規定されている範囲を満たすように小さくした場合、分散剤を用いることなく銅粒子の凝集を防止することが可能になるとともに、先に図1A~図1Dを参照しつつ説明したメカニズムにより低温での焼結が可能になる。その結果、高い温度で焼成することを必要とせずに、密度が高く、空隙が占める割合が小さい銅焼結体からなる接合材料を形成することが可能になる。
 図4A、図4Bおよび図5A、図5Bに、本発明の要件において規定されている範囲内にある銅粒子および、範囲から外れた銅粒子を用いた銅粒子ペーストを焼成する前と後の銅粒子の顕微鏡写真(SEM像)を示す。
 なお、図4Aは、本発明の要件において規定されている範囲内にある平均結晶子径が56.7nmの銅粒子を用いた銅粒子ペーストの焼成前の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)、図4Bは焼成後の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)である。
 また、図5Aは、本発明の要件において規定されている範囲から外れた平均結晶子径が107.2nmの銅粒子を用いた銅粒子ペーストの焼成前の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)、図5Bは焼成後の銅粒子の状態を示す顕微鏡写真(SEM像)である。
 図5A、図5Bからわかるように、平均結晶子径が107.2nmの銅粒子10を用いた本発明の要件において規定されている範囲から外れた銅粒子ペーストの場合、銅粒子10のネック成長がほとんど認められなかった。
 これに対して、図4A、図4Bからわかるように、平均結晶子径が56.7nmの銅粒子10を用いた本発明の要件において規定されている範囲内にある銅粒子ペーストの場合、銅粒子10がネック成長すること、すなわち十分に焼結することが確認された。
 (3)トリエタノールアミンの還元性評価
 上述の銅粒子ペーストにおいて、銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物(溶剤)として用いたトリエタノールアミンの還元性を、以下の方法で調べた。
 トリエタノールアミンの還元性を確認するにあたっては、市販の亜酸化銅(Cu2O)粉を用いて、以下に説明する実験を行った。まず、ガラス基板に亜酸化銅粉を載置し、常温で液体のトリエタノールアミンを塗布し、ホットプレートにて、所定の温度で10min加熱後、XRDにて組成分析を行った。
 ここでは、200℃で10min加熱した場合と、電極材料として一般的に用いられるSnの融点近傍の温度条件である230℃で10min加熱した場合の結果を図6A、図6Bを参照しつつ説明する。
 なお、図6Aは、トリエタノールアミンを塗布した亜酸化銅粉を、電極材料として一般的に用いられるSnの融点近傍の温度条件である230℃で10min加熱した場合のXRDチャート、図6Bはトリエタノールアミンを塗布した亜酸化銅粉を200℃で10min加熱した場合のXRDチャートを示す図である。
 その結果、図6Bに示すように、加熱温度が200℃の場合、Cuのピークは認められず、亜酸化銅(Cu2O)のピークが大きいままで、還元作用が奏されていないことが確認された。
 一方、加熱温度が電極材料として一般的に用いられるSnの融点近傍の温度条件である230℃の場合、図6Aに示すように、Cuのピークがはっきりと認められる一方、亜酸化銅(Cu2O)のピークが小さくなっていること、すなわち、還元作用が奏されていることが確認された。
 なお、この実施形態では、還元性を有する有機化合物としてトリエタノールアミンを用いたが、トリエタノールアミン以外にも、グリセリン、エチレングリコール、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコールなどのヒドロキシ基を有する有機化合物が還元性を有していることが確認されており、これらの物質も還元性を有する有機化合物として用いることが可能である。
 なお、還元作用を奏する有機化合物としては、さらに他の有機化合物を用いることも可能である。本発明においては、上述の還元作用を奏する有機化合物として、常温で液体である有機化合物を用いることが望ましいが、場合によっては、常温で固体の物質を用いることも可能であり、その際には、必要に応じて、他の溶剤に溶解させて用いることができる。
 図7は、上述のようにして作製した銅粒子ペーストを焼結することにより形成される接合材料を介して、接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有する、本発明の実施形態(実施形態1)にかかる電子部品モジュールを示す図である。
 この電子部品モジュール30は、図7に示すように、ICチップ(本発明における電子部品)31の表面電極32上に形成された金バンプ(外部端子)33が、銅焼結体(接合材料)34を介して、回路基板35に形成された、例えば銅からなる実装用電極(接続対象)36上に、電気的および機械的に接続されているとともに、ICチップ(電子部品)31が封止樹脂37により封止された構造を有する電子部品モジュールである。
 なお、図7では、回路基板35上にICチップ31が搭載された構造を示しているが、例えば、チップコンデンサやチップ抵抗などの他の電子部品が搭載されていてもよい。
 上述の接合材料である銅焼結体34は、上述の銅粒子ペーストを焼き付けることにより形成されたものであって、焼結後の平均結晶子径が60~150nmの範囲にある銅焼結体である。
 次に、この電子部品モジュール30の製造方法について説明する。この電子部品モジュールを製造するにあたっては、まず、表面に実装用電極(ランド電極)36を備えた回路基板35を用意する。
 また、表面電極32上に金バンプ(外部端子)33が形成されたICチップ(本発明における電子部品)31を用意する。
 それから、回路基板35の実装用電極36上に、上述の銅粒子ペーストを付与し、ICチップ(電子部品)31の金バンプ(外部端子)33が、回路基板35の実装用電極36上に付与された銅粒子ペースト上に位置するような態様で、ICチップ(電子部品)31を回路基板35の実装用電極36上に搭載する。そして、特にICチップ(電子部品)31を回路基板35に向かって押し付けたりすることなく、窒素雰囲気(不活性雰囲気)中、230℃で焼成することにより、銅粒子ペーストに含まれる銅粒子を焼結させ、銅焼結体(接合材料)34を介して、金バンプ(外部端子)33を実装用電極(接続対象)36に接続する。
 それから、回路基板35上に搭載されたICチップ(電子部品)31を封止樹脂37により封止する。これにより、図7に示すような構造を有する電子部品モジュール30が得られる。
 この電子部品モジュール30は、ICチップ(電子部品)31の金バンプ(外部端子33が、上記の銅粒子ペーストを焼き付けることにより形成され、焼結後の平均結晶子径が60~150nmの範囲にある銅焼結体(接合材料)34を介して、接続対象である回路基板35の実装用電極(接続対象)36に電気的および機械的に接続された構造を有している。
 したがって、ICチップ(電子部品)31の金バンプ(外部端子)33と実装用電極(接続対象)36とが、密度が高く、空隙が占める割合が小さい銅焼結体からなる接合材料34を介して確実に接合された信頼性の高い電子部品モジュールを提供することができる。
 また、上述の電子部品モジュールの製造方法によれば、ICチップ(電子部品)31の金バンプ(外部端子)33が、焼成後に銅焼結体34となる銅粒子ペーストを介して、接続対象36と対向するように、ICチップ(電子部品)31と実装用電極(接続対象)36とを位置させた状態で熱処理を行うようにしているので、ICチップ(電子部品)31の金バンプ(外部端子)33と接続対象36とを、密度が高く、空隙が占める割合が小さい銅焼結体からなる接合材料(銅焼結体)34により確実に接合することが可能になる。
 したがって、ICチップ(電子部品)31の金バンプ(外部端子)33と接続対象36とが確実に接合された、信頼性の高い電子部品モジュールを効率よく製造することができる。
 また、外部から力を加えることなく熱処理を行うようにしているので、ICチップ(電子部品)31へのダメージを少なくすることが可能になるとともに、微小な接合部を形成することが可能になる。
 なお、実施形態1では、ICチップ(電子部品)のバンプが金からなるものであり、実装用電極(ランド電極)が銅からなるものである場合を、例にとって説明したが、バンプの構成材料としては、Ag、Cu、Ni、Ag-Pdなどを用いることが可能であり、また、実装用電極(ランド電極)の構成材料としては、 Au、Ag、Ni、Ag-Pdなどを用いることが可能である。
 [実施形態2]
 図8は、本発明の実施形態(実施形態2)にかかる電子部品モジュールを示す図である。
 この電子部品モジュール40は、図8に示すように、積層セラミックコンデンサ41が備える銅からなる外部端子42が、銅焼結体(接合材料)44を介して、回路基板(アルミナ基板)45に形成された銅からなる実装用電極(本発明における接続対象)46に、電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュールである。
 この電子部品モジュール40において、実装用電極(ランド電極)46と、外部端子42との接合強度は45MPaであることが確認されている。
 この電子部品モジュール40は、回路基板45の表面に形成された実装用電極(ランド電極)46上に、焼成後に銅焼結体44となる銅粒子ペーストを付与し、両端に外部端子42が形成された積層セラミックコンデンサ41を、実装用電極(ランド電極)46と上記外部端子42が銅粒子ペーストを介して対向するように載置し、特に外部から応力を加えたりすることなく、窒素雰囲気(不活性雰囲気)中、230℃で焼成することにより、銅粒子ペーストに含まれる銅粒子を焼結させることにより形成されたものである。
 図9は、積層セラミックコンデンサ41と回路基板45の接合部近傍の顕微鏡写真(SEM像)である。
 図9より、回路基板45上の銅からなる実装用電極46に対して、積層セラミックコンデンサ41の銅からなる外部端子42が、銅焼結体44からなる接合材料を介して接合されていることがわかる。
 この実施形態2から、積層セラミックコンデンサ41の外部端子42にSnめっき層やはんだめっき層などを形成せずに、上記の銅粒子ペーストを用いて、積層セラミックコンデンサ41の銅からなる外部端子42と、回路基板45上の銅からなる実装用電極46とを直接接合することで、金属間化合物を形成することなく、信頼性の高い接合を実現できることがわかる。
 なお、積層セラミックコンデンサの外部端子の構成材料は、銅に限らず、金、銀、銀-パラジウム、ニッケルなどから形成されていてもよい。また、銅にガラスが含まれていてもよい。
 [実施形態3]
 図10は、本発明の他の実施形態(実施形態3)にかかる金属端子付きの電子部品(広義の電子部品モジュール)を示す図である。
 図10に示されている電子部品(例えば積層セラミックコンデンサ)50は、電子部品素子51の表面に形成された外部電極52に、上記の銅粒子ペーストを焼き付けることにより形成される銅焼結体(接合材料)54により、金属端子(この例では、L字状の金属端子)53を接合してなる金属端子付きの電子部品50である。
 この実施形態3の金属端子付きの電子部品50は、例えば、電子部品素子51の表面に形成された外部電極52または金属端子53の少なくとも一方に上記の銅粒子ペーストを塗布し、両者を接合させた状態で、所定の条件下で熱処理を施し、銅粒子ペースト中の銅粒子を焼結させることにより容易かつ確実に作製することができる。
 なお、この金属端子付きの電子部品50は、電子部品素子51の外部電極52と接続対象である金属端子53とが、密度が高く、空隙が占める割合が小さい銅焼結体からなる接合材料(銅焼結体)54により確実に接合されており、高い信頼性を備えている。
 なお、金属端子は上述のような構成のものに限られるものではなく、他の電子部品の一部を構成する金属端子であってもよい。その場合も同様の効果を得ることができる。金属端子53の構成材料に特別の制約はなく、金、銀、銅、銀-パラジウム、ニッケルなどからなるものを用いることが可能である。
 また、上記の銅粒子ペーストは、実施形態1,2で説明した電子部品モジュールや、実施形態3で説明した金属端子付き電子部品(広義の電子部品モジュール)などの用途に限られるものではなく、例えば、
 (a)多層セラミック基板の内部に配設される内蔵部品の接続材料、
 (b)層間接続のためのビアホール導体形成用材料、
 (c)配線や電極を形成するための電極形成用材料、
 (d)導電性封止材料、
 (e)ダイボンド用の接続材料
 などの用途にも適用することが可能である。
 本発明はさらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
 10     銅粒子
 11     結晶子
 12     酸化膜(銅酸化物)
 13     還元作用を奏する有機化合物(溶剤)
 21     第1の無酸素銅試料片
 22     第2の無酸素銅試料片
 23     銅粒子ペーストを焼成してなる銅焼結体
 24     シェアツール
 30     電子部品モジュール
 31     ICチップ(電子部品)
 32     表面電極
 33     金バンプ(外部端子)
 34     銅焼結体(接合材料)
 35     回路基板
 36     実装用電極(接続対象)
 37     封止樹脂
 40     電子部品モジュール
 41     積層セラミックコンデンサ
 42     外部端子
 44     銅焼結体(接合材料)
 45     回路基板(アルミナ基板)
 46     実装用電極(接続対象)
 50     電子部品
 51     電子部品素子
 52     外部電極
 53     金属端子
 54     銅焼結体(接合材料)

Claims (9)

  1.  電子部品が備える外部端子が、接合材料を介して、接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュールであって、
     前記接合材料は、
     粒径分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にあるとともに、焼結前の平均結晶子径が30~100nmの範囲にあり、かつ、凝集を抑制する分散剤を粒子表面に有していない銅粒子と、
     前記銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物と、
     を含有する銅粒子ペーストを焼結させることにより形成されたものであること
     を特徴とする電子部品モジュール。
  2.  前記接合材料は、焼結後の銅粒子の平均結晶子径が60~150nmの範囲にある銅焼結体であること
     を特徴とする請求項1記載の電子部品モジュール。
  3.  前記有機化合物がヒドロキシ基を有する有機化合物であることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品モジュール。
  4.  前記有機化合物がトリエタノールアミン、グリセリン、エチレングリコール、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコールからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  5.  前記接続対象が、回路基板に配設された実装用電極であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  6.  前記接続対象が、前記外部端子に取り付けられた金属端子であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  7.  電子部品が備える外部端子が、接合材料を介して接続対象に電気的および機械的に接続された構造を有する電子部品モジュールの製造方法であって、
    前記電子部品の前記外部端子が、粒径分布の粒径ピークが0.1~5.0μmの範囲にあるとともに、焼結前の平均結晶子径が30~100nmの範囲にあり、かつ、凝集を抑制する分散剤を粒子表面に有していない銅粒子と、前記銅粒子を焼結させる際の焼成温度で還元作用を奏する有機化合物と、を含有する銅粒子ペーストを介して前記接続対象と対向するように、前記電子部品と前記接合対象とを位置させる工程と、
     熱処理を行って前記銅粒子ペーストに含まれる前記銅粒子を焼結させることにより、銅粒子の平均結晶子径が60~150nmである銅焼結体を形成し、前記電子部品の前記外部端子と前記接続対象とを、前記銅焼結体を介して接合する工程と
     を備えていることを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
  8.  前記電子部品の前記外部端子が、前記銅粒子ペーストを介して前記接続対象と対向するように前記電子部品を前記接合対象上に載置した状態で、外部から力を加えることなく前記熱処理を行うことを特徴とする請求項7記載の電子部品モジュールの製造方法。
  9.  前記熱処理を、不活性雰囲気中で実施することを特徴とする請求項7または8記載の電子部品モジュールの製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017152638A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社村田製作所 接合構造、該接合構造を備えた電子部品、および該接合構造の形成方法
WO2018074188A1 (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 株式会社村田製作所 インダクタ部品、インダクタ部品の製造方法
EP3358610A4 (en) * 2015-10-02 2019-04-24 Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. BONDING CONNECTION STRUCTURE
JP2020136580A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 株式会社大阪ソーダ 導電性接着剤を用いる接合方法
US11257779B2 (en) 2017-05-26 2022-02-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer wiring board, electronic device and method for producing multilayer wiring board
JPWO2023189338A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05
JPWO2023189513A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05
WO2024248066A1 (ja) * 2023-05-30 2024-12-05 株式会社ダイセル ポリマー及びそれを含む感光性樹脂組成物、銅ペースト、液状組成物、半導体デバイスの製造方法及び半導体接続用銅ピラーの製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6332566B2 (ja) 2015-09-15 2018-05-30 株式会社村田製作所 接合用部材、接合用部材の製造方法、および、接合方法
WO2017056842A1 (ja) 2015-09-28 2017-04-06 株式会社村田製作所 ヒートパイプ、放熱部品、ヒートパイプの製造方法
JP6369640B2 (ja) * 2015-11-05 2018-08-08 株式会社村田製作所 接合用部材、および、接合用部材の製造方法
JP6565710B2 (ja) * 2016-01-27 2019-08-28 三菱マテリアル株式会社 銅部材接合体の製造方法
CN112771628B (zh) 2018-09-28 2022-09-13 纳美仕有限公司 导电性糊剂
EP3950175B1 (en) * 2019-03-29 2025-06-04 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Bonding material and uses therof
CN110202137B (zh) * 2019-05-29 2021-07-20 深圳第三代半导体研究院 一种低温烧结铜膏及其烧结工艺
US20240081336A1 (en) * 2019-09-16 2024-03-14 Corning Incorporated Color stabilization of biocidal coatings
KR102842071B1 (ko) * 2019-09-18 2025-08-04 삼성전기주식회사 전자 부품 및 그 실장 기판
JP7380256B2 (ja) 2020-01-28 2023-11-15 三菱マテリアル株式会社 接合用シート
US20240224422A1 (en) * 2021-01-28 2024-07-04 Kyocera Corporation Wiring board
EP4503103A4 (en) * 2022-03-30 2025-07-02 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd PROCESS FOR MANUFACTURING BODY BONDED
CN118973743A (zh) * 2022-04-28 2024-11-15 三井金属矿业株式会社 接合用铜糊剂、被接合体的接合方法、接合体的制造方法和接合用铜糊剂的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265607A (ja) * 2003-01-23 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性ペースト、その導電性ペーストを用いた回路形成基板、およびその製造方法
JP2013091835A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Hitachi Ltd 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859364A (en) * 1988-05-25 1989-08-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition
US5180523A (en) * 1989-11-14 1993-01-19 Poly-Flex Circuits, Inc. Electrically conductive cement containing agglomerate, flake and powder metal fillers
US5652042A (en) * 1993-10-29 1997-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste
JPH09198920A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Mitsuboshi Belting Ltd 銅導体ペースト及び該銅導体ペーストを印刷した基板
US6679937B1 (en) * 1997-02-24 2004-01-20 Cabot Corporation Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same
US6139777A (en) * 1998-05-08 2000-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste for filling via-hole, double-sided and multilayer printed circuit boards using the same, and method for producing the same
CN1273993C (zh) * 1998-08-28 2006-09-06 松下电器产业株式会社 导电粘结结构,含该结构的制品及其制造方法
US6620344B2 (en) * 1999-05-28 2003-09-16 Dowa Mining Co., Ltd. Copper particle clusters and powder containing the same suitable as conductive filler of conductive paste
JP2002110444A (ja) * 2000-09-26 2002-04-12 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP3854103B2 (ja) * 2001-06-28 2006-12-06 住友ベークライト株式会社 導電性ペースト及び該ペーストを用いてなる半導体装置
JP4298597B2 (ja) * 2004-07-01 2009-07-22 日東電工株式会社 配線回路基板および配線回路基板の製造方法
KR100702595B1 (ko) * 2005-07-22 2007-04-02 삼성전기주식회사 금속 나노 입자 및 이의 제조방법
JP4687599B2 (ja) 2006-07-26 2011-05-25 住友金属鉱山株式会社 銅微粉とその製造方法及び導電性ペースト
JP5525301B2 (ja) * 2010-03-24 2014-06-18 国立大学法人東北大学 金属微粒子・金属酸化物微粒子の製造方法、金属微粒子・金属酸化物微粒子、並びに金属含有ペーストおよび金属膜・金属酸化物膜
JP5520861B2 (ja) * 2010-03-26 2014-06-11 古河電気工業株式会社 銅合金微粒子分散液、焼結導電体の製造方法、及び焼結導電体、並びに導電接続部材
JP2012038790A (ja) 2010-08-04 2012-02-23 Hitachi Ltd 電子部材ならびに電子部品とその製造方法
JP5557698B2 (ja) 2010-11-04 2014-07-23 株式会社日立製作所 焼結接合剤、その製造方法およびそれを用いた接合方法
KR101719189B1 (ko) * 2011-04-04 2017-03-23 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 실장구조체 및 그 제조방법
JP2013008907A (ja) 2011-06-27 2013-01-10 Hitachi Chem Co Ltd 導電性ペースト用酸化銅粉末、導電性ペースト用酸化銅粉末の製造方法、導電性ペースト及びこれを用いて得られる銅配線層
WO2014080662A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 三井金属鉱業株式会社 銅粉及びその製造方法
KR102018194B1 (ko) * 2014-08-29 2019-09-04 미쓰이금속광업주식회사 도전체의 접속 구조 및 그 제조 방법, 도전성 조성물 그리고 전자부품 모듈

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265607A (ja) * 2003-01-23 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性ペースト、その導電性ペーストを用いた回路形成基板、およびその製造方法
JP2013091835A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Hitachi Ltd 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3104400A4 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3358610A4 (en) * 2015-10-02 2019-04-24 Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. BONDING CONNECTION STRUCTURE
US10340154B2 (en) 2015-10-02 2019-07-02 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Bonding junction structure
JP2017152638A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社村田製作所 接合構造、該接合構造を備えた電子部品、および該接合構造の形成方法
WO2018074188A1 (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 株式会社村田製作所 インダクタ部品、インダクタ部品の製造方法
US11257779B2 (en) 2017-05-26 2022-02-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer wiring board, electronic device and method for producing multilayer wiring board
JP2020136580A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 株式会社大阪ソーダ 導電性接着剤を用いる接合方法
JP7170968B2 (ja) 2019-02-22 2022-11-15 株式会社大阪ソーダ 導電性接着剤を用いる接合方法
JPWO2023189338A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05
JPWO2023189513A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05
WO2023189513A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 京セラ株式会社 配線基板
US12598700B2 (en) 2022-03-30 2026-04-07 Kyocera Corporation Wiring board
WO2024248066A1 (ja) * 2023-05-30 2024-12-05 株式会社ダイセル ポリマー及びそれを含む感光性樹脂組成物、銅ペースト、液状組成物、半導体デバイスの製造方法及び半導体接続用銅ピラーの製造方法

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